JP3535770B2 - Exposure method and apparatus - Google Patents

Exposure method and apparatus

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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput, printing product fields larger than the image field, compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching, double patterning
    • G03F7/7045Hybrid exposure, i.e. combining different types of exposure, e.g. projection, proximity, direct write, interferometric, uv, x-ray, particle beam

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、露光方法及び露光装置に関し、特に微細な回路パターンで感光基板上を露光する露光方法及び露光装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to an exposure method and an exposure apparatus, an exposure method and an exposure apparatus for exposing a photosensitive upper substrate in a particularly fine circuit patterns. 本発明の露光方法及び露光装置は、例えば、IC、LSI等の半導体チップ、液晶パネル等の表示素子、磁気ヘッド等の検出素子、CCD等の撮像素子といった各種デバイスの製造に用いられる。 Exposure method and apparatus of the present invention, for example, IC, semiconductor chips such as LSI, a display element such as a liquid crystal panel, detection elements such as a magnetic head used in the manufacture of various devices such as an image pickup element such as a CCD. 【0002】 【従来の技術】従来より、IC、LSI、液晶パネル等のデバイスをフォトリソグラフィー技術を用いて製造する時には、フォトマスク又はレチクル等(以下、「マスク」と記す。)の回路パターンを投影光学系によってフォトレジスト等が塗布されたシリコンウエハ又はガラスプレート等(以下、「ウエハ」と記す。)の感光基板上に投影し、そこに転写する(露光する)投影露光方法及び投影露光装置が使用されている。 2. Description of the Related Art, IC, LSI, a device such as a liquid crystal panel when manufactured using photolithographic techniques, photomasks or reticles, etc. (hereinafter. Referred to as "mask"), the circuit pattern of a projection optical system by a photoresist or the like is coated silicon wafer or glass plate (hereinafter, referred to as "wafer".) photosensitive projected onto the substrate is transferred thereto (exposure) projection exposure method and projection exposure apparatus There has been used. 【0003】上記デバイスの高集積化に対応して、ウエハに転写するパターンの微細化即ち高解像度化とウエハにおける1チップの大面積化とが要求されており、従ってウエハに対する微細加工技術の中心を成す上記投影露光方法及び投影露光装置においても、現在、0.5μm [0003] Corresponding to the high integration of the device, miniaturization of a pattern to be transferred to the wafer or high resolution and one chip large area of ​​the wafer and has been required, therefore the center of the fine processing technology for wafer also in the projection exposure method and projection exposure apparatus forms an, currently, 0.5 [mu] m
以下の寸法(線幅)の像を広範囲に形成するべく、解像度と露光面積の向上が計られている。 In order to extensively form an image of the following dimensions (line width), improvement in resolution and exposure area have been scaled. 【0004】従来の投影露光装置の模式図を図18に示す。 [0004] The schematic view of a conventional projection exposure apparatus shown in FIG. 18. 図18中、191は遠紫外線露光用光源であるエキシマレーザ、192は照明光学系、193は照明光、1 In Figure 18, the excimer laser is 191 is deep UV exposure light source, 192 an illumination optical system, 193 illumination light, 1
94はマスク、195はマスク194から出て光学系1 94 mask, 195 optical system 1 out of the mask 194
96に入射する物体側露光光、196は縮小投影光学系、197は光学系196から出て基板198に入射する像側露光光、198は感光基板であるウエハ、199 Object side exposure light incident on 96, 196 reduction projection optical system, 197 an image side exposure light incident on the substrate 198 out of the optical system 196, 198 is a photosensitive substrate wafer, 199
は感光基板を保持する基板ステージを、示す。 It is a substrate stage for holding the photosensitive substrate, shown. 【0005】エキシマレーザ191から出射したレーザ光は、引き回し光学系によって照明光学系192に導光され、照明光学系192により所定の光強度分布、配光分布、開き角(開口数NA)等を持つ照明光193となるように調整され、マスク194を照明する。 [0005] The laser beam emitted from the excimer laser 191 is guided to the illumination optical system 192 by routing optical system, the illumination optical system 192 by a predetermined light intensity distribution, light distribution, the opening angle (numerical aperture NA) and the like It is adjusted so that the illumination light 193 having, illuminates the mask 194. マスク1 Mask 1
94にはウエハ198上に形成する微細パターンを投影光学系196の投影倍率の逆数倍(例えば2倍や4倍や5倍)した寸法のパターンがクロム等によって石英基板上に形成されており、照明光193はマスク194の微細パターンによって透過回折され、物体側露光光195 94 reciprocal of the projection magnification of the wafer 198 on the fine pattern projection optical system for forming the 196 (for example two times or four times or five times) the size pattern is formed on a quartz substrate by chromium , the illumination light 193 is transmitted diffracted by the fine pattern of the mask 194, the object side exposure light 195
となる。 To become. 投影光学系196は、物体側露光光195を、 The projection optical system 196, the object-side exposure light 195,
マスク194の微細パターンを上記投影倍率で且つ充分小さな収差でウエハ198上に結像する像側露光光19 Image side exposure light 19 that forms an image on the wafer 198 the fine pattern of the mask 194 and sufficiently small aberration in the projection magnification
7に変換する。 It converted to 7. 像側露光光197は図19の下部の拡大図に示されるように、所定の開口数NA(=sinθ) As the image side exposure light 197 is shown in the enlarged view of the lower portion of FIG. 19, a predetermined numerical aperture NA (= sin [theta)
でウエハ198上に収束し、ウエハ198上に微細パターンの像を結ぶ。 In converged on the wafer 198, it forms an image of a fine pattern onto the wafer 198. 基板ステージ199は、ウエハ198 The substrate stage 199, a wafer 198
の互いに異なる複数の領域(ショット領域:1個又は複数のチップとなる領域)に順次微細パターンを形成する場合に、投影光学系の像平面に沿ってステップ移動することによりウエハ198の投影光学系196に対する位置を変える。 A plurality of different regions of (shot areas: one or more regions to be a chip) in the case of forming the sequential fine pattern, the projection optical system of the wafer 198 by step movement along the image plane of the projection optical system changing the position with respect to 196. 【0006】しかしながら、現在主流の上記のエキシマレーザを光源とする投影露光装置は、0.15μm以下のパターンを形成することが困難である。 However, a projection exposure apparatus as a light source an excimer laser of the current mainstream above, it is difficult to form the following pattern 0.15 [mu] m. 【0007】投影光学系196は、露光(に用いる)波長に起因する光学的な解像度と焦点深度との間のトレードオフによる解像度の限界がある。 [0007] The projection optical system 196, the exposure (used) is the resolution limit of by a trade-off between optical resolution and depth of focus due to the wavelength. 投影露光装置による解像パターンの解像度Rと焦点深度DOFは、次の(1)式と(2)式の如きレーリーの式によって表される。 Resolution R and depth of focus DOF ​​of the resolution pattern by the projection exposure apparatus is represented by such Rayleigh equation of the following (1) and (2) below. 【0008】R=k 1 (λ/NA) ……(1) DOF=k 2 (λ/NA 2 ) ……(2) ここで、λは露光波長、NAは投影光学系196の明るさを表す像側の開口数、k 1 、k 2はウエハ198の現像プロセス特性等によって決まる定数であり、通常0.5 [0008] R = k 1 (λ / NA ) ...... (1) DOF = k 2 (λ / NA 2) ...... (2) where, lambda is the exposure wavelength, NA is the brightness of the projection optical system 196 numerical aperture on the image side which represents, k 1, k 2 is a constant determined by a development process characteristics of the wafer 198 or the like, usually 0.5
〜0.7程度の値である。 Is a value of about 0.7. この(1)式と(2)式から、解像度Rを小さい値とする高解像度化には開口数N The (1) and from (2), the numerical aperture for high resolution to a small value the resolution R N
Aを大きくする「高NA化」があるが、実際の露光では投影光学系196の焦点深度DOFをある程度以上の値にする必要があるため、高NA化をある程度以上進めることは不可能となることと、高解像度化には結局露光波長λを小さくする「短波長化」が必要となることとが分かる。 Enlarge A is "higher NA", but becomes impossible to proceed it is necessary to a certain value greater than the depth of focus DOF ​​of the projection optical system 196, a certain degree or more higher NA in the actual exposure it and eventually seen and that the exposure wavelength λ is reduced "short wavelength" is required for high resolution. 【0009】ところが短波長化を進めていくと重大な問題が発生する。 [0009] However, a serious problem occurs and proceed with a shorter wavelength. この問題とは投影光学系196のレンズの硝材がなくなってしまうことである。 The problem is that there would be no glass material of the lens of the projection optical system 196. 殆どの硝材の透過率は遠紫外線領域では0に近く、特別な製造方法を用いて露光装置用(露光波長約248nm)に製造された硝材として溶融石英が現存するが、この溶融石英の透過率も波長193nm以下の露光波長に対しては急激に低下するし、0.15μm以下の微細パターンに対応する露光波長150nm以下の領域では実用的な硝材の開発は非常に困難である。 The transmittance of the most glass materials close to zero in the deep ultraviolet region, but fused silica is existing as a glass material manufactured in the exposure apparatus (exposure wavelength of about 248 nm) using a special manufacturing process, the transmittance of the fused silica also to decrease rapidly for the following exposure wavelength wavelength 193 nm, the development of practical glass material is at the exposure wavelength 150nm or less in a region corresponding to the following fine pattern 0.15μm is very difficult. また遠紫外線領域で使用される硝材は、透過率以外にも、耐久性,屈折率均一性,光学的歪み,加工性等の複数条件を満たす必要があり、この事から、実用的な硝材の存在が危ぶまれている。 The glass material used in the deep ultraviolet region, in addition to transmittance, durability, refractive index homogeneity, optical distortion, there are several conditions must be met, such as processability, from this, practical glass materials existence is threatened. 【0010】このように従来の投影露光方法及び投影露光装置では、ウエハ198に0.15μm以下のパターンを形成するためには150nm程度以下まで露光波長の短波長化が必要であるのに対し、この波長領域では実用的な硝材が存在しないので、ウエハ198に0.15 [0010] While in this way conventional projection exposure method and projection exposure apparatus, in order to form the following pattern 0.15μm on the wafer 198 is required to reduce the wavelength of exposure light to below about 150 nm, since this wavelength range there is no practical glass material, the wafer 198 0.15
μm以下のパターンを形成することができなかった。 μm could not be formed the following pattern. 【0011】米国特許第5,415,835号公報は2光束干渉露光によって微細パターンを形成する技術を開示しており、2光束干渉露光によれば、ウエハに0.15μm以下のパターンを形成することができる。 [0011] U.S. Patent No. 5,415,835 discloses a technique for forming a fine pattern by 2-beam interference exposure, according to the two-beam interference exposure, it is possible to form the following pattern 0.15μm on the wafer. 【0012】2光束干渉露光の原理を図14を用いて説明する。 [0012] The principle of two-beam interference exposure is described with reference to FIG. 14. 2光束干渉露光は、レーザ151からの可干渉性を有し且つ平行光線束であるレーザ光をハーフミラー152によって2光束に分割し、2光束を夫々平面ミラー153によって反射することにより2個のレーザ光(可干渉性平行光線束)を0より大きく90度未満のある角度を成して交差させることにより交差部分に干渉縞を形成し、この干渉縞(の光強度分布)によってウエハ154を露光して感光させることで干渉縞の光強度分布に応じた微細な周期パターンをウエハに形成するものである。 Two-beam interference exposure, a laser beam is and parallel light beam having a coherence of the laser 151 is divided by the half mirror 152 into two beams, two by reflecting two light beams by the respective plane mirrors 153 laser light (coherent parallel light fluxes) by forming interference fringes intersection by intersecting at an angle with less than than 90 degrees than 0, the wafer 154 by the interference fringes (light intensity distribution) a fine periodic pattern according to the light intensity distribution of the interference fringes by causing the photosensitive is exposed and forms on the wafer. 【0013】2光束がウエハ面の立てた垂線に対して互いに逆方向に同じ角度だけ傾いた状態でウエハ面で交差する場合、この2光束干渉露光における解像度Rは次の(3)式で表される。 Table When crossing the wafer surface, resolution R in the two-beam interference exposure by the following formula (3) in a state inclined by the same angle in opposite directions to each other [0013] 2 light beams with respect erected perpendicular of a wafer surface It is. 【0014】 R=λ/(4sinθ) =λ/4NA =0.25(λ/NA) ……(3) ここで、RはL&S(ライン・アンド・スペース)の夫々の幅即ち干渉縞の明部と暗部の夫々の幅を、θは2光束の夫々の像面に対する入射角度(絶対値)を表し、N [0014] R = λ / (4sinθ) = λ / 4NA = 0.25 (λ / NA) ...... (3) where, R is L & S Akira of the width or the interference fringes of each of the (line-and-space) the parts and dark portion of each of the width, theta represents the angle of incidence to the image surface of each of the two light beams (absolute value), N
A=sinθである。 A = is a sinθ. 【0015】通常の投影露光における解像度の式である(1)式と2光束干渉露光における解像度の式である(3)式とを比較すると、2光束干渉露光の解像度Rは(1)式においてk 1 =0.25とした場合に相当するから、2光束干渉露光ではk 1 =0.5〜0.7である通常の投影露光の解像度より2倍以上の解像度を得ることが可能である。 [0015] Comparing an expression of resolution in ordinary an expression of resolution in the projection exposure of (1) and the two-beam interference exposure (3), the resolution R of the two-beam interference exposure in (1) because corresponds to the case where the k 1 = 0.25, it is possible to obtain a k 1 = 0.5 to 0.7 normal projection exposure twice or higher resolution than the resolution which is a two-beam interference exposure . 上記米国特許には開示されていないが、例えばλ=0.248nm(KrFエキシマ)でN The aforementioned U.S. Patent does not disclose, but for example, lambda = N at 0.248nm (KrF excimer)
A=0.6の時は、R=0.10μmが得られる。 When A = 0.6 is, R = 0.10 .mu.m is obtained. 【0016】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら2光束干渉露光は、基本的に干渉縞に相当する単純な縞パターン(周期パターン)しか得られないので、所望の形状の回路パターンをウエハに形成することができない。 [0016] The present invention is, however two-beam interference exposure, so a simple fringe pattern (periodic pattern) can only be obtained which corresponds essentially interference fringes, the circuit pattern to the wafer in a desired shape formation can not be. 【0017】そこで上記米国特許第5,415,835号公報は、2光束干渉露光によって単純な縞パターンによる2 [0017] Therefore the U.S. Patent No. 5,415,835 publication, 2 by a simple fringe pattern by 2-beam interference exposure
値的な露光量分布をウエハのレジストに与えた後、露光装置の分解能の範囲内の大きさのある開口が形成されたマスクを用いて通常リソグラフィー(露光)を行なって更に他の2値的な露光量分布をウエハに与えることにより、孤立の線(パターン)を得ることを提案している。 After giving a value exposure amount distribution on the resist of the wafer, binary inside of using a mask having an opening formed with a size typically lithography (exposure) further performed the other range of the resolution of the exposure apparatus by giving Do exposure distribution on the wafer, it is proposed to obtain an isolated line (pattern). 【0018】しかしながら上記米国特許第5,415,835号公報の二重露光を、ステップアンドリピート露光或いはステップアンドスキャン露光が行なわれる通常のウエハの各ショット領域(被露光領域)毎に行なうと、全ショットに対して二重露光を完了させるのに長い時間が必要となる。 [0018] However the double exposure of the U.S. Patent No. 5,415,835 Publication, performed for each shot area of ​​the conventional wafer step-and-repeat exposure or step-and-scan exposure is performed (the exposure region), the total shot long time to complete the double exposure Te is required. 【0019】本発明の目的は、例えば上記米国特許第5, It is an object of the present invention, for example, the U.S. Patent No. 5,
415,835号公報の二重露光のような、途中で現像を行なうことなく互いに強度分布が異なる複数の像で(換言すれば互いに異なる露光量分布を与える複数の像で)ウエハの複数個のショット領域を露光する時にかかる時間を短くすることができる露光方法及び露光装置を提供することにある。 415,835 No. such as double exposure publications, a plurality of shot areas (multiple in image gives different exposure distribution in other words) wafer intensity distribution from each other at a plurality of different images without performing development on the way and to provide the time can be shortened exposure method and an exposure apparatus when exposing the. 【0020】 【課題を解決するための手段】 請求項1の発明の露光方 [0020] Means for Solving the Problems] exposure side of the first aspect of the present invention
法は、ウエハのショット領域に対して途中で現像を行なうことなく互いに強度分布が異なる複数の像で露光を行なう露光方法であって、 複数のウエハの各々の複数のショット領域に対してある強度分布を有する像によって露光を行なった後で、前記複数のウエハの各々の前記複数のショット領域に対して他の強度分布を有する像によって露光を行なうとき、 前記複数のウエハは、該ウエハの Law, the intensity distribution from each other without performing a development in the middle with respect to the shot area of the wafer there is provided an exposure method for performing exposure a plurality of different images, relative to a plurality of shot areas of each of the plurality of wafer strength after performing the exposure by the image having a distribution, when performing the exposure by the image with other intensity distributions for the plurality of shot areas of each of said plurality of wafers, said plurality of wafers, of the wafer
位置を計測するウエハ位置確認用計測系が設けられたス Vinegar wafer position confirmation measurement system for measuring the position is provided
トックキャリアに収納されており、該ウエハの1回目の露光のときの位置合わせをウエハ上のアライメントマークで行ない、2回目の露光のときの位置合わせをウエハチャック上の位置合わせ情報を用いて行なっていること Is accommodated in the stock carrier, the alignment of the time of the first exposure of the wafer is performed by the alignment mark on the wafer, becomes line with alignment when the second exposure alignment information on the wafer chuck are things
を特徴としている。 It is characterized in. 【0021】 請求項9の発明の露光装置は、ウエハのショット領域に対して途中で現像を行なうことなく互いに強度分布が異なる複数の像で露光を行なう露光モードを有する露光装置であって、 複数のウエハの各々の複数のショット領域に対してある強度分布を有する像によって露光を行なった後で、前記複数のウエハの各々の前記複数のショット領域に対して他の強度分布を有する像によって露光を行なうとき、 前記複数のウエハをそれらの位 [0021] The exposure apparatus of the invention of claim 9, there is provided an exposure apparatus having an exposure mode in which the intensity distribution from each other to perform the exposure at different image without performing a development in the middle with respect to the shot area of the wafer, a plurality after performing the exposure by the image having a certain intensity distribution for each of a plurality of shot areas of the wafer, exposed with an image having another intensity distribution for the plurality of shot areas of each of said plurality of wafers when performing their position the plurality of wafer
置を保証した状態で保管するストックキャリアを有して It has a store stock career in a state that guarantees the location
おり、該ウエハの1回目の露光のときの位置合わせをウエハ上のアライメントマークで行ない、2回目の露光のときの位置合わせをウエハチャック上の位置合わせ情報を用いて行なっていることを特徴としている。 Cage, as characterized by being aligned when the first exposure of the wafer is performed by the alignment mark on the wafer, subjected to alignment when the second exposure using the positioning information on the wafer chuck there. 【0022】 【0023】 【0024】上記の互いに強度分布が異なる2種類の像としては、上記米国特許第5,415,835号公報における干渉縞(像)とボケていない開口像の組み合せや、後述する干渉縞(像)と装置の分解能以下の線幅を有するパターンの結像によって形成されたボケた像の組み合せ、或いは特願平9−304232号で提案した干渉縞(像) [0022] [0023] [0024] As the intensity distribution from each other are two different types of images described above, the United States of interference fringes (the image) and the opening image is not blurred in Patent No. 5,415,835 Publication combination and, later to interference fringes (image) and device combination of blurred image formed by the imaging of patterns with line widths of less than or equal resolution, or interference fringes proposed in Japanese Patent Application No. Hei 9-304232 (image)
と多値の露光量分布を与えうるボケていないパターン像の組み合せ等がある。 That there is a combination or the like of the pattern image is not blurred that may have a multi-value exposure amount distribution. 【0025】本発明の露光装置には、上記の複数のウエハをそれらの位置を保証した状態で保管するストックキャリアを有し、このストックキャリアにウエハ単独で、 The exposure apparatus of the present invention has a stock carrier storing a plurality of wafers in the state that guarantees their positions, the wafer alone this stock carrier,
或いはウエハチャックごと保管する形態を採ることもある。 Or it may take the stored forms each wafer chuck. 更に、このストックキャリアを備えるコーターデベロッパーにこのストックキャリアを配備する形態もある。 Furthermore, there is also a form of deploying this stock carriers coater developers with the stock carrier. 【0026】本発明は、ステップアンドリピート方式とステップアンドスキャン方式のいずれの方式或いはこれらを複合した露光装置及び露光方法にも適用可能である。 [0026] The present invention is also applicable to a step-and-repeat method and any method or exposure apparatus and an exposure method these were combined in a step-and-scan manner. 【0027】本発明は、上記の各像をKrF(波長約2 The invention, KrF each image of the (wavelength of about 2
48nm)エキシマレーザ、ArF(波長約193n 48nm) excimer laser, ArF (a wavelength of about 193n
m)エキシマレーザ又はF2(波長約157nm)エキシマレーザからのレーザ光と縮小投影光学系を用いて形成する露光装置。 m) exposing device formed with a laser beam a reduction projection optical system from an excimer laser or F2 (wavelength: about 157 nm) excimer laser. 【0028】この縮小投影光学系は屈折系、反射−屈折系又は反射系より成る光学系である。 [0028] The reduction projection optical system is a refractive system, reflection - an optical system consisting of refracting systems or reflecting system. 【0029】本発明によれば、上記のいずれかの露光装置によりウエハを露光する工程と、前記ウエハを現像する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法を提供できる。 According to the present invention can provide a device manufacturing method, comprising a step of exposing a wafer by one of the exposure apparatus described above, a step of developing the wafer. 【0030】 【発明の実施の形態】最初に図1乃至図9を用いて本発明に用いる二重露光方法の一実施形態を説明する。 [0030] One embodiment of a double exposure method for use in the present invention will be described with reference to FIGS DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT First. 【0031】図1は二重露光方法を示すフローチャートである。 [0031] FIG. 1 is a flow chart showing the double exposure method. 図1には本発明の露光方法を構成する周期パターン露光ステップ(ファイン露光ステップ)、投影露光ステップ(ラフ露光ステップ)、現像ステップの各ブロックとその流れが示してあるが、周期パターン露光ステップと投影露光ステップの順序は、図1の逆でもいいし、どちらか一方のステップが複数回の露光段階を含む場合は各ステップを交互に行なうことも可能である。 The Figure 1 periodic pattern exposure step included in the exposure method of the present invention (fine exposure step), the projection exposure step (rough exposure step), although each block and its flow developing step are shown, the periodic pattern exposure step the order of projection exposure step, to good in reverse FIG 1, if either one of the steps includes a plurality of exposure stages it is also possible to carry out each step in turn. また、各露光ステップ間にはマスクや投影光学系に対してウエハ上のショット(被露光領域)の精密な位置合わせを行なうステップ等があるが、ここでは図示を略した。 Although between each exposure step is a step for performing a precise alignment of the shots on the wafer (area to be exposed) against the mask and the projection optical system, wherein the abbreviation for illustration.
又、周期パターン露光ステップは例えば2光束干渉露光によって行なわれる。 Further, the periodic pattern exposure step is performed by two-beam interference exposure, for example. 2光束干渉露光と通常露光の間では現像は行なわない。 Not performed developed between the two-beam interference exposure and the normal exposure. そして、これらの露光における各像の光強度分布は異なっている。 The light intensity distribution of each image in these exposure are different. 【0032】図1のフローに従って露光を行なう場合、 [0032] When performing the exposure in accordance with the flow of FIG. 1,
まず周期パターン露光によりウエハ(感光基板)を図2 First the wafer (photosensitive substrate) by a periodic pattern exposure 2
に示すような周期パターンで露光する。 Exposed in a cycle pattern as shown in. 図2中の数字は露光量を表しており、図2(a)の斜線部は露光量1 The numbers in Figure 2 represents the exposure amount, the hatched portion in FIG. 2 (a) exposure 1
(実際は任意)で白色部は露光量0である。 (Actually optional) white portions in an exposure 0. 【0033】このような周期パターンのみを露光後現像する場合、通常、感光基板のレジストの露光しきい値E In the case of developing after the exposure only such periodic pattern, typically resist exposure threshold E of the photosensitive substrate
thは図2(b)の下部のグラフに示す通り露光量0と1 th passes exposure 0 shown in the lower part of the graph shown in FIG. 2 (b) and 1
の間に設定する。 Set between. 尚、図2(b)の上部は最終的に得られるリソグラフィーパターン(凹凸パターン)を示している。 Incidentally, the upper part of FIG. 2 (b) shows the finally obtained lithographic pattern (irregular pattern). 【0034】図3に、この場合の感光基板のレジストに関して、現像後の膜厚の露光量依存性と露光しきい値とをポジ型レジスト(以下、「ポジ型」と記す。)とネガ型レジスト(以下、「ネガ型」と記す。)の各々について示してあり、ポジ型の場合は露光しきい値以上の場合に、ネガ型の場合は露光しきい値以下の場合に、現像後の膜厚が0となる。 [0034] Figure 3, with respect to the resist of the photosensitive substrate in this case, the exposure latitude of the film thickness after development and the exposure threshold positive resist (hereinafter, referred to as "positive".) And negative resist (hereinafter, referred to as "negative".) is shown for each, if the case of a positive type or exposure threshold, in the case of negative type in the following cases exposure threshold, after development a film thickness of 0. 【0035】図4はこのような露光を行なった場合の現像とエッチングプロセスを経てリソグラフィーパターンが形成される様子を、ネガ型とポジ型の場合に関して示した模式図である。 [0035] Figure 4 is a state in which lithographic pattern is formed through developing and etching processes in the case of performing such an exposure is a schematic diagram showing for the case of negative-working and positive-working. 【0036】本実施形態においては、この通常の露光感度設定とは異なり、図5(図2(a)と同じ図面)及び図6に示す通り、周期パターン露光(2光束干渉露光) [0036] In this embodiment, unlike the normal exposure sensitivity setting, FIG. 5 (the same view as FIG. 2 (a)) and as shown in FIG. 6, the periodic pattern exposure (two-beam interference exposure)
での最大露光量を1とした時、感光基板のレジストの露光しきい値E thを1よりも大きく設定する。 When maximum exposure amount was 1, the set larger than 1 exposure threshold E th of the resist of the photosensitive substrate. この感光基板は図2に示す周期パターン露光のみ行なった露光パターン(露光量分布)を現像した場合は露光量が不足するので、多少の膜厚変動はあるものの現像によって膜厚が0となる部分は生じず、エッチングによってリソグラフィーパターンは形成されない。 Since the photosensitive substrate when developing the periodic pattern exposure only performed an exposure pattern (exposure amount distribution) shown in FIG. 2 is insufficient exposure, the portion where the film thickness by the development of some of the variations in thickness are what becomes 0 does not occur, lithographic pattern is not formed by etching. これは即ち周期パターンの消失と見倣すことができる(尚、ここではネガ型を用いた場合の例を用いて本発明の説明を行なうが、本発明はポジ型の場合でも実施できる。)。 This can be regarded as vanishing i.e. periodic pattern (Here, a description of the present invention using the example of using a negative type, but the present invention can be practiced even in the case of positive type.) . 尚、図6において、上部はリソグラフィーパターンを示し(何もできない)、下部のグラフは露光量分布と露光しきい値の関係を示す。 In FIG. 6, the upper part shows the lithographic pattern (not do anything), the lower portion of the graph showing the relationship between the exposure amount distribution exposure threshold. 尚、下部に記載のE 1は周期パターン露光における露光量を、E 2は通常の投影露光における露光量を表わしている。 Incidentally, E 1 according to bottom the exposure amount in the periodic pattern exposure, E 2 represents an exposure amount in the conventional projection exposure. 【0037】本実施形態の特徴は、周期パターン露光のみでは一見消失する高解像度の露光パターンを通常の投影露光による露光装置の分解能以下の大きさのパターンを含む任意の形状の露光パターンと融合して所望の領域のみ選択的にレジストの露光しきい値以上露光し、最終的に所望のリソグラフィーパターンを形成できるところにある。 The feature of this embodiment, with only periodic pattern exposure fused to any shape of the exposure pattern including a high resolution following the size of the pattern resolution of the exposure apparatus by conventional projection exposure the exposure pattern to disappear seemingly Te exposing selectively the resist exposure threshold or only the desired region, eventually there is to be formed the desired lithographic pattern. 【0038】図7(a)は通常の投影露光による露光パターンであり、露光装置の分解能以下の微細なパターンであるため解像できずに被露光物体上での強度分布はぼけて広がっている。 [0038] FIG. 7 (a) is an exposure pattern by conventional projection exposure, the intensity distribution at the exposed on an object unable resolution because it is a less fine pattern resolution of the exposure apparatus are spread blurred . 【0039】本実施形態では、通常の投影露光の解像度の約半分の線幅の微細パターンとしている。 [0039] In this embodiment, as a fine pattern of about half the line width of the conventional projection exposure resolution. 【0040】図7(a)の露光パターンを作る投影露光を、図5の周期パターン露光の後に、現像工程なしで、 [0040] The projection exposure making an exposure pattern of FIG. 7 (a), after the periodic pattern exposure of FIG. 5, without a development step,
同一レジストの同一領域に重ねて行なったとすると、このレジストの合計の露光量分布は図7(b)の下部のグラフのようになる。 When conducted to overlap the same region of the same resist, exposure distribution of the sum of the resist is as the bottom of the graph in Figure 7 (b). 尚、ここでは周期パターン露光の露光量E 1と投影露光の露光量E 2の比が1:1、レジストの露光しきい値E thが露光量E 1 (=1)と露光量E 1と投影露光の露光量E 2の和(=2)の間に設定されているため、図7(b)の上部に示したリソグラフィーパターンが形成される。 Here, the ratio of the exposure amount E 2 of the exposure amount E 1 and the projection exposure of the periodic pattern exposure is 1: 1, the exposure threshold E th of the resist exposure E 1 (= 1) and the exposure amount E 1 since that is set between the sum of the projection exposure exposure E 2 (= 2), lithography pattern shown in the upper portion shown in FIG. 7 (b) is formed. その際通常露光パターンの中心が周期パターンのピークと合致させておく、図7(b)の上部に示す孤立線パターンは、解像度が周期パターン露光のものであり且つ単純な周期的パターンもない。 At that time the center of the normal exposure pattern allowed to coincide with the peak of the periodic pattern, the isolated line pattern shown in the upper part of FIG. 7 (b), is that of the periodic pattern exposure no and simple periodic pattern resolution. 従って通常の投影露光で実現できる露光装置の解像度以上の高解像度のパターンが得られたことになる。 Hence a high resolution pattern than the resolution of the conventional projection exposure in can be realized exposure apparatus is obtained. 【0041】ここで仮に、図8の露光パターンを作る投影露光(図5の露光パターンの2倍の線幅で露光しきい値以上(ここではしきい値の2倍の露光量)の投影露光)を、図5の周期パターン露光の後に、現像工程なしで、同一レジストの同一領域に重ねる。 [0041] Here if the projection exposure of a projection exposure making an exposure pattern of FIG. 8 (FIG. 2 times the line width of the exposure pattern 5 over the exposure threshold (2 times the exposure threshold here) ) and, after the periodic pattern exposure of FIG. 5, without a development step, superimposed on the same area of ​​the same resist. その際通常露光のパターンの中心が、周期露光のピークと合致させることで、位置重ね合されたパターンの対称性が良く、良好な像が得られる。 Center of the pattern of that time usually exposure is, by matching the peak period exposure, good symmetry of the position overlapped engaged patterns, favorable image is obtained. このレジストの合計の露光量分布は図8(b)のようになり、2光束干渉露光の露光パターンは消失して最終的に投影露光によるリソグラフィーパターンのみが形成される。 Total exposure amount distribution of the resist becomes as shown in FIG. 8 (b), the exposure pattern of the two-beam interference exposure is only lithographic pattern according lost eventually projection exposure is formed. 【0042】また、図9に示すように図5の露光パターンの3倍の線幅で行なう場合も理屈は同様であり、4倍以上の線幅の露光パターンでは、基本的に2倍の線幅の露光パターンと3倍の線暗の露光パターンの組み合わせから、最終的に得られるリソグラフィーパターンの線幅は自明であり、投影露光で実現できるリソグラフィーパターンは全て、本実施形態でも、形成可能である。 Further, reasoning also performed at three times the line width of the exposure pattern of Figure 5, as shown in FIG. 9 is similar, the exposure pattern of more than four times the line width, essentially twice the line the combination of the exposure pattern and 3 times the line dark exposure pattern width, the line width of the finally obtained lithographic pattern is evident, lithographic patterns can be realized by the projection exposure all, also in this embodiment, it can be formed is there. 【0043】以上簡潔に説明した周期パターン露光と投影露光の夫々による露光量分布(絶対値及び分布)と感光基板のレジストのしきい値の調整を行なうことにより、図6、図7(b)、図8(b)、及び図9(b)で示したような多種のパターンの組み合せより成り且つ最小線幅が周期パターン露光の解像度(図7(b)のパターン)となる回路パターンを形成することができる。 The above briefly-described periodic pattern exposure with an exposure amount distribution by projection exposure of each by performing (absolute value and distribution) and the photosensitive substrate resists adjustment of the threshold, Fig. 6, and FIG. 7 (b) , FIG. 8 (b), the and the circuit pattern becomes (pattern in FIG. 7 (b)) Figure 9 (b) and the minimum line width consists combination of various patterns as shown in the periodic pattern exposure resolution can do. 【0044】以上の二重露光方法の原理をまとめると、 1. [0044] To summarize the above principle of double exposure method, 1. 投影露光をしないパターン領域即ちレジストの露光しきい値以下の周期露光パターンは現像により消失する。 Periodic exposure pattern following exposure threshold pattern area i.e. resist which is not the projection exposure is lost by development. 2. 2. レジストの露光しきい値以下の露光量で行なった投影露光のパターン領域に関しては投影露光と周期パターン露光のパターンの組み合わせにより決まる周期パターン露光の解像度を持つ露光パターンが形成される。 With respect to the pattern area of ​​the projection exposure was conducted at an exposure amount of less exposure threshold of the resist exposure pattern having the resolution of periodic pattern exposure determined by the combination of the pattern of projection exposure and periodic pattern exposure is formed. 3. 3. 露光しきい値以上の露光量で行なった投影露光のパターン領域は投影露光のみのでは解像しなかった微細パターンも同様に形成する。 Pattern area of ​​the projection exposure was conducted at an exposure amount of more exposure threshold also formed similarly fine pattern was not resolved than projection exposure only. ということになる。 It turns out that. 更に露光方法の利点として、最も解像力の高い周期パターン露光を、2光束干渉露光で行ななえば、通常の露光に比してはるかに大きい焦点深度が得られることが挙げられる。 Further Advantages of the exposure method, the most resolution high periodic pattern exposure, two-beam interference exposure in rows as Naeba much greater depth of focus than the normal exposure and the like can be obtained. 【0045】以上の説明ではファイン露光である周期パターン露光とラフ露光である投影露光の順番は周期パターン露光を先としたが、この順番に限定されない。 [0045] In the above description the order of the periodic pattern exposure and projection exposure is rough exposure is fine exposure was a periodic pattern exposure and first, but not limited to this order. 【0046】次に二重露光の他の実施形態を説明する。 [0046] Next will be described another embodiment of the double exposure. 【0047】本実施形態は露光により得られる回路パターン(リソグラフィーパターン)として、図10に示す所謂ゲート型のパターンを対象としている。 The present embodiment as a circuit pattern obtained by exposure (lithography pattern) is directed to a so-called gate-type pattern shown in FIG. 10. 【0048】図10のゲートパターンは横方向の即ち図中A−A'方向の最小線幅が0.1μmであるのに対して、縦方向では0.2μm以上である。 The gate pattern in FIG. 10 for the minimum line width in the lateral direction i.e. in the drawing A-A 'direction in the range of 0.1 [mu] m, in the longitudinal direction is 0.2μm or more. 本発明によれば、このような1次元方向のみ高解像度を求められる2 According to the present invention is determined such one-dimensional direction only high resolution 2
次元パターンに対しては例えば2光束干渉露光による周期パターン露光をかかる高解像度の必要な1次元方向のみで行なえばいい。 It is performed only at a high resolution of the required one-dimensional direction according to the periodic pattern exposure by two-beam interference exposure for example for dimension pattern. 【0049】本実施形態では、図11を用いて1次元方向のみの周期パターン露光と通常の投影露光の組み合わせの一例を示す。 [0049] In this embodiment, an example of a combination of only the periodic pattern exposure and normal projection exposure of a one-dimensional direction with reference to FIG. 11. 【0050】図11において、図11(a)は1次元方向のみの2光束干渉露光による周期的な露光パターンを示す。 [0050] In FIG. 11, FIG. 11 (a) shows a periodic exposure pattern by 2-beam interference exposure of only one-dimensional direction. この露光パターンの周期は0.2μmであり、この露光パターンは線幅0.1μmL&Sパターンに相当する。 The period of the exposure pattern is 0.2 [mu] m, the exposure pattern corresponds to the line width 0.1μmL & S pattern. 図11の下部における数値は露光量を表すものである。 Numbers in the lower part of FIG. 11 illustrates a exposure. 【0051】このような2光束干渉露光を実現する露光装置としては、図14で示すような、レーザ151、ハーフミラー152、平面ミラー1534による干渉計型の分波合波光学系を備えるものや、図15で示すような、投影露光装置においてマスクと照明方法を図16又は図17のように構成した装置がある。 [0051] The exposure apparatus for realizing such a two-beam interference exposure, as shown in Figure 14, the laser 151, a half mirror 152, Ya which comprises a demultiplexing and multiplexing the optical system of the interferometer type according to the plane mirror 1534 , as shown in Figure 15, certain mask and illumination method configured the device as shown in FIG. 16 or 17 in the projection exposure apparatus. 【0052】図14の露光装置について説明を行なう。 The exposure apparatus of FIG. 14 will be described. 【0053】図14の露光装置では前述した通り合波する2光束の夫々が角度θでウエハ154に斜入射し、ウエハ154に形成できる干渉縞パターン(露光パターンの)線幅は前記(3)式で表される。 [0053] oblique incident on the wafer 154 at each of the two light beams for multiplexing as described above the angle θ in the exposure apparatus of FIG. 14, (exposure pattern) interference fringe pattern may be formed on the wafer 154 linewidth said (3) formula. 角度θと分波合波光学系の像面側のNAとの関係はNA=sinθである。 Relationship between NA angle θ and demultiplexing and multiplexing optical system image plane side of an NA = sin [theta. 角度θは一対の平面ミラー153の夫々の角度を変えることにより任意に調整、設定可能で、一対の平面ミラー角度θの値を大きく設定すれば干渉縞パターンの夫々の縞の線幅は小さくなる。 Optionally adjusted by the angle θ changing the angle of each of the pair of plane mirrors 153, configurable, the smaller the line width of each of the stripes of the interference fringe pattern be set large values ​​for the pair of flat mirrors angle θ . 例えば2光束の波長が24 For example, the wavelength of the two light beams 24
8nm(KrFエキシマ)の場合、θ=38度でも各縞の線幅は約0.1μmの干渉縞パターンが形成できる。 If 8nm of (KrF excimer), the line width of each stripe still theta = 38 degrees can be formed interference fringe pattern of approximately 0.1 [mu] m.
尚、この時のNA=sinθ=0.62である。 Incidentally, a NA = sinθ = 0.62 at this time. 角度θ Angle θ
を38度よりも大きく設定すれば、より高い解像度が得られることは言うまでもない。 If a greater than 38 degrees, a higher resolution can be of course obtained. 【0054】次に図15乃至図17の露光装置に関して説明する。 [0054] Next will be described an exposure apparatus 15 to 17. 【0055】図15の露光装置は例えば通常の縮小投影光学系(多数枚のレンズより成る)を用いた投影露光装置であり、現状で露光波長248nmに対してNA0. [0055] The exposure apparatus 15 is a projection exposure apparatus using, for example, conventional reduction projection optical system (composed of a number of lenses), with respect to current at the exposure wavelength 248 nm NA0.
6以上のものが存在する。 6 or more of what is present. 【0056】図15中、161はマスク、162はマスク161から出て光学系163に入射する物体側露光光、163は投影光学系、164は開口絞り、165は投影光学系163から出てウエハ166に入射する像側露光光、166は感光基板であるウエハを示し、167 [0056] In FIG. 15, 161 masks, 162 on the object side exposure light entering the optical system 163 out of the mask 161, 163 a projection optical system, 164 denotes an aperture stop, 165 exits from the projection optical system 163 wafers image side exposure light incident on the 166, 166 indicates a wafer which is a photosensitive substrate, 167
は絞り164の円形開口に相当する瞳面での光束の位置を一対の黒点で示した説明図である。 Is an explanatory view showing the position of the light beam in the pupil plane which corresponds to the circular aperture of the diaphragm 164 by a pair of black dots. 図15は2光束干渉露光を行なっている状態の模式図であり、物体側露光光162と像側露光光165は双方とも、図18の通常の投影露光とは異なり、2つの平行光線束だけから成っている。 Figure 15 is a schematic view of a state doing the two-beam interference exposure, both the object side exposure light 162 and the image side exposure light 165 is different from the conventional projection exposure of Figure 18, only two parallel light beams It is made up of. 【0057】図15に示すような通常の投影露光装置において2光束干渉露光を行なうためには、マスクとその照明方法を図16又は図17のように設定すればよい。 [0057] To perform the two-beam interference exposure in normal projection exposure apparatus as shown in FIG. 15 may be set to mask and the illumination method as shown in FIG. 16 or 17.
以下これら3種の例について説明する。 The following examples of the three will be described. 【0058】図16はレベンソン型の位相シフトマスクを示しており、クロムより成る遮光部171のピッチP [0058] Figure 16 shows the phase shift mask of Levenson type, pitch P of the light shielding portion 171 made of chromium
Oが(4)式で、位相シフタ172のピッチP OSが(5)式で表わされるマスクである。 O is at (4), a mask represented by the pitch P OS of the phase shifter 172 (5). 【0059】 P O =P/M=λ/{M・(2NA)} ……(4) P OS =2P O =λ/{M・(NA)} ……(5) ここで、Mは投影光学系163の投影倍率、λは露光波長、NAは投影光学系163の像側の開口数を示す。 [0059] P O = P / M = λ / {M · (2NA)} ...... (4) P OS = 2P O = λ / {M · (NA)} ...... (5) wherein, M is projected the projection magnification of the optical system 163, lambda is the exposure wavelength, NA represents the numerical aperture on the image side of the projection optical system 163. 【0060】一方、図16(b)が示すマスクは、クロムより成る遮光部のないシフタエッジ型の位相シフトマスクであり、レベンソン型と同様に位相シフタ181のピッチP OSを上記(5)式を満たすように構成したものである。 [0060] On the other hand, the mask indicated by FIG. 16 (b) is a shifter edge phase shift mask having no light-shielding portion made of chromium, a Levenson type as well as the pitch P OS of the phase shifter 181 (5) those configured to meet. 【0061】図16(a)、(b)の夫々の位相シフトマスクを用いて2光束干渉露光を行なうには、これらのマスクにσ=0(又は0に近い値)所謂コヒーレント照明又はσ=〜0.3の部分的コヒーレント照明を行なう。 [0061] FIG. 16 (a), performs two-beam interference exposure using a phase shift mask of each of (b), (a value close to or 0) in these masks sigma = 0 so-called coherent illumination or sigma = 0.3 for partial coherent illumination. 具体的には、マスク面に対して垂直な方向(光軸に平行な方向)から平行光線束又は開き角が小さな光束をマスクに照射する。 Specifically, collimated light beams or open angle from the direction perpendicular (direction parallel to the optical axis) with respect to the mask surface is irradiated with a small light flux to the mask. 【0062】このような照明を行なうと、マスクから上記垂直な方向に出る0次透過回折光に関しては、位相シフタの作用により隣り合う透過光の位相差がπとなって打ち消し合い存在しなくなり、±1次の透過回折光の2 [0062] When performing such illumination, with respect to the zero-order transmitted diffracted light exiting the mask to the vertical direction, the phase difference of the transmitted light adjacent by the action of the phase shifter is absent cancel becomes [pi, ± 2 of first-order transmitted diffracted light
平行光線束はマスクから投影光学系163の光軸に対して対称に発生し、図15の2個の物体側露光がウエハ上で干渉する。 Parallel light bundle is generated symmetrically with respect to the optical axis of the projection optical system 163 from the mask, the two object-side exposure of Figure 15 interfere on the wafer. また2次以上の高次の回折光は投影光学系163の開口絞り164の開口に入射しないので結像には寄与しない。 The diffracted light of the secondary or higher order do not contribute to imaging because it does not enter the aperture of the aperture stop 164 of the projection optical system 163. 【0063】図17に示したマスクは、クロムより成る遮光部の遮光部のピッチP Oが、(4)式と同様の(6)式で表わされるマスクである。 [0063] mask shown in FIG. 17, the pitch P O of the light-shielding portion of the light-shielding portion made of chromium, a mask represented by (4) a similar (6) and equation. 【0064】 P O =P/M=λ/{M・(2NA)} ……(6) ここで、Mは投影光学系163の投影倍率、λは露光波長、NAは投影光学系163の像側の開口数を示す。 [0064] P O = P / M = λ / {M · (2NA)} ...... (6) wherein, M is the projection magnification of the projection optical system 163, lambda is the exposure wavelength, NA is the image of the projection optical system 163 It shows the numerical aperture side. 【0065】図17の位相シフタを有していないマスクには、1個又は2個の平行光線束による斜入射照明とする。 [0065] the mask having no phase shifter of FIG. 17, the oblique incidence illumination by one or two parallel light beams. この場合の平行光線束のマスクヘの入射角θ 0は、 The incident angle theta 0 of Masukuhe parallel light beam in this case,
(7)式を満たすように設定される。 (7) is set so as to satisfy the equation. 2個の平行光線束を用いる場合が、光軸を基準にして互いに逆方向にθ 0 When using two parallel light bundle, in opposite directions with respect to the optical axis theta 0
傾いた平行光線束によりマスクを照明する。 Tilted parallel light beam by illuminating the mask. 【0066】sinθ 0 =M・NA ……(7) ここでも、Mは投影光学系163の投影倍率、NAは投影光学系163の像側の開口数を示す。 [0066] sinθ 0 = M · NA ...... ( 7) again, M is the projection magnification, NA of the projection optical system 163 represents a numerical aperture on the image side of the projection optical system 163. 【0067】図17が示す位相シフタを有していないマスクを上記(7)式を満たす平行光線束により斜入射照明を行なうと、マスクからは、光軸に対して角度θ 0で直進する0次透過回折光とこの0次透過回折光の光路と投影光学系の光軸に関して対称な光路に沿って進む(光軸に対して角度−θ 0で進む)−1次透過回折光の2光束が図15の2個の物体側露光光162として生じ、この2光束が投影光学系163の開口絞り164の開口部に入射し、結像が行なわれる。 [0067] When the mask having no phase shifter shown in FIG. 17 perform oblique illumination with parallel light flux satisfying the equation (7), from the mask, straight at an angle theta 0 with respect to the optical axis 0 traveling along symmetrical optical paths with respect to the optical axis of the optical path between the projection optical system of the next transmitted diffraction light and the 0-order transmitted diffracted light (traveling at an angle - [theta] 0 with respect to the optical axis) two beams of -1st order transmitted diffracted light There occurs as two object-side exposure light 162 in FIG. 15, the two light beams are incident on the aperture of the aperture stop 164 of the projection optical system 163, imaging is performed. 【0068】尚、本発明においてはこのような1個又は2個の平行光線束による斜入射照明も「コヒーレント照明」として取り扱う。 [0068] Incidentally, even oblique illumination by such one or two parallel light beams in the present invention treated as "coherent illumination". 【0069】以上が通常の投影露光装置を用いて2光束干渉露光を行なう技術であり、図18に示したような通常の投影露光装置の照明光学系は部分的コヒーレント照明を行なうように構成してあるので、図18の照明光学系の0<σ<1に対応する不図示の開口絞りをσ≒0又は0<σ<0.3に対応する特殊開口絞りに交換可能にする等して、投影露光装置において実質的にコヒーレント照明を行なうよう構成することができる。 [0069] The above is a technique for two-beam interference exposure using a conventional projection exposure apparatus, an illumination optical system of a conventional projection exposure apparatus as shown in FIG. 18 is configured to perform a partial coherent illumination because are, by, for example to allow exchange aperture 0 <sigma <≒ 0 or 0 sigma aperture stop (not shown) corresponding to 1 <sigma special openings corresponding to <0.3 of the illumination optical system of FIG. 18 It may be configured to perform substantially coherent illumination in a projection exposure apparatus. 【0070】図10及び図11が示す実施形態の説明に戻る。 [0070] Returning to the description of the embodiment 10 and Figure 11 shows. 【0071】本実施形態では前述した2光束干渉露光によるファイン露光である周期パターン露光の次に行なうラフ露光である通常の投影露光(例えば図18の装置でマスクに対して部分的コヒーレント照明を行なうもの) [0071] In the present embodiment performs the partial coherent illumination to the mask in the apparatus of the conventional projection exposure (e.g. FIG. 18 is a rough exposure performed next periodic pattern exposure is fine exposure with two-beam interference exposure described above thing)
によって図11(b)が示すゲートパターンの露光を行なう。 By performing exposure of the gate pattern shown in FIG. 11 (b). 図11(b)の上部には2光束干渉露光による周期パターンとの相対的位置関係と通常の投影露光の露光パターンの領域での露光量を示し、同図の下部は、通常の投影露光によるウエハのレジストに対する露光量を縦横0.1μmピッチの分解能でマップ化したものである。 The upper shown in FIG. 11 (b) shows the exposure amount in the region of the exposure pattern of the relative positional relationship between a normal projection exposure with the periodic pattern by 2-beam interference exposure, the lower part of the figure, by conventional projection exposure the exposure amount for the resist of the wafer is obtained by mapping resolution aspect 0.1μm pitch. 【0072】この投影露光による露光パターンの最小線幅の部分は解像せず広がり、露光量の各点の値は下がる、露光量はおおまかに、パターン中心部は大きく、両サイドは小さく、それぞれa,bで表わし、両側からのぼけ像がくる中央部をcとする。 [0072] part of the minimum line width of the exposure pattern by the projection exposure spread without resolution, the value of each point of the exposure amount decreases, the exposure amount is roughly the pattern center is large, both sides are small, respectively a, expressed in b, the central portion comes blurred image from both sides and c. このような領域毎に露光量が異なる、多値の露光量分布を生じさせることになる。 Such exposure amount for each area is different, will cause a exposure distribution of multi-level. ここで、露光量は1<a<2 0<b<1 0<c Here, the exposure amount is 1 <a <2 0 <b <1 0 <c
<1となる。 <Becomes 1. このマスクを用いる場合の各露光での露光量比はウエハ(感光基板)上で、2光束干渉露光:投影露光=1:2である。 Exposure ratio at each exposure when using this mask on the wafer (photosensitive substrate), two-beam interference exposure: the projection exposure = 1: 2. 【0073】以上説明した周期パターン露光と通常の投影露光の組み合わせによって図10の微細回路パターンが形成される様子について述べる。 [0073] describes how the fine circuit pattern of Figure 10 is formed by the combination of the described periodic pattern exposure and normal projection exposure above. 本実施形態においては2光束干渉露光による周期パターン露光と通常の投影露光の間には現像過程はない。 No development process between the periodic pattern exposure and normal projection exposure by 2-beam interference exposure in this embodiment. 従って各露光の露光パターンが重なる領域での露光量は加算され、加算後の露光量(分布)により新たな露光パターンが生じることとなる。 Thus exposure of the region where the exposure pattern of each exposure overlap are added, so that the new exposure pattern caused by the exposure after the addition (distribution). 【0074】図11(c)の上部は本実施形態の図11 [0074] Figure top of the embodiment of FIG. 11 (c) 11
(a)の露光パターンと図11(b)の露光パターンの露光量の加算した結果生じる露光量分布(露光パターン)を示しており、 で示される領域の露光量は1+a Adding the resulting exposure distribution of the exposure amount of the exposure pattern of the exposure pattern and FIG. 11 (b) of (a) shows the (exposure pattern), the exposure amount of the area indicated by e is 1 + a
で2より大きく3未満である。 In a greater than 2 and less than 3. 図11(c)の下部はこの露光パターンに対して現像を行なった結果のパターンを灰色で示したものである。 The lower part of FIG. 11 (c) shows the pattern of results by developing the exposed pattern in gray. 本実施形態ではウエハのレジストは露光しきい値が1より大きく2未満であるものを用いており、そのため現像によって露光量が1より大きい部分のみがパターンとして現れている。 Resist of the wafer in the present embodiment is used as the exposure threshold is less than 2 greater than 1, therefore exposure by development only 1 larger portion has appeared as a pattern. 図11 Figure 11
(c)の下部に灰色で示したパターンの形状と寸法は図10に示したゲートパターンの形状と寸法と一致しており、本発明の露光方法によって、0.1μmといった微細な線幅を有する回路パターンが、例えば部分的コヒーレント照明とコヒーレント照明が切換え可能な、またσ Shape and dimensions of the pattern shown in gray in the lower part of (c) is consistent with the shape and size of the gate pattern shown in FIG. 10, by the exposure method of the present invention, having a fine line width such 0.1μm circuit patterns, such as partially coherent illumination and coherent illumination can be switched, also σ
(シグマ)の値を0<σ<1の範囲内で変更可能な照明光学系を有する投影露光装置を用いて、形成可能となった。 Using a projection exposure apparatus having a value of 0 <sigma <illumination optical system can be changed within a range of (Sigma), it became possible formation. 【0075】図12、図13は波長λ=248nmのレーザ光を放射するKrFエキシマレーザを光源とするステッパー(投影露光装置)を用いた時の具体的な実施例である。 [0075] Figure 12, Figure 13 is a specific example when using a stepper (projection exposure apparatus) for a light source of KrF excimer laser emitting a laser beam having a wavelength lambda = 248 nm. 図12に示すような、最小線幅0.12μmのゲートパターンを通常露光し、重ねてレベンソンタイプの位相シフトマスクでその最小線幅と重なるように周期パターンを露光したものである。 As shown in FIG. 12, the gate pattern of the minimum line width 0.12μm to normal exposure, is obtained by exposing a periodic pattern so as to overlap with the minimum line width Levenson type phase shift mask overlap. 以下露光条件を示す。 It shows the following exposure conditions. 【0076】投影レンズのNAは0.3、照明系は、レベンソンマスクによる露光ではσが0.3の通常照明とし、通常マスク露光ではリング外側のσが0.8、リング内側のσが0.6の輪帯照明とした。 [0076] NA of the projection lens is 0.3, the illumination system, the exposure by Levenson mask the normal illumination σ is 0.3, the ring outer σ of 0.8 is usually mask exposure, the ring inner σ 0 and the annular illumination of .6. 尚、周期パターン露光時の露光量の2倍に通常マスク露光時の露光量がなるように設定した。 The exposure amount of the normal mask exposure twice the exposure amount at the time of periodic pattern exposure is set to be. 【0077】図13において、最上段には周期パターン作成時のウエハ上の露光量分布、2段目には通常露光における露光量分布、3段目には周期パターンと通常露光の二重露光における露光量分布、4段目にはレジストによるウエハ上のパターンを示す。 [0077] In FIG. 13, in the double exposure of the exposure amount distribution, periodic pattern and the normal exposure to the third stage in the normal exposure to the exposure distribution, the second stage on the wafer during periodic pattern created on the top exposure distribution shows a pattern on the wafer by the registration in the fourth stage. 【0078】各段ともデフォーカスを左から順に0μm [0078] 0μm to order the de-focus from the left in each stage
から0.2μm、0.4μmとふった時の変化を表わす。 From 0.2μm, representing the change when shook and 0.4μm. 【0079】図13の2段目に表わされているように、 [0079] As represented in the second stage of FIG. 13,
通常露光のみではぼけて微細なゲートのパターンが得られないが、図13の1段目の周期パターンを重ねることにより、図13の3段目に表わされるように微細な部分も解像され、図13の4段目にあるような所望のゲートパターンが作成された。 Although not usually patterns alone is blurred fine gate exposure is obtained by superimposing the first stage of the periodic pattern of Figure 13, the fine part as represented in the third row of Figure 13 is also resolved, desired gate pattern as in the fourth stage in FIG. 13 is created. 【0080】図19は周期パターン露光を行なうための2光束干渉露光用の露光装置の一例を示す概略図であり、図19において、201は2光束干渉露光光学系で、基本構成は図14の光学系と同じである。 [0080] Figure 19 is a schematic diagram showing an example of a two-beam interference exposure of an exposure apparatus for performing the periodic pattern exposure, 19, 201 in the two-beam interference exposure optical system, the basic configuration of FIG. 14 is the same as the optical system. 202 202
は、KrF又はArFエキシマレーザ、203はハーフミラー、204は平面ミラー、205は光学系201との位置関係が固定又は適宜ベースライン(量)として検出できるオフアクシス型の位置合わせ光学系で、ウエハ206上の2光束干渉用位置合わせマークを観察し、その位置を検出する。 Is, KrF or ArF excimer laser, the half mirror 203, 204 is a plane mirror, 205 in alignment optical system of the off-axis type that can be detected as the positional relationship between the optical system 201 is fixed or appropriate baseline (amount), the wafer observing the two-beam interference for the alignment mark on the 206, it detects its position. 206は感光基板であるウエハ、2 206 is a photosensitive substrate wafer, 2
07は光学系201の光軸に直交する平面及びこの光軸方向に移動可能なXYZステージで、レーザー干渉計等を用いてその位置が正確に制御される。 07 is a plan and movable XYZ stage to the optical axis direction perpendicular to the optical axis of the optical system 201, its position is precisely controlled using a laser interferometer or the like. 装置205と2 Device 205 and 2
07の構成や機能は周知なので具体的な説明は略す。 Structure and function of 07 is omitted a detailed description so well known. 【0081】図20はファイン露光である周期パターン露光を行なうための2光束干渉用露光装置とラフ露光である通常の投影露光装置より成る高解像度露光装置を示す概略図である。 [0081] Figure 20 is a schematic diagram showing a high-resolution exposure apparatus consisting of conventional projection exposure apparatus is a two-beam interference exposure apparatus and rough exposure for performing periodic pattern exposure is fine exposure. 【0082】図20において、212は図19の光学系201、205を備える2光束干渉露光装置であり、2 [0082] In FIG. 20, 212 is a two-beam interference exposure apparatus includes an optical system 201, 205 in FIG. 19, 2
13は、不図示の照明光学系とレチクル位置合わせ光学系214、ウエハ位置合わせ光学系(オフアクシス位置合わせ光学系)217とマスク215の回路パターンをウエハ218上に縮小投影する投影光学系216とを備える通常の投影露光装置である。 13, the illumination optical system and the reticle alignment optical system 214 (not shown), the wafer alignment optical system (off-axis alignment optical system) 217 ​​and a projection optical system 216 reduces and projects a circuit pattern on the wafer 218 of the mask 215 a conventional projection exposure apparatus comprising a. 照明光として用いられるのは、KrF(波長約248nm)エキシマレーザ、 For use as illumination light, KrF (wavelength: about 248 nm) excimer laser,
ArF(波長約193nm)又はF2(波長約157n ArF (wavelength: about 193 nm) or F2 (wavelength of about 157n
m)エキシマレーザからのレーザ光であり、縮小投影光学系216は屈折系、反射屈折系、反射系のいずれかより成る。 m) is a laser beam from an excimer laser, the reduction projection optical system 216 is a dioptric system, comprising more or reflective systems. 【0083】レチクル位置合わせ光学系214はマスク215上の位置合わせマークを観察し、その位置を検出する。 [0083] The reticle alignment optical system 214 observes the alignment marks on the mask 215, to detect the position. ウエハ位置合わせ光学系217はウエハ206上の投影露光用又は2光束干渉と兼用の位置合わせマークを観察し、その位置を検出する。 Wafer alignment optical system 217 observes the alignment marks for projection exposure on the wafer 206 or the two-beam interference combined and detects its position. 光学系214、21 Optical system 214,21
6、217の構成や機能は周知なので、具体的な説明は略す。 The configuration and functions of 6,217 is well known, detailed description will be abbreviated. 【0084】図20の219は2光束干渉用露光装置2 [0084] 219 in FIG. 20 is 2-beam interference exposure apparatus 2
12と投影露光装置213で共用される一つのXYZステージであり、このステージ219は、装置212、2 Is one of the XYZ stage shared by 12 and the projection exposure apparatus 213, the stage 219, devices 212,2
13の各光軸に直交する平面及びこの光軸方向に移動可能で、レーザー干渉計等を用いてそのXY方向の位置が正確に制御される。 13 movable plane and the optical axis direction perpendicular to the optical axis, its XY direction position is precisely controlled using a laser interferometer or the like. 【0085】ウエハ218を保持したステージ219 [0085] stage 219 holding the wafer 218
は、図20の位置(1)に送り込まれてその位置が正確に測定され、測定結果に基いて位置(2)で示す装置2 The apparatus shown in that position is accurately measured is fed to the position of FIG. 20 (1), located on the basis of the measurement results (2) 2
12の露光位置に送り込まれてウエハ218へ2光束干渉露光が行なわれ、その後、位置(3)に送り込まれてその位置が正確に測定され位置(4)で示す装置213 Fed into the exposure position 12 to the wafer 218 is two-beam interference exposure is performed, then apparatus shown in position (3) in the fed its position is precisely determined position (4) 213
の露光位置に送り込まれてウエハ218へ投影露光が行なわれる。 Fed to the exposure position the projection exposure onto the wafer 218 is performed. 【0086】装置213においては、オフアクシスの位置合わせ光学系217の代わりに、投影光学系216を介してウエハ218上の位置合わせマークを観察し、その位置を検出する不図示のTTLの位置合わせ光学系や、投影光学系216とマスク(レチクル)215とを介してウエハ218上の位置合わせマークを観察し、その位置を検出する不図示のTTRの位置合わせ光学系も使用できる。 [0086] In device 213, instead of the off-axis alignment optical system 217, projecting to observe the alignment marks on the wafer 218 through the optical system 216, the alignment of the TTL (not shown) for detecting the position optics and, by observing the alignment marks on the wafer 218 via the projection optical system 216 mask (reticle) 215, can be used align the optical system of TTR (not shown) for detecting the position. 【0087】図21はファイン露光である周期パターン露光とラフ露光である通常の投影露光の双方が行なえる高解像度露光装置を示す概略図である。 [0087] Figure 21 is a schematic diagram showing the both can be performed in high resolution exposure apparatus of a conventional projection exposure is a periodic pattern exposure and rough exposure is fine exposure. 【0088】図21において、221はKrF(波長約248nm)エキシマレーザ、ArF(波長約193n [0088] In FIG. 21, 221 KrF (wavelength: about 248 nm) excimer laser, ArF (wavelength of about 193n
m)エキシマレーザ又はF2(波長約157nm)エキシマレーザ、222は照明光学系、223はマスク(レチクル)、224はマスクステージ、227はマスク2 m) excimer laser or F2 (wavelength: about 157 nm) excimer laser, 222 illumination optical system, the mask (reticle 223) 224 mask stage, 227 mask 2
23の回路パターンをウエハ228上に縮小投影する投影光学系、225はマスク(レチクル)チェンジャであり、ステージ224に、通常のレチクル(rough用レチクル)と前述したレベンソン型位相シフトマスク(fine用レチクル)又はエッジシフタ型マスク(f 23 projection optical system which projects a reduced size of the circuit pattern on the wafer 228, 225 is a mask (reticle) changer, a stage 224, alternating phase shift mask (fine reticle described above with conventional reticle (rough reticle) ) or Ejjishifuta type mask (f
ine用レチクル)又は位相シフタを有していない周期パターンマスク(fine用レチクル)の一方を選択的に供給するために設けてある。 ine reticle) or is provided for selectively supplying one of the periodic pattern mask having no phase shifter (fine reticle). 縮小投影光学系227は屈折系、反射屈折系、或いは反射系のいずれかより成る。 Reduction projection optical system 227 dioptric system, catadioptric system, or comprising more either reflection system. 【0089】図21の229は2光束干渉による周期パターン露光と投影露光で共用される一つのXYZステージであり、このステージ229は、光学系227の光軸に直交する平面及びこの光軸方向に移動可能で、レーザー干渉計等を用いてそのXY方向の位置が正確に制御される。 [0089] 229 in FIG. 21 is one of the XYZ stage shared by periodic pattern exposure with the projection exposure by the two-beam interference, the stage 229, the plane and the optical axis direction perpendicular to the optical axis of the optical system 227 movable, the XY-direction position is accurately controlled using a laser interferometer or the like. 【0090】また、図21の装置は、図20で示したレチクル位置合わせ光学系214、ウエハ位置合わせ光学系217とを備える。 [0090] The device of Figure 21, and a reticle alignment optical system 214, wafer alignment optical system 217 shown in FIG. 20. 【0091】図21の装置の照明光学系222は部分的コヒーレント照明とコヒーレント照明とを切換え可能に構成してあり、コヒーレント照明の場合には、ブロック230内の図示した前述した(1a)又は(1b)の照明光を、前述したレベンソン型位相シフトレチクル又はエッジシフタ型レチクル又は位相シフタを有していない周期パターンレチクルの一つに供給し、部分的コヒーレント照明の場合にはブロック230内に図示した(2) [0091] The illumination optical system 222 of the apparatus of FIG. 21 is Yes and configured to be capable of switching between partial coherent illumination and coherent illumination, in the case of coherent illumination, the aforementioned illustrated in the block 230 (1a) or ( the illumination light 1b), is supplied to one of the periodic pattern reticle having no Levenson type phase shift reticle or Ejjishifuta reticle or phase shifter described above, in the case of partial coherent illumination illustrated in block 230 (2)
の照明光を回路パターンが形成された所望のレチクルに供給する。 And it supplies a desired reticle having a circuit pattern formed illumination light. 部分的コヒーレント照明(σ>0.5)からコヒーレント照明への切換えは、通常光学系222のフライアイレンズの直後に置かれる開口絞りを、通常の絞りから開口径が十分に小さいコヒーレント照明用絞りと交換すればいい。 Switching of partial coherent illumination from (sigma> 0.5) to coherent illumination, an aperture stop is placed immediately after the fly-eye lens of a normal optical system 222, from the ordinary aperture diaphragm opening diameter diaphragm sufficiently small coherent illumination do you replace it with. またコヒーレント照明用絞りの代りに0<σ<0.3の部分的コヒーレント照明用絞りを用いてもいい。 Also, instead of the diaphragm coherent illumination 0 <sigma <good using 0.3 part coherent illumination aperture. 【0092】図22は、本発明の第1の実施の形態を示すフローチャート図であり、図21の投影露光装置を用いてウエハの228の多数個のショット領域に対して二重露光を行なう手順を示している。 [0092] Figure 22 is a flowchart showing a first embodiment of the present invention, the procedure for performing double exposure with respect to a large number of shot areas of the wafer 228 by using the projection exposure apparatus of FIG. 21 the shows. 【0093】図22から理解されるとおり、本実施形態によれば、露光装置のレチクルステージに最初に回路パターンが形成された通常のレチクルであるところの「ラフ用レチクル」或いはレベンソン型位相シフトレチクルのような2光束干渉用のレチクルであるところ「ファイン用レチクル」のどちらか一方を設置し、ウエハの多数個のショット領域(被露光領域)の基本的に全てのショット領域に対して、この設置した一方のレチクルに対応する光強度分布を有する像によってステップアンドリピート露光或いはステップアンドスキャン露光を行ない、 [0093] As will be understood from FIG. 22, according to the present embodiment, "rough reticle" as a normal reticle on which a circuit pattern is formed initially on the reticle stage of an exposure apparatus or the Levenson type phase shift reticle 2 where a reticle for beam interference either the "fine reticle" installed like for essentially all the shot areas plurality of shot areas of the wafer (area to be exposed), this performs step-and-repeat exposure or step-and-scan exposure by an image having a corresponding light intensity distribution on the installation was one of the reticle,
次に、この一方のレチクルに換えて他方のレチクルをレチクルステージに設置し、この一方のレチクルを用いて露光を行なったウエハの多数個のショット領域の基本的に全てのショット領域に対して、設置した他方のレチクルに対応する(他の)光強度分布を有する像によってステップアンドリピート露光或いはステップアンドスキャン露光を行なう。 Then, instead of the one of the reticle set up other reticle on the reticle stage with respect to essentially all the shot areas plurality of shot areas on the wafer was subjected to exposure using the one of the reticle, corresponding to the installation the other reticle perform step-and-repeat exposure or step-and-scan exposure by an image having a (other) light intensity distribution. ここでは、ラフ用レチクルのパターンとファイン用レチクルのパターンを共通の基板に形成した兼用レチクルを用いてもいい。 Here, good with combined reticle formed with a pattern and fine reticle pattern rough reticle on a common substrate. 【0094】このようなステップアンドリピート露光或いはステップアンドスキャン露光を行なうことによって、ウエハの多数個のショット領域に対して短時間に二重露光が行なえる。 [0094] By performing such step-and-repeat exposure or step-and-scan exposure, short double exposure of a large number of shot areas on the wafer can be performed. 【0095】図23は本発明の第2の実施の形態を示すフローチャート図であり、図21の投影露光装置を用いて例えば1ロットの複数枚のウエハ228のそれぞれの多数個のショット領域に対して二重露光を行なう手順を示している。 [0095] Figure 23 is a flowchart showing a second embodiment of the present invention, for each of a large number of shot areas of a plurality of wafers 228, for example, one lot using a projection exposure apparatus of FIG. 21 It shows a procedure for performing a double exposure Te. 【0096】図23から理解されるとおり、本実施例によれば、露光装置のレチクルステージに最初に回路パターンが形成された通常のレチクルであるところの「ラフ用レチクル」或いはレベンソン型位相シフトレチクルのような2光束干渉用のレチクルであるところ「ファイン用レチクル」のどちらか一方を設置し、1ロット分の多数枚のウエハを順次、その多数個のショット領域(被露光領域)の基本的に全てのショットに対して、この設置した一方のレチクルに対応する光強度分布を有する像によってステップアンドリピート露光或いはステップアンドスキャン露光を行なってストックキャリアに保管しておき、次に、この一方のレチクルに換えて他方のレチクルをレチクルステージに設置し、ストックキャリアに保管しておいた1ロ [0096] As will be understood from FIG. 23, according to this embodiment, "rough reticle" as a normal reticle on which a circuit pattern is formed initially on the reticle stage of an exposure apparatus or the Levenson type phase shift reticle 2 where a reticle for beam interference either the "fine reticle" established as the basic sequential multiple wafers in one lot, the plurality of shot areas (the area to be exposed) to for all shots, and retain the stock carrier by performing step-and-repeat exposure or step-and-scan exposure by an image having a light intensity distribution corresponding to this installation was one of the reticle, then the one in place of the reticle set up the other of the reticle on the reticle stage, which had been stored in the stock carrier 1 b ト分の多数枚のウエハを順次キャリアから取り出して、上記一方のレチクルを用いて露光が行なわれた、キャリアから取り出したウエハの多数個のショット領域の基本的に全てのショット領域に対して、 Removed from preparative fraction of large number of sequential carrier wafer, exposure using one of the reticle above is performed for essentially all the shot areas plurality of shot areas of the wafer taken out from the carrier,
設置した他方のレチクルに対応する(他の)光強度分布を有する像によってステップアンドリピート露光或いはステップアンドスキャン露光を行なう。 Corresponding to the installation the other reticle perform step-and-repeat exposure or step-and-scan exposure by an image having a (other) light intensity distribution. ここでも、ラフ用レチクルのパターンとファイン用レチクルのパターンを共通の基板に形成した兼用レチクルを用いてもいい。 Again, we also used the combined reticle to form a pattern and the fine reticle pattern of rough reticle on a common substrate. 【0097】このようなステップアンドリピート露光或いはステップアンドスキャン露光を行なうことによって、ウエハの多数個のショット領域に対して短時間に二重露光が行なえる。 [0097] By performing such step-and-repeat exposure or step-and-scan exposure, short double exposure of a large number of shot areas on the wafer can be performed. 【0098】図26は本発明の実施形態3のフローチャートである。 [0098] Figure 26 is a flow chart of an embodiment 3 of the present invention. 【0099】図26は、通常の露光と二重露光を区別し、露光するフローチャートを示している。 [0099] Figure 26 shows a flow chart distinguishing the normal exposure and double exposure, exposure. 本実施形態のデバイスの製造工程ではウエハをウエハチャックから外さないで行なうためにVac(ウエハバキューム設定)というウエハ吸着関数を設けている。 In the manufacturing process of the device of the present embodiment is provided with the wafer adsorption function called Vac (wafer vacuum set) to perform without removing the wafer from the wafer chuck. 本実施形態のウエハチャックは負圧を利用したものであるが、ウエハがチャック上に固定されれば、例えば、静電吸着方式やメカニカルクランプでも良い。 While the wafer chuck of the present embodiment is obtained by utilizing a negative pressure, if the wafer is fixed on the chuck, for example, it may be an electrostatic holding method or a mechanical clamp. 【0100】図26においてウエハを処理するためのプログラムが実行されると、まず、Vacの値を初期化(=0)(ステップ301)する。 [0100] When the program for processing a wafer is performed in FIG. 26, first, initializes the value of Vac (= 0) (step 301). 前半の判断分(二重露光か?)(ステップ305)は、JOB(ウエハ条件を指示する内容のもの)で設定された情報に基づいて、 (Or double exposure?) Early determination minute (step 305), based on the information set by the JOB (intended contents for instructing the wafer condition)
条件設定(ステップ307)でVac=1にしている。 It is the Vac = 1 by the condition setting (step 307).
後半のIF文(ステップ315)のところで、2回の露光をするかを判断して、レチクル交換(ステップ30 At the second half of the IF statement (step 315), to determine whether the exposure of 2 times, reticle exchange (step 30
9)する。 9). もし、fine側のレチクルをセットしていたならば、roughをセットする。 If had set the fine side of the reticle, to set the rough. 当然、ここでは、 Of course, here,
図示していないが、レチクルの位置あわせを行なっている。 Although not shown, it is performed alignment of the reticle. 【0101】さて、レチクル交換(ステップ309)が終われば、2回目の露光は、通常の1回露光と同じ流れとなる。 [0101] Now, After completion reticle exchange (step 309), the second exposure is the same flow as the normal one-time exposure. 従って条件値となるVac=0に設定(ステップ308)される。 Thus it is set to Vac = 0 as the condition value (step 308). こうすれば、後半のIF文(ステップ315)では、通常露光と判断され、誤ってレチクル交換されることなく、1枚のウエハの露光が終わり、次のレチクルが供給される。 In this way, in the second half of the IF statement (step 315), it is determined that the normal exposure, without being reticle exchange by mistake, the exposure of one wafer is over, the next reticle is supplied. このフローチャートで二重露光としてのステップは、ステップ305,306,30 Step as double exposure in this flowchart, steps 305,306,30
7,308,309,315である。 It is 7,308,309,315. 1回目の露光が終了した時点で、ウエハを回収しないでウエハステージ上のチャックで保持したまま、レチクルを交換するため、 When the first exposure is completed, while holding by a chuck on the wafer stage without recovering wafer, for exchanging a reticle,
ウエハの装置内での位置関係は保持され、ウエハ位置を計測するためのファインのアライメント計測を省略している。 Positional relationship in the apparatus of the wafer is held, it is omitted fine alignment measurement for measuring the wafer position. 当然、ウエハをキャリアから取り出す時間もウエハのプリアライメント計測も省略している。 Of course, time is also pre-alignment measurement of wafer taking out the wafer from the carrier is also omitted. これによって、作業を省略した分、高い生産性が実現でき、ファインのアライメント回数も1回であるために高い精度を維持することが可能となる。 Thereby, minute omitted work, can achieve high productivity, it is possible to maintain high accuracy for even alignment number of fine is one. 【0102】図27は本発明の実施形態4のフローチャートである。 [0102] Figure 27 is a flow chart of an embodiment 4 of the present invention. 【0103】図27は、図26に追加したフローチャートになっている。 [0103] Figure 27 is the flowchart added in FIG. 図26では、ウエハ単位でレチクル交換していた。 In Figure 26, it was reticle exchange wafer units. ここでは、ロット単位でレチクル交換している。 Here, it is reticle exchange in batches. ロット単位で処理するために、Lotという関数を追加する。 In order to be processed in batches, add a function named Lot. Vacの時と同じようにLotでも、初期化(=0)する。 Even Lot in the same way as when the Vac, initialization (= 0). 通常露光のときは、Lotは0になる。 When the normal exposure, Lot is zero. 二重露光でも、図26の場合のようにウエハ単位で処理するときは、Lotはいつも0となる。 In double exposure, when processing a wafer unit as in FIG. 26, Lot always zero. ロット単位で処理する時には、Lotは1や2の値になる。 When processing in batches are, Lot becomes a value of 1 or 2. Lot Lot
=1の時が、1回目の露光条件。 = 1 when there is, the first exposure conditions. Lot=2の時が2回目の露光になる。 Time of Lot = 2 is the second time of exposure. そして、常にVac=0になっている。 And, it has always been to Vac = 0. つまり、ウエハ単位の処理が終わると、ウエハはウエハチャックから外される。 That is, when wafer processing unit is completed, the wafer is removed from the wafer chuck. ロット単位の導入により、 With the introduction of each lot,
レチクル交換の回数を減らし、生産性をさらに向上させている。 Reduce the number of reticle exchange, and further improve productivity. 実施形態3では、ウエハチャックからウエハを外さないことによって精度を維持している。 In the third embodiment, and maintain accuracy by the wafer chuck not remove the wafer. 【0104】本実施形態では、装置内での、ウエハの位置関係を維持しながら保管できるようにストックキャリアを利用している。 [0104] In the present embodiment utilizes a stock carrier to allow storage while maintaining in the apparatus, the positional relationship of the wafer. これによって、精度と生産性を両立している。 Thus, and both accuracy and productivity. 【0105】フローチャートを説明する。 [0105] to explain the flow chart. VacとLo Vac and Lo
tの初期化を行なう。 Perform the initialization of t. ステップ302と同様にFine Similar to step 302 Fine
用またはrough用レチクルをセット(ステップ32 Use or set a rough reticle (Step 32
2)する。 2). 1番目のウエハが搬入され、プリアライメントされ、ステップ324でチャックにウエハが載り、アライメント(ステップ344)が実行される。 It is carried the first wafer, the pre-alignment, the wafer rests on the chuck in step 324, alignment (step 344) is executed. まず、二重露光か通常露光かの判断がステップ325でなされる。 First, double exposure or a normal exposure or a determination is made in step 325. 二重露光の場合は、必ずYesとなる。 In the case of double exposure is always a Yes. 次にウエハ単位で処理するかロット単位でするかの判断をステップ327でする。 Next it is judged whether or not to at or lot unit to process the wafer units in step 327. ここで、No即ちウエハ単位になると、 Here, at the No i.e. wafer units,
図26で示したのと同じように動作する。 It operates in the same manner as shown in FIG. 26. Lotの値は0にセット(ステップ328)される。 The value of Lot is set (step 328) to zero. ステップ328 Step 328
は、ステップ321の初期化のときに0にしているので、省略しても良い。 It is, since the zero upon initialization of step 321 may be omitted. 【0106】ロット処理を選択すると、1回目の露光か2回目の露光かの判断がステップ329でなされる。 [0106] When you select a lot processing, the first exposure or second exposure or a determination is made in step 329. 1
回目のときは、ステップ340でLot=1。2回目のときは、ステップ341でLot=2。 When times first, when the Lot = 1.2 time in step 340, Lot = 2 at step 341. いずれの場合もVac=0であり、先に述べているようにウエハチャックからウエハが離れる設定になっている。 A Vac = 0 in any case, is made from the wafer chuck as described above in the wafer leaves set. 【0107】次に、ウエハ内の全ショットの露光が実行(ステップ346〜ステップ348)される。 [0107] Next, the exposure of all shots on the wafer is performed (step 346~ step 348). 全ショットの露光が完了すると、ステップ349の判断が実行される。 When the exposure of all the shot is completed, the determination in step 349 is executed. これは、図26のIF文(ステップ315)に相当する部分であり、ウエハ単位に処理する時にYesになって処理が進み、ステップ350でレチクル交換が行なわれる。 This is a portion corresponding to the IF statements in FIG. 26 (step 315), the process becomes Yes when processing a wafer unit proceeds, the reticle exchange is performed in step 350. 今回は、ロット処理なので、Noとなり、新しいIF文(ステップ351)に行く。 This time, because the lot processing, No next, go to the new IF statement (step 351). 【0108】ステップ351ではロット処理で1回目の露光か2回目の露光かの判断がなされている。 [0108] the first exposure or a second exposure of the determination in lot processing in step 351 have been made. 1回目の露光はYesとなり、ステップ352に進む。 First exposure is Yes, the process proceeds to step 352. 2回目の露光は、Noとなり、ステップ353に進む。 The second exposure is, No, and the process proceeds to step 353. Noとなるパターンは他にもあり、通常露光やウエハ単位で処理した2回目の露光のときである。 No become patterns There are other is when the normal second exposure treatment with an exposure and wafer units. いずれの場合も露光は完了しており、ステップ353でウエハキャリアやコーターデベロッパーにウエハが回収される。 In any case it has completed the exposure, the wafer is collected in the wafer carrier and coater developers in step 353. 2回目の露光をするために、ロット処理の場合は、次のウエハの供給元がウエハキャリアやコーターデベロッパーではなく、 To the second exposure, in the case of lot process, rather than the supplier wafer carrier and coater developers next wafer,
1回目の露光が完了したウエハが保管されているストックキャリアである。 The first wafer exposure has been completed is a stock carrier is stored. ストックキャリアからウエハを持ってくるかどうかの判断をするために、IF文(ステップ356)が実行される。 In order to make the determination of whether to bring the wafer from the stock carriers, IF statement (step 356) is executed. ステップ358で全ウエハの2 2 of the entire wafer at step 358
回目の露光が完了するまで、ストックキャリアからウエハをもってくる動作となる。 Until times eyes of the exposure is completed, the operation to bring the wafer from the stock career. 【0109】さて、ロット処理で1回目の露光の時は、 [0109] Now, when the first exposure by the lot process,
IF文ステップ351でYesとなり、ステップ352 Yes and the IF statement step 351, step 352
が実行される。 There is executed. 1回目の露光が完了したウエハはストックキャリアに送り込まれる。 The first wafer exposure has been completed is fed to the stock career. ステップ354でロット内の全ウエハが処理されるまで、新しいウエハを供給するために、再びステップ323に戻り、ウエハキャリア等からウエハを取り出し、ウエハアライメントする前述の処理が進められる。 Until all the wafers in the lot at step 354 is processed, in order to supply a new wafer, the process returns to step 323 again, the wafer is taken out from the wafer carrier or the like, the above-described processing proceeds to wafer alignment. ロット内のすべてのウエハの処理が終わると、ステップ354の判断文がYesになる。 When the processing of all the wafers in the lot is completed, judgment sentence in step 354 is to Yes. 1
回目の露光が全ウエハで完了したので、レチクルの交換(ステップ357)を行なう。 Since times th exposure is completed in all the wafers, to exchange the reticle (step 357). 1回目の露光がfine The first exposure is fine
であれば、2回目の露光のために、rough用のレチクルに交換される。 If, for the second time of exposure, it is replaced with a reticle for rough. 逆に1回目の露光がroughであれば、2回面の露光のために、fine用のレチクルに交換される。 If first exposure conversely rough, for two exposures plane, it exchanged reticle for fine. 【0110】1回目の露光が完了し、2回目の露光がスタートする。 [0110] was the first exposure is completed, the second exposure is started. ウエハは、ストックキャリアに保管してある1回目の露光が完了したものを再び露光ステージに供給しなければならない。 Wafer, must be re-supplied to the exposure stage what exposure for the first time you have stored in the stock career is complete. レチクル交換(ステップ35 Reticle exchange (step 35
7)の後は、ウエハキャリアやコーターデベロッパーからウエハを持ってくるステップ323には行かない。 After 7), it does not go to the step 323 from the wafer carriers and coater developers to bring the wafer. ステップ360でストックキャリアからウエハを取り出す。 Taking out the wafer from the stock career at step 360. そして、ストックキャリアで保管する時に発生したウエハの位置ズレをステップ361で補正する。 Then, to correct the positional deviation of the wafer that occurred when storing a stock carrier at step 361. 補正は、図28に示すようなウエハ位置確認用計測系によって求めている。 Correction is determined by the wafer position check measurement system shown in Figure 28. 補正方法の説明については、図28を使いながら後で行なう。 For a description of the correction method is performed later while using FIG 28. 【0111】ステップ361によって、ステップ362 [0111] by step 361, step 362
でウエハチャックにウエハが再搭しても、ウエハが離れる前の位置関係をほぼ再現することができる。 In even the wafer to the wafer chuck and re tower, the positional relationship before the wafer is separated can be substantially reproduced. この時に残るわずかな位置ずれは、ファインのアライメントマーク計測(ステップ344)の計測範囲内にある。 Slight positional displacement remains at this time is in the measurement range of the fine alignment mark measurement (step 344). ステップ363でこの微少な位置ズレを補正するためにウエハ位置を計測する。 This slight misalignment in the step 363 to measure the wafer position to correct. 計測系はステップ344と同じであるが、計測するポイントはステップ344のときのように複数点である必要はない。 Although the measurement system is the same as step 344, the point to be measured it need not be a plurality of points, such as when step 344. すでに、1回目の計測で、複数点の計測結果は保管されており、複数点の中で距離が離れている最低2点を選択すればウエハの位置を完全に元の関係に戻すことができる。 Already, in the first measurement, the measurement results of the plurality of points are stored, can be returned by selecting the minimum two points are separated the distance among the plurality of points the position of the wafer to complete the original relationship . 【0112】このように、ストックキャリアによって、 [0112] In this way, by the stock carriers,
2回目露光の時のプリアライメントを省略するだけでなく、ファインのアライメント時間も大幅に短縮している。 Not only to omit the pre-alignment at the time of the second exposure, it is greatly shortened alignment time of the fine. これによって、アライメント精度を悪化させることなく、生産性を向上させることを可能としている。 Thus, without deteriorating the alignment accuracy, it is made possible to improve productivity. 【0113】ステップ363の補正で、アライメント計測(ステップ344)を省略できるので、ステップ34 [0113] In the correction step 363, it is possible to omit the alignment measurement (step 344), step 34
4とステップ325の間に進むことになる。 It will proceed during 4 and step 325. ステップ3 Step 3
25以降は先に述べたような判断をしながら進む。 25 and later proceed with the decision, such as previously described. そして、2回目の露光を完了し、ウエハをステップ353でウエハキャリアやコーターデベロッパーに返す。 Then, to complete the second exposure, and returns to the wafer carrier and coater developers the wafer in step 353. 次のウエハをストックキャリアから持ってくるために、ステップ346,ステップ358,ステップ360を経由して、同様の作業が実施される。 To bring the next wafer from a stock carrier, step 346, step 358, via step 360, the same operation is performed. 【0114】全ウエハの処理が終わるとステップ358 [0114] When the processing of all wafers is completed step 358
の判断文でYesとなり、END(ステップ364)に進み、すべての処理が完了する。 Yes and the decision statement, the process proceeds to END (step 364), all processing is completed. 【0115】図28は図27のフローチャートで説明したストックキャリアの実施例の概略図を示している。 [0115] Figure 28 shows a schematic view of an embodiment of a stock carrier described in the flowchart of FIG. 27. 【0116】ウエハの流れを説明する。 [0116] explaining the flow of the wafer. 図27のステップ323の処理は、ステップ396のウエハキャリアまたはコーターデベロッパーとのインターフェイスからロボット397でウエハを装置内に取り出す。 Process of step 323 in FIG. 27, taken from the interface between the wafer carrier or coater developers step 396 the wafer into the apparatus by the robot 397. その時のウエハの流れを407に表現した。 The flow of the wafer at that time was expressed in 407. ウエハは矢印408のようにウエハプリアライメント395に移動する。 Wafer is moved to the wafer pre-alignment 395 as indicated by arrow 408. ウエハプリアライメント395は回転+水平移動できる機構447とウエハ位置をプリアライメント計測できる計測系446からなる。 Wafer prealignment 395 consists of measuring system 446 a mechanism 447 and wafer position can be rotated + horizontal movement can pre-alignment measurement. ここで、ウエハはプリアライメントされる。 Here, the wafer is pre-aligned. そして、矢印409に示されるようにステージ上のチャックに向かう。 Then, towards the chuck on the stage as indicated by an arrow 409. 図27のステップ324のブロックに相当する。 It corresponds to the block of step 324 in FIG. 27. 【0117】次にファインアライメントとするためにステップ385やステップ387のアライメント計測系を用いて、ウエハの位置を計測し、ステージに補正をかける。 [0117] Next, using the alignment measurement system in step 385 or step 387 to a fine alignment, the position of the wafer is measured, applying a correction to the stage. 図27のステップ344のブロックに相当する。 It corresponds to the block of step 344 in FIG. 27. そして、照明系381でレチクル382を照明し、縮小投影レンズ384でレチクルパターンをウエハに投影する。 Then, it illuminates the reticle 382 in the illumination system 381, projecting a reticle pattern onto the wafer by the projection lens 384. 図27のステップ347付近のブロックに相当する。 Corresponds to the block in the vicinity of step 347 in FIG. 27. 【0118】ここまでは、通常露光と差はない。 [0118] Up to this point, there is no normal exposure and the difference. 二重露光を効率良く行なうために、ストックキャリア386を露光装置内に追加している。 To perform the double exposure effectively, are adding stock carrier 386 in the exposure apparatus. 394はストックキャリア386まで、ウエハを運ぶためのロボットである。 394 to stock the carrier 386 is a robot for carrying the wafer. 【0119】ウエハは、二重露光が終わると、矢印41 [0119] wafer, and double exposure is completed, the arrow 41
0,411に示すように、ストックキャリア386に向かう。 As shown in 0,411, toward the stock career 386. この動作は、図27のステップ352のブロックに相当する。 This operation corresponds to a block of step 352 in FIG. 27. 【0120】ストックキャリアの内部は、図28の右図のようになっており、露光ステージ389上にあるウエハチャック392に相当するチャックが各段に配置されている。 [0120] Internal stock carrier is adapted to the right side of FIG. 28, the chuck corresponding to the wafer chuck 392 at the top exposure stage 389 is arranged in each stage. はじめのウエハ401は、下段のチャック40 Introduction of the wafer 401, the lower chuck 40
0に搭載される。 0 is mounted to. このチャックの周囲には位置決めピン399がある。 The periphery of the chuck has a positioning pin 399. これは、ストック搬送ロボット394がストックキャリアに運ぶ途中の誤差を補正するためにある。 This is in order to correct the course of error stock transfer robot 394 carries the stock carrier. 【0121】まず、ピンが退避した状態でチャックの上にウエハが載る。 [0121] First, the wafer rests on top of the chuck in a state in which the pin is retracted. この状態でウエハ位置確認用計測系3 Wafer position check measurement system 3 in this state
97がウエハ位置を計測する。 97 measures the wafer position. この計測値をAとする。 This measurement value is A.
次に、ピンを出し、ウエハを位置決めする。 Then, out of the pin, to position the wafer. そして、再び、ウエハ位置確認用計測系397で計測する。 Then, again, it is measured at the wafer position check measurement system 397. この値をBとする。 If this value as B. 値Aと値Bの差がロボット394の搬送誤差である。 Difference between the value A and the value B is a transport error of the robot 394. この搬送誤差は、再び、露光ステージ389 The transport error is, again, the exposure stage 389
に戻る時にも同量発生する。 Also generated the same amount of time to return to. ストックキャリア内では、 Within the stock carriers,
位置決めピン399で補正したが、露光ステージに戻す時には補正できない。 And corrected by the positioning pins 399, but can not be corrected when returning to the exposure stage. そこで、(値B−値A)分だけ、 Therefore, only minute (value B- value A),
ウエハをチャックに再搭載するときに露光ステージ38 Exposure when re-mounting the wafer on the chuck stage 38
9を移動して補正する手段をとる。 Taking means for correcting by moving the 9. 【0122】なお、ウエハ位置確認用計測系397は、 [0122] In addition, the wafer position confirming measuring system 397,
各段に移動することができるように、上下回転運動できる機構405を具備している。 To be able to move to each stage, it is provided with a vertical rotational motion may mechanism 405. 位置決めピン399は3 The positioning pin 399 3
ヶ所以上あり、図示されない機構によって、上下動や、 There are more than places, by a not shown mechanism, and move up and down,
XY平面内の所定の位置に移動する機能を持っている。 It has the ability to move to a predetermined position in the XY plane.
また、ウエハ位置確認用計測系397や位置決めピン3 The wafer position confirming measuring system 397 and the positioning pins 3
99の初期位置誤差を補正するために、基準ウエハで補正を行なう機能も具備している。 In order to correct the initial position error of 99, also provided with function for correcting the reference wafer. 各段ごとに補正値Cを持つ。 For each stage having a correction value C. 実際の補正量は(B−A)−Cとなる。 Actual correction amount is (B-A) -C. 【0123】この補正によって、矢印412,413でウエハが露光ステージに戻っても、ファインアライメントの計測外にいるために、395のプリアライメントステーションに戻す必要はなくなる。 [0123] By this correction, it comes back to the wafer exposure stage by arrows 412 and 413, in order to have the outside measurement of the fine alignment, it becomes unnecessary to return to the pre-alignment station 395. さらに、再現よく戻すことができるので、先に述べたように、ステップ34 Furthermore, can be returned with good reproducibility, as previously described, step 34
4のような複数点でのファインアライメントも不要にすることができる。 Fine alignment at a plurality of points, such as 4 can also be eliminated. 【0124】図29は本発明に係るストックキャリアの他の実施形態の説明図である。 [0124] Figure 29 is an explanatory view of another embodiment of a stock carrier according to the present invention. 図28との差は、ストックキャリアにウエハチャックとウエハをセットで搬入する点である。 The difference between FIG. 28 is that it carries the wafer chuck and wafer as a set to the stock carrier. 1回目の露光前にファインアライメント3 Fine alignment 3 before the first exposure
44で、チャック432に搭載されているウエハ+チャック位置計測マーク428とウエハと関係を記憶する。 44, stores the relationship between wafer + chuck position measuring mark 428 and the wafer mounted on the chuck 432.
ウエハ+チャック位置計測マーク428はチャック43 Wafer + chuck position measurement mark 428 chuck 43
2に少なくとも2個以上搭載され、露光サイズより大きく、50mm以上は離れた位置にある。 Are mounted at least two or more 2, greater than the exposure size, 50mm or more is in a distant location. 離れた位置にあるのは、θ成分を精度良く計測するためである。 The a distant position is to accurately measure the θ component. 【0125】1回目の露光が完了してウエハをストックキャリア427に搬入する時、すなわち、矢印451, [0125] When the exposure eyes of once carried into the stock the carrier 427, a wafer is completed, that is, the arrow 451,
452の工程の中で、チャックとウエハの相対関係が崩れないように、吸着された状態で運ばれる。 Among the 452 steps, so that the relative relationship between the chuck and the wafer is not broken, conveyed while being adsorbed. これは、露光ステージ429にいる時は負圧の供給元はステージからもらっていたが、ストック搬送ロボット434のハンドがウエハ433と一体になったチャック432をピックアップするときに、ハンド側から負圧を供給してもらう。 This is, when you are in the exposure stage 429 is the supply source of negative pressure had got from the stage, when the hand of the stock transfer robot 434 to pick up the chuck 432 is integrated with the wafer 433, the negative pressure from the hand side ask them to supply. そのため、ウエハ434はチャック433から離れること無く、ストックキャリアまで搬送される。 Therefore, the wafer 434 without departing from the chuck 433 is conveyed to the stock carrier. 【0126】図示していないがストックキャリアにも負圧供給元があり、チャック433がチャック442のように置かれるときに、ストックキャリア側から負圧を供給してもらう。 [0126] Although not shown there is a negative pressure source to the stock carrier, when the chuck 433 is placed so that the chuck 442, get supplies negative pressure from the stock carrier side. ここでも、ウエハ434はチャックから離れること無く、無事にストックキャリアに保管される。 Again, the wafer 434 without departing from the chuck, is safely stored in the stock career. ウエハとチャックの位置関係を変えないために、負圧で説明したが、当然メカニカルなクランプや静電気力等を使っても本発明において何ら問題はない。 To not change the positional relationship between the wafer and the chuck, as described in the negative pressure, but there is no problem in the present invention even by using a naturally mechanical clamping or electrostatic force or the like. 図28と同じように、ストックキャリア内にウエハ位置確認用計測系438を具備している。 As with FIG. 28, which comprises a wafer position check measurement system 438 in the stock carrier. 用途は多少異なるが、チャック用スコープ443とウエハ用スコープ444の2つのスコープ(計測系)を具備している。 Application is somewhat different, and comprises two scopes chuck scope 443 and the wafer for the scope 444 (measuring system). スコープ433 Scope 433
とスコープ444は兼用してもよい。 And the scope 444 may also be combined. 計測を並行処理するために、本実施例では、別々に具備している。 To parallel processing of measurement, in this embodiment, it is provided separately. この計測系488は、各段に移動することができるように、上下回転運動できる機構445を具備している。 The measurement system 488, such that it can move to each stage is provided with a vertical rotational motion may mechanism 445. 【0127】2回目の露光のために、露光ステージ43 [0127] for the second time of exposure, exposure stage 43
2に向かうために、矢印453,454を移動する時も、チャックとウエハの位置関係は負圧によって維持された状態で再びステージに搭載される。 To go to 2, even when moving the arrow 453, the positional relationship between the chuck and the wafer is mounted again stage in a state of being maintained by the negative pressure. 図27のステップ362のブロックに相当する。 It corresponds to the block of step 362 in FIG. 27. 次のステップ363のブロックでは、チャックとウエハの位置関係は維持されているので、ウエハ上のファインアライメントマークを見ること無く、ウエハ+チャック位置計測マーク428 The block of the next step 363, the positional relationship of the chuck and the wafer is maintained, without watching fine alignment mark on the wafer, the wafer + chuck position measurement mark 428
をアライメント光学系425,424で計測すればよい。 The may be measured by the alignment optical system 425,424. すると、露光ステージ上でのチャックの位置がわかる。 Then, it is understood that the position of the chuck on the exposure stage. 【0128】1回目の露光のときに、マーク428とウエハマークの位置相関はわかっており、さらに、負圧によって位置関係が維持されているので、マーク428の位置を1回目の露光位置に戻せば、ウエハは1回目と同じ位置に戻すことができる。 [0128] When the first exposure has been shown the position correlation mark 428 and wafer mark, further, the positional relationship by the negative pressure is maintained, return the position of the mark 428 in the first exposure position if the wafer can be returned to the same position as the first time. この方法によって、複数のアライメントマークを計測する時間を短縮するだけでなく、2回目の露光のために計測が、ウエハでなく、石英ガラスの上にクロム等形成された位置計測マーク428 This method not only to reduce the time for measuring a plurality of alignment marks, the measurement for the second exposure, rather than the wafer, the position measurement marks 428 formed of chromium or the like on a quartz glass
であるので、ウエハ計測時に発生するプロセスだまされの影響をまったく受けない。 Since it is, not subject to any influence of the deceived process generated at the time of wafer metrology. 【0129】当然であるが、ウエハプリアライメント4 [0129] Of course, the wafer pre-alignment 4
35で実施するようなプリアライメントの作業ブロックに戻るようなことはない。 It is not going back to work the block of pre-alignment, as carried out at 35. 高い信頼性をもった構成である。 Is a configuration with high reliability. 【0130】さらに、信頼性を向上するためにも、先に述べたウエハ位置確認用計測系438がある。 [0130] Further, in order to improve the reliability, there is a wafer position check measurement system 438 previously described. 本来、チャックとウエハは関係を維持した状態でストックキャリア内に保管されるはずである。 Originally, the chuck and the wafer should be kept in stock in a carrier while maintaining the relationship. ウエハ位置確認用計測系438は何らかのトラブルでずれが発生していないかチャックするためである。 Wafer position check measurement system 438 is used to chuck or not shift occurred in some trouble. また、マーク428がステージで位置計測するとき、ストック搬送ロボット434の搬送誤差等により、アライメント光学系425,424の計測範囲から逸脱しないように、ストックキャリアに搬入された時の誤差の2倍の量を補正する機能も具備している。 Further, when the marks 428 are position measurement stage, the conveying error of the stock transfer robot 434, so as not to depart from the measurement range of the alignment optical system 425,424, the error when it is carried to the stock carrier 2 times function to correct the amount is also provided. 【0131】なお、図29では、1回目の露光が各ウエハごとで終わるとチャックごとストックキャリアに行なってしまう。 [0131] In FIG. 29, the exposure-th one will be performed in the end when the chuck each stock carriers each wafer. そのために、露光ステージ上にはチャックがない。 For this reason, there is no chuck on the exposure stage. 次の1回目の露光ウエハを準備してもチャックがないので置けないことになってしまう。 Be prepared for the next first exposure wafer becomes that not be placed because the chuck is no. 図が複雑になるので図示しなかったが、ストックキャリアと同様にチャックキャリアがある。 Although FIG did not illustrated since complicated, there is a stock carrier as well as the chuck carrier. チャックキャリアには複数のチャックが保管されている。 A plurality of chucks is stored in the chuck carrier. 露光が終わり、ストック側に搬出されると同時にチャックキャリアから新しいチャックが搬入される。 Exposure to an end, a new chuck from simultaneously chuck the carrier when it is carried out to the stock side is loaded. 搬入するためのロボットは、ストック搬送ロボットやキャリアウエハ搬送ロボットに兼用させてもよいが、専用のチャック搬送ロボットの方が、並行処理できるので、生産性上好ましい。 Robot for loading may also be combined in the stock transfer robot and carrier wafer transfer robot are similar, but only the chuck transfer robot, it is possible to parallel processing, the productivity preferred. 【0132】本発明に係る二重露光ではウエハアライメント精度を劣化させることなく、レチクル交換やウエハ供給回収時間やアライメント時間を省略して、生産性を向上させている。 [0132] without degrading the wafer alignment precision is double exposure in accordance with the present invention, by omitting the reticle exchange and wafer supply recovery time and the alignment time, thereby improving productivity. なお、ウエハ単位で処理するかロット単位で処理するかは、生産時間(スループット)で自動判別されてもよい。 Incidentally, either treated with either lot unit for processing a wafer unit may be automatically determined by the production time (throughput). 【0133】ストックキャリアやチャックキャリアは、 [0133] stock carriers and chuck carrier,
露光装置内にある場合で説明したが、他の実施例としてコーターデベロッパーとステッパーとの間にあるI/F It has described a case where in the exposure apparatus, is between the coater developers and stepper As another example I / F
部やコーターデベロッパーにあってもよい。 It may be in part or coater developers. 【0134】本発明の第5の実施の形態として、通常の露光モードと二重露光モードとが選択可能な露光装置において二重露光モードを選択した際、更に図22のフローチャート図で示す露光モードと図23のフローチャート図で示す露光モードのいずれかが選択できるように構成する形態がある。 [0134] As a fifth embodiment of the present invention, when selecting the double exposure mode in the normal exposure mode and a double exposure mode and are selectable exposure apparatus, an exposure mode further shown in the flowchart of FIG 22 either the exposed mode shown in the flowchart of FIG 23 and there is a mode of forming so as to select. 例えば、ウエハ228に塗布されたレジストの特性に基いてレジストコートからレジスト現像までにかかる時間を各露光モード毎に計算し、より短時間で済む露光モードを選択する。 For example, the time from the resist coating to resist development was calculated for each of the exposure mode based on the characteristics of the resist applied to the wafer 228, to select the exposure mode requires a shorter time. 【0135】また、上記第1乃至第3の実施の形態の投影露光装置においては、「ラフ用レチクル」と「ファイン用レチクル」のどちらによる露光を先に行なうかは選択可能に構成される。 [0135] Further, in the above-described projection exposure apparatus of the first to third embodiments, or performed before the exposure by either a "rough reticle" of "the fine reticle" Selectable configured. 【0136】図24と図25はそれぞれ図23が示す露光モードを行なうのに適した露光装置の模式図である。 [0136] Figure 24 and Figure 25 is a schematic view of an exposure apparatus suitable for performing the exposure mode, each diagram 23 showing.
図24と図25の露光装置の違いは、二重露光の一方の露光が済んだ1ロット分の多数枚のウエハを保管しておくストックキャリアの内部構成と、ウエハ単独で保管するかウエハチャック毎保管するかにある。 The difference of the exposure apparatus in FIG. 24 and FIG. 25, the double one and an internal structure of the stock carrier keep a large number of wafers in one lot having undergone the exposure of the exposure, or the wafer chuck stored at wafer alone there on whether to every store. 【0137】図22乃至図25では、図21の投影露光装置を用いて、二重露光をステップアンドリピート方式或いはステップアンドスキャン方式で行なう場合を示したが、図18の装置と図19の装置を組み合わせた露光装置や図20の露光装置等を用いて、二重露光をステップアンドリピート方式或いはステップアンドスキャン方式で行なうこともできる。 [0137] In FIGS. 22 to 25, using the projection exposure apparatus of FIG. 21, the case of performing double exposure in a step-and-repeat type or step-and-scan method, apparatus of the apparatus and 19 in FIG. 18 using the combined exposure apparatus or the like of the exposure apparatus and FIG. 20, it is also possible to perform double exposure in a step-and-repeat type or step-and-scan manner. 【0138】以上説明した露光方法及び露光装置を用いてIC,LSI等の半導体チップ、液晶パネル等の表示素子、磁気ヘッド等の検出素子、CCD等の撮像素子といった各種デバイスの製造が可能である。 [0138] The above-described exposure method and apparatus using the IC, semiconductor chips such as LSI, such as a liquid crystal panel display device, it is possible to manufacture a detecting device, various devices such as image pickup element such as a CCD, such as a magnetic head . 【0139】本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々に変更することが可能である。 [0139] The present invention is not limited to the embodiments described above, and can be modified in many without departing from the scope of the present invention. 特に2光束干渉露光および通常露光の各ステップでの露光回数や露光量の段数やボケ量は適宜選択することが可能であり、更に露光の重ね合わせもずらして行なう等適宜調整することが可能である。 In particular 2 stages and the blur amount of exposure times and exposure at each step of beam interference exposure and the normal exposure is can be suitably selected, it can be adjusted further like performed also shifted superposition of exposure appropriately is there. このような調整を行なうことで形成可能な回路パターンにバリエーションが増える。 Such adjustment increases variations in the circuit pattern can be formed by performing. 【0140】 【発明の効果】以上、本発明によれば、ウエハの複数個のショット領域に対して二重露光或いは三重以上の重ね合せ露光を、短時間に行なえる。 [0140] [Effect of the Invention] According to the present invention, the double exposure or triple or more overlapping exposure for a plurality of shot regions of the wafer, performed in a short time.

【図面の簡単な説明】 【図1】 二重露光のフローチャートである。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a flowchart of a double exposure. 【図2】 2光束干渉露光により得た周期パターン(露光パターン)を示す説明図である。 [2] two-beam interference exposure by obtained periodic pattern is an explanatory view showing a (exposure patterns). 【図3】 レジストの露光感度特性を示す説明図である。 3 is an explanatory diagram showing an exposure sensitivity characteristic of the resist. 【図4】 現像によるパターン形成を示す説明図である。 4 is an explanatory diagram showing a pattern formed by development. 【図5】 通常の2光束干渉露光による周期パターン(露光パターン)を示す説明図である。 5 is an explanatory diagram showing a cycle by conventional two-beam interference exposure pattern (exposure pattern). 【図6】 本発明における2光束干渉露光による周期パターン(露光パターン)を示す説明図である。 6 is an explanatory diagram showing a periodic pattern (exposure pattern) by 2-beam interference exposure in the present invention. 【図7】 第1の実施形態において形成できる露光パターン(リソグラフィーパターン)の一例を示す説明図である。 7 is an explanatory diagram showing an example of a form can be exposed pattern (lithography pattern) in the first embodiment. 【図8】 第1の実施形態において形成できる露光パターン(リソグラフィーパターン)の他の一例を示す説明図である。 8 is an explanatory diagram showing another example of an exposure pattern may be formed in the first embodiment (lithography pattern). 【図9】 第1の実施形態において形成できる露光パターン(リソグラフィーパターン)の他の一例を示す説明図である。 9 is an explanatory diagram showing another example of an exposure pattern can be formed (lithography pattern) in the first embodiment. 【図10】 ゲートパターンを示す説明図である。 10 is an explanatory view showing the gate pattern. 【図11】 実態形態を示す説明図。 FIG. 11 is an explanatory view showing the actual form. 【図12】 ゲートパターンを説明する図。 FIG. 12 is a diagram illustrating a gate pattern. 【図13】 パターン形成過程を示す図。 13 is a diagram showing a pattern formation process. 【図14】 周期パターン露光を行なうための2光束干渉用露光装置の一例を示す概略図である。 14 is a schematic diagram showing an example of the two-beam interference exposure apparatus for performing the periodic pattern exposure. 【図15】 2光束干渉による周期パターン露光を行なう投影露光装置の一例を示す概略図である。 Is a schematic diagram showing an example of FIG. 15 two-beam interference projection exposure apparatus for performing the periodic pattern exposure by. 【図16】 図16の装置に使用するマスクおよび照明方法の一例を示す説明図である。 16 is an explanatory diagram showing an example of a mask and illumination method used in the apparatus of FIG. 16. 【図17】 図16の装置に使用するマスクおよび照明方法の他の一例を示す説明図である。 17 is an explanatory diagram showing another example of the mask and the illumination method used in the apparatus of FIG. 16. 【図18】 従来の投影露光装置を示す概略図である。 18 is a schematic diagram showing a conventional projection exposure apparatus. 【図19】 2光束干渉露光装置の一例を示す概略図である。 19 is a schematic diagram showing an example of a two-beam interference exposure device. 【図20】 高解像度露光装置の一例を示す概略図である。 20 is a schematic diagram showing an example of a high-resolution exposure apparatus. 【図21】 高解像度露光装置の他の例を示す概略図である。 21 is a schematic diagram showing another example of a high-resolution exposure apparatus. 【図22】 本発明の第1の実施の形態を示すフローチャート図である。 22 is a flowchart showing a first embodiment of the present invention. 【図23】 本発明の第2の実施の形態を示すフローチャート図である。 23 is a flowchart showing a second embodiment of the present invention. 【図24】 本発明の露光装置の一例を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing an arrangement of the apparatus of Figure 24 the present invention. 【図25】 本発明の露光装置の他の例を示す模式図である。 FIG. 25 is a schematic view showing another example of the exposure apparatus of the present invention. 【図26】 本発明の第3の実施の形態を示すフローチャート図である。 26 is a third flowchart showing an embodiment of the present invention. 【図27】 本発明の第4の実施の形態を示すフローチャート図である。 27 is a flowchart showing a fourth embodiment of the present invention. 【図28】 図27の一部分のフローチャートの詳細図である。 Figure 28 is a detailed view of a flow chart of a portion of FIG. 27. 【図29】 本発明の露光装置の他の実施形態の説明図である。 FIG. 29 is an explanatory view of another embodiment of an exposure apparatus of the present invention. 【符号の説明】 221 エキシマレーザ222 照明光学系223 マスク(レチクル) 224 マスク(レチクル)ステージ225 2光束干渉用マスクと通常投影露光用のマスク226 マスク(レチクル)チェンジャ227 投影光学系228 ウエハ229 XYZステージ [Reference Numerals] 221 excimer laser 222 illumination optical system 223 mask (reticle) 224 mask (reticle) stage 225 two-beam interference mask and the normal mask 226 mask (reticle) for projection exposure changer 227 projection optical system 228 the wafer 229 XYZ stage

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】ウエハのショット領域に対して途中で現像を行なうことなく互いに強度分布が異なる複数の像で露光を行なう露光方法であって、 複数のウエハの各々の複数のショット領域に対してある強度分布を有する像によって露光を行なった後で、前記複数のウエハの各々の前記複数のショット領域に対して他の強度分布を有する像によって露光を行なうとき、 前記複数のウエハは、該 (57) there is provided an exposure method in which the intensity distribution from each other without performing a development in the middle with respect to Patent Claims 1 wafer shot area performs exposure in different images, the plurality of wafers after performing the exposure by the image having an intensity distribution with respect to a plurality of shot areas respectively, when performing the exposure by the image with other intensity distributions for the plurality of shot areas of each of said plurality of wafers , wherein the plurality of wafers, the
    ウエハの位置を計測するウエハ位置確認用計測系が設け Wafer position check measurement system for measuring the position of the wafer is provided
    られたストックキャリアに収納されており、該ウエハの1回目の露光のときの位置合わせをウエハ上のアライメントマークで行ない、2回目の露光のときの位置合わせをウエハチャック上の位置合わせ情報を用いて行なって Was being accommodated in the stock carrier, the alignment of the time of the first exposure of the wafer is performed by the alignment mark on the wafer, the alignment at the time of the second exposure using the positioning information on the wafer chuck carried out by
    いることを特徴とする露光方法。 Exposure method characterized by there. 【請求項2】前記ある強度分布を有する像と前記他の強度分布を有する像の一方は他方よりも微細な像であることを特徴とする請求項1に記載の露光方法。 2. An exposure method according to claim 1, wherein the one of the images with the other intensity distribution as an image having a certain intensity distribution is finer image than the other. 【請求項3】前記他方は一部又は全部がボケた像であるか、多値の光強度分布を有する(多値の露光量分布をウエハのレジストに与える)ボケていない像であることを特徴とする請求項2に記載の露光方法。 Or wherein the other is an image partly or entirely blurred, (giving multivalued exposure amount distribution on the resist of a wafer) having a light intensity distribution of multi-level that the image is not blurred the exposure method according to claim 2, characterized. 【請求項4】前記微細な像の最小線幅は0.15μm 4. A minimum line width of the fine image is 0.15μm
    より小さいことを特徴とする請求項2に記載の露光方法。 The exposure method according to claim 2, wherein the smaller. 【請求項5】前記微細な像が該縞状の像であることを特徴とする請求項2、3又は4に記載の露光方法。 5. The exposure method according to claim 2, 3 or 4, wherein the fine image is an image of the fringe pattern. 【請求項6】レベンソン型位相シフトマスクに対してコヒーレント照明又は部分的コヒーレント照明を行なって前記レベンソン型位相シフトマスクのパターンを結像させることにより前記縞状の像を得ることを特徴とする Characterized in that to obtain the striped image by imaging the pattern of coherent illumination or partially coherent illumination the performed the Levenson type phase shift mask with respect to 6. alternating phase shift mask
    請求項5に記載の露光方法。 The exposure method according to claim 5. 【請求項7】あるマスクに対して前記レベンソン型位相シフトマスクに対して行なう部分的コヒーレント照明よりもσ(シグマ)が大きな部分的コヒーレント照明を行なって前記あるマスクのパターンを結像させることにより前記他方の像を得ることを特徴とする請求項5に記載の露光方法。 Relative 7. There mask by imaging the pattern of the Levenson type phase shift mask than partially coherent illumination is performed with respect to the mask sigma (sigma) is the performed great partially coherent illumination the exposure method according to claim 5, characterized in that to obtain the other image. 【請求項8】レーザーからの平行光又はそこからの発散光をコリメートした平行光を光分割器で2つの光に分けて干渉させることによって前記縞状の像を形成することを特徴とする請求項5に記載の露光方法。 Claims, characterized in that to form the stripe-shaped image by 8. causing interference of parallel light collimated divergent light therefrom parallel light or from a laser is divided into two light beam splitter the exposure method according to claim 5. 【請求項9】ウエハのショット領域に対して途中で現像を行なうことなく互いに強度分布が異なる複数の像で露光を行なう露光モードを有する露光装置であって、 9. An exposure apparatus having an exposure mode for exposing a plurality of image intensity distribution different from one another without performing development on the way to the wafer in the shot area, double
    数のウエハの各々の複数のショット領域に対してある強度分布を有する像によって露光を行なった後で、前記 After performing the exposure by the image having an intensity distribution with respect to a plurality of shot regions of each number of the wafer, the double
    数のウエハの各々の前記複数のショット領域に対して他の強度分布を有する像によって露光を行なうとき、 前記複数のウエハをそれらの位置を保証した状態で保管 When performing exposure by image with another intensity distribution for the plurality of shot regions of each number of wafers, storing said plurality of wafers in a state that guarantees their positions
    するストックキャリアを有しており、該ウエハの1回目の露光のときの位置合わせをウエハ上のアライメントマークで行ない、2回目の露光のときの位置合わせをウエハチャック上の位置合わせ情報を用いて行なっていることを特徴とする露光装置。 Has a stock carrier, the alignment of the time of the first exposure of the wafer is performed by the alignment mark on the wafer, the alignment at the time of the second exposure using the positioning information on the wafer chuck exposure apparatus characterized by is performed. 【請求項10】前記ある強度分布を有する像と前記他の強度分布を有する像の一方は他方よりも微細な像であることを特徴とする請求項9に記載の露光装置。 10. An apparatus according to claim 9, characterized in that one of the images with the other intensity distribution as an image having a certain intensity distribution is finer image than the other. 【請求項11】前記他方は一部又は全部がボケた像であるか、多値の光強度分布を有する(多値の露光量分布をウエハのレジストに与える)ボケていない像であることを特徴とする請求項10に記載の露光装置。 Or wherein said other is an image partly or entirely blurred, (giving multivalued exposure amount distribution on the resist of a wafer) having a light intensity distribution of multi-level that the image is not blurred an apparatus according to claim 10, wherein. 【請求項12】前記微細な像の最小線幅は0.15μ 12. The minimum line width of the fine image is 0.15μ
    mより小さいことを特徴とする請求項10に記載の露光装置。 An apparatus according to claim 10, wherein the smaller m. 【請求項13】前記微細な像が該縞状の像であることを特徴とする請求項10、11又は12に記載の露光装置。 13. The exposure apparatus according to claim 10, 11 or 12, wherein the fine image is an image of the fringe pattern. 【請求項14】あるマスクに対して前記レベンソン型位相シフトマスクに対して行なう部分的コヒーレント照明よりもσ(シグマ)が大きな部分的コヒーレント照明を行なって前記あるマスクのパターンを結像させることにより前記他方の像を得ることを特徴とする請求項13 Respect 14. There mask by imaging the pattern of the Levenson type phase shift mask than partially coherent illumination is performed with respect to the mask sigma (sigma) is the performed great partially coherent illumination claim 13, characterized in that to obtain the other image
    に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to. 【請求項15】レーザーからの平行光又はそこからの発散光をコリメートした平行光を光分割器で2つの光に分けて干渉させることによって前記縞状の像を形成することを特徴とする請求項13に記載の露光装置。 15. claims, characterized in that to form the stripe-shaped image by interfering collimated light collimating diverging light therefrom parallel light or from a laser is divided into two light beam splitter An apparatus according to claim 13. 【請求項16】二種類のマスクを互いに異なる照明方法によって順次照明することにより前記ある強度分布を有する像と前記他の強度分布を有する像とを形成することを特徴とする請求項13に記載の露光装置。 16. Claim 13, characterized in that to form the image with the other intensity distribution as an image having an intensity distribution in the by sequentially illuminated by two lighting method a mask different of the exposure apparatus. 【請求項17】マスク側の開口数を変え得る照明光学系を有することを特徴とする請求項14に記載の露光装置。 17. An apparatus according to claim 14, characterized in that it comprises an illumination optical system capable of changing the numerical aperture on the mask side. 【請求項18】前記あるマスクと前記レベンソン型位相シフトマスクの一方を選択的にマスクステージに配置する手段を有することを特徴とする請求項17に記載の露光装置。 18. The exposure apparatus according to claim 17, characterized in that it comprises means for positioning the selectively masking stage one of the certain mask and the Levenson type phase shift mask. 【請求項19】前記あるマスクと前記レベンソン型位相シフトマスクの双方を配置したマスクステージを有することを特徴とする請求項17に記載の露光装置。 19. An apparatus according to claim 17, characterized in that it comprises a mask stage arranged both the certain mask and the Levenson type phase shift mask. 【請求項20】前記あるマスクのパターンと前記レベンソン型位相シフトマスクのパターンは前記ウエハ上に投影する共通の投影露光系を有することを特徴とする 20. The pattern of the pattern of the certain mask the Levenson type phase shift mask characterized by having a common projection exposure system for projecting onto the wafer
    求項14に記載の露光装置。 An apparatus according to Motomeko 14. 【請求項21】前記あるマスクのパターンを投影する第1投影露光系と前記レンベンソン型位相シフトマスクのパターンを投影する第2投影露光系とを有することを特徴とする請求項14に記載の露光装置。 21. of claim 14, characterized in that a second projection exposure system for projecting a pattern of the first projection exposure system for projecting a pattern of the certain mask the Len Benson type phase shift mask exposure apparatus. 【請求項22】前記第1及び第2投影露光系に共通の可動のウエハステージを設けたことを特徴とする請求項 22. claims, characterized in that a wafer stage of a common movable to said first and second projection exposure system
    21に記載の露光装置。 An apparatus according to 21. 【請求項23】前記露光モードにおいてステップアンドリピート方式で露光を行なうことを特徴とする請求項 23. A claims, characterized in that to perform the exposure in a step-and-repeat method in the exposure mode
    に記載の露光装置。 An apparatus according to 9. 【請求項24】前記露光モードにおいてステップアンドスキャン方式で露光を行なうことを特徴とする請求項 24. A claims, characterized in that to perform the exposure in a step-and-scan manner in the exposure mode
    に記載の露光装置。 An apparatus according to 9. 【請求項25】前記ストックキャリアにウエハ単独で保管することを特徴とする請求項9に記載の露光装置。 25. An exposure apparatus according to claim 9, characterized in that stored in the wafer itself to the stock carrier. 【請求項26】前記ストックキャリアにウエハチャックごと保管することを特徴とする請求項9に記載の露光装置。 26. An apparatus according to claim 9, wherein the storing each wafer chuck to the stock carrier. 【請求項27】前記ストックキャリアを備えるコーターデベロッパーを有することを特徴とする請求項9に記載の露光装置。 27. An apparatus according to claim 9, characterized in that it comprises a coater developer comprising the stock carrier. 【請求項28】前記各像をKrF、ArF又はF2エキシマレーザからのレーザー光と縮小投影光学系を用いて形成することを特徴とする請求項9に記載の露光装置。 28. An apparatus according to claim 9, characterized in that formed using the reduced projection optical system and the laser light from the respective images KrF, ArF or F2 excimer laser. 【請求項29】前記縮小投影光学系は屈折系、反射− 29. The reduction projection optical system is a refractive system, reflection -
    屈折系又は反射系より成る光学系であることを特徴とする請求項28の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 28, which is a dioptric system or an optical system consisting of the reflection system. 【請求項30】請求項9から29のいずれか1項の発明の露光装置により、ウエハを露光する工程と、前記ウエハを現像する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法。 By 30. The exposure apparatus of the present invention of any one of claims 9 29, device manufacturing method, comprising a step of exposing a wafer, a step of developing the wafer.
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