JP3495659B2 - 弾性表面波デバイス用基板および弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイス用基板および弾性表面波デバイスInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波（Surf
ace Acoustic Wave：ＳＡＷ）デバイスに関するもので
ある。
ace Acoustic Wave：ＳＡＷ）デバイスに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷデバイスには、ＳＡＷ共振器、ト
ランスバーサル型ＳＡＷフィルタおよび共振器型ＳＡＷ
フィルタなどがあり、それぞれ用途に応じて使い分けら
れている。以下、ＳＡＷデバイスの１つとしてたとえば
ＳＡＷフィルタについて説明する。
ランスバーサル型ＳＡＷフィルタおよび共振器型ＳＡＷ
フィルタなどがあり、それぞれ用途に応じて使い分けら
れている。以下、ＳＡＷデバイスの１つとしてたとえば
ＳＡＷフィルタについて説明する。
【０００３】図９は、ＳＡＷフィルタの構成を概略的に
示す斜視図である。図９を参照して、ＳＡＷフィルタ１
５の基本構造は、圧電基板１２と、その圧電基板１２の
表面上に形成された表面波の励振用および受信用の１対
の櫛型電極１３とを有する４端子構造からなっている。
また、このような電極１３を交差指形電極（interdigit
al electrode）といい、この種の変換素子をＩＤＴ（in
terdigital transducer）という。
示す斜視図である。図９を参照して、ＳＡＷフィルタ１
５の基本構造は、圧電基板１２と、その圧電基板１２の
表面上に形成された表面波の励振用および受信用の１対
の櫛型電極１３とを有する４端子構造からなっている。
また、このような電極１３を交差指形電極（interdigit
al electrode）といい、この種の変換素子をＩＤＴ（in
terdigital transducer）という。
【０００４】一般に、励振用の櫛型電極１３にインパル
ス電圧を印加すると、図１０に示すように圧電効果によ
り隣り合う電極１３間に互いに逆位相の歪みが生じＳＡ
Ｗが励起される。このＳＡＷが圧電基板１２の表面を伝
搬し、この表面波による歪みで圧電基板１２上に表面電
荷が生じ、受信用の櫛型電極１３で電気信号として取出
される。
ス電圧を印加すると、図１０に示すように圧電効果によ
り隣り合う電極１３間に互いに逆位相の歪みが生じＳＡ
Ｗが励起される。このＳＡＷが圧電基板１２の表面を伝
搬し、この表面波による歪みで圧電基板１２上に表面電
荷が生じ、受信用の櫛型電極１３で電気信号として取出
される。
【０００５】従来、このようなＳＡＷフィルタ１５など
のＳＡＷデバイスは、図１１に示すように圧電基板１２
の表面にそれぞれのデバイスに応じた電極を配置した構
造となっている。ＳＡＷデバイス１５の特性は圧電基板
１２の特性に大きく依存し、圧電基板１２もまた用途に
応じて使い分けられている。表１に代表的な圧電基板１
２の材質と圧電基板１２上を伝搬するＳＡＷの特性とを
示す。
のＳＡＷデバイスは、図１１に示すように圧電基板１２
の表面にそれぞれのデバイスに応じた電極を配置した構
造となっている。ＳＡＷデバイス１５の特性は圧電基板
１２の特性に大きく依存し、圧電基板１２もまた用途に
応じて使い分けられている。表１に代表的な圧電基板１
２の材質と圧電基板１２上を伝搬するＳＡＷの特性とを
示す。
【０００６】
【表１】
【０００７】表１より、水晶基板では温度特性が小さく
良好であるが、電気−機械結合係数（Ｋ2）が小さい。
また、ＬｉＮｂＯ3（ＬＮ）基板には、従来、１２８°
Ｙ−ＸＬＮ基板（オイラー角表示で（０°，３８°，
０）ＬＮ）などが一般的に用いられている。しかし、従
来のＬＮ基板ではＫ2は大きいが、遅延時間温度係数（T
emperature Coefficient of Delaytime：ＴＣＤ）など
の温度特性が悪い。
良好であるが、電気−機械結合係数（Ｋ2）が小さい。
また、ＬｉＮｂＯ3（ＬＮ）基板には、従来、１２８°
Ｙ−ＸＬＮ基板（オイラー角表示で（０°，３８°，
０）ＬＮ）などが一般的に用いられている。しかし、従
来のＬＮ基板ではＫ2は大きいが、遅延時間温度係数（T
emperature Coefficient of Delaytime：ＴＣＤ）など
の温度特性が悪い。
【０００８】このように各基板はそれぞれ長所と短所を
持っており、デバイスの用途に応じて使い分けられてい
る。近年、ＴＶなどの映像機器および携帯電話などの通
信機器の発達に伴い、それらに用いられるＳＡＷデバイ
スにもまた、これまで以上に優れた特性が要求されてい
る。
持っており、デバイスの用途に応じて使い分けられてい
る。近年、ＴＶなどの映像機器および携帯電話などの通
信機器の発達に伴い、それらに用いられるＳＡＷデバイ
スにもまた、これまで以上に優れた特性が要求されてい
る。
【０００９】なお、表１におけるオイラー角について以
下に図１２を用いて説明する。図１２を参照して、まず
Ｚ軸を回転軸としてＸ軸をＹ軸方向にφだけ回転させた
軸を第１軸とする。次に第１軸を回転軸としてＺ軸を反
時計回りにθだけ回転させた軸を第２軸とする。この第
２軸を法線として第１軸を含む面方位でカットし、基板
とする。上記面方位にカットした基板において、第２軸
を回転軸として第１軸を反時計回りにψだけ回転させた
軸を第３軸とし、この第３軸をＳＡＷ伝搬方向として利
用する。なお、面上の第３軸と直交する軸を第４軸とす
る。このようにオイラー角（φ，θ，ψ）が規定され
る。
下に図１２を用いて説明する。図１２を参照して、まず
Ｚ軸を回転軸としてＸ軸をＹ軸方向にφだけ回転させた
軸を第１軸とする。次に第１軸を回転軸としてＺ軸を反
時計回りにθだけ回転させた軸を第２軸とする。この第
２軸を法線として第１軸を含む面方位でカットし、基板
とする。上記面方位にカットした基板において、第２軸
を回転軸として第１軸を反時計回りにψだけ回転させた
軸を第３軸とし、この第３軸をＳＡＷ伝搬方向として利
用する。なお、面上の第３軸と直交する軸を第４軸とす
る。このようにオイラー角（φ，θ，ψ）が規定され
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】一般的に圧電基板のＫ
2が大きいほど帯域幅の広いデバイスが設計しやすいと
されている。また、Ｋ2が大きな基板を用いると電極本
数を減らすことが可能であり、ＳＡＷデバイスの小型化
に有利である。しかし、従来は、Ｋ2は、用いるオイラ
ー角によって大きさに多少の増減はあるものの、本質的
には基板材料固有の値であり、したがって、大きなＫ2
を有するＳＡＷデバイス用基板を得るためには、基板材
料の開発から行なわなければならないとされてきた。
2が大きいほど帯域幅の広いデバイスが設計しやすいと
されている。また、Ｋ2が大きな基板を用いると電極本
数を減らすことが可能であり、ＳＡＷデバイスの小型化
に有利である。しかし、従来は、Ｋ2は、用いるオイラ
ー角によって大きさに多少の増減はあるものの、本質的
には基板材料固有の値であり、したがって、大きなＫ2
を有するＳＡＷデバイス用基板を得るためには、基板材
料の開発から行なわなければならないとされてきた。
【００１１】そこで、本発明は、ＳＡＷデバイスの高性
能化および小型化に有利な大きなＫ 2を有するＳＡＷデ
バイス用基板を従来材料を用いて得ることを目的とす
る。
能化および小型化に有利な大きなＫ 2を有するＳＡＷデ
バイス用基板を従来材料を用いて得ることを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的に
基づいて鋭意検討した結果、オイラー角およびＫＨを所
定範囲に設定することで、大きなＫ2が得られることを
見出した。すなわち、本発明においては、オイラー角表
示で（１８〜３０°，８０〜１００°，３５〜７５°）
となるＬＮをガラス表面に形成し、（１８〜３０°，８
０〜１００°，３５〜７５°）ＬＮ／ガラス構造基板と
することによって上記目的を達成する。
基づいて鋭意検討した結果、オイラー角およびＫＨを所
定範囲に設定することで、大きなＫ2が得られることを
見出した。すなわち、本発明においては、オイラー角表
示で（１８〜３０°，８０〜１００°，３５〜７５°）
となるＬＮをガラス表面に形成し、（１８〜３０°，８
０〜１００°，３５〜７５°）ＬＮ／ガラス構造基板と
することによって上記目的を達成する。
【００１３】上記（１８〜３０°，８０〜１００°，３
５〜７５°）ＬＮ／ガラス構造基板において、さらに好
ましくは、ＫＨパラメータを２．８≦ＫＨ≦３．８とす
ることによって、さらに大きなＫ2を得ることができ
る。
５〜７５°）ＬＮ／ガラス構造基板において、さらに好
ましくは、ＫＨパラメータを２．８≦ＫＨ≦３．８とす
ることによって、さらに大きなＫ2を得ることができ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に基づいて説明する。
て図面に基づいて説明する。
【００１５】（装置の構成）図１は、本発明に基づく実
施の形態におけるＳＡＷデバイスの構成を示す概略断面
図である。図１を参照して、ＳＡＷデバイス５は、ガラ
ス基板１と、圧電基板２と、電極３とを有している。圧
電基板２は、ガラス基板１上に形成され、かつＬＮより
なっている。また圧電基板２上にはデバイスに応じた配
置を有する電極３が形成されている。なお、ガラス基板
１と圧電基板２とから構成される部分をＳＡＷデバイス
用基板６というものとする。
施の形態におけるＳＡＷデバイスの構成を示す概略断面
図である。図１を参照して、ＳＡＷデバイス５は、ガラ
ス基板１と、圧電基板２と、電極３とを有している。圧
電基板２は、ガラス基板１上に形成され、かつＬＮより
なっている。また圧電基板２上にはデバイスに応じた配
置を有する電極３が形成されている。なお、ガラス基板
１と圧電基板２とから構成される部分をＳＡＷデバイス
用基板６というものとする。
【００１６】（装置の製造方法）このようなＳＡＷデバ
イス５は、ガラス基板１の表面に圧電基板２としてＬＮ
基板を接合、あるいはガラス基板１の表面に圧電基板２
としてＬＮ薄膜を形成した後に、ＬＮ基板またはＬＮ薄
膜の上に電極３を成膜・パターニングすることにより得
ることができる。
イス５は、ガラス基板１の表面に圧電基板２としてＬＮ
基板を接合、あるいはガラス基板１の表面に圧電基板２
としてＬＮ薄膜を形成した後に、ＬＮ基板またはＬＮ薄
膜の上に電極３を成膜・パターニングすることにより得
ることができる。
【００１７】（装置の各部の材質）ガラス基板１の材質
としては、たとえば石英ガラス、アルミノケイ酸ガラ
ス、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス、鉛ケイ酸ガ
ラスなどが使用可能である。またＬＮ基板２と組合せる
基板はガラス基板に限定されず、ＬＮよりも音速の遅い
材料で、かつ、ＬＮのＴＣＤおよびＴＣＶ（音速の温度
係数）と異符号の特性を持つ材料であればよい。
としては、たとえば石英ガラス、アルミノケイ酸ガラ
ス、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス、鉛ケイ酸ガ
ラスなどが使用可能である。またＬＮ基板２と組合せる
基板はガラス基板に限定されず、ＬＮよりも音速の遅い
材料で、かつ、ＬＮのＴＣＤおよびＴＣＶ（音速の温度
係数）と異符号の特性を持つ材料であればよい。
【００１８】また、圧電基板２の材質は、ＬＮのみから
なるものであってもよく、また一部にＬＮを含むもので
あってもよい。電極３の材質としては、たとえばアルミ
ニウムなどが使用可能だが、これに限定されるものでは
ない。
なるものであってもよく、また一部にＬＮを含むもので
あってもよい。電極３の材質としては、たとえばアルミ
ニウムなどが使用可能だが、これに限定されるものでは
ない。
【００１９】（Ｋ2の値に関する検証）また、図１に示
すように、圧電基板２の厚みをＨとし、電極３のピッチ
をλとし、Ｋを２π／λとする。以下、圧電基板２に含
まれるＬＮのオイラー角、および、ＫとＨとの積である
ＫＨに注目しつつ、説明する。
すように、圧電基板２の厚みをＨとし、電極３のピッチ
をλとし、Ｋを２π／λとする。以下、圧電基板２に含
まれるＬＮのオイラー角、および、ＫとＨとの積である
ＫＨに注目しつつ、説明する。
【００２０】図２に（３０°，９０°，６０°）ＬＮ／
ガラス構造基板におけるＫ2の計算結果を示す。計算
は、ＫＨをパラメータとしてCampbell and Jonesの方法
により行なった。図２より、Ｋ2の値はＬＮのＫＨの値
に依存することがわかる。また、ＫＨが３．３のときに
Ｋ2が最大値になることがわかる。
ガラス構造基板におけるＫ2の計算結果を示す。計算
は、ＫＨをパラメータとしてCampbell and Jonesの方法
により行なった。図２より、Ｋ2の値はＬＮのＫＨの値
に依存することがわかる。また、ＫＨが３．３のときに
Ｋ2が最大値になることがわかる。
【００２１】そこで、方位を表すオイラー角のパラメー
タ（φ，θ，ψ）のうち、φを０°、１０°、２０°、
３０°の４通りとり、それぞれについて、θ、ψをそれ
ぞれ０°から１８０°まで変化させ、上記同様の計算に
よって各方位（φ，θ，ψ）におけるＫ2を最大とする
ＫＨを求め、そのＫＨを用いてＫ2の最大値を求めた。
その計算結果を図３〜図６に示す。図３は、φを０°に
固定して、θ、ψを変化させたものである。図４は、φ
を１０°に固定して、θ、ψを変化させたものである。
図５は、φを２０°に固定して、θ、ψを変化させたも
のである。図６は、φを３０°に固定して、θ、ψを変
化させたものである。これらの図面においては、各方位
におけるＫ2の最大値を等高線で表示している。等高線
に付された数字はその方位におけるＫ2の最大値を意味
する。
タ（φ，θ，ψ）のうち、φを０°、１０°、２０°、
３０°の４通りとり、それぞれについて、θ、ψをそれ
ぞれ０°から１８０°まで変化させ、上記同様の計算に
よって各方位（φ，θ，ψ）におけるＫ2を最大とする
ＫＨを求め、そのＫＨを用いてＫ2の最大値を求めた。
その計算結果を図３〜図６に示す。図３は、φを０°に
固定して、θ、ψを変化させたものである。図４は、φ
を１０°に固定して、θ、ψを変化させたものである。
図５は、φを２０°に固定して、θ、ψを変化させたも
のである。図６は、φを３０°に固定して、θ、ψを変
化させたものである。これらの図面においては、各方位
におけるＫ2の最大値を等高線で表示している。等高線
に付された数字はその方位におけるＫ2の最大値を意味
する。
【００２２】ただし、本発明の目的は、従来基板である
（０°，３８°，０°）ＬＮ基板よりも大きなＫ2を有
するＳＡＷデバイス用基板を得ることにあるため、従来
基板におけるＫ2の値である５．２％よりも小さなＫ2し
か得られない方位については、評価する意義が乏しい。
したがって、Ｋ2の最大値が５％未満の方位については
図３〜図６においても表示を省略している。すなわち、
図３〜図６において、等高線の描かれていない部分は、
Ｋ2の最大値が５％未満の方位である。
（０°，３８°，０°）ＬＮ基板よりも大きなＫ2を有
するＳＡＷデバイス用基板を得ることにあるため、従来
基板におけるＫ2の値である５．２％よりも小さなＫ2し
か得られない方位については、評価する意義が乏しい。
したがって、Ｋ2の最大値が５％未満の方位については
図３〜図６においても表示を省略している。すなわち、
図３〜図６において、等高線の描かれていない部分は、
Ｋ2の最大値が５％未満の方位である。
【００２３】計算結果によれば、ＬＮのオイラー角が、
図５に示す（２０°，８０〜９０°，５０〜７０°）の
範囲、および、図６に示す（３０°，８０〜１００°，
３５〜７５°）の範囲では、Ｋ2の最大値は８％を超え
る大きな値となることがわかる。その中でも特に、（３
０°，９０°，６０°）とした場合には、Ｋ2の最大値
は８．７％という大きな値になる。
図５に示す（２０°，８０〜９０°，５０〜７０°）の
範囲、および、図６に示す（３０°，８０〜１００°，
３５〜７５°）の範囲では、Ｋ2の最大値は８％を超え
る大きな値となることがわかる。その中でも特に、（３
０°，９０°，６０°）とした場合には、Ｋ2の最大値
は８．７％という大きな値になる。
【００２４】図７に（０〜３０°，９０°，６０°）の
範囲で同様の計算を行なった結果を示す。図７より、φ
が０〜３０°の範囲内でＫ2の最大値は連続的に変化し
ていることがわかる。したがって、図３〜図６に示すよ
うに計算したφ＝０°，１０°，２０°，３０°以外の
φについてのＫ2の最大値も、連続性から数値が予想で
きる。また、上記の（３０°，９０°，６０°）に限ら
ず（略３０°，略９０°，略６０°）であっても、Ｋ2
の値は８．７％に近い大きな値を得ることができるとい
える。
範囲で同様の計算を行なった結果を示す。図７より、φ
が０〜３０°の範囲内でＫ2の最大値は連続的に変化し
ていることがわかる。したがって、図３〜図６に示すよ
うに計算したφ＝０°，１０°，２０°，３０°以外の
φについてのＫ2の最大値も、連続性から数値が予想で
きる。また、上記の（３０°，９０°，６０°）に限ら
ず（略３０°，略９０°，略６０°）であっても、Ｋ2
の値は８．７％に近い大きな値を得ることができるとい
える。
【００２５】図７より、１８°≦φの範囲では、Ｋ2の
最大値は８．０％を超えることがわかる。したがって、
オイラー角表示で（１８〜３０°，８０〜１００°，３
５〜７５°）であることが好ましい。
最大値は８．０％を超えることがわかる。したがって、
オイラー角表示で（１８〜３０°，８０〜１００°，３
５〜７５°）であることが好ましい。
【００２６】さらに図７によれば、２４°≦φの範囲で
は、Ｋ2の最大値は８．５％を超える大きな値となる。
一方、図６より、φ＝３０°の条件下では、８８°≦θ
≦９２°，５５°≦ψ≦６５°においてＫ2の最大値は
最も大きくなっている。したがって、オイラー角表示で
（２４〜３０°，８８〜９２°，５５〜６５°）である
ことがより好ましい。
は、Ｋ2の最大値は８．５％を超える大きな値となる。
一方、図６より、φ＝３０°の条件下では、８８°≦θ
≦９２°，５５°≦ψ≦６５°においてＫ2の最大値は
最も大きくなっている。したがって、オイラー角表示で
（２４〜３０°，８８〜９２°，５５〜６５°）である
ことがより好ましい。
【００２７】また、図８に、２．３≦ＫＨ≦４．５の範
囲で計算した、（３０°，９０°，６０°）ＬＮを用い
た場合のＫ2の値を示す。図８より、２．４≦ＫＨ≦
４．３の範囲では８％を超えるＫ2の値を示すことがわ
かる。その中でも特に、２．８≦ＫＨ≦３．８の範囲で
は、Ｋ2の値は８．５％を超える値となる。
囲で計算した、（３０°，９０°，６０°）ＬＮを用い
た場合のＫ2の値を示す。図８より、２．４≦ＫＨ≦
４．３の範囲では８％を超えるＫ2の値を示すことがわ
かる。その中でも特に、２．８≦ＫＨ≦３．８の範囲で
は、Ｋ2の値は８．５％を超える値となる。
【００２８】なお、計算はＬＮの結晶性の対称性から０
°≦φ≦３０°，０°≦θ≦１８０°，０°≦ψ≦１８
０°の範囲のみ計算している。また、計算に用いたガラ
スの定数は、一般的に電子材料用として用いられている
ガラスの定数である。表２に計算に用いたガラスの定数
を示す。
°≦φ≦３０°，０°≦θ≦１８０°，０°≦ψ≦１８
０°の範囲のみ計算している。また、計算に用いたガラ
スの定数は、一般的に電子材料用として用いられている
ガラスの定数である。表２に計算に用いたガラスの定数
を示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】以上より、大きなＫ2が得られることが明
らかとなったオイラー角の範囲のＬＮを圧電基板２に用
いること、または、大きなＫ2が得られることが明らか
となったＫＨの範囲に含まれるように圧電基板２の膜厚
や電極３のピッチを定めることによって、従来より大き
なＫ2の値を有するＳＡＷデバイス用基板を得ることが
できる。また、これらのオイラー角の範囲とＫＨの範囲
とを同時に満たすように設計すれば、Ｋ2の値はより大
きくなり、好ましい。
らかとなったオイラー角の範囲のＬＮを圧電基板２に用
いること、または、大きなＫ2が得られることが明らか
となったＫＨの範囲に含まれるように圧電基板２の膜厚
や電極３のピッチを定めることによって、従来より大き
なＫ2の値を有するＳＡＷデバイス用基板を得ることが
できる。また、これらのオイラー角の範囲とＫＨの範囲
とを同時に満たすように設計すれば、Ｋ2の値はより大
きくなり、好ましい。
【００３１】なお、今回開示した上記実施の形態はすべ
ての点で例示であって制限的なものではない。本発明の
範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって
示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での
すべての変更を含むものである。
ての点で例示であって制限的なものではない。本発明の
範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって
示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での
すべての変更を含むものである。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく弾
性表面波デバイスでは、オイラー角表示で（１８〜３０
°，８０〜１００°，３５〜７５°）であるＬＮを用
い、ＫＨが２．３以上、４．５以下となるように圧電基
板２の膜厚と電極３のピッチを定めたため、従来のＳＡ
Ｗデバイス用基板より大きなＫ2の値を有するＳＡＷデ
バイス用基板を得ることができる。
性表面波デバイスでは、オイラー角表示で（１８〜３０
°，８０〜１００°，３５〜７５°）であるＬＮを用
い、ＫＨが２．３以上、４．５以下となるように圧電基
板２の膜厚と電極３のピッチを定めたため、従来のＳＡ
Ｗデバイス用基板より大きなＫ2の値を有するＳＡＷデ
バイス用基板を得ることができる。
【図１】 本発明の実施の形態におけるＳＡＷデバイス
の構成を示す概略断面図である。
の構成を示す概略断面図である。
【図２】 （３０°，９０°，６０°）ＬＮ／ガラス構
造基板のＫ2のＫＨ依存性を示すグラフである。
造基板のＫ2のＫＨ依存性を示すグラフである。
【図３】 Ｋ2が最大となるＫＨにおける（０°，θ，
ψ）ＬＮ／ガラス構造基板のＫ2の計算結果を示すグラ
フである。
ψ）ＬＮ／ガラス構造基板のＫ2の計算結果を示すグラ
フである。
【図４】 Ｋ2が最大となるＫＨにおける（１０°，
θ，ψ）ＬＮ／ガラス構造基板のＫ2の計算結果を示す
グラフである。
θ，ψ）ＬＮ／ガラス構造基板のＫ2の計算結果を示す
グラフである。
【図５】 Ｋ2が最大となるＫＨにおける（２０°，
θ，ψ）ＬＮ／ガラス構造基板のＫ2の計算結果を示す
グラフである。
θ，ψ）ＬＮ／ガラス構造基板のＫ2の計算結果を示す
グラフである。
【図６】 Ｋ2が最大となるＫＨにおける（３０°，
θ，ψ）ＬＮ／ガラス構造基板のＫ2の計算結果を示す
グラフである。
θ，ψ）ＬＮ／ガラス構造基板のＫ2の計算結果を示す
グラフである。
【図７】 Ｋ2が最大となるＫＨにおける（φ，９０
°，６０°）ＬＮ／ガラス構造基板のＫ2の計算結果を
示すグラフである。
°，６０°）ＬＮ／ガラス構造基板のＫ2の計算結果を
示すグラフである。
【図８】 ２．３≦ＫＨ≦４．５における（３０°，９
０°，６０°）ＬＮ／ガラス構造基板のＫ2のＫＨ依存
性を示すグラフである。
０°，６０°）ＬＮ／ガラス構造基板のＫ2のＫＨ依存
性を示すグラフである。
【図９】 一般的なＳＡＷフィルタの構成を示す斜視図
である。
である。
【図１０】 図９に示すＳＡＷフィルタの動作を説明す
るための図である。
るための図である。
【図１１】 従来の技術に基づくＳＡＷデバイスの構成
を概略的に示す断面図である。
を概略的に示す断面図である。
【図１２】 オイラー角を説明するための図である。
１ ガラス基板、２ 圧電基板（ＬｉＮｂＯ3）、３，
１３ 電極、５，１５ＳＡＷデバイス、６ ＳＡＷデバ
イス用基板、１２ 圧電基板。
１３ 電極、５，１５ＳＡＷデバイス、６ ＳＡＷデバ
イス用基板、１２ 圧電基板。
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(56)参考文献 特開 平６−326553（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−288788（ＪＰ，Ａ)
Ｎ．Ｆ．Ｆｏｓｔｅｒ，ＴＨＥ ＤＥ
ＰＯＳＩＴＩＯＮ ＡＮＤ ＰＩＥＺＯ
−ＥＬＥＣＴＲＩＣ ＣＨＡＲＡＣＴＥ
ＲＩＳＴＩＣＳ ＯＦ ＳＰＵＴＴＥＲ
ＥＤ ＬＩＴＨＩＵＭＮＩＯＢＡＴＥ
Ｓ，ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩ
ＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ，1969年，ＶＯ
Ｌ．40，Ｐ．420
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 9/25
H01L 41/09
H01L 41/18
H03H 9/145
Claims (9)
- 【請求項１】 ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成
されたＬｉＮｂＯ3を含む圧電基板とを備え、前記Ｌｉ
ＮｂＯ3がオイラー角表示で（１８〜３０°，８０〜１
００°，３５〜７５°）であることを特徴とする、弾性
表面波デバイス用基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載の弾性表面波デバイス用
基板と、前記圧電基板上に形成された電極とを備え、前
記電極のピッチをλとし、前記圧電基板の厚みをＨと
し、Ｋを２π／λとしたとき、ＫとＨとの積が２．３以
上、４．５以下であることを特徴とする、 弾性表面波デバイス。 - 【請求項３】 請求項１に記載の弾性表面波デバイス用
基板と、前記圧電基板上に形成された電極とを備え、前
記電極のピッチをλとし、前記圧電基板の厚みをＨと
し、Ｋを２π／λとしたとき、ＫとＨとの積が２．８以
上、３．８以下であることを特徴とする、 弾性表面波デバイス。 - 【請求項４】 ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成
されたＬｉＮｂＯ 3 を含む圧電基板とを備え、前記Ｌｉ
ＮｂＯ 3 がオイラー角表示で（２４〜３０°，８８〜９
２°，５５〜６５°）であることを特徴とする、弾性表
面波デバイス用基板。 - 【請求項５】 請求項４に記載の弾性表面波デバイス用
基板と、前記圧電基板上に形成された電極とを備え、前
記電極のピッチをλとし、前記圧電基板の厚みをＨと
し、Ｋを２π／λとしたとき、ＫとＨとの積が２．３以
上、４．５以下であることを特徴とする、 弾性表面波デバイス。 - 【請求項６】 請求項４に記載の弾性表面波デバイス用
基板と、前記圧電基板上に形成された電極とを備え、前
記電極のピッチをλとし、前記圧電基板の厚みをＨと
し、Ｋを２π／λとしたとき、ＫとＨとの積が２．８以
上、３．８以下であることを特徴とする、 弾性表面波デバイス。 - 【請求項７】 ガラス基板と、前記ガラス基板上に形成
されたＬｉＮｂＯ 3 を含む圧電基板とを備え、前記Ｌｉ
ＮｂＯ 3 がオイラー角表示で（３０°，９０°，６０
°）であることを特徴とする、弾性表面波デバイス用基
板。 - 【請求項８】 請求項７に記載の弾性表面波デバイス用
基板と、前記圧電基板上に形成された電極とを備え、前
記電極のピッチをλとし、前記圧電基板の厚みをＨと
し、Ｋを２π／λとしたとき、ＫとＨとの積が２．３以
上、４．５以下であることを特徴とする、 弾性表面波デバイス。 - 【請求項９】 請求項７に記載の弾性表面波デバイス用
基板と、前記圧電基板上に形成された電極とを備え、前
記電極のピッチをλとし、前記圧電基板の厚みをＨと
し、Ｋを２π／λとしたとき、ＫとＨとの積が２．８以
上、３．８以下であることを特徴とする、 弾性表面波デバイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26179099A JP3495659B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 弾性表面波デバイス用基板および弾性表面波デバイス |
| US09/662,766 US6420815B1 (en) | 1999-09-16 | 2000-09-15 | Substrate for surface acoustic wave device and surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26179099A JP3495659B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 弾性表面波デバイス用基板および弾性表面波デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085971A JP2001085971A (ja) | 2001-03-30 |
| JP3495659B2 true JP3495659B2 (ja) | 2004-02-09 |
Family
ID=17366759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26179099A Expired - Fee Related JP3495659B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 弾性表面波デバイス用基板および弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3495659B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4182157B2 (ja) * | 2002-08-12 | 2008-11-19 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
| EP1610460B1 (en) | 2003-02-10 | 2009-12-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic boundary wave device |
-
1999
- 1999-09-16 JP JP26179099A patent/JP3495659B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｎ．Ｆ．Ｆｏｓｔｅｒ，ＴＨＥ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ ＡＮＤ ＰＩＥＺＯ−ＥＬＥＣＴＲＩＣ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ ＯＦ ＳＰＵＴＴＥＲＥＤ ＬＩＴＨＩＵＭＮＩＯＢＡＴＥＳ，ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ，１９６９年，ＶＯＬ．４０，Ｐ．４２０ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001085971A (ja) | 2001-03-30 |
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