JP3493671B2 - Manufacturing method of film wiring board - Google Patents

Manufacturing method of film wiring board

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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】この発明はフィルム配線基板の製
造方法に関する。 【0002】 【従来の技術】フィルム配線基板の製造方法には、キャ
スティング法と呼ばれ、銅箔等からなる金属箔にポリイ
ミド前駆体を塗布して硬化させることによりポリイミド
層を形成し、この後金属箔を所定パターンにエッチング
してリードを形成する方法が知られている。ところで、
このような方法で製造されるフィルム配線基板におい
て、ポリイミド層にデバイスホールやスルホール等の開
口部を形成することが多い。 【0003】このような場合には、まず、図4(A)お
よび図5に示すように、銅箔等からなる金属箔1の上面
に形成されたポリイミド層2の上面に、所定の個所に開
口部3を有するエッチングレジスト層4を印刷やフォト
リソグラフィ等によって形成する。次に、ヒドラジン等
のアルカリエッチング液を用いてウェットエッチングを
行い、図4(B)に示すように、ポリイミド層2に開口
部5を形成する。この後、エッチングレジスト層4を剥
離すると、図4(C)および図6に示すように、ポリイ
ミド層2に開口部5が形成されたフィルム配線基板が得
られる。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなフィルム配線基板の製造方法では、ヒドラジ
ン等のアルカリエッチング液を用いてポリイミド層2を
ウェットエッチングしているので、等方性エッチングと
なり、エッチング加工精度が悪く、また開口部5の内壁
が垂直にならず、したがって開口部5の寸法精度が悪
く、また開口部5のエッジの強度が低いという問題があ
った。この発明の目的は、開口部の寸法精度を良くする
ことができ、また開口部のエッジの強度を高くすること
のできるフィルム配線基板の製造方法を提供することに
ある。 【0005】 【課題を解決するための手段】この発明は、金属箔の上
面にフォトレジストパターンを形成し、次いでこのフォ
トレジストパターンを含む前記金属箔の上面全体にポリ
イミド前駆体層またはポリイミド層を形成し、次いで少
なくとも前記フォトレジストパターンの上面が露出する
まで前記ポリイミド前駆体層またはポリイミド層をエッ
チングするとともに、前記フォトレジストパターンを除
去することにより、前記ポリイミド前駆体層またはポリ
イミド層に開口部を形成するようにしたものである。 【0006】 【作用】この発明によれば、金属箔の上面に形成したフ
ォトレジストパターンの外壁がほぼ垂直となり、この垂
直な外壁を有するフォトレジストパターンを除去するこ
とにより、ポリイミド前駆体層またはポリイミド層に開
口部を形成することになるので、開口部の形状がフォト
レジストパターンの形状に依存することとなり、したが
って開口部の寸法精度を良くすることができ、また開口
部の内壁がほぼ垂直となり、そのエッジの強度を高くす
ることができる。 【0007】 【実施例】図1(A)〜(D)はそれぞれこの発明の一
実施例におけるフィルム配線基板の各製造工程を示した
ものである。そこで、これらの図を順に参照しながら、
この実施例のフィルム配線基板の製造方法について説明
する。 【0008】まず、図1(A)およびその平面図の図2
に示すように、厚さ20μm程度の銅箔11の上面の所
定の個所(すなわち、後述するポリイミド層に形成する
開口部に対応した部分)にフォトプロセスにより厚さ2
5μm程度のポジ型フォトレジストパターン12を形成
する。ここで、ポジ型フォトレジストパターン12の外
壁はフォトプロセスにより形成されているためほぼ垂直
に形成される。次に、図1(B)に示すように、ポジ型
フォトレジストパターン12を含む銅箔11の上面全体
に、キャスティング法によりポリイミド前駆体であるポ
リアミド酸を30μm程度の厚さに塗布して半硬化(1
50℃程度の温度下で30分間程度の放置)させること
により、ポリアミド酸層13を形成する。 【0009】次に、図1(C)に示すように、紫外線を
照射しながら、ヒドラジン、エチレンジアミン、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリエッチング液
を用いてポリアミド酸層13を少なくともポジ型フォト
レジストパターン12の上面が露出するまでウェットエ
ッチングする。この場合、アルカリエッチング液でのエ
ッチングレートがポリアミド酸よりもポジ型フォトレジ
ストの方がはるかに速いので、ポジ型フォトレジストパ
ターン12の上面が露出された後、続いてポジ型フォト
レジストパターン12が直ちにエッチングされて除去さ
れ(図1(D)参照)、その間にポリアミド酸層13が
溶解されることはほとんどない。また、この場合のエッ
チングは、等方性エッチングであっても、全面エッチン
グであるので、エッチング加工精度が問題となることは
ない。さらに、このとき紫外線を照射する理由は、未露
光状態にあるポジ型フォトレジストパターン12を露光
して、ポジ型フォトレジストパターン12がアルカリエ
ッチング液に溶けやすくなるようにするためである。ま
た、フォトレジストとしてポジ型のものを用いる理由
は、ネガ型の場合ではアルカリエッチング液に溶けにく
いからである。 【0010】次に、ポリアミド酸層13をキュアしてポ
リイミド化すると、図1(D)およびその平面図の図3
に示すように、ポリイミド層14に開口部15が形成さ
れたフィルム配線基板が得られる。この場合のキュア工
程は、まず200℃程度の温度下で30分間程度の放置
を行ない、次いで250℃程度の温度下で30分間程度
の放置を行ない、次いで300℃程度の温度下で30分
間程度の放置を行ない、次いで350℃程度の温度下で
30分間程度の放置を行なう。 【0011】このようにして得られたフィルム配線基板
では、ほぼ垂直な外壁を有するポジ型フォトレジストパ
ターン12を含む銅箔11の上面全体にポリアミド酸層
13を形成し、次いで少なくともポジ型フォトレジスト
パターン12の上面が露出するまでポリアミド酸層13
をエッチングするとともに、ポジ型フォトレジストパタ
ーン12を除去することにより、ポリアミド酸層13お
よびそのポリアミド酸をキュアしてなるポリイミド層1
4に開口部15を形成しているので、開口部15の形状
がポジ型フォトレジストパターン12の形状に依存し、
したがって開口部15の寸法精度を良くすることがで
き、また開口部15の内壁がほぼ垂直となり、そのエッ
ジの強度を高くすることができる。 【0012】なお、上記実施例では、ポリアミド酸層1
3をエッチングすると同時にポジ型フォトレジストパタ
ーン12をエッチングして除去しているが、別々にエッ
チングしてもよいことはもちろんである。 【0013】 【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、垂直な外壁を有するフォトレジストパターンを除去
することにより、ポリイミド層に開口部を形成している
ので、開口部の形状がフォトレジストパターンの形状に
依存することとなり、したがって開口部の寸法精度を良
くすることができ、また開口部の内壁がほぼ垂直とな
り、そのエッジの強度を高くすることができる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a film wiring board. 2. Description of the Related Art A method for manufacturing a film wiring board is called a casting method. A polyimide precursor is applied to a metal foil such as a copper foil and cured to form a polyimide layer. There is known a method of forming leads by etching a metal foil into a predetermined pattern. by the way,
In a film wiring board manufactured by such a method, openings such as device holes and through holes are often formed in the polyimide layer. In such a case, first, as shown in FIGS. 4 (A) and 5, a polyimide layer 2 formed on an upper surface of a metal foil 1 made of copper foil or the like, An etching resist layer 4 having an opening 3 is formed by printing, photolithography, or the like. Next, wet etching is performed using an alkali etching solution such as hydrazine to form an opening 5 in the polyimide layer 2 as shown in FIG. Thereafter, when the etching resist layer 4 is peeled off, as shown in FIGS. 4C and 6, a film wiring board in which the openings 5 are formed in the polyimide layer 2 is obtained. However, in such a conventional method for manufacturing a film wiring board, since the polyimide layer 2 is wet-etched using an alkaline etching solution such as hydrazine, the isotropic method is used. Etching results in poor etching processing accuracy, and the inner wall of the opening 5 is not vertical, so that the dimensional accuracy of the opening 5 is poor and the edge strength of the opening 5 is low. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a film wiring board, which can improve the dimensional accuracy of an opening and can increase the strength of the edge of the opening. According to the present invention, a photoresist pattern is formed on an upper surface of a metal foil, and then a polyimide precursor layer or a polyimide layer is formed on the entire upper surface of the metal foil including the photoresist pattern. Forming, and then etching the polyimide precursor layer or polyimide layer until at least the top surface of the photoresist pattern is exposed, and removing the photoresist pattern to form an opening in the polyimide precursor layer or polyimide layer. It is formed. According to the present invention, the outer wall of the photoresist pattern formed on the upper surface of the metal foil becomes substantially vertical, and the photoresist pattern having the vertical outer wall is removed, whereby the polyimide precursor layer or polyimide is removed. Since the opening is formed in the layer, the shape of the opening depends on the shape of the photoresist pattern, so that the dimensional accuracy of the opening can be improved, and the inner wall of the opening becomes almost vertical. , The strength of the edge can be increased. 1 (A) to 1 (D) show respective manufacturing steps of a film wiring board according to an embodiment of the present invention. Therefore, referring to these figures in order,
A method for manufacturing the film wiring board of this embodiment will be described. First, FIG. 1A and FIG.
As shown in FIG. 2, a predetermined thickness of the upper surface of the copper foil 11 having a thickness of about 20 μm (that is, a portion corresponding to an opening formed in a polyimide layer to be described later) is formed by a photo process.
A positive photoresist pattern 12 of about 5 μm is formed. Here, the outer wall of the positive photoresist pattern 12 is formed almost vertically because it is formed by a photo process. Next, as shown in FIG. 1B, a polyamic acid, which is a polyimide precursor, is applied to the entire upper surface of the copper foil 11 including the positive photoresist pattern 12 by a casting method so as to have a thickness of about 30 μm. Curing (1
(Leave at a temperature of about 50 ° C. for about 30 minutes) to form the polyamic acid layer 13. Next, as shown in FIG. 1 (C), the polyamic acid layer 13 is formed at least by a positive photo-lithography using an alkali etching solution such as hydrazine, ethylenediamine, sodium hydroxide or potassium hydroxide while irradiating ultraviolet rays. Wet etching is performed until the upper surface of the resist pattern 12 is exposed. In this case, since the etching rate with the alkaline etching solution is much faster in the positive photoresist pattern than in the polyamic acid, after the upper surface of the positive photoresist pattern 12 is exposed, the positive photoresist pattern 12 It is immediately removed by etching (see FIG. 1D), during which the polyamic acid layer 13 hardly dissolves. In addition, even if the etching in this case is isotropic etching, since etching is performed on the entire surface, there is no problem in etching processing accuracy. Further, the reason for irradiating with ultraviolet light at this time is to expose the positive photoresist pattern 12 in an unexposed state so that the positive photoresist pattern 12 can be easily dissolved in an alkaline etching solution. The reason for using a positive photoresist as the photoresist is that the negative photoresist is hardly soluble in an alkaline etching solution. Next, the polyamic acid layer 13 is cured and polyimided, and as shown in FIG. 1D and FIG.
As shown in (1), a film wiring board in which the openings 15 are formed in the polyimide layer 14 is obtained. In this case, the curing step is performed by first leaving the device at about 200 ° C. for about 30 minutes, then leaving it at about 250 ° C. for about 30 minutes, and then leaving it at about 300 ° C. for about 30 minutes. , And then left at about 350 ° C. for about 30 minutes. In the film wiring board thus obtained, the polyamic acid layer 13 is formed on the entire upper surface of the copper foil 11 including the positive photoresist pattern 12 having a substantially vertical outer wall, and then at least the positive photoresist is formed. The polyamic acid layer 13 is exposed until the upper surface of the pattern 12 is exposed.
And the positive photoresist pattern 12 is removed to remove the polyamic acid layer 13 and the polyimide layer 1 obtained by curing the polyamic acid.
4, the shape of the opening 15 depends on the shape of the positive photoresist pattern 12.
Therefore, the dimensional accuracy of the opening 15 can be improved, and the inner wall of the opening 15 becomes substantially vertical, and the strength of the edge can be increased. In the above embodiment, the polyamic acid layer 1
Although the positive photoresist pattern 12 is etched and removed at the same time as the step 3 is etched, it goes without saying that the positive photoresist pattern 12 may be etched separately. As described above, according to the present invention, since the opening is formed in the polyimide layer by removing the photoresist pattern having the vertical outer wall, the shape of the opening is reduced. Depends on the shape of the photoresist pattern, so that the dimensional accuracy of the opening can be improved, and the inner wall of the opening becomes almost vertical, and the strength of the edge can be increased.

【図面の簡単な説明】 【図1】(A)〜(D)はそれぞれこの発明の一実施例
におけるフィルム配線基板の各製造工程の断面図。 【図2】図1(A)の平面図。 【図3】図1(D)の平面図。 【図4】(A)〜(C)はそれぞれ従来のフィルム配線
基板の各製造工程の断面図。 【図5】図4(A)の平面図。 【図6】図4(C)の平面図。 【符号の説明】 11 銅箔 12 フォトレジストパターン 13 ポリアミド酸層 14 ポリイミド層 15 開口部
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIGS. 1A to 1D are cross-sectional views of respective manufacturing steps of a film wiring board in one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of FIG. FIG. 3 is a plan view of FIG. FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views of respective manufacturing steps of a conventional film wiring board. FIG. 5 is a plan view of FIG. FIG. 6 is a plan view of FIG. [Description of Signs] 11 Copper foil 12 Photoresist pattern 13 Polyamic acid layer 14 Polyimide layer 15 Opening

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/00 C08J 7/00 - 7/18 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H05K 3/00 C08J 7 /00-7/18

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 金属箔の上面にフォトレジストパターン
を形成し、次いでこのフォトレジストパターンを含む前
記金属箔の上面全体にポリイミド前駆体層またはポリイ
ミド層を形成し、次いで少なくとも前記フォトレジスト
パターンの上面が露出するまで前記ポリイミド前駆体層
またはポリイミド層をエッチングするとともに、前記フ
ォトレジストパターンを除去することにより、前記ポリ
イミド前駆体層またはポリイミド層に開口部を形成する
ことを特徴とするフィルム配線基板の製造方法。
(57) [Claim 1] A photoresist pattern is formed on the upper surface of a metal foil, and then a polyimide precursor layer or a polyimide layer is formed on the entire upper surface of the metal foil including the photoresist pattern. Then, while etching the polyimide precursor layer or the polyimide layer at least until the upper surface of the photoresist pattern is exposed, by removing the photoresist pattern, an opening is formed in the polyimide precursor layer or the polyimide layer. A method for manufacturing a film wiring board, comprising:
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