JP3485518B2 - Imaging device - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、被写体の光学像を
画像情報信号として電子的に記録する撮像装置に係り、
特に、周辺機器と接続して装置間で該画像情報信号のや
り取りをする場合等での操作性を高めた撮像装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image pickup apparatus for electronically recording an optical image of a subject as an image information signal,
In particular, the present invention relates to an image pickup apparatus which has improved operability when it is connected to a peripheral device and the image information signal is exchanged between the apparatuses.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の装置としては、いわゆる
電子カメラがあり、「テレビジョン学会誌、」Vol.4
6,No.3(1992)pp.300〜307に記載の
佐々木ほかによる論文“ディジタルスチルカメラ用画像
符号化方式”(以下、公知例1という)で説明されるデ
ィジタルスチルカメラや、富士写真フイルム株式会社発
行のカタログ“FUJIX DIGITAL STILL
CAMERA SYSTEM”(1991年9月)(以
下、公知例2という)に記載されたDS-100型カメ
ラがその例である。2. Description of the Related Art As a conventional device of this type, there is a so-called electronic camera, which is described in "Journal of the Television Society," Vol.
No. 6, No. 3 (1992) pp. 300-307, the digital still camera described in Sasaki et al.'S image coding method for digital still cameras (hereinafter referred to as known example 1), and Fuji Photo Film. Catalog "FUJIX DIGITAL STILL"
An example is the DS-100 type camera described in CAMERA SYSTEM ”(September 1991) (hereinafter referred to as known example 2).
【0003】かかる公知例1、2に記載の電子カメラで
は、例えば公知例1の図1に示されるように、撮像素子
で得られた画像情報信号がディジタル化(量子化)され
て半導体メモリを搭載したカード(以下、メモリカード
という)に記録される。In the electronic cameras described in the publicly known examples 1 and 2, for example, as shown in FIG. 1 of the publicly known example 1, the image information signal obtained by the image pickup device is digitized (quantized) to form a semiconductor memory. It is recorded on the mounted card (hereinafter referred to as a memory card).
【0004】このように、公知例1、2では、画像情報
信号がディジタル信号として取り扱われるので、本来専
らディジタル信号を取り扱うパーソナルコンピュータ等
の周辺機器との接続が(アナログ/ディジタル変換器等
を介さず、ディジタル信号で直接信号授受できるので)
容易であり、また、伝送路に起因する画質劣化がない
等、他のシステムとの接続性が良いことが示されてい
る。As described above, in the publicly known examples 1 and 2, the image information signal is handled as a digital signal, so that the connection with the peripheral equipment such as a personal computer which originally handles the digital signal (through an analog / digital converter or the like is not necessary). Instead of directly transmitting and receiving digital signals)
It has been shown that it is easy and that it has good connectivity with other systems, such as no deterioration in image quality due to the transmission path.
【0005】なお、公知例1には、周辺機器との接続に
関する具体例は記述されていないが、メモリカードを仲
介媒体として使用するものと解される。公知例2には、
このようなメモリカードの使用例が開示されている。即
ち、メモリカードを、まず、電子カメラに装着して画像
情報信号を記録し、その後、このメモリカードを電子カ
メラから取り外して電子カメラとは別体の周辺機器に装
着し、メモリカードに記録された画像情報信号をこの周
辺機器に読み取らせるものである。この場合も、電子カ
メラでメモリに記録された画像情報をディジタル信号の
まま(ディジタル/アナログ変換器やアナログ/ディジ
タル変換器等を介さず)周辺機器に伝送する方法とし
て、上記したメモリカードを仲介媒体とする方法以外の
方法は開示されていない。It should be noted that the publicly known example 1 does not describe a specific example of connection with a peripheral device, but it is understood that a memory card is used as an intermediary medium. In the known example 2,
An example of using such a memory card is disclosed. That is, the memory card is first attached to the electronic camera to record the image information signal, and then the memory card is detached from the electronic camera and attached to a peripheral device separate from the electronic camera to be recorded on the memory card. The image information signal is read by this peripheral device. Also in this case, as a method of transmitting the image information recorded in the memory by the electronic camera as a digital signal to a peripheral device (without passing through a digital / analog converter or an analog / digital converter), the above-mentioned memory card is used as an intermediary. No method other than the method as a medium is disclosed.
【0006】ところで、パーソナルコンピュータ等と接
続して画像情報信号を電気的に授受する公知の装置とし
て、富士フイルムマイクロデバイス株式会社発行の“F
SA2001概要ご説明資料”(平成3年6月24日)
(以下、公知例3という)に記載のFSA2001型静
止画像圧縮伸長基板がある。この公知例3に記載の装置
はディジタル画像情報信号を記憶する半導体メモリを内
蔵しており、この装置とコネクタ,ケーブル等を介して
接続されたパーソナルコンピュータとの間で、前記した
半導体メモリに記憶しようとするか、あるいは、既に記
憶されているディジタル画像情報信号をディジタル信号
のまま授受するものである。By the way, as a known device for electrically transmitting and receiving image information signals by connecting to a personal computer or the like, "F" issued by FUJIFILM Microdevice Co., Ltd.
SA2001 Outline Explanation Material "(June 24, 1991)
There is an FSA2001 type still image compression / expansion substrate described in (hereinafter, known example 3). The device described in the prior art 3 has a built-in semiconductor memory for storing digital image information signals, and the semiconductor memory is stored between the device and a personal computer connected via a connector, a cable or the like. Alternatively, the digital image information signal already stored is transmitted or received as a digital signal.
【0007】公知例1、2の場合はカメラ装置であり、
光学像から電気的な画像情報信号を生成する撮像手段を
有しているのに対し、公知例3の場合はかかる手段を有
しておらず、画像情報信号の作成はパーソナルコンピュ
ータで行われる。パーソナルコンピュータで生成された
画像情報信号は公知例3に記載の装置に伝送されて一旦
第1のメモリに蓄えられる。次いで、この第1のメモリ
から読み出された画像情報信号にDCT(離散コサイン
変換)方式による画像データ圧縮処理を施し、上記パー
ソナルコンピュータに送り返す。このような動作は、公
知例1の図2に示された装置ブロックの動作に類似した
ものである。In the case of the known examples 1 and 2, it is a camera device,
In contrast to the case where the known example 3 has an image pickup means for generating an electrical image information signal from an optical image, such means is not provided, and the image information signal is created by a personal computer. The image information signal generated by the personal computer is transmitted to the device described in the known example 3 and temporarily stored in the first memory. Next, the image information signal read from the first memory is subjected to image data compression processing by the DCT (Discrete Cosine Transform) method and sent back to the personal computer. Such an operation is similar to the operation of the device block shown in FIG.
【0008】ここで、公知例3に記載の装置での画像情
報信号の書込みあるいは読出し動作は接続されたパーソ
ナルコンピュータの時間管理のもとに実行されるから、
上記第1のメモリでの情報データの書込みと読出しとが
重複すること等により、ある1枚の画像のデータを読み
出している途中でその内容が別の画像のデータに切り替
わってしまい、その結果、画像情報が変容してしまう等
の不都合は未然に回避できる。Here, since the writing or reading operation of the image information signal in the device described in the known example 3 is executed under the time management of the connected personal computer,
Due to the duplication of writing and reading of the information data in the first memory, etc., the content is switched to the data of another image while the data of one image is being read, and as a result, Inconveniences such as changes in image information can be avoided in advance.
【0009】また、公知例3に記載の装置においては、
上記した画像データの圧縮処理と圧縮された画像情報信
号の出力に際し、この装置からパーソナルコンピュータ
へのデータ出力はパーソナルコンピュータが出力するク
ロックに同期して行なわれるが、画像データの圧縮処理
は、この装置内部の独立したクロック、即ちパーソナル
コンピュータが出力したクロックとは非同期のクロック
で行なわせるため、いわゆるFIFO(Fast In
/Fast Out)型のバッファメモリを備えてい
る。Further, in the device described in the known example 3,
At the time of the compression processing of the image data and the output of the compressed image information signal, the data output from this apparatus to the personal computer is performed in synchronization with the clock output by the personal computer. Since a clock independent from the inside of the apparatus, that is, a clock asynchronous with the clock output from the personal computer, is used, a so-called FIFO (Fast In
/ Fast Out) type buffer memory.
【0010】ここで、このFIFO型メモリの動作を図
2により説明する。The operation of this FIFO type memory will now be described with reference to FIG.
【0011】同図において、FIFO型メモリ21はメ
モリアドレスの0、1、2、……、n、n+1、……、
m番地のデータ記憶領域を有している。メモリ21が動
作開始すると、まず、0番地から1、2、……番地の順
にデータが書き込まれる。書込みアドレスの更新は、前
記した装置内部のクロックの繰返しタイミング毎に行わ
れる。アドレスn番地にデータの書込みが行なわれる
と、このタイミングでアドレス0番地からデータの読出
しが開始され、書込みと同様、1、2、・・・・番地の
順にデータの読出しが行なわれる。読出しアドレスの更
新は、前記したパーソナルコンピュータから上記の装置
に供給される外部クロックの繰返しタイミング毎に行わ
れる。これ以降、順次更新されていく書込みのアドレス
を追い掛けるように、読出しのアドレスも更新されてい
く。書込みも読出しも、アドレスがm番地に達すると、
次のクロックタイミングで再び0番地に戻るように制御
される。In FIG. 1, the FIFO type memory 21 has memory addresses 0, 1, 2, ..., N, n + 1 ,.
It has a data storage area at address m. When the memory 21 starts to operate, data is first written in the order of address 0, address 1, 2, ... The update of the write address is performed at each repetition timing of the clock inside the device. When the data is written to the address n, the data reading is started from the address 0 at this timing, and the data is read in the order of 1, 2, ... The update of the read address is performed at each repetition timing of the external clock supplied from the personal computer to the above device. After that, the read address is also updated so as to follow the sequentially updated write address. For both writing and reading, when the address reaches address m,
It is controlled to return to the address 0 again at the next clock timing.
【0012】FIFO型メモリを以上の様に動作させる
と、書込みと読出しとの初期状態のアドレスオフセット
量をAos(=n)、書込みアドレスがバッファメモリの
最終m番地となったときの書込みと読出しとのアドレス
オフセット量をA'os(=m−n)、上記の外部からの
読出しクロックの繰返し周期をTとしたとき、読出しク
ロックの発生タイミングに対する書込みクロックのタイ
ミングが遅れ方向で最大Aos×T、進み方向で最大A'o
s×T夫々ずれても、メモリに書き込まれた順序通りに
正しくデータを読み出すことができる。即ち、非同期の
クロックで動作するシステム間では、FIFO型バッフ
ァメモリを介在させることにより、データの転送が正し
く実行できる。When the FIFO type memory is operated as described above, the address offset amount in the initial state of writing and reading is Aos (= n), and writing and reading are performed when the write address becomes the final m address of the buffer memory. Letting A'os (= m−n) be the address offset amount with and the repetition cycle of the external read clock be T, the write clock timing relative to the read clock generation timing is Aos × T at maximum in the delay direction. , Maximum A'o in the direction of travel
Even if each of s × T is shifted, the data can be correctly read out in the order written in the memory. That is, the data transfer can be correctly executed by interposing the FIFO buffer memory between the systems operating with the asynchronous clocks.
【0013】しかしながら、FIFO型メモリを用いた
場合、書込みクロック(公知例3に記載の装置の圧縮デ
ータ出力動作モードでは、上記装置内部でのクロック)
と読出しクロック(同モードでは、パーソナルコンピュ
ータから上記装置に供給されるクロック)とが全く相互
関係なしに設定できるわけではない。例えば、クロック
間の繰返し周波数の差に関しては、使用するバッファメ
モリの容量から規制されるアドレスオフセット量が制限
要因となるし、また、読出し動作の開始タイミングは、
書込み動作のタイミングに対して時間管理されなければ
ならない。However, when the FIFO type memory is used, the write clock (in the compressed data output operation mode of the device described in the known example 3, the clock inside the device)
And the read clock (in the same mode, the clock supplied from the personal computer to the device) cannot be set without any mutual relation. For example, regarding the difference in the repetition frequency between the clocks, the address offset amount regulated by the capacity of the buffer memory used becomes a limiting factor, and the start timing of the read operation is
It must be time-controlled with respect to the timing of the write operation.
【0014】公知例3に記載の装置は、さらに、パーソ
ナルコンピュータから圧縮された画像情報信号を入力
し、内部のデータ伸長回路で元の非圧縮画像情報信号に
復元して前記した第1の半導体メモリに記憶し、その
後、この復元画像情報信号をパーソナルコンピュータに
送り返す機能も有している。かかる動作においても、こ
の装置の動作タイミングは接続されたパーソナルコンピ
ュータの管理のもとに実行されるので、第1の半導体メ
モリへのコンピュータから供給される圧縮処理がなされ
ていない画像情報信号の書込みと、このメモリへの上記
復元画像情報信号の書込みとが時間的に重複するような
事態は未然に回避できる。The apparatus described in the known example 3 further inputs a compressed image information signal from a personal computer, restores the original uncompressed image information signal by an internal data decompression circuit, and restores the above-mentioned first semiconductor. It also has a function of storing it in the memory and then sending this restored image information signal back to the personal computer. Even in such an operation, the operation timing of this apparatus is executed under the control of the connected personal computer, so that the compressed image information signal supplied from the computer is written into the first semiconductor memory. Then, it is possible to avoid the situation where the writing of the restored image information signal to this memory overlaps in time.
【0015】また、かかる動作において、FIFO型メ
モリは、書込みクロックとしてパーソナルコンピュータ
から供給されるクロックを使用し、読出しクロックとし
て装置内部のクロックを使用して動作するが、この2つ
のクロック相互間の関係は、前記した圧縮画像情報信号
の出力動作の場合と同じである。In this operation, the FIFO memory operates by using the clock supplied from the personal computer as the write clock and the internal clock of the device as the read clock. The relationship is the same as the case of the output operation of the compressed image information signal described above.
【0016】なお、公知例3に記載の装置においては、
FIFO型メモリで装置内部のクロックによる書込みと
パーソナルコンピュータからのクロックによる書込みと
が時間的に重なるような動作モードが発生しないよう
に、接続して使用するパーソナルコンピュータのプログ
ラム等が構成される。In the device described in the known example 3,
A program of a personal computer to be connected and used is configured so that the FIFO type memory does not generate an operation mode in which writing by a clock inside the apparatus and writing by a clock from the personal computer temporally overlap.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】ところで、公知例1、
2に示される電子カメラ等の撮像装置用の電子回路は、
最近の高集積LSI技術及び高密度基板実装技術を用い
ることにより、極めて小型の回路ブロックで実現でき
る。このため、特に単焦点光学レンズ等を用いた小型の
カメラを作ろうとする場合、上記公知例に示されたメモ
リカードを使用する方式では、このメモリカードを収納
するためのスペース,メモリカード装填用のコネクタの
搭載スペース,あるいはメモリカードを抜去するための
機構用のスペース等が小型化を阻害する大きな要因とな
る。By the way, the known example 1,
An electronic circuit for an image pickup device such as an electronic camera shown in FIG.
By using the recent highly integrated LSI technology and high-density board mounting technology, it is possible to realize with an extremely small circuit block. For this reason, especially when trying to make a small camera using a single-focus optical lens or the like, in the method using the memory card shown in the above-mentioned known example, there is a space for storing the memory card, a memory card loading The connector mounting space or the space for the mechanism for removing the memory card is a major factor that hinders miniaturization.
【0018】また、装置を小型化するとともにメモリカ
ードも小型化することが考えられるが、小型化された装
置からさらに小型のメモリカードを抜き取るのは操作が
面倒になるし、抜き取りに際して誤って装置を落下させ
るなどして装置を破壊してしまう恐れもある。Further, it is conceivable that the memory card is downsized as the device is downsized, but it is troublesome to remove a smaller memory card from the downsized device, and the device is mistakenly removed during removal. There is also a risk that the device may be destroyed by dropping it.
【0019】上記したようなメモリカードの抜き差しに
起因する不都合は、撮像装置に画像情報信号の入出力用
のコネクタを設け、このコネクタを介して外部機器と直
接信号の授受ができるようにすることで解決できる。し
かし、撮像装置には、従来のフイルムカメラのシャッタ
ボタンに相当する記録スイッチが設けられており、この
記録スイッチの閉成操作により、操作者が希望する任意
の、かつ上記コネクタに接続された外部機器の動作状況
に制約されないタイミングで光学像を装置内に取り込
み、電気信号として半導体メモリに記録する動作が実行
される、あるいは実行させたい場合がある。例えば、記
録スイッチを閉成後、いまだ装置内の記録動作が完了し
ていない状態でコネクタに外部機器を装着した場合、あ
るいは、ある瞬間のシャッタチャンスを逃さずに画像を
記録する場合等がそれである。従って、撮像装置に上記
のようなコネクタを設ける場合には、半導体メモリでの
情報の書込みと読出しとが重複することによる画像内容
の変容を防止するために、あるいは記録スイッチの操作
による情報の書込みと外部機器から入力される情報の書
込みとが同じの半導体メモリで競合して画像内容が変容
してしまう等の不都合を回避するために、全ての装置動
作がコンピュータで一元的に管理されている前記公知例
3に記載の装置とは異なる新たな動作管理が必要とな
る。The inconvenience caused by the insertion / removal of the memory card as described above is that the image pickup device is provided with a connector for inputting / outputting an image information signal, and the signal can be directly transmitted / received to / from an external device through this connector. Can be solved with. However, the image pickup device is provided with a recording switch corresponding to the shutter button of the conventional film camera, and by the closing operation of the recording switch, an external device connected to the connector as desired by the operator is selected. There is a case where an operation of capturing an optical image in the apparatus at a timing that is not restricted by the operation status of the device and recording the electric image in the semiconductor memory as an electric signal is executed or desired to be executed. For example, when the external device is attached to the connector after the recording switch is closed and the recording operation inside the device is not completed yet, or when an image is recorded without missing a momentary shutter opportunity. is there. Therefore, when the image pickup apparatus is provided with the connector as described above, in order to prevent the change of the image content due to the overlap of the writing and reading of the information in the semiconductor memory, or the writing of the information by the operation of the recording switch. In order to avoid the inconvenience that the contents of the image and the writing of the information input from the external device compete with each other in the same semiconductor memory and the image contents are changed, all the device operations are centrally managed by the computer. New operation management different from that of the device described in the known example 3 is required.
【0020】さらに、撮像装置と画像情報をやり取りす
る外部機器として、パーソナルコンピュータが考えられ
るが、この場合、撮像装置内部のシステム動作用クロッ
クと全く無相関な情報伝送用クロックをパーソナルコン
ピュータから撮像装置に入力して情報の授受ができれ
ば、汎用性,操作性の面から極めて有効である。Further, a personal computer can be considered as an external device for exchanging image information with the image pickup apparatus. In this case, an information transmission clock completely uncorrelated with a system operation clock inside the image pickup apparatus is sent from the personal computer. It is extremely effective from the viewpoints of versatility and operability if information can be exchanged by inputting into.
【0021】本発明の目的は、以上のような点を勘案
し、誤動作を防止し、汎用性,操作性に優れた小型の撮
像装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a small-sized image pickup device which prevents malfunctions and is excellent in versatility and operability in consideration of the above points.
【0022】[0022]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、外部機器を接続可能な撮像装置であっ
て、記録指示手段と、光学像から画像信号を生成する撮
像手段と、該撮像手段で生成された画像信号を記憶する
メモリ手段と、該外部機器を接続可能とするコネクタ
と、該メモリ手段の画像信号の書込みと読出しとを制御
する制御手段とを有し、該制御手段は、該外部機器の該
メモリ手段からの画像信号の読出し準備状態を検知する
状態検知手段を有して、該コネクタを介して接続された
該外部機器が、該外部機器による読出し指令により、該
メモリ手段に記憶された画像信号の読出しを行なってい
るとき及び該状態検知手段によって該外部機器の該メモ
リ手段からの画像信号の読出し準備状態が検知されたと
きに、該記録指示手段が操作されても、該撮像手段で生
成された画像信号の該メモリ手段への書込みが行なわれ
ないように制御する構成とする。 そして、この制御手段
は、コネクタを介して外部機器が接続された状態で、メ
モリ手段から外部機器への画像信号の読出しが行なわれ
ていないとき及び状態検知手段によって外部機器のメモ
リ手段からの画像信号の読出し準備状態が検知されない
ときに、記録指示手段が操作されると、撮像手段で生成
された画像信号のメモリ手段への書込みが行なわれるよ
うに制御するものである。 In order to achieve the above object, the present invention is an image pickup apparatus to which an external device can be connected.
The recording instructing means and the imaging device that generates the image signal from the optical image
Image means and image signal generated by the imaging means are stored
Connector for connecting the memory means and the external device
And controlling writing and reading of image signals in the memory means
And a control unit for controlling the external device.
Detects readiness for reading image signals from memory means
It has a state detection means and is connected through the connector.
When the external device receives a read command from the external device,
The image signal stored in the memory means is read out.
And the memo of the external device by the state detection means.
When the readiness state of reading the image signal from the
Even if the recording instruction means is operated,
Writing of the generated image signal into the memory means is performed.
The configuration is such that it is controlled not to exist. And this control means
Is connected to the external device via the connector,
The image signal is read from the memory means to the external device.
When not in use and the status detection means
The readiness for reading out the image signal from the device is not detected.
When the recording instruction means is operated, it is generated by the image pickup means.
The written image signal is written to the memory means.
To control it.
【0023】上記の構成に加え、さらに、メモリ手段に
記憶された画像信号を表示するモニタ装置の再生画像の
更新を指示する再生画像更新指示手段を有し、上記の状
態検知手段は、外部機器からの画像信号の前記メモリ手
段への書込み準備状態を検知し、上記の制御手段は、コ
ネクタを介した接続された外部機器からの画像信号がメ
モリ手段へ書き込まれているとき及び状態検知手段によ
って外部機器の画像信号のメモリ手段への書込み準備状
態が検知されるときに、再生画像更新指示手段が操作さ
れても、モニタ装置での再生画像の更新のためのメモリ
手段からの画像信号の読出しが行なわれないように制御
する構成とするものである。 In addition to the above structure, a memory means is further provided.
Of the playback image on the monitor that displays the stored image signal.
It has a reproduction image update instruction means for instructing update, and
The state detection means is the memory device for the image signal from the external device.
Detecting the write ready status to the stage, the above control means
Image signals from external devices connected via
When it is written in the memory means and by the state detection means
Prepare to write the image signal of the external device to the memory means.
When the state is detected, the playback image update instruction means is operated.
Memory for updating the playback image on the monitor
Control so that the image signal is not read from the device
It is configured to do.
【0024】また、本発明は、外部機器を接続可能な撮
像装置であって、光学像から画像信号を生成する撮像手
段と、撮像手段で生成された画像信号を記憶するメモリ
手段と、メモリ手段に記憶された画像信号を表示するモ
ニタ装置の再生画像の更新を指示する再生画像更新指示
手段と、外部機器を接続可能とするコネクタと、メモリ
手段の画像信号の書込みと読出しとを制御する制御手段
とを有し、制御手段は、外部機器からの画像信号のメモ
リ手段への書込み準備状態を検知する状態検知手段を有
して、コネクタを介して接続された外部機器からの画像
信号がメモリ手段へ書き込まれているとき及び状態検知
手段によって外部機器からの画像信号のメモリ手段への
書込み準備状態が検知されたときに、再生画像更新指示
手段が操作されても、モニタ装置での再生画像の更新の
ためのメモリ手段からの画像信号の読出しが行なわれな
いように制御する構成とする。 そして、この制御手段
は、コネクタを介して外部機器が接続された状態で、外
部機器からの画像信号がメモリ手段へ書き込まれないと
き及び状態検知手段によって外部機器からの画像信号の
メモリ手段への書込み準備状態が検知されないときに、
再生画像更新指示手段が操作されると、メモリ手段から
画像信号が読み出されてモニタ装置での再生画像の更新
が行なわれるように制御する構成とするものである。 Further , the present invention is a camera capable of connecting an external device.
An imaging device for generating an image signal from an optical image
And a memory for storing the image signal generated by the imaging means
Means for displaying the image signal stored in the memory means.
Playback image update instruction to update the playback image on the Nita device
Means, a connector for connecting an external device, and a memory
Means for controlling writing and reading of image signals of the means
And the control means is a memo of the image signal from the external device.
A state detection unit that detects the state of preparation for writing to the unit
And then the image from the external device connected through the connector
Detecting when and when signals are being written to memory means
To the memory means of the image signal from the external device
Playback image update instruction when write ready status is detected
Even if the method is operated, the replay image on the monitor can be updated.
The image signal is not read from the memory means for
It is configured to control And this control means
Is connected to the external device via the connector,
If the image signal from the device is not written to the memory means
Image signal from an external device
When the write ready state to the memory means is not detected,
When the reproduced image update instruction means is operated,
The image signal is read and the playback image is updated on the monitor device.
The control is performed so that
【0025】以上の構成により、撮像手段で生成した画
像信号をメモリ手段に書き込み、これをコネクタを介し
て接続された外部機器で読出し可能であって、外部機器
でメモリ手段の画像信号が読み出されているとき及びそ
の読出しの準備状態にあるとき、撮像手段で生成された
画像信号のメモリ手段への書き込みが禁止されるから、
外部機器が読み出すメモリ手段の画像信号の内容が変容
することがない。 With the above configuration, the image generated by the image pickup means
Write the image signal to the memory means and pass it through the connector
Can be read by an external device connected by
When the image signal of the memory means is being read at
Generated by the image pickup means when the device is ready to read
Since writing of image signals to the memory means is prohibited,
The contents of the image signal of the memory means read by the external device change
There is nothing to do.
【0026】また、外部機器の画像信号を上記のメモリ
手段に書き込むことや、このメモリ手段の画像信号をモ
ニタ装置の再生画像の更新のために読み出すことも可能
であって、外部機器からメモリ手段に画像信号の書き込
みが行なわれているとき及びその書き込みの準備状態に
あるとき、モニタ装置の再生画像の更新のためのメモリ
手段の画像信号の読出しが禁止されるので、メモリ手段
から読み出されてモニタ装置に表示される再生画像は、
その表示内容が変容することがない。 Further , the image signal of the external device is stored in the above memory.
To the image means of this memory means.
It can also be read to update the playback image on the Nita device.
Write the image signal from the external device to the memory means.
Is being performed and is ready for writing
Sometimes, the memory for updating the playback image on the monitor device
Since the reading of the image signal of the means is prohibited, the memory means
The playback image that is read from and displayed on the monitor device is
The displayed contents do not change.
【0027】[0027]
【0028】[0028]
【0029】[0029]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
より説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0030】図1に本発明による撮像装置の一実施形態
を示すブロック図であって、1は撮像素子、2はタイミ
ング発生回路、3は発振器、4は電源スイッチ、5は記
録トリガースイッチ、6はANDゲート、7はタイミン
グ発生回路、8は発振器、9はインバータ、10,11
はスイッチ、12,13は半導体メモリ、14はコネク
タ、15,16はスイッチ、17はカメラ信号処理回
路、18はスイッチ、19はエンコーダ、20は出力端
子、21は画像データ圧縮処理回路、22は画像データ
伸長処理回路、23は状態検出器、24はスイッチであ
る。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an image pickup apparatus according to the present invention, in which 1 is an image pickup element, 2 is a timing generation circuit, 3 is an oscillator, 4 is a power switch, 5 is a recording trigger switch, and 6 Is an AND gate, 7 is a timing generation circuit, 8 is an oscillator, 9 is an inverter, 10 and 11
Is a switch, 12 and 13 are semiconductor memories, 14 is a connector, 15 and 16 are switches, 17 is a camera signal processing circuit, 18 is a switch, 19 is an encoder, 20 is an output terminal, 21 is an image data compression processing circuit, and 22 is An image data expansion processing circuit, 23 is a state detector, and 24 is a switch.
【0031】同図において、使用者が電源スイッチ4を
閉路操作すると、マイクロコンピュータあるいは論理回
路で構成されたタイミング発生回路2はこれを検知し、
図示しない電源回路を動作させて各部に動作電源を供給
開始させるとともに、発振器3から供給される第1の基
準周波数信号に適宜分周等の処理を施して、撮像素子
1、カメラ信号処理回路17、エンコーダ19夫々の動
作用クロックパルスCK1,CK3,CK2や、スイッ
チ制御信号SW1、SW2、SW3を発生する。これら
スイッチ制御信号SW1、SW2、SW3により、スイ
ッチ10,16,18が図示の方向に閉じる。これらス
イッチ10,16,18は、論理回路技術による公知の
マルチプレクサ回路で容易に構成できる。In the figure, when the user closes the power switch 4, the timing generation circuit 2 composed of a microcomputer or a logic circuit detects this,
An unillustrated power supply circuit is operated to start supply of operating power supply to each unit, and the first reference frequency signal supplied from the oscillator 3 is appropriately subjected to processing such as frequency division to obtain the image sensor 1, the camera signal processing circuit 17 The operation clock pulses CK1, CK3, CK2 of the encoders 19 and the switch control signals SW1, SW2, SW3 are generated. These switch control signals SW1, SW2, SW3 cause the switches 10, 16, 18 to close in the direction shown. These switches 10, 16 and 18 can be easily configured by known multiplexer circuits based on logic circuit technology.
【0032】図示しない光学レンズが受光面に装着され
た撮像素子1からは、光学像が光電変換されたことによ
るアナログの画像情報信号AISが出力される。カメラ
信号処理回路17は相関ダブルサンプリング回路や自動
利得調整回路,マトリクス回路,ガンマ処理回路等のテ
レビジョンカメラで公知の回路からなり、また、回路構
成の信号路の途中にA/D(アナログ/ディジタル)コ
ンバータが配されて、ディジタル化されたベースバンド
のディジタル画像情報信号DISを出力する。このディ
ジタル画像情報信号DISはスイッチ18を介してエン
コーダ19に供給され、ベースバンドのディジタル画像
情報信号DISから副搬送波に変調されたクロマ信号が
生成され、ベースバンドの輝度信号及びクロックパルス
CK1の一部としてタイミング発生回路2から供給され
る同期信号とタイミングが合わされ、これらが合成され
て複合ビデオ信号として、あるいは独立したコンポーネ
ント信号として、出力端子20から出力される。An analog image information signal AIS resulting from photoelectric conversion of an optical image is output from the image pickup device 1 in which an optical lens (not shown) is mounted on the light receiving surface. The camera signal processing circuit 17 is composed of circuits known in television cameras, such as a correlated double sampling circuit, an automatic gain adjustment circuit, a matrix circuit, and a gamma processing circuit, and an A / D (analog / analog / A digital) converter is provided and outputs a digitized baseband digital image information signal DIS. This digital image information signal DIS is supplied to an encoder 19 via a switch 18, a chroma signal modulated to a subcarrier is generated from the baseband digital image information signal DIS, and one of the baseband luminance signal and the clock pulse CK1 is generated. The synchronization signal supplied from the timing generation circuit 2 is timed as a unit, and these are combined and output from the output terminal 20 as a composite video signal or as an independent component signal.
【0033】なお、エンコーダ19はD/A(ディジタ
ル/アナログ)コンバータを有し、出力端子20にアナ
ログ化された画像情報信号を出力する。ここで、出力端
子20に公知のテレビジョンモニタ装置を接続すること
により、そこに撮像素子1で撮像されている連続(動
画)画像がテレビジョン映像として表示できる。The encoder 19 has a D / A (digital / analog) converter and outputs an analog image information signal to the output terminal 20. Here, by connecting a known television monitor device to the output terminal 20, a continuous (moving image) image captured by the image sensor 1 can be displayed as a television image there.
【0034】以上の動作は公知のテレビジョンカメラ装
置の動作と同様のものであり、例えば、市販されている
日立製作所製VM−H39型VTR一体形カメラのテレ
ビジョンカメラ回路を用いて実現できる。The above-described operation is similar to that of a known television camera device, and can be realized by using, for example, a television camera circuit of a commercially available Hitachi-made VM-H39 type VTR integrated camera.
【0035】次に、この実施形態の電子カメラ機能の動
作について説明する。Next, the operation of the electronic camera function of this embodiment will be described.
【0036】カメラ信号処理回路17から出力されるベ
ースバンドのディジタル画像情報信号DISは、スイッ
チ16を介して半導体メモリ12に供給される。また、
このとき、半導体メモリ12には、タイミング発生回路
2でカメラ信号処理用クロックCK3等と同期して発生
されるクロックCLやアドレス信号Adが夫々、スイッ
チ10を介し、書込みクロックWCや書込みアドレス信
号WAとして供給される。The baseband digital image information signal DIS output from the camera signal processing circuit 17 is supplied to the semiconductor memory 12 via the switch 16. Also,
At this time, in the semiconductor memory 12, the clock CL and the address signal Ad generated in synchronization with the camera signal processing clock CK3 and the like in the timing generation circuit 2 are respectively passed through the switch 10 to write clock WC and write address signal WA. Supplied as.
【0037】図3は半導体メモリ12の動作を示すタイ
ミング図であって、同図(a)は撮像素子1とカメラ信
号処理回路17とからなるテレビジョンカメラ回路の動
作タイミングを、同図(b)は半導体メモリ12の記憶
タイミングを、同図(c)は半導体メモリ13の動作モ
ードを夫々示している。また、図3(b)のP1,P
2,P3,……はこの画像情報信号DISでの順次の画
像(テレビジョン信号のフィールド画あるいはフレーム
画)を表わしている。半導体メモリ12に書き込まれる
画像も同じ符号で表わしている。FIG. 3 is a timing chart showing the operation of the semiconductor memory 12, and FIG. 3A shows the operation timing of the television camera circuit composed of the image pickup device 1 and the camera signal processing circuit 17. 8A shows the storage timing of the semiconductor memory 12, and FIG. 9C shows the operation mode of the semiconductor memory 13. In addition, P1 and P of FIG.
2, P3, ... Represent sequential images (field image or frame image of television signal) in the image information signal DIS. The image written in the semiconductor memory 12 is also represented by the same symbol.
【0038】図1及び図3において、時刻T1で電源ス
イッチ4が閉路されると、テレビジョンカメラ回路が前
記した動作を開始し、画像情報信号DISが生成され
る。半導体メモリ12,13は、一般に、フィールド画
1枚分もしくはフレーム画1枚分のデータを記録できる
メモリ容量を持っている。In FIGS. 1 and 3, when the power switch 4 is closed at time T1, the television camera circuit starts the above-mentioned operation and the image information signal DIS is generated. The semiconductor memories 12 and 13 generally have a memory capacity capable of recording data for one field image or one frame image.
【0039】なお、一般に、半導体メモリ12への画像
データの書込みは、時間順次で所定のデータ量(例え
ば、8ビット)ずつ、以前に書き込まれていた画像デー
タを新しいデータに書き替えるようにして実行される。
ここで、電子カメラ等で自然画を記録する場合、画像1
枚当り少なくともキロビット単位以上のデータ量を要す
るので、1枚の画像データの書込みを開始した後であっ
ても、この1枚の画像データの書込みが完了するまで
は、その前に書き込まれた画像データが半導体メモリ内
に残存することになる。即ち、例えば図3(b)におい
て、P2を付した時間領域では、半導体メモリ12には
画像P2のデータだけが記憶されているのではなく、そ
の前に書き込まれた画像P1のデータと、今回書き込ま
れる画像P2のデータとが混在して記憶されることにな
る。Generally, when writing image data to the semiconductor memory 12, the previously written image data is rewritten into new data by a predetermined amount of data (eg, 8 bits) in time sequence. To be executed.
When recording a natural image with an electronic camera or the like, image 1
Since a data amount of at least a kilobit unit or more is required for one sheet, even after the writing of one image data is started, the image written before the writing of one image data is completed. The data will remain in the semiconductor memory. That is, for example, in FIG. 3B, in the time domain marked with P2, not only the data of the image P2 is stored in the semiconductor memory 12, but the data of the image P1 previously written and the data of the image P1 are written this time. The data of the image P2 to be written are mixed and stored.
【0040】また、図3において、「P4保持」のよう
な「保持」という用語を付して表わした部分は、1枚の
画像データの書込みが完了した後、新たな画像データの
書込み(即ち、画像データの書替え)を行わず、そのま
ま画像データを保存していることを示している。Further, in FIG. 3, a portion represented by adding the term "hold" such as "P4 hold" is written with new image data after the writing of one image data is completed (ie, with writing of new image data). , The image data is not rewritten) and the image data is stored as it is.
【0041】時刻T1以降、半導体メモリ12では、カ
メラ信号処理回路17で生成された画像P1〜P4が順
次書き込まれ、その度に画像データが更新される。そし
て、記録トリガースイッチ5が使用者によって閉路され
たとき(時刻T2)、このとき、書込み中の画像P4の
データの書込みが完了すると、半導体メモリ12への次
のデータ書込みが禁止され、この画像P4のデータが保
持(フリーズ)されるように半導体メモリ12は制御さ
れる。この制御は、タイミング制御回路2が画像情報信
号AISの垂直同期信号のタイミングでクロックCLの
発生を停止することにより、実行される。続いて、タイ
ミング制御回路2は動作制御信号MCを発生する。この
動作制御信号MCは、後述するように、状態検知回路2
3の出力信号SDに応じて開閉制御されるANDゲート
6を介してタイミング発生回路7に供給され、これを動
作開始させる。After time T1, in the semiconductor memory 12, the images P1 to P4 generated by the camera signal processing circuit 17 are sequentially written, and the image data is updated each time. Then, when the recording trigger switch 5 is closed by the user (time T2), at this time, when the writing of the data of the image P4 being written is completed, the next data writing to the semiconductor memory 12 is prohibited, and this image is The semiconductor memory 12 is controlled so that the data of P4 is retained (freeze). This control is executed by the timing control circuit 2 stopping the generation of the clock CL at the timing of the vertical synchronizing signal of the image information signal AIS. Then, the timing control circuit 2 generates the operation control signal MC. This operation control signal MC is supplied to the state detection circuit 2 as described later.
The signal is supplied to the timing generation circuit 7 via the AND gate 6 which is controlled to open / close in accordance with the output signal SD of 3 to start the operation.
【0042】タイミング発生回路7は、発振器8から供
給される基準信号を適宜分周等の処理し、半導体メモリ
12の駆動用クロックCL1,アドレス信号Ad1や、
画像データ圧縮処理回路21と画像データ伸長処理回路
22の動作クロックCK4,CK5、圧縮処理された画
像データCIDを記憶する半導体メモリ13の駆動用ク
ロックCL2,アドレス信号Ad2,読出し動作と書込
み動作を切替え制御するための読出し/書込み切替信号
(R/−W2)を発生する回路であって、公知の論理回
路で構成できる。なお、読出し/書込み切替信号(R/
−W2)は、例えば“H”(ハイレベル)のとき「読出
し」を指示し、“L”(ローレベル)のとき「書込み」
を指示するものとする。The timing generation circuit 7 appropriately processes the reference signal supplied from the oscillator 8 such as frequency division, and drives the clock CL1 for driving the semiconductor memory 12 and the address signal Ad1.
The operation clocks CK4 and CK5 of the image data compression processing circuit 21 and the image data expansion processing circuit 22, the driving clock CL2 of the semiconductor memory 13 which stores the compressed image data CID2, the address signal Ad2, and the read operation and the write operation are switched. It is a circuit that generates a read / write switching signal (R / -W2) for controlling, and can be configured by a known logic circuit. The read / write switching signal (R /
-W2) indicates "read" when "H" (high level) and "write" when "L" (low level)
Shall be instructed.
【0043】タイミング発生回路7は、動作制御信号M
Cを受けると、画像データの圧縮処理及び圧縮された画
像データCIDの半導体メモリ13への書込み動作を開
始させる。The timing generation circuit 7 has an operation control signal M
When C is received, the compression processing of the image data and the writing operation of the compressed image data CID to the semiconductor memory 13 are started.
【0044】即ち、タイミング発生回路7から出力され
るクロックCL1,アドレス信号Ad1は、スイッチ1
0を介し、読出しクロックRC,読出しアドレス信号R
Aとして半導体メモリ12に供給される。これにより、
半導体メモリ12からは記憶保持されている画像P4の
データが順次読み出され、圧縮処理回路21で圧縮処理
されて圧縮画像データCIDが得られる。半導体メモリ
12としてFIFO型半導体メモリを用いることによ
り、図2で説明したように、図3(b)の画像P4のデ
ータの書込み期間の途中からでも、この画像P4のデー
タの読出しを開始させることができる。また、書込みク
ロックWCと読出しクロックRCとが非同期であっても
よい。That is, the clock CL1 and the address signal Ad1 output from the timing generation circuit 7 are
0, read clock RC, read address signal R
It is supplied to the semiconductor memory 12 as A. This allows
Data of the image P4 stored and held is sequentially read from the semiconductor memory 12, and compressed by the compression processing circuit 21 to obtain compressed image data CID. By using the FIFO type semiconductor memory as the semiconductor memory 12, as described in FIG. 2, the reading of the data of the image P4 can be started even in the middle of the writing period of the data of the image P4 of FIG. 3B. You can Further, the write clock WC and the read clock RC may be asynchronous.
【0045】圧縮処理回路21から出力される圧縮画像
データCIDは半導体メモリ13のデータ入出力端子I
/Oに供給され、また、タイミング発生回路7から出力
されるクロックCL2,アドレス信号Ad2及び「書込
み」を指示する読出し/書込み切替信号(R/−W2)
が、スイッチ11を介して、半導体メモリ13にクロッ
クCL,アドレス信号Ad及び読出し/書込み切替信号
(R/−W)として供給され、図3(c)に示すよう
に、P4を付して示す期間に圧縮された画像P4のデー
タがこの半導体メモリ13に書き込まれる。The compressed image data CID output from the compression processing circuit 21 is the data input / output terminal I of the semiconductor memory 13.
/ O and the clock CL2 output from the timing generation circuit 7, the address signal Ad2, and the read / write switching signal (R / -W2) for instructing "write".
Is supplied to the semiconductor memory 13 via the switch 11 as the clock CL, the address signal Ad and the read / write switching signal (R / -W), and is shown with P4 as shown in FIG. 3C. The data of the image P4 compressed during the period is written in the semiconductor memory 13.
【0046】ここで、半導体メモリ13は読出し/書込
み切替信号(R/−W)によって画像データの書込みモ
ードと読出しモードとに切り替られるメモリであって、
読出し/書込み切替信号(R/−W)が“H”のとき書込
みモードとなる。このとき、データ入出力端子I/Oは
データ入力用になり、クロックCL及びアドレス信号A
dは夫々書込みクロック、書込みアドレス信号として使
用される。また、読出し/書込み切替信号(R/−W)が
“L”のときには、読出しモードとなる。このとき、デ
ータ入出力端子I/Oはデータ出力用となり、クロック
CL及びアドレス信号Adは読出しクロック、読出しア
ドレス信号として使用される。このように書込み、読出
しが切り替えられて使用される半導体メモリ回路も公知
である。Here, the semiconductor memory 13 is a memory which is switched between a writing mode and a reading mode of image data by a read / write switching signal (R / -W),
When the read / write switching signal (R / -W) is "H", the write mode is set. At this time, the data input / output terminal I / O is for data input, and the clock CL and the address signal A
d is used as a write clock and a write address signal, respectively. When the read / write switching signal (R / -W) is "L", the read mode is set. At this time, the data input / output terminal I / O is for data output, and the clock CL and the address signal Ad are used as a read clock and a read address signal. A semiconductor memory circuit in which writing and reading are switched and used in this manner is also known.
【0047】ところで、この実施形態において、装置を
小型にする場合、データ圧縮回路21やデータ伸長回路
22にはLSI化された小型の回路が採用されるが、回
路素子の処理能力の点から、前記したカメラ動作で1枚
の画像データが生成される時間よりも、1枚の圧縮画像
データを生成する方が長い処理時間を必要とする。この
ため、半導体メモリ12をバッファメモリとして用い、
カメラ動作の高速度での画像取り込みを可能とする。ま
た、この際、画像P4のデータの圧縮処理と半導体メモ
リ13への書込みが終了するまでの期間、半導体メモリ
12で画像P4のデータを保持することにより、画像内
容の変容を防止するようにしている。この動作をおこな
うため、タイミング発生回路2が上記の動作制御信号M
Cを出力してからタイミング発生回路7から動作終了信
号MEが供給されるまでの期間、記録トリガースイッチ
5の閉路情報の取り込みを行わないようにする。By the way, in this embodiment, when the apparatus is miniaturized, an LSI miniaturized circuit is adopted for the data compression circuit 21 and the data decompression circuit 22, but in view of the processing capability of the circuit element, It takes a longer processing time to generate one compressed image data than to generate one image data by the above-described camera operation. Therefore, the semiconductor memory 12 is used as a buffer memory,
It enables image capture at high speed of camera operation. Further, at this time, the semiconductor memory 12 holds the data of the image P4 until the compression processing of the data of the image P4 and the writing to the semiconductor memory 13 are completed, so that the transformation of the image content is prevented. There is. In order to perform this operation, the timing generation circuit 2 causes the operation control signal M
During the period from the output of C to the supply of the operation end signal ME from the timing generation circuit 7, the closing information of the recording trigger switch 5 is not taken in.
【0048】タイミング発生回路7は、図3(c)にお
いて、圧縮された画像P4のデータの書込みが終了した
時点で書込みクロックCL2の発生を停止して、これ以
降半導体メモリ13をこの画像P4のデータの保持モー
ドとし、また、動作終了信号MEをタイミング発生回路
2に送る。タイミング発生回路2は、動作終了信号ME
を受けると、動作制御信号MCの発生を停止するととも
に、再び半導体メモリ12の書込み動作を開始させ、画
像P5,P6,P7のデータを半導体メモリ12に順次
書き込んで記録トリガースイッチ5の次の閉路操作に備
える。In FIG. 3C, the timing generation circuit 7 stops the generation of the write clock CL2 at the time when the writing of the compressed data of the image P4 is completed, and thereafter the semiconductor memory 13 stores the image of this image P4. The data holding mode is set, and the operation end signal ME is sent to the timing generation circuit 2. The timing generation circuit 2 uses the operation end signal ME
In response to this, the generation of the operation control signal MC is stopped, the writing operation of the semiconductor memory 12 is started again, the data of the images P5, P6 and P7 are sequentially written in the semiconductor memory 12, and the next closing of the recording trigger switch 5 is performed. Prepare for operation.
【0049】なお、半導体メモリ13としては、複数枚
分の画像のデータ記憶容量を有するものを用いることが
考えられる。このとき、図3(c)のP4,P7等で示
したデータ書込み動作期間では、半導体メモリ13がも
つ画像データの記憶領域のうち、画像1枚分に割り当て
られた一部領域だけが新たな画像データに書き替えられ
る。また、図3(c)の「保持」を付して示す期間で
は、この直前に書き込まれた画像データだけでなく、こ
れ以前に書き込まれた画像データも保持される。さら
に、半導体メモリ13が、例えばバッテリーバックアッ
プされたスタティック型ランダムアクセスメモリや、い
わゆるフラッシュ型の不揮発メモリであるような場合、
図3(c)での画像P4のデータの書込み時点以前に
は、時刻T1での電源スイッチ4の閉路によって開始さ
れた今回の撮影よりも前の撮影時に記録された画像Px
のデータが保持されている。As the semiconductor memory 13, it is conceivable to use one having a data storage capacity for a plurality of images. At this time, in the data writing operation period shown by P4, P7, etc. in FIG. 3C, only a partial area allocated to one image is newly stored in the storage area of the image data in the semiconductor memory 13. Rewritten with image data. In addition, in the period indicated by “hold” in FIG. 3C, not only the image data written immediately before this but also the image data written before this is held. Furthermore, when the semiconductor memory 13 is, for example, a battery-backed static random access memory or a so-called flash nonvolatile memory,
Before the time of writing the data of the image P4 in FIG. 3C, the image Px recorded at the time of shooting before the current shooting started by the closing of the power switch 4 at time T1.
Data is stored.
【0050】図3には、さらに、画像P7のデータの半
導体メモリ12への書込み期間に再び記録トリガースイ
ッチ5が閉路された(時刻T3)場合のメモリ動作も示
している。この場合の動作も、画像P4のデータの記録
動作と同じであるので、その説明を省略する。FIG. 3 also shows the memory operation when the recording trigger switch 5 is closed again (time T3) during the writing period of the data of the image P7 into the semiconductor memory 12. The operation in this case is also the same as the recording operation of the data of the image P4, and thus the description thereof will be omitted.
【0051】以上、図3を用いてこの実施形態の電子カ
メラ機能(静止画記録機能)動作を説明したが、これは
上記公知例1、2に示したの装置の動作に類似してい
る。The operation of the electronic camera function (still image recording function) of this embodiment has been described above with reference to FIG. 3, but it is similar to the operation of the apparatus shown in the above-mentioned known examples 1 and 2.
【0052】なお、半導体メモリ13がフラッシュ型メ
モリの場合には、素子の構成上いわゆる重ね書きによる
画像データの書き替えができない。このため、図3
(c)における画像P4のタイミングで、この画像P4
のデータを書き込む前段階に、画像P4のデータの書込
み領域として割当てられたメモリ領域に残っている画像
データを一旦消去する動作が実行される。この消去動作
は、具体的には、半導体メモリにある所定の論理レベル
のデータを書き込む動作であり、例えば図1におけるデ
ータ圧縮回路21の出力側に、タイミング発生回路7か
ら出力される図示しない制御信号によって所定レベルの
データを出力するように制御される論理ゲートを配し、
画像P4のデータの書込みに先立ってこの所定レベルの
データを書き込むようにして実施できる。When the semiconductor memory 13 is a flash type memory, rewriting of image data by so-called overwriting cannot be performed due to the element structure. Therefore, in FIG.
At the timing of the image P4 in (c), this image P4
Before the writing of the data, the operation of temporarily erasing the image data remaining in the memory area assigned as the data writing area of the image P4 is executed. This erasing operation is specifically an operation of writing data of a predetermined logic level in the semiconductor memory, and for example, a control (not shown) output from the timing generation circuit 7 to the output side of the data compression circuit 21 in FIG. Arrange a logic gate controlled to output a predetermined level of data by a signal,
This can be performed by writing the data of the predetermined level before writing the data of the image P4.
【0053】また、フラッシュ型メモリ素子としては、
数種のコントロール信号を用いてデータ入出力端子I/
Oに供給したコード信号をメモリ素子に取り込み,書込
み,消去等の動作モードを切り替えるようなものも公知
である。さらに、消去あるいは書込みに際して、メモリ
素子内部の動作が完了するまでの期間、所定論理レベル
のデータを発生して次の動作への進展を待機するように
警告する、いわゆるレディー/ビジー信号発生機能を有
するするものも公知である。このようなメモリ素子を用
いる場合でも、必要に応じてスイッチ11の切替え信号
を複数設け、また、データ入出力端子I/O端子に適宜
コントロールコードを画像データと切り替えて供給する
ように、半導体メモリを用いたディジタル回路技術分野
では公知の技術で構成できる。また、図1のスイッチ1
1,15と半導体メモリ13との間に、使用するメモリ
素子の機能にあわせたインタフェイス回路を設けること
もできる。As a flash type memory device,
Data input / output terminal I / using several kinds of control signals
It is also known that the code signal supplied to O is taken into the memory element and the operation mode such as writing and erasing is switched. Further, at the time of erasing or writing, a so-called ready / busy signal generation function is provided to warn the user to generate data of a predetermined logic level and wait for the progress to the next operation until the operation inside the memory element is completed. What is possessed is also known. Even when such a memory element is used, a semiconductor memory is provided so that a plurality of switching signals of the switch 11 are provided as needed and a control code is appropriately switched to image data and supplied to the data input / output terminal I / O terminal. Can be constructed by a known technique in the technical field of digital circuits using. In addition, the switch 1 of FIG.
It is also possible to provide an interface circuit between 1 and 15 and the semiconductor memory 13 according to the function of the memory element used.
【0054】このように、画像情報信号の記録に際し、
半導体メモリ13がフラッシュ型メモリであるときに
は、消去動作を連動して実行するように構成することに
より、使用者はフラッシュ型メモリに固有の消去動作に
煩わされることなく、従来の重書きによる自動的な書替
えが可能なメモリ装置と同様な感覚で操作することがで
きる。Thus, when recording the image information signal,
When the semiconductor memory 13 is a flash type memory, the erasing operation is configured to be executed in conjunction with each other, so that the user does not have to worry about the erasing operation peculiar to the flash type memory. It can be operated with the same feeling as a memory device that can be rewritten.
【0055】この実施形態の特徴とするところは、コネ
クタ14と、スイッチ11,15と、外部機器との信号
授受動作の準備状態を検知する状態検知回路23と、タ
イミング発生回路7の動作開始を阻止するためのAND
ゲート6を設け、外部機器と半導体メモリ12,13と
の間でのディジタル画像情報信号の授受を行なうことが
できるようにしてことである。The feature of this embodiment is that the operation of the connector 14, the switches 11 and 15, the state detection circuit 23 for detecting the preparation state of the signal transfer operation with the external equipment, and the timing generation circuit 7 is started. AND to prevent
The gate 6 is provided so that the digital image information signal can be exchanged between the external device and the semiconductor memories 12 and 13.
【0056】以下、この点について、図4及び図5を用
いて説明する。但し、図4は図1のコネクタ14に外部
機器を接続した状態での状態検知回路23の一具体例を
示すブロック図であって、23aはT−FF(T型フリ
ップフロップ)、23bはANDゲート、23cはオア
回路、25は外部機器、25aはコネクタであり、図1
に対応する部分には同一符号を付けている。This point will be described below with reference to FIGS. 4 and 5. However, FIG. 4 is a block diagram showing a specific example of the state detection circuit 23 in a state where an external device is connected to the connector 14 of FIG. 1, where 23a is T-FF (T-type flip-flop) and 23b is AND. 1 is a gate, 23c is an OR circuit, 25 is an external device, and 25a is a connector.
The same reference numerals are attached to the portions corresponding to.
【0057】また、図5は外部機器との信号授受機能を
説明するためのタイミングチャートであり、図4に対応
する信号には同一符号を付けている。なお、図5
(a),(b),(c)は夫々図3(a),(b),
(c)と同じである。FIG. 5 is a timing chart for explaining the signal transfer function with an external device, and the signals corresponding to those in FIG. 4 are designated by the same reference numerals. Note that FIG.
3 (a), (b), and (c) are shown in FIGS.
Same as (c).
【0058】まず、図1及び図5において、電源スイッ
チ4が投入される時刻T1では、先に説明したように、
半導体メモリ13には既に記録済みの画像データが保持
されており、タイミング発生回路7は動作を停止してい
るので、動作終了信号MEは“H”となって動作終了状
態を指示している。時刻T2で記録トリガースイッチ5
が閉路され、先述した一連の動作により、図5(c)に
示す半導体メモリ13への画像P4のデータの書込みが
開始されると、動作終了信号MEはレベルが“L”とな
って、タイミング発生回路7が動作中であることを指示
する。First, at time T1 when the power switch 4 is turned on in FIGS. 1 and 5, as described above,
Since the already recorded image data is held in the semiconductor memory 13 and the operation of the timing generation circuit 7 is stopped, the operation end signal ME becomes “H” and indicates the operation end state. Record trigger switch 5 at time T2
When the writing of the data of the image P4 to the semiconductor memory 13 shown in FIG. 5C is started by the above-described series of operations, the operation end signal ME becomes the level "L", and the timing ends. It indicates that the generation circuit 7 is in operation.
【0059】次に、図4及び図5において、状態検知回
路23のANDゲート23bには、一方の入力として、
動作終了信号MEが供給される。また、このANDゲー
ト23bの他方の入力は、コネクタ14に外部機器25
のコネクタ25aが嵌合して外部機器が接続されたと
き、外部機器25からコネクタ25a,14を介して供
給される信号授受動作の準備状況を示す信号(以下、準
備状況指示信号という)CSSaである。このANDゲ
ート23bの出力は、トリガークロックとして、T−F
F23aのクロック端子Tに供給される。4 and 5, the AND gate 23b of the state detection circuit 23 receives one input as
The operation end signal ME is supplied. The other input of the AND gate 23b is connected to the connector 14 by an external device 25.
When the connector 25a of No. 1 is fitted and an external device is connected, a signal (hereinafter referred to as a preparation status instruction signal) CSSa supplied from the external device 25 via the connectors 25a and 14 indicating the preparation status of the signal transfer operation. is there. The output of the AND gate 23b is T-F as a trigger clock.
It is supplied to the clock terminal T of F23a.
【0060】また、このT−FF23aのリセット端子
Rには、電源スイッチ4(図1)による動作電源投入時
の初期リセット信号INSが、ORゲート23cを介し
て供給される。この初期リセット信号INSは、電源投
入後、所定の微小時間だけ発生し、各論理回路を所定の
初期状態にリセットするために用いられるが、このよう
なリセット手法は、論理回路技術分野では周知の方法で
あり、電源供給開始時にリセット信号を発生するための
専用ICも市販されている。そこで、状態検知回路23
の構成要素としてかかるリセット信号発生ICを備えて
もよいが、タイミング発生回路2に設けられるリセット
信号発生回路の出力信号を初期リセット信号INSとし
て用いてもよい。The reset terminal R of the T-FF 23a is supplied with an initial reset signal INS when the operating power is turned on by the power switch 4 (FIG. 1) via the OR gate 23c. The initial reset signal INS is used for resetting each logic circuit to a predetermined initial state after being generated for a predetermined short time after the power is turned on. Such a reset method is well known in the logic circuit technical field. A dedicated IC for generating a reset signal at the start of power supply is commercially available. Therefore, the state detection circuit 23
Although the reset signal generating IC may be provided as a component of the above, the output signal of the reset signal generating circuit provided in the timing generating circuit 2 may be used as the initial reset signal INS.
【0061】T−FF23aのQ出力を状態検知信号S
Dとして出力する。この状態検知信号SDは、初期リセ
ット信号INSにより、図5に示すように、時刻T1に
不定状態(“H”か“L”かの未確定の状態)から
“L”状態にリセットされる。状態検知信号SDが
“L”のときには、図1におけるスイッチ11,15は
図1に示される状態にある。また、この“L”の状態検
知信号SDは図1のインバータ9で反転されて“H”と
なり、ANDゲート6を動作制御信号MCの通過状態に
する。これにより、図3で説明したように、時刻T2で
の記録トリガースイッチ5の閉成に連動して、半導体メ
モリ13への画像P4のデータの書込みが行なわれる。The Q output of the T-FF 23a is connected to the state detection signal S
Output as D. The state detection signal SD is reset from the indefinite state (the undetermined state of "H" or "L") to the "L" state at time T1 as shown in FIG. 5 by the initial reset signal INS. When the state detection signal SD is "L", the switches 11 and 15 in FIG. 1 are in the state shown in FIG. Further, the "L" state detection signal SD is inverted by the inverter 9 of FIG. 1 to become "H", and causes the AND gate 6 to pass the operation control signal MC. As a result, as described with reference to FIG. 3, the data of the image P4 is written in the semiconductor memory 13 in conjunction with the closing of the recording trigger switch 5 at the time T2.
【0062】ここで、時刻T4に外部機器25から状態
検知回路23に、この外部機器25で信号授受の準備が
完了したことを指示する“H”の準備状況指示信号CS
Saが供給されたとする。このとき、画像P4のデータ
の半導体メモリ13への書込み完了によるタイミング発
生回路7の動作終了にともなって、動作終了信号MEが
“H”に変わると、このタイミングでT−FF23aが
トリガーされて状態検知信号SDは“H”に反転する。Here, at time T4, the external device 25 instructs the state detection circuit 23 to indicate that the external device 25 is ready for signal transmission / reception.
It is assumed that Sa is supplied. At this time, when the operation end signal ME changes to “H” along with the end of the operation of the timing generation circuit 7 due to the completion of writing the data of the image P4 into the semiconductor memory 13, the T-FF 23a is triggered at this timing. The detection signal SD is inverted to "H".
【0063】状態検知信号SDが“H”になると、図1
のスイッチ11,15は図1の図示とは反対方向に切り
替えられる。単方向のディジタル信号用スイッチである
スイッチ11は例えばマルチプレクサ回路でもって、ま
た、双方向のスイッチであるスイッチ15は例えばいわ
ゆるアナログスイッチ回路でもって夫々容易に構成可能
であることは、この種回路技術分野では周知である。When the state detection signal SD becomes "H", the state shown in FIG.
Switches 11 and 15 are switched in the opposite direction to that shown in FIG. The switch 11 that is a unidirectional digital signal switch can be easily configured by a multiplexer circuit, and the switch 15 that is a bidirectional switch can be easily configured by a so-called analog switch circuit, for example. Well known in the art.
【0064】状態検知信号SDはコネクタ14、25a
を介して外部機器25に供給され、外部機器25に撮像
装置が信号授受動作可能な状態にあることを、そのレベ
ルが“H”であることによって伝える。The state detection signal SD is sent to the connectors 14 and 25a.
Is supplied to the external device 25 via the, and informs the external device 25 that the image pickup apparatus is in a signal transferable state by its level being “H”.
【0065】そこで、外部機器25は、この状態検知信
号SDを受けると、図1において、スイッチ11を介
し、クロックCL3,アドレス信号Ad3及び読出しを
指示する読出し/書込み切替信号(R/−W3)を半導
体メモリ13に供給する。これにより、半導体メモリ1
3は、このアドレス信号Ad3で指定される記録領域か
ら、例えば、特定の画像一枚分、あるいは全ての画像デ
ータを読み出し、データ入出力端子I/O端子からスイ
ッチ15,コネクタ14を介して外部機器25(図4)
に供給する。このとき、半導体メモリ13は、専ら外部
機器25によって動作制御される。Therefore, when the external device 25 receives the state detection signal SD, the clock CL3, the address signal Ad3, and the read / write switching signal (R / -W3) for instructing the reading are passed through the switch 11 in FIG. Are supplied to the semiconductor memory 13. Thereby, the semiconductor memory 1
3 reads out, for example, one specific image or all image data from the recording area designated by the address signal Ad3, and externally outputs from the data input / output terminal I / O terminal via the switch 15 and the connector 14. Device 25 (Fig. 4)
Supply to. At this time, the operation of the semiconductor memory 13 is exclusively controlled by the external device 25.
【0066】図4及び図5において、外部機器25は、
半導体メモリ13から所望の画像データを読み出すと、
クロックCL3の出力を停止し、準備状況指示信号CS
Saを“L”に戻し、これと同時に、授受動作終了信号
CSSbを状態検知回路23に供給する。この授受動作
終了信号CSSbはORゲート23cを介してT−FF
23aに供給され、これをリセットして状態検知信号S
Dを“L”に戻す。In FIG. 4 and FIG. 5, the external device 25 is
When desired image data is read from the semiconductor memory 13,
The output of the clock CL3 is stopped and the preparation status instruction signal CS
Sa is returned to "L", and at the same time, the transfer operation end signal CSSb is supplied to the state detection circuit 23. The transfer operation end signal CSSb is transmitted to the T-FF via the OR gate 23c.
23a, which is reset to reset the state detection signal S
Return D to "L".
【0067】外部機器25がパーソナルコンピュータで
あるような場合、信号授受用のクロックCL3(図1)
として比較的低周波数の信号が使われることが多いが、
その周波数は外部機器25単独の制約条件のみにより決
定できるようにするのが便利である。これは、一般に、
外部機器25として低コストのものを使用する場合、そ
のデータ処理能力は低いから、低周波のクロックによる
信号授受が好適であるし、また、処理能力が高い外部機
器であれば、高速クロックで短時間に授受動作を完了す
ることが望まれるからである。このため、外部機器25
との信号授受に要する時間は、授受する信号データ量が
同じであっても、使用する外部機器の機種によって異な
ることが考えられる。When the external device 25 is a personal computer, a signal transmission / reception clock CL3 (FIG. 1)
A signal of relatively low frequency is often used as
It is convenient that the frequency can be determined only by the constraint condition of the external device 25 alone. This is generally
When a low-cost external device 25 is used, its data processing capability is low, so that signal transmission / reception with a low-frequency clock is suitable, and if the external device has a high processing capability, a high-speed clock can be used for a short period of time. This is because it is desired to complete the transfer operation in time. Therefore, the external device 25
It is conceivable that the time required to send and receive signals to and from will differ depending on the type of external device used, even if the amount of signal data to be sent and received is the same.
【0068】この実施形態においては、タイミング発生
回路7の動作開始を指示する動作制御信号MCの伝送経
路に挿入されたANDゲート6の制御用としても状態検
知信号SDを供給し、状態検知信号SDが“H”にある
とき、このANDゲート6によって動作制御信号MCが
阻止され、記録トリガースイッチ5の閉成によって実行
される半導体メモリ12,13への画像データの書込み
連動動作のうち、少なくも半導体メモリ13への新たな
画像データの書込みを禁止させ、外部機器25との信号
授受に要する不確定の時間の間、半導体メモリ13にお
ける画像データが改変されて画像内容が変容してしまう
ことを防止する。In this embodiment, the state detection signal SD is also supplied for controlling the AND gate 6 inserted in the transmission path of the operation control signal MC for instructing the operation start of the timing generation circuit 7, and the state detection signal SD is supplied. Is at "H", the operation control signal MC is blocked by the AND gate 6 and at least the image data writing interlocking operation to the semiconductor memories 12 and 13 executed by closing the recording trigger switch 5 is performed. It is prohibited that the writing of new image data to the semiconductor memory 13 is prohibited, and the image data in the semiconductor memory 13 is modified and the image content is changed during the uncertain time required for exchanging a signal with the external device 25. To prevent.
【0069】図5は上記構成を持つ実施形態の動作を説
明するものであるが、なお、例えば、状態検知信号SD
が“H”のとき、記録トリガースイッチ5の閉路を無視
するように、タイミング発生回路2を論理回路技術分野
の公知技術で構成でき、上記した半導体メモリ13での
画像データの改変を防止できる。但し、この場合には、
当然記録トリガースイッチ5の操作による全ての動作が
禁止される。FIG. 5 explains the operation of the embodiment having the above-mentioned configuration. However, for example, the state detection signal SD
When "H" is set to "H", the timing generation circuit 2 can be configured by a known technique in the logic circuit technical field so as to ignore the closed circuit of the recording trigger switch 5, and the above-described alteration of the image data in the semiconductor memory 13 can be prevented. However, in this case,
Naturally, all operations by the operation of the recording trigger switch 5 are prohibited.
【0070】図5(c)において、半導体メモリ13で
の画像P4の書込み動作が完了し、動作終了信号MEが
“H”に反転すると、図3で説明したように、半導体メ
モリ12への画像P5,P6,P7の書込みが再開する
(図5(b))。そして、時刻T3で記録トリガースイ
ッチ5が閉路されると、画像P7は半導体メモリ12に
は保持されるが、状態検知信号SDが“H”であるか
ら、ANDゲート6により、動作制御信号MCが阻止さ
れてタイミング発生回路7に供給されず、タイミング発
生回路7は動作を開始しない。このため、半導体メモリ
13は、画像P7のデータの書込みは禁止され、前の画
像データを保持したままとなる。In FIG. 5C, when the writing operation of the image P4 in the semiconductor memory 13 is completed and the operation end signal ME is inverted to "H", as shown in FIG. Writing of P5, P6, and P7 resumes (FIG. 5B). When the recording trigger switch 5 is closed at time T3, the image P7 is held in the semiconductor memory 12, but the state detection signal SD is "H", so the AND gate 6 outputs the operation control signal MC. It is blocked and is not supplied to the timing generation circuit 7, and the timing generation circuit 7 does not start operation. Therefore, in the semiconductor memory 13, writing of the data of the image P7 is prohibited, and the previous image data remains held.
【0071】このように、スイッチ11,15の切替動
作のみではなく、タイミング発生回路7の動作も禁止さ
れるので、回路の無駄な動作が省け、消費電力も抑圧で
きることになる。As described above, not only the switching operation of the switches 11 and 15 but also the operation of the timing generation circuit 7 is prohibited, so that unnecessary operation of the circuit can be omitted and power consumption can be suppressed.
【0072】外部機器25への画像P4のデータの読出
しが終了し、授受動作終了信号CSSbによって状態検
知回路23から出力される状態検知信号SDが“L”に
なると、スイッチ11,15は再び図1に図示する方向
に切り替わる。また、ANDゲート6も通過可能状態と
なって動作制御信号MCがタイミング発生回路7に供給
される。これにより、タイミング発生回路7が動作を開
始して動作終了信号MEは“L”となり、圧縮された画
像P7のデータが図5(c)に示すタイミングで半導体
メモリ13に書き込まれる。この書込みが終了すると、
動作終了信号MEは再び“H”になり、準備状況指示信
号CSSaが再び“H”となって、外部機器25での信
号授受の準備ができたことが指示される。これにより、
状態検知信号SDが“H”に反転して、撮像装置が再び
信号授受可能な状態になったことを外部機器25に伝え
る。When the reading of the data of the image P4 to the external device 25 is completed and the status detection signal SD output from the status detection circuit 23 by the transfer operation end signal CSSb becomes "L", the switches 11 and 15 are turned on again. It switches to the direction shown in FIG. Further, the AND gate 6 is also in the passable state and the operation control signal MC is supplied to the timing generation circuit 7. As a result, the timing generation circuit 7 starts its operation, the operation end signal ME becomes "L", and the data of the compressed image P7 is written in the semiconductor memory 13 at the timing shown in FIG. 5 (c). When this writing is completed,
The operation end signal ME becomes "H" again, and the preparation status instruction signal CSSa becomes "H" again, which indicates that the external device 25 is ready to exchange signals. This allows
The state detection signal SD is inverted to "H", and the external device 25 is notified that the image pickup apparatus is ready to exchange signals again.
【0073】以上のように、この実施形態の動作による
と、半導体メモリ13から外部機器25へのデータ読出
し中には、半導体メモリ13へのデータ書込みが禁止さ
れ、あるいは、半導体メモリ13へのデータ書込みの途
中での外部機器25へのデータ読出しが禁止されるの
で、外部機器25への半導体メモリ13のデータ読出し
動作実行中に、半導体メモリ13での画像データが書き
替えられる恐れはない。従って、撮像された1枚の画像
データではなく、複数枚の画像のデータが混在して出力
されることが防止できるので、この出力データを用いて
再現された画像が撮像された1枚の画像とは異なるもの
に変容してしまうことを回避できる。As described above, according to the operation of this embodiment, during the data read from the semiconductor memory 13 to the external device 25, the data write to the semiconductor memory 13 is prohibited or the data to the semiconductor memory 13 is written. Since data reading to the external device 25 is prohibited in the middle of writing, there is no possibility that the image data in the semiconductor memory 13 is rewritten during the data reading operation of the semiconductor memory 13 to the external device 25. Therefore, it is possible to prevent the data of a plurality of images from being mixedly output instead of the image data of one imaged image. Therefore, an image reproduced using this output data is captured as one image data. You can avoid changing to something different from.
【0074】また、動作制御信号MCの出力を待機させ
るように構成した場合には、外部機器25へのデータ読
出しの実行中でも、記録トリガースイッチ5の閉路操作
により、画像データの半導体メモリ12への取り込み、
即ち撮影が実行できるし、ここで取り込んだ画像情報
を、外部機器25へのデータ読出しが終了し次第、使用
者による新たな操作を必要とせずに、自動的に半導体メ
モリ13に転送して記録することができる。さらに、半
導体メモリ13へのデータ書込みが終了すると、これに
連動して状態検知信号SDが自動的に“H”に反転し、
この実施形態を外部機器25との信号授受可能状態に切
り替えるとともに、この状態にあることを接続された外
部機器25に知らせることができるので、半導体メモリ
13に記録された画像のデータを、待ち時間を短くし
て、連続して外部機器25で読み出すことも可能にな
る。When the operation control signal MC is set to be on standby for output, image data is transferred to the semiconductor memory 12 by closing the recording trigger switch 5 even while data is being read out to the external device 25. Capture,
In other words, shooting can be performed, and the image information captured here can be automatically transferred to the semiconductor memory 13 and recorded as soon as the data reading to the external device 25 is completed without requiring a new operation by the user. can do. Further, when the data writing to the semiconductor memory 13 is completed, the state detection signal SD is automatically inverted to "H" in conjunction with this,
Since this embodiment can be switched to a signal transferable state with the external device 25 and the connected external device 25 can be notified of this state, the image data recorded in the semiconductor memory 13 can be waited for. It is also possible to shorten the time period and read continuously by the external device 25.
【0075】さらに、準備状況指示信号CSSaは図5
に示すようなレベル変化タイミングに限定されるもので
はなく、例えば一旦“H”に反転した後、このレベルを
維持するようにしてもよく、このときには、図5(c)
での新たな画像情報の書込みが完了して動作終了信号M
Eが“L”から“H”に反転する毎に、自動的に外部機
器25との信号授受が可能な状態になる。Further, the preparation status instruction signal CSSa is shown in FIG.
The level change timing is not limited to that shown in FIG. 5, but, for example, it may be once inverted to “H” and then maintained at this level. At this time, FIG.
Operation completion signal M after the writing of new image information in
Every time E is inverted from "L" to "H", a signal can be automatically exchanged with the external device 25.
【0076】また、準備状況指示信号CSSaを、図5
に示すように、外部機器25による信号授受の終了毎に
“H”から“L”に戻るように規定した場合には、授受
動作終了信号CSSbを必ずしも外部機器25から供給
するようにする必要はなく、例えば準備状況指示信号C
SSaの“H”から“L”に反転するエッジタイミング
に同期して、所定のパルス幅のパルス信号を発生するよ
うな、例えばモノステーブルマルチバイブレータ回路等
の公知の論理回路構成を状態検知回路23に内蔵し、こ
れに準備状況指示信号CSSaを供給して授受動作終了
信号CSSbに相当するパルス信号を得るようにするこ
ともできる。In addition, the preparation status indication signal CSSa is changed to that shown in FIG.
As shown in, when it is specified that the external device 25 returns to “L” from “H” each time the signal transfer is completed, it is not always necessary to supply the transfer operation end signal CSSb from the external device 25. Not, for example, the preparation status indication signal C
The state detection circuit 23 has a well-known logic circuit configuration such as a monostable multivibrator circuit which generates a pulse signal having a predetermined pulse width in synchronization with the edge timing of SSa from "H" to "L". It is also possible to provide a pulse signal corresponding to the transfer operation end signal CSSb by supplying it with the preparation status instruction signal CSSa.
【0077】なお、図5において、準備状況指示信号C
SSaによる画像データ保持タイミング、即ち、準備状
況指示信号CSSaが動作終了信号MEの“H”期間内
に“H”に反転した場合、状態検知回路23は直ちに
“H”の状態検知信号SDを出力し、この実施形態の撮
像装置は外部機器25との信号授受状態になるが、特
に、動作終了信号MEが記録トリガースイッチ5の閉路
に連動して“H”から“L”に切り替わる直前で準備状
況指示信号CSSaが“L”から“H”に反転したとき
には、図4におけるANDゲート23bから微小パルス
幅のノイズ信号が発生し、これにより、T−FF23a
がトリガーされて状態検知信号SDが“H”に反転して
しまう恐れがある。また、時刻T1以前あるいは時刻T
1近傍の時点で準備状況指示信号CSSaが“H”に反
転したときには、初期リセット信号INSによるT−F
F23aのリセット制御との競合により、T−FF23
aの動作が不確定になる恐れがある。Incidentally, in FIG. 5, the preparation state instruction signal C
When the image data holding timing by SSa, that is, the preparation state instruction signal CSSa is inverted to "H" within the "H" period of the operation end signal ME, the state detection circuit 23 immediately outputs the state detection signal SD of "H". Then, the image pickup apparatus of this embodiment is in a state of exchanging signals with the external device 25, but is particularly prepared immediately before the operation end signal ME is switched from “H” to “L” in conjunction with the closing of the recording trigger switch 5. When the situation indicating signal CSSa is inverted from "L" to "H", a noise signal having a minute pulse width is generated from the AND gate 23b in FIG. 4, which causes the T-FF 23a.
May be triggered and the state detection signal SD may be inverted to "H". Before time T1 or time T
When the preparation status instruction signal CSSa is inverted to “H” at a time near 1, the TF by the initial reset signal INS
Due to the conflict with the reset control of F23a, the T-FF23
The operation of a may be uncertain.
【0078】図6はこのような場合にも好適な図1にお
ける状態検知回路23の他の実施形態を示す回路図であ
って、23dはインバータ、26〜29は抵抗、30は
トランジスタ、31,32はコンデンサ、33は電源で
あり、図1,図4に対応する部分には同一符号を付けて
いる。FIG. 6 is a circuit diagram showing another embodiment of the state detection circuit 23 in FIG. 1, which is also suitable for such a case. 23d is an inverter, 26 to 29 are resistors, 30 is a transistor, 31, Reference numeral 32 is a capacitor, and 33 is a power source, and the portions corresponding to FIGS.
【0079】また、図7は図6における各部の信号を示
す波形図であって、図6に対応する信号には同一符号を
つけている。FIG. 7 is a waveform diagram showing the signals of the respective parts in FIG. 6, and the signals corresponding to those in FIG. 6 are designated by the same reference numerals.
【0080】図6において、状態検知回路23に嵌合検
知スイッチ24が設けられており、コネクタ14に外部
機器(図示せず)のコネクタ25aが嵌合されると(時
刻T1)、この嵌合検知スイッチ24が押圧されて閉路
し、電源33からの“H”の電圧信号SVがANDゲー
ト23bに供給される。この“H”の電圧信号SVが図
4に示した具体例での準備状況指示信号CSSaの代り
をなしている。なお、抵抗28は、嵌合検知スイッチ2
4が開成されているとき、ANDゲート23bの一方の
入力をアース(“L”)レベルに保つためのものであ
る。In FIG. 6, the state detection circuit 23 is provided with a fitting detection switch 24, and when the connector 25a of the external device (not shown) is fitted to the connector 14 (time T1), this fitting is performed. The detection switch 24 is pressed and closed, and the "H" voltage signal SV from the power supply 33 is supplied to the AND gate 23b. This "H" voltage signal SV takes the place of the preparation status instruction signal CSSa in the specific example shown in FIG. The resistor 28 is used for the fitting detection switch 2
This is for keeping one input of the AND gate 23b at the ground ("L") level when the 4 is opened.
【0081】これにより、図7(a)に示すように、コ
ネクタ25a,14の嵌合状態で、図1における電源ス
イッチ4の閉路によって装置電源が投入されると、図5
で説明したように、準備状況指示信号CSSaが時刻T
1で“L”から“H”に反転するのと同じものとなる。As a result, as shown in FIG. 7A, when the power supply of the apparatus is turned on by closing the power switch 4 in FIG.
As described above, the preparation status indication signal CSSa is
This is the same as inverting from "L" to "H" at 1.
【0082】この具体例では、また、ANDゲート23
bの他方の入力として、抵抗26を介し、動作終了信号
MEが供給されるが、ANDゲート23bのこの入力端
子とアースとの間にコンデンサ31とトランジスタ30
とが並列に接続されている。そして、このトランジスタ
30のベースに、抵抗27を介して初期リセット信号I
NSが供給される。In this specific example, the AND gate 23 is also used.
The operation end signal ME is supplied to the other input of b through the resistor 26, but the capacitor 31 and the transistor 30 are connected between this input terminal of the AND gate 23b and the ground.
And are connected in parallel. Then, the initial reset signal I is applied to the base of the transistor 30 via the resistor 27.
NS is supplied.
【0083】そこで、図7(a)に示すように、電源投
入時に“H”の初期リセット信号INSが発生すると、
その信号期間トランジスタ30が導通状態になるので、
ANDゲート23bの動作終了信号MEが供給される側
の入力レベルADIが“L”に保たれる。そして、所定
時間の経過後、初期リセット信号INSが“L”になる
と、トランジスタ30が非導通状態になり、このとき、
動作終了信号MEが“H”であれば、抵抗26とコンデ
ンサ31とによる時定数で決まる時間遅延を経て、入力
レベルADIは“H”になる。この時間遅延の間に、T
−FF23aは初期リセット信号INSによってリセッ
トされているので、入力レベルADIが“H”になった
ことによって得られるANDゲート23bの“1レベ
ル”の出力ADOにより、T−FF23aは確実にトリ
ガーされて、状態検知信号SDを発生させることができ
る。Therefore, as shown in FIG. 7A, when the initial reset signal INS of "H" is generated when the power is turned on,
Since the transistor 30 becomes conductive during the signal period,
The input level ADI on the side to which the operation end signal ME of the AND gate 23b is supplied is kept at "L". Then, when the initial reset signal INS becomes “L” after a lapse of a predetermined time, the transistor 30 becomes non-conductive, and at this time,
When the operation end signal ME is "H", the input level ADI becomes "H" after a time delay determined by the time constant of the resistor 26 and the capacitor 31. During this time delay, T
Since the -FF 23a is reset by the initial reset signal INS, the T-FF 23a is surely triggered by the "1 level" output ADO of the AND gate 23b obtained when the input level ADI becomes "H". , The state detection signal SD can be generated.
【0084】また、図7(b)は、時刻T2での記録ト
リガースイッチ5(図1)の閉路操作に連動してタイミ
ング発生回路2の動作から時刻T2’に出力される
“H”の動作制御信号MCと、嵌合検知スイツチ24が
閉路して電源33からANDゲート23bに“H”の電
圧信号SVが供給されるタイミングとが競合する場合の
動作に対するものである。Further, FIG. 7B shows the operation of "H" output from the operation of the timing generating circuit 2 at time T2 'in conjunction with the closing operation of the recording trigger switch 5 (FIG. 1) at time T2. This is for the operation in the case where the control signal MC and the timing at which the fitting detection switch 24 is closed and the power supply 33 supplies the voltage signal SV of "H" to the AND gate 23b.
【0085】時刻T2’でタイミング発生回路2(図
1)から発生した“H”の動作制御信号MCにより、タ
イミング発生回路7(図1)が動作を開始すると、動作
終了信号MEは“H”から“L”に反転するが、回路素
子の信号伝播速度、あるいは発振8から供給されるタイ
ミング発生回路7の動作クロックと動作制御信号MCと
の位相関係等に依存した動作遅延により、一般に、時刻
T2’から動作終了信号MEが“L”に反転する時点ま
でに時間差が生じる。この時間差の期間に嵌合検知スイ
ッチ24からの電圧信号SVが“L”から“H”に反転
すると、ANDゲート23bから、短期間だけ、パルス
状の“H”の出力信号ADOが発生する。この出力信号
ADOによってT−FF23aがトリガーされると、状
態検知信号SDは“H”に反転し、このままでは、タイ
ミング発生回路7が動作しているにも拘らず、スイッチ
11,15(図1)が外部機器のアクセス側に接続され
てしまうので、時刻T2のタイミングで撮影した画像デ
ータが半導体メモリ13(図1)に記憶できない。When the timing generation circuit 7 (FIG. 1) starts operating by the operation control signal MC of "H" generated from the timing generation circuit 2 (FIG. 1) at time T2 ', the operation end signal ME is "H". Is inverted to "L", but generally due to the operation delay depending on the signal propagation speed of the circuit element or the phase relationship between the operation clock of the timing generation circuit 7 supplied from the oscillation 8 and the operation control signal MC, etc. There is a time difference from T2 ′ to the time when the operation end signal ME is inverted to “L”. When the voltage signal SV from the fitting detection switch 24 is inverted from "L" to "H" during this time difference period, the AND gate 23b generates the pulsed "H" output signal ADO for a short period. When the T-FF 23a is triggered by this output signal ADO, the state detection signal SD is inverted to "H", and as it is, the switches 11 and 15 (see FIG. ) Is connected to the access side of the external device, the image data taken at the timing of time T2 cannot be stored in the semiconductor memory 13 (FIG. 1).
【0086】そこで、図6に示す具体例では、このよう
に撮影が無効となる事態を回避するため、次のような構
成を備えている。Therefore, the specific example shown in FIG. 6 has the following configuration in order to avoid such a situation in which photographing is invalid.
【0087】即ち、オア回路23cには、図4に示した
具体例のように授受動作終了信号CSSbや初期リセッ
ト信号INSのほかに、動作終了信号MEがインバータ
23dでレベル反転されて供給されるようにして、動作
終了信号MEが“L”に反転して時点で、これにより、
T−FF23aがリセットされるようにし、一旦“H”
に反転した状態検知信号SDが再び“L”に戻るように
する。これにより、タイミング発生回路7の動作で有効
に画像情報の半導体メモリ13への書込みが実施でき
る。That is, in addition to the transfer operation end signal CSSb and the initial reset signal INS, the operation end signal ME is level-inverted by the inverter 23d and supplied to the OR circuit 23c as in the specific example shown in FIG. Thus, when the operation end signal ME is inverted to “L”,
Make sure that the T-FF 23a is reset, and once "H"
The state detection signal SD inverted to "L" is returned to "L" again. As a result, the operation of the timing generation circuit 7 can effectively write the image information to the semiconductor memory 13.
【0088】また、このとき、図7(b)に示すような
“H”のパルス状波形の状態検知信号SDが発生する条
件は、嵌合検知スイッチ24からの電圧信号SVが
“H”に反転時点から状態検知信号SDによりANDゲ
ート6(図1)が閉鎖されるまでの回路動作遅延時間t
1と、動作制御信号MCが“H”に反転する時点から
“L”の動作終了信号MEによってT−FF23aがリ
セットされるまでの遅延時間t2との和で規定される時
刻T2’前後の時間領域内に、嵌合検知スイッチ24か
らの電圧信号SVが“H”に反転することである。この
とき、時間t1,t2は、使用する回路素子の速度性
能、あるいは採用される回路構成等から予め予測するこ
とができ、また、状態検知信号SDの図7(b)に示す
“H”の期間は期間(t1+t2)よりも短かい。At this time, the condition for generating the state detection signal SD having the "H" pulse waveform as shown in FIG. 7B is that the voltage signal SV from the fitting detection switch 24 is "H". Circuit operation delay time t from the time of inversion until the AND gate 6 (FIG. 1) is closed by the state detection signal SD
Time around T2 'defined by the sum of 1 and the delay time t2 from the time when the operation control signal MC is inverted to "H" to the time when the T-FF 23a is reset by the operation end signal ME of "L". The voltage signal SV from the fitting detection switch 24 is inverted to "H" in the area. At this time, the times t1 and t2 can be predicted in advance from the speed performance of the circuit element to be used, the circuit configuration adopted, or the like, and the "H" of the state detection signal SD shown in FIG. The period is shorter than the period (t1 + t2).
【0089】そこで、状態検知信号SDのコネクタ14
への出力部に、所定パルス幅以下の信号の出力を阻止す
る回路構成を備えることにより、図7(b)に示す
“H”のパルス状の状態検知信号SDが外部機器に供給
されることを防止することができる。図6においては、
かかる阻止手段として、抵抗29とコンデンサ32とか
らなる積分回路を用いている。勿論、同様な機能を実現
する他の構成も論理回路技術分野では公知である。な
お、かかるパルス状の状態検知信号SDをそのまま外部
機器に供給しても、外部機器側で予め想定される微小パ
ルス幅の状態検知信号SDには応動しないように構成す
ることもできるが、上記のように状態検知回路23側で
かかるパルス状の状態検知信号SDを阻止するように構
成した方が、外部機器の動作に対する制約条件が少な
く、外部機器にての動作プログラム設定時等における煩
わしさを低減できる。Therefore, the connector 14 for the state detection signal SD
By providing a circuit configuration for preventing the output of a signal having a predetermined pulse width or less in the output section, the pulse state detection signal SD of “H” shown in FIG. 7B is supplied to the external device. Can be prevented. In FIG.
An integrator circuit including a resistor 29 and a capacitor 32 is used as the blocking means. Of course, other configurations that realize similar functions are known in the logic circuit technical field. It should be noted that even if the pulsed state detection signal SD is directly supplied to the external device, the external device may be configured so as not to respond to the state detection signal SD having a minute pulse width preliminarily assumed. As described above, when the state detection circuit 23 side is configured to block the pulse-shaped state detection signal SD, the constraint conditions for the operation of the external device are less, and the operation program setting in the external device is troublesome. Can be reduced.
【0090】状態検知回路23のさらに他の具体例とし
て、図6において、嵌合検知スイッチ24の抵抗28側
にゲートを設け、これを図7(b)に示すゲート信号G
Cで制御して電圧信号を阻止するようにしてもよい。こ
のゲート信号GCは、記録トリガースイッチ5の閉路時
の時刻T2、即ち、動作制御信号MCよりも所定時間前
に“H”となり、動作終了信号MEが“L”に反転して
後所定時間経過後に“L”に戻るように、タイミング発
生回路2で生成されるものであって、このゲート信号G
Cの“H”期間では、嵌合検知スイッチ24からの電圧
信号SVが阻止されてANDゲート23bに供給され
ず、図7(b)の時間領域(t1+t2)で嵌合検知ス
イッチ24からの電圧信号SVが“H”に反転するのを
禁止される。この場合、図7(b)での時刻T2’以後
に示されたANDゲート23bの出力信号ADO及び状
態検知信号SDの“H”状態は発生しない。従って、オ
ア回路23cへ動作終了信号MEの反転信号が供給され
ることは不要となる。As still another specific example of the state detection circuit 23, in FIG. 6, a gate is provided on the resistance 28 side of the fitting detection switch 24, and the gate signal G shown in FIG.
It may be controlled by C to block the voltage signal. The gate signal GC becomes "H" at a time T2 when the recording trigger switch 5 is closed, that is, a predetermined time before the operation control signal MC, the operation end signal ME is inverted to "L", and a predetermined time elapses after that. This gate signal G is generated by the timing generation circuit 2 so as to return to "L" later.
In the “H” period of C, the voltage signal SV from the fitting detection switch 24 is blocked and is not supplied to the AND gate 23b, and the voltage from the fitting detection switch 24 is shown in the time region (t1 + t2) of FIG. 7B. The signal SV is prohibited from being inverted to "H". In this case, the "H" state of the output signal ADO of the AND gate 23b and the state detection signal SD shown after time T2 'in FIG. 7B does not occur. Therefore, it becomes unnecessary to supply the inverted signal of the operation end signal ME to the OR circuit 23c.
【0091】なお、図4及び図6に示した状態検知回路
23や図1でのANDゲート6及びインバータ9をハー
ドウェアのロジック回路で構成したものとしたが、例え
ば、マイクロコンピュータを用い、これが図6における
初期リセット信号INS,動作終了信号ME,電圧信号
SV,ゲート信号GC及び授受動作終了信号CSSbに
よって状態を検知し、この結果によって動作制御信号M
Cや状態検知信号SDを発生するようにしてもよい。Although the state detection circuit 23 shown in FIGS. 4 and 6 and the AND gate 6 and the inverter 9 in FIG. 1 are configured by hardware logic circuits, for example, a microcomputer is used. The state is detected by the initial reset signal INS, the operation end signal ME, the voltage signal SV, the gate signal GC, and the transfer operation end signal CSSb in FIG. 6, and the operation control signal M is detected based on the result.
C or the state detection signal SD may be generated.
【0092】以上は図1に示した実施形態の撮像動作と
外部機器への画像情報出力動作についての説明であった
が、次に、この実施形態の画像再生動作を図8に示す動
作タイムチャートを用いて説明する。The above is the description of the image pickup operation and the image information output operation to the external device of the embodiment shown in FIG. 1. Next, the image reproduction operation of this embodiment is shown in the operation time chart of FIG. Will be explained.
【0093】この動作では、図1において、電源スイッ
チ4が図示とは反対方向の破線の状態に閉路されること
により、再生モードに切り替えられ、また、この場合、
記録トリガースイッチ5は再生画像の順送り選択スイッ
チとしての機能を有するように構成されている。このよ
うな機能切替えは、マイクロコンピュータあるいは論理
回路技術を用いて容易に実現できる。In this operation, in FIG. 1, the power supply switch 4 is closed in the state of the broken line in the direction opposite to that shown in the drawing to switch to the reproduction mode, and in this case,
The recording trigger switch 5 is configured to have a function as a sequential selection switch for reproduced images. Such function switching can be easily realized by using a microcomputer or logic circuit technology.
【0094】図1及び図8において、時刻T1に使用者
が電源スイッチ4を破線で示す再生モード側に閉路する
と、動作電源が投入開始されるとともに、図8(a)に
示すように、再生動作が開始される。このとき、初期動
作として、図8(b)に示すように、画像データ保持状
態の半導体メモリ13から1枚目の画像P1のデータが
読み出され、図8(c)に示すように、半導体メモリ1
2に書き込まれる。かかる初期動作は以下のようにして
実行される。In FIG. 1 and FIG. 8, when the user closes the power switch 4 to the reproduction mode side indicated by the broken line at time T1, the operating power is started to be turned on, and as shown in FIG. The operation is started. At this time, as an initial operation, as shown in FIG. 8B, the data of the first image P1 is read from the semiconductor memory 13 in the image data holding state, and as shown in FIG. Memory 1
Written to 2. The initial operation is executed as follows.
【0095】タイミング発生回路2は、電源スイッチ4
の閉路によって再生動作を開始するが、このとき、次の
初期動作を行なうように、タイミング発生回路2中のマ
イクロコンピュータをプログラムしておく。即ち、動作
制御信号MCによってタイミング発生回路7を動作さ
せ、クロックCL2,アドレス信号Ad2及び読出し動
作を指示する“L”の読出し/書込み切替信号(R/−
W2)を発生させる。また、圧縮された画像データを非
圧縮の画像データに復元する画像データ伸長回路22の
動作クロックCK5と、半導体メモリ12用のクロック
CL1,アドレス信号Ad1を発生させる。さらに、ス
イッチ制御信号SW1,SW2,SW3により、各スイ
ッチ10、16、18を図示とは反対方向に閉じさせ
る。なお、タイミング発生回路7が初期動作を開始する
ことにより、動作終了信号MEは時刻T1で“L”を保
っている。The timing generation circuit 2 includes a power switch 4
The reproduction operation is started by the closing of the circuit, and at this time, the microcomputer in the timing generation circuit 2 is programmed to perform the next initial operation. That is, the timing generation circuit 7 is operated by the operation control signal MC, the clock CL2, the address signal Ad2, and the read / write switching signal (R /-) of "L" for instructing the read operation.
W2) is generated. Further, the operation clock CK5 of the image data expansion circuit 22 for restoring the compressed image data to the uncompressed image data, the clock CL1 for the semiconductor memory 12, and the address signal Ad1 are generated. Further, the switch control signals SW1, SW2, SW3 cause the switches 10, 16, 18 to be closed in the opposite direction to that shown in the drawing. Since the timing generation circuit 7 starts the initial operation, the operation end signal ME maintains "L" at time T1.
【0096】ここで、図4,図5で示した準備状況指示
信号CSSaにより、外部機器から半導体メモリ13へ
のアクセス準備状態であることが、図8に示されるよう
に、指示されていたとしても、図4あるいは図6で示し
たANDゲート23bの作用により、状態検知信号SD
が“H”に反転することがない。従って、スイッチ1
1,15は図1に示す状態を保ち、半導体メモリ13の
データ入出力端子I/Oから画像データが読み出され、
画像データ伸長回路22で処理された後、スイッチ16
を介して半導体メモリ12に供給される。このとき、タ
イミング発生回路7からのクロックCL1,アドレス信
号Ad1が夫々書込みクロックWC,書込みアドレス信
号WAとして半導体メモリ12に供給される。Here, as shown in FIG. 8, it is assumed that the preparation status instructing signal CSSa shown in FIGS. 4 and 5 indicates that the external device is ready to access the semiconductor memory 13. Also due to the action of the AND gate 23b shown in FIG. 4 or FIG.
Does not reverse to "H". Therefore, switch 1
1 and 15 maintain the state shown in FIG. 1, image data is read from the data input / output terminal I / O of the semiconductor memory 13,
After being processed by the image data expansion circuit 22, the switch 16
Is supplied to the semiconductor memory 12 via. At this time, the clock CL1 and the address signal Ad1 from the timing generation circuit 7 are supplied to the semiconductor memory 12 as the write clock WC and the write address signal WA, respectively.
【0097】以上が再生モードの初期動作であるが、次
に、半導体メモリ12からの画像データの読出し動作に
ついて説明する。The above is the initial operation in the reproduction mode. Next, the operation of reading image data from the semiconductor memory 12 will be described.
【0098】この場合には、タイミング発生回路2から
出力されるクロックCL,アドレス信号Adが夫々読出
しクロックRC,読出しアドレス信号RAとして半導体
メモリ12に供給される。このデータ読出しは、テレビ
ジョン信号の走査速度でフィールド画あるいはフレーム
画分のデータ領域を走査するようにして行われる。In this case, the clock CL and the address signal Ad output from the timing generation circuit 2 are supplied to the semiconductor memory 12 as the read clock RC and the read address signal RA, respectively. This data reading is performed by scanning the data area of the field image or the frame image at the scanning speed of the television signal.
【0099】半導体メモリ12から読出された画像デー
タは、スイッチ18を介してエンコーダ回路19に供給
され、アナログの映像信号に変換されて出力端子20か
ら出力される。The image data read from the semiconductor memory 12 is supplied to the encoder circuit 19 via the switch 18, converted into an analog video signal and output from the output terminal 20.
【0100】さて、一般に、電源の供給停止とともに動
作電源の供給が停止され、電源バックアップされていな
い半導体メモリ12においては、時刻T1の電源供給開
始時点にレベルが不定の偽データが記憶された状態にな
る。従って、図8において、画像P1のデータの書込み
動作時では、この偽データが順次この画像P1のデータ
に書き換えられていくことになる。Generally, in the semiconductor memory 12 in which the supply of the operating power is stopped together with the stop of the power supply and the power supply is not backed up, the false data with the undefined level is stored at the start of the power supply at time T1. become. Therefore, in FIG. 8, during the writing operation of the data of the image P1, the false data is sequentially rewritten by the data of the image P1.
【0101】ここで、画像データ伸長回路22による1
枚の画像データの復元処理も、前述した画像データ圧縮
処理動作と同様な処理能力上の理由により、動作速度に
よる制約がある。このため、一般に、タイミング発生回
路2からのクロックCL,アドレス信号Adによる半導
体メモリ12の1枚分の画像データ読出し時間に比べ、
画像データ伸長回路22による1枚分の画像データ復元
に要する時間の方が長期間となる。そこで、時刻T1で
タイミング発生回路2からのクロックCL,アドレス信
号Adで直ちに半導体メモリ12のデータ読出しを開始
し、読み出された画像データからエンコーダ19で映像
信号を生成すると、出力端子20に接続したテレビジョ
ンモニタ装置等のディスプレイ装置上には、まず、上記
の偽データによる、一般には、モザイク模様になること
が多い偽の画像が再生され、続いて画像データ伸長回路
22によって伸長された画像P1のデータによる画像
に、例えばディスプレイされた画像の左上隅から徐々に
変わっていくような画像表示がなされる。Here, the image data expansion circuit 22 outputs 1
The restoration processing of the image data of one sheet is also limited by the operation speed because of the same processing capacity as the above-described image data compression processing operation. Therefore, in general, compared with the image data read time for one sheet of the semiconductor memory 12 by the clock CL from the timing generation circuit 2 and the address signal Ad,
The time required for the image data expansion circuit 22 to restore the image data for one image is longer. Therefore, at time T1, the data read of the semiconductor memory 12 is immediately started by the clock CL and the address signal Ad from the timing generation circuit 2, and the video signal is generated by the encoder 19 from the read image data, and the video signal is connected to the output terminal 20. On the display device such as the television monitor device, first, a false image, which is often a mosaic pattern, is reproduced by the above false data, and then the image expanded by the image data expansion circuit 22. The image based on the data of P1 is displayed such that the image gradually changes from the upper left corner of the displayed image.
【0102】なお、ここで、タイミング発生回路7から
のアドレス信号Ad1の状況から復元データに書き替え
られた半導体メモリ12の記録領域を知り、これ以外の
領域からの画像データが半導体メモリ12から出力され
るタイミングで、例えばエンコーダ19の入力レベルを
所定値に保持する等により、書替え時の偽データによる
映像信号信号の出力を阻止し、例えば画面における書替
えが終わっていない部分を灰色に表示できるような構成
にすることも可能である。また、電源の供給を停止する
ことなく、引き続いて行われる再生画像の更新時には、
先に選択されていた画像が徐々に新たに選択された画像
に変わっていくようにディスプレイされる。Here, the recording area of the semiconductor memory 12 that has been rewritten with the restored data is known from the state of the address signal Ad1 from the timing generation circuit 7, and the image data from other areas is output from the semiconductor memory 12. At this timing, for example, by holding the input level of the encoder 19 at a predetermined value or the like, the output of the video signal signal due to the false data at the time of rewriting is blocked, and the part of the screen where the rewriting is not completed can be displayed in gray, for example. It is also possible to have a different configuration. In addition, when updating the playback image that is performed without stopping the power supply,
The image that was previously selected is displayed so that it gradually changes to the newly selected image.
【0103】以上の説明から明らかなように、出力端子
20から出力される画像情報には複数枚の画像が混在す
る期間があるが、出力端子20に接続されるテレビジョ
ンモニタ装置は、特定の1枚の画像を取り出すために用
いられる装置ではないので、混在した画像が過渡的に出
力されても問題はないし、かえって画像が更新されてい
く経緯もモニタディスプレイ上に表示できる方が、装置
の動作状況の把握もできるので、好適である場合が多
い。As is clear from the above description, the image information output from the output terminal 20 has a period in which a plurality of images are mixed, but the television monitor device connected to the output terminal 20 has a specific Since it is not a device used to retrieve a single image, there is no problem even if mixed images are output transiently. On the contrary, it is better to be able to display on the monitor display how the images were updated. In many cases, it is suitable because the operating status can be grasped.
【0104】半導体メモリ12への画像P1のデータの
書込みが終了すると、タイミング発生回路7はクロック
CL1,クロックCL2の発生を停止し、半導体メモリ
12は画像P1のデータの保持モードになり、半導体メ
モリ13の読出し動作が停止する。さらに、タイミング
発生回路7は“H”の動作終了信号MEを出力する。こ
のとき、図8に示すように、準備状況指示信号CSSa
が“H”であって、外部機器による信号授受の準備状態
を示している場合、状態検知回路23は“H”の状態検
知信号SDを発生する。これにより、スイッチ11,1
5は図1の図示とは反対の方向に切り替わり、コネクタ
14に接続された外部機器による半導体メモリ13への
アクセスが可能な状態になる。When the writing of the data of the image P1 to the semiconductor memory 12 is completed, the timing generation circuit 7 stops the generation of the clocks CL1 and CL2, and the semiconductor memory 12 enters the data holding mode of the image P1 and the semiconductor memory The read operation of 13 is stopped. Further, the timing generation circuit 7 outputs the operation end signal ME of "H". At this time, as shown in FIG. 8, the preparation status instruction signal CSSa
Is "H", which indicates a signal transmission / reception preparation state by the external device, the state detection circuit 23 generates the "H" state detection signal SD. As a result, the switches 11, 1
5 switches in the direction opposite to that shown in FIG. 1, and the semiconductor memory 13 can be accessed by an external device connected to the connector 14.
【0105】ここで、外部機器からクロックCL3,ア
ドレス信号Ad3及びデータ書込みを指示する“L”の
読出し/書込み切替信号(R/−W3)が供給され、ま
た、外部機器から画像Pextのデータがスイッチ15
を介して半導体メモリ13に供給されることにより、図
8(b)に示すPextを付したタイミングで1枚、あ
るいは複数枚の画像のデータを半導体メモリ13に書き
込むことができる。さらに、図8(c)に示す画像P1
の書込みが終了後、準備状況指示信号CSSaが、図8
の場合とは異なり、“L”のままであるときには、半導
体メモリ12,13ともにデータ保持状態であり、この
状態で時刻T2に記録トリガースイッチ5が閉路されて
次の画像の選択が指示されると、直ちにタイミング発生
回路2は動作制御信号MCを出力し、画像P2の半導体
メモリ12への書込み動作を実行させる。Here, the clock CL3, the address signal Ad3 and the read / write switching signal (R / -W3) of "L" for instructing the data writing are supplied from the external device, and the data of the image Pext is supplied from the external device. Switch 15
The data of one or a plurality of images can be written in the semiconductor memory 13 at the timing marked with Pext shown in FIG. Further, the image P1 shown in FIG.
8 is completed, the preparation status instruction signal CSSa is
In contrast to the case of, the semiconductor memory 12 and 13 are both in the data holding state when it remains at “L”, and in this state, the recording trigger switch 5 is closed at time T2 to instruct selection of the next image. Immediately thereafter, the timing generation circuit 2 outputs the operation control signal MC to execute the writing operation of the image P2 to the semiconductor memory 12.
【0106】この実施形態においては、前記した撮像動
作時と同様に、再生動作時でも、状態検知信号SDが
“H”にある期間、動作制御信号MCの出力を保留する
ことができるので、図8において、時刻T2よりも前に
状態検知信号SDが“H”となったときには、外部機器
から信号授受動作の終了を示す授受動作終了信号CSS
bが供給されて状態検知信号SDが“L”に戻るまでの
期間、半導体メモリ12はデータ保持状態に保たれ、状
態検知信号SDが“L”に反転すると、自動的に画像P
2の半導体メモリ12への書込みを実行させることもで
きる。なお、事前のPextのタイミングに半導体メモ
リ13で画像P2が書き替えられたときには、書替え後
の画像が半導体メモリ12に書き込まれることになる。In this embodiment, similarly to the above-mentioned image pickup operation, even during the reproduction operation, the output of the operation control signal MC can be suspended during the period when the state detection signal SD is "H". 8, when the state detection signal SD becomes “H” before the time T2, the transfer operation end signal CSS indicating the end of the signal transfer operation from the external device.
The semiconductor memory 12 is kept in the data holding state until b is supplied and the state detection signal SD returns to "L". When the state detection signal SD is inverted to "L", the image P is automatically displayed.
It is also possible to execute the writing to the second semiconductor memory 12. When the image P2 is rewritten in the semiconductor memory 13 at the timing of Pext in advance, the rewritten image is written in the semiconductor memory 12.
【0107】また、外部機器の接続状態において、外部
機器との信号授受を行わない場合には、準備状況指示信
号CSSaを“L”に保てばよいことは当然であるが、
例えば、図6に示した状態検知回路23のように、嵌合
検知スイッチ24からの電圧信号SVを準備状況指示信
号CSSaに代えて用いる場合には、“H”の状態検知
信号SDがコネクタ14を介して伝送される毎に、外部
機器から授受動作終了信号CSSbを送り返すようにす
ることにより、状態検知信号SDは直ちに“L”に戻っ
て記録トリガースイッチ5の閉路による動作が開始でき
る状態になりこれにより、記録トリガースイッチ5の操
作による再生画像の選択が滞りなく実施できる。In addition, when the signal is not exchanged with the external device in the connected state of the external device, it goes without saying that the preparation status instruction signal CSSa may be kept at "L".
For example, when the voltage signal SV from the fitting detection switch 24 is used instead of the preparation state instruction signal CSSa as in the state detection circuit 23 shown in FIG. 6, the state detection signal SD of “H” is the connector 14 By sending back the sending / receiving operation end signal CSSb from the external device every time it is transmitted via the, the state detection signal SD immediately returns to “L” and the operation by closing the recording trigger switch 5 is started. As a result, the reproduction image can be selected by operating the recording trigger switch 5 without delay.
【0108】以上のようなこの実施形態の画像再生動作
によれば、半導体メモリ12に再生画像データを書き込
むために半導体メモリ13から画像データを読み出して
いる期間では、外部機器から半導体メモリ13へのデー
タ書込みが禁止され、また、外部機器から半導体メモリ
13へのデータ書込みの実行中には、半導体メモリ13
からデータ読出しが行なわれて半導体メモリ12に書き
込みまれることが禁止される。かかる動作により、半導
体メモリ13から読み出される画像データに複数の画像
のデータが混在する恐れがなく、従って、半導体メモリ
12に書き込まれた画像データや、これから読み出され
てテレビジョンモニタ等に映出される画像の内容が、半
導体メモリ13に蓄えられていた1枚の画像とは異なる
ものに変容してしまうことがない。According to the image reproducing operation of this embodiment as described above, during the period in which the image data is read from the semiconductor memory 13 to write the reproduced image data in the semiconductor memory 12, the external device transfers data to the semiconductor memory 13. The data writing is prohibited, and while the data writing from the external device to the semiconductor memory 13 is being executed, the semiconductor memory 13 is
It is prohibited to read data from and write to the semiconductor memory 12. By such an operation, there is no risk that the image data read from the semiconductor memory 13 will be mixed with a plurality of image data. Therefore, the image data written in the semiconductor memory 12 and the image data read from the semiconductor memory 12 will be displayed on a television monitor or the like. The content of the displayed image will not be changed to something different from the one image stored in the semiconductor memory 13.
【0109】また、記録トリガースイッチ5等の閉路に
よる再生画像の更新動作を、外部機器との信号授受の期
間待機させるようにし、記録トリガースイッチ5を、例
えば機械的にあるいは電気的に連続して閉路するような
手段を併用し、例えば状態検知信号SDが“H”から
“L”に反転するタイミング毎のような所定タイミング
毎に、記録トリガースイッチ5の開閉状態を検知するよ
うに、タイミング発生回路2のマイクロコンピュータを
プログラムすることにより、外部機器から書き込んだ画
像を、直ちにかつ自動的に、再生するように、この実施
形態を動作させることができる。これと同等の機能は、
また、信号授受動作終了信号CSSbを記録トリガース
イッチ5の閉路信号に代えて用いるように構成しても、
実現できる。このとき、半導体メモリ13が複数枚の画
像を記録するものであるときには、外部機器からの画像
入力は、1回の書込み動作で1枚の画像とし、また、書
き込んだ画像と読み出す画像を一致させるために、外部
機器から供給されるアドレス信号を検知して、そのスタ
ートアドレスをタイミング発生回路7に配置されるアド
レス信号Ad2生成用のカウンタにロードするような手
段を併用する。Further, the operation of updating the reproduced image due to the closed circuit of the recording trigger switch 5 or the like is made to stand by for the period of signal transmission / reception with the external device, and the recording trigger switch 5 is continuously connected mechanically or electrically. Timing is generated so as to detect the open / closed state of the recording trigger switch 5 at a predetermined timing such as a timing at which the state detection signal SD is inverted from "H" to "L" by using a means for closing the circuit. By programming the microcomputer of circuit 2, this embodiment can be operated to immediately and automatically reproduce the image written from the external device. The equivalent function is
Further, even if the signal transfer operation end signal CSSb is used instead of the closing signal of the recording trigger switch 5,
realizable. At this time, when the semiconductor memory 13 is for recording a plurality of images, the image input from the external device is one image by one writing operation, and the written image and the read image are matched. Therefore, a means for detecting the address signal supplied from the external device and loading the start address into the counter for generating the address signal Ad2 arranged in the timing generation circuit 7 is also used.
【0110】なお、図5または図8で状態検知信号SD
が“H”のときには、図4,図5で説明したように撮像
モードにあるか、図8で説明したように再生モードにあ
るかに拘らず、外部機器から供給する読出し/書込み切
替信号(R/−W3)のレベル反転により、外部機器か
ら半導体メモリ13へのデータ書込み、あるいは半導体
メモリ13から外部機器へのデータ読出しが実行でき
る。また、この実施形態の動作モードと外部機器による
半導体メモリ13の書込みアクセスあるいは読出しアク
セスとの、図5,図8で説明していない組合せ動作時に
おいても、状態検知回路23から出力される状態検知信
号SDによる図5,図8で説明した制御動作、即ち、こ
の実施形態の内部動作による半導体メモリ13へのデー
タ書込みアクセス(撮像モード時)あるいは半導体メモ
リ13からのデータ読出しアクセス(再生モード時)の
実行中では、外部機器による半導体メモリ13へのアク
セスを禁止し、また、外部機器による半導体メモリ13
へのアクセス実行中では、この実施形態の内部動作によ
る半導体メモリ13へのアクセスを禁止する制御動作に
より、半導体メモリ13の1枚の画像のデータに割り当
てられた記憶領域に複数の画像データが記憶されること
を防止できる。Incidentally, in FIG. 5 or FIG. 8, the state detection signal SD
Is "H", regardless of whether it is in the imaging mode as described with reference to FIGS. 4 and 5 or the reproduction mode as described in FIG. By reversing the level of R / -W3), data writing from the external device to the semiconductor memory 13 or data reading from the semiconductor memory 13 to the external device can be executed. The state detection circuit 23 outputs the state detection signal even during the combined operation of the operation mode of this embodiment and the write access or read access of the semiconductor memory 13 by the external device, which is not described in FIG. 5 and FIG. The control operation described in FIGS. 5 and 8 by the signal SD, that is, the data write access to the semiconductor memory 13 (in the imaging mode) or the data read access from the semiconductor memory 13 (in the reproduction mode) by the internal operation of this embodiment. Access to the semiconductor memory 13 by an external device is prohibited during execution of the
While the access to the semiconductor memory 13 is being executed, a plurality of image data are stored in the storage area assigned to the data of one image in the semiconductor memory 13 by the control operation of prohibiting the access to the semiconductor memory 13 by the internal operation of this embodiment. Can be prevented.
【0111】以上説明したように、図1に示した実施形
態では、記録トリガースイッチ5の閉路に連動して開始
される動作、即ち、撮像動作または再生動作により、半
導体メモリ13がアクセスされているときには、外部機
器からの半導体メモリ13のアクセスを一切禁止するも
のであった。As described above, in the embodiment shown in FIG. 1, the semiconductor memory 13 is accessed by the operation started in conjunction with the closing of the recording trigger switch 5, that is, the image pickup operation or the reproduction operation. At times, access to the semiconductor memory 13 from an external device is completely prohibited.
【0112】ところで、この内部動作による半導体メモ
リ13のアクセスは、上記実施形態の説明から明らかな
ように、記録トリガースイッチ5の閉路1回につき半導
体メモリ13内の1画面分の画像データのメモリ領域だ
けをアクセスすることで実行される。従って、半導体メ
モリ13が複数枚の画像データを記憶するものであると
きには、上記したようなアクセスの禁止制御を上記した
画像1枚分のデータのメモリ領域に限定しても、所期の
効果が得られる。By the way, the access to the semiconductor memory 13 by this internal operation is, as is clear from the above description of the embodiment, the memory area of the image data for one screen in the semiconductor memory 13 per closing of the recording trigger switch 5. Only executed by accessing. Therefore, when the semiconductor memory 13 stores a plurality of image data, even if the access prohibition control as described above is limited to the memory area of the data for one image, the desired effect is obtained. can get.
【0113】図9はかかる制御動作を実現可能とした本
発明による撮像装置の他の実施形態の要部を示すブロッ
ク図であって、11A,11Bはスイッチ、13A,1
3Bは半導体メモリ、15A,15Bはスイッチ、23
A,23B,34は状態検知回路、35は選択信号発生
回路、36,37はANDゲート、38〜42はオア回
路、43〜45はインバータであり、図1に対応する部
分には同一符号をつけている。FIG. 9 is a block diagram showing a main part of another embodiment of an image pickup apparatus according to the present invention which can realize such control operation. 11A and 11B are switches, and 13A and 1B.
3B is a semiconductor memory, 15A and 15B are switches, 23
A, 23B, and 34 are state detection circuits, 35 is a selection signal generation circuit, 36 and 37 are AND gates, 38 to 42 are OR circuits, and 43 to 45 are inverters. I am wearing it.
【0114】図9においては、図1の左半分の部分、即
ち、タイミング発生回路2、半導体メモリ12、撮像素
子1、カメラ信号処理回路17、エンコーダ19の各部
分は同じであるので、省略している。また、図1でのス
イッチ11、半導体メモリ13、スイッチ15、状態検
知回路23が夫々2つずつ、即ち、スイッチ11A,1
1B、半導体メモリ13A,13B、スイッチ15A,
15B、状態検知回路23A,23Bが設けられてい
る。なお、図9には図示していないが、タイミング発生
回路7は、図1に示したものと同様、クロックCL1、
アドレス信号Ad1も発生する。In FIG. 9, the left half portion of FIG. 1, that is, the timing generation circuit 2, the semiconductor memory 12, the image pickup device 1, the camera signal processing circuit 17, and the encoder 19 are the same, and therefore omitted. ing. In addition, the switch 11, the semiconductor memory 13, the switch 15, and the state detection circuit 23 in FIG.
1B, semiconductor memories 13A and 13B, switches 15A,
15B and state detection circuits 23A and 23B are provided. Although not shown in FIG. 9, the timing generating circuit 7 is similar to that shown in FIG.
The address signal Ad1 is also generated.
【0115】この実施形態の特徴は、半導体メモリ13
を記憶する画像の1枚1枚に対して独立に配置し、画像
データのアクセス制御が画像データの1枚毎に独立して
実行できるようにしたことである。この実施形態では、
記憶する画像の枚数を2枚としており、このために、上
記のように、図1での半導体メモリ13,スイッチ1
1,15及び状態検知回路23夫々を二系統ずつ備えて
いる。The feature of this embodiment is that the semiconductor memory 13
Is arranged independently for each image to be stored so that the access control of the image data can be executed independently for each image data. In this embodiment,
The number of images to be stored is two, and for this reason, as described above, the semiconductor memory 13 and the switch 1 in FIG.
Two systems are provided for each of the systems 1, 15 and the state detection circuit 23.
【0116】ここで、夫々画像1枚分のデータを記憶す
る半導体メモリ13A,13Bは、夫々市販されている
半導体メモリICの一個(あるいは複数個)で構成され
ているが、半導体メモリICは、一般に、チップイネー
ブル端子CEを備え、この端子に供給されるチップイネ
ーブル信号の論理レベルにより、例えば“H”のときに
は、クロックCL,アドレス信号Ad,読出し/書込み
切替信号(R/−W)によって動作し、“L”のときに
は、上記による動作制御を一切受け付けず、かつ、デー
タ入出力端子I/Oの入出力インピーダンスをハイイン
ピーダンスとして、外部回路から切り離すような機能を
持っている。この実施形態では、かかる機能を用いるこ
とにより、半導体メモリ13A,13Bの選択が行なわ
れる。Here, the semiconductor memories 13A and 13B each storing the data for one image are composed of one (or a plurality) of semiconductor memory ICs which are commercially available, respectively. Generally, a chip enable terminal CE is provided, and the chip enable signal supplied to this terminal is operated by a clock CL, an address signal Ad, and a read / write switching signal (R / -W) depending on the logic level of the chip enable signal. However, when it is "L", it has a function of not accepting the above-mentioned operation control at all and separating the input / output impedance of the data input / output terminal I / O from the external circuit as a high impedance. In this embodiment, the semiconductor memories 13A and 13B are selected by using such a function.
【0117】このために、この実施形態では、ANDゲ
ート6を介してタイミング発生回路7に供給される動作
制御信号MCが、カウンタあるいはシフトレジスタ等で
構成される選択信号発生回路35にも供給される。この
選択信号発生回路35は、半導体メモリ13A,13B
を選択するための選択信号S1、S2を発生する。Therefore, in this embodiment, the operation control signal MC supplied to the timing generation circuit 7 via the AND gate 6 is also supplied to the selection signal generation circuit 35 composed of a counter, a shift register or the like. It The selection signal generating circuit 35 is used in the semiconductor memories 13A and 13B.
The selection signals S1 and S2 for selecting are generated.
【0118】なお、この実施形態においても、先に説明
した実施形態と同様、半導体メモリ13A,13Bのア
クセスは画像1枚単位で行われるので、選択信号S1,
S2が同時に半導体メモリ13A、13Bを選択する論
理レベル(ここでは、選択レベルを“H”とする)にな
ることはない。また、外部機器からは、半導体メモリ1
3Aを選択するときに“H”になる準備状況指示信号C
SSa1と、半導体メモリ13Bを選択するときに
“H”になる準備状況指示信号CSSa2とが、コネク
タ14を介して供給される。Also in this embodiment, as in the above-described embodiment, since the semiconductor memories 13A and 13B are accessed in units of one image, the selection signal S1,
S2 does not become a logic level (here, the selection level is "H") that simultaneously selects the semiconductor memories 13A and 13B. From the external device, the semiconductor memory 1
Preparation status indication signal C which becomes "H" when 3A is selected
The SSa1 and the preparation status instruction signal CSSa2 which becomes “H” when the semiconductor memory 13B is selected are supplied via the connector 14.
【0119】ここで、タイミング発生回路7が、図1に
示した記録トリガースイッチ5の閉路に連動してタイミ
ング発生回路2から供給される動作制御信号MCを受け
て半導体メモリ13のアクセスを実行するとき、選択信
号発生回路35では、記録トリガースイッチ5のある1
回の閉路により、選択信号S1が“H”に、選択信号S
2が“L”になり、記録トリガースイッチ5の次の閉路
により、選択信号S1が“L”に、選択信号S2が
“H”になり、記録トリガースイッチ5のさらに次の閉
路時には、選択信号S1,S2が最初のレベルにに戻っ
て、これ以降、選択信号S1,S2のレベルの変化が、
記録トリガースイッチ5の閉路毎に、上記のように繰り
返される。Here, the timing generation circuit 7 receives the operation control signal MC supplied from the timing generation circuit 2 in conjunction with the closing of the recording trigger switch 5 shown in FIG. 1 and executes the access to the semiconductor memory 13. At this time, in the selection signal generation circuit 35, the recording trigger switch 5 is set to 1
Due to the closed circuit, the selection signal S1 becomes "H" and the selection signal S
2 becomes "L", the next closing of the recording trigger switch 5 causes the selection signal S1 to become "L" and the selection signal S2 becomes "H", and when the recording trigger switch 5 is further closed, the selection signal S1 and S2 return to the initial level, and thereafter, the level change of the selection signals S1 and S2 is
The above operation is repeated every time the recording trigger switch 5 is closed.
【0120】この選択信号S1,S2は夫々ANDゲー
ト36,37に供給されるが、タイミング発生回路7の
動作開始とともに“L”になり、その動作中では、AN
Dゲート36,37のレベルを維持するために、動作終
了信号MEをインバータ43でレベル反転してANDゲ
ート36,37に供給するようにしている。ANDゲー
ト36,37の出力信号は夫々、オア回路38,39を
介し、チップイネーブル信号として、て半導体メモリ1
3A,13Bのチップイネーブル端子CEに供給する。
これにより、記録トリガースイッチ5の閉路によってタ
イミング発生回路7が動作を実行する毎に、半導体メモ
リ13A,13Bが交互に選択されることになる。The selection signals S1 and S2 are supplied to the AND gates 36 and 37, respectively, and become "L" at the start of the operation of the timing generation circuit 7, and during that operation, AN
In order to maintain the levels of the D gates 36 and 37, the operation end signal ME is inverted in level by the inverter 43 and supplied to the AND gates 36 and 37. The output signals of the AND gates 36 and 37 pass through the OR circuits 38 and 39, respectively, and are output as semiconductor chip 1 as chip enable signals.
It is supplied to the chip enable terminals CE of 3A and 13B.
As a result, the semiconductor memories 13A and 13B are alternately selected each time the timing generation circuit 7 performs an operation due to the closing of the recording trigger switch 5.
【0121】選択信号S1,S2は、また、夫々インバ
ータ44,45でレベル反転された後、オア回路41,
42を介して状態検知回路23A,23Bに供給され
る。また、動作終了信号MEも、これらオア回路41,
42を介して状態検知回路23A,23Bに供給され
る。これにより、オア回路41の出力信号は、半導体メ
モリ13Aがタイミング発生回路7によってアクセスさ
れている期間のみ“L”、他の期間は“H”となる。同
様に、オア回路42の出力信号も、半導体メモリ13B
がタイミング発生回路7によってアクセスされている期
間のみ“L”、他の期間は“H”となる。これらオア回
路41,42の出力信号は、状態検知回路23A,23
Bにおいて、図1における状態検知回路23での動作終
了信号MEに代るものである。The selection signals S1 and S2 are level-inverted by the inverters 44 and 45, respectively, and then the OR circuits 41 and
It is supplied to the state detection circuits 23A and 23B via 42. Further, the operation end signal ME is also transmitted to the OR circuit 41,
It is supplied to the state detection circuits 23A and 23B via 42. As a result, the output signal of the OR circuit 41 is "L" only during the period when the semiconductor memory 13A is being accessed by the timing generation circuit 7, and "H" during the other periods. Similarly, the output signal of the OR circuit 42 is also the semiconductor memory 13B.
Is "L" only during the period when the timing generating circuit 7 is being accessed, and "H" during the other periods. The output signals of the OR circuits 41 and 42 are the state detection circuits 23A and 23A.
In B, it replaces the operation end signal ME in the state detection circuit 23 in FIG.
【0122】状態検知回路23Aには外部機器から準備
状況指示信号CSSa1が、状態検知回路23Bには準
備状況指示信号CSSa2が夫々供給されるが、これら
準備状況指示信号CSSa1,CSSa2は、図1での
状態検知回路23に供給される準備状況指示信号CSS
aと同様のものである。また、外部機器からの授受動作
終了信号CSSbは状態検知回路23A,23Bともに
供給される。The state detection circuit 23A is supplied with the preparation status instruction signal CSSa1 from the external device, and the state detection circuit 23B is supplied with the preparation status instruction signal CSSa2. These preparation status instruction signals CSSa1 and CSSa2 are shown in FIG. Preparation state instruction signal CSS supplied to the state detection circuit 23 of
It is the same as a. Further, the transfer operation end signal CSSb from the external device is supplied to both the state detection circuits 23A and 23B.
【0123】ここで、外部機器は、半導体メモリ13A
をアクセスするときには、準備状況指示信号CSSa1
を、また、半導体メモリ13Bをアクセスするときに
は、準備状況指示信号CSSa2を夫々“H”にする
が、これらを同時に“H”にすることはないようにす
る。また、外部機器は、半導体メモリ13A,13Bの
いずれかをアクセスした場合にも、選択した半導体メモ
リのアクセス動作終了毎に、図5で示したようなパルス
状の授受動作終了信号CSSbを発生する。Here, the external device is the semiconductor memory 13A.
To access the preparation status instruction signal CSSa1
In addition, when the semiconductor memory 13B is accessed, the preparation state instruction signal CSSa2 is set to "H", but these are not set to "H" at the same time. Also, when the external device accesses either of the semiconductor memories 13A and 13B, the external device generates the pulsed transfer operation end signal CSSb as shown in FIG. 5 every time the access operation of the selected semiconductor memory ends. .
【0124】以上の構成により、状態検知回路23Aは
図4に示した状態検知回路23と同じ動作をなし、半導
体メモリ13Aがタイミング発生回路7によりアクセス
されているときには、準備状況指示信号CSSa1の状
態によらず、状態検知信号SDaが“L”に保持され、
このアクセスがなされていないときには、準備状況指示
信号CSSa1を“H”とすることによって状態検知信
号SDaを“H”に切り替えることができる。With the above configuration, the state detection circuit 23A performs the same operation as the state detection circuit 23 shown in FIG. 4, and when the semiconductor memory 13A is accessed by the timing generation circuit 7, the state of the preparation state instruction signal CSSa1. , The state detection signal SDa is held at "L",
When this access is not made, the state detection signal SDa can be switched to "H" by setting the preparation status instruction signal CSSa1 to "H".
【0125】状態検知信号SDaは、“H”のとき、ス
イッチ11A,15Aを切り替えて半導体メモリ13A
の各端子を外部機器と接続可能にするとともに、オア回
路38を介して半導体メモリ13Aのチップイネーブル
端子CEに供給され、それを動作可能な状態とする。さ
らに、オア回路40を介して外部機器に半導体メモリ1
3がアクセス可能な状態になったことを知らせる。半導
体メモリ13Bも、状態検知回路23Bの動作により、
同様に、アクセスが切り替えられる。When the state detection signal SDa is "H", the switches 11A and 15A are switched to change the semiconductor memory 13A.
Each of the terminals is connected to an external device, and is supplied to the chip enable terminal CE of the semiconductor memory 13A via the OR circuit 38 to make it operable. Furthermore, the semiconductor memory 1 is connected to an external device via the OR circuit 40.
Notify that 3 has become accessible. The semiconductor memory 13B is also operated by the state detection circuit 23B.
Similarly, access is switched.
【0126】状態検知信号SDa,SDbは、さらに、
状態検知回路34にも供給される。図1に示した実施形
態においては、状態検知回路23から出力される状態検
知信号SDが、インバータ9を介してANDゲート6に
供給され、この状態検知回路23を、タイミング発生回
路2に動作制御信号MCの出力の待機をさせる制御に使
用するものであったが、図9に示すこの実施形態では、
かかる動作は状態検知回路34を用いて行なうようにし
ている。The state detection signals SDa and SDb are
It is also supplied to the state detection circuit 34. In the embodiment shown in FIG. 1, the state detection signal SD output from the state detection circuit 23 is supplied to the AND gate 6 via the inverter 9, and the state detection circuit 23 is controlled to operate by the timing generation circuit 2. Although it was used for the control of waiting for the output of the signal MC, in the embodiment shown in FIG.
This operation is performed by using the state detection circuit 34.
【0127】即ち、状態検知回路34は、選択信号S
1,S2のレベルから選択信号発生回路35が次の動作
で選択しようとする半導体メモリが半導体メモリ13A
であるのか、半導体メモリ13Bであるのかを検知でき
るので、状態検知信号SDaあるいはSDbの論理レベ
ルにより、外部機器による半導体メモリ13A,13B
の選択状況を知り、選択しようとする半導体メモリ13
Aまたは13Bが外部機器によりアクセスされていない
ときには、動作を直ちに開始し、アクセスされていると
きには待機するか、あるいは半導体メモリ13A,13
Bのアクセスされていない方を選択して動作を開始する
ようにする。That is, the state detection circuit 34 uses the selection signal S
The semiconductor memory to be selected by the selection signal generating circuit 35 in the next operation from the levels S1 and S2 is the semiconductor memory 13A.
Or the semiconductor memory 13B can be detected. Therefore, depending on the logic level of the state detection signal SDa or SDb, the semiconductor memory 13A, 13B by the external device can be detected.
Memory 13
When A or 13B is not accessed by an external device, the operation is immediately started, and when it is accessed, it waits, or the semiconductor memory 13A, 13B.
The one of B which is not accessed is selected to start the operation.
【0128】図10は図9における状態検知回路34の
一具体例を示すブロック図であって、34a,34bは
ANDゲート、34cはノア回路であり、図9に対応す
る部分には同一符号をつけている。FIG. 10 is a block diagram showing a specific example of the state detection circuit 34 in FIG. 9. 34a and 34b are AND gates and 34c is a NOR circuit, and the portions corresponding to FIG. I am wearing it.
【0129】同図において、いま、選択信号S1が
“H”とすると、選択信号発生回路35は次の動作制御
信号MCの入力時に選択信号S2を“H”に、選択信号
S1を“L”に夫々切り替え、また、選択信号S2が
“H”のときには、次の次の動作制御信号MCの入力時
に選択信号S1を“H”に、選択信号S2を“L”に夫
々切り替える。In the figure, when the selection signal S1 is "H", the selection signal generation circuit 35 sets the selection signal S2 to "H" and the selection signal S1 to "L" when the next operation control signal MC is input. Further, when the selection signal S2 is "H", the selection signal S1 is switched to "H" and the selection signal S2 is switched to "L" when the next next operation control signal MC is input.
【0130】そこで、状態検知回路34において、選択
信号S2と状態検知信号SDaとがANDゲート34a
に、選択信号S1と信号SDbとがANDゲート34b
に夫々供給されるが、いま、外部機器でアクセスされて
いる半導体メモリ13Aあるいは13Bと、次のタイミ
ング発生回路7の動作でアクセスすることが予定されて
いる半導体メモリ13Aまたは13Bとが一致したと
き、ANDゲート34a,34bのいずれかから“H”
の信号が出力される。このとき、ノア回路34cの出力
信号が“L”になるので、ANDゲート6によって動作
制御信号MCの通過は阻止されることになり、状態検知
信号SDaあるいはSDbが“L”になることによって
上記一致状態が解除されるまでの期間、待機動作状態と
なる。Therefore, in the state detection circuit 34, the selection signal S2 and the state detection signal SDa are AND gate 34a.
And the selection signal S1 and the signal SDb are AND gate 34b.
When the semiconductor memory 13A or 13B that is being accessed by the external device and the semiconductor memory 13A or 13B that is scheduled to be accessed by the operation of the next timing generation circuit 7 match. , AND gate 34a, 34b outputs "H"
Signal is output. At this time, since the output signal of the NOR circuit 34c becomes "L", the passage of the operation control signal MC is blocked by the AND gate 6, and the state detection signal SDa or SDb becomes "L". It is in the standby operation state until the matching state is released.
【0131】図9に示した実施形態では、二系統の半導
体メモリ13A,13Bに夫々1枚ずつ計2枚の画像を
記憶するものであるが、半導体メモリ13を増設し、こ
れにともなってスイッチ11,15や、状態検知回路2
3、オア回路38などからなる回路構成を増設すること
により、2枚以上の画像を記憶するようにすることがで
きる。このときも、状態検知回路34は1つでよいが、
N系統の半導体メモリ13を用いた場合の状態検知回路
34の一具体例を図11に示す。但し、同図において、
341,342,343,344,……,34Nは図1
0でのANDゲート34a,34bに対応したANDゲ
ートであり、図10に対応する部分には同一符号をつけ
ている。In the embodiment shown in FIG. 9, two images are stored in each of the two systems of semiconductor memories 13A and 13B, but a total of two images are stored. 11, 15 and state detection circuit 2
3, it is possible to store two or more images by adding a circuit configuration including the OR circuit 38 and the like. At this time as well, only one state detection circuit 34 is required.
FIG. 11 shows a specific example of the state detection circuit 34 when the N-system semiconductor memory 13 is used. However, in the figure,
341, 342, 343, 344, ..., 34N are shown in FIG.
It is an AND gate corresponding to the AND gates 34a and 34b at 0, and the same reference numerals are given to the portions corresponding to FIG.
【0132】図11において、N個の半導体メモリ13
に対応してカウンタ、あるいはシフトレジスタの段数が
設定された選択信号発生回路35はN個の選択信号S
1,S2,S3,S4,……,SNを発生し、これらは
夫々状態検知回路34のANDゲート341,342,
343,344,……,34Nに供給される。また、図
示しないが、図9の状態検知回路23A,23Aに相当
するものがN個設けられており、夫々からの状態検知信
号SD1,SD2,SD3,SD4,……,SDNが夫
々ANDゲート341,342,343,344,…
…,34Nに供給される。かかる構成により、タイミン
グ発生回路7の次の動作により、アクセスが予定されて
いるいずれかの半導体メモリ13の系統が外部機器によ
ってアクセスされている場合には、タイミング発生回路
7の動作実行を待機させることができる。In FIG. 11, N semiconductor memories 13 are provided.
The selection signal generation circuit 35 in which the number of stages of the counter or shift register is set corresponding to
, S2, S3, S4, ..., SN are generated, and these are respectively AND gates 341, 342 of the state detection circuit 34.
, 343, 344, ..., 34N. Although not shown, N pieces of the state detection circuits 23A and 23A of FIG. 9 are provided, and the state detection signals SD1, SD2, SD3, SD4, ..., SDN from the respective AND gates 341 are respectively provided. , 342, 343, 344, ...
..., 34N. With such a configuration, the next operation of the timing generation circuit 7 causes the execution of the operation of the timing generation circuit 7 to wait when any of the semiconductor memory 13 systems scheduled to be accessed is accessed by an external device. be able to.
【0133】なお、図10,図11において、選択信号
発生回路35には電源投入時の初期リセット信号INS
が供給され、上記のカウンタ等をリセットすることによ
り、初期状態での選択信号のセット(一般には、第1番
目の選択信号S1を“H”)を行なう。In FIGS. 10 and 11, the selection signal generating circuit 35 has an initial reset signal INS when the power is turned on.
Is supplied to reset the above-mentioned counter and the like, thereby setting the selection signal in the initial state (generally, the first selection signal S1 is "H").
【0134】さらに、図10あるいは図11での選択信
号発生回路35のカウンタに、その現在のカウント数に
1を加えるディジタル加算回路と、その加算結果をこの
カウンタにロードする機能を付加し、ノア回路34cの
出力信号が“L”であり、かつ動作制御信号MCが
“L”から“H”に反転したタイミングで上記のロード
を実行するように構成することにより、ANDゲート6
が動作制御信号MCが阻止したときには、自動的に選択
信号発生回路35がカウントアップしてノア回路34c
の出力信号が“L”となる条件を解除し、この解除によ
ってANDゲート6を通過する動作制御信号MCによ
り、選択信号発生回路35をもう一度カウントアップす
ることにより、外部機器でアクセスされていない半導体
メモリ系統を選択して書込みを実行させるようになるこ
とが可能になる。Further, a digital adder circuit for adding 1 to the present count number and a function for loading the addition result into this counter are added to the counter of the selection signal generating circuit 35 in FIG. 10 or FIG. The AND gate 6 is configured by executing the above load at the timing when the output signal of the circuit 34c is "L" and the operation control signal MC is inverted from "L" to "H".
When the operation control signal MC is blocked, the selection signal generation circuit 35 automatically counts up and the NOR circuit 34c
The condition in which the output signal of "1" becomes "L" is released, and the operation control signal MC passing through the AND gate 6 by this release causes the selection signal generating circuit 35 to count up again, so that the semiconductor not accessed by the external device It becomes possible to select a memory system and execute writing.
【0135】以上説明したように、半導体メモリ13を
独立してアクセスできる複数のメモリブロックに分割し
ても、図1に示した実施形態と同様の効果が得られ、さ
らにこの場合には、これら複数のメモリブロックのいず
れかが外部機器によってアクセスされているときには、
自動的にアクセスがなされていない方のメモリブロック
を選択して、撮像動作あるいは再生動作による半導体メ
モリ13のアクセスを実行することもできる。従って、
複数枚の画像の記録領域を有する半導体メモリ13を採
用した場合、外部機器による半導体メモリ13のアクセ
スが実行されている期間においても、外部機器によって
現在アクセスされている記録領域を除いた記録領域に複
数枚の画像を撮影して記録することもできる。As described above, even if the semiconductor memory 13 is divided into a plurality of independently accessible memory blocks, the same effect as that of the embodiment shown in FIG. 1 can be obtained. When any of the multiple memory blocks is being accessed by an external device,
It is also possible to select the memory block that has not been automatically accessed and execute the access to the semiconductor memory 13 by the imaging operation or the reproduction operation. Therefore,
In the case where the semiconductor memory 13 having a recording area for a plurality of images is adopted, the recording area excluding the recording area currently accessed by the external device is stored in the recording area even while the external device is accessing the semiconductor memory 13. It is also possible to capture and record multiple images.
【0136】なお、図1及び図9に示した実施形態にお
いて、動作開始のための記録トリガースイッチ5を装置
内に配置したものとしたが、本発明は、これに限定され
ず、例えば、赤外線を使用したリモートコントローラに
よって動作を開始させるようにすることもできるし、コ
ネクタ14に接続された外部機器から動作開始を指令す
るようにすることもできる。In the embodiment shown in FIGS. 1 and 9, the recording trigger switch 5 for starting the operation is arranged in the apparatus, but the present invention is not limited to this, and, for example, an infrared ray is used. It is also possible to start the operation by a remote controller that uses, or to instruct the operation start from an external device connected to the connector 14.
【0137】また、図1,図9に示した実施形態におい
ては、半導体メモリ13に代えて、例えば磁気ディスク
等のメモリ手段を採用してもよく、上記と同様にして、
これらのメモリアクセスの切替え制御を実行するように
構成可能である。Further, in the embodiment shown in FIGS. 1 and 9, instead of the semiconductor memory 13, memory means such as a magnetic disk may be adopted.
It is configurable to implement these memory access switching controls.
【0138】さらに、図1,図9に示した実施形態で
は、画像データを圧縮あるいは伸長するものとしたが、
かかる機能は本発明では必須のものではない。また、半
導体メモリ12をバッファメモリとして用いたが、特に
画像データ圧縮・伸長機能を持たない実施形態において
は、この半導体メモリ12も必須ではなく、撮像された
画像情報をリアルタイムで半導体メモリ13に記録する
ように構成してもよい。Furthermore, in the embodiments shown in FIGS. 1 and 9, the image data is compressed or expanded, but
Such a function is not essential in the present invention. Further, although the semiconductor memory 12 is used as a buffer memory, this semiconductor memory 12 is not indispensable especially in the embodiment having no image data compression / expansion function, and the captured image information is recorded in the semiconductor memory 13 in real time. It may be configured to do so.
【0139】さらにまた、図1,図9における半導体メ
モリ13,13A,13Bとして、前記したレディー/
ビジー信号を発生するフラッシュ型メモリ素子を用いる
場合には、それらが発生するレディー/ビジー信号と、
状態検知信号SD,SDa,SDbとの夫々論理和をと
った信号をコネクタ14を介して外部機器に伝送するよ
うに構成してもよい。Furthermore, as the semiconductor memories 13, 13A and 13B shown in FIGS.
When using flash type memory devices that generate busy signals, the ready / busy signals that they generate,
A signal obtained by ORing each of the state detection signals SD, SDa, SDb may be transmitted to the external device via the connector 14.
【0140】さらにまた、図1において、スイッチ10
と半導体メモリ12との間にさらにスイッチ11に相当
するスイッチを設け、また、半導体メモリ12のデータ
入力端子I,データ出力端子Oを夫々切り替えることに
よって図1に示した接続関係と、コネクタ14を介した
外部機器との接続関係とに選択して接続可能なスイッチ
を設け、このスイッチを、タイミング発生回路2の動作
状態を示す信号を、動作終了信号MEに代えて、あるい
は動作終了信号MEに加えて用いる状態検知回路23の
出力信号によって切り替るように構成することにより、
外部機器からの圧縮処理されていない画像データを半導
体メモリ12に書き込み、これを画像データ圧縮処理回
路21で圧縮して半導体メモリ13に書き込むことや、
外部機器からの圧縮処理された画像データを半導体メモ
リ13に書き込み、これを画像データ伸長処理回路12
5で復元して半導体メモリ12に一旦取り込み、その
後、外部機器にこの半導体メモリ12から復元された画
像情報を読み出すようにすることが実現できる。また、
このとき、任意のタイミングで使用者が記録トリガース
イッチ5を操作して開始する半導体メモリ12のアクセ
スと外部機器による個の半導体メモリ12のアクセスと
が重複することも、状態検知回路の動作によって自動的
に回避できるので、1枚分の画像データ中に複数枚の画
像のデータが混在することがない。Furthermore, in FIG. 1, the switch 10
A switch corresponding to the switch 11 is further provided between the semiconductor memory 12 and the semiconductor memory 12, and by switching the data input terminal I and the data output terminal O of the semiconductor memory 12, respectively, the connection relationship shown in FIG. A switch that can be selectively connected depending on the connection relationship with the external device via the switch is provided, and this switch is used instead of the signal indicating the operation state of the timing generation circuit 2 as the operation end signal ME or as the operation end signal ME. By being configured to switch according to the output signal of the state detection circuit 23 additionally used,
Writing uncompressed image data from an external device into the semiconductor memory 12, compressing the image data with the image data compression processing circuit 21, and writing into the semiconductor memory 13;
The compressed image data from the external device is written in the semiconductor memory 13, and the image data expansion processing circuit 12
It can be realized that the image information restored in step 5 is temporarily stored in the semiconductor memory 12 and then the image information restored from the semiconductor memory 12 is read to an external device. Also,
At this time, the overlapping of the access of the semiconductor memory 12 started by the user operating the recording trigger switch 5 at an arbitrary timing and the access of the individual semiconductor memory 12 by the external device is automatically detected by the operation of the state detection circuit. This can be avoided, so that data of a plurality of images will not be mixed in one image data.
【0141】図12は本発明による撮像装置の一実施形
態の外観図と使用例を示す図である。ここで、46は本
発明による撮像装置、47は撮像用受光レンズ、48は
従来のフイルムカメラと同様なファインダ、49はレン
ズフードである。FIG. 12 is an external view of an embodiment of the image pickup apparatus according to the present invention and a diagram showing a usage example. Here, 46 is an image pickup apparatus according to the present invention, 47 is a light receiving lens for image pickup, 48 is a viewfinder similar to a conventional film camera, and 49 is a lens hood.
【0142】図12(a)は撮像装置の外観を示してお
り、これには、従来のフイルムカメラと同様な撮像用受
光レンズ47、ファインダ48、レンズフード49が設
けられている。また、これも従来のフィルムカメラと同
様に、上面の図示左側に記録トリガースイッチ5が設け
られており、図示右側側面にコネクタ14が取付けられ
ている。ここで、装置に取外し不能に内蔵した半導体メ
モリ13を用いると、図示する厚さDを極めて薄くする
ことができる。FIG. 12A shows the external appearance of the image pickup apparatus, which is provided with an image pickup light-receiving lens 47, a finder 48, and a lens hood 49, which are similar to those of a conventional film camera. Further, like the conventional film camera, a recording trigger switch 5 is provided on the left side of the upper surface in the drawing, and a connector 14 is attached to the right side surface of the drawing. Here, if the semiconductor memory 13 that is irremovably built in the device is used, the illustrated thickness D can be made extremely thin.
【0143】図12(b)〜(e)は外部機器をパーソ
ナルコンピュータPCとし、これに撮像装置46を装着
して使用する例を示すものであり、図12(b)は撮像
装置46のコネクタ14をパーソナルコンピュータPC
内部のソケットに直接接続した場合を示す。FIGS. 12B to 12E show an example in which the external device is a personal computer PC, and the image pickup device 46 is mounted on the personal computer PC. FIG. 12B shows the connector of the image pickup device 46. 14 is a personal computer PC
The figure shows the case of directly connecting to the internal socket.
【0144】図12(c)は撮像装置46のコネクタ1
4をソケット50とケーブル51を介してパーソナルコ
ンピュータPCと接続する例を示す。FIG. 12C shows the connector 1 of the image pickup device 46.
4 shows an example in which 4 is connected to a personal computer PC via a socket 50 and a cable 51.
【0145】図12(d)は交流電源から直流電圧を生
成する公知の交流直流コンバータ等の電源回路を内蔵し
たアダプタ52に撮像装置46を装着し、このアダプタ
52とパーソナルコンピュータPCとを接続するもので
ある。この場合、例えば、コネクタ14に設けた動作電
源入力端子から撮像装置46に動作電源を供給するとと
もに、コネクタ14の入出力信号をアダプタ52内部に
設置される電気回路、例えば電気配線、あるいは信号バ
ッファ回路等を介してパーソナルコンピュータPCと接
続する。なお、アダプタ52は乾電池等公知の直流電源
を内蔵したものでもよく、また、この場合、アダプタ5
2を専ら動作電源の供給用として構成し、撮像装置46
の屋外での使用時等にともに用いるようなこともでき
る。In FIG. 12D, the image pickup device 46 is attached to an adapter 52 having a built-in power supply circuit such as a known AC / DC converter for generating a DC voltage from an AC power supply, and the adapter 52 and the personal computer PC are connected. It is a thing. In this case, for example, while operating power is supplied from the operating power input terminal provided in the connector 14 to the image pickup device 46, an input / output signal of the connector 14 is supplied to an electric circuit installed inside the adapter 52, for example, an electric wiring or a signal buffer. It is connected to a personal computer PC via a circuit or the like. The adapter 52 may be a built-in known DC power source such as a dry battery, and in this case, the adapter 5
2 is exclusively configured to supply operating power, and the image pickup device 46
It can also be used together when used outdoors.
【0146】図12(e)は公知の卓上型照明器スタン
ドと同様な機構を有するアダプタ53に装着してパーソ
ナルコンピュータPCと接続するようにした例を示す。
この場合、例えば丸形の蛍光ランプ54a,54bの蛍
光管の描く円の内側に撮像装置46を設置することによ
り、蛍光ランプ54a,54bで照明された被写体を撮
像し、その画像情報をパーソナルコンピュータPCに伝
送するように構成できる。FIG. 12E shows an example in which the personal computer PC is connected to an adapter 53 having a mechanism similar to that of a well-known tabletop illuminator stand.
In this case, for example, by installing the image pickup device 46 inside the circle drawn by the fluorescent tubes of the round fluorescent lamps 54a and 54b, the subject illuminated by the fluorescent lamps 54a and 54b is imaged, and the image information thereof is obtained by a personal computer. It can be configured to transmit to a PC.
【0147】ここで、図12(a)に示すコネクタ14
の端子位置を、撮像用受光レンズ47の入射光の方向と
反対の側の装置外装面を基準として規定するような構成
とすることにより、図12(b)〜(e)等の運用にお
いて、上記基準となる面をアダプタ等に向けて装着した
とき、入射光方向が遮蔽されずに開放されるので、パソ
ナルコンピュータPCあるいはアダプタ等に装着した状
態で撮像することができる。Here, the connector 14 shown in FIG.
In the operation of FIGS. 12B to 12E, the terminal position of FIG. 12 is defined with the device exterior surface on the side opposite to the direction of the incident light of the imaging light-receiving lens 47 as a reference. When the reference surface is attached to the adapter or the like, the incident light direction is not shielded and is opened, so that the image can be taken while being attached to the personal computer PC or the adapter.
【0148】[0148]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
撮像手段で生成された画像信号をメモリ手段に書き込
み、これをコネクタを介して接続された外部機器で読み
出すことが可能であって、外部機器によってメモリ手段
の画像信号が読み出されているとき及びその読出し準備
状態にあるときには、撮像手段で生成された画像信号の
メモリ手段への書き込みは禁止されるので、外部機器が
読み出すメモリ手段の画像信号の内容が変容することが
ない。 As described above, according to the present invention,
The image signal generated by the image pickup means is written in the memory means
Read it with an external device connected through the connector.
It is possible to issue a memory means by an external device.
When the image signal of is read and its read preparation
When in the state, the image signal generated by the image pickup means
Writing to the memory means is prohibited, so external devices
The contents of the image signal of the memory means for reading may change.
Absent.
【0149】また、外部機器の画像信号をメモリ手段に
書き込み、モニタ装置の再生画像の更新のためにメモリ
手段の画像信号を読み出すことが可能であり、外部機器
の画像信号がメモリ手段に書き込まれているとき及びそ
の書込みの準備状態にあるとき、モニタ装置の再生画像
の更新のためのメモリ手段からの画像信号の読出しが禁
止されるので、モニタ装置の再生画像の更新のために読
み出すメモリ手段の画像信号の内容が変容することがな
い。 Also, the image signal of the external device is stored in the memory means.
Memory for writing and updating the playback image on the monitor
It is possible to read out the image signal of the means, external device
When the image signal of
Image on the monitor when it is ready to write
Of the image signal from the memory means for updating
The monitor is stopped, so read it to update the playback image on the monitor.
The contents of the image signal of the memory means to be exposed do not change.
Yes.
【0150】[0150]
【図1】本発明による撮像装置の一実施形態を示すブロ
ック図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an image pickup apparatus according to the present invention.
【図2】従来の撮像装置に用いられるFIFO型メモリ
を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a FIFO type memory used in a conventional imaging device.
【図3】図1における半導体メモリの動作を示すタイミ
ング図である。FIG. 3 is a timing diagram showing an operation of the semiconductor memory in FIG.
【図4】図1における状態検知回路の一具体例を示すブ
ロック図である。4 is a block diagram showing a specific example of a state detection circuit in FIG.
【図5】図1に示した実施形態の外部機器との信号授受
機能と、図4に示した状態検知回路の動作を示すタイミ
ング図である。5 is a timing chart showing the signal transfer function with the external device of the embodiment shown in FIG. 1 and the operation of the state detection circuit shown in FIG.
【図6】図1における状態検知回路の他の具体例を示す
ブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing another specific example of the state detection circuit in FIG.
【図7】図6に示した状態検知回路の動作を示すタイミ
ング図である。7 is a timing diagram showing an operation of the state detection circuit shown in FIG.
【図8】図1に示した実施形態の画像再生動作を示すタ
イミング図である。FIG. 8 is a timing chart showing an image reproducing operation of the embodiment shown in FIG.
【図9】本発明による撮像装置の他の実施形態の要部を
示すブロック図である。FIG. 9 is a block diagram showing a main part of another embodiment of an imaging device according to the present invention.
【図10】図9における状態検知回路の一具体例を示す
ブロック図である。10 is a block diagram showing a specific example of a state detection circuit in FIG.
【図11】図9における状態検知回路の他の具体例を示
すブロック図である。11 is a block diagram showing another specific example of the state detection circuit in FIG.
【図12】本発明による撮像装置の一実施形態の外観と
その使用例を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an appearance of an embodiment of an image pickup apparatus according to the present invention and an example of use thereof.
1 撮像素子 2 タイミング発生回路 4 電源スイッチ 5 記録トリガースイッチ 7 タイミング発生回路 10,11,11A,11B スイッチ 12,13,13A,13B 半導体メモリ 14 コネクタ 15,15A,15B,16 スイッチ 17 カメラ信号処理回路 18 スイッチ 19 エンコーダ 20 出力端子 21 画像データ圧縮処理回路 22 画像データ伸長処理回路 23,23A,23B 状態検知回路 24 嵌合検知スイッチ 25 外部機器 34 状態検知回路 35 選択信号発生回路 1 Image sensor 2 Timing generation circuit 4 power switch 5 Recording trigger switch 7 Timing generation circuit 10, 11, 11A, 11B switch 12, 13, 13A, 13B Semiconductor memory 14 connector 15,15A, 15B, 16 switch 17 Camera signal processing circuit 18 switch 19 encoder 20 output terminals 21 Image data compression processing circuit 22 Image data decompression processing circuit 23, 23A, 23B state detection circuit 24 Mating detection switch 25 External equipment 34 Status detection circuit 35 Selection signal generation circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若林 学 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社 日立製作所 映像メディア研 究所内 (56)参考文献 特開 平2−159191(JP,A) 特開 平3−40577(JP,A) 特開 平4−142182(JP,A) 特開 平4−159884(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04N 5/225,5/76 - 5/956 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Manabu Wakabayashi 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Hitachi, Ltd. Video Media Research Laboratory (56) Reference JP-A-2-159191 (JP, A) Kaihei 3-40577 (JP, A) JP 4-142182 (JP, A) JP 4-159884 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H04N 5 / 225,5 / 76-5/956
Claims (7)
て、 記録指示手段と、 光学像から画像信号を生成する撮像手段と、 該撮像手段で生成された画像信号を記憶するメモリ手段
と、 該外部機器を接続可能とするコネクタと、 該メモリ手段の画像信号の書込みと読出しとを制御する
制御手段と を有し、 該制御手段は、該外部機器の該メモリ手段からの画像信
号の読出し準備状態を検知する状態検知手段を有して、
該コネクタを介して接続された該外部機器が、該外部機
器による読出し指令により、該メモリ手段に記憶された
画像信号の読出しを行なっているとき及び該状態検知手
段によって該外部機器の該メモリ手段からの画像信号の
読出し準備状態が検知されたときに、該記録指示手段が
操作されても、該撮像手段で生成された画像信号の該メ
モリ手段への書込みが行なわれないように制御する こと
を特徴とする撮像装置。1. An imaging device capable of connecting an external device.
Te, a recording instruction unit, an imaging means for generating image signals from the optical image, a memory means for storing the image signal generated by the image pickup means
And a connector for connecting the external device, and controlling writing and reading of image signals in the memory means.
And control means, control means, the image signal from said memory means of the external device
A state detection means for detecting the read ready state of the signal,
The external device connected via the connector is the external device.
Stored in the memory means by a read command from the container
When the image signal is being read out and the status detecting hand
Of the image signal from the memory means of the external device
When the read ready state is detected, the recording instruction means
Even if operated, the image signal of the image signal generated by the imaging means is
An image pickup device characterized by controlling so that writing to the memory means is not performed .
前記外部機器が接続された状態で、前記メモリ手段から
前記外部機器への画像信号の読出しが行なわれていない
とき及び前記状態検知手段によって前記外部機器の前記
メモリ手段からの画像信号の読出し準備状態が検知され
ないときに、前記記録指示手段が操作されると、前記撮
像手段で生成された画像信号の前記メモリ手段への書込
みが行なわれるように制御することを特徴とする請求項
1に記載の撮像装置。 2. The control means via the connector
With the external device connected, from the memory means
The image signal has not been read out to the external device.
When and when the state detection means causes the external device to
The readiness for reading the image signal from the memory means is detected.
If the recording instruction means is operated when there is no
Writing the image signal generated by the image means into said memory means
The control is performed so that only the
The imaging device according to 1.
表示するモニタ装置の再生画像の更新を指示する再生画
像更新指示手段を有し、 前記状態検知手段は、前記外部機器からの画像信号の前
記メモリ手段への書込み準備状態を検知し、 前記制御手段は、前記コネクタを介した接続された前記
外部機器からの画像信号が前記メモリ手段へ書き込まれ
ているとき及び前記状態検知手段によって前記外部機器
の画像信号の前記メモリ手段への書込み準備状態が検知
されるときに、該再生画像更新指示手段が操作されて
も、該モニタ装置での再生画像の更新のた めの前記メモ
リ手段からの画像信号の読出しが行なわれないように制
御することを特徴とする請求項1または2に記載の撮像
装置。 3. The image signal stored in the memory means
A playback image that instructs to update the playback image on the monitor device to be displayed.
Image update instructing means, and the state detecting means is arranged to detect the image signal from the external device.
The control means detects the write preparation state to the memory means, and the control means is connected via the connector.
Image signals from external equipment are written to the memory means.
And the external device by the state detection means
The ready state for writing the image signal of the above into the memory means is detected.
When the reproduced image update instruction means is operated,
Also, the notes Me other updates of the reproduced image in the monitoring device
Control so that the image signal is not read from the recording means.
Imaging according to claim 1 or 2, characterized in that
apparatus.
て、 光学像から画像信号を生成する撮像手段と、 該撮像手段で生成された画像信号を記憶するメモリ手段
と、 該メモリ手段に記憶された画像信号を表示するモニタ装
置の再生画像の更新を指示する再生画像更新指示手段
と、 該外部機器を接続可能とするコネクタと、 該メモリ手段の画像信号の書込みと読出しとを制御する
制御手段と を有し、 該制御手段は、該外部機器からの画像信号の該メモリ手
段への書込み準備状態を検知する状態検知手段を有し
て、該コネクタを介して接続された該外部機器からの画
像信号が該メモリ手段へ書き込まれているとき及び該状
態検知手段によって該外部機器からの画像信号の該メモ
リ手段への書込み準備状態が検知されたときに、該再生
画像更新指示手段が操作されても、該モニタ装置での再
生画像の更新のための該メモリ手段からの画像信号の読
出しが行なわれないように制御することを特徴とする撮
像装置。 4. An image pickup apparatus capable of connecting an external device.
And image pickup means for generating an image signal from the optical image , and memory means for storing the image signal generated by the image pickup means
And a monitor device for displaying the image signal stored in the memory means.
Image update instructing means for instructing to update the playback image
And a connector for connecting the external device, and controlling writing and reading of image signals in the memory means.
And a control means, said control means, said memory hand image signal from the external device
Has state detection means for detecting the state of preparation for writing to the stage
The image from the external device connected via the connector.
And when the image signal is being written to the memory means.
The memo of the image signal from the external device is detected by the state detecting means.
When the state of writing preparation to the recording medium is detected,
Even if the image update instruction means is operated,
Reading the image signal from the memory means for updating the raw image
Shooting characterized by controlling not to put out
Image device.
前記外部機器が接続された状態で、前記外部機器からの
画像信号が前記メモリ手段へ書き込まれないとき及び前
記状態検知手段によって前記外部機器からの画像信号の
前記メモリ手段への書込み準備状態が検知されないとき
に、前記再生画像更新指示手段が操作されると、前記メ
モリ手段から画像信号が読み出されて前記モニタ装置で
の再生画像の更新が行なわれるように制御することを特
徴とする請求項3または4に記載の撮像装置。 5. The control means via the connector
With the external device connected,
When and before the image signal is not written to the memory means
By the state detection means of the image signal from the external device
When the ready state for writing to the memory means is not detected
When the reproduction image update instruction means is operated,
The image signal is read from the memory means and
It is specially controlled to update the playback image of
The imaging device according to claim 3 or 4, which is a characteristic.
憶する他のメモリ手段と、 該他のメモリ手段に記憶された画像信号を圧縮して圧縮
画像信号を生成する圧縮手段と を備え、 前記メモリ手段は該圧縮手段からの該圧縮画像信号を記
憶し、 前記外部機器が前記メモリ手段から読み出す画像信号は
圧縮画像信号であることを特徴とする請求項1〜3のい
ずれか1つに記載の撮像装置。 6. The image signal generated by the image pickup means is recorded.
Other memory means to be remembered and the image signal stored in the other memory means is compressed and compressed.
Compression means for generating an image signal , wherein the memory means stores the compressed image signal from the compression means.
The image signal read from the memory means by the external device is
The compressed image signal is a compressed image signal.
The image pickup apparatus according to claim 1.
憶する他のメモリ手段と、 該他のメモリ手段に記憶された画像信号を圧縮して圧縮
画像信号を生成する圧縮手段と、 前記メモリ装置に記憶された圧縮画像信号を伸長する伸
長手段と を備え、 前記メモリ手段は該圧縮手段からの圧縮画像信号を記憶
し、 前記再生画像更新指示手段は、該伸長手段で伸長された
画像信号を表示する前記モニタ装置の再生画像の更新指
示を行ない、 前記外部機器から前記メモリ手段へ書き込む画像信号は
圧縮画像信号であることを特徴とする請求項3〜5のい
ずれか1つに記載の撮像装置。 7. The image signal generated by the image pickup means is recorded.
Other memory means to be remembered and the image signal stored in the other memory means is compressed and compressed.
A compression unit for generating an image signal, and an expansion unit for expanding the compressed image signal stored in the memory device.
And a long section, wherein the memory means stores the compressed image signals from said compression means
However , the reproduction image update instruction means is expanded by the expansion means.
A renewal image renewal instruction of the monitor device for displaying an image signal
The image signal written from the external device to the memory means is
The compressed image signal is a compressed image signal.
The image pickup apparatus according to claim 1.
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2000
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