JP3494219B2 - Ink jet recording head - Google Patents

Ink jet recording head

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JP3494219B2
JP3494219B2 JP2000275791A JP2000275791A JP3494219B2 JP 3494219 B2 JP3494219 B2 JP 3494219B2 JP 2000275791 A JP2000275791 A JP 2000275791A JP 2000275791 A JP2000275791 A JP 2000275791A JP 3494219 B2 JP3494219 B2 JP 3494219B2
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学 西脇
佳直 宮田
明 松沢
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  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、インク滴を吐出す
るノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構
成し、この振動板を介して圧電素子を設けて、圧電素子
の変位によりインク滴を吐出させるインクジェット式記
録ヘッド及びインクジェット式記録装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention comprises a vibrating plate which constitutes a part of a pressure generating chamber communicating with a nozzle opening for ejecting ink droplets, and a piezoelectric element is provided through the vibrating plate to displace the piezoelectric element. The present invention relates to an ink jet type recording head and an ink jet type recording apparatus for ejecting ink droplets.

【0002】[0002]

【従来の技術】インク滴を吐出するノズル開口と連通す
る圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧
電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧して
ノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式
記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦
振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと、た
わみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの
2種類が実用化されている。
2. Description of the Related Art A part of a pressure generating chamber that communicates with a nozzle opening for ejecting ink droplets is composed of a vibrating plate, and the vibrating plate is deformed by a piezoelectric element to pressurize ink in the pressure generating chamber to eject it from the nozzle opening. Two types of inkjet recording heads that eject ink droplets have been put into practical use: one that uses a longitudinal vibration mode piezoelectric actuator that expands and contracts in the axial direction of a piezoelectric element, and one that uses a flexural vibration mode piezoelectric actuator. ing.

【0003】前者は圧電素子の端面を振動板に当接させ
ることにより圧力発生室の容積を変化させることができ
て、高密度印刷に適したヘッドの製作が可能である反
面、圧電素子をノズル開口の配列ピッチに一致させて櫛
歯状に切り分けるという困難な工程や、切り分けられた
圧電素子を圧力発生室に位置決めして固定する作業が必
要となり、製造工程が複雑であるという問題がある。
The former allows the volume of the pressure generating chamber to be changed by bringing the end face of the piezoelectric element into contact with the vibrating plate, and a head suitable for high-density printing can be manufactured. There is a problem in that the manufacturing process is complicated because a difficult process of matching the array pitch of the openings and cutting into comb teeth or a work of positioning and fixing the cut piezoelectric element in the pressure generating chamber are required.

【0004】これに対して後者は、圧電材料のグリーン
シートを圧力発生室の形状に合わせて貼付し、これを焼
成するという比較的簡単な工程で振動板に圧電素子を作
り付けることができるものの、たわみ振動を利用する関
係上、ある程度の面積が必要となり、高密度配列が困難
であるという問題がある。
On the other hand, in the latter, the piezoelectric element can be formed on the vibration plate by a relatively simple process of sticking a green sheet of a piezoelectric material in conformity with the shape of the pressure generating chamber and firing it. However, due to the use of flexural vibration, a certain area is required, and there is a problem that high-density arrangement is difficult.

【0005】一方、後者の記録ヘッドの不都合を解消す
べく、特開平5−286131号公報に見られるよう
に、振動板の表面全体に亙って成膜技術により均一な圧
電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法に
より圧力発生室に対応する形状に切り分けて各圧力発生
室毎に独立するように圧電素子を形成したものが提案さ
れている。
On the other hand, in order to eliminate the disadvantage of the latter recording head, a uniform piezoelectric material layer is formed over the entire surface of the diaphragm by a film forming technique as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-286131. It has been proposed that the piezoelectric material layer is cut into a shape corresponding to the pressure generating chamber by a lithographic method and a piezoelectric element is formed so as to be independent for each pressure generating chamber.

【0006】これによれば圧電素子を振動板に貼付ける
作業が不要となって、リソグラフィ法という精密で、か
つ簡便な手法で圧電素子を作り付けることができるばか
りでなく、圧電素子の厚みを薄くできて高速駆動が可能
になるという利点がある。
According to this, the work of attaching the piezoelectric element to the diaphragm becomes unnecessary, and not only the piezoelectric element can be built by a precise and simple method such as a lithography method, but also the thickness of the piezoelectric element can be reduced. It has the advantage that it can be made thin and can be driven at high speed.

【0007】また、このようなインクジェット式記録ヘ
ッドでは、基板の圧電素子とは反対側の面からエッチン
グすることなどにより厚さ方向に貫通して圧力発生室を
形成しているため、寸法精度の高い圧力発生室を比較的
容易且つ高密度に配設することができる。
Further, in such an ink jet recording head, since the pressure generating chamber is formed penetrating in the thickness direction by etching from the surface of the substrate opposite to the piezoelectric element, the dimensional accuracy is improved. The high pressure generating chamber can be relatively easily and densely arranged.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなインクジェット式記録ヘッドでは、圧力発生室を形
成する基板として、例えば、直径が6〜12インチ程度
の比較的大きなものを用いようとする場合、ハンドリン
グ等の問題により基板の厚さを厚くせざるを得ず、それ
に伴い圧力発生室の深さも深くなってしまう。そのた
め、各圧力発生室を区画する隔壁の厚さを厚くしない
と、十分な剛性が得られず、クロストークが発生し、所
望の吐出特性が得られない等という問題がある。また、
隔壁の厚さを厚くすると、高い配列密度でノズルを並べ
られないため、高解像度の印字品質を達成できないとい
う問題がある。
However, in such an ink jet recording head, when a relatively large substrate having a diameter of about 6 to 12 inches is used as the substrate for forming the pressure generating chamber, Due to a problem such as handling, the thickness of the substrate has to be increased, and the depth of the pressure generating chamber is accordingly increased. Therefore, unless the thickness of the partition that divides each pressure generating chamber is increased, sufficient rigidity cannot be obtained, crosstalk occurs, and desired ejection characteristics cannot be obtained. Also,
If the thickness of the partition wall is increased, the nozzles cannot be arranged at a high arrangement density, so that there is a problem that high resolution printing quality cannot be achieved.

【0009】本発明は、このような事情に鑑み、隔壁の
剛性を向上すると共に圧力発生室を高密度に配設するこ
とのできるインクジェット式記録ヘッド及びインクジェ
ット式記録装置を提供することを課題とする。
In view of such circumstances, it is an object of the present invention to provide an ink jet type recording head and an ink jet type recording apparatus capable of improving the rigidity of a partition wall and arranging the pressure generating chambers at a high density. To do.

【0010】[0010]

【0011】[0011]

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の第1の態様は、少なくとも単結晶シリコンからなる
シリコン層を有しノズル開口に連通する圧力発生室が画
成される流路形成基板と、前記圧力発生室の一部を構成
する振動板を介して前記圧力発生室に対向する領域に設
けられて前記圧力発生室内に圧力変化を生じさせる圧電
素子とを具備するインクジェット式記録ヘッドにおい
て、前記流路形成基板の前記圧電素子側に接合される1
枚の単結晶シリコンからなる接合基板を有し、前記ノズ
ル開口が前記接合基板に設けられていると共に前記圧力
発生室が前記流路形成基板の一方面側に当該流路形成基
板を貫通することなく形成され、且つ前記圧力発生室に
インクを供給するリザーバが前記流路形成基板の他方面
側に形成されていることを特徴とするインクジェット式
記録ヘッドにある。
[Means for Solving the Problems ] The present invention for solving the above problems
A first aspect of the invention is a flow path forming substrate having a silicon layer made of at least single crystal silicon and defining a pressure generating chamber communicating with a nozzle opening, and a vibration plate forming a part of the pressure generating chamber. In an ink jet recording head provided with a piezoelectric element that is provided in a region facing the pressure generating chamber via the piezoelectric element and causes a pressure change in the pressure generating chamber, the ink jet recording head is bonded to the piezoelectric element side of the flow path forming substrate. 1
A bonded substrate made of a single crystal silicon, the nozzle opening is provided in the bonded substrate, and the pressure generating chamber penetrates the flow channel forming substrate on one side of the flow channel forming substrate. In the ink jet recording head, a reservoir which is formed without any means and which supplies ink to the pressure generating chamber is formed on the other surface side of the flow path forming substrate.

【0013】 かかる第の態様では、圧力発生室を比
較的浅く形成することができ、各圧力発生室を区画する
隔壁の剛性が向上する。また、圧力発生室の容積に対し
て、十分に大きい体積のリザーバが設けられ、リザーバ
内のインク自体によって内部圧力が吸収される。
In the first aspect, the pressure generating chambers can be formed relatively shallow, and the rigidity of the partition wall that partitions each pressure generating chamber is improved. Further, a reservoir having a volume sufficiently larger than the volume of the pressure generating chamber is provided, and the internal pressure is absorbed by the ink itself in the reservoir.

【0014】 本発明の第の態様は、第の態様にお
いて、前記リザーバが前記圧力発生室に直接連通してい
ることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドにあ
A second aspect of the present invention, in a first aspect, an ink jet recording head near, characterized in that said reservoir is in direct communication with the pressure generating chamber
It

【0015】 かかる第の態様では、リザーバから各
圧力発生室に直接インクが供給される。
In the second aspect, ink is directly supplied from the reservoir to each pressure generating chamber.

【0016】 本発明の第の態様は、第の態様にお
いて、前記流路形成基板の一方面側には、前記圧力発生
室の長手方向一端部に連通するインク連通路が形成さ
れ、前記リザーバが、前記インク連通路に連通されてい
ることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドにあ
る。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, an ink communication path communicating with one longitudinal end of the pressure generating chamber is formed on one surface side of the flow path forming substrate, An ink jet recording head is characterized in that a reservoir is communicated with the ink communication passage.

【0017】 かかる第の態様では、リザーバからイ
ンク連通路を介して各圧力発生室にインクが供給される
ため、リザーバとインク連通路との連通部の断面積がば
らついても狭隘部でインクの抵抗を制御でき、各圧力発
生室間でのインク吐出特性のばらつきを低減できる。
In the third aspect, since ink is supplied from the reservoir to each pressure generating chamber through the ink communication passage, even if the cross-sectional area of the communication portion between the reservoir and the ink communication passage varies, the ink will remain in the narrow portion. It is possible to control the resistance of the pressure generating chambers, and it is possible to reduce variations in ink ejection characteristics between the pressure generating chambers.

【0018】 本発明の第の態様は、第の態様にお
いて、前記インク連通路が前記圧力発生室毎に設けられ
ていることを特徴とするインクジェット式記録ヘッドに
ある。
A fourth aspect of the present invention is the ink jet recording head according to the third aspect, characterized in that the ink communication passage is provided for each of the pressure generating chambers.

【0019】 かかる第の態様では、リザーバから各
圧力発生室毎に設けられたインク連通路を介して各圧力
発生室にインクが供給される。
In the fourth aspect, ink is supplied from the reservoir to each pressure generating chamber via the ink communication passage provided for each pressure generating chamber.

【0020】 本発明の第の態様は、第の態様にお
いて、前記インク連通路が前記圧力発生室の並設方向に
亘って連続的に設けられていることを特徴とするインク
ジェット式記録ヘッドにある。
A fifth aspect of the present invention is the ink jet recording head according to the third aspect, characterized in that the ink communication passage is continuously provided in a direction parallel to the pressure generating chambers. It is in.

【0021】 かかる第の態様では、リザーバから共
通するインク連通路を介して各圧力発生室にインクが供
給される。
In the fifth aspect, ink is supplied from the reservoir to each pressure generating chamber via the common ink communication passage.

【0022】 本発明の第の態様は、第1〜5の何れ
かの態様において、前記圧力発生室の前記リザーバとは
反対側の長手方向端部側に、前記圧力発生室と前記ノズ
ル開口とを連通するノズル連通路が設けられていること
を特徴とするインクジェット式記録ヘッドにある。
[0022] A sixth aspect of the present invention, in the first to fifth one embodiment, the longitudinal end portion side opposite to the reservoir of the pressure generating chamber, the nozzle opening and the pressure generating chamber An inkjet recording head is characterized in that a nozzle communication path that communicates with and is provided.

【0023】 かかる第の態様では、圧力発生室にリ
ザーバから安定してインクが供給され、且つノズル開口
からインクが良好に吐出される。
In the sixth aspect, the ink is stably supplied from the reservoir to the pressure generating chamber, and the ink is satisfactorily ejected from the nozzle opening.

【0024】 本発明の第の態様は、第の態様にお
いて、前記ノズル連通路が、前記振動板を除去すること
により形成されていることを特徴とするインクジェット
式記録ヘッドにある。
A seventh aspect of the present invention is the ink jet recording head according to the sixth aspect, characterized in that the nozzle communication passage is formed by removing the diaphragm.

【0025】 かかる第の態様では、ノズル連通路を
容易に形成することができる。
In the seventh aspect, the nozzle communication passage can be easily formed.

【0026】 本発明の第の態様は、第6又は7の態
様において、前記ノズル連通路の内面が、接着剤で覆わ
れていることを特徴とするインクジェット式記録ヘッド
にある。
An eighth aspect of the present invention is the ink jet recording head according to the sixth or seventh aspect, characterized in that the inner surface of the nozzle communication passage is covered with an adhesive.

【0027】 かかる第の態様では、ノズル連通路を
通過するインクによる振動板の剥がれが防止される。
In the eighth aspect, peeling of the diaphragm due to the ink passing through the nozzle communication passage is prevented.

【0028】 本発明の第の態様は、第1〜の何れ
かの態様において、前記接合基板には集積回路が一体的
に形成されていることを特徴とするインクジェット式記
録ヘッドにある。
A ninth aspect of the present invention is the ink jet recording head according to any one of the first to eighth aspects, wherein an integrated circuit is integrally formed on the joint substrate.

【0029】 かかる第の態様では、流路形成基板に
接合される接合基板に集積回路を一体的に形成すること
により、製造工程を簡略化することができると共に部品
点数を削減でき、コストを低減することができる。
In the ninth aspect, by integrally forming the integrated circuit on the bonded substrate bonded to the flow path forming substrate, the manufacturing process can be simplified, the number of parts can be reduced, and the cost can be reduced. It can be reduced.

【0030】 本発明の第10の態様は、第1〜9の何
れかの態様において、前記接合基板が、前記圧電素子に
対向する領域に、その運動を阻害しない程度の空間を確
保した状態で当該空間を密封可能な圧電素子保持部を有
する封止基板であることを特徴とするインクジェット式
記録ヘッドにある。
A tenth aspect of the present invention is the method according to any one of the first to ninth aspects, in which the bonding substrate has a space in the region facing the piezoelectric element, the space not hindering the movement of the piezoelectric substrate. The inkjet recording head is a sealing substrate having a piezoelectric element holding portion capable of sealing the space.

【0031】 かかる第10の態様では、外部環境に起
因する圧電素子の破壊が防止される。
In the tenth aspect, breakage of the piezoelectric element due to the external environment is prevented.

【0032】 本発明の第11の態様は、第1〜10
何れかの態様において、前記流路形成基板が、前記シリ
コン層のみからなることを特徴とするインクジェット式
記録ヘッドにある。
An eleventh aspect of the present invention is the ink jet recording head according to any one of the first to tenth aspects, characterized in that the flow path forming substrate is composed of only the silicon layer.

【0033】 かかる第11の態様では、圧力発生室が
シリコン層のみで画成される。
In the eleventh aspect, the pressure generating chamber is defined only by the silicon layer.

【0034】[0034]

【0035】[0035]

【0036】[0036]

【0037】[0037]

【0038】[0038]

【0039】[0039]

【0040】[0040]

【0041】[0041]

【0042】[0042]

【0043】[0043]

【0044】[0044]

【0045】[0045]

【0046】[0046]

【0047】[0047]

【0048】[0048]

【0049】[0049]

【0050】[0050]

【0051】[0051]

【0052】[0052]

【0053】[0053]

【0054】[0054]

【0055】[0055]

【0056】[0056]

【0057】[0057]

【0058】[0058]

【0059】[0059]

【0060】[0060]

【0061】[0061]

【0062】[0062]

【0063】[0063]

【0064】[0064]

【発明の実施の形態】以下に本発明を実施形態に基づい
て詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below based on embodiments.

【0065】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態
1に係るインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図
であり、図2は、インクジェット式記録ヘッドの圧力発
生室の長手方向における断面図及び平面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is an exploded perspective view showing an ink jet recording head according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of the pressure generating chamber of the ink jet recording head in the longitudinal direction. FIG.

【0066】図示するように、圧力発生室12が形成さ
れる流路形成基板10は、例えば、150μm〜1mm
の厚さを有し、面方位(100)のシリコン単結晶基板
からなり、その一方面側の表層部分には、異方性エッチ
ングにより複数の隔壁11によって区画された圧力発生
室12が形成されている。
As shown in the figure, the flow path forming substrate 10 in which the pressure generating chamber 12 is formed is, for example, 150 μm to 1 mm.
Of a silicon single crystal substrate having a surface orientation of (100), and a pressure generating chamber 12 partitioned by a plurality of partition walls 11 by anisotropic etching is formed in the surface layer portion on one side thereof. ing.

【0067】また、各圧力発生室12の長手方向一端部
には、後述するリザーバ15と圧力発生室12とを接続
するための中継室であるインク連通部13が圧力発生室
12よりも幅の狭い狭隘部14を介して連通されてい
る。また、これらインク連通部13及び狭隘部14は、
圧力発生室12と共に異方性エッチングによって形成さ
れている。なお、狭隘部14は、圧力発生室12のイン
クの流出入を制御するためのものである。
In addition, an ink communicating portion 13, which is a relay chamber for connecting a reservoir 15 and a pressure generating chamber 12 described later, has a width wider than that of the pressure generating chamber 12 at one longitudinal end of each pressure generating chamber 12. They are communicated with each other through a narrow narrow portion 14. Further, the ink communication portion 13 and the narrow portion 14 are
It is formed together with the pressure generating chamber 12 by anisotropic etching. The narrow portion 14 is for controlling the inflow and outflow of the ink in the pressure generating chamber 12.

【0068】この異方性エッチングは、ウェットエッチ
ング又はドライエッチングの何れの方法を用いてもよい
が、シリコン単結晶基板を厚さ方向に途中までエッチン
グ(ハーフエッチング)することにより圧力発生室12
は浅く形成されており、その深さは、ハーフエッチング
のエッチング時間によって調整することができる。
This anisotropic etching may be performed by either wet etching or dry etching, but the pressure generating chamber 12 is formed by etching the silicon single crystal substrate halfway in the thickness direction (half etching).
Is formed to be shallow, and its depth can be adjusted by the etching time of half etching.

【0069】なお、本実施形態では、インク連通部13
を各圧力発生室12毎に設けるようにしたが、これに限
定されず、例えば、図2(c)に示すように、全部の各
圧力発生室12に狭隘部14を介して連通するインク連
通部13Aとしてもよく、この場合、このインク連通部
13Aが後述するリザーバ15の一部を構成するように
してもよい。
In this embodiment, the ink communicating portion 13
However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 2C, the ink communication that communicates with all the pressure generation chambers 12 via the narrow portion 14 is performed. It may be the portion 13A, and in this case, the ink communication portion 13A may form a part of the reservoir 15 described later.

【0070】一方、流路形成基板10の他方面側には、
各インク連通部13に連通し、各圧力発生室12にイン
クを供給するリザーバ15が形成されている。このリザ
ーバ15は、流路形成基板10の他方面側から、所定の
マスクを用いて異方性エッチング、本実施形態では、ウ
ェットエッチングによって形成されている。このリザー
バ15は、本実施形態では、ウェットエッチングによっ
て形成されているため、流路形成基板10の他方面側ほ
ど開口面積が大きくなる形状を有し、インクを供給する
すべての圧力発生室12の容積に対して、それよりも十
分に大きい容積となっている。
On the other hand, on the other surface side of the flow path forming substrate 10,
A reservoir 15 that communicates with each ink communicating portion 13 and supplies ink to each pressure generating chamber 12 is formed. The reservoir 15 is formed from the other surface side of the flow path forming substrate 10 by anisotropic etching using a predetermined mask, in this embodiment, wet etching. Since the reservoir 15 is formed by wet etching in the present embodiment, it has a shape in which the opening area increases toward the other surface side of the flow path forming substrate 10, and all of the pressure generating chambers 12 that supply ink are covered. The volume is sufficiently larger than the volume.

【0071】なお、本実施形態では、流路形成基板10
として面方位(100)のシリコン単結晶基板を用いて
いるため、ウェットエッチングによってもリザーバ15
等を精度よく形成することができる。
In this embodiment, the flow path forming substrate 10 is used.
Since a silicon single crystal substrate having a plane orientation of (100) is used as the
Etc. can be formed accurately.

【0072】また、流路形成基板10の端部近傍には、
所定の集積回路、本実施形態では、圧電素子300を駆
動するための駆動回路16が圧力発生室12の並設方向
に亘って一体的に形成されている。
In the vicinity of the end of the flow path forming substrate 10,
A predetermined integrated circuit, in the present embodiment, a drive circuit 16 for driving the piezoelectric element 300 is integrally formed in the pressure generating chamber 12 in the juxtaposed direction.

【0073】このような流路形成基板10上には、例え
ば、酸化ジルコニウム(ZrO2)等の絶縁層からな
る、厚さ1〜2μmの弾性膜50が設けられている。こ
の弾性膜50は、その一方の面で圧力発生室12の一壁
面を構成している。
An elastic film 50 having a thickness of 1 to 2 μm made of an insulating layer such as zirconium oxide (ZrO 2 ) is provided on the flow path forming substrate 10. The elastic film 50 constitutes one wall surface of the pressure generating chamber 12 on one surface thereof.

【0074】このような弾性膜50上の各圧力発生室1
2に相対向する領域には、厚さが例えば、約0.5μm
の下電極膜60と、厚さが例えば、約1μmの圧電体層
70と、厚さが例えば、約0.1μmの上電極膜80と
が、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子30
0を構成している。ここで、圧電素子300は、下電極
膜60、圧電体層70,及び上電極膜80を含む部分を
いう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極
を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力
発生室12毎にパターニングして構成する。そして、こ
こではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体
層70から構成され、両電極への電圧の印加により圧電
歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態で
は、下電極膜60を圧電素子300の共通電極とし、上
電極膜80を圧電素子300の個別電極としているが、
駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。
何れの場合においても、各圧力発生室毎に圧電体能動部
が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素
子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じ
る弾性膜とを合わせて圧電アクチュエータと称する。
Each pressure generating chamber 1 on such an elastic film 50
2 has a thickness of, for example, about 0.5 μm.
The lower electrode film 60, the piezoelectric layer 70 having a thickness of, for example, about 1 μm, and the upper electrode film 80 having a thickness of, for example, about 0.1 μm are laminated in a process described below to form the piezoelectric element 30.
Configures 0. Here, the piezoelectric element 300 refers to a portion including the lower electrode film 60, the piezoelectric layer 70, and the upper electrode film 80. Generally, one of the electrodes of the piezoelectric element 300 is used as a common electrode, and the other electrode and the piezoelectric layer 70 are patterned for each pressure generating chamber 12. Further, here, a portion which is composed of one of the patterned electrodes and the piezoelectric layer 70 and in which piezoelectric strain is generated by applying a voltage to both electrodes is referred to as a piezoelectric active portion. In the present embodiment, the lower electrode film 60 is the common electrode of the piezoelectric element 300, and the upper electrode film 80 is the individual electrode of the piezoelectric element 300.
There is no problem in reversing this due to the driving circuit and wiring.
In any case, the piezoelectric active portion is formed for each pressure generating chamber. Further, here, the piezoelectric element 300 and the elastic film that is displaced by the driving of the piezoelectric element 300 are collectively referred to as a piezoelectric actuator.

【0075】また、各圧電素子300の上電極膜80と
流路形成基板10に一体的に設けられた駆動回路16と
の間には、それぞれリード電極90が弾性膜50上に延
設されており、各リード電極90と駆動回路16とは、
弾性膜50の駆動回路16に対向する領域に設けられた
接続孔51を介して、それぞれ電気的に接続されてい
る。
Further, lead electrodes 90 are respectively extended on the elastic film 50 between the upper electrode film 80 of each piezoelectric element 300 and the drive circuit 16 integrally provided on the flow path forming substrate 10. And each lead electrode 90 and the drive circuit 16 are
The elastic film 50 is electrically connected to each other through connection holes 51 provided in a region facing the drive circuit 16.

【0076】さらに、圧力発生室12の長手方向のイン
ク連通部13とは反対側の端部近傍には、弾性膜50及
び下電極膜60を除去することにより、後述するノズル
開口21に連通するノズル連通孔52が、各圧力発生室
12毎に設けられている。
Further, by removing the elastic film 50 and the lower electrode film 60 in the vicinity of the end of the pressure generating chamber 12 in the longitudinal direction opposite to the ink communicating portion 13, the elastic film 50 and the lower electrode film 60 are communicated with the nozzle opening 21 described later. The nozzle communication hole 52 is provided for each pressure generating chamber 12.

【0077】また、圧電素子300が形成された弾性膜
50及び下電極膜60上には、図1及び図2に示すよう
に、各圧力発生室12にノズル連通孔52を介して連通
するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が
設けられている。このノズルプレート20は、例えば、
単結晶シリコン基板からなり、圧電素子300に対向す
る領域に、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空
間を確保した状態で、その空間を密封可能な圧電素子保
持部22が設けられており、圧電素子300は、この圧
電素子保持部22内に密封されている。
Further, on the elastic film 50 and the lower electrode film 60 on which the piezoelectric element 300 is formed, as shown in FIGS. 1 and 2, the nozzles communicating with the respective pressure generating chambers 12 through the nozzle communicating holes 52. A nozzle plate 20 having an opening 21 is provided. This nozzle plate 20 is, for example,
A piezoelectric element holding portion 22 that is made of a single crystal silicon substrate and is capable of sealing the space in a region facing the piezoelectric element 300 is provided in a state where a space that does not hinder the movement of the piezoelectric element 300 is secured. The piezoelectric element 300 is sealed in the piezoelectric element holding portion 22.

【0078】ここで、インク滴吐出圧力をインクに与え
る圧力発生室12の大きさと、インク滴を吐出するノズ
ル開口21の大きさとは、吐出するインク滴の量、吐出
スピード、吐出周波数に応じて最適化される。例えば、
1インチ当たり360個のインク滴を記録する場合、ノ
ズル開口21は数十μmの直径で精度よく形成する必要
がある。
Here, the size of the pressure generating chamber 12 that applies the ink droplet ejection pressure to the ink and the size of the nozzle opening 21 that ejects the ink droplet depend on the amount of the ejected ink droplet, the ejection speed, and the ejection frequency. Optimized. For example,
When recording 360 ink drops per inch, it is necessary to accurately form the nozzle openings 21 with a diameter of several tens of μm.

【0079】このようなノズルプレート20は、弾性膜
50及び下電極膜60上に接着剤等によって固着される
が、その際、弾性膜50及び下電極膜60に形成された
ノズル連通孔52の内面がこの接着剤で覆われるように
するのが好ましい。これにより、インク連通孔52の内
面が保護され、弾性膜50又は下電極膜60の剥がれ等
を防止することができる。
The nozzle plate 20 as described above is fixed on the elastic film 50 and the lower electrode film 60 with an adhesive or the like. At this time, the nozzle communication holes 52 formed in the elastic film 50 and the lower electrode film 60 are formed. The inner surface is preferably covered with this adhesive. This protects the inner surface of the ink communication hole 52 and prevents the elastic film 50 or the lower electrode film 60 from peeling off.

【0080】このように、本実施形態では、ノズル開口
21が穿設されたノズルプレート20を流路形成基板1
0の圧電素子300側に設けるようにしたので、圧力発
生室12は流路形成基板10を貫通することなく形成さ
れていてもよい。したがって、圧力発生室12を比較的
薄く形成して各圧力発生室12を区画する隔壁11の剛
性を高めることができ、複数の圧力発生室12を高密度
に配列することができる。さらに、隔壁11のコンプラ
イアンスが小さくなり、インクの吐出特性が向上する。
As described above, in this embodiment, the nozzle plate 20 having the nozzle openings 21 is formed in the flow path forming substrate 1.
The pressure generating chamber 12 may be formed without penetrating the flow path forming substrate 10, because the pressure generating chamber 12 is provided on the piezoelectric element 300 side of No. 0. Therefore, the pressure generating chambers 12 can be formed relatively thin to increase the rigidity of the partition walls 11 that partition the pressure generating chambers 12, and the plurality of pressure generating chambers 12 can be arranged at high density. Furthermore, the compliance of the partition wall 11 is reduced, and the ink ejection characteristics are improved.

【0081】また、流路形成基板10の厚さを比較的厚
くできるため、大きなサイズのウェハとしても取り扱い
が容易となる。したがって、ウェハ一枚当たりのチップ
の取り数を増加することができ、製造コストを低減する
ことができる。また、チップサイズを大きくできるの
で、長尺のヘッドも製造することができる。さらには、
流路形成基板の反りの発生も抑えられ、他の部材と接合
する際に位置合わせが容易となり、接合後も、圧電素子
の特性変化が抑えられてインク吐出特性が安定する。
Further, since the flow path forming substrate 10 can be made relatively thick, it becomes easy to handle even a large size wafer. Therefore, the number of chips taken per wafer can be increased, and the manufacturing cost can be reduced. Further, since the chip size can be increased, a long head can be manufactured. Moreover,
The occurrence of warpage of the flow path forming substrate is also suppressed, alignment is facilitated when bonding with other members, and even after bonding, changes in the characteristics of the piezoelectric element are suppressed and ink ejection characteristics are stabilized.

【0082】さらに、本実施形態では、流路形成基板1
0の一方面側の表層部に圧力発生室12を形成し、他方
面側に各圧力発生室12に連通するリザーバ15を形成
するようにした。これにより、各圧力発生室12の容積
に対して、リザーバ15の容積を十分に大きく形成する
ことができ、リザーバ15内のインク自体にコンプライ
アンスを持たせることができる。したがって、別途、リ
ザーバ15内の圧力変化を吸収するための基板等を設け
る必要がなく、構造を簡略化して製造コストを低減する
ことができる。
Further, in this embodiment, the flow path forming substrate 1
The pressure generating chamber 12 is formed on the surface layer portion on the one surface side of 0, and the reservoir 15 communicating with each pressure generating chamber 12 is formed on the other surface side. As a result, the volume of the reservoir 15 can be made sufficiently large with respect to the volume of each pressure generating chamber 12, and the ink itself in the reservoir 15 can have compliance. Therefore, it is not necessary to separately provide a substrate or the like for absorbing the pressure change in the reservoir 15, and the structure can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.

【0083】なお、このようなインクジェット式記録ヘ
ッドの製造方法は、特に限定されないが、以下に説明す
るような工程で形成することができる。
The method for manufacturing such an ink jet recording head is not particularly limited, but it can be formed by the steps described below.

【0084】まず、図3(a)に示すように、流路形成
基板10となるシリコン単結晶板の一方面側に、例え
ば、酸化シリコンからなる所定形状のマスクを用いて異
方性エッチングすることにより圧力発生室12、インク
連通部13及び狭隘部14を形成する。なお、圧電素子
を駆動するための駆動回路16は、流路形成基板10に
例えば、半導体プロセスによって予め一体的に形成され
ている。
First, as shown in FIG. 3A, one surface of the silicon single crystal plate which becomes the flow path forming substrate 10 is anisotropically etched using a mask of a predetermined shape made of, for example, silicon oxide. As a result, the pressure generating chamber 12, the ink communicating portion 13, and the narrow portion 14 are formed. The drive circuit 16 for driving the piezoelectric element is previously integrally formed on the flow path forming substrate 10 by, for example, a semiconductor process.

【0085】次に、図3(b)に示すように、流路形成
基板10に形成された圧力発生室12、インク連通部1
3及び狭隘部14に犠牲層100を充填する。例えば、
本実施形態では、流路形成基板10の全面に亘って犠牲
層100を圧力発生室12等の深さと略同一厚さで形成
した後、圧力発生室12、インク連通部13及び狭隘部
14以外の犠牲層100をケミカル・メカニカル・ポリ
ッシュ(CMP)により除去することにより形成した。
Next, as shown in FIG. 3B, the pressure generating chamber 12 formed in the flow path forming substrate 10 and the ink communicating portion 1 are formed.
3 and the narrow portion 14 are filled with the sacrificial layer 100. For example,
In the present embodiment, after the sacrificial layer 100 is formed over the entire surface of the flow path forming substrate 10 to have a thickness substantially the same as the depth of the pressure generating chamber 12, the pressure generating chamber 12, the ink communicating portion 13, and the narrow portion 14 are excluded. The sacrificial layer 100 was formed by removing it by chemical mechanical polishing (CMP).

【0086】このような犠牲層100の材料は、特に限
定されないが、例えば、ポリシリコン又はリンドープ酸
化シリコン(PSG)等を用いればよく、本実施形態で
は、エッチングレートが比較的速いPSGを用いた。
The material of such a sacrificial layer 100 is not particularly limited, but polysilicon, phosphorus-doped silicon oxide (PSG) or the like may be used. In this embodiment, PSG having a relatively high etching rate is used. .

【0087】なお、犠牲層100の形成方法は特に限定
されず、例えば1μm以下の超微粒子をヘリウム(H
e)等のガスの圧力によって高速で基板に衝突させるこ
とにより成膜するいわゆるガスデポジション法あるいは
ジェットモールディング法と呼ばれる方法を用いてもよ
い。この方法では、圧力発生室12、インク連通部13
及び狭隘部14に対応する領域のみに犠牲層100を部
分的に形成することができる。
The method for forming the sacrificial layer 100 is not particularly limited. For example, ultrafine particles of 1 μm or less can be converted into helium (H
A so-called gas deposition method or jet molding method may be used in which a film is formed by colliding with a substrate at a high speed by the pressure of gas such as e). In this method, the pressure generating chamber 12 and the ink communicating portion 13
Also, the sacrificial layer 100 can be partially formed only in the region corresponding to the narrow portion 14.

【0088】次に、図3(c)に示すように、流路形成
基板10及び犠牲層100上に弾性膜50を形成する。
また、本実施形態では、流路形成基板10の他方面側
に、リザーバ15を形成する際のマスクとなる保護膜5
5を形成する。例えば、本実施形態では、流路形成基板
10の両面にジルコニウム層を形成後、例えば、500
〜1200℃の拡散炉で熱酸化して酸化ジルコニウムか
らなる弾性膜50及び保護膜55とした。
Next, as shown in FIG. 3C, the elastic film 50 is formed on the flow path forming substrate 10 and the sacrificial layer 100.
Further, in the present embodiment, the protective film 5 serving as a mask when the reservoir 15 is formed on the other surface side of the flow path forming substrate 10.
5 is formed. For example, in the present embodiment, after forming the zirconium layers on both surfaces of the flow path forming substrate 10, for example, 500
The elastic film 50 and the protective film 55 made of zirconium oxide were thermally oxidized in a diffusion furnace at ˜1200 ° C.

【0089】なお、弾性膜50及び保護膜55の材料
は、特に限定されず、リザーバ15を形成する工程及び
犠牲層100を除去する工程でエッチングされない材料
であればよい。また、これら弾性膜50及び保護膜55
は、異なる材料で形成するようにしてもよい。さらに、
保護膜55は、リザーバ15を形成する前であれば、何
れの工程で形成してもよい。
The material of the elastic film 50 and the protective film 55 is not particularly limited, and may be any material that is not etched in the step of forming the reservoir 15 and the step of removing the sacrificial layer 100. In addition, the elastic film 50 and the protective film 55
May be made of different materials. further,
The protective film 55 may be formed in any step as long as it is before forming the reservoir 15.

【0090】次に、各圧力発生室12に対応して弾性膜
50上に圧電素子300を形成する。
Next, the piezoelectric element 300 is formed on the elastic film 50 so as to correspond to each pressure generating chamber 12.

【0091】圧電素子300を形成する工程としては、
まず、図3(d)に示すように、スパッタリングで下電
極膜60を流路形成基板10の圧力発生室12側に全面
に亘って形成すると共に所定形状にパターニングする。
この下電極膜60の材料としては、白金、イリジウム等
が好適である。これは、スパッタリング法やゾル−ゲル
法で成膜する後述の圧電体層70は、成膜後に大気雰囲
気下又は酸素雰囲気下で600〜1000℃程度の温度
で焼成して結晶化させる必要があるからである。すなわ
ち、下電極膜60の材料は、このような高温、酸化雰囲
気下で導電性を保持できなければならず、殊に、圧電体
層70としてチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)を用いた
場合には、酸化鉛の拡散による導電性の変化が少ないこ
とが望ましく、これらの理由から白金、イリジウムが好
適である。
The steps of forming the piezoelectric element 300 include
First, as shown in FIG. 3D, the lower electrode film 60 is formed over the entire surface of the flow path forming substrate 10 on the pressure generating chamber 12 side by sputtering and patterned into a predetermined shape.
Platinum, iridium or the like is suitable as a material for the lower electrode film 60. This is because the piezoelectric layer 70 described later, which is formed by the sputtering method or the sol-gel method, needs to be crystallized by baking at a temperature of about 600 to 1000 ° C. in the air atmosphere or the oxygen atmosphere after the film formation. Because. That is, the material of the lower electrode film 60 must be able to maintain the conductivity under such a high temperature and oxidizing atmosphere, and especially when lead zirconate titanate (PZT) is used as the piezoelectric layer 70. It is desirable that there be little change in conductivity due to diffusion of lead oxide, and for these reasons, platinum and iridium are preferable.

【0092】次に、図4(a)に示すように、圧電体層
70を成膜する。例えば、本実施形態では、金属有機物
を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲ
ル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からな
る圧電体層70を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて
形成した。圧電体層70の材料としては、PZT系の材
料がインクジェット式記録ヘッドに使用する場合には好
適である。なお、この圧電体層70の成膜方法は、特に
限定されず、例えば、スパッタリング法又はMOD法
(有機金属熱塗布分解法)等のスピンコート法により成
膜してもよい。
Next, as shown in FIG. 4A, the piezoelectric layer 70 is formed. For example, in the present embodiment, a so-called sol-gel method is used in which a so-called sol in which a metal organic material is dissolved and dispersed in a catalyst is applied, dried, gelled, and fired at a high temperature to obtain a piezoelectric layer 70 made of a metal oxide. Was formed using. As the material of the piezoelectric layer 70, a PZT-based material is suitable when it is used in an inkjet recording head. The method of forming the piezoelectric layer 70 is not particularly limited, and may be formed by a spin coating method such as a sputtering method or a MOD method (organic metal thermal coating decomposition method).

【0093】さらに、ゾル−ゲル法又はスパッタリング
法もしくはMOD法等によりチタン酸ジルコン酸鉛の前
駆体膜を形成後、アルカリ水溶液中での高圧処理法にて
低温で結晶成長させる方法を用いてもよい。
Furthermore, after forming a lead zirconate titanate precursor film by a sol-gel method, a sputtering method, a MOD method, or the like, a method of growing crystals at a low temperature by a high-pressure treatment method in an alkaline aqueous solution may be used. Good.

【0094】何れにしても、このように成膜された圧電
体層70は、バルクの圧電体とは異なり結晶が優先配向
しており、且つ本実施形態では、圧電体層70は、結晶
が柱状に形成されている。なお、優先配向とは、結晶の
配向方向が無秩序ではなく、特定の結晶面がほぼ一定の
方向に向いている状態をいう。また、結晶が柱状の薄膜
とは、略円柱体の結晶が中心軸を厚さ方向に略一致させ
た状態で面方向に亘って集合して薄膜を形成している状
態をいう。勿論、優先配向した粒状の結晶で形成された
薄膜であってもよい。なお、このように薄膜工程で製造
された圧電体層の厚さは、一般的に0.2〜5μmであ
る。
In any case, in the piezoelectric layer 70 thus formed, the crystal is preferentially oriented unlike the bulk piezoelectric body, and in the present embodiment, the piezoelectric layer 70 has the crystal. It has a columnar shape. Note that the preferential orientation means that the crystal orientation direction is not disordered, and a specific crystal plane is oriented in a substantially constant direction. Further, a thin film having a columnar crystal means a state in which crystals having a substantially columnar body are aggregated in a plane direction with the central axes substantially aligned with the thickness direction to form a thin film. Of course, it may be a thin film formed of preferentially oriented granular crystals. The thickness of the piezoelectric layer manufactured in the thin film process is generally 0.2 to 5 μm.

【0095】次に、図4(b)に示すように、上電極膜
80を成膜する。上電極膜80は、導電性の高い材料で
あればよく、アルミニウム、金、ニッケル、白金等の多
くの金属や、導電性酸化物等を使用できる。本実施形態
では、白金をスパッタリングにより成膜している。
Next, as shown in FIG. 4B, the upper electrode film 80 is formed. The upper electrode film 80 may be made of a material having high conductivity, and many metals such as aluminum, gold, nickel and platinum, and a conductive oxide can be used. In this embodiment, platinum is deposited by sputtering.

【0096】次いで、図4(c)に示すように、圧電体
層70及び上電極膜80のみをエッチングして圧電素子
300のパターニングを行う。また、本実施形態では、
同時に、駆動回路16に対向する領域の弾性膜50を除
去することにより、各圧電素子300との接続部となる
接続孔51を形成すると共に、圧力発生室12の長手方
向のインク連通部13とは反対側の端部近傍の弾性膜5
0及び下電極膜60をパターニングしてノズル連通孔5
2を形成する。
Next, as shown in FIG. 4C, only the piezoelectric layer 70 and the upper electrode film 80 are etched to pattern the piezoelectric element 300. Further, in this embodiment,
At the same time, the elastic film 50 in the area facing the drive circuit 16 is removed to form the connection hole 51 to be a connection portion with each piezoelectric element 300, and to connect the ink communication portion 13 in the longitudinal direction of the pressure generating chamber 12. Is an elastic film 5 near the opposite end
0 and the lower electrode film 60 are patterned to form the nozzle communication hole 5
Form 2.

【0097】次に、図4(d)に示すように、リード電
極90を流路形成基板10の全面に亘って形成すると共
に、各圧電素子300毎にパターニングし、接続孔51
を介して、各圧電素子300の上電極膜80と駆動回路
16とをそれぞれ電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 4D, the lead electrode 90 is formed over the entire surface of the flow path forming substrate 10 and is patterned for each piezoelectric element 300 to form the connection hole 51.
The upper electrode film 80 of each piezoelectric element 300 and the drive circuit 16 are electrically connected via the.

【0098】次に、図5(a)に示すように、流路形成
基板10の圧力発生室12とは反対側の面に設けられた
保護膜55のリザーバ15となる領域をパターニングに
より除去して開口部56を形成すると共に、この開口部
56からインク連通部13に達するまで異方性エッチン
グ(ウェットエッチング)することにより、リザーバ1
5を形成する。なお、本実施形態では、圧電素子300
を形成後にリザーバ15を形成するようにしたが、これ
に限定されず、何れの工程で形成してもよい。
Next, as shown in FIG. 5A, the region of the protective film 55 provided on the surface of the flow path forming substrate 10 opposite to the pressure generating chamber 12 and serving as the reservoir 15 is removed by patterning. The opening 56 is formed by the anisotropic etching (wet etching) until the ink communicating portion 13 is reached from the opening 56.
5 is formed. In the present embodiment, the piezoelectric element 300
Although the reservoir 15 is formed after forming the above, the present invention is not limited to this and may be formed in any step.

【0099】次に、図5(b)に示すように、リザーバ
15からウェットエッチング又は蒸気によるエッチング
によって犠牲層100を除去する。本実施形態では、犠
牲層100の材料として、PSGを用いているため、弗
酸水溶液によってエッチングした。なお、ポリシリコン
を用いた場合には、弗酸及び硝酸の混合水溶液、あるい
は水酸化カリウム水溶液によってエッチングすることが
できる。
Next, as shown in FIG. 5B, the sacrificial layer 100 is removed from the reservoir 15 by wet etching or etching with steam. In this embodiment, since PSG is used as the material of the sacrificial layer 100, the sacrificial layer 100 is etched with an aqueous solution of hydrofluoric acid. When polysilicon is used, it can be etched with a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and nitric acid or an aqueous potassium hydroxide solution.

【0100】以上のような工程で、圧力発生室12及び
圧電素子300が形成され、その後、図5(c)に示す
ように、流路形成基板10の圧電素子300側にノズル
開口21が穿設されたノズルプレート20を接着剤等に
よって固定する。
The pressure generating chamber 12 and the piezoelectric element 300 are formed by the steps as described above, and then the nozzle opening 21 is formed on the side of the piezoelectric element 300 of the flow path forming substrate 10 as shown in FIG. 5C. The nozzle plate 20 provided is fixed with an adhesive or the like.

【0101】このような本実施形態のインクジェット式
記録ヘッドは、図示しない外部インク供給手段からリザ
ーバ15にインクを取り込み、リザーバ15からノズル
開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回
路16からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応す
るそれぞれの下電極膜60と上電極膜80との間に電圧
を印加し、弾性膜50、下電極膜60及び圧電体層70
をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の
圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。
In the ink jet recording head of this embodiment as described above, the ink is taken into the reservoir 15 from the external ink supply means (not shown), and the interior from the reservoir 15 to the nozzle opening 21 is filled with the ink, and then the drive circuit 16 is provided. A voltage is applied between the lower electrode film 60 and the upper electrode film 80 corresponding to the pressure generating chamber 12 according to the recording signal from the elastic film 50, the lower electrode film 60, and the piezoelectric layer 70.
By flexurally deforming the ink, the pressure in each pressure generating chamber 12 increases, and an ink droplet is ejected from the nozzle opening 21.

【0102】なお、本実施形態では、インク連通部13
及び狭隘部14を介して各圧力発生室12とリザーバ1
5とを連通するようにしたが、これに限定されず、例え
ば、図6に示すように、各圧力発生室12とリザーバ1
5とを直接連通するようにしてもよい。
In this embodiment, the ink communicating portion 13 is used.
And each pressure generating chamber 12 and the reservoir 1 via the narrow portion 14.
5 are communicated with each other, but the invention is not limited to this. For example, as shown in FIG.
5 may be directly communicated.

【0103】また、本実施形態では、狭隘部14を圧力
発生室12よりも細い幅で形成して、圧力発生室12の
インクの流出入を制御するようにしたが、これに限定さ
れず、例えば、図7に示すように、圧力発生室12と同
一幅として、深さを調整した狭隘部14Aとしてもよ
い。
Further, in the present embodiment, the narrow portion 14 is formed to have a width narrower than that of the pressure generating chamber 12 to control the inflow and outflow of the ink into the pressure generating chamber 12, but the invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 7, a narrow portion 14A having the same width as the pressure generating chamber 12 and a depth adjusted may be used.

【0104】(実施形態2)図8は、実施形態2に係る
インクジェット式記録ヘッドの断面図である。
(Second Embodiment) FIG. 8 is a sectional view of an ink jet recording head according to a second embodiment.

【0105】本実施形態は、複数層の流路形成基板を用
いた例であり、図8に示すように、絶縁層111と、こ
の絶縁層111の両側に設けられた第1及び第2のシリ
コン層112,113とからなるSOI基板を流路形成
基板10Aとして用いた例である。
This embodiment is an example using a plurality of layers of flow path forming substrates, and as shown in FIG. 8, an insulating layer 111 and first and second insulating layers 111 provided on both sides of the insulating layer 111. This is an example in which an SOI substrate including silicon layers 112 and 113 is used as the flow path forming substrate 10A.

【0106】すなわち、第2のシリコン層113よりも
膜厚の薄い第1のシリコン層112を絶縁層111に達
するまでエッチングして圧力発生室12、インク連通部
13及び狭隘部14を形成し、第2のシリコン層113
を絶縁層111に達するまでエッチングしてリザーバ1
5を形成すると共に、絶縁層111のリザーバ15の底
面に対応する部分に貫通部111aを形成した以外は、
実施形態1と同様である。
That is, the first silicon layer 112, which is thinner than the second silicon layer 113, is etched until it reaches the insulating layer 111 to form the pressure generating chamber 12, the ink communicating portion 13 and the narrow portion 14, Second silicon layer 113
Of the reservoir 1 until the insulating layer 111 is reached.
5 is formed, and the penetrating portion 111a is formed in the portion of the insulating layer 111 corresponding to the bottom surface of the reservoir 15,
It is similar to the first embodiment.

【0107】このような実施形態2の構成においても、
勿論、実施形態1と同様の効果を得ることができる。
Even in the structure of the second embodiment,
Of course, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

【0108】(実施形態3)図9は、実施形態3に係る
インクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、
図10は、インクジェット式記録ヘッドの1つの圧力発
生室の長手方向における断面構造を示す図及びそのA−
A’断面図である。
(Third Embodiment) FIG. 9 is an exploded perspective view showing an ink jet recording head according to a third embodiment.
FIG. 10 is a view showing a cross-sectional structure in the longitudinal direction of one pressure generating chamber of the ink jet recording head and its A-.
It is an A'sectional view.

【0109】本実施形態は、複数層で構成される流路形
成基板を用いた他の例であり、図示するように、流路形
成基板10Bは、ポリシリコン層111Aと、このポリ
シリコン層111Aの両面に設けられた第1及び第2の
シリコン層112,113とからなる。
This embodiment is another example using a flow path forming substrate composed of a plurality of layers. As shown in the figure, the flow path forming substrate 10B includes a polysilicon layer 111A and this polysilicon layer 111A. And the first and second silicon layers 112 and 113 provided on both surfaces of the.

【0110】この流路形成基板10Bを構成する一方の
シリコン層、本実施形態では第1のシリコン層112に
は、例えば、異方性エッチングすることにより複数の隔
壁11により区画された圧力発生室12が幅方向に並設
されている。また、各圧力発生室12の長手方向一端部
には、インク連通部13が形成され、各圧力発生室12
の長手方向一端部とそれぞれ狭隘部14を介して連通し
ている。
In one of the silicon layers constituting the flow path forming substrate 10B, the first silicon layer 112 in the present embodiment, for example, a pressure generating chamber partitioned by a plurality of partition walls 11 by anisotropic etching. 12 are juxtaposed in the width direction. Further, an ink communicating portion 13 is formed at one longitudinal end of each pressure generating chamber 12, and each pressure generating chamber 12 is formed.
And one end in the longitudinal direction of each of them through the narrow portion 14.

【0111】また、他方のシリコン層、本実施形態で
は、第2のシリコン層113には、この第2のシリコン
層113を厚さ方向に貫通して、インク連通部13に連
通するリザーバ15が形成されている。また、ポリシリ
コン層111Aとの接合面側の圧力発生室12、インク
連通部13及び狭隘部14に対向する領域で、且つリザ
ーバ15が連通される部分を除く領域には、ボロンがド
ーピングされたボロンドープシリコン層113aが形成
されている。
Further, in the other silicon layer, in the present embodiment, the second silicon layer 113, there is provided a reservoir 15 which penetrates the second silicon layer 113 in the thickness direction and communicates with the ink communicating portion 13. Has been formed. Further, boron is doped in a region facing the pressure generating chamber 12, the ink communicating portion 13 and the narrow portion 14 on the side of the surface to be joined to the polysilicon layer 111A and excluding a portion communicating with the reservoir 15. A boron-doped silicon layer 113a is formed.

【0112】このような流路形成基板10Bを構成する
第1及び第2のシリコン層112,113は、本実施形
態では、それぞれ面方位(100)のシリコン単結晶基
板からなる。このため、圧力発生室12の幅方向側面1
2aが、圧電素子300側ほど幅狭となるように傾斜す
る傾斜面となっており、圧力発生室12内の流路抵抗が
抑えられている。
In the present embodiment, the first and second silicon layers 112 and 113 constituting such a flow path forming substrate 10B are each made of a silicon single crystal substrate having a plane orientation (100). Therefore, the side surface 1 in the width direction of the pressure generating chamber 12
2a is an inclined surface that is inclined so as to become narrower on the piezoelectric element 300 side, and the flow path resistance in the pressure generating chamber 12 is suppressed.

【0113】一方、これら第1及び第2のシリコン層1
12,113に挟持されているポリシリコン層111A
には、本実施形態では、所定の領域にボロンをドーピン
グしたボロンドープポリシリコン層111aが形成され
ており、このボロンドープポリシリコン層111aによ
り第1のシリコン層112に形成する圧力発生室12の
エッチング選択性を持たせている。すなわち、第1及び
第2のシリコン層112,113との間には、実質的に
ボロンドープポリシリコン層111aのみが挟持されて
いることになる。なお、このポリシリコン層111Aと
第1のシリコン層112との間に酸化シリコン層を設け
るようにしてもよく、これにより、高精度なポリシリコ
ン層111Aのエッチング選択性を得ることができる。
On the other hand, these first and second silicon layers 1
Polysilicon layer 111A sandwiched between 12 and 113
In the present embodiment, a boron-doped polysilicon layer 111a doped with boron is formed in a predetermined region in the present embodiment, and the boron-doped polysilicon layer 111a forms a pressure generation chamber 12 in the first silicon layer 112. It has etching selectivity. That is, substantially only the boron-doped polysilicon layer 111a is sandwiched between the first and second silicon layers 112 and 113. Note that a silicon oxide layer may be provided between the polysilicon layer 111A and the first silicon layer 112, which makes it possible to obtain highly accurate etching selectivity of the polysilicon layer 111A.

【0114】また、流路形成基板10Bを構成する第1
のシリコン層112の表面には、第1のシリコン層11
2を予め熱酸化することにより形成した保護膜55Aが
形成され、この保護膜55A上に、上述の実施形態と同
様に、弾性膜50を介して、下電極膜60、圧電体膜7
0及び上電極膜80からなる圧電素子300が形成され
ている。
In addition, the first constituent of the flow path forming substrate 10B
Of the first silicon layer 11 on the surface of the silicon layer 112 of
A protective film 55A formed by previously thermally oxidizing 2 is formed, and the lower electrode film 60 and the piezoelectric film 7 are formed on the protective film 55A via the elastic film 50 as in the above-described embodiment.
A piezoelectric element 300 including 0 and the upper electrode film 80 is formed.

【0115】そして、流路形成基板10の圧電素子30
0側、本実施形態では、弾性膜50及び下電極膜60上
には、上述の実施形態と同様、ノズルプレート20が接
合されている。
Then, the piezoelectric element 30 of the flow path forming substrate 10
The nozzle plate 20 is bonded to the 0 side, in the present embodiment, on the elastic film 50 and the lower electrode film 60, as in the above-described embodiments.

【0116】このような実施形態3の構成においても、
勿論、上述の実施形態と同様の効果を得ることができ
る。
Also in the configuration of the third embodiment as described above,
Of course, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.

【0117】なお、本実施形態では、流路形成基板10
Bを構成する第1及び第2のシリコン層112,113
は、それぞれ面方位(100)のシリコン単結晶基板か
らなるが、これに限定されず、例えば、面方位(10
0)及び面方位(110)のシリコン単結晶基板であっ
てもよいし、それぞれ面方位(110)のシリコン単結
晶基板であってもよい。
In this embodiment, the flow path forming substrate 10 is used.
First and second silicon layers 112 and 113 forming B
Are each made of a silicon single crystal substrate having a plane orientation (100), but are not limited to this.
It may be a silicon single crystal substrate having (0) and a plane orientation (110), or may be a silicon single crystal substrate having a plane orientation (110).

【0118】また、第1及び第2のシリコン層112,
113が、それぞれ面方位(110)のシリコン単結晶
基板からなる場合には、図11に示すように、圧力発生
室12、インク連通部13及び狭隘部14の内側面(1
2a)は、流路形成基板10Bの表面に対して略垂直な
面で形成される。また、この構成の場合、狭隘部14の
流路抵抗は、例えば、その幅を調整することにより制御
することができる。
In addition, the first and second silicon layers 112,
In the case where each of 113 is made of a silicon single crystal substrate having a plane orientation (110), as shown in FIG. 11, the inner surface (1
2a) is formed by a surface substantially perpendicular to the surface of the flow path forming substrate 10B. Further, in the case of this configuration, the flow path resistance of the narrow portion 14 can be controlled by, for example, adjusting the width thereof.

【0119】さらに、圧電素子300を駆動するための
駆動ICの形成位置は、特に限定されず、上述の実施形
態と同様に、流路形成基板10B又はノズルプレート2
0に一体的に設けるようにすればよい。
Further, the formation position of the drive IC for driving the piezoelectric element 300 is not particularly limited, and the flow path forming substrate 10B or the nozzle plate 2 is the same as in the above embodiment.
It may be provided integrally with 0.

【0120】(実施形態4)図12は、実施形態4に係
るインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であ
り、図13は、図12の断面図である。
(Embodiment 4) FIG. 12 is an exploded perspective view showing an ink jet recording head according to Embodiment 4, and FIG. 13 is a sectional view of FIG.

【0121】本実施形態は、流路形成基板10として、
面方位(100)のシリコン単結晶基板を用い、犠牲層
を用いることなく圧力発生室を形成した例であり、図示
するように、この流路形成基板10の一方面側には、複
数の隔壁11により区画された断面が略三角形状の圧力
発生室12が幅方向に並設され、その長手方向一端部近
傍には、流路形成基板10をその他方面側から異方性エ
ッチングすることにより、各圧力発生室12の共通のイ
ンク室となるリザーバ15が形成されている。
In this embodiment, as the flow path forming substrate 10,
This is an example in which a silicon single crystal substrate having a plane orientation (100) is used and a pressure generating chamber is formed without using a sacrificial layer. As shown in the drawing, a plurality of partition walls are provided on one side of the flow path forming substrate 10. Pressure generating chambers 12 each having a substantially triangular cross section defined by 11 are arranged side by side in the width direction, and the flow path forming substrate 10 is anisotropically etched from the other side in the vicinity of one end in the longitudinal direction thereof. A reservoir 15 is formed which serves as a common ink chamber for each pressure generating chamber 12.

【0122】また、流路形成基板10上には、弾性膜5
0を介して下電極膜60、圧電体膜70及び上電極膜8
0からなる圧電素子300が形成されている。また、本
実施形態では、弾性膜50は、各圧力発生室15に対向
する領域に流路形成基板10側に突出する突出部50a
が圧力発生室15の長手方向に沿って形成されている。
The elastic film 5 is formed on the flow path forming substrate 10.
The lower electrode film 60, the piezoelectric film 70, and the upper electrode film 8
A piezoelectric element 300 of 0 is formed. Further, in the present embodiment, the elastic film 50 has the protruding portion 50 a that protrudes toward the flow path forming substrate 10 side in the region facing each pressure generating chamber 15.
Are formed along the longitudinal direction of the pressure generating chamber 15.

【0123】そして、流路形成基板10の圧電素子30
0側、本実施形態では、弾性膜50及び下電極膜60上
には、上述の実施形態と同様、ノズルプレート20が接
合されている。
Then, the piezoelectric element 30 of the flow path forming substrate 10
The nozzle plate 20 is bonded to the 0 side, in the present embodiment, on the elastic film 50 and the lower electrode film 60, as in the above-described embodiments.

【0124】ここで、本実施形態のインクジェット式記
録ヘッドの製造方法、特に、流路形成基板10に圧力発
生室12を形成するプロセスについて図14及び図15
を参照しながら説明する。
Here, a method of manufacturing the ink jet recording head of the present embodiment, particularly a process of forming the pressure generating chamber 12 in the flow path forming substrate 10 will be described with reference to FIGS. 14 and 15.
Will be described with reference to.

【0125】まず、図14(a)及び(b)に示すよう
に、シリコン単結晶基板からなる流路形成基板10の各
圧力発生室12が形成される領域に、圧力発生室12よ
りも狭い幅で、例えば、深さが約50〜100μmの略
長方形の溝部120を形成する。この溝部120の幅
は、約0.1〜3μm程度であることが好ましく、本実
施形態では、約1μmの幅で形成した。なお、この溝部
120の形成方法は、特に限定されず、例えば、ドライ
エッチング等で形成すればよい。
First, as shown in FIGS. 14A and 14B, the region of the flow path forming substrate 10 made of a silicon single crystal substrate in which the pressure generating chambers 12 are formed is narrower than the pressure generating chambers 12. A substantially rectangular groove 120 having a width of, for example, a depth of about 50 to 100 μm is formed. The width of the groove 120 is preferably about 0.1 to 3 μm, and in the present embodiment, it is formed to be about 1 μm. The method of forming the groove 120 is not particularly limited, and may be formed by dry etching or the like, for example.

【0126】次に、図14(c)及び(d)に示すよう
に、流路形成基板10の両面にそれぞれ、弾性膜50及
び保護膜55を形成する。
Next, as shown in FIGS. 14C and 14D, the elastic film 50 and the protective film 55 are formed on both surfaces of the flow path forming substrate 10, respectively.

【0127】ここで、流路形成基板10の溝部120側
に形成される弾性膜50は、その一部は溝部120内に
入り込んで形成されるため、弾性膜50の各圧力発生室
12に対向する領域には、溝部120と略同形状で流路
形成基板10側に突出する突出部50aが形成される。
Here, the elastic film 50 formed on the groove portion 120 side of the flow path forming substrate 10 is formed so as to partially penetrate into the groove portion 120, and therefore faces the pressure generating chambers 12 of the elastic film 50. In the region to be formed, a protruding portion 50a having substantially the same shape as the groove 120 and protruding toward the flow path forming substrate 10 side is formed.

【0128】次に、図 14(e)及び(f)に示すよ
うに、下電極膜60、圧電体膜70及び上電極膜80を
順次積層及びパターニングして圧電素子300を形成す
る。
Next, as shown in FIGS. 14E and 14F, the lower electrode film 60, the piezoelectric film 70, and the upper electrode film 80 are sequentially laminated and patterned to form the piezoelectric element 300.

【0129】その後、流路形成基板10であるシリコン
単結晶基板をアルカリ溶液等により異方性エッチングし
て、圧力発生室12等を形成する。
Thereafter, the silicon single crystal substrate which is the flow path forming substrate 10 is anisotropically etched with an alkaline solution or the like to form the pressure generating chamber 12 and the like.

【0130】詳しくは、まず、図15(a)及びそのB
−B’断面図である(b)に示すように、各圧力発生室
12の長手方向一端部となる領域の下電極膜60及び弾
性膜50を除去して、ノズル開口21に連通するノズル
連通孔52を形成する。これにより、流路形成基板10
の表面及び溝部120の長手方向一端部が露出される。
また、同時に、リザーバ15が形成される領域の保護膜
55を除去して開口部56を形成する。
Specifically, first, FIG. 15A and its B
As shown in FIG. 7B which is a cross-sectional view taken along the line B ′, the lower electrode film 60 and the elastic film 50 in the region that becomes one end in the longitudinal direction of each pressure generating chamber 12 are removed to communicate with the nozzle opening 21. The hole 52 is formed. Thereby, the flow path forming substrate 10
And the one end in the longitudinal direction of the groove 120 is exposed.
At the same time, the protective film 55 in the region where the reservoir 15 is formed is removed to form the opening 56.

【0131】その後、図15(c)及びそのB−B’断
面図である(d)に示すように、ノズル連通孔52を介
して流路形成基板10を、例えば、KOH等のアルカリ
溶液で異方性エッチングすることにより圧力発生室12
を形成する。ここで、異方性エッチングの際、アルカリ
溶液は、ノズル連通孔52を介して溝部120に流れ込
み、流路形成基板10は、この溝部120から徐々に浸
食されて圧力発生室12が形成される。また、流路形成
基板10は、結晶面方位(100)のシリコン単結晶基
板であるため、圧力発生室12の内側面は、流路形成基
板10の表面に対して、約54°傾斜した(111)面
で形成される。すなわち、この(111)面は、圧力発
生室12の実質的な底面であると共に、異方性エッチン
グの際のエッチングストップ面となり、圧力発生室12
はその横断面が略三角形状となるよう形成される。
After that, as shown in FIG. 15C and its sectional view taken along the line BB ′, FIG. 15D, the flow path forming substrate 10 is treated with an alkaline solution such as KOH through the nozzle communication hole 52. Pressure generation chamber 12 by anisotropic etching
To form. Here, during the anisotropic etching, the alkaline solution flows into the groove 120 through the nozzle communication hole 52, and the flow path forming substrate 10 is gradually eroded from the groove 120 to form the pressure generating chamber 12. . Further, since the flow path forming substrate 10 is a silicon single crystal substrate having a crystal plane orientation (100), the inner side surface of the pressure generating chamber 12 is inclined by about 54 ° with respect to the surface of the flow path forming substrate 10 ( 111) surface. That is, the (111) plane is a substantial bottom surface of the pressure generating chamber 12, and also serves as an etching stop surface during anisotropic etching.
Is formed so that its cross section has a substantially triangular shape.

【0132】また、このように圧力発生室15等を形成
後、図15(e)及びそのC−C’断面図である(f)
に示すように、流路形成基板10の圧電素子300とは
反対側の面から、保護膜55をマスクとしてエッチング
することにより、すなわち、開口部56を介して流路形
成基板10を異方性エッチングすることにより、圧力発
生室12に連通するリザーバ15を形成する。
After the pressure generating chamber 15 and the like are formed in this manner, FIG. 15 (e) and its sectional view taken along the line CC ′ (f).
As shown in FIG. 5, the flow path forming substrate 10 is anisotropically etched by etching from the surface of the flow path forming substrate 10 opposite to the piezoelectric element 300 using the protective film 55 as a mask. By etching, the reservoir 15 communicating with the pressure generating chamber 12 is formed.

【0133】このように、本実施形態では、圧力発生室
12を横断面が略三角形状となるように形成するように
したので、各圧力発生室12間の隔壁11の強度が著し
く増加する。したがって、圧力発生室12を高密度に配
設しても、クロストークが発生することが無く、インク
吐出特性を良好に保持することができる。
As described above, in the present embodiment, the pressure generating chambers 12 are formed so that the cross section has a substantially triangular shape, so that the strength of the partition wall 11 between the pressure generating chambers 12 is significantly increased. Therefore, even if the pressure generating chambers 12 are arranged at a high density, crosstalk does not occur and the ink ejection characteristics can be kept good.

【0134】また、流路形成基板10をエッチングによ
って貫通すること無く圧力発生室12を形成することが
できるため、本実施形態では、流路形成基板10の厚さ
を220μm程度としたが、それよりも厚いものであっ
てもよい。したがって、流路形成基板10を形成するウ
ェハを比較的大径としても、容易に取り扱うことができ
てコストダウンを図ることができる。
Further, since the pressure generating chamber 12 can be formed without penetrating the flow path forming substrate 10 by etching, the thickness of the flow path forming substrate 10 is set to about 220 μm in the present embodiment. It may be thicker than. Therefore, even if the wafer forming the flow path forming substrate 10 has a relatively large diameter, it can be easily handled and the cost can be reduced.

【0135】また、勿論、本実施形態の構成によって
も、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
Of course, with the configuration of this embodiment, the same effect as that of the above-described embodiments can be obtained.

【0136】なお、本実施形態では、弾性膜50の各圧
力発生室12に対応する部分に突出部50aが形成され
ているが、この突出部50aは、例えば、圧力発生室1
2のエッチングと同時に除去するようにしてもよい。さ
らに、例えば、図16に示すように、弾性膜50上に、
酸化ジルコニウム等からなる第2の弾性膜50Aを設け
ておき、圧力発生室12を異方性エッチングで形成する
際に、圧力発生室12に対向する領域の弾性膜50を完
全に除去するようにしてもよい。
In the present embodiment, the protruding portion 50a is formed in the portion of the elastic film 50 corresponding to each pressure generating chamber 12, but this protruding portion 50a is, for example, the pressure generating chamber 1
It may be removed simultaneously with the second etching. Further, for example, as shown in FIG. 16, on the elastic film 50,
A second elastic film 50A made of zirconium oxide or the like is provided so that the elastic film 50 in the region facing the pressure generating chamber 12 is completely removed when the pressure generating chamber 12 is formed by anisotropic etching. May be.

【0137】(実施形態5)図17は、実施形態5に係
るインクジェット式記録ヘッドの断面図である。
(Fifth Embodiment) FIG. 17 is a sectional view of an ink jet recording head according to a fifth embodiment.

【0138】本実施形態は、圧電素子を駆動するための
駆動回路をノズルプレートに一体的に設けた例であり、
図17に示すように、ノズルプレート20Aの流路形成
基板10との接合面側の圧電素子保持部22以外の領
域、本実施形態では、流路形成基板10の一端部近傍に
駆動回路16Aが一体的に形成されている。
The present embodiment is an example in which a drive circuit for driving the piezoelectric element is integrally provided on the nozzle plate.
As shown in FIG. 17, the drive circuit 16A is provided in a region of the nozzle plate 20A other than the piezoelectric element holding portion 22 on the joint surface side with the flow path forming substrate 10, in the present embodiment, in the vicinity of one end of the flow path forming substrate 10. It is formed integrally.

【0139】また、この駆動回路16Aと圧電素子30
0の上電極膜80とは、リード電極90を介して接続さ
れている。例えば、本実施形態では、リード電極90
は、上電極膜80上から弾性膜50上を下電極膜60と
は不連続の不連続下電極膜61近傍まで延設されてお
り、その端部と駆動回路16Aとが、異方性導電材(
CF)等からなる接続層110を介して電気的に接続さ
れている以外、実施形態1と同様である。
Further, the drive circuit 16A and the piezoelectric element 30
The upper electrode film 80 of 0 is connected via the lead electrode 90. For example, in the present embodiment, the lead electrode 90
Is extended from above the upper electrode film 80 to above the elastic film 50 to the vicinity of the discontinuous lower electrode film 61 which is discontinuous with the lower electrode film 60, and its end and the drive circuit 16A are anisotropically conductive. Material ( A
The second embodiment is the same as the first embodiment except that it is electrically connected via the connection layer 110 made of CF 4 ) or the like.

【0140】なお、本実施形態では、図18に示すよう
に、流路形成基板10上には、圧力発生室12の並設方
向の端部近傍に、駆動回路16AとFPC等の外部配線
120とを接続する接続配線130が形成されており、
駆動回路16Aと接続配線130とが、リード電極90
と同様に、接続層110を介して電気的に接続されてい
る。
In this embodiment, as shown in FIG. 18, the drive circuit 16A and the external wiring 120 such as the FPC are provided on the flow path forming substrate 10 near the end portion of the pressure generating chamber 12 in the arranging direction. The connection wiring 130 for connecting the
The drive circuit 16A and the connection wiring 130 form the lead electrode 90.
Similarly, the electrical connection is made through the connection layer 110.

【0141】このような本実施形態の構成としても、勿
論、上述の実施形態と同様の効果が得られる。また、本
実施形態では、ノズルプレート20と流路形成基板10
とを接合することにより、リード電極90及び接続配線
130と駆動回路16Aとを電気的に接続することがで
きるため、接続配線130の本数を低減することがで
き、ノズル開口21を増やして高密度に配設しても、F
PC等で取り出すことができる。
Even with such a configuration of this embodiment, the same effects as those of the above-described embodiments can be obtained. Further, in the present embodiment, the nozzle plate 20 and the flow path forming substrate 10 are
Since the lead electrodes 90 and the connection wirings 130 can be electrically connected to the drive circuit 16A by joining with, the number of the connection wirings 130 can be reduced, and the nozzle openings 21 can be increased to achieve high density. Even if it is installed in
It can be taken out with a PC or the like.

【0142】例えば、図19に示すように、流路形成基
板10の圧電素子300側に接合される接合基板に複数
の駆動回路16Aを設け、流路形成基板10の各駆動回
路16Aの両側に対応する領域に、それぞれ圧力発生室
12及び圧電素子300の列を設けるようにしてもよ
い。このような構成とすれば、高密度に配設した圧電素
子300からの配線をFPC等の外部配線120によっ
て容易に取り出すことができる。
For example, as shown in FIG. 19, a plurality of drive circuits 16A are provided on a bonding substrate bonded to the piezoelectric element 300 side of the flow path forming substrate 10, and both drive circuits 16A of the flow path forming substrate 10 are provided on both sides. The rows of the pressure generating chambers 12 and the piezoelectric elements 300 may be provided in the corresponding regions, respectively. With such a configuration, the wiring from the piezoelectric elements 300 arranged at high density can be easily taken out by the external wiring 120 such as an FPC.

【0143】(他の実施形態)以上、本発明の各実施形
態を説明したが、インクジェット式記録ヘッドの基本的
構成は上述したものに限定されるものではない。
(Other Embodiments) Although the respective embodiments of the present invention have been described above, the basic structure of the ink jet recording head is not limited to the above.

【0144】例えば、上述の実施形態では、圧電素子3
00を駆動するための駆動回路16又は16Aを流路形
成基板10又はノズルプレート20Aに一体的に設ける
ようにしたが、別途、流路形成基板10の近傍に設け、
例えば、ワイヤボンディング等により圧電素子300と
電気的に接続するようにしてもよい。
For example, in the above embodiment, the piezoelectric element 3
Although the drive circuit 16 or 16A for driving 00 is integrally provided on the flow path forming substrate 10 or the nozzle plate 20A, it is separately provided near the flow path forming substrate 10,
For example, the piezoelectric element 300 may be electrically connected by wire bonding or the like.

【0145】また、例えば、上述の各実施形態では、圧
力発生室が流路形成基板を貫通することなく形成された
例を説明したが、勿論、圧力発生室は流路形成基板を貫
通していてもよい。図20にその一例を示す。
Further, for example, in each of the above-described embodiments, an example in which the pressure generating chamber is formed without penetrating the flow path forming substrate has been described. However, of course, the pressure generating chamber penetrates the flow path forming substrate. May be. FIG. 20 shows an example thereof.

【0146】この実施形態では、図20に示すように、
流路形成基板10の圧電素子300とは反対側の面には
封止基板140が接合され、この封止基板140によっ
て圧力発生室12の一面が形成されている。また、この
封止基板140上には、圧力発生室12にインクを供給
するためのリザーバ15Aが形成されるリザーバ形成基
板150が接合されており、圧力発生室12とリザーバ
15Aとが封止基板140の圧力発生室12に対向する
領域に設けられた貫通孔141を介して連通されてい
る。
In this embodiment, as shown in FIG.
The sealing substrate 140 is bonded to the surface of the flow path forming substrate 10 opposite to the piezoelectric element 300, and the sealing substrate 140 forms one surface of the pressure generating chamber 12. A reservoir forming substrate 150, in which a reservoir 15A for supplying ink to the pressure generating chamber 12 is formed, is joined on the sealing substrate 140, and the pressure generating chamber 12 and the reservoir 15A are sealed substrates. They are communicated with each other via a through hole 141 provided in a region of the 140 which faces the pressure generating chamber 12.

【0147】さらに、リザーバ形成基板150には、封
止膜161及び固定板162とからなるコンプライアン
ス基板160が接合されている。封止膜161は、剛性
が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜161
によってリザーバ15Aの一方面が封止されている。ま
た、固定板162は、金属等の硬質の材料で形成され
る。この固定板162のリザーバ15Aに対向する領域
は、厚さ方向に完全に除去された開口部163となって
いるため、リザーバ15Aの一方面は可撓性を有する封
止膜161のみで封止され、内部圧力の変化によって変
形可能な可撓部164となっている。
Further, a compliance substrate 160 including a sealing film 161 and a fixing plate 162 is bonded to the reservoir forming substrate 150. The sealing film 161 is made of a material having low rigidity and flexibility.
The one surface of the reservoir 15A is sealed by. Further, the fixing plate 162 is formed of a hard material such as metal. Since the region of the fixing plate 162 facing the reservoir 15A is the opening 163 completely removed in the thickness direction, one surface of the reservoir 15A is sealed with only the flexible sealing film 161. The flexible portion 164 is deformable by the change in the internal pressure.

【0148】なお、このリザーバ15Aの長手方向略中
央部外側のコンプライアンス基板160上には、リザー
バ15Aにインクを供給するためのインク導入口165
が形成され、リザーバ形成基板150には、インク導入
口165とリザーバ15Aの側壁とを連通するインク導
入路151が設けられている。
An ink introducing port 165 for supplying ink to the reservoir 15A is provided on the compliance substrate 160 outside the central portion in the longitudinal direction of the reservoir 15A.
The reservoir forming substrate 150 is provided with an ink introducing passage 151 that connects the ink introducing port 165 and the side wall of the reservoir 15A.

【0149】また、上述の各実施形態では、成膜及びリ
ソグラフィプロセスを応用して製造される薄膜型のイン
クジェット式記録ヘッドを例にしたが、勿論これに限定
されるものではなく、例えば、グリーンシートを貼付す
る等の方法により形成される厚膜型のインクジェット式
記録ヘッドにも本発明を採用することができる。
Further, in each of the above-mentioned embodiments, the thin film type ink jet recording head manufactured by applying the film formation and the lithographic process is taken as an example. However, the present invention is not limited to this, and, for example, green. The present invention can also be applied to a thick film type ink jet recording head formed by a method such as attaching a sheet.

【0150】また、これら各実施形態のインクジェット
式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するイン
ク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成し
て、インクジェット式記録装置に搭載される。図21
は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図
である。
The ink jet recording head of each of these embodiments constitutes a part of a recording head unit having an ink flow path communicating with an ink cartridge or the like, and is mounted on an ink jet recording apparatus. Figure 21
FIG. 3 is a schematic view showing an example of the inkjet recording apparatus.

【0151】図21に示すように、インクジェット式記
録ヘッドを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、
インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが
着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び
1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付け
られたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられてい
る。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、
それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物
を吐出するものとしている。
As shown in FIG. 21, the recording head units 1A and 1B having the ink jet recording head are
Cartridges 2A and 2B forming an ink supply unit are detachably provided, and a carriage 3 having the recording head units 1A and 1B mounted thereon is provided on a carriage shaft 5 attached to an apparatus main body 4 so as to be axially movable. There is. The recording head units 1A and 1B are, for example,
The black ink composition and the color ink composition are respectively discharged.

【0152】そして、駆動モータ6の駆動力が図示しな
い複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリ
ッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及
び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿っ
て移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に
沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ロ
ーラなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シ
ートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるように
なっている。
Then, the driving force of the driving motor 6 is transmitted to the carriage 3 via a plurality of gears (not shown) and the timing belt 7, so that the carriage 3 having the recording head units 1A and 1B mounted thereon follows the carriage shaft 5. Be moved. On the other hand, a platen 8 is provided on the apparatus body 4 along the carriage shaft 5, and a recording sheet S, which is a recording medium such as paper fed by a feed roller (not shown), is wound around the platen 8. It is designed to be transported.

【0153】[0153]

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、流路
形成基板の圧電素子側に設けられた接合基板にノズル開
口を設けるようにしたので、圧力発生室が流路形成基板
を貫通することなく形成されていてもよい。したがっ
て、圧力発生室を比較的薄く形成できるため、各圧力発
生室を区画する隔壁の剛性を高めることができる。これ
により、複数の圧力発生室を高密度に配列することがで
きる。また、接合基板が複数の役割を兼ねるため部品点
数を低減することができ、コストを削減することができ
る。
As described above, in the present invention, since the nozzle opening is provided in the bonding substrate provided on the piezoelectric element side of the flow path forming substrate, the pressure generating chamber penetrates the flow path forming substrate. It may be formed without. Therefore, since the pressure generating chambers can be formed to be relatively thin, the rigidity of the partition wall that partitions each pressure generating chamber can be increased. Thereby, a plurality of pressure generating chambers can be arranged at high density. In addition, since the bonded substrate serves multiple roles, the number of components can be reduced and the cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記
録ヘッドの概略を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an inkjet recording head according to a first embodiment of the invention.

【図2】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記
録ヘッドを示す図であり、図1の断面図及び平面図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing an ink jet recording head according to a first embodiment of the invention, and is a cross-sectional view and a plan view of FIG.

【図3】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記
録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the ink jet recording head according to the first embodiment of the invention.

【図4】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記
録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the inkjet recording head according to the first embodiment of the invention.

【図5】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記
録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the ink jet recording head according to the first embodiment of the invention.

【図6】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記
録ヘッドの変形例を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a modified example of the ink jet recording head according to the first embodiment of the invention.

【図7】本発明の実施形態1に係るインクジェット式記
録ヘッドの変形例を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a modified example of the ink jet recording head according to the first embodiment of the invention.

【図8】本発明の実施形態2に係るインクジェット式記
録ヘッドを示す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing an ink jet recording head according to a second embodiment of the invention.

【図9】本発明の実施形態3に係るインクジェット式記
録ヘッドの概略を示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view schematically showing an ink jet recording head according to a third embodiment of the invention.

【図10】本発明の実施形態3に係るインクジェット式
記録ヘッドを示す断面図である。
FIG. 10 is a sectional view showing an ink jet recording head according to a third embodiment of the invention.

【図11】本発明の実施形態3に係るインクジェット式
記録ヘッドの変形例を示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a modified example of the ink jet recording head according to the third embodiment of the invention.

【図12】本発明の実施形態4に係るインクジェット式
記録ヘッドの概略を示す斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view showing an outline of an ink jet recording head according to a fourth embodiment of the invention.

【図13】本発明の実施形態4に係るインクジェット式
記録ヘッドを示す断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing an ink jet recording head according to a fourth embodiment of the invention.

【図14】本発明の実施形態4に係るインクジェット式
記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the inkjet recording head according to the fourth embodiment of the invention.

【図15】本発明の実施形態4に係るインクジェット式
記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the ink jet recording head according to the fourth embodiment of the invention.

【図16】本発明の実施形態4に係るインクジェット式
記録ヘッドの変形例を示す断面図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view showing a modified example of the ink jet recording head according to the fourth embodiment of the invention.

【図17】本発明の実施形態5に係るインクジェット式
記録ヘッドを示す断面図である。
FIG. 17 is a sectional view showing an ink jet recording head according to a fifth embodiment of the invention.

【図18】本発明の実施形態5に係るインクジェット式
記録ヘッドの概略を示す上面図である。
FIG. 18 is a top view schematically showing an ink jet recording head according to a fifth embodiment of the invention.

【図19】本発明の実施形態5に係るインクジェット式
記録ヘッドの変形例を示す上面図である。
FIG. 19 is a top view showing a modified example of the ink jet recording head according to the fifth embodiment of the invention.

【図20】本発明の他の実施形態に係るインクジェット
式記録ヘッドを示す断面図である。
FIG. 20 is a cross-sectional view showing an ink jet recording head according to another embodiment of the invention.

【図21】本発明の一実施形態に係るインクジェット式
記録装置の概略図である。
FIG. 21 is a schematic diagram of an ink jet recording apparatus according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,10A,10B 流路形成基板 11 隔壁 12 圧力発生室 13 インク連通部 14 狭隘部 15 リザーバ 16,16A 駆動回路 20,20A ノズルプレート 21 ノズル開口 50 弾性膜 60 下電極膜 70 圧電体層 80 上電極膜 300 圧電素子 10, 10A, 10B Channel forming substrate 11 partitions 12 Pressure generation chamber 13 Ink communication part 14 narrow space 15 Reservoir 16,16A drive circuit 20,20A nozzle plate 21 nozzle opening 50 elastic membrane 60 Lower electrode film 70 Piezoelectric layer 80 Upper electrode film 300 Piezoelectric element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松沢 明 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイ コーエプソン株式会社内 (56)参考文献 特開 平9−57981(JP,A) 特開 平10−304685(JP,A) 特開 平10−226071(JP,A) 特開2000−158645(JP,A) 特開2000−289201(JP,A) 特開 平11−198375(JP,A) 特開 平9−323415(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B41J 2/16 B41J 2/045 B41J 2/055 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akira Matsuzawa 3-5 Yamato, Suwa City, Nagano Seiko Epson Corporation (56) References JP-A-9-57981 (JP, A) JP-A 10-304685 (JP, A) JP 10-226071 (JP, A) JP 2000-158645 (JP, A) JP 2000-289201 (JP, A) JP 11-198375 (JP, A) JP-A-9-323415 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) B41J 2/16 B41J 2/045 B41J 2/055

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 少なくとも単結晶シリコンからなるシリ
コン層を有しノズル開口に連通する圧力発生室が画成さ
れる流路形成基板と、前記圧力発生室の一部を構成する
振動板を介して前記圧力発生室に対向する領域に設けら
れて前記圧力発生室内に圧力変化を生じさせる圧電素子
とを具備するインクジェット式記録ヘッドにおいて、 前記流路形成基板の前記圧電素子側に接合される1枚の
単結晶シリコンからなる接合基板を有し、前記ノズル開
口が前記接合基板に設けられていると共に前記圧力発生
室が前記流路形成基板の一方面側に当該流路形成基板を
貫通することなく形成され、且つ前記圧力発生室にイン
クを供給するリザーバが前記流路形成基板の他方面側に
形成されていることを特徴とするインクジェット式記録
ヘッド。
1. A flow path forming substrate having a silicon layer made of at least single crystal silicon and defining a pressure generating chamber communicating with a nozzle opening, and a vibration plate forming a part of the pressure generating chamber. An ink jet recording head, comprising: a piezoelectric element that is provided in a region facing the pressure generating chamber and that causes a pressure change in the pressure generating chamber, wherein one sheet is bonded to the piezoelectric element side of the flow path forming substrate. Of the single crystal silicon, the nozzle opening is provided in the bonding substrate, and the pressure generating chamber does not penetrate the flow channel forming substrate on one side of the flow channel forming substrate. An ink jet recording head, wherein a reservoir that is formed and supplies ink to the pressure generating chamber is formed on the other surface side of the flow path forming substrate.
【請求項2】 請求項において、前記リザーバが前記
圧力発生室に直接連通していることを特徴とするインク
ジェット式記録ヘッド。
2. The ink jet recording head according to claim 1 , wherein the reservoir directly communicates with the pressure generating chamber.
【請求項3】 請求項において、前記流路形成基板の
一方面側には、前記圧力発生室の長手方向一端部に連通
するインク連通路が形成され、前記リザーバが、前記イ
ンク連通路に連通されていることを特徴とするインクジ
ェット式記録ヘッド。
3. The ink communication passage according to claim 1 , wherein an ink communication passage communicating with one longitudinal end of the pressure generating chamber is formed on one surface side of the flow passage formation substrate, and the reservoir is connected to the ink communication passage. An ink jet recording head characterized by being communicated.
【請求項4】 請求項において、前記インク連通路が
前記圧力発生室毎に設けられていることを特徴とするイ
ンクジェット式記録ヘッド。
4. The ink jet recording head according to claim 3 , wherein the ink communication passage is provided for each of the pressure generating chambers.
【請求項5】 請求項において、前記インク連通路が
前記圧力発生室の並設方向に亘って連続的に設けられて
いることを特徴とするインクジェット式記録ヘッド。
5. The ink jet recording head according to claim 3 , wherein the ink communication passage is continuously provided in a direction in which the pressure generating chambers are arranged in parallel.
【請求項6】 請求項1〜5の何れかにおいて、前記圧
力発生室の前記リザーバとは反対側の長手方向端部側
に、前記圧力発生室と前記ノズル開口とを連通するノズ
ル連通路が設けられていることを特徴とするインクジェ
ット式記録ヘッド。
6. In any one of claims 1 to 5, and the reservoir of the pressure generating chamber in the longitudinal end side of the opposite side, a nozzle communicating path communicating with said nozzle opening and the pressure generating chamber An inkjet recording head characterized in that it is provided.
【請求項7】 請求項において、前記ノズル連通路
が、前記振動板を除去することにより形成されているこ
とを特徴とするインクジェット式記録ヘッド。
7. The ink jet recording head according to claim 6 , wherein the nozzle communication passage is formed by removing the diaphragm.
【請求項8】 請求項6又は7において、前記ノズル連
通路の内面が、接着剤で覆われていることを特徴とする
インクジェット式記録ヘッド。
8. The ink jet recording head according to claim 6 or 7 , wherein an inner surface of the nozzle communication passage is covered with an adhesive.
【請求項9】 請求項1〜の何れかにおいて、前記接
合基板には集積回路が一体的に形成されていることを特
徴とするインクジェット式記録ヘッド。
9. The claim 1-8, an ink jet recording head to the bonding substrate integrated circuit is characterized in that it is formed integrally.
【請求項10】 請求項1〜9の何れかにおいて、前記
接合基板が、前記圧電素子に対向する領域に、その運動
を阻害しない程度の空間を確保した状態で当該空間を密
封可能な圧電素子保持部を有する封止基板であることを
特徴とするインクジェット式記録ヘッド。
10. In any one of claims 1 to 9, wherein the bonding substrate, the a region facing the piezoelectric element, a piezoelectric element capable sealing the space while securing a space so as not to inhibit the movement An ink jet recording head, which is a sealing substrate having a holding portion.
【請求項11】 請求項1〜10の何れかにおいて、前
記流路形成基板が、前記シリコン層のみからなることを
特徴とするインクジェット式記録ヘッド。
11. The claim 1-10, wherein the passage forming substrate, an ink jet recording head characterized by comprising only the silicon layer.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4340048B2 (en) 2001-08-28 2009-10-07 セイコーエプソン株式会社 Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus
JP2006347070A (en) * 2005-06-17 2006-12-28 Fujifilm Holdings Corp Liquid discharge head and image forming apparatus
US8562845B2 (en) * 2006-10-12 2013-10-22 Canon Kabushiki Kaisha Ink jet print head and method of manufacturing ink jet print head
JP5272344B2 (en) * 2007-05-08 2013-08-28 セイコーエプソン株式会社 Fluid ejecting head, fluid ejecting head manufacturing method, and fluid ejecting apparatus
JP5046819B2 (en) 2007-09-13 2012-10-10 キヤノン株式会社 Through-hole forming method and inkjet head
JP4645668B2 (en) 2008-03-24 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 Method for manufacturing ink jet recording head
JP4572351B2 (en) 2008-03-24 2010-11-04 セイコーエプソン株式会社 Method for manufacturing ink jet recording head
WO2009119707A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 日本碍子株式会社 Droplet ejecting device and method for manufacturing droplet ejecting device
JP4985615B2 (en) * 2008-10-30 2012-07-25 ブラザー工業株式会社 Method for manufacturing liquid transfer device
JP5851677B2 (en) * 2009-08-12 2016-02-03 ローム株式会社 Inkjet printer head
JP6029497B2 (en) * 2013-03-12 2016-11-24 エスアイアイ・プリンテック株式会社 Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus
JP6661892B2 (en) * 2015-05-25 2020-03-11 ブラザー工業株式会社 Liquid ejection device
GB2554381A (en) * 2016-09-23 2018-04-04 John Mcavoy Gregory Droplet ejector
JP7247764B2 (en) * 2019-06-05 2023-03-29 ブラザー工業株式会社 liquid ejection head
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