JP3446517B2 - Pb-free solder material and electronic equipment using the same - Google Patents

Pb-free solder material and electronic equipment using the same

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JP3446517B2 JP02240097A JP2240097A JP3446517B2 JP 3446517 B2 JP3446517 B2 JP 3446517B2 JP 02240097 A JP02240097 A JP 02240097A JP 2240097 A JP2240097 A JP 2240097A JP 3446517 B2 JP3446517 B2 JP 3446517B2
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    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、毒性の少ないPb
フリーはんだ合金及びこれを用いた実装品に関するもの
である。このはんだ合金は、有機基板等の回路基板への
LSI等の電子部品の接続に適用でき、従来の220〜
230℃でのはんだ付けに用いられているPbーSn共
晶はんだの代替品である。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to Pb having low toxicity.
The present invention relates to a free solder alloy and a mounted product using the same. This solder alloy can be applied to the connection of electronic parts such as LSI to a circuit board such as an organic board,
It is an alternative to the Pb-Sn eutectic solder used for soldering at 230 ° C.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、有機基板等の回路基板にLSI等
の電子部品を接続して電子回路基板の製造するには、S
n−Pb共晶はんだ、及びこのSn−Pb共晶はんだ近
傍で、融点も類似なSn−Pbはんだ、或いは、これら
に少量のBiやAgを添加したはんだ合金が用いられて
いる。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to manufacture an electronic circuit board by connecting an electronic component such as an LSI to a circuit board such as an organic board, an S
An n-Pb eutectic solder, an Sn-Pb solder having a similar melting point in the vicinity of the Sn-Pb eutectic solder, or a solder alloy in which a small amount of Bi or Ag is added to these is used.

【0003】これらのはんだには、Pbが約40重量%
含まれている。いずれのはんだ合金も、融点はほぼ18
3℃であり、220〜230℃でのはんだ付けが可能で
あった。また、150℃程度の高温での信頼性を保証す
ることができた。
These solders contain about 40% by weight of Pb.
include. All solder alloys have a melting point of about 18
The temperature was 3 ° C, and soldering at 220 to 230 ° C was possible. Moreover, the reliability at a high temperature of about 150 ° C. could be guaranteed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のSn−
Pb共晶はんだ中に含まれているPbは人体に有毒な重
金属であり、このPbを含む製品を廃棄することによる
地球環境の汚染、生物への悪影響が問題となっている。
この地球環境の汚染は、野ざらしに放置されたPbを含
む電気製品から、雨等によってPbが溶出することによ
って起こる。Pbの溶出は、最近の酸性雨によって加速
される傾向にある。従って、環境汚染を低減するため
に、大量に使用されている上記のSn−Pb共晶系はん
だの代替材料としてPbを含まない低毒性のはんだ合金
が必要である。
However, the above-mentioned Sn-
Pb contained in the Pb eutectic solder is a heavy metal that is toxic to the human body, and disposal of products containing this Pb causes pollution of the global environment and adverse effects on living organisms.
The pollution of the global environment is caused by elution of Pb due to rain or the like from electric appliances containing Pb that have been left in the field. The elution of Pb tends to be accelerated by recent acid rain. Therefore, in order to reduce environmental pollution, a low-toxicity solder alloy containing no Pb is required as a substitute material for the above-mentioned Sn-Pb eutectic solder that is used in large quantities.

【0005】このSn−Pb共晶はんだの代替材料とし
てのPbフリーはんだ合金は、以下のような特性を持た
なければならない。
The Pb-free solder alloy as a substitute material for the Sn-Pb eutectic solder must have the following characteristics.

【0006】まず、従来のSn−Pb共晶はんだと同様
に220〜230℃での温度ではんだ付けが可能でなけ
ればならない。これは、LSI等の電子部品、及び有機
基板等の回路基板の耐熱性から、これ以上の温度でのは
んだ付けが困難なためである。このために、はんだ合金
の液相線温度はほぼ210℃以下でなけらばならない。
First, it must be possible to perform soldering at a temperature of 220 to 230 ° C. like the conventional Sn-Pb eutectic solder. This is because soldering at higher temperatures is difficult due to the heat resistance of electronic components such as LSI and circuit boards such as organic boards. For this reason, the liquidus temperature of the solder alloy must be approximately 210 ° C. or lower.

【0007】また、このはんだ合金のぬれ性は、Sn−
Pb共晶はんだ、あるいは従来の使用実績のあるSn−
Ag共晶はんだ(3.5重量%のAg、残りSnのはん
だ)とほぼ同等である必要がある。もしこのPbフリー
はんだが、従来のはんだと比較して、表面の酸化等によ
りぬれ性が極端に悪いと、はんだ付け雰囲気の改善、は
んだ材料に適したフラックス、洗浄材料、及び洗浄方法
の開発、はんだ付けされる電極部の材料開発等の大きな
課題を生じてしまう。
The wettability of this solder alloy is Sn-
Pb eutectic solder, or Sn- which has been used in the past
It should be almost the same as the Ag eutectic solder (3.5% by weight of Ag and the remaining Sn solder). If this Pb-free solder has extremely poor wettability due to surface oxidation or the like as compared with the conventional solder, improvement of the soldering atmosphere, development of a flux suitable for the solder material, a cleaning material, and a cleaning method, This causes major problems such as development of materials for the electrode parts to be soldered.

【0008】はんだ組織としては、クラック進展のきっ
かけになりうる針状等の高アスペクト比の大きな結晶
が、存在しないことが重要である。これらの針状の結晶
がはんだ表面から成長すると、電気的な短絡を起こして
しまうこともある。
As the solder structure, it is important that there is no needle-shaped or other large crystal having a high aspect ratio, which may trigger crack propagation. When these needle-shaped crystals grow from the solder surface, an electrical short circuit may occur.

【0009】また、できるだけ高温、即ち、150℃、
少なくとも125℃での信頼性を確保できなければなら
ない。これは、電気製品の使用時では、部品自体の発
熱、或いは使用環境が高温であることにより、はんだ接
続部の温度が上昇する場合があるためである。
Also, as high a temperature as possible, that is, 150 ° C.,
It must be possible to ensure reliability at least at 125 ° C. This is because when the electric product is used, the temperature of the solder connection portion may rise due to the heat generated by the component itself or the use environment being high temperature.

【0010】また、はんだ合金の伸びは、電子部品、回
路基板間の熱膨張の不一致に適用するために重要であ
る。従って、上記の様な特性を持つPbフリーはんだ合
金が必要である。
Further, the elongation of the solder alloy is important for applying the thermal expansion mismatch between the electronic component and the circuit board. Therefore, a Pb-free solder alloy having the above characteristics is required.

【0011】しかし、この様なPbフリーはんだ合金は
今まで提供されていない。2元合金であるSn−Ag共
晶はんだ、或いはSn−Bi共晶はんだはPbフリーは
んだであり、階層接続用のはんだとして使用されている
が、融点はそれぞれ221℃、138℃であり、前者は
240℃程度のはんだ付け温度が必要であり、また、後
者は高温での信頼性を確保することが難しい。また、S
n−Zn系はんだはSn−Zn共晶はんだの融点が19
9℃であるため、融点的にはSn−Pb共晶はんだの代
替材料として有力であるが、Znの酸化のために、大気
中で十分なぬれ性を確保することが難しかった。
However, such a Pb-free solder alloy has not been provided so far. The binary alloy Sn-Ag eutectic solder or Sn-Bi eutectic solder is Pb-free solder and is used as a solder for layer connection, but the melting points are 221 ° C. and 138 ° C., respectively. Requires a soldering temperature of about 240 ° C., and it is difficult for the latter to secure reliability at high temperatures. Also, S
The n-Zn solder has a melting point of Sn-Zn eutectic solder of 19
Since the temperature is 9 ° C., it is effective as a substitute material for the Sn—Pb eutectic solder in terms of melting point, but it was difficult to secure sufficient wettability in the atmosphere due to oxidation of Zn.

【0012】また、特開平7−1179号公報、或いは
特開平7ー88680号公報に記載されている様なPb
フリーはんだ合金もあるが、前者は融点が約138℃近
辺であり、後者は220〜230℃でのはんだ付けは困
難であり、両者ともSn−Pb共晶はんだの代替材料に
はなり得なかった。
Further, Pb as described in JP-A-7-1179 or JP-A-7-88680.
There are free solder alloys, but the former has a melting point of about 138 ° C, and the latter is difficult to solder at 220 to 230 ° C, and neither of them could be a substitute material for Sn-Pb eutectic solder. .

【0013】従って、本発明の目的は、前述の条件を満
たしたPbフリーはんだ及びこれを用いた実装品を提供
することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a Pb-free solder which satisfies the above-mentioned conditions and a mounted product using the same.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記目的は、10重量%
〜25重量%のBi、1.5重量%〜3重量%のAg、
残りSn、及び不可避不純物で構成されるSn−Ag−
Bi系はんだ、或いは、このはんだ合金にCuを1重量
%未満含んだSn−Ag−BiーCu系はんだ合金、更
に望ましくはCuを0.1重量%未満含んだSn−Ag
−BiーCu系はんだ合金によって達成することができ
る。これらの範囲のはんだ合金の低温で溶融する3元共
晶量は、20%以下である。
The above object is 10% by weight.
25 wt% Bi, 1.5 wt% to 3 wt% Ag,
Sn-Ag- composed of the remaining Sn and unavoidable impurities
Bi-based solder or Sn-Ag-Bi-Cu-based solder alloy containing less than 1% by weight of Cu in this solder alloy, more preferably Sn-Ag containing less than 0.1% by weight of Cu.
It can be achieved by using a Bi-Cu based solder alloy. The ternary eutectic amount of the solder alloy in these ranges which melts at a low temperature is 20% or less.

【0015】以下に、本発明のはんだ合金を選定した理
由を説明する。
The reason why the solder alloy of the present invention is selected will be described below.

【0016】Biが0〜60重量%、Agが0〜5重量
%、残りSnの範囲のSn−Ag−Bi系はんだについ
て、詳細に溶融特性を検討した。この検討の一例とし
て、2重量%のAg、13重量%のBi、残りSnのは
んだ(a)、2重量%のAg、15重量%のBi、残り
Snのはんだ(b)、2重量%のAg、22重量%のB
i、残りSnのはんだ(c)についての溶融特性を、図
1に示した。これらは、各組成のはんだ合金を、同量ず
つ秤り取り、リフロー炉を用いて溶融、凝固させ、示差
熱分析により溶融特性を調べたものである。リフロー炉
を用いて溶融、凝固させたのは、試料の冷却速度を通常
のはんだ付け時と同様にするためである。示差熱分析は
2℃/分の昇温速度で行った。このような詳細な検討を
上記範囲内の組成について行った結果、220〜230
℃ではんだ付けを行うためには、液相線温度は少なくと
も210℃以下でなければならず、Bi量は少なくとも
10重量%以上必要であることがわかった。
The melting characteristics of the Sn-Ag-Bi solder in which Bi is 0 to 60% by weight, Ag is 0 to 5% by weight, and the remaining Sn is in the range, were examined in detail. As an example of this study, 2 wt% Ag, 13 wt% Bi, the remaining Sn solder (a), 2 wt% Ag, 15 wt% Bi, the remaining Sn solder (b), 2 wt% Ag, 22 wt% B
The melting characteristics of the solder (c) of i and the remaining Sn are shown in FIG. In these, the solder alloys of each composition are weighed in equal amounts, melted and solidified using a reflow furnace, and the melting characteristics are examined by differential thermal analysis. The reason for melting and solidifying using a reflow furnace is to make the cooling rate of the sample the same as that during normal soldering. The differential thermal analysis was performed at a heating rate of 2 ° C./min. As a result of conducting such a detailed study on the composition within the above range, 220 to 230
It has been found that the liquidus temperature must be at least 210 ° C. or lower and the Bi amount must be at least 10 wt% or more in order to perform the soldering at ℃.

【0017】図2に、10重量%のBi、2重量%のA
g、残りSnのはんだ(d)、10重量%のBi、3重
量%のAg、残りSnのはんだ(e)、及び10重量%
のBi、4重量%のAg、残りSnのはんだ(f)の3
種類のはんだ合金の組織の様子を示した。これは、この
はんだ合金を240℃で30秒溶融させた後、80℃/
分で冷却させて、その組織を断面研磨し、金属顕微鏡で
観察したものである。これから、(d)、(e)のSn
−Ag−Bi系はんだではSnの丸い結晶の間に球状の
Bi結晶とAg3Snの小さい結晶が見られたが、Sn
−Ag−Bi系はんだ(f)においてはAg3Snの大
きな針状結晶が晶出していることがわかった。この結果
は、他のBi量についても同様にAg量を変えて組織観
察を行ったところ、同様に、Sn−Ag2元共晶ライン
をAgの濃度を増す方向に越えると、Ag3Snの初晶
が析出していた。このため、このラインを越えないよう
にAg量は3重量%以下でなければならないことがわか
った。また、Agははんだの機械的性質を改善するため
に添加されているが、1.5重量%以下ではその効果は
見られなかった。また、Ag量が少なくなると、液相線
温度が上昇してしまい、液相線温度と固相線温度との差
が大きくなってしまうことがわかった。従ってAg量は
1.5重量%以上でなければならない。
In FIG. 2, 10% by weight of Bi, 2% by weight of A
g, remaining Sn solder (d), 10 wt% Bi, 3 wt% Ag, remaining Sn solder (e), and 10 wt%
Bi, 4 wt% Ag, and the remaining Sn solder (f) 3
The microstructures of the various solder alloys are shown. This is after melting this solder alloy at 240 ℃ for 30 seconds, then 80 ℃ /
The structure was cooled in minutes, the structure was cross-section polished, and observed with a metallurgical microscope. From now on, Sn in (d) and (e)
In the -Ag-Bi solder, spherical Bi crystals and small crystals of Ag3Sn were found between Sn round crystals.
It was found that large needle crystals of Ag3Sn were crystallized in the -Ag-Bi solder (f). This result shows that when the amount of Ag was changed similarly for other Bi amounts and the structure was observed, similarly, when the Sn-Ag binary eutectic line was crossed in the direction of increasing the concentration of Ag, the primary crystals of Ag3Sn were formed. It had been deposited. Therefore, it was found that the Ag amount must be 3% by weight or less so as not to exceed this line. Further, Ag is added to improve the mechanical properties of the solder, but the effect was not observed at 1.5% by weight or less. It was also found that the liquidus temperature rises as the amount of Ag decreases, and the difference between the liquidus temperature and the solidus temperature increases. Therefore, the Ag amount must be 1.5% by weight or more.

【0018】次に150℃、少なくとも125℃での信
頼性を確保するための条件について示す。このような高
温での信頼性を確保するためには、はんだの固相線温度
が重要である。図1に示した様な詳細なはんだの溶融特
性の検討から、このSn−Ag−Bi系では、Biが約
10重量%以上になると138℃付近で溶融する部分が
生じることがわかった。これは測定試料の作成時の冷却
速度によって影響を受け、冷却速度が速い場合にはBi
が約18重量%以下ではこの溶融ピークは出現しない
が、通常のはんだ付け時の冷却速度によって冷却された
試料では、Biが10重量%から18重量%の範囲内で
も溶融してしまうことがわかった。この138℃で溶融
する部分はSn−Ag−Biの3元共晶組成の部分であ
る。そこで、Sn−Ag2元共晶ライン上で、Bi量を
変えた時の138℃で溶融する部分の割合を、同量の3
元共晶組成(1重量%のAg、57重量%のBi、残り
Sn)のはんだのピーク熱量と比較することによって求
め、図3に示した。これから、138℃で溶融する割合
はBi量によって滑らかに変化することがわかった。3
元共晶の割合の少ない範囲であれば、実用上問題がない
と言える。そのため、各種温度サイクル試験を行って検
討した結果、3元共晶の割合は20%程度以下にする必
要があり、Biは25重量%以下にしなければならない
ことがわかった。この高温での信頼性を確保するための
Bi量は、高温での引張試験によっても確認することが
できた。図4には、Bi量を変えたときの150℃での
引張強度を示した。これは、150℃での強度が高温で
の信頼性の目安となるからである。引張試験は0.1m
m/分の引張速さで行った。0.1mm/分の引張速度
とした理由は、実際の温度サイクル試験時にサンプルが
受ける最大歪速度を再現するため、引張速度に等価変換
したことによる。これからも、Biが25重量%以下で
あれば、150℃での引張強度を持ち、高温での使用に
耐えられることがわかった。3元共晶がある程度存在し
ても、150℃で強度が保証される理由は、3元共晶の
生成メカニズムに基づく。即ち、Bi量を増すと3元共
晶が生成されるが、融点の高いSn晶の隙間に点在して
いる状況のため、強度を有する。更にBiが増すと、S
n晶の中のBi量が増えSn晶自体の融点が下がり、ま
たSn晶の隙間での3元共晶量も増えるため強度がでな
くなる。ここではBiが25重量%で、3元共晶が20
%の範囲までは、Sn晶の隙間を3元共晶が完全に埋め
尽くさないために、150℃での強度を有することにな
る。同様に、125℃で引張試験を行って引張強度を測
定し、図5に示したが、Biが25重量%以上になる
と、引張強度は5MPa以下となってしまうが、Biが
25重量%以下であればBiが少なくなるにつれて引張
強度が増し、高温での信頼性を確保できることがわかっ
た。
Next, conditions for ensuring reliability at 150 ° C. and at least 125 ° C. will be shown. The solidus temperature of the solder is important to ensure the reliability at such a high temperature. From the detailed study of the melting characteristics of the solder as shown in FIG. 1, it was found that in this Sn-Ag-Bi system, when Bi is about 10 wt% or more, a part that melts at around 138 ° C occurs. This is affected by the cooling rate at the time of making the measurement sample, and if the cooling rate is high, Bi
Of about 18% by weight or less, this melting peak does not appear, but it was found that in a sample cooled by a cooling rate during normal soldering, Bi was melted even in the range of 10% by weight to 18% by weight. It was The part that melts at 138 ° C. is the part of the ternary eutectic composition of Sn—Ag—Bi. Therefore, on the Sn-Ag binary eutectic line, the ratio of the portion that melts at 138 ° C when the Bi amount is changed is set to the same amount of 3
It was determined by comparison with the peak calorific value of the solder of the original eutectic composition (1 wt% Ag, 57 wt% Bi, balance Sn), and is shown in FIG. From this, it was found that the rate of melting at 138 ° C. changes smoothly depending on the amount of Bi. Three
It can be said that there is no problem in practical use as long as the ratio of the original eutectic is small. Therefore, as a result of conducting various temperature cycle tests and examining, it was found that the proportion of the ternary eutectic should be about 20% or less, and Bi should be 25% by weight or less. The Bi amount for ensuring the reliability at this high temperature could be confirmed also by the tensile test at high temperature. FIG. 4 shows the tensile strength at 150 ° C. when the Bi content was changed. This is because the strength at 150 ° C is a measure of reliability at high temperatures. Tensile test is 0.1m
The tensile speed was m / min. The reason for setting the tensile speed to 0.1 mm / min is that the maximum strain rate that the sample undergoes during the actual temperature cycle test is reproduced, so that the tensile rate is equivalently converted. From this, it was also found that when Bi is 25% by weight or less, it has tensile strength at 150 ° C. and can withstand use at high temperature. The reason why the strength is guaranteed at 150 ° C. even if the ternary eutectic exists to some extent is based on the formation mechanism of the ternary eutectic. That is, when the amount of Bi is increased, a ternary eutectic crystal is generated, but it has strength because it is scattered in the gaps of the Sn crystal having a high melting point. If Bi further increases, S
The amount of Bi in the n-crystal increases, the melting point of the Sn crystal itself decreases, and the amount of ternary eutectic in the gap of the Sn crystal also increases, so that the strength cannot be obtained. Here, Bi is 25% by weight and the ternary eutectic is 20%.
Up to the range of%, the ternary eutectic does not completely fill the gaps of the Sn crystal, so that it has strength at 150 ° C. Similarly, the tensile strength was measured by conducting a tensile test at 125 ° C. and shown in FIG. 5. When Bi is 25 wt% or more, the tensile strength is 5 MPa or less, but Bi is 25 wt% or less. Then, it was found that the tensile strength increases as Bi decreases, and the reliability at high temperature can be secured.

【0019】また、Cuは組織改善のために添加した。
CuはSn−Ag−Bi系はんだ中では通常Cu−Sn
の化合物として存在する。Cu−Sn化合物はCu量が
微量であれば小さな球状であるので、Snの間に分散し
分散強化型の合金になる。これは、少量のSn−Cu化
合物が存在するだけで効果がある。Sn中にはCuは約
0.006重量%まで固溶するので、Cu−Sn化合物
を生成させるためには、0.006重量%以上のCuの
添加が必要である。しかし、Cu量が0.1重量%以上
となると、はんだが脆化し始める。Cu−Sn化合物が
大型化し、この化合物は硬いために変形しにくく、はん
だ接合部全体としての柔軟性をうばうからである。これ
は、リードの無い構造であるはんだボールを用いた接
続、或いは、実装密度が高まることによりはんだ付け継
ぎ手が小さくなることによって、電子回路の発熱の影響
が大きくなり、接続部にかかる歪みが大きくなった場合
の様に、はんだの柔軟性が必要な接続では特に重要な項
目である。更にCu量を1重量%以上にすると、別の項
目での劣化が見られる。まず、ぬれ性について、図6に
15重量%のBi、2.5重量%のAg、残りSnのは
んだにCuを添加したときのはんだのぬれ拡がりを示し
たが、Cuが0.5重量%の場合にぬれ拡がりが最高と
なり、それ以上のCu濃度では、Cuの濃度と共にぬれ
拡がりが低下し、2重量%ではCuを添加しなかった場
合よりもぬれ性が劣化していることがわかった。 ま
た、Cu量が多くなると、はんだ中のSnがCuとの化
合物生成に消費されるため、相対的にAg量が増し、針
状の大きいAg3Snの結晶が生じやすくなる。15重
量%のBi、2.8重量%のAg、残りSnのはんだ
に、0.5重量%、1重量%、2重量%のCuを添加し
たはんだの組織を観察したが、Cu添加量が増えるにつ
れてCu−Sn化合物が増すと共に、1重量%以上のC
uを添加した場合には、大きいAg3Snの結晶が生成
することがわかった。この大きいAg3Snの結晶はク
ラック進展のきっかけとなりうる。従って、これを防止
するためにAg量を予め減らすことが考えられるが、逆
に液相線温度の上昇が起こってしまう。以上から、Cu
は1重量%以下、望ましくは0.1重量%以下とした。
ぬれ性は、上記の組成範囲のはんだ合金は、大気中でS
n−Ag共晶はんだとほぼ同レベルであり、従来のフラ
ックス、電極部材料をそのまま使用できる。
Cu was added to improve the structure.
Cu is usually Cu-Sn in Sn-Ag-Bi solder.
Exists as a compound of Since the Cu-Sn compound has a small spherical shape when the amount of Cu is small, it is dispersed between Sn to form a dispersion-strengthened alloy. This is effective only if a small amount of Sn-Cu compound is present. Since Cu dissolves in Sn to about 0.006 wt%, it is necessary to add 0.006 wt% or more of Cu to form a Cu-Sn compound. However, when the Cu content is 0.1% by weight or more, the solder begins to become brittle. This is because the Cu—Sn compound becomes large in size and is hard to be deformed because it is hard, and the flexibility of the entire solder joint is poor. This is because the connection using solder balls, which is a structure without leads, or the soldering joint becomes smaller due to the higher mounting density, the heat generation of the electronic circuit increases, and the strain applied to the connection portion increases. This is especially important for connections that require solder flexibility, such as Further, when the Cu content is 1% by weight or more, deterioration in another item is observed. First, regarding the wettability, FIG. 6 shows the wet spread of the solder when Cu was added to the solder of 15 wt% Bi, 2.5 wt% Ag, and the remaining Sn. It was found that the wet spread becomes maximum in the case of, and the wet spread decreases with the Cu concentration at a Cu concentration higher than that, and the wettability deteriorates at 2 wt% as compared with the case where Cu is not added. . Further, when the amount of Cu is large, Sn in the solder is consumed for forming a compound with Cu, so that the amount of Ag is relatively increased, and large acicular crystals of Ag3Sn are likely to occur. The structure of the solder in which 0.5 wt%, 1 wt%, and 2 wt% Cu were added to the solder containing 15 wt% Bi, 2.8 wt% Ag, and the remaining Sn was observed. As the Cu-Sn compound increases as the amount increases, 1% by weight or more of C
It was found that large crystals of Ag3Sn were generated when u was added. This large crystal of Ag3Sn can trigger crack propagation. Therefore, it is conceivable to reduce the amount of Ag in advance in order to prevent this, but on the contrary, the liquidus temperature rises. From the above, Cu
Was 1 wt% or less, preferably 0.1 wt% or less.
Wettability of solder alloys in the above composition range is
It is almost at the same level as n-Ag eutectic solder, and conventional flux and electrode material can be used as they are.

【0020】また、図7に、2元共晶ライン上でBi量
を変えたときの室温での伸びを示したが、上記の組成範
囲内のはんだ合金の伸びは、室温で17%以上あり。実
用上問題無い。
FIG. 7 shows the elongation at room temperature when the Bi content was changed on the binary eutectic line. The elongation of the solder alloy within the above composition range is 17% or more at room temperature. . There is no problem in practical use.

【0021】更に220〜230℃でのはんだ付け性、
及び高温での信頼性を向上させるためには、上記の様に
選定した組成のうち、13重量%〜20重量% のB
i、2重量%〜3重量%のAg、残りSn、及び不可避
不純物で構成されるSn−Ag−Bi系はんだ、或い
は、このはんだ合金にCuを1重量%未満含んだSn−
Ag−BiーCu系はんだ合金、更に上記3元系はんだ
合金にCuを0.1重量%未満含んだSn−Ag−Bi
−Cu系はんだ合金が望ましい。これは、Biが13重
量%以上であればBiが10重量%の場合に比べて液相
線温度が下がり、更に熱容量の大きな部品でも220〜
230℃でのはんだ付けは容易になりうるからである。
また、AgもSn−Ag2元共晶ラインよりAg量の少
ない領域では、液相線温度を下げる作用を持ち、Ag量
が2重量%以上であればリフロー性は更に向上し、機械
的性質も更に向上するからである。また、Bi量が20
重量%以下であれば、138℃付近で3元共晶の溶融す
る割合は10%以下になり、また、150℃での引張強
度も5MPa程度以上、125℃での引張強度も15M
Pa程度以上有することから、高温での強度、クリープ
特性、振動、衝撃等の信頼性が向上し、高温で使用され
る電気製品に対して信頼性のマージンを拡げることがで
きる。
Further, solderability at 220 to 230 ° C.,
In order to improve the reliability at high temperature, 13% by weight to 20% by weight of the composition selected as described above is used.
i, 2 wt% to 3 wt% Ag, the remaining Sn, and Sn-Ag-Bi solder composed of unavoidable impurities, or Sn- containing less than 1 wt% Cu in this solder alloy.
Ag-Bi-Cu based solder alloy, and Sn-Ag-Bi in which Cu is contained in the ternary based solder alloy in an amount of less than 0.1% by weight.
-Cu based solder alloy is desirable. This is because when Bi is 13% by weight or more, the liquidus temperature is lower than when Bi is 10% by weight.
This is because soldering at 230 ° C. can be facilitated.
Further, Ag also has a function of lowering the liquidus temperature in a region where the amount of Ag is smaller than that of the Sn-Ag binary eutectic line, and when the amount of Ag is 2% by weight or more, reflowability is further improved and mechanical properties are also improved. This is because it is further improved. Also, the Bi amount is 20
If it is less than 10% by weight, the proportion of the ternary eutectic melted at around 138 ° C is 10% or less, the tensile strength at 150 ° C is about 5 MPa or more, and the tensile strength at 125 ° C is 15M.
Since it has about Pa or more, reliability at high temperature such as strength, creep characteristics, vibration, and impact is improved, and a margin of reliability can be expanded for electric products used at high temperature.

【0022】以上に示した様に、Sn−Ag−Biはん
だ合金の有効範囲を選定した。
As shown above, the effective range of the Sn-Ag-Bi solder alloy was selected.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】表1に示す6組成のはんだを作成
し、その性質を調べた結果を以下に述べる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The results of investigating the properties of solders having 6 compositions shown in Table 1 are described below.

【0024】[0024]

【表1】 [Table 1]

【0025】(実施の形態1)本発明の一例として、1
5重量%のBi、2重量%のAg、残りSnの合金を作
成した。この合金の液相線温度は207℃、固相線温度
は156℃であるが、138℃付近で3元共晶の溶融す
る部分があり、その割合は5%であり、実用上問題無
い。室温での引張強度は77MPa、150℃での引張
強度は11MPa、125℃での引張強度は22MP
a、室温での伸び率は19%であった。また、大気中で
のぬれ性は、Sn−Ag共晶の91%であり、Sn−A
g共晶はんだと同程度と言える。このはんだ合金を粉末
化し、フラックス成分と混練りしはんだペーストを作成
した。このはんだペーストを用いて、0.5mmピッ
チ、208ピンのQFP(Quad Flat Package)ーLSI
をガラスエポキシ基板にはんだ付けし、ー55℃30分
〜125℃30分(1時間/1サイクル)の温度サイク
ル試験を行った。QFP−LSIのリードはSnめっき
されている。また、はんだ付け時の最高温度は220℃
であった。最も応力が大きく作用するコーナーピンのフ
ィレット表面について、初期から1000サイクルま
で、電子顕微鏡により追跡調査を行ったが、表面に多少
の変化が生じるだけで、断線に至る様なクラックは生じ
ず、Sn−Pb共晶はんだと比較して、遜色はなかっ
た。このコーナーピンの断面を研磨し、観察したが、ク
ラックは生じていないことが確認された。従って、上記
組成のはんだ合金は、Sn−Pb共晶はんだの代替材料
として使用することができる。このはんだ合金について
は、BGA(Ball Grid Array)、CSP(Chip Size P
ackage)等の接続用のはんだボールとしても使用するこ
とができる。また、表面酸化が少ないので、フローはん
だ付け用のはんだ材として使用することもできる。更
に、はんだ箔として使用し、チップのダイボンド用、モ
ジュール実装用、封止用にも適用可能である。
(Embodiment 1) As an example of the present invention, 1
Alloys of 5 wt% Bi, 2 wt% Ag and the balance Sn were made. This alloy has a liquidus temperature of 207 ° C. and a solidus temperature of 156 ° C., but there is a part where the ternary eutectic melts near 138 ° C., and the ratio is 5%, which is not a practical problem. The tensile strength at room temperature is 77MPa, the tensile strength at 150 ° C is 11MPa, the tensile strength at 125 ° C is 22MP.
a, the elongation at room temperature was 19%. In addition, the wettability in air is 91% of that of Sn-Ag eutectic, and Sn-A
It can be said that it is about the same as g-eutectic solder. This solder alloy was pulverized and kneaded with a flux component to prepare a solder paste. Using this solder paste, QFP (Quad Flat Package) -LSI with 0.5 mm pitch and 208 pins
Was soldered to a glass epoxy substrate, and a temperature cycle test of −55 ° C. 30 minutes to 125 ° C. 30 minutes (1 hour / 1 cycle) was performed. The leads of the QFP-LSI are Sn-plated. The maximum temperature during soldering is 220 ° C.
Met. On the surface of the fillet of the corner pin where the most stress is exerted, a follow-up investigation was carried out by an electron microscope from the initial stage up to 1000 cycles, but a slight change in the surface did not occur, and cracks leading to disconnection did not occur. Compared with the -Pb eutectic solder, there was no difference. The cross section of this corner pin was polished and observed, but it was confirmed that no crack was generated. Therefore, the solder alloy having the above composition can be used as a substitute material for the Sn-Pb eutectic solder. For this solder alloy, BGA (Ball Grid Array), CSP (Chip Size P
It can also be used as a solder ball for connections such as ackage). Further, since the surface oxidation is small, it can be used as a solder material for flow soldering. Further, it can be used as a solder foil, and can be applied to die bonding of chips, module mounting, and sealing.

【0026】(実施の形態2)同様に、本発明の一例と
して、15重量%のBi、2.5重量%のAg、残りS
nの合金を作成した。この合金の液相線温度は204
℃、固相線温度は155℃、138℃付近で3元共晶の
溶融する割合は5%であった。室温での引張強度は78
MPa、150℃での引張強度は10MPa、室温での
伸び率は20%であった。また、大気中でのぬれ性は、
Sn−Ag共晶の92%であった。このはんだ合金をは
んだペースト化し、実施例1と同じ温度サイクル試験を
行った。この結果、最も応力が大きく作用するコーナー
部のはんだフィレット表面は、1000サイクルまで、
実施例1の結果と同様に、表面に多少の変化が生じるだ
けで、断線に至るクラックは生じなかった。従って、実
施例2のはんだ合金は、Sn−Pb共晶はんだの代替材
料として有効である。
(Embodiment 2) Similarly, as an example of the present invention, 15 wt% Bi, 2.5 wt% Ag, and the balance S
n alloy was made. The liquidus temperature of this alloy is 204
C., and the solidus temperature was around 155.degree. C. and 138.degree. C., the melting ratio of the ternary eutectic was 5%. Tensile strength at room temperature is 78
The tensile strength at MPa and 150 ° C. was 10 MPa, and the elongation at room temperature was 20%. The wettability in the atmosphere is
It was 92% of the Sn-Ag eutectic. This solder alloy was made into a solder paste and the same temperature cycle test as in Example 1 was performed. As a result, the solder fillet surface at the corner where most stress acts is up to 1000 cycles,
Similar to the result of Example 1, only a slight change occurred on the surface, and no crack leading to disconnection occurred. Therefore, the solder alloy of Example 2 is effective as a substitute material for the Sn-Pb eutectic solder.

【0027】(実施の形態3)同様に、本発明の一例と
して、20重量%のBi、2.5重量%のAg、残りS
nの合金を作成した。この合金の液相線温度は200
℃、固相線温度は138℃、138℃付近で3元共晶の
溶融する割合は10%であった。室温での引張強度は7
5MPa、150℃での引張強度は5MPa、室温での
伸び率は25%であった。また、大気中でのぬれ性は、
Sn−Ag共晶の87%であった。このはんだ合金をは
んだペースト化し、実施例1と同じ温度サイクル試験を
行った。この結果、最も応力が大きく作用するコーナー
部のはんだフィレット表面は、1000サイクルまで、
実施例1の結果と同様に、表面に多少の変化が生じるだ
けで、断線に至る様なクラックは生じず、Sn−Pb共
晶はんだと比較して遜色はなかった。従って、実施例3
のはんだ合金は、Sn−Pb共晶はんだの代替材料とし
て有効である。
(Third Embodiment) Similarly, as an example of the present invention, 20% by weight of Bi, 2.5% by weight of Ag, and the remaining S
n alloy was made. The liquidus temperature of this alloy is 200
C., the solidus temperature was around 138.degree. C. and 138.degree. C., and the melting ratio of the ternary eutectic was 10%. Tensile strength at room temperature is 7
The tensile strength at 5 MPa and 150 ° C. was 5 MPa, and the elongation at room temperature was 25%. The wettability in the atmosphere is
It was 87% of the Sn-Ag eutectic. This solder alloy was made into a solder paste and the same temperature cycle test as in Example 1 was performed. As a result, the solder fillet surface at the corner where most stress acts is up to 1000 cycles,
Similar to the results of Example 1, only a slight change was caused on the surface, cracks leading to disconnection did not occur, and were comparable to the Sn-Pb eutectic solder. Therefore, Example 3
The above solder alloy is effective as a substitute material for the Sn—Pb eutectic solder.

【0028】(実施の形態4)同様に、本発明の一例と
して、15重量%のBi、2.8重量%のAg、0.5
重量%のCu、残りSnの合金を作成した。この合金の
液相線温度は204℃、固相線温度は157℃、3元共
晶の溶融する割合は5%であった。室温での引張強度は
83MPa、150℃での引張強度は11MPa、室温
での伸び率は21%であった。また、大気中でのぬれ性
は、Sn−Ag共晶の90%であった。このはんだ合金
をはんだペースト化し、TSOP(Thin Small Outline
Package)、チップ部品をガラスエポキシ基板にはんだ
付けし、実施例1と同条件で温度サイクル試験を行っ
た。TSOP、チップ部品は、リードが短いため、或い
はリード無し部品であるため、はんだ内で熱膨張の差に
適用しなくてはならず、長いリードを持つQFP−LS
Iに比べて厳しい接続である。このような温度サイクル
試験を行ったTSOPのコーナー部のはんだフィレット
表面について、1000サイクルまで観察を行った結
果、多少の劣化は認められるが、断線に至る様なクラッ
クは生じていないことが確認できた。また、チップ部品
でも大きな変化は無く、断面観察によってもクラックは
生じていないことが確認でき、SnーPb共晶と比較し
ても遜色は無かった。また、このようにはんだ付けした
チップ部品について、せん断試験を行ったが、125℃
での高温放置試験後、及び、上記の温度サイクル試験1
000サイクル後でも、初期に比べてせん断強度の劣化
は見られなかった。また、従来使用されているSn−P
b共晶とほぼ同じせん断強度を有した。また、電気的な
導通試験でも問題は無かった。
(Embodiment 4) Similarly, as an example of the present invention, 15 wt% Bi, 2.8 wt% Ag, 0.5
An alloy of Cu at the weight percent and the balance Sn was prepared. The liquidus temperature of this alloy was 204 ° C., the solidus temperature was 157 ° C., and the melting ratio of the ternary eutectic was 5%. The tensile strength at room temperature was 83 MPa, the tensile strength at 150 ° C. was 11 MPa, and the elongation at room temperature was 21%. The wettability in the air was 90% of that of the Sn-Ag eutectic. This solder alloy is made into a solder paste, and TSOP (Thin Small Outline)
Package) and chip parts were soldered to a glass epoxy substrate, and a temperature cycle test was performed under the same conditions as in Example 1. QSOP-LS with long leads has to be applied to the difference in thermal expansion in the solder because the TSOP and chip parts have short leads or are parts without leads.
It is a severer connection than I. As a result of observing the solder fillet surface at the corner portion of the TSOP subjected to such a temperature cycle test up to 1000 cycles, some deterioration was observed, but it was confirmed that cracks leading to disconnection did not occur. It was In addition, there was no significant change in the chip component, and it was confirmed by observation of the cross section that no crack was generated, which was comparable to that of the Sn-Pb eutectic. A shear test was conducted on the chip components soldered in this way.
After the high temperature storage test in the above, and the above temperature cycle test 1
Even after 000 cycles, deterioration in shear strength was not seen compared to the initial stage. In addition, the Sn-P that has been used conventionally
It had about the same shear strength as the b eutectic. Also, there was no problem in the electrical continuity test.

【0029】(実施の形態5)18重量%のBi、2重
量%のAg、残りSnの合金をBGAの接続に利用した
例を示す。図8のように、BGA本体1上に上記組成の
はんだボール2をはんだ付けした。はんだボール径は0.
76mmであり、はんだ付け温度は225℃で行った。こ
のBGA3に対して、プリント基板4側に同じ組成のは
んだペースト5を印刷し、同じ条件ではんだ付けを行っ
た。以上のような課程を経ることによって、Pbを用い
ない低毒性のBGA接続を行うことができる。このプリ
ント基板に接続されたBGAについて、実施例1と同様
の温度サイクル試験を行っが、実用上問題の無いことが
わかった。
(Embodiment 5) An example in which an alloy of 18% by weight of Bi, 2% by weight of Ag, and the remaining Sn is used for connection of BGA is shown. As shown in FIG. 8, the solder balls 2 having the above composition were soldered onto the BGA body 1. Solder ball diameter is 0.
It was 76 mm and the soldering temperature was 225 ° C. The BGA 3 was printed with the solder paste 5 having the same composition on the printed board 4 side and soldered under the same conditions. Through the above process, it is possible to make a low-toxicity BGA connection without using Pb. The same temperature cycle test as in Example 1 was conducted on the BGA connected to this printed board, and it was found that there was no problem in practice.

【0030】また、BGA本体に接続されているはんだ
ボール2が高融点のはんだ、例えばSn−Ag共晶はん
だ等であっても、プリント基板側に用いるはんだを本発
明のはんだを用いれば、220〜230℃での接続が可
能である。このように、本発明のはんだはBGA等のは
んだボールを用いた接続にも利用することができる。
Even if the solder ball 2 connected to the BGA body is a high melting point solder, for example, Sn—Ag eutectic solder, if the solder of the present invention is used as the solder used for the printed circuit board side, 220 Connection at ~ 230 ° C is possible. In this way, the solder of the present invention can be used for connection using solder balls such as BGA.

【0031】(実施の形態6)15重量%のBi、2.
5重量%のAg、0.08重量%のCu,残りSnの合
金を用いた8mmビデオ用の電子回路基板の製造方法を
示す。まず、このはんだ合金を25〜45μmの大きさ
に粉末化し、これをフラックス成分と混練りし、はんだ
ペーストを作成した。このはんだペーストを0.15m
m厚のメタルマスクを用いて、プリント配線基板上に個
別供給した。このはんだペーストが供給されたプリント
基板上に部品搭載機を用いて各種電子部品を搭載し、窒
素リフロー炉を通してはんだ付けを行った。窒素リフロ
ー炉中の酸素濃度は100ppmとした。はんだ付け温
度は、各種部品の熱容量の差により同一基板上でも差が
あるが、予熱はほぼ150℃で、最高温度は最も温度が
上がった箇所でも230℃となるようにした。この後、
裏面についても同様にはんだペーストの印刷、各種部品
の搭載、窒素リフローによる加熱を行った。この電子回
路基板には、0.4mmピッチのQFP−LSI、10
05と呼ばれる縦1.0mm、横0.5mmの大きさの
チップ部品等が含まれている。はんだ付け後は洗浄は行
わなかった。このようにはんだ付けを行った後、自動外
観検査装置を用いてはんだ付け部の外観検査を行った。
この結果、従来のSn−Pb共晶と比較してはんだ表面
の光沢が少ないために、虚報率が少なかった。また、は
んだ付け性も、従来のSn−Pb共晶を用いてはんだ付
けした基板と比較したが、プリント基板上のCuパッド
へのぬれ拡がりが若干悪いが、実用上十分なレベルであ
った。
(Embodiment 6) 15% by weight of Bi, 2.
A method of manufacturing an electronic circuit board for an 8 mm video using an alloy of 5 wt% Ag, 0.08 wt% Cu and the balance Sn will be described. First, this solder alloy was pulverized to a size of 25 to 45 μm, and this was kneaded with a flux component to prepare a solder paste. 0.15m of this solder paste
It was individually supplied onto a printed wiring board using a metal mask having a thickness of m. Various electronic components were mounted on a printed circuit board supplied with this solder paste by using a component mounting machine, and soldering was performed through a nitrogen reflow furnace. The oxygen concentration in the nitrogen reflow furnace was 100 ppm. The soldering temperature varies depending on the heat capacities of various components even on the same substrate, but the preheating is approximately 150 ° C, and the maximum temperature is set to 230 ° C even at the highest temperature. After this,
Similarly, the back side was printed with solder paste, mounted with various parts, and heated by nitrogen reflow. This electronic circuit board has a QFP-LSI of 0.4 mm pitch, 10
A chip component having a size of 1.0 mm in length and 0.5 mm in width called 05 is included. No cleaning was performed after soldering. After soldering in this manner, the visual inspection of the soldered portion was performed using an automatic visual inspection device.
As a result, the false alarm rate was low because the solder surface had less gloss as compared with the conventional Sn-Pb eutectic. The solderability was also compared to that of a conventional soldered substrate using Sn-Pb eutectic, but the wetting spread to the Cu pad on the printed circuit board was slightly poor, but it was at a practically sufficient level.

【0032】その中で、部品搭載時の位置ずれにより、
脱落していたチップ部品が数個見られたが、これははん
だごてで容易に修正することができた。
Among them, due to the positional deviation when mounting the parts,
There were several chip parts that were missing, which could be easily corrected with a soldering iron.

【0033】このように製作した8mmビデオ用電子回
路基板を、実際の8mmビデオ本体に組み入れ、電気的
チェック、振動試験、高温高湿試験等の製品検査を行っ
たが、特に問題は無かった。このように、Pbを含まな
い低毒性のSn−Ag−Bi−Cuはんだを用いて、は
んだ付け温度を最高230℃として加熱することによっ
て、環境、生物に毒性の少ない電子回路基板を製造する
ことができた。
The 8 mm video electronic circuit board manufactured in this manner was incorporated into an actual 8 mm video main body, and product inspections such as an electrical check, a vibration test, and a high temperature and high humidity test were conducted, but there was no particular problem. As described above, by using a Sn-Ag-Bi-Cu solder having low toxicity that does not contain Pb, by heating the soldering temperature up to 230 ° C., an electronic circuit board that is less toxic to the environment and organisms can be manufactured. I was able to.

【0034】(実施の形態7)15重量%のBi、2.
8重量%のAg、残りSnの合金を0.5mmピッチの
QFP−LSI、及びTSOPにはんだ付けした。はん
だ付け温度は最高温度が230℃とした。これらの電子
部品のリード電極は、従来、42アロイに90重量%の
Sn、10重量%のPbの組成のはんだめっき(以下、
Sn−10Pbと記す)を施したものが用いられてい
る。しかし、これらも有毒なPbを含有するため、リー
ド電極もPbフリー化する必要がある。そこで本実施の
形態では、42アロイ上にCuめっきを施してから、8
重量%のBi、残りSnの組成のはんだめっき(以下、
Sn−8Biと記す)を施した。Cuめっきのめっき厚
は5μm、Sn−8Biめっきの厚みは10μmとし
た。上記のはんだ付けを行った基板について実施の形態
1と同じ温度サイクル試験を行ったが、十分な信頼性が
得られた。
(Embodiment 7) 15% by weight of Bi, 2.
An alloy containing 8% by weight of Ag and the remaining Sn was soldered to a 0.5 mm pitch QFP-LSI and TSOP. The maximum soldering temperature was 230 ° C. The lead electrodes of these electronic parts have conventionally been solder-plated with a composition of 90% by weight Sn and 42% by weight Pb in 42 alloy (hereinafter,
Sn-10Pb) is used. However, since these also contain toxic Pb, the lead electrode also needs to be Pb-free. Therefore, in the present embodiment, after the Cu plating is applied on the 42 alloy,
Solder plating with a composition of Bi of wt% and the balance of Sn (hereinafter,
Sn-8Bi). The Cu plating had a thickness of 5 μm, and the Sn-8Bi plating had a thickness of 10 μm. The same temperature cycle test as in Embodiment 1 was performed on the above-mentioned soldered substrate, but sufficient reliability was obtained.

【0035】リード電極を上記の様な構成にした理由
は、はんだ付け後の割基板作業、或いはプロービングテ
スト時に基板が反り、又はハンドリング等によって接続
したLSI等のはんだ接続部に大きな応力がかかるた
め、それに耐えられるはんだ接続部の強度を確保しなく
てはならないためである。従って、十分な接続強度を有
する構成とするために、本発明のはんだ合金と、各種の
Pbフリー材料を用いたリードとの接続強度を調べたの
で、以下に説明する。
The reason why the lead electrode is configured as described above is that the substrate is warped during the split board work after soldering or the probing test, or a large stress is applied to the solder connection portion of the LSI or the like connected by handling or the like. This is because it is necessary to secure the strength of the solder connection portion that can withstand it. Therefore, the connection strength between the solder alloy of the present invention and the leads using various Pb-free materials was examined in order to obtain a structure having sufficient connection strength, which will be described below.

【0036】表面に各種のはんだめっき、Pdめっき等
を施したモデルリードを作成した。モデルリードの材質
は42アロイであり、表面のめっきの下地として、Cu
めっき、Niめっき、或いは下地無しの3種類を検討し
た。モデルリードの幅は3mmで、はんだ付け部の長さ
が約22mmになるように90°の角度に折り曲げてあ
る。これらのはんだ付け方法は、プリント基板上の幅
3.5mm、長さ25mmのCuパッド上に、パッドと
同じ大きさの本発明の組成によるはんだ箔を載せ、その
上に、上記のモデルリードをのせ、大気中で、最高温度
220℃ではんだ付けした。このとき、塩素量が0.2
%のフラックスを用いた。これを洗浄した後、垂直方向
に5mm/分の速さで引っ張って、ピール試験を行い、
最も強度が大きくなるフィレット部強度を求めた。ピー
ル試験は、はんだ付け後初期、はんだ付け後の経時変化
による接続部強度劣化を考慮し、はんだ付け後に125
℃で168時間放置後、また、リード電極のぬれ性が劣
化した場合を考慮して、モデルリードを150℃で16
8時間放置してからはんだ付けした後と、3種類行っ
た。はんだ組成は、発明の範囲内で、Bi量、Ag量、
Cu量を変えて検討した。この結果、このはんだ組成範
囲では同じ傾向が見られ、42アロイ上に下地としてC
uめっきを施した場合に接続強度が向上していることが
わかった。これは、Biと42アロイとの反応性が低い
ため、従来のSn−Pb共晶と比較して、十分な化合物
が生成できず、強度が得られないためである。Cuの存
在により、接続強度が増すことから、42アロイリード
ではなく、Cu系リードフレームを用いても十分な接続
強度が得られる。また、表面の組成は、Biを25重量
%程度まで含有するSn−Bi組成の場合、十分な接続
強度が得られることがわかった。これらの結果のうち、
15重量%のBi、2.8重量%のAg、残りSnのは
んだと、42アロイ上にSn−8Biめっきを10μm
、42アロイ上にCu下地めっきを5μm施してから
Sn−8Biめっきを10μm施したモデルリードとの
フィレット部強度を図9に示した。図9には、従来使用
しているPbを含有している組み合わせの場合のフィレ
ット部強度も同様に示した。これから、42アロイ上に
Cu下地めっきを施し、この上にSn−8Biめっきを
施した構成では、42アロイ上に直接Sn−8Biめっ
きを施した場合と比べて接続強度は大きく、また、従来
の使用しているSn−Pb共晶はんだとSn−10Pb
めっきリードとの構成以上の接続強度が得られることが
わかった。このように、本発明のはんだ合金は、下地と
してCuを用いるか、またCu系リードフレームを使用
し、この上にSn−8Biめっき等の表面処理すること
により、十分な強度を有する接続部が得られる。
A model lead having various solder plating, Pd plating, etc. on its surface was prepared. The material of the model lead is 42 alloy, and Cu is used as the base of the surface plating.
Three types of plating, Ni plating, and no base were examined. The model lead has a width of 3 mm and is bent at an angle of 90 ° so that the length of the soldered portion is about 22 mm. In these soldering methods, a Cu foil having a width of 3.5 mm and a length of 25 mm on a printed circuit board is overlaid with a solder foil having the same composition as that of the present invention and having the above-mentioned model leads. Then, it was soldered at a maximum temperature of 220 ° C. in the atmosphere. At this time, the chlorine content is 0.2
% Flux was used. After washing this, pull it vertically at a speed of 5 mm / min to perform a peel test,
The strength of the fillet portion where the strength was the highest was determined. In the peel test, the initial strength after soldering and the deterioration of connection strength due to the change with time after soldering are taken into consideration.
After leaving it for 168 hours at ℃, and considering the case that the wettability of the lead electrode deteriorates, the model lead is kept at 150 ℃ for 16 hours.
After leaving for 8 hours and soldering, three types were performed. Within the scope of the invention, the solder composition is Bi content, Ag content,
The amount of Cu was changed and examined. As a result, the same tendency was observed in this solder composition range, and C was used as a base on the 42 alloy.
It was found that the connection strength was improved when u plating was applied. This is because the reactivity of Bi with 42 alloy is low, so that a sufficient compound cannot be produced and strength cannot be obtained as compared with the conventional Sn-Pb eutectic. Since the connection strength increases due to the presence of Cu, sufficient connection strength can be obtained by using a Cu-based lead frame instead of the 42 alloy lead. It was also found that when the composition of the surface is a Sn-Bi composition containing up to about 25% by weight of Bi, sufficient connection strength can be obtained. Of these results,
15 wt% Bi, 2.8 wt% Ag, the remaining Sn solder, and Sn-8Bi plating of 10 μm on 42 alloy.
Fig. 9 shows the strength of the fillet portion of a model lead in which Cu undercoat was plated on the No. 42 alloy to 5 µm and then Sn-8Bi was plated to 10 µm. FIG. 9 also shows the fillet portion strength in the case of the combination containing Pb which is conventionally used. From this, in the structure in which the Cu underlayer plating is applied on the 42 alloy and the Sn-8Bi plating is applied on the 42 alloy, the connection strength is larger than that in the case where the Sn-8Bi plating is directly applied on the 42 alloy, and the conventional Sn-Pb eutectic solder used and Sn-10Pb
It was found that a connection strength higher than the configuration with the plating lead can be obtained. As described above, in the solder alloy of the present invention, Cu is used as an underlayer, or a Cu-based lead frame is used, and a surface treatment such as Sn-8Bi plating is performed on the solder alloy to form a connection portion having sufficient strength. can get.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のはんだ合
金であれば、従来大量に使用されているSn−Pb共晶
はんだの代替材料としての、低毒性のPbフリーはんだ
を提供できる。このはんだ合金は、はんだ付け温度が従
来と変わらず、また、ぬれ性も従来使用されているSn
−Ag共晶はんだと同程度なので、フラックス、電極材
料の特別な開発を必要としない。また、低温で溶融する
3元共晶量も20%以下であるので、高温での信頼性を
確保することができ、電子部品を回路基板に高信頼に接
続することができる。
As described above, the solder alloy of the present invention can provide a low-toxicity Pb-free solder as a substitute material for the Sn-Pb eutectic solder which has been used in large quantities in the past. This solder alloy has the same soldering temperature as before and has the same wettability as Sn.
-Since it is about the same as Ag eutectic solder, no special development of flux or electrode material is required. Further, since the ternary eutectic amount that melts at a low temperature is 20% or less, the reliability at a high temperature can be secured and the electronic component can be connected to the circuit board with high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】3種類のSn−Ag−Bi系はんだの溶融特
性。
FIG. 1 shows melting characteristics of three types of Sn-Ag-Bi solders.

【図2】3種類のSn−Ag−Bi系はんだの組織を表
した写真。
FIG. 2 is a photograph showing the structures of three types of Sn—Ag—Bi solder.

【図3】Sn−Ag2元共晶ライン近辺でのBi量を変
えたときの3元共晶の割合。
FIG. 3 is a ratio of the ternary eutectic when the Bi amount near the Sn-Ag binary eutectic line is changed.

【図4】Bi量を変えたときの150℃での引張強度。FIG. 4 shows the tensile strength at 150 ° C. when the Bi content was changed.

【図5】Bi量を変えたときの125℃での引張強度。FIG. 5: Tensile strength at 125 ° C. when changing the amount of Bi.

【図6】Sn−Ag−Bi系はんだ中のCu量を変えた
ときのぬれ特性。
FIG. 6 shows wetting characteristics when changing the amount of Cu in Sn—Ag—Bi solder.

【図7】Bi量を変えたときの室温での伸び特性。FIG. 7 shows elongation characteristics at room temperature when the Bi content is changed.

【図8】本発明をBGAに適用した例。FIG. 8 shows an example in which the present invention is applied to BGA.

【図9】本発明のはんだと、リードとの接続強度。FIG. 9 is a connection strength between the solder of the present invention and a lead.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1.BGA本体 2.はんだボール 3.BGA 4.プリント基板 5.はんだペースト 1. BGA body 2. Solder balls 3. BGA 4. Printed board 5. Solder paste

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H05K 3/34 512 H01L 21/92 603B (72)発明者 石田 寿治 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 原田 正英 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 浜野 恵 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 山本 健一 東京都小平市上水本町五丁目20番1号株 式会社日立製作所半導体事業部内 (56)参考文献 特開 平9−216089(JP,A) 特開 平9−327791(JP,A) 特開 平9−192877(JP,A) 特開 平10−52791(JP,A) 特開 平8−132277(JP,A) 特開 平8−206874(JP,A) 特開 平9−326554(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B23K 35/26 H05K 3/24 H05K 3/34 H01L 21/60 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H05K 3/34 512 H01L 21/92 603B (72) Inventor Toshiharu Ishida 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Stock company Hitachi Ltd. Production Technology Laboratory (72) Inventor Masahide Harada 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama, Kanagawa Stock Company Hitachi Production Engineering Laboratory (72) Inventor Megumi Hamano 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama, Kanagawa Stock Company Hitachi, Ltd. Production Technology Laboratory (72) Inventor Kenichi Yamamoto 5-20-1, Kamimizumoto-cho, Kodaira-shi, Tokyo Hitachi, Ltd. Semiconductor Business Division (56) Reference JP-A-9-216089 (JP, A) JP-A-9-327791 (JP, A) JP-A-9-192877 (JP, A) JP-A-10-52791 (JP, A) JP-A-8-132277 (JP, A) ) Patent flat 8-206874 (JP, A) JP flat 9-326554 (JP, A) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) B23K 35/26 H05K 3/24 H05K 3 / 34 H01L 21/60

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 所定の配線パターンを形成した回路基板
と、該配線パターンと接続する電極を備えた電子部品と
からなる電子機器であって、 前記電子部品の有する電極にCuめっきおよびSn‐Biめっ
きを施した電極を有する電子部品と、該回路基板の配線
パターンを、10重量%〜25重量%のBi、1.5重
量%〜3重量%のAg、残りがSnで構成されるSn−
Ag−Bi系はんだにより接続したことを特徴とする電
子機器。
1. An electronic device comprising a circuit board on which a predetermined wiring pattern is formed and an electronic component provided with an electrode connected to the wiring pattern, wherein the electrode of the electronic component is plated with Cu and Sn-Bi. An electronic component having a plated electrode and a wiring pattern of the circuit board are made of Sn- which is composed of 10 wt% to 25 wt% Bi, 1.5 wt% to 3 wt% Ag, and the rest Sn.
An electronic device characterized by being connected by Ag-Bi solder.
【請求項2】 所定の配線パターンを形成した回路基板
と、該配線パターンと接続する電極を備えた電子部品と
からなる電子機器であって、 前記電子部品の有する電極にCuめっきおよびSn‐Biめっ
きを施した電極を有する電子部品と、該回路基板の配線
パターンを、10重量%〜25重量%のBi、1.5重
量%〜3重量%のAg、1重量%未満のCu、残りがS
nで構成されるSn−Ag−Bi−Cu系はんだにより
接続したことを特徴とする電子機器。
2. An electronic device comprising a circuit board on which a predetermined wiring pattern is formed and an electronic component provided with an electrode connected to the wiring pattern, wherein the electrode of the electronic component is plated with Cu and Sn-Bi. An electronic component having a plated electrode and a wiring pattern of the circuit board are provided with 10 wt% to 25 wt% Bi, 1.5 wt% to 3 wt% Ag, less than 1 wt% Cu, and the rest. S
An electronic device characterized by being connected by a Sn-Ag-Bi-Cu solder composed of n.
【請求項3】 リード電極を有する半導体装置と電子基
板の電極をはんだにより接続した電子機器であって、 該リード電極は42アロイリードと該42アロイリード
の上にめっき形成されたCu層およびSn−Bi層を有
し、該はんだは、10重量%〜25重量%のBiと、
1.5重量%〜3重量%のAgと、残りがSnであるS
n−Ag−Bi系鉛フリーはんだであることを特徴とす
る電子機器。
3. An electronic device in which a semiconductor device having a lead electrode and an electrode of an electronic substrate are connected by solder, the lead electrode being a 42 alloy lead, a Cu layer plated on the 42 alloy lead, and Sn. -Having a Bi layer, the solder comprising from 10 wt% to 25 wt% Bi,
1.5 wt% to 3 wt% Ag and the balance S being Sn
An electronic device characterized by being an n-Ag-Bi lead-free solder.
【請求項4】 リード電極を有する半導体装置と電子基
板の電極をはんだにより接続した電子機器であって、 該リード電極は42アロイリードと該42アロイリード
の上にめっき形成されたCu層およびSn−Bi層を有
し、該はんだは、10重量%〜25重量%のBi、1.
5重量%〜3重量%のAg、1重量%未満のCu、残り
がSnであるSn−Ag−BiーCu系鉛フリーはんだ
であることを特徴とする電子機器。
4. An electronic device in which a semiconductor device having a lead electrode and an electrode of an electronic substrate are connected by solder, the lead electrode having 42 alloy leads, a Cu layer plated on the 42 alloy leads, and Sn. A Bi layer, the solder comprising 10 wt% to 25 wt% Bi, 1.
An electronic device characterized by being a Sn-Ag-Bi-Cu based lead-free solder in which 5 wt% to 3 wt% Ag, 1 wt% Cu, and the balance Sn.
【請求項5】 リード電極を有する半導体装置と電子基
板の電極をはんだにより接続した電子機器であって、 該リード電極はCuリードと該Cuリードの上にめっき
形成されたSn−Bi層を有し、 該はんだは、10重量%〜25重量%のBiと、1.5
重量%〜3重量%のAgと、残りがSnであるSn−A
g−Bi系鉛フリーはんだであることを特徴とする電子
機器。
5. An electronic device in which a semiconductor device having a lead electrode and an electrode of an electronic substrate are connected by solder, the lead electrode having a Cu lead and a Sn—Bi layer plated on the Cu lead. The solder contains Bi of 10 wt% to 25 wt% and 1.5 wt% of Bi.
Wt% to 3% by weight Ag and the balance Sn-A
An electronic device which is a g-Bi lead-free solder.
【請求項6】 リード電極を有する半導体装置と電子基
板の電極をはんだにより接続した電子機器であって、 該リード電極はCuリードと該Cuリードの上にめっき
形成されたSn−Bi層を有し、 該はんだは、10重量%〜25重量%のBi、1.5重
量%〜3重量%のAg、1重量%未満のCu、残りがS
nであるSn−Ag−BiーCu系鉛フリーはんだこと
を特徴とする電子機器。
6. An electronic device in which a semiconductor device having a lead electrode and an electrode of an electronic substrate are connected by solder, the lead electrode having a Cu lead and an Sn—Bi layer plated on the Cu lead. The solder is composed of 10 wt% to 25 wt% Bi, 1.5 wt% to 3 wt% Ag, less than 1 wt% Cu, and the balance S.
Sn-Ag-Bi-Cu based lead-free solder which is n.
【請求項7】 請求項3から6のいずれか1項に記載の
電子機器であって、 該半導体装置のリード電極と該電子基板の電極を接続す
るはんだ接続部では、Sn−Ag−Bi三元共晶量が2
0%以下であることを特徴とする電子機器。
7. The electronic device according to claim 3, wherein the solder connection portion that connects the lead electrode of the semiconductor device and the electrode of the electronic substrate has a Sn—Ag—Bi layer. Original eutectic amount is 2
An electronic device characterized by being 0% or less.
【請求項8】 請求項1から7のいずれか1項に記載の
電子機器であって、 該Sn−Bi層のBi含有量は25重量%以下であること
を特徴とする電子機器。
8. The electronic device according to claim 1, wherein a Bi content of the Sn—Bi layer is 25% by weight or less.
【請求項9】 半導体装置のリード電極と電子基板の電
極をはんだ接続する電子機器の製造方法であって、 42アロイリードと該42アロイリードの上にめっき形
成されたCu層およびSn−Bi層を有するリード電極
を、10重量%〜25重量%のBiと、1.5重量%〜
3重量%のAgと、残りがSnであるSn−Ag−Bi
系鉛フリーはんだを用いてはんだ付けを行い接続させる
工程を有することを特徴とする電子機器の製造方法。
9. A method of manufacturing an electronic device for solder-connecting a lead electrode of a semiconductor device and an electrode of an electronic substrate, comprising: 42 alloy lead, and a Cu layer and a Sn—Bi layer plated on the 42 alloy lead. A lead electrode having 10 wt% to 25 wt% Bi and 1.5 wt% to
Sn-Ag-Bi with 3 wt% Ag and the balance Sn
A method for manufacturing an electronic device, comprising a step of soldering and connecting using a lead-free solder.
【請求項10】 半導体装置のリード電極と電子基板の
電極をはんだ接続する電子機器の製造方法であって、 42アロイリードと該42アロイリードの上にめっき形
成されたCu層およびSn−Bi層を有するリード電極
を、10重量%〜25重量%のBi、1.5重量%〜3
重量%のAg、1重量%未満のCu、残りがSnである
Sn−Ag−BiーCu系鉛フリーはんだを用いてはん
だ付けを行い接続させる工程を有することを特徴とする
電子機器の製造方法。
10. A method for manufacturing an electronic device, in which a lead electrode of a semiconductor device and an electrode of an electronic substrate are solder-connected, comprising 42 alloy leads, and a Cu layer and a Sn—Bi layer plated on the 42 alloy leads. A lead electrode having 10 wt.% To 25 wt.% Bi, 1.5 wt.% To 3 wt.
% Of Ag, 1% of Cu less than 1%, Sn-Ag-Bi-Cu based lead-free solder with the rest being Sn. .
【請求項11】 半導体装置のリード電極と電子基板の
電極をはんだ接続する電子機器の製造方法であって、 Cuリードと該Cuリードの上にめっき形成されたSn
−Bi層を有するリード電極を、10重量%〜25重量
%のBiと、1.5重量%〜3重量%のAgと、残りが
SnであるSn−Ag−Bi系鉛フリーはんだを用いて
はんだ付けを行い接続させる工程を有することを特徴と
する電子機器の製造方法。
11. A method of manufacturing an electronic device, in which a lead electrode of a semiconductor device and an electrode of an electronic substrate are connected by soldering, wherein a Cu lead and Sn plated on the Cu lead are formed.
Using a Sn-Ag-Bi lead-free solder in which the lead electrode having a -Bi layer is 10 wt% to 25 wt% Bi, 1.5 wt% to 3 wt% Ag, and the balance is Sn. A method of manufacturing an electronic device, comprising a step of soldering and connecting.
【請求項12】 請求項9から11のいずれか1項に記
載の電子機器の製造方法であって、 上記はんだ付けを行う温度は220℃から230℃であ
ることを特徴とする電子機器の製造方法。
12. The method of manufacturing an electronic device according to claim 9, wherein the soldering temperature is 220 ° C. to 230 ° C. Method.
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