JP3405199B2 - Photoconductive paste - Google Patents

Photoconductive paste

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JP3405199B2
JP3405199B2 JP16317398A JP16317398A JP3405199B2 JP 3405199 B2 JP3405199 B2 JP 3405199B2 JP 16317398 A JP16317398 A JP 16317398A JP 16317398 A JP16317398 A JP 16317398A JP 3405199 B2 JP3405199 B2 JP 3405199B2
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孝樹 正木
亜紀子 芳村
秀史 野村
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はセラミックス回路基
板上に導体パターンを形成するための感光性導電ペース
トに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photosensitive conductive paste for forming a conductor pattern on a ceramic circuit board.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、高集積化したLSIや各種の電子
部品を多数搭載するための多層基板においては、小型化
や高密度化、高精細化、高信頼性の要求が高まってい
る。とくに導体回路パターン(信号層、電源層を含
む。)の微細化は小型化、高密度化には不可欠な要求と
して各種の方法が提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for miniaturization, high density, high definition and high reliability in a multilayer substrate for mounting a large number of highly integrated LSIs and various electronic components. In particular, various methods have been proposed as miniaturization of a conductor circuit pattern (including a signal layer and a power supply layer) is essential for miniaturization and high density.

【0003】代表的な方法としては、薄膜法、メッキ法
および厚膜法がある。薄膜法はスパッター、蒸着などで
成膜し、ホトリソグラフィ技術を適用することによって
解像度20μmまでの高精細化が可能であるが、この方
法による導体皮膜は膜厚を厚くするには長時間を必要と
するなどの限界があるため薄い膜しか得られず、その結
果回路としてのインピーダンスが高くなるという欠点が
ある。また、メッキ法では焼成工程において抵抗体など
の厚膜受動素子の形成が困難であるという問題がある。
Typical methods include a thin film method, a plating method and a thick film method. The thin film method enables high definition up to 20 μm resolution by applying photolithography technology by forming by sputtering, vapor deposition, etc., but the conductor film by this method requires a long time to increase the film thickness. Since there is a limit such as that, only a thin film can be obtained, and as a result, the impedance of the circuit becomes high. Further, the plating method has a problem that it is difficult to form a thick film passive element such as a resistor in the firing process.

【0004】一方、厚膜法ではスクリーン印刷法で成膜
される。しかしながら印刷法ではスクリーン性能、スク
イーズ硬さ、印刷速度、分散性などの最適化を図っても
導体パターンの幅を100μm程度までしか細くするこ
とができず、ファインパターン化には限界があった。
On the other hand, in the thick film method, a film is formed by a screen printing method. However, in the printing method, even if the screen performance, squeeze hardness, printing speed, dispersibility, etc. are optimized, the width of the conductor pattern can only be reduced to about 100 μm, and there is a limit to fine patterning.

【0005】こうした中で印刷法の欠点を改良するた
め、特開昭63−292504号、特開平2−2688
70号、特開平3−171690号および特開平3−1
80092号公報に記載されているように、導体ペース
トの組成を検討したもの、感光性樹脂を添加し、フォト
リソグラフィー法によりファインパターン化を図ったも
のおよび金属粉末の粒子径の最適化を検討したものが提
案されているが、微細パターンの形成と低抵抗化とを同
時に満足するには充分でなかった。
Under these circumstances, in order to improve the drawbacks of the printing method, JP-A-63-292504 and JP-A-2-2688 are proposed.
70, JP-A-3-171690 and JP-A3-1.
As described in JP-A-80092, the composition of the conductor paste was studied, the photosensitive resin was added, and a fine pattern was formed by the photolithography method, and optimization of the particle diameter of the metal powder was examined. However, it was not sufficient to satisfy both formation of a fine pattern and reduction of resistance at the same time.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、微細
パターンの形成が可能で、かつ低抵抗な回路パターンを
与える感光性導電ペーストを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a photosensitive conductive paste capable of forming a fine pattern and providing a circuit pattern having a low resistance.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、(a)
Au、Ag、PdおよびPtの群から選ばれる少なくと
も1種を含む導電性粉末、(b)酸価が40〜200の
アクリル系共重合体、(c)光反応性化合物、(d)光
重合開始剤および(e)ガラス転移点が300〜500
℃のガラスフリットを含有することを特徴とする感光性
導電ペーストによって達成される。
The object of the present invention is (a)
Conductive powder containing at least one selected from the group consisting of Au, Ag, Pd and Pt, (b) acrylic copolymer having an acid value of 40 to 200, (c) photoreactive compound , ( d) photopolymerization. Initiator and (e) glass transition point 300-500
Achieved by a photosensitive conductive paste characterized by containing a glass frit of ° C.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】すなわち、本発明は導電ペースト
に感光性を付与したものであり、これを使用すると、ホ
トリソグラフィ技術を用いて厚膜導体回路パターンが微
細に、しかも低抵抗な導体膜を効率よく形成できるもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS That is, according to the present invention, a conductive paste is provided with photosensitivity. When this is used, a thick film conductor circuit pattern is finely formed by using a photolithography technique and a low resistance conductor film is formed. Can be formed efficiently.

【0009】本発明において使用される導電性粉末はA
u、Ag、PdおよびPtの群から選ばれる少なくとも
1種を含むもので、高周波での伝達損失を低減するため
低抵抗の導体粉末が使用される。Au、Ag、Pdおよ
びPtはそれぞれ単独または混合粉末として用いること
ができる。例えばAg(30−80)−Pd(70−2
0)、Ag(40−70)−Pd(60−10)−Pt
(5−20)、Ag(30−80)−Pd(60−1
0)−Cr(5−15)、Pt(20−40)−Au
(60−40)−Pd(20)、Au(75−80)−
Pt(25−20)、Au(60−80)−Pd(40
−20)、Ag(40−95)−Pt(60−5)、P
t(60−90)−Rh(40−10)(以上( )内
は重量%を表す)などの2元系あるいは3元系の混合貴
金属粉末が用いられる。上記の中でCrやRhを添加し
たものは高温特性を向上できる点で好ましい。
The conductive powder used in the present invention is A
A conductor powder containing at least one selected from the group consisting of u, Ag, Pd and Pt, and having a low resistance is used to reduce transmission loss at high frequencies. Au, Ag, Pd and Pt can each be used alone or as a mixed powder. For example, Ag (30-80) -Pd (70-2
0), Ag (40-70) -Pd (60-10) -Pt.
(5-20), Ag (30-80) -Pd (60-1
0) -Cr (5-15), Pt (20-40) -Au
(60-40) -Pd (20), Au (75-80)-
Pt (25-20), Au (60-80) -Pd (40
-20), Ag (40-95) -Pt (60-5), P
A binary or ternary mixed noble metal powder such as t (60-90) -Rh (40-10) (the above () represents weight%) is used. Among the above, those to which Cr or Rh is added are preferable because the high temperature characteristics can be improved.

【0010】これらの貴金属導電性粉末の平均粒子径は
0.5〜5μmが好ましい。粒子径が0.5m未満と小
さくなると紫外線の露光時に光が印刷後の膜中をスムー
ズに透過せず、導体の線幅60μm以下の微細パターン
の形成が困難となる。また粒子径が5μmを越えて大き
くなると印刷後の回路パターンの表面が粗くなり、パタ
ーン精度が低下し、ノイズ発生の原因になる。また、比
表面積が0.1〜3m2 /gの導電性粉末が好ましく用
いられる。比表面積が0.1m2 /g未満の場合は、回
路パターンの精度が低下する。また、3m2 /gを越え
ると粉末の表面積が大きくなり過ぎて紫外線が散乱さ
れ、露光が充分行われずパターン精度が低下する。
The average particle diameter of these noble metal conductive powders is preferably 0.5 to 5 μm. If the particle size is less than 0.5 m, the light does not smoothly pass through the printed film during exposure to ultraviolet light, making it difficult to form a fine pattern having a conductor line width of 60 μm or less. On the other hand, if the particle diameter exceeds 5 μm and becomes large, the surface of the printed circuit pattern becomes rough, the pattern accuracy is lowered, and noise is generated. Further, a conductive powder having a specific surface area of 0.1 to 3 m 2 / g is preferably used. If the specific surface area is less than 0.1 m 2 / g, the accuracy of the circuit pattern will decrease. On the other hand, if it exceeds 3 m 2 / g, the surface area of the powder becomes too large and the ultraviolet rays are scattered, so that the exposure is not sufficiently performed and the pattern accuracy is lowered.

【0011】貴金属導電性粉末の形状としては、フレー
ク(板、円錐、棒)状や球状のものが使用できるが、凝
集がない点から球状であることが好ましい。球状である
と露光時に紫外線の散乱が少ないので高精度のパターン
が得られ、照射エネルギーが少なくて済む。
The noble metal conductive powder may have a flake (plate, cone, rod) shape or a spherical shape, but a spherical shape is preferable from the viewpoint of no aggregation. The spherical shape reduces the scattering of ultraviolet rays at the time of exposure, so that a highly accurate pattern can be obtained and the irradiation energy can be reduced.

【0012】微細パターンの形成や低抵抗化を満足する
のにより好ましい導電性粉末の範囲がある。すなわち導
体パターンを印刷後、紫外線露光時に光が散乱せずに充
分に透過し、有効に作用して現像後10〜40μmの微
細回路パターンを得るためには、導電性粉末の粒子径が
1〜4μmであり、かつ比表面積が0.1〜1.5m2
/gであることが好ましい。より好ましくは粒子径が
0.8〜4μm、比表面積が0.15〜0.8m2 /g
である。この範囲にあると現像時において未露光部分に
おける導体膜の残膜の発生が全くなくなり、高精度な回
路パターンが得られる。
There is a range of conductive powder that is more preferable for satisfying formation of a fine pattern and reduction of resistance. That is, in order to obtain a fine circuit pattern of 10 to 40 μm after the development of the conductive pattern, the light is sufficiently scattered without being scattered at the time of exposure to ultraviolet rays, and the fine particle pattern is 10 to 40 μm after development. 4 μm and specific surface area of 0.1 to 1.5 m 2
/ G is preferable. More preferably, the particle size is 0.8 to 4 μm, and the specific surface area is 0.15 to 0.8 m 2 / g.
Is. Within this range, no residual film of the conductor film is generated in the unexposed portion during development, and a highly accurate circuit pattern can be obtained.

【0013】本発明において使用されるアクリル系共重
合体は、ポリマーバインダー成分であり、不飽和カルボ
ン酸とエチレン性不飽和化合物を共重合させることによ
って製造することができる。
The acrylic copolymer used in the present invention is a polymer binder component and can be produced by copolymerizing an unsaturated carboxylic acid and an ethylenically unsaturated compound.

【0014】不飽和カルボン酸の具体的な例としては、
アクリル酸、メタアクリル酸、イタコン酸、クロトン
酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、またはこれら
の酸無水物などがあげられる。一方、エチレン性不飽和
化合物の具体的な例としては、メチルアクリレート、メ
チルメタアクリレート、エチルアクリレート、エチルメ
タクリレート、n−プロピルアクリレート、イソプロピ
ルアクリレート、n−ブチルアクリレート、n−ブチル
メタクリレート、sec−ブチルアクリレート、sec
−ブチルメタクリレート、イソ−ブチルアクリレート、
イソブチルメタクリレート、tert−ブチルアクリレ
ート、tert−ブチルメタクリレート、n−ペンチル
アクリレート、n−ペンチルメタクリレート、スチレ
ン、p−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メ
チルスチレンなどが挙げられるが、これらに限定されな
い。これらのアクリル系主鎖ポリマの主重合成分として
前記のエチレン性不飽和化合物の中から少なくともメタ
クリル酸メチルを含むことによって熱分解性の良好な共
重合体を得ることができる。
Specific examples of unsaturated carboxylic acids include:
Examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinylacetic acid, and acid anhydrides thereof. On the other hand, specific examples of the ethylenically unsaturated compound include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl acrylate. , Sec
-Butyl methacrylate, iso-butyl acrylate,
Examples thereof include, but are not limited to, isobutyl methacrylate, tert-butyl acrylate, tert-butyl methacrylate, n-pentyl acrylate, n-pentyl methacrylate, styrene, p-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene and the like. A copolymer having good thermal decomposability can be obtained by including at least methyl methacrylate from the above ethylenically unsaturated compounds as the main polymerization component of these acrylic main chain polymers.

【0015】以上に示したポリマーバインダーに対し
て、エチレン性不飽和基を側鎖に付加させることによっ
て、感光性ポリマーとして用いることができる。側鎖の
エチレン不飽和基としてはビニル基、アリル基、アクリ
ル基、メタクリル基などがあげられる。このような側鎖
を該アクリル系共重合体に付加させる方法としては、ア
クリル系共重合体中のカルボキシル基にグリシジル基を
有するエチレン性不飽和化合物やクロライドアクリレー
ト化合物を付加反応させて作る方法がある。
By adding an ethylenically unsaturated group to the side chain of the polymer binder shown above, it can be used as a photosensitive polymer. Examples of the side chain ethylenically unsaturated group include a vinyl group, an allyl group, an acryl group and a methacryl group. As a method of adding such a side chain to the acrylic copolymer, a method of making an addition reaction of an ethylenically unsaturated compound or a chloride acrylate compound having a glycidyl group with a carboxyl group in the acrylic copolymer is available. is there.

【0016】グリシジル基を有するエチレン性不飽和化
合物としては、グリシジルアクリレート、グリシジルメ
タクリレート、アリルグリシジルエーテル、α−グリシ
ジルエチルアクリレート、クロトニルグリシジルエーテ
ル、クロトン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グ
リシジルエーテルが挙げられる。また、クロライドアク
リレート化合物としては、クロライドアクリレート、ク
ロライドメタアクリレート、アリルクロライドなどが挙
げられる。また、これらのエチレン性不飽和化合物ある
いはクロライドアクリレート化合物の付加量としては、
アクリル系共重合体中のカルボキシル基に対して0.0
5〜0.8モル当量が望ましく、さらに好ましくは0.
1〜0.6モル当量である。付加量が0.05モル当量
未満では現像許容幅が狭いうえ、パターンエッジの切れ
が悪くなりやすく、また付加量が0.8モル当量より大
きい場合は、未露光部の現像液溶解性が低下したり、塗
布膜の硬度が低くなる。
Examples of the ethylenically unsaturated compound having a glycidyl group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, α-glycidyl ethyl acrylate, crotonyl glycidyl ether, crotonic acid glycidyl ether, and isocrotonic acid glycidyl ether. Examples of the chloride acrylate compound include chloride acrylate, chloride methacrylate, allyl chloride and the like. Further, as the addition amount of these ethylenically unsaturated compounds or chloride acrylate compounds,
0.0 with respect to the carboxyl group in the acrylic copolymer
5 to 0.8 molar equivalent is desirable, and more preferably 0.
It is 1 to 0.6 molar equivalent. If the addition amount is less than 0.05 molar equivalent, the development allowance is narrow, and the edge of the pattern tends to be poor. If the addition amount is greater than 0.8 molar equivalent, the solubility of the unexposed area in the developing solution decreases. Or the hardness of the coating film becomes low.

【0017】このようなアクリル系共重合体の酸価(A
V)は40〜200が好ましく、より好ましくは60〜
160である。さらに好ましくは80〜140の範囲で
ある。酸価が40未満であると未露光部の現像液に対す
る溶解性が低下したり、塗布膜の硬度が低下する。ま
た、酸価が200をこえると現像許容幅が狭い上、パタ
ーンエッジの切れが悪くなる。
The acid value (A
V) is preferably 40 to 200, more preferably 60 to
160. More preferably, it is in the range of 80 to 140. When the acid value is less than 40, the solubility of the unexposed area in the developing solution is lowered and the hardness of the coating film is lowered. On the other hand, when the acid value exceeds 200, the development allowable width is narrow and the cutting of the pattern edge becomes poor.

【0018】本発明における感光性導電ペースト中に
は、ポリマーバインダー成分として上記のアクリル系共
重合体以外の感光性ポリマーや非感光性のポリマーを含
有することができる。感光性ポリマーとしては、光不溶
化型のものと光可溶化型のものがあり、光不溶化型のも
のとして、1分子に不飽和基などを1つ以上有する官能
性のモノマーやオリゴマーを適当なポリマーバインダー
と混合したもの、芳香族ジアゾ化合物、芳香族アジド化
合物、有機ハロゲン化合物などの感光性化合物を適当な
ポリマーバインダーと混合したもの、既存の高分子に感
光性の基をペンダントさせることにより得られる感光性
高分子あるいはそれを改質したもの、ジアゾ系アミンと
ホルムアルデヒドとの縮合物などいわゆるジアゾ樹脂と
いわれるものなど、光可溶化型のものとして、ジアゾ化
合物の無機塩や有機酸とのコンプレックス、キノンジア
ジド類などを適当なポリマーバインダーと混合したも
の、キノンジアゾ類を適当なポリマーバインダーと結合
させた、例えばフェノール、ノボラック樹脂のナフトキ
ノン−1,2−ジアジド−5−スルフォン酸エステルな
どがあげられる。感光性ポリマーバインダー成分中に含
まれる側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有
するアクリル系共重合体の割合は少なくとも5重量%以
上が好ましく、さらに好ましくは20重量%以上であ
る。該アクリル系共重合体の含有量が5重量%未満では
現像許容幅の拡大効果が小さいうえ、現像性が低下しや
すくエッジ部の尖鋭なパターンを作り難いため好ましく
ない。
The photosensitive conductive paste in the present invention may contain a photosensitive polymer other than the above acrylic copolymer or a non-photosensitive polymer as a polymer binder component. Photosensitive polymers include photo-insolubilizing type and photo-solubilizing type. As the photo-insolubilizing type, a suitable polymer is a functional monomer or oligomer having at least one unsaturated group in one molecule. Mixed with a binder, mixed with a photosensitive compound such as an aromatic diazo compound, an aromatic azide compound, or an organic halogen compound with a suitable polymer binder, or obtained by pendant to an existing polymer with a photosensitive group. As a photosolubilizing type, such as a so-called diazo resin such as a photosensitive polymer or a modified one thereof, a condensation product of a diazo amine and formaldehyde, a complex with an inorganic salt of a diazo compound or an organic acid, Mixing quinonediazides with a suitable polymer binder, quinonediazos with a suitable polymer binder Zehnder and allowed to bind, such as phenol, etc. naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonic acid ester of a novolak resin. The proportion of the acrylic copolymer having a carboxyl group and an ethylenically unsaturated group in the side chain contained in the photosensitive polymer binder component is preferably at least 5% by weight, more preferably 20% by weight or more. When the content of the acrylic copolymer is less than 5% by weight, the effect of expanding the development allowable width is small, and the developability is liable to be lowered, which makes it difficult to form a sharp edge portion pattern, which is not preferable.

【0019】非感光性ポリマーとしては、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステ
ル重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エス
テル−メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチ
レン重合体、ブチルメタクリレート樹脂などがあげられ
る。
As the non-photosensitive polymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, methacrylic acid ester polymer, acrylic acid ester polymer, acrylic acid ester-methacrylic acid ester copolymer, α-methylstyrene polymer, butyl methacrylate resin, etc. Can be given.

【0020】本発明で使用される光反応性化合物として
は、光反応性を有する炭素−炭素不飽和結合を含有する
化合物を用いることができ、その具体的な例としてアリ
ルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチ
ルアクリレート、ブトキシトリエチレングリコールアク
リレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペン
タニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレー
ト、2−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールア
クリレート、グリシジルアクリレート、ヘプタデカフロ
ロデシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、イソボニルアクリレート、2−ヒドロキシプロピ
ルアクリレート、イソデシルアクリレート、イソオクチ
ルアクリレート、ラウリルアクリレート、2−メトキシ
エチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアク
リレート、メトキシジエチレングリコールアクリレー
ト、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエ
チルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロ
ロエチルアクリレート、アリル化シクロヘキシルジアク
リレート、ビスフェノールAジアクリレート、1,4−
ブタンジオールジアクリレート、1,3−ブチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレ
ート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチ
レングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコー
ルジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアク
リレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペン
タアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアク
リレート、グリセロールジアクリレート、メトキシシク
ロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジ
アクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、
ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセ
ロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレートおよび上記のアクリレートをメタクリレート
に変えたもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、1−ビニル−2−ピロリドンなどが挙げられ
る。本発明ではこれらを1種または2種以上の混合物、
またはその他の化合物との混合物などを使用することが
できる。
The photoreactive compound used in the present invention may be a compound having a photoreactive carbon-carbon unsaturated bond, and specific examples thereof include allyl acrylate, benzyl acrylate and butoxy. Ethyl acrylate, butoxytriethylene glycol acrylate, cyclohexyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, glycerol acrylate, glycidyl acrylate, heptadecafluorodecyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, isobornyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, isodecyl acrylate, isooctyl acrylate, lauryl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate Methoxy ethylene glycol acrylate, methoxy diethylene glycol acrylate, octa fluorosilicone pentyl acrylate, phenoxyethyl acrylate, stearyl acrylate, trifluoroethyl acrylate, allylated cyclohexyl diacrylate, bisphenol A diacrylate, 1,4
Butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, ditrimethylol Propane tetraacrylate, glycerol diacrylate, methoxycyclohexyl diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, propylene glycol diacrylate,
Examples thereof include polypropylene glycol diacrylate, triglycerol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, those obtained by replacing the above acrylate with methacrylate, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and 1-vinyl-2-pyrrolidone. In the present invention, these are one kind or a mixture of two or more kinds,
Alternatively, a mixture with other compounds can be used.

【0021】本発明で使用する光重合開始剤の具体的な
例として、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メ
チル、4,4−ビス(ジメチルアミン)ベンゾフェノ
ン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、
α−アミノ・アセトフェノン、4,4−ジクロロベンゾ
フェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフェニルケト
ン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,2−ジエト
キシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニ
ル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2
−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロロア
セトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサン
トン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチ
オキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベ
ンジルジメチルケタノール、ベンジル−メトキシエチル
アセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、
ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、2−t−
ブチルアントラキノン、2−アミルアントラキノン、β
−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロ
ン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、4−アジ
ドベンザルアセトフェノン、2,6−ビス(p−アジド
ベンジリデン)シクロヘキサノン、2,6−ビス(p−
アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、
2−フェニル−1,2−ブタジオン−2−(o−メトキ
シカルボニル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオ
ン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1,3
−ジフェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシ
カルボニル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−
プロパントリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、
ミヒラーケトン、2−メチル−[4−(メチルチオ)フ
ェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、ナフタ
レンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロラ
イド、N−フェニルチオアクリドン、4、4−アゾビス
イソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズ
チアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カ
ンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルス
ルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン、メチレンブルー
などの光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノー
ルアミンなどの還元剤の組合せなどが挙げられる。本発
明ではこれらの光重合開始剤を1種または2種以上使用
することができる。
Specific examples of the photopolymerization initiator used in the present invention include benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4-bis (dimethylamine) benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone,
α-amino acetophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, 4-benzoyl-4-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, fluorenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenyl-2-phenyl Acetophenone, 2-hydroxy-2
-Methylpropiophenone, pt-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyl, benzyldimethylketanol, benzyl-methoxyethylacetal, benzoin, benzoin Methyl ether,
Benzoin butyl ether, anthraquinone, 2-t-
Butyl anthraquinone, 2-amyl anthraquinone, β
-Chloranthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibenzosuberone, methyleneanthrone, 4-azidobenzalacetophenone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) cyclohexanone, 2,6-bis (p-
Azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone,
2-Phenyl-1,2-butadion-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1,3
-Diphenyl-propanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-3-ethoxy-
Propanetrione-2- (o-benzoyl) oxime,
Michler's ketone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, naphthalenesulfonyl chloride, quinolinesulfonyl chloride, N-phenylthioacridone, 4,4-azobisisobutyronitrile, diphenyl Combination of photo-reducing dyes such as disulfide, benzthiazole disulfide, triphenylphosphine, camphorquinone, carbon tetrabromide, tribromophenyl sulfone, benzoin peroxide, eosin and methylene blue with reducing agents such as ascorbic acid and triethanolamine. And so on. In the present invention, one kind or two or more kinds of these photopolymerization initiators can be used.

【0022】側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和
基を有するアクリル系共重合体は、光反応性化合物に対
して、重量比で0.1〜5倍量の範囲で用いることが好
ましい。より好ましくは、0.3〜3倍量である。該ア
クリル系共重合体の量が少なすぎると、ペーストの粘度
が小さくなり、ペースト中での分散の均一性が低下する
おそれがある。一方、アクリル系共重合体の量が多すぎ
れば、未露光部の現像液への溶解性が不良となる。
The acrylic copolymer having a carboxyl group and an ethylenically unsaturated group in its side chain is preferably used in a weight ratio of 0.1 to 5 times that of the photoreactive compound. More preferably, the amount is 0.3 to 3 times. If the amount of the acrylic copolymer is too small, the viscosity of the paste becomes small, and the uniformity of dispersion in the paste may deteriorate. On the other hand, if the amount of the acrylic copolymer is too large, the solubility of the unexposed area in the developer becomes poor.

【0023】さらに、光重合開始剤は、側鎖にカルボキ
シル基とエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合
体と光反応性化合物の和に対して、通常0.1〜30重
量%、より好ましくは、2〜25重量%用いられる。光
重合開始剤の量が少なすぎると、光感度が不良となり、
光重合開始剤の量が多すぎれば、露光部の残存率が小さ
くなりすぎるおそれがある。
Further, the photopolymerization initiator is usually 0.1 to 30% by weight, based on the sum of the acrylic copolymer having a carboxyl group and an ethylenically unsaturated group in the side chain and the photoreactive compound. Preferably, 2 to 25% by weight is used. When the amount of the photopolymerization initiator is too small, the photosensitivity becomes poor,
If the amount of the photopolymerization initiator is too large, the residual rate of the exposed area may be too small.

【0024】本発明においては、感光性導電ペースト中
に、さらにガラスフリットを含有することが必要であ
。ガラスフリットは導電性粉末を焼結するための焼結
助剤としての働きや導体抵抗を下げる効果を有する。ガ
ラスフリットのガラス転移温度(Tg)およびガラス軟
化点(Ts)は低いほうが好ましく、それぞれ300〜
500℃、350〜450℃であるのがよい。より好ま
しくはTgが350〜450℃にあるのがよい。Tgが
低すぎるとポリマーバインダーやモノマーなどの有機成
分が蒸発する前に焼結が始まるので好ましくない。Tg
が500℃を超えるガラスフリットでは800℃以下の
温度で焼結を行なったときにセラミックス基板との接着
性が劣る結果となるので好ましくない。
In the present invention, it is necessary that the photosensitive conductive paste further contains glass frit.
It The glass frit acts as a sintering aid for sintering the conductive powder and has the effect of reducing the conductor resistance. The glass transition temperature (Tg) and the glass softening point (Ts) of the glass frit are preferably low, and each is 300 to
The temperature is preferably 500 ° C and 350 to 450 ° C. More preferably, Tg is 350 to 450 ° C. If the Tg is too low, sintering starts before the organic components such as the polymer binder and the monomer evaporate, which is not preferable. Tg
A glass frit having a temperature of more than 500 ° C. is not preferable because it results in poor adhesion to a ceramic substrate when sintered at a temperature of 800 ° C. or less.

【0025】ガラスフリットとしては、ガラス系のもの
や結晶化ガラスが使用できるが、フリットの組成がSi
2 、ZrO2 、B23 およびLiO2 をそれぞれ1
〜50重量%含有し、これら以外にAl23 、Ca
O、K2 O、MgO、Na2 O、BaO、TiO2 ある
いはZnOなどを0.5〜3重量%の範囲で加減したも
のが、熱膨張係数や融点の調整をより容易にすることが
できるので好ましい。さらに好ましいのはSiO2 を1
0〜40重量%、ZrO2 を2〜25重量%、B23
を20〜40重量%、BaOを1〜40重量%およびL
2 Oを1〜10重量%含有するものであり、この組成
をとることにより、熱膨張係数や融点の調整をより容易
に行なうことができる。また、ガラス相には、0.2重
量%以上のPbOやCdOを含まないことが好ましい。
ガラスフリットの粒子径としては、微粒子であればある
ほど低温で融解するので好ましい。特に、50%径が
0.6〜3μmの範囲、90%径が1〜4μmの範囲に
あるものは、低温で融解しセラミックス基板上に強固に
接着するので好ましい。
As the glass frit, glass type or crystallized glass can be used, but the composition of the frit is Si.
O 2 , ZrO 2 , B 2 O 3 and LiO 2 are each 1
˜50% by weight, in addition to these, Al 2 O 3 , Ca
O, K 2 O, MgO, Na 2 O, BaO, is that TiO 2 or ZnO and moderated in the range of 0.5 to 3 wt%, it is possible to more easily adjust the thermal expansion coefficient and the melting point Therefore, it is preferable. More preferably, SiO 2 is 1
0-40% by weight, 2-25% by weight of ZrO 2 , B 2 O 3
20-40% by weight, BaO 1-40% by weight and L
i 2 O is contained in an amount of 1 to 10% by weight, and by adopting this composition, the coefficient of thermal expansion and the melting point can be adjusted more easily. Further, it is preferable that the glass phase does not contain 0.2% by weight or more of PbO and CdO.
As the particle size of the glass frit, finer particles are preferable because they melt at a lower temperature. In particular, those having a 50% diameter in the range of 0.6 to 3 μm and a 90% diameter in the range of 1 to 4 μm are preferable because they melt at low temperature and adhere firmly to the ceramic substrate.

【0026】感光性導電ペースト中のガラスフリットの
含有量としては、導電性粉末、ポリマバインダーおよび
モノマの和に対して5重量%以下であることが好まし
い。より好ましくは3.5重量%以下である。とくに高
周波の伝達損失を低減するために導体膜の低抵抗化を図
るにはガラスフリットの量を下げる必要がある。すなわ
ち、ガラスフリットは電気絶縁性であるので含有量が5
重量%を越えると導体膜の抵抗が増大するので好ましく
ない。
The content of the glass frit in the photosensitive conductive paste is preferably 5% by weight or less with respect to the sum of the conductive powder, the polymer binder and the monomer. It is more preferably 3.5% by weight or less. In particular, in order to reduce the resistance of the conductor film in order to reduce high frequency transmission loss, it is necessary to reduce the amount of glass frit. That is, since the glass frit is electrically insulating, its content is 5
If it exceeds 5% by weight, the resistance of the conductor film increases, which is not preferable.

【0027】またセラミックス多層基板に用いるセラミ
ックス・グリーンシートに印刷して内層導体回路や電源
層に用いる場合は、特に低抵抗を得る目的でガラスフリ
ットの量が2重量%以下であることが好ましい。またセ
ラミックス基板の表層部の導体膜として強固な接着力が
必要な場合は、ガラスフリットを1〜5重量%添加する
と好ましい。1重量%未満ではガラスフリット添加の効
果が少なく強固な接着強度が得られにくい。
When the ceramic green sheet used for the ceramic multilayer substrate is printed and used for the inner conductor circuit or the power supply layer, the amount of glass frit is preferably 2% by weight or less for the purpose of obtaining a low resistance. Further, when a strong adhesive force is required for the conductor film in the surface layer of the ceramic substrate, it is preferable to add 1 to 5% by weight of glass frit. If it is less than 1% by weight, the effect of adding glass frit is small and it is difficult to obtain a strong adhesive strength.

【0028】本発明において上記のガラスフリットに加
えて、金属酸化物を添加することも好ましく行われる。
金属酸化物は導電性粉末が焼結時に異常粒子成長するの
を回避したり、焼結を遅らせるなど、いわゆる焼結助剤
として有効に作用し、その結果、導体膜とセラミックス
基板との接着力をあげるという効果を有する。具体的に
は、Cu、Cr、Mo、AlまたはNiなどの金属の金
属酸化物などが使用できる。金属酸化物は電気的に絶縁
物として作用するので添加量は少ない方がよく、導電性
粉末、ポリマバインダー、モノマ、ガラスフリットおよ
び金属酸化物(両者を含めて無機バインダーという)の
総和に対して3重量%以下であることが好ましい。3重
量%を越えると導体膜の電気抵抗が増加するのでよくな
い。また、金属酸化物と金属を併用することも好ましく
行われる。
In the present invention, it is also preferable to add a metal oxide in addition to the above glass frit.
The metal oxide effectively acts as a so-called sintering aid, such as preventing abnormal particle growth of the conductive powder during sintering or delaying the sintering, and as a result, the adhesive force between the conductor film and the ceramic substrate. It has the effect of raising. Specifically, a metal oxide of a metal such as Cu, Cr, Mo, Al or Ni can be used. Since the metal oxide electrically acts as an insulator, it is better to add a small amount, and the total amount of the conductive powder, the polymer binder, the monomer, the glass frit and the metal oxide (both of them are called an inorganic binder) is added. It is preferably 3% by weight or less. If it exceeds 3% by weight, the electric resistance of the conductor film increases, which is not preferable. It is also preferable to use a metal oxide and a metal together.

【0029】本発明において使用可能な増感剤として
は、例えば、2,3−ビス(4−ジエチルアミノベンザ
ル)シクロペンタノン、2,6−ビス(4−ジメチルア
ミノベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ビス(4−
ジメチルアミノベンザル)−4−メチルシクロヘキサノ
ン、ミヒラーケトン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)
−ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジメチルアミノ)カ
ルコン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)カルコン、p
−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、p−ジメ
チルアミノベンジリデンインダノン、2−(p−ジメチ
ルアミノフェニルビニレン)−イソナフトチアゾール、
1,3−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)アセト
ン、1,3−カルボニル−ビス(4−ジエチルアミノベ
ンザル)アセトン、3,3−カルボニル−ビス(7−ジ
エチルアミノクマリン)、N−フェニル−N−エチルエ
タノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、N−
トリルジエタノールアミン、N−フェニルエタノールア
ミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルア
ミノ安息香酸イソアミル、3−フェニル−5−ベンゾイ
ルチオーテトラゾール、1−フェニル−5−エトキシカ
ルボニルチオ−テトラゾールなどが挙げられる。本発明
ではこれらを1種または2種以上使用することができ
る。なお、増感剤の中には光重合開始剤としても使用で
きるものがある。
Examples of the sensitizer usable in the present invention include 2,3-bis (4-diethylaminobenzal) cyclopentanone, 2,6-bis (4-dimethylaminobenzal) cyclohexanone, 2,3 6-bis (4-
Dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, Michler's ketone, 4,4-bis (diethylamino)
-Benzophenone, 4,4-bis (dimethylamino) chalcone, 4,4-bis (diethylamino) chalcone, p
-Dimethylaminocinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) -isonaphthothiazole,
1,3-bis (4-dimethylaminobenzal) acetone, 1,3-carbonyl-bis (4-diethylaminobenzal) acetone, 3,3-carbonyl-bis (7-diethylaminocoumarin), N-phenyl-N -Ethylethanolamine, N-phenylethanolamine, N-
Examples thereof include trilyldiethanolamine, N-phenylethanolamine, dimethylaminobenzoic acid isoamyl, diethylaminobenzoic acid isoamyl, 3-phenyl-5-benzoylthio-tetrazole, 1-phenyl-5-ethoxycarbonylthio-tetrazole and the like. In the present invention, these may be used alone or in combination of two or more. Some sensitizers can also be used as photopolymerization initiators.

【0030】増感剤を本発明の導電性ペーストに添加す
る場合、その添加量は側鎖にカルボキシル基とエチレン
性不飽和基を有するアクリル系共重合体と光反応性化合
物の総和に対して通常0.1〜20重量%、より好まし
くは0.5〜10重量%である。増感剤の量が少なすぎ
れば光感度を向上させる効果が発揮されず、増感剤の量
が多すぎれば露光部の残存率が小さくなりすぎるおそれ
がある。
When the sensitizer is added to the conductive paste of the present invention, the amount added is based on the total amount of the acrylic copolymer having a carboxyl group and an ethylenically unsaturated group in the side chain and the photoreactive compound. It is usually 0.1 to 20% by weight, more preferably 0.5 to 10% by weight. If the amount of the sensitizer is too small, the effect of improving the photosensitivity is not exhibited, and if the amount of the sensitizer is too large, the residual ratio of the exposed area may be too small.

【0031】本発明の導電性ペーストにおいて保存時の
熱安定性を向上させるため、熱重合禁止剤を添加すると
良い。熱重合禁止剤の具体的な例としては、ヒドロキノ
ン、N−ニトロソジフェニルアミン、フェノチアジン、
p−t−ブチルカテコール、N−フェニルナフチルアミ
ン、2,6−ジ−t−ブチル−p−メチルフェノール、
クロラニール、ピロガロールなどが挙げられる。熱重合
禁止剤を添加する場合、その添加量は、側鎖にカルボキ
シル基とエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合
体と光反応性重合性化合物の和に対し、通常、0.1〜
20重量%、より好ましくは、0.5〜10重量%であ
る。熱重合禁止剤の量が少なすぎる場合は、保存時の熱
的な安定性を向上させる効果が発揮されず、熱重合禁止
剤の量が多すぎれば、露光部の残存率が小さくなりすぎ
るおそれがある。
In order to improve the thermal stability during storage in the conductive paste of the present invention, it is advisable to add a thermal polymerization inhibitor. Specific examples of the thermal polymerization inhibitor include hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, phenothiazine,
p-t-butylcatechol, N-phenylnaphthylamine, 2,6-di-t-butyl-p-methylphenol,
Examples include chloranil and pyrogallol. When the thermal polymerization inhibitor is added, the addition amount is usually 0.1 to the total of the acrylic copolymer having a carboxyl group and an ethylenically unsaturated group in the side chain and the photoreactive polymerizable compound.
It is 20% by weight, more preferably 0.5 to 10% by weight. If the amount of the thermal polymerization inhibitor is too small, the effect of improving the thermal stability during storage will not be exhibited, and if the amount of the thermal polymerization inhibitor is too large, the residual rate of the exposed portion may be too small. There is.

【0032】可塑剤としては、例えばジブチルフタレー
ト、ジオクチルフタレート、ポリエチレングリコールお
よびグリセリンなどが用いられる。
As the plasticizer, for example, dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, polyethylene glycol and glycerin are used.

【0033】また本発明の導電性ペーストには保存時に
おけるアクリル系共重合体の酸化を防ぐために酸化防止
剤を添加できる。酸化防止剤の具体的な例として2,6
−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキ
シアニソール、2,6−ジ−t−4−エチルフェノー
ル、2,2−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−
ブチルフェノール)、2,2−メチレン−ビス−(4−
エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4−ビス−
(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、1,1,
3−トリス−(2−メチル−6−t−ブチルフェノー
ル)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロ
キシ−t−ブチルフェニル)ブタン、ビス[3,3−ビ
ス−(4−ヒドロキシ−3−t−ブチルフェニル)ブチ
リックアシッド]グリコールエステル、ジラウリルチオ
ジプロピオナート、トリフェニルホスファイトなどが挙
げられる。酸化防止剤を添加する場合、その添加量は通
常、導電性粉末、側鎖にカルボキシル基とエチレン性不
飽和基を有するアクリル系共重合体、光反応重合性化合
物、ガラスフリットおよび光重合開始剤の総和に対して
0.01〜5重量%、より好ましくは0.1〜1重量%
である。酸化防止剤の量が少なければ保存時のアクリル
系共重合体の酸化を防ぐ効果が得られず、酸化防止剤の
量が多すぎれば露光部の残存率が小さくなりすぎるおそ
れがある。
An antioxidant may be added to the conductive paste of the present invention in order to prevent oxidation of the acrylic copolymer during storage. 2,6 as specific examples of antioxidants
-Di-t-butyl-p-cresol, butylated hydroxyanisole, 2,6-di-t-4-ethylphenol, 2,2-methylene-bis- (4-methyl-6-t-)
Butylphenol), 2,2-methylene-bis- (4-
Ethyl-6-t-butylphenol), 4,4-bis-
(3-methyl-6-t-butylphenol), 1,1,
3-tris- (2-methyl-6-t-butylphenol), 1,1,3-tris- (2-methyl-4-hydroxy-t-butylphenyl) butane, bis [3,3-bis- (4 -Hydroxy-3-t-butylphenyl) butyric acid] glycol ester, dilaurylthiodipropionate, triphenylphosphite and the like can be mentioned. When an antioxidant is added, its amount is usually a conductive powder, an acrylic copolymer having a carboxyl group and an ethylenically unsaturated group in its side chain, a photoreactive polymerizable compound, a glass frit and a photopolymerization initiator. 0.01 to 5% by weight, more preferably 0.1 to 1% by weight, based on the total
Is. If the amount of the antioxidant is small, the effect of preventing the oxidation of the acrylic copolymer during storage cannot be obtained, and if the amount of the antioxidant is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small.

【0034】感光性導電ペーストの組成としては、次の
範囲で選択するのが好ましい。
The composition of the photosensitive conductive paste is preferably selected within the following range.

【0035】 (A)導電性粉末 ;75〜92重量% (B)側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有
するアクリル系共重合体と光反応性化合物 ;25〜
8重量% (C)光重合開始剤 ;上記(B)成分の総和に対
して2〜25重量% (D)ガラスフリットと金属酸化物;(A)〜(D)の
総和に対して0〜5重量% 上記においてより好ましくは導電性粉末と上記(B)成
分の組成はそれぞれ80〜89重量%および20〜11
重量%である。この範囲にあると露光時において紫外線
が良く透過し、光硬化の機能が十分発揮され、現像時に
おける露光部の膜強度が高くなる。この結果、回路パタ
ーンの信頼性が一段と向上する。またポリマ、モノマー
の量がこの範囲にあると焼成後の導体膜の比抵抗が低く
なり、高周波の伝達損失が低下するという問題もなくな
る。また膜が緻密になり、高強度の膜が得られる。
(A) Conductive powder; 75-92% by weight (B) Acrylic copolymer having carboxyl group and ethylenically unsaturated group in side chain and photoreactive compound; 25-
8% by weight (C) photopolymerization initiator; 2 to 25% by weight based on the total of the components (B) (D) glass frit and metal oxide; 0 to the total of (A) to (D) 5 wt% In the above, more preferably, the composition of the conductive powder and the component (B) is 80 to 89 wt% and 20 to 11 respectively.
% By weight. Within this range, ultraviolet rays are well transmitted during exposure, the photo-curing function is fully exerted, and the film strength of the exposed portion during development is increased. As a result, the reliability of the circuit pattern is further improved. Further, when the amounts of the polymer and the monomer are within this range, the specific resistance of the conductor film after firing becomes low, and the problem that the transmission loss of high frequency is reduced is eliminated. Further, the film becomes dense and a high-strength film can be obtained.

【0036】本発明の導電ペーストは、側鎖にカルボキ
シル基とエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合
体と光重合開始剤を光反応性化合物に溶解し、この溶液
に導電性粉末を分散させることによって製造することが
できる。アクリル系共重合体と光重合開始剤が光反応性
化合物に溶解しない場合、あるいは溶液の粘度を調整し
たい場合には、該アクリル系共重合体、光重合開始剤及
び光反応性化合物の混合溶液を溶解可能な有機溶媒を加
えてもよい。このとき使用される有機溶媒としては、た
とえばメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセ
ロソルブ、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセト
ン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチル
アルコール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフ
ラン、ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトンな
どがあげられる。これらの有機溶媒は、単独であるいは
二種以上併用して用いられる。
In the conductive paste of the present invention, an acrylic copolymer having a carboxyl group and an ethylenically unsaturated group in its side chain and a photopolymerization initiator are dissolved in a photoreactive compound, and a conductive powder is dispersed in this solution. Can be manufactured. When the acrylic copolymer and the photopolymerization initiator are not dissolved in the photoreactive compound, or when it is desired to adjust the viscosity of the solution, a mixed solution of the acrylic copolymer, the photopolymerization initiator and the photoreactive compound You may add the organic solvent which can melt | dissolve. Examples of the organic solvent used at this time include methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl ethyl ketone, dioxane, acetone, cyclohexanone, cyclopentanone, isobutyl alcohol, isopropyl alcohol, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolactone and the like. To be These organic solvents may be used alone or in combination of two or more.

【0037】さらに必要に応じて増感剤、熱重合禁止
剤、可塑剤、酸化防止剤、分散剤、安定化剤、有機ある
いは無機の沈殿防止剤を添加し、混合物のスラリーとす
る。所定の組成となるように調合されたスラリーを3本
ローラや混練機で均質に分散し、ペーストを作製する。
If necessary, a sensitizer, a thermal polymerization inhibitor, a plasticizer, an antioxidant, a dispersant, a stabilizer and an organic or inorganic precipitation inhibitor are added to obtain a slurry of the mixture. A slurry prepared to have a predetermined composition is uniformly dispersed by a three-roller or a kneader to prepare a paste.

【0038】ペーストの粘度は導電性粉末、有機溶媒お
よびガラスフリットの組成、可塑剤、沈殿防止剤などの
添加割合によって適宜調整されるが、その範囲は、通
常、2000〜20万cps(センチ・ポイズ)であ
る。例えば基板への塗布をスピンコート法で行なう場合
は、2000〜5000cpsが好ましい。焼結したセ
ラミックス基板にスクリーン印刷法で1回塗布して膜厚
10〜40μmを得るには、2万〜20万cpsが好ま
しい。またグリーンシートに塗布する場合は、粘度は5
万〜20万cpsが好ましい。これは低粘度であるとペ
ーストをグリーンシートに印刷・露光後、現像時にグリ
ーンシートの内部に、導電性粉末が浸透するため本発明
の微細なパターンを得るのが難しくなるからである。
The viscosity of the paste is appropriately adjusted depending on the composition of the conductive powder, the organic solvent and the glass frit, the addition ratio of the plasticizer, the suspending agent and the like, but the range is usually 2000 to 200,000 cps (centimeter. Poise). For example, when the substrate is coated by the spin coating method, 2000 to 5000 cps is preferable. 20,000 to 200,000 cps is preferable in order to obtain a film thickness of 10 to 40 μm by coating the sintered ceramics substrate once by the screen printing method. When applied to a green sheet, the viscosity is 5
10,000 to 200,000 cps is preferable. This is because if the viscosity is low, it is difficult to obtain the fine pattern of the present invention because the conductive powder penetrates into the green sheet during development after printing and exposing the paste on the green sheet.

【0039】次に、感光性導電ペーストを用いて回路パ
ターンを形成する方法について説明する。
Next, a method of forming a circuit pattern using a photosensitive conductive paste will be described.

【0040】まず、感光性導電ペーストをセラミックス
・グリーンシート、600℃以上の耐熱性ガラスあるい
は焼結後のセラミック基板にスクリーン印刷法で塗布す
る。印刷厚みはスクリーンのメッシュ、ペーストの粘度
を調製することによって任意に制御できるが、通常、5
〜150μmである。5μm未満の膜厚を均質に作製す
ることは困難であり、また150μmを越えると紫外線
露光において透過が難しくなるのでパターン精度が低下
する。本発明の感光性導電ペーストの場合、露光・現像
が微細にできる好ましい厚みの範囲は8〜40μmであ
る。8μm未満になると印刷法では均質な厚みを得るこ
とが難しくなる。また40μmを越えると回路パターン
精度が低下し、線幅/線間隔が60μm/60μm以下
のパターンが得られにくくなる。
First, the photosensitive conductive paste is applied to a ceramic green sheet, heat resistant glass at 600 ° C. or higher, or a ceramic substrate after sintering by a screen printing method. The printing thickness can be controlled arbitrarily by adjusting the screen mesh and the viscosity of the paste.
˜150 μm. It is difficult to uniformly form a film thickness of less than 5 μm, and when it exceeds 150 μm, it becomes difficult to transmit the film in ultraviolet exposure, so that pattern accuracy is deteriorated. In the case of the photosensitive conductive paste of the present invention, the preferable thickness range that allows fine exposure and development is 8 to 40 μm. If it is less than 8 μm, it becomes difficult to obtain a uniform thickness by the printing method. On the other hand, if it exceeds 40 μm, the accuracy of the circuit pattern decreases, and it becomes difficult to obtain a pattern having a line width / line spacing of 60 μm / 60 μm or less.

【0041】なお、導電性ペーストをガラスやセラミッ
クスの基板上に塗布する場合、基板と塗布膜との密着性
を高めるために基板の表面処理を行うとよい。表面処理
は、表面処理液をスピナーなどで基板上に均一に塗布し
た後に80〜140℃で10〜60分間乾燥することに
よって容易に行なうことができる。表面処理液としては
シランカップリング剤、例えばビニルトリクロロシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、トリス−(2−メトキシエトキシ)ビニルシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン、γ
(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルトリエトキシシランなど、あるいは有機金属、例えば
有機チタン、有機アルミニウム、有機ジルコニウムなど
を有機溶媒、例えばエチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチル
アルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、
ブチルアルコールなどで0.1〜5重量%の濃度に希釈
したものを用いることができる。
When the conductive paste is applied on a glass or ceramic substrate, it is preferable to perform a surface treatment on the substrate in order to enhance the adhesion between the substrate and the coating film. The surface treatment can be easily performed by uniformly applying the surface treatment solution onto the substrate with a spinner or the like and then drying at 80 to 140 ° C. for 10 to 60 minutes. As the surface treatment liquid, a silane coupling agent such as vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, tris- (2-methoxyethoxy) vinylsilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ
-(Methacryloxypropyl) trimethoxysilane, γ
(2-Aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, etc., or organic metals such as organic titanium, organic aluminum, organic zirconium Such as an organic solvent, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol,
It is possible to use one diluted with butyl alcohol or the like to a concentration of 0.1 to 5% by weight.

【0042】次に、基板上に塗布したペーストの膜を乾
燥する。通常、70〜120℃で、数分から1時間加熱
して溶媒類を蒸発させることにより行なう。
Next, the paste film applied on the substrate is dried. Usually, it is carried out by heating at 70 to 120 ° C. for several minutes to 1 hour to evaporate the solvents.

【0043】乾燥後、フォトリソグラフィー法により、
回路パターンを有するフィルムあるいはクロムマスクな
どのマスクを用いて紫外線を照射して露光し、感光性ペ
ーストを硬化する。露光条件は導体膜の厚みなどによっ
て異なるが、通常、5〜100mW/cm2 の出力の超
高圧水銀灯を用いて1〜30分間露光を行なう。この際
使用される活性光源はたとえば紫外線、電子線、X線な
どが挙げられるが、これらの中で紫外線が好ましく、そ
の光源としてはたとえば低圧水銀灯、高圧水銀灯、ハロ
ゲンランプ、殺菌灯などが使用できる。なかでも超高圧
水銀灯が好適である。
After drying, by photolithography,
A film having a circuit pattern or a mask such as a chrome mask is used to irradiate with ultraviolet rays for exposure to cure the photosensitive paste. Although the exposure conditions vary depending on the thickness of the conductor film and the like, exposure is usually performed for 1 to 30 minutes using an ultrahigh pressure mercury lamp with an output of 5 to 100 mW / cm 2 . The active light source used at this time includes, for example, ultraviolet rays, electron beams, X-rays and the like. Among these, ultraviolet rays are preferable, and as the light source, for example, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a halogen lamp, a germicidal lamp, etc. can be used. . Of these, an ultra-high pressure mercury lamp is suitable.

【0044】次に現像液を用いて露光によって硬化して
いない部分を除去し、いわゆるネガ型の回路パターンを
形成する。現像は浸漬法やスプレー法で行なう。現像液
としては前記の側鎖にエチレン性不飽和基を有するアク
リル系共重合体、光反応性化合物及び光重合開始剤の混
合物を溶解可能な有機溶媒を使用できる。また該有機溶
媒にその溶解力が失われない範囲で水を添加してもよ
い。またアクリル系共重合体の側鎖にカルボキシル基が
存在する場合、アルカリ水溶液で現像できる。アルカリ
水溶液として水酸化ナトリウムや水酸化カルシウム水溶
液などのような金属アルカリ水溶液を使用できるが、有
機アルカリ水溶液を用いた方が焼成時にアルカリ成分を
除去しやすいので好ましい。有機アルカリ水溶液の具体
例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイ
ド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、
モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどが挙げ
られる。アルカリ水溶液の濃度は通常0.5〜10重量
%、より好ましくは0.1〜5重量%である。アルカリ
濃度が低すぎれば未露光部が除去されずに、アルカリ濃
度が高すぎれば、露光部を腐食させるおそれがあり良く
ない。
Next, a portion which is not cured by exposure is removed using a developing solution to form a so-called negative type circuit pattern. Development is performed by a dipping method or a spray method. As the developing solution, an organic solvent capable of dissolving the mixture of the acrylic copolymer having an ethylenically unsaturated group in the side chain, the photoreactive compound and the photopolymerization initiator can be used. Further, water may be added to the organic solvent within the range in which the dissolving power is not lost. When the side chain of the acrylic copolymer has a carboxyl group, it can be developed with an aqueous alkali solution. As the alkaline aqueous solution, a metallic alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or calcium hydroxide aqueous solution can be used, but it is preferable to use the organic alkaline aqueous solution because the alkaline component can be easily removed during firing. Specific examples of the organic alkaline aqueous solution include tetramethylammonium hydroxide, trimethylbenzylammonium hydroxide,
Examples include monoethanolamine and diethanolamine. The concentration of the alkaline aqueous solution is usually 0.5 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 5% by weight. If the alkali concentration is too low, the unexposed area is not removed. If the alkali concentration is too high, the exposed area may be corroded, which is not good.

【0045】本発明の感光性導電ペーストの調合、印
刷、露光、現像工程では紫外線を遮断できるところで行
う必要がある。紫外線を遮断しない場合、ペーストや塗
布膜が紫外線によって光硬化してしまい、本発明の効果
を発揮できる導体膜が得られない。
In the process of preparing, printing, exposing and developing the photosensitive conductive paste of the present invention, it is necessary to perform it at a place where ultraviolet rays can be blocked. If the ultraviolet rays are not blocked, the paste or the coating film is photo-cured by the ultraviolet rays, and the conductor film that can exert the effect of the present invention cannot be obtained.

【0046】現像後、塗布膜を空気中で焼成する。焼成
条件としては特に限定されないが、側鎖にカルボキシル
基とエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体、
光反応性化合物あるいは溶媒などの有機物が完全に酸
化、蒸発する好ましい条件として400〜550℃で1
〜3時間保持後、600〜1000℃で焼成し、セラミ
ックス基板上に焼き付けることが好ましい。
After development, the coating film is baked in air. The firing conditions are not particularly limited, but an acrylic copolymer having a carboxyl group and an ethylenically unsaturated group in the side chain,
A preferable condition under which the photoreactive compound or the organic matter such as the solvent is completely oxidized and evaporated is 400 to 550 ° C.
After holding for 3 hours, it is preferable to bake at 600 to 1000 ° C. and bake on a ceramic substrate.

【0047】本発明の感光性導電ペーストを用いて回路
パターンを形成した場合、例えば導体膜の厚みが5〜6
0μmにおいて導体の線幅が10〜60μm、導体間の
線間隔10〜60μmのものが得られる。
When a circuit pattern is formed using the photosensitive conductive paste of the present invention, for example, the conductor film has a thickness of 5 to 6
At 0 μm, a line width of the conductor is 10 to 60 μm, and a line interval between the conductors is 10 to 60 μm.

【0048】[0048]

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。なお、下記の実
施例において濃度はとくに断らない限りすべて重量部で
表わす。
EXAMPLES The present invention will now be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In the following examples, all concentrations are expressed in parts by weight unless otherwise specified.

【0049】実施例1〜20 A.導電性粉末 導電性粉末1(Ag粉末) 球状、平均粒子径1.5μm、比表面積0.15m2
g 導電性粉末2(Ag粉末) 球状、平均粒子径3.0μm、比表面積0.32m2
g 導電性粉末3(Ag粉末) 球状、平均粒子径4.0μm、比表面積0.20m2
g 導電性粉末4(Ag粉末) 球状、平均粒子径1.5μm、比表面積0.28m2
g 導電性粉末5(Ag(80)−Pd(20)粉末) 球状、平均粒子径2.0μm、比表面積1.40m2
g 導電性粉末6(Pd粉末) 球状、平均粒子径1.0μm、比表面積1.60m2
g 導電性粉末7(Au(75)−Pd(25)粉末) 球状、平均粒子径0.8μm、比表面積3.50m2
g 導電性粉末8(Au(80)−Pt(20)粉末) 球状、平均粒子径1.0μm、比表面積3.00m2
g 導電性粉末9(Pt(40)−Pd(20)−Au(4
0)粉末) 球状、平均粒子径0.9μm、比表面積2.5m2 /g B.側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有す
るアクリル系共重合体(以下、ポリマーバインダーと略
す) ポリマーバインダー1;40%のメタアクリル酸、30
%のメチルメタアクリレートおよび30%のスチレンの
共重合体に対して0.4当量(40%に相当する)のグ
リシジルアクリレートを付加反応させたポリマー、酸価
は150mgKOH/g ポリマーバインダー2;30%のメタアクリル酸、35
%のエチルメタクリレートおよび35%のスチレンの共
重合体に対して0.3当量のクロライドアクリレートを
付加反応させたポリマー、酸価は70mgKOH/g C.光反応性化合物(以下、モノマーと略す) モノマー1;トリメチロール・プロパン・トリアクリレ
ート モノマー2;2−ヒドロキシエチルアクリレート:プロ
ピレングリコールジアクリレートを1:2の割合で混ぜ
たもの。
Examples 1-20 A. Conductive powder Conductive powder 1 (Ag powder) Spherical, average particle size 1.5 μm, specific surface area 0.15 m 2 /
g Conductive Powder 2 (Ag Powder) Spherical, Average Particle Diameter 3.0 μm, Specific Surface Area 0.32 m 2 /
g Conductive powder 3 (Ag powder) spherical, average particle diameter 4.0 μm, specific surface area 0.20 m 2 /
g Conductive Powder 4 (Ag Powder) Spherical, Average Particle Diameter 1.5 μm, Specific Surface Area 0.28 m 2 /
g Conductive Powder 5 (Ag (80) -Pd (20) Powder) Spherical, Average Particle Diameter 2.0 μm, Specific Surface Area 1.40 m 2 /
g Conductive powder 6 (Pd powder) spherical, average particle diameter 1.0 μm, specific surface area 1.60 m 2 /
g Conductive Powder 7 (Au (75) -Pd (25) Powder) Spherical, Average Particle Diameter 0.8 μm, Specific Surface Area 3.50 m 2 /
g Conductive Powder 8 (Au (80) -Pt (20) Powder) Spherical, Average Particle Diameter 1.0 μm, Specific Surface Area 3.00 m 2 /
g Conductive powder 9 (Pt (40) -Pd (20) -Au (4
0) Powder) Spherical, average particle size 0.9 μm, specific surface area 2.5 m 2 / g B.I. Acrylic copolymer having a carboxyl group and an ethylenically unsaturated group in its side chain (hereinafter abbreviated as polymer binder) Polymer binder 1; 40% methacrylic acid, 30
% Methylmethacrylate and 30% styrene copolymer with 0.4 equivalents (corresponding to 40%) of glycidyl acrylate added and reacted, acid value 150 mg KOH / g polymer binder 2; 30% Methacrylic acid, 35
% Ethyl methacrylate and 35% styrene copolymer, 0.3 equivalent of chloride acrylate was added and reacted with an acid value of 70 mgKOH / g C.I. Photoreactive compound (hereinafter abbreviated as monomer) Monomer 1; trimethylol propane triacrylate monomer 2; 2-hydroxyethyl acrylate: propylene glycol diacrylate mixed in a ratio of 1: 2.

【0050】D.ガラスフリット ガラスフリット1(成分モル%);酸化カルシウム
(5.0)、酸化亜鉛(28.1)、酸化ホウ素(2
5.0)、二酸化ケイ素(22.8)、酸化ナトリウム
(8.8)、酸化ジルコニウム(4.5)、アルミナ
(5.8) ガラスフリット2(成分重量%);酸化ジルコニウム
(42)、酸化ホウ素(24)、二酸化ケイ素(2
1)、酸化リチウム(7)、アルミナ(4)およびその
他の酸化物(2) E.金属酸化物 金属酸化物1;CuO 金属酸化物2;NiO F.溶媒 γ−ブチロラクトンとエチルセロソルブとの混合溶液 G.光重合開始剤 α−アミノ・アセトフェノン H.感光性導電性ペーストの製造 a.有機ビヒクルの作製 溶媒およびポリマーバインダーを混合し、攪拌しながら
80℃まで加熱しすべてのポリマーバインダーを均質に
溶解させた。ついで溶液を室温まで冷却し、光重合開始
剤を加えて溶解させた。その後溶液を400メッシュの
フィルターを通過し、濾過した。このときの溶媒の量と
しては、得られるペーストの粘度が2万〜5万cpsの
範囲になるようした。
D. Glass frit Glass frit 1 (component mol%); calcium oxide (5.0), zinc oxide (28.1), boron oxide (2)
5.0), silicon dioxide (22.8), sodium oxide (8.8), zirconium oxide (4.5), alumina (5.8) glass frit 2 (component weight%); zirconium oxide (42), Boron oxide (24), silicon dioxide (2
1), lithium oxide (7), alumina (4) and other oxides (2) E. Metal oxide Metal oxide 1; CuO Metal oxide 2; NiO F. Mixed solution of solvent γ-butyrolactone and ethyl cellosolve G. Photopolymerization initiator α-aminoacetophenone H. Production of photosensitive conductive paste a. Preparation of Organic Vehicle The solvent and the polymer binder were mixed and heated to 80 ° C. with stirring to uniformly dissolve all the polymer binders. Then, the solution was cooled to room temperature, and a photopolymerization initiator was added and dissolved. The solution was then passed through a 400 mesh filter and filtered. The amount of the solvent used at this time was such that the viscosity of the obtained paste was in the range of 20,000 to 50,000 cps.

【0051】b.ペースト作製 上記の有機ビヒクルに導電性粉末、モノマー、金属酸化
物粉末およびガラスフリットを所定の組成となるように
添加し、3本ローラで混合・分散してしペーストを作製
した。ペーストの組成を表1〜表3に示す。
B. Preparation of Paste A conductive powder, a monomer, a metal oxide powder, and a glass frit were added to the above organic vehicle so as to have a predetermined composition, and mixed and dispersed with three rollers to prepare a paste. The composition of the paste is shown in Tables 1 to 3.

【0052】c.アルミナ基板の表面処理 表面処理液として(2−アミノエチル)アミノプロピル
トリメトキシシランのイソプロピルアルコールの1重量
%溶液を用いる。次にこの溶液1.5mlをアルミナ基
板上に落とし、スピナーで回転数3000rpmで10
秒で塗布した後、100℃で30分間保持し、乾燥して
表面処理を行った。
C. Surface Treatment of Alumina Substrate As a surface treatment liquid, a 1% by weight solution of (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane in isopropyl alcohol is used. Next, 1.5 ml of this solution was dropped on an alumina substrate and spun at a rotation speed of 3000 rpm for 10 minutes.
After applying for 2 seconds, the surface treatment was performed by holding at 100 ° C. for 30 minutes and drying.

【0053】d.印刷 上記のペーストを250メッシュスクリーンを用いて、
表面処理を施したアルミナ基板(100mm角、厚み
0.5mm)上に70mm角の大きさにベタに印刷し、
80℃で40分間乾燥した。乾燥後の塗布膜の厚みは導
電性粉末、ポリマーバインダー、モノマーの種類によっ
て異なるが、12〜20μmであった。
D. Printing The above paste using a 250 mesh screen,
Solid-print 70 mm square on a surface-treated alumina substrate (100 mm square, thickness 0.5 mm),
It was dried at 80 ° C. for 40 minutes. The thickness of the coating film after drying varied depending on the types of the conductive powder, the polymer binder, and the monomer, but was 12 to 20 μm.

【0054】e.露光、現像 上記で作製した塗布膜を10〜60μmの範囲で5μm
間隔のファインパターンを形成したクロムマスクを用い
て、上面から50mW/cm2 の出力の超高圧水銀灯で
紫外線露光した。次に25℃に保持したモノエタノール
アミンの1重量%の水溶液に浸漬して現像し、その後ス
プレーを用いて光硬化していないヴィアホールを水洗浄
した。
E. Exposure and development The coating film prepared above is 5 μm in the range of 10 to 60 μm.
Using a chrome mask on which fine patterns of intervals were formed, ultraviolet exposure was performed from the upper surface with an ultrahigh pressure mercury lamp with an output of 50 mW / cm 2 . Next, it was immersed in a 1% by weight aqueous solution of monoethanolamine maintained at 25 ° C. for development, and then the photo-cured via holes were washed with water using a spray.

【0055】f.焼成 アルミナ基板上に印刷した塗布膜を空気中、500℃で
1時間の脱バインダー焼成を行い、ポリマーバインダ
ー、モノマー、光重合開始剤および溶媒を蒸発させた
後、850〜1000℃にて0.5時間焼結させ、導体
膜を作製した。焼成温度を表1〜3に示す。
F. The coating film printed on the calcined alumina substrate was debindered and calcined in air at 500 ° C. for 1 hour to evaporate the polymer binder, the monomer, the photopolymerization initiator and the solvent, and then at 850 to 1000 ° C. The conductor film was produced by sintering for 5 hours. The firing temperatures are shown in Tables 1-3.

【0056】g.評価 焼成後の導体膜について膜厚、解像度、比抵抗を測定
し、評価した。膜厚はマイクロメータで測定した。解像
度は導体膜を顕微鏡観察し、10〜60μmのラインが
直線で重なりなくかつ再現性が得られるライン間隔を最
も微細なライン間隔として決定した。比抵抗は4端子法
で30mAの電流下で起電力を測定して抵抗を求めた。
これらの測定値を表1〜3に示す。
G. Evaluation The film thickness, resolution and specific resistance of the conductor film after firing were measured and evaluated. The film thickness was measured with a micrometer. The resolution was determined by observing the conductor film with a microscope and determining a line interval at which lines of 10 to 60 μm do not overlap with each other in a straight line and reproducibility is obtained as the finest line interval. The specific resistance was determined by measuring the electromotive force under a current of 30 mA by the 4-terminal method.
These measured values are shown in Tables 1-3.

【0057】[0057]

【表1】 [Table 1]

【0058】[0058]

【表2】 [Table 2]

【0059】[0059]

【表3】 [Table 3]

【0060】このように光硬化性の樹脂を含む導電性ペ
ーストを用いてフォトリソグラフィー法により線幅/線
間隔が60μm/60μm以下の微細パターンでかつ低
抵抗を有する回路パターンが得られるのでとくにセラミ
ックス多層基板やハイブリッドICの小型化、高密度化
に有利である。
As described above, since a circuit pattern having a line width / line spacing of 60 μm / 60 μm or less and a low resistance and a circuit pattern having a low resistance can be obtained by a photolithography method using a conductive paste containing a photocurable resin, a ceramic is particularly preferable. This is advantageous for miniaturization and high density of multilayer substrates and hybrid ICs.

【0061】比較例1〜8 ポリマーバインダーとして、ポリマーバインダー3、4
を用いた以外は実施例と同様に行った。ペーストの組成
および評価結果を表4に示す。酸価210mgKOH/
gの場合は、現像のコントロールが難しく、塗布膜が基
板から剥離してしまった。また、酸価30mgKOH/
gの場合は、未露光部が十分溶解せず、現像不良となっ
た。
Comparative Examples 1 to 8 Polymer binders 3 and 4 were used as polymer binders.
The same procedure as in Example was performed except that was used. Table 4 shows the composition of the paste and the evaluation results. Acid value 210mgKOH /
In the case of g, it was difficult to control the development and the coating film was peeled off from the substrate. Also, acid value 30 mgKOH /
In the case of g, the unexposed area was not sufficiently dissolved, resulting in poor development.

【0062】ポリマーバインダー3;40%のメタクリ
ル酸、30%のメチルメタクリレートおよび30%のス
チレンの共重合体にして0.1当量のグリシジルメタク
リレートを付加反応させたポリマー、酸価は210mg
KOH/g ポリマーバインダー4;10%のメタクリル酸、90%
のメチルメタクリレートの共重合体に対して0.8当量
グリシジルメタクリレートを付加反応させたポリマー、
酸価は30mgKOH/g
Polymer binder 3; polymer obtained by addition-reacting a copolymer of 40% methacrylic acid, 30% methyl methacrylate and 30% styrene with 0.1 equivalent of glycidyl methacrylate, acid value 210 mg
KOH / g polymer binder 4; 10% methacrylic acid, 90%
A polymer obtained by addition-reacting 0.8 equivalent of glycidyl methacrylate with respect to the copolymer of methyl methacrylate of
Acid value is 30mgKOH / g

【表4】 [Table 4]

【0063】[0063]

【発明の効果】本発明は上述のごとく構成したので微細
パターンが確実に形成できるうえ、配線パターンのかす
れや線幅の上下差、および線幅のだれなども確実に防止
することができる。また配線抵抗を低くできるため通信
機などの高周波での伝達損失を低減することができる。
この結果、高い信頼性を得ることができ、高密度なセラ
ミックス多層配線基板やハイブリッドICの小型化、高
密度化を可能にするものである。
Since the present invention is constructed as described above, it is possible to surely form a fine pattern, and it is also possible to surely prevent the faint wiring pattern, the line width difference between the upper and lower sides, and the line width sag. Further, since the wiring resistance can be reduced, it is possible to reduce the transmission loss at high frequencies of a communication device or the like.
As a result, high reliability can be obtained, and miniaturization and high density of the high-density ceramic multilayer wiring board and hybrid IC are possible.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G03F 7/038 G03F 7/038 H05K 1/09 H05K 1/09 D Z (56)参考文献 特開 平3−171690(JP,A) 特開 平5−271576(JP,A) 特開 昭62−220541(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01B 1/22 H01B 1/20 H05K 1/09 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI G03F 7/038 G03F 7/038 H05K 1/09 H05K 1/09 D Z (56) Reference JP-A-3-171690 (JP, A) JP-A-5-271576 (JP, A) JP-A-62-220541 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01B 1/22 H01B 1/20 H05K 1 / 09

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】(a)Au、Ag、PdおよびPtの群か
ら選ばれる少なくとも1種を含む導電性粉末、(b)酸
価が40〜200のアクリル系共重合体、(c)光反応
性化合物、(d)光重合開始剤および(e)ガラス転移
点が300〜500℃のガラスフリットを含有すること
を特徴とする感光性導電ペースト。
1. A conductive powder containing at least one selected from the group consisting of Au, Ag, Pd and Pt, (b) an acrylic copolymer having an acid value of 40 to 200, and (c) a photoreaction. Compounds , ( d) photopolymerization initiator and (e) glass transition
A photosensitive conductive paste comprising a glass frit having points of 300 to 500 ° C.
【請求項2】導電性粉末がAg、PdおよびPtの群か
ら選ばれる少なくとも1種を含むことを特徴とする請求
項1記載の感光性導電ペースト。
2. Whether the conductive powder is a group of Ag, Pd and Pt
The photosensitive conductive paste according to claim 1 , comprising at least one selected from the group consisting of:
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