JP3537532B2 - マイクロ波プラズマ発生装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ発生空間にマ
イクロ波を給電してプラズマを生成させて、半導体、リ
キッド・クリスタル・ディスプレイ（ＬＣＤ）等の製造
過程において使用されるプラズマ発生装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】図１は、従来技術のプラズマプロセスに
使用される装置の構成図の１例を示す。図１に示すマイ
クロ波プラズマ発生装置は、マイクロ波放電を行うため
に、プラズマ生成用マイクロ波発振器１、マイクロ波発
振器を保護するアイソレータ２、テーパ導波管３、パワ
ーモニタ用方向性結合器４、手動又は自動で整合するマ
イクロ波整合器５、直線導波管６及びマイクロ波真空導
入窓７を通して（以下、これらをまとめて導波管回路２
０という）、プラズマ発生室８及び反応室９で構成され
ている。プラズマ発生室８で発生したプラズマＰは、拡
散によって、反応室９に輸送される。

【０００３】また、反応室９の内部には、ケミカル・デ
ィパ−・デポジション（ＣＶＤ）、エッチング等に使用
されるシリコンウェハ等の被処理物１０が置かれてい
る。反応室９の排気口９ａには、図示されていない排気
装置が接続されていて、プラズマ発生室８と反応室９が
真空に引かれるようになっている。ここで、矩形導波管
の長軸方向をＸ、矩形導波管の短軸方向をＹ、マイクロ
波の伝播方向をＺ方向とする。

【０００４】上記の装置によって、エッチングする場合
の操作手順は、次の通りである。まず、プラズマ発生室
８及び反応室９内の真空引きを行った後に、ガス導入口
１１から所定の反応性ガス（Ｏ₂ ，ＳＦ₆ 等）を供給す
る。その後に、マイクロ波発振器１のマイクロ波電力を
プラズマ発生室８に供給する。このマイクロ波電力のプ
ラズマ発生室８への供給効率を向上させるために、整合
器５によって、プラズマ生成用マイクロ波発振器１から
パワーモニタ用方向性結合器４の出口までのインピーダ
ンスと直線導波管６からプラズマ発生室８までのインピ
ーダンスとの整合を取る。この整合によって、気体中の
偶存電子が電界によって加速され、中性粒子の衝突によ
り電離増殖し、ついには気体がプラズマ化して放電が持
続される状態（以下、放電の開始状態という。）になる
までプラズマ発生室８内のマイクロ波電界が上昇して、
放電が開始し、マイクロ波電力を供給している間、プラ
ズマが維持される。このプラズマを反応室９の被処理物
１０に照射して、エッチング等の処理を行う。

【０００５】図２は、従来技術のマイクロ波の伝播方向
のプラズマ発生室８内における放電開始前のマイクロ波
の電界分布を示す図であり、図３は、図２のプラズマ発
生室のＸＹ平面のＡ１−Ａ２断面のマイクロ波の電界分
布を示す図である。図４は、プラズマ発生室の高さをＨ
から２Ｈに変えることでプラズマ発生室の容積を変化さ
せた場合の電界分布図を示す。

【０００６】図２乃至図４のプラズマ発生室８は、空胴
共振器構造で、矩形モードをＴＥ101 （Transverse el
ectric modeのＸＹＺ方向の電圧定在波の山の数がそれ
ぞれ（１，０，１））として設計してある。したがっ
て、マイクロ波の伝播方向の長さは、プラズマ発生室８
のＺ方向の長さであって管内波長λg の２分の１にな
る。このプラズマ発生室８内のマイクロ波電界の最大値
ＥMAX が、電界強度のしきい値Ｅthを越えたときに、放
電が開始する。一度、放電が開始すると、プラズマを維
持する電界強度は、しきい値Ｅthよりも小さくなる。

【０００７】図４（Ａ）は、プラズマ発生室８のＺ方向
の長さがＬ、Ｙ方向の高さＨに供給するマイクロ波電力
がＰi のときのマイクロ波電界強度がＥMAXHである電界
分布図を示し、同図（Ｂ）は、プラズマ発生室８のＺ方
向の長さＬ、Ｙ方向の高さ２Ｈに供給するマイクロ波電
力がＰi のときのマイクロ波電界強度がＥMAX2H である
電界分布図を示している。ここでのガスの種類、ガス圧
等のプロセス条件は同じなので、（Ａ）と（Ｂ）のマイ
クロ波電界強度としきい値の大きさを比較すると、ＥMA
XH＞Ｅth＞ＥMAX2H の関係になる。したがって、プラズ
マ発生室の高さを２Ｈとして、容積を大きくすると、マ
イクロ波の電界強度ＥMAX2H がしきい値Ｅthよりも小さ
くなるので放電の開始が困難になる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、マイク
ロ波発振器１で発生させたマイクロ波を導波管回路２０
を通して、プラズマ発生室８にマイクロ波を供給してプ
ラズマを発生させる従来技術のプラズマ発生装置では、
プラズマ発生室８及び反応室９に供給されるガスの種
類、圧力等のプロセス条件によって、プラズマ発生室内
での放電開始が困難となる場合があった。例えば、プラ
ズマ発生室及び反応室に充填する酸素ガスのガス圧が低
いとき等は放電開始が困難であった。

【０００９】また、被処理物の大面積化に伴い、プラズ
マ発生室８の容積も大きくなる。プラズマ発生室８が大
きくなると、プラズマ発生室に供給するマイクロ波電力
を増大させなければ、プラズマ発生室を電界が高くなる
空胴共振器構造としていても、その空胴共振器内に生じ
るマイクロ波電界強度が小さくなるために、供給するプ
ラズマ発生室内のマイクロ波電界の最大値ＥMAX が、マ
イクロ波電界強度のしきい値Ｅthよりも小さくなって放
電の開始が困難になることがあった。

【００１０】本発明の目的は、これらの課題を解決する
ために、ガス圧の増減やマイクロ波電力の増減にも影響
しない最適の処理条件で、放電の開始を容易にしたプラ
ズマ発生装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、マイ
クロ波発生装置で発生させたマイクロ波を、導波管回路
を通じてプラズマ発生室８に供給してプラズマを発生さ
せるマイクロ波プラズマ発生装置において、プラズマ発
生室内のマイクロ波の電圧定在波の山に相当する位置に
配置した放電開始補助体を備えたマイクロ波プラズマ発
生装置である。

【００１２】請求項２の発明は、マイクロ波発生装置で
発生させたマイクロ波を、導波管回路を通じてプラズマ
発生室８に供給してプラズマを発生させるマイクロ波プ
ラズマ発生装置において、プラズマ発生室内の多種なマ
イクロ波の電圧定在波が重畳された多重の電界モードに
ついて、強い電界強度を有する位置に配置した放電開始
補助体を備えたマイクロ波プラズマ発生装置である。以
下、単一モードのマイクロ波の電圧定在波の山に相当す
る位置又は多重モードのマイクロ波についてマクスウェ
ル方程式の近似解を用いて求めた電界分布図上の強い電
界を有する位置に配置した放電開始補助体を放電開始補
助手段という。

【００１３】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、放電開始補助体をプラズマ発生室の断面上の位置に
１個又は複数個配置した請求項１又は２に記載のマイク
ロ波プラズマ発生装置である。

【００１４】

【作用】プラズマ発生室に生じるマイクロ波の電圧定在
波の山の部分の断面において、電界の方向に１個又は複
数個の金属片または誘電体片または誘電体を金属で覆っ
た片（以後、これらを放電開始補助体という。）を配置
することにより、その放電開始補助体によって形成され
る狭い間隙にマイクロ波電界の集中が生じ、電界強度の
しきい値Ｅthを越え、放電が開始する。放電維持のため
のマイクロ波電力の吸収は、プラズマ表面で生じるた
め、放電開始補助体は、放電開始後、発生したプラズマ
には、影響を与えない。

【００１５】

【実施例】

［実施例１］図５は、図１に示した従来技術のプラズマ
発生装置に、本発明の放電開始補助手段を付加したプラ
ズマ発生装置の実施例を示す図である。図６は、実施例
１の放電開始補助手段を付加したプラズマ発生室のＹＺ
平面の断面の電界分布図を示す。図７は、図６のプラズ
マ発生室のＸＹ平面のＢ１−Ｂ２断面の電界分布図を示
す。ここで、図５乃至図７の直線導波管６及びプラズマ
発生室８は、矩形状である。

【００１６】図６の電界強度の分布を示す図は、放電開
始補助体８ａ及び８ｂが無い図２の電界強度の分布を示
す図と同様に、プラズマ発生室８は、ＴＥ101 モードを
有し、マイクロ波の伝播方向に対して断面が矩形状の空
胴共振器になっている。この時、プラズマ発生室内のマ
イクロ波電界最大値ＥMAX の位置は、プラズマ発生室８
と反応室９との境界面に設置された金属メッシュ１２か
らプラズマ発生室方向にλg ／４の位置にある。したが
って、放電開始補助体８ａ，８ｂの配置位置は、マイク
ロ波を供給することによって生じる電圧定在波の山の近
くの位置であって、その配置方向は、電圧定在波の山の
断面（図７のＸＹ断面）での電界Ｅと同方向に配置する
ことが最も有効である。

【００１７】これらの位置決定は、実験だけでは難し
く、予め、有限要素法（連続物理系における現象を解明
するための近似法）による計算で設計し、実験で確認す
る等の方法が有効となる。この場合、有限要素法による
計算においては、放電開始補助体８ａ，８ｂを挿入した
電界強度の最大値を示す位置は電圧定在波の山と一致す
る。この位置に放電開始補助体８ａ，８ｂを配置する
と、図３の放電開始補助体８ａ，８ｂが無いときの間隙
Ｄ０と、図７の放電開始補助体８ａ，８ｂがあるときの
間隙Ｄ８とを比べるとＤ８＜Ｄ０となるので、図７の電
界強度の最大値は図３電界強度の最大値よりも強くな
る。さらに、放電開始補助体８ａ，８ｂの間隙方向の端
部を尖らせれば、電界強度は、極度に大きくなる。

【００１８】この放電開始補助体をプラズマ発生室８に
挿入することによって、挿入前の電圧定在波の電界分布
に歪みが生じるために、プラズマ発生室８の中に生じる
電圧定在波の山の位置とずれが生じる。しかし、放電開
始補助体を図６及び図７のようにプラズマ発生室８内の
電界と同方向に配置すると、放電開始補助体８ａ，８ｂ
を挿入しない場合の電圧定在波の山の位置と略一致させ
ることができ、先に述べた放電開始補助体８ａ，８ｂの
挿入位置をこの位置で決定することができる。

【００１９】そこで、プラズマ発生室８を矩形導波管
（ＸＹ断面１１０［ｍｍ］×５５［ｍｍ］）で形成し、
図６に示すように、放電開始補助体８ａ，８ｂを、その
先端形状が５Ｒであり、直径が１０［ｍｍ］の２本のア
ルミニウム棒で形成して、この２本のアルミニウム棒の
間隙Ｄ８が２３［ｍｍ］になるように空胴共振器の長軸
にろう接した。

【００２０】上記の放電開始補助体を付加したプラズマ
発生室８の放電開始状態と、従来の放電開始補助体を付
加していないプラズマ発生室８の放電開始状態とを比較
するために、両者のプラズマ発生室８及び反応室９に、
酸素ガスを充填し、３００［Ｗ］のマイクロ波電力を供
給した。放電開始補助体を付加していない従来のプラズ
マ発生室の場合は、酸素ガス１［Ｔｏｒｒ］の雰囲気
で、全く放電開始をしなかった。一方同じ条件で、放電
開始補助体を付加した本発明のプラズマ発生室の場合
は、マイクロ波電力を供給して容易に放電が開始した。

【００２１】この場合、放電開始補助体を挿入した場合
のプラズマ発生室内のマイクロ波電界最大値ＥMAX は、
電界のしきい値Ｅth以上になり、容易に放電開始した。

【００２２】なお上記実施例１において、プラズマ発生
室の酸素ガスの圧力を１［Ｔｏｒｒ］から３［Ｔｏｒ
ｒ］に増加させれば、マイクロ波電力を供給して整合さ
せると、放電開始補助手段がない従来技術の方法でも、
放電を開始する。通常、被処理物は、ガス圧１［Ｔｏｒ
ｒ］で処理するものをこの場合では、ガス圧を３［Ｔｏ
ｒｒ］に増加させて処理しているので、被処理物の処理
条件が変化してしまって、最適の処理条件で被処理物が
処理できないときがある。したがって、実施例１の放電
開始補助手段は、ガス圧に左右されないで最適の処理条
件を実施することができる。

【００２３】同様に、上記実施例において、マイクロ波
電力を３００［Ｗ］から６００［Ｗ］増加させれば、マ
イクロ波電力を供給して整合させると、放電開始補助手
段がない従来技術の方法でも、放電を開始する。しかし
この場合も、マイクロ波電力が高くなっているので、被
処理物が余分に加熱され、最適の処理条件で処理できな
いときがある。したがって、実施例１の放電開始補助手
段は、マイクロ波電力に左右されないで最適の処理条件
を実施することができる。

【００２４】［実施例２］図８は、実施例２の放電開始
補助体を１個で形成したプラズマ発生室の電界分布図を
示す。図９は、実施例２の放電開始補助体を１個で形成
したプラズマ発生室のＸＹ平面のＣ１−Ｃ２断面の電界
分布図を示す。ここで、図８及び図７の直線導波管６及
びプラズマ発生室８は、矩形状である。

【００２５】図８の電界強度の分布を示す図は、図６の
電界強度の分布を示す図と同様に、プラズマ発生室８
は、ＴＥ101 モードを有し、マイクロ波の伝播方向に対
して断面が矩形状の空胴共振器構造になっている。この
時、プラズマ発生室内のマイクロ波電界最大値ＥMAX の
位置は、プラズマ発生室８と反応室９との境界面に設置
された金属メッシュ１２からプラズマ発生室方向にλg
／４の位置にある。したがって、放電開始補助体８ｄ
は、マイクロ波を供給することによって生じる電圧定在
波の山の近くの位置で、その配置方向は、電圧定在波の
山の断面（図９のＸＹ断面）での電界Ｅと同方向に配置
している。

【００２６】次に、上記の実施例１、２に示すように、
放電開始補助体を単純な形状に形成しても、プラズマ発
生室８の容積が大きくなったり、形状が複雑になると、
電界の方向が一定ではなくなるために、放電開始補助体
を電圧定在波の山の断面の電界方向と一致させることが
困難となる。その場合には、放電開始補助体によって形
成される狭い間隙方向の電界強度が大きくなる位置すな
わち次の実施例３で説明した位置に配置する。

【００２７】［実施例３］図１０は、実施例３の容積の
大きな円筒形状のプラズマ発生室を備えたプラズマ発生
装置を示し、図１１は、実施例３の放電開始補助手段を
付加してない場合のプラズマ発生室のＸＹ平面のＤ１−
Ｄ２断面の電界分布図を示し、図１２は、図１１のＸ１
−Ｘ２断面のＹ方向の電界分布を表わした図である。図
１３は、実施例３の放電開始補助手段を付加したプラズ
マ発生室のＸＹ平面のＤ１−Ｄ２断面の電界分布図を示
す。図１４は、図１３のＸ１−Ｘ２断面のＹ方向の電界
分布を表わした図である。マイクロ波発振器１からマイ
クロ波真空導入窓７までの導波管回路は、実施例１と同
様である。

【００２８】図１０において、プラズマ発生室３０は、
直径ｄ＝３００［ｍｍ］、長さｌ＝４５［ｍｍ］で、マ
イクロ波の伝播方向に対して断面が円筒形状をしてい
る。プラズマ発生室３０及び反応室３１には、酸素ガス
及びマイクロ波電力１０００［Ｗ］を供給した。放電開
始補助体が存在しないときは、酸素ガス１［Ｔｏｒｒ］
の雰囲気では、放電の開始が困難であった。

【００２９】放電開始補助手段を付加していないプラズ
マ発生室において、放電が開始していない場合の電界分
布を、マクスウェル方程式の近似法を用いて求めた。こ
の求めた電界分布図から強い電界強度の位置を判定す
る。このマクスウェル方程式の近似解を求める方法とし
て、差分法、境界要素法、有限要素法がある。例えば、
有限要素法を用いて近似解を求める方法として、市販の
アメリカＭＳＣ社製の３次元電磁界シミュレーションソ
フトウェア「ＥＭＡＳ」がある。図１１は、このソフト
ウェアを使用してプラズマ発生室３０の形状、材質等の
境界条件を入力し、プラズマ発生室の入り口３０ａから
マイクロ波を導入した場合に、プラズマ発生室３０内に
生じる電界モードを計算した結果の電界分布図である。
この電界モードは、多種なマイクロ波の電圧定在波が重
畳された多重の電界モードが生じており、非常に複雑な
分布をしている。また、図１２は、図１１のＸ１−Ｘ２
断面のＹ方向の電界分布を表わした図である。この図で
は、プラズマ発生室３０で生じるマイクロ波電界最大値
ＥMAX は、しきい値Ｅthより小さいため、放電は生じな
い。

【００３０】この結果から、図１３及び図１４に示すよ
うに、円筒状のプラズマ発生室３０のＤ１−Ｄ２断面の
中心を同心とする電界Ｅの中で、強い電界強度を示して
いるＥMAX の方向と同一方向に半円形状の放電開始補助
体４０ａ，４０ｂを狭い間隙４１，４２を開けて対向す
るように配置した。

【００３１】放電開始補助体を用いた放電開始補助手段
を付加したプラズマ発生室３０では、マイクロ波電力供
給後、整合を行うことにより、図１４に示すように、プ
ラズマ発生室３０内のマイクロ波電界最大値ＥMAX が、
しきい値Ｅthを越えているため、プラズマ発生室３０内
のマイクロ波電界強度が増大するので容易に放電が開始
した。

【００３２】なお上記の実施例３において、プラズマ発
生室の直径がｄ＝１００［ｍｍ］のときは、放電開始補
助手段がなくても、マイクロ波電力を供給して整合させ
ると放電を開始する。しかし、プラズマ発生室の直径が
３００［ｍｍ］から１００［ｍｍ］に減少しているの
で、被処理物の面積が約１／１０に小さくなるので、大
きな被処理物を処理することができない。

【００３３】［実施例４］図１５は、実施例１におい
て、空胴共振器構造でないプラズマ発生室に放電開始補
助体を付加したプラズマ発生装置を示す。図１６は、実
施例１において、空胴共振器構造でないプラズマ発生室
に放電開始補助体を付加したプラズマ発生装置のプラズ
マ発生室の電界分布を示す。図１７は、図１６のプラズ
マ発生室のＸＹ平面のＥ１−Ｅ２断面の電界分布図を示
す。ここで、図１５乃至図１７の、直線導波管６及びプ
ラズマ発生室１８は、矩形状である。

【００３４】図１６の電界強度の分布を示す図は、ＴＥ
10モ−ドでマイクロ波が、矢印の方向に伝播している。
このとき、放電開始補助体１８ａ及び１８ｂを幅Ｄ１８
の間隔を開けて設置することにより、プラズマ発生室１
８内のマイクロ波電界の最大値ＥMAX が、直線導波管６
内でのマイクロ波電界の最大値ＥWmaxより大きくなる。
また、放電開始補助体１８ａ及び１８ｂの設置位置は、
マイクロ波を供給することにより生じる電圧定在波の山
の位置の近くであって、その方向は、図１７に示すＸＹ
断面すなわち電圧定在波の山の断面での電界Ｅと同方向
に配置するのが最も有効である。

【００３５】これらの位置の決め方は、実施例１、２の
場合と同様に、予め、有限要素法を用いて、プラズマ発
生室１８内に生じる電磁界を計算し、放電開始補助体１
８ａ及び１８ｂの取り付け位置を最適化し、プラズマ発
生室１８内に生じるマイクロ波電界の最大値ＥMAX が、
放電開始できる電界のしきい値Ｅthより大きくなるよう
にする。

【００３６】実施例１では、ＴＥ101 の空胴共振器につ
いて電界を集中させて、ガスの種類、ガスの圧力、マイ
クロ波電力等のプロセス条件の適正値で被処理物を処理
することができる。また、実施例３では、各方向の多種
な電圧定在波が重畳された多重モードの電界が生じる容
積の大きなプラズマ発生室または複雑な形状をもつプラ
ズマ発生室においても、プラズマ発生室内に生じる多重
モードの電界のうちの電界強度の大きい電界に対して、
電界と同方向に１個又は複数個の放電開始補助体を配置
し、電界を集中させることができる。

【００３７】したがって、いままで、プラズマ発生室の
容積が大であったり、形状が複雑で放電開始が困難であ
ったプラズマ発生室でも、容易に放電を開始させること
ができる。

【００３８】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、プラズ
マ発生室内に放電開始補助体をマイクロ波の電界強度を
放電開始が可能な電界強度のしきい値Ｅth以上にして、
放電の開始を容易にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】 従来技術のプラズマプロセスに使用される装
置の構成図を示す。

【図２】 従来技術のマイクロ波の伝播方向のプラズマ
発生室内における放電開始前のマイクロ波の電界分布図
を示す。

【図３】 図２のプラズマ発生室のＸＹ平面のＡ１−Ａ
２断面の電界分布図を示す。

【図４】 プラズマ発生室の高さをＨから２Ｈに変える
ことでプラズマ発生室の容積を変化させた場合の電界分
布図を示す。

【図５】 実施例１の放電開始補助手段を付加したプラ
ズマ発生装置を示す。

【図６】 実施例１の放電開始補助手段を付加したプラ
ズマ発生室のＹＺ平面の断面の電界分布図を示す。

【図７】 図６のプラズマ発生室のＸＹ平面のＢ１−Ｂ
２断面の電界分布図を示す。

【図８】 実施例２の放電開始補助体を１個で形成した
プラズマ発生室の電界分布図を示す。

【図９】 実施例２の放電開始補助体を１個で形成した
プラズマ発生室のＸＹ平面のＣ１−Ｃ２断面の電界分布
図を示す。

【図１０】 実施例３の容積の大きな円筒形状のプラズ
マ発生室を備えたプラズマ発生装置を示す。

【図１１】 実施例３の放電開始補助手段を付加してな
い場合のプラズマ発生室のＸＹ平面のＤ１ーＤ２断面の
電界分布図を示す。

【図１２】 図１１のＸ１−Ｘ２断面のＹ方向の電界分
布を表わした図である。

【図１３】 実施例３の放電開始補助手段を付加したプ
ラズマ発生室のＸＹ平面のＤ１−Ｄ２断面の電界分布図
を示す。

【図１４】 図１３のＸ１−Ｘ２断面のＹ方向の電界分
布を表わした図である。

【図１５】 実施例１において、空胴共振器構造でない
プラズマ発生室に放電開始補助体を付加したプラズマ発
生装置を示す。

【図１６】 実施例１において、空胴共振器構造でない
プラズマ発生室に放電開始補助体を付加したプラズマ発
生装置のプラズマ発生室の電界分布を示す。

【図１７】 図１６のプラズマ発生室のＸＹ平面のＥ１
−Ｅ２断面の電界分布図を示す。

【符号の説明】

１ プラズマ生成用マイクロ波発振器（マイクロ波発
振器） ２ アイソレータ ３ テーパ導波管 ４ パワーモニタ用方向性結合器 ５ マイクロ波整合器（整合器） ６ 直線導波管 ７ マイクロ波真空導入窓 ８，１８ プラズマ発生室 ８ａ，８ｂ，８ｄ，１８ａ，１８ｂ 放電開始補助体 ９，３１ 反応室 ９ａ 排気口 １０ 被処理物 １１ ガス導入口 １２ 金属メッシュ ２０ 導波管回路 ３０ 円筒状プラズマ発生室 ３０ａ プラズマ発生室の入り口 ４０ａ，４０ｂ 半円形状放電開始補助体 ４１，４２ 半円形状放電開始補助体間の間隙 Ｄ０ 放電開始補助体がないときの間隙 Ｄ８ 放電開始補助体があるときの間隙 Ｄ１８ 放電開始補助体があるときの間隙（非空胴共振
器構造） Ｅth 電界強度のしきい値 ＥMAX プラズマ発生室内のマイクロ波電界の最大値 ＥWmax 直線導波管内でのマイクロ波電界の最大値 λｇ 管内波長

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 英司 大阪市淀川区田川２丁目１番11号 株式 会社ダイヘン内 (56)参考文献 特開 平４−56100（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−295796（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−204530（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−87200（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭57−195800（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05H 1/46 C23F 4/00 H01L 21/205 H01L 21/3065

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マイクロ波発生装置で発生させたマイク
   ロ波を、導波管回路を通じて円筒状のプラズマ発生室に
   供給してプラズマを発生させるマイクロ波プラズマ発生
   装置において、円筒状のプラズマ発生室の円筒の中心軸
   に垂直な断面内であって、前記円筒の中心軸を同心とす
   る位置で、マイクロ波電圧定在波の山に相当する位置
   に、半割リング形状の放電開始補助体一対を配置し、前
   記放電開始補助体に形成された一対の各半割リング形状
   の端部断面をそれぞれ対向させた間隙を、前記マイクロ
   波電圧定在波の山に相当する位置で前記円筒の中心軸を
   同心とする円周方向の電界の電界分布中に位置させるこ
   とによって、前記一対の間隙に発生するマイクロ波電界
   強度最大値Ｅ MAX を増大させて、放電が開始する電界強
   度のしきい値Ｅ th を超えて容易に放電を開始させるマイ
   クロ波プラズマ発生装置。