JP3488796B2 - Wafer bonding equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウ
ェーハの研磨を行うにあたり、キャリアプレートにウェ
ーハを接着するのに好適なウェーハ接着装置に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer bonding apparatus suitable for bonding a wafer to a carrier plate when polishing a semiconductor wafer, for example.
【０００２】[0002]
【従来の技術】周知のように、シリコン単結晶などの半
導体ウェーハ（以下ウェーハ）は、集積回路等を形成す
る前に研磨工程を設けて、表面を平滑にすると共にその
平坦度を向上させている。この研磨工程においては、工
程時間の短縮および他の工程で直接ウェーハを保持して
損傷を与えることを防ぐために、キャリアプレート上に
ウェーハを複数接着した状態で研磨を施している。2. Description of the Related Art As is well known, a semiconductor wafer such as a silicon single crystal (hereinafter referred to as a wafer) is provided with a polishing step before forming an integrated circuit to smooth its surface and improve its flatness. There is. In this polishing process, in order to reduce the process time and prevent the wafer from being directly held and damaged in other processes, polishing is performed in a state where a plurality of wafers are bonded to the carrier plate.
【０００３】図８にキャリアプレート上にウェーハを接
着する装置の概略構成の一例を示す。この図において、
符号１は接着装置構成体である。接着装置構成体１は、
キャリアプレート（図示せず）をストックするストッカ
ー２からキャリアプレートを搬入する搬入装置３と、搬
入されたキャリアプレートを洗浄乾燥する洗浄乾燥装置
４と、洗浄乾燥されたキャリアプレートを加熱する加熱
装置５と、接着剤を塗布されたウェーハ（図示せず）に
接着剤を塗布すると共にこのウェーハを加熱されたキャ
リアプレートに接着する接着装置６と、ウェーハが接着
されたキャリアプレートを冷却する冷却装置７と、冷却
されたキャリアプレートを搬出する搬出装置８とから概
略構成されている。FIG. 8 shows an example of a schematic structure of an apparatus for bonding a wafer onto a carrier plate. In this figure,
Reference numeral 1 is an adhesive device structure. The adhesive device structure 1 is
A carry-in device 3 for carrying in a carrier plate from a stocker 2 for stocking a carrier plate (not shown), a washing / drying device 4 for washing and drying the carried carrier plate, and a heating device 5 for heating the washed and dried carrier plate. A bonding device 6 for applying the adhesive to a wafer (not shown) coated with the adhesive and bonding the wafer to the heated carrier plate; and a cooling device 7 for cooling the carrier plate bonded with the wafer. And a carry-out device 8 for carrying out the cooled carrier plate.
【０００４】そして、接着装置構成体１から搬出された
キャリアプレートは、図示しない研磨装置へ送出され
て、そこでウェーハの研磨が行われる。上述したよう
に、研磨装置においてウェーハは、キャリアプレート上
に複数接着された状態で研磨される。このとき、各ウェ
ーハの厚さの差が大きいと、研磨当初、厚さの大きいウ
ェーハに対して研磨が集中して施されるため、その部分
にかかる圧力が過大になりウェーハに歪み等の不具合が
発生することがある。Then, the carrier plate carried out from the bonding apparatus structure 1 is sent to a polishing apparatus (not shown), where the wafer is polished. As described above, in the polishing apparatus, a plurality of wafers are bonded on the carrier plate and polished. At this time, if the difference in the thickness of each wafer is large, the polishing is concentrated on the wafer having a large thickness at the beginning of the polishing, so that the pressure applied to that portion becomes excessive and the defects such as distortion of the wafer occur. May occur.
【０００５】また、厚さの差が大きい分、研磨に要する
時間も長くなるという不具合もあった。そのため、キャ
リアプレートにウェーハを接着する際は、厚さの差が少
ないウェーハを接着することが要求される。Further, there is also a problem that the time required for polishing becomes longer due to the large difference in thickness. Therefore, when bonding the wafer to the carrier plate, it is required to bond the wafer having a small difference in thickness.
【０００６】図９は、従来技術によるウェーハの接着装
置の一例を示す図である。接着装置６は、ウェーハ移送
ロボット９と接着剤塗布部１０と接着部１１とから構成
されている。ウェーハ移送ロボット９は、ウェーハを厚
さ別に分類する厚さ分類装置（図示せず）から移動され
たウェーハを把持して接着剤塗布部１０へ移送するもの
である。FIG. 9 is a diagram showing an example of a conventional wafer bonding apparatus. The bonding device 6 is composed of a wafer transfer robot 9, an adhesive application section 10 and an adhesion section 11. The wafer transfer robot 9 grips the wafers moved from a thickness classifying device (not shown) that classifies the wafers according to the thickness and transfers the wafers to the adhesive applying section 10.
【０００７】接着剤塗布部１０は、移送されたウェーハ
に接着剤を塗布するものであって、この接着剤塗布部１
０には、二つの並列した搬送路１２，１３が形成され、
これら搬送路１２，１３に沿ってそれぞれ、センタリン
グ装置１４と、洗浄装置１５と乾燥装置１６と塗布装置
１７と溶剤揮発装置１８とオリフラ位置合わせ装置１９
とが設けられている。また、搬送路１２，１３には、そ
れぞれウェーハ搬送装置２０が設けられており、このウ
ェーハ搬送装置２０は、センタリング装置１４、洗浄装
置１５、乾燥装置１６、塗布装置１７、溶剤揮発装置１
８、オリフラ位置合わせ装置１９にウェーハを順次搬送
するものである。The adhesive applying section 10 applies an adhesive to the transferred wafer, and the adhesive applying section 1
At 0, two parallel transport paths 12 and 13 are formed,
A centering device 14, a cleaning device 15, a drying device 16, a coating device 17, a solvent volatilization device 18, and an orientation flat alignment device 19 are provided along these transport paths 12 and 13, respectively.
And are provided. A wafer transfer device 20 is provided in each of the transfer paths 12 and 13. The wafer transfer device 20 includes a centering device 14, a cleaning device 15, a drying device 16, a coating device 17, and a solvent volatilization device 1.
8. The wafer is sequentially transferred to the orientation flat alignment device 19.
【０００８】センタリング装置１４は、移送されたウェ
ーハとウェーハ搬送装置２０との相対位置を修正するも
のであり、洗浄装置１５は、洗浄液を用いてウェーハの
表面に付着した塵埃等を洗浄するものである。乾燥装置
１６は、洗浄装置１５でウェーハに付着した洗浄液を加
熱板により加熱乾燥させるものである。The centering device 14 corrects the relative position of the transferred wafer and the wafer transfer device 20, and the cleaning device 15 cleans dust and the like adhering to the surface of the wafer using a cleaning liquid. is there. The drying device 16 heats and dries the cleaning liquid adhering to the wafer in the cleaning device 15 with a heating plate.
【０００９】塗布装置１７は、乾燥装置１６で乾燥され
たウェーハの表面に接着剤を塗布するものであって、溶
剤揮発装置１８は、接着剤を塗布されたウェーハを加熱
することにより接着剤に含まれる溶剤を揮発させるもの
である。オリフラ位置合わせ装置１９は、ウェーハに形
成されたオリエンテーションフラット面を検出して、こ
のオリエンテーションフラット面を決められた方向に位
置合わせするものである。The coating device 17 coats the adhesive on the surface of the wafer dried by the drying device 16, and the solvent volatilization device 18 heats the wafer coated with the adhesive to form an adhesive. The solvent contained therein is volatilized. The orientation flat alignment device 19 detects an orientation flat surface formed on the wafer and aligns the orientation flat surface in a predetermined direction.
【００１０】接着部１１は、移載ロボット２１とウェー
ハ載置部２４と貼付装置２２とから構成されており、移
載ロボット２１は、ウェーハ搬送装置２０により搬送さ
れたウェーハをウェーハ載置部２４に移載するものであ
る。貼付装置２２は、上述の加熱されたキャリアプレー
ト２３に移載されたウェーハを貼付するものである。The bonding section 11 is composed of a transfer robot 21, a wafer mounting section 24, and a sticking apparatus 22, and the transfer robot 21 transfers the wafer transferred by the wafer transfer apparatus 20 to the wafer mounting section 24. Is to be reprinted. The sticking device 22 sticks the wafer transferred onto the heated carrier plate 23.
【００１１】上記の構成の接着装置６により、ウェーハ
をキャリアプレート２３に接着する動作を以下に説明す
る。まず、厚さ分類装置により厚さ別に分類されたウェ
ーハは、ウェーハ移送ロボット９により搬送路１２，１
３のセンタリング装置１４に交互に移送される。このセ
ンタリング装置１４によりウェーハは、ウェーハ搬送装
置２０に対する相対位置が修正される。The operation of adhering the wafer to the carrier plate 23 by the adhering device 6 having the above structure will be described below. First, the wafers classified by thickness by the thickness classification device are transferred by the wafer transfer robot 9 to the transfer paths 12, 1.
3 are alternately transferred to the centering device 14. The centering device 14 corrects the relative position of the wafer with respect to the wafer transfer device 20.
【００１２】そして、相対位置が修正されたウェーハ
は、洗浄装置１５による洗浄、乾燥装置１６による乾
燥、塗布装置１７による接着剤の塗布、溶剤揮発装置１
８における溶剤の揮発、オリフラ位置合わせ装置１９に
よる位置合わせの後、移載ロボット２１によってウェー
ハセット部２４へ一枚ずつ移載される。このとき、この
移載と同期して、ウェーハ搬送装置２０により前記セン
タリング装置１４、洗浄装置１５、乾燥装置１６、塗布
装置１７、溶剤揮発装置１８およびオリフラ位置合わせ
装置１９の間でのウェーハの搬送が行われる。この後、
ウェーハは、貼付装置２２によりキャリアプレート２３
に所定枚数貼付されて、次工程の冷却装置７へ送られ
る。The wafer whose relative position has been corrected is cleaned by the cleaning device 15, dried by the drying device 16, the adhesive is applied by the applying device 17, and the solvent volatilizing device 1 is used.
After volatilization of the solvent in 8 and alignment by the orientation flat alignment device 19, the transfer robot 21 transfers the wafers one by one to the wafer setting unit 24. At this time, in synchronism with this transfer, the wafer transfer device 20 transfers the wafer among the centering device 14, the cleaning device 15, the drying device 16, the coating device 17, the solvent volatilization device 18, and the orientation flat alignment device 19. Is done. After this,
The wafer is attached to the carrier plate 23 by the attachment device 22.
A predetermined number of sheets are attached to the sheet and sent to the cooling device 7 in the next step.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来のウェーハ接着装置には、以下のような問
題が存在する。厚さ分類装置とウェーハ移送ロボットと
が一体的に構成されていないため、これらの間に厚さ分
類されたウェーハを移動させる移動手段が必要であっ
た。そのため、移動手段としての装置を別途設けなけれ
ばならなかった。また、移動のための時間も掛かるた
め、生産効率の低下にもなっていた。However, the conventional wafer bonding apparatus as described above has the following problems. Since the thickness sorting device and the wafer transfer robot are not integrally configured, a moving means for moving the thickness-sorted wafers is required between them. Therefore, it is necessary to separately provide a device as a moving unit. Moreover, since it takes time to move, the production efficiency is also reduced.
【００１４】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、生産効率の向上に寄与すると共に、厚さ分
類装置とウェーハ移送ロボットとの間にウェーハの移動
手段を設ける必要のないウェーハ接着装置を提供するこ
とを目的とする。The present invention has been made in consideration of the above points, and contributes to the improvement of production efficiency, and it is necessary to provide a wafer moving means between the thickness sorting device and the wafer transfer robot. It is an object of the present invention to provide a wafer bonding apparatus that does not have a wafer.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、以下の構成を採用している。本発明のウ
ェーハ接着装置は、接着剤を塗布したウェーハを複数枚
キャリアプレートに接着する接着機構と、該接着機構に
前記ウェーハを供給するウェーハ供給機構とを具備する
ウェーハ接着装置において、前記ウェーハ供給機構は、
厚さ分配機構を備えてなり、該厚さ分配機構には、厚さ
分類前のウェーハをセットするウェーハセット部と、該
ウェーハセット部にセットされた前記ウェーハの厚さを
測定する測定部と、該測定部が測定した測定結果に基づ
いて前記ウェーハを供給する供給部とが設けられている
ことを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention employs the following constitutions. The wafer bonding apparatus of the present invention is a wafer bonding apparatus including a bonding mechanism for bonding a plurality of wafers coated with an adhesive to a carrier plate, and a wafer supply mechanism for supplying the wafer to the bonding mechanism. The mechanism is
A thickness distribution mechanism is provided, and the thickness distribution mechanism includes a wafer setting section for setting wafers before thickness classification, and a measuring section for measuring the thickness of the wafer set in the wafer setting section. And a supply unit that supplies the wafer based on the measurement result measured by the measurement unit.
【００１６】従って、本発明のウェーハ接着装置によれ
ば、接着機構にウェーハを供給するウェーハ供給機構が
設けられており、ウェーハ供給機構には厚さ分配機構が
備えられているので、厚さ分類前のウェーハを測定部に
よりウェーハの厚さが測定可能であり、測定部の測定結
果に基づいて供給部がウェーハを接着機構に供給でき
る。Therefore, according to the wafer bonding apparatus of the present invention, the bonding mechanism is provided with the wafer supply mechanism for supplying the wafer, and the wafer supply mechanism is provided with the thickness distribution mechanism. The thickness of the previous wafer can be measured by the measurement unit, and the supply unit can supply the wafer to the bonding mechanism based on the measurement result of the measurement unit.
【００１７】本発明のウェーハ接着装置は、前記供給部
は、前記測定部が測定した測定結果を記憶すると共に該
測定結果に基づいて前記複数のウェーハのグループを形
成して記憶する記憶部と、厚さを測定された前記ウェー
ハをストックするストック部と、該ストック部から前記
グループごとに前記ウェーハを取り出して前記接着機構
に供給する分配部と、前記記憶部の記憶により前記分配
部に前記ウェーハを取り出す指令を与える制御部とを具
備し、前記供給部は前記記憶部に測定結果を記憶すると
共にその測定結果に基づいて前記ウェーハのグループを
形成して記憶し、前記記憶部が記憶した測定結果に基づ
いて前記ウェーハをグループごとに前記接着機構に供給
することを特徴とする。The wafer bonding apparatus of the present invention, prior Symbol supply unit includes a storage unit to form and store groups of said plurality of wafers on the basis of the measurement result and stores the measurement result in which the measuring portion is measured A stock section for stocking the wafers of which thickness is measured, a dispensing section for taking out the wafers for each group from the stock section and supplying the adhesive mechanism, and a storing section for storing the storing section in the dispensing section. A controller for giving a command to take out the wafer, and the supply unit stores the measurement result in the storage unit.
Based on the measurement results together,
Based on the measurement results stored in the storage unit
Then, the wafers are supplied to the bonding mechanism in groups .
【００１８】従って、本発明のウェーハ接着装置によれ
ば、記憶部が測定したウェーハの厚さとその厚さに基づ
いて形成したグループを記憶する。その記憶に基づいて
制御部が、ストック部からグループごとウェーハを取り
出す指令を分配部に与える。そして、制御部からの指令
により、分配部がストック部からグループごとにウェー
ハを取り出して接着機構に供給することができる。Therefore, according to the wafer bonding apparatus of the present invention, the memory unit stores the wafer thickness measured and the group formed based on the thickness. Based on the memory, the control unit gives the distribution unit a command to take out the wafers from the stock unit for each group. Then, according to a command from the control unit, the distribution unit can take out the wafers from the stock unit for each group and supply the wafers to the bonding mechanism.
【００１９】本発明のウェーハ接着装置は、前記厚さ分
配機構には、設定範囲外の厚さを有する前記ウェーハを
排出する排出部と、該排出部により排出された前記ウェ
ーハの代替部材を供給する代替部材供給部とが備えられ
ていることを特徴とする。The wafer bonding apparatus of the present invention, before KiAtsu of distribution mechanism, and a discharge portion for discharging said wafers having a thickness outside the range, an alternate member of the wafer, which is discharged by the outlet section And a substitute member supply section for supplying the substitute member.
【００２０】従って、本発明のウェーハ接着装置によれ
ば、接着機構にウェーハを供給する際に、設定範囲外の
ウェーハが排出部により排出されると共に、代替部材供
給部により排出されたウェーハの代替部材が接着機構に
供給される。Therefore, according to the wafer bonding apparatus of the present invention, when the wafer is supplied to the bonding mechanism, the wafer outside the set range is discharged by the discharging unit and the wafer discharged by the replacement member supplying unit is replaced. The member is supplied to the bonding mechanism.
【００２１】本発明のウェーハ接着装置は、前記ウェー
ハ供給機構には、前記厚さ分配機構に加えて前記ウェー
ハを供給する補助供給機構が備えられていることを特徴
とする。The wafer bonding apparatus of the present invention, the prior SL wafer supply mechanism, characterized in that the addition to the thickness distribution mechanism has an auxiliary feed mechanism is provided for supplying the wafer.
【００２２】従って、本発明のウェーハ接着装置によれ
ば、厚さ分配機構を使用しないで補助供給機構により接
着機構にウェーハを供給することができる。Therefore, according to the wafer bonding apparatus of the present invention, the wafer can be supplied to the bonding mechanism by the auxiliary supply mechanism without using the thickness distribution mechanism.
【００２３】本発明のウェーハ接着装置は、前記ストッ
ク部は、複数設けられていることを特徴とする。The wafer bonding apparatus of the present invention, the front Symbol stock unit, characterized in that provided in plural.
【００２４】従って、本発明のウェーハ接着装置によれ
ば、分配部が一つのストック部からウェーハを取り出し
て接着機構に供給する間に、別のウェーハの厚さを測定
して他のストック部にストックすることができる。Therefore, according to the wafer bonding apparatus of the present invention, while the dispensing unit takes out the wafer from one stock unit and supplies it to the bonding mechanism, the thickness of another wafer is measured and the other stock unit is measured. Can be stocked.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下、本発明のウェーハ接着装置
の実施の形態を、図１ないし図７を参照して説明する。
これらの図において、従来例として示した図８および図
９と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省
略する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a wafer bonding apparatus of the present invention will be described below with reference to FIGS.
In these figures, the same components as those of FIGS. 8 and 9 shown as a conventional example are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【００２６】図１において、符号２５は、ウェーハ接着
装置である。ウェーハ接着装置２５は、接着機構２６
と、この接着機構２６にウェーハ２８を供給するウェー
ハ供給機構２７とから構成されるものである。接着機構
２６は、一枚のキャリアプレート２３に接着剤を塗布さ
れたウェーハ２８を複数枚（図では５枚）接着するもの
であって、ウェーハ移送ロボット９と接着剤塗布部１０
と接着部１１とから構成されている。In FIG. 1, reference numeral 25 is a wafer bonding apparatus. The wafer bonding apparatus 25 has a bonding mechanism 26.
And a wafer supply mechanism 27 for supplying the wafer 28 to the adhesion mechanism 26. The bonding mechanism 26 bonds a plurality of wafers 28 coated with an adhesive (five in the figure) to one carrier plate 23, and includes the wafer transfer robot 9 and the adhesive application unit 10.
And an adhesive portion 11.
【００２７】接着剤塗布部１０は、供給されたウェーハ
２８に接着剤を塗布するものであって、この接着剤塗布
部１０には、二つの並列した搬送路１２，１３が形成さ
れ、これら搬送路１２，１３に沿ってそれぞれ、センタ
リング装置１４と、洗浄装置１５と乾燥装置１６と塗布
装置１７と溶剤揮発装置１８とオリフラ位置合わせ装置
１９とが設けられている。また、搬送路１２，１３に
は、それぞれウェーハ搬送装置２０が設けられており、
このウェーハ搬送装置２０は、センタリング装置１４、
洗浄装置１５、乾燥装置１６、塗布装置１７、溶剤揮発
装置１８、オリフラ位置合わせ装置１９にウェーハ２８
を順次搬送するものである。The adhesive applying section 10 applies an adhesive to the supplied wafer 28, and in the adhesive applying section 10, two parallel transfer paths 12 and 13 are formed. A centering device 14, a cleaning device 15, a drying device 16, a coating device 17, a solvent volatilization device 18, and an orientation flat alignment device 19 are provided along the paths 12 and 13, respectively. A wafer transfer device 20 is provided in each of the transfer paths 12 and 13,
The wafer transfer device 20 includes a centering device 14,
The cleaning device 15, the drying device 16, the coating device 17, the solvent volatilization device 18, the orientation flat alignment device 19, and the wafer 28.
Are sequentially transported.
【００２８】接着部１１は、接着剤塗布部１０で接着剤
を塗布されたウェーハ２８をキャリアプレート２３に接
着するものであって、移載ロボット２１とウェーハ載置
部２４と貼付装置２２とから構成されるものである。The bonding section 11 bonds the wafer 28 coated with the adhesive by the adhesive coating section 10 to the carrier plate 23, and includes the transfer robot 21, the wafer mounting section 24, and the bonding apparatus 22. It is composed.
【００２９】ウェーハ供給機構２７は、厚さ分配機構２
９と補助供給機構３０とから構成されるものである。厚
さ分配機構２９は、ウェーハセット部３１と測定部３２
と供給部３３と排出部３４と代替部材供給部３５とから
構成されている。ウェーハセット部３１は、図２に示す
ように、厚さ分類前のウェーハをセットするものであっ
て、複数のカセット３６ａ，…，３６ｄから構成されて
おり、このカセット３６ａ，…，３６ｄは、図６に示す
ように、複数のウェーハ２８を収納する収納部３７をそ
の内部に有するものである。The wafer supply mechanism 27 is the thickness distribution mechanism 2
9 and an auxiliary supply mechanism 30. The thickness distribution mechanism 29 includes a wafer setting unit 31 and a measuring unit 32.
And a supply unit 33, a discharge unit 34, and a substitute member supply unit 35. As shown in FIG. 2, the wafer setting unit 31 is for setting wafers before being classified into thicknesses, and is composed of a plurality of cassettes 36a, ..., 36d, and these cassettes 36a ,. As shown in FIG. 6, it has a storage portion 37 for storing a plurality of wafers 28 therein.
【００３０】また、これらカセット３６ａ，…，３６ｄ
は、搬出入装置５９の周りに環状に配置されるものであ
る。搬出入装置５９は、ウェーハセット部３１のカセッ
ト３６ａ，…，３６ｄから順次ウェーハ２８を取り出し
て測定部３２の測定台３８に載置するものであって、回
転自在な回転台６０と、回転台６０上に設けられその半
径方向に移動自在な搬出入アーム６１とから構成されて
いる。Further, these cassettes 36a, ..., 36d
Are arranged in an annular shape around the loading / unloading device 59. The loading / unloading device 59 sequentially takes out the wafers 28 from the cassettes 36a, ..., 36d of the wafer setting unit 31 and places them on the measurement table 38 of the measurement unit 32. The rotation table 60 and the rotation table 60 are rotatable. And a loading / unloading arm 61 which is provided on 60 and is movable in the radial direction.
【００３１】図３に示すように、測定部３２は、測定台
３８と測定部本体３９と載置台４０と移送装置４１とか
ら概略構成されている。測定部本体３９は、ウェーハセ
ット部３１から測定台３８に移送されたウェーハ２８の
厚さを測定するものであって、図４に示すように、測定
アーム４２とセンサ４３とから構成されている。As shown in FIG. 3, the measuring section 32 is roughly composed of a measuring table 38, a measuring section main body 39, a mounting table 40, and a transfer device 41. The measuring unit main body 39 measures the thickness of the wafer 28 transferred from the wafer setting unit 31 to the measuring table 38, and includes a measuring arm 42 and a sensor 43 as shown in FIG. .
【００３２】測定アーム４２は、その基端部に連結され
たシリンダ４４により図４中、左右方向（図３中では上
下方向）に移動自在とされるもので、先端部には、上下
方向中間部に間隙４５を隔てて上壁部４６と下壁部４７
が形成されている。また、上壁部４６と下壁部４７に
は、上下方向に対向するようにそれぞれ、センサ４３が
設けられており、これらセンサ４３は、測定アーム４２
がシリンダ４４により測定台３８側に移動したときに間
隙４５にウェーハ２８が位置して、ウェーハ２８の厚さ
が測定可能とされるものである。The measuring arm 42 is movable in the left-right direction in FIG. 4 (vertical direction in FIG. 3) by a cylinder 44 connected to the base end portion thereof, and has a vertical intermediate portion at the tip end portion. Upper wall portion 46 and lower wall portion 47 with a gap 45 between them.
Are formed. Sensors 43 are provided on the upper wall portion 46 and the lower wall portion 47 so as to face each other in the vertical direction.
The wafer 28 is positioned in the gap 45 when is moved to the side of the measuring table 38 by the cylinder 44, and the thickness of the wafer 28 can be measured.
【００３３】図５に示すように、移送装置４１は、測定
後のウェーハ２８を測定台３８から載置台４０に移送す
るものであって、先端にウェーハ吸着具４８が連結され
たロッド４９と、ロッド４９の他端に連結されたシリン
ダ５０とから構成されており、このシリンダ５０は、ロ
ッド４９を測定台３８と載置台４０との間および上下方
向に自在に移動させるものである。As shown in FIG. 5, the transfer device 41 transfers the measured wafer 28 from the measuring table 38 to the mounting table 40, and has a rod 49 having a wafer suction tool 48 connected to the tip thereof. The cylinder 50 is connected to the other end of the rod 49, and the cylinder 50 freely moves the rod 49 between the measuring table 38 and the mounting table 40 and in the vertical direction.
【００３４】供給部３３は、測定部３２が測定した測定
結果に基づいてウェーハ２８を供給するものであって、
記憶部７３と第一、第二のストック部５２，５３（スト
ック部）と制御部７４と分配部５１とから構成されるも
のである。記憶部７３は、測定部３２が測定した測定結
果を記憶して、この測定結果に基づいてキャリアプレー
ト２３に接着する厚さの差が少ないウェーハのグループ
を形成すると共に、これらのグループが第一のストック
部５２または第二のストック部５３内にストックされた
位置を記憶するものである。The supply unit 33 supplies the wafer 28 based on the measurement result measured by the measurement unit 32.
The storage unit 73, the first and second stock units 52 and 53 (stock units), the control unit 74, and the distribution unit 51 are included. The storage unit 73 stores the measurement result measured by the measurement unit 32, forms a group of wafers having a small difference in thickness adhered to the carrier plate 23 based on the measurement result, and these groups are first The stocked position in the stock part 52 or the second stock part 53 is stored.
【００３５】また、記憶部７３は、入力部（図示せず）
より入力されたウェーハ２８の厚さの上限値と下限値と
を記憶するものである。これらの上限値と下限値は、接
着機構２６に供給するウェーハ２８の厚さの許容範囲を
設定するための値である。The storage section 73 is an input section (not shown).
The upper limit value and the lower limit value of the thickness of the wafer 28 input by the above are stored. The upper limit value and the lower limit value are values for setting the allowable range of the thickness of the wafer 28 supplied to the bonding mechanism 26.
【００３６】第一、第二のストック部５２，５３は、測
定部３２による測定後のウェーハ２８を待機させるもの
であって、それぞれ複数のカセット５８ａ，…，５８ｄ
を有している。これらカセット５８ａ，…，５８ｄは、
第一、第二の搬出入装置５４，５５の周りにそれぞれ環
状に配置されており、上述したカセット３６ａ，…，３
６ｄと同様に、複数のウェーハ２８をその内部に収納可
能とされるものである。The first and second stock sections 52 and 53 are for holding the wafer 28 after the measurement by the measuring section 32, and each of the plurality of cassettes 58a, ..., 58d.
have. These cassettes 58a, ..., 58d are
The cassettes 36a, ..., 3 described above are arranged in an annular shape around the first and second loading / unloading devices 54, 55, respectively.
Similar to 6d, a plurality of wafers 28 can be housed inside.
【００３７】制御部７４は、記憶部７３の記憶によって
分配部５１にウェーハ２８を取り出す指令を与えると共
に取り出されたウェーハ２８の厚さが上限値および下限
値により設定された範囲外のときに、ウェーハ２８を排
出部３４へ排出して、代替部材供給部３５から代替部材
（図示せず）を取り出す指令を移送装置５７に与えるも
のである。The control unit 74 gives a command to take out the wafer 28 to the distribution unit 51 by the storage of the storage unit 73, and when the thickness of the taken-out wafer 28 is out of the range set by the upper limit value and the lower limit value, The transfer device 57 is instructed to eject the wafer 28 to the ejection unit 34 and take out the substitution member (not shown) from the substitution member supply unit 35.
【００３８】分配部５１は、第一、第二の搬出入装置５
４，５５と、載置台５６と移送装置５７とから構成され
るものである。第一、第二の搬出入装置５４，５５は、
載置台４０に載置されたウェーハ２８をそれぞれ、第
一、第二のストック部５２，５３へ搬入すると共に、制
御部７４の指令に基づいて第一、第二のストック部５
２，５３のカセット５８ａ，…，５８ｄからそれぞれ、
グループごとに順次ウェーハ２８を取り出して載置台５
６に載置するものであって、回転自在な回転台６２，６
３と、回転台６２，６３上に設けられその半径方向に移
動自在な搬出入アーム６４，６５とから構成されてい
る。The distribution unit 51 includes the first and second loading / unloading devices 5
4, 55, a mounting table 56 and a transfer device 57. The first and second loading / unloading devices 54 and 55 are
The wafers 28 placed on the mounting table 40 are loaded into the first and second stock units 52 and 53, respectively, and the first and second stock units 5 are sent based on a command from the control unit 74.
2, 53 cassettes 58a, ..., 58d,
Wafers 28 are taken out sequentially for each group and placed on the mounting table 5
6, which is placed on the rotary table 6 and is rotatable.
3 and loading / unloading arms 64 and 65 provided on the rotary tables 62 and 63 and movable in the radial direction thereof.
【００３９】図７に示すように、移送装置５７は、載置
台５６に載置されたウェーハ２８をターンテーブル６６
に設置された載置台６７に載置するものであって、この
ターンテーブル６６は、図示しないステッピングモータ
によって９０゜ずつ回転することにより載置されたウェ
ーハ２８をウェーハ移送ロボット９へ搬送するものであ
る。また、移送装置５７は、載置台５６に載置されたウ
ェーハ２８の厚さが上限値および下限値により設定され
た範囲外のときに、制御部７４の指令によりウェーハ２
８を排出部３４へ排出すると共に代替部材供給部３５か
ら代替部材（図示せず）を取り出してターンテーブル６
６の載置台６７に載置するものである。As shown in FIG. 7, the transfer device 57 turns the wafer 28 mounted on the mounting table 56 into a turntable 66.
The turntable 66 transfers the mounted wafer 28 to the wafer transfer robot 9 by rotating it by 90 ° by a stepping motor (not shown). is there. Further, the transfer device 57 receives the wafer 2 according to a command from the controller 74 when the thickness of the wafer 28 mounted on the mounting table 56 is out of the range set by the upper limit value and the lower limit value.
8 is discharged to the discharge unit 34, and a substitute member (not shown) is taken out from the substitute member supply unit 35 to turn the turntable 6
6 is mounted on the mounting table 67.
【００４０】排出部３４は、設定範囲外の厚さを有する
ウェーハ２８を収納するものでカセット６８により構成
されており、カセット６８は複数のウェーハ２８をその
内部に収納するものである。代替部材供給部３５は、排
出部３４により排出されたウェーハ２８の代替部材を供
給するものであって、内部に代替部材を収納したカセッ
ト６９により構成されるものである。The ejecting section 34 accommodates the wafer 28 having a thickness outside the set range, and is constituted by a cassette 68. The cassette 68 accommodates a plurality of wafers 28 therein. The substitute member supply unit 35 supplies a substitute member for the wafer 28 discharged by the discharge unit 34, and is configured by a cassette 69 having the substitute member housed therein.
【００４１】補助供給機構３０は、厚さ分配機構２９に
加えて接着機構２６にウェーハ２８を供給するものであ
って、移送装置７０と補助セット部７１とから構成され
ている。補助セット部７１は、厚さ分配機構２９を経由
せずに接着機構２６に供給するウェーハ２８をセットす
るものであって、複数のカセット７２ａ，…，７２ｄか
ら構成されるものである。The auxiliary supply mechanism 30 supplies the wafer 28 to the adhesion mechanism 26 in addition to the thickness distribution mechanism 29, and comprises a transfer device 70 and an auxiliary setting section 71. The auxiliary setting section 71 sets the wafer 28 to be supplied to the bonding mechanism 26 without passing through the thickness distribution mechanism 29, and is composed of a plurality of cassettes 72a, ..., 72d.
【００４２】これらカセット７２ａ，…，７２ｄは、移
送装置７０の周りに環状に配置されており、上述したカ
セット３６ａ，…，３６ｄと同様に、複数のウェーハ２
８をその内部に収納可能とされるものである。移送装置
７０は、補助セット部７１にセットされたウェーハ２８
を前記ターンテーブル６６の載置台６７に移送するもの
である。The cassettes 72a, ..., 72d are annularly arranged around the transfer device 70, and like the cassettes 36a ,.
8 can be stored inside. The transfer device 70 includes the wafer 28 set in the auxiliary setting section 71.
Is transferred to the mounting table 67 of the turntable 66.
【００４３】上記の構成のウェーハ接着装置２５により
ウェーハ２８をキャリアプレート２３に接着する動作を
以下に説明する。ここでは、最初に、ウェーハ供給機構
２７のうち厚さ分配機構２９によりウェーハ２８を接着
機構２６に供給する場合の例を説明する。まず、入力部
からウェーハ２８の厚さの上限値と下限値とを入力して
記憶部７３に記憶させる。The operation of adhering the wafer 28 to the carrier plate 23 by the wafer adhering device 25 having the above structure will be described below. Here, first, an example in which the thickness distribution mechanism 29 of the wafer supply mechanism 27 supplies the wafer 28 to the bonding mechanism 26 will be described. First, the upper limit and the lower limit of the thickness of the wafer 28 are input from the input unit and stored in the storage unit 73.
【００４４】次に、ウェーハセット部３１に厚さ分類前
のウェーハ２８の収納されたカセット３６ａ，…，３６
ｄをセットする。このとき、ウェーハセット部３１に
は、八台のカセット３６ａ，…，３６ｄが配置されてお
り、各カセット３６ａ，…，３６ｄには、２５枚のウェ
ーハ２８が収納されている。Next, in the wafer setting unit 31, cassettes 36a, ...
Set d. At this time, eight cassettes 36a, ..., 36d are arranged in the wafer setting section 31, and 25 wafers 28 are stored in each cassette 36a ,.
【００４５】そして、搬出入装置５９の回転台６０が回
転してカセット３６ａに対向する位置で停止すると、搬
出入アーム６１が移動してカセット３６ａからウェーハ
２８を一枚取り出す。取り出されたウェーハ２８は、移
送されて測定部３２の測定台３８に載置される。測定台
３８にウェーハ２８が載置されると、測定部本体３９の
測定アーム４２がシリンダ４４により測定台３８側に移
動する。When the turntable 60 of the loading / unloading device 59 rotates and stops at a position facing the cassette 36a, the loading / unloading arm 61 moves to take out one wafer 28 from the cassette 36a. The wafer 28 taken out is transferred and placed on the measuring table 38 of the measuring unit 32. When the wafer 28 is placed on the measuring table 38, the measuring arm 42 of the measuring section body 39 moves to the measuring table 38 side by the cylinder 44.
【００４６】このとき、測定アーム４２の先端部には、
間隙４５を隔てて上下方向に対向するようにそれぞれ、
センサ４３が設けられており、この間隙４５にウェーハ
２８が位置するようになる。従って、センサ４３により
ウェーハ２８の厚さが測定される。測定された測定結果
は、記憶部７３により記憶され、測定アーム４２は再び
測定台３８と離間する位置へ移動して次の測定の待機状
態に戻る。At this time, at the tip of the measuring arm 42,
To face each other in the vertical direction with a gap 45,
A sensor 43 is provided, and the wafer 28 is located in this gap 45. Therefore, the thickness of the wafer 28 is measured by the sensor 43. The measured measurement result is stored in the storage unit 73, the measurement arm 42 moves again to a position separated from the measurement table 38, and returns to the standby state for the next measurement.
【００４７】測定が終了すると、測定時、測定台３８の
下方にあった移送装置４１のウェーハ吸着具４８が、シ
リンダ５０の作動によりロッド４９と共に上昇してウェ
ーハ２８を吸着する。吸着後、所定の高さ迄上昇したウ
ェーハ吸着具４８は、次に、シリンダ５０の移動によっ
て、載置台４０へ移動する。When the measurement is completed, the wafer suction tool 48 of the transfer device 41 located below the measuring table 38 at the time of measurement moves up together with the rod 49 by the operation of the cylinder 50 to suction the wafer 28. After the suction, the wafer suction tool 48 that has risen to a predetermined height is moved to the mounting table 40 by the movement of the cylinder 50.
【００４８】載置台４０の位置に到達すると、ロッド４
９が所定の高さ迄下降して、その位置にてウェーハ吸着
具４８の吸着を解除する。これにより、ウェーハ２８
は、載置台４０へ載置されることになる。一方、移送装
置４１は、測定台３８側へ移動すると共にウェーハ吸着
具４８が測定台３８の下方に位置して次の移送の待機状
態に戻る。When the position of the mounting table 40 is reached, the rod 4
9 is lowered to a predetermined height, and the suction of the wafer suction tool 48 is released at that position. As a result, the wafer 28
Will be mounted on the mounting table 40. On the other hand, the transfer device 41 moves to the side of the measuring table 38, the wafer suction tool 48 is positioned below the measuring table 38, and returns to the standby state for the next transfer.
【００４９】載置台４０に載置されたウェーハ２８は、
分配部５１の第一の搬出入装置５４によって第一のスト
ック部５２へ搬入される。即ち、第一の搬出入装置５４
の回転台６２が回転して載置台４０に対向する位置で停
止すると、搬出入アーム６４が移動して載置台４０から
ウェーハ２８を取り出して第一のストック部５２のカセ
ット５８ａ内に搬入する。The wafer 28 mounted on the mounting table 40 is
It is carried into the first stock section 52 by the first loading / unloading device 54 of the distributing section 51. That is, the first loading / unloading device 54
When the rotary table 62 rotates and stops at a position facing the mounting table 40, the loading / unloading arm 64 moves to take out the wafer 28 from the mounting table 40 and load it into the cassette 58a of the first stock section 52.
【００５０】上記の動作を繰り返すことにより、ウェー
ハセット部３１に配置されたカセット３６ａ，…，３６
ｄ内に収納されたウェーハ２８は、全て、その厚さを測
定後第一のストック部５２のカセット５８ａ，…，５８
ｄ内に順次搬入されて収納される。このとき、記憶部７
３は、測定結果に基づいてキャリアプレート２３に接着
するために、厚さの差が少ないウェーハ２８のグループ
を算出して形成する。そして、これらのグループを形成
するウェーハ２８が、第一のストック部５２のどのカセ
ットのどの位置にストックされたかを記憶する。By repeating the above-mentioned operation, the cassettes 36a, ..., 36 arranged in the wafer setting section 31.
The wafers 28 housed in d are all cassettes 58a, ..., 58 of the first stock portion 52 after their thickness is measured.
They are sequentially carried in and stored in d. At this time, the storage unit 7
3 is formed by calculating a group of wafers 28 having a small difference in thickness in order to adhere to the carrier plate 23 based on the measurement result. Then, the wafers 28 forming these groups are stored in which cassette and in which position of the first stock section 52 they are stocked.
【００５１】一方、第二の待機部５３内には、ウェーハ
が収納されておらず、待機状態にあるため、ウェーハセ
ット部３１に次ロットのウェーハ２８を収納したカセッ
ト３６ａ，…３６ｄをセットして厚さ分配機構２９を作
動させることにより、次ロットのウェーハ２８は、その
厚さを測定して記憶された後、第二の搬出入装置５５に
より第二の待機部５３のカセット５８ａ，…，５８ｄ内
に搬入されて収納可能である。On the other hand, since wafers are not stored in the second standby portion 53 and are in a standby state, the cassettes 36a, ... 36d storing the wafers 28 of the next lot are set in the wafer setting portion 31. By operating the thickness distribution mechanism 29, the thickness of the next lot of wafers 28 is measured and stored, and then the second loading / unloading device 55 causes the cassettes 58a, ... , 58d and can be stored.
【００５２】そして、この後、制御部７４が記憶部７３
の記憶に基づいて第一のストック部５２からグループご
とにウェーハ２８を取り出すように分配部５１に対して
指令を与える。すると、制御部７４の指令により、分配
部５１の第一の搬出入装置５４が第一のストック部５２
のカセット５８ａ，…，５８ｄ内に収納されたウェーハ
２８をグループごとに取り出して載置台５６に載置す
る。Then, after this, the control unit 74 causes the storage unit 73 to
The distribution unit 51 is instructed to take out the wafers 28 for each group from the first stock unit 52 on the basis of the memory. Then, according to a command from the control unit 74, the first loading / unloading device 54 of the distribution unit 51 causes the first stock unit 52 to move.
, 58d are taken out group by group and placed on the mounting table 56.
【００５３】このとき、ウェーハ２８の厚さが、予め入
力部より入力して設定した許容範囲外である場合、制御
部７４の指令により、移送装置５７がこのウェーハ２８
を排出部３４へ移送してカセット６８内に収納する。そ
して、この移送装置５７は、排出したウェーハ２８の代
替部材を代替部材供給部３５から取り出してターンテー
ブル６６の載置台６７に載置する。At this time, when the thickness of the wafer 28 is out of the allowable range set by the input unit in advance, the transfer device 57 causes the transfer unit 57 to control the wafer 28 according to a command from the control unit 74.
Is transferred to the discharge unit 34 and stored in the cassette 68. Then, the transfer device 57 takes out the substitute member of the discharged wafer 28 from the substitute member supply unit 35 and places it on the mounting table 67 of the turntable 66.
【００５４】一方、ウェーハ２８の厚さが、設定した許
容範囲内である場合、移送装置５７は、ウェーハ２８を
載置台５６からターンテーブル６６に設けられた載置台
６７に載置する。このターンテーブル６６は、ステッピ
ングモータによって９０゜ずつ回転するものなので、載
置台６７に載置されたウェーハ２８は、ターンテーブル
６６が図中、時計回りに９０゜回転することにより、ウ
ェーハ移送ロボット９による移送可能な位置へ搬送され
る。On the other hand, when the thickness of the wafer 28 is within the set allowable range, the transfer device 57 places the wafer 28 from the mounting table 56 on the mounting table 67 provided on the turntable 66. Since the turntable 66 is rotated by 90 ° by a stepping motor, the wafer 28 placed on the mounting table 67 is rotated by 90 ° in the clockwise direction in FIG. Is transported to a position where it can be transferred.
【００５５】そして、搬送されたウェーハ２８は、接着
機構２６のウェーハ移送ロボット９により接着剤塗布部
１０に形成された搬送路１２，１３へ交互に移送され
る。搬送路１２，１３において、ウェーハ２８は、ま
ず、センタリング装置１４に移送されてウェーハ搬送装
置２０に対する相対位置が修正される。相対位置が修正
されたウェーハは、ウェーハ搬送装置２０によって搬送
されて、洗浄装置１５による洗浄、乾燥装置１６による
乾燥、塗布装置１７による接着剤の塗布、溶剤揮発装置
１８における溶剤の揮発、オリフラ位置合わせ装置１９
による位置合わせの後、移載ロボット２１によってウェ
ーハセット部２４へ一枚ずつ移載される。Then, the transferred wafer 28 is transferred alternately to the transfer paths 12 and 13 formed in the adhesive applying section 10 by the wafer transfer robot 9 of the bonding mechanism 26. In the transfer paths 12 and 13, the wafer 28 is first transferred to the centering device 14 and the relative position with respect to the wafer transfer device 20 is corrected. The wafer whose relative position has been corrected is transferred by the wafer transfer device 20, and is cleaned by the cleaning device 15, dried by the drying device 16, coating an adhesive by the coating device 17, volatilizing the solvent in the solvent volatilizing device 18, and the orientation flat position. Matching device 19
After the alignment by (1), the transfer robot 21 transfers the wafers to the wafer setting unit 24 one by one.
【００５６】このとき、この移載と同期して、ウェーハ
搬送装置２０により前記センタリング装置１４、洗浄装
置１５、乾燥装置１６、塗布装置１７、溶剤揮発装置１
８およびオリフラ位置合わせ装置１９の間でのウェーハ
の搬送が行われる。この後、ウェーハは、貼付装置２２
により一枚のキャリアプレート２３に所定枚数貼付され
て、次工程の冷却装置７へ送られる。かくして、ウェー
ハ接着装置２５の厚さ分配機構２９を用いてのウェーハ
２８のキャリアプレート２３への接着が完了する。At this time, in synchronization with this transfer, the centering device 14, the cleaning device 15, the drying device 16, the coating device 17, and the solvent volatilization device 1 are moved by the wafer transfer device 20.
The wafer is transferred between the 8 and the orientation flat alignment device 19. After this, the wafer is attached to the attachment device 22.
By this, a predetermined number of sheets are attached to one carrier plate 23 and sent to the cooling device 7 in the next step. Thus, the bonding of the wafer 28 to the carrier plate 23 using the thickness distribution mechanism 29 of the wafer bonding apparatus 25 is completed.
【００５７】続いて、ウェーハ供給機構２７のうち補助
供給機構３０によってウェーハ２８を接着機構２６に供
給する場合の例を説明する。まず、小ロット品や再研磨
品等で厚さが既知のウェーハ２８をカセット７２ａ，
…，７２ｄへ収納して、これらのカセット７２ａ，…，
７２ｄを補助セット部７１にセットする。次に、移送装
置７０が、補助セット部７１のカセット７２ａ内からウ
ェーハ２８を一枚取り出してターンテーブル６６に設け
られた載置台６７に移送して載置する。Next, an example in which the auxiliary supply mechanism 30 of the wafer supply mechanism 27 supplies the wafer 28 to the bonding mechanism 26 will be described. First, the wafers 28 of known thickness such as small lot products and re-polished products are cassettes 72a,
..., 72d, and these cassettes 72a, ...,
72d is set in the auxiliary setting section 71. Next, the transfer device 70 takes out one wafer 28 from the cassette 72 a of the auxiliary setting section 71, transfers it to the mounting table 67 provided on the turntable 66, and mounts it.
【００５８】ウェーハ２８が載置されたターンテーブル
６６は、９０゜回転する。そして、移送装置７０が順次
カセット７２ａ，…，７２ｄからウェーハ２８を取り出
してターンテーブル６６の載置台６７に載置することを
繰り返すことで、ウェーハ２８は、順次ウェーハ移送ロ
ボット９による移送可能な位置へ搬送される。The turntable 66 on which the wafer 28 is placed rotates 90 °. Then, the transfer device 70 repeatedly takes out the wafers 28 from the cassettes 72a, ..., 72d and places them on the mounting table 67 of the turntable 66, so that the wafers 28 can be sequentially transferred by the wafer transfer robot 9. Be transported to.
【００５９】このウェーハ移送ロボット９によって接着
剤塗布部１０に形成された搬送路１２，１３へ移送され
たウェーハ２８は、上記同様、センタリング装置１４、
洗浄装置１５、乾燥装置１６、塗布装置１７、溶剤揮発
装置１８、オリフラ位置合わせ装置１９を経た後に移載
ロボット２１によってウェーハセット部２４へ移載され
る。そして、移載されたウェーハ２８は、貼付装置２２
により一枚のキャリアプレート２３に所定枚数貼付され
て次工程の冷却装置７へ送られる。かくして、ウェーハ
接着装置２５の補助供給機構３０を用いてのウェーハ２
８のキャリアプレート２３への接着が完了する。The wafer 28 transferred to the transfer paths 12 and 13 formed in the adhesive applying section 10 by the wafer transfer robot 9 has the centering device 14 and the centering device 14 similarly to the above.
After passing through the cleaning device 15, the drying device 16, the coating device 17, the solvent volatilization device 18, and the orientation flat alignment device 19, the transfer robot 21 transfers the wafer to the wafer setting unit 24. Then, the transferred wafer 28 is attached to the attaching device 22.
By this, a predetermined number of sheets are attached to one carrier plate 23 and sent to the cooling device 7 in the next step. Thus, the wafer 2 using the auxiliary supply mechanism 30 of the wafer bonding apparatus 25
Adhesion of 8 to the carrier plate 23 is completed.
【００６０】本実施の形態のウェーハ接着装置によれ
ば、ウェーハをキャリアプレートに接着する接着機構
と、ウェーハの厚さを測定して、その測定結果に基づい
てウェーハを供給する厚さ分配機構が一体的に構成され
ている。そのため、厚さ分類後のウェーハを接着機構迄
移動させるための装置と時間を別途設ける必要がなく、
装置の簡略化が可能になると共に生産効率が向上する。According to the wafer bonding apparatus of this embodiment, the bonding mechanism for bonding the wafer to the carrier plate and the thickness distribution mechanism for measuring the thickness of the wafer and supplying the wafer based on the measurement result. It is constructed integrally. Therefore, it is not necessary to separately provide a device and time for moving the wafer after the thickness classification to the bonding mechanism,
The device can be simplified and the production efficiency is improved.
【００６１】また、ストック部が複数あるため、ウェー
ハ接着装置に複数ロットのウェーハが投入可能となり生
産効率の向上に繋がる。一方、設定範囲外の厚さを有す
るウェーハを排出する排出部と、排出したウェーハの代
替部材を供給できる代替部材供給部とが備えられている
ため、許容範囲外のウェーハをキャリアプレートに接着
してしまうことも避けることが可能となる。さらに、厚
さ分配機構に加えて補助供給機構が備えられており、厚
さ分配機構を使用しない場合でも接着機構にウェーハを
供給できるため、ウェーハ接着装置を使用する際の汎用
性が広がるものである。Further, since there are a plurality of stock parts, a plurality of lots of wafers can be put into the wafer bonding apparatus, which leads to an improvement in production efficiency. On the other hand, since a discharge unit for discharging a wafer having a thickness outside the set range and a substitute member supply unit for supplying a substitute member for the discharged wafer are provided, the wafer outside the allowable range is bonded to the carrier plate. It is also possible to avoid it. Further, in addition to the thickness distribution mechanism, an auxiliary supply mechanism is provided, and even if the thickness distribution mechanism is not used, the wafer can be supplied to the bonding mechanism, so that the versatility when using the wafer bonding apparatus is expanded. is there.
【００６２】なお、上記実施の形態において、キャリア
プレートに貼付するウェーハの枚数を５枚としたがこれ
に限られることなく、ウェーハおよびキャリアプレート
の大きさに応じて適宜変更してよい。また、カセット
数、ストック部の数、搬出入装置数等は、一例として記
載したものであって、本発明のウェーハ接着装置におい
ては、生産数量等に応じて適宜変更可能である。In the above embodiment, the number of wafers to be attached to the carrier plate is set to 5, but the number is not limited to this, and may be appropriately changed according to the sizes of the wafer and carrier plate. Further, the number of cassettes, the number of stock units, the number of loading / unloading devices, etc. are described as an example, and the wafer bonding apparatus of the present invention can be appropriately changed according to the production quantity and the like.
【００６３】[0063]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係るウ
ェーハ接着装置によれば、接着機構にウェーハを供給す
るウェーハ供給機構には、ウェーハの厚さを測定する測
定部と、その測定結果に基づいてウェーハを供給する供
給部とを有する厚さ分配機構が設けられている構成とな
っている。これにより、厚さ分配機構がウェーハの厚さ
に基づいて接着機構にウェーハを供給するため、厚さ分
類後のウェーハを接着機構迄移動させるための装置と時
間を別途設ける必要がなく、装置の簡略化と共に生産効
率が向上するという優れた効果を奏する。As described above, according to the wafer bonding apparatus of the first aspect, the wafer supply mechanism for supplying the wafer to the bonding mechanism has the measuring section for measuring the thickness of the wafer and the measurement result thereof. A thickness distribution mechanism having a supply unit for supplying a wafer based on the above is provided. As a result, since the thickness distribution mechanism supplies the wafer to the bonding mechanism based on the thickness of the wafer, it is not necessary to separately provide a device and time for moving the wafer after the thickness classification to the bonding mechanism. It has an excellent effect that the production efficiency is improved with simplification.
【００６４】請求項２に係るウェーハ接着装置によれ
ば、供給部は測定結果を記憶すると共にその測定結果に
基づいてウェーハのグループを形成して記憶する記憶部
と、記憶部が記憶した測定結果に基づいてウェーハをグ
ループごとに接着機構に供給する分配部とを備える構成
となっている。これにより、接着機構には厚さの差が少
ないウェーハが供給されることになり、キャリアプレー
トには厚さの差が少ないウェーハが接着可能という効果
を奏するものである。According to the wafer bonding apparatus of the second aspect, the supply unit stores the measurement result, forms a group of wafers based on the measurement result, and stores the storage unit, and the measurement result stored by the storage unit. And a distribution unit that supplies wafers to the bonding mechanism for each group based on the above. As a result, a wafer having a small difference in thickness is supplied to the bonding mechanism, and the wafer having a small difference in thickness can be bonded to the carrier plate.
【００６５】請求項３に係るウェーハ接着装置によれ
ば、厚さ分配機構に排出部と代替部材供給部とが備えら
れる構成となっている。これにより、設定範囲外の厚さ
を有するウェーハを排出できると共に排出されたウェー
ハの代替部材を供給できるという優れた効果を奏する。According to the wafer bonding apparatus of the third aspect, the thickness distribution mechanism is provided with the discharging portion and the substitute member supplying portion. As a result, it is possible to discharge a wafer having a thickness outside the set range and to supply a substitute member for the discharged wafer.
【００６６】請求項４に係るウェーハ接着装置によれ
ば、ウェーハ供給機構には、厚さ分配機構に加えて補助
供給機構が備えられた構成となっている。これにより、
厚さ分配機構を使用しなくても接着機構にウェーハを供
給できるためウェーハ接着時の汎用性が広がるという優
れた効果を奏するものである。According to the wafer bonding apparatus of the fourth aspect, the wafer supply mechanism is provided with the auxiliary supply mechanism in addition to the thickness distribution mechanism. This allows
Since the wafer can be supplied to the bonding mechanism without using the thickness distribution mechanism, the versatility at the time of bonding the wafer is expanded, which is an excellent effect.
【００６７】請求項５に係るウェーハ接着装置によれ
ば、ストック部が複数設けられる構成となっている。こ
れにより、ウェーハ接着装置に複数ロットのウェーハが
投入可能となり生産効率の向上という効果が得られる。According to the wafer bonding apparatus of the fifth aspect, a plurality of stock parts are provided. As a result, a plurality of lots of wafers can be put into the wafer bonding apparatus, and the effect of improving the production efficiency can be obtained.
【００６８】[0068]
【図１】 本発明の実施の形態を示す図であって、ウェ
ーハ接着装置の外観平面図である。FIG. 1 is a view showing an embodiment of the present invention and is an external plan view of a wafer bonding apparatus.
【図２】 ウェーハ接着装置を構成する厚さ分配機構の
平面図である。FIG. 2 is a plan view of a thickness distribution mechanism that constitutes the wafer bonding apparatus.
【図３】 ウェーハ接着装置を構成する測定部の平面図
である。FIG. 3 is a plan view of a measuring unit constituting the wafer bonding apparatus.
【図４】 測定部を構成する測定部本体の正面図であ
る。FIG. 4 is a front view of a measuring unit main body which constitutes the measuring unit.
【図５】 測定部を構成する移送装置の正面図である。FIG. 5 is a front view of a transfer device that constitutes a measurement unit.
【図６】 ウェーハ接着装置を構成するウェーハセット
部のカセットの側面図である。FIG. 6 is a side view of a cassette of a wafer setting unit that constitutes the wafer bonding apparatus.
【図７】 ウェーハ接着装置を構成する厚さ分配機構お
よび補助供給機構の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a thickness distribution mechanism and an auxiliary supply mechanism that constitute the wafer bonding apparatus.
【図８】 キャリアプレートにウェーハを接着する接着
装置構成体の概略構成図である。FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a bonding device structure for bonding a wafer to a carrier plate.
【図９】 従来技術による接着装置の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a bonding device according to the related art.
２３ キャリアプレート ２５ ウェーハ接着装置 ２６ 接着機構 ２７ ウェーハ供給機構 ２８ ウェーハ ２９ 厚さ分配機構 ３０ 補助供給機構 ３１ ウェーハセット部 ３２ 測定部 ３３ 供給部 ３４ 排出部 ３５ 代替部材供給部 ５１ 分配部 ５２ 第一のストック部（ストック部） ５３ 第二のストック部（ストック部） ７３ 記憶部 ７４ 制御部 23 Carrier plate 25 Wafer bonding equipment 26 Adhesion mechanism 27 Wafer supply mechanism 28 wafers 29 Thickness distribution mechanism 30 Auxiliary supply mechanism 31 Wafer setting section 32 measuring section 33 Supply Department 34 Ejector 35 Substitute member supply unit 51 distributor 52 First Stock Department (Stock Department) 53 Second Stock Department (Stock Department) 73 Memory 74 Control unit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ (72)発明者 星野 定夫 新潟県長岡市城岡２−４−１ 玉川マシ ナリー株式会社長岡工場内 (56)参考文献 特開 平６−267916（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−260546（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 37/04 H01L 21/304 H01L 21/68 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H01L 21/68 H01L 21/68 N (72) Inventor Sadao Hoshino 2-4-1 Shirooka, Nagaoka City, Niigata Prefecture Tamagawa Machinery Co., Ltd. Nagaoka In the factory (56) Reference JP-A-6-267916 (JP, A) JP-A-6-260546 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) B24B 37/04 H01L 21/304 H01L 21/68
Claims (4)
リアプレートに接着する接着機構と、 該接着機構に前記ウェーハを供給するウェーハ供給機構
とを具備するウェーハ接着装置において、 前記ウェーハ供給機構は、厚さ分配機構を備えてなり、 該厚さ分配機構には、厚さ分類前のウェーハをセットす
るウェーハセット部と、 該ウェーハセット部にセット
された前記ウェーハの厚さを測定する測定部と、 該測定部が測定した測定結果に基づいて前記ウェーハを
供給する供給部とが設けられ、 前記供給部は、前記測定部が測定した測定結果を記憶す
ると共に該測定結果に基づいて前記複数のウェーハのグ
ループを形成して記憶する記憶部と、 厚さを測定された前記ウェーハをストックするストック
部と、 該ストック部から前記グループごとに前記ウェーハを取
り出して前記接着機構に供給する分配部と、 前記記憶部の記憶により前記分配部に前記ウェーハを取
り出す指令を与える制御部とを具備し、 前記供給部は前記記憶部に測定結果を記憶すると共にそ
の測定結果に基づいて前記ウェーハのグループを形成し
て記憶し、前記記憶部が記憶した測定結果に基づいて前
記ウェーハをグループごとに前記接着機構に供給する こ
とを特徴とするウェーハ接着装置。1. A wafer bonding apparatus comprising a bonding mechanism for bonding a plurality of wafers coated with an adhesive to a carrier plate, and a wafer supply mechanism for supplying the wafer to the bonding mechanism, wherein the wafer supply mechanism comprises: A thickness distribution mechanism is provided, and the thickness distribution mechanism includes a wafer setting section for setting the wafers before the thickness classification, and a measuring section for measuring the thickness of the wafer set in the wafer setting section. a supply unit is provided for supplying the wafer based on the measurement result of the measuring portion is measured, the supply unit may be stored the measurement result in which the measuring portion is measured
And a group of wafers based on the measurement results.
A storage unit that forms a loop and stores it, and a stock that stocks the wafer whose thickness has been measured.
Section and the wafer from the stock section for each group.
A dispensing unit that projects and supplies the wafer to the bonding mechanism, and stores the wafer in the dispensing unit by the storage of the storage unit.
And a control unit that gives a command to output the measurement result, and the supply unit stores the measurement result in the storage unit and outputs the measurement result.
Forming a group of the wafers based on the measurement results of
Stored based on the measurement results stored in the storage unit.
A wafer bonding apparatus characterized by supplying wafers to the bonding mechanism in groups .
て、 前記厚さ分配機構には、設定範囲外の厚さを有する前記
ウェーハを排出する排出部と、 該排出部により排出された前記ウェーハの代替部材を供
給する代替部材供給部とが備えられていることを特徴と
するウェーハ接着装置。2. The wafer bonding apparatus according to claim 1, wherein the thickness distribution mechanism discharges the wafer having a thickness outside a set range, and the wafer discharged by the discharge unit. A wafer bonding apparatus, comprising: a replacement member supply unit that supplies a replacement member.
装置において、 前記ウェーハ供給機構には、前記厚さ分配機構に加えて
前記ウェーハを供給する補助供給機構が備えられている
ことを特徴とするウェーハ接着装置。3. The wafer bonding apparatus according to claim 1, wherein the wafer supply mechanism includes an auxiliary supply mechanism for supplying the wafer in addition to the thickness distribution mechanism. Wafer bonding equipment.
ーハ接着装置において、 前記ストック部は複数設けられていることを特徴とする
ウェーハ接着装置。4. The wafer bonding apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the stock parts are provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP01434597A JP3488796B2 (en) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | Wafer bonding equipment |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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|---|---|
| JPH10202516A JPH10202516A (en) | 1998-08-04 |
| JP3488796B2 true JP3488796B2 (en) | 2004-01-19 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103646903A (en) * | 2013-12-11 | 2014-03-19 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | Wafer positioning and thickness measuring apparatus |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100111650A1 (en) * | 2008-01-31 | 2010-05-06 | Applied Materials, Inc. | Automatic substrate loading station |
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- 1997-01-28 JP JP01434597A patent/JP3488796B2/en not_active Expired - Fee Related
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| CN103646903A (en) * | 2013-12-11 | 2014-03-19 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | Wafer positioning and thickness measuring apparatus |
| CN103646903B (en) * | 2013-12-11 | 2016-07-06 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | Wafer location and measuring thickness device |
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|---|---|
| JPH10202516A (en) | 1998-08-04 |
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