JP3427296B2 - Piezoelectric ceramic element and method of protecting its electrode - Google Patents
Piezoelectric ceramic element and method of protecting its electrodeInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は圧電セラミック素子
及びその電極の保護方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a piezoelectric ceramic element and a method for protecting its electrodes.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば弾性表面波デバイスは、圧電性基
体上にインタデジタルトランスジューサと呼ばれるアル
ミニウム電極が対で形成されたもので、印加した交流信
号から所定の周波数のみを取り出すフィルタとして用い
られ、一般にＳＡＷフィルタと呼ばれる。取り出す周波
数帯はアルミニウム電極のパターニングで容易に調整で
きるが、高周波になるものほど微細パターンと精密加工
が必要になる。2. Description of the Related Art For example, a surface acoustic wave device has a pair of aluminum electrodes called interdigital transducers formed on a piezoelectric substrate and is used as a filter for extracting only a predetermined frequency from an applied AC signal. It is called a SAW filter. The frequency band to be taken out can be easily adjusted by patterning the aluminum electrode, but the higher the frequency, the finer the pattern and the more precise processing are required.
【０００３】ところで圧電性セラミックからなる基体は
一般にサブミクロン〜数ミクロン大の金属微結晶の焼結
体である基材を切削、研磨する機械的加工を繰り返して
得る。研磨は外表面や加工面を平滑にするために行う作
業であるが、セラミックが微結晶の焼結体であることに
起因するミクロな凹凸までも平坦化し得るものではな
い。従って、微細パターンの電極を蒸着等で形成すると
き、このミクロな凹凸に起因して、使用に伴い電極にピ
ンホールやクラックを生じ、十分な使用耐久性ひいては
信頼性を得られないことがある。By the way, a substrate made of a piezoelectric ceramic is generally obtained by repeating mechanical processing of cutting and polishing a substrate which is a sintered body of metal microcrystals of a size of submicron to several microns. Polishing is an operation performed to make the outer surface and the processed surface smooth, but it is not possible to flatten even microscopic irregularities due to the ceramic being a sintered body of fine crystals. Therefore, when an electrode having a fine pattern is formed by vapor deposition or the like, due to the microscopic unevenness, pinholes or cracks may be generated in the electrode during use, and sufficient use durability and thus reliability may not be obtained. .
【０００４】又、ＳＡＷフィルタはテレビや自動車電話
等のフィルタとして多用されつつあり、夏の車中の高温
高湿やポータブル品の屋外使用等、苛酷な使用環境にあ
っても十分な信頼性と長寿命を要求される。Further, the SAW filter is being widely used as a filter for televisions, car phones, etc., and has sufficient reliability even in a severe environment such as high temperature and high humidity in a car in summer and outdoor use of portable products. Long life is required.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みてなされたものであり、その目的は、圧電性セラミ
ック基体上に形成された電極膜を保護して、十分な信頼
性及び使用耐久性を有する圧電セラミック素子を提供す
ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to protect an electrode film formed on a piezoelectric ceramic substrate to ensure sufficient reliability and use. It is to provide a piezoelectric ceramic element having durability.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、圧
電性セラミック基体上に陽極酸化処理された電極膜及び
気相合成法によって形成されたポリパラキシリレン又は
その誘導体からなる樹脂被膜をこの順に有する圧電セラ
ミック素子、前記樹脂被膜が形成後にプラズマ処理を施
されたものであること、圧電性セラミック基体上に形成
されたアルミニウム、タンタル又はチタニウムからなる
電極膜を、陽極酸化処理した後、気相合成法によってポ
リパラキシリレン又はその誘導体からなる樹脂被膜を形
成する電極の保護方法、前記樹脂被膜を形成した後プラ
ズマ処理を施すこと、前記樹脂被膜の形成前に接着性を
付与する処理を行うこと、前記接着性を付与する処理に
ジメチルビニルクロロシラン、メチルビニルジクロロシ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン及びγ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシ
ランから選ばれるシラン化合物を用いること、圧電性セ
ラミック基体上に蒸着又はスパッタリングによりアルミ
ニウム、タンタル又はチタニウムからなる電極膜を形成
し、接着性を付与する処理を行ったのち、気相合成法に
よってポリパラキシリレン又はその誘導体からなる樹脂
被膜を形成し、その後、前記樹脂被膜に、更にプラズマ
処理を施すこと、圧電性セラミック基体上にアルミニウ
ム、タンタル又はチタニウムからなる電極膜を形成し、
接着性を付与する処理を行ったのち、気相合成法によっ
てポリパラキシリレン又はその誘導体からなる樹脂被膜
を形成し、その後、前記樹脂被膜にプラズマ処理を施す
こと、圧電性セラミック基体上に蒸着又はスパッタリン
グによりアルミニウム、タンタル又はチタニウムからな
る電極膜及び接着性を付与する処理を行ったのち気相合
成法によって形成されたポリパラキシリレン又はその誘
導体からなる樹脂被膜をこの順に有し、前記樹脂被膜が
形成後にプラズマ処理が施されたものである圧電セラミ
ック素子、圧電性セラミック基体上にアルミニウム、タ
ンタル又はチタニウムからなる電極膜及び接着性を付与
する処理を行ったのち気相合成法によって形成されたポ
リパラキシリレン又はその誘導体からなる樹脂被膜をこ
の順に有し、前記樹脂被膜がプラズマ処理を施されてい
る圧電セラミック素子、前記樹脂被膜の厚さが１．０〜
１０μmである圧電セラミックス素子又は電極の保護方
法、及び、前記圧電性セラミックス基板がチタン酸ジル
コン酸鉛である圧電セラミックス素子又は電極の保護方
法、により達成される。The above object of the present invention is to provide an anodized electrode film on a piezoelectric ceramic substrate and a resin film made of polyparaxylylene or its derivative formed by a vapor phase synthesis method. Piezoelectric ceramic element having in this order, that the resin coating is subjected to plasma treatment after formation, aluminum, tantalum or titanium electrode film formed on the piezoelectric ceramic substrate, after anodizing treatment, A method for protecting an electrode for forming a resin coating made of polyparaxylylene or a derivative thereof by a vapor phase synthesis method, a plasma treatment after forming the resin coating, a treatment for imparting adhesiveness before forming the resin coating. The treatment for imparting the adhesiveness, dimethylvinylchlorosilane, methylvinyldichlorosilane, vinyltriene Use of a silane compound selected from toxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane and γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, consisting of aluminum, tantalum or titanium by vapor deposition or sputtering on a piezoelectric ceramic substrate. After forming an electrode film and performing a treatment for imparting adhesiveness, a resin coating made of polyparaxylylene or a derivative thereof is formed by a vapor phase synthesis method , and then the plasma coating is further applied to the resin coating. Forming an electrode film made of aluminum, tantalum or titanium on a piezoelectric ceramic substrate,
After performing a treatment for imparting adhesiveness, a resin film made of polyparaxylylene or a derivative thereof is formed by a vapor phase synthesis method, and then the resin film is subjected to plasma treatment, and vapor-deposited on a piezoelectric ceramic substrate. or by sputtering possess aluminum, a resin film of poly-para-xylylene or a derivative thereof formed by vapor phase synthesis then subjected to a treatment for imparting the electrode film and adhesion of tantalum or titanium in this order, the resin Piezoelectric ceramics that are plasma-treated after the film is formed
Element, a piezoelectric ceramic substrate, an electrode film made of aluminum, tantalum, or titanium, and a resin coating made of polyparaxylylene or its derivative formed by a vapor phase synthesis method after performing a treatment for imparting adhesiveness. A piezoelectric ceramic element having the resin coating film in this order and having the resin coating film subjected to plasma treatment, and the resin coating film having a thickness of 1.0 to
This is achieved by a method for protecting a piezoelectric ceramic element or electrode having a thickness of 10 μm, and a method for protecting a piezoelectric ceramic element or electrode having a piezoelectric ceramic substrate made of lead zirconate titanate.
【０００７】即ち本発明者は、形成した電極膜を陽極酸
化処理すればピンホールやクラックの発生を抑えられる
と考え、且つポリパラキシリレン又はその誘導体からな
る樹脂被膜で電極を被覆することにより信頼性と使用耐
久性の双方が得られることを見出し、又、前記樹脂被膜
の形成前に接着性を付与する処理を行えば、陽極酸化処
理を省いても同様の信頼性と使用耐久性が得られること
も見出し、本発明に至ったものである。That is, the present inventor believes that the formation of pinholes and cracks can be suppressed by anodizing the formed electrode film, and by coating the electrode with a resin film made of polyparaxylylene or its derivative. It was found that both reliability and use durability can be obtained, and if a treatment for imparting adhesiveness is performed before forming the resin coating , the same reliability can be obtained even if the anodizing treatment is omitted. The inventors of the present invention have also found that durability in use can be obtained, and have reached the present invention.
【０００８】以下、本発明について更に説明する。The present invention will be further described below.
【０００９】基体を構成する圧電性セラミックとして
は、従来公知の任意のものを採用できるが、例えばチタ
ン酸ジルコン酸鉛等の充填密度が大きいものが圧電性能
の点で好ましい。又、電極膜は微細なパターンで薄膜で
形成する（通常、０．５〜５．０μｍ程度）ため、蒸着
やスパッタリング等により形成するが、電気的特性、耐
食性及び加工性の点からアルミニウム、タンタル又はチ
タニウムからなることが好ましい。As the piezoelectric ceramic constituting the substrate, any conventionally known one can be adopted, but one having a high packing density of lead zirconate titanate or the like is preferable from the viewpoint of piezoelectric performance. Also, since the electrode film is formed as a thin film with a fine pattern (usually about 0.5 to 5.0 μm), it is formed by vapor deposition, sputtering, etc. Alternatively, it is preferably made of titanium.
【００１０】陽極酸化処理は、電極膜の耐食性及び安定
性を向上して、ピンホールやクラックの発生を抑えるこ
とを目的として施す。陽極酸化処理の具体例を次ぎに示
すが、これに限定されるものではない。The anodic oxidation treatment is performed for the purpose of improving the corrosion resistance and stability of the electrode film and suppressing the generation of pinholes and cracks. A specific example of the anodizing treatment is shown below, but the present invention is not limited to this.
【００１１】電解液として、３００ｍｌのエチレングリ
コール及び３０ｍｌの３％酒石酸からなるｐＨ７．０±
０．５（アンモニア水で調整）の液を用い、厚さ２．０
μｍのアルミニウム電極膜を形成した圧電性セラミック
基体を浸漬し、電極膜側をプラスにして電流密度１ｍＡ
／ｃｍ2で電圧が１００Ｖに達するまでは定電流で、電
圧１００Ｖに達した後は１００Ｖの定電圧で陽極酸化を
行い、電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ2以下となったとき
処理を終了させる。As an electrolyte, a pH of 7.0 ± 3 consisting of 300 ml of ethylene glycol and 30 ml of 3% tartaric acid is used.
0.5 (adjusted with ammonia water), thickness 2.0
A piezoelectric ceramic substrate with an aluminum electrode film of μm formed is dipped, and the electrode film side is made positive, and the current density is 1 mA.
/ Cm 2 at a constant current until the voltage reaches 100 V, and after reaching 100 V, anodize at a constant voltage of 100 V, and terminate the treatment when the current density becomes 0.1 mA / cm 2 or less. .
【００１２】ポリパラキシリレン又はその誘導体樹脂か
らなる被膜（以下、パリレン膜とも言う。）は固体のジ
パラキシリレンダイマー又はその誘導体を蒸着源とする
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｉｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法により形成する。即ち、ジパラキシリレン
ダイマーが気化、熱分解して発生した安定なジラジカル
パラキシリレンモノマーが、基体上に吸着して重合反応
し、被膜を形成するものである。A film made of polyparaxylylene or its derivative resin (hereinafter also referred to as a parylene film) is a CVD (Chemical Vapor Diposi) using a solid diparaxylylene dimer or its derivative as a vapor deposition source.
formation) method. That is, a stable diradical paraxylylene monomer generated by vaporization and thermal decomposition of diparaxylylene dimer is adsorbed on a substrate and polymerized to form a film.
【００１３】本発明におけるパリレン膜はＣＶＤ法によ
って形成することから、必ずしも電極膜を形成して陽極
酸化処理を行った直後に形成する必要はなく、圧電デバ
イスに組み立てる工程を進めて、開口部がある状況であ
れば任意の後工程終了後に形成してもよい。又、それに
より組み立てたパーツ全体を保護する効果も期待でき
る。Since the parylene film according to the present invention is formed by the CVD method, it is not always necessary to form the electrode film immediately after the electrode film is formed and anodized. In some circumstances, it may be formed after the end of an optional post process. In addition, the effect of protecting the entire assembled parts can be expected.
【００１４】形成するパリレン膜の厚さは、電極膜を被
覆保護して絶縁性を保持する観点から１．０〜１０μｍ
程度とする。The thickness of the parylene film to be formed is 1.0 to 10 μm from the viewpoint of covering and protecting the electrode film and maintaining the insulating property.
The degree.
【００１５】本発明において、パリレン膜を形成して更
にプラズマ処理を施し、表面を改質すれば、圧電デバイ
スの組み立て時の他の部品との接着性、親水性、撥水・
撥油性、防汚性、制電性、耐久性、耐熱・耐炎性、防黴
・消臭性等を付与できて有利である。例えば、本発明の
圧電素子を回路基板や保護部材と接着する際の、接着剤
のぬれ性が向上し、デバイスの機械的強度や密封性の強
化が期待される。又、表面の親水性が向上することによ
り水蒸気との親和性や水系液体とのぬれ性が向上し、静
電気の帯電性を抑制することができる。In the present invention, if a parylene film is formed and further subjected to plasma treatment to modify the surface, adhesion with other parts during assembly of the piezoelectric device, hydrophilicity, water repellency, and water repellency.
It is advantageous because it can impart oil repellency, antifouling property, antistatic property, durability, heat resistance / flame resistance, antimold / deodorant property, etc. For example, when the piezoelectric element of the present invention is bonded to a circuit board or a protective member, the wettability of the adhesive is improved, and the mechanical strength and sealing property of the device are expected to be enhanced. Further, since the hydrophilicity of the surface is improved, affinity with water vapor and wettability with an aqueous liquid are improved, and electrostatic chargeability can be suppressed.
【００１６】プラズマ処理の条件は目的に応じて任意に
設定できる。プラズマ処理としては、例えば次の処理を
具体例として挙げることができる。The condition of the plasma treatment can be arbitrarily set according to the purpose. As the plasma treatment, for example, the following treatments can be given as specific examples.
【００１７】（処理条件）
装 置：平行平板型反応装置
原料ガス：酸素
ガス流量：５０ｓｃｃｍ
圧 力：１０Ｐａ
放電方法：高周波（１３．５６ＭＨｚ、出力２００Ｗ）
処理時間：２分間
この処理によれば、パリレン膜は約０．５μｍエッチン
グされ、表面が活性化される。その結果、処理前の表面
比抵抗１０13〜１０14Ω／□（２３℃、５０％ＲＨ）
が、処理後１０5〜１０10Ω／□となり制電性が大きく
向上する。尚、制電性の観点からは１０5〜１０8Ω／□
となる様に処理するのが好ましい。(Treatment conditions) Equipment: Parallel plate reactor raw material gas: Oxygen gas flow rate: 50 sccm Pressure: 10 Pa Discharge method: High frequency (13.56 MHz, output 200 W) Treatment time: 2 minutes According to this treatment The parylene film is etched by about 0.5 μm to activate the surface. As a result, the surface specific resistance before treatment is 10 13 to 10 14 Ω / □ (23 ° C., 50% RH)
However, after the treatment, it becomes 10 5 to 10 10 Ω / □, and the antistatic property is greatly improved. From the viewpoint of antistatic property, 10 5 to 10 8 Ω / □
It is preferable to treat so that
【００１８】他に有効なプラズマ処理として、マイクロ
波を用いた方法等が挙げられ、採用するガスも酸素に限
らず、窒素、アルゴン、炭酸ガス、アンモニアや他のガ
ス又は酸素と不活性ガスの混合ガス等が挙げられる。As another effective plasma treatment, there is a method using a microwave, and the gas to be used is not limited to oxygen, but nitrogen, argon, carbon dioxide, ammonia or other gas or oxygen and an inert gas may be used. Mixed gas etc. are mentioned.
【００１９】パリレン膜の接着を強固にするために、被
膜の形成前に接着性を付与する処理を行うことが好まし
い。好ましい接着性付与処理としては、シラン化合物
（ジメチルビニルクロロシラン、メチルビニルジクロロ
シラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメト
キシシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプ
ロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキ
シシラン等）を用いた次の様な処理を挙げることができ
る。[0019] In order to strengthen the adhesion of the parylene film, the
It is preferable to perform a treatment for imparting adhesiveness before forming the film . Preferred adhesion imparting treatments include silane compounds (dimethylvinylchlorosilane, methylvinyldichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N
-(Β-aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane , Γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, etc.) can be used.
【００２０】 例えば
シラン化合物 １重量％
イソプロピルアルコール ９０重量％
水 ５重量％
酢酸 ４重量％
からなる組成物溶液中に陽極酸化処理された電極膜を有
する圧電性セラミック基体を含む圧電デバイス部品を３
０分浸漬し、取り出して余分な溶液を窒素スプレーで吹
き飛ばし、１００℃のオーブン中で３０分間ベークす
る。For example, a piezoelectric device component including a piezoelectric ceramic substrate having an anodized electrode film in a composition solution consisting of a silane compound 1 wt% isopropyl alcohol 90 wt% water 5 wt% acetic acid 4 wt% 3
Soak for 0 minutes, remove, blow off excess solution with nitrogen spray, and bake in 100 ° C. oven for 30 minutes.
【００２１】 圧電デバイス部品をシラン化合物を含
むスポンジと共に真空チャンバー中に設置して気化した
シラン化合物を部品表面に付着させる。The piezoelectric device component is placed in a vacuum chamber together with a sponge containing a silane compound to deposit the vaporized silane compound on the component surface.
【００２２】 圧電デバイス部品を真空チャンバー中
に設置して気化したシラン化合物を熱反応炉を経て１０
０〜６００℃で、１〜１０ｓｃｃｍの流量でチャンバー
中に導入し部品表面にシラン化合物を反応付着させる。The piezoelectric device component is placed in a vacuum chamber, and the vaporized silane compound is passed through a thermal reaction furnace for 10
It is introduced into the chamber at a flow rate of 1 to 10 sccm at 0 to 600 ° C., and a silane compound is reactively attached to the surface of the component.
【００２３】 圧電デバイス部品を真空チャンバー中
に設置して気化したシラン化合物及びオゾンをそれぞれ
の導入口から各々１〜１０ｓｃｃｍの流量でチャンバー
中に導入し部品表面にシラン化合物を反応付着させる。The piezoelectric device component is placed in a vacuum chamber, and the vaporized silane compound and ozone are introduced into the chamber from the respective inlets at a flow rate of 1 to 10 sccm, and the silane compound is reactively attached to the surface of the component.
【００２４】 圧電デバイス部品を真空チャンバー中
に設置して気化したシラン化合物１〜１０ｓｃｃｍの流
量でチャンバー中に導入すると同時にマイクロ波放電方
式のプラズマガンで２００Ｗの放電で形成したアルゴン
プラズマ（その他不活性ガス、酸素、窒素でもよい。）
を１〜１０ｓｃｃｍの流量でチャンバー中に導入し部品
表面にシラン化合物を反応付着させる。The piezoelectric device component was placed in a vacuum chamber, and the vaporized silane compound was introduced into the chamber at a flow rate of 1 to 10 sccm, and at the same time, an argon plasma (other inert gas was formed by a microwave discharge type plasma gun at 200 W discharge). It may be gas, oxygen or nitrogen.)
Is introduced into the chamber at a flow rate of 1 to 10 sccm, and a silane compound is reactively attached to the surface of the component.
【００２５】用いるシラン化合物として好ましくは、ジ
メチルビニルクロロシラン、メチルビニルジクロロシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
及びγ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラ
ンが挙げられる。The silane compound used is preferably dimethylvinylchlorosilane, methylvinyldichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane and γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane.
【００２６】これらの接着性付与処理により、パリレン
膜の圧電性セラミック基体、電極及びデバイス組み立て
に用いた接着剤に対する剥離強度をいずれも３〜３０倍
にすることができる。又、電極の陽極酸化処理を省いて
も同等の信頼性及び使用耐久性を得ることができる。By these adhesion imparting treatments, the peel strength of the parylene film with respect to the piezoelectric ceramic substrate, the electrode and the adhesive used for assembling the device can be increased 3 to 30 times. Further, even if the anodic oxidation treatment of the electrode is omitted, the same reliability and service durability can be obtained.
【００２７】以上の様にして形成した圧電セラミック素
子を有するＳＡＷフィルタと、比較のために陽極酸化処
理を施さずパリレン膜のみを形成した圧電セラミック素
子を有するＳＡＷフィルタとで、８０％ＲＨ、４０℃の
条件下連続使用試験を行ったところ、本発明に係るＳＡ
Ｗフィルタでは２０００時間以上、性能低下を起こさず
機能したが、比較のＳＡＷフィルタでは１０００時間で
電極の腐食により相対振幅が−３０ｄＢより悪化し、使
用不可能な状態になった。The SAW filter having the piezoelectric ceramic element formed as described above and the SAW filter having the piezoelectric ceramic element not subjected to the anodizing treatment but having only the parylene film for comparison are 80% RH, 40%. When the continuous use test was conducted under the condition of ℃, SA according to the present invention
The W filter functioned for 2000 hours or more without causing performance degradation, but the comparative SAW filter had a relative amplitude worse than -30 dB due to electrode corrosion at 1000 hours, and became unusable.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明によれば、圧電性セラミック基体
上に形成した電極膜を陽極酸化処理した後、気相合成法
によってポリパラキシリレン又はその誘導体からなる樹
脂被膜を形成して保護するので、信頼性及び使用耐久性
に優れる圧電セラミック素子を得ることができる。According to the present invention, after the electrode film formed on the piezoelectric ceramic substrate is subjected to anodizing treatment, a resin film made of polyparaxylylene or its derivative is formed and protected by a vapor phase synthesis method. Therefore, it is possible to obtain a piezoelectric ceramic element having excellent reliability and durability in use.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−60083（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−46474（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−234116（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−92009（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−166909（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−42884（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/145 H03H 9/25 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-3-60083 (JP, A) JP-A-8-46474 (JP, A) JP-A-61-234116 (JP, A) JP-A-2- 92009 (JP, A) JP-A-2-166909 (JP, A) JP-A-3-42884 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H03H 9/145 H03H 9 /twenty five
Claims (14)
された電極膜及び気相合成法によって形成されたポリパ
ラキシリレン又はその誘導体からなる樹脂被膜をこの順
に有することを特徴とする圧電セラミック素子。1. A piezoelectric ceramic element having an electrode film anodized on a piezoelectric ceramic substrate and a resin film made of polyparaxylylene or its derivative formed by a vapor phase synthesis method in this order. .
施されたものであることを特徴とする請求項１に記載の
圧電セラミック素子。2. The piezoelectric ceramic element according to claim 1, wherein the resin coating is plasma-treated after being formed.
ルミニウム、タンタル又はチタニウムからなる電極膜
を、陽極酸化処理した後、気相合成法によってポリパラ
キシリレン又はその誘導体からなる樹脂被膜を形成する
ことを特徴とする電極の保護方法。3. An electrode film made of aluminum, tantalum or titanium formed on a piezoelectric ceramic substrate is subjected to anodizing treatment, and then a resin film made of polyparaxylylene or its derivative is formed by a vapor phase synthesis method. A method for protecting an electrode, comprising:
を施すことを特徴とする請求項３に記載の電極の保護方
法。4. The method for protecting an electrode according to claim 3, wherein plasma treatment is performed after the resin coating is formed.
る処理を行うことを特徴とする請求項３又は４に記載の
電極の保護方法。5. The method of protecting an electrode according to claim 3, wherein a treatment for imparting adhesiveness is performed before forming the resin film.
ニルクロロシラン、メチルビニルジクロロシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン及びγ−
メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシランから選
ばれるシラン化合物を用いることを特徴とする請求項５
に記載の電極の保護方法。6. The treatment for imparting adhesiveness includes dimethylvinylchlorosilane, methylvinyldichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane and γ.
-Methacryloxypropyltrimethoxysilane and γ-
A silane compound selected from methacryloxypropylmethyldimethoxysilane is used.
The method of protecting an electrode according to.
ッタリングによりアルミニウム、タンタル又はチタニウ
ムからなる電極膜を形成し、接着性を付与する処理を行
ったのち、気相合成法によってポリパラキシリレン又は
その誘導体からなる樹脂被膜を形成し、その後、前記樹
脂被膜に、更にプラズマ処理を施すことを特徴とする電
極の保護方法。7. An electrode film made of aluminum, tantalum, or titanium is formed on a piezoelectric ceramic substrate by vapor deposition or sputtering, and a treatment for imparting adhesiveness is performed, and then polyparaxylylene or a polyparaxylylene derivative thereof is prepared by a vapor phase synthesis method. A resin film made of a derivative is formed , and then the resin
A method for protecting an electrode , further comprising subjecting an oil film to plasma treatment .
ム、タンタル又はチタニウムからなる電極膜を形成し、
接着性を付与する処理を行ったのち、気相合成法によっ
てポリパラキシリレン又はその誘導体からなる樹脂被膜
を形成し、その後、前記樹脂被膜にプラズマ処理を施す
ことを特徴とする電極の保護方法。8. An electrode film made of aluminum, tantalum or titanium is formed on a piezoelectric ceramic substrate,
After performing a treatment for imparting adhesiveness, a resin coating film made of polyparaxylylene or a derivative thereof is formed by a vapor phase synthesis method, and then a plasma treatment is applied to the resin coating method. .
ッタリングによりアルミニウム、タンタル又はチタニウ
ムからなる電極膜及び接着性を付与する処理を行ったの
ち気相合成法によって形成されたポリパラキシリレン又
はその誘導体からなる樹脂被膜をこの順に有し、前記樹
脂被膜が形成後にプラズマ処理が施されたものであるこ
とを特徴とする圧電セラミック素子。9. A polyparaxylylene or a derivative thereof formed by a vapor phase synthesis method after performing an electrode film made of aluminum, tantalum or titanium on a piezoelectric ceramic substrate by vapor deposition or sputtering and a treatment for imparting adhesiveness. the resin coating of possess in this order, the tree
A piezoelectric ceramic element characterized by being subjected to plasma treatment after forming an oil film .
ム、タンタル又はチタニウムからなる電極膜及び接着性
を付与する処理を行ったのち気相合成法によって形成さ
れたポリパラキシリレン又はその誘導体からなる樹脂被
膜をこの順に有し、前記樹脂被膜がプラズマ処理を施さ
れていることを特徴とする圧電セラミック素子。10. A resin film made of polyparaxylylene or a derivative thereof formed on a piezoelectric ceramic substrate by an electrode film made of aluminum, tantalum or titanium and a treatment for imparting adhesiveness and then formed by a vapor phase synthesis method. And the resin coating is subjected to a plasma treatment.
mであることを特徴とする請求項１、２、９及び１０の
いずれかに記載の圧電セラミックス素子。11. The resin coating has a thickness of 1.0 to 10 μm.
11. The piezoelectric ceramic element according to claim 1, wherein the piezoelectric ceramic element is m.
mであることを特徴とする請求項３乃至８のいずれかに
記載の電極の保護方法。12. The resin coating has a thickness of 1.0 to 10 μm.
The method for protecting an electrode according to any one of claims 3 to 8 , wherein m is m.
酸ジルコン酸鉛であることを特徴とする請求項１、２、
９及び１０のいずれかに記載の圧電セラミックス素子。13. The piezoelectric ceramic substrate is lead zirconate titanate, as claimed in claim 1,
11. The piezoelectric ceramic element according to any one of 9 and 10 .
酸ジルコン酸鉛であることを特徴とする請求項３乃至８
のいずれかに記載の電極の保護方法。14. The method of claim 3 to 8 wherein the piezoelectric ceramic substrate is characterized in that it is a lead zirconate titanate
The method for protecting an electrode according to any one of 1.
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