JP3517677B2 - 窒化シリコン単分子層膜の形成方法 - Google Patents
窒化シリコン単分子層膜の形成方法Info
- Publication number
- JP3517677B2 JP3517677B2 JP2001006841A JP2001006841A JP3517677B2 JP 3517677 B2 JP3517677 B2 JP 3517677B2 JP 2001006841 A JP2001006841 A JP 2001006841A JP 2001006841 A JP2001006841 A JP 2001006841A JP 3517677 B2 JP3517677 B2 JP 3517677B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- silicon
- nitriding
- gas
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子デバイス
素子の基板として用いられるシリコンの表面に、単分子
層からなる平坦な窒化シリコン膜を形成する方法に関す
るものである。
素子の基板として用いられるシリコンの表面に、単分子
層からなる平坦な窒化シリコン膜を形成する方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】これまで、各種電子デバイスに用いられ
ている素子の基板のほとんどはシリコン基板である。そ
して、これらの素子の中の中央演算処理素子、いわゆる
マイクロチップやメモリー素子などの集積回路は、シリ
コン基板表面上に微細な電子回路網を形成することによ
り構成されているが、最近、電子デバイスの小型化が要
求されるとともに、この構成はますます微細化の傾向を
たどっている。
ている素子の基板のほとんどはシリコン基板である。そ
して、これらの素子の中の中央演算処理素子、いわゆる
マイクロチップやメモリー素子などの集積回路は、シリ
コン基板表面上に微細な電子回路網を形成することによ
り構成されているが、最近、電子デバイスの小型化が要
求されるとともに、この構成はますます微細化の傾向を
たどっている。
【０００３】例えば、現在４メガバイトＤＲＡＭに用い
られているメモリー素子の回路を形成するために、シリ
コン表面に設けられる配線パターンの最小線幅は約０．
５μｍであるが、近い将来には約０．２５μｍになるこ
とが予想されている。そして、このような微細な回路網
の作成にこたえるため、加工技術についての要求もます
ます厳しくなってきており、その中の１つとして保護膜
や電気絶縁膜についても、均一な単分子層からなるもの
を形成することが必要になってきている。
られているメモリー素子の回路を形成するために、シリ
コン表面に設けられる配線パターンの最小線幅は約０．
５μｍであるが、近い将来には約０．２５μｍになるこ
とが予想されている。そして、このような微細な回路網
の作成にこたえるため、加工技術についての要求もます
ます厳しくなってきており、その中の１つとして保護膜
や電気絶縁膜についても、均一な単分子層からなるもの
を形成することが必要になってきている。
【０００４】ところで、窒化シリコン膜は、主として素
子の表面の不活性化のための保護膜、酸化や不純物の拡
散防止膜、記憶素子のゲート絶縁膜などとしての利用が
はかられており、これまで化学気相成長法と直接熱窒化
法によりシリコン基板上に形成することが行われてい
た。
子の表面の不活性化のための保護膜、酸化や不純物の拡
散防止膜、記憶素子のゲート絶縁膜などとしての利用が
はかられており、これまで化学気相成長法と直接熱窒化
法によりシリコン基板上に形成することが行われてい
た。
【０００５】この化学気相成長法は、シリコン表面上
に、シリコンと窒素の両方を含む反応種を供給し、化学
反応を行わせてシリコン表面に窒化シリコンを堆積する
方法であり、直接熱窒化法は、シリコン表面に窒素を含
む反応種のみを供給し、シリコン表面の内部に向って窒
化を進める方法である。
に、シリコンと窒素の両方を含む反応種を供給し、化学
反応を行わせてシリコン表面に窒化シリコンを堆積する
方法であり、直接熱窒化法は、シリコン表面に窒素を含
む反応種のみを供給し、シリコン表面の内部に向って窒
化を進める方法である。
【０００６】そして、化学気相成長法は、厚い膜を形成
しうるという長所はあるが、シリコン基板と窒化シリコ
ンとの境界面での平坦性や接続性を欠くという欠点があ
るのに対し、直接熱窒化法は、膜厚の点では化学気相成
長法に劣るが、シリコンと窒化シリコンとの境界面での
平坦性や接続性及び電気的特性が化学気相成長法より優
れているということから、微細加工用としては、主とし
て直接熱窒化法が採り上げられるようになった。
しうるという長所はあるが、シリコン基板と窒化シリコ
ンとの境界面での平坦性や接続性を欠くという欠点があ
るのに対し、直接熱窒化法は、膜厚の点では化学気相成
長法に劣るが、シリコンと窒化シリコンとの境界面での
平坦性や接続性及び電気的特性が化学気相成長法より優
れているということから、微細加工用としては、主とし
て直接熱窒化法が採り上げられるようになった。
【０００７】この直接熱窒化法は、さらにラジカル方式
と非ラジカル方式に分けられる。ラジカル方式は、窒素
を含む反応種からマイクロ波共鳴プラズマや、解離フィ
ラメントなどを利用して、高エネルギー状態の窒素ラジ
カルを発生させ、それをシリコン表面に照射して窒化シ
リコン膜を形成させる方式であり、非ラジカル方式は、
窒素を含む反応種を励起することなく、単に熱反応のみ
で窒化シリコンを形成させる方式である。
と非ラジカル方式に分けられる。ラジカル方式は、窒素
を含む反応種からマイクロ波共鳴プラズマや、解離フィ
ラメントなどを利用して、高エネルギー状態の窒素ラジ
カルを発生させ、それをシリコン表面に照射して窒化シ
リコン膜を形成させる方式であり、非ラジカル方式は、
窒素を含む反応種を励起することなく、単に熱反応のみ
で窒化シリコンを形成させる方式である。
【０００８】そして、このラジカル方式は、反応種の活
性度が高いため、反応速度が大きく、反応制御も容易で
あるという利点はあるが、窒化のための反応種の励起機
構が複雑な上に、反応圧力を低くする必要があるため、
真空容器や真空排気機構という特殊な装置を用いなけれ
ばならないという欠点がある。また、直接熱窒化法は、
いずれの方式をとるにしても表面層を連続的に窒化する
だけで、任意の時点で反応を停止することができないた
め、単分子層からなる薄い窒化膜を形成するように制御
することは困難であった。
性度が高いため、反応速度が大きく、反応制御も容易で
あるという利点はあるが、窒化のための反応種の励起機
構が複雑な上に、反応圧力を低くする必要があるため、
真空容器や真空排気機構という特殊な装置を用いなけれ
ばならないという欠点がある。また、直接熱窒化法は、
いずれの方式をとるにしても表面層を連続的に窒化する
だけで、任意の時点で反応を停止することができないた
め、単分子層からなる薄い窒化膜を形成するように制御
することは困難であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、シリコン表面に分子サイズオーダーで平
坦な単分子層からなる窒化シリコン膜を、特殊な装置を
用いることなく、高い再規性で、しかも効率よく形成さ
せる方法を提供することを目的としてなされたものであ
る。
事情のもとで、シリコン表面に分子サイズオーダーで平
坦な単分子層からなる窒化シリコン膜を、特殊な装置を
用いることなく、高い再規性で、しかも効率よく形成さ
せる方法を提供することを目的としてなされたものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、シリコン
表面に窒化シリコン膜を形成させる方法について種々研
究を重ねた結果、非ラジカル方式の直接熱窒化法により
シリコン基板表面に窒化シリコン膜を形成させる際に、
窒化用反応ガス中に水素ガスを添加すると、昇温した場
合にシリコン表面に窒化シリコンが形成されると同時
に、水素ガスによる表面清浄化及び窒化シリコン形成反
応の自己停止が行われる結果、分子サイズオーダーで平
坦な単分子層窒化シリコン膜が得られることを見出し、
この知見に基づいて本発明をなすに至った。
表面に窒化シリコン膜を形成させる方法について種々研
究を重ねた結果、非ラジカル方式の直接熱窒化法により
シリコン基板表面に窒化シリコン膜を形成させる際に、
窒化用反応ガス中に水素ガスを添加すると、昇温した場
合にシリコン表面に窒化シリコンが形成されると同時
に、水素ガスによる表面清浄化及び窒化シリコン形成反
応の自己停止が行われる結果、分子サイズオーダーで平
坦な単分子層窒化シリコン膜が得られることを見出し、
この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【００１１】すなわち、本発明は、シリコン基板表面に
窒化用反応ガスを接触させ、非ラジカル的に直接熱窒化
するに当り、該窒化用反応ガスに０．０１〜５体積％の
割合で水素ガスを添加し、シリコン表面の窒化と水素ガ
スによる窒化シリコンの還元とを同時に行わせることを
特徴とする、実質上単分子層からなる平坦な窒化シリコ
ン膜の形成方法を提供するものである。なお、ここで実
質上単分子層からなるとは、基板上において窒素原子と
ケイ素原子とが実質上それぞれ単原子の厚さで結合して
窒化シリコン分子を形成した層を意味する。
窒化用反応ガスを接触させ、非ラジカル的に直接熱窒化
するに当り、該窒化用反応ガスに０．０１〜５体積％の
割合で水素ガスを添加し、シリコン表面の窒化と水素ガ
スによる窒化シリコンの還元とを同時に行わせることを
特徴とする、実質上単分子層からなる平坦な窒化シリコ
ン膜の形成方法を提供するものである。なお、ここで実
質上単分子層からなるとは、基板上において窒素原子と
ケイ素原子とが実質上それぞれ単原子の厚さで結合して
窒化シリコン分子を形成した層を意味する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明方法においては、ラジカル
化しない窒化用ガスに水素ガスを加えた反応ガスをシリ
コン基板表面に接触させ、加熱反応させることが必要で
ある。この際、シリコン基板は、あらかじめ常法に従っ
て清浄化しておくのがよい。
化しない窒化用ガスに水素ガスを加えた反応ガスをシリ
コン基板表面に接触させ、加熱反応させることが必要で
ある。この際、シリコン基板は、あらかじめ常法に従っ
て清浄化しておくのがよい。
【００１３】次に、上記の窒化用ガスとしては、シリコ
ンと反応してシリコン基板表面に窒化シリコン膜を形成
しうる性質をもつものであればどのようなものを用いて
もよく、特に制限はない。このようなものとしては、例
えば窒素、アンモニア、一酸化窒素、二酸化窒素、ヒド
ラジンなどがあるが、特に、窒素又はアンモニアが好ま
しい。
ンと反応してシリコン基板表面に窒化シリコン膜を形成
しうる性質をもつものであればどのようなものを用いて
もよく、特に制限はない。このようなものとしては、例
えば窒素、アンモニア、一酸化窒素、二酸化窒素、ヒド
ラジンなどがあるが、特に、窒素又はアンモニアが好ま
しい。
【００１４】本発明方法においては、これらのガスを単
独で用いてもよいし、また不活性ガス、例えばヘリウム
やアルゴンと混合して用いてもよい。この場合、不活性
ガスの混合割合は、９７体積％以下、好ましくは９０体
積％以下にする。これよりも不活性ガスの割合が多くな
ると、シリコンを窒化する能力が低下するので好ましく
ない。
独で用いてもよいし、また不活性ガス、例えばヘリウム
やアルゴンと混合して用いてもよい。この場合、不活性
ガスの混合割合は、９７体積％以下、好ましくは９０体
積％以下にする。これよりも不活性ガスの割合が多くな
ると、シリコンを窒化する能力が低下するので好ましく
ない。
【００１５】本発明方法においては、上記の窒化用ガス
に対し、水素ガスを添加することが必要である。この水
素ガスの添加割合は、窒化用ガスの体積に基づき０．０
１〜５体積％の範囲内で選ばれる。この添加は、通常例
えば反応容器中へ導入される窒化用ガスの圧力を１００
ｋＰａとし、これに１０〜５０００Ｐａの圧力になるよ
うに水素を導入することによって行われる。
に対し、水素ガスを添加することが必要である。この水
素ガスの添加割合は、窒化用ガスの体積に基づき０．０
１〜５体積％の範囲内で選ばれる。この添加は、通常例
えば反応容器中へ導入される窒化用ガスの圧力を１００
ｋＰａとし、これに１０〜５０００Ｐａの圧力になるよ
うに水素を導入することによって行われる。
【００１６】本発明方法における反応ガスに添加された
水素ガスの役割は、反応中のシリコン表面を水素の還元
作用により清浄化し、形成される窒化シリコン膜への汚
染物質の混入を低減させることがまずあげられる。これ
までの方法では、反応中のシリコン表面は、窒化効果を
もつガスに常にさらされることになり、反応ガス中の不
純物が容易に窒化シリコン膜中に混入しやすい。それに
対し、本発明方法では、水素のもつ強力な還元作用によ
り表面に吸着した汚染物質を水素化して表面から取り除
くことができる。そのため、従来の反応速度が遅い非ラ
ジカル方式の場合では膜中の不純物汚染が大きな問題で
あったが、本発明方法ではその不純物を大幅に低減し、
極めて高品質の窒化シリコン膜が形成できるようになっ
た。
水素ガスの役割は、反応中のシリコン表面を水素の還元
作用により清浄化し、形成される窒化シリコン膜への汚
染物質の混入を低減させることがまずあげられる。これ
までの方法では、反応中のシリコン表面は、窒化効果を
もつガスに常にさらされることになり、反応ガス中の不
純物が容易に窒化シリコン膜中に混入しやすい。それに
対し、本発明方法では、水素のもつ強力な還元作用によ
り表面に吸着した汚染物質を水素化して表面から取り除
くことができる。そのため、従来の反応速度が遅い非ラ
ジカル方式の場合では膜中の不純物汚染が大きな問題で
あったが、本発明方法ではその不純物を大幅に低減し、
極めて高品質の窒化シリコン膜が形成できるようになっ
た。
【００１７】また、添加された水素は、表面に形成され
た窒化シリコン膜をも還元する効果をもっている。その
ため、反応装置内では、反応ガス中の窒化効果をもつガ
スによるシリコン表面の窒化と水素ガスによる窒化シリ
コンの還元とが同時に起こることになる。ここで、窒化
シリコンはシリコン上の第１層は極めて強固であるが、
層が厚くなるに従って非晶質化し、構造が弱くなる。そ
のため、シリコン上の第１層の窒化シリコンよりも窒化
が進行して厚くなった窒化シリコンのほうが水素ガスに
よって容易に還元される。このために、反応ガス中の窒
化効果をもつガスと添加する水素ガスの量を調整するこ
とにより、ちょうど表面１層のみの窒化シリコン膜を、
自己停止的に形成することができる。
た窒化シリコン膜をも還元する効果をもっている。その
ため、反応装置内では、反応ガス中の窒化効果をもつガ
スによるシリコン表面の窒化と水素ガスによる窒化シリ
コンの還元とが同時に起こることになる。ここで、窒化
シリコンはシリコン上の第１層は極めて強固であるが、
層が厚くなるに従って非晶質化し、構造が弱くなる。そ
のため、シリコン上の第１層の窒化シリコンよりも窒化
が進行して厚くなった窒化シリコンのほうが水素ガスに
よって容易に還元される。このために、反応ガス中の窒
化効果をもつガスと添加する水素ガスの量を調整するこ
とにより、ちょうど表面１層のみの窒化シリコン膜を、
自己停止的に形成することができる。
【００１８】本発明方法における反応温度は、従来の非
ラジカル方式の場合と同じであり、例えば８００〜１５
００℃の範囲で選ばれる。また、反応時間は、反応ガス
の組成、反応温度により左右されるが、通常は１０〜６
０秒間である。このようにして、シリコン基板上に、実
質上単分子層からなる平坦な窒化シリコン膜を形成させ
ることができる。
ラジカル方式の場合と同じであり、例えば８００〜１５
００℃の範囲で選ばれる。また、反応時間は、反応ガス
の組成、反応温度により左右されるが、通常は１０〜６
０秒間である。このようにして、シリコン基板上に、実
質上単分子層からなる平坦な窒化シリコン膜を形成させ
ることができる。
【００１９】次に、添付図面に従って、本発明方法をさ
らに詳細に説明する。図１は、本発明方法を行うのに適
した反応装置の１例の説明図であり、シリコン基板３を
収納した加熱手段をもつ密閉容器１に、反応ガス導入装
置２より、水素ガスを含む反応ガスが導入され、シリコ
ン基板３と反応ガスとが接触した状態で加熱反応する。
この段階でシリコン基板上に窒化シリコン膜４が形成さ
れ、反応に使用されたガスは排気装置５により排気され
る。
らに詳細に説明する。図１は、本発明方法を行うのに適
した反応装置の１例の説明図であり、シリコン基板３を
収納した加熱手段をもつ密閉容器１に、反応ガス導入装
置２より、水素ガスを含む反応ガスが導入され、シリコ
ン基板３と反応ガスとが接触した状態で加熱反応する。
この段階でシリコン基板上に窒化シリコン膜４が形成さ
れ、反応に使用されたガスは排気装置５により排気され
る。
【００２０】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。
明する。
【００２１】実施例
ボロンの添加によりＰ型としたシリコン（１１１）基板
（抵抗率０．１Ω・ｃｍ）の表面を清浄化して有機汚染
物質、重金属汚染物質及び自然酸化膜を除去したのち、
図１の反応容器１内に配置した。次いで、反応ガス導入
装置２より、市販の高純度窒素に高純度水素を体積割合
約３％で添加した反応ガスを導入し、反応容器内の全圧
力を約１００ｋＰａに調整したのち、シリコン基板を１
０００℃に加熱し、約３０秒間反応させた。反応後、反
応容器を室温まで冷却して基板を取り出した。図２は、
このようにして得た窒化シリコン膜を有するシリコン
（１１１）表面の走査プローブ顕微鏡写真であり、この
観察領域の広さは、約１０μｍ四方である。この図２に
おける階段状のものについて走査プローブ顕微鏡に基づ
いて高さを測定したところ、約０．３２ｎｍであった。
これはシリコン（１１１）の単原子の高さに相当し、シ
リコン（１１１）表面上に存在する構造の高さの最小単
位である。また、図３は図２のテラス部分をさらに拡大
し、観察領域の広さを約５０ｎｍ四方にしたものであ
る。この図３には、窒化シリコンが単分子層のみで形成
されたときに現われる８／３×８／３という特殊な周期
構造がはっきり認められた。これらの結果から、この例
で得られたシリコン（１１１）基板表面の全領域にわた
って、分子サイズオーダーで平坦な窒化シリコン単分子
層膜が形成されていることが分かる。
（抵抗率０．１Ω・ｃｍ）の表面を清浄化して有機汚染
物質、重金属汚染物質及び自然酸化膜を除去したのち、
図１の反応容器１内に配置した。次いで、反応ガス導入
装置２より、市販の高純度窒素に高純度水素を体積割合
約３％で添加した反応ガスを導入し、反応容器内の全圧
力を約１００ｋＰａに調整したのち、シリコン基板を１
０００℃に加熱し、約３０秒間反応させた。反応後、反
応容器を室温まで冷却して基板を取り出した。図２は、
このようにして得た窒化シリコン膜を有するシリコン
（１１１）表面の走査プローブ顕微鏡写真であり、この
観察領域の広さは、約１０μｍ四方である。この図２に
おける階段状のものについて走査プローブ顕微鏡に基づ
いて高さを測定したところ、約０．３２ｎｍであった。
これはシリコン（１１１）の単原子の高さに相当し、シ
リコン（１１１）表面上に存在する構造の高さの最小単
位である。また、図３は図２のテラス部分をさらに拡大
し、観察領域の広さを約５０ｎｍ四方にしたものであ
る。この図３には、窒化シリコンが単分子層のみで形成
されたときに現われる８／３×８／３という特殊な周期
構造がはっきり認められた。これらの結果から、この例
で得られたシリコン（１１１）基板表面の全領域にわた
って、分子サイズオーダーで平坦な窒化シリコン単分子
層膜が形成されていることが分かる。
【００２２】
【発明の効果】本発朋によれば、特殊な装置を用いるこ
となしに、簡単に入手しうる原料を用い、簡単に、かつ
高い再現性で、平坦な高品質の、実質上、単分子層から
なる窒化シリコン膜をシリコン基板上に形成しうるの
で、微細化に必要なシリコン系集積回路用基板の製造に
好適である。
となしに、簡単に入手しうる原料を用い、簡単に、かつ
高い再現性で、平坦な高品質の、実質上、単分子層から
なる窒化シリコン膜をシリコン基板上に形成しうるの
で、微細化に必要なシリコン系集積回路用基板の製造に
好適である。
【図１】 本発明方法を行うのに適した反応装置の１例
の説明図。
の説明図。
【図２】 実施例で得たシリコン（１１１）表面の走査
プローブ顕微鏡写真。
プローブ顕微鏡写真。
【図３】 図２の一部をさらに拡大した走査プローブ顕
微鏡写真。
微鏡写真。
１ 反応容器
２ 反応ガス導入装置
３ シリコン基板試料
４ 窒化シリコン膜
５ 排気装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 徳本 洋志
茨城県つくば市東１丁目１番４ 経済産
業省産業技術総合研究所産業技術融合領
域研究所内
(56)参考文献 特開 昭63−96927（ＪＰ，Ａ)
特開2000−150512（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−51104（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−293728（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H04L 21/312
H04L 21/314
H04L 21/316
H04L 21/318
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコン基板表面に窒化用反応ガスを接
触させ、非ラジカル的に直接熱窒化するに当り、該窒化
用反応ガスに０．０１〜５体積％の割合で水素ガスを添
加し、シリコン表面の窒化と水素ガスによる窒化シリコ
ンの還元とを同時に行わせることを特徴とする、実質上
単分子層からなる平坦な窒化シリコン膜の形成方法。 - 【請求項２】 窒化用反応ガスが窒素からなる請求項１
記載の窒化シリコン膜の形成方法。 - 【請求項３】 窒化用反応ガスが窒素と不活性ガスとの
混合物からなる請求項１記載の窒化シリコン膜の形成方
法。 - 【請求項４】 窒化用反応ガスがアンモニアからなる請
求項１記載の窒化シリコン膜の形成方法。 - 【請求項５】 窒化用反応ガスがアンモニアと不活性ガ
スとの混合物からなる請求項１記載の窒化シリコン膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006841A JP3517677B2 (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 窒化シリコン単分子層膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006841A JP3517677B2 (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 窒化シリコン単分子層膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002217192A JP2002217192A (ja) | 2002-08-02 |
| JP3517677B2 true JP3517677B2 (ja) | 2004-04-12 |
Family
ID=18874671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001006841A Expired - Lifetime JP3517677B2 (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 窒化シリコン単分子層膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3517677B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5645770B2 (ja) * | 2011-08-03 | 2014-12-24 | コバレントマテリアル株式会社 | 窒化物半導体基板の製造方法 |
-
2001
- 2001-01-15 JP JP2001006841A patent/JP3517677B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002217192A (ja) | 2002-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7977243B2 (en) | Barrier metal film production apparatus, barrier metal film production method, metal film production method, and metal film production apparatus | |
| US7037574B2 (en) | Atomic layer deposition for fabricating thin films | |
| JP5013353B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| Dallaporta et al. | Silicon dioxide defects induced by metal impurities | |
| US7211506B2 (en) | Methods of forming cobalt layers for semiconductor devices | |
| TWI331364B (ja) | ||
| JP3048749B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| Klaus et al. | SiO2 Chemical Vapor Deposition at Room Temperature Using SiCl4 and H 2 O with an NH 3 Catalyst | |
| Maeng et al. | Atomic layer deposition of Ta-based thin films: Reactions of alkylamide precursor with various reactants | |
| JPH04221822A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JP2022137205A (ja) | 金を含む薄膜の蒸着 | |
| JP4031704B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JP3517677B2 (ja) | 窒化シリコン単分子層膜の形成方法 | |
| KR101548129B1 (ko) | 증착 챔버 내에서 산화로부터의 도전체 보호 | |
| WO2006107416A2 (en) | Method and system for forming an oxynitride layer by performing oxidation and nitridation concurrently | |
| US6537924B2 (en) | Method of chemically growing a thin film in a gas phase on a silicon semiconductor substrate | |
| JP4505072B2 (ja) | 化学蒸着方法及び化学蒸着装置 | |
| JP2007214504A (ja) | 予備排気室、試料処理装置、試料分析装置、試料処理方法および試料分析方法 | |
| JP3718297B2 (ja) | 薄膜作製方法および薄膜作製装置 | |
| JP2002158223A (ja) | 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 | |
| JP3240305B2 (ja) | 固体の選択成長方法 | |
| JP2006191151A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
| Hozumi et al. | Site-selective electroless plating on amino-terminated diamond substrate patterned by 126 nm vacuum ultraviolet light lithography | |
| JP3399124B2 (ja) | 酸化膜の成膜方法および酸化膜の成膜装置 | |
| JPH01239852A (ja) | 薄膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| R155 | Notification before disposition of declining of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3517677 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |