JP3514108B2 - Wrapping device and method - Google Patents
Wrapping device and methodInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
の平板状の被加工物のラップ面、特にウェーハ外周部の
ダレ形状の改善を図ることにより、その平坦度を向上さ
せることを可能としたラッピング装置及び方法に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention makes it possible to improve the flatness of a flat work piece such as a semiconductor wafer by improving the sag shape of the lap surface, particularly the outer peripheral portion of the wafer. The present invention relates to a wrapping device and method.
【0002】[0002]
【関連技術】従来、一般に半導体シリコン鏡面ウェーハ
の製造方法は、単結晶製造装置によって製造された単結
晶棒をスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス
工程と、該スライス工程で得られたウェーハの割れ欠け
を防ぐためにその外周エッジ部を面取りする面取り工程
と、面取りされたウェーハをラッピングしてこれを平坦
化するラッピング工程と、面取りおよびラッピングされ
たウェーハ表面に残留する加工歪を除去するエッチング
工程と、エッチングされたウェーハの表面を鏡面状に仕
上げるポリッシュ工程と、ポリッシュされたウェーハを
洗浄する洗浄工程から成る。2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor silicon mirror surface wafer manufacturing method has been obtained by a slicing step of slicing a single crystal rod manufactured by a single crystal manufacturing apparatus to obtain a thin disk-shaped wafer, and the slicing step. A chamfering process for chamfering the peripheral edge of the wafer to prevent cracking and chipping of the wafer, a lapping process for lapping the chamfered wafer to flatten it, and removing the processing strain remaining on the chamfered and lapped wafer surface. It includes an etching process, a polishing process for finishing the surface of the etched wafer into a mirror surface, and a cleaning process for cleaning the polished wafer.
【0003】ところで、ラッピング工程の目的は、スラ
イスされたウェーハを所定の厚みに揃えると同時にその
平坦度、平行度などの必要な形状精度を得ることであ
る。一般に、このラッピング加工後のウェーハが最も形
状精度が良いことが知られており、最終ウェーハの形状
を決定するとも言われ、ラッピング工程での形状精度が
きわめて重要である。By the way, the purpose of the lapping process is to align sliced wafers to a predetermined thickness and at the same time obtain necessary shape accuracy such as flatness and parallelism. It is generally known that the wafer after lapping has the highest shape accuracy, and it is said that the shape of the final wafer is determined. Therefore, the shape accuracy in the lapping process is extremely important.
【0004】また、ラッピング技術として従来から同
心円形状のラップ定盤の自転運動、円形の被加工物保
持金具の装置本体に対する公転運動、円形の被加工物
保持金具の自転運動の三つの運動を組み合わせ、ラップ
定盤と被加工物に相対運動を与えることにより、ラップ
を行うラッピング装置が知られている。このラッピング
装置は、例えば、図13〜18に示すような構成を有し
ている。Conventionally, as a wrapping technique, three movements of a concentric circular lapping plate, a revolving movement of a circular workpiece holding metal fitting with respect to the apparatus body, and a circular movement of a circular workpiece holding metal fitting are combined. A wrapping device that performs lap by giving relative motion to the lap surface plate and the workpiece is known. This wrapping device has, for example, a configuration as shown in FIGS.
【0005】図13はラッピング装置の概略分解説明
図、図14はラッピング装置の断面的概略説明図、図1
5はラッピング装置の上ラップ定盤を取り外した状態を
示す概略上面説明図、図16は下ラップ定盤の定盤面を
示す平面図、図17は図16の下ラップ定盤の端面部の
部分摘示斜視図及び図18は上ラップ定盤の定盤面を示
す平面図である。FIG. 13 is a schematic exploded explanatory view of the lapping device, FIG. 14 is a cross-sectional schematic explanatory view of the lapping device, and FIG.
5 is a schematic top view showing a state in which the upper lap surface plate of the lapping device is removed, FIG. 16 is a plan view showing a surface plate surface of the lower lap surface plate, and FIG. 17 is an end surface portion of the lower lap surface plate of FIG. 18 is a plan view showing the surface plate surface of the upper lap surface plate.
【0006】図13〜図15において、ラッピング装置
22は上下方向に相対向して設けられた下ラップ定盤2
4及び上ラップ定盤26を有している。該下ラップ定盤
24及び上ラップ定盤26は不図示の駆動手段によって
互いに逆方向に回転せしめられる。In FIGS. 13 to 15, a lapping device 22 is a lower lap platen 2 provided so as to face each other in the vertical direction.
4 and an upper lap surface plate 26. The lower lap platen 24 and the upper lap platen 26 are rotated in opposite directions by a driving means (not shown).
【0007】該下ラップ定盤24はその中心部上面にサ
ンギア28を有し、その周縁部には環状のインターナル
ギア30が隣接して設けられている。The lower lap surface plate 24 has a sun gear 28 on the upper surface of its central portion, and an annular internal gear 30 is provided adjacent to the peripheral edge portion thereof.
【0008】32は円板状の被加工物保持金具(一般に
キャリアといわれる)であり、その外周面には上記サン
ギア28及びインターナルギア30と噛合するギア部が
形成され、全体として歯車構造をなしている。該被加工
物保持金具32には複数個の受け穴(キャリアホール)
34が穿設されている。ラップすべきウェーハ等の被加
工物Wは該受け穴34内に配置される。該受け穴(キャ
リアホール)34は通常は複数個穿設されるが、1個穿
設することもできる。Reference numeral 32 denotes a disk-shaped workpiece holding metal fitting (generally called a carrier), and a gear portion which meshes with the sun gear 28 and the internal gear 30 is formed on the outer peripheral surface thereof to form a gear structure as a whole. ing. The workpiece holder 32 has a plurality of receiving holes (carrier holes)
34 is provided. A workpiece W such as a wafer to be wrapped is placed in the receiving hole 34. Normally, a plurality of receiving holes (carrier holes) 34 are formed, but one receiving hole (carrier hole) 34 may be formed.
【0009】上下のラップ定盤26,24の間に被加工
物保持金具32をおき下ラップ定盤24の中央に位置す
るサンギア28と下ラップ定盤24の外側にあるインタ
ーナルギア30の間に被加工物保持金具32の外側の歯
車をかみ合わせ上ラップ定盤26をおろし、対向しなが
ら回転する上下のラップ定盤26,24の間で被加工物
保持金具32は遊星歯車運動を行う。被加工物Wは被加
工物保持金具32に開口された受け穴34の中に収ま
り、被加工物保持金具32の自転と公転の運動が与えら
れる。A workpiece holding metal fitting 32 is placed between the upper and lower lapping plates 26 and 24 and between a sun gear 28 located at the center of the lower lapping plate 24 and an internal gear 30 outside the lower lapping plate 24. The gears on the outer side of the work holding metal fitting 32 are engaged with each other to lower the upper lapping platen 26, and the work holding metal fitting 32 makes a planetary gear motion between the upper and lower lapping bases 26 and 24 which rotate while facing each other. The workpiece W is housed in a receiving hole 34 formed in the workpiece holder 32, and the workpiece holder 32 is rotated and revolved.
【0010】ラッピング作業を行うには、ラップスラリ
ーと呼ばれる酸化アルミニウム(Al2O3)、炭化珪素
(SiC)等の研磨砥粒と界面活性剤を含む水などの液
体の混濁液Aをノズル36から上ラップ定盤26に設け
られた貫通孔38を介して上下ラップ定盤26,24の
間隙に流して被加工物Wと上下ラップ定盤26,24の
間に砥粒を送り込み、上下ラップ定盤26,24の形状
を被加工物Wに転写している。To carry out the lapping operation, a polishing liquid A such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ) or silicon carbide (SiC), which is called a lapping slurry, and a liquid turbid liquid A, such as water containing a surface active agent, is applied to the nozzle 36. Flow through the through hole 38 provided in the upper lapping platen 26 into the gap between the upper and lower lapping plates 26 and 24, and feed the abrasive grains between the workpiece W and the upper and lower lapping plates 26 and 24 to form the upper and lower lapping plates. The shapes of the surface plates 26 and 24 are transferred to the workpiece W.
【0011】ここで平坦度を得るためには上下ラップ定
盤26,24の形状を忠実に被加工物Wに転写すること
が必要であり、相対運動を行っている被加工物Wと上下
ラップ定盤26,24の間のラップスラリーAの動きは
無視できない存在である。Here, in order to obtain the flatness, it is necessary to faithfully transfer the shapes of the upper and lower lapping plates 26 and 24 to the workpiece W, and the workpiece W and the upper and lower laps which are moving relative to each other. The movement of the lap slurry A between the surface plates 26 and 24 is a non-negligible existence.
【0012】なぜならば、ラップスラリーA中の砥粒は
絶えず磨耗し粒径と切れ味が変化する。ここでラップス
ラリーAの動きに偏りがあればラップスラリーAの流れ
の悪いところでは他の部分に比べ粒径の小さい切れ味の
悪い砥粒で加工する部分はたちまち厚く加工されてしま
うからである。This is because the abrasive grains in the lap slurry A are constantly worn and the grain size and sharpness change. This is because, if the movement of the lap slurry A is uneven, the portion to be processed by the abrasive grains having a smaller grain size and less sharpness than other portions will be immediately processed in a place where the flow of the lap slurry A is bad.
【0013】このため上下のラップ定盤26,24の定
盤面27,25には20mmから50mm間隔で方眼状
に目切りと呼ばれる溝40を掘りここから不要なラップ
スラリーAや切りくずを排出している(図16〜図1
8)。Therefore, the upper and lower lapping plates 26, 24 have surface plates 27, 25 at intervals of 20 mm to 50 mm in a grid-like manner, in which grooves 40 called "cutting" are dug to discharge unnecessary lapping slurry A and chips. (Figure 16-Figure 1
8).
【0014】一方、半導体デバイスの急激な高集積化に
伴い、シリコンウェーハに要求される平坦度規格も厳し
さを増している。研磨における高平坦化にも限界があ
り、研磨の原料であるエッチドウェーハにも高平坦化が
要求される。エッチングの高平坦化技術として酸エッチ
ング技術の改善やアルカリエッチングの採用が進んでい
るが、その前工程であるラッピングの高平坦化が必要と
されている。On the other hand, with the rapid increase in the degree of integration of semiconductor devices, the flatness standard required for silicon wafers has become more strict. There is a limit to high flatness in polishing, and high flatness is also required for the etched wafer which is a raw material for polishing. As a highly flattening technique for etching, improvement of acid etching technique and adoption of alkali etching are in progress, but high flattening of lapping, which is a pre-step, is required.
【0015】現状のラッピングによる平坦度は、GBI
R=0.6μm(GBIR:ウェーハの平坦度適用領域
での厚さの最大値と最小値の差)、SBIRmax =0.
4μm(SBIR:ウェーハ裏面を矯正した状態にて各
サイト毎に測定したときの最大厚みと最小厚みの差)程
度であり、更に改善する必要がある。形状を悪化させる
原因としてウェーハ外周部のダレ形状が支配的であり、
これを改善することにより高平坦度ウェーハの製造が可
能となる。しかし、このウェーハ外周部のダレ形状の発
生原因はいまだ特定されていないのが現状である。The flatness by the current lapping is GBI.
R = 0.6 μm (GBIR: difference between maximum value and minimum value of thickness in flatness application region of wafer), SBIRmax = 0.
It is about 4 μm (SBIR: difference between maximum thickness and minimum thickness when measured for each site with the back surface of the wafer corrected), and further improvement is required. As the cause of deteriorating the shape, the sagging shape of the wafer outer periphery is dominant,
By improving this, it becomes possible to manufacture a high flatness wafer. However, the cause of the occurrence of the sagging shape on the outer peripheral portion of the wafer has not yet been identified.
【0016】[0016]
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、ウェーハ
の外周ダレの原因についてラップ定盤の目切り溝に着目
し、目切り溝の形状とウェーハの外周ダレとの関係につ
いて研究を続けたところ、ウェーハの外周部分はラップ
定盤の目切り溝のエッジによってけずられ易くかつラッ
プスラリーの流れがラップ定盤の最内周部分及び最外周
部分に集中し滞留によるスラリー中の砥粒量が増加する
ことに起因してウェーハの外周ダレが生ずることを究明
した。本発明者はさらに研究を続け、ラップ定盤の目切
り溝を所定の形状とすることによってウェーハ外周部の
ダレ形状が改善されることを見出し、本発明を完成し
た。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present inventor has paid attention to the slits on the lapping plate for the cause of the outer peripheral sag of the wafer, and has continued research on the relationship between the shape of the slits and the outer peripheral sag of the wafer. However, the outer peripheral portion of the wafer is easily slipped by the edge of the grooving groove of the lapping plate and the flow of the lapping slurry is concentrated in the innermost peripheral portion and the outermost peripheral portion of the lapping plate so that the amount of abrasive grains in the slurry due to retention is It was investigated that the peripheral sag of the wafer occurs due to the increase. The present inventor further conducted research and found that the sagging shape of the outer peripheral portion of the wafer was improved by forming the cut grooves of the lapping plate into a predetermined shape, and completed the present invention.
【0017】本発明は、半導体ウェーハ等の平板状の被
加工物のラップ面、特にウェーハ外周部のダレ形状の改
善を図ることにより、その平坦度を向上させることを可
能としたラッピング装置及び方法を提供することを目的
とする。The present invention aims to improve the flatness of a flat work piece such as a semiconductor wafer by improving the wrapping surface of the work piece, particularly the outer peripheral portion of the wafer. The purpose is to provide.
【0018】[0018]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のラッピング装置の第1の態様は、上下のラ
ップ定盤と、該上下のラップ定盤に回動可能に挟持され
かつ1個又は複数個の受け穴が穿設された円板状の被加
工物保持金具とを有し、該受け穴に平板状の被加工物を
配置し、該被加工物を該被加工物保持金具とともに該上
下のラップ定盤に対し相対運動させながらラップを行う
ラッピング装置において、上記した上下のラップ定盤の
定盤面の最内周部分及び最外周部分を除いた中間部分の
みに目切り溝を設けかつ該下ラップ定盤の目切り溝に連
通するラップスラリー排出口を該下ラップ定盤の外側面
に設けたことを特徴とする。In order to solve the above problems, the first aspect of the lapping apparatus of the present invention is that the upper and lower lapping plates are rotatably sandwiched between the upper and lower lapping plates. A disk-shaped workpiece holding metal fitting having one or a plurality of receiving holes formed therein, a flat plate-shaped workpiece being arranged in the receiving hole, and the workpiece being held by the workpiece In a lapping device for performing a lap while moving relative to the upper and lower lap surface plates together with a metal fitting, only a middle portion of the surface plate surface of the upper and lower lap surface plates except for the innermost peripheral portion and the outermost peripheral portion And a lap slurry discharge port communicating with the cut groove of the lower lap platen is provided on the outer surface of the lower lap platen.
【0019】前記上下のラップ定盤の相対向する定盤面
の目切り溝加工の際に最内周部分及び最外周部分を除い
た中間部分のみに目切り溝加工を施すことによって中間
部分に目切り溝を設けることができる。When the upper and lower lap surface plates are machined into the grooving surfaces of the surface plates facing each other, only the intermediate portion except the innermost peripheral portion and the outermost peripheral portion is machined to form the grooving groove in the intermediate portion. A kerf can be provided.
【0020】本発明のラッピング装置の第2の態様は、
上下のラップ定盤と、該上下のラップ定盤に回動可能に
挟持されかつ1個又は複数個の受け穴が穿設された円板
状の被加工物保持金具とを有し、該受け穴に平板状の被
加工物を配置し、該被加工物を該被加工物保持金具とと
もに該上下のラップ定盤に対し相対運動させながらラッ
プを行うラッピング装置において、上記した上下のラッ
プ定盤の定盤面の全面に目切り溝加工を施し、該上下の
ラップ定盤の定盤面の最内周部分及び最外周部分の目切
り溝を樹脂で埋めかつ該下ラップ定盤の目切り溝に連通
するラップスラリー排出口を該下ラップ定盤の外側面に
設けたことを特徴とする。A second aspect of the lapping apparatus of the present invention is
The upper and lower lap platens and a disc-shaped workpiece holding metal fitting rotatably sandwiched between the upper and lower lap platens and having one or a plurality of receiving holes formed therein. In the lapping device for arranging a flat plate-shaped workpiece in a hole and performing relative lap of the workpiece together with the workpiece holding metal fitting with respect to the upper and lower lap surface plates, the above-mentioned upper and lower lap surface plates are provided. Of the surface plate surface of the upper and lower lap surface plates is filled with resin and the upper and lower lap surface plates are filled with resin to the groove grooves of the lower lap surface plate. A communicating lap slurry discharge port is provided on the outer surface of the lower lap platen.
【0021】本発明のラッピング装置の第3の態様は、
上下のラップ定盤と、該上下のラップ定盤に回動可能に
挟持されかつ1個又は複数個の受け穴が穿設された円板
状の被加工物保持金具とを有し、該受け穴に平板状の被
加工物を配置し、該被加工物を該被加工物保持金具とと
もに該上下のラップ定盤に対し相対運動させながらラッ
プを行うラッピング装置において、上記した上下のラッ
プ定盤の定盤面の全面に目切り溝加工を施し、該上下の
ラップ定盤の定盤面の最内周部分及び最外周部分の目切
り溝の開口角部にアールを設けたことを特徴とする。A third aspect of the lapping apparatus of the present invention is
The upper and lower lap platens and a disc-shaped workpiece holding metal fitting rotatably sandwiched between the upper and lower lap platens and having one or a plurality of receiving holes formed therein. In the lapping device for arranging a flat plate-shaped workpiece in a hole and performing relative lap of the workpiece together with the workpiece holding metal fitting with respect to the upper and lower lap surface plates, the above-mentioned upper and lower lap surface plates are provided. The entire surface of the surface plate surface is subjected to a grooving process, and the upper and lower lap surface plates are provided with rounded corners of the innermost peripheral portion and the outermost peripheral surface of the surface plate surface.
【0022】本発明のラッピング方法は、上記した第1
〜第3の態様のラッピング装置を用いて平板状の被加工
物のラップを行ない、そのラップ面の平坦度を向上させ
るようにしたものである。The wrapping method of the present invention is the above-mentioned first method.
-The lapping apparatus of the third aspect is used to lap a flat plate-like workpiece to improve the flatness of the lap surface.
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下に本発明の一つの実施の形態
を添付図面中、図1〜図12に基づいて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0024】本発明装置の基本的構成は、図13〜図1
8に示した従来のラッピング装置と変わるところはない
ので、その構成についての再度の説明は避け、本発明の
特徴点についてのみ説明する。The basic structure of the device of the present invention is shown in FIGS.
Since there is no difference from the conventional lapping apparatus shown in FIG. 8, a re-explanation of its configuration will be avoided, and only the characteristic points of the present invention will be explained.
【0025】図1は本発明のラッピング装置に用いられ
る下ラップ定盤の定盤面の一例の平面図、図2は図1の
下ラップ定盤の端面部の部分摘示斜視図、図3は本発明
のラッピング装置に用いられる上ラップ定盤の定盤面の
一例の平面図、図4は図1の目切り溝部分を示す下ラッ
プ定盤の部分側面図である。図5は本発明のラッピング
装置に用いられる下ラップ定盤の定盤面の他の例の平面
図、図6は図5の下ラップ定盤の端面部の部分摘示斜視
図、図7は本発明のラッピング装置に用いられる上ラッ
プ定盤の定盤面の他の例の平面図、図8は図5の目切り
溝部分を示す下ラップ定盤の部分側面図、図9は本発明
のラッピング装置に用いられる下ラップ定盤の定盤面の
別の例の平面図、図10は図9の下ラップ定盤の端面部
の部分摘示斜視図、図11は本発明のラッピング装置に
用いられる上ラップ定盤の定盤面の別の例の平面図、図
12は図9の目切り溝部分を示す下ラップ定盤の部分側
面図である。図1〜図12において図13〜図18と同
一又は類似部材は同一符号で示されている。FIG. 1 is a plan view of an example of the surface plate surface of a lower lap surface plate used in the lapping apparatus of the present invention, FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of the end surface portion of the lower lap surface plate of FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a plan view of an example of a surface plate surface of an upper lap surface plate used in the lapping apparatus of the invention, and FIG. 4 is a partial side view of the lower lap surface plate showing the cut groove portion of FIG. 1. 5 is a plan view of another example of the surface plate surface of the lower lap surface plate used in the lapping apparatus of the present invention, FIG. 6 is a partial perspective view of the end surface portion of the lower lap surface plate of FIG. 5, and FIG. FIG. 8 is a plan view of another example of the surface plate surface of the upper lap surface plate used in the lapping device of FIG. 8, FIG. 8 is a partial side view of the lower lap surface plate showing the cut groove portion of FIG. 5, and FIG. 9 is the lapping device of the present invention. 10 is a plan view of another example of the surface plate surface of the lower lap surface plate used in FIG. 10, FIG. 10 is a partial perspective view of the end surface portion of the lower lap surface plate of FIG. 9, and FIG. 11 is an upper wrap used in the lapping apparatus of the present invention. FIG. 12 is a plan view of another example of the surface plate of the surface plate, and FIG. 12 is a partial side view of the lower lap surface plate showing the cut groove portion of FIG. 9. 1 to 12, the same or similar members as those in FIGS. 13 to 18 are denoted by the same reference numerals.
【0026】図1〜図4において、上下のラップ定盤2
6,24は従来構造と同様に20mm〜50mm間隔で
方眼状に見切り溝40が刻設されている。図1〜図3に
示したごとく、上ラップ定盤26と下ラップ定盤24と
は、前者にはラップスラリーAを供給するノズル36に
接続する貫通孔38が穿設されている点を除いて、同様
の構造を有している。1 to 4, upper and lower lapping plates 2
Similar to the conventional structure, 6 and 24 have grid-shaped cut-out grooves 40 at intervals of 20 mm to 50 mm. As shown in FIGS. 1 to 3, the upper lap platen 26 and the lower lap platen 24 are different from the former except that a through hole 38 connecting to a nozzle 36 for supplying the lap slurry A is formed. And have a similar structure.
【0027】本発明のラッピング装置に用いられる上下
のラップ定盤26,24の定盤面27,25の最内周部
分27a,25a及び最外周部分27b,25bを除い
た中間部分27c,25cのみに目切り溝40が設けら
れている。Only the intermediate portions 27c, 25c except the innermost peripheral portions 27a, 25a and the outermost peripheral portions 27b, 25b of the surface plates 27, 25 of the upper and lower lap surface plates 26, 24 used in the lapping apparatus of the present invention. A dividing groove 40 is provided.
【0028】上記中間部分27c,25cのみに目切り
溝40を設ける態様は、種々の形態が適用できるが、例
えば図1〜図4に示すように、該中間部分25cのみに
目切り溝40を施すことによって行われる。この場合、
図2及び図4に示すごとく、不要なラップスラリーAや
切りくずが目切り溝40内に詰まらないように、下ラッ
プ定盤24の外側面に目切り溝40に連通するラップス
ラリー排出口42を開穿することが必要である。Various modes can be applied to the mode in which the slits 40 are provided only in the intermediate portions 27c and 25c. For example, as shown in FIGS. 1 to 4, the slits 40 are provided only in the intermediate portions 25c. It is done by applying. in this case,
As shown in FIGS. 2 and 4, in order to prevent unnecessary lap slurry A and chips from clogging the cutting grooves 40, the lap slurry discharge port 42 communicating with the cutting grooves 40 is formed on the outer surface of the lower lap surface plate 24. It is necessary to open the hole.
【0029】ラップスラリーAは下方に流下するため、
上ラップ定盤26に下ラップ定盤24と同様のラップス
ラリー排出口を開穿してもあまり意味はない。しかし、
上ラップ定盤26の表面付近(目切り溝40の底でなく
開口部分側)にスラリー排出口を設けて、ラップスラリ
ーや切りくずを排出する一助とする構成を採用すること
は可能である。Since the lap slurry A flows down,
It does not make much sense to open the lap slurry discharge port on the upper lap platen 26 similar to the lower lap platen 24. But,
It is possible to adopt a configuration in which a slurry discharge port is provided near the surface of the upper lapping platen 26 (on the opening portion side, not the bottom of the dividing groove 40) to help discharge the lapping slurry and chips.
【0030】また、図5〜図8に示すように、定盤面2
7,25の全面に目切り溝40加工を施し、最内周部分
27a,25a及び最外周部分27b,25bの目切り
溝40a及び40bを樹脂Bで埋めることによって、中
間部分27c,25cのみに目切り溝40を残存させる
こともできる。Further, as shown in FIGS.
By cutting the grooves 40 on the entire surface of 7, 25 and filling the grooves 40a and 40b of the innermost peripheral portions 27a and 25a and the outermost peripheral portions 27b and 25b with the resin B, only the intermediate portions 27c and 25c are formed. The slit groove 40 can also be left.
【0031】この場合、図8に示すごとく、目切り溝4
0a及び40bの上部部分のみを樹脂Rで埋め、目切り
溝40a及び40bの底部分には樹脂Bを充填しない
で、空間部分として残存させラップスラリー排出口42
として作用することができるようにしておく。In this case, as shown in FIG.
0a and 40b are filled only with the resin R, and the bottoms of the dividing grooves 40a and 40b are not filled with the resin B, but left as a space portion so that the lap slurry discharge port 42
Be able to act as.
【0032】該目切り溝40を埋めるために用いられる
樹脂Bとしては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などが
好適に用いられる。As the resin B used to fill the dividing grooves 40, silicone resin, epoxy resin and the like are preferably used.
【0033】上記した最内周部分27a,25aの幅は
目切り溝40の1マス分、つまり20mm〜50mmが
好適である。また最外周部分27b,25bの幅も目切
り溝40の1マス分、つまり20mm〜50mmが好ま
しい。なお、目切り溝40の1マスのサイズは、固定的
なものではなく、定盤の直径の変動に応じて変化するこ
とは勿論である。The width of the innermost peripheral portions 27a, 25a is preferably one square of the dividing groove 40, that is, 20 mm to 50 mm. The width of the outermost peripheral portions 27b and 25b is also preferably one square of the dividing groove 40, that is, 20 mm to 50 mm. It should be noted that the size of one cell of the dividing groove 40 is not fixed and, of course, changes according to the variation of the diameter of the surface plate.
【0034】このような構成とすることによって、ラッ
プスラリーAの流れが定盤面27,25の最内周部分2
7a,25a及び最外周部分27b,25bに集中する
ことなく全面に均一化されウェーハ外周ダレが発生する
ことはなくなる。With such a structure, the flow of the lap slurry A will be the innermost peripheral portion 2 of the surface plate surfaces 27, 25.
7a, 25a and the outermost peripheral portions 27b, 25b are not concentrated and uniformized over the entire surface so that the wafer outer peripheral sag does not occur.
【0035】さらに、図5〜図8と同様に定盤面27,
25の全面に目切り溝40加工を施し、最内周部分27
a,25a及び最外周部分27b,25bの目切り溝4
0の開口角部に、図9〜図12に示すごとく、アールR
を設けることによっても同様にウェーハの外周ダレを防
ぐことができる。このような構成により、最内周部分2
7a,25a及び最外周部分27b,25bの目切り溝
40a及び40bのエッジによるウェーハのけずれが少
なくなり全体に均一的にラップされ外周ダレが発生する
こともなくなる。Further, as in FIGS. 5 to 8, the surface plate surface 27,
The groove 25 is processed on the entire surface of 25, and the innermost peripheral portion 27
a, 25a and the outermost peripheral portions 27b, 25b of the slit grooves 4
As shown in FIG. 9 to FIG.
By providing the above, the sagging of the outer periphery of the wafer can be similarly prevented. With such a configuration, the innermost peripheral portion 2
7a, 25a and the outermost peripheral portions 27b, 25b at the edges of the dicing grooves 40a, 40b reduce the deviation of the wafer, and the wafer is uniformly lapped evenly and no peripheral sagging occurs.
【0036】本発明のラッピング方法は、上記したラッ
ピング装置を用いることによってウェーハの外周ダレの
ない高平坦度のラッピングを達成することができるもの
である。According to the lapping method of the present invention, by using the above-mentioned lapping apparatus, it is possible to achieve the lapping with high flatness without the peripheral sagging of the wafer.
【0037】[0037]
【実施例】以下に実施例をあげて本発明のラッピング方
法をさらに詳細に説明する。EXAMPLES The lapping method of the present invention will be described in more detail with reference to the following examples.
【0038】(実施例1及び比較例1)
被加工物(試料ウェーハ):CZ、p型、結晶方位<1
00>、200mmφ、スライスシリコンウェーハ
研磨剤:酸化アルミニウム(Al2O3#1200)
スラリー供給量:800cc/min
ラップ荷重:100g/cm2
ラップ時間:15分(Example 1 and Comparative Example 1) Workpiece (sample wafer): CZ, p-type, crystal orientation <1
00>, 200 mmφ, sliced silicon wafer polishing agent: aluminum oxide (Al 2 O 3 # 1200) Slurry supply amount: 800 cc / min Lapping load: 100 g / cm 2 Lapping time: 15 minutes
【0039】上記ラッピング条件により、図5〜図8に
示した上下のラップ定盤26,24(定盤面の最内周部
分及び最外周部分の目切り溝40をシリコーン樹脂で充
填し、その後キャリアにウェーハを挿入せずにキャリア
のみでラップ動作を行うことによって充填した樹脂の表
面を平坦化したもの)を有するラッピング装置(実施例
1)及び図16〜図18に示した全面に目切り溝を加工
した上下のラップ定盤26,24を有する従来の装置
(比較例1)を用いて試料ウェーハ(面取りまで実施し
たスライスウェーハ)20枚ずつをラップし、ラップ面
の平坦度(SBIR)を測定し、その結果を図19(実
施例1)及び図20(比較例1)に示した。Under the lapping conditions described above, the upper and lower lapping plates 26 and 24 shown in FIGS. 5 to 8 (the innermost peripheral portion and the outermost peripheral portion of the surface plate are filled with the silicone resin 40, and then the carrier is used. A lapping apparatus (Example 1) having a surface of resin filled by performing a lapping operation only with a carrier without inserting a wafer into the wafer (Example 1) and the cut grooves on the entire surface shown in FIGS. 16 to 18. Using the conventional apparatus (Comparative Example 1) having the upper and lower lapping plates 26 and 24 for processing, sample wafers (slice wafers that have been chamfered) 20 each are lapped, and the flatness (SBIR) of the lap surface is measured. The measurement was performed, and the results are shown in FIG. 19 (Example 1) and FIG. 20 (Comparative Example 1).
【0040】本発明装置(実施例1)によりラッピング
したウェーハの平坦度は従来装置(比較例1)によりラ
ッピングしたウェーハの平坦度よりも格段に優れた平坦
度を有し、特に前者にはウェーハ外周部のダレ形状の発
生がなかったのに対し、後者にはウェーハ外周部にダレ
形状が発生していることがわかった。The flatness of the wafer lapped by the apparatus of the present invention (Example 1) is much higher than the flatness of the wafer lapped by the conventional apparatus (Comparative Example 1). It was found that the sagging shape was not generated in the outer peripheral portion, whereas the sagging shape was generated in the outer peripheral portion of the wafer in the latter.
【0041】なお、実施例1及び比較例1の加工速度は
前者が7.04μm/min、後者が7.26μm/m
inであり、目切り溝のない部分を内外周部に形成した
上下定盤を用いても加工速度の低下はなく、生産性が低
下しないことも確認した。また、実施例1及び比較例1
のスクラッチ発生率はいずれも0.9%と同じ割合であ
り、目切り溝を樹脂で充填しても樹脂によるキズの発生
は存在しないことが判明した。The processing speeds of Example 1 and Comparative Example 1 were 7.04 μm / min for the former and 7.26 μm / m for the latter.
It was also confirmed that even if the upper and lower surface plates in which the portions having no slits were formed on the inner and outer peripheral portions were used, the processing speed did not decrease and the productivity did not decrease. In addition, Example 1 and Comparative Example 1
The scratch occurrence rate was 0.9%, which was the same as that of 0.9%, and it was found that no scratches were caused by the resin even when the cut grooves were filled with the resin.
【0042】(実施例2及び比較例2)図1〜図4に示
した上下のラップ定盤26,24(定盤面の最内周部分
及び最外周部分の目切り溝を形成しなかったもの)を有
するラッピング装置(実施例2)及び図16〜図18に
示したラップ定盤26,24を有する従来の装置(比較
例2)を用いて実施例1及び比較例1と同様のラッピン
グ条件で試料ウェーハをラップし、ラップ面の平坦度を
比較するためにそれぞれのSBIRmaxを測定し、ま
たそれぞれの鳥瞰図を作成した。実施例2のSBIRm
ax=0.43μm、比較例2のSBIRmax=0.
25μmであった。また、それぞれの鳥瞰図は図21
(実施例2)及び図22(比較例2)に示した。SBI
Rmaxの測定値及び図21及び図22を比較して明ら
かなごとく、実施例2によってラップしたウェーハの平
坦度は比較例2のそれよりも格段に良好であることがわ
かる。(Example 2 and Comparative Example 2) The upper and lower lap surface plates 26, 24 shown in FIGS. 1 to 4 (without forming the cut grooves in the innermost peripheral portion and the outermost peripheral portion of the surface plate surface) ) And a conventional device (Comparative Example 2) having the lapping plates 26 and 24 shown in FIGS. 16 to 18 (Comparative Example 2). The sample wafer was lapped at, the SBIRmax of each was measured in order to compare the flatness of the lap surface, and each bird's-eye view was created. SBIRm of Example 2
ax = 0.43 μm, SBIRmax = 0.
It was 25 μm. In addition, each bird's-eye view is shown in Fig. 21.
This is shown in (Example 2) and FIG. 22 (Comparative Example 2). SBI
As is clear from the comparison of the measured value of Rmax and FIGS. 21 and 22, it can be seen that the flatness of the wafer wrapped according to Example 2 is significantly better than that of Comparative Example 2.
【0043】(実施例3及び比較例3)図9〜図12に
示した上下のラップ定盤26,24(定盤面の最内周部
分及び最外周部分の目切り溝の開口角部にアールを設け
たもの)を有するラッピング装置(実施例3)及び図1
6〜図18に示したラップ定盤26,24を有する従来
の装置(比較例3)を用いて実施例1及び比較例1と同
様のラッピング条件で試料ウェーハをラップし、ラップ
面の平坦度を比較するためにそれぞれのSBIRmax
を測定し、またそれぞれの鳥瞰図を作成した。実施例3
のSBIRmax=0.44μm、比較例3のSBIR
max=0.20μmであった。また、それぞれの鳥瞰
図は図23(実施例3)及び図24(比較例3)に示し
た。SBIRmaxの測定値及び図23及び図24を比
較して明らかなごとく、実施例3によってラップしたウ
ェーハの平坦度は比較例3のそれよりも格段に良好であ
ることがわかる。(Example 3 and Comparative Example 3) The upper and lower lap surface plates 26 and 24 shown in FIGS. 9 to 12 (the inner corner portion and the outermost peripheral portion of the surface plate are rounded at the opening corner portions of the cutting grooves). Lapping apparatus (third embodiment) and FIG.
Sample wafers were lapped under the same lapping conditions as in Example 1 and Comparative Example 1 using the conventional apparatus (Comparative Example 3) having the lapping plates 26 and 24 shown in FIGS. Each SBIRmax to compare
Was measured and a bird's-eye view of each was created. Example 3
SBIRmax = 0.44 μm, SBIR of Comparative Example 3
max = 0.20 μm. In addition, respective bird's-eye views are shown in FIG. 23 (Example 3) and FIG. 24 (Comparative Example 3). As is clear from the comparison of the measured value of SBIRmax and FIGS. 23 and 24, it can be seen that the flatness of the wafer wrapped according to Example 3 is significantly better than that of Comparative Example 3.
【0044】[0044]
【発明の効果】上述したごとく、本発明によれば、半導
体ウェーハ等の平板状の被加工物のラップ面、特にウェ
ーハ外周部のダレ形状の改善を図ることにより、その平
坦度を向上させることが可能となるという大きな効果が
達成される。As described above, according to the present invention, the flatness is improved by improving the sagging shape of the flat plate-like work piece such as a semiconductor wafer, particularly the peripheral portion of the wafer. The great effect that it becomes possible is achieved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】 本発明のラッピング装置に用いられる下ラッ
プ定盤の定盤面の一例の平面図である。FIG. 1 is a plan view of an example of a surface plate surface of a lower lap surface plate used in a lapping apparatus of the present invention.
【図2】 図1の下ラップ定盤の端面部の部分摘示斜視
図である。2 is a partial perspective view of an end surface portion of the lower lap surface plate of FIG. 1. FIG.
【図3】 本発明のラッピング装置に用いられる上ラッ
プ定盤の定盤面の一例の平面図である。FIG. 3 is a plan view of an example of a surface plate surface of an upper lap surface plate used in the lapping apparatus of the present invention.
【図4】 図1の目切り溝部分を示す下ラップ定盤の部
分側面図である。FIG. 4 is a partial side view of a lower lap surface plate showing a cut groove portion of FIG. 1.
【図5】 本発明のラッピング装置に用いられる下ラッ
プ定盤の定盤面の他の例の平面図である。FIG. 5 is a plan view of another example of the surface plate surface of the lower lap surface plate used in the lapping apparatus of the present invention.
【図6】 図5の下ラップ定盤の端面部の部分摘示斜視
図である。FIG. 6 is a partial perspective view of an end surface portion of the lower lap surface plate of FIG.
【図7】 本発明のラッピング装置に用いられる上ラッ
プ定盤の定盤面の他の例の平面図である。FIG. 7 is a plan view of another example of the surface plate surface of the upper lap surface plate used in the lapping apparatus of the present invention.
【図8】 図4の目切り溝部分を示す下ラップ定盤の部
分側面図である。FIG. 8 is a partial side view of the lower lap surface plate showing the cut groove portion of FIG. 4;
【図9】 本発明のラッピング装置に用いられる下ラッ
プ定盤の定盤面の別の例の平面図である。FIG. 9 is a plan view of another example of the surface plate surface of the lower lap surface plate used in the lapping apparatus of the present invention.
【図10】 図9の下ラップ定盤の端面部の部分摘示斜
視図である。10 is a partial perspective view of an end surface portion of the lower lap surface plate of FIG.
【図11】 本発明のラッピング装置に用いられる上ラ
ップ定盤の定盤面の別の例の平面図である。FIG. 11 is a plan view of another example of the surface plate surface of the upper lap surface plate used in the lapping apparatus of the present invention.
【図12】 図7の目切り溝部分を示す下ラップ定盤の
部分側面図である。12 is a partial side view of the lower lap surface plate showing the cut groove portion of FIG. 7. FIG.
【図13】 ラッピング装置の分解斜視説明図である。FIG. 13 is an exploded perspective view of the lapping device.
【図14】 ラッピング装置の断面的説明図である。FIG. 14 is a cross-sectional explanatory view of a lapping device.
【図15】 ラッピング装置の上定盤を取り外した状態
を示す上面説明図である。FIG. 15 is an explanatory top view showing a state in which the upper surface plate of the lapping device is removed.
【図16】 従来のラッピング装置に用いられる下ラッ
プ定盤の定盤面の一例の平面図である。FIG. 16 is a plan view of an example of a surface plate surface of a lower lap surface plate used in a conventional lapping apparatus.
【図17】 図16の下ラップの定盤の端面部の部分摘
示斜視図である。FIG. 17 is a partial perspective view of an end surface portion of the surface plate of the lower wrap shown in FIG.
【図18】 従来のラッピング装置に用いられる上ラッ
プ定盤の定盤面の一例の平面図である。FIG. 18 is a plan view of an example of a surface plate surface of an upper lap surface plate used in a conventional lapping apparatus.
【図19】 実施例1においてラップされたウェーハの
表面平坦度(SBIR)を示すグラフである。FIG. 19 is a graph showing the surface flatness (SBIR) of the wafer wrapped in Example 1.
【図20】 比較例1においてラップされたウェーハの
表面平坦度(SBIR)を示すグラフである。FIG. 20 is a graph showing the surface flatness (SBIR) of the wafer wrapped in Comparative Example 1.
【図21】 実施例2においてラップされたウェーハ表
面の鳥瞰図を示す図面である。FIG. 21 is a view showing a bird's-eye view of the surface of the wafer wrapped in Example 2;
【図22】 比較例2においてラップされたウェーハ表
面の鳥瞰図を示す図面である。22 is a drawing showing a bird's-eye view of the surface of a wafer that has been wrapped in Comparative Example 2. FIG.
【図23】 実施例3においてラップされたウェーハ表
面の鳥瞰図を示す図面である。FIG. 23 is a drawing showing a bird's-eye view of the surface of the wafer wrapped in Example 3;
【図24】 比較例3においてラップされたウェーハ表
面の鳥瞰図を示す図面である。FIG. 24 is a drawing showing a bird's-eye view of the surface of the wafer wrapped in Comparative Example 3.
22:ラッピング装置、24:下定盤、26:上定盤、
25,27:定盤面、25a,27a:最内周部分、2
5b,27b:最外周部分、25c,27c:中間部
分、28:サンギア、30:インターナルギア、32:
被加工物保持金具、34:受け穴、36:ノズル、3
8:貫通孔、40,40a,40b:目切り溝、42:
ラップスラリー排出口、A:スラリー、B:樹脂、W:
被加工物。22: lapping device, 24: lower surface plate, 26: upper surface plate,
25 and 27: surface plate, 25a and 27a: innermost peripheral portion, 2
5b, 27b: outermost peripheral portion, 25c, 27c: intermediate portion, 28: sun gear, 30: internal gear, 32:
Workpiece holding metal fitting, 34: receiving hole, 36: nozzle, 3
8: Through hole, 40, 40a, 40b: Cut groove, 42:
Lap slurry outlet, A: slurry, B: resin, W:
Workpiece.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−124964(JP,A) 実開 昭49−141496(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B24B 37/04 H01L 21/304 621 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References Japanese Patent Laid-Open No. 53-124964 (JP, A) Actual development No. 49-141496 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) B24B 37/04 H01L 21/304 621
Claims (5)
盤に回動可能に挟持されかつ1個又は複数個の受け穴が
穿設された円板状の被加工物保持金具とを有し、該受け
穴に平板状の被加工物を配置し、該被加工物を該被加工
物保持金具とともに該上下のラップ定盤に対し相対運動
させながらラップを行うラッピング装置において、上記
した上下のラップ定盤の定盤面の最内周部分及び最外周
部分を除いた中間部分のみに目切り溝を設けかつ該下ラ
ップ定盤の目切り溝に連通するラップスラリー排出口を
該下ラップ定盤の外側面に設けたことを特徴とするラッ
ピング装置。1. An upper and lower lap platens and a disc-shaped workpiece holding metal fitting rotatably sandwiched between the upper and lower lap platens and having one or a plurality of receiving holes. In the lapping apparatus, which has a flat plate-shaped workpiece arranged in the receiving hole, and performs the lap while moving the workpiece together with the workpiece-holding metal fitting with respect to the upper and lower lap surface plates, The upper and lower lap surface plates are provided with a slit groove only in an intermediate portion of the surface plate surface excluding the innermost peripheral portion and the outermost peripheral portion thereof, and the lap slurry discharge port communicating with the slit groove of the lower lap surface plate is the lower lap plate. A lapping device that is provided on the outer surface of the surface plate.
面の目切り溝加工の際に最内周部分及び最外周部分を除
いた中間部分のみに目切り溝加工を施すことを特徴とす
る請求項1記載のラッピング装置。2. When the upper and lower lap surface plates are machined into the grooving surfaces of the surface plates facing each other, only the intermediate portion excluding the innermost peripheral portion and the outermost peripheral portion is subjected to the grooving groove processing. The lapping device according to claim 1.
盤に回動可能に挟持されかつ1個又は複数個の受け穴が
穿設された円板状の被加工物保持金具とを有し、該受け
穴に平板状の被加工物を配置し、該被加工物を該被加工
物保持金具とともに該上下のラップ定盤に対し相対運動
させながらラップを行うラッピング装置において、上記
した上下のラップ定盤の定盤面の全面に目切り溝加工を
施し、該上下のラップ定盤の定盤面の最内周部分及び最
外周部分の目切り溝を樹脂で埋めかつ該下ラップ定盤の
目切り溝に連通するラップスラリー排出口を該下ラップ
定盤の外側面に設けたことを特徴とするラッピング装
置。3. An upper and lower lap surface plate and a disk-shaped workpiece holding metal fitting rotatably sandwiched between the upper and lower lap surface plates and having one or a plurality of receiving holes formed therein. In the lapping apparatus, which has a flat plate-shaped workpiece arranged in the receiving hole, and performs the lap while moving the workpiece together with the workpiece-holding metal fitting with respect to the upper and lower lap surface plates, The upper and lower lapping platens are machined on the entire surface of the lapping plate, and the upper and lower lapping plates are filled with a resin to fill the innermost and outermost circumferential lapping plates of the lapping plate. The lapping device is characterized in that a lap slurry discharge port communicating with the cut groove is provided on the outer surface of the lower lap platen.
盤に回動可能に挟持されかつ1個又は複数個の受け穴が
穿設された円板状の被加工物保持金具とを有し、該受け
穴に平板状の被加工物を配置し、該被加工物を該被加工
物保持金具とともに該上下のラップ定盤に対し相対運動
させながらラップを行うラッピング装置において、上記
した上下のラップ定盤の定盤面の全面に目切り溝加工を
施し、該上下のラップ定盤の定盤面の最内周部分及び最
外周部分の目切り溝の開口角部にアールを設けたことを
特徴とするラッピング装置。4. An upper and lower lap platens and a disk-shaped workpiece holding metal fitting rotatably sandwiched between the upper and lower lap platens and having one or a plurality of receiving holes. In the lapping apparatus, which has a flat plate-shaped workpiece arranged in the receiving hole, and performs the lap while moving the workpiece together with the workpiece-holding metal fitting with respect to the upper and lower lap surface plates, The upper and lower lapping platens are provided with grooving on the entire surface of the lapping plate, and rounded portions are provided at the opening corners of the cutting grooves in the innermost peripheral portion and the outermost peripheral portion of the upper and lower lapping platens. Lapping device characterized by.
を用いて平板状の被加工物のラップを行ない、そのラッ
プ面の平坦度を向上させるようにしたことを特徴とする
ラッピング方法。5. A lapping process, wherein a flat work piece is lapped using the apparatus according to any one of claims 1 to 4 to improve the flatness of the lap surface. Method.
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