JP3427578B2 - Manufacturing method of microwave integrated circuit device - Google Patents

Manufacturing method of microwave integrated circuit device

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JP3427578B2
JP3427578B2 JP18270395A JP18270395A JP3427578B2 JP 3427578 B2 JP3427578 B2 JP 3427578B2 JP 18270395 A JP18270395 A JP 18270395A JP 18270395 A JP18270395 A JP 18270395A JP 3427578 B2 JP3427578 B2 JP 3427578B2
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成信 三上
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、搭載される能動
素子の評価とと共に整合調整作業が行なわれるようにし
た、例えばモノリシックなマイクロ波集積回路装置の製
造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a monolithic microwave integrated circuit device, for example, in which a matching adjustment operation is performed together with evaluation of an active element mounted therein .
Regarding the manufacturing method .

【0002】[0002]

【従来の技術】マイクロ波集積回路(MIC)において
用いられるFET等の能動素子は、基本的にその使用周
波数が高いものであり、この使用周波数が高くなるにつ
れてその特性のばらつきが飛躍的に増大する。そして、
この能動素子の特性のばらつきが、この種マイクロ波集
積回路の歩留まりを悪化させる大きな要因となっている
もので、このため歩留まりの改善のために何等かの調整
作業が必要となる。
2. Description of the Related Art An active element such as an FET used in a microwave integrated circuit (MIC) basically has a high operating frequency, and as the operating frequency becomes higher, variations in its characteristics dramatically increase. To do. And
This variation in the characteristics of the active elements is a major factor that deteriorates the yield of this type of microwave integrated circuit, and therefore some adjustment work is required to improve the yield.

【0003】しかし、特にモノリシックマイクロ波集積
回路(MMIC)にあっては、1つの半導体基板上に信
号伝送線路や受動素子と共に能動素子が一体化して形成
されているものであり、能動素子のみを評価してその特
性のばらつきを抑えるように調整することはできない。
However, especially in a monolithic microwave integrated circuit (MMIC), an active element is integrally formed with a signal transmission line and a passive element on one semiconductor substrate, and only the active element is formed. It cannot be evaluated and adjusted to suppress variations in its characteristics.

【0004】また、予め特性のわかっている能動素子、
あるいは事前に単体で測定評価可能な能動素子チップを
半導体基板上に搭載して構成されるハイブリッドマイク
ロ波集積回路にあっても、能動素子をボンディングワイ
ヤを用いて配線部に接続した状態で、このボンディング
ワイヤの影響を受けて、回路基板上における能動素子の
特性が、その搭載前と比べて変化してしまうことが多
い。
Further, an active element whose characteristics are known in advance,
Alternatively, even in a hybrid microwave integrated circuit in which an active element chip that can be individually measured and evaluated in advance is mounted on a semiconductor substrate, the active element is connected to the wiring section using a bonding wire. Due to the influence of the bonding wire, the characteristics of the active element on the circuit board often change as compared with those before mounting.

【0005】この様な問題点に対処するため、従来にあ
っては回路全体の特性の評価を行いながら、例えば特開
昭62−210701号公報で示されるように、能動素
子の近傍に設置された整合用スタブの長さを変化させる
ことによって、回路全体としての調整が行われるように
している。
In order to deal with such a problem, conventionally, while evaluating the characteristics of the entire circuit, it is installed in the vicinity of the active element as shown in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 62-210701. By adjusting the length of the matching stub, the circuit as a whole is adjusted.

【0006】この様な調整方法にあっては、所望の特性
が得られるまで回路の測定と調整のための作業が繰り返
し実行されるものであり、大きな手間と労力を要するも
のであり、また回路基板に複数の能動素子が搭載された
回路装置にあっては、調整すべき能動素子の特定が非常
に困難である。そしてこれらの問題点は、全て能動素子
単体の評価並びに調整が不可能であったことに起因す
る。
In such an adjusting method, the work for measuring and adjusting the circuit is repeatedly executed until a desired characteristic is obtained, which requires a great deal of labor and labor, and the circuit. In a circuit device in which a plurality of active elements are mounted on a substrate, it is very difficult to specify the active element to be adjusted. All of these problems result from the fact that it is impossible to evaluate and adjust the active element alone.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、
イクロ波集積回路の組み立て工程中において、回路上で
能動素子の評価並びに調整が逐次行なわれて、最終的な
調整作業が省略できるようにして、例えばモノリシック
マイクロ波集積回路においても、組み込まれる複数の能
動素子の評価並びに調整が円滑に行なわれて歩留まりの
向上に結び付けられるようにするマイクロ波集積回路装
の製造方法を提供するものである。
OBJECTS OF THE INVENTION It is an object of this invention, during the assembling process of the microwave integrated circuit, are performed sequentially evaluation and adjustment of the active devices in the circuit, the final adjustment operation is to be omitted Te, for example, even in a monolithic microwave integrated circuit, a method for manufacturing a microwave integrated circuit device evaluation and adjustment of a plurality of active elements is so tied to smoothly conducted with improved yield Hisage Kyosu in shall be incorporated is there.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明は、回路基板上
に配置された能動素子と、前記回路基板上に形成され
て、前記能動素子が接続される線路と、前記線路の両側
に位置し,且つ前記回路基板上に配置されたプローブパ
ッド及び接地導体による測定用ポートと、前記回路基板
上に形成され、且つ前記線路に対して不連続部を置いて
形成された主線路とを備えたマイクロ波集積回路装置の
製造方法であって、前記主線路に接続された状態で前記
回路基板上に形成されている整合用スタブの長さを、前
記主線路と前記線路とが前記不連続状態であるときに、
前記プローブパッドを介して前記能動素子単体の特性を
測定し、前記能動素子の特性が最適特性を得られるよう
にシミュレーションで求めた結果の長さに選定し、前記
不連続部を形成している前記主線路と前記線路とを電気
的に接続するようにしたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is an active element which is placed on the circuit board, is formed on the circuit board
The line to which the active element is connected and both sides of the line.
Located on the circuit board and located on the circuit board.
Port for measurement with a pad and a ground conductor, and the circuit board
Formed on top and with a discontinuity to the line
Of the microwave integrated circuit device with the formed main line
A method of manufacturing, wherein the device is connected to the main line
Set the length of the matching stub formed on the circuit board to
When the main line and the line are in the discontinuous state,
Through the probe pad, the characteristics of the active device alone can be
Measure to ensure that the characteristics of the active element are optimal.
Select the length of the result obtained by simulation in
The main line and the line forming the discontinuity are electrically connected to each other.
They are connected to each other.

【0009】すなわち、このマイクロ波集積回路装置に
あっては、その製造工程中において回路基板上に搭載さ
れる能動素子単体の測定が可能とされるものであり、さ
らにその測定結果を評価して最適な能動素子特性が得ら
れるように整合手段において調整されるもので、搭載さ
れる能動素子特性のばらつきの抑制が実現できる。
That is, in this microwave integrated circuit device, it is possible to measure a single active element mounted on the circuit board during the manufacturing process, and further evaluate the measurement result. Since the matching means adjusts so as to obtain the optimum active element characteristics, it is possible to suppress variations in the characteristics of the mounted active elements.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の一形態を説明する。図1はモノリシックマイクロ
波集積回路を示しているもので、GaAs、InP等で
構成される半導体からなる回路基板11を備え、この回路
基板11上にダイオード、FET、HEMT等からなる能
動素子12が配置されている。この回路基板11上には、さ
らに能動素子12の両側に位置して測定用ポート131 およ
び132 が配置設定されているもので、さらにこれら測定
用ポート131 および132 のそれぞれ外側に位置して主線
路141 および142 が配置されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a monolithic microwave integrated circuit, which includes a circuit board 11 made of a semiconductor composed of GaAs, InP, etc., on which an active element 12 composed of a diode, FET, HEMT, etc. is provided. It is arranged. Measurement ports 131 and 132 are arranged on both sides of the active element 12 on the circuit board 11, and the main lines are arranged outside the measurement ports 131 and 132, respectively. 141 and 142 are located.

【0011】そして、この主線路141 および142 に対し
ては、それぞれ整合用スタブ151 および152 が接続配置
されている。この整合用スタブ151 および152 は、この
図では主線路141 および142 に対してそれぞれ1本づつ
配置しているが、これは適宜複数本であってもよい。
Matching stubs 151 and 152 are connected to the main lines 141 and 142, respectively. Although one matching stub 151 and 152 is arranged for each of the main lines 141 and 142 in this drawing, a plurality of matching stubs 151 and 152 may be provided.

【0012】測定用ポート131 および132 は同様に構成
されているもので、それぞれ能動素子12に接続される線
路201 および202 を備え、この線路201 および202 のそ
れぞれ外側に位置して表面接地導体211 および212 、さ
らに213 および214 が配置形成されている。そして、線
路201 および202 さらに接地導体211 〜214 には、それ
ぞれプローブパッド221 および222 、さらに231 〜234
が電気的に接続されるようにして形成されている。
The measurement ports 131 and 132 are similarly configured and include lines 201 and 202 connected to the active element 12, respectively, and are located outside the lines 201 and 202, respectively, and are connected to the surface ground conductor 211. And 212, and 213 and 214 are arranged and formed. The lines 201 and 202 and the ground conductors 211 to 214 are connected to the probe pads 221 and 222, respectively, and 231 to 234, respectively.
Are formed so as to be electrically connected.

【0013】ここで、能動素子12に接続される線路201
および202 のそれぞれ先端部は、主線路141 および142
のそれぞれ先端に小間隔で対向されるように形成され
る。また、接地導体211 〜214 はそれぞれヴィアホール
241 〜244 によって、回路基板11の例えば裏面に形成さ
れた接地導体に対して電気的に接続される。
Here, the line 201 connected to the active element 12
And 202 respectively have main lines 141 and 142
Are formed so as to face the respective tips at small intervals. Also, the ground conductors 211 to 214 are via holes, respectively.
241 to 244 electrically connect to a ground conductor formed on the back surface of the circuit board 11, for example.

【0014】図1の(B)は一方の測定用ポート131 に
対応する図1のb−b線に対応する部分の拡大した断面
構造を示しているもので、回路基板11の一方の面に線路
201と共に表面接地導体211 および222 が形成されてい
る。そして、この回路基板11の他方の面に裏面接地導体
25が形成され、ヴィアホール241 および242 によって、
裏面接地導体25と表面接地導体211 および212 が電気的
に接続されている。
FIG. 1B shows an enlarged sectional structure of a portion corresponding to one of the measurement ports 131 and corresponding to the line bb in FIG. 1. One surface of the circuit board 11 is shown in FIG. line
Surface ground conductors 211 and 222 are formed together with 201. Then, on the other surface of this circuit board 11, a backside ground conductor is formed.
25 are formed, and via holes 241 and 242
The back side ground conductor 25 and the front side ground conductors 211 and 212 are electrically connected.

【0015】次に、この様に構成されるようになるマイ
クロ波集積回路における能動素子12の特性の調整作業に
ついて説明する。図2はこの調整作業の流れを示してい
るもので、まず、モノリシックマイクロ波集積回路を実
現するための製造工程において、ステップ301 で回路基
板11上に搭載される能動素子12の両側に測定用ポート13
1 および132 を形成する。この時点においては、能動素
子12の線路201 および202 は主線路141 および142 にそ
れぞれ接続されておらず、したがってこの能動素子12を
含むマイクロ波集積回路は動作しない。
Next, the operation of adjusting the characteristics of the active element 12 in the microwave integrated circuit thus configured will be described. FIG. 2 shows the flow of this adjustment work. First, in the manufacturing process for realizing the monolithic microwave integrated circuit, in step 301, both sides of the active element 12 mounted on the circuit board 11 are measured. Port 13
Form 1 and 132. At this point, the lines 201 and 202 of the active element 12 are not connected to the main lines 141 and 142, respectively, so that the microwave integrated circuit including the active element 12 does not operate.

【0016】この様なマイクロ波集積回路の動作されな
い状態において、ステップ302 で示すように測定用ポー
ト131 および132 のプローブパッド221 および222 と共
に、プローブパッド231 〜234 に対してオンウエハ測定
用プローブヘッドを接触し、能動素子12単体における伝
送/反射特性を測定する。
When the microwave integrated circuit is not operated, the on-wafer measurement probe heads are attached to the probe pads 231 to 234 together with the probe pads 221 and 222 of the measurement ports 131 and 132 as shown in step 302. Contact and measure the transmission / reflection characteristics of the active element 12 alone.

【0017】ステップ303 においては、この様にして得
られた測定データを用いて、最適な能動素子12の特性が
得られるようになる整合用スタブ151 および152 の長さ
を、シミュレーション解析によって求める。この様なシ
ミュレーション解析を行うに際して、後工程において測
定用ポート131 および132 の線路201 および202 と、主
線路141 および142 とを接続することによって生ずる不
連続箇所による、能動素子12の特性に対する影響を考慮
に入れる必要がある。
In step 303, using the measurement data thus obtained, the lengths of the matching stubs 151 and 152 for obtaining the optimum characteristics of the active element 12 are obtained by simulation analysis. When performing such a simulation analysis, the influence of the discontinuity caused by connecting the lines 201 and 202 of the measurement ports 131 and 132 and the main lines 141 and 142 in the subsequent process on the characteristics of the active element 12 is examined. It needs to be taken into consideration.

【0018】ステップ304 においては、ステップ303 で
求められた解析結果に基づいて、レーザ加工手段等を用
いて整合用スタブ251 および252 を切断する。すなわ
ち、これらの整合用スタブ251 および252 の長さは、先
のシミュレーション解析によって求められた長さとされ
る。そして、ステップ305 で示す最終の工程において、
測定用ポート201 および202 それぞれと主線路141 およ
び142 とを、それぞれ伝送線路161 および162 を形成す
ることにより接続する。
In step 304, the matching stubs 251 and 252 are cut by using a laser processing means or the like based on the analysis result obtained in step 303. That is, the lengths of these matching stubs 251 and 252 are the lengths obtained by the previous simulation analysis. Then, in the final step shown in step 305,
The measurement ports 201 and 202 and the main lines 141 and 142 are connected by forming transmission lines 161 and 162, respectively.

【0019】これまで説明した実施の形態にあっては、
伝送線路としてマイクロストリップ線路を用いるように
しているものであるが、コブレーナ線路を用いて構成さ
れるモノシリックマイクロ波集積回路においても有効に
適用できる。図3は平面的に見た構成を示すもので、回
路基板11の表面上には平行に配設されるようにして接地
導体261 および262 が形成されている。そして、この接
地導体261 および262の相互はエアブリッジ271 、272
、…によって共通に接続されている。
In the embodiment described so far,
Although a microstrip line is used as a transmission line, it can be effectively applied to a monolithic microwave integrated circuit configured by using a cobrena line. FIG. 3 shows a plan view, and ground conductors 261 and 262 are formed on the surface of the circuit board 11 so as to be arranged in parallel. The ground conductors 261 and 262 are connected to each other by air bridges 271 and 272.
, ... are commonly connected.

【0020】能動素子12は、接地導体261 および262 の
相互間に挟まれるように配置されて回路基板11に搭載さ
れ、この能動素子11に接続される線路201 および202
は、接地導体261 と262 の間を延びるように形成されて
いる。そして、この線路201 および202 の先端にプロー
ブパッド221 および222 が形成され、接地導体261 およ
び262 と一体的にプローブパッド231 〜234 が形成され
ている。この様なコブレーナ線路を用いたモノシリック
マイクロ波集積回路においては、接地導体261 および26
2 が元来回路基板11に上に形成されているものであるた
め、ヴィアホールのような表裏接続手段を必要としな
い。
The active element 12 is arranged so as to be sandwiched between the ground conductors 261 and 262, is mounted on the circuit board 11, and is connected to the active element 11 by the lines 201 and 202.
Are formed so as to extend between the ground conductors 261 and 262. The probe pads 221 and 222 are formed at the tips of the lines 201 and 202, and the probe pads 231 to 234 are formed integrally with the ground conductors 261 and 262. In the monolithic microwave integrated circuit using such a cobler line, the ground conductors 261 and 26 are used.
Since 2 is originally formed on the circuit board 11, front and back connecting means such as a via hole is not required.

【0021】図4はハイブリッドマイクロ波集積回路に
適用した実施形態を示しているもので、この場合回路基
板11に搭載される能動素子121 は、予め特性のわかって
いるもの、あるいは単体で事前に測定可能なものであ
り、この能動素子121 はボンディングワイヤ281 および
282 によって線路201 および202 に接続されるようにし
ている。
FIG. 4 shows an embodiment applied to a hybrid microwave integrated circuit. In this case, the active element 121 mounted on the circuit board 11 is one whose characteristics are known in advance or a single unit is previously prepared. This active element 121 is
282 connects to lines 201 and 202.

【0022】この様に構成されるマイクロ波集積回路に
あっては、能動素子121 チップを線路201 および202 に
接続するボンディングワイヤ281 および282 等の影響に
よって、回路基板11に対して搭載する前(単体として特
性測定時)と搭載後で、能動素子121 の特性が変化して
しまうことが多い。したがって、特にこの様なハイブリ
ッドマイクロ波集積回路にあっては、回路基板11上に能
動素子を搭載した後において、この能動素子特性を評価
して調整することが非常に重要である。
In the microwave integrated circuit thus constructed, before mounting on the circuit board 11 due to the influence of the bonding wires 281 and 282 connecting the active element 121 chip to the lines 201 and 202, In many cases, the characteristics of the active element 121 change after the characteristics are measured as a single body) and after mounting. Therefore, particularly in such a hybrid microwave integrated circuit, it is very important to evaluate and adjust the characteristics of the active element after mounting the active element on the circuit board 11.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上のようにこの発明に係るマイクロ波
集積回路装置にあっては、その組み立て製造工程の途中
において、回路上での能動素子の評価が可能とされる。
したがって、搭載された能動素子の特性のばらつきを抑
制するために大きな効果が発揮され、この種のマイクロ
波集積回路の歩留まり改善が充分に期待できる。
As described above, in the microwave integrated circuit device according to the present invention, the active element on the circuit can be evaluated during the assembly and manufacturing process.
Therefore, a great effect is exerted for suppressing the variation in the characteristics of the mounted active elements, and the yield improvement of this type of microwave integrated circuit can be expected sufficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)はこの発明の一実施形態を説明するため
のマイクロ波集積回路の平面構成図、(B)は(A)図
のb−b線に対応する部分の拡大断面図。
FIG. 1A is a plan configuration diagram of a microwave integrated circuit for explaining an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is an enlarged cross-sectional view of a portion corresponding to line bb in FIG.

【図2】上記マイクロ波集積回路の製造過程の流れを説
明する図。
FIG. 2 is a diagram illustrating a flow of a manufacturing process of the microwave integrated circuit.

【図3】この発明の第2の実施形態を説明する平面構成
図。
FIG. 3 is a plan configuration diagram illustrating a second embodiment of the present invention.

【図4】この発明の第3の実施形態を説明する平面構成
図。
FIG. 4 is a plan configuration diagram illustrating a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…回路基板、12、121 …能動素子、131 、132 …測定
用ポート、141 、142…主線路、151 、152 …整合用ス
タブ、161 、162 …伝送線路、201 、202 …線路、211
〜214 、261 、262 …接地導体、221 、222 、231 〜23
4 …プローブパッド、241 〜244 …ヴィアホール、25…
裏面接地導体。
11 ... Circuit board, 12, 121 ... Active element, 131, 132 ... Measurement port, 141, 142 ... Main line, 151, 152 ... Matching stub, 161, 162 ... Transmission line, 201, 202 ... Line, 211
~ 214, 261, 262 ... ground conductor, 221, 222, 231-23
4… Probe pad, 241-244… Via hole, 25…
Backside ground conductor.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇津 順志 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 平3−243871(JP,A) 特開 平6−244252(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 1/00 H01P 3/08 H01P 5/02 603 G01S 7/03 H01L 21/66 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Junshi Utsu 1-1, Showa-cho, Kariya city, Aichi Japan Denso Co., Ltd. (56) Reference JP-A-3-243871 (JP, A) JP-A-6 -244252 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01P 1/00 H01P 3/08 H01P 5/02 603 G01S 7/03 H01L 21/66

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 回路基板上に配置された能動素子と、
記回路基板上に形成されて、前記能動素子が接続される
線路と、前記線路の両側に位置し,且つ前記回路基板上
に配置されたプローブパッド及び接地導体による測定用
ポートと、前記回路基板上に形成され、且つ前記線路に
対して不連続部を置いて形成された主線路とを備えたマ
イクロ波集積回路装置の製造方法であって、 前記主線路に接続された状態で前記回路基板上に形成さ
れている整合用スタブの長さを、前記主線路と前記線路
とが前記不連続状態であるときに、前記プローブパッド
を介して前記能動素子単体の特性を測定し、前記能動素
子の特性が最適特性を得られるようにシミュレーション
で求めた結果の長さに選定する工程と、 前記不連続部を形成している前記主線路と前記線路とを
電気的に接続する工程と を具備したことを特徴とするマ
イクロ波集積回路装置の製造方法
1. A an active element which is placed on the circuit board, before
Formed on a circuit board and connected to the active element
A line and on both sides of the line and on the circuit board
For measurement with probe pads and ground conductors placed in
A port, formed on the circuit board, and connected to the line.
A main line formed by disposing a discontinuity on the other hand.
A method of manufacturing a microwave integrated circuit device, comprising: forming on a circuit board in a state of being connected to the main line.
The length of the matching stub is set to the main line and the line.
And are in the discontinuous state, the probe pad
The characteristics of the active element alone are measured through the
Simulate child characteristics to obtain optimum characteristics
The step of selecting the length of the result obtained in step 1, and the main line and the line forming the discontinuity
Method for producing a microwave integrated circuit device being characterized in that comprising the step of electrically connecting.
【請求項2】 前記能動素子と、前記線路とはワイヤ配
線により接続されていることを特徴とする請求項1記載
のマイクロ波集積回路装置の製造方法
2. The wire arrangement between the active element and the line.
The connection according to claim 1, wherein the lines are connected to each other.
For manufacturing a microwave integrated circuit device .
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