JP3474220B2 - Gas treatment equipment - Google Patents
Gas treatment equipmentInfo
- Publication number
- JP3474220B2 JP3474220B2 JP10022993A JP10022993A JP3474220B2 JP 3474220 B2 JP3474220 B2 JP 3474220B2 JP 10022993 A JP10022993 A JP 10022993A JP 10022993 A JP10022993 A JP 10022993A JP 3474220 B2 JP3474220 B2 JP 3474220B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas control
- housing
- unit
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はガス処理装置に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a gas treatment device.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ウエハの製造工場においては、一
般に作業領域をクリーンルームとメンテナンスルームと
に分離し、ウエハの搬送系などをクリーンルーム内に配
置すると共に、熱処理装置などにおけるガス供給系や排
気系をメンテナンスルームに設置するようにしている。
そしてウエハを成膜処理やエッチング処理する場合は支
燃性、可燃性あるいは毒性をもつ危険性の高いガスが使
用されるためガスボンベを例えば屋外に設置し、ここか
らのガスをメンテナンスルーム内のガス配管を介して処
理装置の反応管内に供給するようにしている。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor wafer manufacturing factory, a work area is separated into a clean room and a maintenance room, a wafer transfer system is arranged in the clean room, and a gas supply system and an exhaust system in a heat treatment apparatus are installed. It is installed in the maintenance room.
When a wafer is subjected to film formation processing or etching processing, gas with a high risk of flammability, flammability, or toxicity is used, so a gas cylinder is installed outdoors, for example, and the gas from here is the gas in the maintenance room. It is designed to be supplied into the reaction tube of the processing apparatus through a pipe.
【0003】一方最近の半導体製造設備においては、処
理プロセスの数が増えかつ複雑化しているため、システ
ム全体をコンパクト化しようとする傾向にあり、ガス供
給系においてもコンパクト化やメンテナンスの容易性及
びシステムの汎用性などを図るためガス制御機器を集積
化してガス制御機器ユニットを構成することが検討され
ており、このユニットを例えば熱処理炉に隣接した排気
系ユニットと一体化して設置したり、あるいは熱処理炉
の上方に配置するといったことも検討されている。On the other hand, in recent semiconductor manufacturing facilities, the number of processing processes is increasing and becoming complicated, so that there is a tendency to make the whole system compact, and the gas supply system is also made compact and easy to maintain. In order to achieve versatility of the system, integration of gas control equipment to form a gas control equipment unit has been considered.For example, this unit is installed integrally with an exhaust system unit adjacent to a heat treatment furnace, or It is also being considered to arrange it above the heat treatment furnace.
【0004】熱処理装置のガス供給系の従来例を図4に
示すと、このガス供給系においては、ガスボンベ11に
例えばステンレスよりなる配管12が接続され、この配
管12に減圧弁RG1、ハンドバルブ13及び減圧弁R
G2が介挿されている。更に例えば減圧弁RG2の下流
側には、ガス制御機器をユニット化したガス制御機器ユ
ニットUが設けられており、その下流側には熱処理部1
0が接続されている。FIG. 4 shows a conventional example of a gas supply system of a heat treatment apparatus. In this gas supply system, a pipe 12 made of, for example, stainless steel is connected to a gas cylinder 11, and the pipe 12 is provided with a pressure reducing valve RG1 and a hand valve 13. And pressure reducing valve R
G2 is inserted. Further, for example, on the downstream side of the pressure reducing valve RG2, a gas control device unit U in which the gas control device is unitized is provided, and on the downstream side thereof, the heat treatment section 1 is provided.
0 is connected.
【0005】このガス制御機器ユニットUは、図4の説
明図に対応して述べると、フィルタF1、圧力スイッチ
14、マスフローコントローラ(流量制御部)15、遮
断弁16、逆止弁17、開閉弁18及びフィルタF2を
筐体内に集約して収納すると共にこの筐体に空気導入管
及び排気管を接続し、筐体内を例えば空気を通流させ
て、前記ユニットからメンテナンスルーム内へのガスの
漏洩を防止している。なお実際にはガス供給系は、種々
の熱処理に対応できるように複数の配管系統を備え、ガ
ス制御機器ユニットU内は複雑な三次元構造となってい
る。This gas control equipment unit U will be described with reference to the explanatory view of FIG. 4. A filter F1, a pressure switch 14, a mass flow controller (flow rate control unit) 15, a shutoff valve 16, a check valve 17, and an opening / closing valve. 18 and the filter F2 are collectively housed in a housing, and an air introduction pipe and an exhaust pipe are connected to the housing to allow, for example, air to flow in the housing to leak gas from the unit into the maintenance room. Is being prevented. Actually, the gas supply system is provided with a plurality of piping systems so as to be compatible with various heat treatments, and the gas control equipment unit U has a complicated three-dimensional structure.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとしている課題】ところで前記ガス
制御機器ユニットU内には、電気接点や集積回路あるい
はコネクタ部などの電気部品が存在している。例えば圧
力スイッチ14の中には、圧力信号の出力機能とスイッ
チ機能とを備えているものがあるが、この場合圧力スイ
ッチ14は、信号出力回路及びマイクロスイッチやリレ
ーなどを塔載している。またマスフローコントローラ1
5は流量検出値に応じて流量制御信号を出力する処理回
路を備えているし、また遮断弁16は、遮断動作用の空
気の供給を行うための電磁弁を有している。By the way, in the gas control equipment unit U, there are electric parts such as electric contacts, integrated circuits and connector portions. For example, some of the pressure switches 14 have a pressure signal output function and a switch function. In this case, the pressure switch 14 has a signal output circuit, a micro switch, a relay, and the like mounted therein. Also mass flow controller 1
Reference numeral 5 is provided with a processing circuit for outputting a flow rate control signal according to the flow rate detection value, and the shutoff valve 16 is provided with an electromagnetic valve for supplying air for shutoff operation.
【0007】ここで例えばガス制御機器と配管との接続
部などから可燃性ガスが漏洩した場合、ガス制御機器ユ
ニットUの筐体内は空気が通流しているので、漏洩ガス
は排気ダクトから排気されるが、部分的に爆発領域濃度
が形成されていることもあり、このような状況下で圧力
スイッチ14の接点や、遮断弁16の空気制御用電磁弁
の接点などからスパークが発生すると、あるいは電気回
路の接続不良によりスパークが発生すると、爆発が起こ
る。また可燃性ガスでなくとも酸素などの支燃性ガスが
漏洩した場合にも、スパークや過熱部分などから発火が
拡がり、火災に至ることもある。そしてこのような爆発
や火災がガス制御機器ユニット内で起こると、これによ
り配管が破裂したりガス制御機器が損傷するおそれが大
きく、この場合には配管中のガスが一気に工場内に噴き
出し、大きな爆発やガス中毒といった事故につながる。Here, for example, when the flammable gas leaks from the connecting portion between the gas control equipment and the pipe, etc., air leaks from the exhaust duct because the air flows through the housing of the gas control equipment unit U. However, since the explosion region concentration is partially formed, if a spark occurs from the contact of the pressure switch 14 or the contact of the air control solenoid valve of the shutoff valve 16 in such a situation, or An explosion occurs when a spark is generated due to a poor electrical circuit connection. Even if a combustion-supporting gas such as oxygen leaks out even if it is not a combustible gas, ignition may spread from a spark or an overheated part, leading to a fire. When such an explosion or fire occurs in the gas control equipment unit, there is a great risk that the piping will burst or the gas control equipment will be damaged.In this case, the gas in the piping suddenly spurts into the factory, causing a large It will lead to accidents such as explosions and gas poisoning.
【0008】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、電気部品のスパーク等によ
るガス爆発や火災を未然に防止することができるガス処
理装置を提供することにある。The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a gas treatment device capable of preventing gas explosion and fire due to sparks of electric parts. It is in.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】複数のガス制御機器がガ
ス配管を介してガス処理部に接続され、ガス制御機器
は、ガス制御機器本体とこのガス制御機器本体の制御ま
たは検出信号の取り出しを行う電気部品とを備えてなる
ガス処理装置において、複数のガス制御機器本体を、ガ
ス漏洩防止構造を有する共通の収納部内に収納し、前記
電気部品を前記収納部の外に配置することを特徴とす
る。収納部は、例えば導入側の通風管及び排気側の通風
管が接続された密閉構造の筐体により構成される。ガス
制御機器としては圧力スイッチ、マスフロ−コントロ−
ラ、遮断弁などを挙げることができる。また電気部品は
例えば気密構造の筐体内に収納されている。ガス処理部
は、例えば反応管内に搬入された被処理体に対して加熱
雰囲気下で処理ガスにより熱処理する熱処理部である。Means for Solving the Problems The plurality of gas control device is connected to the gas treatment unit via a gas pipe, gas control devices
Controls the gas control equipment and this gas control equipment body.
In the gas processing apparatus ing and an electric component other to perform the retrieval of the detection signals, a plurality of gas control apparatus main body, housed in a common housing portion having a gas leakage prevention structure, the <br/> electrical components Is arranged outside the storage part. The storage unit is configured by, for example, a housing having a closed structure in which a ventilation pipe on the introduction side and a ventilation pipe on the exhaust side are connected. As gas control equipment, pressure switch, mass flow control
La, shut-off valve, etc. Also, electrical parts
For example, it is housed in an airtight case . The gas processing unit is, for example, a heat treatment unit that heat-treats an object to be processed carried into a reaction tube with a processing gas under a heating atmosphere.
【0010】[0010]
【作用】ガス供給源から、開閉弁、圧力スイッチ、マス
フローコントローラ、遮断弁などのガス制御機器が介挿
されたガス配管を通じてガス処理部例えば熱処理部にガ
スが供給される。ここで圧力スイッチの圧力信号回路や
マイクロスイッチなどの電気部品は収納部の外に配置さ
れているので、収納部内にて例えばガス制御機器と配管
との接続部などから可燃性、支燃性のガスが漏洩しても
電気部品と接触しない。従って電気部品がスパークした
としても、ガスの漏洩雰囲気と区画されているので、爆
発や火災を起こすおそれが小さく、安全性が高い。The gas is supplied from the gas supply source to the gas processing unit, for example, the heat treatment unit, through the gas pipe in which the gas control device such as the on-off valve, the pressure switch, the mass flow controller, and the shutoff valve is inserted. Here, since electric parts such as the pressure signal circuit of the pressure switch and the micro switch are arranged outside the storage portion, it is possible to prevent the combustibility and the combustion supporting property from the connection portion between the gas control device and the pipe in the storage portion. Even if gas leaks, it will not come into contact with electrical parts. Therefore, even if the electric parts are sparked, they are separated from the gas leakage atmosphere, so there is little risk of explosion or fire, and safety is high.
【0011】[0011]
【実施例】図1は本発明のガス処理装置を半導体ウエハ
の熱処理装置に適用した実施例を示す図である。図中2
はガスボンベであり、このガスボンベ2内には、水素ガ
ス、酸素ガス、シラン系のガスやハロゲンガスなどの処
理ガス(キャリアガスも含む)が高圧の状態で封入され
ている。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment in which the gas processing apparatus of the present invention is applied to a semiconductor wafer heat treatment apparatus. 2 in the figure
Is a gas cylinder, and a processing gas (including a carrier gas) such as hydrogen gas, oxygen gas, silane-based gas or halogen gas is enclosed in the gas cylinder 2 at a high pressure.
【0012】前記ガスボンベ2には、高圧の処理ガスを
一次減圧する一次減圧弁RG1を介して例えばステンレ
ス鋼よりなるガス配管21が接続され、このガス配管2
1には、ハンドバルブ22及び二次減圧弁RG2が介挿
されると共に、その下流側にはガス制御機器の群例えば
フィルタF1、圧力スイッチ3、マスフローコントロー
ラ4、遮断弁5、逆止弁23、ハンドバルブ24及びフ
ィルタF2がこの順に設けられている。A gas pipe 21 made of, for example, stainless steel is connected to the gas cylinder 2 via a primary pressure reducing valve RG1 for primarily reducing the pressure of the high-pressure processing gas.
1, a hand valve 22 and a secondary pressure reducing valve RG2 are inserted, and a group of gas control devices, such as a filter F1, a pressure switch 3, a mass flow controller 4, a shutoff valve 5, a check valve 23, is provided on the downstream side thereof. The hand valve 24 and the filter F2 are provided in this order.
【0013】これらガス制御機器は、後で詳述するよう
に、収納部例えば筐体内に収納されてガス制御機器ユニ
ット7を構成している。このガス制御機器ユニット7の
下流側のガス配管21には図示しないテフロンチューブ
等、可撓管を介して、例えば石英やSUSステンレス鋼
よりなるインジェクタ61が接続されており、このイン
ジェクタ61はガス処理部である熱処理部6の反応管6
2内に挿入されている。熱処理部6は、例えば反応管6
2、この反応管62を取り囲むように設置されたヒータ
63、及び反応管62内に被処理体であるウエハWをロ
ード、アンロードするためのウエハボート64や排気管
65などから構成される。As will be described later in detail, these gas control equipments are housed in a housing portion, for example, a housing to form a gas control equipment unit 7. An injector 61 made of, for example, quartz or SUS stainless steel is connected to the gas pipe 21 on the downstream side of the gas control device unit 7 via a flexible pipe such as a Teflon tube (not shown). Tube 6 of heat treatment section 6
It is inserted in 2. The heat treatment section 6 is, for example, the reaction tube 6
2, a heater 63 installed so as to surround the reaction tube 62, a wafer boat 64 for loading and unloading a wafer W to be processed into the reaction tube 62, an exhaust pipe 65, and the like.
【0014】前記ガス配管21には、処理ガスを予備加
熱するために、あるいは結露しないようにするために例
えばテープヒータ25が巻装されている。ただし図1で
はテープヒータ25は図示の便宜上一部のみ示してあ
る。A tape heater 25 is wound around the gas pipe 21 in order to preheat the processing gas or to prevent dew condensation. However, in FIG. 1, only part of the tape heater 25 is shown for convenience of illustration.
【0015】前記ガス制御機器の中には、検出信号の取
り出しや、そのガス制御機器の流量、圧力やガスの給断
を制御するための電気部品が組み合わせられているもの
があり、以下にこの電気部品に関して述べる。例えば圧
力スイッチ3は、ケース31内の圧力検出板32に、ホ
イトストーンブリッジ回路33の一部の抵抗34が貼着
されており、圧力検出板32の歪をホイトストーンブリ
ッジ回路33により捉えて、圧力検出値をコントローラ
81に出力すると共に、圧力検出値が設定値を越えたと
きにリレー35によりアラーム信号をコントローラ81
に出力する機能を有している。この圧力スイッチ3につ
いては、抵抗34以外の電気部品は、回路ユニット36
の基板に実装されている。Some of the gas control devices are combined with electric parts for taking out a detection signal and controlling the flow rate, pressure and gas supply / disconnection of the gas control device. The electric parts will be described. For example the pressure switch 3, the pressure sensing plate 32 of the case 31, a portion of the resistor 34 ho <br/> wells Stonebridge circuit 33 are attached, Hui preparative stone distortion of the pressure sensing plate 32 The pressure detected value is detected by the bridge circuit 33 and output to the controller 81, and when the detected pressure value exceeds the set value, the relay 35 issues an alarm signal to the controller 81.
It has a function to output to. Regarding the pressure switch 3, the electric components other than the resistor 34 are the circuit unit 36.
Mounted on the board.
【0016】また前記マスフローコントローラ4は、流
量検出計41と、流量調節部42と、流量検出計41の
検出信号を処理して流量調節部42に操作信号を出力す
る信号処理部43とを有しており、この信号処理部43
は、制御アンプなどの電気部品を備えると共に、±V0
例えば±15Vの直流電圧が印加されている。The mass flow controller 4 has a flow rate detector 41, a flow rate controller 42, and a signal processor 43 that processes a detection signal of the flow rate detector 41 and outputs an operation signal to the flow rate controller 42. This signal processing unit 43
Is equipped with electric parts such as a control amplifier, and is ± V 0
For example, a DC voltage of ± 15V is applied.
【0017】更に前記遮断弁5は、空気制御部51より
の空気により遮断動作するように構成され、空気制御部
51は、電磁弁52やこの電磁弁を作動させるためのリ
レー53を含む回路などを備えている。なお54は給気
管である。Further, the shutoff valve 5 is constructed so as to be shut off by the air from the air control unit 51, and the air control unit 51 includes a solenoid valve 52 and a circuit including a relay 53 for operating the solenoid valve. Is equipped with. Reference numeral 54 is an air supply pipe.
【0018】そして前記回路ユニット36、信号処理部
43及び空気制御部51などの電気部品は、前記ガス制
御機器ユニット7とは別個に後述のように筐体内に収納
されて電気部品ユニット82を構成している。また前記
テープヒータ25のコネクタ26についてもこの電気部
品ユニット82内に組み込まれている。The electric components such as the circuit unit 36, the signal processing unit 43 and the air control unit 51 are housed in a casing separately from the gas control device unit 7 as described later to form an electric component unit 82. is doing. The connector 26 of the tape heater 25 is also incorporated in the electric component unit 82.
【0019】ここで上述の例では一つのガス配管系を例
にとって説明したが、実際の熱処理装置では種々の熱処
理に対応できるように多数のガス配管系が設けられ、ま
た各ガス配管系のガス制御機器の数も多いため、ガス制
御機器ユニット7内のガス制御機器の数は非常に多く、
例えば図2にガス制御機器ユニット7の構造の一例を示
す。このガス制御機器ユニット7は、収納部例えば密閉
構造の筐体71に導入側の通風管72及び排気側の通風
管73が接続されており、筐体71内に空気が通流され
ていて、仮に筐体71内でガスが漏洩しても筐体71の
外に漏洩しないガス漏洩防止構造となっている。In the above example, one gas pipe system was described as an example. However, in an actual heat treatment apparatus, a large number of gas pipe systems are provided so as to cope with various heat treatments, and gas of each gas pipe system is provided. Since the number of control devices is also large, the number of gas control devices in the gas control device unit 7 is very large.
For example, FIG. 2 shows an example of the structure of the gas control equipment unit 7. In this gas control device unit 7, a ventilation pipe 72 on the introduction side and a ventilation pipe 73 on the exhaust side are connected to a housing 71 having a hermetically sealed structure, and air is circulated in the housing 71. Even if the gas leaks inside the housing 71, it has a gas leakage prevention structure that does not leak outside the housing 71.
【0020】前記電気部品ユニット82は、ガス制御機
器ユニット7とは別個につまりガス制御機器ユニット7
の筐体71の外側に、例えば筐体83内に電気部品を収
納して構成され、両ユニット7、82間には、電気部品
とガス制御機器との間で電気信号を伝えるための信号路
などを含むケーブル84が接続されている。また電気部
品ユニット82とコントローラ81との間には、これら
の間でアラーム信号や検出信号あるいは制御信号の授受
を行うためのケーブル85が接続されている。The electric component unit 82 is separate from the gas control equipment unit 7, that is, the gas control equipment unit 7
A signal path for transmitting electric signals between the electric components and the gas control device is formed between the units 7 and 82 on the outside of the casing 71, for example, in the casing 83. A cable 84 including the above is connected. Further, a cable 85 for exchanging an alarm signal, a detection signal, or a control signal is connected between the electric component unit 82 and the controller 81.
【0021】前記ガス制御機器ユニット7及び電気部品
ユニット82を熱処理装置に組み込んだ装置全体の概観
を図3に示す。熱処理部6において、66はウエハキャ
リアCの搬出入ポート、67はキャリアストッカであ
る。熱処理部6の排気管65は、メンテナンスルーム側
の排気系ユニット68に接続されており、ガス制御機器
ユニット7及び電気部品ユニット82は、例えば排気系
ユニット68の上に位置している。FIG. 3 shows an overview of the entire apparatus in which the gas control equipment unit 7 and the electric component unit 82 are incorporated in a heat treatment apparatus. In the heat treatment unit 6, 66 is a carry-in / out port of the wafer carrier C, and 67 is a carrier stocker. The exhaust pipe 65 of the heat treatment section 6 is connected to the exhaust system unit 68 on the maintenance room side, and the gas control device unit 7 and the electric component unit 82 are located above the exhaust system unit 68, for example.
【0022】次に上述実施例の作用について述べる。先
ず熱処理部6の反応管62内にウエハボート64により
多数のウエハWをロードした後、反応管62内を所定の
真空度に減圧すると共にヒータ63により所定の温度の
均熱状態とし、次いでガスボンベ2より処理ガスをガス
配管21内を通流させると共に、減圧弁RG2及びマス
フローコントローラ4により夫々圧力及び流量を制御し
てインジェクタ61を介して反応管62内に導入し、反
応管62内を所定の圧力に維持してウエハWに対して熱
処理、例えばエッチングやCVD、拡散処理を行う。Next, the operation of the above embodiment will be described. First, after loading a large number of wafers W into the reaction tube 62 of the heat treatment section 6 by the wafer boat 64, the inside of the reaction tube 62 is depressurized to a predetermined vacuum degree and the heater 63 is brought into a uniform temperature state at a predetermined temperature. The process gas is caused to flow through the gas pipe 21 from 2 and the pressure and flow rate are controlled by the pressure reducing valve RG2 and the mass flow controller 4, respectively, and introduced into the reaction pipe 62 via the injector 61, and the inside of the reaction pipe 62 is predetermined. The wafer W is subjected to a heat treatment such as etching, CVD, or diffusion treatment while maintaining the pressure.
【0023】そしてガス制御機器ユニット7内で例えば
接続部の緩みなどからガスが漏洩し、ガス制御機器に組
み合わされた電気部品例えば前記スイッチ35やリレー
53の接点からのスパークの発生、あるいは回路の接続
不良やテープヒータ25のコネクタ26の接続不良など
によるスパークの発生がガスの漏洩と重なったとして
も、電気部品は、漏洩したガスの雰囲気とは区画されて
いるため、ガス爆発や火災のおそれがない。またこのよ
うにガス制御機器を、ガス漏洩防止構造を有する筐体7
1内に収納して、これとは別個に電気部品ユニット82
を構成すれば、各電気部品毎に気密構造や防爆構造を用
いなくて済む。Gas leaks in the gas control equipment unit 7 from, for example, loose connections, and sparks are generated from the contacts of the electric parts such as the switch 35 and the relay 53 combined with the gas control equipment or the circuit. Even if a spark is generated due to a bad connection or a bad connection of the connector 26 of the tape heater 25, the electric components are separated from the atmosphere of the leaked gas, which may cause a gas explosion or fire. There is no. Further, in this way, the gas control device is provided with the housing 7 having the gas leakage prevention structure.
1 and the electric component unit 82 separately from this.
With the above configuration, it is not necessary to use an airtight structure or an explosion-proof structure for each electric component.
【0024】以上において、電気部品ユニット82は、
気密構造の筐体内に電気部品を収納してもよいし、また
両ユニット7、82内にガスセンサを夫々設け、ガスセ
ンサの出力で電源を遮断するようにしてもよい。そして
また全てのガス制御機器を1個の筐体内に収納せずに、
複数のグループに分けて、各グループ毎に筐体などの収
納部に収納してもよい。更に電気部品については、必ず
しも筐体内に収納しなくてもよく、ガス制御機器ユニッ
トの筐体の外に設けられていればよい。In the above, the electric component unit 82 is
The electric parts may be housed in a casing having an airtight structure, or gas sensors may be provided in both units 7 and 82 to shut off the power supply by the output of the gas sensors. And again without having to house all the gas control equipment in one housing,
It may be divided into a plurality of groups and each group may be stored in a storage unit such as a housing. Further, the electric parts do not necessarily have to be housed in the housing, and may be provided outside the housing of the gas control equipment unit.
【0025】なお本発明は、熱処理装置に限らず、エッ
チング装置、イオン注入装置、プラズマCVD装置など
に適用してもよく、被処理体についても半導体ウエハに
限らず、LCD基板などであってもよい。The present invention may be applied not only to the heat treatment apparatus but also to an etching apparatus, an ion implantation apparatus, a plasma CVD apparatus, etc., and the object to be processed is not limited to a semiconductor wafer, but may be an LCD substrate or the like. Good.
【0026】[0026]
【発明の効果】本発明によれば、複数のガス制御機器
を、ガス漏洩防止構造を有する共通の収納部内に収納
し、ガス制御機器に組み合わされた電気部品を前記収納
部の外に配置しているため、電気部品のスパーク等によ
るガス爆発や火災を未然に防止することができる。According to the present invention, a plurality of gas control devices are housed in a common storage part having a gas leakage prevention structure, and electric parts combined with the gas control device are arranged outside the storage part. Therefore, it is possible to prevent gas explosion and fire due to sparks of electric parts.
【図1】本発明の実施例の全体構成を示す説明図であ
る。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an overall configuration of an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施例の要部の概観を示す斜視図であ
る。FIG. 2 is a perspective view showing an overview of a main part of an embodiment of the present invention.
【図3】本発明の実施例の全体構成の概観を示す斜視図
である。FIG. 3 is a perspective view showing an overview of the overall configuration of an embodiment of the present invention.
【図4】従来の熱処理装置のガス供給系を示す説明図で
ある。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a gas supply system of a conventional heat treatment apparatus.
21 ガス配管 25 ヒータ 3 圧力スイッチ 36 回路ボード 4 マスフローコントローラ 43 信号処理部 5 遮断弁 51 空気制御部 6 熱処理部 7 ガス制御機器ユニット 82 電気部品ユニット 21 gas piping 25 heater 3 Pressure switch 36 circuit board 4 Mass flow controller 43 Signal processing unit 5 Shut-off valve 51 Air control unit 6 Heat treatment department 7 Gas control equipment unit 82 Electric component unit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−319291(JP,A) 実開 平5−46193(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/02 B01J 4/00 C30B 25/14 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-63-319291 (JP, A) Fukukaihei 5-46193 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/02 B01J 4/00 C30B 25/14
Claims (7)
ガス処理部に接続され、ガス制御機器は、ガス制御機器
本体とこのガス制御機器本体の制御または検出信号の取
り出しを行う電気部品とを備えてなるガス処理装置にお
いて、 複数のガス制御機器本体を、ガス漏洩防止構造を有する
共通の収納部内に収納し、前記 電気部品を前記収納部の外に配置することを特徴と
するガス処理装置。1. A plurality of gas control devices are connected to a gas processing unit via gas pipes, and the gas control devices are gas control devices.
Control of the main body and this gas control equipment main body or acquisition of detection signals
In Ru gas treatment device name and an electrical component for performing Eject and, arranging a plurality of gas control apparatus main body, housed in a common housing portion having a gas leakage prevention structure, the electrical components outside of the housing part A gas treatment device characterized by:
が接続された密閉構造の筐体により構成されたことを特
徴とする請求項1記載のガス処理装置。2. The gas processing apparatus according to claim 1, wherein the storage portion is formed of a housing having a hermetically sealed structure to which a ventilation pipe for ventilating the inside is connected.
ジ回路の一部をなす抵抗により圧力を検出する圧力スイ
ッチを含み、収納部の外に配置される電気部品は、圧力
検出値が設定値を越えたときにアラ−ムを出力するリレ
−を含むことを特徴とする請求項1または2記載のガス
処理装置。3. A gas control device, Hui bets strike - includes a pressure switch for detecting the pressure by the resistor forming part of a down-bridge circuit, the electrical components arranged outside the housing part, setting the pressure detection value 3. The gas processing apparatus according to claim 1, further comprising a relay that outputs an alarm when the value is exceeded.
量検出計と、流量調節部と、流量検出計の検出信号を処
理して流量調節部に操作信号を出力する信号処理部とを
含むマスフロ−コントロ−ラを含み、収納部の外に配置
される電気部品は、前記信号処理部を含むことを特徴と
する請求項1、2または3記載のガス処理装置。4. The gas control device includes a flow rate detector that detects a gas flow rate, a flow rate controller, and a signal processor that processes a detection signal of the flow sensor and outputs an operation signal to the flow controller. The gas processing apparatus according to claim 1, 2 or 3, wherein an electric component including a mass flow controller and arranged outside the housing includes the signal processing unit.
外に配置される電気部品は、前記遮断弁を空気により遮
断動作させるための空気制御部を含むことを特徴とする
請求項1ないし4のいずれかに記載のガス処理装置。5. The gas control device includes a shutoff valve, and the electric component arranged outside the housing portion includes an air control unit for shutting off the shutoff valve with air. 5. The gas treatment device according to any one of 4 to 4.
ていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに
記載のガス処理装置。6. The electric component is housed in an airtight case.
Claims 1, characterized in that that to the gas processing device according to any one of 5.
処理体に対して加熱雰囲気下で処理ガスにより熱処理す
る熱処理部であることを特徴とする請求項1ないし6の
いずれかに記載のガス処理装置。7. The gas treatment section is a heat treatment section for heat-treating an object carried into a reaction tube with a processing gas in a heating atmosphere. Gas treatment equipment.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10022993A JP3474220B2 (en) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | Gas treatment equipment |
KR1019940006976A KR100268526B1 (en) | 1993-04-02 | 1994-04-02 | Processing apparatus using gas |
US08/222,589 US5441076A (en) | 1992-12-11 | 1994-04-04 | Processing apparatus using gas |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10022993A JP3474220B2 (en) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | Gas treatment equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06291007A JPH06291007A (en) | 1994-10-18 |
JP3474220B2 true JP3474220B2 (en) | 2003-12-08 |
Family
ID=14268455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10022993A Expired - Lifetime JP3474220B2 (en) | 1992-12-11 | 1993-04-02 | Gas treatment equipment |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3474220B2 (en) |
KR (1) | KR100268526B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7446836B2 (en) * | 2020-02-03 | 2024-03-11 | 株式会社Screenホールディングス | heat treatment equipment |
-
1993
- 1993-04-02 JP JP10022993A patent/JP3474220B2/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-04-02 KR KR1019940006976A patent/KR100268526B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06291007A (en) | 1994-10-18 |
KR100268526B1 (en) | 2000-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5441076A (en) | Processing apparatus using gas | |
JP2001203211A (en) | Hydrogen annealing method and its device | |
JP4731650B2 (en) | Ventilation method and ventilation equipment for semiconductor manufacturing equipment | |
US8734148B2 (en) | Heat treatment apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
KR102282154B1 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and program | |
US4894748A (en) | Control terminal for hazardous locations | |
WO2005123195A1 (en) | Vacuum pump | |
JPH0568866A (en) | Gas feeder | |
JP3474220B2 (en) | Gas treatment equipment | |
US5635242A (en) | Method and apparatus for preventing rupture and contamination of an ultra-clean APCVD reactor during shutdown | |
US4651141A (en) | Alarm and control system for semiconductor factories or the like | |
US6202667B1 (en) | Apparatus and method for stopping the propagation of ignited flammable gas in a conduit | |
KR20060134465A (en) | Exhausting apparatus of low pressure chemical vapour deposition equipmeent | |
CN209822004U (en) | Special gas manufacturing system | |
TW202206638A (en) | Gas treatment device and vacuum line | |
EP0112492B1 (en) | Alarm and control system for semiconductor manufacturing plants | |
US20040115103A1 (en) | Gas-exploding apparatus for releasing pressure in a vacuum exhaust system of semiconductor equipment | |
JP2006261362A (en) | Substrate-treating device | |
US6215406B1 (en) | Apparatus and method for detecting ignited flammable gas in a conduit | |
JP3503918B2 (en) | Gas discharge method and gas discharge device for heat treatment furnace | |
JPS6314866A (en) | Device for supplying ultra-high-purity gas | |
TWI804057B (en) | System for processing substrate | |
CN221176162U (en) | Control device | |
JP2872890B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2006261296A (en) | Substrate treatment equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919 Year of fee payment: 10 |