JP3480675B2 - IC card - Google Patents

IC card

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JP3480675B2
JP3480675B2 JP15918998A JP15918998A JP3480675B2 JP 3480675 B2 JP3480675 B2 JP 3480675B2 JP 15918998 A JP15918998 A JP 15918998A JP 15918998 A JP15918998 A JP 15918998A JP 3480675 B2 JP3480675 B2 JP 3480675B2
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重男 小川
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忠雄 竹田
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、暗号情報等によっ
て読み出し可能な情報が格納された不揮発性メモリを備
えたICカードに関し、特に物理的セキュリティに優れ
たICカードに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC card provided with a non-volatile memory in which readable information such as cryptographic information is stored, and more particularly to an IC card having excellent physical security.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子現金用のICカードの開発が
活発に行われているが、セキュリティの観点からは、未
だ充分な対策がなされていない。
2. Description of the Related Art Conventionally, IC cards for electronic cash have been actively developed, but from the viewpoint of security, sufficient measures have not been taken yet.

【0003】図11は従来のICカードの一例を示し、
(a)はICカードの断面図、(b)はICカードに搭
載されている集積回路のレイアウトを示す図である。同
図において、1は不揮発性メモリ(フラッシュメモリ、
あるいは強誘電体メモリ)、2は読出し専用メモリ(R
OM)、3は中央演算回路(CPU)、4は揮発性のラ
ンダムアクセスメモリ(RAM)で、これらの素子1,
2,3,4によって形成された集積回路5がシリコン基
板10上に搭載されICチップ11を形成している。ま
た、このICチップ11には、電気信号を介して外部と
交信するためのアルミニウムの電極12が形成されてい
る。13は基体であって、この基体13上に設けた金属
パッド14とICチップ11の電極12とが金バンプ1
5を介して電気的に接続されることにより、ICチップ
11は基体13上に固定されている。そして、ICチッ
プ11は、エポキシ樹脂やポリイミド等の合成樹脂によ
って形成された防御膜16で覆われ、この防御膜16と
基体13とで囲まれた密閉空間には、異方性伝導膜(An
isotropic Conductive Film:ACF)17が充填され
ている。
FIG. 11 shows an example of a conventional IC card,
(A) is a cross-sectional view of an IC card, and (b) is a diagram showing a layout of an integrated circuit mounted on the IC card. In the figure, 1 is a non-volatile memory (flash memory,
Alternatively, a ferroelectric memory, 2 is a read-only memory (R
OM), 3 is a central processing circuit (CPU), 4 is a volatile random access memory (RAM), and these elements 1,
The integrated circuit 5 formed by 2, 3, 4 is mounted on the silicon substrate 10 to form the IC chip 11. Further, on the IC chip 11, an aluminum electrode 12 for communicating with the outside through an electric signal is formed. Reference numeral 13 is a base, and the metal pad 14 and the electrode 12 of the IC chip 11 provided on the base 13 are the gold bumps 1.
The IC chip 11 is fixed on the base body 13 by being electrically connected via 5. Then, the IC chip 11 is covered with a protective film 16 formed of a synthetic resin such as epoxy resin or polyimide, and an anisotropic conductive film (An) is provided in a sealed space surrounded by the protective film 16 and the base 13.
Isotropic Conductive Film (ACF) 17 is filled.

【0004】このように、ICカードのICチップ11
は基体13と防御膜16によって前後左右上下を覆わ
れ、簡単に取出せないように保護されている。このIC
チップ11において、セキュリティに不可欠なパスワー
ドや、現金の金額等の重要な情報は、不揮発性メモリ1
内に格納されており、外部からの電気信号の読み出しや
書き込みには電気信号の暗号技術が使われる。したがっ
て、暗号情報を知らない限り、不揮発性メモリ1に蓄え
られている情報を読み出すことは事実上不可能になって
いる。
In this way, the IC chip 11 of the IC card
The front, rear, left and right are covered by the base body 13 and the protective film 16 so that they cannot be easily taken out. This IC
In the chip 11, the non-volatile memory 1 stores important information such as a password essential for security and the amount of cash.
The cryptographic technology of the electric signal is used for reading and writing the electric signal from the outside. Therefore, it is virtually impossible to read the information stored in the nonvolatile memory 1 unless the cryptographic information is known.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のICカードにおいては、金額の改ざん等の不正
使用を目的として防御膜16を機械的、物理的、あるい
は化学的に破壊することは困難なことではなく、破壊さ
れることによって不揮発性メモリ1内の情報が読み出さ
れるおそれがあった。
However, in the above-mentioned conventional IC card, it is difficult to mechanically, physically or chemically destroy the protective film 16 for the purpose of illegal use such as falsification of the amount. However, the information in the non-volatile memory 1 may be read by being destroyed.

【0006】本発明は、上記した従来の問題を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、集積
回路のメモリに格納されている情報を第三者に読み出さ
れないようにすることにより物理的セキュリティに優れ
たICカードを提供することにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to prevent information stored in the memory of an integrated circuit from being read by a third party. The purpose is to provide an IC card with excellent physical security.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に第1の発明は、情報が格納された不揮発性メモリ(1)
を含む集積回路(5)が搭載され第1の電極(24,25)、第2
の電極(26,27)を有するICチップ(11)と、前記ICチ
ップ(11)の前記第1の電極(24,25) に接続された第1の
薄膜電池(21)と、前記不揮発性メモリ(1) に格納されて
いる情報を消去する電気エネルギーを蓄えるための第2
薄膜電池(22)と、前記第2の薄膜電池(22)と前記不揮
発性メモリ(1) との間に介在するスイッチ(30)と、前記
第1の薄膜電池(21)の異常を検出し前記スイッチ(30)
オンにする電圧検出回路(29)とを備え、前記第2の薄膜
電池(22)を同一平面上に偶数枚直列に接続して配置して
前記ICチップ(11)の前記第2の電極(26,27) 電気的
に接続し、前記第1の薄膜電池(21)によって前記集積回
(5)および第2の薄膜電池(22) を密閉状態として覆
い、該第1の薄膜電池(21)の表面側の電極(121a)をアル
ミ箔(35)を介して前記第1の電極(24,25)の一方(24)に
接続したことを特徴とする。このような構成において
は、第1の薄膜電池を破壊し、集積回路を露呈させよう
とすると、電圧検出回路によって検出され、スイッチが
オンすることにより第2の薄膜電池によって蓄えられた
電気エネルギーによって不揮発性メモリに格納されてい
る情報が消去される。したがって、機密が保持され、第
三者による不正使用を困難にする。また、第2の薄膜
池を同一平面上に偶数枚配置しているので、ICカード
の厚みを軽減することができる。
In order to achieve the above object, a first invention is a non-volatile memory (1) in which information is stored.
An integrated circuit (5) including a first electrode (24, 25) and a second electrode
An IC chip having electrodes (26, 27) (11), said IC Ji
The first electrode connected to the first electrodes (24,25) of the cup (11) .
A thin film battery (21) and a second for storing electric energy for erasing the information stored in the non-volatile memory (1) .
A thin film battery (22), a switch (30) interposed between the second thin film battery (22) and the non-volatile memory (1), and an abnormality of the first thin film battery (21) is detected. A voltage detection circuit (29 ) for turning on the switch (30) , the even number of the second thin film batteries (22) are connected in series on the same plane to arrange the IC. The integrated circuit (5) and the second thin film battery (22) are sealed by being electrically connected to the second electrode (26, 27) of the chip (11) and by the first thin film battery (21) . Cover as
The electrode (121a) on the surface side of the first thin film battery (21).
One side (24) of the first electrode (24, 25) through the foil (35)
It is characterized by being connected . In such a structure, when the first thin film battery is destroyed and the integrated circuit is exposed, the voltage is detected by the voltage detection circuit, and the switch is turned on, whereby the electric energy stored by the second thin film battery is detected. The information stored in the non-volatile memory is erased. Therefore, confidentiality is maintained, making it difficult for unauthorized use by a third party. Further, since the even number of second thin film batteries are arranged on the same plane, the thickness of the IC card can be reduced.

【0008】 第2の発明は、上記第1の発明におい
て、第1の薄膜電池(21)は、二つ折りされて集積回
(5)および第2の薄膜電池(22)を密閉状態とし
て覆うことを特徴とする。このような構成においては、
折り曲げられた第1の薄膜電池(21)の間に第2の
膜電池(22)およびICチップ(11)を差し込むこ
とで、これらを覆い包むことができる。
In a second aspect based on the first aspect, the first thin film battery (21) is folded in two to cover the integrated circuit (5) and the second thin film battery (22) in a sealed state. Is characterized by. In such a configuration,
The second thin between folded first thin-film battery (21)
By inserting the membrane battery (22) and the IC chip (11) , they can be wrapped.

【0009】 第3の発明は、上記第1の発明におい
て、第1の薄膜電池(21)は二枚で、集積回路(5)
および第2の薄膜電池(22)を上下から密閉状態とし
て覆うことを特徴とする。このような構成においては、
二枚からなる第1の薄膜電池(21)で第2の薄膜電池
(22)と集積回路(5)を挟んで覆えばよいので、折
曲部分が生じない。したがって、第1の薄膜電池(2
1)に応力集中が生じない。
A third invention is the integrated circuit (5) according to the first invention, wherein the first thin film battery (21) is two.
The second thin film battery (22) is covered from above and below in a hermetically sealed state. In such a configuration,
A first thin film battery (21) consisting of two sheets and a second thin film battery
Since the integrated circuit (5 ) and (22) may be sandwiched and covered, no bent portion is generated. Therefore, the first thin film battery (2
Stress concentration does not occur in 1) .

【0010】 第4の発明は、上記第3の発明におい
て、第1の薄膜電池(21)は略円形に形成され、第2
薄膜電池(22)扇状または半円形に形成されて同
一平面上に略円を形成するように偶数枚直列に接続して
配置されていることを特徴とする。このような構成にお
いては、角部がないので、応力集中を緩和することがで
きる。
In a fourth aspect based on the third aspect, the first thin film battery (21) is formed into a substantially circular shape,
The thin film battery (22) is formed in a fan shape or a semicircular shape , and is arranged by connecting an even number of sheets so as to form a substantially circle on the same plane. In such a structure, since there is no corner portion, stress concentration can be relaxed.

【0011】 第5の発明は、上記第1、第2、第3
第4の発明のうちのいずれか1つにおいて、第2の薄膜
電池(22)の電気エネルギーを蓄えるコンデンサ(2
8)を備えたことを特徴とする。このような構成におい
ては、第1の薄膜電池(21)が破壊されスイッチ(3
0)がオンになったとき、コンデンサ(28)は蓄えて
いる電気エネルギーで不揮発性メモリ(1)に格納され
ている情報を消去する。
A fifth aspect of the present invention is the first, second, third ,
In any one of 4th invention , 2nd thin film
A capacitor (2 ) that stores the electrical energy of the battery (22)
8) is provided. In such a configuration, the first thin film battery (21) is destroyed and the switch (3
When 0) is turned on, the capacitor (28) erases the information stored in the non-volatile memory (1) with the stored electrical energy.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図1〜図5は本発明に
係る1Cカードの第1の実施の形態を示し、図1(a)
はカード本体の平面図、(b)は断面図、(c)は正面
図、図2はICチップの素子面を示す図、図3はICチ
ップと第2の電池を密着させた後のICチップの素子面
側から見た斜視図、図4は第1の電池を示す斜視図、図
5はICカードの等価回路図である。なお、従来技術の
欄で示した構成部材と同一もしくは同等のものについて
は同一符号をもって示し、その説明を適宜省略する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described below in detail based on the embodiments shown in the drawings. 1 to 5 show a first embodiment of a 1C card according to the present invention, and FIG.
Is a plan view of the card body, (b) is a cross-sectional view, (c) is a front view, FIG. 2 is a view showing the element surface of the IC chip, and FIG. 3 is the IC after the IC chip and the second battery are brought into close contact with each other. FIG. 4 is a perspective view of the chip viewed from the element surface side, FIG. 4 is a perspective view showing the first battery, and FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the IC card. It should be noted that the same or equivalent components as those shown in the section of the prior art are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be appropriately omitted.

【0013】図1および図2において、20はICカー
ドのカード本体である。このカード本体20は、ICチ
ップ11と、薄膜型のリチウム電池からなる第1および
第2の電池21,22を備え、第1の電池21によって
ICチップ11に搭載されている集積回路5および第2
の電池22を密閉状態として覆っている。
In FIGS. 1 and 2, reference numeral 20 denotes a card body of an IC card. The card body 20 includes an IC chip 11 and first and second batteries 21 and 22 each made of a thin film lithium battery, and the integrated circuit 5 and the first integrated circuit 5 mounted on the IC chip 11 by the first battery 21. Two
The battery 22 is covered in a sealed state.

【0014】前記ICチップ11の素子面には、情報が
格納された不揮発性メモリ1、ROM2、CPU3、R
AM4からなる前記集積回路5が搭載されている。ま
た、アルミニウムからなる電極12,24,25,2
6,27が形成されると共に、コンデンサ(キャパシ
タ)28および後述する電圧検出回路(コンパレータ)
29とスイッチ用トランジスタ30(図5参照)からな
る電圧検出部31が設けられている。電極12は、IC
チップ11の前記集積回路5とは反対側の端縁部に沿っ
て複数個形成され、この電極12と集積回路5との間に
他の電極24,25(第1の電極)電極26,27
(第2の電極)、コンデンサ28および電圧検出回路2
9が位置している。
On the element surface of the IC chip 11, a nonvolatile memory 1 in which information is stored, a ROM 2, a CPU 3, a R
The integrated circuit 5 composed of AM4 is mounted. In addition, the electrodes 12, 24, 25, 2 made of aluminum
6 and 27 are formed, a capacitor 28 and a voltage detection circuit (comparator) described later.
There is provided a voltage detection unit 31 including 29 and a switching transistor 30 (see FIG. 5). The electrode 12 is an IC
A plurality of chips are formed along the edge of the chip 11 on the side opposite to the integrated circuit 5. Between the electrode 12 and the integrated circuit 5, other electrodes 24, 25 (first electrodes) , electrodes 26, 27
(Second Electrode) , Capacitor 28, and Voltage Detection Circuit 2
9 is located.

【0015】前記第1の電池21は、図4に示すように
薄くて細長い長方形に形成され、表裏面に正極部121
aと負極部121bがそれぞれ形成され、長手方向の略
中央部が二つ折りに折り畳まれることにより前記ICチ
ップ11の一部と第2の電池22を密閉状態にして覆っ
ている。
The first battery 21 is formed in a thin and elongated rectangular shape as shown in FIG.
a and a negative electrode portion 121b are respectively formed, and the substantially central portion in the longitudinal direction is folded in two to cover a part of the IC chip 11 and the second battery 22 in a hermetically sealed state.

【0016】図3において、前記第2の電池22は、四
枚の薄膜リチウム電池22a〜22dで構成されてい
る。これらの薄膜リチウム電池22a〜22dは、厚さ
が0.1mm程度で同一の大きさの四角形に形成され、
同一平面上に左右、前後にそれぞれ二枚ずつ配置され、
アルミ箔32によって直列に接続されている。四枚の薄
膜リチウム電池22a〜22dのうち、右側二枚の薄膜
リチウム電池22a,22dの右側の隣り合う角部は、
ICチップ11の上に重ね合わされ、薄膜リチウム電池
22aの一方の端子が前記電極26(図2)に接続さ
れ、薄膜リチウム電池22dの一方の端子が前記電極2
7に接続されている。このため、これらの薄膜リチウム
電池22a〜22dの接続により、電極26と電極27
には所定の電圧が供給される。この場合、薄膜リチウム
電池22a〜22dの電圧は一枚当たり3.0〜3.5
Vなので、四枚直列で12〜14Vの電圧が供給される
ことになる。
In FIG. 3, the second battery 22 is composed of four thin film lithium batteries 22a to 22d. These thin film lithium batteries 22a to 22d are formed in a rectangular shape having a thickness of about 0.1 mm and the same size.
Two on the left and right on the same plane, and two on the front and back,
The aluminum foils 32 are connected in series. Of the four thin film lithium batteries 22a to 22d, the right adjacent corners of the two right thin film lithium batteries 22a and 22d are
The thin film lithium battery 22a is stacked on the IC chip 11, one terminal of the thin film lithium battery 22a is connected to the electrode 26 (FIG. 2), and one terminal of the thin film lithium battery 22d is connected to the electrode 2
Connected to 7. Therefore, the electrodes 26 and 27 are connected by connecting these thin film lithium batteries 22a to 22d.
Is supplied with a predetermined voltage. In this case, the voltage of the thin film lithium batteries 22a to 22d is 3.0 to 3.5 per sheet.
Since it is V, a voltage of 12 to 14 V is supplied in series with four sheets.

【0017】次に、このようなカード本体を備えたIC
カードの組立方法を説明する。まず、第1の電池21を
準備する。この第1の電池21は第2の電池22全体を
覆うに十分な大きさを有し、図4に示すように長手方向
中央部において二つ折りにされてその間に図3に示すI
Cチップ11に第2の電池22が接続された構造体を差
込み、第1の電池21の端縁部を密着させて封止するこ
とにより前記構造体を密閉状態にして覆いカード本体2
0を形成する。この封止した状態において、ICチップ
11の電極12が形成されている端縁部は、第1の電池
21の外部に突出している。次に、このカード本体20
を図示しない合成樹脂製の薄いケース内に、ICチップ
11の電極12が形成されている端縁部を外部に突出さ
せた状態で収納してホットメルト法等によって固着する
ことによりICカードの組立を終了する。
Next, an IC equipped with such a card body
A method of assembling the card will be described. First, the first battery 21 is prepared. The first battery 21 has a size large enough to cover the entire second battery 22, and is folded in half at the center in the longitudinal direction as shown in FIG.
The structure in which the second battery 22 is connected to the C chip 11 is inserted, and the edge portion of the first battery 21 is brought into close contact with the structure to seal the structure to cover the card body 2
Form 0. In this sealed state, the edge portion of the IC chip 11 on which the electrode 12 is formed projects outside the first battery 21. Next, this card body 20
Is assembled in a thin case made of synthetic resin (not shown) with the end portion of the IC chip 11 on which the electrode 12 is formed protruding outside and fixed by a hot melt method or the like. To finish.

【0018】このようにして組立てられたICカードに
おいては、図1(b)に示すように、第2の電池22と
ICチップ11(ただし、ICチップ11の電極12が
形成されている端縁部を除く)は、第1の電池21によ
って密閉された状態で覆われる。このため、ICチップ
11の電極12が形成されている端縁部は、第1の電池
21の外部に突出している。また、第1の電池21の正
極部121aはアルミ箔35を介して電極24に接続さ
れ、負極部121bは電極25に接続されている。
In the IC card thus assembled, as shown in FIG. 1B, the second battery 22 and the IC chip 11 (however, the edge of the IC chip 11 where the electrode 12 is formed) are formed. (Excluding parts) are covered in a sealed state by the first battery 21. Therefore, the edge portion of the IC chip 11 where the electrode 12 is formed protrudes to the outside of the first battery 21. The positive electrode portion 121a of the first battery 21 is connected to the electrode 24 via the aluminum foil 35, and the negative electrode portion 121b is connected to the electrode 25.

【0019】図5において、電圧検出部31は、第1の
電池21の電圧を監視する機能を有する電圧検出回路2
9と、この電圧検出回路29が第1の電池21の異常を
検出すると閉じるスイッチ用トランジスタ30とから構
成されている。第1の電池21は、電圧検出回路29を
介してICチップ11の一部に接続されており、この電
圧検出回路29によって常時監視されている。第2の電
池22とコンデンサ28は並列に接続され、通常はオフ
状態(ノーマリーオフ)のスイッチ用トランジスタ30
を介して集積回路5の不揮発性メモリ1とCPU3に接
続されている。したがって、通常はスイッチ用トランジ
スタ30はオフになっているので、コンデンサ28に一
定の電圧(または電気エネルギー)が蓄えられている。
In FIG. 5, the voltage detecting section 31 is a voltage detecting circuit 2 having a function of monitoring the voltage of the first battery 21.
9 and a switch transistor 30 that closes when the voltage detection circuit 29 detects an abnormality in the first battery 21. The first battery 21 is connected to a part of the IC chip 11 via a voltage detection circuit 29, and is constantly monitored by the voltage detection circuit 29. The second battery 22 and the capacitor 28 are connected in parallel and are normally in the off state (normally off) for the switching transistor 30.
It is connected to the non-volatile memory 1 of the integrated circuit 5 and the CPU 3 via. Therefore, since the switching transistor 30 is normally off, a constant voltage (or electric energy) is stored in the capacitor 28.

【0020】この状態において、不正使用を目的として
ICチップ11の素子領域(素子面)を露出させようと
して、第1の電池21をICチップ11から剥離する
と、第1の電池21の正極部121aと電極24、ある
いは負極部121bと電極25の電気的接続が断たれる
ため、電圧検出回路29がそれを即座に検知してスイツ
チ用トランジスタ30をオンにし、コンデンサ28と不
揮発性メモリ1を導通させる。その結果、不揮発性メモ
リ1に格納されている情報は、コンデンサ28に蓄えら
れていた電圧によって消去される。また、単に第1の電
池21を破損させた場合も、電圧降下が生じるため電圧
検出回路29がそれを感知し、同様の動作により不揮発
性メモリ1の情報を消去する。このため、不揮発性メモ
リ1内に格納されていた情報が守られるので、機密保持
が確実になると共に、情報の改ざんを防止することがで
き、物理的セキュリティの優れたICカードが実現でき
る。また、四枚の薄膜リチウム電池22a〜22dを同
一平面上に並べて配置しているので、ICカード自体を
薄型化することができる。
In this state, when the first battery 21 is peeled from the IC chip 11 in order to expose the element region (element surface) of the IC chip 11 for the purpose of unauthorized use, the positive electrode portion 121a of the first battery 21 is removed. Since the electrical connection between the electrode 24 and the electrode 24 or the negative electrode portion 121b and the electrode 25 is cut off, the voltage detection circuit 29 immediately detects it and turns on the switch transistor 30 to electrically connect the capacitor 28 and the nonvolatile memory 1. Let As a result, the information stored in the non-volatile memory 1 is erased by the voltage stored in the capacitor 28. Further, even when the first battery 21 is simply damaged, a voltage drop occurs, so the voltage detection circuit 29 senses it and erases the information in the nonvolatile memory 1 by the same operation. Therefore, since the information stored in the non-volatile memory 1 is protected, confidentiality can be surely maintained, information can be prevented from being tampered with, and an IC card with excellent physical security can be realized. Further, since the four thin film lithium batteries 22a to 22d are arranged side by side on the same plane, the IC card itself can be made thin.

【0021】ここで、不揮発性メモリ1がフラッシュメ
モリの場合、書き換えに必要な電圧は、12〜14Vで
あるので、第2の電池22の電圧は12〜14Vが好適
である。1M(メガ)ビツトのフラッシュメモリを消去
するのに必要な電気量から算定すると、コンデンサ28
の面積は1mm2 程度でよい。また、各薄膜リチウム電
池22a〜22dの面積も1mm2 程度で充分である。
また、第2の電池22は、第1の電池21と共に不正使
用を防止するためのセキュリティ専用の電池として用い
られ、通常の集積回路5の動作用としては使われないた
め、消耗がきわめて少なく、長期使用に十分耐え得る。
また、熱酸化膜(SiO2 )を絶縁膜としたコンデンサ
(MOS型キャパシタ)28のリーク電流も極めて小さ
く、このコンデンサ28を充電した後、第2の電池22
を外して放電特性を調べたところ、半年経過した段階で
もコンデンサ28の電気エネルギーの90%以上が保持
されていることを確認した。
Here, when the non-volatile memory 1 is a flash memory, the voltage required for rewriting is 12 to 14V, so the voltage of the second battery 22 is preferably 12 to 14V. Calculated from the amount of electricity required to erase a 1M (mega) bit flash memory, a capacitor 28
The area may be about 1 mm 2 . Also, the area of each thin film lithium battery 22a to 22d is about 1 mm 2 .
Further, the second battery 22 is used together with the first battery 21 as a dedicated battery for security for preventing unauthorized use, and is not used for normal operation of the integrated circuit 5, so that the consumption is extremely small, Can withstand long-term use.
Further, the leakage current of the capacitor (MOS type capacitor) 28 using the thermal oxide film (SiO 2 ) as an insulating film is extremely small, and after charging the capacitor 28, the second battery 22
When the discharge characteristics were examined by removing the above, it was confirmed that 90% or more of the electric energy of the capacitor 28 was retained even after half a year had passed.

【0022】図6〜図8は本発明の第2の実施の形態を
示し、図6(a)はカード本体の平面図、(b)は断面
図、(c)は正面図、図7は第1の電池を示す斜視図、
図8はICカードの等価回路図である。この第2の実施
の形態においては、ICチップ11と、二枚の薄膜リチ
ウム電池21a,21bからなる第1の電池21と、四
枚の薄膜リチウム電池22a〜22dからなる第2の電
池22とでカード本体33を構成した点が上記した第1
の実施の形態と異なり、その他の構成は全く同じであ
る。
6 to 8 show a second embodiment of the present invention. FIG. 6 (a) is a plan view of a card body, (b) is a sectional view, (c) is a front view, and FIG. 7 is. A perspective view showing a first battery,
FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of the IC card. In the second embodiment, an IC chip 11, a first battery 21 composed of two thin film lithium batteries 21a and 21b, and a second battery 22 composed of four thin film lithium batteries 22a to 22d. The point that the card body 33 is configured by
Different from the above embodiment, the other configurations are exactly the same.

【0023】薄膜リチウム電池21a,21bは、第2
の電池22より大きな面積を有し、一方の薄膜リチウム
電池21aの表裏面に正極部131aと負極部131b
がそれぞれ形成され、他方の薄膜リチウム電池21bの
表裏面に負極部141aと正極部141bがそれぞれ形
成されている。これらの薄膜リチウム電池21a,21
bは、ICチップ11の電極12(図2参照)が形成さ
れている端縁部を除く部分と第2の電池22全体を上下
から挟んで密閉された状態で覆っている。このため、I
Cチップ11の電極12が形成されている端縁部は、第
1の電極21の外部に突出している。
The thin film lithium batteries 21a and 21b are the second
The thin film lithium battery 21a has a positive electrode portion 131a and a negative electrode portion 131b on the front and back surfaces thereof.
And the negative electrode portion 141a and the positive electrode portion 141b are formed on the front and back surfaces of the other thin film lithium battery 21b, respectively. These thin film lithium batteries 21a, 21
b covers the portion of the IC chip 11 excluding the edge portion where the electrode 12 (see FIG. 2) is formed and the entire second battery 22 from above and below in a sealed state. Therefore, I
The edge portion of the C-chip 11 where the electrode 12 is formed projects outside the first electrode 21.

【0024】このような構造からなるカード本体33に
おいて、薄膜リチウム電池21aの負極部131bと薄
膜リチウム電池21bの負極部141bは、互いに密着
し電気的に接続される。薄膜リチウム電池21aの正極
側131aと薄膜リチウム電池21bの正極側141a
は、アルミ箔120を介して電気的に接続されている。
したがって、薄膜リチウム電池21aと21bは、並列
に接続されている。また、薄膜リチウム電池21aの正
極部131aはアルミ箔35を介して電極24(図2参
照)に接続され、負極部131bは電極25(図2参
照)に接続されている。
In the card body 33 having such a structure, the negative electrode portion 131b of the thin film lithium battery 21a and the negative electrode portion 141b of the thin film lithium battery 21b are in close contact with each other and electrically connected. Positive electrode side 131a of thin film lithium battery 21a and positive electrode side 141a of thin film lithium battery 21b
Are electrically connected via the aluminum foil 120.
Therefore, the thin film lithium batteries 21a and 21b are connected in parallel. The positive electrode portion 131a of the thin film lithium battery 21a is connected to the electrode 24 (see FIG. 2) via the aluminum foil 35, and the negative electrode portion 131b is connected to the electrode 25 (see FIG. 2).

【0025】このような構造においても、第1の電池2
1に異常が発生したときには、電圧検出回路29がその
異常を検出してスイッチ用トランジスタ30をオンに
し、コンデンサ28に蓄えられている電圧により不揮発
性メモリ1内に格納されている情報を消去するので、上
記した第1の実施の形態と同様に不揮発性メモリ1内に
格納されている情報が守られ、機密保持が確実になると
共に、情報の改ざんを防止することができる。
Even in such a structure, the first battery 2
When an abnormality occurs in No. 1, the voltage detection circuit 29 detects the abnormality and turns on the switching transistor 30 to erase the information stored in the non-volatile memory 1 by the voltage stored in the capacitor 28. Therefore, like the first embodiment described above, the information stored in the non-volatile memory 1 is protected, the confidentiality is secured, and the tampering of the information can be prevented.

【0026】また、本実施の形態においては、第1の電
池21における応力集中を防止することができる。すな
わち、図1〜図5に示した第1の実施の形態において
は、第1の電極21を二つ折りにして第2の電極22お
よびICチップ11の一部を密閉された状態で覆うよう
にしているので、4つの薄膜リチウム電池22a〜22
dを覆うという点では好適であるが、第1の電極21の
折り曲げ部分に応力が集中するので実装するときに注意
を要する。一方、本実施の形態においては、第1の電池
21を二枚の薄膜リチウム電池21a,21bで構成
し、これらによって第2の電極22およびICチップ1
1の一部を上下から挾んで密閉された状態で覆うように
しているので、折り曲げ部分がなく、応力の集中を防止
することができる。
Further, in this embodiment, stress concentration in the first battery 21 can be prevented. That is, in the first embodiment shown in FIGS. 1 to 5, the first electrode 21 is folded in two so as to cover the second electrode 22 and a part of the IC chip 11 in a sealed state. Therefore, four thin film lithium batteries 22a-22
This is preferable in that it covers d, but stress is concentrated on the bent portion of the first electrode 21, so care must be taken when mounting. On the other hand, in the present embodiment, the first battery 21 is composed of two thin film lithium batteries 21a and 21b, and the second electrode 22 and the IC chip 1 are formed by these.
Since a part of 1 is covered from above and below in a sealed state, there is no bent portion, and stress concentration can be prevented.

【0027】ここで、図6に示すカード本体33は概ね
矩形であり、このカード本体33をケースに収納してI
Cカードとし、このカードに繰り返し曲げ試験を実施し
た結果、角の部分に応力が集中する傾向があることが判
った。そのため、この応力が集中する角部に補強板等を
入れて応力を分散させることが好ましい。
Here, the card body 33 shown in FIG. 6 is substantially rectangular, and the card body 33 is housed in a case and I
As a result of repeating the bending test on this card as C card, it was found that stress tends to be concentrated on the corners. Therefore, it is preferable to disperse the stress by inserting a reinforcing plate or the like at the corner where the stress is concentrated.

【0028】また、応力を分散させる構造としては、図
9に示す第3の実施の形態のように第1の電池21を円
形に形成した二枚の薄膜リチウム電池21a,21bで
構成し、第2の電池22を略四分の一円をなす扇状に形
成した四枚の薄膜リチウム電池22a〜22dで構成
し、これらの薄膜リチウム電池22a〜22dを同一平
面上に略円形を形成するように配置し、これらの電池を
二枚の薄膜リチウム電池21a,21bで上下から挟ん
で密閉された状態で覆うことにより、カード本体を円形
に形成してもよい。
As a structure for dispersing the stress, the first battery 21 is composed of two thin film lithium batteries 21a and 21b formed in a circular shape as in the third embodiment shown in FIG. The second battery 22 is composed of four thin film lithium batteries 22a to 22d formed in a fan shape forming a substantially quarter circle, and these thin film lithium batteries 22a to 22d are formed into a substantially circular shape on the same plane. The card body may be formed in a circular shape by arranging them and covering these batteries in a state of being sandwiched between two thin film lithium batteries 21a and 21b from above and below in a sealed state.

【0029】このような円形の形状では、角の部分での
応力集中が大幅に緩和されるため、薄膜リチウム電池2
1a,21b、22a〜22dの電極の金属疲労等の不
都合を軽減することができる。また、補強板等の別部材
を必要としないので構造が簡単である。
With such a circular shape, the stress concentration at the corners is greatly alleviated, so the thin film lithium battery 2
It is possible to reduce inconveniences such as metal fatigue of the electrodes 1a, 21b, 22a to 22d. Further, the structure is simple because no separate member such as a reinforcing plate is required.

【0030】また、不揮発性メモリ1が強誘電体メモリ
の場合、書き換えに必要な電圧は、3〜5Vであるの
で、第2の電池22として薄膜リチウム電池(3.0〜
3.5V)を四枚直列に接続する必要がなく、二枚でよ
い。この場合、図10に示す第4の実施の形態のように
第1の電池21を円形に形成した二枚の薄膜リチウム電
池21a,21bで構成し、第2の電池22を略半円形
に形成した二枚の薄膜リチウム電池22a,22bで構
成すればよい。
When the non-volatile memory 1 is a ferroelectric memory, the voltage required for rewriting is 3 to 5 V, so the thin film lithium battery (3.0 to 3) is used as the second battery 22.
It is not necessary to connect four 3.5V) in series, and two may be used. In this case, as in the fourth embodiment shown in FIG. 10, the first battery 21 is composed of two thin film lithium batteries 21a and 21b formed in a circular shape, and the second battery 22 is formed in a substantially semi-circular shape. The two thin film lithium batteries 22a and 22b may be used.

【0031】ここで、第2〜第4の実施の形態において
は、二枚の薄膜リチウム電池21a,21bどうしを電
気的に接続するためにアルミ箔120を用いているが、
各薄膜リチウム電池21a,21bの表面の一部には絶
縁膜が被覆されており、所定の電気的接続以外の電気的
接続は防がれていることは言うまでもない。アルミ箔1
20を用いると、電気的接続の位置が露見し易いため、
物理的セキュリティの観点からはやや難があるが、IC
カード自体の強度や信頼性向上の観点からはより優れた
側面をもつ。
Here, in the second to fourth embodiments, the aluminum foil 120 is used to electrically connect the two thin film lithium batteries 21a and 21b.
It goes without saying that the thin film lithium batteries 21a and 21b are covered with an insulating film on a part of their surfaces to prevent electrical connection other than predetermined electrical connection. Aluminum foil 1
When 20 is used, the position of electrical connection is easily exposed,
It is a little difficult from the viewpoint of physical security, but IC
From the viewpoint of improving the strength and reliability of the card itself, it has a better aspect.

【0032】また、第1〜第4の実施の形態において
は、ICチップ11の裏面の一部を第1の電池21によ
って覆った例を示したが、裏面全体を外部に露出させる
ことも可能である。このような構造では、ICチップ1
1の裏面が露出するため、物理的セキュリティの点で若
干難点があるが、薄膜化という点では好適である。
Further, in the first to fourth embodiments, an example in which a part of the back surface of the IC chip 11 is covered with the first battery 21 is shown, but the entire back surface can be exposed to the outside. Is. In such a structure, the IC chip 1
Since the back surface of No. 1 is exposed, there is some difficulty in physical security, but it is preferable in terms of thinning.

【0033】[0033]

【実施例】ICチップ11の厚さを0.05mm、第1
の電池21および第2の電池22の厚さをそれぞれ0.
1mm、アルミ箔32の厚さを0.01mmとしたこと
により、第1の実施の形態におけるカード本体20の厚
さ(最も厚い部分の厚さ)は、合計0.36mm(=
0.1mm×3+0.01mm+0.05mm)とな
る。
[Example] The thickness of the IC chip 11 is 0.05 mm, and the first
The thickness of each of the battery 21 and the second battery 22 of 0.
By setting the thickness of the aluminum foil 32 to be 1 mm and the thickness of the aluminum foil 32 to be 0.01 mm, the total thickness of the card body 20 (thickness of the thickest portion) in the first embodiment is 0.36 mm (=
0.1 mm × 3 + 0.01 mm + 0.05 mm).

【0034】なお、本実施の形態においては、第1の電
池21の正極部121aと負極部121b(131a,
131b,141a,141b)とを全体的に露呈させ
たままの状態としたが、不都合な導通を回避するため
に、必要に応じて表面を絶縁膜によってコーティングす
ることにより被覆してもよい。また、電圧検出回路29
によって閉じるスイッチ30としてトランジスタを用い
た例を示したが、これに限定されず、厚みがきわめて薄
く形成されたものであれば、機械的スイッチでもよい。
さらに、第1および第2の電池21,22として、薄膜
リチウム電池を用いたが、これに限定されず、例えばナ
トリウムを電解質の伝導イオンとした薄膜電池等であっ
てもよく、要は薄膜型の電池であればよい。
In the present embodiment, the positive electrode portion 121a and the negative electrode portion 121b (131a, 131a,
However, in order to avoid inconvenient conduction, the surface may be coated with an insulating film if necessary in order to avoid inconvenient conduction. In addition, the voltage detection circuit 29
Although an example in which a transistor is used as the switch 30 that is closed by is shown, the invention is not limited to this, and a mechanical switch may be used as long as it is formed to have an extremely thin thickness.
Further, although thin film lithium batteries are used as the first and second batteries 21 and 22, the invention is not limited to this, and may be, for example, a thin film battery in which sodium is a conductive ion of the electrolyte. Any battery will do.

【0035】[0035]

【発明の効果】上述説明したように本発明に係るICカ
ードによれば、メモリ内に格納された情報が守られるの
で、機密保持が確実になると共に、情報の改ざんも防止
され、物理的セキュリティの優れたICカードを提供す
ることができる。また、薄形化を実現することができ
る。
As described above, according to the IC card of the present invention, the information stored in the memory is protected, so that confidentiality can be surely maintained and the tampering of the information can be prevented and the physical security can be improved. It is possible to provide an excellent IC card. Further, it is possible to realize thinning.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の第1の実施の形態を示し、(a)は
カード本体の平面図、(b)は断面図、(c)は正面図
である。
1A and 1B show a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a plan view of a card body, FIG. 1B is a sectional view, and FIG.

【図2】 ICチップの素子面を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an element surface of an IC chip.

【図3】 ICチップと第2の電池を密着させた後のI
Cチップの素子面側から見た斜視図である。
[Fig. 3] I after the IC chip and the second battery are brought into close contact with each other
It is the perspective view seen from the element side of a C chip.

【図4】 第1の電池を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a first battery.

【図5】 ICカードの等価回路図である。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of an IC card.

【図6】 本発明の第2の実施の形態を示し、(a)は
カード本体の平面図、(b)は断面図、(c)は正面図
である。
6A and 6B show a second embodiment of the present invention, in which FIG. 6A is a plan view of a card body, FIG. 6B is a sectional view, and FIG.

【図7】 第1の電池を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a first battery.

【図8】 ICカードの等価回路図である。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of the IC card.

【図9】 本発明の第3の実施の形態を示すカード本体
の平面図である。
FIG. 9 is a plan view of a card body showing a third embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の第4の実施の形態を示すカード本
体の平面図である。
FIG. 10 is a plan view of a card body showing a fourth embodiment of the present invention.

【図11】 従来のICカードを示し、(a)はICカ
ードの断面図、(b)はICチップに搭載されている集
積回路のレイアウトを示す図である。
11A and 11B show a conventional IC card, FIG. 11A is a sectional view of the IC card, and FIG. 11B is a diagram showing a layout of an integrated circuit mounted on an IC chip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…不揮発性メモリ(フラッシュメモリまたは強誘電体
メモリ)、2…読み出し専用メモリ(ROM)、3…中
央演算回路(CPU)、4…揮発性のランダムアクセス
メモリ(RAM)、5…集積回路、11…ICチップ、
10…シリコン基板、12…電極、13…基体、14…
金属パッド、15…金バンプ、16…防御膜、17…異
方性伝導膜(ACF)、20…カード本体、21…第1
の電池、21a,21b…薄膜リチウム電池、22…第
2の電池、22a〜22d…薄膜リチウム電池、28…
コンデンサ、29…電圧検出回路、30…スイッチ用ト
ランジスタ、31…電圧検出部、33…カード本体。
1 ... Non-volatile memory (flash memory or ferroelectric memory), 2 ... Read-only memory (ROM), 3 ... Central processing circuit (CPU), 4 ... Volatile random access memory (RAM), 5 ... Integrated circuit, 11 ... IC chip,
10 ... Silicon substrate, 12 ... Electrode, 13 ... Base, 14 ...
Metal pad, 15 ... Gold bump, 16 ... Defensive film, 17 ... Anisotropic conductive film (ACF), 20 ... Card body, 21 ... First
, 21a, 21b ... Thin film lithium battery, 22 ... Second battery, 22a-22d ... Thin film lithium battery, 28 ...
Capacitor, 29 ... Voltage detection circuit, 30 ... Switch transistor, 31 ... Voltage detection unit, 33 ... Card body.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹田 忠雄 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日 本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−88986(JP,A) 特開 平2−71345(JP,A) 特開 平11−306309(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06K 19/077 G06K 19/073 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Tadao Takeda 3-19-2 Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Nihon Telegraph and Telephone Corporation (56) Reference JP-A-5-88986 (JP, A) Kaihei 2-71345 (JP, A) JP-A-11-306309 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G06K 19/077 G06K 19/073

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 情報が格納された不揮発性メモリ(1)
を含む集積回路(5)が搭載され第1の電極(24,2
5)、第2の電極(26,27)を有するICチップ
(11)と、 前記ICチップ(11)の前記第1の電極(24,2
5)に接続された第1の薄膜電池(21)と、 前記不揮発性メモリ(1)に格納されている情報を消去
する電気エネルギーを蓄えるための第2の薄膜電池(2
2)と、 前記第2の薄膜電池(22)と前記不揮発性メモリ
(1)との間に介在するスイッチ(30)と、 前記第1の薄膜電池(21)の異常を検出し前記スイッ
チ(30)をオンにする電圧検出回路(29)とを備
え、 前記第2の薄膜電池(22)を同一平面上に偶数枚直列
に接続して配置して前記ICチップ(11)の前記第2
の電極(26,27)に電気的に接続し、前記第1の薄
膜電池(21)によって前記集積回路(5)および第2
の薄膜電池(22)を密閉状態として覆い、該第1の薄
膜電池(21)の表面側の電極(121a)をアルミ箔
(35)を介して前記第1の電極(24,25)の一方
(24)に接続したことを特徴とするICカード。
1. A non-volatile memory (1) in which information is stored.
An integrated circuit (5) including a first electrode (24, 2)
5), an IC chip (11) having second electrodes (26, 27), and the first electrodes (24, 2) of the IC chip (11).
5) connected to a first thin film battery (21) and a second thin film battery (2) for storing electrical energy for erasing information stored in the non-volatile memory (1).
2), a switch (30) interposed between the second thin film battery (22) and the non-volatile memory (1), and the switch (30) that detects an abnormality of the first thin film battery (21). 30) and a voltage detection circuit (29) for turning on the second thin film battery (22) connected in series on the same plane to arrange the second thin film batteries (22) of the IC chip (11).
Electrically connected to the electrodes (26, 27) of the integrated circuit (5) and the second thin film battery (21).
The thin film battery (22) of (1) is hermetically covered, and the electrode (121a) on the surface side of the first thin film battery (21) is connected to one of the first electrodes (24, 25) through an aluminum foil (35). An IC card characterized by being connected to (24).
【請求項2】 請求項1記載のICカードにおいて、 第1の薄膜電池(21)は、二つ折りされて集積回路
(5)および第2の薄膜電池(22)を密閉状態として
覆うことを特徴とするICカード。
2. The IC card according to claim 1, wherein the first thin film battery (21) is folded in two to form an integrated circuit.
An IC card characterized in that (5) and the second thin film battery (22) are covered in a sealed state.
【請求項3】 請求項1記載のICカードにおいて、 第1の薄膜電池(21)は二枚で、集積回路(5)およ
び第2の薄膜電池(22)を上下から密閉状態として覆
うことを特徴とするICカード。
3. The IC card according to claim 1, wherein the first thin film battery (21) has two pieces, and the integrated circuit (5) and the second thin film battery (22) are covered in a sealed state from above and below. The characteristic IC card.
【請求項4】 請求項3記載のICカードにおいて、 第1の薄膜電池(21)は略円形に形成され、第2の
膜電池(22)は扇状または半円形に形成されて同一平
面上に略円を形成するように偶数枚直列に接続して配置
されていることを特徴とするICカード。
4. The IC card according to claim 3, wherein the first thin film battery (21) is formed into a substantially circular shape, and the second thin film battery (21) is formed into a second thin battery.
An IC card characterized in that the membrane battery (22) is formed in a fan shape or a semicircular shape , and is arranged so as to be connected in series so as to form a substantially circle on the same plane.
【請求項5】 請求項1〜4のうちのいずれか1つに記
載のICカードにおいて、 第2の薄膜電池(22)の電気エネルギーを蓄えるコン
デンサ(28)を備えたことを特徴とするICカード。
5. The IC card according to claim 1, further comprising a capacitor (28) for storing electric energy of the second thin film battery (22). card.
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