JP3434029B2 - Epoxy resin composition - Google Patents

Epoxy resin composition

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JP3434029B2
JP3434029B2 JP17288694A JP17288694A JP3434029B2 JP 3434029 B2 JP3434029 B2 JP 3434029B2 JP 17288694 A JP17288694 A JP 17288694A JP 17288694 A JP17288694 A JP 17288694A JP 3434029 B2 JP3434029 B2 JP 3434029B2
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Denka Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを樹脂組
成物で封止する際、そのパッケージが超薄型であっても
その半田付け時の耐クラック性を著しく改善されたパッ
ケージを作製することのできる、流動性、充填性、成形
性に優れたエポキシ樹脂組成物に関するものである。 【0002】 【従来の技術】従来、メモリカード、メモリモジュール
などの電子機器の小型化・薄型化・軽量化及びメモリの
増大が要求される中で、デバイスの複合化並びにパッケ
ージの薄型化が検討されている。例えば、デバイスの複
合化については、メモリーチップを背中合わせに重ねる
構造を採用した積層パッケージであり、1mm厚のTS
OP(Thin Small Outline Pac
kage)タイプのものや2.5mm厚のSOJ(Sm
all Outline J−Bend Packag
e)タイプのものが発表されている。また、パッケージ
の薄型化については、両面実装や多段実装を可能にする
ため従来のTSOPよりも更に薄い超薄型パッケージ
(例えば0.5mm厚のpaper Thin Pac
kage)の開発が検討されている。 【0003】しかし、これらの積層パッケージや超薄型
パッケージの樹脂厚は、最も薄い箇所で50μm程度で
あって、通常のTSOPの230μm程度に比べるとか
なり薄く、従来の封止樹脂を用いたのでは浸透成形(充
填)をすることができないという問題がある。また、パ
ッケージを回路基板に取り付ける際にはパッケージ全体
を200℃以上の高温に加熱して半田付けされるが、そ
の際、保管時に吸湿した水分の爆発的な気化によってパ
ッケージ内部にクラックが発生し、ひどいものは外部に
まで到達することもあった。 【0004】パッケージの吸水率を低減させて耐クラッ
ク性を改善するためにフィラーの充填率を高めることも
知られている。この技術を薄型パッケージに適用するに
はフィラー粒径を最大45μm以下に調整する必要があ
るが、この場合、最大粒径を70〜150μmとした従
来のフィラーに比べて粒度分布が狭くなるので流動性と
成形性が低下し、逆にフィラーの充填率を下げることを
余儀なくされる。 【0005】以上のように、従来の封止樹脂では超薄型
パッケージを作製することは困難であり、その技術の出
現が要望されていた。今後ますますチップの大型化とパ
ッケージの超薄型化が進む中、半田付け時の耐クラック
性の観点からフィラーの充填率を85重量%以上更には
90重量%以上に実現することが望まれるが、最大粒子
を45μm程度以下にしなければならないという制約の
あるなかで、高充填を行っても封止時の充填性と成形性
を損なわせないフィラーはまだ報告されていない。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、パッ
ケージが超薄型であってもその半田付け時の耐クラック
性を著しく改善されたパッケージを作製することのでき
エポキシ樹脂組成物を提供することにある。 【0007】 【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、(A)
エポキシ樹脂、(B)硬化剤及び(C)球状シリカ粉末
を含有してなるものであって、上記(C)球状シリカ粉
末が、aは水篩法による値、b〜dはレーザー回折法に
よる値であって、粒子径45μm以上の粒子含有率をa
重量%、粒子径24μm以下の粒子含有率をb重量%、
粒子径8μm以下の粒子含有率をc重量%、粒子径3μ
m以下の粒子含有率をd重量%としたとき、a≦0.
5、40≦b≦90、30≦c≦75、20≦d≦60
の範囲であって、しかもb/d=1〜3であることを特
徴とするエポキシ樹脂組成物である。 【0008】以下、さらに詳しく本発明について説明す
る。 【0009】本発明において、球状シリカ粉末を用いる
理由は、封止樹脂に要求される低線膨張係数、耐湿性等
に応えるためであり、球状シリカ粉末以外の充填材例え
ばアルミナ粉末では線膨張係数が大きく、また炭酸カル
シウム、硫酸バリウム、窒化珪素等では加水分解を起こ
しやすくなり、半導体部品の耐湿性が悪くなる。また、
破砕状のシリカ粉末ではその粒度構成を考えられる範囲
内でどのように調整しても球状シリカ粉末を用いた場合
の流動性を上回ることができない。 【0010】本発明の球状シリカ粉末は、珪石、珪砂、
水晶等を振動ミル等の適当な方法で粉砕し、LPG/酸
素等の火炎中や高温プラズマ中に投入して球状化したも
の、四塩化珪素の気相加水分解により生成した合成シリ
カ超微粉を出発原料としスプレードライヤー等により球
状造粒し、焼成や火炎溶射処理を施して球状化したも
の、更には金属珪素やアルコキシシランを出発原料とし
て気相又は液層で合成し球状化したもの等、いかなる方
法で製造されたものであっても使用することができる。 【0011】本発明の球状シリカ粉末の粒子形状は真球
に近い方がより良好な特性を発揮させることができるの
で好ましいが、必ずしも真球である必要はなく球形度が
極端に悪くなければ良い。粒子の長径/短径の比で球形
度を表示すれば1.0〜1.3のものが好適である。 【0012】本発明の大きな特徴は、球状シリカ粉末の
粒度構成を上記のようにしたことであり、a値が0.5
重量%をこえると成形時の充填性不良(ヒケ、ウェルド
等)が起こりやすくなり、またb値、c値、d値及びb
/d比がいずれも上記以外であるとスパイラルフロー値
つまり流動性が低下しバリ特性も悪くなる。 【0013】上記粒度構成にあっても、50≦b≦8
0、40≦c≦65、30≦d≦50の範囲であって、
しかもb/d=1〜2.5である粒度分布を有するもの
が好ましく、さらに好ましくは55≦b≦75、45≦
c≦60、30≦d≦45の範囲であって、しかもb/
d=1〜2を満たす粒度分布を有するものである。この
ような粒度構成の場合に、充填性と流動性が一層向上
し、成形性を損なうことなく高充填を達成することがで
きる。 【0014】本発明において、a値を水篩法、b値、c
値及びd値をレーザー回折法とした理由は測定精度の点
からである。これらの測定の詳細については後述する。 【0015】本発明で用いられる(A)成分のエポキシ
樹脂としては、1分子中にエポキシ基を2個以上有する
ものであれば特に制限はなく、具体例を挙げれば、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾ−ルノ
ボラック型エポキシ樹脂、フェノール類とアルデヒド類
のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノー
ルA、ビスフェノールF及びビスフェノールSなどのグ
リシジルエーテル、フタル酸やダイマー酸などの多塩基
酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジ
ルエステル酸エポキシ樹脂、その他、線状脂肪族エポキ
シ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、
アルキル変性多官能エポキシ樹脂、β−ナフトールノボ
ラック型エポキシ樹脂、1,6−ジヒドロキシナフタレ
ン型エポキシ樹脂、2,7−ジヒドロキシナフタレン型
エポキシ樹脂、ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹
脂、更には難燃性を付与するために臭素等のハロゲンを
導入したエポキシ樹脂等があり、これらを1種又は2種
以上を用いる。特に半田耐熱性と耐湿信頼性の観点から
は、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビス
ヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格
のエポキシ樹脂等が好適である。 【0016】本発明で用いられる(B)成分の硬化剤と
しては、エポキシ樹脂(A)と反応して硬化させるもの
であれば特に限定されず、例えば、フェノール、クレゾ
ール、キシレノール、レゾルシノール、クロロフェノー
ル、t−ブチルフェノール、ノニルフェノール、イソプ
ロピルフェノール、オクチルフェノール等からなる群か
ら選ばれた少なくとも1種又は2種以上の混合物をホル
ムアルデヒド、パラホルムアルデヒド又はパラキシレン
とともに酸化触媒下で反応させて得られるノボラック型
樹脂、ポリパラヒドロキシスチレン樹脂、ビスフェノー
ルAやビスフェノールS等のビスフェノール化合物、ピ
ロガロールやフロログルシノール等の3官能フェノール
類、無水マレイン酸、無水フタル酸や無水ピロメリット
酸等の酸無水物、メタフェニレンジアミン、ジアミノジ
フェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン等の芳香
族アミンなどが挙げられる。 【0017】本発明において、(A)エポキシ樹脂、
(B)硬化剤及び(C)球状シリカ粉末を含有してなる
エポキシ樹脂組成物中、(C)成分の割合は、(A)、
(B)及び(C)の合計量に対し80〜95重量%であ
ることが好ましい。(C)成分の割合が80重量%より
も少なくなると、樹脂組成物の強度が小さくなったり吸
水率が上昇したりして半田付け時の耐クラック性が低下
する。一方、95重量%よりも多くなると、最適粒度分
布や最適比表面積を選択してもスパイラルフロー値が小
さくなり、成形時に未充填を生じたりチップを搭載した
ダイパットが変動したりし、更には半導体素子とリード
とを結ぶボンディングワイヤを変形させたり切断させた
りする危険性が生じる。特にダイパットが変動した場
合、半田付け時にパッケージクラックが容易に発生する
ようになる。 【0018】本発明のエポキシ樹脂組成物には、上記
(A)〜(C)成分の他にも必要に応じて以下の成分を
配合することができる。すなわち、低応力化剤として、
シリコーンゴム、ポリサルファイドゴム、アクリル系ゴ
ム、ブタジエン系ゴム、スチレン系ブロックコポリマー
や飽和型エラストマー等のゴム状物質、各種熱可塑性樹
脂、シリコーン樹脂等の樹脂状物質、更にはエポキシ樹
脂、フェノール樹脂の一部又は全部をアミノシリコー
ン、エポキシシリコーン、アルコキシシリコーン等で変
性した樹脂等、シランカップリング剤として、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−
エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等
のエポキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−フェニ
ルアミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシ
シラン、オクタデシルトリメトキシシラン等の疎水性シ
ラン化合物やメルカプトシラン等、表面処理剤として、
Zrキレート、チタネートカップリング剤、アルミニウ
ム系カップリング剤等、難燃助剤として、Sb2 3
Sb2 4 、Sb2 5 等、難燃剤として、ハロゲン化
エポキシ樹脂やリン化合物等、着色剤として、カーボン
ブラック、酸化鉄、染料、顔料等である。 【0019】特に高い耐湿信頼性や高温放置安定性が要
求される場合には、各種イオントラップ剤の添加が有効
である。イオントラップ剤の具体例としては、協和化学
社製商品名「DHF−4A」、「KW−2000」、
「KW−2100」や東亜合成社製商品名「IXE−6
00」等が挙げられる。 【0020】本発明のエポキシ樹脂組成物には、エポキ
シ樹脂と硬化剤との反応を促進させるために硬化促進剤
を配合することができる。その硬化促進剤としては、上
記したようなものが挙げられるが、耐熱性及び耐湿性の
面から有機ホスフィン化合物とシクロアミジン誘導体が
特に好ましい。また、耐熱性をさらに高めるためにビス
マレイミド類等のイミド化合物を配合することもでき
る。 【0021】本発明のエポキシ樹脂組成物には、更に必
要に応じて、ワックス等の離型剤を添加することができ
る。その具体例を挙げれば、天然ワックス類、合成ワッ
クス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル
類、パラフィン等である。 【0022】本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記の諸
材料をブレンダー又はミキサーで混合した後、加熱ロー
ル、ニーダー、押出機、バンバリーミキサ−等の装置に
よって溶融混練し、冷却粉砕することによって製造する
ことができる。 【0023】本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導
体チップを樹脂封止するには、トランスファーモール
ド、マルチプランジャー等の公知の成形法により硬化成
形すれば良く、これによって耐熱性、強度、耐湿性、熱
伝導率等の一般的特性を充足させることができるのみな
らず、フィラー充填率が高いにもかかわらず優れた成形
性を保持することができる。 【0024】 【実施例】以下、本発明を実施例と比較例を挙げてさら
に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって
限定されるものではない。尚、以下の例における部及び
%はいずれも重量基準で示した。 【0025】実施例1〜10 比較例1〜7 表1(実施例1〜10)及び表2(比較例1〜7)に示
した粒度構成を有する球状シリカ粉末を使用し、表3に
示す割合で各材料と共に配合しミキサーによりドライブ
レンドした。これをロール表面温度100℃のミキシン
グロールを用いて5分間加熱混練した後、冷却・粉砕し
て異なる17種類のエポキシ樹脂組成物を得た。ここで
使用した球状シリカ粉末は、珪石粉末をLPG/酸素の
火炎中に投入して製造されたものであり、その球形度
(長径/短径の比)の平均は1.2のものである。 【0026】なお、粒度構成のa値とb値、c値及びd
値は以下のようにして測定した。 (a値) 水篩法:試料200gを45μm篩に入れシャワー水を
かけながら篩分けした後、篩上残分をアルミニウム製容
器に洗い流し上澄み液を捨ててから乾燥する。得られた
乾燥物を45μm篩で篩い、その篩上残分の割合を算出
した。 (b値、c値及びd値) レーザー回折法:試料0.1〜0.5gを水に分散さ
せ、それをレーザー回折式粒度分布測定装置(シーラス
グラニュロメーター「モデル715」)で測定した。 【0027】以上のようにして得られた17種類のエポ
キシ樹脂組成物について、以下に従うゲルタイム、スパ
イラルフロー(SF)、バリ、充填性及び半田付け時の
耐クラック性を評価した。それらの結果について、表4
には実施例1〜10の結果を、表5には比較例1〜7の
結果を示す。 【0028】(1)ゲルタイム 175℃に加熱した金属ブロック上で樹脂組成物が溶融
・硬化するまでの時間を測定した。 (2)スパイラルフロー(SF) スパイラルフロー金型を用いて、EMMI1−66(E
poxy Molding Material Ins
titute ; Society of Plast
ic Industry)に準処して測定した。成形温
度は175℃である。 (3)バリ 2μm、5μm、10μm及び30μmのスリットを有
するバリ金型を用いて成形しバリの長さを測定した。成
形温度は175℃である。 (4)充填性及び半田付け時の耐クラック性 チップ上下の樹指厚が55μmになるように試作した金
型を使用し、低圧トランスファー成型法により175℃
×2分の条件で模擬素子を封止した48pinTSOP
成形体(パッケージ)を18個作製した後、175℃×
5時間のポストキュアを行った。こらのパッケージの目
視検査を行い、充填不良(外観不良)が認められたパッ
ケージの個数を計測し、充填性の評価とした。また、こ
れらのパッケージの全てを温度40℃、湿度80%RH
の条件で36時間放置後、260℃の半田に10秒間浸
漬し、超音波探査映像装置により内部クラックが認めら
れたパッケージの個数を計測し、耐クラック性の評価と
した。 【0029】 【表1】 (注)a値は全て0.5重量%以下である。 【0030】 【表2】 【0031】 【表3】 【0032】 【表4】 【0033】 【表5】【0034】 【0035】【発明の効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物によれば、
表面実装の超薄型電子部品用途特に半導体等の封止材と
して好適であり、パッケージが超薄型であっても半田付
け時の耐クラック性に優れたパッケージの作製が可能と
なる。
BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] Field of the Invention The present invention, when sealing the semi-conductor chip in the resin composition, resistance at the time of soldering also the package an ultrathin The present invention relates to an epoxy resin composition which is capable of producing a package with significantly improved cracking properties and has excellent fluidity, filling properties and moldability. Conventionally, as electronic devices such as memory cards and memory modules have been required to be smaller, thinner, lighter, and have more memory, studies have been made on compounding of devices and thinning of packages. Have been. For example, for compounding of devices, a stacked package adopting a structure in which memory chips are stacked back to back, and a 1 mm thick TS
OP (Thin Small Outline Pac
Kage) type or 2.5 mm thick SOJ (Sm
all Outline J-Bend Packag
e) Types have been announced. Regarding the thickness reduction of the package, an ultra-thin package (for example, 0.5 mm thick paper Thin Pac) that is thinner than the conventional TSOP in order to enable double-sided mounting and multi-stage mounting.
Kage) is under consideration. However, the resin thickness of these laminated packages and ultra-thin packages is about 50 μm at the thinnest part, which is considerably thinner than the ordinary TSOP of about 230 μm, and the conventional sealing resin is used. In this case, there is a problem that it is not possible to perform penetration molding (filling). Also, when mounting the package on a circuit board, the entire package is heated to a high temperature of 200 ° C. or higher and soldered. At this time, cracks occur inside the package due to the explosive vaporization of moisture absorbed during storage. The terrible things could reach the outside. [0004] It is also known to increase the filling rate of the filler in order to improve the crack resistance by reducing the water absorption of the package. In order to apply this technology to a thin package, it is necessary to adjust the filler particle size to a maximum of 45 μm or less. In this case, however, the particle size distribution is narrower than that of a conventional filler having a maximum particle size of 70 to 150 μm. The moldability and formability are reduced, and conversely, the filling rate of the filler must be reduced. As described above, it is difficult to fabricate an ultra-thin package with the conventional sealing resin, and there has been a demand for the emergence of the technology. As chips become larger and packages become thinner in the future, it is desirable to achieve a filler filling rate of 85% by weight or more, and even 90% by weight or more from the viewpoint of crack resistance during soldering. However, under the restriction that the maximum particle must be set to about 45 μm or less, a filler which does not impair the filling property and the moldability at the time of sealing even if high filling is performed has not yet been reported. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an epoxy resin composition capable of producing a package having a significantly improved crack resistance during soldering even if the package is ultra-thin. To provide things . [0007] That is, the present invention provides (A)
Epoxy resin, (B) hardener and (C) spherical silica powder
And the above (C) spherical silica powder
At the end , a is a value obtained by a water sieving method, b to d are values obtained by a laser diffraction method, and the content of particles having a particle diameter of 45 μm or more is a
% By weight, the content of particles having a particle size of 24 μm or less
The content of particles having a particle diameter of 8 μm or less is c weight%, and the particle diameter is 3 μm.
When the content of particles having a particle size of m or less is d weight%, a ≦ 0.
5, 40 ≦ b ≦ 90, 30 ≦ c ≦ 75, 20 ≦ d ≦ 60
, And b / d = 1 to 3 is also an epoxy resin composition. Hereinafter, the present invention will be described in more detail. The reason for using the spherical silica powder in the present invention is to meet the low linear expansion coefficient and moisture resistance required for the sealing resin. In addition, calcium carbonate, barium sulfate, silicon nitride and the like easily cause hydrolysis, and the moisture resistance of the semiconductor component deteriorates. Also,
In the case of crushed silica powder, the flowability of spherical silica powder cannot be exceeded, no matter how the particle size composition is adjusted within a conceivable range. [0010] The spherical silica powder of the present invention comprises silica, silica sand,
Quartz or the like is ground by an appropriate method such as a vibrating mill or the like, and is injected into a flame such as LPG / oxygen or high-temperature plasma to form a spheroid. The starting material is spherical granulated by a spray drier or the like and subjected to sintering or flame spraying to form a spheroid, and furthermore, metal silicon or alkoxysilane is used as a starting material and synthesized and spheroidized in a gas phase or a liquid layer. Whatever is manufactured by any method can be used. The particle shape of the spherical silica powder of the present invention is preferably closer to a true sphere because better characteristics can be exhibited. However, the spherical silica powder need not necessarily be a perfect sphere, and the sphericity need not be extremely bad. . If the sphericity is expressed by the ratio of the major axis / minor axis of the particles, those having a sphericity of 1.0 to 1.3 are preferable. A major feature of the present invention is that the particle size composition of the spherical silica powder is as described above, and the a value is 0.5.
If the content is more than 10% by weight, poor filling properties during molding (such as sink marks and welds) are likely to occur, and the b value, c value, d value and b
If the / d ratio is other than the above, the spiral flow value, that is, the fluidity is reduced, and the burr characteristics are deteriorated. [0013] Even in the above particle size configuration, 50 ≦ b ≦ 8
0, 40 ≦ c ≦ 65, 30 ≦ d ≦ 50,
Moreover, those having a particle size distribution of b / d = 1 to 2.5 are preferable, and more preferably 55 ≦ b ≦ 75 and 45 ≦
c ≦ 60, 30 ≦ d ≦ 45, and b /
It has a particle size distribution satisfying d = 1 to 2. In the case of such a particle size configuration, the filling property and the fluidity are further improved, and high filling can be achieved without impairing the moldability. In the present invention, the value a is determined by the water sieving method, the value b is
The reason for using the laser diffraction method for the value and the d value is from the viewpoint of measurement accuracy. Details of these measurements will be described later. The epoxy resin of the component (A) used in the present invention is not particularly limited as long as it has two or more epoxy groups in one molecule, and specific examples thereof include phenol novolak type epoxy resins, Orthocresol novolak type epoxy resin, epoxidized novolak resin of phenols and aldehydes, obtained by reaction of epichlorohydrin with glycidyl ethers such as bisphenol A, bisphenol F and bisphenol S, and polybasic acids such as phthalic acid and dimer acid. Glycidyl ester acid epoxy resin, other, linear aliphatic epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin,
Alkyl-modified polyfunctional epoxy resin, β-naphthol novolak type epoxy resin, 1,6-dihydroxynaphthalene type epoxy resin, 2,7-dihydroxynaphthalene type epoxy resin, bishydroxybiphenyl type epoxy resin, and further imparts flame retardancy For this purpose, there are epoxy resins into which halogen such as bromine is introduced, and one or more of these are used. Particularly, from the viewpoints of solder heat resistance and moisture resistance reliability, ortho-cresol novolak type epoxy resin, bishydroxybiphenyl type epoxy resin, and epoxy resin having a naphthalene skeleton are preferable. The curing agent of the component (B) used in the present invention is not particularly limited as long as it reacts with the epoxy resin (A) and cures. For example, phenol, cresol, xylenol, resorcinol, chlorophenol A novolak resin obtained by reacting at least one or a mixture of two or more selected from the group consisting of t-butylphenol, nonylphenol, isopropylphenol, octylphenol and the like with formaldehyde, paraformaldehyde or para-xylene under an oxidation catalyst; Polyparahydroxystyrene resin, bisphenol compounds such as bisphenol A and bisphenol S, trifunctional phenols such as pyrogallol and phloroglucinol, maleic anhydride, acid anhydrides such as phthalic anhydride and pyromellitic anhydride, Data phenylenediamine, diaminodiphenylmethane, and aromatic amines such as diaminodiphenyl sulfone. In the present invention, (A) an epoxy resin,
In the epoxy resin composition containing (B) the curing agent and (C) the spherical silica powder, the proportion of the component (C) is as follows:
It is preferably 80 to 95% by weight based on the total amount of (B) and (C). When the proportion of the component (C) is less than 80% by weight, the strength of the resin composition is reduced or the water absorption is increased, so that crack resistance during soldering is reduced. On the other hand, if it exceeds 95% by weight, the spiral flow value becomes small even if the optimum particle size distribution and the optimum specific surface area are selected, unfilling occurs during molding, the die pad on which the chip is mounted fluctuates, and furthermore, the semiconductors There is a risk that the bonding wire connecting the element and the lead may be deformed or cut. In particular, when the die pad fluctuates, package cracks easily occur during soldering. The epoxy resin composition of the present invention may contain the following components as required in addition to the components (A) to (C). That is, as a low stress agent,
Rubber-like substances such as silicone rubber, polysulfide rubber, acrylic rubber, butadiene-based rubber, styrene-based block copolymer and saturated elastomer, various thermoplastic resins, resinous substances such as silicone resins, and epoxy resins and phenolic resins. Examples of silane coupling agents such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β- (3,4-
Epoxy silane such as epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, aminosilane such as aminopropyltriethoxysilane, ureidopropyltriethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, octadecyltrimethoxysilane As a surface treatment agent such as a hydrophobic silane compound such as a mercaptosilane,
Sb 2 O 3 , Zr chelate, titanate coupling agent, aluminum-based coupling agent, etc.
Sb 2 O 4, Sb 2 O 5 , etc., as flame retardants, halogenated epoxy resin and a phosphorus compound, as a coloring agent, carbon black, iron oxide, dyes, pigments and the like. In particular, when high moisture resistance reliability and high-temperature storage stability are required, the addition of various ion trapping agents is effective. Specific examples of the ion trapping agent include Kyowa Chemical's trade names “DHF-4A”, “KW-2000”,
"KW-2100" and a product name "IX-6" manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.
00 ”and the like. The epoxy resin composition of the present invention may contain a curing accelerator for accelerating the reaction between the epoxy resin and the curing agent. Examples of the curing accelerator include those described above, and an organic phosphine compound and a cycloamidine derivative are particularly preferable in terms of heat resistance and moisture resistance. Further, an imide compound such as a bismaleimide can be blended to further improve heat resistance. [0021] The epoxy resin composition of the present invention may further contain a release agent such as a wax, if necessary. Specific examples thereof include natural waxes, synthetic waxes, metal salts of straight-chain fatty acids, acid amides, esters, and paraffin. The epoxy resin composition of the present invention is produced by mixing the above-mentioned materials in a blender or a mixer, and then melt-kneading them by means of a heating roll, kneader, extruder, Banbury mixer or the like, and cooling and pulverizing. can do. In order to seal a semiconductor chip with a resin using the epoxy resin composition of the present invention, it is sufficient to cure and mold by a known molding method such as transfer molding and multi-plunger. In addition to satisfying general properties such as heat resistance and thermal conductivity, excellent moldability can be maintained despite the high filler filling rate. EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples. In the examples below, all parts and percentages are shown on a weight basis. Examples 1 to 10 Comparative Examples 1 to 7 Spherical silica powders having the particle sizes shown in Table 1 (Examples 1 to 10) and Table 2 (Comparative Examples 1 to 7) were used. It was blended with each material at a ratio and dry blended by a mixer. This was heated and kneaded for 5 minutes using a mixing roll having a roll surface temperature of 100 ° C., and then cooled and pulverized to obtain 17 different epoxy resin compositions. The spherical silica powder used here was produced by putting silica stone powder into an LPG / oxygen flame, and had an average sphericity (ratio of major axis / minor axis) of 1.2. . The values a, b, c, and d of the granularity configuration
The value was measured as follows. (A value) Water sieving method: After 200 g of a sample is put into a 45 μm sieve and sieved while applying shower water, the residue on the sieve is rinsed in an aluminum container, and the supernatant is discarded and dried. The obtained dried product was sieved with a 45 μm sieve, and the ratio of the residue on the sieve was calculated. (B value, c value and d value) Laser diffraction method: 0.1 to 0.5 g of a sample was dispersed in water, and the dispersion was measured with a laser diffraction type particle size distribution analyzer (Cirrus Granulometer “Model 715”). . The 17 types of epoxy resin compositions obtained as described above were evaluated for gel time, spiral flow (SF), burrs, filling properties, and crack resistance during soldering according to the following. Table 4 shows the results.
Shows the results of Examples 1 to 10, and Table 5 shows the results of Comparative Examples 1 to 7. (1) Gel Time The time until the resin composition melted and hardened on the metal block heated to 175 ° C. was measured. (2) Spiral flow (SF) Using a spiral flow mold, EMMI1-66 (E
POXY MOLDING MATERIAL INS
title; Society of Plast
ic Industry). The molding temperature is 175 ° C. (3) Burrs Molded using a burr mold having slits of 2 μm, 5 μm, 10 μm and 30 μm, and the length of the burr was measured. The molding temperature is 175 ° C. (4) Fillability and crack resistance during soldering Using a mold prototyped so that the thickness of the tree above and below the chip is 55 μm, 175 ° C. by low-pressure transfer molding
48 pin TSOP in which the simulation element is sealed under the condition of × 2 minutes
After producing 18 compacts (packages), 175 ° C x
Post-curing was performed for 5 hours. These packages were visually inspected, and the number of packages in which defective filling (poor appearance) was recognized was measured to evaluate the filling property. In addition, all of these packages are stored at a temperature of 40 ° C. and a humidity of 80% RH.
After immersion in solder at 260 ° C. for 10 seconds, the number of packages in which internal cracks were observed was measured by an ultrasonic probe, and evaluated for crack resistance. [Table 1] (Note) All a values are 0.5% by weight or less. [Table 2] [Table 3] [Table 4] [Table 5] [0034] [0035] According to the epoxy resin composition of the present invention,
It is suitable for use as an ultra-thin electronic component for surface mounting, particularly as a sealing material for semiconductors and the like. Even if the package is ultra-thin, it is possible to produce a package having excellent crack resistance during soldering.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−261856(JP,A) 特開 昭63−159422(JP,A) 特開 平5−136296(JP,A) 特開 平5−1208(JP,A) 特開 平3−265623(JP,A) 特開 平1−266152(JP,A) 特開 平1−263131(JP,A) 特開 平2−145416(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C01B 33/18 C08L 63/00 C08K 3/36 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-2-261856 (JP, A) JP-A-63-159422 (JP, A) JP-A-5-136296 (JP, A) JP-A-5-136296 1208 (JP, A) JP-A-3-265623 (JP, A) JP-A-1-266152 (JP, A) JP-A-1-263131 (JP, A) JP-A-2-145416 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) C01B 33/18 C08L 63/00 C08K 3/36

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤及び
(C)球状シリカ粉末を含有してなるものであって、上
記(C)球状シリカ粉末が、aは水篩法による値、b〜
dはレーザー回折法による値であって、粒子径45μm
以上の粒子含有率をa重量%、粒子径24μm以下の粒
子含有率をb重量%、粒子径8μm以下の粒子含有率を
c重量%、粒子径3μm以下の粒子含有率をd重量%と
したとき、a≦0.5、40≦b≦90、30≦c≦7
5、20≦d≦60の範囲であって、しかもb/d=1
〜3であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
(57) [Claims] ( 1 ) An epoxy resin, (B) a curing agent and
(C) a composition containing spherical silica powder,
(C) spherical silica powder , a is a value obtained by a water sieving method, b to
d is a value obtained by a laser diffraction method, and the particle diameter is 45 μm.
The above particle content was defined as a weight%, the particle content of a particle size of 24 μm or less as b weight%, the particle content of a particle size of 8 μm or less as c weight%, and the particle content of a particle size of 3 μm or less as d weight%. When a ≦ 0.5, 40 ≦ b ≦ 90, 30 ≦ c ≦ 7
5, 20 ≦ d ≦ 60, and b / d = 1
An epoxy resin composition, which is an epoxy resin composition.
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