JP3462272B2 - Array electrode substrate inspection equipment - Google Patents

Array electrode substrate inspection equipment

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JP3462272B2 JP21380494A JP21380494A JP3462272B2 JP 3462272 B2 JP3462272 B2 JP 3462272B2 JP 21380494 A JP21380494 A JP 21380494A JP 21380494 A JP21380494 A JP 21380494A JP 3462272 B2 JP3462272 B2 JP 3462272B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はアレイ電極基板の電気的
特性の検査装置に係り、例えばLCDパネル(液晶表示
パネル)などの電極の検査に使用される。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for inspecting the electrical characteristics of an array electrode substrate, which is used for inspecting electrodes such as LCD panels (liquid crystal display panels).

【0002】[0002]

【従来の技術】電気光学効果(E−O効果)を用いてパ
ネル上の電極の電位を測定する装置が知られている。こ
の装置では、電気光学効果を有する材料からなる電気光
学プローブ(E−Oプローブ)を電極に近接させて電界
に応じた屈折率変化を生じさせ、これにレーザビーム光
を照射し、反射戻り光の偏光状態の変化を読み取ること
により、パネル上の電極の電位を読み取る装置である。
2. Description of the Related Art There is known a device for measuring an electric potential of an electrode on a panel by using an electro-optical effect (EO effect). In this device, an electro-optic probe (EO probe) made of a material having an electro-optic effect is brought close to an electrode to cause a change in the refractive index according to an electric field, and this is irradiated with a laser beam light to reflect reflected light. This is a device for reading the potential of the electrode on the panel by reading the change in the polarization state of.

【0003】そして、このような従来技術としては、例
えば特開昭64−9370号公報、同64−18071
号公報(第1の文献)、同64−18072号公報、同
64−18073号公報、特開平3−244141号公
報(第2の文献)の他に、下記の文献 「IEICE TRANS. ELECTRON.,
VOL.E76−C,NO.1 JANUARY 19
93,PP64〜67」(第3の文献) 「IEEE JOURNAL OF QUANTUM
ELECTRONICS, VOL. QE−22,
NO.1, JANUARY 1986,PP69〜7
8,PP79〜93」 などが知られている。
As such a conventional technique, for example, JP-A-64-9370 and 64-18071 are disclosed.
In addition to the publications (first literature), 64-18072 publication, 64-18073 publication, and JP-A-3-244141 (second publication), the following publication "IEICE TRANS. ELECTRON.,"
VOL. E76-C, NO. 1 JANUARY 19
93, PP64-67 "(third document)" IEEE JOURNAL OF QUANTUM "
ELECTRONICS, VOL. QE-22,
NO. 1, JANUARY 1986, PP69-7
8, PP 79-93 ”and the like are known.

【0004】これらのうち、液晶表示パネルなどのアレ
イ電極基板における多数の電極の電位測定に利用できる
ものとして、上記の第1の文献では、大きな電気光学プ
ローブを用いて直線偏光された1本の測定レーザビーム
光をスキャンし、二次元的な電位分布測定を可能にして
いる。また、上記の第2および第3の文献では、細く絞
られたビーム光ではなく、一定の拡がりを持つ平行光を
電気光学変調器に入射し、一度に多数の電極を含む領域
の電位分布測定を行なえるようにしている。
Among them, as one that can be used for measuring the potentials of a large number of electrodes on an array electrode substrate of a liquid crystal display panel or the like, in the above-mentioned first document, one linearly polarized light using a large electro-optic probe is used. The measurement laser beam light is scanned to enable two-dimensional potential distribution measurement. Further, in the above-mentioned second and third documents, parallel light having a certain spread is incident on the electro-optical modulator, not the light beam that is narrowed down, and the potential distribution of a region including a large number of electrodes is measured at one time. I can do it.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、アレイ電極基
板に配設された多数の電極の電位を、高速かつ正確に、
しかも電極のみを測定するのは難しい。例えば、上記第
1の文献では、1本の測定レーザビーム光を順次にスキ
ャンしているため、多数の電極の測定を終えるまでには
長い時間がかかる。また、1個の電気光学結晶のサイズ
を大きくする(長尺なものにする)ことは難しいので、
1回のスキャンによる測定範囲は、あまり広くできな
い。上記第2および第3の文献に従えば、多数の電極を
一括して同時測定できるが、電極以外の部分も測定する
ことになってしまう。
However, the potentials of a large number of electrodes arranged on the array electrode substrate can be accurately and quickly detected.
Moreover, it is difficult to measure only the electrodes. For example, in the above-mentioned first document, since one measurement laser beam is sequentially scanned, it takes a long time to finish the measurement of many electrodes. Also, since it is difficult to increase the size of one electro-optic crystal (make it long),
The measurement range for one scan cannot be very wide. According to the above-mentioned second and third documents, a large number of electrodes can be simultaneously measured at one time, but a portion other than the electrodes will also be measured.

【0006】このため、例えば液晶表示パネルのよう
に、極めて多数の電極が配列されたアレイ電極基板の検
査には、新しいアレイ電極基板の検査装置の提供が望ま
れていた。
Therefore, for inspection of an array electrode substrate in which an extremely large number of electrodes are arranged, such as a liquid crystal display panel, it has been desired to provide a new inspection device for the array electrode substrate.

【0007】ここで、アレイ電極基板の一種である液晶
表示パネルは、例えば図16あるいは図17のように構
成される。図16は白黒表示の液晶表示パネルを示して
いる。ガラス製のパネル上面には、ほぼ正方形の画素電
極(単位電極)が、左右方向に規則的に形成されてアレ
イ電極が構成され、このアレイ電極はアレイ方向と直交
する上下方向に複数並べられ、結果として単位電極がパ
ネル上に二次元に、すなわちマトリクスに配列されてい
る。そして、各々の単位電極の間には、アレイ方向にデ
ータ線、その直交方向に走査線が設けられ、これらの交
差部には画素電極である単位電極への電圧印加をオン,
オフするスイッチとして、薄膜トランジスタ(TFT)
が形成されている。なお、このパネル上に液晶材料を配
置し、反対面に共通電極(共に図示せず)を設けること
により、表示デバイスとしての液晶表示パネルが構成さ
れる。
Here, a liquid crystal display panel, which is a type of array electrode substrate, is constructed as shown in FIG. 16 or FIG. FIG. 16 shows a liquid crystal display panel for monochrome display. On the upper surface of the glass panel, substantially square pixel electrodes (unit electrodes) are regularly formed in the left-right direction to form an array electrode, and a plurality of array electrodes are arranged in a vertical direction orthogonal to the array direction. As a result, the unit electrodes are two-dimensionally arranged in a matrix on the panel. A data line is provided in the array direction between the unit electrodes and a scanning line is provided in a direction orthogonal to the data line, and a voltage is applied to the unit electrode, which is a pixel electrode, at the intersection of these lines.
As a switch to turn off, thin film transistor (TFT)
Are formed. A liquid crystal display panel as a display device is formed by disposing a liquid crystal material on this panel and providing a common electrode (both not shown) on the opposite surface.

【0008】カラー表示の液晶表示パネルは、例えば図
17のように構成される。画素電極はR(赤)、G
(緑)、B(青)の三色に対応して設けられ、また図示
しないR,G,Bのカラーフィルタが配置される点で白
黒表示のものと異なるが、他は同一である。このカラー
表示の場合にも、単位電極がアレイ方向に短冊のように
並べられてアレイ電極が構成され、これがアレイ方向と
直交方向に多数並べられることにより、単位電極がマト
リクスに配列される。
A liquid crystal display panel for color display is constructed, for example, as shown in FIG. Pixel electrodes are R (red), G
Although it is provided corresponding to the three colors of (green) and B (blue), and R, G, and B color filters (not shown) are arranged, it is different from the black and white display, but is otherwise the same. Also in the case of this color display, the unit electrodes are arranged like strips in the array direction to form an array electrode, and a large number of the unit electrodes are arranged in the direction orthogonal to the array direction, whereby the unit electrodes are arranged in a matrix.

【0009】このような液晶表示パネルでは、例えば6
40ドット×480ドット×3色のカラーVGAでは、
画素電極である単位電極は1枚のパネルあたり92万1
600画素にもなる。
In such a liquid crystal display panel, for example, 6
With 40 dots x 480 dots x 3 color VGA,
The unit electrode, which is a pixel electrode, is 921,01 per panel.
It has 600 pixels.

【0010】本発明は、このような多数の単位電極が規
則的かつ二次元に配列されたアレイ電極基板の検査を、
短時間に高精度で実行することのできるアレイ電極基板
の検査装置を提供することを目的とする。
The present invention provides an inspection of an array electrode substrate in which such a large number of unit electrodes are regularly and two-dimensionally arranged.
It is an object of the present invention to provide an inspection apparatus for an array electrode substrate that can be executed with high accuracy in a short time.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、電位を測定す
べき複数の単位電極が一方向に配列されたアレイ電極
が、このアレイ方向と直交する方向に所定の並び間隔で
複数並べられることにより、単位電極が二次元に配置さ
れたアレイ電極基板を検査するための検査装置におい
て、アレイ方向の長さが単位電極の複数を包含するサイ
ズの電気光学プローブを所定ピッチで複数並べたプロー
ブアレイを2本有し、一方のプローブアレイの各々の電
気光学プローブと他方のプローブアレイの各々の電気光
学プローブとが千鳥状に配置されるようにしたプローブ
組立体と、プローブ組立体の複数の電気光学プローブの
それぞれに対応して複数本の測定ビーム光を出力するプ
ローブ光源と、プローブ光源からの複数本の測定ビーム
光のそれぞれをアレイ方向またはこの斜め方向に繰り返
して偏向させる偏向手段と、偏向手段により偏向された
複数本の測定ビーム光を複数の電気光学プローブのそれ
ぞれに入射させる光学系と、複数の電気光学プローブに
入射された複数本の測定ビーム光の複数の反射戻り光の
光路を変換する光路変換手段と、光路変換手段によって
光路が変換された複数の反射戻り光を複数の電気光学プ
ローブごとに検出する光検出手段と、偏向手段による測
定ビーム光の偏向の繰り返し周期に同期してプローブ組
立体とアレイ電極基板をアレイ方向と直交する方向にア
レイ電極の並び間隔分、相対移動させる移動手段とを備
えることを特徴とする。
According to the present invention, a plurality of array electrodes in which a plurality of unit electrodes whose potentials are to be measured are arranged in one direction are arranged at a predetermined arrangement interval in a direction orthogonal to the array direction. Thus, in an inspection device for inspecting an array electrode substrate in which unit electrodes are two-dimensionally arranged, a probe array in which a plurality of electro-optical probes each having a length in the array direction including a plurality of unit electrodes are arranged at a predetermined pitch. A probe assembly in which each electro-optical probe of one probe array and each electro-optical probe of the other probe array are arranged in a zigzag pattern, and a plurality of electric wires of the probe assembly. Array of probe light source that outputs multiple measurement beam lights corresponding to each optical probe, and array of multiple measurement beam lights from the probe light source Deflecting means for repeatedly deflecting in the direction or in the oblique direction, an optical system for injecting the plurality of measurement beam lights deflected by the deflecting means into each of the plurality of electro-optical probes, and an incidence for the plurality of electro-optical probes. An optical path converting means for converting the optical paths of a plurality of reflected return light beams of a plurality of measurement beam lights, and a light detection means for detecting a plurality of reflected return light beams whose optical paths are converted by the optical path conversion means for each of a plurality of electro-optical probes. The probe assembly and the array electrode substrate are moved in a direction orthogonal to the array direction by a distance corresponding to the arraying of the array electrodes in synchronization with a repeating cycle of deflection of the measurement beam light by the deflecting means. To do.

【0012】[0012]

【作用】本発明の構成によれば、プローブ組立体におい
て複数の電気光学プローブは千鳥状に配置されるので、
小さな電気光学プローブを複数個(例えば8個、16
個、20個、40個等)用いることで、長尺の電気光学
プローブを構成したことと等価になるので、多数の単位
電極の電位の同時測定が可能になる。すなわち、各々の
電気光学プローブに測定ビーム光を入射し、各々の反射
戻り光をそれぞれ光検出手段で検出しているので、電気
光学プローブの個数分の単位電極の電位を同時測定でき
る。そして、測定ビーム光のアレイ方向またはこの斜め
方向における偏向を、アレイ方向と直交する方向におけ
るアレイ電極とプローブ組立体との相対移動と同期させ
るので、あるラインのアレイ電極の測定が終了したら、
次のラインのアレイ電極の測定を始めることができ、結
果として連続的な電位測定が可能になる。
According to the structure of the present invention, since the plurality of electro-optical probes are arranged in a staggered manner in the probe assembly,
Multiple small electro-optic probes (eg 8, 16
(20 pieces, 40 pieces, etc.) is equivalent to constructing a long electro-optic probe, so that the potentials of many unit electrodes can be simultaneously measured. That is, since the measurement beam light is incident on each electro-optical probe and each reflected return light is detected by the photo-detecting means, the potentials of the unit electrodes corresponding to the number of electro-optical probes can be simultaneously measured. Then, since the deflection of the measurement beam light in the array direction or this oblique direction is synchronized with the relative movement of the array electrode and the probe assembly in the direction orthogonal to the array direction, when the measurement of the array electrode of a certain line is completed,
Measurement of the next line of array electrodes can begin, resulting in continuous potential measurement.

【0013】また、プローブ光源は複数の測定ビーム光
をそれぞれ出力する複数の半導体レーザを有し、光検出
手段は複数の反射戻り光をそれぞれ検出する複数の光セ
ンサを有するようにしてもよい。このようにすれば、光
源および光検出手段の構成を簡単なものにした、極めて
実用性の高いアレイ電極基板の検査装置が実現できる。
Further, the probe light source may have a plurality of semiconductor lasers which respectively output a plurality of measurement beam lights, and the light detecting means may have a plurality of optical sensors which respectively detect a plurality of reflected return lights. By doing so, it is possible to realize an extremely practical array electrode substrate inspection device with a simple structure of the light source and the light detection means.

【0014】また、移動手段は、アレイ電極基板を載置
すると共に、このアレイ電極基板をアレイ方向と直交す
る方向に移動させるステージを有するようにしてもよ
い。このようにすれば、アレイ電極基板とプローブ組立
体の相対移動を、装置本体を静止させたままステージを
駆動するだけで実現できる。
The moving means may have a stage on which the array electrode substrate is placed and which moves the array electrode substrate in a direction orthogonal to the array direction. By doing so, the relative movement of the array electrode substrate and the probe assembly can be realized simply by driving the stage while keeping the apparatus main body stationary.

【0015】また、測定ビーム光が偏向手段で偏向され
ることにより一個の単位電極に対応する領域の電気光学
プローブに入射されている時間内に、単位電極を複数回
測定すべき電位とするパルス駆動信号をアレイ電極基板
に供給するパルス駆動源を更に有するようにしてもよ
い。このようにすれば、測定ビーム光を連続光としなが
らアレイ電極基板を駆動した状態での単位電極の電位を
精度よく測定できる。
Further, the measurement beam light is deflected by the deflecting means and is incident on the electro-optical probe in the region corresponding to one unit electrode, and the unit electrode is set to a potential to be measured a plurality of times within a time period in which the pulse is applied. You may make it further have a pulse drive source which supplies a drive signal to an array electrode substrate. With this configuration, the potential of the unit electrode can be accurately measured while the array electrode substrate is driven while the measurement beam light is continuous light.

【0016】さらに、電気光学プローブは測定ビーム光
より短波長の光により光導電効果を生じさせる材料から
なり、単位電極を測定すべき電位とする直流駆動信号を
アレイ基板に供給する直流駆動源と、複数の電気光学プ
ローブに上記の短波長光を照射する光源と、測定ビーム
光が偏向手段によって偏向されることにより一個の単位
電極に対応する領域の電気光学プローブに入射している
時間内に、上記短波長光の電気光学プローブへの照射が
点滅するようにするチョッピング手段とを更に備えるよ
うにしてもよい。このようにすれば、アレイ電極基板に
直流駆動をさせながら単位電極の電位測定ができる。す
なわち、チョッピング光が照射されると光導電効果によ
り、電気光学効果による電気光学プローブの屈折率変化
はキャンセルされるので、アレイ電極基板をパルス駆動
したのと等価にできる。
Further, the electro-optical probe is made of a material which causes a photoconductive effect by light having a wavelength shorter than that of the measuring beam light, and a direct current drive source for supplying a direct current drive signal for setting the unit electrode to a potential to be measured to the array substrate. , A light source for irradiating a plurality of electro-optical probes with the above-mentioned short-wavelength light, and within a time during which the measurement beam light is incident on the electro-optical probe in the region corresponding to one unit electrode by being deflected by the deflection means. Further, chopping means for making the irradiation of the short-wavelength light on the electro-optical probe blink may be further provided. By doing so, the potential of the unit electrode can be measured while the array electrode substrate is driven by direct current. That is, when the chopping light is irradiated, the change in the refractive index of the electro-optic probe due to the electro-optic effect is canceled by the photoconductive effect, which can be equivalent to pulse-driving the array electrode substrate.

【0017】[0017]

【実施例】以下、添付図面を参照することにより、本発
明のいくつかの実施例を説明する。なお、同一要素には
同一符号を付し、重複する説明は省略する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. The same elements will be denoted by the same reference symbols, without redundant description.

【0018】図1は、第1実施例に係るアレイ電極基板
の検査装置の基本構成を説明する図であり、図2は、こ
の実施例におけるアレイ電極基板とプローブ組立体の関
係を示す図である。この実施例では、合計で20個の検
査ユニットを組み合せて1台の検査装置が構成されてい
る。そして、図1の例では、プローブ光源の一例として
のレーザ光源、電気光学プローブ、光センサ以外の構成
要素は、各々の検査ユニットに対して共通化されている
が、検査ユニットごとに独立していてもよい。
FIG. 1 is a diagram for explaining the basic construction of an array electrode substrate inspection apparatus according to the first embodiment, and FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the array electrode substrate and the probe assembly in this embodiment. is there. In this embodiment, one inspection device is constructed by combining a total of 20 inspection units. In the example of FIG. 1, components other than a laser light source, an electro-optical probe, and an optical sensor, which are an example of a probe light source, are common to each inspection unit, but are independent for each inspection unit. May be.

【0019】図1に示すように、X−Yステージ1の上
面にはアレイ電極基板の一例としてカラー表示用のLC
Dパネル2が載置され、X方向およびY方向に移動可能
になっている。LCDパネル2の電極端子(走査信号入
力端子)にはパルス駆動信号源31の出力端子が接続さ
れ、LCDパネル2の走査線にパルス信号が印加された
のと同期してTFTスイッチがオンすることにより、直
流バイアスが印加されたデータ線を介して画素電極であ
る単位電極21(図2参照)にパルス信号電圧が印加さ
れる。
As shown in FIG. 1, a color display LC is formed on the upper surface of the XY stage 1 as an example of an array electrode substrate.
The D panel 2 is placed and movable in the X and Y directions. The output terminal of the pulse drive signal source 31 is connected to the electrode terminal (scanning signal input terminal) of the LCD panel 2, and the TFT switch is turned on in synchronization with the application of the pulse signal to the scanning line of the LCD panel 2. As a result, the pulse signal voltage is applied to the unit electrode 21 (see FIG. 2) which is the pixel electrode via the data line to which the DC bias is applied.

【0020】X−Yステージ1の上方には、LCDパネ
ル2の上面と近接する位置にプローブ組立体4が配置さ
れる。このプローブ組立体4は、図2に示すように、合
計20個の電気光学材料からなるプローブ411 〜41
20を千鳥状に配置させて備えており、上列のプローブ4
1 〜4110と下列のプローブ4111〜4120とは、そ
の両端が僅かに重なり合う位置関係をなし、かつ上列の
プローブアレイと下列のプローブアレイの中心間の間隔
は、検査すべきLCDパネル2上のアレイ電極(単位電
極21のアレイ)の縦方向(Y方向)における配列ピッ
チ又は、その整数倍と同一になっている。
A probe assembly 4 is arranged above the XY stage 1 at a position close to the upper surface of the LCD panel 2. As shown in FIG. 2, the probe assembly 4 includes a total of 20 probes 41 1 to 41 made of electro-optical materials.
It is equipped with 20 arranged in a staggered pattern, and the probes 4 in the upper row.
1 1 to 41 10 and the lower row probes 41 11 to 41 20 have a positional relationship in which both ends thereof are slightly overlapped with each other, and the distance between the centers of the upper row probe array and the lower row probe array is the LCD to be inspected. It is the same as the array pitch in the vertical direction (Y direction) of the array electrodes (the array of the unit electrodes 21) on the panel 2 or an integral multiple thereof.

【0021】なお、プローブユニットすなわちプローブ
組立体4は、単一の支持板40に20個のプローブ41
1 〜4120を固定することにより、物理的に一体にされ
ている。そして、図2中に矢印で示すように、プローブ
組立体4はLCDパネル2の上面の電極エリア(表示エ
リア)20上を、左上端から右下端まで走査する。な
お、この走査はX−Yステージ1のX方向ドライブおよ
びY方向ドライブの組み合せによって実行される。
The probe unit, that is, the probe assembly 4, has 20 probes 41 on a single support plate 40.
By fixing the 1-41 20 physically they are integrated. Then, as indicated by an arrow in FIG. 2, the probe assembly 4 scans the electrode area (display area) 20 on the upper surface of the LCD panel 2 from the upper left end to the lower right end. This scanning is performed by a combination of the X-direction drive and the Y-direction drive of the XY stage 1.

【0022】プローブ組立体4の上方には、X−Yステ
ージ1側から順に、集光レンズ5、1/8波長板6、偏
光ビームスプリッタ7、偏向器8、及びレーザ光源9が
配置される。このレーザ光源9は、プローブ組立体4に
対応して合計で20個の半導体レーザ911 〜9120
有し、これから出力された20本の測定レーザビーム光
は外部制御された偏向器8でX方向に偏向され、偏光ビ
ームスプリッタ7を透過して直線偏光されたレーザ光と
なり、1/8波長板6に入射する。そして、1/8波長
板によって光バイアスが与えられて楕円偏光とされた
後、集光レンズ5で集光された20本の測定レーザビー
ム光はプローブ組立体4の対応するプローブ411 〜4
20に入射する。
A condenser lens 5, a 1/8 wavelength plate 6, a polarization beam splitter 7, a deflector 8 and a laser light source 9 are arranged above the probe assembly 4 in this order from the XY stage 1 side. . The laser light source 9 has a probe assembly 4 total twenty semiconductor lasers 91 1 to 91 20 in response to, twenty measurement laser beam light therefrom output by the deflector 8 which is externally controlled The laser light is deflected in the X direction, transmitted through the polarization beam splitter 7, becomes linearly polarized laser light, and enters the ⅛ wavelength plate 6. After the optical bias is given by the ⅛ wavelength plate to make it elliptically polarized, the 20 measurement laser beam lights condensed by the condenser lens 5 are the corresponding probes 41 1 to 4 1 of the probe assembly 4.
It is incident on 1 20 .

【0023】測定レーザビーム光はプローブ411 〜4
20の各々の底面のミラー(図示せず)で反射され、反
射戻り光となって集光レンズ5および1/8波長板6を
経由し、偏光ビームスプリッタ7に戻る。このとき、測
定レーザビーム光および反射戻り光は1/8波長板6を
透過することでそれぞれ1/8波長の光バイアスが与え
られているので、プローブ411 〜4120には楕円偏光
にされた測定レーザビーム光が入射されながら、直線偏
光された測定レーザビーム光が入射した偏光ビームスプ
リッタ7には、円偏光にされた反射戻り光が反対方向か
ら入射する。したがって、偏光ビームスプリッタ7では
円偏光にされた反射戻り光の約半分の光量が反射され、
20個の光センサ101 〜1020のそれぞれに入射す
る。
The measuring laser beam light is emitted from the probes 41 1 to 4 1.
It is reflected by the 1 20 each of the bottom surface of the mirror (not shown), as reflected return light via the condenser lens 5 and the 1/8 wavelength plate 6, returns to the polarization beam splitter 7. At this time, since the measurement laser beam light and the reflected return light are transmitted through the ⅛ wavelength plate 6 to be provided with an optical bias of ⅛ wavelength, respectively, the probes 41 1 to 41 20 are elliptically polarized. While the measurement laser beam light is incident, the circularly polarized reflected return light is incident from the opposite direction to the polarization beam splitter 7 to which the linearly polarized measurement laser beam light is incident. Therefore, the polarization beam splitter 7 reflects about half the amount of the circularly polarized reflected return light,
The light is incident on each of the 20 photosensors 10 1 to 10 20 .

【0024】ここにおいて、20個のプローブ411
4120において近接する単位電極21からの電界による
屈折率変化があると、これに応じて反射戻り光の偏光状
態が円偏光から異なる状態となることになり、したがっ
て偏光ビームスプリッタ7で反射される光量も異なるの
で、20個の光センサ101 〜1020には、20個のプ
ローブ411 〜4120のそれぞれに印加された電界に応
じた量の光が入力される。したがって、LCDパネル2
上の20個の単位電極21の同時電位測定が可能にな
る。
Here, 20 probes 41 1 to
When there is a change in the refractive index due to the electric field from the unit electrodes 21 adjacent to each other at 41 20 , the polarization state of the reflected return light becomes different from the circularly polarized light in response to this, and therefore the reflected return light is reflected by the polarization beam splitter 7. Since the amount of light is different, the amount of light corresponding to the electric field applied to each of the 20 probes 41 1 to 41 20 is input to the 20 optical sensors 10 1 to 10 20 . Therefore, the LCD panel 2
Simultaneous potential measurement of the upper 20 unit electrodes 21 becomes possible.

【0025】図1において、光源ドライバ32は20個
の半導体レーザ911 〜9120を連続発光(CW発光)
させる回路であり、計測器33は20個の光センサ10
1 〜1020の出力にもとづき、LCDパネル2の単位電
極21に印加された電界に対応するデータを求めるもの
で、20個の光センサ101 〜1020に対応して20個
の計測チャンネルまたは計測ユニットを有している。な
お、この計測動作については、後に詳述する。
[0025] In FIG. 1, the light source driver 32 continuously emits 20 of the semiconductor laser 91 1 to 91 20 (CW emission)
The measuring device 33 is a circuit that makes 20 optical sensors 10
1-10 on the basis of the output of 20, and requests the data corresponding to the electric field applied to the unit electrodes 21 of the LCD panel 2, 20 in response to the optical sensor 10 1 to 10 20 to 20 measurement channels or It has a measuring unit. The measurement operation will be described in detail later.

【0026】CPU34は例えばパーソナルコンピュー
タで構成されるが、これは、X−Yステージ1の駆動に
よるLCDパネル2の移動と、パルス駆動信号源31に
よるLCDパネル2のパルス駆動と、計測器33による
計測動作とを同期させる役割を有し、且つ計測器33か
ら与えられたデータにもとづきLCDパネル2の多数の
単位電極21のうち、いずれのものが動作不良であるか
を判定する。なお、これらの制御および計測動作につい
ても、後に説明する。
The CPU 34 is composed of, for example, a personal computer, which moves the LCD panel 2 by driving the XY stage 1, pulse-drives the LCD panel 2 with the pulse-driving signal source 31, and measures the instrument 33. It has a role of synchronizing with the measurement operation, and based on the data given from the measuring device 33, it is determined which of the many unit electrodes 21 of the LCD panel 2 is malfunctioning. Note that these control and measurement operations will also be described later.

【0027】本実施例では、図2に示すように、20個
のプローブ411 〜4120を千鳥状に配置したプローブ
組立体4を有し、各々のプローブ411 〜4120は連続
する10個づつの単位電極21の領域をカバーしている
ので、結果として20×10=200個の単位電極21
の領域を1個のプローブ組立体4でカバーできる。つま
り、20ユニットのそれぞれで、測定レーザビーム光は
偏向器8によりアレイ方向(またはアレイ方向と斜めの
方向)に偏向されるので、測定レーザビーム光を10ス
テップ分だけ偏向させることにより、200個の単位電
極21の領域に対して測定レーザビーム光を照射でき
る。
[0027] In this embodiment, as shown in FIG. 2, the 20 probe 41 1-41 20 has a probe assembly 4 arranged in a staggered manner, each of the probes 41 1 to 41 20 to 10 consecutive Since the area of each unit electrode 21 is covered, as a result, 20 × 10 = 200 unit electrodes 21 are formed.
The area can be covered with one probe assembly 4. That is, in each of the 20 units, the measurement laser beam light is deflected by the deflector 8 in the array direction (or in the direction oblique to the array direction). The region of the unit electrode 21 can be irradiated with the measurement laser beam light.

【0028】また、測定レーザビーム光がある単位電極
21の領域に照射されている時間内に、少なくとも一
回、単位電極21がオン(電圧印加)状態となるよう、
パルス駆動信号源31によりLCDパネル2を駆動する
ことで、単位電極21の電位についての情報が光学的に
得られる。
In addition, the unit electrode 21 is turned on (voltage applied) at least once within the time during which the region of the unit electrode 21 is irradiated with the measurement laser beam light.
By driving the LCD panel 2 with the pulse drive signal source 31, information about the potential of the unit electrode 21 is optically obtained.

【0029】さらに、ガルバノミラーや音響光偏向器な
どからなる偏向器8による測定レーザビーム光の1回の
偏向が終了したとき、プローブ組立体4がLCDパネル
2上の次のラインのアレイ電極上に位置するようにX−
Yステージ1を駆動する。この後、偏向器8による測定
レーザビーム光の次の回の偏向動作が始まり、同様にし
て電位測定が行なえる。
Further, when one deflection of the measurement laser beam light by the deflector 8 including a galvanometer mirror and an acoustic light deflector is completed, the probe assembly 4 is placed on the array electrode of the next line on the LCD panel 2. To be located at X-
The Y stage 1 is driven. After that, the deflecting device 8 starts the next deflection operation of the measurement laser beam light, and the potential can be measured in the same manner.

【0030】このような測定が繰り返され、Y方向の上
端から下端まで測定動作が終了したら、X−Yステージ
1はX方向に駆動され、プローブ組立体4の長さ分だけ
移動したところでY方向への移動を再開する(図2参
照)。以下、これを繰り返すことにより、二次元的に広
がりを持つLCDパネル2上の電極エリア20の全面の
測定がされる。
When the above measurement is repeated and the measurement operation from the upper end to the lower end in the Y direction is completed, the XY stage 1 is driven in the X direction and moved by the length of the probe assembly 4 in the Y direction. To move to (see FIG. 2). Hereinafter, by repeating this, the entire surface of the electrode area 20 on the LCD panel 2 having a two-dimensional spread is measured.

【0031】次に、上記実施例の構成および動作を、ユ
ニット等を減らすことで簡略化したモデルにより詳述す
る。
Next, the configuration and operation of the above-described embodiment will be described in detail with a model simplified by reducing the number of units.

【0032】図3は、検査装置を6個の検査ユニットで
構成した例を概念的に示す斜視図である。図示の通り、
6個の検査ユニットはそれぞれ、偏光ビームスプリッタ
7や偏向器8(共に図示せず)などを内包する光学ユニ
ットと、これに付設された集光レンズ51 〜56 、光セ
ンサ101 〜106 および半導体レーザ911 〜916
により構成される。また、6個のプローブ411 〜41
6 も、これらに対応して設けられている。そして、この
プローブ411 〜416 の底面はLCDパネル2上の単
位電極21に十分に近接しており、単位電極21の電位
による電気力線が、プローブ41に及んでその屈折率を
変化させるようにされている。
FIG. 3 is a perspective view conceptually showing an example in which the inspection apparatus is composed of six inspection units. As shown,
Each of the six inspection units includes an optical unit including a polarization beam splitter 7 and a deflector 8 (both not shown), a condenser lens 5 1 to 5 6 and an optical sensor 10 1 to 10 attached to the optical unit. 6 and semiconductor lasers 91 1 to 91 6
It is composed of In addition, the six probes 41 1 to 41
6 is also provided corresponding to these. The bottom surfaces of the probes 41 1 to 41 6 are sufficiently close to the unit electrode 21 on the LCD panel 2, and the lines of electric force due to the potential of the unit electrode 21 reach the probe 41 and change its refractive index. Is being done.

【0033】図3から明らかなように、上列の3個のプ
ローブ411 〜413 が対応する単位電極21のライン
(アレイ方向の並びライン)は、下列の3個のプローブ
414 〜416 が対応する単位電極21のラインの上側
(+Y方向)のラインとなっている。これは、プローブ
411 〜416 を千鳥状に配置し、上列と下列における
プローブ41の配列ピッチを単位電極21のアレイ方向
と直交する方向の並びピッチと同一にさせることで実現
できる。
As is clear from FIG. 3, the lines of the unit electrodes 21 corresponding to the three probes 41 1 to 41 3 in the upper row (arranged lines in the array direction) are the three probes 41 4 to 41 in the lower row. 6 is a line above the line of the corresponding unit electrode 21 (+ Y direction). This can be realized by arranging the probes 41 1 to 41 6 in a staggered pattern and making the arrangement pitch of the probes 41 in the upper row and the lower row the same as the arrangement pitch of the unit electrodes 21 in the direction orthogonal to the array direction.

【0034】このようにプローブ411 〜416 を千鳥
状に配列したことにより、図3のように集光レンズ51
〜56 、光センサ101 〜106 、半導体レーザ911
〜916 の他に光学ユニットなども千鳥状に配置され
る。なお、光学ユニットや集光レンズ51 〜56 につい
ては、第1図のように共通化できる。
By arranging the probes 41 1 to 41 6 in a zigzag manner in this manner, the condenser lens 5 1 as shown in FIG.
˜5 6 , photosensors 10 1 to 10 6 , semiconductor laser 91 1
Etc. In addition to the optical unit to 91 6 are also arranged in a zigzag pattern. The optical unit and the condenser lenses 5 1 to 5 6 can be shared as shown in FIG.

【0035】図4はX−Yステージ1とプローブ組立体
4を示す斜視図である。X−Yステージ1は上面にLC
Dパネル2を載置する上板11と、上板11をガイドに
沿ってY方向に移動させるY駆動板12と、Y駆動板1
2をガイドに沿ってX方向に移動させるX駆動板13と
を備え、Y駆動板12にはY駆動モータ14、X駆動板
13にはX駆動モータ15が付設されている。
FIG. 4 is a perspective view showing the XY stage 1 and the probe assembly 4. XY stage 1 has LC on top
An upper plate 11 on which the D panel 2 is placed, a Y drive plate 12 that moves the upper plate 11 in the Y direction along a guide, and a Y drive plate 1.
X drive plate 13 for moving 2 in the X direction along the guide. Y drive motor 14 is attached to Y drive plate 12, and X drive motor 15 is attached to X drive plate 13.

【0036】図4の装置は、次のように作動する。ま
ず、上板11上にLCDパネル2が載置され、プローブ
組立体4が光学系等と共に降下し、プローブ組立体4の
底面とLCDパネル2の上面が十分に近接する。測定の
開始にあたっては、プローブ組立体4はLCDパネル2
の表示エリア20の左上端(−X,+Y方向)に位置す
る。
The device of FIG. 4 operates as follows. First, the LCD panel 2 is placed on the upper plate 11, the probe assembly 4 is lowered together with the optical system, and the bottom surface of the probe assembly 4 and the top surface of the LCD panel 2 are sufficiently close to each other. When starting the measurement, the probe assembly 4 is attached to the LCD panel 2
The display area 20 is located at the upper left end (-X, + Y direction).

【0037】測定が開始されると、すでに説明したよう
に、偏向器8によって6本の測定レーザビーム光は各々
対応するプローブ411 〜416 に対し、X方向に偏向
されながら入射する。このとき、Y駆動モータ14によ
って上板11はYの方向に徐々に移動させられる。
When the measurement is started, as described above, the six measuring laser beam lights are incident on the corresponding probes 41 1 to 41 6 by the deflector 8 while being deflected in the X direction. At this time, the Y drive motor 14 gradually moves the upper plate 11 in the Y direction.

【0038】偏向器8による測定レーザビーム光の偏向
が一往復したときには、プローブ411 〜416 はそれ
ぞれ表示エリア20の単位電極21からなるアレイ電極
の、次のライン(Y方向の隣りのアレイ電極)上まで移
動している。このため、次のサイクルの偏向器8の偏向
は、前回のラインの次のラインの領域に向けて測定レー
ザビーム光が入射される。
When the deflection of the measurement laser beam light by the deflector 8 makes one reciprocation, the probes 41 1 to 41 6 respectively move to the next line (adjacent array in the Y direction) of the array electrode composed of the unit electrodes 21 in the display area 20. Electrode) has moved to the top. Therefore, in the deflection of the deflector 8 in the next cycle, the measurement laser beam light is incident on the area of the line next to the previous line.

【0039】上記の動作が、LCDパネル2のY方向に
おける単位電極21の数(正確には、Y方向における単
位電極21の数プラス1)だけ繰り返されると、Y方向
の電圧測定の1回分が終了する。これにより、X駆動モ
ータ15によってY駆動板12は−X方向にステップ的
に移動し、今度は−Y方向に移動を開始しながら偏向器
8による測定レーザビーム光の偏向が繰り返される。
When the above operation is repeated by the number of unit electrodes 21 in the Y direction of the LCD panel 2 (more precisely, the number of unit electrodes 21 in the Y direction plus 1), one voltage measurement in the Y direction is performed. finish. As a result, the X drive motor 15 causes the Y drive plate 12 to move stepwise in the -X direction, and this time the deflection of the measurement laser beam light by the deflector 8 is repeated while starting to move in the -Y direction.

【0040】上記のX−Yステージ1による移動制御を
具体的に説明する。ここで、カラーVGA(640ドッ
ト×480ドット×3色=921,600画素)のLC
Dパネルの電気特性を、1枚あたり1分の時間で測定す
ることを考える。プローブ組立体4のアレイ方向の有効
長を20mmとし、1個のプローブ41のアレイ方向の
有効長は1mmで、各々のプローブ41は10個の単位
電極21(ピッチは300μm×100μmであり、そ
のサイズはなるべく大きくとってある。)をカバーして
いるとする。このように設定すると、1回のスキャンで
200画素を測定できるので、LCDパネル2の全体の
測定のために640×3/200=9.6すなわち、1
0回だけLCDパネル2を移動させる必要がある。
The movement control by the XY stage 1 described above will be specifically described. Here, color VGA (640 dots × 480 dots × 3 colors = 921,600 pixels) LC
Consider that the electrical characteristics of the D panel are measured in 1 minute per sheet. The effective length of the probe assembly 4 in the array direction is 20 mm, the effective length of one probe 41 in the array direction is 1 mm, and each probe 41 has ten unit electrodes 21 (pitch is 300 μm × 100 μm. The size is set as large as possible.) With this setting, 200 pixels can be measured in one scan, and therefore 640 × 3/200 = 9.6, that is, 1 for measuring the entire LCD panel 2.
It is necessary to move the LCD panel 2 only 0 times.

【0041】このとき、LCDパネル2の上端から下端
までの1回のY方向移動距離は300μm×480=1
44mmであるから、全部で144mm×10=1,4
40mmだけ移動させる必要がある。すると、これを1
分間で行なうためには、X−Yステージ1のY方向の移
動速度は24mm/secとなるが、これはメカニカル
式のX−Yステージ1で十分に可能である。
At this time, the distance of one movement in the Y direction from the upper end to the lower end of the LCD panel 2 is 300 μm × 480 = 1.
Since it is 44 mm, the total is 144 mm × 10 = 1,4
It is necessary to move by 40 mm. Then this is 1
In order to perform in minutes, the moving speed of the XY stage 1 in the Y direction is 24 mm / sec, but this is sufficiently possible with the mechanical XY stage 1.

【0042】すなわち、本実施例ではX−Yステージ1
はY方向(アレイと直交方向)にステップ的に移動する
ものではなく、等速度で移動するのであるから、極めて
多量の画素(単位電極)の短時間での電位測定が可能に
なる。仮に、ステップ的な移動が必要であるとすると、
移動の開始および停止の瞬間の加速度は極めて大きいの
に対して、X−Yステージ1やLCDパネル2の重量は
かなり大きいので、こうした移動は非常に困難となる。
That is, in this embodiment, the XY stage 1 is used.
Does not move stepwise in the Y direction (orthogonal to the array) but moves at a constant speed, so that it is possible to measure the potential of an extremely large number of pixels (unit electrodes) in a short time. If step movement is required,
The acceleration at the moment of starting and stopping the movement is extremely large, whereas the weight of the XY stage 1 and the LCD panel 2 is considerably large, and thus such movement becomes very difficult.

【0043】図5は、個々の検査ユニットの構成、特に
光学系の構成を示す斜視図である。図示の通り、半導体
レーザ91から出力された測定レーザビーム光はコリメ
ートレンズ101で平行ビームとされ、偏向器8に入射
される。偏向器8は測定レーザビーム光をほぼ一定の角
速度でアレイ方向(または斜め方向)に往復して偏向さ
せ、偏向された測定レーザビーム光はレンズ102を介
して偏光ビームスプリッタ7に入射される。
FIG. 5 is a perspective view showing the structure of each inspection unit, particularly the structure of the optical system. As shown in the figure, the measurement laser beam light output from the semiconductor laser 91 is collimated by the collimator lens 101 and is incident on the deflector 8. The deflector 8 reciprocates and deflects the measurement laser beam light in the array direction (or oblique direction) at a substantially constant angular velocity, and the deflected measurement laser beam light is incident on the polarization beam splitter 7 via the lens 102.

【0044】この偏光ビームスプリッタ7を透過するこ
とにより、測定レーザビーム光は直線偏光されたビーム
光とされ、1/8波長板6で1/8波長の光学バイアス
が与えられる。すなわち、測定レーザビーム光は楕円偏
光とされ、集光レンズ5を介してプローブ41に入射さ
れる。プローブ41の底面からの反射光、すなわち測定
レーザビーム光の反射戻り光は概ね楕円偏光であるが、
プローブ41に印加された電界によるプローブ41自身
の屈折率変化に依存して、偏光状態が楕円偏向とは異な
っている。
By passing through the polarization beam splitter 7, the measurement laser beam light is made into a linearly polarized beam light, and an 1/8 wavelength optical bias is given by the 1/8 wavelength plate 6. That is, the measurement laser beam light is elliptically polarized and is incident on the probe 41 via the condenser lens 5. Although the reflected light from the bottom surface of the probe 41, that is, the reflected return light of the measurement laser beam light is approximately elliptically polarized light,
The polarization state is different from the elliptical polarization depending on the change in the refractive index of the probe 41 itself due to the electric field applied to the probe 41.

【0045】この反射戻り光は集光レンズ5および1/
8波長板6を介して偏光ビームスプリッタ7に再び入射
され、光路が直角方向に変換される。このとき、1/8
波長板6を通ることで再び1/8波長の光学バイアスが
与えられるので、偏光ビームスプリッタ7に入射した反
射戻り光は概ね円偏光となり、プローブ41の屈折率変
化分だけ偏光状態が変化している。
This reflected return light is collected by the condenser lenses 5 and 1 /
The light is again incident on the polarization beam splitter 7 via the eight-wave plate 6 and the optical path is converted to a right angle direction. At this time, 1/8
Since the 1/8 wavelength optical bias is given again by passing through the wave plate 6, the reflected return light that has entered the polarization beam splitter 7 becomes approximately circularly polarized light, and the polarization state changes by the change in the refractive index of the probe 41. There is.

【0046】このため、偏光ビームスプリッタ7で光路
変換される光の光量は、円偏光であれば50%となる
が、円偏光から偏光状態がずれていれば、これに応じて
レンズ103を介して光センサ10に入射される反射戻
り光の光量が異なる。そこで、この光センサ10による
光検出レベルにより、プローブ41に印加された電界を
求めることができる。
Therefore, the amount of light whose optical path is changed by the polarization beam splitter 7 is 50% if it is circularly polarized light, but if the polarization state is deviated from circularly polarized light, the amount of light is passed through the lens 103 accordingly. The amount of reflected return light incident on the optical sensor 10 is different. Therefore, the electric field applied to the probe 41 can be obtained from the optical detection level of the optical sensor 10.

【0047】図6は、偏向された測定レーザビーム光が
プローブ41に入射し、かつ反射する様子を、模式的に
斜視図で示している。図示の例では、プローブ41は8
個の単位電極21の領域をカバーしており、一方の端
(図6の左下側)から他方の端(図6の右上側)に向か
って、測定レーザビーム光はアレイ方向に徐々に偏向さ
れてプローブ41を走査する。したがって、8個の単位
電極21の個々に対応する領域のプローブ41に測定レ
ーザビーム光が入射されている時間内において、反射戻
り光の偏光状態には8個の単位電極21の個々における
電位の情報が含まれている。
FIG. 6 is a schematic perspective view showing how the deflected measurement laser beam light enters and is reflected by the probe 41. In the illustrated example, the probe 41 is 8
The area of each unit electrode 21 is covered, and the measurement laser beam light is gradually deflected in the array direction from one end (lower left side in FIG. 6) to the other end (upper right side in FIG. 6). To scan the probe 41. Therefore, during the time when the measurement laser beam light is incident on the probe 41 in the region corresponding to each of the eight unit electrodes 21, the polarization state of the reflected return light depends on the potential of each of the eight unit electrodes 21. Contains information.

【0048】次に、図7〜図11を参照することによ
り、本発明に係る測定手法のいくつかの例を説明する。
なお、説明を簡単にするため、1個のプローブ41は4
個の単位電極21a〜21dの領域をカバーし、プロー
ブ組立体4は第1〜第6のエリアをそれぞれカバーする
6個のプローブ41を有しているものとする。
Next, some examples of the measuring method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 11.
In order to simplify the explanation, one probe 41 has four
It is assumed that the probe assembly 4 has six probes 41 that respectively cover the regions of the unit electrodes 21a to 21d and cover the first to sixth areas.

【0049】図7は、測定レーザビーム光をプローブ4
1の長手方向(アレイ方向)と平行方向に偏向させる平
行スキャン方式を示している。図7(a)のように、測
定レーザビーム光のスポットが実線矢印のようにプロー
ブ41の左側から右側に徐々に移動し、その後、点線矢
印のように右側から左側に徐々に戻るときは、LCDパ
ネル2の単位電極21a〜21dは、図7(b)のよう
に上側から下側に向かって位置を異ならせて電位測定さ
れる。これは、偏向器8によって測定レーザビーム光が
スキャンされている間に、X−Yステージ1によってL
CDパネル2が移動されているためである。なお、ここ
で測定は、実線矢印の移動の時に行い、点線矢印のもど
りの時には行わない。
FIG. 7 shows the probe 4 for measuring laser beam light.
1 shows a parallel scanning method in which the light is deflected in the direction parallel to the longitudinal direction of 1 (array direction). As shown in FIG. 7A, when the spot of the measurement laser beam light gradually moves from the left side to the right side of the probe 41 as indicated by the solid arrow, and then gradually returns from the right side to the left side as indicated by the dotted arrow, The unit electrodes 21a to 21d of the LCD panel 2 are measured at different potentials from the upper side to the lower side as shown in FIG. 7B. This is because the XY stage 1 moves L while the measuring laser beam light is scanned by the deflector 8.
This is because the CD panel 2 has been moved. Note that the measurement is performed here when the solid arrow moves, and not when the dotted arrow returns.

【0050】図7(c)〜(f)は、測定レーザビーム
光の入射される領域が、左側の単位電極21aから右側
の単位電極21dに移る様子を、分解図で示している。
左側の単位電極21aでは上端から約1/4の領域に測
定レーザビーム光が照射されるが、右側の単位電極21
dでは下端から約1/4の領域に測定レーザビーム光が
照射される。光スポットが点線矢印のもどりの時は、そ
れぞれの単位電極の境界付近に測定レーザビーム光が照
射される。
FIGS. 7 (c) to 7 (f) are exploded views showing how the region where the measurement laser beam light is incident moves from the unit electrode 21a on the left side to the unit electrode 21d on the right side.
The unit electrode 21a on the left side is irradiated with the measurement laser beam light in an area about 1/4 from the upper end, but the unit electrode 21a on the right side is
In d, the measurement laser beam light is applied to a region of about 1/4 from the lower end. When the light spot is returned by the dotted arrow, the measurement laser beam light is irradiated near the boundary of each unit electrode.

【0051】図8は、図7の平行スキャン方式によっ
て、4×6=24個の単位電極21からなるアレイ電極
の領域が、第1〜第6の6つのエリアごとに6本の測定
レーザビーム光により走査される様子を示している。図
8において、第1〜第6のエリアはそれぞれ6個のプロ
ーブ411 〜416 でカバーされているとする。また、
黒丸印は測定レーザビーム光が入射されて電位測定中の
領域、白丸印はすでに測定レーザビーム光が入射されて
測定済みの領域、クロス印は測定レーザビーム光は入射
されたが電位測定されていない領域を示す。
FIG. 8 shows that the area of the array electrode composed of 4 × 6 = 24 unit electrodes 21 is divided into six measurement laser beams for each of the first to sixth areas by the parallel scanning method of FIG. It shows a state of being scanned by light. In FIG. 8, it is assumed that the first to sixth areas are each covered with six probes 41 1 to 41 6 . Also,
The black circle indicates the area where the measurement laser beam is incident and the potential is being measured, the white circle indicates the area where the measurement laser beam has already been incident and the measurement has been completed, and the cross indicates the measurement laser beam has been incident but the potential has been measured. Indicates an area that does not exist.

【0052】図8(a)のように、第2,4,6エリア
の第1ラインと、第1,3,5エリアの第2ラインにお
いて、左側の単位電極21から測定が始まるが、その位
置は各単位電極21の上端から約1/4である。そし
て、図8(b)のように、各エリアの右側の単位電極2
1まで測定が進むが、このときの位置は各単位電極21
の下端から約1/4まで移っている。つまり、単位電極
21の縦方向の配列ピッチの半分だけX−Yステージ1
が動いたとき、偏向器8による片道の偏向が終了する。
As shown in FIG. 8A, in the first line of the second, fourth, sixth area and the second line of the first, third, fifth area, the measurement starts from the unit electrode 21 on the left side. The position is about 1/4 from the upper end of each unit electrode 21. Then, as shown in FIG. 8B, the unit electrode 2 on the right side of each area
The measurement proceeds up to 1, but the position at this time is at each unit electrode 21.
It has moved from the lower end to about 1/4. That is, only half of the vertical arrangement pitch of the unit electrodes 21 is used for the XY stage 1.
When is moved, the one-way deflection by the deflector 8 is completed.

【0053】このようにして4個づつの単位電極21の
測定が終了すると、測定レーザビーム光は戻り方向に偏
向され(図8(c)参照)、2つの単位電極の境界の領
域を通り、遂には次のラインの左側の単位電極21の領
域に測定レーザビーム光が照射される。このとき、測定
位置は左側の単位電極21の上端から約1/4である。
つまり、偏光ビームスプリッタ7による測定レーザビー
ム光の1サイクルの偏向に要する時間が、LCDパネル
2がアレイ電極の直交方向の並びピッチ分だけ移動する
のに要する時間と等しくなっている。以下、図8(d)
のように、同様のスキャンが繰り返される。
When the measurement of the four unit electrodes 21 is completed in this way, the measurement laser beam light is deflected in the return direction (see FIG. 8C) and passes through the boundary region between the two unit electrodes, Finally, the area of the unit electrode 21 on the left side of the next line is irradiated with the measurement laser beam light. At this time, the measurement position is about 1/4 from the upper end of the left unit electrode 21.
That is, the time required for the polarization beam splitter 7 to deflect the measurement laser beam light for one cycle is equal to the time required for the LCD panel 2 to move by the arrangement pitch of the array electrodes in the orthogonal direction. Below, FIG. 8 (d)
The same scan is repeated as in.

【0054】上記の平行スキャン方式をより具体的に説
明すると、まず単位電極21のピッチが縦300μm、
横100μmとし、1個のプローブ41が10個の単位
電極21をカバーすると仮定すると、プローブ41の長
さは1000μm+α(αはプローブ41の余長分)あ
ればよい。
To explain the above parallel scan method more specifically, first, the pitch of the unit electrodes 21 is 300 μm in the vertical direction,
Assuming that the width of 100 μm and one probe 41 covers ten unit electrodes 21, the length of the probe 41 may be 1000 μm + α (α is the extra length of the probe 41).

【0055】左端の単位電極21の上端から1/4のと
ころが測定ライン上にきたとき、これに測定レーザビー
ム光が照射されるようにし、右の単位電極21へと偏向
していく。そして、10個目の右端の単位電極21に測
定レーザビーム光が照射されるとき、その位置が単位電
極21の下端から1/4のところになるようにする。つ
まり、測定レーザビーム光を左から右へ10×100μ
m=1000μmスキャンする間に、X−Yステージ1
が300μm/2=150μmだけY方向に移動するよ
う制御する。
When the 1/4 position from the upper end of the left end unit electrode 21 is on the measurement line, the measurement laser beam light is irradiated to this and it is deflected to the right unit electrode 21. When the tenth rightmost unit electrode 21 is irradiated with the measurement laser beam, the position is set to be ¼ from the lower end of the unit electrode 21. That is, the measurement laser beam light is 10 × 100 μ from left to right.
While scanning m = 1000 μm, the XY stage 1
Is controlled to move in the Y direction by 300 μm / 2 = 150 μm.

【0056】図9は測定レーザビーム光をプローブ41
の長手方向に対して斜めに偏向させる斜めスキャン方式
を示している。この場合のスキャンは、偏向器8をプロ
ーブ41に対して斜めに傾けることで実現される。図9
(a)のように、測定レーザビーム光を実線の如く右上
方向にスキャンしていき、点線のように左下方向に戻し
ていくと、図9(b)のように、単位電極21a〜21
dについて、ほぼ同一の位置で電位測定される。これ
は、測定レーザビーム光のスキャンの中に、X−Yステ
ージ1がLCDパネル2を移動させているからである。
FIG. 9 shows a probe 41 for measuring laser beam light.
2 shows an oblique scanning method in which the light is deflected obliquely with respect to the longitudinal direction. The scan in this case is realized by inclining the deflector 8 obliquely with respect to the probe 41. Figure 9
As shown in FIG. 9A, when the measurement laser beam light is scanned in the upper right direction as shown by the solid line and returned to the lower left direction as shown by the dotted line, the unit electrodes 21a to 21 are made as shown in FIG. 9B.
For d, the potential is measured at almost the same position. This is because the XY stage 1 moves the LCD panel 2 during the scanning of the measurement laser beam light.

【0057】図9(c)〜(f)は、左側の単位電極2
1aから右側の単位電極21dへと順次に測定レーザビ
ーム光の照射位置が異なっていく様子を示す。このよう
な斜めスキャンを採用すれば、6個プローブ411 〜4
6 による第1〜第6エリアの単位電極21の電位測定
は、図10(a)〜(d)のようになる。
9C to 9F show the left unit electrode 2
It shows that the irradiation position of the measurement laser beam light sequentially changes from 1a to the right unit electrode 21d. If such an oblique scan is adopted, six probes 41 1 to 4
The first to the potential measurement of the sixth area of the unit electrodes 21 by 1 6 is as shown in FIG. 10 (a) ~ (d) .

【0058】図10(a)〜(d)が図8(a)〜
(d)と異なる点は、測定レーザビーム光による電位測
定が、常に単位電極21の中央部分に対して実行される
ことである。このため、この斜めスキャン方式によれ
ば、単位電極21がアレイ方向と直交方向に長くない場
合の電位測定に適している。図11(a)〜(e)は、
この場合を示している。個々の単位電極は、ほぼ正方形
状をなしている。
FIGS. 10A to 10D are shown in FIGS.
The difference from (d) is that the potential measurement by the measurement laser beam light is always performed on the central portion of the unit electrode 21. Therefore, this oblique scan method is suitable for potential measurement when the unit electrode 21 is not long in the direction orthogonal to the array direction. 11A to 11E show
This case is shown. Each unit electrode has a substantially square shape.

【0059】斜めスキャン方式をより具体的に説明する
と、ピッチが縦300μm、横100μmで並べられた
多数の単位電極21を、1個のプローブ41で10個の
単位電極21をカバーしながら測定するときには、X−
Yステージ1が300μm/2=150μmだけ縦方向
(Y方向)に移動する間に、測定レーザビーム光を横方
向(X方向)に100μm×10=1000μm、縦方
向(Y方向)に150μmとなるよう斜めスキャンす
る。このようにすれば、測定レーザビーム光は単位電極
21の同一高さ(Y方向)位置に入射され、かつ戻った
ときに次のラインの単位電極21の同一高さ位置とな
る。
More specifically, the oblique scanning method will be described. A large number of unit electrodes 21 arranged with a pitch of 300 μm and a width of 100 μm are measured while one probe 41 covers ten unit electrodes 21. Sometimes X-
While the Y stage 1 moves in the vertical direction (Y direction) by 300 μm / 2 = 150 μm, the measurement laser beam light becomes 100 μm × 10 = 1000 μm in the horizontal direction (X direction) and 150 μm in the vertical direction (Y direction). Scan diagonally. By doing so, the measurement laser beam light is incident on the same height (Y direction) position of the unit electrode 21, and when returning, it becomes the same height position of the unit electrode 21 of the next line.

【0060】次に、実施例における単位電極の電位の計
測方法を、特にリアルタイム計測(図13)と同期計測
(図14)について説明する。
Next, the method of measuring the potential of the unit electrode in the embodiment will be described, particularly for real-time measurement (FIG. 13) and synchronous measurement (FIG. 14).

【0061】図12は、これら計測方法を説明するため
の検査ユニットの構成図であり、図1から1個の検査ユ
ニットを抽出したものである。図示の通り、半導体レー
ザ91からの測定レーザビーム光は偏向器8で往復する
よう偏向され、偏光ビームスプリッタ7で直線偏光とさ
れた後に例えば1/8波長板6で楕円偏向とされてプロ
ーブ41にスキャン入射される。このとき、LCDパネ
ル2上の単位電極21はパルス駆動信号源31によって
パルス的に電位が変化されており、これによる偏光状態
の変化をもった反射戻り光は偏光ビームスプリッタ7で
光路変換され、光センサ10に入射される。
FIG. 12 is a configuration diagram of an inspection unit for explaining these measuring methods, and one inspection unit is extracted from FIG. As shown in the figure, the measurement laser beam light from the semiconductor laser 91 is deflected by the deflector 8 so as to reciprocate, is linearly polarized by the polarization beam splitter 7, and is then elliptically polarized by the ⅛ wave plate 6, for example. Is scanned into. At this time, the potential of the unit electrode 21 on the LCD panel 2 is changed in a pulsed manner by the pulse drive signal source 31, and the reflected return light having a change in polarization state due to this is subjected to optical path conversion by the polarization beam splitter 7. It is incident on the optical sensor 10.

【0062】カラーVGAパネルの画素数は極めて多
く、前述の例では、すべての画素数は921,600個
であり、測定レーザビーム光のスキャンの復路では測定
はおこなわないので、一画素あたりの測定時間は、60
sec×20個/(921,600画素×2往復)=
0.65msecでおこなう必要がある。図13により
後述するように、各画素の測定をリアルタイム計測する
とすれば、パネルを駆動する電気信号の周波数は、1/
0.65msec=1.54kHz以上であれば良い。
また、図14により後述するように、ロックインアンプ
等を用いて同期計測をおこなう場合であれば、その数倍
以上の周波数でパネルを駆動すればよい。
The number of pixels of the color VGA panel is extremely large, and in the above example, the number of all pixels is 921,600, and since measurement is not performed in the returning path of the scan of the measurement laser beam light, measurement per pixel is performed. Time is 60
sec × 20 / (921,600 pixels × 2 round trips) =
It is necessary to perform it in 0.65 msec. As will be described later with reference to FIG. 13, if the measurement of each pixel is measured in real time, the frequency of the electric signal for driving the panel is 1 /
It is sufficient if 0.65 msec = 1.54 kHz or more.
Further, as will be described later with reference to FIG. 14, when performing synchronous measurement using a lock-in amplifier or the like, the panel may be driven at a frequency that is several times that frequency or higher.

【0063】LCDパネルなどの検査をおこなう場合で
あれば、被測定電圧の詳細な波形を観測する必要はな
く、その電圧値のみがわかれば十分である。また、検出
したいのは不良画素があるかどうかであり、それぞれの
画素の電圧の絶対値がわからなくても、良品の画素との
違いがわかればよい。こうした状況を考慮すると、信号
の検出方法は、以下の図13あるいは図14に示すよう
に、かなり単純化することができる。
When inspecting an LCD panel or the like, it is not necessary to observe the detailed waveform of the voltage to be measured, and it is sufficient to know only the voltage value. Further, what is to be detected is whether or not there is a defective pixel, and even if the absolute value of the voltage of each pixel is not known, it is sufficient to know the difference from a non-defective pixel. Considering such a situation, the signal detection method can be considerably simplified as shown in FIG. 13 or FIG. 14 below.

【0064】図13は、図12のシステムでリアルタイ
ム計測を行なうときの波形図である。ここで、パルス駆
動信号源31と計測器33は同期して動作しているが、
ここでは簡単のため、1個の単位電極21の領域に測定
レーザビーム光が入射されている時間内に、LCDパネ
ル2の単位電極21は4回パルス駆動されるとして説明
する。
FIG. 13 is a waveform diagram when real-time measurement is performed by the system of FIG. Here, the pulse drive signal source 31 and the measuring instrument 33 are operating in synchronization,
Here, for simplification, it is assumed that the unit electrode 21 of the LCD panel 2 is pulse-driven four times within the time when the measurement laser beam light is incident on the area of one unit electrode 21.

【0065】図13(a)はLCDパネル2の単位電極
21への駆動信号波形であり、画素A,B,Cのそれぞ
れにつき、4個のパルスが印加される。なお、これは前
述の条件下では、4×1.54kHz=6.16kHz
となる。すると、プローブ41の各単位電極21に対応
する領域には、同様にパルス的に変化する電界が与えら
れるので、光センサ10で検出される光検出出力信号
は、図13(b)のように変化する。
FIG. 13A shows a drive signal waveform to the unit electrode 21 of the LCD panel 2, and four pulses are applied to each of the pixels A, B and C. Note that this is 4 × 1.54 kHz = 6.16 kHz under the above-mentioned conditions.
Becomes Then, a pulsed electric field is similarly applied to the region of the probe 41 corresponding to each unit electrode 21, so that the photodetection output signal detected by the photosensor 10 is as shown in FIG. 13B. Change.

【0066】この光センサ10の出力を帯域フィルタ
(高周波カットフィルタ)に通すと、高域のノイズがカ
ットされ、かつDC成分が除去(DC補正)され、波形
は図13(c)のようになる。なお、この帯域フィルタ
はパルス駆動信号源31による駆動信号の周波数を中心
周波数とする狭帯域フィルタであり、これによって前述
のようにDCバイアスとノイズが除去される。
When the output of the optical sensor 10 is passed through a bandpass filter (high frequency cut filter), the high frequency noise is cut and the DC component is removed (DC correction), and the waveform is as shown in FIG. 13C. Become. The band-pass filter is a narrow-band filter whose center frequency is the frequency of the drive signal from the pulse drive signal source 31. As a result, the DC bias and noise are removed as described above.

【0067】この出力に対して、パルス駆動の各周期に
おける最大値と最小値をサンプリングすると、波形は図
13(d)のようになる。そこで、各画素A,B,Cに
おいて三周期目のパルス駆動のときの最大値と最小値の
差を出力値としてとり出すと、最終出力は図13(e)
のようになる。このようにして、画素A,Cについては
適正な電位が与えられているが、画素Bについては電位
が不十分で、単位電極21が動作不良を起こしているこ
とがわかる。
When the maximum value and the minimum value in each cycle of pulse driving are sampled for this output, the waveform becomes as shown in FIG. 13 (d). Therefore, when the difference between the maximum value and the minimum value in the pulse drive of the third period in each pixel A, B, C is taken out as an output value, the final output is shown in FIG.
become that way. In this way, it is understood that the proper potential is applied to the pixels A and C, but the potential is insufficient for the pixel B, and the unit electrode 21 malfunctions.

【0068】図14は、図12のシステムで同期検出を
行うときの波形図である。この例では、LCDパネル2
の駆動信号源31からの参照信号を計測器33に導き、
その参照信号に基づいてロックインアンプ等からなる計
測器33で同期検出する。同期検出器の場合、上記のリ
アルタイム計測方法よりさらに等価周波数帯域幅を狭く
することができ、さらに良いS/Nを得ることができる
ようになる。
FIG. 14 is a waveform diagram when synchronization detection is performed in the system of FIG. In this example, the LCD panel 2
The reference signal from the drive signal source 31 of the
Based on the reference signal, the measuring device 33 including a lock-in amplifier detects the synchronization. In the case of the synchronous detector, the equivalent frequency bandwidth can be made narrower than in the above real-time measurement method, and a better S / N can be obtained.

【0069】しかし、リアルタイム計測法に比べて出力
が安定するまでに時間がかかるので、図14(a)に示
すように、多くの周期の駆動信号が必要である。光検出
器10からの出力信号はリアルタイム法と同等であり、
同期検出器の出力は図14(c)に示すようにゆっくり
変化していく。この出力をピークホールドするわけであ
るが、そのホールドするタイミングは、図14(c)に
示す同期検出器の出力が一定になる時とする。このよう
にしてピークホールドされた様子を図14(d)に示
す。図14(e)の最終出力は、ホールドされた出力値
であり、画素Bが不良と判定される。パネル検査の際に
は、この出力値のみで判定を下せばよい。
However, since it takes time to stabilize the output as compared with the real-time measurement method, a drive signal with many cycles is required as shown in FIG. 14 (a). The output signal from the photodetector 10 is equivalent to the real-time method,
The output of the sync detector changes slowly as shown in FIG. This output is peak-held, and the timing for holding it is when the output of the synchronization detector shown in FIG. 14 (c) becomes constant. FIG. 14D shows the state of peak hold in this way. The final output in FIG. 14E is the held output value, and the pixel B is determined to be defective. At the time of panel inspection, it is sufficient to make a judgment based only on this output value.

【0070】上記実施例では、LCDパネル2にパルス
駆動信号源31から交流の駆動信号を与えていたが、L
CDパネル2の電極構成によっては、DC電圧しか印加
できないものもある。こうした問題を解決するための計
測方法、すなわち比抵抗変調法を図15に示す。
In the above embodiment, the AC drive signal is supplied from the pulse drive signal source 31 to the LCD panel 2.
Depending on the electrode configuration of the CD panel 2, there are some that can only apply a DC voltage. FIG. 15 shows a measuring method for solving such a problem, that is, a resistivity modulation method.

【0071】図15は、被測定デバイス(LCDパネル
2の単位電極21)における電圧が、直流電圧であると
きの実施例である。プローブ組立体4を構成するE−O
プローブ41としては、電気光学効果と光導電効果の両
方の性質を備えた結晶、例えばZnTeを使用する。プ
ローブ用のレーザ光源91としては波長780nmのC
W半導体レーザダイオードを用い、その他に第二の光源
(チョッピング光源)105として、発光波長514.
5nmのAr+ レーザ光源を用いる。
FIG. 15 shows an example in which the voltage at the device under test (unit electrode 21 of LCD panel 2) is a DC voltage. EO that constitutes the probe assembly 4
As the probe 41, a crystal having both the electro-optical effect and the photoconductive effect, for example, ZnTe is used. As the laser light source 91 for the probe, C having a wavelength of 780 nm is used.
W semiconductor laser diode is used, and in addition, as the second light source (chopping light source) 105, the emission wavelength 514.
A 5 nm Ar + laser light source is used.

【0072】集光レンズ5と1/8波長板6との間の光
路上にはダイクロイックミラー104が置かれるが、こ
れはプローブ用のレーザ光源91からの測定レーザビー
ム光は透過し、Ar+ レーザー光源105からのレーザ
光(チョッパ106でチョッピングされたレーザ光)は
反射する。また、LCDパネル2の各々の単位電極には
DC電源38から直流電圧が与えられている。そして、
チョッパ106パルス駆動手段の動作とロックインアン
プ33の動作は、互いに同期制御されている。
A dichroic mirror 104 is placed on the optical path between the condenser lens 5 and the ⅛ wavelength plate 6, which transmits the measurement laser beam light from the laser light source 91 for the probe and Ar +. Laser light from the laser light source 105 (laser light chopped by the chopper 106) is reflected. A DC voltage is applied from the DC power supply 38 to each unit electrode of the LCD panel 2. And
The operation of the chopper 106 pulse driving means and the operation of the lock-in amplifier 33 are controlled in synchronization with each other.

【0073】ここで、Ar+ レーザー光源105からの
光が結晶(プローブ41)中で吸収されると、光導電
(ホトコン)効果によりE−O結晶中に電荷が発生し、
その結果、結晶の抵抗が低下して電極に印加された電圧
がE−Oプローブ41に印加されにくくなり、電気光学
効果が実質的に解消される。そこで、Ar+ レーザーか
らの光をチョッパ106でON・OFF変調(パルス変
調)してE−Oプローブ41に入射すると、これに同期
してZnTeのE−O効果をOFF・ONさせることが
できる。これは、図12に示したように被測定電圧に変
調を与えたことと等価になり、したがってLCDパネル
2に印加されるのがDC電圧であっても測定できるよう
になる。
Here, when the light from the Ar + laser light source 105 is absorbed in the crystal (probe 41), an electric charge is generated in the EO crystal due to the photoconductive (photocon) effect,
As a result, the resistance of the crystal is lowered and the voltage applied to the electrodes is less likely to be applied to the EO probe 41, and the electro-optical effect is substantially eliminated. Therefore, when the light from the Ar + laser is ON / OFF modulated (pulse modulated) by the chopper 106 and incident on the EO probe 41, the EO effect of ZnTe can be turned OFF / ON in synchronization therewith. . This is equivalent to applying the modulation to the voltage to be measured as shown in FIG. 12, so that even if the DC voltage applied to the LCD panel 2 can be measured.

【0074】[0074]

【発明の効果】以上の通り、本発明のアレイ電極基板の
検査装置によれば、プローブ組立体において複数の電気
光学プローブは千鳥状に配置されるので、小さな電気光
学プローブを複数用いることで、長尺の電気光学プロー
ブを構成したことと等価になるので、多数の単位電極の
電位の非接触同時測定が可能になる。すなわち、各々の
電気光学プローブに測定ビーム光を入射し、各々の反射
戻り光をそれぞれ光検出手段で検出しているので、電気
光学プローブの個数分の単位電極の電位を同時測定でき
る。
As described above, according to the array electrode substrate inspection apparatus of the present invention, since the plurality of electro-optical probes are arranged in a staggered manner in the probe assembly, by using a plurality of small electro-optical probes, Since this is equivalent to configuring a long electro-optic probe, non-contact simultaneous measurement of the potentials of a large number of unit electrodes becomes possible. That is, since the measurement beam light is incident on each electro-optical probe and each reflected return light is detected by the photo-detecting means, the potentials of the unit electrodes corresponding to the number of electro-optical probes can be simultaneously measured.

【0075】そして、測定ビーム光のアレイ方向または
この斜め方向における偏向を、アレイ方向と直交する方
向におけるアレイ電極とプローブ組立体との相対移動と
同期させるので、あるラインのアレイ電極の測定が終了
したら、次のラインのアレイ電極の測定を始めることが
でき、結果として連続的な電位測定、短時間での多数の
画素の電位測定が可能になる。
Since the deflection of the measurement beam light in the array direction or in this oblique direction is synchronized with the relative movement of the array electrode and the probe assembly in the direction orthogonal to the array direction, the measurement of the array electrode on a certain line is completed. Then, the measurement of the array electrode of the next line can be started, and as a result, it becomes possible to continuously measure the potential and measure the potentials of a large number of pixels in a short time.

【0076】また、パルス駆動信号をアレイ電極基板に
供給することで、測定ビーム光を連続光としながら単位
電極の電位を精度よく測定できるだけでなく、アレイ電
極基板に直流駆動をさせながらであっても、S/Nよく
単位電極の電位測定ができる。
Further, by supplying the pulse drive signal to the array electrode substrate, not only the electric potential of the unit electrode can be accurately measured while the measurement light beam is continuous light, but also the array electrode substrate is driven by direct current. Also, the potential of the unit electrode can be measured well with S / N.

【0077】[0077]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例に係るアレイ電極基板の検査装置の全体
構成を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of an array electrode substrate inspection apparatus according to an embodiment.

【図2】液晶表示パネルとE−Oプローブの関係を示す
図。
FIG. 2 is a diagram showing a relationship between a liquid crystal display panel and an EO probe.

【図3】全体構成を模式的に示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view schematically showing the overall configuration.

【図4】X−YステージとE−Oプローブの関係を示す
斜視図。
FIG. 4 is a perspective view showing a relationship between an XY stage and an EO probe.

【図5】1個の検査ユニットの光学系を示す斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing an optical system of one inspection unit.

【図6】E−Oプローブと測定レーザビーム光の関係を
示す斜視図。
FIG. 6 is a perspective view showing the relationship between the EO probe and the measurement laser beam light.

【図7】平行スキャン方式を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a parallel scan method.

【図8】平行スキャン方式を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a parallel scan method.

【図9】斜めスキャン方式を示す図。FIG. 9 is a diagram showing an oblique scanning method.

【図10】斜めスキャン方式を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an oblique scanning method.

【図11】斜めスキャン方式を示す図。FIG. 11 is a diagram showing an oblique scanning method.

【図12】計測方法を説明するための1個の検査ユニッ
トの図。
FIG. 12 is a diagram of one inspection unit for explaining the measuring method.

【図13】図12のシステムにおけるリアルタイム計測
を説明する波形図。
13 is a waveform diagram illustrating real-time measurement in the system of FIG.

【図14】図12のシステムにおける同期計測を示す波
形図。
14 is a waveform diagram showing synchronous measurement in the system of FIG.

【図15】比抵抗変調法による計測が適用される検査ユ
ニットの構成図。
FIG. 15 is a configuration diagram of an inspection unit to which measurement by a resistivity modulation method is applied.

【図16】白黒表示LCDパネルの図。FIG. 16 is a diagram of a monochrome display LCD panel.

【図17】カラー表示LCDパネルの図。FIG. 17 is a diagram of a color display LCD panel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…X−Yステージ、2…LCDパネル、21…単位電
極、31…パルス駆動信号源、33…計測器、4…プロ
ーブ組立体、41…プローブ、5…集光レンズ、6…1
/8波長板、7…偏光ビームスプリッタ、8…偏向器、
9…レーザ光源、91…半導体レーザ、10…光セン
サ。
1 ... XY stage, 2 ... LCD panel, 21 ... Unit electrode, 31 ... Pulse drive signal source, 33 ... Measuring instrument, 4 ... Probe assembly, 41 ... Probe, 5 ... Condensing lens, 6 ... 1
/ 8 wavelength plate, 7 ... polarizing beam splitter, 8 ... deflector,
9 ... Laser light source, 91 ... Semiconductor laser, 10 ... Optical sensor.

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電位を測定すべき複数の単位電極が一方
向に配列されたアレイ電極が、このアレイ方向と直交す
る方向に所定の並び間隔で複数並べられることにより、
前記単位電極が二次元に配設されたアレイ電極基板を検
査するための検査装置において、 前記アレイ方向の長さが前記単位電極の複数を包含する
サイズの電気光学プローブを所定ピッチで複数並べたプ
ローブアレイを2本有し、一方の前記プローブアレイの
各々の前記電気光学プローブと他方の前記プローブアレ
イの各々の前記電気光学プローブとが千鳥状に配置され
るようにしたプローブ組立体と、 前記プローブ組立体の複数の前記電気光学プローブのそ
れぞれに対応して複数本の測定ビーム光を出力するプロ
ーブ光源と、 前記プローブ光源からの複数本の測定ビーム光のそれぞ
れを前記アレイ方向またはこの斜め方向に繰り返して偏
向させる偏向手段と、 前記偏向手段により偏向された前記複数本の測定ビーム
光を前記複数の電気光学プローブのそれぞれに入射させ
る光学系と、 前記複数の電気光学プローブに入射された前記複数本の
測定ビーム光の複数の反射戻り光の光路を変換する光路
変換手段と、 前記光路変換手段によって光路が変換された前記複数の
反射戻り光を前記複数の電気光学プローブごとに検出す
る光検出手段と、 前記偏向手段による前記測定ビーム光の偏向の繰り返し
周期に同期して前記プローブ組立体と前記アレイ電極基
板を前記アレイ方向と直交する方向に前記アレイ電極の
並び間隔分、相対移動させる移動手段とを備えることを
特徴とするアレイ電極基板の検査装置。
1. An array electrode, in which a plurality of unit electrodes whose potentials are to be measured are arrayed in one direction, is arrayed at a predetermined array interval in a direction orthogonal to the array direction,
In an inspection device for inspecting an array electrode substrate in which the unit electrodes are two-dimensionally arranged, a plurality of electro-optical probes each having a length in the array direction including a plurality of the unit electrodes are arranged at a predetermined pitch. A probe assembly having two probe arrays, wherein the electro-optical probe of each of the one probe array and the electro-optical probe of each of the other probe array are arranged in a staggered pattern; A probe light source that outputs a plurality of measurement beam lights corresponding to each of the plurality of electro-optic probes of the probe assembly, and a plurality of measurement beam lights from the probe light source, respectively, in the array direction or in the oblique direction. Deflecting means for repeatedly deflecting the plurality of measurement beam lights deflected by the deflecting means to the plurality of electro-optical devices. An optical system that is incident on each of the probes, an optical path converting unit that converts the optical paths of a plurality of reflected return lights of the plurality of measurement beam lights that are incident on the plurality of electro-optical probes, and an optical path by the optical path converting unit. Light detection means for detecting the converted plurality of reflected return lights for each of the plurality of electro-optical probes; the probe assembly and the array electrode in synchronization with a repetition cycle of deflection of the measurement beam light by the deflection means. An array electrode substrate inspection apparatus, comprising: a moving unit that relatively moves the substrate in a direction orthogonal to the array direction by an arrangement interval of the array electrodes.
【請求項2】 前記プローブ光源は前記複数の測定ビー
ム光をそれぞれ出力する複数の半導体レーザを有し、前
記光検出手段は前記複数の反射戻り光をそれぞれ検出す
る複数の光センサを有する請求項1記載のアレイ電極基
板の検査装置。
2. The probe light source has a plurality of semiconductor lasers that respectively output the plurality of measurement beam lights, and the light detection unit has a plurality of photosensors that respectively detect the plurality of reflected return lights. 1. The array electrode substrate inspection device according to 1.
【請求項3】 前記移動手段は、前記アレイ電極基板を
載置すると共に、このアレイ電極基板を前記アレイ方向
と直交する方向に移動させるステージを有する請求項1
記載のアレイ電極基板の検査装置。
3. The moving means has a stage on which the array electrode substrate is placed and which moves the array electrode substrate in a direction orthogonal to the array direction.
The array electrode substrate inspection device described.
【請求項4】 前記測定ビーム光が前記偏向手段で偏向
されることにより一個の前記単位電極に対応する領域の
前記電気光学プローブに入射されている時間内に、前記
単位電極を複数回測定すべき電位とするパルス駆動信号
を前記アレイ電極基板に供給するパルス駆動源を更に有
する請求項1記載のアレイ電極基板の検査装置。
4. The unit electrode is measured a plurality of times within the time when the measurement beam light is deflected by the deflecting means and is incident on the electro-optic probe in a region corresponding to one unit electrode. 2. The array electrode substrate inspection device according to claim 1, further comprising a pulse drive source that supplies a pulse drive signal having a power potential to the array electrode substrate.
【請求項5】 前記電気光学プローブは前記測定ビーム
光より短波長の光により光導電効果を生じさせる材料か
らなり、前記単位電極を測定すべき電位とする直流駆動
信号を前記アレイ基板に供給する直流駆動源と、 前記複数の電気光学プローブに前記短波長の光を照射す
る光源と、 前記測定ビーム光が前記偏向手段によって偏向されるこ
とにより一個の前記単位電極に対応する領域の前記電気
光学プローブに入射している時間内に、前記短波長の光
が前記電気光学プローブに点滅照射されるよう前記短波
長の光が前記電気光学プローブに照射されるのをオン,
オフするチョッピング手段とを更に備える請求項1記載
のアレイ電極基板の検査装置。
5. The electro-optical probe is made of a material that produces a photoconductive effect by light having a wavelength shorter than that of the measurement beam light, and supplies a DC drive signal to the array substrate, the DC drive signal having a potential to measure the unit electrode. A direct current drive source, a light source for irradiating the plurality of electro-optic probes with the light of the short wavelength, and the electro-optic of a region corresponding to one of the unit electrodes by the measurement beam light being deflected by the deflection means. Turning on the electro-optical probe with the short wavelength light so that the electro-optical probe is flashed with the short wavelength light while being incident on the probe.
The array electrode substrate inspection device according to claim 1, further comprising a chopping means for turning off.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1075468A (en) * 1996-08-30 1998-03-17 Sony Corp Focus measurement method
US6177955B1 (en) * 1997-10-09 2001-01-23 Westar Corporation Visual display inspection system
US6625181B1 (en) * 2000-10-23 2003-09-23 U.C. Laser Ltd. Method and apparatus for multi-beam laser machining
US7525659B2 (en) * 2003-01-15 2009-04-28 Negevtech Ltd. System for detection of water defects
JP3892407B2 (en) 2003-03-25 2007-03-14 富士通株式会社 Imaging device
JP2006085235A (en) * 2004-09-14 2006-03-30 Agilent Technol Inc Mobile operation device and method for controlling mobile operation device
KR101068364B1 (en) * 2007-07-11 2011-09-28 엘지디스플레이 주식회사 inspection equipment of LCD and method for inspecting the same
JP5509414B2 (en) * 2010-01-28 2014-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 Solar cell evaluation apparatus and solar cell evaluation method
BR112015014244A2 (en) 2012-12-28 2017-07-11 Halliburton Energy Services Inc Light source for use in an optical sensor, optical sensor, and method for determining a chemical composition of a sample using an optical sensor
US9157793B2 (en) 2012-12-28 2015-10-13 Halliburton Energy Services, Inc. Pulse width modulation of continuum sources for determination of chemical composition
TWI609188B (en) * 2015-09-25 2017-12-21 矽品精密工業股份有限公司 Detection apparatus and detection method
KR102506803B1 (en) 2018-11-23 2023-03-07 삼성전자주식회사 Method of testing an interconnection substrate and apparatus for performing the same
CN114839393B (en) * 2022-05-20 2023-04-14 中国工程物理研究院流体物理研究所 Arc-shaped divergent array speed measurement probe and speed measurement method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5714058A (en) * 1980-06-28 1982-01-25 Ricoh Co Ltd Printer
US4614408A (en) * 1984-08-27 1986-09-30 Eastman Kodak Company Electrooptic device for scanning and information modulating a plurality of light beams
US4750822A (en) * 1986-03-28 1988-06-14 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for optically detecting surface states in materials
JPH0830720B2 (en) * 1987-06-30 1996-03-27 浜松ホトニクス株式会社 Voltage detector
JP2582579B2 (en) * 1987-07-13 1997-02-19 浜松ホトニクス株式会社 Voltage detector
JPH0830721B2 (en) * 1987-07-13 1996-03-27 浜松ホトニクス株式会社 Voltage detector
US4906922A (en) * 1987-07-13 1990-03-06 Hamamatsu Photonics K. K. Voltage mapping device having fast time resolution
JPH0820470B2 (en) * 1987-07-13 1996-03-04 浜松ホトニクス株式会社 Voltage detector
US5074669A (en) * 1989-12-12 1991-12-24 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for evaluating ion implant dosage levels in semiconductors
US4983911A (en) * 1990-02-15 1991-01-08 Photon Dynamics, Inc. Voltage imaging system using electro-optics
US5124635A (en) * 1990-02-15 1992-06-23 Photon Dynamics, Inc. Voltage imaging system using electro-optics
US5097201A (en) * 1990-02-15 1992-03-17 Photon Dynamics, Inc. Voltage imaging system using electro-optics
JP2873410B2 (en) * 1991-02-25 1999-03-24 東京エレクトロン株式会社 Symbol / character identification device for sample
JPH06213804A (en) 1993-01-20 1994-08-05 Saika Gijutsu Kenkyusho Method and apparatus for measuring percentage sugar content

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