JP3457257B2 - Inner tube for CVD - Google Patents
Inner tube for CVDInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造時に使
用されるCVD装置のインナーチューブに関するもので
あり、特にSiウェハ汚染の原因となるパーティクル発
生の抑制効果をより高めたCVD装置のインナーチュー
ブに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inner tube of a CVD apparatus used for manufacturing a semiconductor, and more particularly to an inner tube of a CVD apparatus having a further enhanced effect of suppressing generation of particles causing contamination of Si wafers. It is a thing.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より半導体素子の製造には、1種以
上の化合物ガスを気相で化学反応させて生成した珪素、
窒化珪素等を薄膜状にウェハ上に形成する、いわゆる気
相化学蒸着法(Chemical Vapor Deposition Method、以
下CVD法という)が採用されている。ここで治具とし
て利用されるインナーチューブは、図1に示す様にSi
ウェハを取り囲むように配置され、CVDプロセスにお
けるウェハの温度均一化や反応ガスの流れ制御等の役割
を果たす。2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacture of semiconductor devices, silicon produced by chemically reacting one or more compound gases in a gas phase,
A so-called chemical vapor deposition method (hereinafter referred to as a CVD method) for forming a thin film of silicon nitride or the like on a wafer is adopted. The inner tube used as a jig here is made of Si as shown in FIG.
It is arranged so as to surround the wafer and plays a role of uniformizing the temperature of the wafer in the CVD process and controlling the flow of the reaction gas.
【0003】Si半導体デバイス製造におけるCVD工
程は、通常、高温かつSiH4等の反応性(腐食性)ガ
ス雰囲気下という過酷な状況にあるため、上記インナー
チューブにも高度の耐熱性と耐腐食性、更には一定の機
械的強度が要求される。従来、この様な過酷な状況に耐
え得る程度の耐熱性等を有する材料として、石英ガラス
が用いられてきた。Since the CVD process in the production of Si semiconductor devices is usually in a harsh condition of high temperature and in a reactive (corrosive) gas atmosphere such as SiH 4 , the inner tube also has a high degree of heat resistance and corrosion resistance. Moreover, a certain mechanical strength is required. Conventionally, quartz glass has been used as a material having heat resistance and the like that can withstand such a severe situation.
【0004】ところで、Siウェハは、よりクリーンな
状況での製造が求められ、不純物等の付着は極力避ける
必要がある。しかし上記CVD法においては、図1に示
す様に、ウェハ3の表面にSi含有層を化学蒸着させる
ために密封容器内でSi含有ガス5が上部より噴霧さ
れ、上記ガス成分がウェハ上のみならずインナーチュー
ブ1の内部表面にも付着する(以下、インナーチューブ
に付着した上記ガス成分を「CVD膜成分」ということ
がある)。この様にSi成分が付着したインナーチュー
ブは、生産性等の観点から逐一取り替えられるわけでは
なく繰り返し使用される。従って上記CVD膜成分は徐
々に積層し、ついにはインナーチューブ本体から剥離し
てパーティクル(微小粒子不純物)としてウェハに付着
し、製品の歩留まりを低下させる。By the way, the Si wafer is required to be manufactured in a cleaner state, and it is necessary to avoid adhesion of impurities and the like as much as possible. However, in the above-mentioned CVD method, as shown in FIG. 1, the Si-containing gas 5 is sprayed from above in a sealed container in order to chemically deposit the Si-containing layer on the surface of the wafer 3, and if the gas component is only on the wafer. Instead, it also adheres to the inner surface of the inner tube 1 (hereinafter, the gas component adhered to the inner tube may be referred to as "CVD film component"). The inner tube to which the Si component is attached is not replaced one by one from the viewpoint of productivity and is repeatedly used. Therefore, the above CVD film components are gradually laminated and finally peeled off from the inner tube main body and adhered to the wafer as particles (fine particle impurities), thereby lowering the product yield.
【0005】従来、この様なパーティクルの発生を防止
するため、定期的に上記インナーチューブをフッ酸や硝
酸等の薬液で洗浄して堆積物を除去する作業が行われて
いたが、頻繁な洗浄作業は生産能率を下げ,且つ製造コ
ストの上昇をまねく原因ともなる。また、インナーチュ
ーブの素材が石英ガラスである場合には、洗浄時にフッ
酸等に腐食されて消耗が激しく寿命が短いため、取替え
の為の生産能率の低下や製造コストの上昇を免れない。Conventionally, in order to prevent the generation of such particles, the inner tube is regularly washed with a chemical solution such as hydrofluoric acid or nitric acid to remove deposits, but it is frequently washed. The work reduces production efficiency and causes increase in manufacturing cost. Further, when the material of the inner tube is quartz glass, it is corroded by hydrofluoric acid or the like at the time of cleaning and is consumed greatly and has a short life. Therefore, it is unavoidable that production efficiency and replacement cost for replacement are increased.
【0006】最近では、インナーチューブの素材とし
て、Siウェハ製造時に用いるSiH 4等の腐食性ガス
のみならず、この様な洗浄時の薬液に対しても耐腐食性
を有するとして炭化珪素が用いられている。しかし、い
ずれにしろCVD膜成分の剥離によるパーティクルの発
生という問題は解決されていないのが現状である。Recently, as a material for the inner tube
SiH used during Si wafer manufacturing FourCorrosive gas such as
Not only corrosion resistance against chemicals during such cleaning
Silicon carbide is used as having. But yes
Even if there is a gap, particle generation due to peeling of CVD film components
The problem of being raw has not yet been solved.
【0007】従って、半導体製造のCVD工程で用いら
れるインナーチューブには、優れた耐熱性と耐腐食性が
要求されるとともに、膜除去等のメンテナンスの負担を
軽減するため、本体に蒸着されるCVD膜成分が剥離し
難い内部表面を有することが要求される。Therefore, excellent heat resistance and corrosion resistance are required for the inner tube used in the CVD process of semiconductor manufacturing, and the CVD deposited on the main body in order to reduce the burden of maintenance such as film removal. It is required that the film component has an internal surface that is difficult to peel off.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記事
情に着目し、かねてより優れた性能を備えたガラス状炭
素製インナーチューブの製造を期して研究を進めてお
り、その成果の一つとして、原料前駆体の製造に使用す
る熱硬化性樹脂として、115℃における硬化度10%
(T10)の到達時間が5〜60分間である硬化特性を有
し、しかもJIS−K6911に規定される円板式流れ
試験において100℃で60mm以上の流動性を示す熱
硬化性樹脂を選択し、該樹脂を遠心成形法によってチュ
ーブ状の熱硬化性樹脂成形体とし、これを炭素化処理す
る方法を採用すれば、要求される耐熱性・耐腐食性を満
たすガラス状炭素製チューブが得られることを知り、先
に特許出願を済ませた。SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors have paid attention to the above circumstances and have been conducting research in anticipation of the manufacture of a glassy carbon inner tube having excellent performance for some time. As a thermosetting resin used for the production of the raw material precursor, the curing degree at 115 ° C. is 10%.
A thermosetting resin having a curing property such that the arrival time of (T 10 ) is 5 to 60 minutes and further showing a fluidity of 60 mm or more at 100 ° C. in a disc type flow test specified in JIS-K6911 is selected. If a tube-shaped thermosetting resin molded body is formed from the resin by a centrifugal molding method and carbonization is performed on the resin, a glassy carbon tube satisfying the required heat resistance and corrosion resistance can be obtained. Knowing that, I applied for a patent first.
【0009】しかしその後、更に改良研究を進めるう
ち、上記ガラス状炭素製チューブを半導体製造用CVD
装置で用いるインナーチューブに適用する場合、CVD
工程で該インナーチューブ内面に付着堆積したCVD膜
成分の剥離に起因するミクロパーティクルの発生を防止
し、該ミクロパーティクルによるSiウェハの汚染を防
止を阻止するうえで、該インナーチューブの物理的な特
性が極めて重要になるとの知見を得た。After that, however, while further improvement research was being conducted, the glassy carbon tube was subjected to CVD for semiconductor production.
When applied to the inner tube used in the equipment, CVD
In order to prevent the generation of microparticles due to the peeling of the CVD film component adhered and deposited on the inner surface of the inner tube in the step and prevent the contamination of the Si wafer by the microparticles, the physical characteristics of the inner tube Has been found to be extremely important.
【0010】本発明はこの様な課題に注目してなされた
ものであって、その目的は、優れた耐熱性と耐腐食性を
有するのは勿論のこと、内部表面のCVD膜成分との密
着性を向上させてパーティクルの発生を抑え、Siウェ
ハの汚染を極力抑制したCVD用インナーチューブを提
供することにある。The present invention has been made by paying attention to such a problem, and its purpose is not only to have excellent heat resistance and corrosion resistance, but also to adhere the inner surface to a CVD film component. Another object of the present invention is to provide an inner tube for CVD in which the property is improved, the generation of particles is suppressed, and the contamination of the Si wafer is suppressed as much as possible.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決した本発
明のCVD用インナーチューブとは、ガラス状炭素より
なり、下記〜で定める1以上の特性を備えているこ
とに特徴を有している。An inner tube for CVD according to the present invention, which has solved the above-mentioned problems, is characterized by being made of glassy carbon and having one or more of the following characteristics. .
【0012】線膨張係数が2×10-6〜3.5×10
-6であること、
JIS B0651及びJIS B0601に準ずる方
法で測定される内部表面の表面粗さが5〜100nmで
あること、
X線光電子分光法で測定される内部表面の酸素/炭素
原子数比(O/C)が0.04〜0.4であること、
ラマン分光法で測定される内部表面の化学結合状態を
表す指標I(D)/I(G)[式中I(D)はダイヤモンド構
造のC−C結合を示すピーク値を表し、I(G)は、グラ
ファイト構造のC−C結合を示すピーク値を表す]が
0.8〜1.4であること。The coefficient of linear expansion is 2 × 10 −6 to 3.5 × 10.
-6 , the surface roughness of the inner surface measured by the method according to JIS B0651 and JIS B0601 is 5 to 100 nm, the oxygen / carbon atom number ratio of the inner surface measured by X-ray photoelectron spectroscopy (O / C) is 0.04 to 0.4, and the index I (D) / I (G) [in the formula, I (D) is a chemical bond state of the inner surface measured by Raman spectroscopy] Represents a peak value showing a C—C bond of the diamond structure, and I (G) represents a peak value showing a C—C bond of the graphite structure] is 0.8 to 1.4.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】本発明者らは前述した様な状況の
下で、インナーチューブ内部表面に積層されるCVD膜
成分の剥離によって発生するパーティクルに起因するS
iウェハ汚染を極力低減することのできるCVD用イン
ナーチューブの開発を期して鋭意研究を進めた。その結
果、前記CVD用インナーチューブをガラス状炭素する
ことが有効であることを突き止め、更にパーティクル発
生の抑制を推し進めるべくガラス状炭素の特性について
様々な角度から検討した結果、上記本発明に想到したも
のである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Under the circumstances as described above, the inventors of the present invention used S due to particles generated by peeling of a CVD film component laminated on the inner surface of an inner tube.
We conducted intensive research in anticipation of the development of an inner tube for CVD that can reduce i-wafer contamination as much as possible. As a result, it was found that it is effective to use glassy carbon for the inner tube for CVD, and the characteristics of glassy carbon were examined from various angles in order to further suppress the generation of particles. As a result, the present invention was conceived. It is a thing.
【0014】本願発明では、半導体製造用CVD装置の
インナーチューブの素材としてガラス状炭素を用いる
が、特に、積層されるCVD膜成分との密着性等を高め
てパーティクルの発生を抑制するには、下記の特性を満
たすことが望ましいことを突き止めた。In the present invention, glassy carbon is used as the material of the inner tube of the CVD apparatus for semiconductor manufacturing. In particular, in order to improve the adhesion with the laminated CVD film components and suppress the generation of particles, It has been found that it is desirable to satisfy the following characteristics.
【0015】以下に、各特性を規定した理由等について
詳細に説明する。The reasons for defining each characteristic will be described in detail below.
【0016】
線膨張係数;2×10-6〜3.5×10-6
本発明者らは、Siウェハ上に付着する微小不純物、い
わゆるパーティクル発生原因の一つが、一連のCVD工
程のおける温度差にあることに着目した。即ち、CVD
工程では、通常、化学蒸着が500〜600℃程度で行
われ、作業終了後ウェハを取り出す際には室温程度にま
で温度を下げる。したがって、インナーチューブの材質
とこれに付着する膜成分の線膨張率とが著しく異なる場
合には、上記温度変化によって膜成分に引張応力或いは
圧縮応力が作用し、インナーチューブ内部表面と膜成分
の間で界面剥離を起こし、パーティクルが発生すると考
えられる。Linear expansion coefficient; 2 × 10 −6 to 3.5 × 10 −6 The present inventors have found that one of the causes of generation of minute impurities, so-called particles, attached to a Si wafer is the temperature in a series of CVD steps. Focused on the difference. That is, CVD
In the process, chemical vapor deposition is usually performed at about 500 to 600 ° C., and when the wafer is taken out after the work is completed, the temperature is lowered to about room temperature. Therefore, when the material of the inner tube and the linear expansion coefficient of the film component attached to the inner tube are significantly different, tensile stress or compressive stress acts on the film component due to the above temperature change, and the inner surface of the inner tube and the film component are separated. It is considered that the interfacial peeling occurs at and the particles are generated.
【0017】これに関して、従来のCVD用インナーチ
ューブの材質として使用されてきた石英や炭化珪素の線
膨張係数を調査したところ、典型的なCVD膜成分の線
膨張係数が、Si;3.9×10-6,Si3N4;2.6
×10-6であるのに対し、上記石英や炭化珪素の線膨張
係数は、SiO2;0.5×10-6,SiC;4.5×
10-6であり、CVD膜成分である窒化珪素やポリシリ
コンのそれと著しく異なっていることを突き止めた。In this regard, when the linear expansion coefficient of quartz or silicon carbide which has been used as a material for the conventional inner tube for CVD is investigated, the linear expansion coefficient of a typical CVD film component is Si: 3.9 × 10 -6 , Si 3 N 4 ; 2.6
Whereas a × 10 -6, the coefficient of linear expansion of the quartz or silicon carbide, SiO 2; 0.5 × 10 -6 , SiC; 4.5 ×
It was 10 −6 , and it was found that it was remarkably different from that of silicon nitride and polysilicon, which are CVD film components.
【0018】従って、CVD膜成分に対して近い線膨張
係数を有する材料をインナーチューブの素材として使用
すれば、上述の如く著しい温度差を生ずる状況において
も、インナーチューブ内壁面からCVD膜成分が剥離し
難く、パーティクルの発生を効果的に抑制し得ることが
判明した。Therefore, if a material having a linear expansion coefficient close to that of the CVD film component is used as the material of the inner tube, the CVD film component is separated from the inner wall surface of the inner tube even in the situation where a significant temperature difference occurs as described above. It has been found that it is difficult to do so and the generation of particles can be effectively suppressed.
【0019】従って本発明では、ガラス状炭素製インナ
ーチューブの線膨張係数を、上記SiやSi3N4等のC
VD膜成分の線膨張係数に近づけることが好ましく、両
者の線膨張係数が極端に異なるとCVD膜成分が剥離す
る原因となる。したがって、CVD用インナーチューブ
の線膨張係数は2×10-6以上、好ましくは2.5×1
0-6以上とし、また3.5×10-6以下、好ましくは
2.9×10-6以下に抑えることとした。Therefore, in the present invention, the linear expansion coefficient of the glass-like carbon inner tube is set to the above-mentioned C such as Si or Si 3 N 4.
It is preferable to approach the linear expansion coefficient of the VD film component, and if the linear expansion coefficients of the two are extremely different, the CVD film component may peel off. Therefore, the coefficient of linear expansion of the inner tube for CVD is 2 × 10 −6 or more, preferably 2.5 × 1.
It is set to 0 -6 or more and to 3.5 × 10 -6 or less, preferably 2.9 × 10 -6 or less.
【0020】尚、上記線膨張係数の測定は、JIS 1
618に記載の「熱機械分析による線膨張の測定方法」
に準じて行い、T1=25℃、T2=600℃の平均線
膨張率を採用した。The linear expansion coefficient is measured according to JIS 1
618 "Method of measuring linear expansion by thermomechanical analysis"
The average linear expansion coefficient of T1 = 25 ° C. and T2 = 600 ° C. was adopted.
【0021】上記線膨張係数の範囲を満たすインナーチ
ューブを得るには、本発明のガラス状炭素製インナーチ
ューブを製造するにあたって、粉末状ないしは液状のフ
ェノール樹脂を原料に用い、窒素雰囲気下、800〜2
600℃、好ましくは1000〜2000℃で焼成する
ことが好ましい。In order to obtain an inner tube satisfying the above range of the coefficient of linear expansion, a powdery or liquid phenol resin is used as a raw material in the production of the glassy carbon inner tube of the present invention, and the temperature is 800 to 800 in a nitrogen atmosphere. Two
It is preferable to bake at 600 ° C, preferably 1000 to 2000 ° C.
【0022】CVD用インナーチューブ内部表面の表
面粗さ;JIS B0651及びJIS B0601に準
ずる方法で5〜100nm。Surface roughness of inner surface of inner tube for CVD; 5 to 100 nm by a method according to JIS B0651 and JIS B0601.
【0023】本願発明者らは、更に別の観点からパーテ
ィクルの発生要因について調べたところ、その要因の一
つが、これまで用いられてきた石英や炭化珪素製のイン
ナーチューブの内部表面と窒化珪素やポリシリコン等の
CVD膜成分との接着強度不足にあることを突き止め
た。そして、該CVD膜成分との接着性の良い材質につ
いて検討した結果、実質的にガラス状炭素のみからなる
インナーチューブの表面を適度に粗面にしたものが、C
VD膜成分と強固に接着しやすく、パーティクル発生の
抑制効果が高いことを確認した。The inventors of the present application have investigated the factors causing the particles from another point of view. One of the factors is that the inner surface of the inner tube made of quartz or silicon carbide, which has been used so far, and silicon nitride or It was found that the adhesive strength with the CVD film component such as polysilicon is insufficient. Then, as a result of studying a material having good adhesiveness with the CVD film component, it was found that the inner tube made of only glassy carbon has a moderately rough surface.
It was confirmed that the VD film component was easily adhered firmly and the particle generation suppressing effect was high.
【0024】尚、特開平9−77534号公報には、石
英部材の内部表面をガラス状炭素で被覆した材料が提案
されているが、該ガラス状炭素の表面粗さは不明であ
る。また、上記公報に開示されている0.8μmのガラ
ス状炭素について検討してみたが、この様な薄膜では効
果が不十分であった。Incidentally, Japanese Patent Laid-Open No. 9-77534 proposes a material in which the inner surface of a quartz member is coated with glassy carbon, but the surface roughness of the glassy carbon is unknown. Further, the inventors examined the 0.8 μm glassy carbon disclosed in the above publication, but the effect was insufficient with such a thin film.
【0025】また、特開平10−287495号には、
炭化珪素製のインナーチューブの表面をより平滑にする
方法、即ち表面が平滑なガラス状炭素の表面に炭化珪素
膜を形成し、その後ガラス状炭素を除去する方法が開示
されている。ところがこの公報では、ガラス状炭素では
なく炭化珪素の表面粗さを規定していること、及びその
目的が材料表面のガスの流れの均一化にあり、本発明の
様にパーティクル発生の抑制を目的としてガラス状炭素
の表面粗さを規定しているものではない。Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 10-287495,
A method of making the surface of an inner tube made of silicon carbide smoother, that is, a method of forming a silicon carbide film on the surface of glassy carbon having a smooth surface and then removing the glassy carbon is disclosed. However, in this publication, the surface roughness of silicon carbide is specified instead of glassy carbon, and the purpose is to make the gas flow uniform on the surface of the material, and to suppress the generation of particles as in the present invention. Does not specify the surface roughness of glassy carbon.
【0026】本発明者らは、ガラス状炭素製インナーチ
ューブの表面状態と、CVD膜成分との密着性の関係を
調べたところ、特に、ガラス状炭素の樹脂が溶融或いは
液体状態にあるときの「自然表面」がそのまま炭素化さ
れてできる表面粗さが、物理的なアンカー効果により、
CVD膜成分との密着性を高め、パーティクル発生を抑
制する効果を有することを突き止めた。The present inventors examined the relationship between the surface state of the glassy carbon inner tube and the adhesion to the CVD film components, and particularly when the glassy carbon resin was in a molten or liquid state. The surface roughness created by carbonizing the "natural surface" as it is is due to the physical anchor effect.
It has been found that it has the effect of increasing the adhesion to the CVD film component and suppressing the generation of particles.
【0027】本発明では、ガラス状炭素製インナーチュ
ーブが有する好ましい表面粗さを、上述の様にガラス状
炭素の樹脂が溶融或いは液体状態にあるときの「自然表
面」が炭素化されてできる表面粗さに基づき規定した。In the present invention, the preferable surface roughness of the glass-like carbon inner tube is the surface formed by carbonizing the "natural surface" when the glass-like carbon resin is in the molten or liquid state as described above. It was defined based on the roughness.
【0028】この表面粗さが小さすぎる場合には、上記
接着性が発揮されずCVD膜成分が剥離しやすいため、
JIS B0651及びJIS B0601に準じて、曲
率半径が5μmの触針を用いて測定した表面粗さが、5
nm以上とすることが好ましく、より好ましくは10n
m以上である。また、この表面粗さが大きすぎると表面
欠陥が増えて、チューブ内部表面自体が脱落し易くなる
ため、100nm以下とすることが好ましく、より好ま
しくは60nm以下である。If the surface roughness is too small, the above-mentioned adhesiveness is not exhibited and the CVD film component is easily peeled off.
According to JIS B0651 and JIS B0601, the surface roughness measured using a stylus with a radius of curvature of 5 μm is 5
nm or more, more preferably 10 n
It is m or more. Further, if the surface roughness is too large, the number of surface defects increases and the inner surface of the tube itself tends to fall off. Therefore, the thickness is preferably 100 nm or less, more preferably 60 nm or less.
【0029】この様な好ましい表面粗さとする方法とし
て、上述の通り、液状の樹脂或いは成形条件下で液体状
態となる樹脂を原料とし、遠心成形によりガラス状炭素
前駆体を形成する他、微細な溝状凹凸をインナーチュー
ブ内部表面に施すことも有効である。特に、上記溝の形
成方向は、インナーチューブの長さ方向に対して交差す
る方向であることが望ましいが、これは、インナーチュ
ーブの長さ方向の寸法変化が支配的であることによるも
のと考えられる。As a method for obtaining such a preferable surface roughness, as described above, a liquid glass resin or a resin which is in a liquid state under molding conditions is used as a raw material, and a glassy carbon precursor is formed by centrifugal molding. It is also effective to apply groove-shaped irregularities to the inner surface of the inner tube. In particular, it is desirable that the groove is formed in a direction that intersects the length direction of the inner tube. This is because the dimensional change in the length direction of the inner tube is dominant. To be
【0030】またこの様な溝は、インナーチューブ製造
工程中における樹脂成形体、キュアリング後の樹脂成形
体、或いは焼成物のいずれかの状態で研削加工を施して
形成することが可能である。Further, such a groove can be formed by grinding the resin molded body in the inner tube manufacturing process, the resin molded body after curing, or the fired product.
【0031】適度な表面粗さは、この様に表面を研磨す
ることによっても得られるが、研磨を行う場合には、不
純物の付着や加工ひずみ、又は加工キズ発生の恐れもあ
るため、インナーチューブの表面粗さを上記好適範囲内
にするには、上記液状樹脂等を用いて遠心成形法で製造
することが好ましい。An appropriate surface roughness can be obtained by polishing the surface in this way. However, when polishing is performed, there is a risk of adhesion of impurities, processing strain, or processing scratches. In order to bring the surface roughness of the above into the above-mentioned preferable range, it is preferable to manufacture the above liquid resin or the like by a centrifugal molding method.
【0032】内部表面の酸素/炭素原子数比(O/
C);X線光電子分光法で0.04〜0.4。Oxygen / carbon atom number ratio (O /
C); 0.04 to 0.4 by X-ray photoelectron spectroscopy.
【0033】本発明者らは、CVD膜成分との密着性に
影響を及ぼす因子として、更にインナーチューブ内部表
面上の酸素含有率に着目した。即ち、インナーチューブ
内部表面上の酸素含有率が著しく低い場合、内部表面は
化学的に安定であると考えられ、この様な状態では、窒
化珪素やポリシリコン等の典型的な膜成分がインナーチ
ューブ表面から容易に剥がれてパーティクル発生の原因
になり易い。従って、インナーチューブ内部表面にある
程度の酸素を含有させて活性状態とし、CVD膜成分と
の化学的親和力を高めれば接着性が高められることを知
った。The present inventors have further focused on the oxygen content on the inner surface of the inner tube as a factor affecting the adhesion to the CVD film component. That is, when the oxygen content on the inner surface of the inner tube is extremely low, the inner surface is considered to be chemically stable. In such a state, typical film components such as silicon nitride and polysilicon are used as the inner tube. It is easily peeled off from the surface and is likely to cause particles. Therefore, it has been found that the adhesiveness can be enhanced by making the inner surface of the inner tube contain a certain amount of oxygen to activate the inner tube to enhance the chemical affinity with the CVD film component.
【0034】そこで本発明では、この様なインナーチュ
ーブ内部表面上の酸素含有状態を、X線光電子分光法で
測定する酸素/炭素原子数比(O/C)で規定すること
とし、この(O/C)値を好ましくは0.04以上、よ
り好ましくは0.06以上とすることとした。Therefore, in the present invention, such an oxygen-containing state on the inner surface of the inner tube is defined by the oxygen / carbon atom number ratio (O / C) measured by X-ray photoelectron spectroscopy. / C) value is preferably 0.04 or more, more preferably 0.06 or more.
【0035】一方、インナーチューブ内部表面上の酸素
が過剰な状態、即ち(O/C)値が大きすぎる場合に
は、CVD工程でCO2やCO等のガスが発生し、これ
らのガスがデバイスの欠陥原因になるばかりでなく、脱
ガス時にCVD膜成分が剥離してパーティクルの発生を
助長することもあるので好ましくない。従って、上記
(O/C)値は、好ましくは0.4以下、より好ましく
は0.2以下に抑える。On the other hand, when oxygen is excessive on the inner surface of the inner tube, that is, when the (O / C) value is too large, gases such as CO 2 and CO are generated in the CVD process, and these gases are used as a device. Is not preferable because it may not only cause the defects of 1) but also promote the generation of particles by exfoliating the CVD film components during degassing. Therefore, the (O / C) value is preferably 0.4 or less, more preferably 0.2 or less.
【0036】尚、この様なインナーチューブ内部表面の
酸素濃度は、下記の方法で調整することができる。即
ち、酸素濃度が上記規定範囲に満たない場合には、酸素
等の酸化性ガスを含む雰囲気中で加熱処理する方法、電
気化学的酸化方法、または濃硝酸、重クロム酸等の薬液
に浸漬させる方法等で酸素濃度を上昇させることができ
る。また、該酸素濃度が上記規定範囲を超える場合、そ
の原因の一つとして炭化処理が不十分であるために残存
する原料樹脂中の酸素含有官能基によることが考えられ
る。従ってこの様な場合には、再度高温で熱処理する等
して酸素濃度を規定範囲内に調整することができる。The oxygen concentration on the inner surface of the inner tube can be adjusted by the following method. That is, when the oxygen concentration is less than the specified range, a method of heat treatment in an atmosphere containing an oxidizing gas such as oxygen, an electrochemical oxidation method, or immersion in a chemical solution such as concentrated nitric acid or dichromic acid. The oxygen concentration can be increased by a method or the like. Further, when the oxygen concentration exceeds the above specified range, it is considered that one of the causes is due to the oxygen-containing functional group in the raw material resin remaining due to insufficient carbonization treatment. Therefore, in such a case, the oxygen concentration can be adjusted within the specified range by performing heat treatment again at a high temperature.
【0037】内部表面の化学結合状態を表す指標I
(D)/I(G)[式中I(D)はラマン分光分析法における
ダイヤモンド構造のC−C結合を示すピーク値を表し、
I(G)は、グラファイト構造のC−C結合を示すピーク
値を表す]が0.8〜1.4。Index I showing the chemical bonding state of the inner surface
(D) / I (G) [wherein I (D) represents the peak value showing the C—C bond of the diamond structure in Raman spectroscopy,
I (G) represents a peak value showing a C—C bond in the graphite structure] is 0.8 to 1.4.
【0038】本発明者らは、ガラス状炭素製インナーチ
ューブの耐熱性、耐食性を高めるとともに、パーティク
ル発生の抑制効果も高めるには、チューブ内部表面にお
けるガラス状炭素の化学結合状態が重要な因子であるこ
とを突き止めた。The present inventors have found that the chemical bonding state of the glassy carbon on the inner surface of the tube is an important factor for enhancing the heat resistance and corrosion resistance of the glassy carbon inner tube and enhancing the effect of suppressing particle generation. I found out.
【0039】本発明では、この様なガラス状炭素の化学
結合状態を、ラマン分光分析法におけるI(D)/I(G)
(ダイヤモンド構造のC−C結合を示すピーク値;I
(D)と、グラファイト構造のC−C結合を示すピーク
値;I(G)との比)を指標として調べたところ、前記I
(D)/I(G)をある特定範囲内とすることで、耐食性等
が向上するとともにパーティクルの発生が著しく抑制さ
れることが分かった。In the present invention, the chemical bonding state of such glassy carbon is determined by I (D) / I (G) in Raman spectroscopic analysis.
(Peak value showing C—C bond of diamond structure; I
(D) and the peak value showing the C—C bond of the graphite structure; the ratio of I (G)) as an index.
It has been found that by setting (D) / I (G) within a certain specific range, the corrosion resistance and the like are improved and the generation of particles is significantly suppressed.
【0040】即ち、上記I(D)/I(G)が小さすぎる場
合には、パーティクルが多量に発生し、また耐腐食性も
好ましくないため、本発明では上記I(D)/I(G)を好
ましくは0.8以上、より好ましくは0.9以上とし
た。That is, when the above I (D) / I (G) is too small, a large amount of particles are generated and the corrosion resistance is also unfavorable. Therefore, in the present invention, the above I (D) / I (G). ) Is preferably 0.8 or more, more preferably 0.9 or more.
【0041】尚、I(D)/I(G)が小さすぎる場合、チ
ューブ内部表面のガラス状炭素はダイヤモンド質に比し
てグラファイト質が多く占めている状態にあるため、化
学的に安定なグラファイトの性質が発現して、CVD膜
成分との密着性が低下するとともに、グラファイトの性
質に起因して耐腐食性も低下すると考えられる。When I (D) / I (G) is too small, the glassy carbon on the inner surface of the tube is in a state of being more graphite-based than diamond-based, so that it is chemically stable. It is considered that the properties of graphite are developed, the adhesion to the CVD film component is lowered, and the corrosion resistance is also lowered due to the properties of graphite.
【0042】また、このI(D)/I(G)の値が著しく大
きい場合もパーティクルが発生し易くなるため、上記I
(D)/I(G)は、好ましくは1.4以下、より好ましく
は1.3以下に抑えることとした。I(D)/I(G)の値
が著しく大きい場合には、チューブ内部表面に、化学的
に不安定、つまり活性な構造が多く存在するため、CV
D工程においてこの様な構造が分解し易く、パーティク
ルが多量に発生するものと考えられる。Also, when the value of I (D) / I (G) is extremely large, particles are likely to be generated.
(D) / I (G) is preferably 1.4 or less, more preferably 1.3 or less. When the value of I (D) / I (G) is remarkably large, there are many chemically unstable or active structures on the inner surface of the tube.
It is considered that such a structure is easily decomposed in the D step and a large amount of particles are generated.
【0043】尚、上記ラマン分光分析法におけるI(D)
/I(G)の測定原理は以下の通りである。即ち、炭素試
料のラマンスペクトルは、グラファイト構造に由来する
ラマンバンド(Gバンド)が1580cm-1に現れ、結
晶性(黒鉛化度)が低くなるにつれ、Gバンドが160
0cm-1へ高波数シフトするとともに、1360cm -1
付近にダイヤモンド構造に由来するラマンバンド(Dバ
ンド)が現れる。上記炭素材料のI(D)/I(G)は、こ
のGバンドとDバンドのシグナルをローレンツ関数でカ
ーブフィットして面積値を求め、このGバンドとDバン
ドの面積比で示されるものである。I (D) in the above Raman spectroscopic analysis method
The measurement principle of / I (G) is as follows. That is, carbon test
Raman spectrum of the material comes from the graphite structure
Raman band (G band) is 1580 cm-1Appearing in
As the crystallinity (graphitization degree) becomes lower, the G band becomes 160
0 cm-1High wave number shift to 1360 cm -1
Raman band (D
Appears). I (D) / I (G) of the above carbon material is
The signals of G band and D band of
Area fitting to find the area value, and the G band and D band
It is indicated by the area ratio.
【0044】上記I(D)/I(G)の範囲を満たすインナ
ーチューブを得るには、本発明のガラス状炭素製インナ
ーチューブを製造するにあたって、フェノール樹脂成形
体を1000℃以上、2000℃以下で焼成することが
好ましく、また、内部表面は鏡面化加工しないことが好
ましい。In order to obtain an inner tube satisfying the above range of I (D) / I (G), a phenol resin molding is used in the production of the glassy carbon inner tube of the present invention at a temperature of 1000 ° C. or higher and 2000 ° C. or lower. It is preferable that the inner surface is baked, and it is preferable that the inner surface is not mirror-finished.
【0045】本願発明で、ガラス状炭素製インナーチュ
ーブのCVD膜成分との接着性を更に向上させるには、
以上に説明した特性を少なくとも1以上満たすことが好
ましく、最も好ましくは上記の特性を全て満たすことで
ある。In the present invention, in order to further improve the adhesion of the glassy carbon inner tube to the CVD film component,
It is preferable that at least one of the characteristics described above is satisfied, and most preferably, all of the above characteristics are satisfied.
【0046】尚、本発明でガラス状炭素インナーチュー
ブの原料として用いる樹脂として、フェノール樹脂やフ
ラン樹脂等の一般的に知られている熱硬化性樹脂を全て
使用することができ、限定されるものではないが、特に
好ましいのは、固体樹脂においては115℃における硬
化度10%の到達時間(T10)が5〜60分間である
硬化特性を有し、且つJIS−K6911に規定される
円板式流れ試験において100℃で60mm以上の流動
性を示す熱硬化性樹脂、液状樹脂においてはゲル化時間
が5〜60分の液状熱硬化性樹脂である。前記液状熱硬
化性樹脂を使用する場合、ゲル化時間が5分未満のもの
では、生成ガスが逸散するまでに硬化が進み、ガス抜け
不良となって気孔欠陥や割れなどを起こす恐れがあり、
逆にゲル化時間が60分を超えるものは、成形に極めて
長時間を要するとともに、揮発分を多量に含む場合が多
いため成形時のガス発生量が多くなり、表面状態の良好
な成形体を得ることが困難となる。尚、上記ゲル化時間
とは、JIS 6901に準ずる方法により115℃で
測定したゲル化時間をいい、より好ましい液状熱硬化性
樹脂のゲル化時間は10〜40分である。As the resin used as the raw material for the glassy carbon inner tube in the present invention, all of the generally known thermosetting resins such as phenol resin and furan resin can be used, and are limited. However, it is particularly preferable that the solid resin has a curing property such that the arrival time (T10) at a curing degree of 10% at 115 ° C. is 5 to 60 minutes, and the disc type flow defined in JIS-K6911. In the test, it is a thermosetting resin showing a fluidity of 60 mm or more at 100 ° C., and a liquid resin is a liquid thermosetting resin having a gelation time of 5 to 60 minutes. When the liquid thermosetting resin is used, if the gelling time is less than 5 minutes, curing may proceed before the generated gas escapes, resulting in poor gas release and causing pore defects or cracks. ,
On the other hand, if the gelation time exceeds 60 minutes, it takes an extremely long time for molding and, in many cases, contains a large amount of volatile components, so that the amount of gas generated during molding is large and a molded product with a good surface condition is obtained. Hard to get. The gelling time means a gelling time measured at 115 ° C. by a method according to JIS 6901, and a more preferable gelling time of the liquid thermosetting resin is 10 to 40 minutes.
【0047】また、成形原料の99質量%以上が熱硬化
性樹脂で、充填材等を実質的に含まない原料を使用する
ことが好ましい。Further, it is preferable to use a raw material in which 99% by mass or more of the molding raw material is a thermosetting resin and which does not substantially contain a filler or the like.
【0048】上記ガラス状炭素製インナーチューブの製
造は、一般的なガラス状炭素の製造方法で行えばよい。
ガラス状炭素の製造方法は、一般に大別して原料樹脂の
成形工程と得られた成形体の炭素化工程からなり、炭素
化工程での成形体のひずみを防止するため炭素化工程前
に予備加熱を行ってもよい。The glass-like carbon inner tube may be manufactured by a general glass-like carbon manufacturing method.
The method for producing glassy carbon generally consists of a raw resin molding step and a carbonization step of the obtained molded body, and preheating is performed before the carbonization step in order to prevent distortion of the molded body in the carbonization step. You can go.
【0049】ガラス状炭素製インナーチューブの製造で
は、上記成形工程で原料樹脂を円筒形に成形するが、こ
の場合の成形法は特に限定されるものではなく、遠心成
形法、射出成形法、押出成形法等を採用することができ
る。前記成形法のうち、好ましくは遠心成形法であり、
その理由として、該成形法では、遠心力により溶融状態
の原料樹脂を成形型の内面側に流動させて硬化させるた
め、チューブ状物の成形が容易で成形体の寸法精度も高
く、更には成形時において内面側が開放されているので
ガス抜きも良好に行えることが挙げられる。In the production of the glassy carbon inner tube, the raw material resin is molded into a cylindrical shape in the above-mentioned molding step, but the molding method in this case is not particularly limited, and it may be a centrifugal molding method, an injection molding method or an extrusion method. A molding method or the like can be adopted. Of the molding methods, preferably a centrifugal molding method,
The reason is that, in the molding method, the raw material resin in a molten state is caused to flow to the inner surface side of the molding die by the centrifugal force to be hardened, so that the tubular material can be easily molded and the dimensional accuracy of the molded body is high, Since the inner surface is open at times, it is possible to satisfactorily degas.
【0050】尚、上記遠心成形法で成形する場合には、
図2に示す遠心成形装置を用いることが推奨される。図
2において6は円筒形であることが好ましく、また少な
くとも一方の端部は、樹脂硬化反応時に発生するガスが
外部へ抜けるように開口部を有していることが望まし
い。更にこの成形型6が、モーターまたはプーリーによ
り高速回転させることができ、また製造されたインナー
チューブの取り出しを容易にするという観点から分割可
能な構造とすることが望ましい。型の材料としては、金
属やセラミック,または樹脂などを用いることができる
が、強度や加工しやすさの点で金属が好適である。When molding by the above centrifugal molding method,
It is recommended to use the centrifugal molding device shown in FIG. In FIG. 2, 6 is preferably cylindrical, and at least one end thereof preferably has an opening so that the gas generated during the resin curing reaction escapes to the outside. Furthermore, it is desirable that the molding die 6 has a dividable structure from the viewpoint that it can be rotated at a high speed by a motor or a pulley and that the manufactured inner tube can be easily taken out. As the material of the mold, metal, ceramic, resin or the like can be used, but metal is preferable in terms of strength and workability.
【0051】樹脂原料は、図2に示される成形型6の内
部に装填される。樹脂の装填は、成形型を静止させた状
態で行うか、或いは回転させながら行ってもよい。成形
型の回転速度は、型の直径や樹脂の性状・反応性によっ
て異なるが、重力の2倍以上、好ましくは10G以上の
重力が発生するように設定することが望ましい。The resin raw material is loaded into the molding die 6 shown in FIG. The resin may be loaded while the mold is stationary or while being rotated. The rotation speed of the molding die varies depending on the diameter of the die and the properties and reactivity of the resin, but it is desirable to set it so that a gravity of twice the gravity or more, preferably 10 G or more, is generated.
【0052】本発明においては、遠心成形の型内に樹脂
原料8を装填し、型を回転させながら、樹脂を硬化反応
の進行する温度以上に加熱することが望ましく、図2に
示すように成形型6の外周に配置されたヒータ(加熱
炉)7により加熱することが好ましい。樹脂原料8が上
記の性状を有する場合には、樹脂が加熱により溶融し、
型の回転によって発生する遠心力によって圧縮力が働
き、内径のほぼ一定な均一な肉厚のパイプ形状に成形さ
れるため好ましい。樹脂に含まれる揮発成分や成形過程
で発生するガス状成分は、型に接しない樹脂表面から散
逸させることができる。In the present invention, it is desirable to load the resin raw material 8 into the mold for centrifugal molding and to heat the resin at a temperature not lower than the temperature at which the curing reaction proceeds while rotating the mold. As shown in FIG. It is preferable to heat with a heater (heating furnace) 7 arranged on the outer periphery of the mold 6. When the resin raw material 8 has the above properties, the resin is melted by heating,
A centrifugal force generated by the rotation of the mold exerts a compressive force, which is preferable because it is formed into a pipe shape with a uniform wall thickness and a substantially constant inner diameter. Volatile components contained in the resin and gaseous components generated in the molding process can be dissipated from the resin surface not in contact with the mold.
【0053】[0053]
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限
を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範
囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、そ
れらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and may be appropriately applied within a range compatible with the gist of the preceding and the following. Modifications can be made and implemented, and all of them are included in the technical scope of the present invention.
【0054】(1)線膨張係数に関する実施例
(1−1)原料樹脂の製造
ガラス状炭素の原料として、フェノール樹脂やフラン樹
脂等の熱硬化性樹脂が好適であり、本実施例では、市販
のフェノール樹脂である昭和高分子製BRL−240を用い
た。上記フェノール樹脂の硬化特性:115℃でのゲル
化時間が50分(1) Example concerning linear expansion coefficient (1-1) Production of raw material resin As a raw material of glassy carbon, thermosetting resin such as phenol resin or furan resin is suitable, and in this example, it is commercially available. BRL-240 manufactured by Showa High Polymer Co., Ltd., which is a phenol resin of Curing characteristics of the above-mentioned phenol resin: gelation time at 115 ° C for 50 minutes
【0055】(1−2)成形
内径325mm、長さ2000mmの円筒型の金型が付属した遠心
成形機を用いた。前記遠心成形機には、前記回転金型を
覆うように電気ヒーターが配置され、加熱しながら成形
することができるものを用いた。この金型に前記樹脂を
6kg充填し、金型内表面の温度を100℃に加熱して
樹脂を溶融した。この温度に保持したまま10時間、金
型を毎分600回転の速度で回転させた。その後、室温
まで冷却してフェノール樹脂成形体を金型から取り出し
た。(1-2) Molding A centrifugal molding machine equipped with a cylindrical mold having an inner diameter of 325 mm and a length of 2000 mm was used. The centrifugal molding machine was equipped with an electric heater so as to cover the rotary mold, and was capable of molding while heating. The mold was filled with 6 kg of the resin, and the temperature of the inner surface of the mold was heated to 100 ° C. to melt the resin. While maintaining this temperature, the mold was rotated at a speed of 600 rpm for 10 hours. Then, it cooled to room temperature and took out the phenol resin molded body from the metal mold | die.
【0056】前記フェノール樹脂成形体は、厚さ2.5
mm、長さ2000mm、外径325mmの円筒形であ
った。The phenol resin molding has a thickness of 2.5.
mm, a length of 2000 mm, and an outer diameter of 325 mm.
【0057】(1−3)キュアリング
上記フェノール樹脂成形体を、空気中300℃で200
時間加熱処理した。尚、この処理は、次の炭化工程でフ
ェノール樹脂成形体の熱変形を防止する為に行うもので
あり、変形の恐れがない場合には省略することも可能で
ある。(1-3) Curing The above-mentioned phenol resin molded body was subjected to 200 at 300 ° C. in air.
Heat treated for hours. This treatment is performed to prevent thermal deformation of the phenol resin molded body in the next carbonization step, and can be omitted if there is no risk of deformation.
【0058】(1−4)炭化処理工程
上記フェノール樹脂成形体を5本用意し、不活性ガス雰
囲気下で、それぞれ800℃、1100℃、1600
℃、2100℃、2600℃で熱処理して炭化させた。
いずれの場合も、厚さ2.1mm、長さ1600mmの
ガラス状炭素製円筒が得られ、この円筒の両端を切断し
て長さ1000mmのCVD用インナーチューブを得
た。(1-4) Carbonization Step Five pieces of the above-mentioned phenol resin molded body were prepared, respectively, in an inert gas atmosphere, 800 ° C., 1100 ° C., 1600.
It was carbonized by heat treatment at 2 ° C, 2100 ° C, and 2600 ° C.
In each case, a glassy carbon cylinder having a thickness of 2.1 mm and a length of 1600 mm was obtained, and both ends of this cylinder were cut to obtain a 1000 mm long inner tube for CVD.
【0059】(1−5)評価方法
線膨張係数の測定は、JIS1618記載の「熱機械分
析による線膨張の測定方法」に準じて行い、T1=25
℃、T2=600℃の平均線膨張率を採用した。(1-5) Evaluation method The linear expansion coefficient is measured according to "Method of measuring linear expansion by thermomechanical analysis" described in JIS1618, and T1 = 25.
The average linear expansion coefficient of T2 = 600 ° C was adopted.
【0060】また、パーティクル発生量は、前記インナ
ーチューブを縦型のLP−CVD装置に付設し、処理温
度650℃にてSiH4とH2の混合ガスを流してSiウ
ェハ上にポリシリコン膜を形成した後、ウェハ表面の
0.2μm以上のパーティクル数を、テンコール(Tenco
r)社製 サーフスキャン(Surfscan)6220型で測定した。As for the amount of particles generated, the inner tube was attached to a vertical LP-CVD apparatus, and a mixed gas of SiH 4 and H 2 was caused to flow at a processing temperature of 650 ° C. to form a polysilicon film on a Si wafer. After forming, the number of particles of 0.2 μm or more on the wafer surface
r) manufactured by Surfscan Model 6220 manufactured by Surfscan.
【0061】その結果を表1に示す。The results are shown in Table 1.
【0062】[0062]
【表1】 [Table 1]
【0063】線膨張係数が2×10-6〜3.5×10-6
の範囲内にある実験No.1〜5は、ウェハ表面に付着
するパーティクルの発生を顕著に抑制することができ
た。これに対し、線膨張係数が本願発明の規定範囲外に
ある石英や炭化珪素を材質とするインナーチューブで
は、パーティクルが多く発生した。The coefficient of linear expansion is 2 × 10 -6 to 3.5 × 10 -6
Experiment No. within the range of Nos. 1 to 5 were able to remarkably suppress the generation of particles adhering to the wafer surface. On the other hand, many particles were generated in the inner tube made of quartz or silicon carbide whose linear expansion coefficient is out of the specified range of the present invention.
【0064】(2)表面粗さに関する実施例
(2−1)原料樹脂の製造
上記実施例(1)の場合と同様、市販のフェノール樹脂
である昭和高分子製BRL−240を用いた。(2) Example of Surface Roughness (2-1) Production of Raw Material Resin As in the case of the above Example (1), a commercially available phenol resin BRL-240 manufactured by Showa High Polymer Co., Ltd. was used.
【0065】このフェノール樹脂および触媒であるテト
ラメチレンヘキサミン(HMT)を下記の表2に示す割
合で夫々混合し、65℃で6時間反応させた後、真空下
で加熱を続け、水分率が5mass%以下となるまで脱
水した。This phenolic resin and tetramethylenehexamine (HMT) which is a catalyst were mixed in the proportions shown in Table 2 below, reacted at 65 ° C. for 6 hours, and then heated under vacuum to give a moisture content of 5 mass. It was dehydrated until it became less than%.
【0066】(2−2)成形・キュアリング
成形時の回転時間を5時間としたことを除き、上記実施
例(1)の場合と同様に成形・キュアリングを行った。(2-2) Molding / curing Molding / curing was carried out in the same manner as in Example (1) except that the rotation time during molding was 5 hours.
【0067】(2−3)炭化処理工程
上記フェノール樹脂成形体を、不活性ガス雰囲気下、1
600℃で熱処理して炭化させた。厚さ2.1mm、長
さ1600mmのガラス状炭素製円筒が得られ、各円筒
の両端を切断して長さ1000mmのCVD用インナー
チューブを得た。(2-3) Carbonization treatment step The above-mentioned phenol resin molded body is subjected to 1 step in an inert gas atmosphere.
It heat-processed at 600 degreeC and carbonized. A glassy carbon cylinder having a thickness of 2.1 mm and a length of 1600 mm was obtained, and both ends of each cylinder were cut to obtain a 1000 mm long inner tube for CVD.
【0068】(2−4)評価方法
実施例(1)の場合と同様に、Siウェハ上にポリシリ
コン膜を形成させてパーティクルの発生量を測定した。
その結果を表2に示す。(2-4) Evaluation Method As in the case of Example (1), a polysilicon film was formed on a Si wafer and the amount of particles generated was measured.
The results are shown in Table 2.
【0069】[0069]
【表2】 [Table 2]
【0070】尚、実験No.10〜12は、実験No.
6と同様のインナーチューブを用意し、その内部表面を
それぞれ粒度の異なるダイヤモンドスラリーを用いて、
一般的な方法により研磨加工を行ったものである。Experiment No. Experiment Nos. 10 to 12 are Nos.
Prepare an inner tube similar to 6 and use diamond slurries with different particle sizes on the inner surface of the inner tube,
The polishing is performed by a general method.
【0071】中心線表面粗さ(Ra)は、ランクテーラ
社製触針式粗さ計を用い、ハンドリング時等に生じた表
面キズのない領域におけるインナーチューブの長さ方向
と平行な方向の表面粗さを、JIS B 0651及びJ
IS B0601に準じ、曲率半径が5μmの触針を用
いて測定した。The center line surface roughness (Ra) was measured by using a stylus type roughness meter manufactured by Lanktera Co., Ltd., and the surface in the direction parallel to the length direction of the inner tube in the area without surface flaws caused during handling. Roughness is measured according to JIS B 0651 and J
According to IS B0601, the measurement was performed using a stylus having a radius of curvature of 5 μm.
【0072】表2に示す結果より、Raが本願発明の範
囲内にある実験No.6〜10は、従来の石英や炭化珪
素製のインナーチューブと比較して、パーティクルを顕
著に低減することができることがわかる。From the results shown in Table 2, Experiment No. in which Ra is within the range of the present invention is shown. It can be seen that Nos. 6 to 10 can significantly reduce particles as compared with the conventional inner tube made of quartz or silicon carbide.
【0073】これに対し、実験No.11では多くのパ
ーティクルが発生したが、これはRaが本願発明の規定
範囲を下回り、表面が平滑すぎるためにCVD膜成分と
の物理的な接着効果が小さいことによると考えられる。
また、実験No.12でも多くのパーティクルが発生し
たが、この原因として研磨時に微小クラックが発生する
ことが考えられる。On the other hand, in Experiment No. Although a large number of particles were generated in No. 11, it is considered that this is because Ra is below the specified range of the present invention and the surface is too smooth, so that the physical adhesion effect with the CVD film component is small.
In addition, the experiment No. A large number of particles were generated even in No. 12, but it is conceivable that minute cracks were generated during polishing as the cause.
【0074】(2−5)チューブ内面に凹凸を設けた場
合の実施例
また本願発明では、表面粗さをインナーチューブ内面に
凹凸を設けて調節した場合についても実験を行った。即
ち、上記表面粗さに関する実施例の場合と同様に、原料
樹脂を製造し、成形・キュアリング・炭化処理を行い、
表面に溝を形成するための研削加工を、下記実験No.
13では行わず、実験No.14では樹脂成形体を成形
後、実験No.15ではキュアリング後、更に実験N
o.16では炭化処理工程の後に行った。研削加工は、
それぞれ長さ方向の円筒中心を軸に円筒形部材を回転さ
せながら行った。(2-5) Examples in which unevenness is provided on the inner surface of the tube Further, in the present invention, an experiment was conducted also when the surface roughness was adjusted by providing unevenness on the inner surface of the inner tube. That is, as in the case of the examples relating to the surface roughness, a raw material resin is produced, and molding, curing and carbonization are performed,
Grinding processing for forming a groove on the surface was performed by the following experiment No.
Experiment No. 13 was not performed. In No. 14, after molding the resin molded body, the experiment No. After curing in No. 15, further experiment N
o. In No. 16, it was performed after the carbonization process. The grinding process is
The measurement was performed while rotating the cylindrical member around the center of the cylinder in the length direction.
【0075】中心線表面粗さ(Ra)の測定は、前記の
場合と同様にランクテーラ社製触針式粗さ計を用い、イ
ンナーチューブの長さ方向と平行な方向の表面粗さをJ
ISB0651及びJIS B0601に準じて行っ
た。The center line surface roughness (Ra) was measured by using a stylus type roughness meter manufactured by Lanktera, as in the above case, and the surface roughness in the direction parallel to the length direction of the inner tube was measured by J
It was performed according to ISB0651 and JIS B0601.
【0076】それぞれの表面粗さの測定結果を表3に示
す。Table 3 shows the measurement results of the respective surface roughnesses.
【0077】[0077]
【表3】 [Table 3]
【0078】表3より、研削加工を施した実験No.1
4〜16は、表面粗さは石英や炭化珪素製のインナーチ
ューブと同等であるが、チューブの長さ方向と直行する
方向に溝状の凹凸を施すことで、パーティクルの発生を
顕著に低減することができた。From Table 3, the experiment No. which is ground is shown. 1
Nos. 4 to 16 have surface roughness equivalent to that of an inner tube made of quartz or silicon carbide, but by forming groove-shaped irregularities in a direction orthogonal to the length direction of the tube, particle generation is significantly reduced. I was able to.
【0079】(3)表面酸素濃度に関する実施例
(3−1)原料樹脂の製造
上記実施例(1)と同じく、市販のフェノール樹脂であ
る昭和高分子製BRL−240を用いた。(3) Example of Surface Oxygen Concentration (3-1) Production of Raw Material Resin As in Example (1) above, a commercially available phenol resin, BRL-240 manufactured by Showa High Polymer Co., Ltd. was used.
【0080】また、フェノール樹脂を100質量部およ
び触媒としてテトラメチレンヘキサミン(HMT)8質
量部を混合し、65℃で6時間反応させた後真空下で加
熱を継続し、水分率が5mass%以下となるまで脱水
した。Further, 100 parts by mass of a phenol resin and 8 parts by mass of tetramethylenehexamine (HMT) as a catalyst were mixed, reacted at 65 ° C. for 6 hours, and then continued to be heated under vacuum to obtain a water content of 5 mass% or less. It was dehydrated until.
【0081】(3−2)成形・キュアリング
成形時の回転時間を5時間としたことを除き、上記実施
例(1)の場合と同様に成形・キュアリングを行った。(3-2) Molding / curing Molding / curing was carried out in the same manner as in Example (1) except that the rotation time during molding was 5 hours.
【0082】(3−3)炭化処理工程
上記フェノール樹脂成形体を4本用意し、不活性ガス雰
囲気下で、それぞれ1000℃、1500℃、2000
℃、2500℃で熱処理して炭化させた。いずれの場合
も厚さ2.1mm、長さ1600mmのガラス状炭素製
円筒が得られ、この円筒の両端を切断して長さ1000
mmのCVD用インナーチューブを得た。(3-3) Carbonization Treatment Step Four above-mentioned phenol resin moldings were prepared and were respectively placed in an inert gas atmosphere at 1000 ° C., 1500 ° C. and 2000 ° C., respectively.
C. and 2500.degree. C. to heat and carbonize. In each case, a glassy carbon cylinder having a thickness of 2.1 mm and a length of 1600 mm was obtained, and both ends of this cylinder were cut to a length of 1000 mm.
A mm inner tube for CVD was obtained.
【0083】また、2500℃で炭化処理したチューブ
を別に用意し、0.1mol/lNaOH水溶液中、2
0mA/cm2の条件で5分間あるいは20分間電解酸
化を施した。Separately, a tube carbonized at 2500 ° C. was prepared and placed in a 0.1 mol / l NaOH aqueous solution.
The electrolytic oxidation was performed for 5 minutes or 20 minutes under the condition of 0 mA / cm 2 .
【0084】(3−4)評価方法
酸素/炭素原子数比は、上記炭化処理して得られたイン
ナーチューブをエタノール中で5分程度超音波洗浄した
後、X線光電子分光装置で測定した。(3-4) Evaluation Method The oxygen / carbon atom number ratio was measured with an X-ray photoelectron spectrometer after ultrasonic cleaning of the inner tube obtained by the above carbonization treatment in ethanol for about 5 minutes.
【0085】測定に使用した上記X線光電子分光装置の
分析条件等は以下の通りである。The analysis conditions and the like of the X-ray photoelectron spectroscope used for the measurement are as follows.
【0086】分析装置:パーキン・エルマー社製PHI
5400MC X線光電子分光装置
X線源:MgKα
X線出力:400W(15kV・26.7mA)
分析領域:1.1mmφ
検出器と試料のなす角度:45°
Ar+スパッタ速度:SiO2換算で20オングストロー
ム/分(1.5kV・25mA)本文中のスパッタ深さ
は全てSiO2換算で示す。Analytical apparatus: PHI manufactured by Perkin-Elmer
5400MC X-ray photoelectron spectrometer X-ray source: MgKα X-ray output: 400 W (15 kV · 26.7 mA) Analytical area: 1.1 mmφ Angle between detector and sample: 45 ° Ar + Sputtering rate: 20 Å in terms of SiO 2 / Min (1.5 kV · 25 mA) All the sputter depths in the text are shown in terms of SiO 2 .
【0087】製造条件、XPS分析結果、及び評価結果
を表4に示す。Table 4 shows the manufacturing conditions, XPS analysis results, and evaluation results.
【0088】[0088]
【表4】 [Table 4]
【0089】O/Cは、炭化処理温度を高めると減少す
る傾向にあるが、これは原料であるフェノール樹脂中の
酸素原子が、高温で処理するほど熱分解により脱離し易
くなるためであると考えられる。The O / C tends to decrease as the carbonization temperature is raised, but this is because the oxygen atom in the raw material phenol resin is more easily desorbed by thermal decomposition as the temperature is increased. Conceivable.
【0090】表4より、実験No.17〜19,21
は、本発明で規定するO/Cの数値範囲を満たしてお
り、従来の石英や炭化珪素製のインナーチューブと比較
して、ウェハに発生するパーティクルを顕著に低減でき
ることが分かった。これに対し実験No.20は、O/
Cが本発明の規定範囲を下回り、パーティクルを多く発
生させる結果となった。From Table 4, the experiment No. 17-19,21
It satisfies the O / C numerical range specified in the present invention, and it was found that the particles generated on the wafer can be significantly reduced as compared with the conventional inner tube made of quartz or silicon carbide. On the other hand, in Experiment No. 20 is O /
C was below the specified range of the present invention, resulting in many particles being generated.
【0091】また、実験No.21に示すように高温で
炭化処理を行った場合でも、適度の電解酸化を行うこと
でパーティクルを大幅に低減させることができた。但
し、実験No.22に示すように電解酸化を過剰に行う
と、石英や炭化珪素製よりも多くのパーティクルを発生
させることとなった。Experiment No. As shown in FIG. 21, even when the carbonization treatment was performed at a high temperature, it was possible to significantly reduce the particles by performing an appropriate electrolytic oxidation. However, in Experiment No. As shown in 22, when excessive electrolytic oxidation was performed, more particles were generated than those made of quartz or silicon carbide.
【0092】(4)結晶性に関する実施例
(4−1)原料樹脂の製造
ガラス状炭素の原料として、本発明例では、市販の液状
フェノール樹脂である群栄化学製PL−4804を用い
た。(4) Example for Crystallinity (4-1) Production of Raw Material Resin As a raw material of glassy carbon, in the present invention example, commercially available liquid phenol resin PL-4804 manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd. was used.
【0093】上記液状フェノール樹脂の硬化特性:11
5℃でのゲル化時間が40分このフェノール樹脂100
質量部および触媒としてテトラメチレンヘキサミン(H
MT)5質量部を混合し、65℃で1時間攪拌して成形
原料とした。Curing characteristics of the above liquid phenol resin: 11
Gelation time at 5 ° C 40 minutes This phenolic resin 100
Parts by mass and tetramethylene hexamine (H
(MT) 5 parts by mass were mixed and stirred at 65 ° C. for 1 hour to obtain a molding raw material.
【0094】(4−2)成形・キュアリング
成形時の回転時間を5時間としたことを除き、実施例
(1)の場合と同様に成形・キュアリングを行った。(4-2) Molding / curing Molding / curing was performed in the same manner as in Example (1) except that the rotation time during molding was 5 hours.
【0095】(4−3)炭化処理工程
上記フェノール樹脂成形体を4本用意し、不活性ガス雰
囲気下で、それぞれ1000℃、1500℃、2000
℃、3000℃で熱処理して炭化させた。いずれの場合
も、厚さ2.1mm、長さ1600mmのガラス状炭素
製円筒が得られ、この円筒の両端を切断して長さ100
0mmのCVD用インナーチューブを得た。(4-3) Carbonization step Four above-mentioned phenol resin moldings were prepared, and were respectively placed in an inert gas atmosphere at 1000 ° C., 1500 ° C. and 2000 ° C., respectively.
It was heat-treated at 3000C and 3000C for carbonization. In each case, a glassy carbon cylinder having a thickness of 2.1 mm and a length of 1600 mm was obtained, and both ends of this cylinder were cut to a length of 100 mm.
A 0 mm inner tube for CVD was obtained.
【0096】尚、後述の実験No.27は、実験No.
23と同じ条件で製造したインナーチューブの内面を精
密研磨により鏡面に仕上げたものである。Experiment No. Experiment No. 27 is No.
The inner surface of the inner tube manufactured under the same conditions as No. 23 was mirror-finished by precision polishing.
【0097】(4−4)評価方法
上述の通り、炭素試料のラマンスペクトルは、グラファ
イト構造に由来するラマンバンド(Gバンド)が158
0cm-1に現れ、結晶性(黒鉛化度)が低くなるにつ
れ、Gバンドが1600cm-1へ高波数シフトするとと
もに、1360cm-1付近にラマンバンド(Dバンド)
が現れる。(4-4) Evaluation Method As described above, in the Raman spectrum of the carbon sample, the Raman band (G band) derived from the graphite structure is 158.
Appeared to 0 cm -1, crystalline as the (degree of graphitization) is lowered, together with the G band is high wavenumber shifts to 1600 cm -1, the Raman bands (D-band) near 1360 cm -1
Appears.
【0098】本発明では、GバンドとDバンドのシグナ
ルをローレンツ関数でカーブフィットして面積値を求
め、このGバンドとDバンドの面積比をI(D)/I(G)
として評価した。In the present invention, the area values are obtained by curve-fitting the signals of the G band and D band by the Lorentz function, and the area ratio of this G band and D band is I (D) / I (G).
Evaluated as.
【0099】尚、この測定に使用したラマン分光光度計
の設定条件等は以下の通りである。The setting conditions of the Raman spectrophotometer used for this measurement are as follows.
【0100】装置:日本分光(株)製NR−1000型レ
ーザーラマン分光光度計
測定方法:90度散乱法
励起光源:アルゴンイオンレーザー
励起波長:488.0nm
励起光出力:300mW
測定領域:1000−2000cm-1
分解能:約8cm-1
製造条件、及び評価結果を表5に示す。Apparatus: NR-1000 type laser Raman spectrophotometer manufactured by JASCO Corporation Measurement method: 90 degree scattering method Excitation light source: Argon ion laser Excitation wavelength: 488.0 nm Excitation light output: 300 mW Measurement area: 1000-2000 cm -1 resolution: about 8 cm -1 Manufacturing conditions and evaluation results are shown in Table 5.
【0101】[0101]
【表5】 [Table 5]
【0102】実験No.23〜25は、本願発明で規定
するI(D)/I(G)を満たしており、パーティクルの
発生を微少とすることができた。これに対し、実験N
o.26では、I(D)/I(G)が本願発明の規定範囲
に満たず、パーティクルが石英や炭化珪素を用いた場合
と同等若しくはそれ以上発生する結果となった。その理
由として、I(D)/I(G)が小さい、即ちC−C二重
結合の割合が高い場合には、CVD膜成分との化学的な
相互作用が小さい為、膜の密着強度が減少することが考
えられる。Experiment No. Nos. 23 to 25 satisfied I (D) / I (G) defined in the present invention, and generation of particles could be minimized. In contrast, experiment N
o. In No. 26, I (D) / I (G) was less than the specified range of the present invention, and the result was that particles were generated in the same amount or more than in the case of using quartz or silicon carbide. The reason is that when I (D) / I (G) is small, that is, when the ratio of C—C double bonds is high, the chemical interaction with the CVD film component is small, and therefore the adhesion strength of the film is low. It is possible to decrease.
【0103】また、実験No.27では、I(D)/I
(G)が本願発明の規定範囲を超え、この場合もパーテ
ィクルが石英や炭化珪素の場合と同程度発生した。これ
は、研磨による構造の乱れ、或いは構造の乱れによって
生じる微小クラックが膜の剥離の一因となっていると推
測される。Experiment No. 27, I (D) / I
(G) exceeds the specified range of the present invention, and in this case, particles are generated to the same extent as in the case of quartz or silicon carbide. It is presumed that this is because the structural disorder due to polishing or the minute cracks caused by the structural disorder contribute to the peeling of the film.
【0104】[0104]
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、材
質をガラス状炭素とすることで、優れた耐熱性、耐腐食
性を有し、更にパーティクルの発生原因となるCVD膜
成分の剥離が起こり難いCVD用インナーチューブを提
供することができた。更に、上記ガラス状炭素製インナ
ーチューブの特性として、線膨張係数、チューブ内部表
面の表面粗さ、チューブ内部表面の酸素含有濃度、又は
チューブ内部表面の化学結合状態を表す指標I(D)/I
(G)を規定することにより、パーティクル発生の抑制効
果をより高めたCVD用インナーチューブを提供するこ
とができた。EFFECTS OF THE INVENTION The present invention is configured as described above, and by using glassy carbon as a material, it has excellent heat resistance and corrosion resistance, and further, a CVD film component that causes particles is generated. It was possible to provide an inner tube for CVD that is unlikely to peel. Further, as the characteristics of the inner glass tube made of glassy carbon, an index I (D) / I indicating the linear expansion coefficient, the surface roughness of the inner surface of the tube, the oxygen content concentration of the inner surface of the tube, or the chemical bonding state of the inner surface of the tube.
By defining (G), it was possible to provide an inner tube for CVD with a higher effect of suppressing particle generation.
【図1】半導体製造用CVD装置を例示する概略断面説
明図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional explanatory view illustrating a CVD apparatus for semiconductor production.
【図2】本発明品の製造に用いることのできる遠心成形
装置を例示する概略断面説明図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional explanatory view illustrating a centrifugal molding apparatus that can be used for manufacturing the product of the present invention.
1 インナーチューブ 2 アウターチューブ 3 Siウェハ 4 ウェハ支持ボード 5 原料ガス 6 成形型 7 ヒータ 8 樹脂原料 1 inner tube 2 Outer tube 3 Si wafer 4 Wafer support board 5 Raw material gas 6 Mold 7 heater 8 resin raw materials
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−218916(JP,A) 特開 平9−7954(JP,A) 特開 平2−192411(JP,A) 特開2000−159575(JP,A) 特開2001−335366(JP,A) 特開2001−334539(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C04B 35/52 C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-4-218916 (JP, A) JP-A-9-7954 (JP, A) JP-A-2-192411 (JP, A) JP-A-2000-159575 (JP, A) JP 2001-335366 (JP, A) JP 2001-334539 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C04B 35/52 C23C 16/00- 16/56 H01L 21/205
Claims (5)
CVD用インナーチューブ。1. An inner tube for CVD, which is made of glassy carbon.
-6である請求項1に記載のCVD用インナーチューブ。2. A linear expansion coefficient of 2 × 10 −6 to 3.5 × 10.
The inner tube for CVD according to claim 1, wherein the inner tube is -6 .
1に準ずる方法で測定される内部表面の表面粗さが5〜
100nmである請求項1または2に記載のCVD用イ
ンナーチューブ。3. JIS B0651 and JIS B060
The surface roughness of the inner surface measured by the method according to 1 is 5
The inner tube for CVD according to claim 1 or 2, which has a thickness of 100 nm.
の酸素/炭素原子数比(O/C)が0.04〜0.4で
ある請求項1〜3のいずれかに記載のCVD用インナー
チューブ。4. The CVD according to claim 1, wherein the oxygen / carbon atom number ratio (O / C) of the inner surface measured by X-ray photoelectron spectroscopy is 0.04 to 0.4. Inner tube for.
化学結合状態を表す指標I(D)/I(G)[式中I(D)は
ダイヤモンド構造のC−C結合を示すピーク値を表し、
I(G)は、グラファイト構造のC−C結合を示すピーク
値を表す]が0.8〜1.4である請求項1〜4のいず
れかに記載のCVD用インナーチューブ。5. An index I (D) / I (G), which represents a chemical bond state on the inner surface, measured by Raman spectroscopy [wherein I (D) is a peak value indicating a C—C bond in a diamond structure]. Represents
I (G) represents a peak value showing a C—C bond of a graphite structure] is 0.8 to 1.4, and the inner tube for CVD according to any one of claims 1 to 4.
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TW090112118A TW526180B (en) | 2000-05-25 | 2001-05-21 | Inner tube for CVD apparatus |
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