JP3413358B2 - 固体撮像装置及びその特性検査方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその特性検査方法Info
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- JP3413358B2 JP3413358B2 JP18346298A JP18346298A JP3413358B2 JP 3413358 B2 JP3413358 B2 JP 3413358B2 JP 18346298 A JP18346298 A JP 18346298A JP 18346298 A JP18346298 A JP 18346298A JP 3413358 B2 JP3413358 B2 JP 3413358B2
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- charge
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Testing, Inspecting, Measuring Of Stereoscopic Televisions And Televisions (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置及び
その特性検査方法に関するものである。
その特性検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＣＤ固体撮像素子（以下、「Ｃ
ＣＤ」という）において、入力信号は光信号のみであ
り、オーバーフロードレイン（以下、「ＯＦＤ」とい
う）電圧やブルーミング特性を測定するため、以下の測
定フローを用いていた。
ＣＤ」という）において、入力信号は光信号のみであ
り、オーバーフロードレイン（以下、「ＯＦＤ」とい
う）電圧やブルーミング特性を測定するため、以下の測
定フローを用いていた。
【０００３】まず、ＯＦＤ電圧を設定する。次にＣＣＤ
が転送可能な電荷の数百から数千倍の過剰電荷を発生さ
せるために、高輝度の光信号を図５及び図６に示すＣＣ
Ｄの受光部２１のフォトダイオード２７に照射し、フォ
トダイオード２７にて光電変換効果により光量を電荷量
に変換し蓄積する。
が転送可能な電荷の数百から数千倍の過剰電荷を発生さ
せるために、高輝度の光信号を図５及び図６に示すＣＣ
Ｄの受光部２１のフォトダイオード２７に照射し、フォ
トダイオード２７にて光電変換効果により光量を電荷量
に変換し蓄積する。
【０００４】次に、ＣＣＤで転送できない過剰な電荷を
オーバーフロードレインゲートから排出する。残りの信
号電荷のみを垂直転送部２３へ送り、ＣＣＤ垂直転送信
号により、順次水平転送部２４に転送する。垂直転送部
２３から転送された電荷は水平転送部２４で水平転送パ
ルスにて、ＣＣＤ出力部２５に転送される。ＣＣＤ出力
部２５では電荷量が電圧に変換され、出力端子を介して
出力レベルを測定することにより、信号電荷量を等価的
に測定する。また、ＣＣＤ転送部から溢れた電荷によ
る、図５のオプティカルブラック部（ＯＢ部）２２にお
ける転送電荷量を測定する。
オーバーフロードレインゲートから排出する。残りの信
号電荷のみを垂直転送部２３へ送り、ＣＣＤ垂直転送信
号により、順次水平転送部２４に転送する。垂直転送部
２３から転送された電荷は水平転送部２４で水平転送パ
ルスにて、ＣＣＤ出力部２５に転送される。ＣＣＤ出力
部２５では電荷量が電圧に変換され、出力端子を介して
出力レベルを測定することにより、信号電荷量を等価的
に測定する。また、ＣＣＤ転送部から溢れた電荷によ
る、図５のオプティカルブラック部（ＯＢ部）２２にお
ける転送電荷量を測定する。
【０００５】以上の測定を繰り返し、最適なＯＦＤ電圧
を求めている。
を求めている。
【０００６】つまり、上述の測定フローにおいて、オー
バーフロードレインゲートの制御電圧を変化させ、オー
バーフロードレインゲートから排出される電荷量を調整
することにより、ＣＣＤ部へ転送可能な電荷量以上の電
荷が転送された場合、ＯＢ部２２のフォトダイオード２
７においては、転送された電荷がないにも拘わらず、受
光部２１のフォトダイオード２７に対応したＣＣＤ転送
部から溢れた電荷が、ＯＢ部２２に対応したＣＣＤ転送
電荷として測定される。そして、このＯＢ部２２に対応
したＣＣＤ転送電荷として測定された、漏れ電荷量が基
準以下になるＯＦＤ電圧をサーチすることにより、高輝
度時の最適ＯＦＤ電圧を求めている。
バーフロードレインゲートの制御電圧を変化させ、オー
バーフロードレインゲートから排出される電荷量を調整
することにより、ＣＣＤ部へ転送可能な電荷量以上の電
荷が転送された場合、ＯＢ部２２のフォトダイオード２
７においては、転送された電荷がないにも拘わらず、受
光部２１のフォトダイオード２７に対応したＣＣＤ転送
部から溢れた電荷が、ＯＢ部２２に対応したＣＣＤ転送
電荷として測定される。そして、このＯＢ部２２に対応
したＣＣＤ転送電荷として測定された、漏れ電荷量が基
準以下になるＯＦＤ電圧をサーチすることにより、高輝
度時の最適ＯＦＤ電圧を求めている。
【０００７】また、ＯＦＤ電圧測定のときとほぼ同じ条
件で有るが、より強い光を当てて、ＣＣＤ転送部への信
号電荷の漏れを測定するブルーミング測定時も同様に高
輝度の光信号を入力し、光が当たらないＯＢ部に相当す
る転送電荷量を測定することにより、ブルーミング特性
を測定している。ＴＶなどの画面では強いスポット光を
当てたとき、光の当たっていない部分にも光信号（偽信
号）が現れる。ブルーミング特性の測定とＯＦＤ電圧の
設定とは密接に関係がある。別の言い方をすると、ブル
ーミングが生じないような電圧に、ＯＦＤ電圧を設定す
るようにしている。
件で有るが、より強い光を当てて、ＣＣＤ転送部への信
号電荷の漏れを測定するブルーミング測定時も同様に高
輝度の光信号を入力し、光が当たらないＯＢ部に相当す
る転送電荷量を測定することにより、ブルーミング特性
を測定している。ＴＶなどの画面では強いスポット光を
当てたとき、光の当たっていない部分にも光信号（偽信
号）が現れる。ブルーミング特性の測定とＯＦＤ電圧の
設定とは密接に関係がある。別の言い方をすると、ブル
ーミングが生じないような電圧に、ＯＦＤ電圧を設定す
るようにしている。
【０００８】尚、遮光メタルを通じてフォトダイオード
近傍に、任意の電圧を加えるようにした先行技術として
は、特開平５−２９６００号公報がある。
近傍に、任意の電圧を加えるようにした先行技術として
は、特開平５−２９６００号公報がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の、ＣＣＤ固体撮
像素子のＯＦＤ電圧等を測定する場合は、標準光量の５
００倍、１０００倍と高輝度の光信号を必要とし、光源
の機能として、１ルクス以下の低照度から数１０００ル
クスの高照度までの非常に広範囲な照度の光信号を発生
・制御する機能が必要となり、ランプの制御やレンズの
大口径・ＮＤフィルタの増加等により、光源装置が高価
格化になる、機構が複雑となり、条件設定に時間がかか
る、絶対光量の管理のためキャリブレーションが必要な
る等の課題がある。
像素子のＯＦＤ電圧等を測定する場合は、標準光量の５
００倍、１０００倍と高輝度の光信号を必要とし、光源
の機能として、１ルクス以下の低照度から数１０００ル
クスの高照度までの非常に広範囲な照度の光信号を発生
・制御する機能が必要となり、ランプの制御やレンズの
大口径・ＮＤフィルタの増加等により、光源装置が高価
格化になる、機構が複雑となり、条件設定に時間がかか
る、絶対光量の管理のためキャリブレーションが必要な
る等の課題がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
の固体撮像装置は、光信号を電気信号に変換する受光部
と、遮光メタルにより光が当たらないように形成された
オプティカルブラック部とを有する固体撮像装置におい
て、上記オプティカルブラック部が、受光部における第
１フォトダイオードと同じ構造の複数の第２フォトダイ
オードを有し、且つ、上記遮光メタルと少なくとも１つ
の上記第２フォトダイオードとを電気的に接続し、且
つ、上記遮光メタルに所望量の電荷を電気的に注入する
電荷注入手段を有することを特徴とするものである。
の固体撮像装置は、光信号を電気信号に変換する受光部
と、遮光メタルにより光が当たらないように形成された
オプティカルブラック部とを有する固体撮像装置におい
て、上記オプティカルブラック部が、受光部における第
１フォトダイオードと同じ構造の複数の第２フォトダイ
オードを有し、且つ、上記遮光メタルと少なくとも１つ
の上記第２フォトダイオードとを電気的に接続し、且
つ、上記遮光メタルに所望量の電荷を電気的に注入する
電荷注入手段を有することを特徴とするものである。
【００１１】また、請求項２に記載の本発明の固体撮像
装置の特性検査方法は、上記オプティカルブラック部の
第２フォトダイオードに電荷を注入し、オーバーフロー
ドレインゲート制御電圧の調整又はブルーミング特性測
定を行う、請求項１に記載の固体撮像装置の特性検査方
法において、所望の輝度信号に相当する電荷量を印加電
流及び印加時間で制御することにより、上記第２フォト
ダイオードに注入することを特徴とするものである。
装置の特性検査方法は、上記オプティカルブラック部の
第２フォトダイオードに電荷を注入し、オーバーフロー
ドレインゲート制御電圧の調整又はブルーミング特性測
定を行う、請求項１に記載の固体撮像装置の特性検査方
法において、所望の輝度信号に相当する電荷量を印加電
流及び印加時間で制御することにより、上記第２フォト
ダイオードに注入することを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、一実施の形態に基づいて、
本発明について詳細に説明する。
本発明について詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施の形態の固体撮像装
置の構成図であり、図２は図１のオプティカルブラック
部２における第１フォトダイオード部８の断面図であ
り、図３は図１のオプティカルブラック部２における第
２フォトダイオード部９の断面図であり、図４は図１の
受光部１におけるフォトダイオード部７の断面図であ
る。図１乃至図４において、１は受光部、２はオプティ
カルブラック部、３は垂直転送部、４は水平転送部、５
は出力部、６は電荷・電圧変換回路、７は受光部におけ
るフォトダイオード部、８はオプティカルブラック部に
おける第１フォトダイオード部、９はオプティカルブラ
ック部おける第２フォトダイオード部、１０はＰ型半導
体基板、１１はオーバーフロードレイン、１２はＰ-ウ
エル、１３はフォトダイオードとなるＮ-層、１４は垂
直転送部となるＮ-層、１５は絶縁膜、１６はポリシリ
コンゲート、１７は遮光メタル、１８は遮光メタルとの
接続部分となるＮ+層、１９は遮光メタル端子を示す。
置の構成図であり、図２は図１のオプティカルブラック
部２における第１フォトダイオード部８の断面図であ
り、図３は図１のオプティカルブラック部２における第
２フォトダイオード部９の断面図であり、図４は図１の
受光部１におけるフォトダイオード部７の断面図であ
る。図１乃至図４において、１は受光部、２はオプティ
カルブラック部、３は垂直転送部、４は水平転送部、５
は出力部、６は電荷・電圧変換回路、７は受光部におけ
るフォトダイオード部、８はオプティカルブラック部に
おける第１フォトダイオード部、９はオプティカルブラ
ック部おける第２フォトダイオード部、１０はＰ型半導
体基板、１１はオーバーフロードレイン、１２はＰ-ウ
エル、１３はフォトダイオードとなるＮ-層、１４は垂
直転送部となるＮ-層、１５は絶縁膜、１６はポリシリ
コンゲート、１７は遮光メタル、１８は遮光メタルとの
接続部分となるＮ+層、１９は遮光メタル端子を示す。
【００１４】本発明は、標準的な画素構成のＣＣＤ固体
撮像素子において、受光部１と隣接するように設けられ
た基準レベル用のオプティカルブラック部（以下、「Ｏ
Ｂ部」という）２を利用し、図３に示すようなフォトダ
イオードとなるＮ-層１３と遮光メタル１７とが絶縁膜
１５で電気的に絶縁された従来の構造から、図２に示す
ようにフォトダイオードとなるＮ-層１３に電荷を注入
するために、遮光メタル１７とフォトダイオードとなる
Ｎ-層１３とが接続部分となるＮ+層１８を介して電気的
に接続されている構造とすることで、ＯＢ部２の遮光メ
タル１７から、外部より与えられた、光により光電変換
された電荷と同等の電荷を注入することが可能となり、
ＯＦＤ電圧測定に必要な高輝度時の光信号に相当する電
荷を電気的に注入することができる。
撮像素子において、受光部１と隣接するように設けられ
た基準レベル用のオプティカルブラック部（以下、「Ｏ
Ｂ部」という）２を利用し、図３に示すようなフォトダ
イオードとなるＮ-層１３と遮光メタル１７とが絶縁膜
１５で電気的に絶縁された従来の構造から、図２に示す
ようにフォトダイオードとなるＮ-層１３に電荷を注入
するために、遮光メタル１７とフォトダイオードとなる
Ｎ-層１３とが接続部分となるＮ+層１８を介して電気的
に接続されている構造とすることで、ＯＢ部２の遮光メ
タル１７から、外部より与えられた、光により光電変換
された電荷と同等の電荷を注入することが可能となり、
ＯＦＤ電圧測定に必要な高輝度時の光信号に相当する電
荷を電気的に注入することができる。
【００１５】したがって、本発明により、ＯＦＤ電圧測
定やブルーミング特性において、ＯＢ領域を利用して、
高輝度な信号を使用しないで測定することが可能とな
る。
定やブルーミング特性において、ＯＢ領域を利用して、
高輝度な信号を使用しないで測定することが可能とな
る。
【００１６】図２に示すように、本発明で用いる遮光メ
タル１７を介して電荷を注入できる構造のフォトダイオ
ードの構成を示す。
タル１７を介して電荷を注入できる構造のフォトダイオ
ードの構成を示す。
【００１７】つまり、従来絶縁膜１５で絶縁されている
遮光メタル１７とフォトダイオードとなるＮ-層１３を
電気的に接続するため、フォトダイオード上部の絶縁膜
１５に窓を開け、且つ、窓開け部分とのコンタクト部に
高濃度のＮ+層１８を設ける。
遮光メタル１７とフォトダイオードとなるＮ-層１３を
電気的に接続するため、フォトダイオード上部の絶縁膜
１５に窓を開け、且つ、窓開け部分とのコンタクト部に
高濃度のＮ+層１８を設ける。
【００１８】本発明のＯＢ部２のフォトダイオード部８
の構造は、従来のオプティカルブラック部のフォトダイ
オード部９の構造と比べて、遮光メタル１７がＮ-層１
３と接続されているか否か以外は同じ構造であり、容易
に実現できる。
の構造は、従来のオプティカルブラック部のフォトダイ
オード部９の構造と比べて、遮光メタル１７がＮ-層１
３と接続されているか否か以外は同じ構造であり、容易
に実現できる。
【００１９】そして、このＯＦＤ電圧やブルーミング測
定時に、本実施の形態では、ＯＢ部の遮光メタル１７か
ら光信号によりＯＦＤ電圧測定やブルーミング測定に必
要な高輝度測定条件で光電変換される電荷に相当する電
荷量を、 電荷量Ｑ［Ｃ］＝印加電流量Ｉ［Ａ］×時間Ｔ［Ｓ］ の関係から、印加電流と印加時間で制御し、遮光メタル
端子１９から、フォトダイオードとなるＮ-層１３へＮ+
層１８を介して電荷を注入する。この電荷を、受光部の
フォトダイオードからの電荷と同様、読み出し信号に
て、垂直転送部３、水平転送部４、出力部５及び電荷・
電圧変換回路６を介して読み出す。
定時に、本実施の形態では、ＯＢ部の遮光メタル１７か
ら光信号によりＯＦＤ電圧測定やブルーミング測定に必
要な高輝度測定条件で光電変換される電荷に相当する電
荷量を、 電荷量Ｑ［Ｃ］＝印加電流量Ｉ［Ａ］×時間Ｔ［Ｓ］ の関係から、印加電流と印加時間で制御し、遮光メタル
端子１９から、フォトダイオードとなるＮ-層１３へＮ+
層１８を介して電荷を注入する。この電荷を、受光部の
フォトダイオードからの電荷と同様、読み出し信号に
て、垂直転送部３、水平転送部４、出力部５及び電荷・
電圧変換回路６を介して読み出す。
【００２０】そして、従来手法と同様に、オーバーフロ
ードレインゲートの制御電圧（ＯＦＤ電圧）を変化させ
ることにより、オーバーフロードレインゲートから排出
される電荷量を変化させ、オーバーフロードレインゲー
トから排出される電荷量を調整する。これにより、フォ
トダイオード８からＣＣＤ部へ転送可能な電荷量以上の
電荷が転送された場合、従来のＯＢ部２におけるフォト
ダイオード９からの転送された電荷がないにも拘わら
ず、本発明を施したＯＢ部２のフォトダイオード８に対
応したＣＣＤ転送部から電荷が溢れ、従来構造のフォト
ダイオード９に対応したＣＣＤ転送部にも漏れ出してく
る。
ードレインゲートの制御電圧（ＯＦＤ電圧）を変化させ
ることにより、オーバーフロードレインゲートから排出
される電荷量を変化させ、オーバーフロードレインゲー
トから排出される電荷量を調整する。これにより、フォ
トダイオード８からＣＣＤ部へ転送可能な電荷量以上の
電荷が転送された場合、従来のＯＢ部２におけるフォト
ダイオード９からの転送された電荷がないにも拘わら
ず、本発明を施したＯＢ部２のフォトダイオード８に対
応したＣＣＤ転送部から電荷が溢れ、従来構造のフォト
ダイオード９に対応したＣＣＤ転送部にも漏れ出してく
る。
【００２１】従って、従来構造のフォトダイオード９に
対応したＣＣＤ転送電荷を測定し、漏れ電荷量が基準以
下になるＯＦＤ電圧をサーチすることにより、高輝度時
に相当する最適ＯＦＤ電圧を求めることができる。
対応したＣＣＤ転送電荷を測定し、漏れ電荷量が基準以
下になるＯＦＤ電圧をサーチすることにより、高輝度時
に相当する最適ＯＦＤ電圧を求めることができる。
【００２２】また、ブルーミング測定時も同様に高輝度
の光信号の代わりに、ＯＢ部遮光メタル端子から電流を
印加し、光が当たらないＯＢ部に相当する従来構造のフ
ォトダイオードに対応した転送電荷量を測定することに
より、高輝度時映像のブルーミング特性を測定すること
ができる。
の光信号の代わりに、ＯＢ部遮光メタル端子から電流を
印加し、光が当たらないＯＢ部に相当する従来構造のフ
ォトダイオードに対応した転送電荷量を測定することに
より、高輝度時映像のブルーミング特性を測定すること
ができる。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、高輝度の光信号が必要な測定をすべて電気的に
行えるため、高輝度の光源が不要となる。また、光源を
使用しないので、光源設定時に発生するフィルタ等の機
械的な制御時間が省略でき、検査時間の短縮となる。ま
た、一般的に照度の維持・制御は電気的信号に比べて困
難であり、精度も低いため、光信号を電気的信号に置き
換えることにより、測定精度を向上させることができ
る。
よれば、高輝度の光信号が必要な測定をすべて電気的に
行えるため、高輝度の光源が不要となる。また、光源を
使用しないので、光源設定時に発生するフィルタ等の機
械的な制御時間が省略でき、検査時間の短縮となる。ま
た、一般的に照度の維持・制御は電気的信号に比べて困
難であり、精度も低いため、光信号を電気的信号に置き
換えることにより、測定精度を向上させることができ
る。
【００２４】さらに、実際の画素部とは異なるＯＢ部を
使用し測定するため、受光部とＯＢ部とで異なる測定項
目を並列に測定でき、さらに検査時間の短縮が可能とな
る等の効果がある。
使用し測定するため、受光部とＯＢ部とで異なる測定項
目を並列に測定でき、さらに検査時間の短縮が可能とな
る等の効果がある。
【図１】本発明の一実施の形態の固体撮像装置の構成図
である。
である。
【図２】図１のオプティカルブラック部における第１フ
ォトダイオードの断面図である。
ォトダイオードの断面図である。
【図３】図１のオプティカルブラック部における第２フ
ォトダイオードの断面図である。
ォトダイオードの断面図である。
【図４】図１の受光部におけるフォトダイオードの断面
図である。
図である。
【図５】従来のＣＣＤ固体撮像装置の構成図である。
【図６】従来のＣＣＤ固体撮像装置の受光部の構成図で
ある。
ある。
１ 受光部
２ オプティカルブラック部
３ 垂直転送部
４ 水平転送部
５ 出力部
６ 電荷・電圧変換回路
７ 受光部におけるフォトダイオード部
８ オプティカルブラック部における第１フォトダイオ
ード部 ９ オプティカルブラック部における第２フォトダイオ
ード部 １０ Ｐ型半導体基板 １１ オーバーフロードレイン １２ Ｐ-ウエル １３ フォトダイオードとなるＮ-層 １４ 垂直転送部となるＮ-層 １５ 絶縁膜 １６ ポリシリコンゲート １７ 遮光メタル １８ 遮光メタルとの接続部分となるＮ+層 １９ 遮光メタル端子
ード部 ９ オプティカルブラック部における第２フォトダイオ
ード部 １０ Ｐ型半導体基板 １１ オーバーフロードレイン １２ Ｐ-ウエル １３ フォトダイオードとなるＮ-層 １４ 垂直転送部となるＮ-層 １５ 絶縁膜 １６ ポリシリコンゲート １７ 遮光メタル １８ 遮光メタルとの接続部分となるＮ+層 １９ 遮光メタル端子
Claims (2)
- 【請求項１】 光信号を電気信号に変換する受光部と、
遮光メタルにより光が当たらないように形成されたオプ
ティカルブラック部とを有する固体撮像装置において、 上記オプティカルブラック部が、受光部における第１フ
ォトダイオードと同じ構造の複数の第２フォトダイオー
ドを有し、且つ、上記遮光メタルと少なくとも１つの上
記第２フォトダイオードとを電気的に接続し、且つ、上
記遮光メタルに所望量の電荷を電気的に注入する電荷注
入手段を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 上記オプティカルブラック部の第２フォ
トダイオードに電荷を注入し、オーバーフロードレイン
ゲート制御電圧の調整又はブルーミング特性測定を行
う、請求項１に記載の固体撮像装置の特性検査方法にお
いて、 所望の輝度信号に相当する電荷量を印加電流及び印加時
間で制御することにより、上記第２フォトダイオードに
注入することを特徴とする、固体撮像装置の特性検査方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18346298A JP3413358B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 固体撮像装置及びその特性検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18346298A JP3413358B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 固体撮像装置及びその特性検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000022123A JP2000022123A (ja) | 2000-01-21 |
| JP3413358B2 true JP3413358B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=16136213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18346298A Expired - Fee Related JP3413358B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 固体撮像装置及びその特性検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3413358B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9508766B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors and methods of fabricating the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5216259B2 (ja) * | 2007-07-02 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
-
1998
- 1998-06-30 JP JP18346298A patent/JP3413358B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9508766B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors and methods of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000022123A (ja) | 2000-01-21 |
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