JP3514391B2 - Hermetic chamber and pressure control method of hermetic chamber - Google Patents
Hermetic chamber and pressure control method of hermetic chamberInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は気密室、及び、気密室の
圧力制御方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to an airtight chamber and an airtight chamber.
The present invention relates to a pressure control method .
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の被処理体、例えば半導体ウエハを
搬送手段により搬送する搬送装置において、前記半導体
ウエハを前記搬送手段により搬送する際の搬送路におい
ては、半導体ウエハ上への不純物の付着又は自然酸化膜
の形成を防止する等の目的で前記搬送路に不活性ガス、
例えば一般的にＮ2 ガスを前記搬送路に充満させている
搬送装置が知られている。また、前記搬送手段により前
記半導体ウエハを処理する処理室に半導体ウエハを搬入
又は搬出する際、搬入又は搬出作業前に前記搬送手段を
設けた気密に構成される気密室を前記処理室と同等の圧
力、例えば１０-3Ｔｏｒｒ以下に排気手段、例えば真空
ポンプにより減圧した後、前記処理室と気密室間に設け
られた開閉扉、例えばゲートバルブを開放し前記半導体
ウエハを前記搬送手段により処理室に搬入又は搬出して
いた。2. Description of the Related Art In a conventional transfer device for transferring an object to be processed, for example, a semiconductor wafer, by a transfer means, in the transfer path when the semiconductor wafer is transferred by the transfer means, impurities are deposited on the semiconductor wafer or An inert gas in the carrier path for the purpose of preventing the formation of a natural oxide film,
For example, there is generally known a transfer device in which the transfer path is filled with N 2 gas. Further, when the semiconductor wafer is loaded into or unloaded from the processing chamber for processing the semiconductor wafer by the transfer means, an airtight chamber configured with the transfer means before the loading or unloading work is equivalent to the processing chamber. After the pressure is reduced to, for example, 10 −3 Torr or less by exhaust means, for example, a vacuum pump, an opening / closing door such as a gate valve provided between the processing chamber and the airtight chamber is opened, and the semiconductor wafer is processed by the transfer means in the processing chamber Had been carried in or out.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記被
処理体、例えば半導体ウエハを搬送させる搬送路を空気
の比重より軽い比重の気体、例えばＮ2 により充満さ
せ、空気雰囲気より前記半導体ウエハを前記搬送路に搬
入する際、空気が微量にも混入するとともに、搬送路に
充満するＮ2 ガスが気流の流れより大きく乱れるので、
搬送路内の底面や側面に堆積あるいは付着していたパー
ティクルが吹き上げられて飛散し、前記半導体ウエハ上
に重金属等の不純物が付着するという問題点があった。
また、前記搬送路より減圧室、例えば前記半導体ウエハ
を処理する処理室に搬入又は搬出するが、前記搬送路を
気密に構成し前記処理室と同等の圧力、例えば１０-3Ｔ
ｏｒｒ以下に排気手段、例えば真空ポンプにより減圧す
る際、気流の乱れが生じ搬送路内の底面や側面に堆積あ
るいは付着していたパーティクルを舞い上がらせ、前記
半導体ウエハ上に重金属等の不純物が付着するという問
題点があった。However, a carrier path for carrying the object to be processed, for example, a semiconductor wafer is filled with a gas having a specific gravity smaller than that of air, for example, N 2 , and the semiconductor wafer is transferred from an air atmosphere. At the time of loading into the path, a small amount of air is mixed and the N 2 gas filling the transfer path is disturbed more than the flow of the air flow.
There has been a problem that particles deposited or adhered to the bottom surface or side surfaces in the transfer path are blown up and scattered, and impurities such as heavy metals adhere to the semiconductor wafer.
Further, the transfer path is carried in or out from a decompression chamber, for example, a processing chamber for processing the semiconductor wafer, but the transfer path is made airtight and a pressure equivalent to that of the processing chamber, for example, 10 −3 T.
When the pressure is reduced below orr by an exhausting means such as a vacuum pump, turbulence of the air flow occurs and particles accumulated or adhered to the bottom surface or side surfaces in the transfer path are lifted up, and impurities such as heavy metals adhere to the semiconductor wafer. There was a problem.
【０００４】本発明の目的は被処理体の搬送に伴う気密
室内の気体の気流の発生を抑制することにより被処理体
の表面にパーティクルの付着を未然に防止する気密室、
及び、気密室の圧力制御方法を提供するものである。The object of the present invention is to provide air-tightness along with the transportation of the object to be processed.
Airtight chamber to prevent adhesion of particles in advance on the surface of the object by suppressing the generation of the air flow of the gas in the chamber,
And a method for controlling the pressure of an airtight chamber .
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、真空処理室で処理される被処理体を一時的に収容す
るための気密室であって、常温で蒸気圧が大気圧以上と
なり、常温未満の冷却温度下で蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以
下となる気体を気密室に供給する手段と、前記気密室内
における前記気体を凝結及び蒸発させる手段と、を備
え、前記気体を前記気密室に充満させておき、前記気体
を凝結させることにより前記気密室の圧力を下げ、前記
気体を蒸発させることにより前記気密室の圧力を大気圧
または大気圧以上に上げることを特徴としている。請求
項２に記載の発明は、前記気密室内における前記気体を
凝結及び蒸発させる手段は、前記手段に冷媒を流通させ
ることにより前記気密室内における前記気体を凝結さ
せ、前記手段に温媒を流通させることにより凝結した前
記気体を蒸発させることを特徴としている。請求項３に
記載の発明は、前記気体はＣＯ２ガスであることを特徴
としている。請求項４に記載の発明は、常温で蒸気圧が
大気圧以上となり、常温未満の冷却温度下で蒸気圧が１
０Ｔｏｒｒ以下となる気体を気密室に供給する手段と、
前記気密室内における前記気体を凝結及び蒸発させる手
段とを備え、真空処理室で処理される被処理体を一時的
に収容するための前記気密室の圧力を制御する方法であ
って、前記気体を前記気密室に充満させておき、前記気
体を凝結させることにより前記気密室の圧力を下げ、前
記気体を蒸発させることにより前記気密室の圧力を大気
圧または大気圧以上に上げることを特徴としている。 According to a first aspect of the present invention, an object to be processed in a vacuum processing chamber is temporarily accommodated.
It is an airtight chamber to keep the vapor pressure above atmospheric pressure at room temperature.
And the vapor pressure is below 10 Torr at a cooling temperature below room temperature.
Means for supplying a gas below to the airtight chamber, and the airtight chamber
Means for condensing and evaporating the gas in
The air-tight chamber is filled with the gas, and the gas
By reducing the pressure of the airtight chamber by condensing
The pressure in the hermetic chamber is reduced to atmospheric pressure by evaporating the gas.
Alternatively, it is characterized by raising the pressure to atmospheric pressure or higher. According to a second aspect of the present invention, the gas in the airtight chamber is
The means for condensing and evaporating is such that the refrigerant flows through the means.
To condense the gas in the hermetic chamber.
Before condensing by circulating the heating medium through the means
It is characterized by evaporating the gas. The invention according to claim 3 is characterized in that the gas is CO 2 gas. The invention according to claim 4 has a vapor pressure at room temperature.
Vapor pressure is 1 above atmospheric pressure and below cooling temperature
Means for supplying a gas of 0 Torr or less to the airtight chamber,
A hand for condensing and evaporating the gas in the airtight chamber.
It has a step and temporarily holds the object to be processed in the vacuum processing chamber.
A method for controlling the pressure in the airtight chamber for housing
The airtight chamber is filled with the gas,
Decrease the pressure in the airtight chamber by condensing the body,
The pressure in the airtight chamber is changed to atmospheric pressure by evaporating the gas.
It is characterized by raising the pressure to above atmospheric pressure.
【０００６】[0006]
【作用】本発明は、減圧に設定され気密に構成される気
密室に、常温で蒸気圧が大気圧以上となり、常温未満の
冷却温度下で蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以下となる気体を充
満させておくとともに、この気密室内における前記気体
の凝結及び蒸発を行なわせるための手段を設けたことに
より、大気圧から減圧または減圧から大気圧の変化に伴
う気密室内の気体の気流の発生を抑制することができ
る。The function of the present invention is to reduce the pressure in the air
In a closed room, vapor pressure at room temperature becomes higher than the atmospheric pressure, with allowed to fill the gas vapor pressure equal to or less than 10Torr under cooling temperatures below room temperature, so I row condensation and evaporation of the gas in the gas-tight chamber by providing means for, it is possible to suppress the occurrence of air flow of the gas in the airtight chamber caused by changes in atmospheric pressure from vacuum or reduced pressure from the atmospheric pressure.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、図１乃至図６において、本発明の詳細
を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明の搬送装
置が適用される搬送システム１の全体構成を示す配置図
であり、被処理体、例えば半導体ウエハは搬送方向２の
方向に沿って上流側から、搬送路であるカセットステー
ション室（センダー側）３、前記半導体ウエハの移替え
ロードロック室（センダー側）４、前記半導体ウエハの
浮上搬送室５、前記半導体ウエハの移替えロードロック
室（レシーバー側）４、カセットステーション室（レシ
ーバー側）３へと前記半導体ウエハが搬送されるよう構
成されており、また、前記半導体ウエハの浮上搬送室５
の途中には大気と減圧を繰り返す前記半導体ウエハの移
替え気密室８、前記半導体ウエハを処理する処理室９が
設けられ、また、前記半導体ウエハの浮上搬送室５の途
中には他の前記半導体ウエハの浮上搬送室５に前記半導
体ウエハを受け渡しする前記半導体ウエハの移替えロー
ドロック室４が配置されており、これら各部は、その連
結部に開閉扉、例えばゲートバルブＧが設けられ、前記
半導体ウエハを隣合う部位へ移送する際に、このゲート
バルブＧを開放するよう構成されている。1 to 6, the details of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a layout view showing an overall configuration of a transfer system 1 to which a transfer device of the present invention is applied. An object to be processed, for example, a semiconductor wafer, is a transfer path cassette from an upstream side along a transfer direction 2. Station chamber (sender side) 3, semiconductor wafer transfer load lock chamber (sender side) 4, semiconductor wafer levitation transfer chamber 5, semiconductor wafer transfer load lock chamber (receiver side) 4, cassette station chamber The semiconductor wafer is configured to be transferred to the (receiver side) 3, and the floating transfer chamber 5 for the semiconductor wafer is also provided.
A transfer airtight chamber 8 for semiconductor wafers and a processing chamber 9 for processing the semiconductor wafers, which are repeatedly decompressed with the atmosphere, are provided in the middle of the process, and other semiconductors are provided in the middle of the floating transfer chamber 5 for the semiconductor wafers. A semiconductor wafer transfer load-lock chamber 4 for transferring the semiconductor wafer is arranged in a wafer floating transfer chamber 5, and each of these parts is provided with an opening / closing door, for example, a gate valve G, at its connecting part. The gate valve G is configured to be opened when the wafer is transferred to the adjacent portion.
【０００８】前述したカセットステーション室３は図２
に示すように、前記半導体ウエハ２０はこの半導体ウエ
ハ２０を最大２５枚収納可能としたカセット２１に収納
され、このカセット２１は前記カセットステーション室
３の底部に設けられた前記カセット２１を保持する保持
機構（図示しない）を備えたカセット載置台２２に保持
されている。また、前記カセットステーション室３の上
部には、前記カセット２１を空気雰囲気に搬入または搬
出するためのカセット搬入搬出口２３が設けられ、この
カセット搬入搬出口２３を開閉するための開閉扉、例え
ばゲートバルブＧが前記カセットステーション室３を気
密に封止する封止体、例えばＯリング２４を介して設け
られ、図示しないカセット搬入搬出手段により前記カセ
ットステーション室３の前記カセット載置台２２に前記
カセット２１を搬入又は搬出するよう構成されている。The cassette station chamber 3 described above is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, the semiconductor wafer 20 is stored in a cassette 21 capable of storing a maximum of 25 semiconductor wafers 20, and the cassette 21 is provided at the bottom of the cassette station chamber 3 for holding the cassette 21. It is held by a cassette mounting table 22 equipped with a mechanism (not shown). A cassette loading / unloading port 23 for loading / unloading the cassette 21 into / from the air atmosphere is provided in the upper part of the cassette station chamber 3, and an opening / closing door, for example, a gate, for opening / closing the cassette loading / unloading port 23 is provided. A valve G is provided via a sealing body that hermetically seals the cassette station chamber 3, for example, an O-ring 24, and the cassette 21 is placed on the cassette mounting table 22 of the cassette station chamber 3 by a cassette loading / unloading means (not shown). Are configured to be loaded or unloaded.
【０００９】また、前記カセットステーション室３の側
壁の一端には、前記カセット２１に前記半導体ウエハ２
０を一枚ずつ出し入れするためのウエハ搬入搬出口２５
が設けられ、このウエハ搬入搬出口２５を開閉するため
のゲートバルブＧがＯリング２４を介して設けられてお
り、また、前記カセットステーション３の側壁の他端に
は、このカセットステーション室３内に空気の比重より
重い比重の気体、例えばＣＯ2 を供給する供給する手段
としての供給管２６が開閉弁、例えばエアーオペレート
バルブ２７を介して気密に設けられ、以上の如く前記カ
セットステーション３が構成されている。At one end of the side wall of the cassette station chamber 3, the semiconductor wafer 2 in the cassette 21 is provided.
Wafer loading / unloading port 25 for loading and unloading 0s one by one
Is provided, and a gate valve G for opening and closing the wafer loading / unloading port 25 is provided via an O-ring 24. Further, at the other end of the side wall of the cassette station 3, the inside of the cassette station chamber 3 is provided. A supply pipe 26 as a means for supplying a gas having a specific gravity heavier than that of air, for example, CO 2, is airtightly provided via an opening / closing valve, for example, an air operate valve 27, and the cassette station 3 is configured as described above. Has been done.
【００１０】また、前述した前記半導体ウエハ２０の移
替えロードロック室４は図３に示すように、移替えロー
ドロック室４内には前記半導体ウエハ２０を搬入または
搬出するための搬送手段３０が気密に設けられており、
この搬送手段３０は、回転方向θ、上下方向Ｚにそれぞ
れ独立して移動する機構を備えた機構台３３を備え、ま
た、この機構台３３には上部に伸縮（図３中伸縮方向
Ｘ）可能としたアーム３５が設けられ、このアーム３５
の先端には前記半導体ウエハ２０を保持する保持部３６
を有し、また前記機構台３３内には前記アーム３５を伸
縮させる伸縮機構も備え、前記搬送手段３０が構成され
ている。また、前記ロードロック室４の側壁の一端には
空気の比重より重い比重の気体、例えばＣＯ2 を供給す
るための供給口３７が気密に設けられ、この供給口３７
には開閉弁、例えばエアーオペレートバルブ３８を介し
て供給管３９に接続され、また、前記ロードロック室４
の側壁の他端には、前記半導体ウエハ２０を一枚ずつ出
し入れするためのウエハ搬入搬出口２５が設けられ、こ
のウエハ搬入搬出口２５を開閉するためのゲートバルブ
ＧがＯリング（図示しない）を介して設けられており、
また、前記ウエハ搬入搬出口２５と対向する前記ロード
ロック室４の側壁（図示しない）にも同様に前記半導体
ウエハ２０を一枚ずつ出し入れするためのウエハ搬入搬
出口２５（図示しない）が設けられ、このウエハ搬入搬
出口２５を開閉するためのゲートバルブＧ（図示しな
い）がＯリング（図示しない）を介して設けられてお
り、前記ロードロック室４が構成されている。Further, as shown in FIG. 3, the transfer load lock chamber 4 for the semiconductor wafer 20 is provided with a transfer means 30 for transferring the semiconductor wafer 20 into or out of the transfer load lock chamber 4. It is airtight,
The carrying means 30 is provided with a mechanism base 33 having a mechanism for independently moving in the rotation direction θ and the vertical direction Z, and the mechanism base 33 can be expanded and contracted upward (expansion and contraction direction X in FIG. 3). And an arm 35 is provided.
At the tip of the holding portion 36 for holding the semiconductor wafer 20.
Further, the transporting means 30 is configured by including an extension / contraction mechanism for extending / contracting the arm 35 in the mechanism table 33. Further, at one end of the side wall of the load lock chamber 4, a supply port 37 for supplying a gas having a specific gravity heavier than that of air, for example, CO 2 , is airtightly provided.
Is connected to a supply pipe 39 through an on-off valve, for example, an air operate valve 38, and the load lock chamber 4
A wafer loading / unloading port 25 for loading / unloading the semiconductor wafers 20 one by one is provided at the other end of the side wall of the device, and a gate valve G for opening / closing the wafer loading / unloading port 25 is an O-ring (not shown). Is provided through
A wafer loading / unloading port 25 (not shown) for loading / unloading the semiconductor wafers 20 one by one is also provided on a side wall (not shown) of the load lock chamber 4 facing the wafer loading / unloading port 25. A gate valve G (not shown) for opening and closing the wafer loading / unloading port 25 is provided via an O-ring (not shown), and the load lock chamber 4 is configured.
【００１１】また、前述した浮上搬送室５は、下部に前
記半導体ウエハ２０の裏面に空気の比重より重い比重の
気体、例えばＣＯ2 を均等に（図４中Ａ）吹き出すとと
もに、図示しない吹出し方向機構を設けた吹出し口４０
をライン状に備えた中空構造の第１のプレート４１が設
けられている。さらに、このプレート４１の中空部４２
には、この中空部４２に前記ＣＯ2 を供給する供給管４
３が気密に接続され、さらに、この供給管４３は前記浮
上搬送室５の側壁に気密に貫通され開閉弁、例えばエア
ーオペレートバルブ４４を介して供給管４３に接続され
ている。また、前記プレート４１の両端部には前記半導
体ウエハ２０を案内するガイド４５が設けられている。Further, the above-mentioned levitation transfer chamber 5 blows off a gas having a specific gravity heavier than that of air, for example, CO 2 , evenly (A in FIG. 4) to the back surface of the semiconductor wafer 20 in the lower part, and also in a blowing direction not shown. Outlet 40 with a mechanism
There is provided a first plate 41 having a hollow structure and having a line shape. Further, the hollow portion 42 of the plate 41
The supply pipe 4 for supplying the CO 2 to the hollow portion 42
3 is airtightly connected, and the supply pipe 43 is airtightly penetrated through the side wall of the floating transfer chamber 5 and is connected to the supply pipe 43 via an opening / closing valve, for example, an air operate valve 44. Further, guides 45 for guiding the semiconductor wafer 20 are provided at both ends of the plate 41.
【００１２】また、前記浮上搬送室５の上部には、前記
半導体ウエハ２０の表面に空気の比重より重い比重の気
体を供給する手段としての、例えばＣＯ2 を均等に（図
４中Ｂ）吹き出すとともに、図示しない吹出し方向機構
を設けた吹出し口４６をライン状に備えた中空構造の第
２のプレート４７が設けられている。さらに、このプレ
ート４７の中空部４８には、この中空部４８に前記ＣＯ
2 を供給する供給する手段としての供給管４９が気密に
接続され、さらに、この供給管４９は前記浮上搬送室５
の上壁に気密に貫通され開閉弁、例えばエアーオペレー
トバルブ５０を介して供給管４９に接続されている。以
上により、前記半導体ウエハ２０は、この半導体ウエハ
２０の表面及び裏面に前記吹出し口４０，４６より吹出
されるＣＯ2 に均等に押圧され浮上状態を保つととも
に、前記それぞれの吹出し方向機構により浮上状態を保
ったまま図４の奥方向と手前方向に自在に移動又は停止
可能に前記浮上搬送室５が構成されている。Further, for example, CO 2 as a means for supplying a gas having a specific gravity heavier than the specific gravity of air to the surface of the floating transfer chamber 5 is blown out evenly (B in FIG. 4). At the same time, there is provided a second plate 47 having a hollow structure in which a blowout port 46 provided with a blowout direction mechanism (not shown) is provided in a line. Further, in the hollow portion 48 of the plate 47, the CO
A supply pipe 49 as a means for supplying 2 is air-tightly connected, and the supply pipe 49 is further connected to the floating transfer chamber 5
The upper wall is airtightly penetrated and is connected to a supply pipe 49 via an opening / closing valve, for example, an air operate valve 50. As described above, the semiconductor wafer 20 is evenly pressed by the CO 2 blown out from the blowout ports 40 and 46 on the front surface and the back surface of the semiconductor wafer 20 to maintain the floating state, and is in the floating state by the respective blowing direction mechanisms. The floating transfer chamber 5 is configured to be movable or stopped freely in the back and front directions in FIG.
【００１３】また、前述した移替え気密室８は、図５に
示すように、この移替え気密室８内には前記半導体ウエ
ハ２０を搬入または搬出するための搬送手段３０が気密
に設けられており、この搬送手段３０は、回転方向θ、
上下方向Ｚにそれぞれ独立して移動する機構を備えた機
構台３３を備え、また、この機構台３３には上部に伸縮
（図５中伸縮方向Ｘ）可能としたアーム３５が設けら
れ、このアーム３５の先端には前記半導体ウエハ２０を
保持する保持部３６を有し、また前記機構台３３内には
前記アーム３５を伸縮させる伸縮機構も備え、前記搬送
手段３０が構成されている。As shown in FIG. 5, the transfer airtight chamber 8 is provided with a transfer means 30 for airtightly loading and unloading the semiconductor wafer 20 in the transfer airtight chamber 8. The transport means 30 has a rotation direction θ,
A mechanism base 33 having a mechanism that moves independently in the vertical direction Z is provided, and an arm 35 that is extendable and retractable (extension direction X in FIG. 5) is provided on the upper part of the mechanism base 33. The transfer unit 30 is configured by having a holding unit 36 for holding the semiconductor wafer 20 at the tip of 35, and an extension / contraction mechanism for extending / contracting the arm 35 in the mechanism table 33.
【００１４】また、前記気密室８の側壁の一端には常温
で蒸気圧が大気圧以上となり、常温未満の冷却温度下で
蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以下となる気体、例えばＣＯ2 を
供給する手段としての供給口３７が気密に設けられてい
る。前記常温で蒸気圧が大気圧以上となり、常温未満の
冷却温度下で蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以下となる気体とし
て、本実施例ではＣＯ2 を採用しており、このＣＯ
2 は、表１に示すように、例えば１０５°Ｋにて平衡蒸
気圧が１０-3Ｔｏｒｒとなる。この１０５°Ｋでは、前
記気密室８内の水分（Ｈ2 Ｏ）の平衡蒸気圧が１０-3Ｔ
ｏｒｒよりはるかに低いので、水分が前記半導体ウエハ
２０に付着することがない。さらに、この供給口３７に
は開閉弁、例えばエアーオペレートバルブ３８を介して
供給管３９に接続され、また、前記気密室８の側壁の他
端には、この気密室８の圧力値をモニターする導入口６
８が気密に設けられ、この導入口６８は配管を介して圧
力計６９に接続されている。また、前記気密室８の側壁
の他端には、前記半導体ウエハ２０を一枚ずつ出し入れ
するためのウエハ搬入搬出口２５が設けられ、このウエ
ハ搬入搬出口２５を開閉するためのゲートバルブＧがＯ
リング（図示しない）を介して設けられており、さら
に、前記ウエハ搬入搬出口２５と対向する前記気密室８
の側壁（図示しない）にも同様に前記半導体ウエハ２０
を一枚ずつ出し入れするためのウエハ搬入搬出口２５
（図示しない）が設けられ、このウエハ搬入搬出口２５
を開閉するためのゲートバルブＧ（図示しない）がＯリ
ング（図示しない）を介して設けられている。Further, one end of the side wall of the hermetic chamber 8 serves as a means for supplying a gas having a vapor pressure of not less than atmospheric pressure at room temperature and not more than 10 Torr at a cooling temperature of less than room temperature, such as CO 2. The supply port 37 is airtightly provided. In the present embodiment, CO 2 is used as the gas whose vapor pressure becomes equal to or higher than atmospheric pressure at normal temperature and whose vapor pressure becomes 10 Torr or lower at a cooling temperature lower than normal temperature.
As shown in Table 1, 2 has an equilibrium vapor pressure of 10 −3 Torr at 105 ° K. At 105 ° K, the equilibrium vapor pressure of water (H 2 O) in the hermetic chamber 8 is 10 -3 T.
Since it is much lower than orr, moisture does not adhere to the semiconductor wafer 20. Further, the supply port 37 is connected to a supply pipe 39 via an opening / closing valve, for example, an air operate valve 38, and the pressure value of the airtight chamber 8 is monitored at the other end of the side wall of the airtight chamber 8. Inlet 6
8 is provided in an airtight manner, and the inlet 68 is connected to a pressure gauge 69 via a pipe. A wafer loading / unloading port 25 for loading / unloading the semiconductor wafers 20 one by one is provided at the other end of the side wall of the hermetic chamber 8, and a gate valve G for opening / closing the wafer loading / unloading port 25 is provided. O
The airtight chamber 8 is provided via a ring (not shown) and faces the wafer loading / unloading port 25.
Similarly, on the side wall (not shown) of the semiconductor wafer 20.
Wafer loading / unloading port 25 for loading and unloading wafers one by one
A wafer loading / unloading port 25 (not shown) is provided.
A gate valve G (not shown) for opening and closing is provided via an O-ring (not shown).
【００１５】また、前記移替え気密室８内の側壁の近傍
のそれぞれ対向する位置には、トラップ取付板５１、５
１ａが設けられており、このトラップ取付板５１側の表
面には、前記ＣＯ2 の凝結及び蒸発を行なわせるための
手段としてのトラップ機構５２が設けられている。この
トラップ機構５２は図６に示すように、前記トラップ取
付板５１の内面に一体化された、複数のラジエータ状を
なす蛇行パイプ６１，６２により構成され、これら蛇行
パイプ６１，６２のうち、前記トラップ取付板５１面側
の蛇行パイプ６１には、前記ＣＯ2 を凝結させるべく冷
媒、例えば、−１９６℃以下の液体窒素（ＬＮ2 ）が通
流され、また前記蛇行パイプ６２には、前記ＣＯ2 を蒸
発させるべく温媒、例えば常温のＮ2 、空気または温水
等が通流するよう構成されている。Further, trap mounting plates 51, 5 are provided at positions facing each other in the vicinity of the side walls in the transfer airtight chamber 8.
1a is provided, and the surface on the side of the trap mounting plate 51 is provided with a trap mechanism 52 as a means for condensing and evaporating the CO 2 . As shown in FIG. 6, the trap mechanism 52 is composed of a plurality of radiator-shaped meandering pipes 61 and 62 that are integrated with the inner surface of the trap mounting plate 51. A refrigerant, for example, liquid nitrogen (LN 2 ) having a temperature of −196 ° C. or less, is passed through the meandering pipe 61 on the trap mounting plate 51 side to condense the CO 2, and the meandering pipe 62 is provided with the CO 2. A warm medium such as N 2 at room temperature, air, or warm water flows through to vaporize 2 .
【００１６】さらに、前記蛇行パイプ６１，６２の外周
面には前述のＣＯ2 凝結または蒸発を効率良く行なうた
めの複数のフィン６３がそれぞれ設けられている。ま
た、前記蛇行パイプ６１の初端は前記移替え気密室８の
底壁の貫通部５３で気密に貫通され開閉弁、例えば電磁
弁５４を介して前記液体窒素（ＬＮ2 ）の導入管５５に
接続され、また、前記蛇行パイプ６１の終端は前記移替
え気密室８の底壁の貫通部５６で気密に貫通され排出管
５７に接続されている。また、前記蛇行パイプ６２の初
端は前記移替え気密室８の底壁の貫通部５８で気密に貫
通され開閉弁、例えば電磁弁５９を介して前記窒素（Ｎ
2 ）の導入管６０に接続され、また、前記蛇行パイプ６
２の終端は前記移替え気密室８の底壁の貫通部６５で気
密に貫通され排出管６６に接続され前記ＣＯ2 の凝結及
び蒸発を行なわせるための手段が構成されている。ま
た、前記トラップ取付板５１ａ側も前述トラップ取付板
５１と同様に構成されるとともに、以上気密室８が構成
されている。Further, a plurality of fins 63 are provided on the outer peripheral surfaces of the meandering pipes 61 and 62, respectively, for efficiently performing the above-mentioned CO 2 condensation or evaporation. Further, the first end of the meandering pipe 61 is hermetically penetrated by a penetrating portion 53 of the bottom wall of the transfer airtight chamber 8 to an inlet pipe 55 of the liquid nitrogen (LN 2 ) through an opening / closing valve, for example, a solenoid valve 54. The end of the meandering pipe 61 is airtightly penetrated by the penetrating portion 56 of the bottom wall of the transfer airtight chamber 8 and connected to the discharge pipe 57. Further, the first end of the meandering pipe 62 is airtightly penetrated by a penetrating portion 58 of the bottom wall of the transfer airtight chamber 8 and the nitrogen (N) is passed through an opening / closing valve, for example, a solenoid valve 59.
2 ) is connected to the introduction pipe 60, and the meandering pipe 6
The terminal end of 2 is airtightly penetrated by the penetrating portion 65 of the bottom wall of the transfer airtight chamber 8 and is connected to the discharge pipe 66 to constitute means for condensing and evaporating the CO 2 . Further, the trap mounting plate 51a side is also configured in the same manner as the trap mounting plate 51, and the airtight chamber 8 is configured as described above.
【００１７】また、前述した半導体ウエハ２０を処理す
る処理室９は、処理装置、例えば前記半導体ウエハ２０
をプラズマ等によりエッチング処理するプラズマエッチ
ング装置、前記半導体ウエハの自然酸化膜等を除去する
自然酸化膜除去装置、あるいは酸化膜等の膜付けする酸
化炉、ＣＶＤ等の熱処理装置等が組合せ自在に接続さ
れ、前記気密室８より減圧雰囲気、例えば１０-3Ｔｏｒ
ｒ以下で前記半導体ウエハ２０が受渡し可能に構成され
るとともに、以上搬送システム１が構成されている。Further, the processing chamber 9 for processing the semiconductor wafer 20 described above is provided with a processing apparatus, for example, the semiconductor wafer 20.
A plasma etching device for etching the substrate with plasma or the like, a natural oxide film removing device for removing the natural oxide film or the like of the semiconductor wafer, an oxidation furnace for depositing an oxide film or the like, a heat treatment device such as CVD, etc. are freely connectable. From the airtight chamber 8 under a reduced pressure atmosphere, for example, 10 −3 Tor
The semiconductor wafer 20 is configured to be deliverable below r, and the transfer system 1 is configured above.
【００１８】次に、以上のように構成された搬送システ
ム１における半導体ウエハ２０の搬送動作について説明
する。まず、図２に示すように、前記カセット２１に収
容された半導体ウエハ２０はカセットステーション室３
の上部のゲートバルブＧが開放し、図示しないカセット
搬入搬出手段により前記カセットステーション室３の前
記カセット載置台２２に前記カセット２１を搬入する。
この際、前記カセットステーション室３内には、空気の
比重より重い比重の気体のＣＯ2 が充満しており、前記
カセット２１がカセット搬入搬出手段により前記カセッ
トステーション室３内に搬入されてもＣＯ2 が空気の比
重より重い比重の気体であるので空気の混入を阻止する
とともに、ＣＯ2 が前記カセットステーション室３に漏
れだし、気流の乱れにより、パーティクルを飛散させる
こともないので、カセット２１の搬入又は搬出時に半導
体ウエハ２０の表面にパーティクルの付着を未然に防ぐ
ことになる。さらに、このカセット２１の搬入の後、前
記カセット載置台２２の保持機構によりカセット２１を
保持し、前記カセット搬入搬出手段がカセットステーシ
ョン室３の外部に移動するとともに、ＣＯ2 を前記カセ
ットステーション室３に供給するためにエアーオペレー
トバルブ２７を開放し、前記カセットステーション室３
に、ＣＯ2 を充満させた後、前記カセットステーション
室３の上部のゲートバルブＧを閉じる。Next, the transfer operation of the semiconductor wafer 20 in the transfer system 1 configured as described above will be described. First, as shown in FIG. 2, the semiconductor wafers 20 housed in the cassette 21 are stored in the cassette station chamber 3
The gate valve G in the upper part of the table is opened, and the cassette 21 is carried into the cassette mounting table 22 of the cassette station chamber 3 by a cassette carrying-in / carrying-out means (not shown).
At this time, the cassette station chamber 3 is filled with CO 2 which is a gas having a specific gravity heavier than the specific gravity of air, and even if the cassette 21 is carried into the cassette station chamber 3 by the cassette carrying-in / carrying-out means. Since 2 is a gas having a specific gravity that is heavier than the specific gravity of air, mixing of air is prevented, and CO 2 does not leak into the cassette station chamber 3 and the particles are not scattered due to the turbulence of the air flow. Particles will be prevented from adhering to the surface of the semiconductor wafer 20 during loading or unloading. Further, after carrying in the cassette 21, the cassette 21 is held by the holding mechanism of the cassette mounting table 22, the cassette carrying-in / carrying-out means is moved to the outside of the cassette station chamber 3, and CO 2 is discharged from the cassette station chamber 3 To open the air-operated valve 27 to the cassette station chamber 3
Then, after being filled with CO 2 , the gate valve G above the cassette station chamber 3 is closed.
【００１９】次に、前記カセットステーション室３の側
方のゲートバルブＧを開放し、図３に示す移替えロード
ロック室４内の搬送手段３０により半導体ウエハ２０が
一枚前記カセット２１より取出され、前記搬送手段３０
は半導体ウエハ２０を保持したまま、前記カセットステ
ーション室３と対向する位置に回転し、前記移替えロー
ドロック室４と前記浮上搬送室５の間に設けられたゲー
トバルブＧの開放の後、前記浮上搬送室５に半導体ウエ
ハ２０を搬入する。また、移替えロードロック室４内に
は予め空気の比重より重い比重の気体であるＣＯ2 が前
記エアーオペレートバルブ３８を開放し供給口３７より
充満しているものとする。次に、前記浮上搬送室５に移
載された半導体ウエハ２０は、図４に示す如くこの半導
体ウエハ２０の表面及び裏面に前記吹出し口４０，４６
より吹出されるＣＯ2 に均等に押圧され浮上状態に保た
れ、前記吹出し方向機構により浮上状態を保たれたまま
図１に示す前記浮上搬送室５と移替え気密室８間のゲー
トバルブＧ位置まで移動し浮上停止するとともに、前記
浮上搬送室５と移替え気密室８間のゲートバルブＧが開
放する。Next, the gate valve G on the side of the cassette station chamber 3 is opened, and one semiconductor wafer 20 is taken out from the cassette 21 by the transfer means 30 in the transfer load lock chamber 4 shown in FIG. , The transport means 30
While holding the semiconductor wafer 20, the semiconductor wafer 20 is rotated to a position facing the cassette station chamber 3, and after the gate valve G provided between the transfer load lock chamber 4 and the floating transfer chamber 5 is opened, The semiconductor wafer 20 is loaded into the floating transfer chamber 5. Further, it is assumed that the transfer load lock chamber 4 is filled with CO 2 which is a gas having a specific gravity heavier than the specific gravity of air from the supply port 37 by opening the air operation valve 38 in advance. Next, as shown in FIG. 4, the semiconductor wafer 20 transferred to the levitation transfer chamber 5 has the outlets 40 and 46 on the front surface and the back surface of the semiconductor wafer 20, respectively.
The position of the gate valve G between the levitation transfer chamber 5 and the transfer airtight chamber 8 shown in FIG. 1 while being evenly pressed by the further blown CO 2 and kept in the floating state, while being kept in the floating state by the blowing direction mechanism. To the floating transfer chamber 5 and the transfer airtight chamber 8, the gate valve G is opened.
【００２０】次に、図５に示す移替え気密室８内に設け
られた搬送手段３０により半導体ウエハ２０が前記浮上
搬送室５より取出され、前記移替え気密室８内に搬入す
るとともに前記浮上搬送室５と移替え気密室８間のゲー
トバルブＧを閉じる。次に、前記移替え気密室８内に設
けられたトラップ取付板５１に設けられた前記ＣＯ2 の
凝結及び蒸発を行なわせるための手段としてのトラップ
機構５２の複数のラジエータ状をなす蛇行パイプ６１に
前記電磁弁５４を開放するとともに前記移替え気密室８
内に充満するＣＯ2 を凝結すべく液体窒素（ＬＮ2 ）を
通流させる。これによって、気密室８内のＣＯ2 分子は
蛇行パイプ６１及び蛇行パイプ６１の外周面の複数のフ
ィン６３に凝結し、前記移替え気密室８内の圧力値が１
０-3Ｔｏｒｒ以下に設定される。なお、この時、気密室
８内に存在する水分は、前述したように、ＣＯ2 ガスの
設定温度と同じ温度を設定した場合には、ＣＯ2 ガスの
蒸気圧よりも低い圧力に達しているので、気密室８内の
圧力を所定の真空度にする際の障害にはならない。ま
た、気密室８内の圧力は前記圧力計６９によって監視さ
れ、所定の圧力値以下に達するまで前記液体窒素（ＬＮ
2 ）を蛇行パイプ６１に通流させ、その圧力値に達した
時点で前記電磁弁５４を閉じ、液体窒素（ＬＮ2 ）の通
流を停止する。Next, the semiconductor wafer 20 is taken out of the floating transfer chamber 5 by the transfer means 30 provided in the transfer airtight chamber 8 shown in FIG. The gate valve G between the transfer chamber 5 and the transfer airtight chamber 8 is closed. Next, a plurality of radiator-shaped meandering pipes 61 of a trap mechanism 52 as means for condensing and evaporating the CO 2 provided on a trap mounting plate 51 provided in the transfer airtight chamber 8 are provided. The solenoid valve 54 is opened and the transfer airtight chamber 8 is opened.
Liquid nitrogen (LN 2 ) is passed through to condense the CO 2 filling the inside. As a result, CO 2 molecules in the hermetic chamber 8 are condensed on the meandering pipe 61 and the plurality of fins 63 on the outer peripheral surface of the meandering pipe 61, so that the pressure value in the transfer hermetic chamber 8 is 1 or less.
It is set below 0 -3 Torr. At this time, as described above, the moisture existing in the hermetic chamber 8 reaches a pressure lower than the vapor pressure of the CO 2 gas when the same temperature as the set temperature of the CO 2 gas is set. Therefore, it does not become an obstacle when the pressure in the hermetic chamber 8 is set to a predetermined degree of vacuum. The pressure in the airtight chamber 8 is monitored by the pressure gauge 69, and the liquid nitrogen (LN
2 ) is made to flow through the meandering pipe 61, and when the pressure value is reached, the solenoid valve 54 is closed and the flow of liquid nitrogen (LN 2 ) is stopped.
【００２１】次に、前記気密室８と処理室９間に設けら
れたゲートバルブＧを開放し、前記気密室８内に設けら
れた搬送手段３０により半導体ウエハ２０を処理室９内
に搬入するとともに引き渡され、前記気密室８内に搬送
手段３０が移動し、前記気密室８と処理室９間に設けら
れたゲートバルブＧを閉じる。さらに、処理室９で半導
体ウエハ２０を処理の後、前記気密室８と処理室９間に
設けられたゲートバルブＧを開放し、前記気密室８内に
設けられた搬送手段３０により半導体ウエハ２０を処理
室９内より搬出するとともに、前記気密室８と処理室９
間に設けられたゲートバルブＧを閉じる。Next, the gate valve G provided between the airtight chamber 8 and the processing chamber 9 is opened, and the semiconductor wafer 20 is loaded into the processing chamber 9 by the transfer means 30 provided in the airtight chamber 8. At the same time, the transfer means 30 is moved into the airtight chamber 8 and the gate valve G provided between the airtight chamber 8 and the processing chamber 9 is closed. Further, after processing the semiconductor wafer 20 in the processing chamber 9, the gate valve G provided between the airtight chamber 8 and the processing chamber 9 is opened, and the semiconductor wafer 20 is transferred by the transfer means 30 provided in the airtight chamber 8. Is carried out from the inside of the processing chamber 9, and the airtight chamber 8 and the processing chamber 9 are
The gate valve G provided therebetween is closed.
【００２２】次に、前記移替え気密室８内に設けられた
トラップ取付板５１に設けられた前記ＣＯ2 の凝結及び
蒸発を行なわせるための手段としてのトラップ機構５２
の複数のラジエータ状をなす蛇行パイプ６２に前記電磁
弁５９を開放するとともに、蛇行パイプ６１及び蛇行パ
イプ６１の外周面の複数のフィン６３に凝結したＣＯ2
を蒸発させるための常温以上の温媒、例えば常温のＮ2
を供給する。これによって、蛇行パイプ６１及び蛇行パ
イプ６１の外周面の複数のフィン６３に凝結していたＣ
Ｏ2 分子が蒸発して気密室８内に放出され、気密室８内
の圧力を大気圧又は大気圧以上に移行させる。そして、
前記圧力計６９によって気密室８内を監視し、気密室８
内の圧力が大気圧又は大気圧以上に達した時点で、電磁
弁５９を閉じ、蛇行パイプ６２へのＮ2 の供給を停止す
る。この後、前記浮上搬送室５と前記移替え気密室８間
のゲートバルブＧを開放し、前記移替え気密室８内に設
けられた搬送手段３０により半導体ウエハ２０が前記浮
上搬送室５内に搬入かつ引き渡される。Next, a trap mechanism 52 provided on a trap mounting plate 51 provided in the transfer airtight chamber 8 as a means for condensing and evaporating the CO 2.
The solenoid valve 59 is opened to the plurality of radiator-shaped meandering pipes 62, and CO 2 condensed on the meandering pipe 61 and the plurality of fins 63 on the outer peripheral surface of the meandering pipe 61.
A heating medium above room temperature to evaporate N 2 , for example N 2 at room temperature
To supply. As a result of this, the meandering pipe 61 and the plurality of fins 63 on the outer peripheral surface of the meandering pipe 61 are condensed into C
O 2 molecules are vaporized and released into the airtight chamber 8 to shift the pressure in the airtight chamber 8 to atmospheric pressure or higher than atmospheric pressure. And
The inside of the airtight chamber 8 is monitored by the pressure gauge 69,
When the internal pressure reaches or exceeds atmospheric pressure, the solenoid valve 59 is closed and the supply of N 2 to the meandering pipe 62 is stopped. After that, the gate valve G between the floating transfer chamber 5 and the transfer airtight chamber 8 is opened, and the semiconductor wafer 20 is moved into the floating transfer chamber 5 by the transfer means 30 provided in the transfer airtight chamber 8. Brought in and handed over.
【００２３】次に、前記浮上搬送室５内に搬入された半
導体ウエハ２０は、前記吹出し方向機構により浮上状態
を保たれたまま図１に示す前記浮上搬送室５と前記移替
えロードロック室（レシーバー側）４間のゲートバルブ
Ｇの位置まで移動し浮上停止させるとともに、このゲー
トバルブＧを開放する。さらに、図３に示す前記移替え
ロードロック室（レシーバー側）４内の搬送手段３０に
より半導体ウエハ２０が前記浮上搬送室５より取出さ
れ、前記搬送手段３０は半導体ウエハ２０を保持したま
ま、前記移替えロードロック室（レシーバー側）４内に
搬入し、前記浮上搬送室５と前記移替えロードロック室
（レシーバー側）４間のゲートバルブＧを閉じる。さら
に、前記移替えロードロック室（レシーバー側）４内の
搬送手段３０は、前記浮上搬送室５と対向する位置の図
２に示すカセットステーション室（レシーバー側）３側
に回転し、移替えロードロック室（レシーバー側）４と
カセットステーション室（レシーバー側）３間のゲート
バルブＧを開放し、カセットステーション室（レシーバ
ー側）３内のカセット２１に半導体ウエハ２０を搬出す
る。この搬出の後、搬送手段３０は移替えロードロック
室（レシーバー側）４に移動し、移替えロードロック室
（レシーバー側）４とカセットステーション室（レシー
バー側）３間のゲートバルブＧを閉じ、前述同様、半導
体ウエハ２０の搬送工程が順次くり返される。Next, the semiconductor wafer 20 carried into the levitation transfer chamber 5 is kept in the levitation state by the blowing direction mechanism, and the levitation transfer chamber 5 and the transfer load lock chamber ( It moves to the position of the gate valve G between the receiver side 4 and stops floating, and at the same time opens this gate valve G. Further, the semiconductor wafer 20 is taken out from the floating transfer chamber 5 by the transfer means 30 in the transfer load lock chamber (receiver side) 4 shown in FIG. 3, and the transfer means 30 holds the semiconductor wafer 20 while holding the semiconductor wafer 20. It is carried into the transfer load lock chamber (receiver side) 4 and the gate valve G between the floating transfer chamber 5 and the transfer load lock chamber (receiver side) 4 is closed. Further, the transfer means 30 in the transfer load lock chamber (receiver side) 4 is rotated to the cassette station room (receiver side) 3 side shown in FIG. The gate valve G between the lock chamber (receiver side) 4 and the cassette station chamber (receiver side) 3 is opened, and the semiconductor wafer 20 is unloaded to the cassette 21 in the cassette station chamber (receiver side) 3. After this unloading, the transfer means 30 moves to the transfer load lock chamber (receiver side) 4 and closes the gate valve G between the transfer load lock chamber (receiver side) 4 and the cassette station chamber (receiver side) 3. Similarly to the above, the steps of transferring the semiconductor wafer 20 are sequentially repeated.
【００２４】次に、以上のように構成された本実施例の
効果について説明する。
（１） 移替え気密室８の減圧動作および大気圧への復
帰の際に、真空ポンプ等の給排装置を用いていないの
で、この給排装置を用いた場合に設けられる配管を必要
とせず、これによって、給排気が配管内を通過する際の
流路抵抗を生ずる事態を回避でき、迅速な圧力変換が可
能となるとともに、装置をコンパクトにすることができ
る。
（２） また、被処理体を空気中にさらすことなく一定
の雰囲気にて搬送するするとともに、この被処理体にパ
ーティクルの付着の防止が可能となり、この被処理体の
処理後の搬送においても外気にさらされないので、大規
模のクリーンルームでなくても十分に前記被処理体への
汚染を防止することができる。Next, the effect of this embodiment having the above-mentioned structure will be described. (1) Since the feeding / discharging device such as a vacuum pump is not used at the time of decompressing the transfer airtight chamber 8 and returning to the atmospheric pressure, the piping provided when this feeding / discharging device is used is not required. As a result, it is possible to avoid a situation in which flow resistance occurs when the air supply and exhaust passes through the inside of the pipe, and quick pressure conversion is possible, and the device can be made compact. (2) Further, the object to be processed can be conveyed in a constant atmosphere without being exposed to the air, and particles can be prevented from adhering to the object to be processed, and the object to be processed can also be conveyed after the processing. Since it is not exposed to the outside air, it is possible to sufficiently prevent contamination of the object to be processed even in a large-scale clean room.
【００２５】次に、第２の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図７のNext, the second embodiment will be described. The same parts as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. Of FIG.
【ａ】に示すように、前記トラップ機構５２の複数のラ
ジエータ状をなす蛇行パイプは２重構造に構成されてお
り、内側の蛇行パイプ８１内に前記ＣＯ2 を蒸発させる
べく温媒、例えば常温のＮ2 、空気または温水等が通流
するよう構成され、外側の蛇行パイプ８０と内側の蛇行
パイプ８１間にＣＯ2 を凝結させるべく冷媒、例えば、
−１９６℃以下の液体窒素（ＬＮ2 ）が通流されるよう
構成されている。このように、蛇行パイプを２重構造に
構成したことにより、熱伝導率が向上し、さらに効率よ
くＣＯ2 の凝結を蒸発させることができ、短時間で減圧
状態から大気圧にすることができる。As shown in [a], the plurality of radiator-shaped meandering pipes of the trap mechanism 52 has a double structure, and a heating medium such as a room temperature medium is vaporized in the inner meandering pipe 81 to evaporate the CO 2. Of N 2 , air or hot water, etc. to flow therethrough, and a refrigerant, for example, to condense CO 2 between the outer meandering pipe 80 and the inner meandering pipe 81,
It is configured so that liquid nitrogen (LN 2 ) at −196 ° C. or lower is passed therethrough. In this way, by forming the meandering pipe in the double structure, the thermal conductivity is improved, the condensation of CO 2 can be evaporated more efficiently, and the reduced pressure state can be changed to the atmospheric pressure in a short time. .
【００２６】次に、第３の実施例について説明を行なう
が、第１の実施例と同一部分には同一符合を付けて説明
を省略する。図７のNext, the third embodiment will be described. The same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. Of FIG.
【ｂ】に示すように、前記トラップ機構５２の複数のラ
ジエータ状をなす蛇行パイプ９０はＣＯ2 を凝結させる
べく冷媒、例えば、−１９６℃以下の液体窒素（Ｌ
Ｎ2 ）が通流されるよう構成され、この蛇行パイプ９０
の両近傍にヒーター９１を内蔵した、ホットプレート９
２が設けられており、このホットプレート９２のヒータ
ー９１の発熱により、さらに効率よくＣＯ2 の凝結を蒸
発させることができ、短時間で減圧状態から大気圧にす
ることができる。As shown in [b], the plurality of radiator-shaped meandering pipes 90 of the trap mechanism 52 are made of a refrigerant such as liquid nitrogen (L-L) at −196 ° C. or lower in order to condense CO 2.
N 2 ), the meandering pipe 90
Hot plate 9 with heaters 91 built in near both sides
2 is provided, and the heat generated by the heater 91 of the hot plate 92 can more efficiently evaporate the condensation of CO 2 and can change the reduced pressure state to the atmospheric pressure in a short time.
【００２７】尚、空気の比重より重い比重の気体に本実
施例では、ＣＯ2 を取り上げたが、空気の比重より重い
比重の気体、例えばＮｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎ等の
気体でもよいことは勿論であり、さらに、常圧において
Ｏ−Ｓｉ（１９２Ｋｃａｌ／ｍｏｌｅ）の原子分子間の
結合エネルギーより大きな結合エネルギーの気体であれ
ばさらに自然酸化膜の形成を防止することができる。ま
た、前記搬送装置において、搬送路は各々ブロック化さ
れており自在に接続又は構成されることは言うまでもな
く、本発明はかかる実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
また、処理室はエッチング処理するプラズマエッチング
装置、前記半導体ウエハの自然酸化膜等を除去する自然
酸化膜除去装置、あるいは酸化膜等の膜付けする酸化
炉、ＣＶＤ等の熱処理装置に限らず、また常圧，減圧ま
たは陽圧とした処理室等でのあらゆる処理装置に接続す
ることができる。Although CO 2 is taken as the gas having a specific gravity heavier than that of air in the present embodiment, a gas having a specific gravity heavier than that of air, for example, a gas such as Ne, Ar, Kr, Xe or Rn may be used. Of course, the formation of the natural oxide film can be further prevented if the gas has a binding energy larger than the binding energy between the atomic molecules of O-Si (192 Kcal / mole) under normal pressure. Further, it is needless to say that, in the above-mentioned transfer device, the transfer paths are divided into blocks and are freely connected or configured, and the present invention is not limited to such an embodiment.
Various modifications can be made within the scope of the present invention.
Further, the processing chamber is not limited to a plasma etching device for etching, a natural oxide film removing device for removing a natural oxide film or the like of the semiconductor wafer, an oxidation furnace for depositing a film such as an oxide film, or a heat treatment device such as CVD, It can be connected to any processing equipment in a processing room such as normal pressure, reduced pressure or positive pressure.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明は、減圧に設定され気密に構成さ
れる気密室に、常温で蒸気圧が大気圧以上となり、常温
未満の冷却温度下で蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以下となる気
体を充満させておくとともに、この気密室内における前
記気体の凝結及び蒸発を行なわせるための手段を設けた
ことにより、大気圧から減圧または減圧から大気圧の変
化に伴う気密室内の気体の気流の発生を抑制し、被処理
体の表面にパーティクルの付着を未然に防止できるとい
う顕著な効果がある。According to the present invention, an airtight chamber which is set to a reduced pressure and is airtight is filled with a gas having a vapor pressure of not less than atmospheric pressure at room temperature and a vapor pressure of not more than 10 Torr at a cooling temperature lower than room temperature. with previously by <br/> providing the means for causing I row condensation and evaporation of the gas in the gas-tight chamber, the gas in the airtight chamber caused by changes in atmospheric pressure from vacuum or reduced atmospheric pressure There is a remarkable effect that it is possible to suppress the generation of the air flow and prevent particles from adhering to the surface of the object to be processed.
【００２９】[0029]
【図１】本発明に係る第１の実施例の搬送路が適用され
る搬送装置の全体構成を説明するための配置図である。FIG. 1 is an arrangement diagram for explaining an overall configuration of a carrier device to which a carrier path according to a first embodiment of the present invention is applied.
【図２】図１の搬送路の構成を示すカセットステーショ
ン室の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a cassette station chamber showing the configuration of the transport path of FIG.
【図３】図１の搬送路の構成を示す移替えロードロック
室の概略斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view of a transfer load lock chamber showing the configuration of the transfer path of FIG.
【図４】図１の搬送路の構成を示す浮上搬送室の概略断
面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a levitation transfer chamber showing the configuration of the transfer path of FIG.
【図５】図１の搬送路の構成を示す移替え気密室の概略
斜視図である。5 is a schematic perspective view of a transfer airtight chamber showing the configuration of the transport path of FIG.
【図６】図５の移替え気密室のトラップ機構の要部構成
を示す部分概略断面図である。6 is a partial schematic cross-sectional view showing the main configuration of the trap mechanism of the transfer airtight chamber of FIG.
【図７】[Figure 7]
【ａ】図６に示す他の蛇行パイプの実施例を説明する部
分概略断面図である。FIG. 8 is a partial schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of the meandering pipe shown in FIG.
【ｂ】図６に示す他の凝結及び蒸発を行なわせるための
手段の実施例を説明する部分概略断面図である。FIG. 9b is a partial schematic cross-sectional view illustrating another embodiment of the means for causing condensation and evaporation shown in FIG.
１ 搬送システム
３ 搬送路（カセットステーション室）
４ 搬送路（移替えロードロック室）
５ 搬送路（浮上搬送室）
８ 搬送路（移替え気密室）
２０ 被処理体（半導体ウエハ）
５２ 凝結及び蒸発を行なわせるための手段（トラッ
プ機構）
１００ 供給手段1 Transfer System 3 Transfer Path (Cassette Station Room) 4 Transfer Path (Transfer Load Lock Room) 5 Transfer Path (Floating Transfer Chamber) 8 Transfer Path (Transfer Airtight Room) 20 Object (Semiconductor Wafer) 52 Condensation and Evaporation Means (trap mechanism) for supplying 100
【表１】 [Table 1]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩田 輝夫 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東 京エレクトロン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−131542（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−175162（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−142374（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 B65G 49/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Teruo Iwata Inventor Teruo Iwata 2-3-1 Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Within Tokyo Electron Limited (56) Reference JP-A-61-131542 (JP, A) JP HEI 3-175162 (JP, A) JP-A-61-142374 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/68 B65G 49/00
Claims (4)
的に収容するための気密室であって、 常温で蒸気圧が大気圧以上となり、常温未満の冷却温度
下で蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以下となる気体を気密室に供
給する手段と、 前記気密室内における前記気体を凝結及び蒸発させる手
段と、を備え、 前記気体を前記気密室に充満させておき、前記気体を凝
結させることにより前記気密室の圧力を下げ、前記気体
を蒸発させることにより前記気密室の圧力を大気圧また
は大気圧以上に上げることを特徴とする、気密室。 1. A workpiece to be processed in a vacuum processing chamber is temporarily
It is an airtight chamber for the purpose of accommodating air, and the vapor pressure is atmospheric pressure or higher at room temperature and the cooling temperature is below room temperature.
The gas whose vapor pressure is below 10 Torr is supplied to the airtight chamber.
Means for supplying and a means for condensing and evaporating the gas in the airtight chamber
And a step for filling the airtight chamber with the gas to allow the gas to coagulate.
The pressure of the airtight chamber is lowered by binding, and the gas
The pressure in the airtight chamber to atmospheric pressure or
Is an airtight chamber that is characterized by raising the pressure to above atmospheric pressure.
び蒸発させる手段は、 前記手段に冷媒を流通させることにより前記気密室内に
おける前記気体を凝結させ、前記手段に温媒を流通させ
ることにより凝結した前記気体を蒸発させることを特徴
とする、請求項１に記載の気密室。 2. The gas is condensed in the airtight chamber.
And a means for evaporating, by circulating a refrigerant through the means, into the airtight chamber.
The gas in the above is condensed, and the heating medium is circulated through the means.
Characterized in that the condensed gas is evaporated by
The airtight chamber according to claim 1.
徴とする、請求項１または２に記載の気密室。3. The hermetic chamber according to claim 1, wherein the gas is CO 2 gas.
未満の冷却温度下で蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ以下となる気Vapor pressure below 10 Torr under cooling temperature below
体を気密室に供給する手段と、前記気密室内における前A means for supplying the body to the airtight chamber,
記気体を凝結及び蒸発させる手段とを備え、真空処理室A vacuum processing chamber equipped with a means for condensing and evaporating the gas.
で処理される被処理体を一時的に収容するための前記気The air for temporarily containing the object to be processed in
密室の圧力を制御する方法であって、A method of controlling the pressure in a closed chamber, 前記気体を前記気密室に充満させておき、前記気体を凝The airtight chamber is filled with the gas, and the gas is condensed.
結させることにより前記気密室の圧力を下げ、前記気体The pressure of the airtight chamber is lowered by binding, and the gas
を蒸発させることにより前記気密室の圧力を大気圧またThe pressure in the airtight chamber to atmospheric pressure or
は大気圧以上に上げることを特徴とする、気密室の圧力Is the pressure in the airtight chamber, which is characterized by raising the pressure above atmospheric pressure.
制御方法。Control method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33522392A JP3514391B2 (en) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | Hermetic chamber and pressure control method of hermetic chamber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33522392A JP3514391B2 (en) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | Hermetic chamber and pressure control method of hermetic chamber |
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| JPH06163669A JPH06163669A (en) | 1994-06-10 |
| JP3514391B2 true JP3514391B2 (en) | 2004-03-31 |
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JP3514391B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100265287B1 (en) | 1998-04-21 | 2000-10-02 | 윤종용 | Multi-chamber system for etching equipment for manufacturing semiconductor device |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP33522392A patent/JP3514391B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH06163669A (en) | 1994-06-10 |
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