JP3479422B2 - 利得制御型トランジスタ電力増幅器 - Google Patents
利得制御型トランジスタ電力増幅器Info
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0082—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using bipolar transistor-type devices
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、利得制御型トラン
ジスタ電力増幅器に係わり、特に、デジタルコードレス
電話器子機側の送受信ユニットに配置される送信用電力
増幅器の出力信号レベルを調整するのに好適な利得制御
型トランジスタ電力増幅器に関する。
ジスタ電力増幅器に係わり、特に、デジタルコードレス
電話器子機側の送受信ユニットに配置される送信用電力
増幅器の出力信号レベルを調整するのに好適な利得制御
型トランジスタ電力増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、デジタルコードレス電話機は、親
機と子機との間で同一周波数を用いた時分割による信号
送受信を行っているもので、特に、子機側においては、
親機からの信号の受信時に、受信信号レベルを表す受信
信号強度を検知し、信号の送信時に、検知した受信信号
強度に応じて送信電力増幅器の利得を制御して送信信号
レベルを制御し、この制御した信号を親機側に送信する
ようにしている。この場合、受信信号強度が増大したと
きは、送信電力増幅器の利得を低下させ、送信信号レベ
ルを低下させるように制御し、一方、受信信号強度が減
少したときは、送信電力増幅器の利得を増大させ、送信
信号レベルを増大させるようにし、子機を駆動する内蔵
電池の消耗をできるだけ少なくしている。
機と子機との間で同一周波数を用いた時分割による信号
送受信を行っているもので、特に、子機側においては、
親機からの信号の受信時に、受信信号レベルを表す受信
信号強度を検知し、信号の送信時に、検知した受信信号
強度に応じて送信電力増幅器の利得を制御して送信信号
レベルを制御し、この制御した信号を親機側に送信する
ようにしている。この場合、受信信号強度が増大したと
きは、送信電力増幅器の利得を低下させ、送信信号レベ
ルを低下させるように制御し、一方、受信信号強度が減
少したときは、送信電力増幅器の利得を増大させ、送信
信号レベルを増大させるようにし、子機を駆動する内蔵
電池の消耗をできるだけ少なくしている。
【０００３】この場合、前記既知のデジタルコードレス
電話機の子機は、いずれの構成部分も、トランジスタ等
の小型回路素子によって構成しているもので、送信電力
増幅器を構成するトランジスタ電力増幅器や周波数混合
器やフィルタ等からなる送信部と、受信増幅器を構成す
るトランジスタ受信増幅器や周波数混合器やフィルタ等
からなる受信部と、送受信切替器やフィルタや電圧制御
発振器（ＶＣＯ）を含む位相制御ループ（ＰＬＬ）等か
らなる送受信共通部とを備え、これらの送信部、受信
部、送受信共通部は、送受信ユニット（ＴＲユニット）
内に一体に配置構成される。
電話機の子機は、いずれの構成部分も、トランジスタ等
の小型回路素子によって構成しているもので、送信電力
増幅器を構成するトランジスタ電力増幅器や周波数混合
器やフィルタ等からなる送信部と、受信増幅器を構成す
るトランジスタ受信増幅器や周波数混合器やフィルタ等
からなる受信部と、送受信切替器やフィルタや電圧制御
発振器（ＶＣＯ）を含む位相制御ループ（ＰＬＬ）等か
らなる送受信共通部とを備え、これらの送信部、受信
部、送受信共通部は、送受信ユニット（ＴＲユニット）
内に一体に配置構成される。
【０００４】ここで、図４は、前記既知のデジタルコー
ドレス電話機の送信部に用いられる利得制御型トランジ
スタ電力増幅器の一例を示す回路図である。
ドレス電話機の送信部に用いられる利得制御型トランジ
スタ電力増幅器の一例を示す回路図である。
【０００５】図４に示されように、利得制御型トランジ
スタ電力増幅器は、エミッタ接地接続された前置増幅ト
ランジスタ４１と、同じくエミッタ接地接続された電力
増幅トランジスタ４２と、直列抵抗４３ａ、直列インダ
クター４３ｂ、分路コンデンサ４３ｃからなる入力フィ
ルタ回路４３と、第１及び第２結合コンデンサ４４、４
５と、直列接続されたインダクター４６ａ、抵抗４６ｂ
及び分路コンデンサ４６ｃからなる第１コレクタ負荷４
６と、直列インダクター４７ａ、分路コンデンサ４７ｂ
からなる段間フィルタ回路４７と、第３結合コンデンサ
４８と、直列インダクター４９ａ、分路コンデンサ４９
ｂからなる第２コレクタ負荷４９と、直列インダクター
５０ａ、分路コンデンサ５０ｂからなる出力フィルタ回
路５０と、第４結合コンデンサ５１と、直列抵抗５２
ａ、分路コンデンサ５２ｂからなる第１ベースバイアス
回路５２と、直列抵抗５３ａ、分路コンデンサ５３ｂか
らなる第２ベースバイアス回路５３と、信号入力端子５
４と、信号出力端子５５と、高電圧側電源端子５６と、
低電圧側電源端子５７と、利得制御電圧供給端子５８と
を具備している。
スタ電力増幅器は、エミッタ接地接続された前置増幅ト
ランジスタ４１と、同じくエミッタ接地接続された電力
増幅トランジスタ４２と、直列抵抗４３ａ、直列インダ
クター４３ｂ、分路コンデンサ４３ｃからなる入力フィ
ルタ回路４３と、第１及び第２結合コンデンサ４４、４
５と、直列接続されたインダクター４６ａ、抵抗４６ｂ
及び分路コンデンサ４６ｃからなる第１コレクタ負荷４
６と、直列インダクター４７ａ、分路コンデンサ４７ｂ
からなる段間フィルタ回路４７と、第３結合コンデンサ
４８と、直列インダクター４９ａ、分路コンデンサ４９
ｂからなる第２コレクタ負荷４９と、直列インダクター
５０ａ、分路コンデンサ５０ｂからなる出力フィルタ回
路５０と、第４結合コンデンサ５１と、直列抵抗５２
ａ、分路コンデンサ５２ｂからなる第１ベースバイアス
回路５２と、直列抵抗５３ａ、分路コンデンサ５３ｂか
らなる第２ベースバイアス回路５３と、信号入力端子５
４と、信号出力端子５５と、高電圧側電源端子５６と、
低電圧側電源端子５７と、利得制御電圧供給端子５８と
を具備している。
【０００６】そして、前置増幅トランジスタ４１は、ベ
ースが第２結合コンデンサ４５と入力フィルタ回路４３
と第１結合コンデンサ４４をそれぞれ介して信号入力端
子５４に接続されるとともに、第１ベースバイアス回路
５２を介して利得制御電圧供給端子５８に接続され、コ
レクタが第１コレクタ負荷４６を介して高電圧側電源端
子５６に接続されるとともに、段間フィルタ回路４７と
第３結合コンデンサ４８をそれぞれ介して電力増幅トラ
ンジスタ４２のベースに接続される。電力増幅トランジ
スタ４２は、ベースが第２ベースバイアス回路５３を介
して低電圧側電源端子５７に接続され、コレクタが第２
コレクタ負荷４９を介して高電圧側電源端子５６に接続
されるとともに、出力フィルタ回路５０と第４結合コン
デンサ５１をそれぞれ介して信号出力端子５５に接続さ
れる。
ースが第２結合コンデンサ４５と入力フィルタ回路４３
と第１結合コンデンサ４４をそれぞれ介して信号入力端
子５４に接続されるとともに、第１ベースバイアス回路
５２を介して利得制御電圧供給端子５８に接続され、コ
レクタが第１コレクタ負荷４６を介して高電圧側電源端
子５６に接続されるとともに、段間フィルタ回路４７と
第３結合コンデンサ４８をそれぞれ介して電力増幅トラ
ンジスタ４２のベースに接続される。電力増幅トランジ
スタ４２は、ベースが第２ベースバイアス回路５３を介
して低電圧側電源端子５７に接続され、コレクタが第２
コレクタ負荷４９を介して高電圧側電源端子５６に接続
されるとともに、出力フィルタ回路５０と第４結合コン
デンサ５１をそれぞれ介して信号出力端子５５に接続さ
れる。
【０００７】この場合、信号入力端子５４には増幅すべ
き無線周波数波信号（以下、これをＲＦ信号という）が
供給され、信号出力端子５５から増幅されたＲＦ信号が
出力される。高電圧側電源端子５６には比較的高い電源
電圧が供給され、低電圧側電源端子５７には比較的低い
電源電圧が供給される。利得制御電圧供給端子５８に
は、受信信号強度に応じて変化する利得制御電圧が供給
され、利得制御電圧の変化範囲は、例えば、０Ｖ乃至
１．５Ｖである。
き無線周波数波信号（以下、これをＲＦ信号という）が
供給され、信号出力端子５５から増幅されたＲＦ信号が
出力される。高電圧側電源端子５６には比較的高い電源
電圧が供給され、低電圧側電源端子５７には比較的低い
電源電圧が供給される。利得制御電圧供給端子５８に
は、受信信号強度に応じて変化する利得制御電圧が供給
され、利得制御電圧の変化範囲は、例えば、０Ｖ乃至
１．５Ｖである。
【０００８】前記構成による利得制御型トランジスタ電
力増幅器は、次のように動作する。
力増幅器は、次のように動作する。
【０００９】信号入力端子５４に加えられた増幅すべき
ＲＦ信号は、第１結合コンデンサ４４、入力フィルタ回
路４３、第２結合コンデンサ４５をそれぞれ介して前置
増幅トランジスタ４１のベースに供給され、前置増幅ト
ランジスタ４１で前置増幅され、そのコレクタから出力
される。このとき、前置増幅トランジスタ４１の増幅利
得は、利得制御電圧供給端子５８に加えられる利得制御
電圧の大きさに依存した可変利得になる。次いで、前置
増幅トランジスタ４１で前置増幅されたＲＦ信号は、段
間フィルタ回路４７、第３結合コンデンサ４８をそれぞ
れ介して電力増幅トランジスタ４２のベースに供給さ
れ、電力増幅トランジスタ４２で電力増幅され、そのコ
レクタから出力される。この場合、電力増幅トランジス
タ４２の増幅利得は、低電圧側電源端子５７に加えられ
る電源電圧に依存した固定利得になる。続いて、電力増
幅トランジスタ４２で電力増幅されたＲＦ信号は、出力
フィルタ回路５０、第４結合コンデンサ５１をそれぞれ
介して信号出力端子５５に供給され、信号出力端子５５
から信号送受切替器（図示なし）等を経てアンテナ（同
じく図示なし）に供給され、送信される。
ＲＦ信号は、第１結合コンデンサ４４、入力フィルタ回
路４３、第２結合コンデンサ４５をそれぞれ介して前置
増幅トランジスタ４１のベースに供給され、前置増幅ト
ランジスタ４１で前置増幅され、そのコレクタから出力
される。このとき、前置増幅トランジスタ４１の増幅利
得は、利得制御電圧供給端子５８に加えられる利得制御
電圧の大きさに依存した可変利得になる。次いで、前置
増幅トランジスタ４１で前置増幅されたＲＦ信号は、段
間フィルタ回路４７、第３結合コンデンサ４８をそれぞ
れ介して電力増幅トランジスタ４２のベースに供給さ
れ、電力増幅トランジスタ４２で電力増幅され、そのコ
レクタから出力される。この場合、電力増幅トランジス
タ４２の増幅利得は、低電圧側電源端子５７に加えられ
る電源電圧に依存した固定利得になる。続いて、電力増
幅トランジスタ４２で電力増幅されたＲＦ信号は、出力
フィルタ回路５０、第４結合コンデンサ５１をそれぞれ
介して信号出力端子５５に供給され、信号出力端子５５
から信号送受切替器（図示なし）等を経てアンテナ（同
じく図示なし）に供給され、送信される。
【００１０】ところで、この既知の利得制御型トランジ
スタ電力増幅器におけるＲＦ信号の増幅利得、即ち、信
号出力端子５５から出力されるＲＦ信号レベルは、利得
制御電圧供給端子５８に加えられる利得制御電圧の大き
さに依存する。この場合、利得制御電圧は、デジタルコ
ードレス電話機の受信部で受信された受信信号レベル
（受信信号強度）に応じて変化するもので、受信信号強
度が大きいときに、利得制御電圧は小さくなり、一方、
受信信号強度が小さいときに、利得制御電圧は大きくな
り、その変化範囲は、０乃至１．５Ｖの範囲内になる。
スタ電力増幅器におけるＲＦ信号の増幅利得、即ち、信
号出力端子５５から出力されるＲＦ信号レベルは、利得
制御電圧供給端子５８に加えられる利得制御電圧の大き
さに依存する。この場合、利得制御電圧は、デジタルコ
ードレス電話機の受信部で受信された受信信号レベル
（受信信号強度）に応じて変化するもので、受信信号強
度が大きいときに、利得制御電圧は小さくなり、一方、
受信信号強度が小さいときに、利得制御電圧は大きくな
り、その変化範囲は、０乃至１．５Ｖの範囲内になる。
【００１１】ここで、図２は、利得制御型トランジスタ
電力増幅器における利得制御電圧とＲＦ信号出力レベル
との関係の一例を示す特性図であり、また、図３は、利
得制御型トランジスタ電力増幅器における利得制御電圧
と前置増幅トランジスタのベース電圧との関係の一例を
示す特性図である。
電力増幅器における利得制御電圧とＲＦ信号出力レベル
との関係の一例を示す特性図であり、また、図３は、利
得制御型トランジスタ電力増幅器における利得制御電圧
と前置増幅トランジスタのベース電圧との関係の一例を
示す特性図である。
【００１２】図２において、横軸は利得制御電圧供給端
子に加えられる利得制御電圧（Ｖ）であり、縦軸は信号
出力端子から出力されるＲＦ信号出力レベル（ｄＢｍ）
である。
子に加えられる利得制御電圧（Ｖ）であり、縦軸は信号
出力端子から出力されるＲＦ信号出力レベル（ｄＢｍ）
である。
【００１３】また、図３において、横軸は利得制御電圧
供給端子に加えられる利得制御電圧（Ｖ）であり、縦軸
は前置増幅トランジスタのベース電圧（Ｖ）である。
供給端子に加えられる利得制御電圧（Ｖ）であり、縦軸
は前置増幅トランジスタのベース電圧（Ｖ）である。
【００１４】前記既知の利得制御型トランジスタ電力増
幅器においては、まず、利得制御電圧供給端子５８に加
えられる利得制御電圧が０乃至０．５Ｖの間のとき、図
３の曲線Ｂに示されるように、前置増幅トランジスタ４
１のベース電圧がトランジスタ４１のベース・エミッタ
間接合電圧（Ｖｂｅ≒０．６Ｖ）に達しないため、前置
増幅トランジスタ４１はカットオフ状態になっていて、
図２の曲線Ｂに示されるように、ＲＦ信号は出力されな
い。
幅器においては、まず、利得制御電圧供給端子５８に加
えられる利得制御電圧が０乃至０．５Ｖの間のとき、図
３の曲線Ｂに示されるように、前置増幅トランジスタ４
１のベース電圧がトランジスタ４１のベース・エミッタ
間接合電圧（Ｖｂｅ≒０．６Ｖ）に達しないため、前置
増幅トランジスタ４１はカットオフ状態になっていて、
図２の曲線Ｂに示されるように、ＲＦ信号は出力されな
い。
【００１５】次いで、利得制御電圧供給端子５８に加え
られる利得制御電圧が０．５Ｖを超えると、図３の曲線
Ｂに示されるように、前置増幅トランジスタ４１のベー
ス電圧は利得制御電圧の増大に伴って順次増大し、それ
に伴って、図２の曲線Ｂに示されるように、ＲＦ信号の
出力レベルは急増するようになる。
られる利得制御電圧が０．５Ｖを超えると、図３の曲線
Ｂに示されるように、前置増幅トランジスタ４１のベー
ス電圧は利得制御電圧の増大に伴って順次増大し、それ
に伴って、図２の曲線Ｂに示されるように、ＲＦ信号の
出力レベルは急増するようになる。
【００１６】このとき、利得制御電圧供給端子５８に加
えられる利得制御電圧が０．８Ｖ程度にまで増大する
と、図３の曲線Ｂに示されるように、前置増幅トランジ
スタ４１のベース電圧は利得制御電圧の増大に伴って順
次増大するものの、図２の曲線Ｂに示されるように、Ｒ
Ｆ信号の出力レベルはそれまでの急増状態が鈍り、利得
制御電圧が０．８Ｖを超えた段階において、その後の利
得制御電圧の増大に対してＲＦ信号の出力レベルが飽和
するようになる。
えられる利得制御電圧が０．８Ｖ程度にまで増大する
と、図３の曲線Ｂに示されるように、前置増幅トランジ
スタ４１のベース電圧は利得制御電圧の増大に伴って順
次増大するものの、図２の曲線Ｂに示されるように、Ｒ
Ｆ信号の出力レベルはそれまでの急増状態が鈍り、利得
制御電圧が０．８Ｖを超えた段階において、その後の利
得制御電圧の増大に対してＲＦ信号の出力レベルが飽和
するようになる。
【００１７】さらに、利得制御電圧供給端子５８に加え
られる利得制御電圧が１．０Ｖを超えるようになると、
図３の曲線Ｂに示されるように、前置増幅トランジスタ
４１のベース電圧が利得制御電圧の増大に伴って依然と
して順次増大するものの、図２の曲線Ｂに示されるよう
に、ＲＦ信号の出力レベルはそれまでの飽和状態から逆
に減少するようになり、しかも、その減少の度合いもか
なり急なものになる。
られる利得制御電圧が１．０Ｖを超えるようになると、
図３の曲線Ｂに示されるように、前置増幅トランジスタ
４１のベース電圧が利得制御電圧の増大に伴って依然と
して順次増大するものの、図２の曲線Ｂに示されるよう
に、ＲＦ信号の出力レベルはそれまでの飽和状態から逆
に減少するようになり、しかも、その減少の度合いもか
なり急なものになる。
【００１８】その後、利得制御電圧供給端子５８に加え
られる利得制御電圧が１．３Ｖ程度にまで増大すると、
図３の曲線Ｂに示されるように、前置増幅トランジスタ
４１のベース電圧は利得制御電圧の増大に伴ってあまり
増大しない飽和状態に近づくが、図２の曲線Ｂに示され
るように、ＲＦ信号の出力レベルは利得制御電圧に係り
なく、ほぼゼロになる。
られる利得制御電圧が１．３Ｖ程度にまで増大すると、
図３の曲線Ｂに示されるように、前置増幅トランジスタ
４１のベース電圧は利得制御電圧の増大に伴ってあまり
増大しない飽和状態に近づくが、図２の曲線Ｂに示され
るように、ＲＦ信号の出力レベルは利得制御電圧に係り
なく、ほぼゼロになる。
【００１９】このように、前記既知の利得制御型トラン
ジスタ電力増幅器は、利得制御電圧供給端子５８に加え
られる利得制御電圧が０．５乃至０．８Ｖの範囲内にお
いて、ＲＦ信号の出力レベルを−１０乃至＋２０ｄＢｍ
の範囲内で制御を行うことができる。
ジスタ電力増幅器は、利得制御電圧供給端子５８に加え
られる利得制御電圧が０．５乃至０．８Ｖの範囲内にお
いて、ＲＦ信号の出力レベルを−１０乃至＋２０ｄＢｍ
の範囲内で制御を行うことができる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】前記既知の利得制御型
トランジスタ電力増幅器は、利得制御電圧供給端子５８
に利得制御電圧を供給する制御用集積回路（ＩＣ）の出
力インピーダンスが比較的高いため、前置増幅トランジ
スタ４１のベースに供給する利得制御電圧に基づいたベ
ースバイアス電流を大きくすることができない、例え
ば、最大でも約１ｍＡ程度であるため、前置増幅トラン
ジスタ４１の利得を大きくすることができないもので、
そのために、利得制御電圧供給端子５８に加えられる利
得制御電圧が０．５乃至０．８Ｖの範囲内においての
み、ＲＦ信号の出力レベルを制御を行うことができるよ
うになり、ＲＦ信号の出力レベルを制御できる利得制御
電圧の変化範囲が狭く、その上に、利得制御電圧の変化
に対するＲＦ信号の出力レベルの変化の直線性が良好で
ないという問題がある。
トランジスタ電力増幅器は、利得制御電圧供給端子５８
に利得制御電圧を供給する制御用集積回路（ＩＣ）の出
力インピーダンスが比較的高いため、前置増幅トランジ
スタ４１のベースに供給する利得制御電圧に基づいたベ
ースバイアス電流を大きくすることができない、例え
ば、最大でも約１ｍＡ程度であるため、前置増幅トラン
ジスタ４１の利得を大きくすることができないもので、
そのために、利得制御電圧供給端子５８に加えられる利
得制御電圧が０．５乃至０．８Ｖの範囲内においての
み、ＲＦ信号の出力レベルを制御を行うことができるよ
うになり、ＲＦ信号の出力レベルを制御できる利得制御
電圧の変化範囲が狭く、その上に、利得制御電圧の変化
に対するＲＦ信号の出力レベルの変化の直線性が良好で
ないという問題がある。
【００２１】この他にも、前記既知の利得制御型トラン
ジスタ電力増幅器は、利得制御電圧によって前置増幅ト
ランジスタ４１の利得を変化させる代わりに、電力増幅
トランジスタ４２の利得を変化させる制御手段を採用す
ること、または、利得制御電圧によって前置増幅トラン
ジスタ４１の利得と電力増幅トランジスタ４２の利得と
を合わせて変化させる制御手段を採用することも考えら
れるが、前者の制御手段を採用すると、利得制御時にＲ
Ｆ信号の歪率が増大し、スプリアス成分が増えるという
問題があり、また、後者の制御手段を採用すると、前置
増幅トランジスタ４１の利得と電力増幅トランジスタ４
２の利得との間に差があったとき、利得制御を行う回路
構成が複雑になるという問題がある。
ジスタ電力増幅器は、利得制御電圧によって前置増幅ト
ランジスタ４１の利得を変化させる代わりに、電力増幅
トランジスタ４２の利得を変化させる制御手段を採用す
ること、または、利得制御電圧によって前置増幅トラン
ジスタ４１の利得と電力増幅トランジスタ４２の利得と
を合わせて変化させる制御手段を採用することも考えら
れるが、前者の制御手段を採用すると、利得制御時にＲ
Ｆ信号の歪率が増大し、スプリアス成分が増えるという
問題があり、また、後者の制御手段を採用すると、前置
増幅トランジスタ４１の利得と電力増幅トランジスタ４
２の利得との間に差があったとき、利得制御を行う回路
構成が複雑になるという問題がある。
【００２２】本発明は、これらの問題点を解決するもの
で、その目的は、ＲＦ信号の出力レベルを制御できる利
得制御電圧の変化範囲を拡大し、良好な直線性を示す状
態で利得制御を行う利得制御型トランジスタ電力増幅器
を提供することにある。
で、その目的は、ＲＦ信号の出力レベルを制御できる利
得制御電圧の変化範囲を拡大し、良好な直線性を示す状
態で利得制御を行う利得制御型トランジスタ電力増幅器
を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の利得制御型トランジスタ電力増幅器は、ベ
ースに第１の分圧抵抗により設定された第１バイアス電
圧及び信号が供給される増幅用トランジスタと、ベース
に第２の分圧抵抗により設定された第２バイアス電圧及
び利得制御電圧が供給される制御用トランジスタと、前
記制御用トランジスタのエミッタ抵抗からの導出電圧を
利得制御電圧として前記増幅用トランジスタのベースに
供給する接続手段を備え、前記第１の分圧抵抗の抵抗
値、前記第２の分圧抵抗の抵抗値及び前記エミッタ抵抗
の抵抗値をそれぞれ選択して、前記制御用トランジスタ
に利得制御電圧が供給されないとき、前記第１バイアス
電圧と前記制御用トランジスタのエミッタ抵抗からの導
出電圧とが略等しくなるように設定している手段を具備
する。
に、本発明の利得制御型トランジスタ電力増幅器は、ベ
ースに第１の分圧抵抗により設定された第１バイアス電
圧及び信号が供給される増幅用トランジスタと、ベース
に第２の分圧抵抗により設定された第２バイアス電圧及
び利得制御電圧が供給される制御用トランジスタと、前
記制御用トランジスタのエミッタ抵抗からの導出電圧を
利得制御電圧として前記増幅用トランジスタのベースに
供給する接続手段を備え、前記第１の分圧抵抗の抵抗
値、前記第２の分圧抵抗の抵抗値及び前記エミッタ抵抗
の抵抗値をそれぞれ選択して、前記制御用トランジスタ
に利得制御電圧が供給されないとき、前記第１バイアス
電圧と前記制御用トランジスタのエミッタ抵抗からの導
出電圧とが略等しくなるように設定している手段を具備
する。
【００２４】前記手段によれば、増幅用トランジスタの
ベースには、低出力インピーダンス特性を有するエミッ
タフォロワ接続の制御用トランジスタのエミッタから利
得制御電圧が供給され、それによって比較的大きなベー
スバイアス電流を供給することができるだけでなく、供
給される利得制御電圧の最低電圧を制御用トランジスタ
のエミッタ電圧によって設定することができるので、利
得制御電圧の変化範囲のほぼ全域にわたり、ＲＦ信号の
出力レベルを制御することが可能になり、利得制御電圧
の変化に対するＲＦ信号の出力レベルの変化を緩やかに
し、変化時の直線性を良好にすることができる。
ベースには、低出力インピーダンス特性を有するエミッ
タフォロワ接続の制御用トランジスタのエミッタから利
得制御電圧が供給され、それによって比較的大きなベー
スバイアス電流を供給することができるだけでなく、供
給される利得制御電圧の最低電圧を制御用トランジスタ
のエミッタ電圧によって設定することができるので、利
得制御電圧の変化範囲のほぼ全域にわたり、ＲＦ信号の
出力レベルを制御することが可能になり、利得制御電圧
の変化に対するＲＦ信号の出力レベルの変化を緩やかに
し、変化時の直線性を良好にすることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態において、利
得制御型トランジスタ電力増幅器は、ベースにバイアス
電圧及び信号が供給される増幅用トランジスタと、ベー
スに利得制御電圧が供給される制御用トランジスタとを
備え、制御用トランジスタのエミッタから取り出した利
得制御電圧を増幅用トランジスタのベースに供給し、供
給した利得制御電圧によってバイアス電圧を変化させ、
増幅用トランジスタの利得を制御するものである。
得制御型トランジスタ電力増幅器は、ベースにバイアス
電圧及び信号が供給される増幅用トランジスタと、ベー
スに利得制御電圧が供給される制御用トランジスタとを
備え、制御用トランジスタのエミッタから取り出した利
得制御電圧を増幅用トランジスタのベースに供給し、供
給した利得制御電圧によってバイアス電圧を変化させ、
増幅用トランジスタの利得を制御するものである。
【００２６】本発明の実施の形態の好適例において、制
御用トランジスタのエミッタは、抵抗を介して増幅用ト
ランジスタのベースに接続されている。
御用トランジスタのエミッタは、抵抗を介して増幅用ト
ランジスタのベースに接続されている。
【００２７】かかる本発明の実施の形態によれば、増幅
用トランジスタのベースには、低出力インピーダンス特
性を有するエミッタフォロワ接続の制御トランジスタの
エミッタから利得制御電圧を供給しており、それによっ
て利得制御電圧に基づいた比較的大きなベースバイアス
電流の供給が可能になるとともに、供給される利得制御
電圧の最低電圧を制御トランジスタのエミッタ電圧によ
って設定することが可能になることから、利得制御電圧
の変化範囲のほぼ全域、即ち、最低電圧から最高電圧に
至る範囲にわたって、利得制御電圧の大きさに対応した
ＲＦ信号の出力レベルの制御を行うことが可能になる。
そして、利得制御電圧の変化範囲のほぼ全域にわたって
ＲＦ信号の出力レベルの制御を行っていることから、利
得制御電圧の変化に対するＲＦ信号の出力レベルの変化
が緩やかになり、ＲＦ信号の出力レベルの変化時の直線
性が良好になる。
用トランジスタのベースには、低出力インピーダンス特
性を有するエミッタフォロワ接続の制御トランジスタの
エミッタから利得制御電圧を供給しており、それによっ
て利得制御電圧に基づいた比較的大きなベースバイアス
電流の供給が可能になるとともに、供給される利得制御
電圧の最低電圧を制御トランジスタのエミッタ電圧によ
って設定することが可能になることから、利得制御電圧
の変化範囲のほぼ全域、即ち、最低電圧から最高電圧に
至る範囲にわたって、利得制御電圧の大きさに対応した
ＲＦ信号の出力レベルの制御を行うことが可能になる。
そして、利得制御電圧の変化範囲のほぼ全域にわたって
ＲＦ信号の出力レベルの制御を行っていることから、利
得制御電圧の変化に対するＲＦ信号の出力レベルの変化
が緩やかになり、ＲＦ信号の出力レベルの変化時の直線
性が良好になる。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００２９】図１は、本発明による利得制御型トランジ
スタ電力増幅器の一実施例を示す回路図であって、利得
制御型トランジスタ電力増幅器がデジタルコードレス電
話機の送受信ユニットに配置される送信用電力増幅器で
ある例を示している。
スタ電力増幅器の一実施例を示す回路図であって、利得
制御型トランジスタ電力増幅器がデジタルコードレス電
話機の送受信ユニットに配置される送信用電力増幅器で
ある例を示している。
【００３０】図１に示されるように、利得制御型トラン
ジスタ電力増幅器は、エミッタ接地接続された前置増幅
トランジスタ（請求項における増幅用トランジスタ）１
と、同じくエミッタ接地接続された電力増幅トランジス
タ２と、エミッタフォロワ接続された制御トランジスタ
（請求項における制御用トランジスタ）３と、直列抵抗
４ａ、直列インダクター４ｂ、分路コンデンサ４ｃから
なる入力フィルタ回路４と、第１及び第２結合コンデン
サ５、６と、ベースバイアス抵抗７ａ、７ｂによって分
圧電圧（請求項における第１バイアス電圧）を形成する
第１ベースバイアス回路７と、直列接続されたインダク
ター８ａ、抵抗８ｂ及び分路コンデンサ８ｃからなる第
１コレクタ負荷８と、直列インダクター９ａ、分路コン
デンサ９ｂからなる段間フィルタ回路９と、第３結合コ
ンデンサ１０と、直列インダクター１１ａ、分路コンデ
ンサ１１ｂからなる第２コレクタ負荷１１と、直列抵抗
１２ａ、分路コンデンサ１２ｂからなる第２ベースバイ
アス回路１２と、直列インダクター１３ａ、分路コンデ
ンサ１３ｂからなる出力フィルタ回路１３と、第４結合
コンデンサ１４と、直列抵抗１５ａ、分路コンデンサ１
５ｂからなる第３ベースバイアス回路１５と、ベースバ
イアス抵抗１６ａ、１６ｂ、側路コンデンサ１６ｃから
なり、ベースバイアス抵抗１６ａ、１６ｂによって分圧
電圧（請求項における第２バイアス電圧）を形成する第
４ベースバイアス回路１６と、エミッタ抵抗１７ａ、エ
ミッタ側路コンデンサ１７ｂからなるエミッタ負荷１７
と、信号入力端子１８と、信号出力端子１９と、高電圧
側電源端子２０と、低電圧側電源端子２１と、利得制御
電圧供給端子２２とを具備している。
ジスタ電力増幅器は、エミッタ接地接続された前置増幅
トランジスタ（請求項における増幅用トランジスタ）１
と、同じくエミッタ接地接続された電力増幅トランジス
タ２と、エミッタフォロワ接続された制御トランジスタ
（請求項における制御用トランジスタ）３と、直列抵抗
４ａ、直列インダクター４ｂ、分路コンデンサ４ｃから
なる入力フィルタ回路４と、第１及び第２結合コンデン
サ５、６と、ベースバイアス抵抗７ａ、７ｂによって分
圧電圧（請求項における第１バイアス電圧）を形成する
第１ベースバイアス回路７と、直列接続されたインダク
ター８ａ、抵抗８ｂ及び分路コンデンサ８ｃからなる第
１コレクタ負荷８と、直列インダクター９ａ、分路コン
デンサ９ｂからなる段間フィルタ回路９と、第３結合コ
ンデンサ１０と、直列インダクター１１ａ、分路コンデ
ンサ１１ｂからなる第２コレクタ負荷１１と、直列抵抗
１２ａ、分路コンデンサ１２ｂからなる第２ベースバイ
アス回路１２と、直列インダクター１３ａ、分路コンデ
ンサ１３ｂからなる出力フィルタ回路１３と、第４結合
コンデンサ１４と、直列抵抗１５ａ、分路コンデンサ１
５ｂからなる第３ベースバイアス回路１５と、ベースバ
イアス抵抗１６ａ、１６ｂ、側路コンデンサ１６ｃから
なり、ベースバイアス抵抗１６ａ、１６ｂによって分圧
電圧（請求項における第２バイアス電圧）を形成する第
４ベースバイアス回路１６と、エミッタ抵抗１７ａ、エ
ミッタ側路コンデンサ１７ｂからなるエミッタ負荷１７
と、信号入力端子１８と、信号出力端子１９と、高電圧
側電源端子２０と、低電圧側電源端子２１と、利得制御
電圧供給端子２２とを具備している。
【００３１】そして、前置増幅トランジスタ１のベース
は、第２結合コンデンサ６と入力フィルタ回路４と第１
結合コンデンサ５をそれぞれ介して信号入力端子１８に
接続され、同時に、第３ベースバイアス回路１５を介し
て制御トランジスタ３のエミッタに接続され、第１ベー
スバイアス回路７を介して低電圧側電源端子２１に接続
される。前置増幅トランジスタ１のコレクタは、第１コ
レクタ負荷８を介して高電圧側電源端子２０に接続され
るとともに、段間フィルタ回路９と第３結合コンデンサ
１０をそれぞれ介して電力増幅トランジスタ２のベース
に接続される。電力増幅トランジスタ２は、ベースが第
２ベースバイアス回路１２を介して低電圧側電源端子２
１に接続され、コレクタが第２コレクタ負荷１１を介し
て高電圧側電源端子２０に接続されるとともに、出力フ
ィルタ回路１３、第４結合コンデンサ１４をそれぞれ介
して信号出力端子１９に接続される。また、制御トラン
ジスタ３は、ベースが利得制御電圧供給端子２２に接続
されるとともに、第４ベースバイアス回路１６を介して
低電圧側電源端子２１に接続され、コレクタが低電圧側
電源端子２１に直接接続され、エミッタがエミッタ負荷
１７を介して接地接続される。
は、第２結合コンデンサ６と入力フィルタ回路４と第１
結合コンデンサ５をそれぞれ介して信号入力端子１８に
接続され、同時に、第３ベースバイアス回路１５を介し
て制御トランジスタ３のエミッタに接続され、第１ベー
スバイアス回路７を介して低電圧側電源端子２１に接続
される。前置増幅トランジスタ１のコレクタは、第１コ
レクタ負荷８を介して高電圧側電源端子２０に接続され
るとともに、段間フィルタ回路９と第３結合コンデンサ
１０をそれぞれ介して電力増幅トランジスタ２のベース
に接続される。電力増幅トランジスタ２は、ベースが第
２ベースバイアス回路１２を介して低電圧側電源端子２
１に接続され、コレクタが第２コレクタ負荷１１を介し
て高電圧側電源端子２０に接続されるとともに、出力フ
ィルタ回路１３、第４結合コンデンサ１４をそれぞれ介
して信号出力端子１９に接続される。また、制御トラン
ジスタ３は、ベースが利得制御電圧供給端子２２に接続
されるとともに、第４ベースバイアス回路１６を介して
低電圧側電源端子２１に接続され、コレクタが低電圧側
電源端子２１に直接接続され、エミッタがエミッタ負荷
１７を介して接地接続される。
【００３２】この場合、信号入力端子１８には増幅すべ
き無線周波数波信号（ＲＦ信号）が供給され、信号出力
端子１９から増幅されたＲＦ信号が出力される。高電圧
側電源端子２０には比較的高い電源電圧が供給され、低
電圧側電源端子２１には比較的低い電源電圧が供給され
る。利得制御電圧供給端子２２には、受信信号強度に応
じて変化する利得制御電圧が供給され、利得制御電圧の
変化範囲は、例えば、０乃至１．５Ｖの範囲である。
き無線周波数波信号（ＲＦ信号）が供給され、信号出力
端子１９から増幅されたＲＦ信号が出力される。高電圧
側電源端子２０には比較的高い電源電圧が供給され、低
電圧側電源端子２１には比較的低い電源電圧が供給され
る。利得制御電圧供給端子２２には、受信信号強度に応
じて変化する利得制御電圧が供給され、利得制御電圧の
変化範囲は、例えば、０乃至１．５Ｖの範囲である。
【００３３】さらに、第１ベースバイアス回路７を構成
するベースバイアス抵抗７ａ、７ｂの各抵抗値、第４ベ
ースバイアス回路１６を構成するベースバイアス抵抗１
６ａ、１６ｂの各抵抗値、及び、エミッタ負荷１７を構
成するエミッタ抵抗１７ａの抵抗値をそれぞれ選び、利
得制御電圧供給端子２２に利得制御電圧が供給されない
ときの前置増幅トランジスタ１のベースバイアス電圧
を、同じく利得制御電圧が供給されないときの制御トラ
ンジスタ３のエミッタ電圧にほぼ等しくなるように設定
する。
するベースバイアス抵抗７ａ、７ｂの各抵抗値、第４ベ
ースバイアス回路１６を構成するベースバイアス抵抗１
６ａ、１６ｂの各抵抗値、及び、エミッタ負荷１７を構
成するエミッタ抵抗１７ａの抵抗値をそれぞれ選び、利
得制御電圧供給端子２２に利得制御電圧が供給されない
ときの前置増幅トランジスタ１のベースバイアス電圧
を、同じく利得制御電圧が供給されないときの制御トラ
ンジスタ３のエミッタ電圧にほぼ等しくなるように設定
する。
【００３４】前記構成による本実施例の利得制御型トラ
ンジスタ電力増幅器は、次のように動作する。
ンジスタ電力増幅器は、次のように動作する。
【００３５】信号入力端子１８に加えられた増幅すべき
ＲＦ信号は、第１結合コンデンサ５、入力フィルタ回路
４、第２結合コンデンサ６をそれぞれ介して前置増幅ト
ランジスタ１のベースに供給され、前置増幅トランジス
タ１で前置増幅された後、そのコレクタから出力され
る。このときの前置増幅トランジスタ１の増幅利得は、
利得制御電圧供給端子２２に加えられ、制御トランジス
タ３を介してベースに供給される利得制御電圧の大きさ
に依存した可変利得になる。次いで、前置増幅トランジ
スタ１で前置増幅されたＲＦ信号は、段間フィルタ回路
９、第３結合コンデンサ１０をそれぞれ介して電力増幅
トランジスタ２のベースに供給され、電力増幅トランジ
スタ２で電力増幅されてそのコレクタから出力される。
この場合の電力増幅トランジスタ２の増幅利得は、低電
圧側電源端子２１に加えられる電源電圧に依存した固定
利得になる。続いて、電力増幅トランジスタ２で電力増
幅されたＲＦ信号は、出力フィルタ回路１３、第４結合
コンデンサ１４をそれぞれ介して信号出力端子１９に供
給され、信号出力端子１９から図示されていない信号送
受切替器等を経て同じく図示されていないアンテナに供
給され、そこから送信される。
ＲＦ信号は、第１結合コンデンサ５、入力フィルタ回路
４、第２結合コンデンサ６をそれぞれ介して前置増幅ト
ランジスタ１のベースに供給され、前置増幅トランジス
タ１で前置増幅された後、そのコレクタから出力され
る。このときの前置増幅トランジスタ１の増幅利得は、
利得制御電圧供給端子２２に加えられ、制御トランジス
タ３を介してベースに供給される利得制御電圧の大きさ
に依存した可変利得になる。次いで、前置増幅トランジ
スタ１で前置増幅されたＲＦ信号は、段間フィルタ回路
９、第３結合コンデンサ１０をそれぞれ介して電力増幅
トランジスタ２のベースに供給され、電力増幅トランジ
スタ２で電力増幅されてそのコレクタから出力される。
この場合の電力増幅トランジスタ２の増幅利得は、低電
圧側電源端子２１に加えられる電源電圧に依存した固定
利得になる。続いて、電力増幅トランジスタ２で電力増
幅されたＲＦ信号は、出力フィルタ回路１３、第４結合
コンデンサ１４をそれぞれ介して信号出力端子１９に供
給され、信号出力端子１９から図示されていない信号送
受切替器等を経て同じく図示されていないアンテナに供
給され、そこから送信される。
【００３６】このとき、利得制御電圧供給端子２２に加
えられた利得制御電圧は、制御トランジスタ３に供給さ
れ、そこで増幅されてエミッタから出力された後、第３
ベースバイアス回路１５を介して前置増幅トランジスタ
１のベースに供給される。前置増幅トランジスタ１のベ
ースに供給された利得制御電圧は、第１ベースバイアス
回路７によって設定したベースバイアス電圧を、利得制
御電圧の大きさに対応して変化し、それによって前置増
幅トランジスタ１の利得を変化させる。なお、本実施例
においても、利得制御電圧は、デジタルコードレス電話
機の受信部で受信された受信信号レベル（受信信号強
度）に応じて変化するもので、受信信号強度が大きいと
きに、利得制御電圧は小さくなり、一方、受信信号強度
が小さいときに、利得制御電圧は大きくなり、その変化
範囲は、０乃至１．５Ｖの範囲内になるものであり、利
得制御電圧が０乃至１．５Ｖの範囲内で変化したとき、
ＲＦ信号の出力レベルは、次のように変化する。
えられた利得制御電圧は、制御トランジスタ３に供給さ
れ、そこで増幅されてエミッタから出力された後、第３
ベースバイアス回路１５を介して前置増幅トランジスタ
１のベースに供給される。前置増幅トランジスタ１のベ
ースに供給された利得制御電圧は、第１ベースバイアス
回路７によって設定したベースバイアス電圧を、利得制
御電圧の大きさに対応して変化し、それによって前置増
幅トランジスタ１の利得を変化させる。なお、本実施例
においても、利得制御電圧は、デジタルコードレス電話
機の受信部で受信された受信信号レベル（受信信号強
度）に応じて変化するもので、受信信号強度が大きいと
きに、利得制御電圧は小さくなり、一方、受信信号強度
が小さいときに、利得制御電圧は大きくなり、その変化
範囲は、０乃至１．５Ｖの範囲内になるものであり、利
得制御電圧が０乃至１．５Ｖの範囲内で変化したとき、
ＲＦ信号の出力レベルは、次のように変化する。
【００３７】まず、利得制御電圧供給端子２２に加えら
れる利得制御電圧が０乃至０．３Ｖの間のときは、利得
制御電圧と第４ベースバイアス回路１６で設定されたベ
ースバイアス電圧との和が制御トランジスタ３の設定さ
れたエミッタ電圧に制御トランジスタ３のベース・エミ
ッタ接合電圧（Ｖｂｅ）を加えた電圧に達しないので、
図３の曲線Ａに示されるように、前置増幅トランジスタ
１のベース電圧は０．２５Ｖ程度に抑えられ、それによ
り前置増幅トランジスタ１は準カットオフ状態になって
いて、図２の曲線Ａに示されるように、信号出力端子１
９から−１０ｄＢｍ程度のレベルのＲＦ信号が出力され
る。
れる利得制御電圧が０乃至０．３Ｖの間のときは、利得
制御電圧と第４ベースバイアス回路１６で設定されたベ
ースバイアス電圧との和が制御トランジスタ３の設定さ
れたエミッタ電圧に制御トランジスタ３のベース・エミ
ッタ接合電圧（Ｖｂｅ）を加えた電圧に達しないので、
図３の曲線Ａに示されるように、前置増幅トランジスタ
１のベース電圧は０．２５Ｖ程度に抑えられ、それによ
り前置増幅トランジスタ１は準カットオフ状態になって
いて、図２の曲線Ａに示されるように、信号出力端子１
９から−１０ｄＢｍ程度のレベルのＲＦ信号が出力され
る。
【００３８】次いで、利得制御電圧供給端子２２に加え
られる利得制御電圧が０．３Ｖを超えたときには、図３
の曲線Ａに示されるように、利得制御電圧と第４ベース
バイアス回路１６で設定されたベースバイアス電圧との
和が制御トランジスタ３の設定されたエミッタ電圧に制
御トランジスタ３のベース・エミッタ接合電圧（Ｖｂ
ｅ）を加えた電圧をわずかに超え、前置増幅トランジス
タ１のベース電圧は利得制御電圧の増大に伴って順次増
大し、それに伴って、図２の曲線Ａに示されるように、
信号出力端子１９から出力されるＲＦ信号レベルは順次
増大するようになってくる。
られる利得制御電圧が０．３Ｖを超えたときには、図３
の曲線Ａに示されるように、利得制御電圧と第４ベース
バイアス回路１６で設定されたベースバイアス電圧との
和が制御トランジスタ３の設定されたエミッタ電圧に制
御トランジスタ３のベース・エミッタ接合電圧（Ｖｂ
ｅ）を加えた電圧をわずかに超え、前置増幅トランジス
タ１のベース電圧は利得制御電圧の増大に伴って順次増
大し、それに伴って、図２の曲線Ａに示されるように、
信号出力端子１９から出力されるＲＦ信号レベルは順次
増大するようになってくる。
【００３９】そして、利得制御電圧供給端子２２に加え
られる利得制御電圧が０．５Ｖ程度から１．２Ｖ程度に
達するまでの間は、図３の曲線Ａに示されるように、利
得制御電圧と第４ベースバイアス回路１６で設定された
ベースバイアス電圧との和が制御トランジスタ３の設定
されたエミッタ電圧に制御トランジスタ３のベース・エ
ミッタ接合電圧（Ｖｂｅ）を加えた電圧よりも順次増大
するものであるが、それに併せて、図２の曲線Ａに示さ
れるように、信号出力端子１９から出力されるＲＦ信号
レベルも増大する利得制御電圧に略比例してほぼ直線的
に増大するようになる。
られる利得制御電圧が０．５Ｖ程度から１．２Ｖ程度に
達するまでの間は、図３の曲線Ａに示されるように、利
得制御電圧と第４ベースバイアス回路１６で設定された
ベースバイアス電圧との和が制御トランジスタ３の設定
されたエミッタ電圧に制御トランジスタ３のベース・エ
ミッタ接合電圧（Ｖｂｅ）を加えた電圧よりも順次増大
するものであるが、それに併せて、図２の曲線Ａに示さ
れるように、信号出力端子１９から出力されるＲＦ信号
レベルも増大する利得制御電圧に略比例してほぼ直線的
に増大するようになる。
【００４０】さらに、利得制御電圧供給端子２２に加え
られる利得制御電圧が１．２Ｖを超えるようになったと
きは、図３の曲線Ａに示されるように、依然として、利
得制御電圧と第４ベースバイアス回路１６で設定された
ベースバイアス電圧との和が制御トランジスタ３の設定
されたエミッタ電圧に制御トランジスタ３のベース・エ
ミッタ接合電圧（Ｖｂｅ）を加えた電圧よりも順次増大
するが、信号出力端子１９から出力されるＲＦ信号レベ
ルは、図２の曲線Ａに示されるように、利得制御電圧の
増大に対応して増大する度合が順次小さくなり、利得制
御電圧供給端子２２に加えられる利得制御電圧が１．３
Ｖ程度にまで増大したときには、利得制御電圧の増大に
伴って信号出力端子１９から出力されるＲＦ信号レベル
が殆んど増大しない飽和状態に近づくものである。
られる利得制御電圧が１．２Ｖを超えるようになったと
きは、図３の曲線Ａに示されるように、依然として、利
得制御電圧と第４ベースバイアス回路１６で設定された
ベースバイアス電圧との和が制御トランジスタ３の設定
されたエミッタ電圧に制御トランジスタ３のベース・エ
ミッタ接合電圧（Ｖｂｅ）を加えた電圧よりも順次増大
するが、信号出力端子１９から出力されるＲＦ信号レベ
ルは、図２の曲線Ａに示されるように、利得制御電圧の
増大に対応して増大する度合が順次小さくなり、利得制
御電圧供給端子２２に加えられる利得制御電圧が１．３
Ｖ程度にまで増大したときには、利得制御電圧の増大に
伴って信号出力端子１９から出力されるＲＦ信号レベル
が殆んど増大しない飽和状態に近づくものである。
【００４１】このように、本実施例の利得制御型トラン
ジスタ電力増幅器によれば、利得制御電圧供給端子２２
に加えられる利得制御電圧が０．３乃至１．２Ｖの範囲
内において、信号出力端子１９から出力されるＲＦ信号
の出力レベルを−１０乃至＋２０ｄＢｍの範囲内で制御
することができるもので、既知のこの種の利得制御型ト
ランジスタ電力増幅器に比べて、ＲＦ信号の出力レベル
を制御可能な利得制御電圧の範囲を大幅に拡大すること
ができ、しかも、利得制御電圧の変化に伴うＲＦ信号の
出力レベルの変化をほぼ直線的にすることができる。
ジスタ電力増幅器によれば、利得制御電圧供給端子２２
に加えられる利得制御電圧が０．３乃至１．２Ｖの範囲
内において、信号出力端子１９から出力されるＲＦ信号
の出力レベルを−１０乃至＋２０ｄＢｍの範囲内で制御
することができるもので、既知のこの種の利得制御型ト
ランジスタ電力増幅器に比べて、ＲＦ信号の出力レベル
を制御可能な利得制御電圧の範囲を大幅に拡大すること
ができ、しかも、利得制御電圧の変化に伴うＲＦ信号の
出力レベルの変化をほぼ直線的にすることができる。
【００４２】なお、本実施例においては、利得制御型ト
ランジスタ電力増幅器がデジタルコードレス電話器の子
機の送信部に用いられる利得制御型トランジスタ電力増
幅器である例を挙げて説明したが、本発明による利得制
御型トランジスタ電力増幅器はデジタルコードレス電話
器の子機の送信部に用いられるものに限られず、他の機
器のＲＦ信号増幅器にも同様に適用することができるこ
とは勿論である。
ランジスタ電力増幅器がデジタルコードレス電話器の子
機の送信部に用いられる利得制御型トランジスタ電力増
幅器である例を挙げて説明したが、本発明による利得制
御型トランジスタ電力増幅器はデジタルコードレス電話
器の子機の送信部に用いられるものに限られず、他の機
器のＲＦ信号増幅器にも同様に適用することができるこ
とは勿論である。
【００４３】また、本実施例に示された利得制御型トラ
ンジスタ電力増幅器の回路構成は、本発明による利得制
御型トランジスタ電力増幅器の回路構成の一例を示すに
留まるもので、ＲＦ信号伝送路中に用いられる各種の回
路素子の変更、付加、削減を行うことは適宜実行できる
ことであり、さらに、ベースバイアス回路やコレクタ負
荷回路またはエミッタ負荷回路等の構成の変更も適宜実
行できることである。
ンジスタ電力増幅器の回路構成は、本発明による利得制
御型トランジスタ電力増幅器の回路構成の一例を示すに
留まるもので、ＲＦ信号伝送路中に用いられる各種の回
路素子の変更、付加、削減を行うことは適宜実行できる
ことであり、さらに、ベースバイアス回路やコレクタ負
荷回路またはエミッタ負荷回路等の構成の変更も適宜実
行できることである。
【００４４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、増幅用
トランジスタのベースは、低出力インピーダンス特性を
有するエミッタフォロワ接続の制御トランジスタのエミ
ッタから利得制御電圧が供給され、それによって利得制
御電圧に基づいた比較的大きなベースバイアス電流の供
給が可能になるだけでなく、供給される利得制御電圧の
最低電圧を制御トランジスタのエミッタ電圧により設定
することが可能になるので、利得制御電圧の変化範囲の
ほぼ全域、即ち、最低電圧から最高電圧に至る範囲にわ
たり、利得制御電圧の大きさに対応したＲＦ信号の出力
レベルの制御を行うことが可能になり、利得制御電圧の
変化に対するＲＦ信号の出力レベルの変化状態を緩やか
な直線状にすることができるという効果がある。
トランジスタのベースは、低出力インピーダンス特性を
有するエミッタフォロワ接続の制御トランジスタのエミ
ッタから利得制御電圧が供給され、それによって利得制
御電圧に基づいた比較的大きなベースバイアス電流の供
給が可能になるだけでなく、供給される利得制御電圧の
最低電圧を制御トランジスタのエミッタ電圧により設定
することが可能になるので、利得制御電圧の変化範囲の
ほぼ全域、即ち、最低電圧から最高電圧に至る範囲にわ
たり、利得制御電圧の大きさに対応したＲＦ信号の出力
レベルの制御を行うことが可能になり、利得制御電圧の
変化に対するＲＦ信号の出力レベルの変化状態を緩やか
な直線状にすることができるという効果がある。
【図１】本発明による利得制御型トランジスタ電力増幅
器の一実施例を示す回路図である。
器の一実施例を示す回路図である。
【図２】トランジスタ電力増幅器における利得制御電圧
と出力信号レベルとの関係の一例を示す特性図である。
と出力信号レベルとの関係の一例を示す特性図である。
【図３】利得制御型トランジスタ電力増幅器における利
得制御電圧と増幅用トランジスタのベース電圧との関係
の一例を示す特性図である。
得制御電圧と増幅用トランジスタのベース電圧との関係
の一例を示す特性図である。
【図４】既知の利得制御型トランジスタ電力増幅器の一
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
１ 前置増幅トランジスタ
２ 電力増幅トランジスタ
３ 制御トランジスタ
４ 入力フィルタ回路
５ 第１結合コンデンサ
６ 第２結合コンデンサ
７ 第１ベースバイアス回路
８ 第１コレクタ負荷
９ 段間フィルタ回路
１０ 第３結合コンデンサ
１１ 第２コレクタ負荷
１２ 第２ベースバイアス回路
１３ 出力フィルタ回路
１４ 第４結合コンデンサ
１５ 第３ベースバイアス回路
１６ 第４ベースバイアス回路
１７ エミッタ負荷
１８ 信号入力端子
１９ 信号出力端子
２０ 高電圧側電源端子
２１ 低電圧側電源端子
２２ 利得制御電圧供給端子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03G 3/10
Claims (2)
- 【請求項１】 ベースに第１の分圧抵抗により設定され
た第１バイアス電圧及び信号が供給される増幅用トラン
ジスタと、ベースに第２の分圧抵抗により設定された第
２バイアス電圧及び利得制御電圧が供給される制御用ト
ランジスタと、前記制御用トランジスタのエミッタ抵抗
からの導出電圧を利得制御電圧として前記増幅用トラン
ジスタのベースに供給する接続手段を備え、前記第１の
分圧抵抗の抵抗値、前記第２の分圧抵抗の抵抗値及び前
記エミッタ抵抗の抵抗値をそれぞれ選択して、前記制御
用トランジスタに利得制御電圧が供給されないとき、前
記第１バイアス電圧と前記制御用トランジスタのエミッ
タ抵抗からの導出電圧とが略等しくなるように設定して
いることを特徴とする利得制御型トランジスタ電力増幅
器。 - 【請求項２】 前記接続手段は、前記制御用トランジス
タのエミッタと前記増幅用トランジスタのベースとを抵
抗を介して接続する手段であることを特徴とする請求項
１に記載の利得制御型トランジスタ電力増幅器。
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|---|---|---|---|
| JP31221296A JP3479422B2 (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 利得制御型トランジスタ電力増幅器 |
| US08/975,241 US5994964A (en) | 1996-11-22 | 1997-11-21 | Gain-control-type transistor power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31221296A JP3479422B2 (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 利得制御型トランジスタ電力増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154914A JPH10154914A (ja) | 1998-06-09 |
| JP3479422B2 true JP3479422B2 (ja) | 2003-12-15 |
Family
ID=18026550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31221296A Expired - Fee Related JP3479422B2 (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | 利得制御型トランジスタ電力増幅器 |
Country Status (2)
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|---|---|
| US (1) | US5994964A (ja) |
| JP (1) | JP3479422B2 (ja) |
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| JP3523139B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2004-04-26 | 日本電気株式会社 | 可変利得回路 |
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| JP2518486B2 (ja) * | 1991-12-24 | 1996-07-24 | 船井電機株式会社 | スイッチ回路 |
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1996
- 1996-11-22 JP JP31221296A patent/JP3479422B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-21 US US08/975,241 patent/US5994964A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5994964A (en) | 1999-11-30 |
| JPH10154914A (ja) | 1998-06-09 |
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