JP2000268077A - Element recognizing method - Google Patents

Element recognizing method

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JP2000268077A
JP2000268077A JP11075513A JP7551399A JP2000268077A JP 2000268077 A JP2000268077 A JP 2000268077A JP 11075513 A JP11075513 A JP 11075513A JP 7551399 A JP7551399 A JP 7551399A JP 2000268077 A JP2000268077 A JP 2000268077A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an element recognizing method capable of recognizing an element without depending on the number of elements desired to distinguish the number of recognizing layers. SOLUTION: In order to recognize the elements of transistors N1, N2 and N3 in the same layout structure at the time of verification, layout data are prepared by arranging recognition patterns 11-13 having the different number of contact sides in different two layers corresponding to minimum gate lengths G1-G3 of MOS transistors. The elements can be recognized by extracting the recognition patterns 11-13 from the layout data. The recognition patterns 11-13 are graphic data when the number of contact sides between a white rectangular graphic arranged in a certain layer and a black rectangular graphic arranged in the other layer is 2, 3 or 4 and at the time of verification, the element is recognized from the number of contact sides of these graphic data. Regardless of the number of kinds of elements, the graphic data are arranged in two recognizing layers.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は素子認識方法に係
り、特に大規模半導体集積回路(LSI)レイアウト検
証ツールにおける、レイアウトデータからの素子認識方
法に関する。
The present invention relates to a method for recognizing elements, and more particularly to a method for recognizing elements from layout data in a large-scale semiconductor integrated circuit (LSI) layout verification tool.

【0002】[0002]

【従来の技術】レイアウト検証ツールにおける、レイア
ウトデータの素子認識では、レイアウト構造は同一であ
るが、別素子として扱う場合がある。例えば、レイアウ
ト構造は同一であるが、ゲート長の最小寸法が異なるト
ランジスタは、別素子として扱うことがある。従来、上
記のようなレイアウト構造上、区別のつかない素子を認
識する場合は、素子の種類毎に異なった認識層を用いる
方法と、テキスト(TEXT)を用いる方法の2通りが
知られている(特許第2788804号公報、特開昭6
3−36553号公報)。
2. Description of the Related Art In a layout verification tool, when recognizing elements of layout data, the layout structure is the same, but the elements may be treated as different elements. For example, transistors having the same layout structure but different minimum gate length dimensions may be treated as separate elements. Conventionally, when recognizing an indistinguishable element in the layout structure as described above, two methods are known: a method using a different recognition layer for each element type and a method using text (TEXT). (Japanese Patent No. 2788804,
3-36553).

【0003】前者の素子の種類毎に異なった認識層を用
いる従来の素子認識方法では、例えば、図6(A)に示
すゲート長g1のトランジスタ1、同図(B)に示すゲ
ート長g2のトランジスタ2、同図(C)に示すゲート
長g3のトランジスタ4の各ゲート長には、g1<g2
<g3の関係があるものとした場合、トランジスタ2に
は認識層3を示す認識層データを、またトランジスタ4
については認識層3とは異なる層の認識層5を示す認識
層データを挿入することで、3種類のトランジスタ1、
2及び4を区別し、素子形成層と認識層の各データの論
理演算を行うことでレイアウト構造上区別を行う。
In the former element recognition method using a different recognition layer for each element type, for example, a transistor 1 having a gate length g1 shown in FIG. 6A and a transistor having a gate length g2 shown in FIG. The gate lengths of the transistor 2 and the transistor 4 having the gate length g3 shown in FIG.
<G3, the transistor 2 has recognition layer data indicating the recognition layer 3 and the transistor 4
Is inserted into the recognition layer data indicating the recognition layer 5 that is different from the recognition layer 3 so that three types of transistors 1 and
2 and 4 are distinguished, and a logical operation is performed on each data of the element formation layer and the recognition layer to distinguish the layout structure.

【0004】また、後者のテキスト(TEXT)を用い
る従来の素子認識方法では、例えば図7(A)に示すゲ
ート長g1のトランジスタ1、同図(B)に示すゲート
長g2のトランジスタ2、同図(C)に示すゲート長g
3のトランジスタ4の各ゲート長には、g1<g2<g
3の関係があるものとした場合、トランジスタ2にはB
Trなるテキストを配置し、トランジスタ4にはCTr
なるテキストを配置することで、テキストの文字によっ
てレイアウト構造上区別を行う。
In the latter conventional element recognition method using the text (TEXT), for example, a transistor 1 having a gate length g1 shown in FIG. 7A, a transistor 2 having a gate length g2 shown in FIG. Gate length g shown in FIG.
G1 <g2 <g
3, the transistor 2 has B
The text “Tr” is placed, and the transistor 4
By arranging different texts, distinction is made in terms of layout structure depending on the text characters.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかるに、図6と共に
説明した従来の素子認識方法では、区別したい素子の種
類数だけ認識層が必要になる。しかし、一般的なレイア
ウト描画ツール、LSI検証ツールでは使用できるレイ
アウト層の数に上限がある。しかも、近年、LSIの設
計では、プロセスの微細化や各種デバイスを同一チップ
上に形成する傾向があり、製造工程を構成するための使
用層が増加しているため、幾つも認識層として使用でき
ず、区別したい素子の種類数に制約があるという問題が
ある。
However, in the conventional element recognition method described with reference to FIG. 6, recognition layers are required for the number of types of elements to be distinguished. However, there is an upper limit to the number of layout layers that can be used in a general layout drawing tool and LSI verification tool. Moreover, in recent years, in LSI design, there is a tendency to miniaturize processes and form various devices on the same chip, and the number of layers used for configuring the manufacturing process is increasing, so that many LSIs can be used as recognition layers. However, there is a problem that the number of types of elements to be distinguished is limited.

【0006】一方、図7と共に説明した従来の素子認識
方法では、検証レベルにおいて常に認識用テキストが検
証ツールで認識できる最上位階層に配置されていないと
いけないという問題がある。すなわち、一般的な検証ツ
ールにおいてテキストは端子情報として扱われる。ま
た、階層レイアウトではその特性を活用した階層毎での
検証を行うため、各階層で端子情報としてのテキストが
配置されている。そのため、全階層のテキストの認識を
行う場合には、複数のテキストが同一ノード上の複数端
子としてエラーが検出されるという問題が発生する。
On the other hand, the conventional element recognition method described with reference to FIG. 7 has a problem in that the recognition text must always be arranged at the highest level that can be recognized by the verification tool at the verification level. That is, text is treated as terminal information in a general verification tool. Also, in the hierarchical layout, text as terminal information is arranged in each hierarchical level in order to perform verification at each hierarchical level utilizing the characteristics. Therefore, when recognizing texts of all hierarchies, there is a problem in that an error is detected as a plurality of texts as a plurality of terminals on the same node.

【0007】この問題を避けるため、一般的に行う検証
では、最上位階層に配置されたテキストの認識のみを有
効にする必要がある。そのため、図7と共に説明した従
来の素子認識方法で示されている領域認識のためのテキ
ストも常に検証時の最上位階層に配置する必要がある。
しかし、検証時の最上位階層は素子によって必ずしも同
一階層とは限らないから、本来ならば特定領域に1つ配
置すればよい素子認識用テキストを、素子毎の最上位階
層それぞれに配置しなければならず、工数が多大になる
という問題がある。
In order to avoid this problem, in a general verification, it is necessary to validate only the recognition of the text arranged at the highest level. Therefore, the text for area recognition shown in the conventional element recognition method described with reference to FIG. 7 also needs to be always arranged at the highest hierarchy at the time of verification.
However, since the highest hierarchy at the time of verification is not always the same hierarchy depending on the element, text for element recognition which should originally be arranged in a specific area must be arranged in each of the highest hierarchy for each element. In addition, there is a problem that the number of steps is increased.

【0008】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
認識層の数が区別したい素子数に依存せずに素子認識を
行い得る素子認識方法を提供することを目的とする。
[0008] The present invention has been made in view of the above points,
It is an object of the present invention to provide an element recognition method in which the number of recognition layers can perform element recognition without depending on the number of elements to be distinguished.

【0009】また、本発明の他の目的は、階層化検証に
おいてデータ入力が容易な素子認識方法を提供すること
にある。
Another object of the present invention is to provide an element recognition method that allows easy data input in hierarchical verification.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、半導体集積回路のレイアウト検証を行うツ
ールでの検証時に必要なレイアウトデータの素子認識方
法において、素子認識のための認識パターンとして、異
なる任意の2層のそれぞれに配置された任意の形状の図
形のそれぞれの少なくとも一辺が、2層を通して接し、
かつ、レイアウト構造は同一な素子の種類に応じて接辺
数が異なる図形パターンを配置してレイアウトデータを
作成し、検証時に図形パターンをレイアウトデータから
接辺数によって抽出して素子認識を行うことを特徴とす
る。
According to the present invention, there is provided a method for recognizing a layout pattern of a semiconductor integrated circuit, the method comprising the steps of: As at least one side of each of the figures of an arbitrary shape arranged on each of the different arbitrary two layers is in contact with each other through the two layers,
In addition, layout data is created by arranging graphic patterns with different numbers of tangent sides according to the same element type, creating layout data, and extracting the graphic pattern from the layout data based on the number of tangent sides during verification to perform element recognition. It is characterized by.

【0011】また、本発明は、上記の目的を達成するた
め、素子認識のための認識パターンとして、レイアウト
構造は同一な素子の種類に応じて異なる形状とした図形
パターンを任意の一階層に配置してレイアウトデータを
作成し、検証時に図形パターンをレイアウトデータから
形状によって抽出して素子認識を行うことを特徴とす
る。ここで、図形パターンは、素子の種類に応じて異な
る頂点数を有する図形か、異なる面積を有する図形であ
る。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a figure pattern having a different layout according to the type of the same element is arranged in an arbitrary hierarchy as a recognition pattern for element recognition. Then, layout data is created, and at the time of verification, a figure pattern is extracted from the layout data based on the shape to perform element recognition. Here, the graphic pattern is a graphic having a different number of vertices or a graphic having a different area according to the type of element.

【0012】また、本発明は上記の目的を達成するた
め、素子認識のための認識パターンとして、同一形状の
図形をレイアウト構造は同一な素子の種類に応じて異な
る個数とした図形パターンを任意の一階層に配置してレ
イアウトデータを作成し、検証時に図形パターンをレイ
アウトデータから図形の個数によって抽出して素子認識
を行うことを特徴とする。
According to the present invention, in order to achieve the above object, as a recognition pattern for element recognition, a figure having the same shape and a layout pattern having a different number according to the type of the same element are arbitrarily set. It is characterized in that layout data is created by arranging in one hierarchy, and a graphic pattern is extracted from layout data based on the number of graphics during verification to perform element recognition.

【0013】本発明では、レイアウト構造は同一な素子
の種類に応じて接辺数、形状あるいは個数が異なる図形
パターンを、2層以下の認識層に配置してレイアウトデ
ータを作成し、検証時にこの図形パターンをレイアウト
データから抽出するようにしたため、2層以下の認識層
にて任意数の素子認識を行うことができる。
In the present invention, layout data is created by arranging graphic patterns having different numbers of tangent sides, shapes, or numbers in two or less recognition layers according to the type of the same element, and creating layout data. Since the graphic pattern is extracted from the layout data, an arbitrary number of elements can be recognized in two or less recognition layers.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図1は本発明になる素子認識方
法の一実施の形態による各種パターン図を示す。図1
(A)はトランジスタN1の認識パターン図、図1
(B)はトランジスタN2の認識パターン図、図1
(C)はトランジスタN3の認識パターン図を示す。M
OSトランジスタN1、N2及びN3はレイアウト構造
は同一であるが、最小ゲート長がそれぞれG1、G2及
びG3で、G1<G2<G3という互いに異なる関係に
ある。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows various pattern diagrams according to an embodiment of the element recognition method according to the present invention. FIG.
(A) is a recognition pattern diagram of the transistor N1, and FIG.
(B) is a recognition pattern diagram of the transistor N2, and FIG.
(C) shows a recognition pattern diagram of the transistor N3. M
The OS transistors N1, N2, and N3 have the same layout structure, but have minimum gate lengths of G1, G2, and G3, respectively, and have a different relationship of G1 <G2 <G3.

【0015】かかるレイアウト構造が同一であるトラン
ジスタN1、N2及びN3を、レイアウトデータから別
素子として後の回路図との照合との際に認識させるた
め、この実施の形態では、LSIの論理回路設計段階
で、設計者がMOSトランジスタの最小ゲート長に応じ
て、図1(A)に示す認識パターン11、図1(B)に
示す認識パターン12及び図1(C)に示す認識パター
ン13を配置したレイアウトデータを生成する。上記の
認識パターン11、12及び13は、LSI検証ツール
の有する認識層を2つ用いてパターン化されている。す
なわち、図2(A)に示す認識層Aと、図2(B)〜
(D)に白四角で示す、認識層Aとは異なる認識層Bと
を用いる。
In this embodiment, the transistors N1, N2, and N3 having the same layout structure are recognized as separate elements from layout data at the time of comparison with a later circuit diagram. At this stage, the designer arranges the recognition pattern 11 shown in FIG. 1A, the recognition pattern 12 shown in FIG. 1B and the recognition pattern 13 shown in FIG. 1C according to the minimum gate length of the MOS transistor. Generated layout data. The above recognition patterns 11, 12, and 13 are patterned using two recognition layers of an LSI verification tool. That is, the recognition layer A shown in FIG.
A recognition layer B different from the recognition layer A, which is indicated by a white square in (D), is used.

【0016】第1の認識パターン11は、図2(B)に
示すように、1つの認識層Aに1つの認識層Bが接して
いる接辺数が1のパターンである。第2の認識パターン
12は、図2(C)に示すように、1つの認識層Aの左
右両側に認識層Bが1つずつ接している接辺数が2のパ
ターンである。更に、第3の認識パターンは、図2
(D)に示すように、1つの認識層Aの左右と下側に認
識層Bが1つずつ接している接辺数が3のパターンであ
る。
As shown in FIG. 2B, the first recognition pattern 11 is a pattern having one recognition layer B and one recognition layer B in contact with one recognition layer. As shown in FIG. 2C, the second recognition pattern 12 is a pattern in which the number of tangent sides where two recognition layers B are in contact with one recognition layer A on each of the left and right sides thereof is two. Further, the third recognition pattern is shown in FIG.
As shown in (D), the recognition layer B is a pattern having three contact sides where one recognition layer B is in contact with one recognition layer A on the left, right, and underneath.

【0017】LSIの論理回路設計段階で、設計者は、
MOSトランジスタの最小ゲート長がG1であるとき
は、図2(B)に示した認識パターン11を図1(A)
に示すように、画面上のトランジスタN1の領域内に配
置することで、2つの認識層Aと認識層Bとの間の接辺
数が1であるというデータが入力される。同様に、MO
Sトランジスタの最小ゲート長がG2であるときは、図
2(C)に示した認識パターン12を図1(B)に示す
ように、画面上のトランジスタN2の領域内に配置する
ことで、2つの認識層Aと認識層Bとの間の接辺数が2
であるというデータが入力され、MOSトランジスタの
最小ゲート長がG3であるときは、図2(C)に示した
認識パターン13を図1(C)に示すように、画面上の
トランジスタN3の領域内に配置することで、2つの認
識層Aと認識層Bとの間の接辺数が3であるというデー
タが入力されてレイアウトデータが生成される。
At the LSI logic circuit design stage, the designer
When the minimum gate length of the MOS transistor is G1, the recognition pattern 11 shown in FIG.
As shown in the figure, by arranging it in the region of the transistor N1 on the screen, data indicating that the number of tangent sides between the two recognition layers A and B is 1 is input. Similarly, MO
When the minimum gate length of the S transistor is G2, the recognition pattern 12 shown in FIG. 2C is arranged in the region of the transistor N2 on the screen as shown in FIG. The number of tangent sides between two recognition layers A and B is 2
Is input, and when the minimum gate length of the MOS transistor is G3, the recognition pattern 13 shown in FIG. 2C is changed to the area of the transistor N3 on the screen as shown in FIG. , The data that the number of tangent sides between the two recognition layers A and B is 3 is input, and layout data is generated.

【0018】なお、LSIの論理回路設計段階では、図
1(A)〜(C)のAREA_1〜AREA_3、GA
TE_1〜GATE_3なる文字は表示されず、矩形領
域と上記の認識パターン11〜13が表示されている。
このように、LSIの論理回路設計段階で、MOSトラ
ンジスタの最小ゲート長に応じてトランジスタの種類を
示す認識パターン11〜13を配置するようにしている
ので、従来のような認識層を挿入する方法に比べて視覚
的に判別が容易である。しかも、この実施の形態では、
認識層Aと認識層Bの2つの認識層のみで3種類の素子
認識を行わせることができ、また認識層の配置位置が階
層に依存しないようにできる。
At the LSI logic circuit design stage, AREA_1 to AREA_3, GA
Characters TE_1 to GATE_3 are not displayed, and a rectangular area and the above recognition patterns 11 to 13 are displayed.
As described above, at the stage of designing a logic circuit of an LSI, the recognition patterns 11 to 13 indicating the types of transistors are arranged according to the minimum gate length of the MOS transistor. It is easier to distinguish visually than. Moreover, in this embodiment,
Only two recognition layers, the recognition layer A and the recognition layer B, can perform three types of element recognition, and the arrangement positions of the recognition layers can be made independent of the hierarchy.

【0019】次に、LSIの論理回路設計終了後、トラ
ンジスタを含む回路との照合の際に、LSI検証ツール
における図形形状の特徴を認識する機能を用いて、レイ
アウトデータから認識パターンを抽出して、トランジス
タの認識を行う場合の動作について説明する。なお、認
識層の接辺数算出の処理は、一般の検証ツールに備わっ
ている処理である。
Next, after the completion of the LSI logic circuit design, a recognition pattern is extracted from the layout data by using the function of recognizing the characteristic of the figure shape in the LSI verification tool at the time of comparison with the circuit including the transistor. The operation in the case of performing transistor recognition will be described. The process of calculating the number of tangent sides of the recognition layer is a process provided in a general verification tool.

【0020】具体的に検証ツールを実行するためのルー
ルファイルを用いて図3のフローチャート及び図2の図
形と共に説明する。この実施の形態では、まず、レイア
ウトデータから異なる層同士の接する辺の数によって認
識パターンを抽出する(図3のステップ21)。この認
識パターンの抽出に用いるSELECTコマンドは、
「SELECT A CONDITION B C」と
いう書式で表され、Aというデータ層のうちBというデ
ータ層に対してCONDITIONに記述された条件に
一致するデータのみをCというデータ層にコピーする処
理を行うものである。
A specific description will be given with reference to the flowchart of FIG. 3 and the graphic of FIG. 2 using a rule file for executing the verification tool. In this embodiment, first, a recognition pattern is extracted from layout data according to the number of sides where different layers are in contact with each other (step 21 in FIG. 3). The SELECT command used for extracting the recognition pattern is:
It is expressed in a format of “SELECT A CONDITION BC”, and performs a process of copying only the data that matches the condition described in the CONDITION to the data layer C among the data layer A among the data layer A to the data layer C. is there.

【0021】以下、認識層Aで形成される矩形をPAT
TERN_Aと表し、認識層Bで形成される矩形をPA
TTERN_Bで表すものとする。これにより、ステッ
プ21での認識パターンに用いるSELECTコマンド
は、第1の認識パターン11抽出時は、 SELECT PATTERN_A TOUCH[1] PATTERN_B FIG_1 (1−1) で表される。なお、TOUCH[1]は認識層AとBの接辺数が
1であることを示す。(1−1)は、PATTERN_
Bに接する辺が1辺(TOUCH[1])のみのPAT
TERN_AをFIG_1とするということを示してい
る。
Hereinafter, the rectangle formed by the recognition layer A is referred to as PAT.
TERN_A, and the rectangle formed by the recognition layer B is PA
It shall be represented by TTERN_B. Accordingly, the SELECT command used for the recognition pattern in step 21 is represented by SELECT PATTERN_A TOUCH [1] PATTERN_BFIG_1 (1-1) when the first recognition pattern 11 is extracted. Note that TOUCH [1] indicates that the number of tangent sides of the recognition layers A and B is one. (1-1) is PATTERN_
PAT with only one side (TOUCH [1]) in contact with B
This indicates that TERN_A is set to FIG_1.

【0022】同様に、第2の認識パターン12抽出時、
第3の認識パターン13抽出時は、それぞれ認識層Aと
Bの接辺数が2、3であるから SELECT PATTERN_A TOUCH[2] PATTERN_B FIG_2 (1−2) SELECT PATTERN_A TOUCH[3] PATTERN_B FIG_3 (1−3) で表され、それぞれの認識パターン12、13がFIG
_2、FIG_3として表される。
Similarly, when extracting the second recognition pattern 12,
When the third recognition pattern 13 is extracted, the number of tangent sides of the recognition layers A and B is two or three, respectively. SELECT PATTERN_A TOUCH [2] PATTERN_B FIG_2 (1-2) SELECT PATTERN_A TOUCH [3] PATTERN_B FIG_3 (1) -3) where each of the recognition patterns 12 and 13 is
_2, FIG_3.

【0023】続いて、抽出した認識パターンを用いて、
素子領域を区別する(図3のステップ22)。素子領域
の区別は、第1の認識パターンFIG_1を含む(EN
CLOSE)素子領域(AREA)をAREA_1と
し、第2の認識パターンFIG_2を含む(ENCLO
SE)素子領域(AREA)をAREA_2とし、第3
の認識パターンFIG_3を含む(ENCLOSE)素
子領域(AREA)をAREA_3とすることで行う。
これをSELECTコマンドで表記すると以下のように
なる。
Subsequently, using the extracted recognition pattern,
Element regions are distinguished (Step 22 in FIG. 3). The distinction between the element regions includes the first recognition pattern FIG_1 (EN
CLOSE) The element region (AREA) is set to AREA_1 and includes the second recognition pattern FIG_2 (ENCLO).
SE) The element region (AREA) is AREA_2, and the third
(ENCLOSE) element region (AREA) including the recognition pattern FIG_3 is set to AREA_3.
This is expressed as the SELECT command as follows.

【0024】 SELECT AREA ENCLOSE FIG_1 AREA_1 (2−1) SELECT AREA ENCLOSE FIG_2 AREA_2 (2−2) SELECT AREA ENCLOSE FIG_3 AREA_3 (2−3) これらのAREA_1、AREA_2及びAREA_3
は、図1(A)、(B)及び(C)に図示する領域を示
している。
SELECT AREA ENCLOSE FIG_1 AREA_1 (2-1) SELECT AREA ENCLOSE FIG_2 AREA_2 (2-2) SELECT AREA ENCLOSE FIG_3 AREA_3 (2-3) These AREA_1, AREA_2 and AREA_3
Indicates a region illustrated in FIGS. 1A, 1B, and 1C.

【0025】続いて、ステップ22で区別された素子領
域に含まれる素子構成要素を抽出する(図3のステップ
23)。トランジスタの認識の場合、素子構成要素とし
て、次式 GATE = DIFFUSION AND POLY (3−1) により拡散層とポリシリコンの重なる部分をゲートと定
義し、次式により素子領域AREA_1、AREA_2
及びAREA_3に含まれるゲートを、それぞれGAT
E_1、GATE_2及びGATE_3として抽出す
る。
Subsequently, the element components included in the element regions identified in step 22 are extracted (step 23 in FIG. 3). In the case of the recognition of a transistor, a portion where a diffusion layer and polysilicon overlap is defined as a gate by the following equation GATE = DIFFUSION AND POLY (3-1), and element regions AREA_1 and AREA_2 are defined by the following equations.
And GATE included in AREA_3
Extract as E_1, GATE_2 and GATE_3.

【0026】 GATE_1=AREA_1 AND GATE (3−2) GATE_2=AREA_2 AND GATE (3−3) GATE_3=AREA_3 AND GATE (3−4) 最後に、ステップ23で抽出された素子構成要素からな
るトランジスタの認識を行う(図3のステップ24)。
素子認識のためのエレメント(ELEMENT)コマン
ドは、「ELEMENT NAME a b c d」
という書式で示され、「NAME」という素子がb,
c,dの要素で構成されていることを定義している。a
はデバイス要素が記述され、この部分によって様々な素
子の区別を行うため、NAME固有のものである必要が
ある。
GATE_1 = AREA_1 AND GATE (3-2) GATE_2 = AREA_2 AND GATE (3-3) GATE_3 = AREA_3 AND GATE (3-4) Finally, recognition of the transistor composed of the element components extracted in step 23 (Step 24 in FIG. 3).
An element (ELEMENT) command for element recognition is “ELEMENT NAME abcd”
And the element "NAME" is b,
It is defined that it is composed of elements c and d. a
The device element is described, and it is necessary to be unique to NAME in order to distinguish various elements by this part.

【0027】MOSトランジスタの場合、上記のELE
MENTコマンド中のaはゲート、bはポリシリコン
(ゲート部分の材質)、cは拡散層(ソース・ドレイン
の材質)、dはウェル(バルク部分の材質)を定義する
必要がある。よって、図1の場合は、次式のELEME
NTコマンドにより、トランジスタN1、N2、N3が
認識されることとなる。
In the case of a MOS transistor, the above ELE
In the MENT command, it is necessary to define a for a gate, b for polysilicon (material of a gate portion), c for a diffusion layer (material for a source / drain), and d for a well (material for a bulk portion). Therefore, in the case of FIG.
The transistors N1, N2, and N3 are recognized by the NT command.

【0028】 ELEMENT MOS[N1] GATE_1 POLY DIFFUSION BULK (4−1) ELEMENT MOS[N2] GATE_2 POLY DIFFUSION BULK (4−2) ELEMENT MOS[N3] GATE_3 POLY DIFFUSION BULK (4−3) (4−1)は、図1(A)のように、ゲート部分がGA
TE_1であるトランジスタをトランジスタN1と認識
することを意味する。同様に、(4−2)は、図1
(B)のように、ゲート部分がGATE_2であるトラ
ンジスタをトランジスタN2と認識することを、(4−
3)は、図1(C)のように、ゲート部分がGATE_
3であるトランジスタをトランジスタN3と認識するこ
とを、それぞれ意味する。
ELEMENT MOS [N1] GATE_1 POLY DIFFUSION BULK (4-1) ELEMENT MOS [N2] GATE_2 POLY DIFFUSION BULK (4-2) ELEMENT MOS [N3] GATE_3 POLY DIFFUSION BULK (4-3) (4-1) As shown in FIG. 1A, the gate portion has a GA
This means that the transistor that is TE_1 is recognized as the transistor N1. Similarly, (4-2) corresponds to FIG.
Recognizing a transistor whose gate portion is GATE_2 as a transistor N2 as shown in FIG.
3), as shown in FIG. 1C, the gate portion is GATE_
Recognizing the transistor 3 as the transistor N3 means respectively.

【0029】次に、本発明の第2の実施の形態について
説明する。この第2の実施の形態は、図4に示すような
認識パターンを用いて、認識層の頂点数の差により認識
パターンを区別する素子認識方法である。この実施の形
態は、図3のステップ21の部分のみが図4に示す認識
パターンを用いて素子の認識パターンを抽出する点に特
徴があり、図3のステップ22〜24は第1の実施の形
態と同じである。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The second embodiment is an element recognizing method for recognizing a recognition pattern based on a difference in the number of vertices of a recognition layer using a recognition pattern as shown in FIG. This embodiment is characterized in that only the step 21 in FIG. 3 extracts the element recognition pattern using the recognition pattern shown in FIG. 4, and steps 22 to 24 in FIG. Same as the form.

【0030】図4(A)、(B)、(C)及び(D)
は、頂点数がそれぞれ3、4、5及び6である三角形、
四角形、五角形及び六角形を示しており、これらは図2
に示した認識パターンの代わりに用いられる。従って、
例えば、トランジスタN1、N2及びN3の認識パター
ンとして図4(B)、(C)及び(D)に示す形状の認
識パターンが設計者により用いられる。
FIGS. 4A, 4B, 4C and 4D
Is a triangle with 3, 4, 5, and 6 vertices, respectively.
Squares, pentagons and hexagons are shown, which are shown in FIG.
Is used instead of the recognition pattern shown in FIG. Therefore,
For example, as a recognition pattern of the transistors N1, N2, and N3, a recognition pattern having a shape shown in FIGS. 4B, 4C, and 4D is used by a designer.

【0031】設計終了後のLSI検証ツールの素子認識
は、図3に示したフローチャートに従って行われるが、
この実施の形態では、図3のステップ21での認識パタ
ーンの抽出に用いるSELECTコマンドは、図4
(B)の四角形の認識パターン抽出時は、 SELECT PATTERN_A VERTEX[4] FIG_4 (5−1) で表される。これは、PATTERN_Aの頂点数4つ
のものをFIG_4とすることを意味する。なお、VE
RTEX[4]は頂点数が4であることを示す。同様
に、図4(C)の五角形の認識パターン抽出時、図4
(D)の六角形の認識パターン抽出時は、それぞれ頂点
数が5、6であるから SELECT PATTERN_A VERTEX[5] FIG_5 (5−2) SELECT PATTERN_A VERTEX[6] FIG_6 (5−3) で表され、PATTERN_Aの頂点数5つのものをF
IG_5、PATTERN_Aの頂点数6つのものをF
IG_6とする。
The element recognition of the LSI verification tool after the completion of the design is performed according to the flowchart shown in FIG.
In this embodiment, the SELECT command used for extracting the recognition pattern in step 21 of FIG.
At the time of extracting the recognition pattern of the square in (B), it is represented by SELECT PATTERN_A VERTEX [4] FIG_4 (5-1). This means that PATTERN_A having four vertices is set to FIG_4. Note that VE
RTEX [4] indicates that the number of vertices is 4. Similarly, when the pentagonal recognition pattern in FIG.
When extracting the recognition pattern of the hexagon in (D), since the number of vertices is 5 and 6, respectively, SELECT PATTERN_A VERTEX [5] FIG_5 (5-2) SELECT PATTERN_A VERTEX [6] FIG_6 (5-3) , PATTERN_A with 5 vertices
IG_5, PATTERN_A with 6 vertices
IG_6.

【0032】次に、本発明の第3の実施の形態について
説明する。この第3の実施の形態は、図5に示すような
認識パターンを用いて、認識層の面積の差により認識パ
ターンを区別する素子認識方法である。この実施の形態
は、図3のステップ21の部分のみが図5に示す認識パ
ターンを用いて素子の認識パターンを抽出する点に特徴
があり、図3のステップ22〜24は第1の実施の形態
と同じである。
Next, a third embodiment of the present invention will be described. The third embodiment is an element recognizing method in which a recognition pattern is distinguished based on a difference in the area of a recognition layer using a recognition pattern as shown in FIG. This embodiment is characterized in that only step 21 in FIG. 3 extracts the element recognition pattern using the recognition pattern shown in FIG. 5, and steps 22 to 24 in FIG. Same as the form.

【0033】図5(A)、(B)及び(C)は、面積が
それぞれ1、2及び3の矩形の認識パターンを示してお
り、これらは図2あるいは図4に示した認識パターンの
代わりに用いられる。従って、例えば、トランジスタN
1、N2及びN3の認識パターンとして図5(A)、
(B)及び(C)に示す形状の認識パターンが設計者に
より用いられる。
FIGS. 5A, 5B and 5C show rectangular recognition patterns having areas of 1, 2 and 3, respectively, which are used instead of the recognition patterns shown in FIG. 2 or FIG. Used for Therefore, for example, the transistor N
FIG. 5 (A) shows the recognition patterns of 1, N2 and N3.
The recognition patterns of the shapes shown in (B) and (C) are used by the designer.

【0034】設計終了後のLSI検証ツールの素子認識
は、図3に示したフローチャートに従って行われるが、
この実施の形態では、図3のステップ21での認識パタ
ーンに用いるSELECTコマンドは、図5(A)の面
積1の矩形の認識パターン抽出時は、 SELECT PATTERN_A AREA[1.00] FIG_7 (6−1) で表される。これは、PATTERN_Aの面積が1
(AREA[1.00])のものをFIG_7とするこ
とを意味する。同様に、図5(B)の面積2の矩形の認
識パターン抽出時、図5(C)の面積3の矩形の認識パ
ターン抽出時は、それぞれ面積が2、3であるから SELECT PATTERN_A ARAE[2.00] FIG_8 (6−2) SELECT PATTERN_A AREA[3.00] FIG_9 (6−3) で表され、PATTERN_Aの面積が2ものをFIG
_8、PATTERN_Aの面積が3のものをFIG_
9とする。
The element recognition of the LSI verification tool after the design is completed is performed according to the flowchart shown in FIG.
In this embodiment, the SELECT command used for the recognition pattern in step 21 of FIG. 3 is such that SELECT PATTERN_A AREA [1.00] FIG_7 (6-1) It is represented by This means that the area of PATTERN_A is 1
(AREA [1.00]) means FIG_7. Similarly, when extracting the recognition pattern of the rectangle having the area 2 in FIG. 5B and extracting the recognition pattern of the rectangle having the area 3 in FIG. 5C, the areas are 2 and 3, respectively. SELECT PATTERN_A ARAE [2.00 ] FIG_8 (6-2) SELECT PATTERN_A AREA [3.00] FIG_9 (6-3)
________________________________________________________________________________________
9 is assumed.

【0035】なお、本発明は上記の実施の形態に限定さ
れるものではなく、例えば上記の実施の形態では3種類
の素子認識について説明したが、2つの認識層A及びB
あるいは1つの認識層Aのみにより、接辺数や頂点数あ
るいは面積を増大することにより、4種類以上の素子認
識が可能であり、また、2つの認識層A及びBは辺が重
なっていてもよく、更に形状が異なるか、あるいは同一
形状で個数を異ならせることにより2種類以上の素子認
識を行わせる認識パターンとすることもできる。更に、
認識する素子としてはMOSトランジスタ以外の素子で
も同様に可能であることは勿論である。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, three types of element recognition have been described.
Alternatively, by increasing the number of tangent sides, the number of vertices, or the area by only one recognition layer A, four or more types of element recognition can be performed. Even if the two recognition layers A and B have overlapping sides, Further, it is also possible to form a recognition pattern in which two or more types of elements are recognized by different shapes or different numbers of the same shape. Furthermore,
It goes without saying that elements other than MOS transistors can be similarly recognized as elements to be recognized.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レイアウト構造は同一な素子の種類に応じて接辺数、形
状あるいは個数が異なる図形パターンを、2層以下の認
識層に配置してレイアウトデータを作成し、検証時にこ
の図形パターンをレイアウトデータから抽出することに
より、2層以下の認識層にて任意数の素子認識を行うこ
とができるため、使用できるレイアウト層に上限がある
LSI検証ツールにとって好適に、認識層の数に依存せ
ずに多くの素子の種類を認識できる。
As described above, according to the present invention,
For the layout structure, figure data with different numbers of tangent sides, shapes or numbers according to the same element type are arranged in two or less recognition layers to create layout data, and this figure pattern is extracted from the layout data during verification. By doing so, an arbitrary number of elements can be recognized by two or less recognition layers, so that it is suitable for an LSI verification tool having an upper limit on the layout layers that can be used, so that many The type of element can be recognized.

【0037】また、本発明によれば、認識パターンに図
形パターンを使用しているので、認識パターンの配置位
置が階層に依存せず、任意の階層に配置すればよいの
で、テキストの文字によって素子を認識する従来方法に
比べて、認識パターンを配置する工数を削減できると共
に、階層レイアウトにおける検証が容易にできる。
Further, according to the present invention, since the figure pattern is used as the recognition pattern, the arrangement position of the recognition pattern does not depend on the hierarchy, and may be arranged at an arbitrary hierarchy. Compared with the conventional method for recognizing the pattern, the number of steps for arranging the recognition pattern can be reduced and the verification in the hierarchical layout can be easily performed.

【0038】更に、本発明によれば、図形形状の特徴に
よって素子の種類を表している認識パターンを用いてい
るため、従来のような認識層を挿入する方法に比べてレ
イアウトデータ作成時における認識パターンの配置が視
覚的に容易にでき、レイアウト作成時の能率を向上でき
る。
Further, according to the present invention, since the recognition pattern representing the type of the element by the characteristic of the figure shape is used, the recognition at the time of creating the layout data is different from the conventional method of inserting a recognition layer. The layout of the patterns can be visually easily performed, and the efficiency of layout creation can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明方法の一実施の形態により認識される素
子と認識パターンの説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of elements and recognition patterns recognized by an embodiment of the method of the present invention.

【図2】本発明方法で用いる認識パターンの第1の実施
の形態の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a first embodiment of a recognition pattern used in the method of the present invention.

【図3】本発明方法の一実施の形態のフローチャートで
ある。
FIG. 3 is a flowchart of an embodiment of the method of the present invention.

【図4】本発明方法で用いる認識パターンの第2の実施
の形態の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a second embodiment of a recognition pattern used in the method of the present invention.

【図5】本発明方法で用いる認識パターンの第3の実施
の形態の説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a third embodiment of a recognition pattern used in the method of the present invention.

【図6】従来方法の一例の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of an example of a conventional method.

【図7】従来方法の他の例の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of another example of the conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11、12、13 認識パターン 21〜24 処理ステップ A、B 認識層 G1、G2、G3 ゲート長 11, 12, 13 Recognition pattern 21 to 24 Processing step A, B Recognition layer G1, G2, G3 Gate length

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体集積回路のレイアウト検証を行う
ツールでの検証時に必要なレイアウトデータの素子認識
方法において、 素子認識のための認識パターンとして、異なる任意の2
層のそれぞれに配置された任意の形状の図形のそれぞれ
の少なくとも一辺が、前記2層を通して接し、かつ、レ
イアウト構造は同一な素子の種類に応じて接辺数が異な
る図形パターンを配置して前記レイアウトデータを作成
し、前記検証時に前記図形パターンを前記レイアウトデ
ータから前記接辺数によって抽出して素子認識を行うこ
とを特徴とする素子認識方法。
In a method for recognizing layout data required for verification by a tool for verifying the layout of a semiconductor integrated circuit, an arbitrary two different patterns are used as recognition patterns for recognizing elements.
At least one side of each of the figures of an arbitrary shape arranged in each of the layers is in contact with each other through the two layers, and the layout structure is configured by arranging a figure pattern having a different number of tangent sides according to the same element type. An element recognition method, wherein layout data is created, and at the time of the verification, the graphic pattern is extracted from the layout data based on the number of tangent sides to perform element recognition.
【請求項2】 前記図形パターンは、前記異なる任意の
2層に各々同一の図形形状で配置されることを特徴とす
る請求項1記載の素子認識方法。
2. The element recognizing method according to claim 1, wherein the graphic patterns are arranged on the two different layers in the same graphic shape.
【請求項3】 半導体集積回路のレイアウト検証を行う
ツールでの検証時に必要なレイアウトデータの素子認識
方法において、 素子認識のための認識パターンとして、レイアウト構造
は同一な素子の種類に応じて異なる形状とした図形パタ
ーンを任意の一階層に配置して前記レイアウトデータを
作成し、前記検証時に前記図形パターンを前記レイアウ
トデータから前記形状によって抽出して素子認識を行う
ことを特徴とする素子認識方法。
3. A method of recognizing layout data required for verification by a tool for verifying the layout of a semiconductor integrated circuit, wherein the layout structure has different shapes according to the type of the same device as a recognition pattern for recognizing the device. An element recognizing method, wherein the layout data is created by arranging the graphic patterns described above in an arbitrary hierarchy, and the graphic patterns are extracted from the layout data based on the shape during the verification to perform element recognition.
【請求項4】 前記図形パターンは、素子の種類に応じ
て異なる頂点数を有する図形であり、前記検証時に前記
頂点数により異なる素子であることを認識することを特
徴とする請求項3記載の素子認識方法。
4. The graphic pattern according to claim 3, wherein the graphic pattern is a graphic having a different number of vertices according to the type of element, and recognizes that the element is different depending on the number of vertices during the verification. Element recognition method.
【請求項5】 前記図形パターンは、素子の種類に応じ
て異なる面積を有する図形であり、前記検証時に前記面
積の大きさにより異なる素子であることを認識すること
を特徴とする請求項3記載の素子認識方法。
5. The apparatus according to claim 3, wherein the figure pattern is a figure having a different area according to the type of the element, and recognizes that the element differs depending on the size of the area during the verification. Element recognition method.
【請求項6】 半導体集積回路のレイアウト検証を行う
ツールでの検証時に必要なレイアウトデータの素子認識
方法において、 素子認識のための認識パターンとして、同一形状の図形
をレイアウト構造は同一な素子の種類に応じて異なる個
数とした図形パターンを任意の一階層に配置して前記レ
イアウトデータを作成し、前記検証時に前記図形パター
ンを前記レイアウトデータから前記図形の個数によって
抽出して素子認識を行うことを特徴とする素子認識方
法。
6. A device for recognizing layout data required for verification by a tool for verifying the layout of a semiconductor integrated circuit, wherein a pattern having the same shape is used as a recognition pattern for recognizing the device and the layout structure is the same type of device. The layout data is created by arranging graphic patterns of different numbers according to the number of layers in an arbitrary hierarchy, and performing the element recognition by extracting the graphic patterns from the layout data based on the number of the graphics during the verification. Characteristic element recognition method.
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