JP3437559B2 - Processing equipment - Google Patents

Processing equipment

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JP3437559B2
JP3437559B2 JP2001175446A JP2001175446A JP3437559B2 JP 3437559 B2 JP3437559 B2 JP 3437559B2 JP 2001175446 A JP2001175446 A JP 2001175446A JP 2001175446 A JP2001175446 A JP 2001175446A JP 3437559 B2 JP3437559 B2 JP 3437559B2
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain convenience when switching between retaining and holding is automated in the case that an object to be treated is transferred by using a transferring mechanism. SOLUTION: As a control means for switching between usage of a sucking part 64 and usage of pawls 61 in an arm 59 for transferring a wafer W, a film thickness sensor of an optical interference type or the like which measures thickness of a film formed on a surface of the wafer W or a peripheral part of the wafer W, and a control device like a microcomputer which judges a kind of the film on the basis of the measured result, are installed in the transferring mechanism.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は,例えば半導体ウ
エハ等の被処理体に処理を施す,処理装置に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for processing an object to be processed such as a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に,半導体デバイスの製造工程にお
いて,半導体ウエハにフォトレジストを塗布し,フォト
リソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォ
トレジストに転写し,これを現像処理する一連の処理が
施される。
2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor device manufacturing process, a series of processes for applying a photoresist to a semiconductor wafer, reducing a circuit pattern using a photolithography technique, transferring the photoresist to the photoresist, and developing the photoresist are performed. Is given.

【0003】このような処理を行う装置の一例として,
実開昭62−120341号が開示されている。この技
術の,半導体ウエハを搬送する技術として,半導体ウエ
ハをベルトにより搬送したり,また,真空吸着による搬
送としては,特開昭63−229290号等の搬送方法
が広く知られている。
As an example of a device that performs such processing,
Japanese Utility Model Publication No. 62-120341 is disclosed. As a semiconductor wafer transfer technology of this technology, a semiconductor wafer transfer method using a belt or a vacuum suction method is widely known as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 229290/1988.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら,通常使
用されるような粘性の低いレジスト液に代え,ポリイミ
ドのような高粘度の処理液を使用して塗布処理を行った
場合,レジスト塗布装置でサイドリンス処理を行っても
ウエハ周縁のポリイミドは除去されにくく残りやすい。
この処理液の残滓が搬送機構のウエハとの接触部に付着
すると,ウエハが搬送機構から離れなくくなり,ウエハ
の搬送が円滑に成し得なくなる。また,ウエハの周縁に
付着残存するポリイミドが剥がれてパーティクルとして
ウエハに付着してしまうなどの問題も生じる。
However, when the coating process is performed by using a high-viscosity processing liquid such as polyimide instead of the low-viscosity resist liquid that is usually used, the resist coating device is used to perform side coating. Even if the rinsing process is performed, the polyimide around the wafer edge is difficult to remove and easily remains.
If this processing liquid residue adheres to the contact portion of the transfer mechanism with the wafer, the wafer cannot be separated from the transfer mechanism, and the wafer cannot be transferred smoothly. There is also a problem that polyimide remaining on the periphery of the wafer is peeled off and adheres to the wafer as particles.

【0005】また,通常使用されるような粘性の低いレ
ジスト液においても,サイドリンス処理が行えない処理
工程を要求されることもあり,この場合も塗布したまま
の状態で処理装置内部でウエハ搬送を行うと,レジスト
液により搬送機構等を汚染することになり,乾燥したレ
ジストが剥がれてパーティクルとしてウエハに付着して
しまうなどの問題も生じる。
In addition, even in a resist liquid having a low viscosity which is usually used, a side rinse treatment cannot be performed in some cases, and in this case as well, the wafer is transferred inside the treatment apparatus in the as-coated state. Then, the resist solution contaminates the transfer mechanism and the like, which causes a problem that the dried resist is peeled off and adheres to the wafer as particles.

【0006】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で,その目的は,搬送機構に被処理体の膜種を判定する
機構を設け,これによって搬送する際の支持や保持の切
替を自動化する際の利便を図ることを目的としている。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a mechanism for determining a film type of an object to be processed in a transfer mechanism and thereby to automatically switch support and holding during transfer. It is intended for the convenience of.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め,本発明によれば,被処理体に処理を施す複数の処理
機構と,これらの処理機構に被処理体を搬送するための
搬送機構を有する処理装置であって,上記搬送機構は,
上記被処理体の表面に形成された膜の厚さを測定する膜
厚センサを備え,この膜厚センサによる測定結果に応じ
て,上記被処理体の表面に形成された膜の種類を判定す
るための制御手段をさらに有することを特徴とする,処
理装置が提供される。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a plurality of processing mechanisms for performing processing on an object to be processed, and a transfer mechanism for transferring the object to be processed to these processing mechanisms. In the processing apparatus having:
A film thickness sensor for measuring the thickness of the film formed on the surface of the object to be processed is provided, and the type of the film formed on the surface of the object to be processed is determined according to the measurement result by the film thickness sensor. There is provided a processing device, further comprising a control means for

【0008】前記制御手段は,前記測定の結果,膜厚が
10μm程度の場合にはポリイミドと判定し,膜厚が1
〜2μmの場合には,通常のフォトレジストと判定する
ように構成されていてもよい。
When the film thickness is about 10 μm as a result of the measurement, the control means determines that the film is polyimide, and the film thickness is 1
In the case of ˜2 μm, the photoresist may be determined to be a normal photoresist.

【0009】さらに前記搬送機構は,被処理体の周縁部
を支持する支持手段と,被処理体の周辺近傍の下面に当
接して被処理体を保持する吸着部とを有し,前記制御手
段は,膜種をポリイミドと判定した場合には前記吸着部
による保持を選択し,膜種を通常のフォトレジストと判
定した場合には,前記支持手段による支持を選択するよ
うに構成されているようにしてもよい。
Further, the transfer mechanism has a supporting means for supporting the peripheral edge of the object to be processed, and a suction portion for holding the object to be processed by contacting the lower surface near the periphery of the object to be processed. Is configured to select the holding by the adsorption unit when the film type is determined to be polyimide, and to select the support by the supporting unit when the film type is determined to be a normal photoresist. You may

【0010】本発明によれば,膜厚センサの測定結果に
基づいて搬送機構が搬送しようとする被処理体表面の膜
種を判定することができるから,たとえば搬送機構が被
処理体の周縁部を支持する支持手段と,被処理体の周辺
近傍の下面に当接して被処理体を保持する吸着部とを備
えているような場合,いずれかを使用することの切替を
自動的に行うことが可能になる。
According to the present invention, since the film type of the surface of the object to be transferred by the transfer mechanism can be determined based on the measurement result of the film thickness sensor, for example, the transfer mechanism can detect the peripheral portion of the object to be processed. In the case where a supporting means for supporting the object and a suction part for holding the object to be processed by contacting with the lower surface in the vicinity of the object to be processed are provided, the switching between using one of them is automatically performed. Will be possible.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下に,この発明の実施の形態を
図面を用いて詳細に説明する。このような処理を行う場
合,図4に示す処理システムが使用されている。この処
理システムは,被処理体としての半導体ウエハ(以下,
単にウエハという)Wを搬入・搬出するローダ部40
と,このローダ部40から搬送されたウエハWをブラシ
洗浄するブラシ洗浄装置42と,ウエハWを高圧ジェッ
ト水で洗浄するジェット水洗浄装置44と,ウエハWの
表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置46と,
ウエハWを所定温度に冷却する冷却処理装置48と,ウ
エハWの表面にレジストを塗布及びサイドリンス処理に
より周縁部のレジストを溶解除去するレジスト塗布装置
50と,レジスト塗布の後でウエハWを加熱してプリベ
ーク又はポストベークを行う加熱処理装置52及び露光
されたウエハWの現像処理を行うための現像装置54な
どを集合化して作業効率の向上を図っている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. When performing such processing, the processing system shown in FIG. 4 is used. This processing system includes a semiconductor wafer (hereinafter,
Loader unit 40 for loading / unloading W (simply called wafer)
A brush cleaning device 42 for cleaning the wafer W transferred from the loader section 40 with a brush; a jet water cleaning device 44 for cleaning the wafer W with high-pressure jet water; and an adhesion processing device for hydrophobicizing the surface of the wafer W. 46,
A cooling processing device 48 that cools the wafer W to a predetermined temperature, a resist coating device 50 that coats a resist on the surface of the wafer W and dissolves and removes the resist in the peripheral portion by a side rinse treatment, and heats the wafer W after the resist coating. Then, the heat treatment device 52 for performing pre-baking or post-baking, the developing device 54 for performing the developing process of the exposed wafer W, and the like are assembled to improve work efficiency.

【0012】上記のように構成される処理システムの中
央部には,長手方向にウエハ搬送路56が設けられ,こ
のウエハ搬送路56に沿って上記各処理装置40〜54
がウエハ搬送路56に正面を向けて配置され,各装置4
0〜54との間でウエハWの受け渡しを行うウエハ搬送
機構58がウエハ搬送路56に沿って移動自在に設けら
れている。このウエハ搬送機構58は,真空吸着あるい
は周辺部の下面支持などによってウエハWを保持するた
めのアーム59を備えている。このアーム59は上下方
向に例えば3本配設されており,移動機構によりそれぞ
れ独立に各装置40〜54のウエハ載置位置まで移動で
きるようになっている。
A wafer transfer path 56 is provided in the longitudinal direction at the center of the processing system configured as described above, and the processing devices 40 to 54 are provided along the wafer transfer path 56.
Is arranged with the front side facing the wafer transfer path 56, and each device 4
A wafer transfer mechanism 58 that transfers the wafer W to and from 0 to 54 is provided movably along the wafer transfer path 56. The wafer transfer mechanism 58 includes an arm 59 for holding the wafer W by vacuum suction or supporting the lower surface of the peripheral portion. For example, three arms 59 are arranged in the up-down direction and can be independently moved to the wafer mounting positions of the respective devices 40 to 54 by a moving mechanism.

【0013】このようなアーム59を3本使用すること
で,各装置40〜54に対するウエハWの搬入・搬出を
並行して行うことができ,処理能率の向上が図れる。そ
して,例えば,ローダ部40の図示省略のウエハカセッ
ト内に収納されている処理前ウエハWを1枚取り出して
搬送し,順に,洗浄,アドヒージョン処理,冷却,レジ
スト塗布,プリベーク,図示省略の露光装置による露
光,現像,ポストベークを行い,処理後のウエハWをロ
ーダ部40の図示省略のウエハカセット内に搬送して収
納する。
By using three such arms 59, the loading and unloading of the wafer W can be performed in parallel with respect to each of the devices 40 to 54, and the processing efficiency can be improved. Then, for example, one unprocessed wafer W stored in a wafer cassette (not shown) of the loader unit 40 is taken out and conveyed, and in order, cleaning, adhesion processing, cooling, resist coating, prebaking, and an exposure device (not shown). Exposure, development, and post-baking are performed, and the processed wafer W is transferred and stored in a wafer cassette (not shown) of the loader unit 40.

【0014】以下にこの発明の処理装置の最も特徴的な
構成要素である被処理体の搬送機構について説明する。
図1はこの発明の搬送機構のアーム部を示す斜視図であ
り,図2には搬送機構の概略正面図が示されている。各
アーム59は,図3に示すように,ウエハ支持枠60が
一部切欠環状,例えば先端部切欠環状に形成されてお
り,その支持枠60の内側部の被搬送ウエハを安定に支
持するため少なくとも3か所に,ウエハWの周縁部に係
合してこれを複数箇所載置状に支持する複数の支持片例
えば爪61が設けられている。これら各爪61には,図
5に拡大して示すように,その内側部の傾斜面61aが
設けられ,この傾斜面61aに沿ってウエハWを滑り落
とし込ませることで,搬送中のウエハWのずれを防止
し,また位置決めしている。
The transfer mechanism for the object to be processed, which is the most characteristic component of the processing apparatus of the present invention, will be described below.
FIG. 1 is a perspective view showing an arm portion of a carrying mechanism of the present invention, and FIG. 2 is a schematic front view of the carrying mechanism. As shown in FIG. 3, in each arm 59, a wafer support frame 60 is formed in a partially cut-out annular shape, for example, a tip end cut-out annular shape, in order to stably support the transferred wafer inside the support frame 60. At least three places are provided with a plurality of support pieces, such as claws 61, which engage with the peripheral edge of the wafer W and support the wafer W at a plurality of places. As shown in an enlarged view in FIG. 5, each of the claws 61 is provided with an inclined surface 61a on the inner side thereof, and the wafer W is slid down along the inclined surface 61a, so that the wafer W being transferred is conveyed. This prevents misalignment and positioning.

【0015】これら3本のアーム59は,図示省略の移
動機構により,それぞれ独立に移動可能で,水平方向
(X,Y方向),垂直方向(Z方向)及び回転方向(θ
方向)に移動させることができるようになっている。こ
のようなアームの移動機構としては,例えば,ステッピ
ングモータ及びこれに連結されたボールスクリュー等の
回転機構,あるいはベルト駆動されるスライド機構を用
いる。
These three arms 59 can be moved independently by a moving mechanism (not shown), and the horizontal direction (X, Y direction), vertical direction (Z direction) and rotation direction (θ).
Direction) can be moved. As the arm moving mechanism, for example, a rotating mechanism such as a stepping motor and a ball screw connected to the stepping motor, or a belt-driven slide mechanism is used.

【0016】これら3本のアーム59は,図1,図3及
び図5に示すように,ウエハ支持枠60の上面に,その
両端部に少なくとも一つ例えば2箇所に,支持枠60の
上面より突出した突起状のウエハ吸着部64が形成され
ている。これら吸着部64には,周方向に沿う長穴状の
吸着口65がそれぞれ形成されており,これらの吸着口
65は,アーム内部に形成された空気通路66によって
アーム基端部59aの吸気口67に連通している。
As shown in FIGS. 1, 3 and 5, these three arms 59 are provided on the upper surface of the wafer support frame 60, and at least one, for example, two positions at both ends of the wafer support frame 60 from the upper surface of the support frame 60. A protruding wafer attracting portion 64 is formed. Each of the suction portions 64 has a suction hole 65 in the shape of an elongated hole along the circumferential direction. The suction holes 65 are formed by an air passage 66 formed inside the arm. It communicates with 67.

【0017】搬送機構57は,搬送路56上の搬送レー
ル71に沿って移動自在に設けられた走行ブロック72
と,走行ブロック72に支軸73,74,75を介して
それぞれ上下に位置をずらして設けられた3本のアーム
59を備えている。
The transport mechanism 57 is a traveling block 72 movably provided along a transport rail 71 on the transport path 56.
In addition, the traveling block 72 is provided with three arms 59 that are vertically displaced from each other via support shafts 73, 74, and 75.

【0018】吸気口67は,支軸73,74,75の内
部に形成された空気通路68を介して図示省略の真空吸
引装置に接続されており,この真空吸引装置を駆動する
ことにより,2つの吸着口65から同時に吸気が行われ
るようになっている。これらの吸着口65が形成された
ウエハ吸着部64,64間の距離は,ウエハWの直径よ
りも若干,例えば2〜10mm程度小さく設定されてお
り,突起状のウエハ吸着部64が,ウエハWの周縁近傍
の下面に当接してこれを吸着保持できるようになってい
る。
The intake port 67 is connected to a vacuum suction device (not shown) through an air passage 68 formed inside the support shafts 73, 74 and 75. Intake is performed simultaneously from one suction port 65. The distance between the wafer suction portions 64 and 64 in which the suction ports 65 are formed is set to be slightly smaller than the diameter of the wafer W, for example, about 2 to 10 mm. It is configured to be in contact with the lower surface in the vicinity of the peripheral edge of and to be held by suction.

【0019】すなわち,これらのアーム59は,その2
箇所に設けたウエハ吸着部64によってウエハWの周縁
近傍の下面2箇所を吸着して2点支持し,ウエハWを保
持できるようになっている。
That is, these arms 59 are
The wafer suction section 64 provided at each position is capable of holding the wafer W by suctioning two points on the lower surface near the periphery of the wafer W and supporting them at two points.

【0020】次に,上記のように構成された搬送機構の
動作について説明する。まず,通常使用されるような粘
性の低いレジスト液のレジスト塗布現像処理を行う場
合,3本のアーム59を用いて爪61によりウエハWの
周縁部を支持して,各装置40〜54に対するウエハW
の搬入・搬出を並行して行う。これにより,能率良く処
理を行うことができる。この場合,アーム59の各装置
40〜54内に向かって前進する移動範囲としては,各
爪61に支持されたウエハWの中心すなわち各爪61間
の中心位置が,各装置40〜54の受渡し中心位置とな
るように移動される。
Next, the operation of the transport mechanism constructed as described above will be described. First, in the case of performing resist coating / developing processing of a resist liquid having a low viscosity which is usually used, the peripheral portion of the wafer W is supported by the claws 61 using the three arms 59, and the wafers for the respective devices 40 to 54 are supported. W
Carry in and out in parallel. This enables efficient processing. In this case, as the moving range of the arm 59 that advances toward the inside of each of the devices 40 to 54, the center of the wafer W supported by each of the pawls 61, that is, the center position between the pawls 61 is transferred to each of the devices 40 to 54. It is moved to the center position.

【0021】次に,ポリイミドのような高粘度の処理液
の塗布処理を行う場合,又はサイドリンス処理が行えな
いレジスト液の塗布処理を行う場合も,大部分の搬送行
程は3本のアーム59を用いて爪61によりウエハWの
周縁部を支持して行うが,特に,アーム59の爪61に
対する処理液の残滓81の付着が問題となる搬送工程,
例えば塗布装置50でポリイミド液を塗布,又はレジス
ト液塗布後サイドリンス処理をされていないウエハWを
加熱処理装置52の支持ピン83へ受け渡す搬送行程は
アーム59の先端部2箇所に設けたウエハ吸着部64に
よってウエハWの周縁近傍の下面すなわち塗布液が付着
していない部分2箇所を吸着して2点支持し,ウエハW
を保持することによって保持搬送を行う。その際,搬送
機構57は,まず走行ブロック72を塗布装置50の前
に移動させ,アーム59を駆動して塗布装置50内に挿
入する。この場合,アーム59の塗布装置50加熱処理
装置52内に向かって前進する移動範囲としては,図3
の各ウエハ吸着部64に吸着保持された状態のウエハW
の中心位置が,塗布装置50,加熱処理装置52内の受
渡し中心位置となるように移動される。このように,ア
ーム59に設けられた被処理基板,例えばウエハWを吸
着し保持する保持手段と前述の爪61で支持する支持手
段とは,被処理基板,例えばウエハWの状態,例えばウ
エハWに形成される膜の種類・ウエハWの周縁部まで膜
が形成されているか否か・ウエハWに形成される膜の膜
厚・処理工程等によって選択可能に構成されている。
Next, even when a high-viscosity processing liquid such as polyimide is applied or a resist solution that cannot be subjected to the side rinse is applied, most of the transfer process is performed by the three arms 59. The peripheral portion of the wafer W is supported by the claws 61 using the claws 61. In particular, the transfer process in which the adhesion of the processing liquid residue 81 to the claws 61 of the arm 59 is a problem,
For example, the wafer W that has not been subjected to the side rinse treatment after applying the polyimide liquid or the resist liquid by the coating device 50 is transferred to the support pins 83 of the heat treatment device 52 is a wafer provided at two end portions of the arm 59. The suction portion 64 sucks the lower surface near the periphery of the wafer W, that is, two portions where the coating liquid is not adhered, and supports the wafer W at two points.
Hold and carry by holding. At that time, the transport mechanism 57 first moves the traveling block 72 to the front of the coating device 50, drives the arm 59, and inserts it into the coating device 50. In this case, the moving range of the arm 59 moving forward into the coating device 50 and the heat treatment device 52 is as shown in FIG.
Wafers W in a state of being sucked and held by each wafer suction unit 64 of
Is moved so that the center position thereof is the delivery center position in the coating device 50 and the heat treatment device 52. As described above, the holding means for adsorbing and holding the substrate to be processed, for example, the wafer W, provided on the arm 59 and the supporting means for supporting by the above-mentioned claw 61 are the state of the substrate to be processed, for example the wafer W, for example, the wafer W. The type of film formed on the wafer W, whether or not the film is formed up to the peripheral portion of the wafer W, the film thickness of the film formed on the wafer W, the processing step, and the like are selectable.

【0022】塗布装置50内では,例えば,レジスト液
が膜状にスピンコーティングされたウエハWが昇降自在
に設けられた図示省略のウエハW回転用のスピンチャッ
クによってウエハWが持ち上げられて受け渡し状態で待
機しており,アーム59が塗布装置50内の定位置まで
挿入された後,図示省略のスピンチャックが下降あるい
はアーム59が上昇してアーム59のウエハ支持枠60
にウエハWが受け渡される。これによってアーム59の
2つの吸着部64がウエハWの周縁近傍の下面2箇所に
当接してウエハWを吸着保持する。
In the coating device 50, for example, the wafer W is lifted by a spin chuck (not shown) for rotating the wafer W, which is provided so that the wafer W spin-coated with a resist solution in a film shape can be lifted up and down. After waiting, the arm 59 is inserted to a predetermined position in the coating device 50, and then a spin chuck (not shown) is lowered or the arm 59 is raised to move the wafer support frame 60 of the arm 59.
The wafer W is delivered to. As a result, the two suction portions 64 of the arm 59 come into contact with the two lower surfaces of the wafer W in the vicinity of the periphery of the wafer W to suction-hold the wafer W.

【0023】次いで,搬送機構57は,アーム59を塗
布装置50内から走行ブロック72上の定位置に移動さ
せ,中継機構56Aを経由してウエハWを他方のウエハ
搬送機構58に渡し,走行ブロック2を加熱処理装置5
2の前に移動させた後,アーム59を加熱処理装置52
内に挿入し,真空吸引装置の駆動を停止する。
Next, the transfer mechanism 57 moves the arm 59 from the inside of the coating device 50 to a fixed position on the traveling block 72, passes the wafer W to the other wafer transfer mechanism 58 via the relay mechanism 56A, and transfers the wafer W to the other traveling block. 2 heat treatment device 5
2 before moving the arm 59 to the heat treatment device 52.
Insert it inside and stop the drive of the vacuum suction device.

【0024】加熱処理装置52内では,アーム59が受
け渡しのための定位置に挿入されると,図6に示す3本
の支持ピン83が上昇し,アーム59から支持ピン83
へウエハWが受け渡される。
In the heat treatment device 52, when the arm 59 is inserted into a fixed position for delivery, the three support pins 83 shown in FIG.
Wafer W is delivered to.

【0025】この場合,ウエハWの周縁部Waにポリイ
ミド液,又はレジスト液の残滓81が付着していたとし
ても,ウエハWの周縁部Waがアーム59に対して非接
触の状態になっているので,ウエハWがアーム59に付
いて離れにくくなるようなことはなく,ウエハWの受け
渡しを円滑に行うことができる。したがって,受け渡し
の際にウエハWがずれたり落下したりする虞れはない。
In this case, even if the polyimide liquid or the resist liquid residue 81 is attached to the peripheral edge Wa of the wafer W, the peripheral edge Wa of the wafer W is not in contact with the arm 59. Therefore, the wafer W does not adhere to the arm 59 and becomes difficult to separate, and the wafer W can be delivered and received smoothly. Therefore, there is no risk that the wafer W will shift or drop during delivery.

【0026】このような構成において,吸着部64の使
用と爪61の使用の切り換え用の制御手段としては,ウ
エハWの表面,又はウエハWの周縁部Waに形成されて
いる膜の厚さを測定する光干渉型等の膜厚センサと,そ
の測定結果に基づいて膜種を判定するマイコン等の制御
装置を搬送機構57に設けることにより自動化すること
ができる。
In such a structure, the thickness of the film formed on the front surface of the wafer W or the peripheral edge portion Wa of the wafer W is used as control means for switching between the use of the suction portion 64 and the use of the claw 61. It can be automated by providing a film thickness sensor of an optical interference type or the like to be measured and a control device such as a microcomputer for judging the film type based on the measurement result in the transport mechanism 57.

【0027】例えば測定の結果,ウエハWの表面の膜厚
が10μm程度と厚い場合には,ポリイミドと判定し,
ウエハ支持手段としてウエハ吸着部64を自動的に選択
して使用する。また,膜厚が1〜2μmの場合には通常
のフォトレジストと判定し,ウエハ支持手段として爪6
1を自動的に選択して使用する。そしてまた,ウエハW
の周縁部Waの膜厚が0.2〜1μm程度と薄い場合に
は,サイドリンス処理を行うことができない又は不十分
な工程と判断し,ウエハ吸着部64を自動的に選択して
使用する。また,膜厚が0.2μm以下の場合にはサイ
ドリンス処理を行う通常の処理工程と判断し,爪61を
自動的に選択して使用する。この膜種判定は,使用する
搬送部材の使い分けを自動的に行う場合に非常に有効で
ある。なお,上記支持手段の選択と同時にアーム59の
動作の範囲をも自動的に制御してもよい。
For example, if the result of the measurement shows that the film thickness on the surface of the wafer W is as thick as about 10 μm, it is determined to be polyimide,
The wafer suction unit 64 is automatically selected and used as the wafer supporting means. When the film thickness is 1 to 2 μm, it is determined that the photoresist is normal, and the nail 6 is used as the wafer supporting means.
1 is automatically selected and used. And again, the wafer W
When the film thickness of the peripheral edge portion Wa is as thin as about 0.2 to 1 μm, it is determined that the side rinse process cannot be performed or is insufficient, and the wafer suction unit 64 is automatically selected and used. . When the film thickness is 0.2 μm or less, it is determined that the side rinse process is a normal process step, and the claw 61 is automatically selected and used. This film type determination is extremely effective when automatically selecting a transport member to be used. Note that the range of operation of the arm 59 may be automatically controlled at the same time when the support means is selected.

【0028】次に,前述の図1のアーム部の他の実施の
形態の概略斜視図を図7に示す。図7に示すアーム部の
構成は,下2段のアーム59は,前述の説明のようにウ
エハWを真空吸着による保持を行なうための基板吸着部
64とウエハWを支持する手段としての爪61とをそれ
ぞれ設けており,最上段のアーム59は,ウエハWを支
持する手段としての爪61のみ具備している。このよう
なアーム部の構成では,複数のアーム59を具備してい
るため,ウエハWを同時に搬送可能とすることやウエハ
Wの搬送に係るスループットの向上は言うまでもないが
最上段のアーム59のみウエハWを支持する手段として
の爪61だけを具備しているのは,例えばこのアーム5
9で図4のローダ部40からウエハWを受取ってレジス
ト塗布装置50にてウエハWに塗布膜としてのレジスト
膜が形成されるまでの搬送に用い,下2段のアーム59
でレジスト膜が形成された後のウエハWを搬送するよう
構成している。つまり,ウエハWの状態による搬送の形
態を変化する必要のない搬送までは最上段のアーム59
を使用し,ウエハWの状態による搬送の形態を変化する
必要を有する搬送は,下2段のアーム59を使用するも
のである。これにより,全てのアーム59に対して真空
吸着による保持を行なうための基板吸着部64とウエハ
Wを支持する手段としての爪61とをそれぞれ設ける必
要がないためアーム部のコストを低減することができ
る。また,用途に応じてそれぞれのアーム59の組合せ
を行なうことができ,汎用性の向上を図ることができ
る。
Next, FIG. 7 shows a schematic perspective view of another embodiment of the arm portion shown in FIG. In the configuration of the arm section shown in FIG. 7, the lower two-stage arm 59 has a substrate suction section 64 for holding the wafer W by vacuum suction and a claw 61 as a means for supporting the wafer W as described above. And the uppermost arm 59 is provided with only a claw 61 as a means for supporting the wafer W. In such a configuration of the arm portion, since the plurality of arms 59 are provided, it is needless to say that the wafer W can be simultaneously transferred and the throughput related to the transfer of the wafer W is improved, but only the uppermost arm 59 is provided. This arm 5 is provided with only the claw 61 as a means for supporting W, for example.
In FIG. 9, the wafer W is received from the loader unit 40 in FIG. 4 and used for transportation until a resist film as a coating film is formed on the wafer W by the resist coating apparatus 50.
The wafer W on which the resist film has been formed is transferred. That is, the uppermost arm 59 is used until the transfer that does not need to change the transfer mode depending on the state of the wafer W.
The lower two-stage arm 59 is used for the transfer which requires to change the transfer mode depending on the state of the wafer W. As a result, it is not necessary to provide the substrate suction part 64 for holding all the arms 59 by vacuum suction and the claw 61 as a means for supporting the wafer W, so that the cost of the arm parts can be reduced. it can. Further, the respective arms 59 can be combined according to the application, and the versatility can be improved.

【0029】また,このようなアーム部は,他に,ウエ
ハWを支持する手段としての爪61のみを具備するアー
ム59を最上段に限定することなく最下部であるとか中
間部に配置しても良く,さらにウエハWを支持する手段
としての爪61のみを具備するアーム59ではなくウエ
ハWを真空吸着して保持する保持手段のみを具備するア
ームとの組合せでアーム部を構成してもよい。
In addition to this, the arm 59 is not limited to the uppermost stage, and the arm 59 having only the claw 61 as a means for supporting the wafer W is arranged at the lowermost part or the middle part. Alternatively, the arm portion may be configured by a combination with an arm having only a holding means for holding the wafer W by vacuum suction instead of the arm 59 having only the claw 61 as a means for supporting the wafer W. .

【0030】次に,図3のアームの他の実施の形態を図
8〜図10に基づいて説明する。前述の図3のアーム5
9には,ウエハ支持枠60の上面には,その両端部に少
なくとも一つ例えば2箇所に,支持枠60の上面より突
出した突起状の基板吸着部64が形成されていたが,図
8のアーム59の基板吸着部64は,アーム59の根元
部に一カ所周方向に沿う長穴状の吸着口65を設けてお
り,この吸着口65は,アーム59内部に形成された空
気通路66によってアーム基端部59aの吸着口67に
連通して構成されている。さらに,吸着口65は,図9
に示すように支持枠60の上面よりY1の高さ分突出し
て構成されている。このY1の距離としては好ましく
は,0.1mm〜0.5mm程度の範囲の所定の高さに
維持されている。また,図8及び図10に示すようにア
ーム59の中間部近傍には,吸着口65により保持され
たウエハWを支持するとともに,ウエハWをアーム59
の支持枠60と接触させないための凸部100が例えば
アーム59の両端部に少なくとも一つ例えば2箇所に設
けられており,その凸部100は,図10に示すように
前述の吸着口65の突出高Y1と同様の高さのY2の突
出高を有して構成されている。この場合,凸部100
は,発塵の少ない部材で形成するのが好ましい。このよ
うに構成したことにより,真空吸着による保持手段でウ
エハWを搬送するので,図4に示すような各装置40〜
54との受渡し位置の自由度を増すことができる。
Next, another embodiment of the arm shown in FIG. 3 will be described with reference to FIGS. The arm 5 of FIG. 3 described above.
In FIG. 8, the upper surface of the wafer supporting frame 60 is provided with at least one, for example, two protruding substrate suction portions 64 projecting from the upper surface of the supporting frame 60 at both ends thereof. The substrate suction part 64 of the arm 59 is provided with a long hole-shaped suction port 65 along the circumferential direction at the base of the arm 59. The suction port 65 is formed by an air passage 66 formed inside the arm 59. It is configured to communicate with the suction port 67 of the arm base end portion 59a. Further, the suction port 65 is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, the upper surface of the support frame 60 is projected by the height of Y1. The distance Y1 is preferably maintained at a predetermined height in the range of about 0.1 mm to 0.5 mm. Further, as shown in FIGS. 8 and 10, in the vicinity of the intermediate portion of the arm 59, the wafer W held by the suction port 65 is supported and the wafer W is held by the arm 59.
The protrusions 100 are provided at both ends of the arm 59, for example, at at least two places, for example, so as not to come into contact with the support frame 60, and the protrusions 100 of the suction port 65 are provided as shown in FIG. The protrusion height Y2 is the same as the protrusion height Y1. In this case, the convex portion 100
Is preferably formed of a material that generates less dust. With this configuration, since the wafer W is transferred by the holding means by vacuum suction, each of the devices 40 to 40 shown in FIG.
The degree of freedom of the delivery position with 54 can be increased.

【0031】次に,被処理体の状態の一例を図11及び
図12に示すとともに,被処理体の状態の検出の一例を
図13にて説明する。図11及び図12は,前述のアー
ム59に設けられた被処理体,例えばウエハWを吸着し
保持する保持手段と前述の爪61で支持する支持手段と
を選定する際の,被処理基板,例えばウエハWの状態の
一例である。図11は,図4に示すレジスト塗布装置5
0でウエハWの表面の全面に渡って塗布膜としてのレジ
スト膜101を形成した際の状態を示し,図12は,塗
布膜としてのレジスト膜101を形成した後,図示しな
い洗浄ノズル等から洗浄液或いはリンス液をウエハW方
向に供給し,ウエハWの周縁部に付着するレジスト膜1
01aを除去したものである。
Next, an example of the state of the object to be processed is shown in FIGS. 11 and 12, and an example of detection of the state of the object to be processed will be described with reference to FIG. 11 and 12 show a substrate to be processed when selecting the object to be processed provided on the arm 59, for example, the holding means for adsorbing and holding the wafer W and the supporting means for supporting the claw 61, For example, this is an example of the state of the wafer W. FIG. 11 shows the resist coating apparatus 5 shown in FIG.
0 shows a state in which a resist film 101 as a coating film is formed over the entire surface of the wafer W, and FIG. 12 shows a cleaning liquid from a cleaning nozzle (not shown) or the like after the resist film 101 as a coating film is formed. Alternatively, the rinsing liquid is supplied in the direction of the wafer W and the resist film 1 attached to the peripheral portion of the wafer W
01a is removed.

【0032】このような,ウエハWの周縁部に付着する
塗布膜の除去は,必ずしも全てのウエハWに対して行な
われるとは限らない。例えばレジスト液に対して粘度の
高いポリミド樹脂を塗布した場合,ウエハWの周縁部に
付着するポリミド樹脂に洗浄液或いはリンス液をウエハ
Wに供給しても完全に除去することが不可能なため,ポ
リミド樹脂の塗布の際は,ウエハWの周縁部洗浄を行な
わない場合がある。
The removal of the coating film adhering to the peripheral portion of the wafer W is not necessarily performed on all the wafers W. For example, when a high-viscosity polyimide resin is applied to the resist solution, it is impossible to completely remove the cleaning solution or rinse solution to the wafer W even if the cleaning solution or the rinse solution is supplied to the peripheral edge of the wafer W. When applying the polyimide resin, the peripheral portion of the wafer W may not be cleaned.

【0033】また,ウエハWの周縁部に塗布膜が残存し
ているか否かの判断が予め定められていない場合又は確
認が必要な場合として,例えば図13に示すように光セ
ンサー102の発光部103から所定の波長で光を発光
させる。そして,この光センサー102をウエハWの径
方向に移動しつつウエハW又はレジスト膜からの反射光
を光センサー102の受光部104で検出して,ウエハ
Wの周縁部から所定の幅X,例えば5mm以下に残存す
るレジスト膜101が存在するか否かの判断を行なう。
この判断の結果に基づき,残存するレジスト膜101が
存在する場合,図1又は図8に示すアーム59の基板吸
着部64でウエハWを保持する。また,残存するレジス
ト膜101が存在しない場合は,爪61で支持する。ま
た,予めウエハWを保持或いは支持する手段が基板吸着
部64又は爪61のどちらか予め定められている場合で
あって,ウエハWの周縁部にレジスト膜101が存在す
るか否かの検出を行なう必要がない場合は,予めアーム
59を駆動する制御機構に基板吸着部64を使用するか
又は爪61を使用するかの登録を行なう必要がある。
When it is not predetermined to determine whether the coating film remains on the peripheral portion of the wafer W or when confirmation is necessary, for example, as shown in FIG. Light is emitted from 103 at a predetermined wavelength. Then, while the optical sensor 102 is moved in the radial direction of the wafer W, the light receiving portion 104 of the optical sensor 102 detects the reflected light from the wafer W or the resist film, and a predetermined width X from the peripheral edge of the wafer W, for example, It is determined whether or not there is a resist film 101 remaining below 5 mm.
Based on the result of this judgment, when the remaining resist film 101 exists, the wafer W is held by the substrate suction portion 64 of the arm 59 shown in FIG. 1 or 8. Further, when the remaining resist film 101 does not exist, it is supported by the claw 61. Further, in the case where the means for holding or supporting the wafer W is previously determined to be either the substrate suction portion 64 or the claw 61, it is possible to detect whether or not the resist film 101 exists on the peripheral portion of the wafer W. If it is not necessary to perform it, it is necessary to register in advance whether the substrate suction unit 64 or the claw 61 is used for the control mechanism that drives the arm 59.

【0034】以上の実施の形態では被処理体が半導体ウ
エハの場合について説明したが,被処理体は必ずしも半
導体ウエハに限られるものではなく,例えばLCD基
板,セラミックス基板,コンパクトディスク,プリント
基板,塗料を塗布する基板,光フィルター基板等につい
て同様に処理液を被覆するものについても適用できるも
のである。
In the above embodiments, the case where the object to be processed is a semiconductor wafer has been described, but the object to be processed is not necessarily limited to the semiconductor wafer, and may be, for example, an LCD substrate, a ceramics substrate, a compact disc, a printed circuit board, a paint. It is also applicable to a substrate coated with a treatment liquid, a substrate coated with a treatment liquid, and the like.

【0035】また,上記実施の形態では処理装置をレジ
スト塗布現像装置に適用した場合について説明したが,
これ以外にも,例えばエッチング液塗布処理や磁性液塗
布処理を行う装置,塗料の塗装装置等にも適用できるこ
とは勿論である。更に,支持手段の選択および動作範囲
の制御は,例えば処理ロットとして予め判っている場合
には,膜厚測定を行わずに,処理プロセス中の一動作と
して設定しておくように構成してもよい。
In the above embodiment, the case where the processing apparatus is applied to the resist coating / developing apparatus has been described.
In addition to this, it goes without saying that the present invention can be applied to, for example, an apparatus that performs an etching liquid coating process or a magnetic liquid coating process, a paint coating device, and the like. Further, the selection of the supporting means and the control of the operating range may be configured such that when the processing lot is known in advance, the film thickness is not measured and is set as one operation during the processing process. Good.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明によれば,たとえば処理工程ごと
に搬送機構の支持手段か又は保持部のいずれかを選択す
ることを自動化することが可能である。
According to the present invention, it is possible to automate the selection of either the supporting means or the holding portion of the transfer mechanism for each processing step.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明の搬送機構のアーム部を示す斜視図
である。
FIG. 1 is a perspective view showing an arm portion of a transfer mechanism according to the present invention.

【図2】 この発明の搬送機構の概略正面図である。FIG. 2 is a schematic front view of the transport mechanism of the present invention.

【図3】 図1,図2の要部を示すアームの平面図であ
る。
3 is a plan view of an arm showing a main part of FIGS. 1 and 2. FIG.

【図4】 レジスト塗布現像処理装置を示す斜視図であ
る。
FIG. 4 is a perspective view showing a resist coating and developing treatment apparatus.

【図5】 図3のアーム先端ウエハ吸着部及び爪を示す
断面図である。
5 is a cross-sectional view showing an arm tip wafer suction part and a claw of FIG.

【図6】 図4の処理装置における被処理体の受け渡し
動作を説明するための図である。
6A and 6B are views for explaining the transfer operation of the object to be processed in the processing apparatus of FIG.

【図7】 図1のアームの他の実施の形態を示す斜視図
である。
7 is a perspective view showing another embodiment of the arm of FIG. 1. FIG.

【図8】 図3のアームの他の実施の形態を示す平面図
である。
FIG. 8 is a plan view showing another embodiment of the arm shown in FIG.

【図9】 図8のアームの要部を示す断面図である。9 is a cross-sectional view showing a main part of the arm shown in FIG.

【図10】 図8のアームの要部を示す断面図である。10 is a cross-sectional view showing a main part of the arm shown in FIG.

【図11】 本発明の一実施の形態に係る被処理体の状
態を説明する断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a state of the target object according to the embodiment of the present invention.

【図12】 発明の一実施の形態に係る被処理体の状態
を説明する断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a state of the target object according to the embodiment of the invention.

【図13】 本発明の一実施の形態に係る被処理体の状
態の検出を説明する断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating detection of the state of the target object according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W ウエハ 40 ローダ部 42 ブラシ洗浄装置 44 ジェット水洗浄装置 46 アドヒージョン処理装置 48 冷却装置 50 レジスト塗布装置 52 加熱処理装置 54 現像装置 58 搬送機構 59 アーム 60 ウエハ支持枠 61 爪 64 ウエハ吸着部 65 吸着口 W wafer 40 Loader section 42 Brush cleaning device 44 Jet water cleaning device 46 Adhesion processing device 48 cooling system 50 Resist coater 52 Heat treatment device 54 developing device 58 Transport mechanism 59 arms 60 Wafer support frame 61 nails 64 Wafer suction part 65 Adsorption port

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G03F 7/16 501 H01L 21/68 A H01L 21/68 B 21/30 564Z 502J (56)参考文献 特開 平1−278021(JP,A) 特開 平2−39520(JP,A) 特開 平3−101247(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 B05C 11/00 B05C 13/02 B65G 49/06 B65G 49/07 G03F 7/16 501 H01L 21/68 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI G03F 7/16 501 H01L 21/68 A H01L 21/68 B 21/30 564Z 502J (56) Reference JP-A 1-278021 ( JP, A) JP-A-2-39520 (JP, A) JP-A-3-101247 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 B05C 11/00 B05C 13/02 B65G 49/06 B65G 49/07 G03F 7/16 501 H01L 21/68

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 被処理体に処理を施す複数の処理機構
と,これらの処理機構に被処理体を搬送するための搬送
機構を有する処理装置であって,上記搬送機構は,上記
被処理体の表面に形成された膜の厚さを測定する膜厚セ
ンサを備え,この膜厚センサによる測定結果に応じて,
上記被処理体の表面に形成された膜の種類を判定するた
めの制御手段をさらに有することを特徴とする,処理装
置。
1. A processing apparatus having a plurality of processing mechanisms for performing processing on an object to be processed and a transfer mechanism for transferring the object to be processed to the processing mechanisms, wherein the transfer mechanism is the object to be processed. Equipped with a film thickness sensor that measures the thickness of the film formed on the surface of the
The processing apparatus further comprising a control unit for determining the type of film formed on the surface of the object to be processed.
【請求項2】 前記制御手段は,前記測定の結果,膜厚
が10μm程度の場合にはポリイミドと判定し,膜厚が
1〜2μmの場合には,通常のフォトレジストと判定す
るように構成されていることを特徴とする,請求項1に
記載の処理装置。
2. The control means is configured to judge as polyimide when the film thickness is about 10 μm as a result of the measurement and to judge as normal photoresist when the film thickness is 1 to 2 μm. The processing device according to claim 1, wherein the processing device is provided.
【請求項3】 前記搬送機構は,被処理体の周縁部を支
持する支持手段と,被処理体の周辺近傍の下面に当接し
て被処理体を保持する吸着部とを有し,前記制御手段
は,膜種をポリイミドと判定した場合には前記吸着部に
よる保持を選択し,膜種を通常のフォトレジストと判定
した場合には,前記支持手段による支持を選択するよう
に構成されていることを特徴とする,請求項1又は2に
記載の処理装置。
3. The control mechanism includes: a supporting unit that supports a peripheral edge of the object to be processed; and a suction unit that holds the object to be processed by contacting a lower surface near the periphery of the object to be processed. The means is configured to select the holding by the adsorption unit when the film type is determined to be polyimide, and to select the support by the supporting means when the film type is determined to be a normal photoresist. The processing device according to claim 1 or 2, characterized in that.
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