JP3408634B2 - Frame phase synchronization circuit - Google Patents

Frame phase synchronization circuit

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JP3408634B2
JP3408634B2 JP19397894A JP19397894A JP3408634B2 JP 3408634 B2 JP3408634 B2 JP 3408634B2 JP 19397894 A JP19397894 A JP 19397894A JP 19397894 A JP19397894 A JP 19397894A JP 3408634 B2 JP3408634 B2 JP 3408634B2
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memory
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国一 池村
健一 ▲高▼▲崎▼
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】この発明はフレーム位相同期回路
に関し、例えば、SDH(Synchronous D
igital Hierarchy:同期デジタルハイ
アラーキ)伝送装置の装置内伝送フレームのフレーム位
相同期回路に適用し得るものである。 【0002】 【従来の技術】近年、これまでの電話を中心としたサー
ビスから、データや映像までを含む多彩なサービスに効
率よく適用できる多重化方式としてSDHが国際的に標
準化されつつある。 【0003】この同期デジタルハイアラーキの多重化装
置においては、伝送路から入力される複数の多重化情報
のフレーム位相を装置内の基準フレーム位相に同期させ
る必要があった。この方法としては、ポインタによるフ
レーム位相同期方法が採用されている。 【0004】これは、同期多重化において、125μs
ecごとのフレーム同期をとる際に、多重化処理遅延時
間を最小とするために、伝送フレームの時間位相と多重
化情報のフレーム時間位相との差を、タイムスロットの
アドレス位置の差として表示する方法で、メモリの容量
を小さくできる。 【0005】このように伝送路から入力する複数のフレ
ームを複数のボードで受け、装置内の基準フレーム位相
に同期させて装置内の他ボードに伝送する。装置内の各
ボードに分配される基準フレームには、分配回路や配線
長の違いによる遅延差があり、装置内伝送フレームに位
相差が生じていた。 【0006】また、装置内伝送フレームを多重化した
り、ビット同期する過程でも位相差が拡大するので、最
終的に数ビットの位相差を生じる可能性がある。従っ
て、装置内伝送においても、複数のボードから入力する
装置内伝送フレームのフレーム間位相差を吸収し、フレ
ーム位相を同期させる回路が必要であった。 【0007】このような回路の技術については、例え
ば、特開平3−249830号公報、特開平4−728
34号公報、特開昭63−220629号公報などに提
案されている。また、オーム社発行『SDH伝送方
式』、ページ46〜56、3・4ポインタの役割などに
も基本的な技術が解説されている。 【0008】これらの技術は入力フレーム信号の先頭を
示すフレームパルスの中から最も遅いタイミングを検出
して、メモリのリードリセット信号を生成する構成(方
法)であった。また、フレームパルスはフレーム信号と
同様にエラスティック(elastic:融通性のあ
る)回路を介して転送されるものであった。 【0009】尚、このようなエラスティックストア(e
lastic store)回路とは、例えば、書込み
と読出しと独立に異なる速度で行い得るような回路であ
る。 【0010】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構成(方法)ではフレームパルスやライトリセット等の
パルス信号によって最適位相を検出していたので、パル
スを引き伸ばす回路が必要となっていた。このため『回
路規模が大きくなっていた』。 【0011】例えば、パルスを引き伸ばす回路をセット
リセット(RS)フリップフロップで構成し、リードリ
セットパルスで解除する構成にすると回路は小型になる
が、次のような問題があった。 【0012】即ち、所定の数のライトリセットパルスが
全て揃った時点でリードリセットパルスを出力するもの
であるので、1フレーム以内に全てのライトリセットパ
ルスが揃わないと次フレームまで残りのライトリセット
パルスの到着を待つことになり、最後のライトリセット
パルスが到着した時点でリードリセットパルスを出力す
ることになった。 【0013】従って、それが所定の数のライトリセット
パルスの中でどのような位相のものであるか否かの予測
がつかないので、リードリセットパルスの出力位相が最
適となる保証はなかった。 【0014】このような問題を解決するためにはライト
リセットパルスを1フレーム以下の特定の幅に引き伸ば
し、最適な位相を検出する処理を1フレーム以内に終了
させるような手段を設ける必要があった。例えば、モノ
マルチバイブレータ等を使用することも考えられるが、
『回路規模が大きくなる』という問題があった。 【0015】以上のようなことから、簡単な回路構成で
同期デジタルハイアラーキ信号を取り込み、精度良くフ
レーム位相同期をとることができる仕組みの提供が要請
されていた。 【0016】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、信号の記憶と、読出しとを独立に行い得
るエラスティックストア回路(SDH入力回路も含む)
を複数備えたフレーム信号同期回路であって、前記各エ
ラスティックストア回路は、(1)入力データを第1の
記憶タイミング信号に従って記憶する第1の記憶手段
と、(2)第1の記憶手段のデータを第1の読出タイミ
ング信号に従って読み出す第1の読出手段と、(3)入
力フレーム信号を第2の記憶タイミング信号に従って記
憶する第2の記憶手段と、(4)第2の記憶手段のフレ
ーム信号を第2の読出タイミング信号に従って読み出す
第2の読出手段とを具備し、(5)各エラスティックス
トア回路内の第2の記憶手段から供給されるフレーム信
号の比較を行い、この比較結果信号を生成する比較結果
生成手段と、(6)この比較結果信号から上記第1の読
出手段の第1の読出タイミング信号の生成と、第2の読
出手段の第2の読出タイミング信号の生成とを制御し、
フレーム位相が同期し得る制御を行う制御手段とを備
え、(7)各エラスティックストア回路内の第2の記憶
手段から供給されるフレーム信号についてフレーム位相
同期をとることを特徴とする。 【0017】 【0018】 【0019】 【0020】 【0021】 【作用】この発明のフレーム位相同期回路に含まれる各
エラスティックストア回路によれば、入力データと入力
フレーム信号とを第1の記憶タイミング信号と第2の記
憶タイミング信号とで記憶させることができると共に、
第1の記憶手段と第2の記憶手段に記憶されているデー
タとフレーム信号とを独立に第1の読出タイミング信号
と第2の読出タイミング信号とによって読み出させるこ
ともできるのである。 【0022】そして、第2の記憶手段に書き込まれたフ
レーム信号を出力し得るように構成しているので、従来
のようなフレーム信号を引き伸ばすような回路を必要と
せず、回路の小形化を図ることができる。 【0023】更に、上述の構成のエラスティックストア
回路を使用した本発明のフレーム位相同期回路の発明に
おいては、複数のエラスティックストア回路から供給さ
れる各フレーム信号の位相同期をとるために、フレー
ム信号の信号比較(例えば、タイミングの比較など)を
行う。この比較によって得られる比較結果信号からフレ
ーム位相同期した信号と、データを出力させるためのタ
イミング制御を精度良く最適に行うものである。 【0024】このような構成で、第2の記憶手段に記憶
されているフレーム信号を使用するので、リードリセッ
トパルスの遅延を小さくすることができると考えられ
る。 【0025】 【実施例】次にこの発明の好適な実施例を図面を用いて
説明する。 『フレーム位相同期回路の構成』: 図1はこの一実
施例のフレーム位相同期回路の機能ブロック図である。
この図1において、フレーム位相同期回路は、エラステ
ィックストア回路100と、AND回路200と、微分
回路300とから構成されている。 【0026】更に、エラスティックストア回路100
は、書き込みカウンタ110と、第1のメモリ120
と、第2のメモリ130と、読出しカウンタ140と、
第1のマルチプレクサ150と、第2のマルチプレクサ
160とから構成されている。 【0027】第1のメモリ120は同期デジタルハイア
ラーキからの入力データAを書き込み、書き込んだデー
タを第1のマルチプレクサ150に与える。第1のマル
チプレクサ150は、このデータを読み出しタイミング
信号Kによって選択して、出力データNとして出力する
ものである。 【0028】書き込みカウンタ110はSDHからの入
力フレームパルスBによって初期化され、書き込みクロ
ックCに同期した書き込みタイミングを生成し、第1の
メモリ120に与える。第2のメモリ130は入力フレ
ームパルスBを書き込み、書き込んだデータFを第2の
マルチプレクサ160とAND回路200に与える。第
2のマルチプレクサ160は第2のメモリ130に書き
込まれたデータFを読み出しタイミングLによって選択
し、出力フレームパルスMとする。 【0029】読出しカウンタ140は、読出しクロック
Iに同期した読出しタイミングK及びLを生成し、それ
ぞれを第1のマルチプレクサ150と第2のマルチプレ
クサ160に与える。 【0030】AND回路200は第2のメモリ130に
書き込まれたデータFと他のエラスティック回路の出力
Gとの論理積の結果を微分回路300に与える。 【0031】微分回路300はAND回路200から与
えられる信号を読出しクロックIに同期した1クロック
幅のパルスに変換し、リードリセット信号Jとして読出
しカウンタ140に与える。また、『第1のメモリ12
0の容量は、1フレームのビット数の約数に設定』す
る。このように設定することで、『フレームの先頭を書
き込むビットアドレスが常に同じになるので、読み出さ
れるフレームの位相が変化しないようにすることができ
る』。 【0032】また、書込みカウンタ110と読出しカウ
ンタ140とは、それぞれ自走できるものとする。 【0033】図2は上述の図1に示した第2のメモリ1
30と第2のマルチプレクサ160の具体的な機能構成
図である。この図2において、第2のメモリ130は、
NAND回路131〜134と、インバータ135、1
36とから構成されている。そして、NAND回路13
1〜134は、RSフリップフロップ回路を構成してい
る。また、第2のマルチプレクサ160は、AND回路
161から構成されている。 【0034】インバータ136は、第2のメモリ130
と、第2のマルチプレクサ160との間のバッファの役
割を果たしており、NAND回路134の出力値を反転
している。NAND回路131は、データBと書き込み
タイミング信号Eとの論理積によって、セットパルスを
NAND回路133に与える。 【0035】また、NAND回路132はデータBをイ
ンバータ135によって反転した値と書き込みタイミン
グEとの論理積によって、リセットパルスをNAND回
路134に与える。第2のマルチプレクサ160は、A
ND回路161から構成され、インバータ136の出力
Fと読み出しタイミング信号Lとの論理積を出力フレー
ムパルスMとする。 【0036】図3は図1で述べた微分回路300の具体
的な構成図である。この図3において、AND回路30
1と、NAND回路302、303と、Dフリップフロ
ップ回路304とから構成されている。そして、NAN
D回路302、303はRSフリップフロップ回路を構
成している。 【0037】このRSフリップフロップ回路はDフリッ
プフロップ304によってセットされ、データHの負論
理によってリセットされる。また、NAND回路302
の出力は、AND回路301に与えられ、データHの入
力を禁止する。Dフリップフロップ304は、クロック
IのタイミングでAND回路301の出力をラッチして
リードリセットパルスJとするものである。 【0038】『動作』: 図4は一実施例の動作波形
図(動作タイミングチャート)である。ここでは、入力
データDIをシリアル、出力データDOを4並列とし、
第1のメモリ120の容量を1ビット×12ワードとし
て説明する。 【0039】先ず、入力データAの先頭を示す入力フレ
ームパルスBが書込みカウンタ110に入力されると、
書込みカウンタ110は初期化され、書込みタイミング
Dの値は2となる。書込みカウンタ110から出力され
る書込みタイミング信号Dはビットアドレスを示してお
り、入力データAのD1ビットは第1のメモリ120の
ビットアドレス1に書き込まれ、D2ビットは第1のメ
モリ120のビットアドレス2に書き込まれる。 【0040】また、書込みカウンタ110からは、ビッ
トアドレス1のタイミング信号Eが第2のメモリ130
にも与えられ、そのタイミングでフレームパルスBを第
2のメモリ130に書き込む。 【0041】従って、入力フレームパルスBは第1のメ
モリ120の容量の深さ(ワード数)分だけ引き伸ばさ
れることになる。この第2のメモリ130の出力Fを第
2のマルチプレクサ160とAND回路200とに与え
る。複数のメモリの出力(代表としてFとG)がAND
回路200に入力され、全てのタイミング信号が揃うの
を検出している。 【0042】従って、AND回路200の出力Hの変化
点は全てのエラスティック回路のメモリの先頭にデータ
が書き込まれたタイミングを示している。微分回路30
0ではこのデータHを入力して読出しクロックIに同期
したリードリセットパルスJを生成し、読出しカウンタ
140に与える。 【0043】読出しカウンタ140は、リードリセット
パルスJを入力して、カウント値を初期化する。これに
よって、『読出し側のフレーム位相同期が確立すること
になる』。また、読出しカウンタ140の初期化は1フ
レーム毎に繰り返すのではなく、フレーム位相同期後の
正常状態では禁止され、初期設定若しくは異常検出時に
再び許可される。 【0044】読出しカウンタ140から第1のマルチプ
レクサ150に4ビット毎にビットを選択する信号Kが
与えられ、第1のマルチプレクサ150ではこれに基づ
いて第1のメモリ120に書き込まれたビットの中から
出力データNを選択する。また、読出しカウンタ140
から第2のマルチプレクサ160に選択信号Lを出力す
ると、第2のマルチプレクサ160では選択信号Lのタ
イミングで第2のメモリ130に書き込まれたデータF
を選択して、フレームパルスMを出力するものである。 【0045】(一実施例の効果): 以上の一実施例
のエラスティックストア回路100によれば、入力デー
タと入力フレームパルスとを書き込みタイミング信号
D、Eとで記憶させることができると共に、第1のメモ
リ120と第2のメモリ130とに記憶されているデー
タとフレームパルスとを独立に読出タイミング信号K、
Lとによって読み出させることもできる。 【0046】また、上述のエラスティックストア回路1
00を使用したフレーム位相同期回路によれば、第2の
メモリ130に書き込まれたフレームパルスをAND回
路200へ出力するように構成したので、特に従来のよ
うにフレームパルスを引き伸ばす回路を追加する必要が
なくなり、回路を小形化することができる。 【0047】また、第2のメモリ130に書き込まれた
フレームパルスを使用することで、リードリセットパル
スの遅延を小さくすることができる。 【0048】更に、AND回路200をエラスティック
回路100に取り込めば、複数のエラスティックストア
回路100を容易にカスケード接続して、複数のフレー
ム位相同期を実現することができるので、回路が簡単に
構成できる。 【0049】(他の実施例): (1)尚、以上の一
実施例の図4の動作の他、入力データAを4並列とし、
出力データNをシリアルとし、第1のメモリ120の容
量を4ビット×3ワードの12ビットとした場合の動作
波形図を図5に示している。この図5において、入力デ
ータAの先頭から4ビットは第1のメモリ120のアド
レス1に書き込まれ、次の4ビットはアドレス2に書き
込まれる。また、読み出しカウンタ140から第1のマ
ルチプレクサ150に与えられる選択信号Kは、第1の
メモリ120に書き込まれたデータを1ビット毎に選択
する信号である。 【0050】その他の動作は上述の図4と同様であり、
Bは入力フレームパルスのタイミング信号、Cは書込み
クロック、Dは書込みタイミング信号、Eは書込みカウ
ンタ110から第2のメモリ130への書き込み信号、
Fは第2のメモリの出力信号、Gは他のエラスティック
回路の出力、HはAND回路200の出力信号、Iは読
み出しクロック、Jはリードリセットパルス、Kは読出
しカウンタ140から第1のマルチプレクサ150への
選択信号、Lは読出しカウンタ140から第2のマルチ
プレクサ160への選択信号、Mはフレームパルス、N
は出力データである。 【0051】(2)また、上述のフレーム位相同期回路
は、多重化伝送装置に適用し得る他に、装置内部の伝送
回路などにも適用し得る。その他、同期デジタルハイア
ラーキとインタフェースされる、例えば、同期端局装置
や、多重変換装置や、クロスコネクト装置や、中継装置
や、端局中継装置などの種々の装置に適用し得るものと
考えられる。 【0052】(3)更に、第1のメモリ120及び第2
のメモリ130は、図2に示したような回路で実現する
他に、RAMや、フリップフロップ、シフトレジスタな
どの記憶回路で構成することでも良い。 【0053】(4)更にまた、上述の実施例は同期デジ
タルハイアラーキとして、伝送レベルSTM(Snyc
hronous Transport Module:
同期伝送モジュール)−0(51.84Mbps)、S
TM−1(155.52Mbps)、STM−4(62
2.08Mbps)、STM−16(2488.32M
bps)、STM−64(9953.28Mbps)な
どのいずれの信号の処理に対しても適用し得ると考えら
れる。 【0054】 【0055】 【0056】【発明の効果】 以上述べた様に この発明のフレーム位相
同期回路は、複数のエラスティックストア回路の第2の
記憶手段から供給される各フレーム信号の比較を行い、
この比較結果信号を生成する比較結果生成手段と、この
比較結果信号から上記第1の読出手段の第1の読出タイ
ミング信号の生成と、第2の読出手段の第2の読出タイ
ミング信号の生成とを制御し、フレーム位相同期し得る
制御を行う制御手段とを備えたものである。 【0057】このような構成によって、簡単な構成で複
数のフレーム信号の位相同期を精度良くとることがで
き、データの出力も制御できる。 【0058】従って、上述の発明によれば、簡単な回路
構成で同期デジタルハイアラーキ信号を取り込み、精度
良くフレーム位相同期をとることができる
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a frame phase synchronization circuit, for example, an SDH (Synchronous D).
The present invention can be applied to a frame phase synchronization circuit of an in-device transmission frame of a digital hierarchy. [0004] In recent years, SDH has been internationally standardized as a multiplexing method that can be efficiently applied to various services including data and video, from services centered on telephones. In this synchronous digital hierarchy multiplexing apparatus, it is necessary to synchronize the frame phases of a plurality of pieces of multiplexed information input from a transmission line with a reference frame phase in the apparatus. As this method, a frame phase synchronization method using a pointer is adopted. [0004] This means that in synchronous multiplexing, 125 μs
When frame synchronization is performed for each ec, the difference between the time phase of the transmission frame and the frame time phase of the multiplexing information is displayed as the difference between the address positions of the time slots in order to minimize the multiplex processing delay time. In this way, the memory capacity can be reduced. As described above, a plurality of frames input from the transmission line are received by a plurality of boards, and transmitted to other boards in the apparatus in synchronization with a reference frame phase in the apparatus. A reference frame distributed to each board in the device has a delay difference due to a difference in a distribution circuit and a wiring length, and a phase difference has occurred in a transmission frame in the device. [0006] In addition, since the phase difference is enlarged even in the process of multiplexing the intra-device transmission frames and synchronizing the bits, a phase difference of several bits may eventually occur. Therefore, in intra-apparatus transmission, a circuit for absorbing a phase difference between frames of intra-apparatus transmission frames input from a plurality of boards and synchronizing the frame phase is required. The technology of such a circuit is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 3-249830 and 4-728.
No. 34, JP-A-63-220629 and the like. Basic techniques are also described in "SDH Transmission System" published by Ohmsha, pages 46-56, and the role of 3.4 pointers. These techniques have a configuration (method) of detecting the latest timing from a frame pulse indicating the head of an input frame signal and generating a read reset signal for a memory. Further, the frame pulse is transferred through an elastic (elastic) circuit similarly to the frame signal. Incidentally, such an elastic store (e)
The "last store" circuit is, for example, a circuit that can perform writing and reading independently at different speeds. [0010] However, in the conventional configuration (method), the optimum phase is detected by a pulse signal such as a frame pulse or a write reset, so that a circuit for extending the pulse is required. . For this reason, "the circuit scale was large." For example, if a circuit for extending a pulse is constituted by a set / reset (RS) flip-flop and is released by a read / reset pulse, the circuit becomes small, but has the following problems. That is, a read reset pulse is output when all of the predetermined number of write reset pulses have been collected. Therefore, if all the write reset pulses are not collected within one frame, the remaining write reset pulses will be output until the next frame. , And a read reset pulse is output when the last write reset pulse arrives. Therefore, it is not possible to predict the phase of the predetermined number of write reset pulses, and there is no guarantee that the output phase of the read reset pulse is optimal. In order to solve such a problem, it is necessary to provide a means for extending the write reset pulse to a specific width of one frame or less and terminating the process of detecting the optimum phase within one frame. . For example, it is conceivable to use a mono-multi vibrator, etc.
There is a problem that "the circuit scale becomes large". In view of the above, there has been a demand for providing a mechanism capable of capturing a synchronous digital hierarchy signal with a simple circuit configuration and achieving accurate frame phase synchronization. Means for Solving the Problems To solve the above problems
In addition, the present invention can store and read signals independently.
Elastic store circuit (including SDH input circuit)
A frame signal synchronization circuit comprising a plurality of
The rustic store circuit (1) converts the input data to the first
First storage means for storing according to a storage timing signal
And (2) transferring the data of the first storage means to a first read time.
First reading means for reading in accordance with a signaling signal;
The power frame signal is recorded according to the second storage timing signal.
And (4) the memory of the second storage means.
A readout timing signal in accordance with a second readout timing signal
(5) each of the elastics
Frame signal supplied from the second storage means in the toer circuit
Comparison result to compare the signals and generate this comparison result signal
Generating means; and (6) the first reading from the comparison result signal.
Generating a first read timing signal of the output means;
Controlling the generation of the second read timing signal of the output means,
Control means for performing control for synchronizing the frame phases.
(7) Second storage in each elastic store circuit
Frame phase for the frame signal supplied by the means
It is characterized by synchronization . According to each elastic store circuit included in the frame phase synchronization circuit of the present invention, the input data and the input frame signal are stored in the first frame. The first storage timing signal and the second storage timing signal can be stored, and
The data and the frame signal stored in the first storage means and the second storage means can be read independently by the first read timing signal and the second read timing signal. Since the frame signal written in the second storage means is configured to be output, a circuit for expanding the frame signal as in the related art is not required, and the circuit can be downsized. be able to. Further, in the invention of the frame phase synchronizing circuit of the present invention using the elastic store circuit having the above-described configuration, a frame supplied from a plurality of elastic store circuits is provided.
To take the phase synchronization of the frame signals to perform signal comparison of each frame <br/> beam signals (e.g., comparison of the timing, etc.). The timing control for outputting the signal synchronized with the frame phase and the data from the comparison result signal obtained by this comparison is accurately and optimally performed. With such a configuration, since the frame signal stored in the second storage means is used, it is considered that the delay of the read reset pulse can be reduced. Next, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. "Configuration of Frame Phase Synchronization Circuit" FIG. 1 is a functional block diagram of the frame phase synchronization circuit of this embodiment.
In FIG. 1, the frame phase synchronization circuit includes an elastic store circuit 100, an AND circuit 200, and a differentiating circuit 300. Further, the elastic store circuit 100
Is a write counter 110 and a first memory 120
A second memory 130, a read counter 140,
It comprises a first multiplexer 150 and a second multiplexer 160. The first memory 120 writes the input data A from the synchronous digital hierarchy and supplies the written data to the first multiplexer 150. The first multiplexer 150 selects this data by the read timing signal K and outputs it as output data N. The write counter 110 is initialized by an input frame pulse B from the SDH, generates a write timing synchronized with a write clock C, and gives it to the first memory 120. The second memory 130 writes the input frame pulse B, and supplies the written data F to the second multiplexer 160 and the AND circuit 200. The second multiplexer 160 selects the data F written in the second memory 130 according to the read timing L, and sets it as an output frame pulse M. The read counter 140 generates read timings K and L synchronized with the read clock I, and supplies them to the first multiplexer 150 and the second multiplexer 160, respectively. The AND circuit 200 gives the result of the logical product of the data F written in the second memory 130 and the output G of another elastic circuit to the differentiating circuit 300. The differentiating circuit 300 converts the signal supplied from the AND circuit 200 into a pulse having a width of one clock synchronized with the read clock I, and supplies it to the read counter 140 as a read reset signal J. In addition, the “first memory 12
The capacity of 0 is set to a divisor of the number of bits in one frame. " By setting in this way, "the bit address for writing the head of the frame is always the same, so that the phase of the frame to be read can be kept from changing". It is assumed that the write counter 110 and the read counter 140 can run independently. FIG. 2 shows the second memory 1 shown in FIG.
FIG. 3 is a specific functional configuration diagram of a second multiplexer 160 and a second multiplexer 160. In FIG. 2, the second memory 130 includes:
NAND circuits 131 to 134 and inverters 135, 1
36. And the NAND circuit 13
1 to 134 constitute an RS flip-flop circuit. Further, the second multiplexer 160 includes an AND circuit 161. The inverter 136 is connected to the second memory 130
, And a second multiplexer 160, and inverts the output value of the NAND circuit 134. The NAND circuit 131 gives a set pulse to the NAND circuit 133 by the logical product of the data B and the write timing signal E. The NAND circuit 132 gives a reset pulse to the NAND circuit 134 by ANDing the value obtained by inverting the data B by the inverter 135 and the write timing E. The second multiplexer 160 outputs
The logical AND between the output F of the inverter 136 and the read timing signal L is defined as an output frame pulse M. FIG. 3 is a specific configuration diagram of the differentiating circuit 300 described in FIG. In FIG. 3, an AND circuit 30
1, NAND circuits 302 and 303, and a D flip-flop circuit 304. And NAN
The D circuits 302 and 303 constitute an RS flip-flop circuit. This RS flip-flop circuit is set by the D flip-flop 304 and reset by the negative logic of the data H. Also, the NAND circuit 302
Is supplied to the AND circuit 301 to inhibit the input of the data H. The D flip-flop 304 latches the output of the AND circuit 301 at the timing of the clock I and generates a read reset pulse J. [Operation] FIG. 4 is an operation waveform diagram (operation timing chart) of one embodiment. Here, the input data DI is serial and the output data DO is four parallel,
The description will be made on the assumption that the capacity of the first memory 120 is 1 bit × 12 words. First, when an input frame pulse B indicating the head of the input data A is input to the write counter 110,
The write counter 110 is initialized, and the value of the write timing D becomes 2. The write timing signal D output from the write counter 110 indicates a bit address. The D1 bit of the input data A is written to the bit address 1 of the first memory 120, and the D2 bit is the bit address of the first memory 120. 2 is written. Further, the timing signal E of the bit address 1 is output from the write counter 110 to the second memory 130.
The frame pulse B is written to the second memory 130 at that timing. Accordingly, the input frame pulse B is extended by the depth (the number of words) of the capacity of the first memory 120. The output F of the second memory 130 is supplied to the second multiplexer 160 and the AND circuit 200. The outputs of a plurality of memories (typically F and G) are AND
It is input to the circuit 200 and detects that all timing signals are aligned. Therefore, the change point of the output H of the AND circuit 200 indicates the timing at which data is written to the head of the memory of all the elastic circuits. Differentiating circuit 30
At 0, the data H is input, a read reset pulse J synchronized with the read clock I is generated, and given to the read counter 140. The read counter 140 receives the read reset pulse J and initializes the count value. Thereby, "frame phase synchronization on the reading side is established". Further, the initialization of the read counter 140 is not repeated every frame, but is prohibited in a normal state after the frame phase synchronization, and is permitted again at the time of initial setting or abnormality detection. A signal K for selecting a bit for every four bits is supplied from the read counter 140 to the first multiplexer 150, and the first multiplexer 150 selects one of the bits written in the first memory 120 based on the signal K. Select the output data N. Also, the read counter 140
Outputs the selection signal L to the second multiplexer 160, the second multiplexer 160 outputs the data F written to the second memory 130 at the timing of the selection signal L.
Is selected to output the frame pulse M. (Effect of One Embodiment) According to the elastic store circuit 100 of the above embodiment, the input data and the input frame pulse can be stored by the write timing signals D and E, and The data stored in the first memory 120 and the second memory 130 and the frame pulse are independently read from the read timing signal K,
And L. The above-mentioned elastic store circuit 1
According to the frame phase synchronization circuit using 00, since the frame pulse written in the second memory 130 is output to the AND circuit 200, it is particularly necessary to add a circuit for extending the frame pulse as in the related art. Is eliminated, and the circuit can be downsized. Further, by using the frame pulse written in the second memory 130, the delay of the read reset pulse can be reduced. Furthermore, if the AND circuit 200 is incorporated into the elastic circuit 100, a plurality of elastic store circuits 100 can be easily cascaded to realize a plurality of frame phase synchronizations, so that the circuit is simple in configuration. it can. (Other Embodiments) (1) In addition to the operation shown in FIG.
FIG. 5 shows an operation waveform diagram when the output data N is serial and the capacity of the first memory 120 is 12 bits of 4 bits × 3 words. In FIG. 5, the first four bits of input data A are written to address 1 of first memory 120, and the next four bits are written to address 2. The selection signal K supplied from the read counter 140 to the first multiplexer 150 is a signal for selecting data written in the first memory 120 for each bit. Other operations are the same as those in FIG.
B is a timing signal of an input frame pulse, C is a write clock, D is a write timing signal, E is a write signal from the write counter 110 to the second memory 130,
F is the output signal of the second memory, G is the output of another elastic circuit, H is the output signal of the AND circuit 200, I is the read clock, J is the read reset pulse, and K is the read multiplexer 140 to the first multiplexer. L is a selection signal from the read counter 140 to the second multiplexer 160; M is a frame pulse;
Is output data. (2) The above-described frame phase synchronization circuit can be applied not only to a multiplex transmission apparatus but also to a transmission circuit inside the apparatus. In addition, it is considered that the present invention can be applied to various devices, such as a synchronous terminal device, a multiplex conversion device, a cross-connect device, a relay device, and a terminal relay device, which are interfaced with the synchronous digital hierarchy. (3) Further, the first memory 120 and the second memory 120
The memory 130 may be configured by a storage circuit such as a RAM, a flip-flop, a shift register, etc., in addition to being realized by the circuit illustrated in FIG. (4) In the above embodiment, the transmission level STM (Snyc
Hronous Transport Module:
Synchronous transmission module) -0 (51.84 Mbps), S
TM-1 (155.52 Mbps), STM-4 (62
2.08 Mbps), STM-16 (2488.32 M
bps) and STM-64 (9953.28 Mbps). [0054] [0055] [0056] frame phase synchronization circuit as described above the invention exhibits a comparison of the frame signal supplied from the second storing means of the plurality of elastic store circuit Do
A comparison result generation means for generating the comparison result signal; a generation of a first read timing signal of the first read means from the comparison result signal; and a generation of a second read timing signal of the second read means. And a control means for controlling the frame phase synchronization. With such a configuration, the phase synchronization of a plurality of frame signals can be accurately achieved with a simple configuration, and the output of data can be controlled. Therefore, according to the above-mentioned invention, the synchronous digital hierarchy signal can be taken in with a simple circuit configuration, and the frame phase can be accurately synchronized.

【図面の簡単な説明】 【図1】この発明の一実施例のフレーム位相同期回路の
機能構成図である。 【図2】一実施例の第2位のメモリと第2のマルチプレ
クサの具体的な機能構成図である。 【図3】一実施例の微分回路の具体的な機能構成図であ
る。 【図4】一実施例の動作タイミングチャートである。 【図5】他の実施例の動作タイミングチャートである。 【符号の説明】 100…エラスティックストア回路、110…書込みカ
ウンタ、120…第1のメモリ、130…第2のメモ
リ、140…読出しカウンタ、150…第1のマルチプ
レクサ、160…第2のマルチプレクサ、200…AN
D回路、300…微分回路。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a functional configuration diagram of a frame phase synchronization circuit according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a specific functional configuration diagram of a second-rank memory and a second multiplexer according to one embodiment; FIG. 3 is a specific functional configuration diagram of a differentiating circuit according to one embodiment; FIG. 4 is an operation timing chart of one embodiment. FIG. 5 is an operation timing chart of another embodiment. [Description of Signs] 100 Elastic store circuit, 110 Write counter, 120 First memory, 130 Second memory, 140 Read counter, 150 First multiplexer, 160 Second multiplexer 200 ... AN
D circuit, 300 ... differentiation circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−157833(JP,A) 特開 平3−249830(JP,A) 特開 平4−72834(JP,A) 特開 昭63−220629(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04L 7/00 H04J 3/06 H04L 13/08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-4-157833 (JP, A) JP-A-3-249830 (JP, A) JP-A-4-72834 (JP, A) JP-A-63- 220629 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H04L 7/00 H04J 3/06 H04L 13/08

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 信号の記憶と、読出しとを独立に行い得
るエラスティックストア回路を複数備えたフレーム信号
同期回路であって前記各エラスティックストア回路は、 入力データを第1の記憶タイミング信号に従って記憶す
る第1の記憶手段と、 第1の記憶手段のデータを第1の読出タイミング信号に
従って読み出す第1の読出手段と、 入力フレーム信号を第2の記憶タイミング信号に従って
記憶する第2の記憶手段と、 第2の記憶手段のフレーム信号を第2の読出タイミング
信号に従って読み出す第2の読出手段とを具備し、 各エラスティックストア回路内の第2の記憶手段から供
給されるフレーム信号の比較を行い、この比較結果信号
を生成する比較結果生成手段と、 この比較結果信号から上記第1の読出手段の第1の読出
タイミング信号の生成と、第2の読出手段の第2の読出
タイミング信号の生成とを制御し、フレーム位相が同期
し得る制御を行う制御手段とを備え、 各エラスティックストア回路内の第2の記憶手段から供
給されるフレーム信号についてフレーム位相同期をとる
ことを特徴とするフレーム位相同期回路
(57) [Claim 1] A frame signal provided with a plurality of elastic store circuits capable of independently storing and reading a signal
A synchronous circuit , wherein each of the elastic store circuits is configured to store input data in accordance with a first storage timing signal, and to store data in the first storage unit in accordance with a first read timing signal. a first reading means, second storage means for storing an input frame signal in accordance with a second memory timing signals, and a second reading means for the frame signal of the second storage means is read out in accordance with a second read timing signal Provided from the second storage means in each elastic store circuit.
The supplied frame signal is compared, and the comparison result signal
, And a first readout of the first readout unit from the comparison result signal.
Generation of timing signal and second reading by second reading means
Controls timing signal generation and frame phase synchronization
Control means for performing control that can be performed by the second storage means in each elastic store circuit.
A frame phase synchronization circuit for synchronizing a supplied frame signal with a frame phase .
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