JP3534605B2 - Substrate plating equipment - Google Patents

Substrate plating equipment

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JP3534605B2
JP3534605B2 JP08093398A JP8093398A JP3534605B2 JP 3534605 B2 JP3534605 B2 JP 3534605B2 JP 08093398 A JP08093398 A JP 08093398A JP 8093398 A JP8093398 A JP 8093398A JP 3534605 B2 JP3534605 B2 JP 3534605B2
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祐介 村岡
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龍治 北門
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称する)
に対してメッキ処理を施す基板メッキ装置に係り、特
に、硫酸銅などの電解液を基板の処理面に供給した状態
で給電して電解メッキ処理を行う技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass substrate for a semiconductor wafer or a liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as a substrate).
The present invention relates to a substrate plating apparatus for performing a plating process on a substrate, and more particularly to a technique for performing an electrolytic plating process by supplying power while an electrolytic solution such as copper sulfate is supplied to a processing surface of a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の基板メッキ装置として、
例えば、図7に示すような構成のものが挙げられる。な
お、以下の説明では、硫酸銅を電解液とし、配線用の銅
をメッキするための装置を例に採って説明する。
2. Description of the Related Art As a conventional substrate plating apparatus of this type,
For example, a structure as shown in FIG. 7 may be mentioned. In the following description, an apparatus for plating copper for wiring using copper sulfate as an electrolytic solution will be described as an example.

【0003】基板Wは、その処理面Wsを下方に向けた
状態(いわゆるフェイスダウン)で、電解液LQを貯留
している処理槽100の開口部101に保持される。開
口部101には、下向きに保持された基板Wの処理面W
sに給電するための上部電極103が配設されている。
処理槽100の上部と下部には、循環ポンプ105を介
して循環路107が連通接続されている。処理槽100
の底部には、上部から溢れて循環路107を流通してき
た電解液LQを基板Wの処理面Wsに向けて噴出するた
めの噴流ノズル109が配設されている。また、処理槽
100の底部には、下部電極111が配設されており、
電源ユニット113によって上部電極103が陰極に、
下部電極111が陽極になるように給電される。
The substrate W is held in the opening 101 of the processing bath 100 storing the electrolytic solution LQ with the processing surface Ws thereof facing downward (so-called face down). The opening 101 has a processing surface W of the substrate W held downward.
An upper electrode 103 for supplying power to s is provided.
A circulation path 107 is connected to the upper part and the lower part of the processing tank 100 via a circulation pump 105. Processing tank 100
A jet nozzle 109 for jetting the electrolytic solution LQ overflowing from the upper portion and flowing through the circulation path 107 toward the processing surface Ws of the substrate W is disposed at the bottom of the. Further, a lower electrode 111 is provided at the bottom of the processing bath 100,
The upper electrode 103 becomes the cathode by the power supply unit 113,
Power is supplied so that the lower electrode 111 serves as an anode.

【0004】このように構成されている装置では、電源
ユニット113が上部/下部電極103,111に給電
している状態で循環ポンプ105を作動させ、噴流ノズ
ル109から電解液LQを噴射させて基板Wの処理面W
sに電解液LQを供給する。処理槽100の底部から上
部に向かい、基板Wの処理面Wsに供給された電解液L
Qは上部から排出され、循環路107を経て再び処理槽
100内に供給されるようになっている。この過程にお
いて、電解液LQに触れている基板Wの処理面Wsに銅
のメッキ層が形成されるようになっている。
In the apparatus configured as described above, the circulation pump 105 is operated while the power supply unit 113 is supplying power to the upper / lower electrodes 103 and 111, and the electrolytic solution LQ is jetted from the jet nozzle 109 to generate the substrate. Treated surface W
The electrolytic solution LQ is supplied to s. The electrolytic solution L supplied to the processing surface Ws of the substrate W from the bottom to the top of the processing bath 100.
Q is discharged from the upper part and supplied again into the processing tank 100 via the circulation path 107. In this process, a copper plating layer is formed on the processing surface Ws of the substrate W which is in contact with the electrolytic solution LQ.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】基板Wに形成される素
子(例えば、MPUやメモリ)は、その動作速度の高速
化や多機能化のために年々高密度化してきているが、そ
の処理面Wsには深い溝(トレンチ構造)が形成されて
いることが多い。このような溝は、今後、その幅が0.
2μm程度で、その深さが1μm程度のアスペクト比が
『5』程度のものとなってゆくと思われる。
The elements (for example, MPU and memory) formed on the substrate W have been increasing in density year by year due to the increase in operating speed and the increase in multifunctionality. A deep groove (trench structure) is often formed in Ws. Such grooves will have a width of 0.
It is thought that the aspect ratio of about 2 μm and the depth of about 1 μm will be about “5”.

【0006】このような高アスペクト比の溝が形成され
ている基板Wに対して、上述した装置でメッキ処理を施
すと、基板Wがフェイスダウンで保持されている関係
上、溝の空気が極めて抜けにくい。また、電気分解によ
って発生した気体(酸素)も極めて抜けにくくなってい
る。したがって、図8(a)に示すように、溝Tの内部
が気泡により塞がれることになって、電解液LQが溝T
の内部に充分に供給されなくなる。その結果、図8
(b)に示すように、メッキ層PLを溝Tの内部に形成
することができず、空隙V(以下、ボイドと称する)が
生じるという問題がある。このようなボイドVが生じる
と、例えば、配線を流れる電流に対して充分な断面積を
得ることができなかったり、コンタクトホールにおける
オーミックコンタクトを得ることができない。
When the substrate W in which such a groove having a high aspect ratio is formed is plated by the above-described apparatus, the air in the groove is extremely large because the substrate W is held face down. It is hard to come off. Also, the gas (oxygen) generated by electrolysis is extremely difficult to escape. Therefore, as shown in FIG. 8A, the inside of the groove T is closed by the bubbles, and the electrolytic solution LQ is filled with the groove T.
Will not be fully supplied inside. As a result, FIG.
As shown in (b), there is a problem in that the plating layer PL cannot be formed inside the trench T and a void V (hereinafter referred to as a void) is generated. When such a void V occurs, for example, it is not possible to obtain a sufficient cross-sectional area for the current flowing through the wiring, or it is not possible to obtain ohmic contact in the contact hole.

【0007】また、基板Wの処理面Wsと下部電極11
1との距離は、図9に示すように、下部電極111とそ
の真上に位置する処理面Wsとの間が最短で、その他は
それよりも長くなる(図中に矢印で示す経路)。したが
って、下部電極111から真上に位置する処理面Wsま
では電流密度が大きく、その他はそれより電流密度が小
さくなって処理面Ws内における電流密度に偏りが生じ
る。その結果、処理面Wsの全体にわたってメッキ層を
均一に形成することができないという問題もある。
Further, the processing surface Ws of the substrate W and the lower electrode 11
As shown in FIG. 9, the distance from 1 is the shortest between the lower electrode 111 and the processing surface Ws located directly above it, and the other distances are longer than that (the path indicated by the arrow in the figure). Therefore, the current density is large from the lower electrode 111 to the processing surface Ws located right above, and the current density is smaller than the others, and the current density in the processing surface Ws is biased. As a result, there is also a problem that the plated layer cannot be formed uniformly over the entire treated surface Ws.

【0008】なお、メッキ層が処理面Ws内において不
均一になる原因としては、上記の電流密度の他に、噴流
ノズル109により噴射される電解液LQの流れが不均
一であることも原因となっている。
The reason why the plated layer becomes non-uniform within the treated surface Ws is that the flow of the electrolytic solution LQ jetted by the jet nozzle 109 is non-uniform in addition to the above current density. Has become.

【0009】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、気体抜けを良好にすることによってボ
イドの発生を防止し、処理面内における電流密度を全体
にわたって均一化することにより、メッキ層の均一性を
向上することができる基板メッキ装置を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to prevent generation of voids by improving the gas release and to make the current density in the treated surface uniform. An object of the present invention is to provide a substrate plating apparatus capable of improving the uniformity of a plating layer.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、基板に対してメッキ処理
を施す基板メッキ装置であって、基板の処理面を上方に
向けて保持するとともに、基板の処理面に対して電気的
に接続する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持さ
れた基板の処理面に対向して近接配置され、電極を構成
する板状部材と、前記基板保持手段に保持された基板の
処理面と前記板状部材との間に電解液を満たすように供
給する供給手段と、前記供給手段が電解液を基板の処理
面と前記板状部材との間に供給した状態で、前記板状部
材から前記基板保持手段へ向けて電流が流れるように給
電する給電手段と、前記基板保持手段および前記板状部
材のうち少なくとも一方を回転駆動する駆動手段と、
備えたことを特徴とするものである。
The present invention has the following constitution in order to achieve such an object. That is, the invention according to claim 1 is a substrate plating apparatus that performs a plating process on a substrate, holds the processing surface of the substrate upward, and electrically connects to the processing surface of the substrate. wherein the substrate holding means, wherein disposed close to face the treated surface of the substrate held by the substrate holding means, a plate-like member constituting the electrodes, the processing surface of the substrate held by the substrate holding means and which a supply means for supplying to satisfy the electrolytic solution between the plate-like member, in a state in which the supply means is fed between said plate-like member to the electrolyte and the processing surface of the substrate, from the plate-like member Power feeding means for feeding power so that a current flows toward the substrate holding means, the substrate holding means and the plate-like portion
Drive means for rotating and driving at least one of the materials .

【0011】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の基板メッキ装置において、前記板状部材は、ほ
ぼ中央部に、電解液を基板の処理面と板状部材との間に
供給するための供給口を有することを特徴とするもので
ある。
The invention described in claim 2 is the same as claim 1.
In the substrate plating apparatus described in the paragraph 1, the plate-shaped member has a supply port for supplying an electrolytic solution between the processing surface of the substrate and the plate-shaped member in a substantially central portion. .

【0012】また、請求項に記載の発明は、請求項
または2に記載の基板メッキ装置において、前記駆動手
段は、前記基板保持手段のみを回転駆動するように構成
されたことを特徴とするものである。
The invention described in claim 3 is the same as claim 1
Alternatively, in the substrate plating apparatus described in Item 2 , the driving unit is configured to rotationally drive only the substrate holding unit.

【0013】また、請求項に記載の発明は、請求項
または2に記載の基板メッキ装置において、前記駆動手
段は、前記板状部材のみを回転駆動するように構成され
たことを特徴とするものである。
The invention according to claim 4 is the same as claim 1.
Alternatively, in the substrate plating apparatus described in the paragraph 2 , the driving means is configured to rotationally drive only the plate-shaped member.

【0014】また、請求項に記載の発明は、請求項
または2に記載の基板メッキ装置において、前記駆動手
段は、前記基板保持手段および前記板状部材を回転駆動
するように構成されたことを特徴とするものである。
The invention described in claim 5 is the same as claim 1.
Alternatively, in the substrate plating apparatus described in Item 2, the driving unit is configured to rotationally drive the substrate holding unit and the plate-shaped member.

【0015】また、請求項に記載の発明は、請求項1
ないし請求項のいずれかに記載の基板メッキ装置にお
いて、基板の処理面と前記板状部材との間に供給される
電解液に対して超音波振動を付与する超音波振動付与手
段をさらに備えたことを特徴とするものである。
The invention described in claim 6 is the same as claim 1.
The substrate plating apparatus according to claim 5 , further comprising ultrasonic vibration applying means for applying ultrasonic vibration to the electrolytic solution supplied between the processing surface of the substrate and the plate-shaped member. It is characterized by that.

【0016】また、請求項に記載の発明は、請求項
に記載の基板メッキ装置において、前記超音波振動付与
手段は、前記供給手段に配設され、流通する電解液に対
して超音波振動を付与するように構成されたことを特徴
とするものである。
[0016] The invention of claim 7, claim 6
In the substrate plating apparatus described in the paragraph 1, the ultrasonic vibration applying means is arranged in the supply means, and is configured to apply ultrasonic vibration to the flowing electrolytic solution. .

【0017】また、請求項に記載の発明は、請求項
に記載の基板メッキ装置において、前記超音波振動付与
手段は、前記板状部材に超音波振動を付与するように構
成されたことを特徴とするものである。
The invention according to claim 8 is the same as claim 6
In the substrate plating apparatus according to the above item 3, the ultrasonic vibration applying means is configured to apply ultrasonic vibration to the plate-shaped member.

【0018】また、請求項に記載の発明は、請求項1
ないし請求項のいずれかに記載の基板メッキ装置にお
いて、前記供給手段は、洗浄液供給源にも連通接続され
ており、前記基板保持手段に保持された基板の処理面と
前記板状部材との間に洗浄液と電解液を選択的に供給す
るように構成されたことを特徴とするものである。
The invention described in claim 9 is the same as claim 1.
9. The substrate plating apparatus according to claim 8 , wherein the supply unit is also connected to a cleaning liquid supply source so as to communicate with the processing surface of the substrate held by the substrate holding unit and the plate-shaped member. It is characterized in that the cleaning liquid and the electrolytic solution are selectively supplied between them.

【0019】また、請求項10に記載の発明は、請求項
3または5に記載の基板メッキ装置において、前記基板
保持手段の周囲に配置され、基板の回転に伴って飛散し
た電解液を回収するための回収部材と、前記回収部材に
よって回収された電解液を再び前記供給手段に送るため
の循環路とをさらに備えたことを特徴とするものであ
る。
The invention according to claim 10 is the following:
In the substrate plating apparatus according to 3 or 5, there are provided a collecting member arranged around the substrate holding means, for collecting the electrolytic solution scattered with the rotation of the substrate, and an electrolytic solution collected by the collecting member. It further comprises a circulation path for sending to the supply means again.

【0020】また、請求項11に記載の発明は、請求項
10に記載の基板メッキ装置において、前記循環路内を
流通する電解液の濃度を測定する濃度測定手段と、前記
循環路に配設され、電解液を貯留する電解液貯留タンク
と、前記濃度測定手段の測定結果に基づき、濃度が一定
となるように電解液の補充を制御する制御手段とをさら
に備えたことを特徴とするものである。
Further, the invention according to claim 11, claim
10. The substrate plating apparatus according to 10 , wherein concentration measuring means for measuring a concentration of an electrolytic solution flowing in the circulation path, an electrolytic solution storage tank arranged in the circulation path for storing an electrolytic solution, and the concentration measurement It further comprises control means for controlling replenishment of the electrolytic solution so that the concentration becomes constant based on the measurement result of the means.

【0021】また、請求項12に記載の発明は、請求項
11に記載の基板メッキ装置において、前記濃度測定手
段の結果に基づき行われる電解液の補充は、前記電解液
貯留タンクに対して行われるように構成されたことを特
徴とするものである。
The invention according to claim 12 is the following:
In the substrate plating apparatus described in 11 , the replenishment of the electrolytic solution performed based on the result of the concentration measuring means is configured to be performed to the electrolytic solution storage tank.

【0022】また、請求項13に記載の発明は、請求項
11に記載の基板メッキ装置において、前記濃度測定手
段の結果に基づき行われる電解液の補充は、前記循環路
に対して行われ、前記電解液貯留タンクより下流側の位
置に行われるように構成されたことを特徴とするもので
ある。
The invention according to claim 13 is the following:
11. In the substrate plating apparatus according to 11 , the replenishment of the electrolytic solution based on the result of the concentration measuring means is performed to the circulation path and is performed at a position downstream of the electrolytic solution storage tank. It is characterized by being done.

【0023】[0023]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。基板保持手段によって基板が保持され、その処理面
に対向する位置には板状部材が近接配置され、基板の処
理面と板状部材との間には供給手段から電解液が満たさ
れるように供給される。板状部材と基板保持手段には給
電手段によって給電される。基板は処理面が上方に向く
ように保持されているので、処理面に溝が形成されてい
る場合であっても、溝内の気泡が離脱しやすく、電気分
解によって発生した気体も自然に上方に向かって離脱
し、溝だけでなく処理面にもとどまり難くなる。また、
処理面に対向して近接配置された、基板とほぼ同じ大き
さの板状部材が電極となっているため、電極から処理面
までの距離を面内においてほぼ均一にできる。さらに、
基板保持手段および前記板状部材のうち少なくとも一方
を回転駆動することにより、処理面内における電流密度
にばらつきがあっても、その影響を小さくすることがで
きるとともに、中心側から周縁側に向かって遠心力によ
って電解液を円滑に流動させることができる。
The operation of the invention described in claim 1 is as follows. Held substrate by a substrate holding means, that is to a position opposed to the treated surface plate member disposed near the supply as the electrolytic solution is filled from the supply means between the treated surface and the plate-like member of the substrate To be done. Power is supplied to the plate member and the substrate holding means by the power supply means. Since the substrate is held with the treatment surface facing upwards, even when the treatment surface has a groove, bubbles in the groove are easily released and the gas generated by electrolysis naturally rises upward. It becomes difficult to stay on not only the groove but also the processing surface. Also,
Since the plate-like member, which is arranged close to the processing surface and has the same size as the substrate, serves as an electrode, the distance from the electrode to the processing surface can be made substantially uniform in the surface. further,
At least one of the substrate holding means and the plate-shaped member
The current density in the processing plane can be
Even if there are variations, it is possible to reduce the effect.
The centrifugal force from the center side to the peripheral side.
As a result, the electrolytic solution can be made to flow smoothly.

【0024】また、請求項2に記載の発明によれば、板
状部材のほぼ中央部にある供給口から電解液を供給する
ので、中心から周縁部に向かって電解液を円滑に流動さ
せることができる。
Further, according to the second aspect of the invention, since the electrolytic solution is supplied from the supply port at the substantially central portion of the plate-shaped member, the electrolytic solution can be smoothly flowed from the center toward the peripheral portion. You can

【0025】また、請求項に記載の発明によれば、駆
動手段により基板保持手段だけを回転駆動しても、処理
面内における電流密度のばらつきによる悪影響を抑制す
ることができるとともに、遠心力によって中心側から周
縁側に向かって電解液を円滑に流動させることができ
る。
Further, according to the invention described in claim 3 , even if only the substrate holding means is rotationally driven by the driving means, it is possible to suppress the adverse effect due to the variation of the current density in the processing surface, and to centrifugal force. With this, the electrolytic solution can smoothly flow from the center side to the peripheral side.

【0026】また、請求項に記載の発明によれば、駆
動手段により板状部材のみを回転駆動しても、処理面内
における電流密度のばらつきによる悪影響を抑制するこ
とができるとともに、遠心力によって中心側から周縁側
に向かって電解液を円滑に流動させることができる。
Further, according to the invention described in claim 4 , even if only the plate-like member is rotationally driven by the driving means, it is possible to suppress the adverse effect due to the dispersion of the current density in the processing surface, and to centrifugal force. With this, the electrolytic solution can smoothly flow from the center side to the peripheral side.

【0027】また、請求項に記載の発明によれば、駆
動手段によって基板保持手段と板状部材を共に回転駆動
すると、遠心力によって中心側から周縁側に向かって電
解液を円滑に流動させることができる。なお、共に回転
とは同方向あるいは逆方向を含むものである。
According to the fifth aspect of the present invention, when the driving means rotates the substrate holding means and the plate-like member together, the electrolytic solution smoothly flows from the center side to the peripheral side by the centrifugal force. be able to. In addition, both rotations include the same direction or the opposite direction.

【0028】また、請求項に記載の発明によれば、電
解液に付与した超音波振動によって基板の処理面に付着
している気泡や電気分解により発生した気体を容易に処
理面から離脱させることができる。
Further, according to the invention described in claim 6 , the bubbles adhered to the processing surface of the substrate and the gas generated by the electrolysis by the ultrasonic vibration applied to the electrolytic solution are easily separated from the processing surface. be able to.

【0029】また、その超音波振動の付与のさせ方とし
ては、超音波振動付与手段を供給手段に取り付け、流通
する電解液に超音波振動を付与してもよく(請求項
)、板状部材に超音波振動を付与する(請求項)よ
うにしてもよい。
As a method of applying the ultrasonic vibration, ultrasonic vibration applying means may be attached to the supplying means and ultrasonic vibration may be applied to the circulating electrolyte solution.
7 ), ultrasonic vibration may be applied to the plate member (claim 8 ).

【0030】また、請求項に記載の発明によれば、供
給手段から電解液を供給してメッキ処理を行った後、供
給手段から洗浄液を供給して洗浄処理を行うことがで
き、メッキ処理の後に必須の処理を基板を搬送すること
なく連続して行うことができる。
According to the invention described in claim 9 , after the electrolytic solution is supplied from the supplying means to perform the plating treatment, the cleaning liquid can be supplied from the supplying means to perform the cleaning treatment. After that, indispensable processing can be continuously performed without transporting the substrate.

【0031】また、請求項10に記載の発明によれば、
回収部材により飛散した電解液を回収し、再び循環路を
経て供給手段に送ることによって、電解液の利用効率を
高めることができる。
According to the invention described in claim 10 ,
The utilization efficiency of the electrolytic solution can be improved by collecting the scattered electrolytic solution by the collecting member and sending it again to the supply means via the circulation path.

【0032】また、請求項11に記載の発明によれば、
電解液貯留タンクから循環路に電解液を供給し、電解液
を循環させつつ多数の基板に対してメッキ処理を施すと
電解液の濃度が低下し、同じメッキ厚を得るために時間
がかかったり、同一時間だけメッキ処理を行うとメッキ
厚が薄くなる問題が生じる。そこで、制御手段が濃度測
定手段の測定結果に基づいて電解液の濃度が一定となる
ように電解液を補充するように制御するので、濃度変動
を抑制でき、上記のような不都合を回避することができ
る。
According to the invention described in claim 11 ,
If the electrolytic solution is supplied from the electrolytic solution storage tank to the circulation path and the plating process is performed on many substrates while circulating the electrolytic solution, the concentration of the electrolytic solution decreases, and it takes time to obtain the same plating thickness. However, if the plating process is performed for the same time, there arises a problem that the plating thickness becomes thin. Therefore, the control means controls so as to replenish the electrolytic solution so that the concentration of the electrolytic solution becomes constant based on the measurement result of the concentration measuring means, so that the concentration fluctuation can be suppressed and the above inconvenience can be avoided. You can

【0033】上記のような電解液の補充は、電解液貯留
タンクに行うようにしてもよく(請求項12)、循環路
で、かつ電解液貯留タンクより下流側の位置に行うよう
にしてもよい(請求項13)。特に、電解液貯留タンク
の下流側に補充する場合には、濃度変動が生じた場合に
迅速に元に戻すことができる。
The replenishment of the electrolytic solution as described above may be carried out in the electrolytic solution storage tank (claim 12 ), or may be carried out in the circulation path and at a position downstream of the electrolytic solution storage tank. Good (Claim 13 ). In particular, when replenishing on the downstream side of the electrolytic solution storage tank, it is possible to quickly restore the original when the concentration fluctuation occurs.

【0034】[0034]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。 <第1実施例> 図1は、本実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示
すブロック図である。基板保持機構1は、導電性の材料
で形成されており、メッキ処理の対象である半導体ウエ
ハなどの基板Wを、メッキ処理が施される処理面Wsを
上方に向けた状態(いわゆるフェイスアップ)で保持す
るものである。ベース部材3は、基板Wよりやや大径の
部材であり、その上面周辺部に基板Wの周縁部を当接支
持するための支持部5が複数個形成されている。各支持
部5は、その上部内側が基板Wの周縁部の形状に合わせ
て形成されている。なお、基板保持機構1は、本発明に
おける基板保持手段に相当する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. <First Embodiment> FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate plating apparatus according to the present embodiment. The substrate holding mechanism 1 is formed of a conductive material, and a substrate W such as a semiconductor wafer to be plated is in a state in which a processing surface Ws to be plated is directed upward (so-called face-up). It will be held in. The base member 3 is a member having a diameter slightly larger than that of the substrate W, and a plurality of supporting portions 5 for contacting and supporting the peripheral portion of the substrate W are formed on the peripheral portion of the upper surface thereof. The inside of the upper portion of each support portion 5 is formed in conformity with the shape of the peripheral portion of the substrate W. The substrate holding mechanism 1 corresponds to the substrate holding means in the present invention.

【0035】ベース部材3には、その下面中心部から下
方に突出した連結部7が形成されており、この部分に電
動モータ9の回転軸11が嵌入されて、電動モータ9に
連動連結されている。その連結部7には、外周面に摺動
する給電ブラシ13から給電されるようになっている。
なお、回転軸11は絶縁部11aによって上部と下部が
電気的に絶縁されており、給電ブラシ13からの給電が
電動モータ9に影響しないように構成されている。
A connecting portion 7 is formed on the base member 3 so as to project downward from the center of the lower surface of the base member 3. A rotary shaft 11 of an electric motor 9 is fitted into this portion and is interlocked with the electric motor 9. There is. Power is supplied to the connecting portion 7 from a power supply brush 13 sliding on the outer peripheral surface.
The upper part and the lower part of the rotating shaft 11 are electrically insulated by the insulating part 11 a, and the rotating shaft 11 is configured so that the power feeding from the power feeding brush 13 does not affect the electric motor 9.

【0036】基板保持機構1の上方には、ベース部材3
とほぼ同じ大きさでそれとほぼ平行に、導電性材料(例
えば、電解液が硫酸銅メッキ液の場合には銅、白金、チ
タン、あるいはこれらの合金など)で形成された板状部
材15が配設されている。この板状部材15の下面周辺
部には、基板保持機構1の支持部5と同形状の押圧部1
7が複数個配設されている。但し、押圧部17は絶縁性
の上部17aと、導電性の下部17bによって構成さ
れ、下部17bの下部内側は基板Wの周縁部の形状に合
わせて形成されている。なお、板状部材15の下面と、
支持部5に支持された基板Wの処理面Wsとの間隔d
は、電解液を少なくして処理可能であることや電解液の
液密が保持しやすいことなどの理由から近接するように
狭く設定する方が良いが、その具体的な値は、例えば、
0.5〜5mm程度である。
Above the substrate holding mechanism 1, a base member 3 is provided.
A plate-like member 15 formed of a conductive material (for example, copper, platinum, titanium, or an alloy thereof when the electrolytic solution is a copper sulfate plating solution) is arranged substantially in the same size as and in parallel therewith. It is set up. The pressing portion 1 having the same shape as the supporting portion 5 of the substrate holding mechanism 1 is provided around the lower surface of the plate member 15.
A plurality of 7 are arranged. However, the pressing portion 17 is composed of an insulating upper portion 17a and a conductive lower portion 17b, and the inside of the lower portion 17b is formed in conformity with the shape of the peripheral portion of the substrate W. In addition, the lower surface of the plate member 15,
Distance d between the processing surface Ws of the substrate W supported by the supporting portion 5
Is better to be set narrower so as to be close to each other for the reason that it is possible to process with a small amount of electrolytic solution and that the liquid tightness of the electrolytic solution is easy to maintain, but its specific value is, for example,
It is about 0.5 to 5 mm.

【0037】板状部材15の上面中心部から上方に突出
形成された連結部19は、絶縁部21を介して電動モー
タ23の回転軸25に連動連結されている。板状部材1
5の下面中心部には供給口15aが形成されており、電
動モータ23の上方に貫通した回転軸25に取り付けら
れた加振部27を経て供給される電解液(例えば、硫酸
銅メッキ液)を、基板保持機構1に保持された基板Wに
対して供給するようになっている。加振部27は、超音
波振動子27aを内蔵しており、高周波を供給する超音
波振動用電源29によって超音波振動子27aを振動さ
せ、電解液に超音波振動を付与する。また、板状部材1
5には、その連結部19から給電ブラシ31を介して給
電されるようになっている。なお、加振部27は、本発
明の超音波振動付与手段に相当する。
The connecting portion 19 formed so as to project upward from the central portion of the upper surface of the plate member 15 is interlockingly connected to the rotary shaft 25 of the electric motor 23 via the insulating portion 21. Plate-shaped member 1
A supply port 15a is formed in the central portion of the lower surface of No. 5, and an electrolytic solution (for example, copper sulfate plating solution) is supplied through a vibration unit 27 attached to a rotary shaft 25 penetrating above the electric motor 23. Are supplied to the substrate W held by the substrate holding mechanism 1. The vibrating unit 27 has a built-in ultrasonic vibrator 27a, and vibrates the ultrasonic vibrator 27a by an ultrasonic vibration power supply 29 that supplies a high frequency to apply ultrasonic vibration to the electrolytic solution. In addition, the plate-shaped member 1
Power is supplied to 5 from the connecting portion 19 via a power supply brush 31. The vibrating section 27 corresponds to the ultrasonic vibration applying means of the present invention.

【0038】上述した給電ブラシ13,31は、それぞ
れ電源ユニット33に接続されており、給電ブラシ13
に負極側が、給電ブラシ31に正極側が接続されてい
る。したがって、基板Wの処理面Wsは、給電ブラシ1
3と、連結部7と、ベース部材3と、支持部5と、押圧
部17の下部17bを介して陰極となり、処理面Wsに
対向している板状部材15は、給電ブラシ31と、連結
部19とを介して陽極となる。なお、給電ブラシ13,
31と電源ユニット33が本発明の給電手段に相当す
る。
The power supply brushes 13 and 31 described above are connected to the power supply unit 33, respectively, and
Is connected to the negative electrode side, and the power feeding brush 31 is connected to the positive electrode side. Therefore, the processing surface Ws of the substrate W is
3, the connecting part 7, the base member 3, the supporting part 5, and the lower part 17b of the pressing part 17 serve as a cathode, and the plate-shaped member 15 facing the processing surface Ws is connected to the power feeding brush 31. It becomes an anode via the part 19. The power supply brush 13,
31 and the power supply unit 33 correspond to the power feeding means of the present invention.

【0039】基板保持機構1の周囲には、供給口15a
から供給され、遠心力によって周囲に飛散した電解液を
受け止めて回収するための回収部材となるスプラッシュ
ガード35が配設されている。このスプラッシュガード
35は、基板保持機構1に対して昇降するように構成さ
れている。
A supply port 15a is provided around the substrate holding mechanism 1.
A splash guard 35, which serves as a recovery member for receiving and recovering the electrolytic solution supplied from the above and scattered around by the centrifugal force, is provided. The splash guard 35 is configured to move up and down with respect to the substrate holding mechanism 1.

【0040】電解液を貯留している電解液貯留タンク3
7は、電解液を送り出す循環ポンプ39と、電解液中の
パーティクルなどを除去するフィルタ41と、電解液の
濃度を検出する濃度センサ43(濃度測定手段)と、濃
度調整のための補充液を注入するためのミキシングバル
ブ45と、開閉操作弁47とを介して循環路49により
加振部27の供給路27b(供給手段)に連通してい
る。電解液は、開閉操作弁47を開放するとともに循環
ポンプ39を作動することによって、電解液貯留タンク
37から供給路27bに供給され、加振部27で超音波
振動が付与されて処理面Wsに供給されるようになって
いる。また、スプラッシュガード35と電解液貯留タン
ク37とは、開閉操作弁51を介して連通しており、飛
散した電解液を回収するようになっている。さらに、ス
プラッシュガード35には、開閉操作弁53を介してド
レインにも連通している。これらの開閉操作弁51,5
3の開閉操作により、スプラッシュガード35に受け止
めた液体を回収したり、廃棄したりするようになってい
る。なお、これらの開閉操作弁51,53の開閉動作
は、後述する制御部55によって制御される。
Electrolyte storage tank 3 for storing electrolyte
Reference numeral 7 denotes a circulation pump 39 for sending out the electrolytic solution, a filter 41 for removing particles and the like in the electrolytic solution, a concentration sensor 43 (concentration measuring means) for detecting the concentration of the electrolytic solution, and a replenisher for concentration adjustment. A circulation path 49 communicates with a supply path 27b (supply means) of the vibration unit 27 via a mixing valve 45 for injecting and an opening / closing operation valve 47. The electrolytic solution is supplied from the electrolytic solution storage tank 37 to the supply path 27b by opening the open / close operation valve 47 and operating the circulation pump 39, and ultrasonic vibration is applied by the vibrating unit 27 to the processing surface Ws. It is being supplied. Further, the splash guard 35 and the electrolytic solution storage tank 37 are in communication with each other via the opening / closing operation valve 51, and collect the scattered electrolytic solution. Further, the splash guard 35 is also in communication with the drain via the opening / closing operation valve 53. These open / close operation valves 51, 5
The liquid received in the splash guard 35 is collected or discarded by the opening / closing operation of 3. The opening / closing operation of these opening / closing operation valves 51, 53 is controlled by the control unit 55 described later.

【0041】濃度センサ43で検出された濃度信号は、
制御部55に与えられる。制御部55は、循環路49を
流通している電解液の濃度を一定に保持するように補充
部57を制御する。補充部57は、補充液(例えば、硫
酸銅メッキ液の場合には硫酸銅)を貯留している補充液
供給源59と、制御部55の制御により補充液を送り出
すポンプ61と、補充液中のパーティクルなどを除去す
るためのフィルタ63とから構成されている。フィルタ
63を流通した補充液は、ミキシングバルブ45によっ
て循環路49を流通している電解液に注入される。この
ように濃度センサ43の濃度信号に基づいて補充液が循
環路49に直接補充されるので、基板Wへ供給する電解
液の濃度をほぼ一定にすることができる。なお、電解液
を送り出す方式として、ポンプ61を用いることなく、
補充液供給源59の内部を加圧して供給する方式を採用
してもよい。
The density signal detected by the density sensor 43 is
It is given to the control unit 55. The control unit 55 controls the replenishment unit 57 so that the concentration of the electrolytic solution flowing through the circulation path 49 is kept constant. The replenishing unit 57 includes a replenishing liquid supply source 59 that stores a replenishing liquid (for example, copper sulfate in the case of a copper sulfate plating liquid), a pump 61 that sends out the replenishing liquid under the control of the control unit 55, and a replenishing liquid And a filter 63 for removing particles and the like. The replenisher flowing through the filter 63 is injected into the electrolyte flowing through the circulation path 49 by the mixing valve 45. In this way, the replenisher is directly replenished to the circulation path 49 based on the concentration signal of the concentration sensor 43, so that the concentration of the electrolyte supplied to the substrate W can be made substantially constant. In addition, as a method for sending out the electrolytic solution, without using the pump 61,
A method of pressurizing and supplying the inside of the replenisher supply source 59 may be adopted.

【0042】供給路27bと開閉操作弁47との間の循
環路49には、開閉操作弁65が取り付けられている。
この開閉操作弁65には、洗浄液(例えば、純水)を供
給するための洗浄液供給源67が連通接続されている。
したがって、開閉操作弁47,65の開閉操作によっ
て、電解液または洗浄液を選択的に供給することができ
るように構成されている。
An open / close operation valve 65 is attached to a circulation path 49 between the supply path 27b and the open / close operation valve 47.
A cleaning liquid supply source 67 for supplying a cleaning liquid (for example, pure water) is connected to the opening / closing operation valve 65 so as to communicate therewith.
Therefore, the electrolytic solution or the cleaning liquid can be selectively supplied by opening / closing the opening / closing operation valves 47, 65.

【0043】制御部55は、駆動手段に相当する電動モ
ータ9,23と、超音波振動用電源29と、電源ユニッ
ト33と、開閉操作弁47,51,53,65と、循環
ポンプ39と、ポンプ61と、スプラッシュガード35
の昇降機構(図示省略)と、板状部材15の移動機構
(図示省略)とを統括制御するようになっている。
The control section 55 includes electric motors 9 and 23 corresponding to driving means, an ultrasonic vibration power source 29, a power source unit 33, opening / closing operation valves 47, 51, 53 and 65, a circulation pump 39, Pump 61 and splash guard 35
The lifting mechanism (not shown) and the moving mechanism (not shown) for the plate-shaped member 15 are integrally controlled.

【0044】次に、図1および図2を参照しつつ上記の
ように構成されている基板メッキ装置の動作について説
明する。なお、説明の都合上、初期状態では開閉操作弁
47,51,53,65が閉止されているものとする。
Next, the operation of the substrate plating apparatus configured as described above will be described with reference to FIGS. For convenience of explanation, it is assumed that the opening / closing operation valves 47, 51, 53, 65 are closed in the initial state.

【0045】まず、制御部55は、板状部材15の移動
機構(図示省略)を制御し、板状部材15を基板保持機
構1の側方に移動して、基板保持機構1の上方に、基板
搬送アーム(図示省略)が進入できるようにしておく
(図2(a))。
First, the control unit 55 controls the moving mechanism (not shown) of the plate-shaped member 15 to move the plate-shaped member 15 to the side of the substrate holding mechanism 1 and above the substrate holding mechanism 1. A substrate transfer arm (not shown) is allowed to enter (FIG. 2A).

【0046】次に、制御部55は、図示しない基板搬送
アームを制御して、基板Wの処理面Wsが上方に向くよ
うに基板Wを支持部5に載置する(図2(b))。
Next, the controller 55 controls a substrate transfer arm (not shown) to place the substrate W on the support 5 so that the processing surface Ws of the substrate W faces upward (FIG. 2 (b)). .

【0047】図示しない基板搬送アームが退避した後、
板状部材15の移動機構(図示省略)を制御して、板状
部材15を基板保持機構1の直上に移動し、板状部材1
5の押圧部17が基板Wの周縁部を押圧するように板状
部材15を下降する(図2(c))。そして、スプラッ
シュガード35を上昇させて、基板保持機構1の周囲を
囲う。
After the substrate transfer arm (not shown) is retracted,
By controlling the moving mechanism (not shown) of the plate-shaped member 15, the plate-shaped member 15 is moved to directly above the substrate holding mechanism 1, and the plate-shaped member 1 is moved.
The pressing member 17 of 5 moves down the plate member 15 so as to press the peripheral portion of the substrate W (FIG. 2C). Then, the splash guard 35 is raised to surround the substrate holding mechanism 1.

【0048】はじめに、開閉操作弁53,65を開放
し、洗浄液(例えば、純水)を供給口15aから供給し
て前洗浄処理を行う。なお、このとき超音波振動を付与
するようにしてもよい。一定時間前洗浄処理を施した
後、開閉操作弁53,65を閉止する。
First, the opening / closing operation valves 53 and 65 are opened, and the cleaning liquid (for example, pure water) is supplied from the supply port 15a to perform the pre-cleaning process. At this time, ultrasonic vibration may be applied. After performing the pre-cleaning process for a certain period of time, the opening / closing operation valves 53 and 65 are closed.

【0049】次に、開閉操作弁47,51を開放すると
ともに循環ポンプ39を作動させ、電解液貯留タンク3
7の電解液LQを循環路49に送り出す。さらに、超音
波振動用電源29をオン状態として供給路27bに供給
される電解液LQに超音波振動を付与し、超音波振動が
付与された電解液LQを供給口15aから基板Wの処理
面Wsに供給する。基板Wは処理面Wsが上方に向くよ
うにフェイスアップで保持されているので、処理面Ws
に溝が形成されていたとしても気泡は自然に離脱し、よ
り離脱しにくい構造の部分に気泡が付着していても超音
波振動を付与している関係上、このような気泡も処理面
Wsから容易に離脱し、処理面Wsの表面全体を完全に
電解液LQで覆うことができる。処理面Wsに供給され
た電解液LQは、処理面Wsと板状部材15との間隔d
を満たしつつ複数個の押圧部17の間を通って周囲に漏
れ出る。また、漏れ出た電解液LQは、スプラッシュガ
ード35によって受け止められるとともに電解液貯留タ
ンク37に回収され、再び循環路49を経て供給される
ので、利用効率を高めることができる。なお、電解液L
Qが漏れ出る速度を遅くして間隔dの液密を高めるため
に、各押圧部材17の間に抵抗となる部材を配設するよ
うにしてもよい。
Next, the opening / closing operation valves 47 and 51 are opened and the circulation pump 39 is operated to make the electrolyte solution storage tank 3
The electrolytic solution LQ of No. 7 is sent to the circulation path 49. Further, the ultrasonic vibration power source 29 is turned on to apply ultrasonic vibration to the electrolytic solution LQ supplied to the supply path 27b, and the electrolytic solution LQ to which ultrasonic vibration is applied is supplied from the supply port 15a to the processing surface of the substrate W. Supply to Ws. Since the substrate W is held face up so that the processing surface Ws faces upward, the processing surface Ws
Even if a groove is formed in the bubble, the bubble spontaneously separates, and even if the bubble adheres to the part of the structure that is more difficult to separate, ultrasonic vibration is applied to such a bubble. It is possible to easily separate from the processing surface Ws and completely cover the entire surface of the processing surface Ws with the electrolytic solution LQ. The electrolytic solution LQ supplied to the processing surface Ws has a distance d between the processing surface Ws and the plate member 15.
While leaking to the surroundings through the space between the plurality of pressing portions 17. Further, the leaked electrolytic solution LQ is received by the splash guard 35, is recovered in the electrolytic solution storage tank 37, and is supplied again via the circulation path 49, so that the utilization efficiency can be improved. The electrolytic solution L
A member serving as a resistance may be arranged between the pressing members 17 in order to reduce the speed at which Q leaks out and increase the liquid tightness of the interval d.

【0050】処理面Wsと板状部材15との間隔dが電
解液LQによって完全に満たされた時点で、制御部55
は電動モータ9,23をそれぞれ同じ回転数(例えば、
数十rpm程度の低速度)で駆動するともに、電源ユニ
ット33をオン状態にする(図2(d))。これにより
処理面Wsは陰極に、板状部材15は陽極になり、間隔
dを満たしている電解液LQが電気分解され、例えば、
電解液LQが硫酸銅メッキ液である場合には処理面Ws
に銅が析出してメッキ処理が施される。この過程で、電
気分解によって発生した気体も上方に向かって自然に離
脱し、溝だけでなく処理面Wsにも気泡がとどまり難く
することができる。したがって、気体が良好に抜け、図
8(b)に示したようなボイドVの発生を防止すること
ができる。また、供給口15aから間隔dに供給された
電解液LQは、遠心力によって中心部から周縁部に流動
するので、電解液LQを中心部から周縁部に向かって円
滑に流すことができる。したがって、電解液LQの流動
ムラに起因するメッキ層のムラを防止できる。
When the distance d between the processing surface Ws and the plate member 15 is completely filled with the electrolytic solution LQ, the controller 55
Means that the electric motors 9 and 23 have the same rotation speed (for example,
It is driven at a low speed of about several tens of rpm) and the power supply unit 33 is turned on (FIG. 2 (d)). As a result, the treated surface Ws becomes a cathode, the plate member 15 becomes an anode, and the electrolytic solution LQ that fills the space d is electrolyzed.
When the electrolytic solution LQ is a copper sulfate plating solution, the treated surface Ws
Copper is deposited on and plated. In this process, the gas generated by the electrolysis spontaneously separates upward, and it is possible to make it difficult for the bubbles to remain not only in the groove but also in the processing surface Ws. Therefore, the gas is satisfactorily released and the generation of the void V as shown in FIG. 8B can be prevented. Further, since the electrolytic solution LQ supplied from the supply port 15a at the interval d flows from the central portion to the peripheral portion due to the centrifugal force, the electrolytic solution LQ can smoothly flow from the central portion to the peripheral portion. Therefore, it is possible to prevent unevenness of the plating layer due to uneven flow of the electrolytic solution LQ.

【0051】また、処理面Wsに対向して近接配置さ
れ、処理面Wsとほぼ同じ大きさの板状部材15を電極
としているため、電極から処理面Wsまでの距離(間隔
d)を面内においてほぼ均一にできる。したがって、電
流密度を処理面Wsの全体にわたってほぼ均一にするこ
とができ、メッキ層の均一性を向上することができる。
Further, since the plate-like member 15 having a size substantially the same as that of the processing surface Ws is used as an electrode, which is disposed close to the processing surface Ws, the distance (interval d) from the electrode to the processing surface Ws is within the surface. Can be made almost uniform at. Therefore, the current density can be made substantially uniform over the entire treated surface Ws, and the uniformity of the plated layer can be improved.

【0052】さらに、濃度センサ43の濃度信号に基づ
き補充液供給源59から補充液が循環路49に注入され
て電解液LQの濃度が調整されるので、電解液LQの濃
度を一定化でき、長期間にわたって安定した処理が可能
である。また、その補充箇所は、電解液貯留タンク37
よりも下流側であるため濃度変動が生じた場合に迅速に
元に戻すことができ、より安定した処理が可能である。
Further, since the replenishing liquid is injected from the replenishing liquid supply source 59 into the circulation path 49 based on the concentration signal of the concentration sensor 43 to adjust the concentration of the electrolytic solution LQ, the concentration of the electrolytic solution LQ can be made constant. Stable treatment is possible over a long period of time. In addition, the replenishment location is the electrolytic solution storage tank 37.
Since it is on the downstream side, it can be quickly returned to its original state when a concentration change occurs, and more stable processing is possible.

【0053】上記のように電解液LQを供給しつつ給電
した状態を一定時間(例えば、5,6分間)保持した
後、洗浄処理に移る。具体的には、超音波振動用電源2
9と電源ユニット33をオフ状態とし、循環ポンプ39
を停止し、開閉操作弁47,51を閉止する。そして、
開閉操作弁53,65を開放し、洗浄液(例えば、純
水)を供給口15aから供給して後洗浄処理を行う。な
お、このとき超音波振動を付与するようにしてもよい。
一定時間後洗浄処理を施した後、開閉操作弁53,65
を閉止し、電動モータ9を高速回転させて基板Wを液切
り乾燥する。以上の一連の処理によって基板Wに対する
メッキ処理が完了する。
After the state in which the electrolytic solution LQ is supplied and the power is supplied as described above is maintained for a certain time (for example, 5 or 6 minutes), the cleaning process is started. Specifically, the ultrasonic vibration power source 2
9 and the power supply unit 33 are turned off, and the circulation pump 39
And the on-off operation valves 47, 51 are closed. And
The opening / closing operation valves 53 and 65 are opened, and the cleaning liquid (for example, pure water) is supplied from the supply port 15a to perform the post-cleaning process. At this time, ultrasonic vibration may be applied.
After performing a cleaning process after a certain period of time, open / close operation valves 53, 65
Is closed and the electric motor 9 is rotated at a high speed to drain and dry the substrate W. The plating process on the substrate W is completed by the series of processes described above.

【0054】なお、洗浄液や電解液などの処理液の種類
に応じてドレインへ分離回収することもできる。
Incidentally, it is also possible to separate and collect in the drain according to the kind of the processing liquid such as the cleaning liquid and the electrolytic liquid.

【0055】<第2実施例> 図3は、本実施例装置の概略構成を示すブロック図であ
る。なお、上述した第1実施例装置と同じ構成のものに
は同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
<Second Embodiment> FIG. 3 is a block diagram showing the schematic arrangement of the apparatus of this embodiment. The same components as those of the above-described first embodiment device are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0056】基板保持機構1は、そのベース部材3の上
面周辺部に円柱状の支持ピン71が取り付けられてい
る。各支持ピン71は、偏心した鉛直向きの回転軸芯P
周りに回転可能に構成されており、軸芯Pから離れた外
周部には基板Wの周縁部を係止するための凹部71aが
形成されている。また、支持ピン71は、その凹部71
aの天井面だけが給電ブラシ13と導通するようになっ
ており、基板Wの処理面Wsだけに通電できるようにな
っている。
The substrate holding mechanism 1 has a cylindrical support pin 71 attached to the peripheral portion of the upper surface of the base member 3. Each support pin 71 has an eccentric vertical axis P of rotation.
It is configured to be rotatable around, and a recess 71a for locking the peripheral edge of the substrate W is formed on the outer peripheral portion away from the axis P. In addition, the support pin 71 has a concave portion 71.
Only the ceiling surface of a is electrically connected to the power feeding brush 13, and only the processing surface Ws of the substrate W can be energized.

【0057】板状部材15は、後述する理由によりその
直径が基板Wの直径よりもやや小さく形成されており、
その連結部19が位置固定となっている。板状部材15
の上面には、加振部27が取り付けられているが、給電
の関係上、超音波振動子27aが絶縁体27bを介して
取り付けられている。また、電源ユニット33の正極側
が板状部材15の上面に直接的に接続されている。
The plate-shaped member 15 is formed so that its diameter is slightly smaller than the diameter of the substrate W for the reason described below.
The connecting portion 19 is fixed in position. Plate member 15
The vibrating portion 27 is attached to the upper surface of the above, but an ultrasonic transducer 27a is attached via an insulator 27b for the purpose of power feeding. The positive electrode side of the power supply unit 33 is directly connected to the upper surface of the plate member 15.

【0058】また、電解液の濃度を調整するための補充
部57は、その補充液の補充箇所が循環路49ではな
く、電解液貯留タンク37となっている。
Further, in the replenishing portion 57 for adjusting the concentration of the electrolytic solution, the replenishing portion of the replenishing solution is not the circulation path 49 but the electrolytic solution storage tank 37.

【0059】次に、図1及び図4を参照しつつ第2実施
例装置の動作について説明する。
Next, the operation of the apparatus of the second embodiment will be described with reference to FIGS.

【0060】制御部55は、板状部材15の移動機構
(図示省略)を制御し、板状部材15を基板保持機構1
の側方に移動して、基板搬送アーム(図示省略)が進入
できるようにするとともに、凹部71aが側方に向くよ
うに支持ピン71を軸芯P周りで回転させて基板Wを受
け入れられる状態にする(図4(a))。
The control unit 55 controls a moving mechanism (not shown) for the plate-shaped member 15 to move the plate-shaped member 15 to the substrate holding mechanism 1.
A state in which the substrate W can be received by moving the support pins 71 around the axis P so that the substrate transfer arm (not shown) can enter and the recess 71a faces the side. (FIG. 4 (a)).

【0061】次に、制御部55は、図示しない基板搬送
アームを制御して、基板Wの処理面Wsが上方に向くよ
うに支持した状態で基板搬送アームを進入させ、基板W
の周縁部と凹部71aが一致する高さにまで下降する。
そして、支持ピン71を軸芯P周りに回転させて基板W
の周縁部を複数カ所で係止するとともに、基板搬送アー
ムを退避させる(図4(b))。
Next, the control unit 55 controls a substrate transfer arm (not shown) so that the substrate transfer arm is advanced with the processing surface Ws of the substrate W being supported so as to face upward, and the substrate W is moved.
The peripheral edge and the concave portion 71a are lowered to the same height.
Then, the support pin 71 is rotated about the axis P to rotate the substrate W.
The peripheral part of the substrate is locked at a plurality of points and the substrate transfer arm is retracted (FIG. 4 (b)).

【0062】板状部材15の移動機構(図示省略)を制
御して、板状部材15を基板保持機構1の直上に移動
し、板状部材15の下面と処理面Wsとが近接する下降
する。具体的には、一定の距離(間隔d)になるように
板状部材15を下降する(図4(c))。そして、スプ
ラッシュガード35を上昇させて、基板保持機構1の周
囲を囲う。
By controlling the moving mechanism (not shown) of the plate-shaped member 15, the plate-shaped member 15 is moved to directly above the substrate holding mechanism 1, and the lower surface of the plate-shaped member 15 and the processing surface Ws descend close to each other. . Specifically, the plate-shaped member 15 is moved down so as to have a constant distance (interval d) (FIG. 4 (c)). Then, the splash guard 35 is raised to surround the substrate holding mechanism 1.

【0063】はじめに、開閉操作弁53,65を開放
し、洗浄液(例えば、純水)を供給口15aから供給し
て前洗浄処理を行う。なお、このとき超音波振動を付与
するようにしてもよい。一定時間前洗浄処理を施した
後、開閉操作弁53,65を閉止する。
First, the opening / closing operation valves 53 and 65 are opened, and the cleaning liquid (for example, pure water) is supplied from the supply port 15a to perform the pre-cleaning process. At this time, ultrasonic vibration may be applied. After performing the pre-cleaning process for a certain period of time, the opening / closing operation valves 53 and 65 are closed.

【0064】次に、電解液LQを循環路49に送り出
し、超音波振動用電源29をオン状態として板状部材1
5に超音波振動を付与し、処理面Wsと板状部材15の
下面との間に供給された電解液LQに超音波振動を付与
する。基板Wは処理面Wsが上方に向くようにフェイス
アップで保持されているので、気泡は自然に離脱すると
ともに超音波振動の効果も相まって処理面Wsの表面全
体を完全に電解液LQで覆うことができる。処理面Ws
に供給された電解液LQは、複数個の支持ピン71の間
を通って周囲に流れ出る。また、流れ出た電解液LQ
は、スプラッシュガード25によって受け止められて回
収される。なお、電解液LQが漏れ出る速度を遅くして
間隔dの液密を高めるために、各支持ピン71の間に抵
抗となる部材を配設するようにしてもよい。
Next, the electrolytic solution LQ is sent to the circulation path 49, the ultrasonic vibration power source 29 is turned on, and the plate member 1 is turned on.
5, ultrasonic vibration is applied to the electrolytic solution LQ supplied between the processing surface Ws and the lower surface of the plate member 15. Since the substrate W is held face-up so that the treatment surface Ws faces upward, the bubbles naturally disengage and the effect of ultrasonic vibration is also combined to completely cover the entire surface of the treatment surface Ws with the electrolytic solution LQ. You can Treatment surface Ws
The electrolytic solution LQ supplied to the battery passes between the plurality of support pins 71 and flows out to the surroundings. Also, the electrolytic solution LQ that has flowed out
Are received and collected by the splash guard 25. In addition, in order to reduce the leak rate of the electrolytic solution LQ and increase the liquid tightness of the interval d, a member serving as a resistance may be arranged between the support pins 71.

【0065】処理面Wsと板状部材15との間隔dが電
解液LQによって完全に満たされた時点で、制御部55
は電動モータ9を低速回転させるとともに、電源ユニッ
ト33をオン状態にする(図4(d))。これにより処
理面Wsは陰極に、板状部材15は陽極になり、処理面
Wsにメッキ処理が施される。この過程で、電気分解に
よって発生した気体も上方に向かって自然に離脱し、溝
だけでなく処理面Wsにも気泡がとどまり難くすること
ができることなどの効果は、上述した実施例と同様であ
るが、基板保持機構1だけを回転させればよいので上述
した第1実施例装置よりも簡易な構成とすることができ
る。また、このように板状部材15を回転させると、処
理面Wsとの間に電流密度の不均一のあったとしてもそ
の影響が及ぶことを抑制することができる。また、この
後の洗浄処理などの動作は上記実施例と同様である。
At the time when the distance d between the processing surface Ws and the plate member 15 is completely filled with the electrolytic solution LQ, the control unit 55.
Rotates the electric motor 9 at a low speed and turns on the power supply unit 33 (FIG. 4 (d)). As a result, the treated surface Ws becomes a cathode and the plate member 15 becomes an anode, and the treated surface Ws is plated. In this process, the gas generated by the electrolysis spontaneously departs upward, and it is possible to make it difficult for the bubbles to stay not only in the groove but also in the processing surface Ws, which is similar to the above-described embodiment. However, since only the substrate holding mechanism 1 needs to be rotated, the configuration can be simpler than that of the first embodiment device described above. In addition, by rotating the plate member 15 in this manner, it is possible to suppress the influence of the unevenness in the current density between the processing surface Ws and the processing surface Ws. The operations such as the cleaning process thereafter are the same as those in the above embodiment.

【0066】ところで、板状部材15の直径が基板Wの
直径より大きい場合には、図5(a)に示すように基板
Wの処理面Wsの周縁部側にメッキ層PLが厚く形成さ
れる『端効果』が生じ易い。これは給電の関係上、電流
が処理面Wsの中心部側と板状部材15の対向面との経
路に流れるよりも処理面Wsの周縁部側と板状部材15
の対向面との経路へ流れやすいことから、周縁部側の電
流密度が高まって生じる。したがって、本実施例のよう
に板状部材15の直径を基板Wの直径よりもやや小さく
することにより、処理面Wsの中心部側と周縁部側との
電流密度のバランスをとることができ、『端効果』を抑
制して均一性良くメッキ層PLを形成することができる
(図5(b))。また、図5(b)に点線で示すよう
に、板状部材15の周縁部側における処理面Wsとの間
隔が中心部側よりも長くなるようにしても同様の効果を
得ることができる。
By the way, when the diameter of the plate member 15 is larger than the diameter of the substrate W, the plating layer PL is thickly formed on the peripheral side of the processing surface Ws of the substrate W as shown in FIG. 5A. "End effect" is likely to occur. In terms of power supply, this is because the electric current flows in the path between the center side of the processing surface Ws and the facing surface of the plate-shaped member 15 and the peripheral side of the processing surface Ws and the plate-shaped member 15.
The current density on the side of the peripheral portion is increased because the current easily flows to the path facing the opposite surface. Therefore, by making the diameter of the plate member 15 slightly smaller than the diameter of the substrate W as in this embodiment, it is possible to balance the current densities of the central portion and the peripheral portion of the processing surface Ws. The "edge effect" can be suppressed and the plating layer PL can be formed with good uniformity (FIG. 5B). Further, as shown by a dotted line in FIG. 5B, the same effect can be obtained even if the distance between the peripheral surface of the plate member 15 and the processing surface Ws is longer than that of the central portion.

【0067】なお、上述した第1実施例および第2実施
例の説明では、メッキ処理の間中、超音波振動を付与す
るようにしているが、メッキ層が付着しにくい処理面で
ある場合には、給電する直前まで超音波振動を付与し、
給電して電気分解が始まってからは超音波振動を付与し
ないようにしてもよい。また、電気分解によって発生し
た気体を効率よく離脱させるため、給電と超音波振動の
付与を交互に繰り返すようにしてもよい。
In the above description of the first and second embodiments, ultrasonic vibration is applied during the plating process. However, in the case where the plating layer is difficult to adhere to the treated surface, Gives ultrasonic vibration until just before power is supplied,
Ultrasonic vibration may not be applied after power is supplied to start electrolysis. Further, in order to efficiently separate the gas generated by the electrolysis, the feeding and the application of ultrasonic vibration may be alternately repeated.

【0068】<変形例> 上述した第1実施例装置では板状部材15と基板保持機
構1とを同時に回転させる構成とし、第2実施例装置で
は基板保持機構1だけを回転させるように構成したが、
図6に示すように構成してもよい。
<Modification> In the apparatus of the first embodiment described above, the plate member 15 and the substrate holding mechanism 1 are rotated simultaneously, and in the apparatus of the second embodiment, only the substrate holding mechanism 1 is rotated. But,
You may comprise as shown in FIG.

【0069】すなわち、基板Wの直径よりもやや小径の
板状部材15を電動モータ23(駆動手段)によって回
転可能に取り付け、回転可能に構成されている基板保持
機構1を回転させることなく板状部材15だけを低速回
転させつつ電解液LQを処理面Wsに供給する。このよ
うに構成して、上部の板状部材15だけを回転させつつ
メッキ処理を施しても上述した実施例装置と同様の効果
を得ることができる。
That is, the plate-like member 15 having a diameter slightly smaller than the diameter of the substrate W is rotatably attached by the electric motor 23 (driving means), and the plate-like member 15 is rotatably constituted without rotating the substrate holding mechanism 1. The electrolytic solution LQ is supplied to the processing surface Ws while rotating only the member 15 at a low speed. With this configuration, even if only the upper plate-shaped member 15 is rotated and the plating process is performed, the same effects as those of the above-described apparatus can be obtained.

【0070】なお、電動モータ9と電動モータ23とを
互いに逆方向に回転させて、板状部材15と基板保持機
構1とを反対に回転させるようにしてもよい。
It should be noted that the electric motor 9 and the electric motor 23 may be rotated in opposite directions, and the plate member 15 and the substrate holding mechanism 1 may be rotated in opposite directions.

【0072】なお、上述した各装置は、板状部材15の
中央部に形成した供給口15aから電解液を供給するよ
うに構成されているが、供給口15aを中心からずらし
た位置に形成してもよく、また複数個の供給口15aを
形成するようにしてもよい。さらに、板状部材15とは
別体の供給手段を配設して電解液を処理面Wsに供給す
るように構成してもよい。
Although each of the above-described devices is configured to supply the electrolytic solution from the supply port 15a formed in the central portion of the plate member 15, the supply port 15a is formed at a position displaced from the center. Alternatively, a plurality of supply ports 15a may be formed. Further, a supply means separate from the plate member 15 may be provided to supply the electrolytic solution to the processing surface Ws.

【0073】[0073]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、基板の処理面を上向きにして
保持するようにしたので、気泡が離脱しやすく、電気分
解によって発生した気体も上方に向かって自然に離脱
し、溝だけでなく処理面にも気泡がとどまり難くするこ
とができる。したがって、気体が良好に抜けてボイドの
発生を防止することができる。また、処理面に対向して
配置された板状部材を電極とし、電極から処理面までの
距離を面内においてほぼ均一にしているので、電流密度
を処理面の全体にわたってほぼ均一にすることができ
る。したがって、メッキ層の均一性を向上することがで
きる。さらに、処理面内における電流密度にばらつきが
あっても、その影響を小さくすることができるととも
に、遠心力によって中心側から周縁側に向かって電解液
を円滑に流動させることができるので、メッキ層の均一
性をより向上することができる。
As is apparent from the above description, according to the invention as set forth in claim 1, since the processing surface of the substrate is held upward, bubbles are easily released and are generated by electrolysis. The generated gas naturally escapes upward, and it is possible to make it difficult for bubbles to remain not only in the groove but also on the processing surface. Therefore, the gas can be satisfactorily released and the generation of voids can be prevented. Further, since the plate-like member arranged facing the processing surface is used as an electrode and the distance from the electrode to the processing surface is substantially uniform within the surface, it is possible to make the current density substantially uniform over the entire processing surface. it can. Therefore, the uniformity of the plated layer can be improved. In addition, there are variations in the current density in the processing plane.
Even if there is, the effect can be reduced
In addition, the electrolytic solution is moved from the center side to the peripheral side by centrifugal force.
Can be made to flow smoothly, so that the plating layer is even
The sex can be further improved.

【0074】また、請求項2に記載の発明によれば、板
状部材のほぼ中央部にある供給口から電解液を供給する
ので、中心から周縁部に向かって電解液を円滑に流動さ
せることができるので、メッキ層の均一性をより向上す
ることができる。
According to the second aspect of the invention, since the electrolytic solution is supplied from the supply port provided at the substantially central portion of the plate-shaped member, the electrolytic solution can smoothly flow from the center toward the peripheral portion. Therefore, the uniformity of the plated layer can be further improved.

【0075】また、請求項に記載の発明によれば、基
板保持手段だけを回転駆動しても、電流密度のばらつき
による悪影響を抑制することができるとともに、電解液
を回転中心から周縁部に向かって円滑に流すことがで
き、メッキ層の均一性をより向上することができる。さ
らに、板状部材を回転させる必要がないため、構成を簡
単化することができる。
Further, according to the third aspect of the invention, even if only the substrate holding means is rotationally driven, it is possible to suppress the adverse effect due to the variation of the current density, and the electrolytic solution is moved from the rotation center to the peripheral portion. It can flow smoothly toward the surface, and the uniformity of the plating layer can be further improved. Further, since it is not necessary to rotate the plate member, the structure can be simplified.

【0076】また、請求項に記載の発明によれば、板
状部材のみを回転駆動しても、電流密度のばらつきによ
る悪影響を抑制することができるとともに、遠心力によ
って中心側から周縁側に向かって電解液を円滑に流動さ
せることができる。さらに、板状部材とともに基板保持
手段を回転させる必要がないため回転駆動時の制御を容
易に行うことができる。
Further, according to the invention described in claim 4 , even if only the plate-like member is rotationally driven, it is possible to suppress the adverse effect due to the dispersion of the current density, and the centrifugal force is applied from the center side to the peripheral side. The electrolytic solution can be made to flow smoothly toward it. Further, since it is not necessary to rotate the substrate holding means together with the plate-shaped member, it is possible to easily control the rotation driving.

【0077】また、請求項に記載の発明によれば、基
板保持手段と板状部材を共に回転駆動することで、遠心
力によって電解液を回転中心から周縁部に向かって円滑
に流すことができる。したがって、メッキ層の均一性を
さらに向上することができる。
According to the invention described in claim 5 , the substrate holding means and the plate-like member are both driven to rotate, so that the electrolytic solution can smoothly flow from the rotation center toward the peripheral portion by the centrifugal force. it can. Therefore, the uniformity of the plated layer can be further improved.

【0078】また、請求項に記載の発明によれば、電
解液に付与した超音波振動によって基板の処理面に付着
している気泡や電気分解により発生した気体を容易に処
理面から離脱させることができる。
Further, according to the invention described in claim 6 , the bubbles attached to the processing surface of the substrate and the gas generated by the electrolysis by the ultrasonic vibration applied to the electrolytic solution are easily separated from the processing surface. be able to.

【0079】このような超音波振動を付与するために
は、請求項に記載の発明のように超音波振動付与手段
を供給手段に取り付け、流通する電解液に超音波振動を
付与してもよく、請求項に記載の発明のように板状部
材に超音波振動を付与するようにしてもよい。
In order to apply such ultrasonic vibration, ultrasonic vibration applying means may be attached to the supplying means and ultrasonic vibration may be applied to the flowing electrolytic solution as in the invention of claim 7. Of course, ultrasonic vibration may be applied to the plate-like member as in the eighth aspect of the invention.

【0080】また、請求項に記載の発明によれば、供
給手段から洗浄液を供給できるように構成して洗浄処理
が可能なように構成することにより、メッキ処理の後に
必須の処理を基板を搬送することなく連続して行うこと
ができ、メッキ処理を効率よく行うことができる。
According to the ninth aspect of the present invention, the cleaning liquid can be supplied from the supply means so that the cleaning process can be performed, so that the essential process is performed on the substrate after the plating process. It can be performed continuously without carrying, and the plating treatment can be performed efficiently.

【0081】また、請求項10に記載の発明によれば、
電解液の利用効率を高めることができ、メッキ処理のコ
ストを低減することができる。
According to the invention described in claim 10 ,
The use efficiency of the electrolytic solution can be improved, and the cost of the plating process can be reduced.

【0082】また、請求項11に記載の発明によれば、
制御手段が濃度測定手段の測定結果に基づいて電解液の
濃度を一定化するように電解液を補充するので、濃度変
動が抑制できて処理時間が変動したりメッキ厚が変動す
るような不都合を回避することができる。したがって、
長期間にわたって安定したメッキ処理を行うことができ
る。
According to the invention described in claim 11 ,
Since the control means replenishes the electrolytic solution so that the concentration of the electrolytic solution becomes constant based on the measurement result of the concentration measuring means, it is possible to suppress fluctuations in the concentration, resulting in inconveniences such as fluctuation of processing time and fluctuation of plating thickness. It can be avoided. Therefore,
A stable plating process can be performed for a long period of time.

【0083】上記のような電解液の補充は、請求項12
に記載の発明のように電解液貯留タンクに行うようにし
てもよく、請求項13に記載の発明のように循環路で、
かつ電解液貯留タンクより下流側の位置に行うようにし
てもよい。特に、電解液貯留タンクの下流側に補充する
請求項14の発明の場合には、濃度変動が生じた場合に
迅速に元に戻すことができるので、より安定した処理が
可能である。
The replenishment of the electrolytic solution as described above is carried out according to claim 12.
The invention may be carried out in the electrolytic solution storage tank as in the invention described in claim 13 , and in the circulation path as in the invention described in claim 13 ,
Further, it may be performed at a position downstream of the electrolytic solution storage tank. Particularly, in the case of the invention of claim 14 in which the electrolyte solution storage tank is replenished on the downstream side, when the concentration fluctuation occurs, it can be quickly returned to the original state, and thus more stable treatment is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を
示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate plating apparatus according to a first embodiment.

【図2】動作説明に供する図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the operation.

【図3】第2実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を
示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of a substrate plating apparatus according to a second embodiment.

【図4】動作説明に供する図である。FIG. 4 is a diagram for explaining the operation.

【図5】端効果の説明に供する図である。FIG. 5 is a diagram for explaining an end effect.

【図6】変形例の概略構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of a modified example.

【図7】従来例に係る基板メッキ装置の概略構成を示す
図である。
FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate plating apparatus according to a conventional example.

【図8】従来装置により生じる問題点の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a problem caused by the conventional device.

【図9】従来装置により生じる問題点の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a problem caused by the conventional device.

【符号の説明】 W … 基板 Ws … 処理面 LQ … 電解液 PL … メッキ層 1 … 基板保持機構 3 … ベース部材 9,23 … 電動モータ 13,31 … 給電ブラシ 15 … 板状部材 15a … 供給口 27 … 加振部 27a … 超音波振動子 27b … 供給口 33 … 電源ユニット 35 … スプラッシュガード 37 … 電解液貯留タンク 43 … 濃度センサ 49 … 循環路 55 … 制御部[Explanation of symbols] W ... Substrate Ws ... Treatment surface LQ ... Electrolyte PL ... Plating layer 1 ... Substrate holding mechanism 3 ... Base member 9,23 ... Electric motor 13, 31 ... Power supply brush 15 ... Plate-shaped member 15a ... Supply port 27 ... Excitation section 27a ... Ultrasonic transducer 27b ... Supply port 33 ... Power supply unit 35 ... Splash Guard 37 ... Electrolyte storage tank 43 ... Concentration sensor 49 ... Circulation 55 ... Control unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北門 龍治 京都府京都市伏見区羽束師古川町322 大日本スクリーン製造株式会社 洛西事 業所内 (72)発明者 泉 昭 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番1 大日本スクリーン製造株式会 社 野洲事業所内 (56)参考文献 特開 昭55−85692(JP,A) 特開 昭52−65665(JP,A) 特開 平11−145099(JP,A) 特開 平10−226896(JP,A) 特開 平8−283993(JP,A) 特開 平6−280098(JP,A) 特開 平2−263996(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C25D 7/12 H01L 21/288 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Ryuji Kitamon, 322 Hazushishi Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto, Kyoto Prefecture Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. at the Rakusai office (72) Inventor Akira Izumi Sansu, Yasu-cho, Yasu-gun, Shiga Prefecture Upper character Kuchino Kawahara 2426-1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. at Yasu Plant (56) References JP 55-85692 (JP, A) JP 52-65665 (JP, A) JP 11- 145099 (JP, A) JP 10-226896 (JP, A) JP 8-283993 (JP, A) JP 6-280098 (JP, A) JP 2-263996 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C25D 7/12 H01L 21/288

Claims (13)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板に対してメッキ処理を施す基板メッ
キ装置であって、 基板の処理面を上方に向けて保持するとともに、基板の
処理面に対して電気的に接続する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面に対向して
近接配置され、電極を構成する板状部材と、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面と前記板状
部材との間に電解液を満たすように供給する供給手段
と、 前記供給手段が電解液を基板の処理面と前記板状部材と
の間に供給した状態で、前記板状部材から前記基板保持
手段へ向けて電流が流れるように給電する給電手段と、前記基板保持手段および前記板状部材のうち少なくとも
一方を回転駆動する駆動手段と、 を備えたことを特徴とする基板メッキ装置。
1. A substrate plating device for performing a plating process on a substrate, comprising: a substrate holding means for holding the processing surface of the substrate upward and electrically connecting to the processing surface of the substrate. between the facing treated surface of the substrate held by the substrate holding means are arranged close, the plate-like member constituting the electrodes, the plate-like member and the treatment surface of the substrate held by the substrate holding means a supply means for supplying to satisfy two electrolytic liquid, in a state in which the supply means is fed between said plate-like member to the electrolyte and the processing surface of the substrate, toward from the plate-like member to the substrate holding means At least one of the board holding means and the plate-like member
A substrate plating apparatus comprising: a driving unit that rotationally drives one side .
【請求項2】 請求項1に記載の基板メッキ装置におい
て、 前記板状部材は、ほぼ中央部に、電解液を基板の処理面
と板状部材との間に供給するための供給口を有すること
を特徴とする基板メッキ装置。
2. The substrate plating apparatus according to claim 1, wherein the plate-shaped member has a supply port for supplying an electrolytic solution between a processing surface of the substrate and the plate-shaped member at a substantially central portion. A substrate plating apparatus characterized in that
【請求項3】 請求項1または2に記載の基板メッキ装
置において、 前記駆動手段は、前記基板保持手段のみを回転駆動する
ように構成されたことを特徴とする基板メッキ装置。
3. The substrate plating apparatus according to claim 1 , wherein the driving unit is configured to rotate and drive only the substrate holding unit.
【請求項4】 請求項1または2に記載の基板メッキ装
置において、 前記駆動手段は、前記板状部材のみを回転駆動するよう
に構成されたことを特徴とする基板メッキ装置。
4. The substrate plating apparatus according to claim 1 , wherein the driving unit is configured to rotate and drive only the plate-shaped member.
【請求項5】 請求項1または2に記載の基板メッキ装
置において、 前記駆動手段は、前記基板保持手段および前記板状部材
を回転駆動するように構成されたことを特徴とする基板
メッキ装置。
5. The substrate plating apparatus according to claim 1 , wherein the driving unit is configured to rotationally drive the substrate holding unit and the plate-shaped member.
【請求項6】 請求項1ないし請求項のいずれかに記
載の基板メッキ装置において、 基板の処理面と前記板状部材との間に供給される電解液
に対して超音波振動を付与する超音波振動付与手段をさ
らに備えたことを特徴とする基板メッキ装置。
6. The substrate plating apparatus according to any one of claims 1 to 5 , wherein ultrasonic vibration is applied to the electrolytic solution supplied between the processing surface of the substrate and the plate-shaped member. A substrate plating apparatus further comprising ultrasonic vibration applying means.
【請求項7】 請求項に記載の基板メッキ装置におい
て、 前記超音波振動付与手段は、前記供給手段に配設され、
流通する電解液に対して超音波振動を付与するように構
成されたことを特徴とする基板メッキ装置。
7. The substrate plating apparatus according to claim 6 , wherein the ultrasonic vibration applying means is provided in the supply means.
A substrate plating apparatus configured to apply ultrasonic vibration to a flowing electrolytic solution.
【請求項8】 請求項に記載の基板メッキ装置におい
て、 前記超音波振動付与手段は、前記板状部材に超音波振動
を付与するように構成されたことを特徴とする基板メッ
キ装置。
8. The substrate plating apparatus according to claim 6 , wherein the ultrasonic vibration applying unit is configured to apply ultrasonic vibration to the plate-shaped member.
【請求項9】 請求項1ないし請求項のいずれかに記
載の基板メッキ装置において、 前記供給手段は、洗浄液供給源にも連通接続されてお
り、前記基板保持手段に保持された基板の処理面と前記
板状部材との間に洗浄液と電解液を選択的に供給するよ
うに構成されたことを特徴とする基板メッキ装置。
9. The substrate plating apparatus according to any one of claims 1 to 8 , wherein the supply means is also connected to a cleaning liquid supply source so as to communicate therewith, and the substrate held by the substrate holding means is processed. A substrate plating apparatus configured to selectively supply a cleaning solution and an electrolytic solution between a surface and the plate-shaped member.
【請求項10】 請求項3または5に記載の基板メッキ
装置において、 前記基板保持手段の周囲に配置され、基板の回転に伴っ
て飛散した電解液を回収するための回収部材と、 前記回収部材によって回収された電解液を再び前記供給
手段に送るための循環路とをさらに備えたことを特徴と
する基板メッキ装置。
10. The substrate plating apparatus according to claim 3 , wherein the collecting member is arranged around the substrate holding means, and collects the electrolytic solution scattered as the substrate rotates, and the collecting member. A substrate plating apparatus, further comprising: a circulation path for sending the electrolytic solution recovered by the method to the supply means again.
【請求項11】 請求項10に記載の基板メッキ装置に
おいて、 前記循環路内を流通する電解液の濃度を測定する濃度測
定手段と、 前記循環路に配設され、電解液を貯留する電解液貯留タ
ンクと、 前記濃度測定手段の測定結果に基づき、濃度が一定とな
るように電解液の補充を制御する制御手段とをさらに備
えたことを特徴とする基板メッキ装置。
11. The substrate plating apparatus according to claim 10 , wherein concentration measuring means for measuring a concentration of an electrolytic solution flowing through the circulation path, and an electrolytic solution disposed in the circulation path for storing the electrolytic solution. The substrate plating apparatus further comprising: a storage tank; and a control unit that controls replenishment of the electrolytic solution so that the concentration becomes constant based on the measurement result of the concentration measuring unit.
【請求項12】 請求項11に記載の基板メッキ装置に
おいて、 前記濃度測定手段の結果に基づき行われる電解液の補充
は、前記電解液貯留タンクに対して行われるように構成
されたことを特徴とする基板メッキ装置。
12. The substrate plating apparatus according to claim 11 , wherein the replenishment of the electrolytic solution based on the result of the concentration measuring unit is configured to be performed on the electrolytic solution storage tank. Substrate plating equipment to be.
【請求項13】 請求項11に記載の基板メッキ装置に
おいて、 前記濃度測定手段の結果に基づき行われる電解液の補充
は、前記循環路に対して行われ、前記電解液貯留タンク
より下流側の位置に行われるように構成されたことを特
徴とする基板メッキ装置。
13. The substrate plating apparatus according to claim 11 , wherein the replenishment of the electrolytic solution based on the result of the concentration measuring unit is performed on the circulation path, and is on the downstream side of the electrolytic solution storage tank. A substrate plating apparatus, which is configured to be performed in position.
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