JP3536563B2 - 半導体マイクロマシン - Google Patents
半導体マイクロマシンInfo
- Publication number
- JP3536563B2 JP3536563B2 JP35533996A JP35533996A JP3536563B2 JP 3536563 B2 JP3536563 B2 JP 3536563B2 JP 35533996 A JP35533996 A JP 35533996A JP 35533996 A JP35533996 A JP 35533996A JP 3536563 B2 JP3536563 B2 JP 3536563B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- electrode
- micromachine
- substrate
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Gyroscopes (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，各種微小センサ等に利用可能な
半導体マイクロマシンに関する。
半導体マイクロマシンに関する。
【０００２】
【従来技術】従来，大きさが微小である角速度センサ
（ジャイロセンサ），加速度センサ（Ｇセンサ），マイ
クロアクチュエーター等を作成する技術として，シリコ
ン等の半導体材料を利用したマイクロマシニング技術が
開発されている。この技術によれば，機械的な加工によ
らず，通常の半導体回路等の作成技術を組み合わせ，１
ミリ以下の微小な上記センサ等を作成することができ
る。このような技術により作成された製品の一例とし
て，角速度センサとして機能する半導体マイクロマシン
につき，図５〜図７を用いて説明する。
（ジャイロセンサ），加速度センサ（Ｇセンサ），マイ
クロアクチュエーター等を作成する技術として，シリコ
ン等の半導体材料を利用したマイクロマシニング技術が
開発されている。この技術によれば，機械的な加工によ
らず，通常の半導体回路等の作成技術を組み合わせ，１
ミリ以下の微小な上記センサ等を作成することができ
る。このような技術により作成された製品の一例とし
て，角速度センサとして機能する半導体マイクロマシン
につき，図５〜図７を用いて説明する。
【０００３】図５〜図７に示すごとく，上記半導体マイ
クロマシン９は，基板９２と，該基板９２に間隙部９１
を設けて対向配置されると共に，針状体９５によって支
持された可動部９３と，該可動部９３を挟み，その両側
に対向配置された一対の固定部９７とよりなる。また，
図６に示すごとく，上記可動部９３は上記基板９２に対
し，平行となるように配置されてなる。上記可動部９３
は，上記振動板９６とその両側に一体的に設けられた可
動部側櫛形電極９６１とよりなる。
クロマシン９は，基板９２と，該基板９２に間隙部９１
を設けて対向配置されると共に，針状体９５によって支
持された可動部９３と，該可動部９３を挟み，その両側
に対向配置された一対の固定部９７とよりなる。また，
図６に示すごとく，上記可動部９３は上記基板９２に対
し，平行となるように配置されてなる。上記可動部９３
は，上記振動板９６とその両側に一体的に設けられた可
動部側櫛形電極９６１とよりなる。
【０００４】上記針状体９５の端部は，上記基板９２に
固定された支持部９４に接続されてなる。更に，上記支
持部９４は，固定層９４９を介して，上記基板９２に対
し固定されている。また，上記支持部９４には，電極パ
ッド９４８が設けてなる。
固定された支持部９４に接続されてなる。更に，上記支
持部９４は，固定層９４９を介して，上記基板９２に対
し固定されている。また，上記支持部９４には，電極パ
ッド９４８が設けてなる。
【０００５】更に，上記基板９２における上記振動板９
６との対向面には，該振動板９６との距離を検出するた
めの距離検出用電極９８が設けてある。また，図６に示
すごとく，上記振動板９６の裏面９６２には，上記距離
検出用電極９８と対になって動作する検出用電極部が設
けてある。また，上記距離検出用電極９８は，リード部
９８０，端子部９８２を経て，出力取出用の電極パッド
９８８に接続されてなる。
６との対向面には，該振動板９６との距離を検出するた
めの距離検出用電極９８が設けてある。また，図６に示
すごとく，上記振動板９６の裏面９６２には，上記距離
検出用電極９８と対になって動作する検出用電極部が設
けてある。また，上記距離検出用電極９８は，リード部
９８０，端子部９８２を経て，出力取出用の電極パッド
９８８に接続されてなる。
【０００６】また，上記固定部９７には，上記振動板９
６を振動させるための固定部側櫛形電極９７１が設けて
ある。上記固定部側櫛形電極９７１と上記可動部側櫛形
電極９６１とは，相互にかみ合うように配置されてな
り，両者の間には微細な隙間が形成されている。なお，
上記固定部９７は固定層９７９を介して上記基板９２に
接合配置されてなる。また，上記固定部９７には，上記
固定部側櫛形電極９７１への電圧印加用の電極パッド９
７８が設けてある。
６を振動させるための固定部側櫛形電極９７１が設けて
ある。上記固定部側櫛形電極９７１と上記可動部側櫛形
電極９６１とは，相互にかみ合うように配置されてな
り，両者の間には微細な隙間が形成されている。なお，
上記固定部９７は固定層９７９を介して上記基板９２に
接合配置されてなる。また，上記固定部９７には，上記
固定部側櫛形電極９７１への電圧印加用の電極パッド９
７８が設けてある。
【０００７】また，上記半導体マイクロマシン９におい
て，上記基板９２は単結晶のシリコン材料よりなる。ま
た，上記可動部９３は，リン，硼素，アンチモン等をド
ーピングした多結晶シリコンよりなる。また，上記固定
部９７，上記支持部９４，針状体９５も同様にリン，硼
素，アンチモン等をドーピングした多結晶シリコンより
なる。
て，上記基板９２は単結晶のシリコン材料よりなる。ま
た，上記可動部９３は，リン，硼素，アンチモン等をド
ーピングした多結晶シリコンよりなる。また，上記固定
部９７，上記支持部９４，針状体９５も同様にリン，硼
素，アンチモン等をドーピングした多結晶シリコンより
なる。
【０００８】また，上記基板９２に設けた距離検出用電
極９８は，基板９２と異なる特性となるようなドーパン
トをドーピングすることにより形成されている。具体的
には，ｐ型シリコン単結晶よりなる基板９２の該当部分
にリン，硼素，アンチモン等をドーピングし，距離検出
用電極９８となす。また，上記距離検出用電極９８と同
様にして，リード部９８０，端子部９８２を基板９２上
に作成する。なお，上記固定層９４９，９７９は窒化シ
リコン膜よりなる。更に，上記電極パッド９４８，９７
８，９８８は，金，アルミニウム等の導電性材料にて形
成されている。
極９８は，基板９２と異なる特性となるようなドーパン
トをドーピングすることにより形成されている。具体的
には，ｐ型シリコン単結晶よりなる基板９２の該当部分
にリン，硼素，アンチモン等をドーピングし，距離検出
用電極９８となす。また，上記距離検出用電極９８と同
様にして，リード部９８０，端子部９８２を基板９２上
に作成する。なお，上記固定層９４９，９７９は窒化シ
リコン膜よりなる。更に，上記電極パッド９４８，９７
８，９８８は，金，アルミニウム等の導電性材料にて形
成されている。
【０００９】上記半導体マイクロマシン９による角速度
の検出につき説明する。まず，上記一対の可動部側櫛形
電極９６１と固定部側櫛形電極９７１との間に０〜Ｖ0
（Ｖ）の振幅の矩形波交流電圧を印加する。この電圧の
周波数は，可動部９３が図５の矢印αに示す方向に共振
するときの共振周波数とする。また，上記とは反対側の
一対には，上記一対と１８０度位相をずらした電圧を印
加する。これにより，上記可動部側櫛形電極９６１と固
定部側櫛形電極９７１との間に静電力が発生する。上記
静電力によって，上記振動板９６には，図５の矢印αに
示すごとく，上記基板９２に対して平行方向の水平振動
が発生する。
の検出につき説明する。まず，上記一対の可動部側櫛形
電極９６１と固定部側櫛形電極９７１との間に０〜Ｖ0
（Ｖ）の振幅の矩形波交流電圧を印加する。この電圧の
周波数は，可動部９３が図５の矢印αに示す方向に共振
するときの共振周波数とする。また，上記とは反対側の
一対には，上記一対と１８０度位相をずらした電圧を印
加する。これにより，上記可動部側櫛形電極９６１と固
定部側櫛形電極９７１との間に静電力が発生する。上記
静電力によって，上記振動板９６には，図５の矢印αに
示すごとく，上記基板９２に対して平行方向の水平振動
が発生する。
【００１０】この状態にある上記半導体マイクロマシン
９に対し，同図に示すｃ軸を回転軸とする角速度ωを加
えたとする。この時，上記振動板９６には，図５におけ
る矢印βに示すごとく，上記基板９２に対して垂直方向
に，図６に示すごときコリオリ力Ｆ１及びＦ２が交互に
発生する。上記コリオリ力Ｆ１，Ｆ２によって，上記振
動板９６は，上記基板９２に対して，垂直方向へ振動す
る。
９に対し，同図に示すｃ軸を回転軸とする角速度ωを加
えたとする。この時，上記振動板９６には，図５におけ
る矢印βに示すごとく，上記基板９２に対して垂直方向
に，図６に示すごときコリオリ力Ｆ１及びＦ２が交互に
発生する。上記コリオリ力Ｆ１，Ｆ２によって，上記振
動板９６は，上記基板９２に対して，垂直方向へ振動す
る。
【００１１】ここに，上記コリオリ力Ｆ１，Ｆ２は次式
により示される。即ち， Ｆ１＝Ｆ２＝２ｍω×Ａ（２πｆ）ｃｏｓ｛（２πｆ）
ｔ｝ である。ただし，ｍは振動板９６の質量，ωは半導体マ
イクロマシン９の角速度，Ａは振動板９６の振幅，ｆは
上記交流電圧の周波数，ｔは経過時間である。
により示される。即ち， Ｆ１＝Ｆ２＝２ｍω×Ａ（２πｆ）ｃｏｓ｛（２πｆ）
ｔ｝ である。ただし，ｍは振動板９６の質量，ωは半導体マ
イクロマシン９の角速度，Ａは振動板９６の振幅，ｆは
上記交流電圧の周波数，ｔは経過時間である。
【００１２】上記振動板９６の垂直方向への振動によ
り，該振動板９６と基板９２との間の間隙部９１の距離
が，上記振動の周期に従って変化する。この距離の変化
を上記振動板の下面９６２と距離検出用電極９８との間
の静電容量の変化として検出する。この検出値に基づ
き，図示を略した回路の信号処理によって角速度ωを検
出する。
り，該振動板９６と基板９２との間の間隙部９１の距離
が，上記振動の周期に従って変化する。この距離の変化
を上記振動板の下面９６２と距離検出用電極９８との間
の静電容量の変化として検出する。この検出値に基づ
き，図示を略した回路の信号処理によって角速度ωを検
出する。
【００１３】
【解決しようとする課題】しかしながら，上記半導体マ
イクロマシン９には以下に示す問題がある。上記可動部
側櫛形電極９６１と振動板９６とは，共に，一枚のドー
ピングされた多結晶シリコンよりなる可動部９３に形成
されてなる。このため，両者は電気的に導通した状態に
ある。
イクロマシン９には以下に示す問題がある。上記可動部
側櫛形電極９６１と振動板９６とは，共に，一枚のドー
ピングされた多結晶シリコンよりなる可動部９３に形成
されてなる。このため，両者は電気的に導通した状態に
ある。
【００１４】そして，上記可動部側櫛形電極９６１は，
電圧の印加された上記固定部側櫛形電極９７１が，微細
な隙間を隔てて配置されてなることから，帯電する。ま
た，上記振動板９６に接続された針状体９５は，非常に
軽量である振動板９６を効率よく振動させるため，その
バネ定数が小さいことが要求される。よって，上記針状
体９５の形状は，一般に，径が細く，長さが長い。この
ため，上記針状体９５における電気抵抗値は非常に大き
い。
電圧の印加された上記固定部側櫛形電極９７１が，微細
な隙間を隔てて配置されてなることから，帯電する。ま
た，上記振動板９６に接続された針状体９５は，非常に
軽量である振動板９６を効率よく振動させるため，その
バネ定数が小さいことが要求される。よって，上記針状
体９５の形状は，一般に，径が細く，長さが長い。この
ため，上記針状体９５における電気抵抗値は非常に大き
い。
【００１５】従って，上記可動部側櫛形電極９６１に溜
まった電荷は，抵抗値の大きい針状体９５の側に移動し
難く，代わりに上記振動板９６に溜まる。このため，上
記振動板９６の下面９６２に余分の電荷が現れ，該下面
９６２と距離検出用電極９８との間の距離の検出値が，
上記振動板９６と上記基板９２との間の距離に対し，正
確に比例しなくなる。つまり，角速度ωを正確に検出す
ることができなくなる。
まった電荷は，抵抗値の大きい針状体９５の側に移動し
難く，代わりに上記振動板９６に溜まる。このため，上
記振動板９６の下面９６２に余分の電荷が現れ，該下面
９６２と距離検出用電極９８との間の距離の検出値が，
上記振動板９６と上記基板９２との間の距離に対し，正
確に比例しなくなる。つまり，角速度ωを正確に検出す
ることができなくなる。
【００１６】即ち，従来技術にかかる半導体マイクロマ
シンにおいては，電極または配線の相互間において電荷
の交換が生じ易く，よって，信号のクロストークが発生
する。このことから，上記半導体マイクロマシンにおけ
る電極または配線を構成する回路のＳ／Ｎ比は低く，検
出精度が悪くなる。また，複数の電極を有する可動部が
内部で電気的に接続されているため，それらの電極を同
電位（グランド）として回路を設計する必要があり，回
路設計上の自由度は低い。
シンにおいては，電極または配線の相互間において電荷
の交換が生じ易く，よって，信号のクロストークが発生
する。このことから，上記半導体マイクロマシンにおけ
る電極または配線を構成する回路のＳ／Ｎ比は低く，検
出精度が悪くなる。また，複数の電極を有する可動部が
内部で電気的に接続されているため，それらの電極を同
電位（グランド）として回路を設計する必要があり，回
路設計上の自由度は低い。
【００１７】また，マイクロマシニング技術による他の
応用例である，加速度センサ，マイクロアクチュエータ
ー等においても，上述した角速度センサと同様の問題が
発生する。
応用例である，加速度センサ，マイクロアクチュエータ
ー等においても，上述した角速度センサと同様の問題が
発生する。
【００１８】本発明は，かかる問題点に鑑み，複数の電
極または配線の相互間における信号のクロストークを防
止でき，Ｓ／Ｎ比及び回路の設計自由度の高い，半導体
マイクロマシンを提供しようとするものである。
極または配線の相互間における信号のクロストークを防
止でき，Ｓ／Ｎ比及び回路の設計自由度の高い，半導体
マイクロマシンを提供しようとするものである。
【００１９】
【課題の解決手段】請求項１の発明は，基板と，該基板
に間隙部を設けて対向配置されると共に，針状体によっ
て支持された半導体薄膜からなる可動部とを有する半導
体マイクロマシンにおいて，上記可動部内には複数の電
極または配線とを設けてなり，かつ，これらの間には電
気的絶縁領域が設けてあることを特徴とする半導体マイ
クロマシンにある。
に間隙部を設けて対向配置されると共に，針状体によっ
て支持された半導体薄膜からなる可動部とを有する半導
体マイクロマシンにおいて，上記可動部内には複数の電
極または配線とを設けてなり，かつ，これらの間には電
気的絶縁領域が設けてあることを特徴とする半導体マイ
クロマシンにある。
【００２０】本発明の作用につき，以下に説明する。本
発明にかかる半導体マイクロマシンにおいては，ある電
極または配線と，他の電極または配線との間に電気的絶
縁領域が設けてある。これにより，ある電極または配線
に流通する電荷が，可動部を通じて，他の電極または配
線に移動することを防止できる。即ち，各電極または配
線の相互間における信号のクロストークを防止できる。
また，信号のクロストークが生じ難いことから，電極ま
たは配線におけるＳ／Ｎ比を高めることができる。ま
た，ある電極または配線と，他の電極または配線におけ
る電流（または電圧）とを，別制御とすることができ
る。これにより，回路設計の自由度を高くすることがで
きる。
発明にかかる半導体マイクロマシンにおいては，ある電
極または配線と，他の電極または配線との間に電気的絶
縁領域が設けてある。これにより，ある電極または配線
に流通する電荷が，可動部を通じて，他の電極または配
線に移動することを防止できる。即ち，各電極または配
線の相互間における信号のクロストークを防止できる。
また，信号のクロストークが生じ難いことから，電極ま
たは配線におけるＳ／Ｎ比を高めることができる。ま
た，ある電極または配線と，他の電極または配線におけ
る電流（または電圧）とを，別制御とすることができ
る。これにより，回路設計の自由度を高くすることがで
きる。
【００２１】以上のように，本発明によれば，複数の電
極または配線の相互間における信号のクロストークを防
止でき，Ｓ／Ｎ比及び回路の設計自由度の高い，半導体
マイクロマシンを提供することができる。
極または配線の相互間における信号のクロストークを防
止でき，Ｓ／Ｎ比及び回路の設計自由度の高い，半導体
マイクロマシンを提供することができる。
【００２２】なお，本発明にかかる半導体マイクロマシ
ンとしては，マイクロマシニング技術を応用した角速度
センサ，加速度センサ，マイクロアクチュエータ等を挙
げることができる。
ンとしては，マイクロマシニング技術を応用した角速度
センサ，加速度センサ，マイクロアクチュエータ等を挙
げることができる。
【００２３】また，上記基板としては，単結晶シリコン
基板，多結晶シリコン基板，ガラス基板，単結晶サファ
イア基板，ステンレス基板等を用いることができる。上
記単結晶シリコン基板は入手容易であるため，半導体マ
イクロマシンの生産性を高めることができる。また，半
導体マイクロマシンの製造プロセスを通常のＬＳＩ製造
プロセスと併用することができる。
基板，多結晶シリコン基板，ガラス基板，単結晶サファ
イア基板，ステンレス基板等を用いることができる。上
記単結晶シリコン基板は入手容易であるため，半導体マ
イクロマシンの生産性を高めることができる。また，半
導体マイクロマシンの製造プロセスを通常のＬＳＩ製造
プロセスと併用することができる。
【００２４】上記多結晶シリコン基板は安価に入手する
ことができる。このため，半導体マイクロマシンの製造
コスト等を安価とすることができる。また，上記ガラス
基板は安価であり，また入手しやすい材料であるため，
半導体マイクロマシンの製造コスト等を安価とすること
ができる。
ことができる。このため，半導体マイクロマシンの製造
コスト等を安価とすることができる。また，上記ガラス
基板は安価であり，また入手しやすい材料であるため，
半導体マイクロマシンの製造コスト等を安価とすること
ができる。
【００２５】次に，請求項２の発明のように，上記可動
部内における複数の電極または配線は，互いに絶縁され
てなる駆動用電極部と検出用電極部とよりなることが好
ましい。
部内における複数の電極または配線は，互いに絶縁され
てなる駆動用電極部と検出用電極部とよりなることが好
ましい。
【００２６】これにより，駆動用電極部と検出用電極部
との相互間における信号のクロストークを防止すること
ができる。なお，上記駆動用電極部とは，例えば，上記
可動部を静電力により駆動するために設けられた電極で
ある。また，上記検出用電極部とは，例えば，上記可動
部の基板に対する位置関係を検出するための電極であ
る。
との相互間における信号のクロストークを防止すること
ができる。なお，上記駆動用電極部とは，例えば，上記
可動部を静電力により駆動するために設けられた電極で
ある。また，上記検出用電極部とは，例えば，上記可動
部の基板に対する位置関係を検出するための電極であ
る。
【００２７】次に，請求項３の発明のように，上記基板
には上記可動部に対面する位置に，基板と可動部との間
の距離を検出するための距離検出用電極を配設してなる
ことが好ましい。
には上記可動部に対面する位置に，基板と可動部との間
の距離を検出するための距離検出用電極を配設してなる
ことが好ましい。
【００２８】これにより，角速度センサとして機能する
半導体マイクロマシンを得ることができる。即ち，従来
技術に示すごとく，上記半導体マイクロマシンにおける
可動部を一定周期で振動させ，この状態にある半導体マ
イクロマシンに角速度を加える。これにより，上記可動
部にはコリオリ力が作用し，上記基板との位置関係が周
期的に変動する。この位置関係の変動を検出するのが，
上記距離検出用電極である。
半導体マイクロマシンを得ることができる。即ち，従来
技術に示すごとく，上記半導体マイクロマシンにおける
可動部を一定周期で振動させ，この状態にある半導体マ
イクロマシンに角速度を加える。これにより，上記可動
部にはコリオリ力が作用し，上記基板との位置関係が周
期的に変動する。この位置関係の変動を検出するのが，
上記距離検出用電極である。
【００２９】なお，上記半導体マイクロマシンが角速度
センサである場合には，上述のごとき構成を有するが，
例えば上記半導体マイクロマシンが加速度センサである
場合には，加速度によって位置変動する質量としての可
動部と，その位置変動を静電容量の変化として検出する
電極としての検出電極と，その位置変動を抑制するため
の電極としての駆動電極とを備えた構造を有する。
センサである場合には，上述のごとき構成を有するが，
例えば上記半導体マイクロマシンが加速度センサである
場合には，加速度によって位置変動する質量としての可
動部と，その位置変動を静電容量の変化として検出する
電極としての検出電極と，その位置変動を抑制するため
の電極としての駆動電極とを備えた構造を有する。
【００３０】次に，請求項４の発明のように，上記半導
体薄膜は，シリコン，ゲルマニウム，ＳｉＣ，ＳｉＧ
ｅ，ＳｉＣＧｅより選ばれる少なくとも一種であること
が好ましい。これにより，量産性，歩留まりが高いシリ
コンＩＣプロセスを用いて半導体マイクロマシンを製造
することができる。
体薄膜は，シリコン，ゲルマニウム，ＳｉＣ，ＳｉＧ
ｅ，ＳｉＣＧｅより選ばれる少なくとも一種であること
が好ましい。これにより，量産性，歩留まりが高いシリ
コンＩＣプロセスを用いて半導体マイクロマシンを製造
することができる。
【００３１】次に，請求項５の発明のように，上記シリ
コンは，多結晶シリコンまたは非晶質シリコンのいずれ
かであることが好ましい。半導体薄膜を多結晶シリコン
または非晶質シリコンで構成することにより，半導体薄
膜の製造をより低温で行うことができる。このように，
低温で半導体薄膜を生成すれば，後工程でのドーパント
の再拡散が抑制できる。このため，微細化により有利な
半導体薄膜とすることができる。
コンは，多結晶シリコンまたは非晶質シリコンのいずれ
かであることが好ましい。半導体薄膜を多結晶シリコン
または非晶質シリコンで構成することにより，半導体薄
膜の製造をより低温で行うことができる。このように，
低温で半導体薄膜を生成すれば，後工程でのドーパント
の再拡散が抑制できる。このため，微細化により有利な
半導体薄膜とすることができる。
【００３２】次に，請求項６の発明のように，上記電極
または配線はｎ型半導体またはｐ型半導体のいずれかよ
りなり，かつ上記電気的絶縁領域はアンドープの半導体
よりなることが好ましい。これにより，製造が容易であ
り，かつ電極間の容量が小さく，即ちクロストークを小
さくすることができる。
または配線はｎ型半導体またはｐ型半導体のいずれかよ
りなり，かつ上記電気的絶縁領域はアンドープの半導体
よりなることが好ましい。これにより，製造が容易であ
り，かつ電極間の容量が小さく，即ちクロストークを小
さくすることができる。
【００３３】なお，上記ｎ型半導体としては，多結晶シ
リコンまたは非晶質シリコン等に対し，燐，砒素，アン
チモン等のドーパントをドーピングしたもの用いること
が好ましい。これにより低抵抗ｎ型半導体を得ることが
できる。よって，寄生容量による信号遅延が低減でき
る。
リコンまたは非晶質シリコン等に対し，燐，砒素，アン
チモン等のドーパントをドーピングしたもの用いること
が好ましい。これにより低抵抗ｎ型半導体を得ることが
できる。よって，寄生容量による信号遅延が低減でき
る。
【００３４】また，上記ｐ型半導体としては，多結晶シ
リコンまたは非晶質シリコン等に対し，硼素，ガリウ
ム，インジウム等のドーパントをドーピングしたものを
用いることが好ましい。これにより，低抵抗ｎ型半導体
と同等の導電率が得られ，優れた半導体マイクロマシン
を得ることができる。なお，上記アンドープの半導体と
は，上述したごときドーパントとなる物質を添加してい
ない半導体のことを示している。
リコンまたは非晶質シリコン等に対し，硼素，ガリウ
ム，インジウム等のドーパントをドーピングしたものを
用いることが好ましい。これにより，低抵抗ｎ型半導体
と同等の導電率が得られ，優れた半導体マイクロマシン
を得ることができる。なお，上記アンドープの半導体と
は，上述したごときドーパントとなる物質を添加してい
ない半導体のことを示している。
【００３５】次に，請求項７の発明のように，上記電極
または配線と上記電気的絶縁領域とは，一方がｎ型半導
体，他方がｐ型半導体よりなることが好ましい。これに
より，上記可動部中にいわゆるｎｐｎ接合（またはｐｎ
ｐ接合）が形成され，電極または配線と，電気的絶縁領
域との間の電荷の移動を防止することができる。
または配線と上記電気的絶縁領域とは，一方がｎ型半導
体，他方がｐ型半導体よりなることが好ましい。これに
より，上記可動部中にいわゆるｎｐｎ接合（またはｐｎ
ｐ接合）が形成され，電極または配線と，電気的絶縁領
域との間の電荷の移動を防止することができる。
【００３６】次に，請求項８の発明のように，上記電極
または配線と上記電気的絶縁領域とは，一方がｎ型半導
体，他方がｐ型半導体よりなり，かつ両者の間にはアン
ドープの半導体が配置されてなることが好ましい。
または配線と上記電気的絶縁領域とは，一方がｎ型半導
体，他方がｐ型半導体よりなり，かつ両者の間にはアン
ドープの半導体が配置されてなることが好ましい。
【００３７】これにより，請求項７において述べたごと
く，ｎｐｎ接合（またはｐｎｐ接合）が形成され，電極
または配線と，電気的絶縁領域との間の電荷の移動を防
止することができる。その上，上記ｎ型半導体とｐ型半
導体との間にアンドープの半導体が配置されてなるた
め，可動部内における電荷の移動をより強く防止するこ
とができる。
く，ｎｐｎ接合（またはｐｎｐ接合）が形成され，電極
または配線と，電気的絶縁領域との間の電荷の移動を防
止することができる。その上，上記ｎ型半導体とｐ型半
導体との間にアンドープの半導体が配置されてなるた
め，可動部内における電荷の移動をより強く防止するこ
とができる。
【００３８】次に，請求項９の発明のように，上記電気
的絶縁領域におけるキャリア濃度は，上記電極または配
線におけるキャリア濃度よりも低いことが好ましい。一
般に，ｐ型半導体とｎ型半導体との界面においては，拡
散等により移動する電子は再結合により非常に少なくな
り，イオン化した原子のみが存在する空乏層が形成され
る。また，上記空乏層はキャリア密度のより低い側に広
がる傾向がある。そして，上記空乏層はキャリアが殆ど
存在しないことから電流が流れ難い部分である。
的絶縁領域におけるキャリア濃度は，上記電極または配
線におけるキャリア濃度よりも低いことが好ましい。一
般に，ｐ型半導体とｎ型半導体との界面においては，拡
散等により移動する電子は再結合により非常に少なくな
り，イオン化した原子のみが存在する空乏層が形成され
る。また，上記空乏層はキャリア密度のより低い側に広
がる傾向がある。そして，上記空乏層はキャリアが殆ど
存在しないことから電流が流れ難い部分である。
【００３９】よって，上記電気的絶縁領域のキャリア濃
度を低くすることにより，空乏層が上記電極または配線
側に形成されることを防止ができる。電極または配線側
に空乏層が形成された場合には，空乏層の面積分，電極
または配線における有効作用面積が減少するおそれがあ
る。
度を低くすることにより，空乏層が上記電極または配線
側に形成されることを防止ができる。電極または配線側
に空乏層が形成された場合には，空乏層の面積分，電極
または配線における有効作用面積が減少するおそれがあ
る。
【００４０】
実施形態例１
本発明の実施形態例にかかる半導体マイクロマシンにつ
き，図１，図２を用いて説明する。なお，本例の半導体
マイクロマシンはマイクロマシニング技術により作成さ
れた角速度センサであり，その基本的な構造は従来技術
において示した半導体マイクロマシンと同様の構造であ
る（図５〜図７参照）。
き，図１，図２を用いて説明する。なお，本例の半導体
マイクロマシンはマイクロマシニング技術により作成さ
れた角速度センサであり，その基本的な構造は従来技術
において示した半導体マイクロマシンと同様の構造であ
る（図５〜図７参照）。
【００４１】図１，図２に示すごとく，本例の半導体マ
イクロマシン１は，基板１２と，該基板１２に間隙部１
１を設けて対向配置されると共に，針状体１５，１５０
によって支持された多結晶シリコンの薄膜からなる可動
部１３とを有する。上記可動部１３内には駆動用電極部
１６１と検出用電極部１６２とよりなる電極と配線１５
９とを設けてなり，かつ，これらの間には電気的絶縁領
域１６０が設けてある。また，上記可動部１３の両側に
は，基板１２に固定された一対の固定部１７が設けてあ
る。
イクロマシン１は，基板１２と，該基板１２に間隙部１
１を設けて対向配置されると共に，針状体１５，１５０
によって支持された多結晶シリコンの薄膜からなる可動
部１３とを有する。上記可動部１３内には駆動用電極部
１６１と検出用電極部１６２とよりなる電極と配線１５
９とを設けてなり，かつ，これらの間には電気的絶縁領
域１６０が設けてある。また，上記可動部１３の両側に
は，基板１２に固定された一対の固定部１７が設けてあ
る。
【００４２】上記可動部１３の両側には櫛形の駆動用電
極部１６１が設けてある。また，上記固定部１７には，
上記駆動用電極部１６１と相互にかみあうように配置さ
れる櫛形の固定部側駆動用電極部１７１が設けてある。
なお，上記駆動用電極部１６１と固定部側駆動用電極部
１７１との間には，微細な間隙が設けてなる。また，上
記針状体１５，１５０は図示を略した支持部によって，
上記基板１２に対し，固定されてなる。上記配線１５９
は，上記駆動用電極部１６１，上記検出用電極部１６２
と上記針状体１５との間を連結するよう設けてある。な
お，上記固定部１７は支持層１７９によって基板１２に
固定されてなる。
極部１６１が設けてある。また，上記固定部１７には，
上記駆動用電極部１６１と相互にかみあうように配置さ
れる櫛形の固定部側駆動用電極部１７１が設けてある。
なお，上記駆動用電極部１６１と固定部側駆動用電極部
１７１との間には，微細な間隙が設けてなる。また，上
記針状体１５，１５０は図示を略した支持部によって，
上記基板１２に対し，固定されてなる。上記配線１５９
は，上記駆動用電極部１６１，上記検出用電極部１６２
と上記針状体１５との間を連結するよう設けてある。な
お，上記固定部１７は支持層１７９によって基板１２に
固定されてなる。
【００４３】また，図２に示すごとく，上記基板１２に
は上記可動部１３における検出用電極部１６２に対面す
る位置に，基板１２と可動部１３との間の間隙部１１の
距離を検出するための距離検出用電極１８を配設してな
る。なお，上記針状体１５の端部には電極パッド１５８
が設けてなる。また，上記針状体１５０は上記可動部１
３を支承するだけの役割を負っている。
は上記可動部１３における検出用電極部１６２に対面す
る位置に，基板１２と可動部１３との間の間隙部１１の
距離を検出するための距離検出用電極１８を配設してな
る。なお，上記針状体１５の端部には電極パッド１５８
が設けてなる。また，上記針状体１５０は上記可動部１
３を支承するだけの役割を負っている。
【００４４】上記可動部１３，固定部１７，針状体１
５，１５０はいずれも多結晶シリコンよりなる。そし
て，上記可動部１３における駆動用電極部１６１，検出
用電極部１６２，針状体１５，上記固定部１７における
固定部側駆動用電極部１７１は，上記多結晶シリコンに
対し，ドーパントであるリンをイオン注入によりドープ
したｎ型半導体より構成されている。また，上記電気的
絶縁領域１６０は，アンドープの状態のままの多結晶シ
リコンよりなる。そして，上記基板１２はｐ型単結晶シ
リコンよりなり，上記距離検出用電極１８は，導電性材
料であるｎ型シリコンよりなる。
５，１５０はいずれも多結晶シリコンよりなる。そし
て，上記可動部１３における駆動用電極部１６１，検出
用電極部１６２，針状体１５，上記固定部１７における
固定部側駆動用電極部１７１は，上記多結晶シリコンに
対し，ドーパントであるリンをイオン注入によりドープ
したｎ型半導体より構成されている。また，上記電気的
絶縁領域１６０は，アンドープの状態のままの多結晶シ
リコンよりなる。そして，上記基板１２はｐ型単結晶シ
リコンよりなり，上記距離検出用電極１８は，導電性材
料であるｎ型シリコンよりなる。
【００４５】上記半導体マイクロマシン１において，角
速度の検出は以下に示すごとく行なわれる。従来技術に
示す半導体マイクロマシン９と同様に，一対の固定部側
櫛形電極１７１，駆動用電極部１６１間に０〜Ｖ
0 （Ｖ）で基板に平行方向の共振周波数の矩形波交流電
圧を印加する。これにより，上記可動部１３において，
上記基板９２に対して平行方向の水平振動が発生する。
この状態にある上記半導体マイクロマシン１に対し，図
１に示す回転軸の方向に，角速度ωとなる回転運動を加
える。これにより，上記可動部１３には上記基板１２に
対する垂直方向への振動が発生する。
速度の検出は以下に示すごとく行なわれる。従来技術に
示す半導体マイクロマシン９と同様に，一対の固定部側
櫛形電極１７１，駆動用電極部１６１間に０〜Ｖ
0 （Ｖ）で基板に平行方向の共振周波数の矩形波交流電
圧を印加する。これにより，上記可動部１３において，
上記基板９２に対して平行方向の水平振動が発生する。
この状態にある上記半導体マイクロマシン１に対し，図
１に示す回転軸の方向に，角速度ωとなる回転運動を加
える。これにより，上記可動部１３には上記基板１２に
対する垂直方向への振動が発生する。
【００４６】上記可動部１３の垂直振動により，該可動
部１３と基板１２との間の間隙部１１の距離が，上記振
動の周期に従って変化する。ところで，上記検出用電極
部１８と可動部１３内の検出用電極部１６２とは，コン
デンサを構成し，間隙部１１の距離変化に伴い静電容量
変化を起こす。このため，回路による容量検出により，
上記間隙部１１の距離の変化を電気信号の値として検出
することができる。そして，この検出値より上記半導体
マイクロマシン１にかかる角速度ωを検出することがで
きる。
部１３と基板１２との間の間隙部１１の距離が，上記振
動の周期に従って変化する。ところで，上記検出用電極
部１８と可動部１３内の検出用電極部１６２とは，コン
デンサを構成し，間隙部１１の距離変化に伴い静電容量
変化を起こす。このため，回路による容量検出により，
上記間隙部１１の距離の変化を電気信号の値として検出
することができる。そして，この検出値より上記半導体
マイクロマシン１にかかる角速度ωを検出することがで
きる。
【００４７】次に，本例における作用効果につき説明す
る。本例にかかる半導体マイクロマシン１においては，
可動部１３における駆動用電極部１６１，検出用電極部
１６２，配線１５９の間には電気的絶縁領域１６０が設
けてある。これにより，駆動用電極部１６１，検出用電
極部１６２，配線１５９は，互いに電気的に独立した状
態にある。
る。本例にかかる半導体マイクロマシン１においては，
可動部１３における駆動用電極部１６１，検出用電極部
１６２，配線１５９の間には電気的絶縁領域１６０が設
けてある。これにより，駆動用電極部１６１，検出用電
極部１６２，配線１５９は，互いに電気的に独立した状
態にある。
【００４８】このため，これらの間における電荷の移
動，即ち信号のクロストークが生じがたい。また，信号
のクロストークが生じ難いことから，駆動用電極部１６
１，検出用電極部１６２，配線１５９におけるＳ／Ｎ比
を高めることができる。これにより，本例にかかる半導
体マイクロマシン１は精度の高い角速度検出を行うこと
ができる。
動，即ち信号のクロストークが生じがたい。また，信号
のクロストークが生じ難いことから，駆動用電極部１６
１，検出用電極部１６２，配線１５９におけるＳ／Ｎ比
を高めることができる。これにより，本例にかかる半導
体マイクロマシン１は精度の高い角速度検出を行うこと
ができる。
【００４９】また，ある駆動用電極部１６１，検出用電
極部１６２，配線１５９を流通する電流または電圧は，
他の部分を流通する電流または電圧とは別制御とするこ
とができる。これにより，上記半導体マイクロマシン１
において，回路の設計の自由度を高くすることができ
る。
極部１６２，配線１５９を流通する電流または電圧は，
他の部分を流通する電流または電圧とは別制御とするこ
とができる。これにより，上記半導体マイクロマシン１
において，回路の設計の自由度を高くすることができ
る。
【００５０】従って，本例によれば，複数の電極または
配線の相互間における信号のクロストークを防止でき，
Ｓ／Ｎ比及び回路の設計自由度の高い，半導体マイクロ
マシンを提供することができる。
配線の相互間における信号のクロストークを防止でき，
Ｓ／Ｎ比及び回路の設計自由度の高い，半導体マイクロ
マシンを提供することができる。
【００５１】実施形態例２
本例は，電極または配線と電気的絶縁領域とは，一方が
ｎ型半導体，他方がｐ型半導体よりなり，かつ両者の間
にはアンドープの半導体が配置されてなる半導体マイク
ロマシンについて説明するものである。なお，本例にか
かる半導体マイクロマシン１９についても，その構造は
実施形態例１とほぼ同様である。
ｎ型半導体，他方がｐ型半導体よりなり，かつ両者の間
にはアンドープの半導体が配置されてなる半導体マイク
ロマシンについて説明するものである。なお，本例にか
かる半導体マイクロマシン１９についても，その構造は
実施形態例１とほぼ同様である。
【００５２】図３に示すごとく，上記半導体マイクロマ
シン１９において，上記可動部１３には，その両側に櫛
形の駆動用電極部１６１が設けてなり，上記可動部１３
における中央部分が検出用電極部１６２となる。また，
上記可動部１３には，針状体１５に対し上記検出用電極
部１６２及び駆動用電極部１６１を電気的に導通させる
ための配線１５９が設けてある。そして，上記駆動用電
極部１６１，上記検出用電極部１６２，上記配線１５９
との相互間には，電気的絶縁領域１６０が設けてある。
シン１９において，上記可動部１３には，その両側に櫛
形の駆動用電極部１６１が設けてなり，上記可動部１３
における中央部分が検出用電極部１６２となる。また，
上記可動部１３には，針状体１５に対し上記検出用電極
部１６２及び駆動用電極部１６１を電気的に導通させる
ための配線１５９が設けてある。そして，上記駆動用電
極部１６１，上記検出用電極部１６２，上記配線１５９
との相互間には，電気的絶縁領域１６０が設けてある。
【００５３】そして，上記可動部１３は，アンドープの
多結晶シリコンよりなり，上記駆動用電極部１６１，上
記検出用電極部１６２，上記配線１５９は，該多結晶シ
リコンにそれぞれリンをイオン注入によりドープしたｎ
型半導体より構成されている。
多結晶シリコンよりなり，上記駆動用電極部１６１，上
記検出用電極部１６２，上記配線１５９は，該多結晶シ
リコンにそれぞれリンをイオン注入によりドープしたｎ
型半導体より構成されている。
【００５４】そして，図３，図４に示すごとく，上記駆
動用電極部１６１，上記検出用電極部１６２，上記配線
１５９らの相互間はアンドープの状態のままとしてお
く。この部分が上記電気的絶縁領域１６０となる。更
に，上記電気的絶縁領域１６０の中央には，硼素をイオ
ン注入することによりドープしたｐ型半導体よりなる中
央部１６９が設けてあり，より一層の各電極−配線間の
絶縁が確保されている。その他は実施形態例１と同様で
ある。また，本例の半導体マイクロマシン１９は実施形
態例１と同様の作用効果を有する。
動用電極部１６１，上記検出用電極部１６２，上記配線
１５９らの相互間はアンドープの状態のままとしてお
く。この部分が上記電気的絶縁領域１６０となる。更
に，上記電気的絶縁領域１６０の中央には，硼素をイオ
ン注入することによりドープしたｐ型半導体よりなる中
央部１６９が設けてあり，より一層の各電極−配線間の
絶縁が確保されている。その他は実施形態例１と同様で
ある。また，本例の半導体マイクロマシン１９は実施形
態例１と同様の作用効果を有する。
【００５５】
【発明の効果】上記のごとく，本発明によれば，複数の
電極または配線の相互間における信号のクロストークを
防止でき，Ｓ／Ｎ比及び電極または配線，及び回路の設
計自由度の高い，半導体マイクロマシンを提供すること
ができる。
電極または配線の相互間における信号のクロストークを
防止でき，Ｓ／Ｎ比及び電極または配線，及び回路の設
計自由度の高い，半導体マイクロマシンを提供すること
ができる。
【図１】実施形態例１にかかる，半導体マイクロマシン
の平面図。
の平面図。
【図２】実施形態例１にかかる，図１のＡ−Ａ矢視断面
図。
図。
【図３】実施形態例２にかかる，半導体マイクロマシン
の平面図。
の平面図。
【図４】実施形態例２にかかる，図３のＢ−Ｂ矢視断面
図。
図。
【図５】従来例にかかる，半導体マイクロマシンの平面
図。
図。
【図６】従来例にかかる，半導体マイクロマシンのＣ−
Ｃ断面図。
Ｃ断面図。
【図７】従来例にかかる，半導体マイクロマシンのＤ−
Ｄ断面図。
Ｄ断面図。
１．．．半導体マイクロマシン，
１２．．．基板，
１３．．．可動部，
１５．．．針状体，
１５９．．．配線，
１６０．．．電気的絶縁領域，
１６１．．．駆動用電極部，
１６２．．．検出用電極部，
１８．．．距離検出用電極，
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 29/84
G01P 9/04
G01C 19/56
Claims (9)
- 【請求項１】 基板と，該基板に間隙部を設けて対向配
置されると共に，針状体によって支持された半導体薄膜
からなる可動部とを有する半導体マイクロマシンにおい
て，上記可動部内には複数の電極または配線とを設けて
なり，かつ，これらの間には電気的絶縁領域が設けてあ
ることを特徴とする半導体マイクロマシン。 - 【請求項２】 請求項１において，上記可動部内におけ
る上記複数の電極または配線は，互いに絶縁されてなる
駆動用電極部と検出用電極部とよりなることを特徴とす
る半導体マイクロマシン。 - 【請求項３】 請求項１又は２において，上記基板には
上記可動部に対面する位置に，基板と可動部との間の距
離を検出するための距離検出用電極を配設してなること
を特徴とする半導体マイクロマシン。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか一項において，
上記半導体薄膜は，シリコン，ゲルマニウム，ＳｉＣ，
ＳｉＧｅ，ＳｉＣＧｅより選ばれる少なくとも一種であ
ることを特徴とする半導体マイクロマシン。 - 【請求項５】 請求項３において，上記シリコンは，多
結晶シリコンまたは非晶質シリコンのいずれかであるこ
とを特徴とする半導体マイクロマシン。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項において，
上記電極または配線はｎ型半導体またはｐ型半導体のい
ずれかよりなり，かつ上記電気的絶縁領域はアンドープ
の半導体よりなることを特徴とする半導体マイクロマシ
ン。 - 【請求項７】 請求項１〜５のいずれか一項において，
上記電極または配線と上記電気的絶縁領域とは，一方が
ｎ型半導体，他方がｐ型半導体よりなることを特徴とす
る半導体マイクロマシン。 - 【請求項８】 請求項１〜５のいずれか一項において，
上記電極または配線と上記電気的絶縁領域とは，一方が
ｎ型半導体，他方がｐ型半導体よりなり，かつ両者の間
にはアンドープの半導体が配置されてなることを特徴と
する半導体マイクロマシン。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか一項において，
上記電気的絶縁領域におけるキャリア濃度は，上記電極
または配線におけるキャリア濃度よりも低いことを特徴
とする半導体マイクロマシン。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35533996A JP3536563B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 半導体マイクロマシン |
| GB9726734A GB2320571B (en) | 1996-12-20 | 1997-12-18 | Semiconductor micromachine and manufacturing method thereof |
| US08/994,759 US6190571B1 (en) | 1996-12-20 | 1997-12-19 | Semiconductor micromachine and manufacturing method thereof |
| DE19756849A DE19756849A1 (de) | 1996-12-20 | 1997-12-19 | Halbleitermikromaschine und Herstellungsverfahren dafür |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35533996A JP3536563B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 半導体マイクロマシン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190008A JPH10190008A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3536563B2 true JP3536563B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=18443370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35533996A Expired - Fee Related JP3536563B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 半導体マイクロマシン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3536563B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1173893A4 (en) * | 1999-01-15 | 2007-08-01 | Univ California | POLYCRYSTALLINE SILICON GERMANIUM FILMS FOR THE MANUFACTURE OF MICROELECTROCHEMICAL SYSTEMS |
| US7071017B2 (en) | 2003-08-01 | 2006-07-04 | Yamaha Corporation | Micro structure with interlock configuration |
| JP4440065B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2010-03-24 | キヤノン株式会社 | 電位測定装置及び画像形成装置 |
| US9493344B2 (en) * | 2010-11-23 | 2016-11-15 | Honeywell International Inc. | MEMS vertical comb structure with linear drive/pickoff |
| JP2016059191A (ja) | 2014-09-11 | 2016-04-21 | ソニー株式会社 | 静電型デバイス |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP35533996A patent/JP3536563B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10190008A (ja) | 1998-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3457037B2 (ja) | 集積型加速度計 | |
| US6190571B1 (en) | Semiconductor micromachine and manufacturing method thereof | |
| JP3199775B2 (ja) | 加速度センサ | |
| JP3412293B2 (ja) | 半導体ヨーレートセンサおよびその製造方法 | |
| EP1216397A2 (en) | Microfabricated tuning fork gyroscope and associated three-axis inertial measurement system to sense out-of-plane rotation | |
| US20100127715A1 (en) | Semiconductor physical quantity sensor and control device using the same | |
| EP0742904A1 (en) | Method of making a micromechanical silicon-on-glass tuning fork gyroscope | |
| GB2156523A (en) | Planar inertial sensor | |
| US6209394B1 (en) | Integrated angular speed sensor device and production method thereof | |
| JPH05508914A (ja) | マイクロメカニック式の回転値センサ | |
| USRE41856E1 (en) | Process for manufacturing high-sensitivity accelerometric and gyroscopic integrated sensors, and sensor thus produced | |
| KR101928371B1 (ko) | 나노공진기 및 그의 제조 방법 | |
| JP3536563B2 (ja) | 半導体マイクロマシン | |
| JP4710700B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH10335675A (ja) | 半導体マイクロマシン | |
| EP0664438A1 (en) | Comb drive micromechanical tuning fork gyro | |
| US20220252635A1 (en) | Mechanically-sensitive semiconducting triode capacitor | |
| JP2001044450A (ja) | 半導体力学量センサ | |
| EP3342035B1 (en) | Micro-electromechanical device, system and method for energy harvesting and sensing | |
| JP2971610B2 (ja) | 力・加速度・磁気の検出装置およびその製造方法 | |
| JPH10313123A (ja) | 薄膜を用いた変換素子およびその製造方法 | |
| JP5333354B2 (ja) | 力学量センサ | |
| JP2013055647A (ja) | Ｍｅｍｓ共振器およびそれを用いた電気機器 | |
| JP7369399B2 (ja) | 振動素子の製造方法、振動発電素子の製造方法、振動素子、および振動発電素子 | |
| CN220273651U (zh) | 微机电系统谐振器及微机电系统振荡器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040224 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040308 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080326 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |