JP3540191B2 - Device recognition method for layout data of layout verification tool for semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は素子認識方法に係り、特に大規模半導体集積回路(LSI)レイアウト検証ツールにおける、レイアウトデータからの素子認識方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
レイアウト検証ツールにおける、レイアウトデータの素子認識では、レイアウト構造は同一であるが、別素子として扱う場合がある。例えば、レイアウト構造は同一であるが、ゲート長の最小寸法が異なるトランジスタは、別素子として扱うことがある。従来、上記のようなレイアウト構造上、区別のつかない素子を認識する場合は、素子の種類毎に異なった認識層を用いる方法と、テキスト(TEXT)を用いる方法の2通りが知られている(特許第2788804号公報、特開昭63−36553号公報)。
【0003】
前者の素子の種類毎に異なった認識層を用いる従来の素子認識方法では、例えば、図6(A)に示すゲート長g1のトランジスタ1、同図(B)に示すゲート長g2のトランジスタ2、同図(C)に示すゲート長g3のトランジスタ4の各ゲート長には、g1<g2<g3の関係があるものとした場合、トランジスタ2には認識層3を示す認識層データを、またトランジスタ4については認識層3とは異なる層の認識層5を示す認識層データを挿入することで、3種類のトランジスタ1、2及び4を区別し、素子形成層と認識層の各データの論理演算を行うことでレイアウト構造上区別を行う。
【0004】
また、後者のテキスト(TEXT)を用いる従来の素子認識方法では、例えば図7(A)に示すゲート長g1のトランジスタ1、同図(B)に示すゲート長g2のトランジスタ2、同図(C)に示すゲート長g3のトランジスタ4の各ゲート長には、g1<g2<g3の関係があるものとした場合、トランジスタ2にはBTrなるテキストを配置し、トランジスタ4にはCTrなるテキストを配置することで、テキストの文字によってレイアウト構造上区別を行う。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、図6と共に説明した従来の素子認識方法では、区別したい素子の種類数だけ認識層が必要になる。しかし、一般的なレイアウト描画ツール、LSI検証ツールでは使用できるレイアウト層の数に上限がある。しかも、近年、LSIの設計では、プロセスの微細化や各種デバイスを同一チップ上に形成する傾向があり、製造工程を構成するための使用層が増加しているため、幾つも認識層として使用できず、区別したい素子の種類数に制約があるという問題がある。
【0006】
一方、図7と共に説明した従来の素子認識方法では、検証レベルにおいて常に認識用テキストが検証ツールで認識できる最上位階層に配置されていないといけないという問題がある。すなわち、一般的な検証ツールにおいてテキストは端子情報として扱われる。また、階層レイアウトではその特性を活用した階層毎での検証を行うため、各階層で端子情報としてのテキストが配置されている。そのため、全階層のテキストの認識を行う場合には、複数のテキストが同一ノード上の複数端子としてエラーが検出されるという問題が発生する。
【0007】
この問題を避けるため、一般的に行う検証では、最上位階層に配置されたテキストの認識のみを有効にする必要がある。そのため、図7と共に説明した従来の素子認識方法で示されている領域認識のためのテキストも常に検証時の最上位階層に配置する必要がある。しかし、検証時の最上位階層は素子によって必ずしも同一階層とは限らないから、本来ならば特定領域に1つ配置すればよい素子認識用テキストを、素子毎の最上位階層それぞれに配置しなければならず、工数が多大になるという問題がある。
【0008】
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、認識層の数が区別したい素子数に依存せずに素子認識を行い得る素子認識方法を提供することを目的とする。
【0009】
また、本発明の他の目的は、階層化検証においてデータ入力が容易な素子認識方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するため、半導体集積回路のレイアウト検証ツールにおける、入力したレイアウトデータからの素子認識方法において、レイアウトデータは第1の素子認識層と第2の素子認識層を有し、第1の素子認識層の図形と第2の素子認識層の図形が接している辺の数によって認識パターンを抽出する第1のステップと、抽出した認識パターンを用いて素子領域を区別する第2のステップと、素子領域に含まれる素子構成要素を抽出する第3のステップと、抽出された素子構成要素からなるトランジスタを認識する第4のステップとを有することを特徴とする。
【0011】また、本発明は、上記の目的を達成するため、レイアウト構造は同一だが、別素子として扱う素子の素子認識層の図形を該素子の種類に応じて異なる図形形状で配置し、素子認識層の図形形状によって認識パターンを抽出する第1のステップと、抽出した前記認識パターンを用いて素子領域を区別する第2のステップと、素子領域に含まれる素子構成要素を抽出する第3のステップと、抽出された素子構成要素からなるトランジスタを認識する第4のステップとを有することを特徴とする。また、レイアウト構造は同一だが、別素子として扱う素子の素子認識層に該素子の種類に応じて異なる数の同一形状の図形を配置してもよい。
【0012】
また、本発明は上記の目的を達成するため、レイアウトデータは素子認識層を有し、素子認識層の図形の頂点の数又は面積によって認識パターンを抽出する第1のステップと、抽出した認識パターンを用いて素子領域を区別する第2のステップと、素子領域に含まれる素子構成要素を抽出する第3のステップと、抽出された前記素子構成要素からなるトランジスタを認識する第4のステップとを有することを特徴とする。
【0013】
本発明では、レイアウト構造は同一な素子の種類に応じて接辺数、形状あるいは個数が異なる図形パターンを、2層以下の認識層に配置してレイアウトデータを作成し、検証時にこの図形パターンをレイアウトデータから抽出するようにしたため、2層以下の認識層にて任意数の素子認識を行うことができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。図1は本発明になる素子認識方法の一実施の形態による各種パターン図を示す。図1(A)はトランジスタN1の認識パターン図、図1(B)はトランジスタN2の認識パターン図、図1(C)はトランジスタN3の認識パターン図を示す。MOSトランジスタN1、N2及びN3はレイアウト構造は同一であるが、最小ゲート長がそれぞれG1、G2及びG3で、G1<G2<G3という互いに異なる関係にある。
【0015】
かかるレイアウト構造が同一であるトランジスタN1、N2及びN3を、レイアウトデータから別素子として後の回路図との照合との際に認識させるため、この実施の形態では、LSIの論理回路設計段階で、設計者がMOSトランジスタの最小ゲート長に応じて、図1(A)に示す認識パターン11、図1(B)に示す認識パターン12及び図1(C)に示す認識パターン13を配置したレイアウトデータを生成する。上記の認識パターン11、12及び13は、LSI検証ツールの有する認識層を2つ用いてパターン化されている。すなわち、図2(A)に示す認識層Aと、図2(B)〜(D)に白四角で示す、認識層Aとは異なる認識層Bとを用いる。
【0016】
第1の認識パターン11は、図2(B)に示すように、1つの認識層Aに1つの認識層Bが接している接辺数が1のパターンである。第2の認識パターン12は、図2(C)に示すように、1つの認識層Aの左右両側に認識層Bが1つずつ接している接辺数が2のパターンである。更に、第3の認識パターンは、図2(D)に示すように、1つの認識層Aの左右と下側に認識層Bが1つずつ接している接辺数が3のパターンである。
【0017】
LSIの論理回路設計段階で、設計者は、MOSトランジスタの最小ゲート長がG1であるときは、図2(B)に示した認識パターン11を図1(A)に示すように、画面上のトランジスタN1の領域内に配置することで、2つの認識層Aと認識層Bとの間の接辺数が1であるというデータが入力される。同様に、MOSトランジスタの最小ゲート長がG2であるときは、図2(C)に示した認識パターン12を図1(B)に示すように、画面上のトランジスタN2の領域内に配置することで、2つの認識層Aと認識層Bとの間の接辺数が2であるというデータが入力され、MOSトランジスタの最小ゲート長がG3であるときは、図2(C)に示した認識パターン13を図1(C)に示すように、画面上のトランジスタN3の領域内に配置することで、2つの認識層Aと認識層Bとの間の接辺数が3であるというデータが入力されてレイアウトデータが生成される。
【0018】
なお、LSIの論理回路設計段階では、図1(A)〜(C)のAREA_1〜AREA_3、GATE_1〜GATE_3なる文字は表示されず、矩形領域と上記の認識パターン11〜13が表示されている。このように、LSIの論理回路設計段階で、MOSトランジスタの最小ゲート長に応じてトランジスタの種類を示す認識パターン11〜13を配置するようにしているので、従来のような認識層を挿入する方法に比べて視覚的に判別が容易である。しかも、この実施の形態では、認識層Aと認識層Bの2つの認識層のみで3種類の素子認識を行わせることができ、また認識層の配置位置が階層に依存しないようにできる。
【0019】
次に、LSIの論理回路設計終了後、トランジスタを含む回路との照合の際に、LSI検証ツールにおける図形形状の特徴を認識する機能を用いて、レイアウトデータから認識パターンを抽出して、トランジスタの認識を行う場合の動作について説明する。なお、認識層の接辺数算出の処理は、一般の検証ツールに備わっている処理である。
【0020】
具体的に検証ツールを実行するためのルールファイルを用いて図3のフローチャート及び図2の図形と共に説明する。この実施の形態では、まず、レイアウトデータから異なる層同士の接する辺の数によって認識パターンを抽出する(図3のステップ21)。この認識パターンの抽出に用いるSELECTコマンドは、「SELECT A CONDITION B C」という書式で表され、Aというデータ層のうちBというデータ層に対してCONDITIONに記述された条件に一致するデータのみをCというデータ層にコピーする処理を行うものである。
【0021】
以下、認識層Aで形成される矩形をPATTERN_Aと表し、認識層Bで形成される矩形をPATTERN_Bで表すものとする。これにより、ステップ21での認識パターンに用いるSELECTコマンドは、第1の認識パターン11抽出時は、
SELECT PATTERN_A TOUCH[1] PATTERN_B FIG_1 (1−1)
で表される。なお、TOUCH[1]は認識層AとBの接辺数が1であることを示す。(1−1)は、PATTERN_Bに接する辺が1辺(TOUCH[1])のみのPATTERN_AをFIG_1とするということを示している。
【0022】
同様に、第2の認識パターン12抽出時、第3の認識パターン13抽出時は、それぞれ認識層AとBの接辺数が2、3であるから
SELECT PATTERN_A TOUCH[2] PATTERN_B FIG_2 (1−2)
SELECT PATTERN_A TOUCH[3] PATTERN_B FIG_3 (1−3)
で表され、それぞれの認識パターン12、13がFIG_2、FIG_3として表される。
【0023】
続いて、抽出した認識パターンを用いて、素子領域を区別する(図3のステップ22)。素子領域の区別は、第1の認識パターンFIG_1を含む(ENCLOSE)素子領域(AREA)をAREA_1とし、第2の認識パターンFIG_2を含む(ENCLOSE)素子領域(AREA)をAREA_2とし、第3の認識パターンFIG_3を含む(ENCLOSE)素子領域(AREA)をAREA_3とすることで行う。これをSELECTコマンドで表記すると以下のようになる。
【0024】
SELECT AREA ENCLOSE FIG_1 AREA_1 (2−1)
SELECT AREA ENCLOSE FIG_2 AREA_2 (2−2)
SELECT AREA ENCLOSE FIG_3 AREA_3 (2−3)
これらのAREA_1、AREA_2及びAREA_3は、図1(A)、(B)及び(C)に図示する領域を示している。
【0025】
続いて、ステップ22で区別された素子領域に含まれる素子構成要素を抽出する(図3のステップ23)。トランジスタの認識の場合、素子構成要素として、次式
GATE = DIFFUSION AND POLY (3−1)
により拡散層とポリシリコンの重なる部分をゲートと定義し、次式により素子領域AREA_1、AREA_2及びAREA_3に含まれるゲートを、それぞれGATE_1、GATE_2及びGATE_3として抽出する。
【0026】
GATE_1=AREA_1 AND GATE (3−2)
GATE_2=AREA_2 AND GATE (3−3)
GATE_3=AREA_3 AND GATE (3−4)
最後に、ステップ23で抽出された素子構成要素からなるトランジスタの認識を行う(図3のステップ24)。素子認識のためのエレメント(ELEMENT)コマンドは、「ELEMENT NAME a b c d」という書式で示され、「NAME」という素子がb,c,dの要素で構成されていることを定義している。aはデバイス要素が記述され、この部分によって様々な素子の区別を行うため、NAME固有のものである必要がある。
【0027】
MOSトランジスタの場合、上記のELEMENTコマンド中のaはゲート、bはポリシリコン(ゲート部分の材質)、cは拡散層(ソース・ドレインの材質)、dはウェル(バルク部分の材質)を定義する必要がある。よって、図1の場合は、次式のELEMENTコマンドにより、トランジスタN1、N2、N3が認識されることとなる。
【0028】
ELEMENT MOS[N1] GATE_1 POLY DIFFUSION BULK (4−1)
ELEMENT MOS[N2] GATE_2 POLY DIFFUSION BULK (4−2)
ELEMENT MOS[N3] GATE_3 POLY DIFFUSION BULK (4−3)
(4−1)は、図1(A)のように、ゲート部分がGATE_1であるトランジスタをトランジスタN1と認識することを意味する。同様に、(4−2)は、図1(B)のように、ゲート部分がGATE_2であるトランジスタをトランジスタN2と認識することを、(4−3)は、図1(C)のように、ゲート部分がGATE_3であるトランジスタをトランジスタN3と認識することを、それぞれ意味する。
【0029】
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。この第2の実施の形態は、図4に示すような認識パターンを用いて、認識層の頂点数の差により認識パターンを区別する素子認識方法である。この実施の形態は、図3のステップ21の部分のみが図4に示す認識パターンを用いて素子の認識パターンを抽出する点に特徴があり、図3のステップ22〜24は第1の実施の形態と同じである。
【0030】
図4(A)、(B)、(C)及び(D)は、頂点数がそれぞれ3、4、5及び6である三角形、四角形、五角形及び六角形を示しており、これらは図2に示した認識パターンの代わりに用いられる。従って、例えば、トランジスタN1、N2及びN3の認識パターンとして図4(B)、(C)及び(D)に示す形状の認識パターンが設計者により用いられる。
【0031】
設計終了後のLSI検証ツールの素子認識は、図3に示したフローチャートに従って行われるが、この実施の形態では、図3のステップ21での認識パターンの抽出に用いるSELECTコマンドは、図4(B)の四角形の認識パターン抽出時は、
SELECT PATTERN_A VERTEX[4] FIG_4 (5−1)
で表される。これは、PATTERN_Aの頂点数4つのものをFIG_4とすることを意味する。なお、VERTEX[4]は頂点数が4であることを示す。同様に、図4(C)の五角形の認識パターン抽出時、図4(D)の六角形の認識パターン抽出時は、それぞれ頂点数が5、6であるから
SELECT PATTERN_A VERTEX[5] FIG_5 (5−2)
SELECT PATTERN_A VERTEX[6] FIG_6 (5−3)
で表され、PATTERN_Aの頂点数5つのものをFIG_5、PATTERN_Aの頂点数6つのものをFIG_6とする。
【0032】
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。この第3の実施の形態は、図5に示すような認識パターンを用いて、認識層の面積の差により認識パターンを区別する素子認識方法である。この実施の形態は、図3のステップ21の部分のみが図5に示す認識パターンを用いて素子の認識パターンを抽出する点に特徴があり、図3のステップ22〜24は第1の実施の形態と同じである。
【0033】
図5(A)、(B)及び(C)は、面積がそれぞれ1、2及び3の矩形の認識パターンを示しており、これらは図2あるいは図4に示した認識パターンの代わりに用いられる。従って、例えば、トランジスタN1、N2及びN3の認識パターンとして図5(A)、(B)及び(C)に示す形状の認識パターンが設計者により用いられる。
【0034】
設計終了後のLSI検証ツールの素子認識は、図3に示したフローチャートに従って行われるが、この実施の形態では、図3のステップ21での認識パターンに用いるSELECTコマンドは、図5(A)の面積1の矩形の認識パターン抽出時は、
SELECT PATTERN_A AREA[1.00] FIG_7 (6−1)
で表される。これは、PATTERN_Aの面積が1(AREA[1.00])のものをFIG_7とすることを意味する。同様に、図5(B)の面積2の矩形の認識パターン抽出時、図5(C)の面積3の矩形の認識パターン抽出時は、それぞれ面積が2、3であるから
SELECT PATTERN_A ARAE[2.00] FIG_8 (6−2)
SELECT PATTERN_A AREA[3.00] FIG_9 (6−3)
で表され、PATTERN_Aの面積が2ものをFIG_8、PATTERN_Aの面積が3のものをFIG_9とする。
【0035】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、例えば上記の実施の形態では3種類の素子認識について説明したが、2つの認識層A及びBあるいは1つの認識層Aのみにより、接辺数や頂点数あるいは面積を増大することにより、4種類以上の素子認識が可能であり、また、2つの認識層A及びBは辺が重なっていてもよく、更に形状が異なるか、あるいは同一形状で個数を異ならせることにより2種類以上の素子認識を行わせる認識パターンとすることもできる。更に、認識する素子としてはMOSトランジスタ以外の素子でも同様に可能であることは勿論である。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、レイアウト構造は同一な素子の種類に応じて接辺数、形状あるいは個数が異なる図形パターンを、2層以下の認識層に配置してレイアウトデータを作成し、検証時にこの図形パターンをレイアウトデータから抽出することにより、2層以下の認識層にて任意数の素子認識を行うことができるため、使用できるレイアウト層に上限があるLSI検証ツールにとって好適に、認識層の数に依存せずに多くの素子の種類を認識できる。
【0037】
また、本発明によれば、認識パターンに図形パターンを使用しているので、認識パターンの配置位置が階層に依存せず、任意の階層に配置すればよいので、テキストの文字によって素子を認識する従来方法に比べて、認識パターンを配置する工数を削減できると共に、階層レイアウトにおける検証が容易にできる。
【0038】
更に、本発明によれば、図形形状の特徴によって素子の種類を表している認識パターンを用いているため、従来のような認識層を挿入する方法に比べてレイアウトデータ作成時における認識パターンの配置が視覚的に容易にでき、レイアウト作成時の能率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法の一実施の形態により認識される素子と認識パターンの説明図である。
【図2】本発明方法で用いる認識パターンの第1の実施の形態の説明図である。
【図3】本発明方法の一実施の形態のフローチャートである。
【図4】本発明方法で用いる認識パターンの第2の実施の形態の説明図である。
【図5】本発明方法で用いる認識パターンの第3の実施の形態の説明図である。
【図6】従来方法の一例の説明図である。
【図7】従来方法の他の例の説明図である。
【符号の説明】
11、12、13 認識パターン
21〜24 処理ステップ
A、B 認識層
G1、G2、G3 ゲート長[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a device recognition method, and more particularly to a device recognition method from layout data in a large-scale semiconductor integrated circuit (LSI) layout verification tool.
[0002]
[Prior art]
In the layout verification tool, in the element recognition of the layout data, the layout structure is the same, but it may be treated as another element. For example, transistors having the same layout structure but different gate length minimum dimensions may be treated as separate elements. Conventionally, when recognizing an indistinguishable element in the layout structure as described above, two methods are known: a method using a different recognition layer for each element type and a method using text (TEXT). (Japanese Patent No. 2788804, JP-A-63-36553).
[0003]
In the former element recognition method using a different recognition layer for each element type, for example, a
[0004]
In the latter conventional element recognition method using the text (TEXT), for example, a
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional device recognition method described with reference to FIG. 6, recognition layers are required for the number of types of devices to be distinguished. However, there is an upper limit to the number of layout layers that can be used in a general layout drawing tool and LSI verification tool. Moreover, in recent years, in LSI design, there is a tendency to miniaturize processes and form various devices on the same chip, and the number of layers used for forming a manufacturing process is increasing, so that many LSIs can be used as recognition layers. However, there is a problem that the number of types of elements to be distinguished is limited.
[0006]
On the other hand, the conventional element recognition method described with reference to FIG. 7 has a problem that the recognition text must always be arranged at the highest hierarchy that can be recognized by the verification tool at the verification level. That is, text is treated as terminal information in a general verification tool. Also, in the hierarchical layout, text as terminal information is arranged in each hierarchical level in order to perform verification at each hierarchical level utilizing the characteristics. Therefore, when recognizing texts in all hierarchies, there is a problem that an error is detected as a plurality of texts as a plurality of terminals on the same node.
[0007]
In order to avoid this problem, in general verification, it is necessary to enable recognition of only the text arranged at the highest level. Therefore, the text for area recognition shown by the conventional element recognition method described with reference to FIG. 7 also needs to be always arranged at the highest hierarchy at the time of verification. However, since the highest hierarchy at the time of verification is not always the same hierarchy depending on the element, text for element recognition which should originally be arranged in a specific area must be arranged in each of the highest hierarchy for each element. In addition, there is a problem that the number of steps is increased.
[0008]
The present invention has been made in view of the above points, and has as its object to provide an element recognition method capable of performing element recognition without depending on the number of elements for which the number of recognition layers is desired to be distinguished.
[0009]
It is another object of the present invention to provide an element recognition method that facilitates data input in hierarchical verification.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a method for recognizing an element from input layout data in a layout verification tool for a semiconductor integrated circuit, wherein the layout data has a first element recognition layer and a second element recognition layer. A first step of extracting a recognition pattern based on the number of sides where the graphic of the first element recognition layer and the graphic of the second element recognition layer are in contact with each other, and a second step of distinguishing element regions using the extracted recognition pattern. The method includes the following two steps: a third step of extracting element components included in the element region; and a fourth step of recognizing a transistor including the extracted element components.
Further, the present invention is to achieve the above object, a layout structure but identical, arranged in different shapes shapes depending graphic element recognition layer of elements to be handled as a separate element of the type of the element, the element A first step of extracting a recognition pattern based on the figure shape of the recognition layer, a second step of distinguishing an element region using the extracted recognition pattern, and a third step of extracting an element component included in the element region And a fourth step of recognizing a transistor including the extracted element component. Although the layout structure is the same, a different number of figures having the same shape may be arranged in the element recognition layer of an element to be treated as another element according to the type of the element.
[0012]
Further, in order to achieve the above object, the present invention provides a layout data having an element recognition layer, a first step of extracting a recognition pattern based on the number or area of vertices of a figure in the element recognition layer, A second step of distinguishing an element region by using the following, a third step of extracting an element component included in the element region, and a fourth step of recognizing a transistor including the extracted element component. It is characterized by having.
[0013]
In the present invention, layout data is created by arranging graphic patterns having different numbers of tangent sides, shapes, or numbers according to the type of the same element in two or less recognition layers to generate layout data. Since the data is extracted from the layout data, an arbitrary number of elements can be recognized in two or less recognition layers.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows various pattern diagrams according to an embodiment of the element recognition method according to the present invention. 1A shows a recognition pattern diagram of the transistor N1, FIG. 1B shows a recognition pattern diagram of the transistor N2, and FIG. 1C shows a recognition pattern diagram of the transistor N3. The MOS transistors N1, N2, and N3 have the same layout structure, but have minimum gate lengths of G1, G2, and G3, respectively, and have a different relationship of G1 <G2 <G3.
[0015]
In this embodiment, the transistors N1, N2, and N3 having the same layout structure are recognized as separate elements from the layout data at the time of comparison with a later circuit diagram. Layout data in which a designer arranges a
[0016]
As shown in FIG. 2B, the
[0017]
At the LSI logic circuit design stage, when the minimum gate length of the MOS transistor is G1, the designer converts the
[0018]
In the logic circuit design stage of the LSI, the characters AREA_1 to AREA_3 and GATE_1 to GATE_3 in FIGS. 1A to 1C are not displayed, and a rectangular area and the
[0019]
Next, after the completion of the LSI logic circuit design, at the time of comparison with a circuit including a transistor, a recognition pattern is extracted from the layout data by using a function of recognizing a feature of a figure shape in an LSI verification tool, and a transistor The operation for performing recognition will be described. The process of calculating the number of tangent sides of the recognition layer is a process provided in a general verification tool.
[0020]
This will be specifically described with reference to the flowchart of FIG. 3 and the graphic of FIG. 2 using a rule file for executing the verification tool. In this embodiment, first, a recognition pattern is extracted from layout data based on the number of sides where different layers are in contact with each other (
[0021]
Hereinafter, a rectangle formed by the recognition layer A is represented by PATTERN_A, and a rectangle formed by the recognition layer B is represented by PATTERN_B. Accordingly, the SELECT command used for the recognition pattern in
SELECT PATTERN_A TOUCH [1] PATTERN_B FIG_1 (1-1)
It is represented by TOUCH [1] indicates that the number of tangent sides of the recognition layers A and B is one. (1-1) indicates that PATTERN_A having only one side (TOUCH [1]) in contact with PATTERN_B is set to FIG_1.
[0022]
Similarly, when the
SELECT PATTERN_A TOUCH [2] PATTERN_B FIG_2 (1-2)
SELECT PATTERN_A TOUCH [3] PATTERN_B FIG_3 (1-3)
, And the
[0023]
Subsequently, the element regions are distinguished by using the extracted recognition patterns (
[0024]
SELECT AREA ENCLOSE FIG_1 AREA_1 (2-1)
SELECT AREA ENCLOSE FIG_2 AREA_2 (2-2)
SELECT AREA ENCLOSE FIG_3 AREA_3 (2-3)
AREA_1, AREA_2, and AREA_3 indicate the areas illustrated in FIGS. 1A, 1B, and 1C.
[0025]
Subsequently, the element components included in the element regions distinguished in
GATE = DIFFUSION AND POLY (3-1)
Is defined as a gate, and the gates included in the element regions AREA_1, AREA_2, and AREA_3 are extracted as GATE_1, GATE_2, and GATE_3, respectively, by the following equation.
[0026]
GATE_1 = AREA_1 AND GATE (3-2)
GATE_2 = AREA_2 AND GATE (3-3)
GATE_3 = AREA_3 AND GATE (3-4)
Lastly, the transistor composed of the element components extracted in
[0027]
In the case of a MOS transistor, a in the above ELEMENT command defines a gate, b defines polysilicon (material of a gate portion), c defines a diffusion layer (material of a source / drain), and d defines a well (material of a bulk portion). There is a need. Therefore, in the case of FIG. 1, the transistors N1, N2, and N3 are recognized by the following ELEMENT command.
[0028]
ELEMENT MOS [N1] GATE_1 POLY DIFFUSION BULK (4-1)
ELEMENT MOS [N2] GATE_2 POLY DIFFUSION BULK (4-2)
ELEMENT MOS [N3] GATE_3 POLY DIFFUSION BULK (4-3)
(4-1) means that the transistor whose gate portion is GATE_1 is recognized as the transistor N1, as shown in FIG. Similarly, (4-2) recognizes that the transistor whose gate portion is GATE_2 is recognized as the transistor N2 as shown in FIG. 1B, and (4-2) shows that the transistor is a transistor N2 as shown in FIG. , And that the transistor whose gate portion is GATE_3 is recognized as the transistor N3.
[0029]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The second embodiment is an element recognition method for distinguishing recognition patterns based on a difference in the number of vertices of a recognition layer using a recognition pattern as shown in FIG. This embodiment is characterized in that only the
[0030]
FIGS. 4 (A), (B), (C) and (D) show triangles, squares, pentagons and hexagons with 3, 4, 5 and 6 vertices, respectively, which are shown in FIG. It is used in place of the indicated recognition pattern. Therefore, for example, as a recognition pattern of the transistors N1, N2, and N3, a recognition pattern having a shape shown in FIGS. 4B, 4C, and 4D is used by a designer.
[0031]
The element recognition of the LSI verification tool after the completion of the design is performed according to the flowchart shown in FIG. 3. In this embodiment, the SELECT command used for extracting the recognition pattern in
SELECT PATTERN_A VERTEX [4] FIG_4 (5-1)
It is represented by This means that PATTERN_A having four vertices is set to FIG_4. VERTEX [4] indicates that the number of vertices is 4. Similarly, when the pentagonal recognition pattern is extracted in FIG. 4C and the hexagonal recognition pattern is extracted in FIG.
SELECT PATTERN_A VERTEX [5] FIG_5 (5-2)
SELECT PATTERN_A VERTEX [6] FIG_6 (5-3)
And PATTERN_A having five vertices is represented by FIG_5, and PATTERN_A having six vertices is represented by FIG_6.
[0032]
Next, a third embodiment of the present invention will be described. The third embodiment is an element recognizing method that uses a recognition pattern as shown in FIG. 5 to distinguish a recognition pattern based on a difference in the area of a recognition layer. This embodiment is characterized in that
[0033]
FIGS. 5A, 5B and 5C show rectangular recognition
[0034]
The element recognition of the LSI verification tool after the design is completed is performed according to the flowchart shown in FIG. 3. In this embodiment, the SELECT command used for the recognition pattern in
SELECT PATTERN_A AREA [1.00] FIG_7 (6-1)
It is represented by This means that FIG. 7 has an area of PATTERN_A of 1 (AREA [1.00]). Similarly, when the recognition pattern of the rectangle having the
SELECT PATTERN_A ARAE [2.00] FIG_8 (6-2)
SELECT PATTERN_A AREA [3.00] FIG_9 (6-3)
Where PATTERN_A has an area of 2 and FIG. 8, and PATTERN_A has an area of 3 as FIG_9.
[0035]
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, three types of element recognition have been described, but only two recognition layers A and B or one recognition layer A are used. By increasing the number of tangent sides, the number of vertices, or the area, it is possible to recognize four or more types of elements, and the two recognition layers A and B may have overlapping sides and have different shapes. Alternatively, a recognition pattern for performing two or more types of element recognition by changing the number in the same shape can be used. Further, it goes without saying that elements other than MOS transistors can be similarly recognized as elements.
[0036]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, layout data is created by arranging graphic patterns having different numbers of tangent sides, shapes or numbers according to the type of the same element in two or less recognition layers. By extracting this graphic pattern from the layout data at the time of verification, an arbitrary number of elements can be recognized by two or less recognition layers, which is suitable for an LSI verification tool having an upper limit on the layout layers that can be used. In addition, many types of elements can be recognized without depending on the number of recognition layers.
[0037]
Further, according to the present invention, since the figure pattern is used as the recognition pattern, the arrangement position of the recognition pattern does not depend on the hierarchy, and may be arranged at an arbitrary hierarchy. Compared with the conventional method, the number of steps for arranging the recognition pattern can be reduced, and verification in the hierarchical layout can be easily performed.
[0038]
Further, according to the present invention, since the recognition pattern representing the type of the element by the characteristic of the graphic shape is used, the arrangement of the recognition pattern at the time of creating the layout data is smaller than the conventional method of inserting the recognition layer. Can be visually easily performed, and the efficiency of layout creation can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram of an element and a recognition pattern recognized by an embodiment of the method of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram of a first embodiment of a recognition pattern used in the method of the present invention.
FIG. 3 is a flowchart of an embodiment of the method of the present invention.
FIG. 4 is an explanatory diagram of a second embodiment of a recognition pattern used in the method of the present invention.
FIG. 5 is an explanatory diagram of a third embodiment of a recognition pattern used in the method of the present invention.
FIG. 6 is an explanatory diagram of an example of a conventional method.
FIG. 7 is an explanatory diagram of another example of the conventional method.
[Explanation of symbols]
11, 12, 13
Claims (5)
前記レイアウトデータは第1の素子認識層と第2の素子認識層を有し、
前記第1の素子認識層の図形と前記第2の素子認識層の図形が接している辺の数によって認識パターンを抽出する第1のステップと、
抽出した前記認識パターンを用いて素子領域を区別する第2のステップと、
前記素子領域に含まれる素子構成要素を抽出する第3のステップと、
抽出された前記素子構成要素からなるトランジスタを認識する第4のステップとを有することを特徴とする半導体集積回路のレイアウト検証ツールに格納したレイアウトデータからの素子認識方法。In a method for recognizing elements from input layout data in a layout verification tool of a semiconductor integrated circuit,
The layout data has a first element recognition layer and a second element recognition layer,
A first step of extracting a recognition pattern based on the number of sides where the figure of the first element recognition layer and the figure of the second element recognition layer are in contact;
A second step of distinguishing an element region using the extracted recognition pattern;
A third step of extracting element components included in the element region;
And a fourth step of recognizing the extracted transistor composed of the element component. 4. A method of recognizing an element from layout data stored in a layout verification tool for a semiconductor integrated circuit.
レイアウト構造は同一だが、別素子として扱う素子の素子認識層の図形を該素子の種類に応じて異なる図形形状で配置し、
前記素子認識層の図形形状によって認識パターンを抽出する第1のステップと、
抽出した前記認識パターンを用いて素子領域を区別する第2のステップと、
前記素子領域に含まれる素子構成要素を抽出する第3のステップと、
抽出された前記素子構成要素からなるトランジスタを認識する第4のステップとを有することを特徴とする半導体集積回路のレイアウト検証ツールにおける、入力したレイアウトデータからの素子認識方法。In a method for recognizing elements from input layout data in a layout verification tool of a semiconductor integrated circuit,
The layout structure but identical, arranged in different shapes shapes depending graphic element recognition layer of elements to be treated as a separate element of the type of the element,
A first step of extracting a recognition pattern based on the figure shape of the element recognition layer;
A second step of distinguishing an element region using the extracted recognition pattern;
A third step of extracting element components included in the element region;
And a fourth step of recognizing the transistor composed of the extracted element components. A method for recognizing elements from input layout data in a layout verification tool for a semiconductor integrated circuit.
前記レイアウトデータは素子認識層を有し、
前記素子認識層の図形の頂点の数又は面積によって認識パターンを抽出する第1のステップと、
抽出した前記認識パターンを用いて素子領域を区別する第2のステップと、
前記素子領域に含まれる素子構成要素を抽出する第3のステップと、
抽出された前記素子構成要素からなるトランジスタを認識する第4のステップとを有することを特徴とする半導体集積回路のレイアウト検証ツールにおける、入力したレイアウトデータからの素子認識方法。In a method for recognizing elements from input layout data in a layout verification tool of a semiconductor integrated circuit,
The layout data has an element recognition layer,
A first step of extracting a recognition pattern according to the number or area of vertices of the figure in the element recognition layer;
A second step of distinguishing an element region using the extracted recognition pattern;
A third step of extracting element components included in the element region;
And a fourth step of recognizing the transistor composed of the extracted element components. A method for recognizing elements from input layout data in a layout verification tool for a semiconductor integrated circuit.
レイアウト構造は同一だが、別素子として扱う素子の素子認識層に該素子の種類に応じて異なる数の同一形状の図形を配置し、
前記素子認識層の図形の数によって認識パターンを抽出する第1のステップと、
抽出した前記認識パターンを用いて素子領域を区別する第2のステップと、
前記素子領域に含まれる素子構成要素を抽出する第3のステップと、
抽出された前記素子構成要素からなるトランジスタを認識する第4のステップとを有することを特徴とする半導体集積回路のレイアウト検証ツールにおける、入力したレイアウトデータからの素子認識方法。In a method for recognizing elements from input layout data in a layout verification tool of a semiconductor integrated circuit,
The layout structure is the same, but different numbers of the same shape figures are arranged in the element recognition layer of the element to be treated as another element according to the type of the element,
A first step of extracting a recognition pattern based on the number of figures in the element recognition layer;
A second step of distinguishing an element region using the extracted recognition pattern;
A third step of extracting element components included in the element region;
And a fourth step of recognizing the transistor composed of the extracted element components. A method for recognizing elements from input layout data in a layout verification tool for a semiconductor integrated circuit.
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