JP3511601B2 - Thin-film magnetic head assembly, method for measuring insulation properties thereof, and apparatus for measuring insulation properties - Google Patents
Thin-film magnetic head assembly, method for measuring insulation properties thereof, and apparatus for measuring insulation propertiesInfo
- Publication number
- JP3511601B2 JP3511601B2 JP2001165916A JP2001165916A JP3511601B2 JP 3511601 B2 JP3511601 B2 JP 3511601B2 JP 2001165916 A JP2001165916 A JP 2001165916A JP 2001165916 A JP2001165916 A JP 2001165916A JP 3511601 B2 JP3511601 B2 JP 3511601B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic head
- head assembly
- terminal
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド集
合体、その電気絶縁特性測定方法及び電気絶縁特性測定
装置に関する。本発明において、薄膜磁気ヘッド集合体
は、ウエハ状及びバー状の両タイプを含む。ウエハ状薄
膜磁気ヘッド集合体において、基体はウエハであり、薄
膜磁気ヘッド要素はこの基体上に行列状に配列されてい
る。バー状薄膜磁気ヘッド集合体において、基体はバー
状であり、薄膜磁気ヘッド要素は、基体の長手方向に沿
って配列されている。バー状薄膜磁気ヘッド集合体は、
ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体から切断によって切り出
されたものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film magnetic head assembly, a method for measuring electric insulation characteristics thereof, and a device for measuring electric insulation characteristics. In the present invention, the thin film magnetic head assembly includes both a wafer type and a bar type. In the wafer-shaped thin film magnetic head assembly, the substrate is a wafer, and the thin film magnetic head elements are arranged in a matrix on the substrate. In the bar-shaped thin film magnetic head assembly, the base body is bar-shaped, and the thin film magnetic head elements are arranged along the longitudinal direction of the base body. The bar-shaped thin film magnetic head assembly is
It is cut out from the wafer-shaped thin film magnetic head assembly by cutting.
【０００２】[0002]
【従来の技術】磁気異方性抵抗効果膜、スピンバルブ
膜、または、強磁性トンネル接合効果素子等の磁気抵抗
効果素子を、読み取り素子として用いた薄膜磁気ヘッド
では、磁気抵抗効果素子及びその電極膜を、アルミナ等
でなる絶縁膜に埋設した構造になっている。絶縁膜の両
側には第１のシールド膜及び第２のシールド膜が備えら
れている。2. Description of the Related Art In a thin film magnetic head using a magnetoresistive effect film, a spin valve film, or a magnetoresistive effect element such as a ferromagnetic tunnel junction effect element as a read element, a magnetoresistive effect element and its electrode are used. The structure is such that the film is embedded in an insulating film made of alumina or the like. A first shield film and a second shield film are provided on both sides of the insulating film.
【０００３】上記構造において、電極膜と、第１のシー
ルド膜または第２のシールド膜との間に存在する絶縁膜
に、絶縁劣化または絶縁破壊等が発生すると、電気雑音
が大きくなったり、あるいは電磁変換特性が悪化する等
の問題を生じる。In the above structure, if insulation deterioration or insulation breakdown occurs in the insulating film existing between the electrode film and the first shield film or the second shield film, electrical noise increases, or This causes problems such as deterioration of electromagnetic conversion characteristics.
【０００４】絶縁膜の絶縁劣化または絶縁破壊等を防止
する手段として、特開平８ー２９３０１８号公報は、ウ
エハ工程の間は電極膜とシールド膜との間の電気的接続
を維持し、ウエハ工程終了後に両者間の電気的接続を切
断する技術を開示している。As a means for preventing insulation deterioration or dielectric breakdown of the insulating film, Japanese Patent Laid-Open No. 8-293018 discloses that the electrical connection between the electrode film and the shield film is maintained during the wafer process, A technique for disconnecting the electrical connection between the two after the end is disclosed.
【０００５】しかし、ウエハ工程において、電極膜とシ
ールド膜との間に存在する絶縁膜の絶縁特性を測定する
ことができない。薄膜磁気ヘッドとして取り出された後
に、絶縁特性測定作業を行わなければならない。従っ
て、ウエハ工程において、電極膜とシールド膜との間に
存在する絶縁膜に、絶縁劣化または絶縁破壊を生じて
も、それを知ることができない。このため、歩留の低下
を招くとともに、薄膜磁気ヘッド毎の個別的な絶縁特性
測定作業が必要になるために、その作業が著しく面倒に
なる。However, in the wafer process, it is not possible to measure the insulation characteristics of the insulation film existing between the electrode film and the shield film. After being taken out as a thin film magnetic head, the insulation characteristic measurement work must be performed. Therefore, even if insulation deterioration or insulation breakdown occurs in the insulation film existing between the electrode film and the shield film in the wafer process, it cannot be known. For this reason, the yield is reduced, and the work of individually measuring the insulation characteristics of each thin-film magnetic head is required, which is extremely troublesome.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、工程
中に、シールド膜と電極膜との間の絶縁膜の絶縁劣化ま
たは絶縁破壊を防止し得る薄膜磁気ヘッド集合体、及
び、その絶縁特性測定方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a thin film magnetic head assembly capable of preventing insulation deterioration or dielectric breakdown of an insulating film between a shield film and an electrode film during a process, and its insulation. It is to provide a characteristic measuring method.
【０００７】本発明のもう一つの課題は、シールド膜と
電極膜との間の絶縁特性を、両者を接続する導電膜を切
断することなく測定し得る薄膜磁気ヘッド集合体、及
び、その絶縁特性測定方法を提供することである。Another object of the present invention is a thin-film magnetic head assembly capable of measuring the insulation characteristics between a shield film and an electrode film without cutting the conductive film connecting them, and the insulation characteristics thereof. It is to provide a measuring method.
【０００８】本発明の更にもう一つの課題は、絶縁特性
測定方法の実施に好適な絶縁特性測定装置を提供するこ
とである。Still another object of the present invention is to provide an insulation characteristic measuring apparatus suitable for carrying out the insulation characteristic measuring method.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体は、基体上に複
数の薄膜磁気ヘッド要素を有する。前記薄膜磁気ヘッド
要素のそれぞれは、第１のシールド膜と、第１の絶縁膜
と、磁気抵抗効果素子と、第１の電極膜と、第２の電極
膜と、第２の絶縁膜と、第２のシールド膜と、第１及び
第２の抵抗膜と、第１乃至第４の測定用端子とを含んで
いる。In order to solve the above problems, a thin film magnetic head assembly according to the present invention has a plurality of thin film magnetic head elements on a substrate. Each of the thin-film magnetic head elements includes a first shield film, a first insulating film, a magnetoresistive effect element, a first electrode film, a second electrode film, and a second insulating film. It includes a second shield film, first and second resistance films, and first to fourth measurement terminals.
【００１０】前記第１の絶縁膜は、前記第１のシールド
膜の上に備えられており、前記磁気抵抗効果素子は、前
記第１の絶縁膜によって支持されており、前記第１及び
第２の電極膜は、前記第１の絶縁膜によって支持され、
前記磁気抵抗効果素子に接続されている。前記第２の絶
縁膜は、前記第１の電極膜、前記第２の電極膜及び前記
磁気抵抗効果素子を覆っている。前記第２のシールド膜
は、前記第２の絶縁膜の上に備えられている。The first insulating film is provided on the first shield film, the magnetoresistive effect element is supported by the first insulating film, and the first and second insulating films are provided. The electrode film of is supported by the first insulating film,
It is connected to the magnetoresistive element. The second insulating film covers the first electrode film, the second electrode film and the magnetoresistive effect element. The second shield film is provided on the second insulating film.
【００１１】前記第１の測定用端子は、前記第１の抵抗
膜を介して、前記第１の電極または前記第２の電極膜に
電気的に導通され、前記第２の抵抗膜を介して、前記第
１のシールド膜に電気的に接続され、端面が外部に露出
されている。The first measuring terminal is electrically connected to the first electrode or the second electrode film through the first resistance film and through the second resistance film. , Is electrically connected to the first shield film, and the end face is exposed to the outside.
【００１２】前記第２の測定用端子は、前記第１の測定
用端子の側において、前記第１の抵抗膜に電気的に導通
し、端面が外部に露出されている。The second measuring terminal is electrically connected to the first resistance film on the side of the first measuring terminal, and its end face is exposed to the outside.
【００１３】前記第３の測定用端子は、前記第１のシー
ルド膜の側において、前記第１の抵抗膜に接続され、端
面が外部に露出されている。The third measuring terminal is connected to the first resistance film on the side of the first shield film, and the end face is exposed to the outside.
【００１４】前記第４の測定用端子は、前記第１のシー
ルド膜に電気的に導通し、端面が外部に露出されてい
る。The fourth measuring terminal is electrically connected to the first shield film, and its end face is exposed to the outside.
【００１５】上述したように、薄膜磁気ヘッド要素のそ
れぞれにおいて、第１の絶縁膜は、第１のシールド膜の
上に備えられており、第１の絶縁膜の上に磁気抵抗効果
素子、第１の電極膜及び第２の電極膜が備えられている
から、磁気抵抗効果素子は、磁気ヘッドに加工した時に
第１のシールド膜によってシールドされる。As described above, in each of the thin film magnetic head elements, the first insulating film is provided on the first shield film, and the magnetoresistive effect element and the first insulating film are provided on the first insulating film. Since the first electrode film and the second electrode film are provided, the magnetoresistive effect element is shielded by the first shield film when processed into a magnetic head.
【００１６】第２の絶縁膜は、第１の電極膜、第２の電
極膜及び磁気抵抗効果素子を覆っており、第２のシール
ド膜は第２の絶縁膜の上に備えられているから、磁気抵
抗効果素子並びに第１及び第２の電極膜が、第２のシー
ルド膜によってシールドされる。The second insulating film covers the first electrode film, the second electrode film and the magnetoresistive effect element, and the second shield film is provided on the second insulating film. The magnetoresistive effect element and the first and second electrode films are shielded by the second shield film.
【００１７】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体におい
て、複数の薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、更に、第
１及び第２の抵抗膜と、第１乃至第４の測定用端子とを
含んでいる。In the thin film magnetic head assembly according to the present invention, each of the plurality of thin film magnetic head elements further includes first and second resistance films and first to fourth measuring terminals. .
【００１８】第１の測定用端子は、第１の抵抗膜を介し
て、第１または第２の電極膜に電気的に導通され、第２
の抵抗膜を介して、第１のシールド膜に電気的に接続さ
れている。従って、第１または第２の電極膜と、第１の
シールド膜とは、第１の測定用端子、第１及び第２の抵
抗膜を介して、電気的に接続され、電気的に等電位にな
る。このため、工程において、第１及び第２の電極膜
と、第１のシールド膜との間に存在する第１の絶縁膜に
電圧が加わることがないから、第１の絶縁膜に絶縁劣化
または絶縁破壊を生じるのを防止できる。The first measuring terminal is electrically connected to the first or second electrode film through the first resistance film, and the second measuring terminal is electrically connected to the second electrode film.
Is electrically connected to the first shield film via the resistance film. Therefore, the first or second electrode film and the first shield film are electrically connected to each other through the first measurement terminal, the first and second resistance films, and are electrically equipotential. become. Therefore, in the process, no voltage is applied to the first insulating film existing between the first and second electrode films and the first shield film, so that the first insulating film is not deteriorated in insulation. It is possible to prevent dielectric breakdown.
【００１９】更に、第２の測定用端子は、第１の測定用
端子の側において、第１の抵抗膜に電気的に導通する。
第３の測定用端子は、第１のシールド膜の側において、
第１の抵抗膜に接続されている。第４の測定用端子は第
１のシールド膜に電気的に導通し、端面が外部に露出さ
れている。Further, the second measuring terminal is electrically connected to the first resistance film on the side of the first measuring terminal.
The third measurement terminal is on the side of the first shield film,
It is connected to the first resistance film. The fourth measuring terminal is electrically connected to the first shield film, and the end face is exposed to the outside.
【００２０】上記構成によれば、第１の測定用端子と第
４の測定用端子との間に、電圧を印加し、第２の測定用
端子と第３の測定用端子との間に現れる電位差を測定す
ることより、第１の絶縁層の電気絶縁抵抗を測定するこ
とができる。第２の測定用端子は、第１の測定用端子の
側において、第１の抵抗膜に電気的に導通し、第３の測
定用端子は第１のシールド膜の側において第１の抵抗膜
に接続されているので、第２の測定用端子と第３の測定
用端子との間に現れる電位差は、第１の抵抗膜の抵抗値
による電圧降下分である。According to the above structure, a voltage is applied between the first measuring terminal and the fourth measuring terminal and appears between the second measuring terminal and the third measuring terminal. By measuring the potential difference, the electrical insulation resistance of the first insulating layer can be measured. The second measurement terminal is electrically connected to the first resistance film on the first measurement terminal side, and the third measurement terminal is on the first shield film side of the first resistance film. Therefore, the potential difference appearing between the second measurement terminal and the third measurement terminal is the voltage drop due to the resistance value of the first resistance film.
【００２１】第１乃至第４の測定用端子は外部に露出し
ているから、電気絶縁抵抗測定に当って、第１乃至第４
の測定用端子に、給電用プローブまたは測定プローブを
当てることができる。Since the first to fourth measuring terminals are exposed to the outside, the first to fourth measuring terminals are used to measure the electrical insulation resistance.
The power supply probe or the measurement probe can be applied to the measurement terminal of.
【００２２】この電気絶縁抵抗測定法によれば、第１の
シールド膜と第１または第２の電極膜とを接続する第１
の抵抗膜及び第２の抵抗膜を切断する必要がない。この
ため、製造工程が短縮され、量産性が向上するととも
に、加工ミスの確率を低下させ、歩留を向上させること
ができる。According to this electrical insulation resistance measuring method, the first shield film and the first or second electrode film are connected to each other.
It is not necessary to cut the resistance film and the second resistance film. Therefore, the manufacturing process can be shortened, the mass productivity can be improved, the probability of processing error can be reduced, and the yield can be improved.
【００２３】上記態様は、第１の絶縁膜の絶縁抵抗を測
定するのに適した構成である。第２の絶縁膜の絶縁抵抗
を測定する場合は、第１の測定用端子は、第１の抵抗膜
を介して、第１の電極または第２の電極膜に電気的に導
通され、第２の抵抗膜を介して、第２のシールド膜に電
気的に接続される。第２の測定用端子は、第１の測定用
端子の側において、第１の抵抗膜に電気的に導通する。
第３の測定用端子は、第２のシールド膜の側において、
前記第１の抵抗膜に接続される。第４の測定用端子は、
第２のシールド膜に電気的に導通する。The above aspect is a configuration suitable for measuring the insulation resistance of the first insulating film. When measuring the insulation resistance of the second insulating film, the first measurement terminal is electrically connected to the first electrode or the second electrode film via the first resistance film, Is electrically connected to the second shield film via the resistance film. The second measurement terminal is electrically connected to the first resistance film on the side of the first measurement terminal.
The third measuring terminal is, on the side of the second shield film,
It is connected to the first resistance film. The fourth measuring terminal is
It electrically connects to the second shield film.
【００２４】この場合、第１の測定用端子は、第１の抵
抗膜によって、第１または第２の電極膜に電気的に導通
され、第２の抵抗膜を介して、第２のシールド膜に電気
的に接続されている。従って、第１または第２の電極膜
と、第２のシールド膜とは、第１の測定用端子、第１及
び第２の抵抗膜を介して、電気的に接続され、電気的に
等電位になる。このため、工程において、第１及び第２
の電極膜と、第２のシールド膜との間に存在する第２の
絶縁膜に電圧が加わることがないから、第２の絶縁膜に
絶縁劣化または絶縁破壊を生じるのを防止できる。In this case, the first measuring terminal is electrically connected to the first or second electrode film by the first resistance film, and the second shield film is formed through the second resistance film. Electrically connected to. Therefore, the first or second electrode film and the second shield film are electrically connected to each other through the first measurement terminal, the first and second resistance films, and are electrically equipotential. become. Therefore, in the process, the first and second
Since no voltage is applied to the second insulating film existing between the electrode film and the second shield film, it is possible to prevent the second insulating film from suffering insulation deterioration or dielectric breakdown.
【００２５】更に、第２の測定用端子は、第１の測定用
端子の側において、第１の抵抗膜に電気的に導通する。
第３の測定用端子は、第２のシールド膜の側において、
第１の抵抗膜に接続されている。第４の測定用端子は第
２のシールド膜に電気的に導通される。この構成によれ
ば、第１の測定用端子と第４の測定用端子との間に、電
圧を印加し、第２の測定用端子と第３の測定用端子との
間に現れる電位差を測定することより、第２の絶縁層の
電気絶縁抵抗を測定することができる。Further, the second measuring terminal is electrically connected to the first resistance film on the side of the first measuring terminal.
The third measuring terminal is, on the side of the second shield film,
It is connected to the first resistance film. The fourth measuring terminal is electrically connected to the second shield film. According to this configuration, a voltage is applied between the first measurement terminal and the fourth measurement terminal, and the potential difference appearing between the second measurement terminal and the third measurement terminal is measured. By doing so, the electrical insulation resistance of the second insulating layer can be measured.
【００２６】第１乃至第４の測定用端子は外部に露出し
ているから、電気絶縁抵抗測定に当って、第１乃至第４
の測定用端子に、給電用プローブまたは測定プローブを
当てることができる。Since the first to fourth measuring terminals are exposed to the outside, the first to fourth measuring terminals are used for measuring the electrical insulation resistance.
The power supply probe or the measurement probe can be applied to the measurement terminal of.
【００２７】電気絶縁抵抗の測定に当っては、第２のシ
ールド膜と電極膜とを接続する導電膜を切断する必要が
ない。このため、製造工程が短縮され、量産性が向上す
るとともに、加工ミスの確率を低下させ、歩留を向上さ
せることができる。In measuring the electric insulation resistance, it is not necessary to cut the conductive film connecting the second shield film and the electrode film. Therefore, the manufacturing process can be shortened, the mass productivity can be improved, the probability of processing error can be reduced, and the yield can be improved.
【００２８】更に、第１及び第２の絶縁膜の絶縁抵抗を
同時に測定する場合は、上述の２つの態様の何れにおい
ても、第１のシールド膜及び第２のシールド膜を電気的
に導通させる。具体的には、第４の測定用端子の部分
で、第１及び第２のシールド膜を電気的に導通させる構
造が考えられる。これにより、第１及び第２のシールド
膜が電気的に等電位になるから、等電位となる第１及び
第２のシールド膜と、第１または第２の電極との間に介
在する第１及び第２の絶縁膜の絶縁抵抗を、並列に接続
した合成抵抗を測定することができる。その値は、第１
及び第２の絶縁膜のうち、絶縁破壊等を起こし、絶縁抵
抗値の低下した絶縁膜の抵抗値によって支配されるか
ら、第１及び第２の絶縁膜の何れかに絶縁破壊等が起こ
っていることを検知することができる。Furthermore, when simultaneously measuring the insulation resistances of the first and second insulating films, the first shield film and the second shield film are electrically conducted in both of the above two modes. . Specifically, a structure in which the first and second shield films are electrically conducted at the fourth measurement terminal portion is conceivable. As a result, the first and second shield films are electrically equipotential, so that the first and second shield films, which are equipotential, are interposed between the first and second electrodes. The combined resistance of the second insulation film and the insulation resistance of the second insulation film can be measured. Its value is the first
And the second insulating film causes a dielectric breakdown or the like and is controlled by the resistance value of the insulating film having a reduced insulation resistance value. Therefore, the dielectric breakdown or the like occurs in either the first or the second insulating film. Can be detected.
【００２９】一般には、第１のシールド膜及び第２のシ
ールド膜に電気的に導通させる。これとは異なって、第
１のシールド膜と第２のシールド膜との間に第３の抵抗
膜を配置してもよい。この場合は、第１の測定用端子と
第４の測定用端子との間に電圧を印加し、第２の測定用
端子と第３の測定用端子との間に現れる電位差、及び、
第３の抵抗膜の端子間電位差より、絶縁特性を測定する
ことができる。Generally, the first shield film and the second shield film are electrically connected. Unlike this, a third resistance film may be arranged between the first shield film and the second shield film. In this case, a voltage is applied between the first measurement terminal and the fourth measurement terminal, a potential difference that appears between the second measurement terminal and the third measurement terminal, and
The insulation characteristic can be measured from the potential difference between the terminals of the third resistance film.
【００３０】更に、第２または第３の測定用端子の少な
くとも一方を包囲するガード導体膜を設け、基板表面の
リーク電流防止する。ガード導体膜は接地して用いる。Further, a guard conductor film surrounding at least one of the second and third measuring terminals is provided to prevent leakage current on the substrate surface. The guard conductor film is grounded before use.
【００３１】本発明は、更に、上述した絶縁特性測定方
法の実施に直接用いられる絶縁特性測定装置についても
開示する。The present invention further discloses an insulation characteristic measuring device used directly for carrying out the above-mentioned insulation characteristic measuring method.
【００３２】[0032]
【発明の実施の形態】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合
体に、ウエハ状及びバー状の両タイプが含まれることは
既に述べた通りである。ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体
において、基体はウエハであり、薄膜磁気ヘッド要素は
この基体上に行列状に配列されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As described above, the thin film magnetic head assembly according to the present invention includes both a wafer type and a bar type. In the wafer-shaped thin film magnetic head assembly, the substrate is a wafer, and the thin film magnetic head elements are arranged in a matrix on the substrate.
【００３３】バー状薄膜磁気ヘッド集合体では、基体は
バー状であり、薄膜磁気ヘッド要素は、基体の長手方向
に沿って配列（一般には１列）されている。バー状薄膜
磁気ヘッド集合体は、ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体か
ら切断によって切り出されたものである。この明細書で
は、主に、ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体について説明
する。ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体についての説明の
大部分は、バー状薄膜磁気ヘッド集合体にも適用可能で
ある。In the bar-shaped thin-film magnetic head assembly, the substrate is bar-shaped, and the thin-film magnetic head elements are arranged (generally one row) along the longitudinal direction of the substrate. The bar-shaped thin-film magnetic head assembly is cut out from the wafer-shaped thin-film magnetic head assembly. In this specification, a wafer-shaped thin film magnetic head assembly is mainly described. Most of the description of the wafer-shaped thin film magnetic head assembly is also applicable to the bar-shaped thin film magnetic head assembly.
【００３４】図１は本発明に係るウエハ状薄膜磁気ヘッ
ド集合体の斜視図である。図示された薄膜磁気ヘッド集
合体は、略円形状のウエハ基体１上に多数の薄膜磁気ヘ
ッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍを有する。ウエハ基体１は、周
知のセラミック材料によって構成される。代表的にはAl
TiC系セラミック材料が用いられる。薄膜磁気ヘッド要
素Ｑ１１〜Ｑｎｍはｎ行ｍ列の格子状に配列されてい
る。FIG. 1 is a perspective view of a wafer-shaped thin film magnetic head assembly according to the present invention. The illustrated thin film magnetic head assembly has a large number of thin film magnetic head elements Q11 to Qnm on a substantially circular wafer substrate 1. The wafer substrate 1 is made of a known ceramic material. Typically Al
A TiC-based ceramic material is used. The thin film magnetic head elements Q11 to Qnm are arranged in a grid pattern of n rows and m columns.
【００３５】図２は薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍ
のいくつかを拡大して示す図、図３は図２に示された薄
膜磁気ヘッド要素の一つの拡大断面図である。これらの
図を参照すると、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍの
それぞれは、第１のシールド膜３と、第１の絶縁膜７１
と、磁気抵抗効果素子９と、第２の電極膜１３と、第１
の電極膜１１と、第２のシールド膜５と、第２の絶縁膜
７２と、第１乃至第４の測定用端子５１〜５４と、第１
の抵抗膜６１と、第２の抵抗膜６２とを含む。FIG. 2 shows thin film magnetic head elements Q11 to Qnm.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of some of the thin film magnetic head elements shown in FIG. Referring to these drawings, each of the thin film magnetic head elements Q11 to Qnm includes a first shield film 3 and a first insulating film 71.
The magnetoresistive effect element 9, the second electrode film 13, the first
Electrode film 11, the second shield film 5, the second insulating film 72, the first to fourth measurement terminals 51 to 54, and the first
Resistance film 61 and second resistance film 62.
【００３６】図２には、第３の導体６３、第４の導体６
４が図示されている。更に、図３には、全体を覆う第３
の絶縁膜２１が図示されている。第３の絶縁膜２１は、
例えばアルミナ膜等でなる。In FIG. 2, the third conductor 63 and the fourth conductor 6 are shown.
4 is shown. Furthermore, in FIG.
The insulating film 21 of FIG. The third insulating film 21 is
For example, it is made of an alumina film or the like.
【００３７】第１のシールド膜３は、ウエハ基体１の上
に積層され、第１の絶縁膜７１は第１のシールド膜３の
上に積層されている。第１のシールド膜３は例えばパー
マロイ膜として構成される。実施例において、第１のシ
ールド膜３及び第２のシールド膜５は、導電膜１８によ
り、電気的に等電位となるように接続されている。これ
とは異なって、導電膜１８を省略し、第１のシールド膜
３及び第２のシールド膜５を、電気的に互いに独立させ
ることもできる。The first shield film 3 is laminated on the wafer base 1, and the first insulating film 71 is laminated on the first shield film 3. The first shield film 3 is formed as, for example, a permalloy film. In the embodiment, the first shield film 3 and the second shield film 5 are connected by the conductive film 18 so as to be electrically equipotential. Unlike this, the conductive film 18 may be omitted, and the first shield film 3 and the second shield film 5 may be electrically isolated from each other.
【００３８】磁気抵抗効果素子９は、第１の絶縁膜７１
の上に備えられている。磁気抵抗効果素子９は、磁気異
方性磁気抵抗効果膜、または、スピンバルブ膜、ペロブ
スカイト型磁性体もしくは強磁性トンネル接合を用いた
巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ）によって構成することが
できる。The magnetoresistive effect element 9 includes the first insulating film 71.
Is provided on top of. The magnetoresistive effect element 9 can be composed of a magnetic anisotropic magnetoresistive effect film, a spin valve film, a perovskite type magnetic material, or a giant magnetoresistive effect film (GMR) using a ferromagnetic tunnel junction.
【００３９】第１及び第２の電極膜１１、１３は、第１
の絶縁膜７１の上に備えられ、磁気抵抗効果素子９の端
部に接続され、一端側が磁気抵抗効果素子９から取出方
向に導かれている。この場合の取出方向は、薄膜磁気ヘ
ッドとして用いられた場合、空気ベアリング面とは反対
側に向かう方向に一致する。第１及び第２の電極膜１
１、１３は、リード電極膜６５、６６を介して、一般に
バンプと称される取出電極２５、２７に導かれる。取出
電極２５、２７は薄膜磁気ヘッドの完成品で見たとき、
空気流出側の側端面に露出される。The first and second electrode films 11 and 13 are the first
Is provided on the insulating film 71, is connected to the end portion of the magnetoresistive effect element 9, and one end side is guided from the magnetoresistive effect element 9 in the extraction direction. The extraction direction in this case corresponds to the direction toward the side opposite to the air bearing surface when used as a thin film magnetic head. First and second electrode films 1
The electrodes 1 and 13 are guided to the extraction electrodes 25 and 27, which are generally called bumps, through the lead electrode films 65 and 66. The extraction electrodes 25 and 27 are
It is exposed on the side end surface on the air outflow side.
【００４０】第２のシールド膜５は、第２の絶縁膜７２
の上に備えられている。第２のシールド膜５は、例え
ば、パーマロイ膜を含む単層または複数層の磁性膜とし
て構成される。The second shield film 5 is the second insulating film 72.
Is provided on top of. The second shield film 5 is configured as, for example, a single-layer or multi-layer magnetic film including a permalloy film.
【００４１】第１の測定用端子５１は、第１の抵抗膜６
１を介して、第１の電極膜１１または第２の電極膜１３
に電気的に導通され、第２の抵抗膜６２を介して、第１
のシールド膜３に電気的に接続され、端面が外部に露出
されている。第１及び第２の抵抗膜６１、６２は第１の
絶縁膜７１または第２の絶縁膜７２の上に設けられても
よいし、第３の絶縁膜２１（図３参照）の上に設けられ
ていてもよい。第１及び第２の抵抗膜６１、６２を第３
の絶縁膜２１に設ける場合は、第１の測定用端子５１
は、第２の絶縁膜７２及び第３の絶縁膜２１を貫通し
て、第３の絶縁膜２１の表面に露出する構造を有するこ
とができる。第１及び第２の抵抗膜６１、６２は、好ま
しくは電気抵抗の高い導電材料を用いることが好まし
い。またその線幅を小さくし、抵抗値を上げることが好
ましい。第１の抵抗膜６１及び第２の抵抗膜６２の抵抗
値は、１００Ω〜１００ｋΩの範囲に選定することが好
ましい。The first measuring terminal 51 has the first resistance film 6
1 through the first electrode film 11 or the second electrode film 13
Electrically connected to the first resistance film 62 through the second resistance film 62.
Is electrically connected to the shield film 3 and the end face is exposed to the outside. The first and second resistance films 61 and 62 may be provided on the first insulating film 71 or the second insulating film 72, or on the third insulating film 21 (see FIG. 3). It may be. The first and second resistance films 61 and 62 are formed into a third layer.
When provided on the insulating film 21 of the first measurement terminal 51
May have a structure which penetrates the second insulating film 72 and the third insulating film 21 and is exposed on the surface of the third insulating film 21. The first and second resistance films 61 and 62 are preferably made of a conductive material having a high electric resistance. It is also preferable to reduce the line width and increase the resistance value. The resistance values of the first resistance film 61 and the second resistance film 62 are preferably selected in the range of 100Ω to 100 kΩ.
【００４２】第３及び第４の導電膜６３、６４は、第１
及び第２の電極膜１１、１３と同様に、第１の絶縁膜７
１の上に設けることができる。第３及び第４の導電膜６
３、６４は、第１及び第２の抵抗膜６１、６２よりも電
気抵抗が小さくなるような材料で構成することが望まし
い。The third and fourth conductive films 63, 64 have the first
And the first insulating film 7 as well as the second electrode films 11 and 13.
It can be provided on one. Third and fourth conductive films 6
It is desirable that 3, 64 be made of a material having an electric resistance smaller than that of the first and second resistance films 61, 62.
【００４３】第２の測定用端子５２は、第１の測定用端
子５１の側において、第１の抵抗膜６１に電気的に導通
し、端面が外部に露出されている。実施例において、第
２の測定用端子５２は、第３の導電膜６３を介して、第
１の抵抗膜６１に電気的に接続されている。第３の導電
膜６３が第１の絶縁膜７１上に形成された場合は、第２
の測定用端子５２は、第２の絶縁膜７２及び第３の絶縁
膜２１を貫通して、第３の絶縁膜２１の表面に露出する
構造となる。The second measuring terminal 52 is electrically connected to the first resistance film 61 on the side of the first measuring terminal 51, and the end face is exposed to the outside. In the embodiment, the second measuring terminal 52 is electrically connected to the first resistance film 61 via the third conductive film 63. If the third conductive film 63 is formed on the first insulating film 71,
The measurement terminal 52 has a structure which penetrates the second insulating film 72 and the third insulating film 21 and is exposed on the surface of the third insulating film 21.
【００４４】第３の測定用端子５３は、第１のシールド
膜３の側において、第１の抵抗膜６１に接続され、端面
が外部に露出されている。実施例において、第３の測定
用端子５３は、第４の導電膜６４を介して、第１の抵抗
膜６１に電気的に接続されている。第４の導電膜６４が
第１の絶縁膜７１上に形成された場合は、第３の測定用
端子５３は、第２の絶縁膜７２及び第３の絶縁膜２１を
貫通して、第３の絶縁膜２１の表面に露出する構造とな
る。The third measuring terminal 53 is connected to the first resistance film 61 on the side of the first shield film 3 and the end face is exposed to the outside. In the embodiment, the third measuring terminal 53 is electrically connected to the first resistance film 61 via the fourth conductive film 64. When the fourth conductive film 64 is formed on the first insulating film 71, the third measurement terminal 53 penetrates the second insulating film 72 and the third insulating film 21, and the third The structure is exposed on the surface of the insulating film 21.
【００４５】第４の測定用端子５４は、第１のシールド
膜３に電気的に導通し、端面が外部に露出されている。
実施例において、第４の測定用端子５４は第２のシール
ド膜５の上に形成されており、第２のシールド膜５は、
導電膜１８により、第１のシールド膜３に電気的に接続
されている。従って、第４の測定用端子５４は、第１及
び第２のシールド膜３、５と等電位になる。The fourth measuring terminal 54 is electrically connected to the first shield film 3 and its end face is exposed to the outside.
In the embodiment, the fourth measuring terminal 54 is formed on the second shield film 5, and the second shield film 5 is
The conductive film 18 electrically connects to the first shield film 3. Therefore, the fourth measuring terminal 54 becomes equipotential with the first and second shield films 3 and 5.
【００４６】実施例では、更に、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ
１１〜Ｑｎｍのそれぞれは、書き込み素子となる誘導型
磁気変換素子３３を有する。誘導型磁気変換素子３３の
構造は周知である。典型的には、第２のシールド膜５に
よって構成される第１の磁性膜、この第１の磁性膜とと
もに薄膜磁気回路を構成する第２の磁性膜３５、コイル
膜３７、ギャップ膜３９及び絶縁膜４１などを有してい
る（図３参照）。第１の磁性膜５及び第２の磁性膜３５
の先端部は微小厚みのギャップ膜３９を隔てて対向する
ポール部を構成する。第２のシールド膜５から分離され
た第１の磁性膜を有することもある。The embodiment further includes a thin film magnetic head element Q.
Each of 11 to Qnm has an inductive magnetic conversion element 33 that serves as a writing element. The structure of the inductive magnetic conversion element 33 is well known. Typically, a first magnetic film formed by the second shield film 5, a second magnetic film 35, a coil film 37, a gap film 39, and an insulating film that form a thin film magnetic circuit together with the first magnetic film. It has a film 41 and the like (see FIG. 3). First magnetic film 5 and second magnetic film 35
The leading end portion of the pole portion forms a pole portion facing each other with a gap film 39 having a minute thickness therebetween. It may have a first magnetic film separated from the second shield film 5.
【００４７】第１の磁性膜５及び第２の磁性膜３５は、
そのヨーク部がポール部とは反対側にあるバックギャッ
プ部において、磁気回路を完成するように互いに結合さ
れている。絶縁膜４１の上に、ヨーク部の結合部のまわ
りを渦巻状にまわるように、コイル膜を形成してある。The first magnetic film 5 and the second magnetic film 35 are
The yoke portion is coupled to each other in the back gap portion on the side opposite to the pole portion so as to complete the magnetic circuit. A coil film is formed on the insulating film 41 so as to spirally surround the coupling portion of the yoke portion.
【００４８】上述したように、ウエハ基体１上に備えら
れた薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれにお
いて、第１の絶縁膜７１は、第１のシールド膜３の上に
備えられており、第１の絶縁膜７１の上に磁気抵抗効果
素子９、第１の電極膜１１及び第２の電極膜１３が備え
られているから、磁気抵抗効果素子９並びに第１及び第
２の電極膜１１、１３が、第１のシールド膜３によって
シールドされる。As described above, in each of the thin film magnetic head elements Q11 to Qnm provided on the wafer substrate 1, the first insulating film 71 is provided on the first shield film 3, Since the magnetoresistive effect element 9, the first electrode film 11 and the second electrode film 13 are provided on the first insulating film 71, the magnetoresistive effect element 9 and the first and second electrode films 11, 13 is shielded by the first shield film 3.
【００４９】第２の絶縁膜７２は、第１の電極膜１１、
第２の電極膜１３及び磁気抵抗効果素子９を覆ってお
り、第２のシールド膜５は第２の絶縁膜７２の上に備え
られているから、磁気抵抗効果素子９並びに第１及び第
２の電極膜１１、１３は、第２のシールド膜５によって
シールドされる。The second insulating film 72 is composed of the first electrode film 11,
Since the second shield film 5 covers the second electrode film 13 and the magnetoresistive effect element 9 and is provided on the second insulating film 72, the magnetoresistive effect element 9 and the first and second magnetoresistive effect elements 9 are formed. The electrode films 11 and 13 are shielded by the second shield film 5.
【００５０】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体におい
て、複数の薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、更に、第
１及び第２の抵抗膜６１、６２と、第１乃至第４の測定
用端子５１〜５４とを含んでいる。第１及び第２の抵抗
膜６１、６２は、第１の絶縁膜７１によって支持されて
いる。In the thin film magnetic head assembly according to the present invention, each of the plurality of thin film magnetic head elements further includes first and second resistance films 61 and 62 and first to fourth measuring terminals 51 to 51. 54 and. The first and second resistance films 61 and 62 are supported by the first insulating film 71.
【００５１】第１の測定用端子５１は、第１の抵抗膜６
１によって、第１の電極膜１１に電気的に導通され、第
２の抵抗膜６２によって、第１のシールド膜３に電気的
に接続されている。従って、第１の電極膜１１と、第１
のシールド膜３とは、第１の測定用端子５１、第１及び
第２の抵抗膜６１、６２を介して、電気的に接続され、
電気的に等電位になる。このため、工程において、第１
及び第２の電極膜１１、１３と、第１のシールド膜３と
の間に存在する第１の絶縁膜７１に電圧が加わることが
ないから、第１の絶縁膜７１に絶縁劣化または絶縁破壊
を生じるのを防止できる。The first measuring terminal 51 is connected to the first resistance film 6
1 electrically connects to the first electrode film 11 and is electrically connected to the first shield film 3 by the second resistance film 62. Therefore, the first electrode film 11 and the first
Is electrically connected to the shield film 3 via the first measurement terminal 51, the first and second resistance films 61 and 62,
It becomes electrically equipotential. Therefore, in the process, the first
In addition, since no voltage is applied to the first insulating film 71 existing between the second electrode films 11 and 13 and the first shield film 3, the first insulating film 71 has insulation deterioration or dielectric breakdown. Can be prevented.
【００５２】実施例の場合、第１のシールド膜３及び第
２のシールド膜５が、導電膜１８によって電気的に接続
されているので、第１及び第２の電極膜１１、１３と、
第２のシールド膜５との間に存在する第２の絶縁膜７２
にも電圧が加わることがないから、第２の絶縁膜７２に
絶縁劣化または絶縁破壊を生じるのを防止できる。In the case of the embodiment, since the first shield film 3 and the second shield film 5 are electrically connected by the conductive film 18, the first and second electrode films 11 and 13,
The second insulating film 72 existing between the second shield film 5 and the second shield film 5.
Since no voltage is applied to the second insulating film 72, it is possible to prevent the second insulating film 72 from suffering insulation deterioration or dielectric breakdown.
【００５３】次に、図４〜図６を参照して、第１の絶縁
膜７１及び第２の絶縁膜７２の電気絶縁抵抗Ｒｘの測定
原理について説明する。図４は本発明に係る絶縁特性測
定方法を示す図、図５は図４に示した配置を等価的に変
形した図、図６は図５に示した配置の電気的等価回路図
である。Next, the principle of measuring the electrical insulation resistance Rx of the first insulating film 71 and the second insulating film 72 will be described with reference to FIGS. 4 is a diagram showing an insulation characteristic measuring method according to the present invention, FIG. 5 is an equivalently modified diagram of the arrangement shown in FIG. 4, and FIG. 6 is an electrically equivalent circuit diagram of the arrangement shown in FIG.
【００５４】既に述べたように、第１乃至第４の測定用
端子５１〜５４は端面が外部に露出されている。よっ
て、図４に図示するように、第１の絶縁膜７１及び第２
の絶縁膜７２の電気絶縁抵抗測定に当って、第１及び第
４の測定用端子５１、５４に、直流電源８１から導かれ
た給電用プローブ８３、８４を当て、第２乃至第３の測
定用端子５２、５３に、電圧計８２から導かれた測定プ
ローブ８５、８６を当てることができる。As described above, the end faces of the first to fourth measuring terminals 51 to 54 are exposed to the outside. Therefore, as shown in FIG. 4, the first insulating film 71 and the second insulating film 71
In measuring the electric insulation resistance of the insulating film 72, the power supply probes 83 and 84 led from the DC power supply 81 are applied to the first and fourth measurement terminals 51 and 54, and the second to third measurements are performed. The measurement probes 85 and 86 led from the voltmeter 82 can be applied to the terminals 52 and 53 for use.
【００５５】図５、図６において、電流ｉ１は直流電源
８１から供給される電流である。電流ｉ２は第１のシー
ルド膜３から、第１の絶縁膜７１を通り、第１または第
２の電極膜１１、１３に流れる電流である。実施例の場
合、第４の測定用端子５４は、第１のシールド膜３に導
電膜１８を介して電気的に接続され、更に、第２のシー
ルド膜５にも接続されているので、電流ｉ２は第２の絶
縁膜７２を通り、第１または第２の電極膜１１、１３に
流れる電流も含む。In FIGS. 5 and 6, the current i1 is the current supplied from the DC power supply 81. The current i2 is a current that flows from the first shield film 3 through the first insulating film 71 to the first or second electrode films 11 and 13. In the case of the embodiment, the fourth measuring terminal 54 is electrically connected to the first shield film 3 via the conductive film 18, and further connected to the second shield film 5, so that the current i2 also includes a current flowing through the second insulating film 72 and flowing through the first or second electrode film 11, 13.
【００５６】電流ｉ３は電圧計８２に流れる電流であ
る。電流ｉ４は第１の抵抗膜６１に流れる電流である。
電流ｉ５は電流ｉ３と電流ｉ４との和の電流である。電
流ｉ６は第１のシールド膜３から第２の抵抗膜６２に流
れ込む電流である。The current i3 is the current flowing through the voltmeter 82. The current i4 is a current flowing through the first resistance film 61.
The current i5 is the sum of the current i3 and the current i4. The current i6 is a current flowing from the first shield film 3 into the second resistance film 62.
【００５７】抵抗Ｒ１は第１の抵抗膜６１の抵抗値、抵
抗Ｒ２は第２の抵抗膜６２の抵抗値である。抵抗Ｒｘは
第１または第２の絶縁膜７１、７２の絶縁抵抗値であ
る。実施例の場合、第４の測定用端子５４は、第１のシ
ールド膜３に導電膜１８を介して電気的に接続され、更
に、第２のシールド膜５にも接続されているので、絶縁
抵抗値Ｒｘは第１の絶縁膜７１及び第２の絶縁膜７２の
絶縁抵抗の並列抵抗値となる。抵抗Ｒｖは電圧計８２の
内部抵抗値である。電圧計８２の内部抵抗値Ｒｖは、例
えば１０ＧΩの高抵抗値となる。電圧計８２は、アナロ
グまたはデジタルの何れでもよい。また、コンピュータ
など演算処理装置を含んでいてもよい。The resistance R1 is the resistance value of the first resistance film 61, and the resistance R2 is the resistance value of the second resistance film 62. The resistance Rx is the insulation resistance value of the first or second insulating film 71, 72. In the case of the embodiment, the fourth measurement terminal 54 is electrically connected to the first shield film 3 through the conductive film 18, and is also connected to the second shield film 5, so that the insulation is isolated. The resistance value Rx is the parallel resistance value of the insulation resistances of the first insulating film 71 and the second insulating film 72. The resistance Rv is an internal resistance value of the voltmeter 82. The internal resistance value Rv of the voltmeter 82 has a high resistance value of, for example, 10 GΩ. The voltmeter 82 may be either analog or digital. It may also include an arithmetic processing unit such as a computer.
【００５８】第３の導電膜６３及び第４の導電膜６４
は、電気抵抗値が第１及び第２の抵抗膜６１、６２のそ
れより十分に小さいものとし、電気抵抗Ｒ１、Ｒ２は、
第１及び第２の抵抗膜６１、６２の電気抵抗によって定
まるとみなす。Third conductive film 63 and fourth conductive film 64
Has an electric resistance value sufficiently smaller than that of the first and second resistance films 61 and 62, and the electric resistances R1 and R2 are
It is considered to be determined by the electric resistances of the first and second resistance films 61 and 62.
【００５９】図５、図６において、 V=i4・R1 （１） E=i6・R2 （２） E=i2・Rx+i4・R1 （３） E=i2・Rx+i3・Rv （４） i1=i2+i6 （５） i2=i3+i4 （６） i3+i4=i5 （７） i5+i6=i1 （８） が成立する。上記／式（３）を変形して、 i4=(E-i2・RX)/R1 （９） が得られ、式（４）を変形して、 i3=(E-i2・RX)/Rv （１０） が得られる。In FIGS. 5 and 6, V = i4 ・ R1 (1) E = i6 ・ R2 (2) E = i2 ・ Rx + i4 ・ R1 (3) E = i2 ・ Rx + i3 ・ Rv (4) i1 = i2 + i6 (5) i2 = i3 + i4 (6) i3 + i4 = i5 (7) i5 + i6 = i1 (8) Is established. Transforming the above / equation (3), i4 = (E-i2 ・ RX) / R1 (9) Is obtained, and the equation (4) is transformed, i3 = (E-i2 ・ RX) / Rv (10) Is obtained.
【００６０】次に、式（１）と式（３）とから、 E=i2・Rx+V （１１） i2=(E-V)/Rx （１２） が得られる。式（９）及び式（１０）を式（６）に代入すると、 i2=(E-i2・Rx)/Rv+(E-i2・Rx)/R1 ={(R1+Rv)E-(R1+Rv)i2・Rx}/R1・Rx （１３） が得られる。式（１３）を式（１２）に代入すると、 (E-V)/Rx ={(R1+Rv)E-(R1+Rv)i2・Rx}/R1・Rx =V{(1/Rv)+(1/R1)} （１４） 式（１４）より、Ｒｘを求めると、 Rx=(E-V)/V{(1/Rv)+(1/R1)} （１５） となる。Next, from the equations (1) and (3), E = i2 ・ Rx + V (11) i2 = (E-V) / Rx (12) Is obtained. Substituting equation (9) and equation (10) into equation (6), i2 = (E-i2 ・ Rx) / Rv + (E-i2 ・ Rx) / R1 = {(R1 + Rv) E- (R1 + Rv) i2 ・ Rx} / R1 ・ Rx (13) Is obtained. Substituting equation (13) into equation (12), (E-V) / Rx = {(R1 + Rv) E- (R1 + Rv) i2 ・ Rx} / R1 ・ Rx = V {(1 / Rv) + (1 / R1)} (14) When Rx is calculated from the equation (14), Rx = (E-V) / V {(1 / Rv) + (1 / R1)} (15) Becomes
【００６１】式（１５）において、直流電圧Ｅは直流電
源８１から出力される印加電圧、電位差Ｖは電圧計８２
によって検出された電位差、抵抗値Ｒｖは電圧計８２の
内部抵抗値、抵抗Ｒ１は第１の抵抗膜６１の抵抗値であ
り、何れも既知である。よって、第１及び第２の絶縁膜
７１、７２の絶縁抵抗値Ｒｘを測定し、その値から、第
１及び第２の絶縁膜７１、７２の絶縁劣化を判定するこ
とができる。In the equation (15), the DC voltage E is the applied voltage output from the DC power supply 81, and the potential difference V is the voltmeter 82.
The potential difference and the resistance value Rv detected by are the internal resistance value of the voltmeter 82, and the resistance R1 is the resistance value of the first resistance film 61, both of which are known. Therefore, the insulation resistance value Rx of the first and second insulating films 71 and 72 can be measured, and the insulation deterioration of the first and second insulating films 71 and 72 can be determined from the measured value.
【００６２】上述した電気絶縁抵抗測定法によれば、第
１の絶縁膜７１と、第１または第２の電極膜１１、１３
とを接続する第１、第２の抵抗膜６１、６２、及び、第
３、第４の導電膜６３、６４を切断する必要がない。こ
のため、製造工程が短縮され、量産性が向上するととも
に、加工ミスの確率を低下させ、歩留を向上させること
ができる。According to the electrical insulation resistance measuring method described above, the first insulating film 71 and the first or second electrode film 11, 13 are formed.
It is not necessary to disconnect the first and second resistance films 61 and 62 and the third and fourth conductive films 63 and 64 that connect to and. Therefore, the manufacturing process can be shortened, the mass productivity can be improved, the probability of processing error can be reduced, and the yield can be improved.
【００６３】図７は本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体
の別の実施例を示す一部拡大図である。この実施例で
は、第１の測定用端子５１は、第１の抵抗膜６１によっ
て、第１の電極膜１１または第２の電極膜１３に電気的
に導通され、第２の抵抗膜６２によって第２のシールド
膜５に電気的に接続される。第２の測定用端子５２は、
第１の測定用端子５１の側において、第１の抵抗膜６１
に電気的に導通する。第３の測定用端子５３は、第２の
シールド膜５の側において、第１の抵抗膜６１に接続さ
れる。第４の測定用端子５４は、第２のシールド膜５に
電気的に導通する。FIG. 7 is a partially enlarged view showing another embodiment of the thin film magnetic head assembly according to the present invention. In this embodiment, the first measurement terminal 51 is electrically connected to the first electrode film 11 or the second electrode film 13 by the first resistance film 61, and is electrically connected to the first electrode film 11 or the second electrode film 13 by the second resistance film 62. It is electrically connected to the second shield film 5. The second measuring terminal 52 is
On the side of the first measurement terminal 51, the first resistance film 61
Electrically connected to. The third measurement terminal 53 is connected to the first resistance film 61 on the side of the second shield film 5. The fourth measuring terminal 54 is electrically connected to the second shield film 5.
【００６４】第１の測定用端子５１は、第１の抵抗膜６
１によって、第１または第２の電極膜１１、１３に電気
的に導通され、第２の抵抗膜６２によって、第２のシー
ルド膜５に電気的に接続されている。従って、第１また
は第２の電極膜１１、１３と、第２のシールド膜５と
は、第１の測定用端子５１、第１及び第２の抵抗膜６
１、６２を介して、電気的に接続され、電気的に等電位
になる。このため、工程において、第１及び第２の電極
膜１１、１３と、第２のシールド膜５との間に存在する
第２の絶縁膜７２に電圧が加わることがないから、第２
の絶縁膜７２に絶縁劣化または絶縁破壊を生じるのを防
止できる。The first measuring terminal 51 is connected to the first resistance film 6
1 electrically connects to the first or second electrode film 11 or 13 and is electrically connected to the second shield film 5 by the second resistance film 62. Therefore, the first or second electrode film 11 or 13 and the second shield film 5 are the same as the first measurement terminal 51, the first and second resistance films 6 and 6.
It is electrically connected via 1 and 62 and becomes electrically equipotential. Therefore, in the process, no voltage is applied to the second insulating film 72 existing between the first and second electrode films 11 and 13 and the second shield film 5, so
It is possible to prevent the insulation deterioration or the dielectric breakdown of the insulating film 72.
【００６５】更に、第２の測定用端子５２は、第１の測
定用端子５１の側において、第１の抵抗膜６１に電気的
に導通する。第３の測定用端子５３は、第２のシールド
膜５の側において、第１の抵抗膜６１に接続されてい
る。第４の測定用端子５４は第２のシールド膜５に電気
的に導通される。この構成によれば、第１の測定用端子
５１と第４の測定用端子５４との間に、電圧を印加し、
第２の測定用端子５２と第３の測定用端子５３との間に
現れる電位差を測定することより、第２の絶縁膜７２の
電気絶縁抵抗を測定することができる。第１乃至第４の
測定用端子５１〜５４は外部に露出しているから、図４
で説明したように、電気絶縁抵抗測定に当って、第１乃
至第４の測定用端子５１〜５４に、直流電源８１の給電
用プローブ８３、８４、及び、電圧計８２の測定プロー
ブ８５、８６を当てることができる。Further, the second measuring terminal 52 is electrically connected to the first resistance film 61 on the side of the first measuring terminal 51. The third measuring terminal 53 is connected to the first resistance film 61 on the second shield film 5 side. The fourth measuring terminal 54 is electrically connected to the second shield film 5. According to this configuration, a voltage is applied between the first measurement terminal 51 and the fourth measurement terminal 54,
By measuring the potential difference appearing between the second measuring terminal 52 and the third measuring terminal 53, the electric insulation resistance of the second insulating film 72 can be measured. Since the first to fourth measuring terminals 51 to 54 are exposed to the outside, FIG.
As described above, in measuring the electric insulation resistance, the power supply probes 83 and 84 of the DC power supply 81 and the measurement probes 85 and 86 of the voltmeter 82 are connected to the first to fourth measurement terminals 51 to 54. You can guess.
【００６６】この実施例の場合も、第２のシールド膜５
と、第１または第２の電極膜１１、１３とを接続する第
１または第２の抵抗膜６１、６２を切断する必要がな
い。このため、製造工程が短縮され、量産性が向上する
とともに、加工ミスの確率を低下させ、歩留を向上させ
ることができる。Also in this embodiment, the second shield film 5
It is not necessary to cut the first or second resistance film 61 or 62 connecting the first and second electrode films 11 and 13 with each other. Therefore, the manufacturing process can be shortened, the mass productivity can be improved, the probability of processing error can be reduced, and the yield can be improved.
【００６７】第１のシールド膜３及び第２のシールド膜
５を、導電膜１８（図３参照）と電気的に導通させた場
合は、第１及び第２の絶縁膜７１、７２の絶縁抵抗を並
列に接続した合成抵抗を測定することができる。その値
は、第１及び第２の絶縁膜７１、７２のうち、絶縁破壊
等を起こし、絶縁抵抗値の低下した絶縁膜の絶縁抵抗値
によって支配されるから、第１及び第２の絶縁膜７１、
７２の何れかに絶縁破壊等が起こっていることを検知す
ることができる。When the first shield film 3 and the second shield film 5 are electrically connected to the conductive film 18 (see FIG. 3), the insulation resistance of the first and second insulating films 71 and 72 is reduced. Can be measured in parallel. Since the value is controlled by the insulation resistance value of the insulation film of the first and second insulation films 71 and 72 that has undergone insulation breakdown or the like and has a reduced insulation resistance value, the first and second insulation films 71,
It is possible to detect that dielectric breakdown or the like has occurred in any of 72.
【００６８】本発明では、微小電圧を測定することにな
るため、磁気ヘッドに使用される異なる材料間の接合
面、及び、第２及び第３の測定用端子５２、５３と、測
定用プローブ８５、８６との間の異種金属接触箇所、並
びに、測定装置の配線中に存在する異種材料接触箇所に
おいて、接触材間の温度差に起因する熱起電力を無視で
きないことがある。熱起電力の影響をキャンセルする手
段としては、電圧を印加するステップを、印加電圧の値
を変えて、少なくとも２回実行し、得られた電位差の差
分、及び、印加電圧の差分から、絶縁特性を算出する方
法が有効である。Since a minute voltage is measured in the present invention, the bonding surface between different materials used for the magnetic head, the second and third measuring terminals 52 and 53, and the measuring probe 85. , 86, and the dissimilar material contact point existing in the wiring of the measuring device, and the thermoelectromotive force due to the temperature difference between the contact materials may not be ignored. As a means for canceling the influence of the thermoelectromotive force, the step of applying a voltage is performed at least twice by changing the value of the applied voltage, and the insulation characteristic is calculated from the obtained potential difference and the applied voltage difference. Is effective.
【００６９】また、上述した実施例では、第１及び第４
の測定用端子５１、５４に、直流電源８１から導かれた
給電用プローブ８３、８４を当て、第２乃至第３の測定
用端子５２、５３に、電圧計８２から導かれた測定プロ
ーブ８５、８６を当てる標準タイプを示したが、ウエハ
中の大半の素子が、絶縁抵抗値の規格値を満たす場合に
は、次の方法を採用することもできる。
（ａ）第２の測定用端子５２と第４の測定用端子５４と
の間に電圧を印加し、第２の測定用端子５２と第３の測
定用端子５３との間に現れる電位差より、絶縁特性を測
定する方法。
（ｂ）第１の測定用端子５１と第４の測定用端子５４と
の間に電圧を印加し、第１の測定用端子５１と第３の測
定用端子５３との間に現れる電位差より、絶縁特性を測
定する方法。
（ｃ）第２の測定用端子５２と第４の測定用端子５４と
の間に電圧を印加し、第１の測定用端子５１と第３の測
定用端子５３との間に現れる電位差より、絶縁特性を測
定する方法。Further, in the above-mentioned embodiment, the first and fourth
The power supply probes 83 and 84 led from the DC power supply 81 are applied to the measurement terminals 51 and 54 of the above, and the measurement probes 85 led from the voltmeter 82 to the second to third measurement terminals 52 and 53. Although the standard type in which 86 is applied is shown, the following method can also be adopted when most of the elements in the wafer satisfy the standard value of the insulation resistance value. (A) From the potential difference appearing between the second measurement terminal 52 and the third measurement terminal 53, a voltage is applied between the second measurement terminal 52 and the fourth measurement terminal 54, How to measure insulation properties. (B) A voltage is applied between the first measurement terminal 51 and the fourth measurement terminal 54, and from the potential difference appearing between the first measurement terminal 51 and the third measurement terminal 53, How to measure insulation properties. (C) A voltage is applied between the second measurement terminal 52 and the fourth measurement terminal 54, and from the potential difference that appears between the first measurement terminal 51 and the third measurement terminal 53, How to measure insulation properties.
【００７０】更に、要求される精度が許容するならば、
第１及び第２の測定用端子５１、５２の何れか一方を省
略することもできる。Furthermore, if the required accuracy allows,
Either one of the first and second measuring terminals 51 and 52 can be omitted.
【００７１】図８は、その一例として、第１の測定用端
子５１を省略し、第２の測定用端子５２を残した薄膜磁
気ヘッド集合体の例を示す。図において、先に示した図
面に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一
の参照符号を付し、重複説明は省略する。FIG. 8 shows an example of a thin film magnetic head assembly in which the first measuring terminal 51 is omitted and the second measuring terminal 52 is left as an example. In the figure, the same components as those shown in the above-mentioned drawings are designated by the same reference numerals, and the duplicate description will be omitted.
【００７２】図９は図８に示した磁気ヘッド集合体の絶
縁特性測定方法を示す図である。図９に示すように、第
２の測定用端子５２と第４の測定用端子５４との間に電
圧を印加し、第２の測定用端子５２と第３の測定用端子
５３との間に現れる電位差より、絶縁特性を測定する。FIG. 9 is a diagram showing a method for measuring the insulation characteristics of the magnetic head assembly shown in FIG. As shown in FIG. 9, a voltage is applied between the second measurement terminal 52 and the fourth measurement terminal 54, and a voltage is applied between the second measurement terminal 52 and the third measurement terminal 53. The insulation characteristic is measured from the appearing potential difference.
【００７３】図１０は本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合
体の別の実施例を示す一部拡大図、図１１は図１０に示
された薄膜磁気ヘッド要素の一つの拡大断面図である。
図において、先に示した図面に現れた構成部分と同一の
構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明
は省略する。図示された実施例の特徴は、第１のシール
ド膜３の上に形成された第５及び第６の測定用端子５
５、５６を、保護膜２１の表面に露出させたこと、及
び、第１のシールド膜３と第２のシールド膜５とを、第
３の抵抗膜１９によって接続したことである。第３の抵
抗膜１９は、例えば、１０ｋΩの高抵抗である。FIG. 10 is a partially enlarged view showing another embodiment of the thin film magnetic head assembly according to the present invention, and FIG. 11 is one enlarged sectional view of the thin film magnetic head element shown in FIG.
In the figure, the same components as those shown in the above-mentioned drawings are designated by the same reference numerals, and the duplicate description will be omitted. The feature of the illustrated embodiment is that the fifth and sixth measurement terminals 5 are formed on the first shield film 3.
5, 56 are exposed on the surface of the protective film 21, and the first shield film 3 and the second shield film 5 are connected by the third resistance film 19. The third resistance film 19 has a high resistance of 10 kΩ, for example.
【００７４】図１２は図１０、１１に示した薄膜磁気ヘ
ッド集合体の絶縁特性測定方法を示す図である。図１２
において、参照符号Ｒｘ１は、第１のシールド膜３と、
第１及び第２の電極膜１１、１３との間に介在する第１
の絶縁膜７１の絶縁抵抗値、参照符号Ｒｘ２は、第２の
シールド膜５と第１及び第２の電極膜１１、１３との間
に介在する第２の絶縁膜７２の絶縁抵抗値（図１０、１
１参照）である。FIG. 12 is a diagram showing a method for measuring the insulation characteristics of the thin film magnetic head assembly shown in FIGS. 12
In the above, reference numeral Rx1 is the first shield film 3 and
First intervening between the first and second electrode films 11 and 13
The insulation resistance value of the insulation film 71, reference numeral Rx2, is the insulation resistance value of the second insulation film 72 interposed between the second shield film 5 and the first and second electrode films 11 and 13 (see FIG. 10, 1
1)).
【００７５】絶縁特性の測定に当っては、第１及び第５
の測定用端子５１、５５の間に直流電圧Ｅを印加し、第
２の測定用端子５２と第３の測定用端子５３との間に現
れる電位差Ｖ１、及び、第４の測定用端子５４と第６の
測定用端子５６との間に現れる電位差Ｖ３を、電圧計８
２及び８０１でそれぞれ測定する。In measuring the insulation characteristics, the first and the fifth
DC voltage E is applied between the measuring terminals 51 and 55 of the second measuring terminal 51, and a potential difference V1 appearing between the second measuring terminal 52 and the third measuring terminal 53, and a fourth measuring terminal 54 The potential difference V3 appearing with the sixth measuring terminal 56 is measured by the voltmeter 8
2 and 801 respectively.
【００７６】ここで、電圧計８２、８０１の内部抵抗及
び熱起電力の影響を無視すると、第１の絶縁膜７１の絶
縁抵抗Ｒｘ１、及び、第２の絶縁膜７２の絶縁抵抗Ｒｘ
２の値は、次の式によって求められる。Here, ignoring the effects of the internal resistances of the voltmeters 82 and 801, and the thermoelectromotive force, the insulation resistance Rx1 of the first insulating film 71 and the insulation resistance Rx of the second insulating film 72.
The value of 2 is obtained by the following formula.
【００７７】
Rx1=(E-V1)・R1・R3/(R3・V1-R1・V3) （１６）
Rx2=(E-V1-V3)・R3/V3 （１７）
上記の（１６）式及び（１７）式により、第１の絶縁膜
７１の絶縁抵抗Ｒｘ１、及び、第２の絶縁膜７２の絶縁
抵抗Ｒｘ２の値を算出することができる。Rx1 = (E-V1) .R1.R3 / (R3.V1-R1.V3) (16) Rx2 = (E-V1-V3) .R3 / V3 (17) The above formula (16) and The value of the insulation resistance Rx1 of the first insulating film 71 and the value of the insulation resistance Rx2 of the second insulating film 72 can be calculated by the equation (17).
【００７８】次に、電圧計８２、８０１の内部抵抗及び
熱起電力の影響を考慮した場合の算出式について説明す
る。直流電源８１から、第１の測定用端子５１及び第５
の測定用端子５５に印加される印加電圧をＥとし、回路
中に、ｎ個の熱起電力源が含まれており、それぞれが熱
起電力（電圧）をｅ１、ｅ２，．．ｅｎを有するものと
し、電圧計８２、８０１の内部抵抗を、それぞれ、Ｒｖ
１、Ｒｖ３とする。Next, the calculation formula in the case of considering the influence of the internal resistance of the voltmeters 82 and 801 and the thermoelectromotive force will be described. From the DC power supply 81, the first measurement terminal 51 and the fifth
The voltage applied to the measurement terminal 55 of E is E, and n thermoelectromotive force sources are included in the circuit. The thermoelectromotive forces (voltages) are e1, e2 ,. ． en, and the internal resistances of the voltmeters 82 and 801 are respectively Rv.
1, Rv3.
【００７９】測定手法としては、まず、電圧計８２、８
０１の内部抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３を考慮に入れた算出式を
導き出す。そのためには、電圧計８２、８０１によって
現実に得られた電圧値をＶ１、Ｖ３とし、電圧計８２、
８０１を、内部抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３を持つ電圧計と、内
部抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３が無限大の理想的な電圧計とに分
離して、それぞれの場合の等価回路を考える。As a measuring method, first, the voltmeters 82 and 8
A calculation formula in which the internal resistances Rv1 and Rv3 of 01 are taken into consideration is derived. For that purpose, the voltage values actually obtained by the voltmeters 82 and 801 are set to V1 and V3, and the voltmeter 82 and
The 801 is separated into a voltmeter having internal resistances Rv1 and Rv3 and an ideal voltmeter having internal resistances Rv1 and Rv3 of infinity, and an equivalent circuit in each case is considered.
【００８０】測定回路中で、電圧計８２、８０１の内部
抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３を考慮に入れることは、内部抵抗Ｒ
ｖ１、Ｒｖ３を考慮に入れない上掲式（１６）、（１
７）において、Ｒ１を
1/(1/R1+1/Rv1)
で置き換え、Ｒ３を
1/(1/R3+1/Rv3)
で置き換えてから、内部抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３が無限大の
理想的な電圧計を接続し、測定することと等価である。Taking into account the internal resistances Rv1 and Rv3 of the voltmeters 82 and 801 in the measuring circuit is the internal resistance R
The above equations (16) and (1) that do not take v1 and Rv3 into consideration
In 7), after replacing R1 with 1 / (1 / R1 + 1 / Rv1) and R3 with 1 / (1 / R3 + 1 / Rv3), ideal internal resistances Rv1 and Rv3 are infinite. It is equivalent to connecting and measuring a voltmeter.
【００８１】従って、内部抵抗Ｒｖ１、Ｒｖ３を考慮し
た場合、式（１６）、（１７）は、
Rx1=(E-V1)・R1・R3/(R3・V1-R1・V3) （１８）
Rx2=(E-V1-V3)・R3/V3 （１９）
となる。Therefore, when considering the internal resistances Rv1 and Rv3, the equations (16) and (17) are expressed as Rx1 = (E-V1) .R1.R3 / (R3.V1-R1.V3) (18) Rx2 = (E-V1-V3) R3 / V3 (19)
【００８２】次に、熱起電力を考慮に入れた場合につい
て考察する。まず、各熱起電力を電圧源とみなし、各電
圧源毎に、その電圧源のみが存在し、他の電圧源が短絡
されていると考えたときに、端子５２ー５３、５１ー５
５間に現れる電圧値を算出し、その後、重ね合わせの理
に従って重ね合わせることにより、電圧値Ｖ１、Ｖ３を
算出することができる。具体的には、Ａ、ｂ１、ｂ
２、．．．ｂｎ、Ｃ、ｄ１、ｄ２、．．．ｄｎを、電源
直流電圧Ｅ、熱起電力ｅ１、ｅ２、．．．ｅｎを含まな
い抵抗値Ｒ１、Ｒ２、Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｖ１、Ｒｖ３
の有理式として、
V1=A・E+b1・e1+b2・e2+．．．+bn・en （２０）
V2=C・E+d1・e1+d2・e2+．．．+dn・en （２１）
と表現できる。Next, the case where the thermoelectromotive force is taken into consideration will be considered. First, each thermoelectromotive force is regarded as a voltage source, and when it is considered that only that voltage source exists for each voltage source and the other voltage sources are short-circuited, terminals 52-53, 51-5
The voltage values V1 and V3 can be calculated by calculating the voltage value appearing between 5 and then superimposing it according to the principle of superposition. Specifically, A, b1, b
2 ,. ． ． bn, C, d1, d2 ,. ． ． dn is the power supply DC voltage E, the thermoelectromotive forces e1, e2 ,. ． ． Resistance values not including en R1, R2, Rx1, Rx2, Rv1, Rv3
As a rational expression of V1 = A ・ E + b1 ・ e1 + b2 ・ e2 +. ． ． + bn ・ en (20) V2 = C ・ E + d1 ・ e1 + d2 ・ e2 +. ． ． It can be expressed as + dn ・ en (21).
【００８３】次に、２回目の測定を、印加電圧を電圧値
Ｅから、電圧値Ｅ´に変えて同様の測定を行ったとする
と、
V1'=A・E'+b1・e1+b2・e2+...+bn・en （２２）
V2'=C・E'+d1・e1+d2・e2+．．．+dn・en （２３）
式（２０）−式（２２）、式（２１）−式（２３）より、
V1-V1'=A・(E-E') （２４）
V3-V3'=C・(E-E') （２５）
となり、熱起電力による電圧を消去した式（２４）、
（２５）が導かれる。式（２４）、（２５）は、絶縁抵
抗Ｒｘ１、Ｒｘ２を含んだ独立な式である。これらの式
（２４）、（２５）によれば、直流電源８１の印加電圧
を、直流電圧Ｅ、Ｅ´のように変化させ、そのときの電
圧値Ｖ１、Ｖ１´及びＶ３、Ｖ３´を測定することによ
り、熱起電力の影響を除去して、絶縁抵抗Ｒｘ１、Ｒｘ
２を測定することができる。このときの絶縁抵抗Ｒｘ
１、Ｒｘ２は、
Rx1=(E-E'-V1+V1')/{(1/R1+1/Rv1)・(V1-V1')-(1/R3+1/Rv3)・(V3-V3')}
（２６）
Rx2=(E-E'-V1+V1'-V3+V3')/{(1/R3+1/Rv3)・(V3-V3')} （２７）
となる。式（２６）、（２７）は、式（１８）、（１
９）のＥを（Ｅ−Ｅ´）で置き換え、Ｖ１を（Ｖ１−Ｖ
１´）で置き換え、Ｖ３を（Ｖ３−Ｖ３´）で置き換え
た式にほかならない。Next, in the second measurement, if the applied voltage is changed from the voltage value E to the voltage value E ', and the same measurement is performed, V1' = A * E '+ b1 * e1 + b2 * e2 + ... + bn ・ en (22) V2 '= C ・ E' + d1 ・ e1 + d2 ・ e2 +. ． ． + dn ・ en (23) From formula (20) -formula (22) and formula (21) -formula (23), V1-V1 '= A ・ (E-E') (24) V3-V3 '= C -(E-E ') (25), which is the formula (24) that eliminates the voltage due to thermoelectromotive force,
(25) is introduced. Expressions (24) and (25) are independent expressions including the insulation resistances Rx1 and Rx2. According to these equations (24) and (25), the applied voltage of the DC power source 81 is changed to DC voltages E and E ′, and the voltage values V1, V1 ′ and V3, V3 ′ at that time are measured. By removing the influence of the thermoelectromotive force, the insulation resistance Rx1, Rx
2 can be measured. Insulation resistance Rx at this time
1, Rx2 is Rx1 = (E-E'-V1 + V1 ') / ((1 / R1 + 1 / Rv1) ・ (V1-V1')-(1 / R3 + 1 / Rv3) ・ (V3- V3 ')} (26) Rx2 = (E-E'-V1 + V1'-V3 + V3') / {(1 / R3 + 1 / Rv3). (V3-V3 ')} (27). Expressions (26) and (27) are expressions (18) and (1
Replace E in (9) with (EE ') and replace V1 with (V1-V
1 ') and V3 is replaced by (V3-V3').
【００８４】ところで、熱起電力の発生原因となる熱的
な不均一性に対して、電圧を印加することにより発生す
る電流自身による発熱が大きく寄与する場合がある。こ
の場合は、電流の大きさが２回の測定で異なれば、電流
による発熱が変化する結果として、熱起電力の値が変化
してしまうため、前述した熱起電力の消去法は成り立た
なくなる。By the way, the heat generated by the current itself generated by applying the voltage may largely contribute to the thermal nonuniformity that causes the generation of the thermoelectromotive force. In this case, if the magnitude of the current is different between the two measurements, the value of the thermoelectromotive force changes as a result of the change in heat generation due to the current, so that the above-described method of eliminating thermoelectromotive force does not hold.
【００８５】この問題に対しては、２回の測定におい
て、印加する電圧を、符号が異なり絶対値が等しい値と
することにより、電流による発熱をほぼ一定とすること
ができる。こうすることにより、この場合でも熱起電力
の消去法を有効に用いることができるようになる。To solve this problem, the heat generated by the current can be made almost constant by setting the applied voltages to have different signs and the same absolute value in the two measurements. By doing so, the thermoelectromotive force erasing method can be effectively used even in this case.
【００８６】また、第２の抵抗膜６２の抵抗値Ｒ２が小
さすぎると、そこで発生する熱が大きくなる結果、熱起
電力が大きくなり、測定精度が低下し易い。この問題を
回避する手段として、第２の抵抗膜６２の抵抗値Ｒ２
は、１００Ω以上の範囲に設定することが望ましい。If the resistance value R2 of the second resistance film 62 is too small, the heat generated there becomes large, and as a result, the thermoelectromotive force becomes large and the measurement accuracy is likely to deteriorate. As a means for avoiding this problem, the resistance value R2 of the second resistance film 62 is
Is preferably set in the range of 100Ω or more.
【００８７】一方、抵抗値Ｒ２が大きすぎると、ウエハ
プロセスでの電気的保護が不充分になると共に、抵抗体
がウエハ上で示す面積が大きくなってしまう。従って、
抵抗値Ｒ２は１００ｋΩ以下であることが好ましい。第
１の抵抗膜６１の抵抗値Ｒ１も同様である。On the other hand, if the resistance value R2 is too large, the electrical protection in the wafer process becomes insufficient and the area of the resistor on the wafer becomes large. Therefore,
The resistance value R2 is preferably 100 kΩ or less. The same applies to the resistance value R1 of the first resistance film 61.
【００８８】図１３は本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合
体の別の実施例を示す図である。図において、先に示さ
れた図面に現れた構成部分と同一の構成部分について
は、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。この
実施例の特徴は、ガード導体膜５０を含むことである。
ガード導体膜５０は、第２または第３の測定用端子５
２、５３の少なくとも一方を包囲する。実施例では、ガ
ード導体膜５０は、前記第２の測定用端子５２に導通
し、第３の測定用端子５３を包囲する。この構成によれ
ば、第３の測定用端子５３から、それと異なる電位にあ
る導体、例えば、第２の測定用端子５２または第４の測
定用端子５４へ、基板表面を通って漏洩する漏れ電流を
抑制できる。従って、測定精度が向上する。FIG. 13 is a view showing another embodiment of the thin film magnetic head assembly according to the present invention. In the figure, the same components as those shown in the above-mentioned drawings are designated by the same reference numerals, and the duplicate description will be omitted. The feature of this embodiment is that the guard conductor film 50 is included.
The guard conductor film 50 includes the second or third measurement terminal 5
It surrounds at least one of 2, 53. In the embodiment, the guard conductor film 50 is electrically connected to the second measuring terminal 52 and surrounds the third measuring terminal 53. According to this configuration, the leakage current leaking from the third measurement terminal 53 to the conductor at a potential different from that of the third measurement terminal 53, for example, the second measurement terminal 52 or the fourth measurement terminal 54 through the substrate surface. Can be suppressed. Therefore, the measurement accuracy is improved.
【００８９】測定に当っては、ガード導体膜５０に、ケ
ーブル線８８のシールド線に接続されたプローブ８７を
当てると共に、第１の測定用端子５１と第４の測定用端
子５４との間に直流電圧Ｅを印加し、第２の測定用端子
５２と第３の測定用端子５３との間に現れる電位差よ
り、絶縁特性を測定する。In the measurement, the probe conductor 87 connected to the shield wire of the cable wire 88 is applied to the guard conductor film 50, and between the first measurement terminal 51 and the fourth measurement terminal 54. A DC voltage E is applied, and the insulation characteristic is measured from the potential difference appearing between the second measuring terminal 52 and the third measuring terminal 53.
【００９０】図１４は本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合
体の別の実施例を示す図である。図において、先に示さ
れた図面に現れた構成部分と同一の構成部分について
は、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。この
実施例では、ガード導体膜５０は、第３の測定用端子５
３に導通し、前記第２の測定用端子５２を包囲する。こ
の構成によれば、第２の測定用端子５２から、それと異
なる電位にある導体、例えば、第３の測定用端子５３ま
たは第４の測定用端子５４へ、基板表面を通って漏洩す
る漏れ電流を抑制できる。従って、測定精度が向上す
る。FIG. 14 is a diagram showing another embodiment of the thin film magnetic head assembly according to the present invention. In the figure, the same components as those shown in the above-mentioned drawings are designated by the same reference numerals, and the duplicate description will be omitted. In this embodiment, the guard conductor film 50 is the third measurement terminal 5
3, and surrounds the second measuring terminal 52. According to this configuration, the leakage current leaking from the second measurement terminal 52 to the conductor at a potential different from that of the second measurement terminal 52, for example, the third measurement terminal 53 or the fourth measurement terminal 54 through the substrate surface. Can be suppressed. Therefore, the measurement accuracy is improved.
【００９１】測定に当っては、ガード導体膜５０に、ケ
ーブル線８８のシールド線に接続されたプローブ８７を
当てると共に、第１の測定用端子５１と第４の測定用端
子５４との間に直流電圧Ｅを印加し、第２の測定用端子
５２と第３の測定用端子５３との間に現れる電位差よ
り、絶縁特性を測定する。In the measurement, the probe conductor 87 connected to the shield wire of the cable wire 88 is applied to the guard conductor film 50, and between the first measurement terminal 51 and the fourth measurement terminal 54. A DC voltage E is applied, and the insulation characteristic is measured from the potential difference appearing between the second measuring terminal 52 and the third measuring terminal 53.
【００９２】図１５は本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合
体の別の実施例を示す図である。図において、先に示さ
れた図面に現れた構成部分と同一の構成部分について
は、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。この
実施例では、ガード導体膜５０は、第２及び第３の測定
用端子５２、５３の両者を包囲する。この構成によれ
ば、第２及び第３の測定用端子５２、５３から、それと
異なる電位にある導体、例えば、第４の測定用端子５４
へ、基板表面を通って漏洩する漏れ電流を抑制できる。
従って、測定精度が向上する。FIG. 15 is a view showing another embodiment of the thin film magnetic head assembly according to the present invention. In the figure, the same components as those shown in the above-mentioned drawings are designated by the same reference numerals, and the duplicate description will be omitted. In this embodiment, the guard conductor film 50 surrounds both the second and third measuring terminals 52 and 53. According to this configuration, from the second and third measurement terminals 52 and 53, a conductor having a potential different from that of the second and third measurement terminals 52, 53, for example, the fourth measurement terminal 54.
Therefore, leakage current that leaks through the surface of the substrate can be suppressed.
Therefore, the measurement accuracy is improved.
【００９３】測定に当っては、ガード導体膜５０に、ケ
ーブル線８８０のシールド線に接続されたプローブ８７
を当てると共に、第１の測定用端子５１と第４の測定用
端子５４との間に直流電圧Ｅを印加し、第２の測定用端
子５２と第３の測定用端子５３との間に現れる電位差よ
り、絶縁特性を測定する。In the measurement, the probe 87 connected to the shield conductor of the cable conductor 880 is connected to the guard conductor film 50.
DC voltage E is applied between the first measurement terminal 51 and the fourth measurement terminal 54, and appears between the second measurement terminal 52 and the third measurement terminal 53. Insulation characteristics are measured from the potential difference.
【００９４】図１３〜図１５は、図２〜図６に示した実
施例において、ガード導体膜５０を付設した例である
が、図７〜図１２に示した実施例においても、適用が可
能である。13 to 15 show an example in which the guard conductor film 50 is added to the embodiment shown in FIGS. 2 to 6, but it can also be applied to the embodiment shown in FIGS. 7 to 12. Is.
【００９５】図１６は本発明に係る絶縁特性測定方法の
実施に適した絶縁特性測定装置の構成を示すブロック図
である。図示された絶縁特性測定装置１００は、図１３
〜図１５に示した薄膜磁気ヘッド集合体の絶縁特性測定
に適した例であって、多チャンネル（実施例は３チャン
ネル）化された例であり、直流電源８１と、電圧計８２
とを含む。直流電源８１及び電圧計８２は絶縁測定装置
１００の筐体の内部に収納されている。更に、実施例で
は、切替部Ｓ１、Ｓ２を有する。FIG. 16 is a block diagram showing the structure of an insulation characteristic measuring apparatus suitable for carrying out the insulation characteristic measuring method according to the present invention. The insulation characteristic measuring device 100 shown in FIG.
15 is an example suitable for measuring the insulation characteristics of the thin film magnetic head assembly shown in FIG. 15, and is an example in which multiple channels (three channels in the embodiment) are provided, and a DC power supply 81 and a voltmeter 82 are provided.
Including and The DC power supply 81 and the voltmeter 82 are housed inside the housing of the insulation measuring apparatus 100. Further, in the embodiment, the switching units S1 and S2 are provided.
【００９６】直流電源８１は、ケーブル８９０、デュプ
レクサ等で構成される切替部Ｓ１及びケーブル８９１〜
８９３を介して、第１の測定用端子５１及び第４の測定
用端子５４（図１３〜図１５参照）に直流電圧Ｅを供給
する。ケーブル８９０は、直流電源８１から供給される
直流電圧Ｅを、切替部Ｓ１に供給する。切替部Ｓ１は、
スイッチＳ１１〜Ｓ１３を含み、スイッチＳ１１〜Ｓ１
３の切替動作により、ケーブル８９０を介して供給され
る直流電圧Ｅをケーブル８９１〜８９３に選択的に供給
する。切替部Ｓ１を、有接点スイッチによって構成する
場合、接点Ｓ１１〜Ｓ３１は熱起電力の小さな材質によ
って構成する。The DC power source 81 includes a cable 890, a switching unit S1 including a duplexer and cables 891 to 891.
The DC voltage E is supplied to the first measurement terminal 51 and the fourth measurement terminal 54 (see FIGS. 13 to 15) via 893. The cable 890 supplies the DC voltage E supplied from the DC power supply 81 to the switching unit S1. The switching unit S1
Including switches S11 to S13, switches S11 to S1
By the switching operation of No. 3, the DC voltage E supplied via the cable 890 is selectively supplied to the cables 891-893. When the switching unit S1 is composed of a contact switch, the contacts S11 to S31 are composed of a material having a small thermoelectromotive force.
【００９７】図示実施例において、ケーブル８９１〜８
９３は３つの測定チャンネル（Ｃ１１〜ＣＨ１３）を構
成しているが、測定チャンネル数は任意でよい。測定チ
ャンネル（Ｃ１１〜ＣＨ１３）のそれぞれは、プローブ
８３、８４を有しており、これらは、図１３〜図１５に
おいて、第１の測定用端子５１、及び、第４の測定用端
子５４に直流電圧Ｅを印加するために用いられる。In the illustrated embodiment, the cables 891-8
Although 93 constitutes three measurement channels (C11 to CH13), the number of measurement channels may be arbitrary. Each of the measurement channels (C11 to CH13) has probes 83 and 84, which are connected to the first measurement terminal 51 and the fourth measurement terminal 54 in FIG. Used to apply voltage E.
【００９８】ケーブル８９０〜８９３は、浮遊容量等に
起因するノイズの影響を除くため、シールドを備えるケ
ーブル、またはガード線付ケーブルが適している。実施
例では、ケーブル８９０〜８９３として、シールドを備
えるケーブルを用いており、シールドはケーブル８９０
〜８９３の相互間で互いに接続され、更に、直流電源８
１の正極に接続されている。As the cables 890 to 893, a cable having a shield or a cable with a guard wire is suitable in order to eliminate the influence of noise caused by stray capacitance or the like. In the embodiment, a cable having a shield is used as the cables 890-893, and the shield is the cable 890.
893 are connected to each other, and a direct current power source 8
1 is connected to the positive electrode.
【００９９】電圧計８２は、高入力インピーダンスのオ
ペアンプ８２１、マイクロコンピュータ等の演算処理装
置８２２を含み、絶縁測定信号Ｚを生成する。オペアン
プ８２１は、正電源８２３及び負電源８２４を受けて動
作する。The voltmeter 82 includes an operational amplifier 821 having a high input impedance and an arithmetic processing unit 822 such as a microcomputer, and produces an insulation measurement signal Z. The operational amplifier 821 operates by receiving the positive power supply 823 and the negative power supply 824.
【０１００】オペアンプ８２１には、ケーブル８８０、
デュプレクサ等の切替部Ｓ２、及びケーブル８８１〜８
８３を介して、電圧検出信号が供給される。The operational amplifier 821 includes a cable 880,
Switching unit S2 such as a duplexer and cables 881 to 8
A voltage detection signal is supplied via 83.
【０１０１】ケーブル８８１〜８８３は３つのチャンネ
ル（ＣＨ２１〜ＣＨ２３）を構成している。但し、測定
チャンネル数は任意でよい。ケーブル８８１〜８８３
は、シールドを備える平衡伝送ケーブル、またはガード
線付ツイストペア線、または、３芯ＢＮＣ線が適してい
る。The cables 881 to 883 constitute three channels (CH21 to CH23). However, the number of measurement channels may be arbitrary. Cable 881-883
Is a balanced transmission cable with a shield, a twisted pair wire with a guard wire, or a 3-core BNC wire.
【０１０２】図示実施例のケーブルケーブル８８１〜８
８３は、シールドを備えるケーブルである。シールドは
ケーブル８８０〜８８３の相互間で互いに接続されると
共に、更に、直流電源８１の陽極、直流電源８２４の陽
極、及び、直流電源８２３の負極に接続されている。シ
ールドラインと、絶縁測定装置１００の筐体１０１との
間にはキャパシタ８２５が接続され、筐体１０１は接地
されている。Cables in the illustrated embodiment Cables 881-8
83 is a cable provided with a shield. The shield is connected to each other between the cables 880 to 883, and further connected to the anode of the DC power supply 81, the anode of the DC power supply 824, and the negative electrode of the DC power supply 823. A capacitor 825 is connected between the shield line and the housing 101 of the insulation measuring apparatus 100, and the housing 101 is grounded.
【０１０３】チャンネル（Ｃ２１〜ＣＨ２３）のそれぞ
れは、プローブ８５〜８７を有している。プローブ８
５、８６は第２の測定用端子５２、及び、第３の測定用
端子５３（図１３〜図１５参照）に接触して用いられ、
プローブ８７はガード導体膜５０に接触して用いられ
る。Each of the channels (C21 to CH23) has probes 85 to 87. Probe 8
5, 86 are used in contact with the second measurement terminal 52 and the third measurement terminal 53 (see FIGS. 13 to 15),
The probe 87 is used in contact with the guard conductor film 50.
【０１０４】切替部Ｓ２は、スイッチ（Ｓ２１、Ｓ２
２）〜（Ｓ４１、Ｓ４２）を含み、スイッチ（Ｓ２１、
Ｓ２２）〜（Ｓ４１、Ｓ４２）の切替動作により、ケー
ブル８８１〜８８３を介して供給される電圧信号をケー
ブル８８０に選択的に供給する。切替部Ｓ２を、有接点
スイッチによって構成する場合、接点（Ｓ２１、Ｓ２
２）〜（Ｓ４１、Ｓ４２）は熱起電力の小さな材質によ
って構成する。The switching section S2 includes switches (S21, S2).
2) to (S41, S42) are included, and the switch (S21,
By the switching operation of S22) to (S41, S42), the voltage signal supplied via the cables 881 to 883 is selectively supplied to the cable 880. When the switching unit S2 is configured by a contact switch, contacts (S21, S2
2) to (S41, S42) are made of a material having a small thermoelectromotive force.
【０１０５】図１６は、図１３〜図１５に示した薄膜磁
気ヘッド集合体の絶縁特性測定に適した絶縁測定装置の
例であるが、若干の変更を加えて、他の実施例にも適用
可能である。FIG. 16 shows an example of an insulation measuring apparatus suitable for measuring the insulation characteristics of the thin film magnetic head assembly shown in FIGS. 13 to 15. However, it is applied to other embodiments with some modifications. It is possible.
【０１０６】[0106]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。
（ａ）工程中に、シールド膜と電極膜との間の絶縁膜の
絶縁劣化または絶縁破壊を防止し得る薄膜磁気ヘッド集
合体、及び、その絶縁特性測定方法を提供することがで
きる。
（ｂ）シールド膜と電極膜との間の絶縁特性を、両者を
接続する導電膜を切断することなく測定し得る薄膜磁気
ヘッド集合体、及び、その絶縁特性測定方法を提供する
ことができる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. It is possible to provide a thin-film magnetic head assembly capable of preventing insulation deterioration or insulation breakdown of the insulating film between the shield film and the electrode film during the step (a), and a method for measuring the insulating characteristic thereof. (B) It is possible to provide a thin film magnetic head assembly capable of measuring the insulation characteristics between the shield film and the electrode film without cutting the conductive film connecting them, and a method for measuring the insulation characteristics thereof.
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の斜視図で
ある。FIG. 1 is a perspective view of a thin-film magnetic head assembly according to the present invention.
【図２】薄膜磁気ヘッド要素のいくつかを拡大して示す
図である。FIG. 2 is an enlarged view of some of the thin film magnetic head elements.
【図３】図２に示された薄膜磁気ヘッド要素の一つの拡
大断面図である。3 is an enlarged cross-sectional view of one of the thin film magnetic head elements shown in FIG.
【図４】本発明に係る絶縁特性測定方法を示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram showing an insulation characteristic measuring method according to the present invention.
【図５】図４に示した配置を等価的に変形した図であ
る。FIG. 5 is an equivalently modified view of the arrangement shown in FIG.
【図６】図５に示した配置の電気的等価回路図である。6 is an electrical equivalent circuit diagram of the arrangement shown in FIG.
【図７】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実施
例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing another embodiment of the thin-film magnetic head assembly according to the present invention.
【図８】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実施
例を示す一部拡大図である。FIG. 8 is a partially enlarged view showing another embodiment of the thin-film magnetic head assembly according to the present invention.
【図９】図８に示した磁気ヘッド集合体の絶縁特性測定
方法を示す図である。9 is a diagram showing a method of measuring insulation characteristics of the magnetic head assembly shown in FIG.
【図１０】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実
施例を示す一部拡大図である。FIG. 10 is a partially enlarged view showing another embodiment of the thin film magnetic head assembly according to the present invention.
【図１１】図１０に示された薄膜磁気ヘッド集合体似含
まれる薄膜磁気ヘッド要素の一つの拡大断面図である。11 is an enlarged cross-sectional view of one of the thin film magnetic head elements included in the thin film magnetic head assembly shown in FIG.
【図１２】図１０、１１に示した薄膜磁気ヘッド集合体
の絶縁特性測定方法を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a method for measuring the insulation characteristics of the thin film magnetic head assembly shown in FIGS.
【図１３】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の更に別
の実施例を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing yet another embodiment of a thin film magnetic head assembly according to the present invention.
【図１４】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の更に別
の実施例を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing yet another embodiment of a thin-film magnetic head assembly according to the present invention.
【図１５】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の更に別
の実施例を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing yet another embodiment of a thin-film magnetic head assembly according to the present invention.
【図１６】本発明に係る絶縁特性測定方法の実施に適し
た絶縁特性測定装置の構成を示すブロック図である。FIG. 16 is a block diagram showing the configuration of an insulation characteristic measuring apparatus suitable for carrying out the insulation characteristic measuring method according to the present invention.
１ ウエハ基体 ３ 第１のシールド膜 ５ 第２のシールド膜 ５１〜５４ 第１乃至第４の測定用端子 ７１ 第１の絶縁膜 ７２ 第２の絶縁膜 ６１、６２ 第１及び第２の抵抗膜 ９ 磁気抵抗効果素子 １１ 第１の電極膜 １３ 第２の電極膜 1 Wafer substrate 3 First shield film 5 Second shield film 51 to 54 First to Fourth Measuring Terminals 71 First insulating film 72 Second insulating film 61, 62 First and second resistance films 9 Magnetoresistive effect element 11 First electrode film 13 Second electrode film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｈ０１Ｌ 43/12 43/12 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｒ (72)発明者 長谷川 靖洋 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 桑島 哲哉 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/39 G01R 31/02 G01R 33/09 G11B 5/455 H01F 10/32 H01L 43/08 H01L 43/12 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H01L 43/08 H01L 43/12 43/12 G01R 33/06 R (72) Inventor Yasuhiro Hasegawa 1-13-chome, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo No. 1 TDK Corporation (72) Inventor Tetsuya Kuwashima 1-13-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Within TDK Corporation (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G11B 5/39 G01R 31/02 G01R 33/09 G11B 5/455 H01F 10/32 H01L 43/08 H01L 43/12
Claims (22)
する薄膜磁気ヘッド集合体であって、 前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、第１のシールド
膜と、第１の絶縁膜と、磁気抵抗効果素子と、第１の電
極膜と、第２の電極膜と、第２の絶縁膜と、第２のシー
ルド膜と、第１及び第２の抵抗膜と、第１乃至第４の測
定用端子とを含んでおり、 前記第１の絶縁膜は、前記第１のシールド膜の上に備え
られており、 前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の絶縁膜によって支
持されており、 前記第１及び第２の電極膜は、前記第１の絶縁膜によっ
て支持され、前記磁気抵抗効果素子に接続されており、 前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極膜、前記第２の電
極膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆っており、 前記第２のシールド膜は、前記第２の絶縁膜の上に備え
られており、 前記第１の測定用端子は、前記第１の抵抗膜を介して、
前記第１または第２の電極膜に電気的に導通され、前記
第２の抵抗膜を介して前記第１のシールド膜に電気的に
接続され、端面が外部に露出しており、 前記第２の測定用端子は、前記第１の測定用端子の側に
おいて、前記第１及び第２の抵抗膜に電気的に導通し、
端面が外部に露出しており、 前記第３の測定用端子は、前記第１のシールド膜の側に
おいて、前記第１の抵抗膜に接続され、端面が外部に露
出されており、 前記第４の測定用端子は、前記第１のシールド膜に電気
的に導通し、端面が外部に露出している薄膜磁気ヘッド
集合体。1. A thin film magnetic head assembly having a plurality of thin film magnetic head elements on a substrate, each of the thin film magnetic head elements including a first shield film, a first insulating film, and a magnetic resistance. Effect element, first electrode film, second electrode film, second insulating film, second shield film, first and second resistance films, and first to fourth measurement devices A terminal, the first insulating film is provided on the first shield film, the magnetoresistive effect element is supported by the first insulating film, and The first and second electrode films are supported by the first insulating film and are connected to the magnetoresistive effect element, and the second insulating film is the first electrode film and the second electrode. A film and the magnetoresistive effect element, and the second shield film covers the second insulating film. Is provided on the film, the first measuring terminal, through the first resistance film,
Is electrically connected to the first or second electrode film, is electrically connected to the first shield film via the second resistance film, and has an end face exposed to the outside; The measurement terminal of is electrically connected to the first and second resistance films on the side of the first measurement terminal,
The end face is exposed to the outside, the third measuring terminal is connected to the first resistance film on the side of the first shield film, and the end face is exposed to the outside, The measuring terminal is electrically connected to the first shield film, and the end face is exposed to the outside.
する薄膜磁気ヘッド集合体であって、 前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、第１のシールド
膜と、第１の絶縁膜と、磁気抵抗効果素子と、第１の電
極膜と、第２の電極膜と、第２の絶縁膜と、第２のシー
ルド膜と、第１及び第２の抵抗膜と、第１乃至第４の測
定用端子とを含んでおり、 前記第１の絶縁膜は、前記第１のシールド膜の上に備え
られており、 前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の絶縁膜によって支
持されており、 前記第１及び第２の電極膜は、前記第１の絶縁膜によっ
て支持され、前記磁気抵抗効果素子に接続されており、 前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極膜、前記第２の電
極膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆っており、 前記第２のシールド膜は、前記第２の絶縁膜の上に備え
られており、 前記第１の測定用端子は、前記第１の抵抗膜を介して、
前記第１または第２の電極膜に電気的に導通され、前記
第２の抵抗膜を介して、前記第２のシールド膜に電気的
に接続され、端面が外部に露出しており、 前記第２の測定用端子は、前記第１の測定用端子の側に
おいて、前記第１及び前記第２の抵抗膜に電気的に導通
し、端面が外部に露出しており、 前記第３の測定用端子は、前記第２のシールド膜の側に
おいて、前記第１の抵抗膜に接続され、端面が外部に露
出されており、 前記第４の測定用端子は、前記第２のシールド膜に電気
的に導通し、端面が外部に露出している薄膜磁気ヘッド
集合体。2. A thin film magnetic head assembly having a plurality of thin film magnetic head elements on a substrate, each of the thin film magnetic head elements including a first shield film, a first insulating film, and a magnetic resistance. Effect element, first electrode film, second electrode film, second insulating film, second shield film, first and second resistance films, and first to fourth measurement devices A terminal, the first insulating film is provided on the first shield film, the magnetoresistive effect element is supported by the first insulating film, and The first and second electrode films are supported by the first insulating film and are connected to the magnetoresistive effect element, and the second insulating film is the first electrode film and the second electrode. A film and the magnetoresistive effect element, and the second shield film covers the second insulating film. Is provided on the film, the first measuring terminal, through the first resistance film,
Is electrically connected to the first or second electrode film, electrically connected to the second shield film via the second resistance film, and an end face is exposed to the outside; The second measurement terminal is electrically connected to the first and second resistance films on the side of the first measurement terminal and has an end face exposed to the outside, and the third measurement terminal The terminal is connected to the first resistance film on the side of the second shield film, the end face is exposed to the outside, and the fourth measurement terminal is electrically connected to the second shield film. A thin-film magnetic head assembly that is electrically connected to the substrate and has an end face exposed to the outside.
薄膜磁気ヘッド集合体であって、前記第１の抵抗膜及び
前記第２の抵抗膜の抵抗値は、１００Ω〜１００ｋΩの
範囲にある薄膜磁気ヘッド集合体。3. The thin film magnetic head assembly according to claim 1, wherein the resistance values of the first resistance film and the second resistance film are in the range of 100Ω to 100 kΩ. A thin film magnetic head assembly.
膜磁気ヘッド集合体であって、 前記基体は、ウエハであり、 前記薄膜磁気ヘッド要素は、前記基体上に行列状に配列
されている薄膜磁気ヘッド集合体。4. The thin film magnetic head assembly according to claim 1, wherein the base is a wafer, and the thin film magnetic head elements are arranged in a matrix on the base. Thin film magnetic head assembly.
膜磁気ヘッド集合体であって、 前記基体は、バー状であり、 前記薄膜磁気ヘッド要素は、前記基体の長手方向に沿っ
て配列されている薄膜磁気ヘッド集合体。5. The thin-film magnetic head assembly according to claim 1, wherein the base has a bar shape, and the thin-film magnetic head element extends in a longitudinal direction of the base. An array of thin film magnetic heads.
膜磁気ヘッド集合体であって、前記磁気抵抗効果素子
は、スピンバルブ膜構造を有する薄膜磁気ヘッド集合
体。6. The thin film magnetic head assembly according to claim 1, wherein the magnetoresistive effect element has a spin valve film structure.
膜磁気ヘッド集合体であって、前記磁気抵抗効果素子
は、強磁性トンネル接合素子である薄膜磁気ヘッド集合
体。7. The thin film magnetic head assembly according to claim 1, wherein the magnetoresistive effect element is a ferromagnetic tunnel junction element.
膜磁気ヘッド集合体であって、前記磁気抵抗効果素子
は、ペロブスカイト型磁性体を含む薄膜磁気ヘッド集合
体。8. The thin film magnetic head assembly according to claim 1, wherein the magnetoresistive effect element includes a perovskite type magnetic body.
膜磁気ヘッド集合体であって、更に、誘導型磁気変換素
子を含む薄膜磁気ヘッド集合体。9. The thin film magnetic head assembly according to claim 1, further comprising an inductive magnetic conversion element.
集合体であって、前記誘導型磁気変換素子は、前記第２
のシールド膜を磁気回路の一部として利用する薄膜磁気
ヘッド集合体。10. The thin-film magnetic head assembly according to claim 9, wherein the inductive magnetic conversion element is the second magnetic field conversion element.
Thin-film magnetic head assembly that uses the shield film of as a part of a magnetic circuit.
た薄膜磁気ヘッド集合体であって、前記第１の測定用端
子または前記第２の測定用端子の何れか一方は省略され
ている薄膜磁気ヘッド集合体。11. The thin film magnetic head assembly according to claim 1, wherein either one of the first measurement terminal and the second measurement terminal is omitted. Thin film magnetic head assembly.
た薄膜磁気ヘッド集合体であって、前記第１のシールド
膜及び第２のシールド膜に電気的に導通している薄膜磁
気ヘッド集合体。12. The thin film magnetic head assembly according to claim 1, wherein the thin film magnetic head assembly is electrically connected to the first shield film and the second shield film. body.
た薄膜磁気ヘッド集合体であって、更に、第３の抵抗膜
と、第５の測定用端子と、第６の測定用端子とを含み、 前記第３の抵抗膜は、前記第１のシールド膜と前記第２
のシールド膜との間に配置されており、 前記第５及び第６の測定用端子は、前記第１のシールド
膜に電気的に導通し、端面が外部に露出している薄膜磁
気ヘッド集合体。13. The thin-film magnetic head assembly according to claim 1, further comprising a third resistance film, a fifth measuring terminal, and a sixth measuring terminal. And the third resistance film includes the first shield film and the second shield film.
A thin film magnetic head assembly, the fifth and sixth measuring terminals being electrically connected to the first shield film and having end faces exposed to the outside. .
た薄膜磁気ヘッド集合体であって、更にガード導体膜を
含み、前記ガード導体膜は、前記第２または第３の測定
用端子の少なくとも一方を包囲する薄膜磁気ヘッド集合
体。14. The thin-film magnetic head assembly according to claim 1, further comprising a guard conductor film, wherein the guard conductor film is the second or third measurement terminal. A thin film magnetic head assembly surrounding at least one side.
ド集合体であって、前記ガード導体膜は、前記第２の測
定用端子に導通し、前記第３の測定用端子を包囲する薄
膜磁気ヘッド集合体。15. The thin-film magnetic head assembly according to claim 14, wherein the guard conductor film is electrically connected to the second measurement terminal and surrounds the third measurement terminal. Head aggregate.
ド集合体であって、前記ガード導体膜は、前記第３の測
定用端子に導通し、前記第２の測定用端子を包囲する薄
膜磁気ヘッド集合体。16. The thin film magnetic head assembly according to claim 15, wherein the guard conductor film is electrically connected to the third measurement terminal and surrounds the second measurement terminal. Head aggregate.
ド集合体であって、前記ガード導体膜は、前記第２及び
第３の測定用端子の両者を包囲する前記薄膜磁気ヘッド
集合体。17. The thin film magnetic head assembly according to claim 16, wherein the guard conductor film surrounds both the second and third measurement terminals.
た薄膜磁気ヘッド集合体に含まれる前記薄膜磁気ヘッド
要素の絶縁特性を測定する方法であって、 前記第１の測定用端子と前記第４の測定用端子との間に
電圧を印加し、 前記第２の測定用端子と前記第３の測定用端子との間に
現れる電位差より、絶縁特性を測定する方法。18. A method for measuring the insulation characteristics of the thin film magnetic head element included in the thin film magnetic head assembly according to claim 1, wherein the first measuring terminal and the A method of applying a voltage between a fourth measuring terminal and measuring an insulation characteristic from a potential difference appearing between the second measuring terminal and the third measuring terminal.
ド集合体に含まれる前記薄膜磁気ヘッド要素の絶縁特性
を測定する方法であって、 前記第１の測定用端子と前記第５の測定用端子との間に
電圧を印加し、 前記第２の測定用端子と前記第３の測定用端子との間に
現れる電位差、及び、前記第６の測定用端子と、前記第
４の測定用端子との間に現れる電位差より、絶縁特性を
測定する方法。19. A method for measuring the insulation characteristic of the thin film magnetic head element included in the thin film magnetic head assembly according to claim 13, wherein the first measuring terminal and the fifth measuring terminal are used. A voltage is applied between the second measuring terminal and the third measuring terminal, and a potential difference between the second measuring terminal and the third measuring terminal, and the sixth measuring terminal and the fourth measuring terminal. A method of measuring the insulation characteristics from the potential difference appearing between the and.
れた薄膜磁気ヘッド集合体に含まれる前記薄膜磁気ヘッ
ド要素の絶縁特性を測定する方法であって、 前記ガード導体膜を接地し、 前記第１の測定用端子と前記第４の測定用端子との間に
電圧を印加し、 前記第２の測定用端子と前記第３の測定用端子との間に
現れる電位差より、絶縁特性を測定する方法。20. A method for measuring an insulation characteristic of the thin film magnetic head element included in the thin film magnetic head assembly according to claim 14, wherein the guard conductor film is grounded, A voltage is applied between the first measuring terminal and the fourth measuring terminal, and the insulation characteristic is measured from the potential difference appearing between the second measuring terminal and the third measuring terminal. how to.
れた方法であって、 電圧を印加するステップは、印加する電圧の値を変化さ
せて複数回実行し、 それぞれのステップで得られた前記電位差の差分、及
び、印加電圧値の差分から絶縁特性を算出する方法。21. The method according to claim 18, wherein the step of applying a voltage is performed a plurality of times by changing the value of the voltage to be applied, and obtained in each step. A method of calculating an insulation characteristic from the difference in the potential difference and the difference in the applied voltage value.
れた方法であって、 印加電圧を連続的に変化させ、前記印加電圧に対する前
記電位差の応答から絶縁特性を算出する方法。22. The method according to claim 18, wherein the applied voltage is continuously changed, and the insulation characteristic is calculated from the response of the potential difference to the applied voltage.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001165916A JP3511601B2 (en) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | Thin-film magnetic head assembly, method for measuring insulation properties thereof, and apparatus for measuring insulation properties |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001165916A JP3511601B2 (en) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | Thin-film magnetic head assembly, method for measuring insulation properties thereof, and apparatus for measuring insulation properties |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003394425A Division JP3856234B2 (en) | 2003-11-25 | 2003-11-25 | Apparatus for measuring insulation characteristics of thin film magnetic head assembly |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002358609A JP2002358609A (en) | 2002-12-13 |
| JP3511601B2 true JP3511601B2 (en) | 2004-03-29 |
Family
ID=19008530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001165916A Expired - Fee Related JP3511601B2 (en) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | Thin-film magnetic head assembly, method for measuring insulation properties thereof, and apparatus for measuring insulation properties |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3511601B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100528696B1 (en) | 2003-05-06 | 2005-11-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Method and Apparatus for Testing Flat Panel Display |
| US7239488B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-07-03 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | MR sensor on an insulating substrate and method of manufacture |
-
2001
- 2001-05-31 JP JP2001165916A patent/JP3511601B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002358609A (en) | 2002-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7262613B2 (en) | Inspection method and inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of inspection object | |
| CN106448705A (en) | Method of manufacturing magnetic recording head | |
| JPH09223304A (en) | Magnetic head device | |
| JP3511601B2 (en) | Thin-film magnetic head assembly, method for measuring insulation properties thereof, and apparatus for measuring insulation properties | |
| US5218755A (en) | Method of manufacturing a magnetic head | |
| US5508614A (en) | Non-contact method for testing for MR shield short circuits | |
| JP3856234B2 (en) | Apparatus for measuring insulation characteristics of thin film magnetic head assembly | |
| JP4051418B2 (en) | Method and apparatus for detecting smear of magnetic head | |
| CN109997046B (en) | Resistance measuring device and resistance measuring method | |
| JP3473835B2 (en) | Thin-film magnetic head assembly and processing method thereof | |
| US7768268B2 (en) | Verification of a ground connection fabrication process for ESD resistors in magnetic heads | |
| JPH01239490A (en) | Magnetic image detecting device | |
| JPH08315321A (en) | Connector structure of lead wire end of mr head | |
| JP5140917B2 (en) | Charge amount evaluation element | |
| JPS61126618A (en) | Thin film head of magnetoresistance effect type | |
| CN116643087A (en) | Circuit connection method, measurement circuit and application thereof | |
| JP2003036511A (en) | Magnetic sensor element, its manufacturing method, and magnetic head | |
| JPH03290809A (en) | Substrate of thin-film magnetic head element and inspecting method thereof | |
| JPS5868219A (en) | Inspecting method for magneto-resistance effect type thin film magnetic head | |
| KR100256067B1 (en) | Resistance pattern for gap depth in thin magnetic head and method therein | |
| JP2001084537A (en) | Bar-shaped head assembly, thin film magnetic head, magnetic head device, and magnetic disk device | |
| JP2884780B2 (en) | TAB type semiconductor device | |
| JP2002183914A (en) | Composite thin film magnetic head and manufacturing method thereof | |
| JP2003016612A (en) | Method of manufacturing magnetoresistive head | |
| JPH0666592A (en) | Magnetic detection head |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031224 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031226 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140116 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |