JP3468665B2 - Carborane group-containing silicon-based polymer and method for producing the same - Google Patents

Carborane group-containing silicon-based polymer and method for producing the same

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JP3468665B2
JP3468665B2 JP20785197A JP20785197A JP3468665B2 JP 3468665 B2 JP3468665 B2 JP 3468665B2 JP 20785197 A JP20785197 A JP 20785197A JP 20785197 A JP20785197 A JP 20785197A JP 3468665 B2 JP3468665 B2 JP 3468665B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性、難燃性及
び耐熱変形性に優れた機能性材料として有用な新規カル
ボラン含有ケイ素系重合体及びその製造方法に関するも
のである。
The present invention relates are those which relate to the heat resistance, useful novel carborane-containing silicon-based polymer as an excellent functional material in flame retardancy and heat distortion resistance and a manufacturing how.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、耐熱、難燃性に優れたケイ素系重
合体が開発されてきた。また、高分子反応により重合体
を架橋させる方法で分子量、機械強度の向上も試みられ
ている(Organometallics, 15, 75(1996))が、耐熱性、
難燃性は必ずしも十分なものではなかった。
2. Description of the Related Art Conventionally, silicon-based polymers having excellent heat resistance and flame retardancy have been developed. Further, it has been attempted to improve the molecular weight and mechanical strength by a method of crosslinking a polymer by a polymer reaction (Organometallics, 15, 75 (1996)), but the heat resistance,
The flame retardancy was not always sufficient.

【0003】一方、カルボラン含有ケイ素系重合体につ
いてはいくつか知られており、例えば、J. Macromol. S
ci. -Rev. Macromol. Chem., C17(2), 173-208 (1979)
には、ポリ(ドデカカルボラン−シロキサン)について
報告されている。また、特表平8−505649号公報
には、有機ホウ素ポリマーが開示されており、カルボラ
ンを導入することによりシロキサンポリマーの熱安定性
が向上することが報告されている。
On the other hand, some carborane-containing silicon polymers are known, for example, J. Macromol. S.
ci.-Rev. Macromol. Chem., C17 (2), 173-208 (1979)
Reports on poly (dodecacarborane-siloxane). In addition, Japanese Patent Publication No. 8-505649 discloses an organic boron polymer, and it is reported that the thermal stability of a siloxane polymer is improved by introducing carborane.

【0004】しかしながら、上記有機ホウ素ポリマーは
アセチレン基含有ジリチオ塩と両末端クロロ基含有カル
ボランシロキサンとの反応から得られるものであり、モ
ノマーのカルボラン含有ケイ素系化合物の合成に数段階
を要するため、簡便な方法ではなかった。また、上記従
来の有機ホウ素ポリマー以外に、カルボラン含有ケイ素
系重合体は殆ど知られておらず、耐熱性に優れた新規な
カルボラン含有ケイ素系重合体の開発が期待されてい
る。
However, the above-mentioned organoboron polymer is obtained from the reaction of an acetylene group-containing dilithio salt and a carborane siloxane containing both terminal chloro groups, and it takes several steps to synthesize a monomeric carborane-containing silicon-based compound, so that it is convenient. It wasn't the right way. In addition to the above-mentioned conventional organic boron polymers, almost no carborane-containing silicon polymer is known, and development of a novel carborane-containing silicon polymer having excellent heat resistance is expected.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、耐熱
性、難燃性及び耐熱変形性に優れた新規なカルボラン含
有ケイ素系重合体及びその製造方法を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a to provide a heat resistance, novel carborane-containing silicon-based polymer is excellent in flame retardancy and heat distortion resistance and a manufacturing how.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は上記欠点を鑑
み、反応性二重結合基を側鎖に含有するケイ素系重合体
とシリル置換カルボラン誘導体とを複合化させることを
試みた。二重結合基とシリル基との反応は非常に効率が
良く、カルボランが重合体中に簡便に導入されることが
期待できる。また、重合体の側鎖に反応性の二重結合が
存在するため、効率的に、より多くのカルボランを導入
することができ、重合体の耐熱、難燃性のさらなる向上
が期待できる。
In view of the above drawbacks, the present invention has attempted to complex a silicon-based polymer having a reactive double bond group in its side chain with a silyl-substituted carborane derivative. The reaction between the double bond group and the silyl group is very efficient, and it can be expected that carborane is easily introduced into the polymer. Further, since a reactive double bond exists in the side chain of the polymer, more carborane can be introduced efficiently, and further improvement in heat resistance and flame retardancy of the polymer can be expected.

【0007】本発明の請求項1記載の発明(以下、第1
発明という)であるカルボラン含有ケイ素系重合体は、
一般式(1)で表されるカルボラン含有ユニットの単独
重合体、一般式(2)で表されるカルボラン含有ユニッ
トの単独重合体、又は一般式(1)及び(2)で表され
るカルボラン含有ユニットの共重合体からなり、重量平
均分子量が500以上であることを特徴とするものであ
る。
The invention according to claim 1 of the present invention (hereinafter referred to as the first
The carborane-containing silicon polymer according to the invention)
Homopolymers of carborane-containing unit represented by the general formula (1), a homopolymer of carborane-containing unit represented by the general formula (2), or carborane-containing represented by the general formula (1) and (2) units of the copolymer or Rannahli, weight average molecular weight is characterized in that 500 or more.

【0008】本発明の請求項2記載の発明(以下、第2
発明という)であるカルボラン含有ケイ素系重合体は、
一般式(1)及び/又は(2)で表されるカルボラン含
有ユニットと、一般式(4)〜(7)で表されるユニッ
トの一種以上からなる炭化水素基とからなり、重量平均
分子量が500以上であることを特徴とするものであ
る。
The invention according to claim 2 of the present invention (hereinafter referred to as the second
The carborane-containing silicon polymer according to the invention)
It consists of a carborane-containing unit represented by the general formula (1) and / or (2), the general formula (4) to a hydrocarbon group consisting of one or more units represented by (7), the weight average
It has a molecular weight of 500 or more .

【0009】本発明の請求項3記載の発明(以下、第3
発明という)であるカルボラン含有ケイ素系重合体の製
造方法は、第1又は第2発明のカルボラン含有ケイ素系
重合体の製造方法であって、一般式(8)で表されるユ
ニットからなるケイ素系重合体、又は一般式(8)及び
一般式(4)〜(7)で表されるユニットの一種以上か
らなる炭化水素基の組み合わせからなるケイ素系重合体
と、一般式(9)又は一般式(10)で表されるシリル
置換カルボラン誘導体とを反応させることを特徴とする
ものである。
The invention according to claim 3 of the present invention (hereinafter, referred to as the third
The method for producing a carborane-containing silicon polymer according to the invention is the method for producing a carborane-containing silicon polymer according to the first or second invention, which is represented by the general formula (8).
A silicon-based polymer composed of a knit or a silicon-based polymer composed of a combination of hydrocarbon groups composed of one or more units represented by the general formula (8) and the general formulas (4) to (7); 9) or a silyl-substituted carborane derivative represented by the general formula (10) is reacted.

【0010】以下、第1発明のカルボラン含有ケイ素系
重合体について説明する。第1発明のカルボラン含有ケ
イ素系重合体は、一般式(1)で表されるカルボラン含
有ユニットの単独重合体;一般式(2)で表されるカル
ボラン含有ユニットの単独重合体;一般式(1)、
(2)で表されるカルボラン含有ユニットの共重合体の
いずれであってもよい。
The carborane-containing silicon polymer of the first invention will be described below. The carborane-containing silicon-based polymer of the first invention is a homopolymer of a carborane-containing unit represented by the general formula (1); a homopolymer of a carborane-containing unit represented by the general formula (2); ),
It may be any of the copolymers of the carborane-containing unit represented by (2).

【0011】[0011]

【化13】 [Chemical 13]

【0012】[0012]

【化14】 [Chemical 14]

【0013】式中、R1 は、ケイ素原子に結合した水素
原子、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30
のアリール基を表し、それぞれ同一であっても異なって
いてもよい。
In the formula, R 1 is a hydrogen atom bonded to a silicon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or 6 to 30 carbon atoms.
Represents an aryl group and may be the same or different.

【0014】式中、R2 は、ケイ素原子に結合する炭素
数1〜20のアルキレン基又は炭素数6〜30のアリー
レン基を表し、lは0又は1である
In the formula, R 2 is a carbon bonded to a silicon atom.
C1-C20 alkylene group or C6-C30 aryl
It represents a len group, and l is 0 or 1 .

【0015】式中、R3 は、カルボランの炭素原子に結
合した水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数
6〜30のアリール基又は一般式(3)で表されるケイ
素化合物を表す。CBxHx’Cは、2価のかご状のホ
ウ素化合物であるカルボランを表し、x、x’は3〜1
6の整数を表す。
In the formula, R 3 is a hydrogen atom bonded to a carbon atom of carborane, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a silicon compound represented by the general formula (3). Represent CBxHx'C represents carborane which is a divalent cage boron compound, and x and x'are 3-1.
Represents an integer of 6.

【0016】[0016]

【化15】 [Chemical 15]

【0017】式中、R4 は、ケイ素原子に結合した水素
原子、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30
のアリール基を表し、それぞれ同一であっても異なって
いてもよい。
In the formula, R 4 is a hydrogen atom bonded to a silicon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or 6 to 30 carbon atoms.
Represents an aryl group and may be the same or different.

【0018】上記式(1)〜(3)中、R1 〜R4 で表
される炭化水素基の炭素数は、脂肪族の場合多くなると
結合が切れやすくなり、耐熱性が低下するため、芳香族
の場合多くなると溶媒に対する溶解性が低下するため、
上記範囲に限定される。
In the above formulas (1) to (3), when the number of carbon atoms of the hydrocarbon group represented by R 1 to R 4 is aliphatic, the bond is easily broken and the heat resistance is lowered, When the amount of aromatics increases, the solubility in solvents decreases, so
It is limited to the above range.

【0019】上記R1 、R3 、R4 で表されるアルキル
基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデ
シル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル
基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル
基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group represented by R 1 , R 3 and R 4 include, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group,
Examples thereof include an octyl group, a nonyl group, a decyl group, an undecyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a pentadecyl group, a hexadecyl group, a heptadecyl group, an octadecyl group, a nonadecyl group and an eicosyl group.

【0020】上記R1 で表されるアリール基としては、
例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニ
ル基、ナフチル基、アントラセニル等が挙げられる。
The aryl group represented by R 1 is
Examples thereof include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a biphenyl group, a naphthyl group and an anthracenyl group.

【0021】上記R2 で表されるアルキレン基として
は、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、
ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン
基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシ
レン基、ドデシレン基、トリデシレン基、テトラデシレ
ン基、ペンタデシレン基、ヘキサデシレン基、ヘプタデ
シレン基、オクタデシレン基、ノナデシレン基、エイコ
シレン基等が挙げられる。
Examples of the alkylene group represented by R 2 include methylene group, ethylene group, propylene group,
Butylene group, pentylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group, nonylene group, decylene group, undecylene group, dodecylene group, tridecylene group, tetradecylene group, pentadecylene group, hexadecylene group, heptadecylene group, octadecylene group, nonadecylene group, eicosylene group Etc.

【0022】上記R2 で表されるアリーレン基として
は、例えば、フェニレン基、トリレン基、キシリレン
基、ビフェニレン基、ナフタレニレン基、アントラセニ
レン基等が挙げられる。
Examples of the arylene group represented by R 2 include a phenylene group, a tolylene group, a xylylene group, a biphenylene group, a naphthalenylene group, and an anthracenylene group.

【0023】上記CBxHx’Cで表されるカルボラン
としては、例えば、ドデカカルボラン、デカカルボラ
ン、ヘプタカルボラン、ヘキサカルボラン、ペンタカル
ボラン等が挙げられる。
Examples of the carborane represented by CBxHx'C include dodecacarborane, decacarborane, heptacarborane, hexacarborane and pentacarborane.

【0024】上記R1 〜R4 で表される炭化水素基は、
以下についても同様の炭化水素基を表し、上記カルボラ
ンは、以下についても同様の成分を表す。
The hydrocarbon group represented by R 1 to R 4 is
The following also represents the same hydrocarbon group, and the carborane represents the same component in the following.

【0025】第1発明のケイ素系重合体の重量平均分子
量は、小さくなると十分な耐熱性及び成形性が得られな
くなるため、500以上に限定される。重量平均分子量
の上限は、特に限定されないが、大きくなり過ぎると溶
解性が低下し、成形体を得ることが困難になるため、5
百万以下が好ましい。
The weight average molecular weight of the silicon-based polymer of the first invention is limited to 500 or more because sufficient heat resistance and moldability cannot be obtained when it becomes small. The upper limit of the weight average molecular weight is not particularly limited, but if it becomes too large, the solubility decreases and it becomes difficult to obtain a molded product.
It is preferably 1 million or less.

【0026】次に第2発明について説明する。第2発明
のカルボラン含有ケイ素系重合体は、一般式(1)及び
/又は(2)で表されるカルボラン含有ユニットと、一
般式(4)〜(7)で表されるユニットの一種以上から
なる炭化水素基とからなる
Next, the second invention will be described. The carborane-containing silicon polymer of the second invention comprises a carborane-containing unit represented by the general formula (1) and / or (2) and one or more units represented by the general formulas (4) to (7). comprising comprising a hydrocarbon radical.

【0027】[0027]

【化16】 [Chemical 16]

【0028】[0028]

【化17】 [Chemical 17]

【0029】式中、R1 は、ケイ素原子に結合した水素
原子、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30
のアリール基を表し、それぞれ同一であっても異なって
いてもよい。式中、R2 は、ケイ素原子に結合する炭素
数1〜20のアルキレン基又は炭素数6〜30のアリー
レン基を表し、lは0又は1である。式中、R3 は、カ
ルボランの炭素原子に結合した水素原子、炭素数1〜2
0のアルキル基、炭素数6〜30のアリール基又は一般
式(3)で表されるケイ素化合物を表す。CBxHx’
Cは、2価のかご状のホウ素化合物であるカルボランを
表し、x、x’は3〜16の整数を表す。
In the formula, R 1 is a hydrogen atom bonded to a silicon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or 6 to 30 carbon atoms.
Represents an aryl group and may be the same or different. In the formula, R 2 is a carbon bonded to a silicon atom.
C1-C20 alkylene group or C6-C30 aryl
It represents a len group, and l is 0 or 1 . In the formula, R 3 is a hydrogen atom bonded to a carbon atom of carborane, having 1 to 2 carbon atoms.
It represents an alkyl group of 0, an aryl group of 6 to 30 carbon atoms or a silicon compound represented by the general formula (3). CBxHx '
C represents carborane which is a divalent cage boron compound, and x and x ′ represent an integer of 3 to 16.

【0030】[0030]

【化18】 [Chemical 18]

【0031】式中、R4 は、ケイ素原子に結合した水素
原子、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30
のアリール基を表し、それぞれ同一であっても異なって
いてもよい。
In the formula, R 4 is a hydrogen atom bonded to a silicon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or 6 to 30 carbon atoms.
Represents an aryl group and may be the same or different.

【0032】[0032]

【化19】 [Chemical 19]

【0033】式中、R5 は、炭素原子に結合した水素原
子、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30の
アリール基を表し、それぞれ同一であっても異なってい
てもよい。R6 は、炭素数6〜30のアリーレン基を表
In the formula, R 5 represents a hydrogen atom bonded to a carbon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and they may be the same or different. R 6 represents an arylene group having 6 to 30 carbon atoms .

【0034】上記一般式(4)〜(7)で表されるユニ
ットの一種以上からなる炭化水素基としては、例えば、
一般式(4)〜(7)のみからなるアルキレン基、アリ
ーレン基、あるいは一般式(4)〜(7)の組み合わせ
からなる以下の構造を持つ炭化水素基等が挙げられる。
尚、これらは組み合わせの一例を挙げただけであり、こ
れらの組み合わせに限定されるものではない。
Examples of the hydrocarbon group composed of one or more units represented by the above general formulas (4) to (7) include:
Examples thereof include an alkylene group consisting of only general formulas (4) to (7), an arylene group, or a hydrocarbon group having the following structure consisting of a combination of general formulas (4) to (7).
It should be noted that these are merely examples of combinations, and the present invention is not limited to these combinations.

【0035】[0035]

【化20】 [Chemical 20]

【0036】上記R5 の具体例としては、例えば、水素
原子、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、
ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデ
シル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシ
ル基、ノナデシル基、エイコシル基等が、アリール基と
しては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニ
ル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。
Specific examples of R 5 include a hydrogen atom and an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group and a decyl group. Group, undecyl group,
Dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group, and the like; aryl groups include phenyl group, tolyl group, xylyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthracenyl group. Groups and the like.

【0037】上記R6 の具体例としては、例えば、フェ
ニレン基、トリレン基、キシリレン基、ビフェニレン
基、ナフタレニレン基、アントラセニレン基等が挙げら
れる。
Specific examples of R 6 include a phenylene group, a tolylene group, a xylylene group, a biphenylene group, a naphthalenylene group and an anthracenylene group.

【0038】上記R5 、R6 で表される炭化水素基とし
ては、以下についても同様の基を表す。
As the hydrocarbon group represented by R 5 and R 6 , the following groups are the same.

【0039】上記一般式(4)〜(7)で表されるユニ
ットの一種以上からなる炭化水素基としては、例えば、
メチレン、エチレン、プロピレン、メチルメチレン、メ
チルエチレン、ジメチルメチレン、ジメチルエチレン、
ビニレン、ブチレン−1,−ジエン、エチニレン、ジ
エチニレン、フェニレン、ビフェニレン、ナフタレニレ
ン、プロピレン−1−エン、ブチレン−2−エン、ペン
チレン−1,4−ジエン、プロピレン−1−イン、ブチ
レン−2−イン、ペンチレン−1,4−ジイン、メチレ
ンフェニレン、1,4−ジメチレンベンゼン、ジフェニ
レンメタン、ビニレンフェニレン、1,4−ジビニレン
ベンゼン、1,2−ジフェニレンビニレン、エチニレン
フェニレン、1,4−ジエチニレンベンゼン、ジフェニ
レンアセチレン等が挙げられる。
Examples of the hydrocarbon group composed of one or more units represented by the above general formulas (4) to (7) include, for example,
Methylene, ethylene, propylene, methylmethylene, methylethylene, dimethylmethylene, dimethylethylene,
Vinylene, butylene-1, 3 - diene, ethynylene, Jiechiniren, phenylene, biphenylene, naphthalenylene, propylene-1-ene, butylene-2-ene, pentylene-1,4-diene, propylene-1-yne, butylene-2 In, pentylene-1,4-diyne, methylenephenylene, 1,4-dimethylenebenzene, diphenylenemethane, vinylenephenylene, 1,4-divinylenebenzene, 1,2-diphenylenevinylene, ethynylenephenylene, 1, 4-diethynylene benzene, diphenylene acetylene, etc. are mentioned.

【0040】上記一般式(4)〜(7)で表されるユニ
ットの一種以上からなる炭化水素基としては、以下につ
いても同様の基を表す。
As the hydrocarbon group consisting of one or more of the units represented by the above general formulas (4) to (7), the following groups are the same.

【0041】第2発明のケイ素系重合体の重量平均分子
量は、小さくなると十分な耐熱性及び成形性が得られな
くなるため、500以上に限定される。重量平均分子量
の上 限は、特に限定されないが、大きくなり過ぎると溶
解性が低下し、成形体を得ることが困難になるため、5
百万以下が好ましい。
Weight average molecule of the silicon-based polymer of the second invention
If the amount becomes small, sufficient heat resistance and moldability will not be obtained.
Therefore, it is limited to 500 or more. Weight average molecular weight
Upper limit is not particularly limited, when too large dissolved in
Since the degradability decreases and it becomes difficult to obtain a molded product, 5
It is preferably 1 million or less.

【0042】次に第3発明について説明する。第3発明
は、第1又は第2発明のカルボラン含有ケイ素系重合体
の製造方法であって、一般式(8)で表されるユニット
からなるケイ素系重合体、又は一般式(8)及び一般式
(4)〜(7)で表されるユニットの一種以上からなる
炭化水素基の組み合わせからなるケイ素系重合体の側鎖
の末端二重結合と、一般式(9)又は(10)で表され
るシリル置換カルボラン誘導体とを反応させる。
Next, the third invention will be described. A third invention is a method for producing a carborane-containing silicon polymer according to the first or second invention, which is a unit represented by the general formula (8).
Or a silicon-based polymer of the formula (8) and a combination of a hydrocarbon group consisting of one or more units represented by the general formulas (4) to (7). The heavy bond is reacted with the silyl-substituted carborane derivative represented by the general formula (9) or (10).

【0043】[0043]

【化21】 [Chemical 21]

【0044】式中、R1 は、ケイ素原子に結合した水素
原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜30の
アリール基を表し、それぞれ同一であっても異なってい
てもよい。式中、R7 は、ケイ素原子に結合する炭素数
1〜20のアルキレン基又は炭素数6〜30のアリーレ
ン基を表す。lは0又は1である。
In the formula, R 1 represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and they may be the same or different. In the formula, R 7 represents an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or an arylene group having 6 to 30 carbon atoms bonded to a silicon atom. l is 0 or 1.

【0045】上記R7 で表される炭化水素基の炭素数
は、脂肪族の場合多くなると結合が切れやすくなり、耐
熱性が低下するため、芳香族の場合多くなると溶媒に対
する溶解性が低下するため、上記範囲に限定される。
When the number of carbon atoms of the hydrocarbon group represented by R 7 is aliphatic, the bond is easily broken and the heat resistance is lowered, and when it is aromatic, the solubility in the solvent is lowered. Therefore, it is limited to the above range.

【0046】[0046]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0047】式中、R5 は、炭素原子に結合した水素原
子、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30の
アリール基を表し、それぞれ同一であっても異なってい
てもよい。R6 は、炭素数6〜30のアリーレン基を表
す。
In the formula, R 5 represents a hydrogen atom bonded to a carbon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and they may be the same or different. R 6 represents an arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

【0048】[0048]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0049】[0049]

【化24】 [Chemical formula 24]

【0050】式中、R1 はケイ素原子に結合した水素原
子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜30のア
リール基を表し、それぞれ同一であっても異なっていて
もよい。式中、R3 は、カルボランの炭素原子に結合し
た水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜
30のアリール基又は一般式(3)で表されるケイ素化
合物を表す。また、CBxHx’Cは、2価のかご状の
ホウ素化合物であるカルボランを表し、x、x’は3〜
16の整数を表す。
In the formula, R 1 represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, which may be the same or different. In the formula, R 3 is a hydrogen atom bonded to a carbon atom of carborane, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms.
It represents a silicon compound represented by the aryl group of 30 or the general formula (3). CBxHx′C represents carborane which is a divalent cage boron compound, and x and x ′ are 3 to.
Represents an integer of 16.

【0051】上記R7 で表されるアルキレン基として
は、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、
ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン
基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシ
レン基、ドデシレン基、トリデシレン基、テトラデシレ
ン基、ペンタデシレン基、ヘキサデシレン基、ヘプタデ
シレン基、オクタデシレン基、ノナデシレン基、エイコ
シレン基等が挙げられる。
Examples of the alkylene group represented by R 7 include methylene group, ethylene group, propylene group,
Butylene group, pentylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group, nonylene group, decylene group, undecylene group, dodecylene group, tridecylene group, tetradecylene group, pentadecylene group, hexadecylene group, heptadecylene group, octadecylene group, nonadecylene group, eicosylene group Etc.

【0052】上記R7 で表されるアリーレン基として
は、例えば、フェニレン基、トリレン基、キシリレン
基、ビフェニレン基、ナフタレニレン基、アントラセニ
レン基等が挙げられる。
Examples of the arylene group represented by R 7 include a phenylene group, a tolylene group, a xylylene group, a biphenylene group, a naphthalenylene group and an anthracenylene group.

【0053】上記一般式(8)で表されるケイ素系重合
体の構成ユニットとしては、例えば、メチルビニルシ
ン、エチルビニルシリレン、プロピルビニルシリレ
ン、ブチルビニルシリレン、ペンチルビニルシリレン、
ヘキシルビニルシリレン、フェニルビニルシリレン、ト
リルビニルシリレン、キシリルビニルシリレン、メチル
アリルシリレン、エチルアリルシリレン、プロピルアリ
ルシリレン、ブチルアリルシリレン、ペンチルアリルシ
リレン、ヘキシルアリルシリレン、フェニルアリルシ
ン、トリルアリルシリレン、キシリルアリルシリレ
ン、メチルプロペニルシリレン、エチルプロペニルシ
ン、プロピルプロペニルシリレン、ブチルプロペニル
リレン、ペンチルプロペニルシリレン、ヘキシルプロ
ペニルシリレン、フェニルプロペニルシリレン、トリル
プロペニルシリレン、キシリルプロペニルシリレン、メ
チルブテニルシリレン、エチルブテニルシリレン、プロ
ピルブテニルシリレン、ブチルブテニルシリレン、ペン
チルブテニルシリレン、ヘキシルブテニルシリレン、フ
ェニルブテニルシリレン、トリルブテニルシリレン、キ
シリルブテニルシリレン等が挙げられる。
Silicon-based polymerization represented by the above general formula (8)
Examples of body constituent units include methyl vinyl chloride.Re
LesEthyl vinylLillePropyl vinyl chlorideLille
Butyl vinylLillePentyl vinylLilleThe
Hexyl vinylLillePhenyl vinyl esterLilleN, To
Ril vinylLilleXylyl vinylLilleN, methyl
ArylLilleAnd ethyl allylLilleN, propyl ant
LuciLilleButyl allylLillePentyl allyl
LilleHexyl allylLillePhenyl allylRe
LesAnd tolyl allylLilleXylyl allylLille
Methyl propenylLilleAnd ethyl propenylRe
LesPropyl propenylLilleButylpropenyl
ShiLillePentyl propenylLilleHexyl Pro
PenisLillePhenylpropenylLilleTrill
PropenylLilleXylylpropenylLilleThe
ChilbutenylLilleEthyl butenylLilleN, professional
PilbutenilciLilleButyl butenylLilleA pen
ChilbutenylLilleHexylbutenylLilleN, F
PhenylbutenylLilleTril butenylLilleN, ki
Cyril butenylLilleAnd the like.

【0054】上記一般式(9)又は(10)で表される
シリル置換カルボラン誘導体としては、1置換体として
は、例えば、ジメチルシリルカルボラン、ジエチルシリ
ルカルボラン、ジプロピルシリルカルボラン、ジブチル
シリルカルボラン、ジペンチルシリルカルボラン、ジヘ
キシルシリルカルボラン、ジフェニルシリルカルボラ
ン、ジトリルシリルカルボラン、ジキシリルシリルカル
ボラン、ジビフェニルシリルカルボラン、ジナフチルシ
リルカルボラン、ジアントラセニルシリルカルボラン、
メチルフェニルシリルカルボラン、エチルフェニルシリ
ルカルボラン、プロピルフェニルシリルカルボラン、ブ
チルフェニルシリルカルボラン、ペンチルフェニルシリ
ルカルボラン、ヘキシルフェニルシリルカルボラン等が
挙げられる。
As the silyl-substituted carborane derivative represented by the above general formula (9) or (10), examples of mono-substituted compounds include dimethylsilylcarborane, diethylsilylcarborane, dipropylsilylcarborane, dibutylsilylcarborane and dipentyl. Silylcarborane, dihexylsilylcarborane, diphenylsilylcarborane, ditolylsilylcarborane, dixylylsilylcarborane, dibiphenylsilylcarborane, dinaphthylsilylcarborane, dianthracenylsilylcarborane,
Examples thereof include methylphenylsilylcarborane, ethylphenylsilylcarborane, propylphenylsilylcarborane, butylphenylsilylcarborane, pentylphenylsilylcarborane, and hexylphenylsilylcarborane.

【0055】また、2置換体としては、例えば、m−ビ
ス(ジメチルシリル)カルボラン、m−ビス(ジエチル
シリル)カルボラン、m−ビス(ジプロピルシリル)カ
ルボラン、m−ビス(ジブチルシリル)カルボラン、m
−ビス(ジペンチルシリル)カルボラン、m−ビス(ジ
ヘキシルシリル)カルボラン、m−ビス(ジフェニルシ
リル)カルボラン、m−ビス(ジトリルシリル)カルボ
ラン、m−ビス(ジキシリルシリル)カルボラン、m−
ビス(ジビフェニルシリル)カルボラン、m−ビス(ジ
ナフチルシリル)カルボラン、m−ビス(ジアントラセ
ニルシリル)カルボラン、m−ビス(メチルフェニルシ
リル)カルボラン、m−ビス(エチルフェニルシリル)
カルボラン、m−ビス(プロピルフェニルシリル)カル
ボラン、m−ビス(ブチルフェニルシリル)カルボラ
ン、m−ビス(ペンチルフェニルシリル)カルボラン、
m−ビス(ヘキシルフェニルシリル)カルボラン、及び
これらのオルト−異性体、パラ−異性体等が挙げられ
る。
Examples of the 2-substituted product include m-bis (dimethylsilyl) carborane, m-bis (diethylsilyl) carborane, m-bis (dipropylsilyl) carborane, m-bis (dibutylsilyl) carborane, m
-Bis (dipentylsilyl) carborane, m-bis (dihexylsilyl) carborane, m-bis (diphenylsilyl) carborane, m-bis (ditolylsilyl) carborane, m-bis (dixylylsilyl) carborane, m-
Bis (dibiphenylsilyl) carborane, m-bis (dinaphthylsilyl) carborane, m-bis (dianthracenylsilyl) carborane, m-bis (methylphenylsilyl) carborane, m-bis (ethylphenylsilyl)
Carborane, m-bis (propylphenylsilyl) carborane, m-bis (butylphenylsilyl) carborane, m-bis (pentylphenylsilyl) carborane,
Examples include m-bis (hexylphenylsilyl) carborane, and ortho-isomers and para-isomers thereof.

【0056】上記反応に使用される触媒としては、例え
ば、塩化白金酸、ヘキサロジウムヘキサデカカルボニル
〔Rh6 (CO)16〕等が挙げられる。上記触媒量は、
少なすぎると反応が十分進行せず、多すぎると合成後の
重合体中に残存しやすくなり、耐熱性が低下するため、
ケイ素系重合体の構成単位に対して0.001〜20m
ol%が好ましく、より好ましくは0.01〜10mo
l%である。
Examples of the catalyst used in the above reaction include chloroplatinic acid, hexarhodium hexadecacarbonyl [Rh 6 (CO) 16 ], and the like. The catalyst amount is
If the amount is too small, the reaction does not proceed sufficiently, and if the amount is too large, it tends to remain in the polymer after synthesis, and the heat resistance decreases.
0.001 to 20 m with respect to the constitutional unit of the silicon-based polymer
ol% is preferable, and more preferably 0.01 to 10 mo.
1%.

【0057】上記反応に使用されるケイ素系重合体とシ
リル置換カルボラン誘導体とのモル比は、カルボランの
導入量が少なすぎると得られる重合体の耐熱性、難燃性
が余り向上しないため、ケイ素系重合体1モルに対しシ
リル置換カルボラン誘導体0.01〜10モルが好まし
く、より好ましくは0.1〜5モルである。
The molar ratio of the silicon-based polymer used in the above reaction to the silyl-substituted carborane derivative is such that if the amount of the introduced carborane is too small, the heat resistance and flame retardancy of the resulting polymer will not be improved so much. The silyl-substituted carborane derivative is preferably 0.01 to 10 moles, and more preferably 0.1 to 5 moles, relative to 1 mole of the polymer.

【0058】上記反応に使用される溶媒は極性、無極性
いずれでもよいが、好ましくはトルエン、テトラヒドロ
フランなどの非プロトン性溶媒である。上記溶媒の使用
量は、ケイ素系重合体の構成単位の濃度で0.01〜5
0mol/Lが好ましく、より好ましくは0.05〜5
mol/Lである。
The solvent used in the above reaction may be polar or non-polar, but is preferably an aprotic solvent such as toluene or tetrahydrofuran. The amount of the solvent used is 0.01 to 5 in terms of the concentration of the constituent unit of the silicon-based polymer.
0 mol / L is preferable, and more preferably 0.05 to 5
It is mol / L.

【0059】上記反応は室温から溶媒の沸点の間で行わ
れる。また、この反応は空気中又は不活性ガス雰囲気下
のいずれでも行えるが、好ましくはアルゴンガス又は窒
素ガス雰囲気下である。
The above reaction is carried out between room temperature and the boiling point of the solvent. Further, this reaction can be carried out either in air or under an inert gas atmosphere, but is preferably under an argon gas or nitrogen gas atmosphere.

【0060】上記反応の反応時間は、短すぎるとカルボ
ランの導入反応が十分進行せず、耐熱性が向上せず、逆
に長くなりすぎると架橋反応が進行して溶媒に溶けなく
なり、取り扱いが困難になるため、1〜24時間が好ま
しい。反応終了後、ケイ素系重合体の精製方法として
は、再沈殿法またはゲルパーミエーションクロマトグラ
フィー(GPC)による分取等が挙げられる。
If the reaction time of the above reaction is too short, the carborane introduction reaction will not proceed sufficiently and the heat resistance will not be improved. On the contrary, if it is too long, the crosslinking reaction will proceed and it will not dissolve in the solvent, making handling difficult. Therefore, 1 to 24 hours are preferable. After the completion of the reaction, examples of the method for purifying the silicon-based polymer include reprecipitation method and fractionation by gel permeation chromatography (GPC).

【0061】以下、上記ケイ素系重合体の架橋方法につ
いて説明する。ケイ素系重合体を熱架橋する場合の加熱
温度は、低くなると架橋反応が十分に起こらないため硬
化が不十分となり、高くなるとケイ素系重合体が架橋す
る以前に劣化するため、100〜500℃が好ましく、
より好ましくは250〜400℃である。
The method of crosslinking the silicon-based polymer will be described below. The heating temperature in the case of thermally crosslinking the silicon-based polymer is 100 to 500 ° C. because if the temperature is low, the crosslinking reaction does not sufficiently occur and thus the curing is insufficient, and if it is high, the temperature is deteriorated before the silicon-based polymer is crosslinked. Preferably
More preferably, it is 250 to 400 ° C.

【0062】上記熱架橋反応は、空気、不活性ガス雰囲
気下又は減圧下のいずれでも進行する。この熱架橋反応
の反応時間は、短くなると架橋反応が十分に進行せず硬
化が不十分となり、長くなると劣化反応が起こるため、
1分間〜10時間が好ましく、より好ましくは30分間
〜5時間である。
The above thermal crosslinking reaction proceeds in air, in an inert gas atmosphere or under reduced pressure. If the reaction time of this thermal crosslinking reaction becomes shorter, the crosslinking reaction will not proceed sufficiently and curing will be insufficient, and if it becomes longer, a deterioration reaction will occur.
It is preferably 1 minute to 10 hours, more preferably 30 minutes to 5 hours.

【0063】ケイ素系重合体の光架橋は、紫外線、電子
線等の活性光線の照射によって行われる。紫外線を照射
する場合は、照射量が少なくなると架橋反応が十分に進
行せず硬化が不十分となり、多くなると分解反応が起こ
るため、365nmでの積算露光量として50〜5,0
00mJ/cm2 が好ましい。
Photocrosslinking of the silicon-based polymer is carried out by irradiation with active rays such as ultraviolet rays and electron beams. When ultraviolet rays are irradiated, the crosslinking reaction does not proceed sufficiently and the curing becomes insufficient when the irradiation amount is small, and the decomposition reaction occurs when the irradiation amount is large, so that the integrated exposure amount at 365 nm is 50 to 5,0.
00 mJ / cm 2 is preferable.

【0064】上記紫外線の照射に用いられる光源として
は、例えば、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノ
ンランプ、窒素レーザー、He−Cdレーザー、Arレ
ーザー等が用いられる。
As the light source used for the irradiation of the ultraviolet rays, for example, a high pressure mercury lamp, a halogen lamp, a xenon lamp, a nitrogen laser, a He-Cd laser, an Ar laser or the like is used.

【0065】上記ケイ素系重合体を電子線架橋する場合
は、電子線の照射量が、少なくなると架橋反応が十分に
進行せず硬化が不十分となり、多くなると分解反応が起
こるため、0.01〜100Mradが好ましい。
In the case where the above silicon-based polymer is subjected to electron beam cross-linking, when the irradiation dose of electron beam is small, the crosslinking reaction does not proceed sufficiently and curing is insufficient, and when it is large, a decomposition reaction occurs. ~ 100 Mrad is preferred.

【0066】上記光架橋反応は、空気又は不活性ガス雰
囲気下のいずれでも進行するが、好ましくは窒素、アル
ゴン等の不活性ガス雰囲気下である。
The photocrosslinking reaction proceeds in either air or an inert gas atmosphere, but is preferably in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon.

【0067】[0067]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を挙げる。 (実施例1) アルゴン置換した還流管付100mlの2つ口フラスコ
にポリ(m−ジエチニルベンゼン・フェニルビニルシ
ン)2.56g(10.0mmol)を入れ、テトラ
ヒドロフラン50mlに溶解した。反応液を55℃に昇
温し、触媒(H2 PtCl6 ・6H2 O)0.024g
(0.05mmol)のイソプロパノール溶液1mlを
入れ、10分間撹拌した。1,7−ビス(ジメチルシリ
ル)ドデカカルボラン1.30g(5.0mmol)の
テトラヒドロフラン溶液15mlを滴下後、オイルバス
の温度を75℃に昇温し、10時間加熱還流した。反応
溶液を減圧留去した後、メタノール500ml中に投入
した。沈殿を濾別し、黄白色の粉末2.57gを得た。
このポリマーの重量平均分子量はポリスチレン換算で
7,400であった。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Examples of the present invention will be given below. (Example 1) poly 2-necked 100ml flask with a reflux tube was replaced with argon (m-diethynylbenzene-phenylvinyl Shi Li
Put Les emissions) 2.56g (10.0mmol), was dissolved in tetrahydrofuran 50 ml. The temperature of the reaction solution was raised to 55 ° C., and 0.024 g of catalyst (H 2 PtCl 6 · 6H 2 O)
1 ml of an isopropanol solution (0.05 mmol) was added and stirred for 10 minutes. 15 ml of a tetrahydrofuran solution containing 1.30 g (5.0 mmol) of 1,7-bis (dimethylsilyl) dodecacarborane was added dropwise, the temperature of the oil bath was raised to 75 ° C., and the mixture was heated under reflux for 10 hours. After the reaction solution was distilled off under reduced pressure, it was put into 500 ml of methanol. The precipitate was filtered off to obtain 2.57 g of yellowish white powder.
The weight average molecular weight of this polymer was 7,400 in terms of polystyrene.

【0068】上記ポリマーの 1H−NMRスペクトル
(ブルカー社製「DRX300」で測定)を図1に、I
Rスペクトル(バイオラッド社製「FTS135システ
ム」で測定)を図2に、それぞれ示した。図1では0.
7〜4ppmにかけてカルボランに基づくプロトンのピ
ークがみられる。また、0.07〜0.6ppmにケイ
素原子に結合したメチル基、メチレン基のプロトンのピ
ークが、7〜8ppmにはフェニル基のプロトンのピー
クがそれぞれ確認された。また、図2では2155cm
-1にエチニレン基、2594cm-1にカルボランに起因
する吸収がそれぞれみられた。これらのことから実施例
1は一般式(11)の構造を持つカルボラン含有ケイ素
系重合体であることを確認した。
The 1 H-NMR spectrum of the above polymer (measured by “DRX300” manufactured by Bruker) is shown in FIG.
The R spectra (measured by "FTS135 system" manufactured by Bio-Rad) are shown in FIG. 2, respectively. In FIG. 1, 0.
A peak of protons based on carborane is seen from 7 to 4 ppm. Further, a proton peak of a methyl group and a methylene group bonded to a silicon atom was confirmed at 0.07 to 0.6 ppm, and a proton peak of a phenyl group was confirmed at 7 to 8 ppm. 2155 cm in FIG.
-1 ethynylene group, absorption due to carborane the 2594Cm -1 was observed, respectively. From these, it was confirmed that Example 1 was a carborane-containing silicon-based polymer having the structure of the general formula (11).

【0069】[0069]

【化25】 [Chemical 25]

【0070】(実施例2) アルゴン置換した還流管付100mlの2つ口フラスコ
にポリ(m−ジエチニルベンゼン・フェニルアリルシ
ン)1.08g(4.0mmol)を入れ、テトラヒ
ドロフラン50mlに溶解した。反応液を55℃に昇温
し、触媒(H2PtCl6 ・6H2 O)0.011g
(0.02mmol)のイソプロパノール溶液1mlを
入れ、10分撹拌した。1,7−ビス(ジメチルシリ
ル)ドデカカルボラン0.52g(2.0mmol)の
テトラヒドロフラン溶液15mlを滴下後、オイルバス
の温度を75℃にし、10時間加熱還流した。反応溶液
を減圧留去した後、メタノール500ml中に投入し
た。沈殿を濾別し、黄白色の粉末0.98gを得た。こ
のポリマーの重量平均分子量はポリスチレン換算で4,
100であった。
[0070] (Example 2) Poly 2-necked 100ml flask with a reflux tube was replaced with argon (m-diethynylbenzene-phenyl allyl Shi Li
Put Les emissions) 1.08g (4.0mmol), was dissolved in tetrahydrofuran 50 ml. The temperature of the reaction solution was raised to 55 ° C., and 0.011 g of catalyst (H 2 PtCl 6 .6H 2 O)
1 ml of an isopropanol solution of (0.02 mmol) was added and stirred for 10 minutes. After dropping 15 ml of a tetrahydrofuran solution containing 0.52 g (2.0 mmol) of 1,7-bis (dimethylsilyl) dodecacarborane, the temperature of the oil bath was set to 75 ° C., and the mixture was heated under reflux for 10 hours. After the reaction solution was distilled off under reduced pressure, it was put into 500 ml of methanol. The precipitate was filtered off to obtain 0.98 g of yellowish white powder. The weight average molecular weight of this polymer is 4, in terms of polystyrene.
It was 100.

【0071】上記ポリマーの 1H−NMRスペクトル
(ブルカー社製「DRX300」で測定)を図3に、I
Rスペクトル(バイオラッド社製「FTS135システ
ム」で測定)を図4に示した。図3では0.7〜4pp
mにかけてカルボランに基づくプロトンのピークがみら
れる。また、0.07〜0.6ppmにケイ素原子に結
合したメチル基、メチレン基のプロトンのピークが、7
〜8ppmにはフェニル基のプロトンのピークがそれぞ
れ確認された。また、図4では2155cm-1にエチニ
レン基、2593cm-1にカルボランに起因する吸収が
それぞれみられた。これらのことから実施例2は一般式
(12)の構造を持つカルボラン含有ケイ素系重合体で
あることを確認した。
The 1 H-NMR spectrum of the above polymer (measured by "DRX300" manufactured by Bruker) is shown in FIG.
The R spectrum (measured by "FTS135 system" manufactured by Bio-Rad) is shown in FIG. In FIG. 3, 0.7-4 pp
A proton peak based on carborane is observed over m. Further, the proton peaks of the methyl group and the methylene group bonded to the silicon atom at 0.07 to 0.6 ppm are 7
A proton peak of a phenyl group was confirmed at ˜8 ppm. Further, ethynylene group, absorption attributable to carborane to 2593cm -1 were observed respectively 2155Cm -1 in FIG. From these, it was confirmed that Example 2 was a carborane-containing silicon-based polymer having the structure of the general formula (12).

【0072】[0072]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0073】(実施例3) アルゴン置換した還流管及びロート付200mlの3つ
口フラスコに1,4−ジエチニルベンゼン12.62g
(100.0mmol)を入れ、テトラヒドロフラン4
50mlに溶解した。反応液をドライアイス・メタノー
ル浴で冷却した後、n−ブチルリチウムのヘキサン溶液
(1.6mol/L)125mlを30分かけて滴下
し、1時間撹拌した。次いで、フェニルビニルジクロロ
シラン20.34g(100.1mmol)のテトラヒ
ドロフラン溶液80mlを30分かけて滴下し、室温で
24時間撹拌した。得られた反応液を塩化アンモニウム
飽和水溶液400ml中に投入し、数分攪拌後、テトラ
ヒドロフラン層を分離した。水層をジエチルエーテルで
3回抽出後、有機層を合わせて無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。次に、有機溶媒を濃縮してメタノール1L中
に投入した後、沈殿を濾別して黄褐色粉末のポリマー
5.68gを得た。
(Example 3) 12.62 g of 1,4-diethynylbenzene was placed in a 200 ml three-necked flask equipped with a reflux tube and a funnel replaced with argon.
(100.0 mmol), and tetrahydrofuran 4
It was dissolved in 50 ml. The reaction solution was cooled in a dry ice / methanol bath, 125 ml of a n-butyllithium hexane solution (1.6 mol / L) was added dropwise over 30 minutes, and the mixture was stirred for 1 hour. Next, 80 ml of a tetrahydrofuran solution containing 20.34 g (100.1 mmol) of phenylvinyldichlorosilane was added dropwise over 30 minutes, and the mixture was stirred at room temperature for 24 hours. The obtained reaction solution was put into 400 ml of a saturated aqueous solution of ammonium chloride, and the mixture was stirred for several minutes, and then the tetrahydrofuran layer was separated. The aqueous layer was extracted 3 times with diethyl ether, and the organic layers were combined and dried over anhydrous magnesium sulfate. Next, the organic solvent was concentrated and poured into 1 L of methanol, and then the precipitate was filtered off to obtain 5.68 g of a yellowish brown powdery polymer.

【0074】アルゴン置換した還流管付100mlの2
つ口フラスコにポリ(1,4−ジエチニルベンゼン・フ
ェニルビニルシリレン)1.05g(4.1mmol)
を入れ、トルエン20mlに溶解した。反応液を55℃
に昇温し、触媒(H2 PtCl6 ・6H2 O)0.01
g(0.02mmol)のイソプロパノール溶液1ml
を入れ、10分間撹拌した。次いで、1,7−ビス(ジ
メチルシリル)ドデカカルボラン0.53g(2.0m
mol)のトルエン溶液15mlを滴下後、オイルバス
の温度を120℃にして10時間加熱還流した。さら
に、反応溶液を減圧留去した後、メタノール500ml
中に投入した後沈殿を濾別し、黄白色の粉末1.3gを
得た。このポリマーの重量平均分子量はポリスチレン換
算で35,100であった。
100 ml of 2 with a reflux tube replaced with argon
One mouth flask poly (1,4-diethynylbenzene-phenylvinyl Shi relay emissions) 1.05 g (4.1 mmol)
Was added and dissolved in 20 ml of toluene. Reaction liquid at 55 ° C
The temperature was raised to 0.01 and the catalyst (H 2 PtCl 6 · 6H 2 O) 0.01
1 ml of isopropanol solution containing g (0.02 mmol)
Was charged and stirred for 10 minutes. Then, 0.57 g of 1,7-bis (dimethylsilyl) dodecacarborane (2.0 m
15 ml of a toluene solution of (mol) was added dropwise, the temperature of the oil bath was set to 120 ° C., and the mixture was heated under reflux for 10 hours. Further, after distilling off the reaction solution under reduced pressure, 500 ml of methanol
After throwing in, the precipitate was filtered off to obtain 1.3 g of yellowish white powder. The weight average molecular weight of this polymer was 35,100 in terms of polystyrene.

【0075】上記ポリマーの 1H−NMRスペクトル
(ブルカー社製「DRX300」で測定)を図5に、I
Rスペクトル(バイオラッド社製「FTS135システ
ム」で測定)を図6に示した。図5では0.7〜4pp
mにかけてカルボランに基づくプロトンのピークがみら
れる。また、0.07〜0.6ppmにケイ素原子に結
合したメチル基、メチレン基のプロトンのピークが、7
〜8ppmにはフェニル基のプロトンのピークがそれぞ
れ確認された。また、図6では2594cm-1にカルボ
ランに起因する吸収がみられた。これらのことから実施
例3は下記一般式(13)の構造を持つカルボラン含有
ケイ素系重合体であることを確認した。
The 1 H-NMR spectrum of the above polymer (measured by "DRX300" manufactured by Bruker) is shown in FIG.
The R spectrum (measured by "FTS135 system" manufactured by Bio-Rad) is shown in FIG. In FIG. 5, 0.7-4 pp
A proton peak based on carborane is observed over m. Further, the proton peaks of the methyl group and the methylene group bonded to the silicon atom at 0.07 to 0.6 ppm are 7
A proton peak of a phenyl group was confirmed at ˜8 ppm. Further, in FIG. 6, absorption due to carborane was observed at 2594 cm −1 . From these, it was confirmed that Example 3 was a carborane-containing silicon-based polymer having the structure of the following general formula (13).

【0076】[0076]

【化学式27】 [Chemical formula 27]

【0077】(比較例1) アルゴン置換した還流管付100mlの2つ口フラスコ
にポリ(m−ジエチニルベンゼン・フェニルビニルシ
ン)0.51g(2.0mmol)を入れ、テトラヒ
ドロフラン10mlに溶解した。反応液を55℃に昇温
し、触媒(H2PtCl6 ・6H2 O)0.005g
(0.01mmol)のイソプロパノール溶液1mlを
入れ、10分撹拌した。1,4−ビス(ジメチルシリ
ル)ベンゼン0.19g(1.0mmol)のテトラヒ
ドロフラン溶液5mlを滴下後、オイルバスの温度を7
5℃にし、10時間加熱還流した。反応溶液を室温まで
冷却し、メタノール500ml中に投入した。沈殿を濾
別し、一般式(14)で表されるポリマー(黄白色の粉
末0.478g)を得た。このポリマーの重量平均分子
量はポリスチレン換算で14,500であった。
[0077] (Comparative Example 1) poly 2-necked 100ml flask with a reflux tube was replaced with argon (m-diethynylbenzene-phenylvinyl Shi Li
Put Les emissions) 0.51g (2.0mmol), was dissolved in tetrahydrofuran 10 ml. The temperature of the reaction solution was raised to 55 ° C., and 0.005 g of catalyst (H 2 PtCl 6 · 6H 2 O)
1 ml of an isopropanol solution of (0.01 mmol) was added and stirred for 10 minutes. After adding dropwise 5 ml of a tetrahydrofuran solution containing 0.19 g (1.0 mmol) of 1,4-bis (dimethylsilyl) benzene, the temperature of the oil bath was set to 7
The mixture was brought to 5 ° C. and heated under reflux for 10 hours. The reaction solution was cooled to room temperature and put into 500 ml of methanol. The precipitate was filtered off to obtain a polymer represented by the general formula (14) (yellowish white powder 0.478 g). The weight average molecular weight of this polymer was 14,500 in terms of polystyrene.

【0078】[0078]

【化28】 [Chemical 28]

【0079】上記実施例及び比較例で得られた重合体に
つき、以下の性能評価を行った。 (1)耐熱性評価 上記実施例及び比較例で得られた重合体の耐熱性を、セ
イコー電子社製「SSC5200システム」を使用して
熱分解曲線により評価した。空気雰囲気下での5重量%
分解温度(Td5)、800℃における重量残存率(W
800)を表1に示した。図7に、実施例1(上側)と比較
例1(下側)の空気雰囲気下における熱分解曲線の測定
結果を、図8に、実施例2(上側)と比較例1(下側)
との熱分解曲線の測定結果を、図9に、実施例3(上
側)と比較例1(下側)との熱分解曲線の測定結果を、
それぞれ示した。
The following performance evaluations were performed on the polymers obtained in the above Examples and Comparative Examples. (1) The heat resistance of the heat resistance Evaluation of Examples and obtained in Comparative Example polymer, Se
Using the "SSC5200 system" manufactured by Iko Denshi
It was evaluated by a thermal decomposition curve. 5% by weight of under air atmosphere
Decomposition temperature (Td 5 ), weight residual ratio at 800 ° C (W
800 ) is shown in Table 1 . FIG. 7 shows the measurement results of the thermal decomposition curves of Example 1 (upper side) and Comparative Example 1 (lower side) under the air atmosphere, and FIG. 8 shows Example 2 (upper side) and Comparative Example 1 (lower side).
9 shows the measurement results of the thermal decomposition curves of Example 3 (upper side) and Comparative Example 1 (lower side).
Shown respectively.

【0080】(2)難燃性評価 実施例及び比較例1で得られた重合体を、アルミニウム
製の型に入れ、240℃で2時間溶融成形し成形体を得
た。得られた成形体につき、酸素濃度50%雰囲気下で
の燃焼試験によって難燃性を評価し、評価結果を表1に
示した。
(2) Flame retardance evaluation The polymers obtained in Examples and Comparative Example 1 were treated with aluminum.
In a mold and melt-mold at 240 ° C for 2 hours to obtain a molded body.
It was The obtained molded product was evaluated for flame retardancy by a combustion test in an atmosphere with an oxygen concentration of 50%, and the evaluation results are shown in Table 1.

【0081】[0081]

【表1】 [Table 1]

【0082】表1から明らかなように、実施例のカルボ
ラン含有ケイ素系重合体は、耐熱性に非常に優れた材料
であり、さらに着火後すぐに消火するところから難燃性
に優れた材料であるといえる。
As is clear from Table 1, the carborane-containing silicon-based polymers of Examples are materials having very excellent heat resistance, and also because they are extinguished immediately after ignition, they are materials having excellent flame retardancy. It can be said that there is.

【0083】上記実施例1のカルボラン含有ケイ素系重
合体を240℃で2時間溶融成形した成形体を、空気雰
囲気下330℃で2時間加熱してカルボラン含有ケイ素
系樹脂硬化物を得た。この成形体とその樹脂硬化物のI
Rスペクトルを図10にそれぞれ示した。図10から明
らかなように、樹脂硬化物(下側曲線)は、成形体(上
側曲線)に比べて、2155cm-1のアセチレンに起因
する吸収が減少しており、加熱により架橋硬化反応が起
こっていることが分かる。
The carborane-containing silicon-based polymer of Example 1 was melt-molded at 240 ° C. for 2 hours, and the molded product was heated at 330 ° C. for 2 hours in an air atmosphere to obtain a carborane-containing silicon-based resin cured product. This molded article and its cured resin I
The R spectra are shown in FIG. 10 , respectively. As is clear from FIG. 10 , in the resin cured product (lower curve), the absorption due to acetylene at 2155 cm −1 is reduced as compared with the molded body (upper curve), and the crosslinking curing reaction occurs by heating. I understand that.

【0084】実施例1のカルボラン含有ケイ素系重合体
未加熱)とその樹脂硬化物を、空気及び窒素雰囲気下
において上記と同様にして熱分解曲線を測定し、熱分解
曲線の測定結果を図11及び12に、空気雰囲気下での
5重量%分解温度(Td5)、800℃における重量残存
率(W800)を表2にそれぞれ示した。
The thermal decomposition curve of the carborane-containing silicon polymer ( unheated ) of Example 1 and its resin cured product was measured in the same manner as above under the atmosphere of air and nitrogen, and the measurement result of the thermal decomposition curve was shown. Tables 2 and 3 show the 5 wt% decomposition temperature (Td 5 ) and the weight residual rate (W 800 ) at 800 ° C. in air atmospheres 11 and 12 , respectively.

【0085】[0085]

【表2】 [Table 2]

【0086】また、上記実施例1の成形体とその樹脂硬
化物につき、セイコー電子社製「SSC120システ
ム」を使用して、熱変形温度を測定した。測定は250
gの一定荷重をかけながら、10℃/分の昇温速度で室
温から400℃まで昇温し、温度に対する樹脂硬化物試
料の厚さの変化を評価した。即ち、厚さ10mmの成形
体及び樹脂硬化物試料が0.2mm変形(収縮)した温
度T1 (℃)と、最大収縮量D(mm)を示したときの
温度T2 (℃)とを比較した。熱変形温度の測定結果を
表3及び図13に示した。
The heat distortion temperature of the molded product of Example 1 and the resin cured product thereof was measured using "SSC120 system" manufactured by Seiko Denshi KK. Measurement is 250
While applying a constant load of g, the temperature was raised from room temperature to 400 ° C. at a temperature rising rate of 10 ° C./min, and the change in thickness of the cured resin sample with respect to temperature was evaluated. That is, the temperature T 1 (° C.) at which the molded body and the resin cured product sample having a thickness of 10 mm are deformed (shrinked) by 0.2 mm and the temperature T 2 (° C.) when the maximum shrinkage amount D (mm) is shown. Compared. The measurement results of the heat distortion temperature are shown in Table 3 and FIG.

【0087】[0087]

【表3】 [Table 3]

【0088】表2から、樹脂硬化物は硬化前(重合体)
に比べて耐熱性が向上していることが分かる。また、表
3から、樹脂硬化物は硬化前(成形体)に比べて耐熱変
形性が向上していることが分かる。即ち、ケイ素系樹脂
硬化物は、耐熱性、耐熱変形性に優れた材料であり、こ
の結果はアセチレン基の架橋硬化反応の効果であると考
えられる。
From Table 2, the cured resin is not cured (polymer).
It can be seen that the heat resistance is improved compared to. In addition, it can be seen from Table 3 that the cured resin has improved thermal deformation resistance as compared with that before curing (molded body) . That is, the cured product of the silicon-based resin is a material having excellent heat resistance and heat distortion resistance, and it is considered that the result is the effect of the cross-linking curing reaction of the acetylene group.

【0089】[0089]

【発明の効果】本発明のケイ素系重合体及び本発明のケ
イ素系重合体を硬化させたケイ素系樹脂硬化物は、上述
の通り、耐熱性、難燃性及び耐熱変形性に優れており、
宇宙・航空材料、建築材料などに好適に用いられる。
The silicon-based polymer of the present invention and the case of the present invention
As described above, the silicon-based resin cured product obtained by curing the iodine-based polymer is excellent in heat resistance, flame retardancy and heat deformation resistance,
It is suitable for use in space / aviation materials and building materials.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例1のケイ素系重合体の 1H−NMRスペ
クトルである。
1 is a 1 H-NMR spectrum of the silicon-based polymer of Example 1.

【図2】実施例1のケイ素系重合体のIRスペクトルで
ある。
2 is an IR spectrum of the silicon-based polymer of Example 1. FIG.

【図3】実施例2のケイ素系重合体の 1H−NMRスペ
クトルである。
FIG. 3 is a 1 H-NMR spectrum of the silicon-based polymer of Example 2.

【図4】実施例2のケイ素系重合体のIRスペクトルで
ある。
FIG. 4 is an IR spectrum of the silicon-based polymer of Example 2.

【図5】実施例3のケイ素系重合体の 1H−NMRスペ
クトルである。
5 is a 1 H-NMR spectrum of the silicon-based polymer of Example 3. FIG.

【図6】実施例3のケイ素系重合体のIRスペクトルで
ある。
6 is an IR spectrum of the silicon-based polymer of Example 3. FIG.

【図7】実施例1のケイ素系重合体と比較例1の重合体
の熱分解曲線である。
7 is a thermal decomposition curve of the silicon-based polymer of Example 1 and the polymer of Comparative Example 1. FIG.

【図8】実施例2のケイ素系重合体と比較例1の重合体
の熱分解曲線である。
8 is a thermal decomposition curve of the silicon-based polymer of Example 2 and the polymer of Comparative Example 1. FIG.

【図9】実施例3のケイ素系重合体と比較例1の重合体
の熱分解曲線である。
9 is a thermal decomposition curve of the silicon-based polymer of Example 3 and the polymer of Comparative Example 1. FIG.

【図10】実施例1の成形体とその硬化物のIRスペク
トルである。
10 is an IR spectrum of the molded product of Example 1 and a cured product thereof.

【図11】実施例1のケイ素系重合体とその硬化物の熱
分解曲線(空気雰囲気下)である。
11 is a thermal decomposition curve (under air atmosphere) of the silicon-based polymer of Example 1 and a cured product thereof. FIG.

【図12】実施例1のケイ素系重合体とその硬化物の熱
分解曲線(窒素雰囲気下)である。
FIG. 12 is a thermal decomposition curve (under nitrogen atmosphere) of the silicon-based polymer of Example 1 and a cured product thereof.

【図13】実施例1の成形体とその硬化物の熱変形曲線
である。
13 is a thermal deformation curve of the molded product of Example 1 and its cured product. FIG.

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−44299(JP,A) 特開 平5−262878(JP,A) 特開 平6−49430(JP,A) 特開 平6−172712(JP,A) 特開 平10−168197(JP,A) 特公 昭44−2240(JP,B1) 特表 平8−505649(JP,A) 特表 平8−507795(JP,A) 米国特許3388090(US,A) 米国特許3388091(US,A) 米国特許5552505(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 77/00 - 77/62 C08G 79/00 - 79/14 CA(STN) REGISTRY(STN)Continuation of the front page (56) Reference JP-A-50-44299 (JP, A) JP-A-5-262878 (JP, A) JP-A-6-49430 (JP, A) JP-A-6-172712 (JP , A) JP 10-168197 (JP, A) JP-B 44-2240 (JP, B1) JP-A 8-505649 (JP, A) JP-A 8-507795 (JP, A) US Patent 3388090 (US, A) US Patent 3388091 (US, A) US Patent 5552505 (US, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C08G 77/00-77/62 C08G 79/00- 79/14 CA (STN) REGISTRY (STN)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 一般式(1)で表されるカルボラン含有
ユニットの単独重合体、一般式(2)で表されるカルボ
ラン含有ユニットの単独重合体、又は一般式(1)及び
(2)で表されるカルボラン含有ユニットの共重合体か
らなり、重量平均分子量が500以上であることを特徴
とするカルボラン含有ケイ素系重合体。 【化1】 【化2】 〔式中、R1 は、ケイ素原子に結合した水素原子、炭素
数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30のアリール
基を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ
い。R2 は、ケイ素原子に結合する炭素数1〜20のア
ルキレン基又は炭素数6〜30のアリーレン基を表し、
lは0又は1である。R3 は、カルボランの炭素原子に
結合した水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素
数6〜30のアリール基又は一般式(3)で表されるケ
イ素化合物を表す。CBxHx’Cは、2価のかご状の
ホウ素化合物であるカルボランを表し、x、x’は3〜
16の整数を表す〕 【化3】 〔式中、R4 は、ケイ素原子に結合した水素原子、炭素
数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30のアリール
基を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ
い〕
1. A homopolymer of a carborane-containing unit represented by the general formula (1), a homopolymer of a carborane-containing unit represented by the general formula (2), or a homopolymer of the carborane-containing unit represented by the general formula (1) or (2). carborane-containing silicon-based polymer copolymers or <br/> Rannahli carborane-containing unit represented a weight average molecular weight is equal to or less than 500. [Chemical 1] [Chemical 2] [In the formula, R 1 represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and may be the same or different. R 2 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms bonded to a silicon atom.
Represents a alkylene group or an arylene group having 6 to 30 carbon atoms,
l is 0 or 1 . R 3 represents a hydrogen atom bonded to a carbon atom of carborane, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a silicon compound represented by the general formula (3). CBxHx′C represents carborane which is a divalent cage boron compound, and x and x ′ are 3 to.
Represents an integer of 16] [In the formula, R 4 represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and may be the same or different.]
【請求項2】 一般式(1)及び/又は(2)で表され
るカルボラン含有ユニットと一般式(4)〜(7)で表
されるユニットの一種以上からなる炭化水素基とからな
り、重量平均分子量が500以上であることを特徴とす
カルボラン含有ケイ素系重合体。 【化4】 【化5】 【化6】 〔式中、R1 は、ケイ素原子に結合した水素原子、炭素
数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30のアリール
基を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ
い。R2 は、ケイ素原子に結合する炭素数1〜20のア
ルキレン基又は炭素数6〜30のアリーレン基を表し、
lは0又は1である。R3 は、カルボランの炭素原子に
結合した水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素
数6〜30のアリール基又は一般式(3)で表されるケ
イ素化合物を表す。CBxHx’Cは、2価のかご状の
ホウ素化合物であるカルボランを表し、x、x’は3〜
16の整数を表す。R5 は、炭素原子に結合した水素原
子、炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30の
アリール基を表し、それぞれ同一であっても異なってい
てもよい。R6 は、炭素数6〜30のアリーレン基を表
す〕 【化7】 〔式中、R4 は、ケイ素原子に結合した水素原子、炭素
数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30のアリール
基を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ
い〕
2. A general formula (1) and / or (2) carborane-containing units of the general formula (4) represented by - (7) consists of one or more units represented by a hydrocarbon group Tona
And has a weight average molecular weight of 500 or more.
Carborane-containing silicon-based polymer that. [Chemical 4] [Chemical 5] [Chemical 6] [In the formula, R 1 represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and may be the same or different. R 2 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms bonded to a silicon atom.
Represents a alkylene group or an arylene group having 6 to 30 carbon atoms,
l is 0 or 1 . R 3 represents a hydrogen atom bonded to a carbon atom of carborane, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a silicon compound represented by the general formula (3). CBxHx′C represents carborane which is a divalent cage boron compound, and x and x ′ are 3 to.
Represents an integer of 16. R 5 represents a hydrogen atom bonded to a carbon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and may be the same or different. R 6 represents an arylene group having 6 to 30 carbon atoms] [In the formula, R 4 represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and may be the same or different.]
【請求項3】 一般式(8)で表されるユニットからな
るケイ素系重合体、又は一般式(8)及び一般式(4)
〜(7)で表されるユニットの一種以上からなる炭化水
素基の組み合わせからなるケイ素系重合体と、一般式
(9)又は一般式(10)で表されるシリル置換カルボ
ラン誘導体とを反応させることを特徴とする請求項1又
は2記載のカルボラン含有ケイ素系重合体の製造方法。 【化8】 【化9】 【化10】 【化11】 〔式中、R1 は、ケイ素原子に結合した水素原子、炭素
数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30のアリール
基を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ
い。R3 は、カルボランの炭素原子に結合した水素原
子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜30のア
リール基又は一般式(3)で表されるケイ素化合物を表
す。R5 は、炭素原子に結合した水素原子、炭素数1〜
20のアルキル基又は炭素数6〜30のアリール基を表
し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。R6
は、炭素数6〜30のアリーレン基を表す。R7 は、ケ
イ素原子に結合する炭素数1〜20のアルキレン基又は
炭素数6〜30のアリーレン基を表し、lは0又は1で
ある。CBxHx’Cは、2価のかご状のホウ素化合物
であるカルボランを表し、x、x’は3〜16の整数を
表す〕 【化12】 〔式中、R4 は、ケイ素原子に結合した水素原子、炭素
数1〜20のアルキル基又は炭素数6〜30のアリール
基を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ
い〕
3. A unit represented by the general formula (8).
Silicon-based polymer, or general formula (8) and general formula (4)
To react a silicon-based polymer composed of a combination of hydrocarbon groups composed of one or more units represented by (7) to a silyl-substituted carborane derivative represented by the general formula (9) or (10). The method for producing a carborane-containing silicon-based polymer according to claim 1 or 2, wherein [Chemical 8] [Chemical 9] [Chemical 10] [Chemical 11] [In the formula, R 1 represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and may be the same or different. R 3 represents a hydrogen atom bonded to a carbon atom of carborane, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a silicon compound represented by the general formula (3). R 5 is a hydrogen atom bonded to a carbon atom, having 1 to 1 carbon atoms.
It represents an alkyl group having 20 or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, which may be the same or different. R 6
Represents an arylene group having 6 to 30 carbon atoms. R 7 represents an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or an arylene group having 6 to 30 carbon atoms, which is bonded to a silicon atom, and l is 0 or 1. CBxHx′C represents carborane, which is a divalent cage boron compound, and x and x ′ represent an integer of 3 to 16] [In the formula, R 4 represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and may be the same or different.]
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