JP3524267B2 - Wafer peeling device - Google Patents

Wafer peeling device

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JP3524267B2
JP3524267B2 JP14200096A JP14200096A JP3524267B2 JP 3524267 B2 JP3524267 B2 JP 3524267B2 JP 14200096 A JP14200096 A JP 14200096A JP 14200096 A JP14200096 A JP 14200096A JP 3524267 B2 JP3524267 B2 JP 3524267B2
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row
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adhesive
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繁 木村
重男 熊部
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、固定部材上に接着
剤を介して接着された状態のウェハ列から各ウェハを剥
離するための装置に関するものである。
The present invention relates to relates to equipment for stripping each wafer from the wafer column in the state of being bonded via the adhesive on the fixed member.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように、半導体材料、磁性材料、
セラミクス等のウェハを作製するに際しては、これら材
料をインゴットの状態で固定部材上に接着し、その後、
ワイヤソーを利用して、長さ方向に垂直な方向からウェ
ハ列へとスライスすることが行われている。
As is well known, semiconductor materials, magnetic materials,
When manufacturing a wafer such as ceramics, these materials are adhered to the fixing member in an ingot state, and then,
Slicing into a row of wafers from a direction perpendicular to the length direction is performed using a wire saw.

【0003】通常、ワイヤソーによるスライスは、スラ
リー状の研削液をスプレーしながら行われ、また、材料
を完全に切り終えた後、さらに固定部材の一部に達する
深さまで行われる。このため、スライス後のウェハ列
は、それぞれが固定部材上に接着剤を介して接着された
状態にある。
Usually, slicing with a wire saw is performed while spraying a slurry-like grinding liquid, and is also performed after the material has been completely cut, to a depth reaching a part of the fixing member. Therefore, the sliced wafer rows are in a state of being bonded to the fixing member via the adhesive.

【0004】このようなウェハ列から各ウェハを得るに
は、手作業により固定部材から複数枚のウェハを剥し、
さらに、手作業によりこれら複数枚のウェハを一枚ずつ
に分離することが行われていた。
In order to obtain each wafer from such a wafer row, a plurality of wafers are peeled from the fixing member by hand,
Further, these plural wafers have been manually separated into single wafers.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記剥
離作業は、各ウェハ等の接着状況に応じて、人が臨機応
変に適切な複数枚のウェハを剥すものであり、このプロ
セスの自動化が、困難であるという問題があった。すな
わち、ウェハは、一般に脆性の高いものであり、このよ
うなウェハが接着されている状況から、如何にして小さ
な力でウェハに負担をかけずに剥離させるかということ
が技術課題となっていた。人手であれば、接着状況に応
じて、力の入れ具合を微妙に調節できるわけであるが、
これを機械力に置き換えることは困難であると共にコス
トがかかってしまう。したがって、自動化に適した方法
そのものの開発が要望されていた。
However, in the above-mentioned peeling work, a person peels a plurality of appropriate wafers flexibly according to the bonding state of each wafer and the like, and it is difficult to automate this process. There was a problem that was. That is, a wafer is generally highly brittle, and it has been a technical problem how to peel a wafer with a small force without burdening the wafer from the situation where such a wafer is bonded. . If it is manual, it is possible to delicately adjust the amount of force applied according to the adhesion situation,
Replacing this with mechanical force is difficult and costly. Therefore, there has been a demand for development of a method itself suitable for automation.

【0006】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、自動化を達成し得るとともに、小さな力でウェハに
負担をかけずに剥離させ得るウェハの剥離方法および装
置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a wafer peeling method and apparatus that can achieve automation and can peel a wafer with a small force without burdening the wafer. To do.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明のウェハの剥離方
法においては、固定部材上に接着剤を介して接着された
状態のウェハ列から各ウェハを剥離するための方法であ
って、前記接着剤を軟化させる軟化ステップと、ウェハ
と前記固定部材との接着箇所の端点を支点として該ウェ
ハを面方向に回転移動させる第1移動ステップと、さら
に、前記ウェハを面方向に移動させて、前記ウェハを前
記ウェハ列の領域外へと移動させる第2移動ステップと
を具備することを特徴としている。本発明のウェハの剥
離方法においては、上記のウェハの剥離方法において、
前記ウェハと該ウェハに隣接するウェハとの間に作用し
ている表面張力を低減させるために、前記ウェハ間の間
隙に向けて気体流を噴射するステップを具備することを
特徴としている。
In the method for peeling a wafer according to the present invention , a method for peeling each wafer from a wafer row in a state of being bonded to a fixing member via an adhesive, A softening step of softening the agent, a first moving step of rotationally moving the wafer in a plane direction with an end point of a bonding portion between the wafer and the fixing member as a fulcrum, and further moving the wafer in a plane direction, A second moving step of moving the wafer out of the region of the wafer row. In the wafer peeling method of the present invention , in the above wafer peeling method,
In order to reduce the surface tension acting between the wafer and a wafer adjacent to the wafer, a step of injecting a gas flow toward the gap between the wafers is included.

【0008】本発明のウェハの剥離装置においては、固
定部材上に接着剤を介して接着された状態のウェハ列か
ら各ウェハを剥離するための装置であって、前記接着剤
による接着部分を浸漬することにより前記接着剤を軟化
させるための軟化槽と、前記ウェハ列の端部に位置する
ウェハの表面に吸着するウェハ吸着盤と、該ウェハ吸着
盤と前記固定部材とを、相対的にウェハの面方向にスラ
イドさせ、ウェハと前記固定部材との接着箇所の端点を
支点として該ウェハを面方向に回転移動させるための第
1移動手段と、さらに、前記ウェハ吸着盤を移動させて
前記ウェハを面方向に移動させることにより、該ウェハ
を前記ウェハ列の領域外へと移動させる第2移動手段と
を具備することを特徴としている。本発明のウェハの剥
離装置においては、上記のウェハの剥離装置において、
剥離される前記ウェハに近傍には、剥離される該ウェハ
と該ウェハに隣接するウェハとの間隙に向けて気体流を
噴射するためのノズルが設けられていることを特徴とし
ている。本発明のウェハの剥離装置においては、上記
ウェハの剥離装置において、前記ウェハ列の前記端部付
近を覆うものでありかつ該端部に位置するウェハ1枚が
挿通し得るスリットと該ウェハを吸着している前記ウェ
ハ吸着盤の移動を許容する切欠とを有する押え部材、お
よび、該押え部材を前記ウェハ列の前記端部付近の押え
位置と該押え位置からは離間した退避位置との間を移動
させる押え部材用駆動手段が設けられていることを特徴
としている。本発明のウェハの剥離装置においては、
のウェハの剥離装置において、前記ウェハ列を前記軟
化槽に浸漬させるに先立って、前記固定部材と前記ウェ
ハ列とを前記ウェハ列の軸線回りに回転させるための反
転機構が設けられており、該反転機構は、前記ウェハ列
の長さ方向に垂直に配設されたラックと、該ラックに係
合状態で転動するピニオン、および、該ピニオンの転動
につれて旋回しかつ前記ピニオンの軸心と前記ウェハ列
の前記軸線とを一致させた状態で前記固定部材に係合す
る係合アームを有する支持部材と、該支持部材を回転駆
動するための回転駆動手段とを備えて構成されているこ
とを特徴としている。
The wafer peeling device of the present invention is a device for peeling each wafer from a row of wafers adhered to a fixing member via an adhesive, and dipping the bonded portion by the adhesive. A softening tank for softening the adhesive by doing so, a wafer suction plate that sucks on the surface of the wafer located at the end of the wafer row, the wafer suction plate and the fixing member, the relative wafer First moving means for sliding the wafer in the surface direction and rotating the wafer in the surface direction with the end point of the bonding portion between the wafer and the fixing member as a fulcrum, and further moving the wafer suction plate to move the wafer. A second moving means for moving the wafer out of the region of the wafer row by moving the wafer in the surface direction. In the wafer peeling apparatus of the present invention , in the above wafer peeling apparatus,
A nozzle for injecting a gas flow toward a gap between the wafer to be separated and a wafer adjacent to the wafer is provided in the vicinity of the wafer to be separated. In the wafer peeling apparatus of the present invention , in the above wafer peeling apparatus, a slit that covers the vicinity of the end portion of the wafer row and one wafer at the end portion can be inserted through the slit and the wafer. A pressing member having a notch that allows the suction of the wafer suction plate to move, and between the pressing position of the pressing member near the end of the wafer row and a retracted position separated from the pressing position. It is characterized in that a pressing member drive means for moving the is provided. The separation unit of the wafer of the present invention, the upper
In the wafer peeling apparatus described above, prior to immersing the wafer row in the softening bath, a reversing mechanism for rotating the fixing member and the wafer row around the axis of the wafer row is provided, The reversing mechanism includes a rack arranged perpendicularly to the lengthwise direction of the wafer row, a pinion that rolls in an engaged state with the rack, and a shaft that pivots as the pinion rolls and the axis of the pinion. And a supporting member having an engaging arm that engages with the fixing member in a state where the axis of the wafer row is aligned with each other, and a rotation driving means for rotationally driving the supporting member. It is characterized by that.

【0009】発明によると、軟化ステップにおいて、
接着剤を軟化させた後、第1移動ステップにおいて、接
着箇所の端点を支点としてウェハを回転移動させる。こ
の場合、接着部分においては、接着箇所の他方の端点の
側から徐々にかつ連続的に接着剤が剥がれていくことに
なり、小さな力で大部分の接着剤が剥がされる。そし
て、第2移動ステップにおいて、さらにウェハを面方向
に移動させて、ウェハをウェハ列の領域外へと移動させ
る。この場合、大部分の接着剤が既に剥がれているの
で、小さな力で済む。発明によると、ウェハ間の間隙
に向けて気体流を噴射することにより、ウェハ間に作用
している表面張力が低減され、剥離に要する力は、さら
に小さなものとなる。
[0009] According to the present invention, in the softening step,
After the adhesive is softened, in the first moving step, the wafer is rotated and moved with the end point of the bonded portion as a fulcrum. In this case, in the bonded portion, the adhesive is gradually and continuously peeled off from the other end side of the bonded portion, and most of the adhesive is peeled off with a small force. Then, in the second moving step, the wafer is further moved in the surface direction to move the wafer to the outside of the region of the wafer row. In this case, most of the adhesive has already been peeled off, so a small force is required. According to the present invention, by injecting the gas flow toward the gap between the wafers, the surface tension acting between the wafers is reduced, and the force required for peeling is further reduced.

【0010】発明によると、軟化槽に接着部分が浸漬
されることにより、接着剤が軟化される。そして、第1
移動手段を利用して、ウェハ吸着盤と固定部材とが相対
的にスライドされることにより、ウェハと固定部材との
接着箇所の端点を支点としたウェハの面方向の回転移動
がなされる。さらに、第2移動手段を利用して、ウェハ
は、ウェハ列の領域外へと移動される。発明による
と、剥離されるウェハの近傍には、剥離されるウェハと
このウェハに隣接するウェハとの間隙に向けて気体流を
噴射するためのノズルが設けられているので、ウェハ間
に作用している表面張力が低減される。発明による
と、第2移動手段によりウェハが移動される場合には、
押え部材が、ウェハ列端部付近の押え位置に配置され
る。そして、スリットにより、1枚のウェハだけの挿通
が許容され、隣接するウェハがつれて移動することが防
止される。発明によると、反転機構が設けられている
ので、前工程との受け渡しが円滑になされる。
According to the present invention, the adhesive is softened by immersing the adhesive portion in the softening bath. And the first
The wafer suction plate and the fixing member are slid relative to each other by using the moving means, so that the wafer is rotationally moved in the surface direction with the end point of the bonded portion between the wafer and the fixing member as a fulcrum. Further, the wafer is moved out of the region of the wafer row by using the second moving means. According to the present invention, a nozzle for injecting a gas flow toward the gap between the wafer to be peeled and the wafer adjacent to this wafer is provided in the vicinity of the wafers to be peeled, so that the action between the wafers is reduced. The surface tension is reduced. According to the present invention, when the wafer is moved by the second moving means,
The holding member is arranged at a holding position near the end of the wafer row. Then, the slit allows only one wafer to be inserted, and the adjacent wafers are prevented from being moved together. According to the present invention, since the reversing mechanism is provided, the transfer with the previous process can be smoothly performed.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明のウェハの剥離方法
および装置の実施の形態について、図面を参照して説明
する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a wafer peeling method and apparatus of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】図1および図2は、本発明のウェハの剥離
装置の一実施形態を備えるウェハの洗浄装置の一例を示
すもので、この洗浄装置は、洗浄機構10、反転機構2
0、本発明の一実施形態をなす剥離装置30、枚葉洗浄
機構40、収容機構50を具備して構成されている。
FIGS. 1 and 2 show an example of a wafer cleaning apparatus equipped with an embodiment of a wafer peeling apparatus of the present invention. The cleaning apparatus includes a cleaning mechanism 10 and a reversing mechanism 2.
0, a peeling device 30 according to an embodiment of the present invention, a single-wafer cleaning mechanism 40, and an accommodating mechanism 50.

【0013】本実施形態において対象としているワーク
Wは、図3に示すように、固定部材1上のウェハ列であ
る。この場合、固定部材1は、カーボン2、ガラス3、
鉄製基台4から構成されており、各ウェハは、インゴッ
ト状にて固定部材1上に接着された後、ワイヤソーによ
り長さ方向に垂直な方向からウェハ列へとスライスされ
たものである。ここで、スライスは、カーボン2の深さ
まで行われており、各ウェハ間は、完全に切り離されて
おり、個々に固定部材1上に接着された状態で並置され
ている。本実施形態においては、ウェハは、8インチの
シリコンウェハであり、200〜250枚のウェハが並
置されたワークWを対象としている。
The target work W in this embodiment is a wafer row on the fixing member 1, as shown in FIG. In this case, the fixing member 1 includes carbon 2, glass 3,
Each wafer is composed of an iron base 4, and each wafer is adhered to the fixing member 1 in an ingot shape and then sliced into a wafer row from a direction perpendicular to the length direction by a wire saw. Here, the slicing is performed to the depth of the carbon 2, the wafers are completely separated, and the wafers are juxtaposed on the fixing member 1 in a state of being bonded to each other. In the present embodiment, the wafer is an 8-inch silicon wafer, and is intended for the work W in which 200 to 250 wafers are juxtaposed.

【0014】〔洗浄機構10〕洗浄機構10は、固定部
材1上に接着されたウェハ列を、この形態のまま洗浄す
るためのものである。洗浄機構10は、図4〜図6に示
すように、ウェハ洗浄槽11A、11B、11C、超音
波振動器12(振動手段)、および、ウェハ列搬送手段
13、揺動手段14を有して構成されている。
[Cleaning Mechanism 10] The cleaning mechanism 10 is for cleaning the wafer row adhered on the fixing member 1 in this form. As shown in FIGS. 4 to 6, the cleaning mechanism 10 includes wafer cleaning tanks 11A, 11B and 11C, an ultrasonic vibrator 12 (vibrating means), a wafer row transfer means 13 and a swing means 14. It is configured.

【0015】超音波振動器12は、図4に示すように、
各ウェハ洗浄槽11A、11B、11Cのそれぞれの側
壁および底壁に取り付けられたもので、ウェハ洗浄槽1
1A、11B、11C内の洗浄液およびワークWに振動
を与えるよう機能する。
The ultrasonic vibrator 12 is, as shown in FIG.
Each of the wafer cleaning tanks 11A, 11B and 11C is attached to the side wall and the bottom wall of the wafer cleaning tank 1A.
It functions to give vibration to the cleaning liquid and the work W in 1A, 11B and 11C.

【0016】ウェハ列の搬送は、上下方向と進行方向と
に関して行われる。まず、図4を参照して、ウェハ列搬
送手段13によるウェハの上下方向の搬送について説明
する。上下方向の搬送は、各ウェハ洗浄槽11A、11
B、11C内にワークWを浸漬させるために、および、
各ウェハ洗浄槽11A、11B、11CからワークWを
引き上げるためになされるものであって、ワークWを保
持するための2本の支持アーム15が、基台4の長さ方
向両端に形成された係止部4aを下側から支持し、この
支持アーム15の第1係止部15aを段部16aにより
支持しているガイド部材16が、ガイドレール16bに
沿って移動させることにより、なされている。
The transfer of the wafer row is performed in the vertical direction and the traveling direction. First, with reference to FIG. 4, the vertical transfer of wafers by the wafer row transfer means 13 will be described. Upward and downward transportation is performed in each wafer cleaning tank 11A, 11A.
In order to immerse the work W in B and 11C, and
Two support arms 15 for holding the work W are formed at both ends in the length direction of the base 4 in order to lift the work W from each of the wafer cleaning tanks 11A, 11B and 11C. The guide member 16 that supports the locking portion 4a from below and supports the first locking portion 15a of the support arm 15 by the step portion 16a is made by moving along the guide rail 16b. .

【0017】次に、図5および図6を参照して、ウェハ
列搬送手段15によるウェハの進行方向の搬送について
説明する。進行方向の搬送は、ワークWを把持するため
の把持アーム17が、基台4の側部に形成された溝4b
内に係合爪17aを側方から挿入することにより、ワー
クWを把持し、レール15aに沿って、ウェハ洗浄槽1
1A、11B、11C間にわたって、ワークWを搬送す
ることにより、なされている。
Next, with reference to FIGS. 5 and 6, the transfer of the wafers by the wafer row transfer means 15 in the traveling direction will be described. In the transport in the traveling direction, the gripping arm 17 for gripping the work W has a groove 4b formed in the side portion of the base 4.
The workpiece W is gripped by inserting the engaging claw 17a into the inside of the wafer cleaning tank 1 along the rail 15a.
This is done by transporting the work W across 1A, 11B, and 11C.

【0018】揺動手段14は、各ウェハ洗浄槽11A、
11B、11C内において、ワークWを揺動運動させる
ためのもので、モータ14a、減速機14b、クランク
部材14c、支持ロッド14d、支持アーム15の第2
係止部15bにより構成されている。揺動運動は、モー
タ14aの回転出力を、減速機14bにて減速した後、
クランク部材14cにより回転運動を上下方向の揺動運
動に変換することによりもたらされ、この揺動運動は、
第2係止部15bを係止している支持ロッド14cを介
してワークWに伝達される。この場合、第1係止部15
aと段部16aとの係合は、第2係止部15bが支持ロ
ッド14dに支持された状態から、ガイド部材16を下
げることにより解除することができる。よって、上下方
向の搬送と、揺動運動とは、選択的に行い得るようにな
っている。
The swinging means 14 is provided for each wafer cleaning tank 11A,
It is for oscillating the work W in 11B and 11C, and includes a motor 14a, a speed reducer 14b, a crank member 14c, a support rod 14d, and a second support arm 15.
It is configured by the locking portion 15b. The oscillating motion is such that after the rotation output of the motor 14a is reduced by the speed reducer 14b,
The crank member 14c is provided to convert the rotary motion into a vertical swing motion, and this swing motion is
It is transmitted to the work W via the support rod 14c that locks the second locking portion 15b. In this case, the first locking portion 15
The engagement between a and the step portion 16a can be released by lowering the guide member 16 from the state where the second locking portion 15b is supported by the support rod 14d. Therefore, the vertical transport and the swing motion can be selectively performed.

【0019】〔反転機構20〕反転機構20は、固定部
材1とウェハ列とを、ウェハ列の軸線回りに180゜回
転させる、すなわち、上下を反転させるためのものであ
る。反転機構20は、図7および図8に示すように、2
本の支持ロッド21と、2つの支持部材22と、これら
支持部材22を回転駆動するための駆動モータ(回転駆
動手段)23を備えて構成されている。
[Reversing Mechanism 20] The reversing mechanism 20 is for rotating the fixing member 1 and the wafer row by 180 ° around the axis of the wafer row, that is, for reversing the top and bottom. The reversing mechanism 20, as shown in FIGS.
It comprises a book support rod 21, two support members 22, and a drive motor (rotational drive means) 23 for rotationally driving these support members 22.

【0020】この場合、図7は、反転機構20を図1に
おける矢印A方向から見た図であることに注意された
い。また、図8は、反転機構20を図7における矢印B
方向から見た図である。
In this case, it should be noted that FIG. 7 is a view of the reversing mechanism 20 as seen from the direction of arrow A in FIG. Further, FIG. 8 shows the reversing mechanism 20 in the direction of arrow B in FIG.
It is the figure seen from the direction.

【0021】支持ロッド21は、ウェハ列の長さ方向に
垂直に、かつ、ウェハ列の長さ方向両端において平行に
配設されたものであって、各支持ロッド21の下面に
は、ラック21aが形成されている。
The support rods 21 are arranged perpendicularly to the lengthwise direction of the wafer row and parallel to each other at both ends in the lengthwise direction of the wafer row. Are formed.

【0022】支持部材22は、固定部材1の孔部に爪2
2aを引っかけることにより固定部材1の側方から固定
部材を把持する係合アーム22b、および、この係合ア
ーム22bから離間した場所にラック21aと係合状態
で転動するピニオン22cを有するものである。ここ
で、係合アーム22bは、ピニオン22cがラック21
aと係合して転動した場合には、つれて旋回するもので
ある。また、係合アーム22bは、ピニオン22cの軸
心とウェハ列の軸線とを一致させた状態で固定部材1の
孔部に爪22aを引っかける位置に配設されている。
The support member 22 has a claw 2 in the hole of the fixed member 1.
2a has an engaging arm 22b that grips the fixing member 1 from the side of the fixing member 1 by hooking it, and a pinion 22c that rolls in an engaged state with the rack 21a at a position separated from the engaging arm 22b. is there. Here, in the engagement arm 22b, the pinion 22c has the rack 21
When it engages with a and rolls, it swings together. Further, the engagement arm 22b is arranged at a position where the claw 22a is hooked in the hole of the fixing member 1 with the axis of the pinion 22c and the axis of the wafer row aligned.

【0023】駆動モータ23は、駆動モータ23・中間
部材24間に張設されたベルト23a、および、中間部
材24・支持部材22間に張設されたベルト23bを介
して、支持部材22を回転させることができる。この場
合、ラック21a・ピニオン22cの係合により、係合
アーム22bおよびワークWは、ウェハ列の軸線回りに
180゜回転されることになる。この場合、反転に伴っ
て、駆動モータ23、中間部材24、および、支持部材
22は、支持ローラ22d、22dが支持ロッド21上
を転がることにより、全体的に平行移動することにな
る。
The drive motor 23 rotates the support member 22 via a belt 23a stretched between the drive motor 23 and the intermediate member 24, and a belt 23b stretched between the intermediate member 24 and the support member 22. Can be made. In this case, the engagement between the rack 21a and the pinion 22c causes the engagement arm 22b and the work W to rotate 180 ° around the axis of the wafer row. In this case, with the reversal, the drive motor 23, the intermediate member 24, and the support member 22 are moved in parallel as a whole by the support rollers 22d and 22d rolling on the support rod 21.

【0024】〔剥離装置30〕剥離装置30は、ウェハ
列の形態のまま洗浄されたウェハ列の端部からウェハを
1枚ずつ剥離させるためのものであって、本実施形態に
おいては、1枚ずつの剥離を自動手段により実現してい
る。
[Peeling Device 30] The peeling device 30 is for peeling one wafer at a time from the end of the cleaned wafer row in the form of a wafer row, and in the present embodiment, one wafer is peeled off. Each peeling is realized by automatic means.

【0025】剥離装置30は、図9〜図11に示すよう
に、軟化槽31、ウェハ吸着盤32、旋回アーム32
a、吸着盤用ロータリアクチュエータ(第2移動手段)
33、エアスライドテーブル34、押え部材35、押え
部材用ロータリアクチュエータ(押え部材用駆動手段)
36、エアノズル(ノズル)37、ボール螺子38a、
スライドモータ38を有して構成されている。
As shown in FIGS. 9 to 11, the peeling device 30 includes a softening tank 31, a wafer suction plate 32, and a swivel arm 32.
a, suction plate rotary actuator (second moving means)
33, air slide table 34, pressing member 35, rotary actuator for pressing member (pressing member driving means)
36, an air nozzle (nozzle) 37, a ball screw 38a,
It has a slide motor 38.

【0026】この場合、図9は、剥離装置30を図1に
おける矢印A方向から見た図であることに注意された
い。また、図10は、剥離装置30を図9における矢印
C方向から見た図であり、ウェハ吸着盤32および押え
部材35が頂部位置にある状態が図示されていることに
注意されたい。
In this case, it should be noted that FIG. 9 is a view of the peeling device 30 as seen from the direction of arrow A in FIG. It should be noted that FIG. 10 is a view of the peeling device 30 as seen from the direction of arrow C in FIG. 9, and shows the state in which the wafer suction plate 32 and the pressing member 35 are at the top position.

【0027】軟化槽31は、各ウェハが固定部材1に接
着している接着剤を軟化させるためのもので、ヒータ3
1aを備えた槽である。軟化槽31内において、ワーク
Wの固定部材1を固定するために、固定用シリンダ31
b、固定用フレーム31cが設けられている。本実施形
態においては、接着剤がエポキシ系接着剤であることに
基づいて、約90℃の水槽とされている。本発明は、こ
れに限定されるものではなく、使用している接着剤に応
じて、適宜、温度、溶剤等を選択するものであって良
い。
The softening tank 31 is used to soften the adhesive agent that adheres each wafer to the fixing member 1.
It is a tank equipped with 1a. In the softening tank 31, in order to fix the fixing member 1 of the work W, the fixing cylinder 31
b, a fixing frame 31c is provided. In the present embodiment, since the adhesive is an epoxy adhesive, the water tank has a temperature of about 90 ° C. The present invention is not limited to this, and the temperature, the solvent, etc. may be appropriately selected according to the adhesive used.

【0028】ウェハ吸着盤32は、図示しない真空吸着
源に接続されて、ウェハ列の端部に位置する1枚のウェ
ハを吸着するためのものである。ウェハ吸着盤32は、
このウェハ吸着盤32を支持する旋回アーム32aを介
して、吸着盤用ロータリアクチュエータ33により回転
駆動される。これにより、ウェハ吸着盤32に吸着され
ているウェハは、面方向に移動され、ウェハ列の領域外
へと移動するよう大きく回転駆動される。この場合、剥
離されたウェハの受け側には、係合アーム32aを柔軟
に受け止めるためのショックアブソーバ32bが設けら
れている。
The wafer suction plate 32 is connected to a vacuum suction source (not shown) to suck one wafer located at the end of the wafer row. The wafer suction plate 32 is
It is rotationally driven by a rotary actuator 33 for the suction plate via a swing arm 32a supporting the wafer suction plate 32. As a result, the wafer sucked by the wafer suction plate 32 is moved in the plane direction and largely rotated so as to move to the outside of the region of the wafer row. In this case, a shock absorber 32b for flexibly receiving the engagement arm 32a is provided on the receiving side of the separated wafer.

【0029】エアスライドテーブル34は、ウェハと固
定部材1との接着箇所の端点を支点としてウェハを面方
向に回転移動させるためのもので、連結部材34aを介
して吸着盤用ロータリアクチュエータ33の軸を横方向
にスライド移動させることにより、ウェハ吸着盤32・
旋回アーム32a・吸着盤用ロータリアクチュエータ3
3を、一体的に横方向に移動自在とするものである。
The air slide table 34 is for rotatably moving the wafer in the surface direction with the end point of the bonded portion between the wafer and the fixing member 1 as a fulcrum, and the shaft of the rotary actuator 33 for the suction disk via the connecting member 34a. Wafer suction plate 32.
Swivel arm 32a / suction plate rotary actuator 3
3 is integrally movable in the lateral direction.

【0030】この場合、エアスライドテーブル34に代
えて、あるいは、エアスライドテーブル34に加えて、
後述の押え部材35に取り付けられたシリンダ34bお
よびフック34cの組合せを使用することもできる。フ
ック34cは、係止爪として機能するものであり、シリ
ンダ34bによって駆動されることにより、後述のスリ
ット35aを通して、端部に位置する1枚のウェハだけ
を係止して、このウェハだけを横方向にずらし得るもの
である。
In this case, instead of the air slide table 34 or in addition to the air slide table 34,
It is also possible to use a combination of the cylinder 34b and the hook 34c attached to the pressing member 35 described later. The hook 34c functions as a locking claw, and is driven by the cylinder 34b to lock only one wafer located at the end through a slit 35a described later, and to horizontally move only this wafer. It can be shifted in the direction.

【0031】押え部材35は、ウェハ列の端部付近を覆
ってウェハ列の端部に位置する1枚のウェハのみを挿通
させかつ隣接するウェハを移動させないためのものであ
り、押え部材35には、この目的のために、ウェハ列の
端部付近を覆ったときに1枚のウェハのみが挿通し得る
だけの隙間のスリット35aが形成されている。また、
押え部材35には、ウェハ吸着盤32の移動または通過
を許容する切欠35bが形成されている。押え部材35
は、押え部材用ロータリアクチュエータ36に接続され
ており、押え位置35Aと退避位置35Bとの間を回転
駆動される。
The pressing member 35 covers the vicinity of the end of the wafer row so that only one wafer located at the end of the wafer row is inserted and the adjacent wafers are not moved. For this purpose, a slit 35a is formed so as to allow only one wafer to be inserted when the vicinity of the end of the wafer row is covered. Also,
The pressing member 35 is formed with a notch 35b that allows the wafer suction plate 32 to move or pass. Holding member 35
Is connected to the rotary actuator 36 for the pressing member, and is rotationally driven between the pressing position 35A and the retracted position 35B.

【0032】エアノズル37は、剥離されるウェハに近
傍に配置されたもので、剥離されるべきウェハと、この
ウェハに隣接するウェハとの間に作用している表面張力
を低減させるために、それらウェハ間の間隙に向けて空
気流を噴射するためのものである。
The air nozzle 37 is arranged in the vicinity of the wafer to be peeled, and in order to reduce the surface tension acting between the wafer to be peeled and the wafer adjacent to this wafer, It is for injecting an air flow toward the gap between the wafers.

【0033】スライドモータ38は、ウェハの剥離が終
わるたびごとに、ボール螺子38aに沿って、ウェハ吸
着盤32、旋回アーム32a、吸着盤用ロータリアクチ
ュエータ33、エアスライドテーブル34、押え部材3
5、押え部材用ロータリアクチュエータ36、エアノズ
ル37、および後述の受け部材44の集合体を、図11
において矢印Dで示す方向に所定長さずつ移動させる。
The slide motor 38 is arranged along the ball screw 38a every time the wafer is peeled off, along the ball screw 38a, the wafer suction plate 32, the swing arm 32a, the suction plate rotary actuator 33, the air slide table 34, and the pressing member 3.
5, an assembly of the pressing member rotary actuator 36, the air nozzle 37, and a receiving member 44 described later is shown in FIG.
Is moved in the direction indicated by arrow D by a predetermined length.

【0034】〔枚葉洗浄機構40〕枚葉洗浄機構40
は、剥離された各ウェハを1枚ずつ洗浄するためのもの
で、図11および図12に示すように、受け渡し手段4
1、枚葉洗浄手段42、乾燥手段43とを備えて構成さ
れている。
[Single Wafer Cleaning Mechanism 40] Single Wafer Cleaning Mechanism 40
Is for cleaning each of the separated wafers one by one, and as shown in FIGS.
1, a single-wafer cleaning means 42, and a drying means 43.

【0035】受け渡し手段41は、受け部材44、コン
ベヤ45から構成されている。受け部材44は、厚さ方
向中央においてウェハの厚さよりもわずかに厚く形成さ
れた収容部44a内に、ウェハ吸着盤32により剥離さ
れたウェハを受け取るものである。受け部材44は、図
11に示すように、直立した状態で、ウェハを受け取
る。そして、ウェハ吸着盤32による吸着が解除された
後、底縁部に設けられた軸体回りに回転され、図示二点
鎖線で示すように水平状態へと倒される。
The delivery means 41 comprises a receiving member 44 and a conveyor 45. The receiving member 44 receives the wafer separated by the wafer suction plate 32 in the accommodation portion 44a formed slightly thicker than the thickness of the wafer at the center in the thickness direction. As shown in FIG. 11, the receiving member 44 receives the wafer in an upright state. Then, after the suction by the wafer suction disk 32 is released, the wafer is rotated around the shaft body provided at the bottom edge portion and tilted to the horizontal state as shown by the two-dot chain line in the figure.

【0036】倒されたところには、2本のベルト45a
が矢印D方向に搬送し得るよう駆動されているコンベヤ
45が設けられている。また、受け部材44には、コン
ベヤ45の2本のベルト45aと位置を合わせて、長さ
方向全体にわたる切欠部44b(図9および図11)が
形成されており、この切欠部44bからは、ウェハが下
方に向けて露出した状態にあり、ウェハがコンベヤ45
の各ベルト45aと接触し得るようになっている。
Two belts 45a are provided at the fallen position.
A conveyor 45 is provided which is driven so as to convey in the direction of arrow D. Further, the receiving member 44 is formed with a cutout portion 44b (FIGS. 9 and 11) extending over the entire length in alignment with the two belts 45a of the conveyor 45. From the cutout portion 44b, If the wafer is exposed downwards,
The belts 45a can be brought into contact with each other.

【0037】よって、ウェハ吸着盤32により剥離され
たウェハは、一旦、受け部材44に収容され、受け部材
44が倒されることにより、切欠部44bを通してコン
ベヤ45の各ベルト45aと接触し、各ベルト45aと
の摩擦力により受け部材44から離脱してコンベヤ45
により、次工程である枚葉洗浄手段42へと受け渡され
ることになる。
Therefore, the wafer peeled by the wafer suction plate 32 is once housed in the receiving member 44, and when the receiving member 44 is tilted, the wafer comes into contact with each belt 45a of the conveyor 45 through the notch 44b, and each belt. The conveyor 45 separates from the receiving member 44 due to the frictional force with the 45a.
Thus, it is delivered to the single-wafer cleaning means 42 which is the next step.

【0038】枚葉洗浄手段42は、洗浄のためのブラシ
ローラ(ブラシ)42a、このブラシローラ42aによ
る洗浄箇所に向けて洗浄水(洗浄液)をスプレーするた
めのスプレーノズル(スプレー手段)42b、ウェハの
搬送および吸水のための吸水ローラ42c、および、ブ
ラシローラ42a・吸水ローラ42cの駆動モータ42
dを有して構成されている。
The single-wafer cleaning means 42 is a brush roller (brush) 42a for cleaning, a spray nozzle (spray means) 42b for spraying cleaning water (cleaning liquid) toward a cleaning location by the brush roller 42a, and a wafer. Roller 42c for transporting and absorbing water, and drive motor 42 for brush roller 42a and water absorption roller 42c
It is configured with d.

【0039】この場合、スプレーノズル42bは、ウェ
ハの表裏面を有効に洗浄し得るよう、図13に示すよう
に、ブラシローラ42aの上下両側に設けられている。
In this case, the spray nozzles 42b are provided on both upper and lower sides of the brush roller 42a so as to effectively clean the front and back surfaces of the wafer, as shown in FIG.

【0040】乾燥手段43は、Oリング43aが複数取
り付けられたステンレス製ローラ43b、ローラ43b
の駆動モータ43c、および、温風吹付手段(図示せ
ず)を有して構成されている。
The drying means 43 comprises a stainless steel roller 43b and a roller 43b to which a plurality of O-rings 43a are attached.
Drive motor 43c and a hot air blowing means (not shown).

【0041】〔収容機構50〕収容機構50は、図1に
示すように、枚葉洗浄および乾燥された各ウェハをカセ
ット(収納容器)51内に収容するために、枚葉洗浄機
構40の後段に配設されたもので、ロボット(ウェハの
枚葉搬送手段)52を備えて構成されている。
[Accommodating Mechanism 50] As shown in FIG. 1, the accommodating mechanism 50 has a rear stage of the single-wafer cleaning mechanism 40 for accommodating the wafers cleaned and dried in a cassette (accommodation container) 51. And is provided with a robot (single wafer transfer means) 52.

【0042】次に、上述のように構成された本発明のウ
ェハの剥離装置を用いた剥離方法に関して、上記ウェハ
の洗浄装置の使用方法に沿って説明する。
Next, a peeling method using the wafer peeling apparatus of the present invention configured as described above will be described along with a method of using the wafer cleaning apparatus.

【0043】〔洗浄工程〕図3に示すワークWは、ワイ
ヤソーによりスライスされた後、適当な搬送手段によ
り、洗浄機構10のウェハ列搬送手段13に受け渡され
る。この洗浄工程においては、ワークWのウェハ列を、
この形態のまま洗浄する。
[Cleaning Step] The work W shown in FIG. 3 is sliced by a wire saw and then transferred to the wafer row transfer means 13 of the cleaning mechanism 10 by an appropriate transfer means. In this cleaning process, the wafer row of the work W is
Wash in this form.

【0044】まず、第1ウェハ洗浄槽11Aにおいて
は、クリンスルーKS1000(商品名、花王株式会社
製)を洗浄液として、超音波振動器12により超音波振
動を付加しながら洗浄を行う。超音波振動は、キャビテ
ーションを生じて洗浄効果の大きな28kHz帯、およ
び/または、狭い隙間まで洗浄液が侵入しやすい200
kHz帯で行う。また、洗浄中は、揺動手段14によ
り、ワークWに揺動を与え、洗浄効果を高めるようにす
る。そして、時々は、ワークWを洗浄液から一旦引き上
げ、洗浄液を流す操作を行って、再度、洗浄液に浸す操
作を行い、さらに洗浄効果を高めるようにする。
First, in the first wafer cleaning tank 11A, cleaning is performed by using the clean-through KS1000 (trade name, manufactured by Kao Corporation) as a cleaning liquid while applying ultrasonic vibration by the ultrasonic vibrator 12. Ultrasonic vibration causes cavitation and the cleaning solution is likely to enter the 28 kHz band where the cleaning effect is large and / or a narrow gap.
Perform in the kHz band. During the cleaning, the swinging means 14 swings the work W to enhance the cleaning effect. Then, from time to time, the work W is once pulled out of the cleaning liquid, the cleaning liquid is caused to flow, and the work W is immersed again in the cleaning liquid to further enhance the cleaning effect.

【0045】次に、第2ウェハ洗浄槽11Bにおいて
は、上記クリンスルーKS1000の5%水溶液を洗浄
液として、洗浄を行う。超音波振動の付加、揺動の付
加、ワークWの一時的な引き上げ、等の洗浄条件は、上
記と同様である。
Next, in the second wafer cleaning tank 11B, cleaning is performed using the 5% aqueous solution of the clean-through KS1000 as a cleaning liquid. The cleaning conditions such as the addition of ultrasonic vibration, the addition of oscillation, and the temporary lifting of the work W are the same as above.

【0046】そして、第3ウェハ洗浄槽11Cにおいて
は、水により、洗浄を行う。超音波振動の付加、揺動の
付加、ワークWの一時的な引き上げ、等の洗浄条件は、
上記と同様である。
Then, in the third wafer cleaning tank 11C, cleaning is performed with water. The cleaning conditions such as the addition of ultrasonic vibration, the addition of oscillation, the temporary lifting of the work W, etc.
The same as above.

【0047】この洗浄工程においては、洗浄液の種類、
超音波振動の付加、揺動の付加、ワークWの一時的な引
き上げ、等の洗浄条件は、ワークWに応じて適切に行わ
れるべきものであり、上記に限定されるものではない。
In this cleaning step, the type of cleaning liquid,
The cleaning conditions such as the addition of ultrasonic vibration, the addition of oscillation, and the temporary lifting of the work W should be appropriately performed according to the work W, and are not limited to the above.

【0048】〔反転工程〕次に、洗浄されたウェハ列を
剥離工程に引き渡すに先立って、すなわち、ウェハ列を
軟化槽31に浸漬させるに先立って、固定部材1を下側
に位置させるよう、この反転工程により、固定部材1と
ウェハ列とを上下反転させる。この反転操作は、駆動モ
ータ23を駆動して、ラック21a・ピニオン22cを
互いに係合させ、係合アーム22bおよびワークWを、
ウェハ列の軸線回りに180゜回転することにより行
う。
[Inversion Step] Next, prior to delivering the cleaned wafer row to the peeling step, that is, prior to immersing the wafer row in the softening bath 31, the fixing member 1 is positioned below. By this reversing step, the fixing member 1 and the wafer row are turned upside down. In this reversing operation, the drive motor 23 is driven to engage the rack 21a and the pinion 22c with each other, and the engagement arm 22b and the work W are
It is performed by rotating 180 degrees around the axis of the wafer row.

【0049】〔剥離工程〕 1.軟化ステップ このステップにおいては、図7の矢印Eで示すように、
反転されたウェハ列を昇降手段(図示せず)により下降
させ、各ウェハと固定部材1との間の接着剤の部分を、
ヒータ31aにより約90℃に維持された軟化槽31中
に浸漬し、固定用シリンダ31bおよび固定用フレーム
31cにより固定する。これにより、接着剤が軟化し、
剥離が容易となる。
[Peeling Step] 1. Softening Step In this step, as indicated by arrow E in FIG.
The inverted wafer row is lowered by an elevating means (not shown), and the adhesive portion between each wafer and the fixing member 1 is
It is immersed in the softening bath 31 maintained at about 90 ° C. by the heater 31a, and fixed by the fixing cylinder 31b and the fixing frame 31c. This softens the adhesive,
Easy peeling.

【0050】2.第1移動ステップ 次に、退避位置35B(図9)としておいた押え部材3
5を押え位置35Aに移動させる。そして、ウェハ吸着
盤32によりウェハ列の端部に位置する1枚のウェハを
吸着する。
2. First moving step Next, the holding member 3 set as the retracted position 35B (FIG. 9).
5 is moved to the pressing position 35A. Then, the wafer suction plate 32 sucks one wafer located at the end of the wafer row.

【0051】その後、エアスライドテーブル34を駆動
して、連結部材34aを介して吸着盤用ロータリアクチ
ュエータ33の軸を横方向にスライド移動させることに
より、ウェハは、ウェハ吸着盤32に吸着したまま、ウ
ェハ吸着盤32と共に図7および図9において矢印Fで
示すように、ウェハを面方向に移動させる。この場合、
エアノズル37からの空気流の噴出を並行して行う。
After that, the air slide table 34 is driven to laterally slide the axis of the suction plate rotary actuator 33 through the connecting member 34a, so that the wafer is sucked onto the wafer suction plate 32, The wafer is moved in the in-plane direction together with the wafer suction plate 32 as shown by an arrow F in FIGS. 7 and 9. in this case,
The jet of the air flow from the air nozzle 37 is performed in parallel.

【0052】これにより、接着点30aから接着点30
b(図9)にわたるウェハと固定部材1との接着部分の
うち、接着箇所の端点30bを支点としてウェハが固定
部材1に対して回転し、他の端点30a側から、徐々に
かつ連続的に、軟化された接着部分が剥がれていくこと
になる。
As a result, the adhesive points 30a to 30
b (FIG. 9), of the bonded portion between the wafer and the fixing member 1, the wafer rotates with respect to the fixing member 1 with the end point 30b of the bonded portion as a fulcrum, and gradually and continuously from the other end point 30a side. , The softened adhesive part will come off.

【0053】3.第2移動ステップ 次に、エアノズル37からの空気流の噴出を並行した状
態で、ウェハを、ウェハ吸着盤32に吸着したまま、ウ
ェハ吸着盤32と共に図7および図9において矢印Gで
示すように、押え部材35のスリット35aを挿通させ
て、吸着盤用ロータリアクチュエータ33により大きく
回転駆動する。この場合、押え部材35は、ウェハ列の
端部を覆ったままであり、ウェハ吸着盤32の移動は、
押え部材35の切欠35bにより許容されている。これ
により、このウェハは、1枚だけ固定部材1から剥離さ
れることになる。
3. Second moving step Next, in a state where the air flow from the air nozzle 37 is jetted in parallel, the wafer is attracted to the wafer suction plate 32 as shown by an arrow G in FIGS. 7 and 9 together with the wafer suction plate 32. The slit 35a of the holding member 35 is inserted, and the rotary actuator 33 for the suction disk drives it to rotate largely. In this case, the pressing member 35 remains covering the end portion of the wafer row, and the movement of the wafer suction plate 32 is
It is allowed by the notch 35b of the pressing member 35. As a result, only one wafer is separated from the fixing member 1.

【0054】〔枚葉洗浄工程〕そして、ウェハ吸着盤3
2により剥離したウェハを、一旦、受け部材44に収容
する。さらに、受け部材44を倒すことにより、ウェハ
を切欠部44bを通してコンベヤ45の各ベルト45a
と接触させ、各ベルト45aとの摩擦力により受け部材
44から離脱してコンベヤ45により、次工程である枚
葉洗浄手段42へと受け渡す。受け渡しが終わった後
は、スライドモータ38を駆動して、ウェハ吸着盤3
2、旋回アーム32a、吸着盤用ロータリアクチュエー
タ33、エアスライドテーブル34、押え部材35、押
え部材用ロータリアクチュエータ36、エアノズル3
7、および受け部材44の集合体を、図11において矢
印Dで示す方向に所定長さだけ移動させる。
[Single Wafer Cleaning Step] Then, the wafer suction plate 3
The wafer separated by 2 is once housed in the receiving member 44. Further, by tilting the receiving member 44, the wafer is passed through the notches 44b and the belts 45a of the conveyor 45 are conveyed.
And is separated from the receiving member 44 by the frictional force with each belt 45a and is transferred by the conveyor 45 to the single-wafer cleaning means 42 which is the next step. After the transfer, the slide motor 38 is driven to move the wafer suction plate 3
2, swivel arm 32a, rotary actuator 33 for suction plate, air slide table 34, pressing member 35, rotary actuator 36 for pressing member, air nozzle 3
The assembly of 7 and the receiving member 44 is moved by a predetermined length in the direction indicated by arrow D in FIG.

【0055】次に、枚葉洗浄手段42により、スプレー
ノズル42bにより上下から注水を行いながらブラシロ
ーラ42aによる洗浄、および、吸水ローラ42cによ
るウェハの搬送および吸水を行う。さらに、乾燥手段4
3によるウェハの乾燥を行う。
Next, the single-wafer cleaning means 42 performs cleaning by the brush roller 42a while water is being injected from above and below by the spray nozzle 42b, and wafer conveyance and water absorption by the water absorbing roller 42c. Further, the drying means 4
The wafer is dried according to 3.

【0056】〔収容工程〕最後に、ロボット52によ
り、枚葉洗浄および乾燥された各ウェハをカセット51
内に収容する。
[Accommodation Step] Finally, the robot 52 uses the cassette 52 to clean each wafer that has been washed and dried.
House inside.

【0057】本実施形態においては、軟化ステップにお
いて、接着剤を軟化させた後、第1移動ステップにおい
て、接着箇所の端点を支点としてウェハを回転移動させ
るので、接着箇所の他方の端点の側から徐々にかつ連続
的に接着剤を剥がすことができ、小さな力で大部分の接
着剤を剥がすことができる。よって、ウェハに負担をか
けることなく剥離を達成することができ、ウェハの割
れ、欠け、等を招くことがない。また、第2移動ステッ
プにおいて、さらにウェハを面方向に移動させて、ウェ
ハをウェハ列の領域外へと移動させる。この場合、大部
分の接着剤が既に剥がれているので、小さな力で剥離を
達成することができる。
In the present embodiment, after the adhesive is softened in the softening step, the wafer is rotationally moved in the first moving step with the end point of the bonding point as a fulcrum, so that the wafer is moved from the other end side of the bonding point. The adhesive can be gradually and continuously peeled off, and most of the adhesive can be peeled off with a small force. Therefore, peeling can be achieved without imposing a burden on the wafer, and the wafer is not cracked or chipped. In addition, in the second moving step, the wafer is further moved in the surface direction to move the wafer out of the region of the wafer row. In this case, since most of the adhesive has already been peeled off, peeling can be achieved with a small force.

【0058】また、ウェハ間の間隙に向けて空気流を噴
射することにより、ウェハ間に作用している表面張力を
低減することができ、剥離に要する力を、さらに小さく
することができる。
Further, by injecting the air flow toward the gap between the wafers, the surface tension acting between the wafers can be reduced, and the force required for peeling can be further reduced.

【0059】しかも、ウェハがウェハ列の領域外へと移
動される場合には、押え部材35が、ウェハ列端部付近
の押え位置35Aに配置されるので、押え部材35のス
リット35aにより、端部に位置する1枚のウェハだけ
の挿通が許容され、隣接するウェハがつれて移動するこ
とを防止することができる。
Moreover, when the wafer is moved to the outside of the area of the wafer row, the holding member 35 is arranged at the holding position 35A near the end portion of the wafer row, so that the slit 35a of the holding member 35 causes the end of the holding member 35 to move. It is possible to allow only one wafer located in the part to be inserted, and it is possible to prevent adjacent wafers from moving along with each other.

【0060】そして、反転機構20が設けられているの
で、前工程との受け渡しを円滑に達成することができ
る。
Since the reversing mechanism 20 is provided, the transfer with the previous process can be smoothly achieved.

【0061】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、以下の形態とすることもできる。 a)シリコンウェハに代えて、任意の半導体材料、磁性
材料、セラミクス等のウェハを対象とすること。 b)8インチ径のウェハに代えて、任意の寸法のウェハ
を対象とすること。 c)剥離工程において、エアスライドテーブル34を利
用してウェハ列端部のウェハを面方向にずらすことに加
えて、シリンダ34bおよびフック34cを利用してウ
ェハ列端部のウェハを面方向にずらすこと。あるいは、
他の剥離装置を付加的に使用すること。 d)ウェハ間に空気を噴射することに代えて、窒素、ア
ルゴン等の不活性ガス、あるいは、他の任意の気体を噴
射すること。あるいは、任意の混合気体を噴射するこ
と。 e)剥離工程において、ウェハ列の長さ方向の一方の端
部から1枚ずつウェハを剥離させることに代えて、ウェ
ハ列の長さ方向の両方の端部から1枚ずつウェハを剥離
させること。あるいは、任意の位置から剥離させるこ
と。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, but may have the following forms. a) Targeting a wafer of any semiconductor material, magnetic material, ceramics, etc., instead of a silicon wafer. b) Targeting a wafer of any size, instead of a wafer having a diameter of 8 inches. c) In the peeling process, in addition to using the air slide table 34 to shift the wafer at the end of the wafer row in the surface direction, use the cylinder 34b and the hook 34c to shift the wafer at the end of the wafer row in the surface direction. thing. Alternatively,
Use additional stripping equipment. d) Injecting an inert gas such as nitrogen or argon, or any other gas, instead of injecting air between the wafers. Alternatively, injecting an arbitrary mixed gas. e) In the stripping step, instead of stripping the wafers one by one from one end in the lengthwise direction of the wafer row, stripping the wafers one by one from both ends in the lengthwise direction of the wafer row. . Alternatively, peel off from any position.

【0062】[0062]

【発明の効果】本発明のウェハの剥離方法および装置に
よれば、以下の効果を奏する。上記のウェハの剥離方法
によれば、軟化ステップにおいて、接着剤を軟化させた
後、第1移動ステップにおいて、接着箇所の端点を支点
としてウェハを回転移動させるので、接着箇所の他方の
端点の側から徐々にかつ連続的に接着剤を剥がすことが
でき、小さな力で大部分の接着剤を剥がすことができ
る。また、第2移動ステップにおいて、さらにウェハを
面方向に移動させて、ウェハをウェハ列の領域外へと移
動させる。この場合、大部分の接着剤が既に剥がれてい
るので、小さな力で剥離を達成することができる。上記
のウェハの剥離方法によれば、ウェハ間の間隙に向けて
気体流を噴射することにより、ウェハ間に作用している
表面張力を低減することができ、剥離に要する力を、さ
らに小さくすることができる。
According to the wafer peeling method and apparatus of the present invention, the following effects can be obtained. According to the above wafer peeling method, after the adhesive is softened in the softening step, the wafer is rotationally moved in the first moving step with the end point of the bonding point as a fulcrum, so that the other end point side of the bonding point is moved. The adhesive can be gradually and continuously peeled off, and most of the adhesive can be peeled off with a small force. In addition, in the second moving step, the wafer is further moved in the surface direction to move the wafer out of the region of the wafer row. In this case, since most of the adhesive has already been peeled off, peeling can be achieved with a small force. According to the above method for separating wafers, by injecting the gas flow toward the gap between the wafers, the surface tension acting between the wafers can be reduced, and the force required for separation can be reduced. , Can be made smaller.

【0063】上記のウェハの剥離装置によれば、軟化槽
に接着部分が浸漬されることにより、接着剤が軟化し、
そして、第1移動手段を利用して、ウェハ吸着盤と固定
部材とを相対的にスライドすることにより、ウェハと固
定部材との接着箇所の端点を支点としたウェハの面方向
の回転移動を行うので、接着箇所の他方の端点の側から
徐々にかつ連続的に接着剤を剥がすことができ、小さな
力で大部分の接着剤を剥がすことができる。さらに、第
2移動手段を利用して、ウェハをウェハ列の領域外へと
移動させる。この場合、大部分の接着剤が既に剥がれて
いるので、小さな力で剥離を達成することができる。
のウェハの剥離装置によれば、剥離されるウェハの近
傍には、剥離されるウェハとこのウェハに隣接するウェ
ハとの間隙に向けて気体流を噴射するためのノズルが設
けられているので、ウェハ間に作用している表面張力を
低減することができ、剥離に要する力を、さらに小さく
することができる。上記のウェハの剥離装置によれば、
第2移動手段によりウェハが移動される場合には、押え
部材が、ウェハ列端部付近の押え位置に配置されるの
で、押え部材のスリットにより、1枚のウェハだけの挿
通が許容され、隣接するウェハがつれて移動することを
防止することができる。上記のウェハの剥離装置によれ
ば、反転機構が設けられているので、前工程との受け渡
しを円滑に達成することができる。
According to the above wafer peeling apparatus, the adhesive is softened by immersing the bonded portion in the softening bath,
Then, by using the first moving means to relatively slide the wafer suction plate and the fixing member, the wafer is rotationally moved in the plane direction with the end point of the bonded portion between the wafer and the fixing member as a fulcrum. Therefore, the adhesive can be gradually and continuously peeled off from the other end point side of the bonded portion, and most of the adhesive can be peeled off with a small force. Further, the second moving means is used to move the wafer out of the region of the wafer row. In this case, since most of the adhesive has already been peeled off, peeling can be achieved with a small force. Up
According to the peeling apparatus of serial wafer, in the vicinity of the wafer is peeled off, since the nozzle for injecting a gas flow toward the gap between the wafer is peeled off the wafer adjacent to the wafer are provided The surface tension acting between the wafers can be reduced, and the force required for peeling can be further reduced. According to the above wafer peeling apparatus,
When the wafer is moved by the second moving means, since the holding member is arranged at the holding position near the end of the wafer row, the slit of the holding member allows only one wafer to be inserted, and It is possible to prevent the moving wafer from moving. According to the above wafer peeling apparatus, since the reversing mechanism is provided, the delivery to the previous step can be smoothly achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のウェハの剥離装置の一実施形態を含む
ウェハ洗浄装置を示す正面図である。
FIG. 1 is a front view showing a wafer cleaning apparatus including an embodiment of a wafer peeling apparatus of the present invention.

【図2】図1に示すウェハの洗浄装置を示す側面図であ
る。
FIG. 2 is a side view showing a cleaning apparatus for the wafer shown in FIG.

【図3】本発明のウェハの剥離装置が対象とするワーク
を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a work targeted by the wafer peeling apparatus of the present invention.

【図4】図1に示すウェハの洗浄装置における洗浄機構
を示す側面図である。
FIG. 4 is a side view showing a cleaning mechanism in the wafer cleaning apparatus shown in FIG.

【図5】図4に示す洗浄機構におけるウェハ列搬送手段
を示す正面図である。
5 is a front view showing a wafer row transfer means in the cleaning mechanism shown in FIG.

【図6】図5に示すウェハ列搬送手段の一部を拡大して
示す側面図である。
FIG. 6 is an enlarged side view showing a part of the wafer row transfer means shown in FIG.

【図7】本発明のウェハの剥離装置における反転機構を
図1における矢印A方向から見た左側面図である。
FIG. 7 is a left side view of the reversing mechanism in the wafer peeling apparatus of the present invention as seen from the direction of arrow A in FIG.

【図8】図7に示す反転機構を図7における矢印B方向
から見た正面図である。
8 is a front view of the reversing mechanism shown in FIG. 7 viewed from the direction of arrow B in FIG.

【図9】本発明の剥離装置の一実施形態を図1における
矢印A方向から見た左側面図である。
FIG. 9 is a left side view of an embodiment of the peeling device of the present invention as viewed in the direction of arrow A in FIG.

【図10】図9に示す剥離装置を図9における矢印C方
向から見た正面図である。
10 is a front view of the peeling device shown in FIG. 9 as seen from the direction of arrow C in FIG.

【図11】図9に示す剥離装置をを示す平面図である。11 is a plan view showing the peeling device shown in FIG. 9. FIG.

【図12】図1に示すウェハの洗浄装置における枚葉洗
浄機構を示す平面図である。
12 is a plan view showing a single-wafer cleaning mechanism in the wafer cleaning apparatus shown in FIG.

【図13】図12に示す枚葉洗浄機構を詳細に示す正面
図である。
13 is a front view showing the single-wafer cleaning mechanism shown in FIG. 12 in detail.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 固定部材 20 反転機構 21a ラック 22 支持部材 22b 係合アーム 22c ピニオン 23 駆動モータ(回転駆動手段) 30 剥離装置 30b 端点(支点) 31 軟化槽 32 ウェハ吸着盤 33 吸着盤用ロータリアクチュエータ(第2移動手
段) 34 エアスライドテーブル(第1移動手段) 37 エアノズル(ノズル) 35a スリット 35b 切欠 35 押え部材 35A 押え位置 35B 退避位置 36 押え部材用ロータリアクチュエータ(押え部材
用駆動手段)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Fixing member 20 Inversion mechanism 21a Rack 22 Supporting member 22b Engaging arm 22c Pinion 23 Drive motor (rotary driving means) 30 Stripping device 30b End point (fulcrum) 31 Softening tank 32 Wafer suction plate 33 Rotary actuator for suction plate (2nd movement) 34) Air slide table (first moving means) 37 Air nozzle (nozzle) 35a Slit 35b Notch 35 Holding member 35A Holding position 35B Retracting position 36 Holding member rotary actuator (holding member driving means)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−237770(JP,A) 特開 平6−208979(JP,A) 特開 平7−106287(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-9-237770 (JP, A) JP-A-6-208979 (JP, A) JP-A-7-106287 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/304

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 固定部材上に接着剤を介して接着された
状態のウェハ列から各ウェハを剥離するための装置であ
って、 前記接着剤による接着部分を浸漬することにより前記接
着剤を軟化させるための軟化槽と、 前記ウェハ列の端部に位置するウェハの表面に吸着する
ウェハ吸着盤と、 該ウェハ吸着盤と前記固定部材とを、相対的にウェハの
面方向にスライドさせ、ウェハと前記固定部材との接着
箇所の端点を支点として該ウェハを面方向に回転移動さ
せるための第1移動手段と、 さらに、前記ウェハ吸着盤を移動させて前記ウェハを面
方向に移動させることにより、該ウェハを前記ウェハ列
の領域外へと移動させる第2移動手段とを具備すること
を特徴とするウェハの剥離装置。
1. An apparatus for separating each wafer from a wafer row in a state of being adhered to a fixing member via an adhesive, wherein the adhesive is softened by immersing the bonded portion by the adhesive. A softening bath for allowing the wafer to be sucked onto the surface of the wafer located at the end of the wafer row, and the wafer suction plate and the fixing member are slid relative to each other in the plane direction of the wafer. A first moving means for rotationally moving the wafer in the surface direction with an end point of a bonding portion between the fixing member and the fixing member as a fulcrum, and further, moving the wafer suction plate to move the wafer in the surface direction. And a second moving means for moving the wafer out of the area of the wafer row.
【請求項2】 請求項1記載のウェハの剥離装置におい
て、 剥離される前記ウェハに近傍には、剥離される該ウェハ
と該ウェハに隣接するウェハとの間隙に向けて気体流を
噴射するためのノズルが設けられていることを特徴とす
るウェハの剥離装置。
2. The wafer peeling apparatus according to claim 1 , wherein a gas flow is injected in the vicinity of the wafer to be peeled toward a gap between the wafer to be peeled and a wafer adjacent to the wafer. 1. A wafer peeling apparatus, characterized in that the nozzle of (1) is provided.
【請求項3】 請求項1または2記載のウェハの剥離装
置において、 前記ウェハ列の前記端部付近を覆うものでありかつ該端
部に位置するウェハ1枚が挿通し得るスリットと該ウェ
ハを吸着している前記ウェハ吸着盤の移動を許容する切
欠とを有する押え部材、および、該押え部材を前記ウェ
ハ列の前記端部付近の押え位置と該押え位置からは離間
した退避位置との間を移動させる押え部材用駆動手段が
設けられていることを特徴とするウェハの剥離装置。
3. The wafer peeling apparatus according to claim 1 or 2 , wherein a slit that covers the vicinity of the end of the wafer row and allows a single wafer located at the end to pass through, and the wafer. A pressing member having a notch that allows the suction of the wafer suction plate to move, and between the pressing position of the pressing member near the end of the wafer row and a retracted position separated from the pressing position. A wafer peeling apparatus, characterized in that a pressing member driving means for moving the wafer is provided.
【請求項4】 請求項1、2または3記載のウェハの剥
離装置において、 前記ウェハ列を前記軟化槽に浸漬させるに先立って、前
記固定部材と前記ウェハ列とを前記ウェハ列の軸線回り
に回転させるための反転機構が設けられており、 該反転機構は、前記ウェハ列の長さ方向に垂直に配設さ
れたラックと、該ラックに係合状態で転動するピニオ
ン、および、該ピニオンの転動につれて旋回しかつ前記
ピニオンの軸心と前記ウェハ列の前記軸線とを一致させ
た状態で前記固定部材に係合する係合アームを有する支
持部材と、該支持部材を回転駆動するための回転駆動手
段とを備えて構成されていることを特徴とするウェハの
剥離装置。
4. The wafer stripping apparatus according to claim 1, 2 or 3 , wherein the fixing member and the wafer row are rotated around an axis of the wafer row before the wafer row is immersed in the softening bath. A reversing mechanism for rotating is provided, and the reversing mechanism includes a rack arranged perpendicularly to the length direction of the wafer row, a pinion rolling in engagement with the rack, and the pinion. For rotating and driving the support member, which has an engaging arm that engages with the fixing member in a state of turning along with the rolling of the pinion and aligning the axis of the pinion with the axis of the wafer row. And a rotation driving means for the wafer peeling device.
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