JP3439645B2 - フォトン走査トンネル顕微鏡用ピックアップ - Google Patents
フォトン走査トンネル顕微鏡用ピックアップInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトン走査トン
ネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）において、特にラマン分光測定
の高感度かつ高空間分解能での測定を可能にするフォト
ン走査トンネル顕微鏡用ピックアップに関する。
ネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）において、特にラマン分光測定
の高感度かつ高空間分解能での測定を可能にするフォト
ン走査トンネル顕微鏡用ピックアップに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、通常の光学顕微鏡の分解能は光
の回折特性によって決定され、ほぼ光の波長と同程度の
分解能しか望めない。しかし通常光ではなく、微小空間
に局在した別形態の光（エバネッセント光）を利用すれ
ば、回折限界を超える分解能が得られることが知られて
おり、実際、１９８０年代以降、エバネッセント光を用
いた光学顕微鏡が提案されている。この顕微鏡はフォト
ン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）、あるいは近視野顕
微鏡（ｎｅａｒ ｆｉｅｌｄ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）
と呼ばれている。
の回折特性によって決定され、ほぼ光の波長と同程度の
分解能しか望めない。しかし通常光ではなく、微小空間
に局在した別形態の光（エバネッセント光）を利用すれ
ば、回折限界を超える分解能が得られることが知られて
おり、実際、１９８０年代以降、エバネッセント光を用
いた光学顕微鏡が提案されている。この顕微鏡はフォト
ン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）、あるいは近視野顕
微鏡（ｎｅａｒ ｆｉｅｌｄ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）
と呼ばれている。
【０００３】このフォトン走査トンネル顕微鏡の一例を
図６に示す。フォトン走査トンネル顕微鏡は、エバネッ
セント光検出のための光ピックアップ部と光ピックアッ
プ部の距離制御に走査型トンネル顕微鏡の追随機構が組
合わされた技術よりなる。入射レーザ６１からプリズム
６２を通って光が入射され、試料６３とプリズム６２と
の境界で全反射されている。この時試料６３表面側で光
にはエバネッセント光が生じている。その時表面近傍に
局在するエバネッセント光に対して光ファイバー６４な
どより成る光ピックアップを接触させることで伝搬光
（散乱光）６５に変換し、その散乱光の強度を検出器６
６で測定する。エバネッセント光の強度と光ファイバー
・試料表面間の距離とは相関関係があることから、光フ
ァイバーを上下させて試料６３表面とを走査すれば試料
６３の表面の凹凸を調べることができる。検出器６６か
ら得られた光強度の情報からＺ位置制御装置機構６７で
ピエゾ素子６８でＺ位置を制御し、また、ＸＹ走査装置
６９でピエゾ素子６８を用いてＸＹ走査を行う。Ｚ位置
制御装置機構６７とＸＹ走査装置６９から得られた情報
はコンピュータ７０を用いて処理される。
図６に示す。フォトン走査トンネル顕微鏡は、エバネッ
セント光検出のための光ピックアップ部と光ピックアッ
プ部の距離制御に走査型トンネル顕微鏡の追随機構が組
合わされた技術よりなる。入射レーザ６１からプリズム
６２を通って光が入射され、試料６３とプリズム６２と
の境界で全反射されている。この時試料６３表面側で光
にはエバネッセント光が生じている。その時表面近傍に
局在するエバネッセント光に対して光ファイバー６４な
どより成る光ピックアップを接触させることで伝搬光
（散乱光）６５に変換し、その散乱光の強度を検出器６
６で測定する。エバネッセント光の強度と光ファイバー
・試料表面間の距離とは相関関係があることから、光フ
ァイバーを上下させて試料６３表面とを走査すれば試料
６３の表面の凹凸を調べることができる。検出器６６か
ら得られた光強度の情報からＺ位置制御装置機構６７で
ピエゾ素子６８でＺ位置を制御し、また、ＸＹ走査装置
６９でピエゾ素子６８を用いてＸＹ走査を行う。Ｚ位置
制御装置機構６７とＸＹ走査装置６９から得られた情報
はコンピュータ７０を用いて処理される。
【０００４】このようなフォトン走査トンネル顕微鏡
は、当初測定試料裏面から入射していた光も試料表面側
に配置した光導波路から入射するなどの工夫が報告され
ている。また、散乱光の強度だけでなく、散乱光を分光
することによりラマン散乱分光測定にも応用され、試料
表面の微細領域の表面物性分析に利用されている。
は、当初測定試料裏面から入射していた光も試料表面側
に配置した光導波路から入射するなどの工夫が報告され
ている。また、散乱光の強度だけでなく、散乱光を分光
することによりラマン散乱分光測定にも応用され、試料
表面の微細領域の表面物性分析に利用されている。
【０００５】通常、上記光導波路としては光ファイバー
側面を金属膜でコートし、引き伸ばすことで細く加工さ
れたものが用いられている。その後、例えばＡｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６７，２１９１（１９９５）にあ
るように散乱光の強度だけでなく、分光を行いフォトル
ミネッセンス（ＰＬ）、ラマン散乱などの分光測定にも
応用されている。このような分光測定に従来より用いら
れている分光測定用装置の概略図を図７に示す。分光測
定用入射光は入射レーザ７１から光ファイバー７２を通
って入射され、試料表面７３からの散乱光は分光器７４
で分光され、検出器７５により検出される。この時のＸ
ＹＺ位置はＸＹＺ Ｓｃａｎｎｅｒ７６を用いて検出さ
れる。フォトルミネッセンス（ＰＬ）の分光の場合には
散乱光は強度が強いため、ここで用いられているような
単純な探針でも測定が可能であるが、散乱光の強度の弱
いラマン分光測定の場合には、探針先端部の温度上昇が
問題になる。感度を上げるため入射光の強度が上げる
と、探針先端部が溶けてしまう等の問題があり、結果的
に十分な感度を得ることができなかった。
側面を金属膜でコートし、引き伸ばすことで細く加工さ
れたものが用いられている。その後、例えばＡｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６７，２１９１（１９９５）にあ
るように散乱光の強度だけでなく、分光を行いフォトル
ミネッセンス（ＰＬ）、ラマン散乱などの分光測定にも
応用されている。このような分光測定に従来より用いら
れている分光測定用装置の概略図を図７に示す。分光測
定用入射光は入射レーザ７１から光ファイバー７２を通
って入射され、試料表面７３からの散乱光は分光器７４
で分光され、検出器７５により検出される。この時のＸ
ＹＺ位置はＸＹＺ Ｓｃａｎｎｅｒ７６を用いて検出さ
れる。フォトルミネッセンス（ＰＬ）の分光の場合には
散乱光は強度が強いため、ここで用いられているような
単純な探針でも測定が可能であるが、散乱光の強度の弱
いラマン分光測定の場合には、探針先端部の温度上昇が
問題になる。感度を上げるため入射光の強度が上げる
と、探針先端部が溶けてしまう等の問題があり、結果的
に十分な感度を得ることができなかった。
【０００６】また、近年、測定感度の高い試料表面近傍
の測定方法として、測定感度が約２桁上昇することので
きる表面増強ラマン分光法が報告されている。（例えば
Ｈ．Ｉｓｈｉｄａ ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｓｐｅｃ
ｔｒｏｓｃ．４０，３２２（１９８６））。この方法で
は試料表面にアイランド状の金属を蒸着した後測定を行
うことで、入射光がアイランド状金属の表面プラズモン
を励起し、入射光よりも強い表面プラズモンの電場を利
用するというもので、測定感度が約２桁向上し、かつ表
面プラズモンの電場は空間的に急激に減衰するため、極
表面の情報が選択的に得られ、表面近傍の分析には特に
有効である。
の測定方法として、測定感度が約２桁上昇することので
きる表面増強ラマン分光法が報告されている。（例えば
Ｈ．Ｉｓｈｉｄａ ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｓｐｅｃ
ｔｒｏｓｃ．４０，３２２（１９８６））。この方法で
は試料表面にアイランド状の金属を蒸着した後測定を行
うことで、入射光がアイランド状金属の表面プラズモン
を励起し、入射光よりも強い表面プラズモンの電場を利
用するというもので、測定感度が約２桁向上し、かつ表
面プラズモンの電場は空間的に急激に減衰するため、極
表面の情報が選択的に得られ、表面近傍の分析には特に
有効である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述したようにフォト
ン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）において、従来の光
ピックアップを用いてラマン散乱の分光測定を行うと、
測定感度を上げるには入射光の強度を上げる必要があ
る。その場合、ピックアップ先端部の温度上昇が起こ
り、ピックアップ先端部が溶ける等の問題が発生する。
そのため、十分な感度を得ることができない。
ン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）において、従来の光
ピックアップを用いてラマン散乱の分光測定を行うと、
測定感度を上げるには入射光の強度を上げる必要があ
る。その場合、ピックアップ先端部の温度上昇が起こ
り、ピックアップ先端部が溶ける等の問題が発生する。
そのため、十分な感度を得ることができない。
【０００８】一方、表面増強ラマン分光法は、測定試料
毎に金属アイランド形成の工程が必要であり、かつ金属
アイランド形成により試料表面を汚染することになる。
さらに、表面増強度のばらつきをもたらし、計測情報の
ばらつきとなる問題があった。
毎に金属アイランド形成の工程が必要であり、かつ金属
アイランド形成により試料表面を汚染することになる。
さらに、表面増強度のばらつきをもたらし、計測情報の
ばらつきとなる問題があった。
【０００９】そこで、フォトン走査トンネル顕微鏡（Ｐ
ＳＴＭ）に表面増強ラマン分光法の方法を取り入れる試
みとして、光ピックアップ先端部になめらかなＡｕ膜を
４０ｎｍ蒸着し、アイランドではない金属薄膜中の表面
プラズモンの電場を用いる試みがなされている（芦野
慎、他 ’９７秋季応用物理学会予稿集 ４ｐ−Ｌ−１
８）。しかしながら、このような光ピックアップではＡ
ｕ膜が４０ｎｍと厚いために、光の透過率が極端に下が
り、表面プラズモンを励起しても実質的な感度向上は望
めない。
ＳＴＭ）に表面増強ラマン分光法の方法を取り入れる試
みとして、光ピックアップ先端部になめらかなＡｕ膜を
４０ｎｍ蒸着し、アイランドではない金属薄膜中の表面
プラズモンの電場を用いる試みがなされている（芦野
慎、他 ’９７秋季応用物理学会予稿集 ４ｐ−Ｌ−１
８）。しかしながら、このような光ピックアップではＡ
ｕ膜が４０ｎｍと厚いために、光の透過率が極端に下が
り、表面プラズモンを励起しても実質的な感度向上は望
めない。
【００１０】本発明は以上の課題を解決するための発明
であり、入射光の強度を上げることなく、フォトン走査
トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）のもつ高分解能と、表面増
強ラマン分光法のもつ高感度測定との両方の特長を実現
する光ピックアップを提供することを目的とする。
であり、入射光の強度を上げることなく、フォトン走査
トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）のもつ高分解能と、表面増
強ラマン分光法のもつ高感度測定との両方の特長を実現
する光ピックアップを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のフォトン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴ
Ｍ）用ピックアップは、試料表面に最も接近あるいは接
触する先端部分にアイランド状金属を有することを特徴
とする。
めに、本発明のフォトン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴ
Ｍ）用ピックアップは、試料表面に最も接近あるいは接
触する先端部分にアイランド状金属を有することを特徴
とする。
【００１２】また、本発明のフォトン走査トンネル顕微
鏡（ＰＳＴＭ）測定と原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）測定と
を行う事ができるカンチレバー型の装置に用いるピック
アップは、ピックアップが測定に用いる光に対して透明
な材質からなり、試料表面に最も接近あるいは接触する
先端部分にアイランド状の金属を有することを特徴とす
る。また、前記透明な材質からなるピックアップの材料
としてダイヤモンドを用いたことを特徴とする。
鏡（ＰＳＴＭ）測定と原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）測定と
を行う事ができるカンチレバー型の装置に用いるピック
アップは、ピックアップが測定に用いる光に対して透明
な材質からなり、試料表面に最も接近あるいは接触する
先端部分にアイランド状の金属を有することを特徴とす
る。また、前記透明な材質からなるピックアップの材料
としてダイヤモンドを用いたことを特徴とする。
【００１３】また、本発明のフォトン走査トンネル顕微
鏡（ＰＳＴＭ）測定と走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）
測定とを行う事ができる装置に用いるピックアップは、
ピックアップが測定に用いる光に対して透明な材質から
なり、試料表面に最も接近あるいは接触する先端部分に
アイランド状の金属を有することを特徴とする。また、
前記透明な材質からなるピックアップの材料として導電
性のダイヤモンドを用いたことを特徴とする。
鏡（ＰＳＴＭ）測定と走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）
測定とを行う事ができる装置に用いるピックアップは、
ピックアップが測定に用いる光に対して透明な材質から
なり、試料表面に最も接近あるいは接触する先端部分に
アイランド状の金属を有することを特徴とする。また、
前記透明な材質からなるピックアップの材料として導電
性のダイヤモンドを用いたことを特徴とする。
【００１４】さらに、前記アイランド状金属の材料とし
て、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｐｄのいずれかの金
属、あるいは少なくともそれらのうちの１元素を含む合
金を用いたことを特徴とする。
て、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｐｄのいずれかの金
属、あるいは少なくともそれらのうちの１元素を含む合
金を用いたことを特徴とする。
【００１５】本発明のようなピックアップを用いて、試
料表面を走査すると、入射光がピックアップ先端に到達
したとき、試料表面では前述の表面増強ラマン分光法と
同一の効果が発生する。入射光が、ピックアップ先端に
形成されたアイランド状金属表面の表面プラズモンと共
鳴し、入射光よりも大きな電場が表面近傍に誘起され、
結果的に測定の際の感度を大幅に向上させることにな
る。また、上記金属表面に誘起された電場は、空間的に
急激に減衰するので、表面近傍の情報を選択的に抽出
し、Ｓ／Ｎ比のよいデータを提供する。また、このよう
にアイランド状金属をピックアップ側につけることによ
り、測定試料毎に形成するアイランド状金属の形状、サ
イズが異なることにより増強度がばらつくという表面増
強ラマン分光法の欠点を無くすことができ、かつそれぞ
れの測定試料に対して、アイランド状金属を形成すると
いう工程を省くことができ、試料表面を汚染することも
ない。
料表面を走査すると、入射光がピックアップ先端に到達
したとき、試料表面では前述の表面増強ラマン分光法と
同一の効果が発生する。入射光が、ピックアップ先端に
形成されたアイランド状金属表面の表面プラズモンと共
鳴し、入射光よりも大きな電場が表面近傍に誘起され、
結果的に測定の際の感度を大幅に向上させることにな
る。また、上記金属表面に誘起された電場は、空間的に
急激に減衰するので、表面近傍の情報を選択的に抽出
し、Ｓ／Ｎ比のよいデータを提供する。また、このよう
にアイランド状金属をピックアップ側につけることによ
り、測定試料毎に形成するアイランド状金属の形状、サ
イズが異なることにより増強度がばらつくという表面増
強ラマン分光法の欠点を無くすことができ、かつそれぞ
れの測定試料に対して、アイランド状金属を形成すると
いう工程を省くことができ、試料表面を汚染することも
ない。
【００１６】
【発明の実施の形態】（実施例１）本発明の実施例１と
してフォトン走査トンネル顕微鏡用ピックアップについ
て図１を参照して説明を行う。図１は本実施例で用いた
ピックアップ先端部の拡大図である。ピックアップは光
ファイバーで出来た光導波部１の先端部以外をＡｕコー
ト膜２で被覆し、かつ測定試料４に最も近接する部位に
１０〜２０ｎｍ程度の直径のアイランド状Ａｇ３を抵抗
加熱法により蒸着したものである。但し、ここで用いた
材料およびアイランドのサイズは変更可能であり、測定
に用いる光の波長などによって異なる。本実施例ではラ
マン測定の入射光としてＡｒ+レーザ（４８８ｎｍ）を
用いたため、アイランド状Ａｇ３の直径は１０〜２０ｎ
ｍ程度（膜厚２〜６ｎｍ）にした。この条件で蒸着した
アイランド状Ａｇ３は４８０ｎｍ近傍に表面プラズモン
による光吸収のピークをもち、Ａｒ+レーザ（４８８ｎ
ｍ）で表面プラズモンを共鳴励起することが可能であ
る。
してフォトン走査トンネル顕微鏡用ピックアップについ
て図１を参照して説明を行う。図１は本実施例で用いた
ピックアップ先端部の拡大図である。ピックアップは光
ファイバーで出来た光導波部１の先端部以外をＡｕコー
ト膜２で被覆し、かつ測定試料４に最も近接する部位に
１０〜２０ｎｍ程度の直径のアイランド状Ａｇ３を抵抗
加熱法により蒸着したものである。但し、ここで用いた
材料およびアイランドのサイズは変更可能であり、測定
に用いる光の波長などによって異なる。本実施例ではラ
マン測定の入射光としてＡｒ+レーザ（４８８ｎｍ）を
用いたため、アイランド状Ａｇ３の直径は１０〜２０ｎ
ｍ程度（膜厚２〜６ｎｍ）にした。この条件で蒸着した
アイランド状Ａｇ３は４８０ｎｍ近傍に表面プラズモン
による光吸収のピークをもち、Ａｒ+レーザ（４８８ｎ
ｍ）で表面プラズモンを共鳴励起することが可能であ
る。
【００１７】測定の際、入射光５は光導波部１の先端方
向へ入射し、散乱光８は光導波部の側面方向から取り出
し、分光器で分光を行った。本実施例では入射光、散乱
光の配置として上記配置を用いたが、入射光６の方向か
ら入射することも可能で、また散乱光７のように光導波
部１の先端方向側から取り出すことも可能である。
向へ入射し、散乱光８は光導波部の側面方向から取り出
し、分光器で分光を行った。本実施例では入射光、散乱
光の配置として上記配置を用いたが、入射光６の方向か
ら入射することも可能で、また散乱光７のように光導波
部１の先端方向側から取り出すことも可能である。
【００１８】次に、ダイヤモンド基板上のアモルファス
カーボン（膜厚１０ｎｍ）を従来のフォトン走査トンネ
ル顕微鏡用ピックアップと本発明によるフォトン走査ト
ンネル顕微鏡用ピックアップで測定したラマンスペクト
ル測定結果を図２に示す。図２に示すように従来のフォ
トン走査トンネル顕微鏡用ピックアップでは感度よく測
定できなかったラマンスペクトルが、本発明のフォトン
走査トンネル顕微鏡用ピックアップにより感度よく測定
できるようになった。
カーボン（膜厚１０ｎｍ）を従来のフォトン走査トンネ
ル顕微鏡用ピックアップと本発明によるフォトン走査ト
ンネル顕微鏡用ピックアップで測定したラマンスペクト
ル測定結果を図２に示す。図２に示すように従来のフォ
トン走査トンネル顕微鏡用ピックアップでは感度よく測
定できなかったラマンスペクトルが、本発明のフォトン
走査トンネル顕微鏡用ピックアップにより感度よく測定
できるようになった。
【００１９】（実施例２）本発明の実施例２としてフォ
トン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）測定と原子間力顕
微鏡（ＡＦＭ）測定とを行う事ができるカンチレバー型
のピックアップについて図３を参照して説明を行う。図
３は本実施例に用いたピックアップ先端部の拡大図であ
る。実施例１と同一符号は同一なものを示す。符号９は
ピックアップであり、１１はカンチレバーであり、１２
はカンチレバーに設けられたラマン散乱測定用入射光及
びラマン散乱光透過用穴である。ピックアップ９はダイ
ヤモンドからなっており、先端部以外の部分はＡｕコー
ト膜２が形成されている。本実施例ではピックアップ９
の材料としてダイヤモンドを用いたが、測定に用いる光
に対して透明で、かつ硬度の高い材料であれば使用可能
である。また測定試料４に最も接近するピックアップ先
端部には１０〜２０ｎｍ程度（膜厚２〜６ｎｍ）の直径
のアイランド状Ａｇ３を抵抗加熱法により蒸着した。但
し、ここで用いた材料およびアイランドのサイズは変更
可能であり、測定に用いる光の波長などによって異な
る。本実施例ではＡｒ+レーザ（４８８ｎｍ）を用いた
ため、アイランド状Ａｇ３の直径は１０〜２０ｎｍ程度
にした。実施例１同様、この条件で蒸着したアイランド
状Ａｇは４８０ｎｍ近傍に表面プラズモンによる光吸収
のピークをもち、Ａｒ+レーザ（４８８ｎｍ）で表面プ
ラズモンを共鳴励起することが可能である。
トン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）測定と原子間力顕
微鏡（ＡＦＭ）測定とを行う事ができるカンチレバー型
のピックアップについて図３を参照して説明を行う。図
３は本実施例に用いたピックアップ先端部の拡大図であ
る。実施例１と同一符号は同一なものを示す。符号９は
ピックアップであり、１１はカンチレバーであり、１２
はカンチレバーに設けられたラマン散乱測定用入射光及
びラマン散乱光透過用穴である。ピックアップ９はダイ
ヤモンドからなっており、先端部以外の部分はＡｕコー
ト膜２が形成されている。本実施例ではピックアップ９
の材料としてダイヤモンドを用いたが、測定に用いる光
に対して透明で、かつ硬度の高い材料であれば使用可能
である。また測定試料４に最も接近するピックアップ先
端部には１０〜２０ｎｍ程度（膜厚２〜６ｎｍ）の直径
のアイランド状Ａｇ３を抵抗加熱法により蒸着した。但
し、ここで用いた材料およびアイランドのサイズは変更
可能であり、測定に用いる光の波長などによって異な
る。本実施例ではＡｒ+レーザ（４８８ｎｍ）を用いた
ため、アイランド状Ａｇ３の直径は１０〜２０ｎｍ程度
にした。実施例１同様、この条件で蒸着したアイランド
状Ａｇは４８０ｎｍ近傍に表面プラズモンによる光吸収
のピークをもち、Ａｒ+レーザ（４８８ｎｍ）で表面プ
ラズモンを共鳴励起することが可能である。
【００２０】ピックアップの材料として硬度が高く、ま
た測定に用いている可視光領域で透明なダイヤモンドを
用いることで、ＰＳＴＭ、ＡＦＭを同一の探針で測定す
ることが可能であり、本発明の方法により高感度のラマ
ン分光測定が可能になった。また、ＰＳＴＭの試料位置
決定にＡＦＭを用いることで、絶縁物の測定が可能であ
るだけでなく、反射率等の光学的な性質が近いような物
質についても表面形状により試料位置の決定が簡単に行
える。また、ここでは、入射光５および散乱光８の配置
を取ったが、実施例１と同様に入射光６及び散乱光７の
ように配置は場合に応じて変更可能である。
た測定に用いている可視光領域で透明なダイヤモンドを
用いることで、ＰＳＴＭ、ＡＦＭを同一の探針で測定す
ることが可能であり、本発明の方法により高感度のラマ
ン分光測定が可能になった。また、ＰＳＴＭの試料位置
決定にＡＦＭを用いることで、絶縁物の測定が可能であ
るだけでなく、反射率等の光学的な性質が近いような物
質についても表面形状により試料位置の決定が簡単に行
える。また、ここでは、入射光５および散乱光８の配置
を取ったが、実施例１と同様に入射光６及び散乱光７の
ように配置は場合に応じて変更可能である。
【００２１】次に、測定を行った幅２００ｎｍの直線状
Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓパターン（膜厚１５ｎｍ、下地Ｇａ
Ａｓ基板）のパターン部を従来の光ピックアップと本発
明による光ピックアップで測定したラマンスペクトル測
定結果を図４に示す。図４に示すように従来の光ピック
アップでは感度よく測定できなかったラマンスペクトル
が、本発明の光ピックアップにより感度よく測定できる
ようになった。
Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓパターン（膜厚１５ｎｍ、下地Ｇａ
Ａｓ基板）のパターン部を従来の光ピックアップと本発
明による光ピックアップで測定したラマンスペクトル測
定結果を図４に示す。図４に示すように従来の光ピック
アップでは感度よく測定できなかったラマンスペクトル
が、本発明の光ピックアップにより感度よく測定できる
ようになった。
【００２２】（実施例３）本発明の実施例３としてフォ
トン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）測定と走査型トン
ネル顕微鏡（ＳＴＭ）測定とを行う事ができるピックア
ップについて図５を参照して説明を行う。図５はピック
アップ先端部の拡大図である。実施例２と同一符号は同
一なものをしめし、符号１０はピックアップである。こ
こではピックアップ１０の材料として導電性のダイヤモ
ンドを用いたが、測定に用いる光に対して透明で、かつ
プローブ電流を流すことの出来る材料であれば使用可能
である。ピックアップ１０は導電性のダイヤモンドから
なっており、先端部以外はＡｕコート膜２が形成されて
いる。また、試料４に最も接近するピックアップ先端部
には１０〜２０ｎｍ程度（膜厚２〜６ｎｍ）の直径のア
イランド状Ａｇ３を抵抗加熱法により蒸着した。但し、
ここで用いたコート材料およびアイランドのサイズは変
更可能であり、測定に用いる光の波長などによって異な
る。本実施例ではＡｒ+レーザ（４８８ｎｍ）を用いた
ため、アイランド状Ａｇ３の直径は１０〜２０ｎｍ程度
にした。実施例１、２と同様に、この条件で蒸着したア
イランド状Ａｇ３は４８０ｎｍ近傍に表面プラズモンに
よる光吸収のピークをもち、Ａｒ+レーザ（４８８ｎ
ｍ）で表面プラズモンを共鳴励起することが可能であ
る。またここでは、入射光５および散乱光７の配置を取
ったが、配置は場合に応じて変更可能である。
トン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）測定と走査型トン
ネル顕微鏡（ＳＴＭ）測定とを行う事ができるピックア
ップについて図５を参照して説明を行う。図５はピック
アップ先端部の拡大図である。実施例２と同一符号は同
一なものをしめし、符号１０はピックアップである。こ
こではピックアップ１０の材料として導電性のダイヤモ
ンドを用いたが、測定に用いる光に対して透明で、かつ
プローブ電流を流すことの出来る材料であれば使用可能
である。ピックアップ１０は導電性のダイヤモンドから
なっており、先端部以外はＡｕコート膜２が形成されて
いる。また、試料４に最も接近するピックアップ先端部
には１０〜２０ｎｍ程度（膜厚２〜６ｎｍ）の直径のア
イランド状Ａｇ３を抵抗加熱法により蒸着した。但し、
ここで用いたコート材料およびアイランドのサイズは変
更可能であり、測定に用いる光の波長などによって異な
る。本実施例ではＡｒ+レーザ（４８８ｎｍ）を用いた
ため、アイランド状Ａｇ３の直径は１０〜２０ｎｍ程度
にした。実施例１、２と同様に、この条件で蒸着したア
イランド状Ａｇ３は４８０ｎｍ近傍に表面プラズモンに
よる光吸収のピークをもち、Ａｒ+レーザ（４８８ｎ
ｍ）で表面プラズモンを共鳴励起することが可能であ
る。またここでは、入射光５および散乱光７の配置を取
ったが、配置は場合に応じて変更可能である。
【００２３】本実施例のようにピックアップの材料とし
て導電性があり、かつ測定を行う可視光領域で透過率の
高いダイヤモンドを用いることで、フォトン走査トンネ
ル顕微鏡（ＰＳＴＭ）、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴ
Ｍ）測定とを同一のピックアップで測定でき、かつ本実
施例の方法により高感度でのラマン分光測定が可能にな
った。また、ＰＳＴＭの試料位置決定にＳＴＭを用いる
ことで、表面形状に凹凸がない試料や光学的な性質が近
い試料でも、導電性があれば、トンネル電流の変化によ
り測定位置の決定が簡単に行える。本実施例ではＧａＡ
ｓ（１μｍ）／Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ（１００ｎｍ）／Ｇ
ａＡｓ基板の断面方向からの測定を行い、実施例２と同
様に、幅１００ｎｍのＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層のラマンス
ペクトルを得ることができた。
て導電性があり、かつ測定を行う可視光領域で透過率の
高いダイヤモンドを用いることで、フォトン走査トンネ
ル顕微鏡（ＰＳＴＭ）、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴ
Ｍ）測定とを同一のピックアップで測定でき、かつ本実
施例の方法により高感度でのラマン分光測定が可能にな
った。また、ＰＳＴＭの試料位置決定にＳＴＭを用いる
ことで、表面形状に凹凸がない試料や光学的な性質が近
い試料でも、導電性があれば、トンネル電流の変化によ
り測定位置の決定が簡単に行える。本実施例ではＧａＡ
ｓ（１μｍ）／Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ（１００ｎｍ）／Ｇ
ａＡｓ基板の断面方向からの測定を行い、実施例２と同
様に、幅１００ｎｍのＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層のラマンス
ペクトルを得ることができた。
【００２４】また、上記に示す実施例１、２、３におい
ては探針先端につけるアイランド状金属の材料としてＡ
ｇを用いたが、この材料は測定に用いる光の波長によっ
て変更可能であり、耐酸化性、アイランド粒径から考え
てＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｐｄのいずれかの金
属、あるいは少なくともそれらのうちの１元素を含む合
金を用いることもできる。
ては探針先端につけるアイランド状金属の材料としてＡ
ｇを用いたが、この材料は測定に用いる光の波長によっ
て変更可能であり、耐酸化性、アイランド粒径から考え
てＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｐｄのいずれかの金
属、あるいは少なくともそれらのうちの１元素を含む合
金を用いることもできる。
【００２５】 また、本実施例ではアイランド状金属の
直径を１０ｎｍ〜２０ｎｍとしたが、直径の大きさは、
使用される金属種や表面プラズモンを共鳴させる波長に
よって最適な大きさが存在し、実用的には１０ｎｍ〜３
０ｎｍの直径を有するアイランド状金属とすることが好
ましい。また、アイランド状金属で覆われるピックアッ
プ先端部の被覆率も実用的には１０〜４０％程度が好ま
しかった。
直径を１０ｎｍ〜２０ｎｍとしたが、直径の大きさは、
使用される金属種や表面プラズモンを共鳴させる波長に
よって最適な大きさが存在し、実用的には１０ｎｍ〜３
０ｎｍの直径を有するアイランド状金属とすることが好
ましい。また、アイランド状金属で覆われるピックアッ
プ先端部の被覆率も実用的には１０〜４０％程度が好ま
しかった。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、フォトン走査トンネル
顕微鏡（ＰＳＴＭ）を用いたラマン分光測定において、
試料表面を汚染することなく表面増強ラマン分光法の効
果を得ることができ、高感度でかつ高分解能で測定を行
うことが出来るようになる。また、試料上でのラマン分
光測定位置決定にＡＦＭ、ＳＴＭを用いることで、単純
な光学的位置決定が行えない試料についても、表面形状
により位置決定が可能な試料（絶縁体、導体によらな
い）や、トンネル電流の変化から位置決定が可能な導体
試料であれば、位置決定を簡単に行うことが出来る。
顕微鏡（ＰＳＴＭ）を用いたラマン分光測定において、
試料表面を汚染することなく表面増強ラマン分光法の効
果を得ることができ、高感度でかつ高分解能で測定を行
うことが出来るようになる。また、試料上でのラマン分
光測定位置決定にＡＦＭ、ＳＴＭを用いることで、単純
な光学的位置決定が行えない試料についても、表面形状
により位置決定が可能な試料（絶縁体、導体によらな
い）や、トンネル電流の変化から位置決定が可能な導体
試料であれば、位置決定を簡単に行うことが出来る。
【図１】本発明に係る実施例１のフォトン走査トンネル
顕微鏡（ＰＳＴＭ）用ピックアップ先端部の概略図であ
る。
顕微鏡（ＰＳＴＭ）用ピックアップ先端部の概略図であ
る。
【図２】従来のピックアップおよび実施例１のフォトン
走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）用ピックアップを用い
て測定を行ったラマンスペクトルの測定結果である。
走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）用ピックアップを用い
て測定を行ったラマンスペクトルの測定結果である。
【図３】本発明に係る実施例２のフォトン走査トンネル
顕微鏡（ＰＳＴＭ）、カンチレバー型原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ）測定用ピックアップ先端部の概略図である。
顕微鏡（ＰＳＴＭ）、カンチレバー型原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ）測定用ピックアップ先端部の概略図である。
【図４】従来のピックアップおよび実施例２に記載のフ
ォトン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）、カンチレバー
型原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）測定用ピックアップを用い
て測定を行ったラマンスペクトルの測定結果である。
ォトン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴＭ）、カンチレバー
型原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）測定用ピックアップを用い
て測定を行ったラマンスペクトルの測定結果である。
【図５】本発明に係る実施例３のフォトン走査トンネル
顕微鏡（ＰＳＴＭ）、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）
測定用ピックアップ先端部の概略図である。
顕微鏡（ＰＳＴＭ）、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）
測定用ピックアップ先端部の概略図である。
【図６】従来のフォトン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴ
Ｍ）を示す概略図である。
Ｍ）を示す概略図である。
【図７】従来のフォトン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴ
Ｍ）を用いた分光測定用装置を示す概略図である。
Ｍ）を用いた分光測定用装置を示す概略図である。
１ 光導波部
２ Ａｕコート膜
３ アイランド状Ａｇ
４ 測定試料
５、６ 入射光
８、７ 散乱光
９、１０ ピックアップ
１１ カンチレバー
１２ カンチレバーに設けられてラマン散乱測定用入射
光及びラマン散乱光透過用穴
光及びラマン散乱光透過用穴
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 幡 俊雄
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号
シャープ株式会社内
(72)発明者 高木 悛公
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号
シャープ株式会社内
(56)参考文献 特開 平９−196937（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−329605（ＪＰ，Ａ)
特表 平９−500964（ＪＰ，Ａ)
特表 平９−510296（ＪＰ，Ａ)
芦野慎，“ナノセンシング用３次元局
在プラズモン共鳴プローブの開発”，平
成８年度第４回新世代研究所研究助成研
究成果報告会研究成果報告書，日本，財
団法人新世代研究所，1997年 ５月22
日，ｐ．123−129
Ｔ．Ｓａｉｋｉ，Ｓ．Ｍｏｎｏｎｏｂ
ｅ，Ｍ．Ｏｈｔｓｕ，Ｎ．Ｓａｉｔｏ
ａｎｄ Ｊ．Ｋｕｓａｎｏ，”Ｓｐａｔ
ｉａｌｌｙ ｒｅｓｏｌｖｅｄ ｐｈｏ
ｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｓｐｅ
ｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｏｆ ｌａｔｅｒ
ａｌ ｐ−ｎ ｊｕｎｃｔｉｏｎｓ”,
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ，米国，Ａｍｅｒｉｃａｎ
Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ，1995年10月 ９日，第67巻、第15
号，ｐ．2191−2193
Ｈ．Ｉｓｈｉｄａ，Ｈ．Ｆｕｋｕｄ
ａ，Ｇ．ｋａｔａｇｉｒｉ，ａｎｄ
Ａ．Ｉｓｈｉｔａｎｉ，”Ａｎ Ａｐｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｕｒｆａｃ
ｅ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｒａｍａｎ Ｓ
ｃａｔｔｅｒｉｎｇ”，Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ，Ｓｏｃｉ
ｅｔｙ ｆｏｒ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｐ
ｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ，1986年，第40
巻、第３号，ｐ。322−330
芦野慎、大津元一，“局在プラズモン
共鳴プローブの開発”，1997年（平成９
年）秋季第58回応用物理学会学術講演会
予稿集第３分冊，日本，社団法人応用物
理学会，1997年10月 ２日，４ｐ−Ｌ−
12，ｐ．975
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01N 13/10 - 13/24
G12B 21/00 - 21/24
G01J 3/00 - 3/52
G01N 21/27
G01N 21/62 - 21/74
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (7)
- 【請求項１】 フォトン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴ
Ｍ）用ピックアップであって、試料表面に最も接近ある
いは接触する先端部分にアイランド状金属を有すること
を特徴とするフォトン走査トンネル顕微鏡用ピックアッ
プ。 - 【請求項２】 フォトン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴ
Ｍ）測定と原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）測定とを行うこと
ができるカンチレバー型の装置に用いるピックアップで
あって、ピックアップが測定に用いる光に対して透明な
材質からなり、試料表面に最も接近あるいは接触する先
端部分にアイランド状金属を有することを特徴とするフ
ォトン走査トンネル顕微鏡用ピックアップ。 - 【請求項３】 前記ピックアップの材料としてダイヤモ
ンドを用いたことを特徴とする請求項２に記載のフォト
ン走査トンネル顕微鏡用ピックアップ。 - 【請求項４】 フォトン走査トンネル顕微鏡（ＰＳＴ
Ｍ）測定と走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）測定とを行
うことができる装置に用いるピックアップであって、ピ
ックアップが測定に用いる光に対して透明な材質からな
り、試料表面に最も接近あるいは接触する先端部分にア
イランド状金属を有することを特徴とするフォトン走査
トンネル顕微鏡用ピックアップ。 - 【請求項５】 前記ピックアップの材料として導電性の
ダイヤモンドを用いたことを特徴とする請求項３に記載
のフォトン走査トンネル顕微鏡用ピックアップ。 - 【請求項６】 前記アイランド状金属の材料として、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｐｄのいずれかの金属、あ
るいは少なくともそれらのうちの１元素を含む合金を用
いたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載
のフォトン走査トンネル顕微鏡用ピックアップ。 - 【請求項７】 前記アイランド状金属の直径が、１０ｎ
ｍ〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至６の
いずれかに記載のフォトン走査トンネル顕微鏡用ピック
アップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3858598A JP3439645B2 (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | フォトン走査トンネル顕微鏡用ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3858598A JP3439645B2 (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | フォトン走査トンネル顕微鏡用ピックアップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11237391A JPH11237391A (ja) | 1999-08-31 |
| JP3439645B2 true JP3439645B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=12529382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3858598A Expired - Fee Related JP3439645B2 (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | フォトン走査トンネル顕微鏡用ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3439645B2 (ja) |
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| US7151598B2 (en) * | 2003-04-04 | 2006-12-19 | Vladimir Poponin | Method and apparatus for enhanced nano-spectroscopic scanning |
| CN100476379C (zh) * | 2003-04-04 | 2009-04-08 | Vp控股有限公司 | 用于增强的纳米-光谱扫描的方法和装置 |
| FR2860872A1 (fr) * | 2003-10-09 | 2005-04-15 | Commissariat Energie Atomique | Micro-capteurs et nano-capteurs d'especes chimiques et biologiques a plasmons de surface |
| AU2005246415B8 (en) | 2004-05-19 | 2011-09-01 | Vp Holding, Llc | Optical sensor with layered plasmon structure for enhanced detection of chemical groups by SERS |
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| JP2007205779A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Toyohashi Univ Of Technology | 近接場光装置およびその製造方法 |
| JP4756270B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2011-08-24 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光学分光測定方法及び装置 |
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-
1998
- 1998-02-20 JP JP3858598A patent/JP3439645B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| Ｈ．Ｉｓｈｉｄａ，Ｈ．Ｆｕｋｕｄａ，Ｇ．ｋａｔａｇｉｒｉ，ａｎｄ Ａ．Ｉｓｈｉｔａｎｉ，"Ａｎ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｒａｍａｎ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ"，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ，Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ，１９８６年，第４０巻、第３号，ｐ。３２２−３３０ |
| Ｔ．Ｓａｉｋｉ，Ｓ．Ｍｏｎｏｎｏｂｅ，Ｍ．Ｏｈｔｓｕ，Ｎ．Ｓａｉｔｏ ａｎｄ Ｊ．Ｋｕｓａｎｏ，"Ｓｐａｔｉａｌｌｙ ｒｅｓｏｌｖｅｄ ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｏｆ ｌａｔｅｒａｌ ｐ−ｎ ｊｕｎｃｔｉｏｎｓ"，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，米国，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ，１９９５年１０月 ９日，第６７巻、第１５号，ｐ．２１９１−２１９３ |
| 芦野慎，"ナノセンシング用３次元局在プラズモン共鳴プローブの開発"，平成８年度第４回新世代研究所研究助成研究成果報告会研究成果報告書，日本，財団法人新世代研究所，１９９７年 ５月２２日，ｐ．１２３−１２９ |
| 芦野慎、大津元一，"局在プラズモン共鳴プローブの開発"，１９９７年（平成９年）秋季第５８回応用物理学会学術講演会予稿集第３分冊，日本，社団法人応用物理学会，１９９７年１０月 ２日，４ｐ−Ｌ−１２，ｐ．９７５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11237391A (ja) | 1999-08-31 |
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