JP3487655B2 - Processing liquid coating device - Google Patents
Processing liquid coating deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、処理液塗布装置、特に
基板の表面に所定の処理液を塗布するための処理液塗布
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a treatment liquid coating device, and more particularly to a treatment liquid coating device for coating a predetermined treatment liquid on the surface of a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶用ガラス角型基板、
フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基
板、カラーフィルタ用基板、サーマルヘッド用セラミッ
ク基板等の各種基板に表面にフォトレジスト等の処理液
を塗布する塗布装置として、基板に接触しつつ回転させ
られるアプリケータロールの表面に処理液を供給し、こ
の処理液を基板表面に転写するように構成されたロール
コータは、実開平４−９９２６６号公報等において種々
知られている。2. Description of the Related Art Semiconductor wafers, glass rectangular substrates for liquid crystals,
As an application device that applies treatment liquid such as photoresist to the surface of various substrates such as flexible substrates for film liquid crystals, substrates for photomasks, substrates for color filters, ceramic substrates for thermal heads, etc. Various roll coaters configured to supply the treatment liquid to the surface of the troll and transfer the treatment liquid to the surface of the substrate are known in Japanese Utility Model Laid-Open No. 4-99266.
【０００３】さらに、基板表面に処理液を塗布する装置
として、特開昭５６−１５９６４６号公報に示されるよ
うに、スリット状の吐出部を有するスリットノズルを用
いてスリットコートを行なうスリットコータが知られて
いる。スリットコータでは、保持面に水平に保持された
基板に対してスリットノズルが移動しながら基板上に処
理液を塗布していく。そのとき、ノズルの下面が塗布液
を押して圧力部分を形成し、塗布後の膜厚の一定化を図
っている。Further, as an apparatus for applying a treatment liquid to the surface of a substrate, there is known a slit coater for slit coating using a slit nozzle having a slit-shaped discharge portion, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 56-159646. Has been. In the slit coater, the slit nozzle moves with respect to the substrate held horizontally on the holding surface to apply the treatment liquid onto the substrate. At this time, the lower surface of the nozzle presses the coating liquid to form a pressure portion, and the film thickness after coating is made constant.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述したいずれの処理
液塗布装置においても、基板表面に処理液を塗布する工
程中に、塗布された処理液によって形成される膜の厚み
（以下、処理液の膜厚と記す）を測定するものはない。
従って、装置の状態に応じて、塗布される処理液の膜厚
にバラツキが生じるおそれがある。また、塗布される処
理液の膜厚は、オフラインにおいて抜き取り検査によっ
てチェックされる場合が多い。この場合、処理液を塗布
する工程で不適切な膜厚のものが生じたあと、これが検
査工程で判明するまでに時間がかかり、この間に製造さ
れる基板が無駄になるおそれがある。In any of the above-mentioned treatment liquid coating devices, during the step of coating the substrate surface with the treatment liquid, the thickness of the film formed by the applied treatment liquid (hereinafter referred to as the treatment liquid There is nothing to measure the film thickness).
Therefore, the film thickness of the applied processing liquid may vary depending on the state of the apparatus. Further, the film thickness of the applied processing liquid is often checked off-line by a sampling inspection. In this case, after a film having an inappropriate film thickness is produced in the process of applying the treatment liquid, it takes time until it is found in the inspection process, and the substrate manufactured during this time may be wasted.
【０００５】本発明の目的は、基板の膜厚異常を早期に
発見できる処理液塗布装置の提供にある。本発明の別の
目的は、基板上に形成される膜が適切な膜厚となるよう
に処理液を供給する処理液塗布装置の提供にある。An object of the present invention is to provide a processing liquid coating apparatus which can detect an abnormal film thickness of a substrate at an early stage. Another object of the present invention is to provide a processing liquid coating apparatus that supplies a processing liquid so that a film formed on a substrate has an appropriate film thickness.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の処理液塗布装置は、基板保持部と、処理液供給手段
と、膜厚測定手段とを備える。基板保持手段は基板を保
持する。処理液供給手段は、基板保持部に保持された基
板の表面に沿う方向に相対移動しながら基板表面に処理
液を塗布する処理液供給部を有している。膜厚測定手段
は、処理液供給部により処理液が塗布されつつある基板
において当該基板の表面に塗布された処理液の膜厚を検
出する。A processing liquid coating apparatus according to a first aspect of the present invention comprises a substrate holding portion, a processing liquid supplying means, and a film thickness measuring means. The substrate holding means holds the substrate. The processing liquid supply unit has a processing liquid supply unit that applies the processing liquid to the substrate surface while moving relatively in the direction along the surface of the substrate held by the substrate holding unit. The film thickness measuring means is a substrate on which the processing liquid is being applied by the processing liquid supply unit.
At, the film thickness of the treatment liquid applied to the surface of the substrate is detected.
【０００７】請求項２に記載の処理液塗布装置は、請求
項１に記載の処理液塗布装置において、膜厚測定手段の
測定結果に基づいて基板保持部に保持された基板の表面
と処理液供給部とのギャップを制御するギャップ制御手
段を更に備える構成である。請求項３に記載の処理液塗
布装置は、請求項２に記載の処理液塗布装置において、
処理液供給部が、相対移動する方向と交差する方向に延
びる処理液供給口を有するノズル本体と、処理液供給口
の相対移動方向上流側に配置され、処理液供給口と平行
に延びる弾性変形可能なギャップ調整部材とを有する構
成であり、ギャップ制御手段が、相対移動方向に交差す
る方向に複数配置されておりギャップ調整部材を弾性変
形させるための駆動素子を有する構成となっている。According to a second aspect of the present invention, there is provided the processing liquid coating apparatus according to the first aspect, wherein the surface of the substrate held by the substrate holding unit and the processing liquid are based on the measurement result of the film thickness measuring means. The configuration further includes a gap control unit that controls the gap with the supply unit. The treatment liquid application device according to claim 3 is the treatment liquid application device according to claim 2,
The processing liquid supply unit is provided with a nozzle main body having a processing liquid supply port extending in a direction intersecting the direction in which the processing liquid supply unit relatively moves, and an elastic deformation that is arranged upstream of the processing liquid supply port in the relative movement direction and extends in parallel with the processing liquid supply port. A possible gap adjusting member is provided, and a plurality of gap control means are arranged in a direction intersecting the relative movement direction, and a drive element for elastically deforming the gap adjusting member is provided.
【０００８】請求項４に記載の処理液塗布装置は、請求
項１〜３のいずれかに記載の処理液塗布装置において、
膜厚測定手段が、処理液供給部の相対移動方向上流側に
取り付けられた検出部を備える構成となっている。請求
項５に記載の処理液塗布装置は、請求項１〜４のいずれ
かに記載の処理液塗布装置において、膜厚測定手段は、
相対移動方向に交差する方向に移動する検出部を備え
る。 A treatment liquid coating apparatus according to a fourth aspect is the treatment liquid coating apparatus according to any one of the first to third aspects,
Thickness measuring means, has a configuration including a detection unit which is attached to the relative movement direction upstream side of the processing liquid supply unit. Claim
The treatment liquid application device according to claim 5 is any one of claims 1 to 4.
In the treatment liquid application device according to the above, the film thickness measuring means,
Equipped with a detector that moves in the direction that intersects the relative movement direction
It
【０００９】[0009]
【作用】本発明の請求項１に記載の処理液塗布装置で
は、基板保持部に基板を保持し、処理液供給手段の処理
液供給部によって基板表面に処理液の塗布を行なう。こ
のとき、同時に膜厚測定手段によって、塗布された処理
液の膜厚を測定する。請求項２に記載の処理液塗布装置
では、膜厚測定手段の測定結果に基づいて、ギャップ制
御手段が、処理液供給部を基板表面に対して接離させ、
基板表面に形成される処理液の膜厚を調整する。In the treatment liquid coating apparatus according to the first aspect of the present invention, the substrate is held in the substrate holding portion, and the treatment liquid is applied to the surface of the substrate by the treatment liquid supply unit of the treatment liquid supply means. At this time, the film thickness of the applied processing liquid is simultaneously measured by the film thickness measuring means. In the processing liquid coating apparatus according to claim 2, the gap control means brings the processing liquid supply part into contact with or separates from the substrate surface based on the measurement result of the film thickness measuring means.
The film thickness of the processing liquid formed on the substrate surface is adjusted.
【００１０】請求項３に記載の処理液塗布装置では、ギ
ャップ調整部材によってノズル本体の処理液供給口と基
板表面との距離が調整されている。ギャップ制御手段
は、膜厚測定手段の測定結果に基づいて駆動素子により
ギャップ調整部材を弾性変形させ、基板表面に塗布され
る処理液を適切な膜厚にする。請求項４に記載の処理液
塗布装置では、処理液供給部の相対移動方向上流側に設
けられる検出部により、処理液の塗布直後に膜厚の測定
を行なう。請求項５に記載の処理液塗布装置では、検出
部は、処理液供給部の相対移動方向に交差する方向に移
動され、基板表面全域の膜厚を測定する。In the treatment liquid application device according to the third aspect, the distance between the treatment liquid supply port of the nozzle body and the substrate surface is adjusted by the gap adjusting member. The gap control means elastically deforms the gap adjusting member by the drive element based on the measurement result of the film thickness measuring means, so that the processing liquid applied to the substrate surface has an appropriate film thickness. In the treatment liquid application apparatus according to the fourth aspect, the film thickness is measured immediately after the application of the treatment liquid by the detection unit provided on the upstream side in the relative movement direction of the treatment liquid supply unit. In the treatment liquid application apparatus according to the fifth aspect, the detection unit is moved in a direction intersecting the relative movement direction of the treatment liquid supply unit to measure the film thickness on the entire surface of the substrate.
【００１１】[0011]
【実施例】本発明の一実施例が採用されるレジスト液塗
布装置１を図１に示す。レジスト液塗布装置１は、角型
基板Ｗの表面にレジスト液を塗布するための装置であ
り、主に基板保持部２と塗布部３と洗浄部４とを備えて
いる。基板保持部２は、角型基板Ｗがその上に載置され
る保持板５と、保持板５の下方に配置された９つのアク
チュエータ６と、ガイド機構７とを主に備えている。FIG. 1 shows a resist solution coating apparatus 1 to which an embodiment of the present invention is applied. The resist liquid coating device 1 is a device for coating the surface of the rectangular substrate W with the resist liquid, and mainly includes a substrate holding portion 2, a coating portion 3, and a cleaning portion 4. The substrate holding unit 2 mainly includes a holding plate 5 on which the rectangular substrate W is placed, nine actuators 6 arranged below the holding plate 5, and a guide mechanism 7.
【００１２】保持板５は、図１のＸ方向に長い長方形で
上下方向に弾性変形可能である。保持板５の表面には多
数の真空吸着口（図示せず）が形成されている。この真
空吸着口は、図示しない真空ポンプ等の吸気系６６（後
述）に接続されている。９つのアクチュエータ６は保持
板５を下方から支持している。アクチュエータ６は、伸
縮することにより保持板５を局部的に弾性変形させる。The holding plate 5 is a rectangle long in the X direction in FIG. 1 and is elastically deformable in the vertical direction. A large number of vacuum suction ports (not shown) are formed on the surface of the holding plate 5. This vacuum suction port is connected to an intake system 66 (described later) such as a vacuum pump (not shown). The nine actuators 6 support the holding plate 5 from below. The actuator 6 expands and contracts to locally elastically deform the holding plate 5.
【００１３】ガイド機構７は、図２に詳細に示すよう
に、一対のディスペンサガイド９と、ディスペンサガイ
ド９を駆動するためのリンク機構１０とから構成されて
いる。ディスペンサガイド９は、図から明らかなよう
に、保持板５の短辺に沿って延びる細長い板状の部材で
ある。ディスペンサガイド９の上面は、保持板５上に角
型基板Ｗが保持されたときに角型基板Ｗの上面と面一に
なるようになっている。リンク機構１０は保持板５の下
方に配置され、各ディスペンサガイド９に２本ずつ固定
された支持棒１１と、支持棒１１が固定された一対の板
部材１２と、各板部材１２に固定された調整ロッド１３
と、両調整ロッド１３に回動自在に連結された回動部材
１５と、板部材１２を内側に（互いに近づく方向に）付
勢するリターンスプリング１６と、回動部材１５を回動
させるためのシリンダ１７とを備えている。図１及び図
２に示す状態では、シリンダ１７はオフ状態であり、シ
リンダロッドが突出して回動部材１５を反時計回りに回
動させている。これにより、ディスペンサガイド９は、
リターンスプリング１６による付勢力に抗して、保持板
５の短辺端縁から所定距離離れている。シリンダ１７が
オンされると、シリンダ１７のロッドが回動部材１５か
ら離れ、リターンスプリング１６の付勢力によりディス
ペンサガイド９が保持板５側に移動する。このとき角型
基板Ｗが保持板５に保持されていると、ディスペンサガ
イド９は角型基板Ｗの短辺端縁に当接する。なお、ディ
スペンサガイド９と支持棒１１とは、コイルスプリング
１８によって連結されている。As shown in detail in FIG. 2, the guide mechanism 7 comprises a pair of dispenser guides 9 and a link mechanism 10 for driving the dispenser guides 9. As is clear from the figure, the dispenser guide 9 is an elongated plate-shaped member extending along the short side of the holding plate 5. The upper surface of the dispenser guide 9 is flush with the upper surface of the rectangular substrate W when the rectangular substrate W is held on the holding plate 5. The link mechanism 10 is disposed below the holding plate 5, and has two support rods 11 fixed to each dispenser guide 9, a pair of plate members 12 to which the support rods 11 are fixed, and each plate member 12. Adjusting rod 13
A rotating member 15 rotatably connected to both adjusting rods 13, a return spring 16 for urging the plate member 12 inward (in a direction toward each other), and a rotating member 15 for rotating the rotating member 15. And a cylinder 17. In the state shown in FIGS. 1 and 2, the cylinder 17 is in the off state, and the cylinder rod projects to rotate the rotating member 15 counterclockwise. Thereby, the dispenser guide 9
It is separated from the short side end edge of the holding plate 5 by a predetermined distance against the biasing force of the return spring 16. When the cylinder 17 is turned on, the rod of the cylinder 17 separates from the rotating member 15 and the biasing force of the return spring 16 moves the dispenser guide 9 toward the holding plate 5. At this time, when the rectangular substrate W is held by the holding plate 5, the dispenser guide 9 comes into contact with the short side edge of the rectangular substrate W. The dispenser guide 9 and the support rod 11 are connected by a coil spring 18.
【００１４】塗布部３は、図１に示すように、ノズル２
０と、ノズル２０を駆動するための駆動機構２１とから
構成されている。ノズル２０は駆動機構２１によって図
１のＸ方向に移動可能になっている。ノズル２０は、Ｘ
方向に直交するＹ方向に長く延びている。ノズル２０
は、図３に示すように断面が倒立家型の部材である。ま
た、ノズル２０は、下端に長手方向に延びるスリット２
０ａを有している。ノズル２０内部において、スリット
２０ａの途中にはスリット２０ａよりも幅の広い液溜め
２０ｂが形成されている。この液溜め２０ｂは、レジス
ト液供給装置６７（後述）に接続されている。液溜め２
０ｂは、レジスト液供給装置から供給されたレジスト液
をノズル２０の長手方向に均一に拡散させるものであ
る。As shown in FIG. 1, the coating section 3 includes a nozzle 2
0 and a drive mechanism 21 for driving the nozzle 20. The nozzle 20 is movable by the drive mechanism 21 in the X direction of FIG. Nozzle 20 is X
It extends long in the Y direction orthogonal to the direction. Nozzle 20
Is an inverted house-shaped member as shown in FIG. Further, the nozzle 20 has a slit 2 extending in the longitudinal direction at the lower end.
It has 0a. Inside the nozzle 20, a liquid reservoir 20b wider than the slit 20a is formed in the middle of the slit 20a. The liquid reservoir 20b is connected to a resist liquid supply device 67 (described later). Pool 2
0b is for uniformly spreading the resist solution supplied from the resist solution supply device in the longitudinal direction of the nozzle 20.
【００１５】ノズル２０の移動方向後方側（図３のＸ2
側）傾斜面には、ギャップ調整機構３３が設けられてい
る。ギャップ調整機構３３は、主に、ダイ部材３４と支
持ブロック３５と圧電素子３６と静電容量変位計３７と
を備えている。ダイ部材３４は、ノズル２０の後方側傾
斜面に沿って形成された凹部２０ｃ内に斜めに配置され
ている。凹部２０ｃおよびダイ部材３４は、図３の紙面
直交方向（図１のＹ方向）に延びている。ダイ部材３４
は薄い板部材であり、厚み方向に弾性変形可能である。
ダイ部材３４は、下端がノズル２０のスリット２０ａの
出口近傍に配置され、角型基板Ｗとの間にギャップを形
成している。ダイ部材３４と凹部２０ｃとの間には所定
の隙間が形成されている。この隙間内には、互いに逆向
きに重ね合わされた一対のコーンスプリング３８が２組
配置されており、ダイ部材３４を斜め下方の角型基板Ｗ
側に付勢している。また、ダイ部材３４と凹部２０ｃと
の間の隙間は、ノズル２０に形成された吸引孔２０ｄに
連通している。吸引孔２０ｄは、図示しない真空ポンプ
等からなる吸気系６６（後述）に接続されている。この
ように、ノズル２０のスリット２０ａから吐出されたレ
ジスト液を吸引する構造を有しているため、角型基板Ｗ
に供給されるレジスト液の量を調整できる。The rear side in the moving direction of the nozzle 20 (X 2 in FIG. 3)
The side) inclined surface is provided with a gap adjusting mechanism 33. The gap adjusting mechanism 33 mainly includes a die member 34, a support block 35, a piezoelectric element 36, and a capacitance displacement meter 37. The die member 34 is obliquely arranged in the recess 20c formed along the rearward inclined surface of the nozzle 20. The recess 20c and the die member 34 extend in the direction orthogonal to the paper surface of FIG. 3 (Y direction in FIG. 1). Die member 34
Is a thin plate member and is elastically deformable in the thickness direction.
The lower end of the die member 34 is arranged in the vicinity of the exit of the slit 20a of the nozzle 20 and forms a gap with the rectangular substrate W. A predetermined gap is formed between the die member 34 and the recess 20c. In this gap, two pairs of cone springs 38, which are superposed in opposite directions, are arranged, and the die member 34 is placed on the rectangular substrate W diagonally below.
It is biased to the side. The gap between the die member 34 and the recess 20c communicates with the suction hole 20d formed in the nozzle 20. The suction hole 20d is connected to an intake system 66 (described later) including a vacuum pump or the like (not shown). In this way, since the resist liquid discharged from the slit 20a of the nozzle 20 is sucked, the rectangular substrate W
The amount of resist solution supplied to the can be adjusted.
【００１６】支持ブロック３５は、ノズル長手方向に延
びかつノズル２０の後方側傾斜面に固定されている。支
持ブロック３５は、ダイ部材３４に当接する側の側壁
に、ノズル長手方向に並んで形成された複数の孔３５ａ
を有している。それぞれの孔３５ａ内には、ダイ部材３
４に形成された複数の突起３４ａのそれぞれが挿入され
ている。支持ブロック３５の内部において、ダイ部材３
４の突起部３４ａと対応する箇所には、支持ブロック３
５と一体に形成された複数のリンク部３５ｂが配置され
ている。各リンク部３５ｂと支持ブロック３５とは細い
連結部３５ｃで連結されており、リンク部３５ｂの下部
はダイ部材３４の突起３４ａに当接している。なお、リ
ンク部３５ｂは、連結部３５ｃを支点として回動するよ
うに弾性変形可能である。圧電素子３６は、複数のリン
ク部３５ｂに対応して、例えば２０ｍｍピッチで図３の
紙面直交方向に複数配置されている。圧電素子３６が図
３に示す状態から下方に伸びると、リンク部３５ｂが回
動するように変形し、それに対応するダイ部材３４の一
部が局部的に変形する。この結果、ダイ部材３４の下端
と角型基板Ｗとの間隔がノズル２０の長手方向において
様々に変更される。圧電素子３６の近傍には、静電容量
変位計３７が配置されている。静電容量変位計３７は、
圧電素子３６において電圧と変位量との関係で生じる変
位量のずれを補正するためのものである。The support block 35 extends in the longitudinal direction of the nozzle and is fixed to the rearward inclined surface of the nozzle 20. The support block 35 has a plurality of holes 35 a formed in the side wall on the side that abuts the die member 34 and arranged in the nozzle longitudinal direction.
have. The die member 3 is provided in each hole 35a.
Each of the plurality of protrusions 34a formed on the No. 4 is inserted. Inside the support block 35, the die member 3
4, the support block 3 is provided at a position corresponding to the protrusion 34a.
5, a plurality of link portions 35b formed integrally with each other are arranged. Each link part 35b and the support block 35 are connected by a thin connecting part 35c, and the lower part of the link part 35b is in contact with the protrusion 34a of the die member 34. The link portion 35b is elastically deformable so as to rotate about the connecting portion 35c as a fulcrum. A plurality of piezoelectric elements 36 are arranged at a pitch of 20 mm, for example, in a direction orthogonal to the paper surface of FIG. 3, corresponding to the plurality of link portions 35b. When the piezoelectric element 36 extends downward from the state shown in FIG. 3, the link portion 35b is deformed so as to rotate, and a part of the die member 34 corresponding thereto is locally deformed. As a result, the distance between the lower end of the die member 34 and the rectangular substrate W is variously changed in the longitudinal direction of the nozzle 20. A capacitance displacement meter 37 is arranged near the piezoelectric element 36. The capacitance displacement meter 37 is
The piezoelectric element 36 is for correcting the deviation of the displacement amount caused by the relationship between the voltage and the displacement amount.
【００１７】ノズル２０の移動方向後方側（上流側：Ｘ
2 側）には、ギャップセンサ２７が設けられている。ギ
ャップセンサ２７は、光学式センサであり、角型基板Ｗ
の上面から所定距離を開けて配置され、ノズル２０の下
端と角型基板Ｗとの間隔を検出する。ギャップセンサ２
７は、図４に示すように、ノズル２０に固定されたボー
ルネジ５４とモータ５５とによって、ノズル２０の長手
方向に移動自在になっている。The rear side in the moving direction of the nozzle 20 (upstream side: X
The gap sensor 27 is provided on the second side). The gap sensor 27 is an optical sensor, and has a rectangular substrate W.
Is arranged at a predetermined distance from the upper surface of the rectangular substrate W and detects the distance between the lower end of the nozzle 20 and the rectangular substrate W. Gap sensor 2
As shown in FIG. 4, 7 is movable in the longitudinal direction of the nozzle 20 by a ball screw 54 fixed to the nozzle 20 and a motor 55.
【００１８】また、ギャップセンサ２７に隣接して膜厚
計測ファイバ８０の先端部である膜厚検出部８１が取り
付けられている。膜厚検出部８１は、ギャップセンサ２
７とともにノズル２０の長手方向に移動自在になってい
る。膜厚計測ファイバ８０は、膜厚計８２に内蔵される
光源からの光を膜厚検出部８１から角型基板Ｗの表面に
照射し、反射光を再度膜厚検出部８１より受光して、膜
厚計８２（図６）の受光部に案内する。Further, adjacent to the gap sensor 27, a film thickness detecting section 81, which is the tip of the film thickness measuring fiber 80, is attached. The film thickness detection unit 81 includes the gap sensor 2
It is movable along with the nozzle 7 in the longitudinal direction of the nozzle 20. The film thickness measuring fiber 80 irradiates light from a light source built in the film thickness meter 82 onto the surface of the rectangular substrate W from the film thickness detection unit 81, receives reflected light again from the film thickness detection unit 81, Guide to the light receiving part of the film thickness meter 82 (FIG. 6).
【００１９】膜厚検出部８１から照射される光のうち一
部は、塗布された処理液の表面で反射される。また、照
射光の一部は角型基板Ｗに塗布された処理液を一旦透過
し、角型基板Ｗの表面で反射される。両反射光は、互い
に干渉して干渉縞を形成するが、この干渉縞を観察する
ことで、処理液の膜厚を知ることが可能である。膜厚計
８２は分光器等を含み、膜厚計測ファイバ８０が受光し
た光に基づいて、角型基板Ｗの表面に塗布された処理液
の膜厚データを演算する。A part of the light emitted from the film thickness detecting section 81 is reflected on the surface of the applied processing liquid. Further, a part of the irradiation light once passes through the processing liquid applied to the rectangular substrate W and is reflected on the surface of the rectangular substrate W. Both reflected lights interfere with each other to form interference fringes, and by observing the interference fringes, the film thickness of the treatment liquid can be known. The film thickness meter 82 includes a spectroscope and the like, and calculates film thickness data of the treatment liquid applied to the surface of the rectangular substrate W based on the light received by the film thickness measuring fiber 80.
【００２０】駆動機構２１は、図１に示すように、ノズ
ル２０の両端を支持するブロック２２と、両端のブロッ
ク２２を下方から支持するコ字状の支持ステイ２３とか
ら主に構成されている。支持ステイ２３は、ノズル２０
の移動方向に延びるボールネジ２４に連結されている。
ボールネジ２４は、図示しないモータに連結されてい
る。このモータが駆動されると、支持ステイ２３および
ノズル２０が角型基板Ｗに対して図１のＸ方向に移動す
る。As shown in FIG. 1, the drive mechanism 21 is mainly composed of a block 22 that supports both ends of the nozzle 20 and a U-shaped support stay 23 that supports the blocks 22 at both ends from below. . The support stay 23 includes the nozzle 20.
Is connected to a ball screw 24 extending in the moving direction of.
The ball screw 24 is connected to a motor (not shown). When this motor is driven, the support stay 23 and the nozzle 20 move in the X direction of FIG. 1 with respect to the rectangular substrate W.
【００２１】ブロック２２にはモータ２５が設けられて
いる。モータ２５は、図５に示すように、プーリ３８及
びベルト２６によってボールネジ２６ａに連結されてい
る。ボールネジ２６ａは、軸２９に装着されたナット２
８に螺合している。また、軸２９はノズル２０に連結さ
れている。以上の構成により、モータ２５が回転する
と、ノズル２０が図１のＹ方向に移動する。さらに、ブ
ロック２２に設けられたモータ３０（図１）により、ノ
ズル２０は傾き運動も可能である。The block 22 is provided with a motor 25. As shown in FIG. 5, the motor 25 is connected to the ball screw 26a by a pulley 38 and a belt 26. The ball screw 26a is a nut 2 attached to the shaft 29.
It is screwed to 8. The shaft 29 is connected to the nozzle 20. With the above configuration, when the motor 25 rotates, the nozzle 20 moves in the Y direction of FIG. Further, the motor 20 (FIG. 1) provided in the block 22 allows the nozzle 20 to tilt.
【００２２】両ブロック２２には、図１に示すように、
鉛直方向に延びるボールネジ３１が連結されている。ボ
ールネジ３１はモータ３２に接続されている。これによ
り、ノズル２０は昇降可能である。洗浄部４は、図１に
示すように、基板保持部２のＸ方向両側にそれぞれ配置
されている。各洗浄部４は、洗浄装置３９と、洗浄装置
３９をＹ方向に移動させる移動機構４０とを備えてい
る。洗浄装置３９は、ブロック状であり、ディスペンサ
ガイド９が保持板５から所定距離離れた状態（図１参
照）で、角型基板Ｗの短辺端縁とディスペンサガイド９
の端縁とを洗浄するためＸ方向両側に開いた開口部（図
示せず）を有している。In both blocks 22, as shown in FIG.
A ball screw 31 extending in the vertical direction is connected. The ball screw 31 is connected to the motor 32. As a result, the nozzle 20 can be moved up and down. As shown in FIG. 1, the cleaning units 4 are arranged on both sides of the substrate holding unit 2 in the X direction. Each cleaning unit 4 includes a cleaning device 39 and a moving mechanism 40 that moves the cleaning device 39 in the Y direction. The cleaning device 39 has a block shape, and when the dispenser guide 9 is separated from the holding plate 5 by a predetermined distance (see FIG. 1), the short side edge of the rectangular substrate W and the dispenser guide 9 are provided.
Has an opening (not shown) opened on both sides in the X direction for cleaning the edge of the.
【００２３】レジスト液塗布装置１は、さらに、図６に
示す制御部５７を有している。制御部５７は、ＣＰＵ，
ＲＡＭ，ＲＯＭ及び他の部品からなるマイクロコンピュ
ータを含んでいる。制御部５７には、入力装置として、
操作パネル５８とギャップセンサ２７とノズル位置セン
サ５９と基板検出センサ６０と吸着確認センサ６１と膜
厚計８２とが接続されている。操作パネル５８からは、
オペレーターが様々な指示を装置１に与えることができ
る。たとえば、ノズル２０の洗浄を角型基板何枚毎に行
うかを設定する。ノズル位置センサ５９は、ノズル２０
のＸ方向の位置を検出する。基板検出センサ６０は、角
型基板Ｗが保持板５上に載置されているか否かを検出す
る。吸着確認センサ６１は、吸気系６６に設けられ、真
空圧を検出することにより角型基板Ｗが保持板５上に吸
着されているか否かを検出する。The resist solution coating apparatus 1 further has a control section 57 shown in FIG. The control unit 57 includes a CPU,
It includes a microcomputer consisting of RAM, ROM and other components. The control unit 57 has, as an input device,
The operation panel 58, the gap sensor 27, the nozzle position sensor 59, the substrate detection sensor 60, the suction confirmation sensor 61, and the film thickness meter 82 are connected. From the operation panel 58,
The operator can give various instructions to the device 1. For example, the number of rectangular substrates for cleaning the nozzle 20 is set. The nozzle position sensor 59 is used for the nozzle 20.
Position in the X direction is detected. The substrate detection sensor 60 detects whether or not the rectangular substrate W is placed on the holding plate 5. The suction confirmation sensor 61 is provided in the suction system 66, and detects whether or not the rectangular substrate W is suctioned on the holding plate 5 by detecting the vacuum pressure.
【００２４】さらに、制御部５７には、出力装置とし
て、アクチュエータ駆動部６２とダイ駆動部６３とセン
サ駆動部６４とノズル駆動部６５と吸気系６６とレジス
ト液供給装置６７とシリンダ１７とが接続されている。
アクチュエータ駆動部６２は各アクチュエータ６を伸縮
させる。ダイ駆動部６３は、圧電素子３６を駆動するも
のであり、静電容量変位計３７が接続されている。セン
サ駆動部６４は、モータ５５に接続され、ギャップセン
サ２７および膜厚検出部８１とをＹ方向に移動させる。
ノズル駆動部６５は、ボールネジ２４、モータ２５、モ
ータ３０、３２に接続され、ノズル２０を角型基板Ｗに
対して移動、昇降、揺動、傾斜させる。吸気系６６は、
保持板５、ノズル２０および洗浄装置３９での吸引を行
う真空ポンプ等からなる。Further, an actuator drive unit 62, a die drive unit 63, a sensor drive unit 64, a nozzle drive unit 65, an intake system 66, a resist solution supply unit 67, and a cylinder 17 are connected to the control unit 57 as output devices. Has been done.
The actuator drive unit 62 expands and contracts each actuator 6. The die driving section 63 drives the piezoelectric element 36, and is connected to the capacitance displacement meter 37. The sensor drive unit 64 is connected to the motor 55 and moves the gap sensor 27 and the film thickness detection unit 81 in the Y direction.
The nozzle driving unit 65 is connected to the ball screw 24, the motor 25, and the motors 30 and 32, and moves, moves up and down, swings, and tilts the nozzle 20 with respect to the rectangular substrate W. The intake system 66 is
The holding plate 5, the nozzle 20, and a vacuum pump for performing suction in the cleaning device 39 are included.
【００２５】次に、図７〜図１０の制御フローチャート
及び図１１のグラフを用いて、制御部５７による制御動
作について説明する。図７に示す全体フローチャートに
おいて、ステップＳ１においてレジスト液塗布装置１全
体を初期化する。ここでは、ノズル２０を図１の手前側
上方の初期位置に配置する。ステップＳ２では、図示し
ない搬送装置によりレジスト液塗布装置１に角型基板Ｗ
が搬入されるのを待つ。なお、基板Ｗの搬入出時はディ
スペンサガイド９が保持板５の両短辺から離れているた
め、角型基板Ｗの搬入・搬出が容易である。角型基板Ｗ
が搬入されるとステップＳ３に移行し、吸着保持処理を
行う。ステップＳ４ではレジスト液塗布処理を行う。ス
テップＳ５では乾燥処理を行う。次にステップＳ６で
は、角型基板Ｗの端縁洗浄処理を行う。ステップＳ７で
は、角型基板Ｗがレジスト液塗布装置１から搬出される
のを待ち、ステップＳ２に戻る。Next, the control operation by the controller 57 will be described with reference to the control flowcharts of FIGS. 7 to 10 and the graph of FIG. In the overall flowchart shown in FIG. 7, the entire resist liquid coating apparatus 1 is initialized in step S1. Here, the nozzle 20 is arranged at the initial position on the front upper side in FIG. In step S2, the rectangular substrate W is applied to the resist liquid coating apparatus 1 by a transport device (not shown)
Wait for the delivery. When the substrate W is loaded and unloaded, the dispenser guide 9 is separated from both short sides of the holding plate 5, so that the rectangular substrate W can be loaded and unloaded easily. Square substrate W
Is carried in, the process proceeds to step S3, and suction holding processing is performed. In step S4, a resist solution coating process is performed. In step S5, a drying process is performed. Next, in step S6, an edge cleaning process for the rectangular substrate W is performed. In step S7, waiting for the rectangular substrate W to be carried out from the resist liquid coating apparatus 1 is performed, and the process returns to step S2.
【００２６】ステップＳ３の吸着保持処理を図８に示
す。ステップＳ１０では、吸気系６６の真空ポンプをオ
ンして保持板５への角型基板Ｗの吸着を開始する。ステ
ップＳ１１では、吸着確認センサ６１がオンしたか否か
を判断する。吸着確認センサ６１は、吸気系６６の真空
圧を検出するものであり、保持板５に設けられた全ての
真空吸着口が角型基板Ｗを吸着している場合には、吸気
系６６の真空圧が高まり、吸着確認センサ６１がオンす
る。保持板５の真空吸着口が１つでも角型基板Ｗを吸着
していない場合には、吸気系６６内の真空圧が所定値に
達しないため吸着確認センサ６１はオンしないこととな
る。吸着確認センサ６１がオンした場合は、ステップＳ
１６に移行する。吸着確認センサ６１がオンしない場合
にはステップＳ１２に移行する。FIG. 8 shows the suction holding process of step S3. In step S10, the vacuum pump of the suction system 66 is turned on to start sucking the rectangular substrate W onto the holding plate 5. In step S11, it is determined whether the suction confirmation sensor 61 is turned on. The suction confirmation sensor 61 detects the vacuum pressure of the suction system 66, and when all the vacuum suction ports provided on the holding plate 5 suction the rectangular substrate W, the suction system 66 is vacuumed. The pressure increases, and the suction confirmation sensor 61 turns on. If even one square suction port of the holding plate 5 does not suck the rectangular substrate W, the suction confirmation sensor 61 does not turn on because the vacuum pressure in the suction system 66 does not reach a predetermined value. If the suction confirmation sensor 61 is turned on, step S
Move to 16. If the suction confirmation sensor 61 is not turned on, the process proceeds to step S12.
【００２７】ステップＳ１２では、角型基板Ｗの表面上
においてノズル２０を往復させ、ノズル２０の下端と角
型基板Ｗの表面とのギャップをギャップセンサ２７によ
って検出する。ここでは、たとえば角型基板ＷをＸ，Ｙ
方向に６×６のマス目に分割した場合のマス目の交点
（７×７）でのギャップをそれぞれ検出する。ステップ
Ｓ１３では、アクチュエータ６が配置された９点（大変
位点）に関して、ステップＳ１２でのギャップ検出デー
タに基づいて角型基板Ｗの下面に保持板５が沿うように
アクチュエータ６を駆動する。ステップＳ１４では、吸
着確認センサ６１がオンしたか否かを判断する。吸着確
認センサがオンしない場合にはステップＳ１２に移行
し、再度ギャップセンサ２７によるギャップ検出データ
を求める。吸着確認センサ６１がオンした場合には、ス
テップＳ１５に移行する。ステップＳ１５では、アクチ
ュエータ６を駆動し、保持板５の表面が初期の平坦面に
なるように復帰させる。In step S12, the nozzle 20 is reciprocated on the surface of the rectangular substrate W, and the gap between the lower end of the nozzle 20 and the surface of the rectangular substrate W is detected by the gap sensor 27. Here, for example, the rectangular substrate W is set to X, Y
The gaps at the intersections (7 × 7) of the cells in the case of dividing the cells into 6 × 6 cells in the direction are detected. In step S13, the actuator 6 is driven so that the holding plate 5 is along the lower surface of the rectangular substrate W based on the gap detection data in step S12 for the nine points (large displacement points) where the actuator 6 is arranged. In step S14, it is determined whether or not the suction confirmation sensor 61 is turned on. If the suction confirmation sensor is not turned on, the process proceeds to step S12 and the gap detection data by the gap sensor 27 is obtained again. When the suction confirmation sensor 61 is turned on, the process proceeds to step S15. In step S15, the actuator 6 is driven to restore the holding plate 5 so that the surface of the holding plate 5 becomes an initial flat surface.
【００２８】ステップＳ１６では、シリンダ１７をオン
する。このことによりディスペンサガイド９がリターン
スプリング１６の付勢力によって保持板５側に戻る。デ
ィスペンサガイド９は角型基板Ｗの短辺端縁に当接する
とき、衝突時のショックはリターンスプリング１６によ
って緩和されて、角型基板Ｗは損傷しにくくなってい
る。また、ディスペンサガイド９は、コイルスプリング
１８を介して支持棒１１に接続されているため、角型基
板Ｗに当接する際のショックが吸収される。また、角型
基板Ｗが保持板５に対してずれて配置されていると、デ
ィスペンサガイド９はコイルスプリング１８によって姿
勢が自在に変わって角型基板Ｗの各短辺端縁に全体が密
着する。In step S16, the cylinder 17 is turned on. As a result, the dispenser guide 9 returns to the holding plate 5 side by the urging force of the return spring 16. When the dispenser guide 9 comes into contact with the short side edge of the rectangular substrate W, the shock at the time of collision is relieved by the return spring 16, and the rectangular substrate W is less likely to be damaged. Further, since the dispenser guide 9 is connected to the support rod 11 via the coil spring 18, the shock when coming into contact with the rectangular substrate W is absorbed. Further, when the rectangular substrate W is arranged so as to be displaced with respect to the holding plate 5, the posture of the dispenser guide 9 is freely changed by the coil spring 18 and the whole of the rectangular substrate W comes into close contact with each short side edge. .
【００２９】次に、ステップＳ１７において、角型基板
Ｗの表面上においてノズル２０を再度往復させ、ノズル
２０の下端と角型基板Ｗの表面とのギャップをギャップ
センサ２７によって検出する。ここでは、ステップＳ１
２と同様の検出方法が可能である。ステップＳ１８で
は、アクチュエータ６が配置された９点（大変位点）に
関して、ステップＳ１７でのギャップ検出データに基づ
いて角型基板Ｗの９点が同一平面内に位置するようにア
クチュエータ６を駆動する。ステップＳ１９では、アク
チュエータ６が配置された９点以外の他の点（小変位
点）について補正演算をする。アクチュエータ６が配置
された９点以外の点（小変位点）は、ステップＳ１８に
おけるアクチュエータ６の駆動により、ステップＳ１７
において検出したギャップ検出データからさらに変位し
ていると考えられる。このため、初期の変位量をアクチ
ュエータ６が配置された９点からの影響を考慮して補正
し、正しい変位量を得る。これらの補正後の変位量はメ
モリに記憶される。ステップＳ１９からは図７のメイン
ルーチンに戻る。Next, in step S17, the nozzle 20 is reciprocated on the surface of the rectangular substrate W again, and the gap between the lower end of the nozzle 20 and the surface of the rectangular substrate W is detected by the gap sensor 27. Here, step S1
The same detection method as in 2 is possible. In step S18, the actuator 6 is driven so that the nine points (large displacement points) where the actuators 6 are arranged are located in the same plane based on the gap detection data in step S17. . In step S19, correction calculation is performed for points (small displacement points) other than the 9 points where the actuator 6 is arranged. The points (small displacement points) other than the 9 points where the actuator 6 is arranged are driven by the actuator 6 in step S18, and thus the step S17 is performed.
It is considered that there is a further displacement from the gap detection data detected in. Therefore, the initial displacement amount is corrected in consideration of the influence from the nine points where the actuator 6 is arranged, and the correct displacement amount is obtained. The corrected displacement amounts are stored in the memory. From step S19, the process returns to the main routine of FIG.
【００３０】ステップＳ４のレジスト液塗布処理を図９
及び図１０に示す。この処理では、ステップＳ２０にお
いて、ノズル２０のＸ方向への移動を開始する（図１１
の０点）。ステップＳ２１ではノズル２０がディスペン
サガイド９上に来るのを待ち、ステップＳ２２でノズル
２０の下降を開始する。続いて、ステップＳ２３で、ノ
ズル２０のスリット２０ａからレジスト液の吐出を開始
する。ステップＳ２４ではノズル２０の下端とディスペ
ンサガイド９の表面との間隔が２０ミクロンになるのを
待ち、ステップＳ２５でノズル２０のＸ方向移動及び下
降を停止する。ステップＳ２６では、ノズル２０を図１
のＹ方向に往復移動させる。これにより、スリット２０
ａから吐出されたレジスト液がスリット２０ａの長手方
向全体に渡って均一にディスペンサガイド９に付着す
る。すなわち、スリット２０ａとディスペンサガイド９
との間で、レジスト液がカーテン状に連続する。ここで
は、ノズル２０が角型基板Ｗに近接しているため、レジ
スト液の消費量は少ない。なお、変形例としてノズル２
０を上下動あるいは傾斜させてもよい。The resist solution coating process of step S4 is shown in FIG.
And shown in FIG. In this process, in step S20, the movement of the nozzle 20 in the X direction is started (FIG. 11).
Of 0). In step S21, waiting for the nozzle 20 to come on the dispenser guide 9 is started, and in step S22, the descent of the nozzle 20 is started. Subsequently, in step S23, the discharge of the resist liquid is started from the slit 20a of the nozzle 20. In step S24, until the distance between the lower end of the nozzle 20 and the surface of the dispenser guide 9 reaches 20 microns, the movement and lowering of the nozzle 20 in the X direction are stopped in step S25. In step S26, the nozzle 20 is moved to the position shown in FIG.
Reciprocate in the Y direction. Thereby, the slit 20
The resist liquid discharged from a adheres to the dispenser guide 9 uniformly over the entire longitudinal direction of the slit 20a. That is, the slit 20a and the dispenser guide 9
And the resist solution continues like a curtain. Here, since the nozzle 20 is close to the rectangular substrate W, the consumption of the resist liquid is small. As a modification, the nozzle 2
0 may be moved up and down or tilted.
【００３１】ステップＳ２７では、ノズル２０のＸ方向
への移動を開始する。このとき、レジスト液はディスペ
ンサガイド９上に吐出されていく。このレジスト液の吐
出開始時にノズル２０の長手方向にレジスト液を均一に
吐出するために、レジスト液は大量にノズル２０に供給
される。しかし、初期のレジスト液がディスペンサガイ
ド９上に塗布されていることで、レジスト吐出開始時に
生じる厚いレジスト膜はディスペンサガイド９上に形成
されていく。したがって角型基板Ｗの表面に形成される
レジスト膜が均一になる。In step S27, the movement of the nozzle 20 in the X direction is started. At this time, the resist liquid is discharged onto the dispenser guide 9. A large amount of resist liquid is supplied to the nozzle 20 in order to uniformly discharge the resist liquid in the longitudinal direction of the nozzle 20 when the discharge of the resist liquid is started. However, since the initial resist liquid is applied on the dispenser guide 9, a thick resist film generated at the start of resist discharge is formed on the dispenser guide 9. Therefore, the resist film formed on the surface of the rectangular substrate W becomes uniform.
【００３２】次にステップＳ２８ではノズル２０が角型
基板Ｗの塗布開始側の端縁に到達するのを待ち、ステッ
プＳ２９でノズル２０の吸引孔２０ｄの吸引を開始する
（図１１の左側の吸引）。ここでは、ノズル２０のスリ
ット２０ａから吐出されたレジスト液の一部が、ダイ部
材３４とノズル２０の凹部２０ｃとの隙間を通って吸引
孔２０ｄ側に排出される。すなわち、角型基板Ｗの処理
液塗布開始側部分においては、ノズル２０から供給され
るレジスト液の量が角型基板Ｗの他の部分に供給される
量と等しくなっている。その結果、角型基板Ｗの処理液
塗布開始側部分に付着するレジスト液の盛り上がりを防
止できる。なお、スリット２０ａから出たレジスト液は
ノズル２０の下端の壁に沿って流れて（コアンダ効
果）、スムーズにダイ部材３４と凹部２０ｃとの隙間に
吸引される。さらに、吸引のための隙間がスリット２０
ａより進行方向後方に配置され、かつダイ部材３４より
進行方向前方で吸引されるため、効率良くレジスト液を
吸引ができる。さらに、隙間は角型基板Ｗの表面に対し
て傾斜しているため、レジスト液が逆流しにくい。Next, in step S28, waiting for the nozzle 20 to reach the coating start side edge of the rectangular substrate W, and in step S29, suction of the suction hole 20d of the nozzle 20 is started (suction on the left side of FIG. 11). ). Here, a part of the resist liquid discharged from the slit 20a of the nozzle 20 is discharged to the suction hole 20d side through the gap between the die member 34 and the recess 20c of the nozzle 20. That is, in the processing liquid application start side portion of the rectangular substrate W, the amount of the resist liquid supplied from the nozzle 20 is equal to the amount supplied to the other portions of the rectangular substrate W. As a result, it is possible to prevent the resist liquid from adhering to the processing liquid application start side portion of the rectangular substrate W from rising. The resist liquid that has flowed out from the slit 20a flows along the wall at the lower end of the nozzle 20 (Coanda effect), and is smoothly sucked into the gap between the die member 34 and the recess 20c. Furthermore, the gap for suction is the slit 20.
Since it is arranged behind a in the advancing direction and is sucked in front of the die member 34 in the advancing direction, the resist liquid can be sucked efficiently. Further, since the gap is inclined with respect to the surface of the rectangular substrate W, the resist liquid is unlikely to flow back.
【００３３】ステップＳ３０では、ノズル２０の上昇を
開始する。ステップＳ３１で、ノズル２０の下端と角型
基板Ｗの表面との間隔（図１１のＧＡＰ）がたとえば３
０〜５０ミクロンになるのを待ち、ステップＳ３２で吸
引孔２０ｄの吸引を停止し、ステップＳ３３でノズル２
０の上昇を停止する。これ以降は、ノズル２０はＸ方向
に移動しつつ、角型基板Ｗ上にレジスト液を塗布してい
く。なお、ノズル２０のスリット２０ａは角型基板Ｗの
長辺端縁に対して長さおよび位置決めが精度良く決定さ
れているため、レジスト液は角型基板Ｗの長辺側端縁の
裏側には回り込みにくい。In step S30, the rise of the nozzle 20 is started. In step S31, the distance between the lower end of the nozzle 20 and the surface of the rectangular substrate W (GAP in FIG. 11) is, for example, 3
Waiting for the particle size to reach 0 to 50 microns, the suction of the suction hole 20d is stopped in step S32, and the nozzle 2 is sucked in step S33.
Stop rising 0. After that, the nozzle 20 moves in the X direction and applies the resist solution onto the rectangular substrate W. Since the length and positioning of the slit 20a of the nozzle 20 with respect to the long side edge of the square substrate W are accurately determined, the resist liquid is not applied to the back side of the long side edge of the square substrate W. It is hard to get around.
【００３４】ステップＳ３４では、膜厚計８２により、
角型基板Ｗ上に塗布された処理液の膜厚測定を開始す
る。ステップＳ３５では、膜厚計８２の検出した処理液
の膜厚が正常であるか否かを判別する。膜厚が正常であ
れば、ステップＳ３７に移行し、膜厚に異常を検出した
場合には、ステップＳ３６に移行する。ステップＳ３６
ではノズル２０のダイ部材３４を変形させて、処理液の
膜厚が正常となるように微調整を行なう。具体的には、
膜厚計８２の検出した膜厚に応じて、ノズル２０の対応
する位置の各圧電素子を駆動する。それにより、ダイ部
材３４が長手方向において局部的に変形し、角型基板Ｗ
の表面に塗布される処理液の膜厚が略一定に保つことが
できる。In step S34, the film thickness meter 82
The film thickness measurement of the processing liquid applied on the rectangular substrate W is started. In step S35, it is determined whether or not the film thickness of the processing liquid detected by the film thickness meter 82 is normal. If the film thickness is normal, the process proceeds to step S37, and if an abnormal film thickness is detected, the process proceeds to step S36. Step S36
Then, the die member 34 of the nozzle 20 is deformed, and fine adjustment is performed so that the film thickness of the processing liquid becomes normal. In particular,
According to the film thickness detected by the film thickness meter 82, each piezoelectric element at the corresponding position of the nozzle 20 is driven. As a result, the die member 34 is locally deformed in the longitudinal direction, and the rectangular substrate W
The film thickness of the treatment liquid applied to the surface of the can be kept substantially constant.
【００３５】ステップＳ３７では、ノズルがＸ方向にお
いて小変位点を計測した位置に到達したか否かを判断す
る。小変位点を計測した位置に到達すると、ステップＳ
３８でノズル２０のダイ部材３４を変形させて、ノズル
２０と角型基板Ｗとの間隔を微調整する。具体的には、
ノズル２０がＸ軸の所定位置に達すると、吸着保持処理
で記憶した小変位点における変位量に応じて各圧電素子
３６を駆動する。それにより、ダイ部材３４が長手方向
において局部的に変形し、角型基板Ｗとの間隔を一定に
保つ。このように、ノズル２０の変形による膜厚調整お
よびギャップ調整は、ノズル２０によるレジスト液塗布
工程中に行われる。また、吸着保持処理時に角型基板Ｗ
の平坦度があらかじめ保持板５側で粗調整されているた
め、最終的な間隔の調整はより細かくなり、正確になっ
ている。さらに、ダイ部材３４は剛性の少ない方向に変
形させられるため、圧電素子３６の作用力が小さくて済
み、さらに変形点が回りの点に影響を与えにくい。In step S37, it is determined whether or not the nozzle has reached the position where the small displacement point is measured in the X direction. When the position where the small displacement point is measured is reached, step S
The die member 34 of the nozzle 20 is deformed at 38 to finely adjust the distance between the nozzle 20 and the rectangular substrate W. In particular,
When the nozzle 20 reaches a predetermined position on the X axis, each piezoelectric element 36 is driven according to the displacement amount at the small displacement point stored in the suction holding process. As a result, the die member 34 is locally deformed in the longitudinal direction, and the distance between the die member 34 and the rectangular substrate W is kept constant. As described above, the adjustment of the film thickness and the adjustment of the gap by the deformation of the nozzle 20 are performed during the resist solution coating process by the nozzle 20. In addition, during the suction holding process, the rectangular substrate W
Since the flatness of the is roughly adjusted beforehand on the holding plate 5 side, the final adjustment of the spacing becomes finer and more accurate. Furthermore, since the die member 34 is deformed in the direction of less rigidity, the acting force of the piezoelectric element 36 can be small, and the deformation point is less likely to affect the surrounding points.
【００３６】ステップＳ３９でノズル２０が角型基板Ｗ
の塗布終了側の端縁付近に到達したか否かを判断する。
到達していないと判断すると、ステップＳ３５に戻る。
到達した場合はステップＳ４０に移行し、ここでは、吸
引孔２０ｄからの吸引を開始する（図１１の右側の吸
引）。そして、ステップＳ４１でノズル２０の下降を開
始する。すなわち、ノズル２０は吐出するレジスト液の
量を抑えつつ下降していく。このため、角型基板Ｗの塗
布終了側部分でのレジスト液の量が他の部分での量と等
しくなり、角型基板Ｗの短辺端縁におけるレジスト液の
盛り上がりが防止される。ステップＳ４２でノズル２０
と角型基板Ｗとの間隔が２０ミクロンになるのを待ち、
図１０のステップＳ５０で吸引孔２０ｄからの吸引を停
止し、ステップＳ５１でスリット２０ａのレジスト液供
給を停止する。ステップＳ５２では、ノズル２０の上昇
を開始する。このとき、ノズル２０のスリット２０ａに
残ったレジスト液がディスペンサガイド９上に吐出され
ていく。このように、レジスト液は角型基板Ｗからディ
スペンサガイド９に連続して塗布されるため、角型基板
Ｗの処理液供給終了側部分の膜厚が大きくなることがな
くなり、全体の膜厚が一定になる。ステップＳ５３で
は、ノズル２０が一定の高さになるのを待ち、ステップ
Ｓ５４でノズル２０の上昇を停止する。ステップＳ５５
ではノズル２０が図示しない樋内に配置されるのを待
ち、ステップＳ５６ではノズル２０のＸ方向移動を停止
する。ステップＳ５７ではノズル２０をＹ方向および上
下方向に高速で揺動させて、ノズル２０に付着したレジ
スト液を振り切り、図７のメインルーチンに戻る。ノズ
ル２０を揺動させることでノズル２０のスリット２０ａ
の付近のレジスト液が振るい落とされる。このため、レ
ジスト液が角型基板Ｗの不要な箇所に落下するのを防止
できる。
〔他の変形例〕基板の種類は角型に限定されず、円形の
半導体ウエハ，オリエンテーションフラットを有する半
導体ウエハ等他の種類でもよい。In step S39, the nozzle 20 makes the rectangular substrate W
It is determined whether or not it has reached the vicinity of the end edge on the coating end side.
If it is determined that it has not arrived, the process returns to step S35.
If it has arrived, the process proceeds to step S40, where suction from the suction hole 20d is started (suction on the right side in FIG. 11). Then, in step S41, the lowering of the nozzle 20 is started. That is, the nozzle 20 descends while suppressing the amount of resist liquid discharged. For this reason, the amount of the resist liquid in the coating end side portion of the rectangular substrate W becomes equal to the amount in the other portions, and the resist liquid is prevented from rising at the short side edges of the rectangular substrate W. Nozzle 20 in step S42
Wait until the distance between the square substrate W and the square substrate W becomes 20 microns,
In step S50 of FIG. 10, suction from the suction hole 20d is stopped, and in step S51, the supply of the resist liquid to the slit 20a is stopped. In step S52, the rise of the nozzle 20 is started. At this time, the resist liquid remaining in the slit 20 a of the nozzle 20 is discharged onto the dispenser guide 9. As described above, since the resist liquid is continuously applied from the rectangular substrate W to the dispenser guide 9, the film thickness of the rectangular substrate W on the side where the processing liquid supply is completed is not increased, and the entire film thickness is reduced. Be constant. In step S53, the nozzle 20 waits until it reaches a certain height, and in step S54, the rise of the nozzle 20 is stopped. Step S55
Then, waiting for the nozzle 20 to be placed in a trough not shown is stopped in step S56. In step S57, the nozzle 20 is swung in the Y direction and the vertical direction at high speed to shake off the resist solution adhering to the nozzle 20, and the process returns to the main routine of FIG. By swinging the nozzle 20, the slit 20a of the nozzle 20
The resist solution near is shaken off. Therefore, it is possible to prevent the resist solution from dropping to an unnecessary portion of the rectangular substrate W. [Other Modifications] The type of substrate is not limited to a square type, and may be another type such as a circular semiconductor wafer or a semiconductor wafer having an orientation flat.
【００３７】ノズル２０はディスペンサガイド９上で揺
動させてカーテン状膜を形成したが、角型基板Ｗのレジ
スト液供給開始側端縁で揺動させてもよい。Although the nozzle 20 is swung on the dispenser guide 9 to form the curtain-shaped film, it may be swung at the edge of the rectangular substrate W on the resist liquid supply start side.
【００３８】[0038]
【発明の効果】本発明の請求項１に記載の処理液塗布装
置では、基板保持部に基板を保持し、処理液供給手段の
処理液供給部によって基板表面に処理液の塗布を行な
う。このとき、同時に膜厚測定手段によって、塗布され
た処理液の膜厚を測定しているため、塗布される処理液
の膜厚に異常があれば、即座に検出することができ、多
数の不良品を作成することがなくなる。また、各基板に
おいて塗布される処理液の膜厚にバラツキを少なくする
ことができる。In the treatment liquid coating apparatus according to the first aspect of the present invention, the substrate is held by the substrate holding portion, and the treatment liquid is applied to the surface of the substrate by the treatment liquid supply portion of the treatment liquid supply means. At this time, since the film thickness of the applied processing liquid is simultaneously measured by the film thickness measuring means, if there is an abnormality in the film thickness of the applied processing liquid, it can be immediately detected and a large number of errors can be detected. There is no need to create a good product. Further, it is possible to reduce variations in the film thickness of the treatment liquid applied on each substrate.
【００３９】請求項２に記載の処理液塗布装置では、膜
厚測定手段の測定結果に基づいて、ギャップ制御手段
が、処理液供給部を基板表面に対して接離させ、基板表
面に形成される処理液の膜厚を調整するため、基板表面
に塗布される処理液の膜厚を安定させることが容易であ
る。請求項３に記載の処理液塗布装置では、ギャップ調
整部材によってノズル本体の処理液供給口と基板表面と
の距離が調整されている。ギャップ制御手段は、膜厚測
定手段の測定結果に基づいて駆動素子によりギャップ調
整部材を弾性変形させ、基板表面に塗布される処理液を
適切な膜厚にする。このため、ノズル本体の状態や基板
表面の状態に応じて、塗布される処理液の膜厚を適切な
ものとすることができる。In the treatment liquid coating apparatus according to the second aspect, the gap control means is formed on the substrate surface by bringing the treatment liquid supply section into contact with and away from the substrate surface based on the measurement result of the film thickness measuring means. Since the film thickness of the processing liquid is adjusted, it is easy to stabilize the film thickness of the processing liquid applied on the substrate surface. In the treatment liquid application apparatus according to the third aspect, the gap adjusting member adjusts the distance between the treatment liquid supply port of the nozzle body and the substrate surface. The gap control means elastically deforms the gap adjusting member by the drive element based on the measurement result of the film thickness measuring means, so that the processing liquid applied to the substrate surface has an appropriate film thickness. Therefore, the film thickness of the applied processing liquid can be made appropriate according to the state of the nozzle body and the state of the substrate surface.
【００４０】請求項４に記載の処理液塗布装置では、処
理液供給部の相対移動方向上流側に設けられる検出部に
より、処理液の塗布直後に膜厚の測定を行なうことがで
きる。また、請求項５に記載の処理液塗布装置では、検
出部は、処理液供給部の相対移動方向に交差する方向に
移動され、基板表面全域の膜厚を測定する。このため、
基板表面に塗布される処理液の膜厚を、基板表面全域に
おいて適切なものとすることが可能となる。In the treatment liquid application apparatus according to the fourth aspect, the film thickness can be measured immediately after the application of the treatment liquid by the detection unit provided on the upstream side in the relative movement direction of the treatment liquid supply unit.
Can . Further, in the treatment liquid coating apparatus according to the fifth aspect, the detection unit is moved in a direction intersecting the relative movement direction of the treatment liquid supply unit to measure the film thickness on the entire surface of the substrate. For this reason,
The film thickness of the treatment liquid applied to the substrate surface can be made appropriate over the entire substrate surface.
【図１】本発明の一実施例としてのレジスト液塗布装置
の概略斜視図。FIG. 1 is a schematic perspective view of a resist liquid coating apparatus as one embodiment of the present invention.
【図２】基板保持部の平面図。FIG. 2 is a plan view of a substrate holding unit.
【図３】ノズルの部分縦断面図。FIG. 3 is a partial vertical sectional view of a nozzle.
【図４】ギャップセンサの移動機構の部分正面図。FIG. 4 is a partial front view of a moving mechanism of the gap sensor.
【図５】揺動機構の部分縦断面図。FIG. 5 is a partial vertical sectional view of a swing mechanism.
【図６】レジスト液塗布装置の制御ブロック図。FIG. 6 is a control block diagram of a resist solution coating apparatus.
【図７】レジスト液塗布装置の制御フローチャート。FIG. 7 is a control flowchart of a resist solution coating device.
【図８】レジスト液塗布装置の制御フローチャート。FIG. 8 is a control flowchart of the resist solution coating device.
【図９】レジスト液塗布装置の制御フローチャート。FIG. 9 is a control flowchart of a resist solution coating device.
【図１０】レジスト液塗布装置の制御フローチャート。FIG. 10 is a control flowchart of the resist solution coating device.
【図１１】ノズルの移動時間と間隔の変化との関係を示
すグラフ。FIG. 11 is a graph showing the relationship between the movement time of nozzles and changes in intervals.
１ レジスト液塗布装置 ２ 基板保持部 ３ 塗布部 ４ 洗浄部 ５ 保持板 ６ アクチュエータ ２０ ノズル ２０ａ スリット ３３ ギャップ調整機構 ３４ ダイ部材 ３５ 支持ブロック ３６ 圧電素子 1 Resist solution coating device 2 Board holding part 3 coating section 4 Cleaning section 5 holding plate 6 actuators 20 nozzles 20a slit 33 Gap adjustment mechanism 34 Die member 35 Support block 36 Piezoelectric element
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−45242（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151296（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−349721（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−164469（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−31431（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−140670（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−234869（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 B05C 5/02 Continuation of the front page (56) Reference JP-A-6-45242 (JP, A) JP-A-6-151296 (JP, A) JP-A-6-349721 (JP, A) JP-A-1-164469 (JP , A) JP-A-5-31431 (JP, A) JP-A-62-140670 (JP, A) JP-A-5-234869 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB) Name) H01L 21/027 B05C 5/02
Claims (5)
の処理液塗布装置であって、 前記基板を保持する基板保持部と、 前記基板保持部に保持された基板の表面に沿う方向に相
対移動しながら前記基板表面に処理液を塗布する処理液
供給部を有する処理液供給手段と、 前記処理液供給部により処理液が塗布されつつある前記
基板において当該基板の表面に塗布された処理液の膜厚
を検出する膜厚測定手段と、 を備える処理液塗布装置。1. A processing liquid application device for applying a predetermined processing liquid to a surface of a substrate, the substrate holding part holding the substrate, and a direction along the surface of the substrate held by the substrate holding part. a treatment liquid supply means having a processing liquid supply unit for applying a processing liquid to the substrate surface while the relative movement, the treatment liquid has been applied to the surface of the substrate in the substrate which is being applied by the treatment liquid supplying section A processing liquid coating device comprising: a film thickness measuring unit that detects the film thickness of the processing liquid.
記基板保持部に保持された基板の表面と前記処理液供給
部とのギャップを制御するギャップ制御手段を更に備え
る、請求項１に記載の処理液塗布装置。2. The method according to claim 1, further comprising gap control means for controlling a gap between the surface of the substrate held by the substrate holding part and the processing liquid supply part based on the measurement result of the film thickness measuring means. The treatment liquid application device described.
交差する方向に延びる処理液供給口を有するノズル本体
と、前記処理液供給口の前記相対移動方向上流側に配置
され、前記処理液供給口と平行に延びる弾性変形可能な
ギャップ調整部材とを有しており、 前記ギャップ制御手段は、前記相対移動方向に交差する
方向に複数配置されており前記ギャップ調整部材を弾性
変形させるための駆動素子を有している、請求項２に記
載の処理液塗布装置。3. The processing liquid supply section is disposed on a nozzle main body having a processing liquid supply port extending in a direction intersecting a direction in which the processing liquid relatively moves, and is arranged upstream of the processing liquid supply port in the relative movement direction. An elastically deformable gap adjusting member extending parallel to the liquid supply port, and a plurality of the gap control means are arranged in a direction intersecting the relative movement direction to elastically deform the gap adjusting member. The processing liquid application device according to claim 2, comprising the drive element.
相対移動方向上流側に取り付けられた検出部を備える、
請求項１〜３のいずれかに記載の処理液塗布装置。Wherein said film thickness measuring means comprises a detection unit which is attached to the relative movement direction upstream side of the processing liquid supply unit,
The processing liquid application device according to claim 1.
交差する方向に移動する検出部を備える、請求項１〜４The detector which moves in the direction to intersect is provided, Claims 1-4.
のいずれかに記載の処理液塗布装置。The treatment liquid application device according to any one of 1.
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