JP3399351B2 - 光信号処理装置および光信号処理方法 - Google Patents
光信号処理装置および光信号処理方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は光信号処理装置お
よび光信号処理方法に関し、特にたとえば、マイクロ波
のフィルタ装置、ＴＭ−ＴＥモード変換装置、光ビーム
のスキャニング装置、高速なサージ電流を検出するため
のサージ電流センサーなどとしての電磁界センサーなど
に用いられる光信号処理装置および光信号処理方法に関
する。
よび光信号処理方法に関し、特にたとえば、マイクロ波
のフィルタ装置、ＴＭ−ＴＥモード変換装置、光ビーム
のスキャニング装置、高速なサージ電流を検出するため
のサージ電流センサーなどとしての電磁界センサーなど
に用いられる光信号処理装置および光信号処理方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】この発明の背景となる従来の光信号処理
装置の一例が、たとえば堤他による信学論文誌，Ｊ７６
−Ｃ−Ｉ，１１４（１９９３）に開示されている。図１
０はこのような従来の光信号処理装置を示す図解図であ
る。図１０に示す光信号処理装置１は、磁性体としてＹ
ＩＧ薄膜２を含む。ＹＩＧ薄膜２は、ＧＧＧ基板３の一
方主面に形成される。ＹＩＧ薄膜２の一方の側面には、
半導体レーザ４で発生したたとえば波長１．３μｍのレ
ーザ光が、偏光子５を介して入射される。入射されたレ
ーザ光はＹＩＧ薄膜２の他方の側面から出射されるが、
出射されたレーザ光は、検光子６を介してＧｅフォトダ
イオード７で受光され、ロックイン増幅器８で検出され
る。また、ＹＩＧ薄膜２の主面上には、トランスデュー
サとして線状のアンテナ９が設けられる。このアンテナ
９には、マイクロ波発振器１０で発生したマイクロ波
が、ピンダイオード１１およびＧａＡｓマイクロウェー
ブモノリシックＩＣアンプ１２を介して与えられる。そ
れによって、ＹＩＧ薄膜２には、高周波磁界が励振され
る。なお、この光信号処理装置１では、信号を受信しや
すくかつＳ／Ｎをを上げるためにマイクロ波発振器１０
で発生したマイクロ波は、ピンダイオード１１および別
の低周波発振器１３によって、たとえば１０００Ｈｚで
振幅変調される。したがって、ＹＩＧ薄膜２などにおけ
る磁気光学効果がマイクロ波による高周波磁界に応答す
れば、ファラデー回転が生じ、レーザ光の信号が振幅変
調された形で検出される。
装置の一例が、たとえば堤他による信学論文誌，Ｊ７６
−Ｃ−Ｉ，１１４（１９９３）に開示されている。図１
０はこのような従来の光信号処理装置を示す図解図であ
る。図１０に示す光信号処理装置１は、磁性体としてＹ
ＩＧ薄膜２を含む。ＹＩＧ薄膜２は、ＧＧＧ基板３の一
方主面に形成される。ＹＩＧ薄膜２の一方の側面には、
半導体レーザ４で発生したたとえば波長１．３μｍのレ
ーザ光が、偏光子５を介して入射される。入射されたレ
ーザ光はＹＩＧ薄膜２の他方の側面から出射されるが、
出射されたレーザ光は、検光子６を介してＧｅフォトダ
イオード７で受光され、ロックイン増幅器８で検出され
る。また、ＹＩＧ薄膜２の主面上には、トランスデュー
サとして線状のアンテナ９が設けられる。このアンテナ
９には、マイクロ波発振器１０で発生したマイクロ波
が、ピンダイオード１１およびＧａＡｓマイクロウェー
ブモノリシックＩＣアンプ１２を介して与えられる。そ
れによって、ＹＩＧ薄膜２には、高周波磁界が励振され
る。なお、この光信号処理装置１では、信号を受信しや
すくかつＳ／Ｎをを上げるためにマイクロ波発振器１０
で発生したマイクロ波は、ピンダイオード１１および別
の低周波発振器１３によって、たとえば１０００Ｈｚで
振幅変調される。したがって、ＹＩＧ薄膜２などにおけ
る磁気光学効果がマイクロ波による高周波磁界に応答す
れば、ファラデー回転が生じ、レーザ光の信号が振幅変
調された形で検出される。
【０００３】また、この発明の背景となる従来の光信号
処理装置の他の例が、たとえばＣ．Ｓ．Ｔｓａｉらによ
るＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４７，６５１（１９
８５）に開示されている。図１１はこのような従来の光
信号処理装置を示す図解図である。図１１に示す光信号
処理装置は、図１０に示す光信号処理装置と比べて、特
に、ストリップラインからなる２つのアンテナ９、９′
がＹＩＧ薄膜２の主面上に間隔を隔てて設けられ、一方
のアンテナ９がマイクロ波を発生するために用いられ、
他方のアンテナ９′が検波のために用いられる。そし
て、図１１に示す光信号処理装置では、ＹＩＧ薄膜２に
入射されるＴＭモードの光信号が、ＹＩＧ薄膜２などに
おける磁気光学効果によってＴＥモードの光信号に変換
される。
処理装置の他の例が、たとえばＣ．Ｓ．Ｔｓａｉらによ
るＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４７，６５１（１９
８５）に開示されている。図１１はこのような従来の光
信号処理装置を示す図解図である。図１１に示す光信号
処理装置は、図１０に示す光信号処理装置と比べて、特
に、ストリップラインからなる２つのアンテナ９、９′
がＹＩＧ薄膜２の主面上に間隔を隔てて設けられ、一方
のアンテナ９がマイクロ波を発生するために用いられ、
他方のアンテナ９′が検波のために用いられる。そし
て、図１１に示す光信号処理装置では、ＹＩＧ薄膜２に
入射されるＴＭモードの光信号が、ＹＩＧ薄膜２などに
おける磁気光学効果によってＴＥモードの光信号に変換
される。
【０００４】上述のように、図１０および図１１に示す
光信号処理装置１では、それぞれ、磁性体としてのＹＩ
Ｇ薄膜２にマイクロ波を印加する手段としてアンテナ９
によるトランスデューサを用い、アンテナ９に対し直交
方向にマイクロ波を発生させている。そして、マイクロ
波によりＹＩＧ薄膜２中に静磁波（ＭＳＷ）を励起する
ことで、光変調やＴＭ−ＴＥモード変換を行っている。
光信号処理装置１では、それぞれ、磁性体としてのＹＩ
Ｇ薄膜２にマイクロ波を印加する手段としてアンテナ９
によるトランスデューサを用い、アンテナ９に対し直交
方向にマイクロ波を発生させている。そして、マイクロ
波によりＹＩＧ薄膜２中に静磁波（ＭＳＷ）を励起する
ことで、光変調やＴＭ−ＴＥモード変換を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の技術
では、マイクロ波による光信号の変調効率が低く、高い
Ｓ／Ｎを得ることができなかった。また、従来の技術で
は、マイクロ波の伝播特性を自由に変えて、所望のフィ
ルタ特性を有するフィルタ装置を自由に得ることが難し
かった。さらに、従来の技術では、落雷などの高速なサ
ージ電流に対応できる電磁界センサーを簡単な構成で得
ることが難しかった。
では、マイクロ波による光信号の変調効率が低く、高い
Ｓ／Ｎを得ることができなかった。また、従来の技術で
は、マイクロ波の伝播特性を自由に変えて、所望のフィ
ルタ特性を有するフィルタ装置を自由に得ることが難し
かった。さらに、従来の技術では、落雷などの高速なサ
ージ電流に対応できる電磁界センサーを簡単な構成で得
ることが難しかった。
【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、マ
イクロ波による光信号の光変調率が高く、高いＳ／Ｎを
得ることができる、光信号処理装置および光信号処理方
法を提供することである。
イクロ波による光信号の光変調率が高く、高いＳ／Ｎを
得ることができる、光信号処理装置および光信号処理方
法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる光信号
処理装置は、磁性体上に形成したストリップラインと、
ストリップラインの一端および他端にそれぞれ接続され
るマイクロ波入力端子およびマイクロ波出力端子とを備
え、マイクロ波入力端子からマイクロ波を印加すること
により、その磁性体中を透過する光信号の処理を行う、
光信号処理装置である。この発明にかかる光信号処理装
置では、磁性体に磁場が印加されてもよい。この場合、
たとえば、磁性体中の光信号の大局的な進行方向と磁場
の印加方向がほぼ一致し、マイクロ波の進行方向がこれ
らの方向にほぼ直交するか、または、磁性体中の光信号
の大局的な進行方向、マイクロ波の進行方向および磁場
の印加方向が互いにほぼ直交する。また、この発明にか
かる光信号処理装置に光検出器を付加してフィルタ装置
を構成してもよい。この場合、光検出器としては、たと
えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ、光電管
および光電子増倍管のいずれかが用いられてもよい。さ
らに、この発明にかかる光信号処理装置を用いてＴＭ−
ＴＥモード変換装置が構成されてもよい。また、この発
明にかかる光信号処理装置を用いて光ビームのスキャニ
ング装置が構成されてもよい。さらに、この発明にかか
る光信号処理装置を用いて電磁界センサー装置が構成さ
れてもよい。この発明にかかる光信号処理方法は、磁性
体上に形成したストリップラインと、ストリップライン
の一端および他端にそれぞれ接続されるマイクロ波入力
端子およびマイクロ波出力端子とを備え、マイクロ波入
力端子からマイクロ波を印加することにより、その磁性
体中を透過する光信号の処理を行う、光信号処理方法で
ある。なお、この発明にかかる光信号処理装置および光
信号処理方法では、磁性体としてたとえばフェライトが
用いられ、フェライトとしては、たとえばＹＩＧ（Ｙ3
Ｆｅ5 Ｏ12）などの鉄ガーネット構造（Ｍ3 Ｆｅ5 Ｏ12
で表され、Ｍは金属または半金属）などが用いられる。
また、この発明にかかる光信号処理装置および光信号処
理方法では、磁性体として、たとえば、バルク単結晶や
単結晶薄膜が用いられてもよい。
処理装置は、磁性体上に形成したストリップラインと、
ストリップラインの一端および他端にそれぞれ接続され
るマイクロ波入力端子およびマイクロ波出力端子とを備
え、マイクロ波入力端子からマイクロ波を印加すること
により、その磁性体中を透過する光信号の処理を行う、
光信号処理装置である。この発明にかかる光信号処理装
置では、磁性体に磁場が印加されてもよい。この場合、
たとえば、磁性体中の光信号の大局的な進行方向と磁場
の印加方向がほぼ一致し、マイクロ波の進行方向がこれ
らの方向にほぼ直交するか、または、磁性体中の光信号
の大局的な進行方向、マイクロ波の進行方向および磁場
の印加方向が互いにほぼ直交する。また、この発明にか
かる光信号処理装置に光検出器を付加してフィルタ装置
を構成してもよい。この場合、光検出器としては、たと
えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ、光電管
および光電子増倍管のいずれかが用いられてもよい。さ
らに、この発明にかかる光信号処理装置を用いてＴＭ−
ＴＥモード変換装置が構成されてもよい。また、この発
明にかかる光信号処理装置を用いて光ビームのスキャニ
ング装置が構成されてもよい。さらに、この発明にかか
る光信号処理装置を用いて電磁界センサー装置が構成さ
れてもよい。この発明にかかる光信号処理方法は、磁性
体上に形成したストリップラインと、ストリップライン
の一端および他端にそれぞれ接続されるマイクロ波入力
端子およびマイクロ波出力端子とを備え、マイクロ波入
力端子からマイクロ波を印加することにより、その磁性
体中を透過する光信号の処理を行う、光信号処理方法で
ある。なお、この発明にかかる光信号処理装置および光
信号処理方法では、磁性体としてたとえばフェライトが
用いられ、フェライトとしては、たとえばＹＩＧ（Ｙ3
Ｆｅ5 Ｏ12）などの鉄ガーネット構造（Ｍ3 Ｆｅ5 Ｏ12
で表され、Ｍは金属または半金属）などが用いられる。
また、この発明にかかる光信号処理装置および光信号処
理方法では、磁性体として、たとえば、バルク単結晶や
単結晶薄膜が用いられてもよい。
【０００８】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１はこの発明にかかる光信号処
理装置の一例を示す図解図である。図１に示す光信号処
理装置２０は、磁性体として、たとえば１０ｍｍ×５ｍ
ｍ×１ｍｍの大きさのＹＩＧ単結晶２２を含む。
理装置の一例を示す図解図である。図１に示す光信号処
理装置２０は、磁性体として、たとえば１０ｍｍ×５ｍ
ｍ×１ｍｍの大きさのＹＩＧ単結晶２２を含む。
【００１０】ＹＩＧ単結晶２２の一方主面の幅方向にお
ける中央には、たとえば長さ１０ｍｍ、幅１ｍｍ、厚さ
０．１ｍｍのマイクロストリップライン２４が設けられ
る。
ける中央には、たとえば長さ１０ｍｍ、幅１ｍｍ、厚さ
０．１ｍｍのマイクロストリップライン２４が設けられ
る。
【００１１】また、ＹＩＧ単結晶２２の長手方向におけ
る両端には、たとえば同軸コネクタからなるマイクロ波
入力端子２６およびマイクロ波出力端子２８がそれぞれ
設けられる。マイクロ波入力端子２６およびマイクロ波
出力端子２８は、マイクロストリップライン２４の一端
および他端にそれぞれ接続される。また、マイクロ波入
力端子２６には、たとえばＧＨｚ帯のマイクロ波を発生
するマイクロ波発振器（図示せず）の出力端が接続され
る。なお、マイクロ波出力端子２８は、そこからの出力
を観測するために、検波器（図示せず）を通じてオシロ
スコープＯＳに接続される。
る両端には、たとえば同軸コネクタからなるマイクロ波
入力端子２６およびマイクロ波出力端子２８がそれぞれ
設けられる。マイクロ波入力端子２６およびマイクロ波
出力端子２８は、マイクロストリップライン２４の一端
および他端にそれぞれ接続される。また、マイクロ波入
力端子２６には、たとえばＧＨｚ帯のマイクロ波を発生
するマイクロ波発振器（図示せず）の出力端が接続され
る。なお、マイクロ波出力端子２８は、そこからの出力
を観測するために、検波器（図示せず）を通じてオシロ
スコープＯＳに接続される。
【００１２】さらに、ＹＩＧ単結晶２２の近傍には、永
久磁石（図示せず）が設けられる。この永久磁石は、Ｙ
ＩＧ単結晶２２にその主面に直交する方向に弱い直流磁
場Ｈを印加するためのものである。
久磁石（図示せず）が設けられる。この永久磁石は、Ｙ
ＩＧ単結晶２２にその主面に直交する方向に弱い直流磁
場Ｈを印加するためのものである。
【００１３】また、ＹＩＧ単結晶２２の幅方向における
一方の側面の外側には、半導体レーザ３０、第１のレン
ズ３２および偏光子３４が、この順にＹＩＧ単結晶２２
に近づくように設けられる。半導体レーザ３０は、たと
えば波長１．３μｍのレーザ光を発生するためのもので
ある。第１のレンズ３２は、半導体レーザ３０で発生し
たレーザ光をＹＩＧ単結晶２２中で集光するためのもの
である。偏光子３４は、半導体レーザ３０で発生したレ
ーザ光を特定方向の直線偏光とするためのものである。
一方の側面の外側には、半導体レーザ３０、第１のレン
ズ３２および偏光子３４が、この順にＹＩＧ単結晶２２
に近づくように設けられる。半導体レーザ３０は、たと
えば波長１．３μｍのレーザ光を発生するためのもので
ある。第１のレンズ３２は、半導体レーザ３０で発生し
たレーザ光をＹＩＧ単結晶２２中で集光するためのもの
である。偏光子３４は、半導体レーザ３０で発生したレ
ーザ光を特定方向の直線偏光とするためのものである。
【００１４】さらに、ＹＩＧ単結晶２２の幅方向におけ
る他方の側面の外側には、検光子３６、第２のレンズ３
８および光検出器４０が、この順にＹＩＧ単結晶２２か
ら離れるるように設けられる。検光子３６は、ＹＩＧ単
結晶２２を透過したレーザ光の特定方向の直線偏光を透
過するためのものであり、偏光子３４とたとえばクロス
ニコルの関係で設置される。第２のレンズ３８は、検光
子３６を透過したレーザ光を集光するためのものであ
る。光検出器４０は、第２のレンズ３８で集光したレー
ザ光の信号を検出するためのものであり、たとえばＧｅ
フォトダイオードからなる。なお、光検出器４０の出力
端は、そこからの出力を観測するために、オシロスコー
プＯＳに接続される。
る他方の側面の外側には、検光子３６、第２のレンズ３
８および光検出器４０が、この順にＹＩＧ単結晶２２か
ら離れるるように設けられる。検光子３６は、ＹＩＧ単
結晶２２を透過したレーザ光の特定方向の直線偏光を透
過するためのものであり、偏光子３４とたとえばクロス
ニコルの関係で設置される。第２のレンズ３８は、検光
子３６を透過したレーザ光を集光するためのものであ
る。光検出器４０は、第２のレンズ３８で集光したレー
ザ光の信号を検出するためのものであり、たとえばＧｅ
フォトダイオードからなる。なお、光検出器４０の出力
端は、そこからの出力を観測するために、オシロスコー
プＯＳに接続される。
【００１５】図１に示すマイクロストリップライン２４
のようなマイクロストリップラインにおいては、そのマ
イクロストリップラインに平行にマイクロ波および静磁
波が伝播することが知られている（堤他による信学論文
誌，Ｊ７９−Ｃ−１，３４（１９９６）参照）。したが
って、図１に示す光信号処理装置２０では、マイクロ波
入力端子２６にＧＨｚ帯のある周波数のマイクロ波を入
力すると、マイクロ波出力端子２８からマイクロ波の出
力が観測される。この状態で、半導体レーザ３０で発生
したレーザ光を第１のレンズ３２および偏光子３４を通
してＹＩＧ単結晶２２を透過させると、検光子３６およ
び第２のレンズ３８を通して光検出器４０で検出される
光信号が、マイクロ波出力端子２８からの出力にしたが
って変調される。なお、図１には、マイクロ波入力端子
２６に入力されるマイクロ波、マイクロ波出力端子２８
から出力されるマイクロ波、半導体レーザ３０で発生す
るレーザ光、光検出器４０で検出される光信号および光
検出器４０から出力される信号の各波形を概念的に示
す。この光信号処理装置２０では、光信号をマイクロ波
によって約１％の効率で変調することが可能である。こ
の効率は、従来技術の約１０〜１００倍に達する。その
理由は以下のように推測される。
のようなマイクロストリップラインにおいては、そのマ
イクロストリップラインに平行にマイクロ波および静磁
波が伝播することが知られている（堤他による信学論文
誌，Ｊ７９−Ｃ−１，３４（１９９６）参照）。したが
って、図１に示す光信号処理装置２０では、マイクロ波
入力端子２６にＧＨｚ帯のある周波数のマイクロ波を入
力すると、マイクロ波出力端子２８からマイクロ波の出
力が観測される。この状態で、半導体レーザ３０で発生
したレーザ光を第１のレンズ３２および偏光子３４を通
してＹＩＧ単結晶２２を透過させると、検光子３６およ
び第２のレンズ３８を通して光検出器４０で検出される
光信号が、マイクロ波出力端子２８からの出力にしたが
って変調される。なお、図１には、マイクロ波入力端子
２６に入力されるマイクロ波、マイクロ波出力端子２８
から出力されるマイクロ波、半導体レーザ３０で発生す
るレーザ光、光検出器４０で検出される光信号および光
検出器４０から出力される信号の各波形を概念的に示
す。この光信号処理装置２０では、光信号をマイクロ波
によって約１％の効率で変調することが可能である。こ
の効率は、従来技術の約１０〜１００倍に達する。その
理由は以下のように推測される。
【００１６】図１に示す光信号処理装置２０において
は、永久磁石による直流磁場Ｈに加えて、マイクロ波入
力端子２６に入力されたマイクロ波により、ＹＩＧ単結
晶２２中には高周波磁場が発生する。永久磁石による直
流磁場ＨはＹＩＧ単結晶２２が完全に磁気飽和する程度
には強くないので、ＹＩＧ単結晶２２中には磁壁が存在
する。この磁壁がマイクロ波の高周波磁場により振動す
ると考えられる。ところで、一般に光学媒質に内部磁場
が生じると、媒質中を伝播する光波の偏光面が回転する
ことが、ファラデー効果（光の進行方向と内部磁場とが
平行のときに生じる効果）やコットン−ムートン効果
（光の進行方向と内部磁場とが直交するときに生じる効
果）などの磁気光学効果として知られている。したがっ
て、図１に示す光信号処理装置２０では、直流磁場Ｈに
よる静的な磁気光学効果に加えて、高周波磁場あるいは
磁壁の振動による動的な磁気光学効果も生じている。ま
た、検光子３６によってある偏光方向をもった直線偏光
しか光検出器４０に到達しないが、上述の動的な磁気光
学効果によりこの直線偏光成分はマイクロ波の周波数で
振動することになる。すなわち、マイクロ波帯の信号
が、光強度の包絡線の変化に引き移される。光検出器４
０は光の振動数に追従することは到底不可能であるが、
マイクロ波の周波数での光強度の変化（光強度の包絡
線）には追従できる。結果的に、光信号がマイクロ波に
より変調され、光強度の包絡線の変化は再びマイクロ波
帯の電気信号に引き移されて観測される。そして、マイ
クロストリップ２４の構造により磁壁を効率的に振動さ
せることができると予想されるので、光信号のマイクロ
波による変調効率が上昇すると考えられる。
は、永久磁石による直流磁場Ｈに加えて、マイクロ波入
力端子２６に入力されたマイクロ波により、ＹＩＧ単結
晶２２中には高周波磁場が発生する。永久磁石による直
流磁場ＨはＹＩＧ単結晶２２が完全に磁気飽和する程度
には強くないので、ＹＩＧ単結晶２２中には磁壁が存在
する。この磁壁がマイクロ波の高周波磁場により振動す
ると考えられる。ところで、一般に光学媒質に内部磁場
が生じると、媒質中を伝播する光波の偏光面が回転する
ことが、ファラデー効果（光の進行方向と内部磁場とが
平行のときに生じる効果）やコットン−ムートン効果
（光の進行方向と内部磁場とが直交するときに生じる効
果）などの磁気光学効果として知られている。したがっ
て、図１に示す光信号処理装置２０では、直流磁場Ｈに
よる静的な磁気光学効果に加えて、高周波磁場あるいは
磁壁の振動による動的な磁気光学効果も生じている。ま
た、検光子３６によってある偏光方向をもった直線偏光
しか光検出器４０に到達しないが、上述の動的な磁気光
学効果によりこの直線偏光成分はマイクロ波の周波数で
振動することになる。すなわち、マイクロ波帯の信号
が、光強度の包絡線の変化に引き移される。光検出器４
０は光の振動数に追従することは到底不可能であるが、
マイクロ波の周波数での光強度の変化（光強度の包絡
線）には追従できる。結果的に、光信号がマイクロ波に
より変調され、光強度の包絡線の変化は再びマイクロ波
帯の電気信号に引き移されて観測される。そして、マイ
クロストリップ２４の構造により磁壁を効率的に振動さ
せることができると予想されるので、光信号のマイクロ
波による変調効率が上昇すると考えられる。
【００１７】なお、図１に示す光信号処理装置２０にお
いて、弱い直流磁場Ｈの励磁源として永久磁石の代わり
に電磁石が用いられてもよい。また、第１のレンズ３２
と偏光子３４との位置が入れ替えられてもよく、検光子
３６と第２のレンズ３８との位置が入れ替えられてもよ
い。さらに、偏光子３４と検光子３６とは、クロスニコ
ルの関係に置かれなくてもよい。また、光検出器４０と
しては、Ｇｅフォトダイオードなどのフォトダイオード
以外にフォトトランジスタ、光電管、光電子増倍管など
が用いられてもよい。これらのことは、後述する他の光
信号処理装置においても同様である。
いて、弱い直流磁場Ｈの励磁源として永久磁石の代わり
に電磁石が用いられてもよい。また、第１のレンズ３２
と偏光子３４との位置が入れ替えられてもよく、検光子
３６と第２のレンズ３８との位置が入れ替えられてもよ
い。さらに、偏光子３４と検光子３６とは、クロスニコ
ルの関係に置かれなくてもよい。また、光検出器４０と
しては、Ｇｅフォトダイオードなどのフォトダイオード
以外にフォトトランジスタ、光電管、光電子増倍管など
が用いられてもよい。これらのことは、後述する他の光
信号処理装置においても同様である。
【００１８】図２はこの発明にかかる光信号処理装置の
他の例を示す図解図である。図２に示す光信号処理装置
は、図１に示す光信号処理装置と比べて、特に、検光子
３６として偏光プリズムが用いられる。この場合、検光
子３６は、それを透過する光信号の偏光方向がそれを反
射する光信号の偏光方向と４５°をなすように設置され
る。さらに、検光子３６の近傍には、たとえばＧｅフォ
トダイオードからなる第１の光検出器４０ａおよび第２
の光検出器４０ｂが設けられる。第１の光検出器４０ａ
は検光子３６を透過する光信号を検出するためのもので
あり、第２の光検出器４０ｂは検光子３６を反射する光
信号を検出するためのものである。また、第１の光検出
器４０ａの出力端および第２の光検出器４０ｂの出力端
は、演算回路４２の２つの入力端に接続される。演算回
路４２は、第１の光検出器４０ａの出力をＡとし、第２
の光検出器４０ｂの出力をＢとしたときに、（Ａ−Ｂ）
／（Ａ＋Ｂ）を演算するためのものである。なお、演算
回路４２の出力端は、そこからの出力を観測するため
に、オシロスコープＯＳに接続される。
他の例を示す図解図である。図２に示す光信号処理装置
は、図１に示す光信号処理装置と比べて、特に、検光子
３６として偏光プリズムが用いられる。この場合、検光
子３６は、それを透過する光信号の偏光方向がそれを反
射する光信号の偏光方向と４５°をなすように設置され
る。さらに、検光子３６の近傍には、たとえばＧｅフォ
トダイオードからなる第１の光検出器４０ａおよび第２
の光検出器４０ｂが設けられる。第１の光検出器４０ａ
は検光子３６を透過する光信号を検出するためのもので
あり、第２の光検出器４０ｂは検光子３６を反射する光
信号を検出するためのものである。また、第１の光検出
器４０ａの出力端および第２の光検出器４０ｂの出力端
は、演算回路４２の２つの入力端に接続される。演算回
路４２は、第１の光検出器４０ａの出力をＡとし、第２
の光検出器４０ｂの出力をＢとしたときに、（Ａ−Ｂ）
／（Ａ＋Ｂ）を演算するためのものである。なお、演算
回路４２の出力端は、そこからの出力を観測するため
に、オシロスコープＯＳに接続される。
【００１９】図２に示す光信号検出装置では、図１に示
す光信号検出装置と同様に、光信号をマイクロ波によっ
て従来技術の約１０〜１００倍の高い効率で変調するこ
とができる。さらに、図２に示す光信号処理装置では、
磁気光学効果の大きさが数度以下と小さいときには、４
５°法で知られるように、演算回路４２の出力（Ａ−
Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）によって、小さな誤差で磁気光学効果
の大きさを求められることができる。そのため、光信号
の変調をさらに高いＳ／Ｎで検出することができる。
す光信号検出装置と同様に、光信号をマイクロ波によっ
て従来技術の約１０〜１００倍の高い効率で変調するこ
とができる。さらに、図２に示す光信号処理装置では、
磁気光学効果の大きさが数度以下と小さいときには、４
５°法で知られるように、演算回路４２の出力（Ａ−
Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）によって、小さな誤差で磁気光学効果
の大きさを求められることができる。そのため、光信号
の変調をさらに高いＳ／Ｎで検出することができる。
【００２０】次に、図１に示す光信号処理装置２０のフ
ィルタ特性について説明する。ここでは、図１に示す光
信号検出装置２０のマイクロ波入力端子２６に入力され
るＧＨｚ帯のマイクロ波の周波数をスイープしながら、
マイクロ波出力端子２８からの出力および光検出器４０
からの出力がそれぞれ観測される。図１に示す光信号処
理装置２０では、永久磁石による直流磁場Ｈが加えられ
ているので、マイクロ波の周波数をスイープすると静磁
波の共鳴周波数ｆ0 でＹＩＧ単結晶２２中に静磁波が励
起される。そのため、その周波数ｆ0 では、マイクロ波
出力端子２８からの出力が減衰する（図３参照）。すな
わち、ＹＩＧ単結晶２２およびマイクロストリップライ
ン２４は、あるバンドパスフィルタ特性を持っていると
いえる。一方、光検出器４０からの光出力を観測する
と、その光出力は、マイクロ波出力端子２８からの出力
が減衰する周波数ｆ0 において減衰する（図４参照）
が、マイクロ波出力端子２８からの出力に比べて、減衰
の半値幅が狭くかつ減衰量が大きくなっている。これ
は、静磁波よりもマイクロ波のほうが光信号を効率よく
変調できるためであると推定できる。したがって、図１
に示す光信号処理装置２０では、光検出器４０からの光
出力のほうがマイクロ波出力端子２８からの出力より
も、バンドパスフィルタとして動作させたときのＱ値が
大きくなり、より狭帯域のフィルタ特性を得ることがで
きる。
ィルタ特性について説明する。ここでは、図１に示す光
信号検出装置２０のマイクロ波入力端子２６に入力され
るＧＨｚ帯のマイクロ波の周波数をスイープしながら、
マイクロ波出力端子２８からの出力および光検出器４０
からの出力がそれぞれ観測される。図１に示す光信号処
理装置２０では、永久磁石による直流磁場Ｈが加えられ
ているので、マイクロ波の周波数をスイープすると静磁
波の共鳴周波数ｆ0 でＹＩＧ単結晶２２中に静磁波が励
起される。そのため、その周波数ｆ0 では、マイクロ波
出力端子２８からの出力が減衰する（図３参照）。すな
わち、ＹＩＧ単結晶２２およびマイクロストリップライ
ン２４は、あるバンドパスフィルタ特性を持っていると
いえる。一方、光検出器４０からの光出力を観測する
と、その光出力は、マイクロ波出力端子２８からの出力
が減衰する周波数ｆ0 において減衰する（図４参照）
が、マイクロ波出力端子２８からの出力に比べて、減衰
の半値幅が狭くかつ減衰量が大きくなっている。これ
は、静磁波よりもマイクロ波のほうが光信号を効率よく
変調できるためであると推定できる。したがって、図１
に示す光信号処理装置２０では、光検出器４０からの光
出力のほうがマイクロ波出力端子２８からの出力より
も、バンドパスフィルタとして動作させたときのＱ値が
大きくなり、より狭帯域のフィルタ特性を得ることがで
きる。
【００２１】図５はこの発明にかかる光信号処理装置の
さらに他の例を示す図解図である。図５に示す光信号処
理装置は、図１に示す光信号処理装置と比べて、特に、
マイクロストリップライン２４の長手方向における両側
に２つのエアギャップ２４ａおよび２４ｂが形成され
る。
さらに他の例を示す図解図である。図５に示す光信号処
理装置は、図１に示す光信号処理装置と比べて、特に、
マイクロストリップライン２４の長手方向における両側
に２つのエアギャップ２４ａおよび２４ｂが形成され
る。
【００２２】図５に示す光信号処理装置２０では、マイ
クロストリップライン２４の２箇所にエアギャップ２４
ａ、２４ｂが存在するために、マイクロ波の半波長共振
器が構成される。そのため、マイクロ波出力端子２８に
おけるフィルタ特性は、マイクロストリップライン２４
の共鳴周波数ｆ0 のマイクロ波を通過するバンドパスフ
ィルタ特性を有する（図６参照）。また、マイクロ波の
光に対する変調効率に非線型性が存在するため、光検出
器４０の出力端におけるフィルタ特性（図７参照）は、
図６に示したマイクロ波出力端子２８におけるフィルタ
特性を強調したものになり、共振特性が改善される。し
たがって、図５に示す光信号処理装置２０では、光検出
器４０からの光出力のほうがマイクロ波出力端子２８か
らの出力よりも、バンドパスフィルタとして動作させた
ときのＱ値が大きくなり、より狭帯域のフィルタ特性を
得ることができる。また、このバンドパスフィルタは、
狭帯域の発振器を構成することができる。
クロストリップライン２４の２箇所にエアギャップ２４
ａ、２４ｂが存在するために、マイクロ波の半波長共振
器が構成される。そのため、マイクロ波出力端子２８に
おけるフィルタ特性は、マイクロストリップライン２４
の共鳴周波数ｆ0 のマイクロ波を通過するバンドパスフ
ィルタ特性を有する（図６参照）。また、マイクロ波の
光に対する変調効率に非線型性が存在するため、光検出
器４０の出力端におけるフィルタ特性（図７参照）は、
図６に示したマイクロ波出力端子２８におけるフィルタ
特性を強調したものになり、共振特性が改善される。し
たがって、図５に示す光信号処理装置２０では、光検出
器４０からの光出力のほうがマイクロ波出力端子２８か
らの出力よりも、バンドパスフィルタとして動作させた
ときのＱ値が大きくなり、より狭帯域のフィルタ特性を
得ることができる。また、このバンドパスフィルタは、
狭帯域の発振器を構成することができる。
【００２３】図８はこの発明にかかる光信号処理装置の
さらに他の例を示す図解図である。図８に示す光信号処
理装置では、図１に示す光信号処理装置と比べて、特
に、磁性体としてたとえば膜厚１０μｍのＹＩＧ単結晶
薄膜２２′が用いられる。ＹＩＧ単結晶薄膜２２′は、
ＧＧＧ基板２３上にＬＰＥ法（液相エピタキシャル法）
で作製される。さらに、ＹＩＧ単結晶薄膜２２′上にお
いて、マイクロストリップライン２４の両側には、第１
のルチルプリズム３５ａおよび第２のルチルプリズム３
５ｂがそれぞれ設けられる。また、半導体レーザ３０で
発生したレーザ光が第１のレンズ３２および偏光子３４
を介して第１のルチルプリズム３５ａを用いるプリズム
カップリングによってＹＩＧ単結晶薄膜２２′中に導波
されるように、半導体レーザ３０、第１のレンズ３２お
よび偏光子３４が設けられる。さらに、第２のプリズム
３５ｂによってＹＩＧ単結晶薄膜２２′中から自由空間
に取り出されたレーザ光が検光子３６および第２のレン
ズ３８を介して光検出器４０で検出されるように、検光
子３６、第２のレンズ３８および光検出器４０が設けら
れる。
さらに他の例を示す図解図である。図８に示す光信号処
理装置では、図１に示す光信号処理装置と比べて、特
に、磁性体としてたとえば膜厚１０μｍのＹＩＧ単結晶
薄膜２２′が用いられる。ＹＩＧ単結晶薄膜２２′は、
ＧＧＧ基板２３上にＬＰＥ法（液相エピタキシャル法）
で作製される。さらに、ＹＩＧ単結晶薄膜２２′上にお
いて、マイクロストリップライン２４の両側には、第１
のルチルプリズム３５ａおよび第２のルチルプリズム３
５ｂがそれぞれ設けられる。また、半導体レーザ３０で
発生したレーザ光が第１のレンズ３２および偏光子３４
を介して第１のルチルプリズム３５ａを用いるプリズム
カップリングによってＹＩＧ単結晶薄膜２２′中に導波
されるように、半導体レーザ３０、第１のレンズ３２お
よび偏光子３４が設けられる。さらに、第２のプリズム
３５ｂによってＹＩＧ単結晶薄膜２２′中から自由空間
に取り出されたレーザ光が検光子３６および第２のレン
ズ３８を介して光検出器４０で検出されるように、検光
子３６、第２のレンズ３８および光検出器４０が設けら
れる。
【００２４】図８に示す光信号処理装置では、半導体レ
ーザ３０で発生したレーザ光が、第１のレンズ３２を介
して偏光子３４で偏光され、第１のルチルプリズム３５
ａを用いるプリズムカップリングでＹＩＧ単結晶薄膜２
２′中に導波される。この状態で、ＹＩＧ単結晶薄膜２
２′における光の進行方向とほぼ直交するマイクロスト
リップライン２４にＧＨｚ帯のマイクロ波が入力され、
かつＹＩＧ単結晶薄膜２２′に永久磁石（図示せず）に
よって光のほぼ進行方向に弱い直流磁場Ｈが印加され
る。すると、ＹＩＧ単結晶薄膜２２′中の光はマイクロ
波などによる磁気光学効果によって偏光面が回転され、
ＹＩＧ単結晶薄膜２２′中を導波した光は、第２のルチ
ルプリズム３５ｂによって自由空間に取り出され、検光
子３６、第２のレンズ３８および光検出器４０によって
偏光方向が確認される。
ーザ３０で発生したレーザ光が、第１のレンズ３２を介
して偏光子３４で偏光され、第１のルチルプリズム３５
ａを用いるプリズムカップリングでＹＩＧ単結晶薄膜２
２′中に導波される。この状態で、ＹＩＧ単結晶薄膜２
２′における光の進行方向とほぼ直交するマイクロスト
リップライン２４にＧＨｚ帯のマイクロ波が入力され、
かつＹＩＧ単結晶薄膜２２′に永久磁石（図示せず）に
よって光のほぼ進行方向に弱い直流磁場Ｈが印加され
る。すると、ＹＩＧ単結晶薄膜２２′中の光はマイクロ
波などによる磁気光学効果によって偏光面が回転され、
ＹＩＧ単結晶薄膜２２′中を導波した光は、第２のルチ
ルプリズム３５ｂによって自由空間に取り出され、検光
子３６、第２のレンズ３８および光検出器４０によって
偏光方向が確認される。
【００２５】図８に示す光信号処理装置において、ＹＩ
Ｇ単結晶薄膜２２′中では、ＹＩＧ単結晶などのバルク
中とは異なり、光はあるモードで進行する。そして、た
とえば、準ＴＭモードの光をＹＩＧ単結晶薄膜２２′中
に導波されたとき、マイクロ波などによる磁気光学効果
によって光の偏光面が回転し、準ＴＭモードの光信号が
ＴＥモードの光信号に変換されてＹＩＧ単結晶薄膜２
２′から出射される。したがって、図８に示す光信号処
理装置では、従来技術よりも効率よく、導波路中でＴＭ
モードの光信号をＴＥモードの光信号に変換を行うこと
ができる。
Ｇ単結晶薄膜２２′中では、ＹＩＧ単結晶などのバルク
中とは異なり、光はあるモードで進行する。そして、た
とえば、準ＴＭモードの光をＹＩＧ単結晶薄膜２２′中
に導波されたとき、マイクロ波などによる磁気光学効果
によって光の偏光面が回転し、準ＴＭモードの光信号が
ＴＥモードの光信号に変換されてＹＩＧ単結晶薄膜２
２′から出射される。したがって、図８に示す光信号処
理装置では、従来技術よりも効率よく、導波路中でＴＭ
モードの光信号をＴＥモードの光信号に変換を行うこと
ができる。
【００２６】なお、図８に示す光信号処理装置におい
て、ＹＩＧ単結晶薄膜２２′中に光を導波させる手段と
しては、プリズムカップリングの代わりにＹＩＧ単結晶
薄膜２２′の端面から光を入射させるエッジカップリン
グが用いられてもよい。
て、ＹＩＧ単結晶薄膜２２′中に光を導波させる手段と
しては、プリズムカップリングの代わりにＹＩＧ単結晶
薄膜２２′の端面から光を入射させるエッジカップリン
グが用いられてもよい。
【００２７】図９はこの発明にかかる光信号処理装置の
さらに他の例を示す図解図である。図９に示す光信号処
理装置では、図１に示す光信号処理装置と比べて、特
に、光検出器４０が移動できるように設けられる。
さらに他の例を示す図解図である。図９に示す光信号処
理装置では、図１に示す光信号処理装置と比べて、特
に、光検出器４０が移動できるように設けられる。
【００２８】図９に示す光信号処理装置では、マイクロ
ストリップライン２４にＧＨ帯のマイクロ波が入力され
る。また、半導体レーザ３０から波長１．３μｍのレー
ザ光を、第１のレンズ３２を通してマイクロストリップ
ラインとはほぼ垂直な方向にＹＩＧ単結晶２２の端面か
らＹＩＧ単結晶２２内に入射させる。また、永久磁石に
よる弱い直流磁場Ｈが、マイクロストリップライン２４
および光の進行方向のいずれにもほぼ垂直な方向に印加
される。そして、ＹＩＧ単結晶２２の光の出射側の端面
の外側で、光検出器４０をスキャンすることによって、
ＹＩＧ単結晶２２を透過する光の振れ角を第２のレンズ
３８を通して測定することができる。
ストリップライン２４にＧＨ帯のマイクロ波が入力され
る。また、半導体レーザ３０から波長１．３μｍのレー
ザ光を、第１のレンズ３２を通してマイクロストリップ
ラインとはほぼ垂直な方向にＹＩＧ単結晶２２の端面か
らＹＩＧ単結晶２２内に入射させる。また、永久磁石に
よる弱い直流磁場Ｈが、マイクロストリップライン２４
および光の進行方向のいずれにもほぼ垂直な方向に印加
される。そして、ＹＩＧ単結晶２２の光の出射側の端面
の外側で、光検出器４０をスキャンすることによって、
ＹＩＧ単結晶２２を透過する光の振れ角を第２のレンズ
３８を通して測定することができる。
【００２９】図９に示す光信号処理装置では、図１に示
す光信号処理装置と同様に、ＹＩＧ単結晶２２中ではマ
イクロ波によって磁壁がマイクロ波の振動数で振動して
いることが考えられる。この磁壁の振動によってＹＩＧ
単結晶２２の屈折率の空間分布が周期的に変化している
ことが推定される。このためにＹＩＧ単結晶２２中を進
行する光が回折作用を受け、光の進行方向が曲げられ
る。したがって、図９に示す光信号処理装置では、光ビ
ームの進行方向を変える、すなわちスキャニングを行う
ことができる。しかも、従来のＡＯ変調器よりも光ビー
ムの振れ角を大きくすることができる。
す光信号処理装置と同様に、ＹＩＧ単結晶２２中ではマ
イクロ波によって磁壁がマイクロ波の振動数で振動して
いることが考えられる。この磁壁の振動によってＹＩＧ
単結晶２２の屈折率の空間分布が周期的に変化している
ことが推定される。このためにＹＩＧ単結晶２２中を進
行する光が回折作用を受け、光の進行方向が曲げられ
る。したがって、図９に示す光信号処理装置では、光ビ
ームの進行方向を変える、すなわちスキャニングを行う
ことができる。しかも、従来のＡＯ変調器よりも光ビー
ムの振れ角を大きくすることができる。
【００３０】次に、図１に示す光信号処理装置２０によ
ってのサージ電流の検出について説明する。図１に示す
光信号処理装置２０のようにマイクロストリップ構造の
ものでは、静磁波だけではなくマイクロ波によっても、
敏感かつ高速に光の変調を行うことができると考えられ
る。そこで、落雷などにより高速なサージ電流が発生し
たときにも、サージ電流が図１に示す光信号処理装置２
０のマイクロ波入力端子２６に入力されるようにすれ
ば、これに十分速く追随して光検出器４０で検出される
光出力が変化する。これによってサージ電流を検出する
ことができる。したがって、図１に示す光信号処理装置
では、落雷などによるサージ電流を、従来技術よりも高
速に検出することができる。
ってのサージ電流の検出について説明する。図１に示す
光信号処理装置２０のようにマイクロストリップ構造の
ものでは、静磁波だけではなくマイクロ波によっても、
敏感かつ高速に光の変調を行うことができると考えられ
る。そこで、落雷などにより高速なサージ電流が発生し
たときにも、サージ電流が図１に示す光信号処理装置２
０のマイクロ波入力端子２６に入力されるようにすれ
ば、これに十分速く追随して光検出器４０で検出される
光出力が変化する。これによってサージ電流を検出する
ことができる。したがって、図１に示す光信号処理装置
では、落雷などによるサージ電流を、従来技術よりも高
速に検出することができる。
【００３１】
【発明の効果】この発明によれば、マイクロ波による光
信号の光変調率が高く、高いＳ／Ｎを得ることができ
る。この発明によれば、Ｑ値が大きく、狭帯域のフィル
タ特性を得ることができる。この発明によれば、ＴＭモ
ードの光信号をＴＥモードの光信号に効率よく変換する
ことができる。この発明によれば、光ビームの進行方向
を変えるスキャニングを行うことができる。この発明に
よれば、落雷などによるサージ電流を高速に検出するこ
とができる。
信号の光変調率が高く、高いＳ／Ｎを得ることができ
る。この発明によれば、Ｑ値が大きく、狭帯域のフィル
タ特性を得ることができる。この発明によれば、ＴＭモ
ードの光信号をＴＥモードの光信号に効率よく変換する
ことができる。この発明によれば、光ビームの進行方向
を変えるスキャニングを行うことができる。この発明に
よれば、落雷などによるサージ電流を高速に検出するこ
とができる。
【図１】この発明にかかる光信号処理装置の一例を示す
図解図である。
図解図である。
【図２】この発明にかかる光信号処理装置の他の例を示
す図解図である。
す図解図である。
【図３】図１に示す光信号処理装置のマイクロ波出力端
子におけるフィルタ特性を示すグラフである。
子におけるフィルタ特性を示すグラフである。
【図４】図１に示す光信号処理装置の光検出器の出力端
におけるフィルタ特性を示すグラフである。
におけるフィルタ特性を示すグラフである。
【図５】この発明にかかる光信号処理装置のさらに他の
例を示す図解図である。
例を示す図解図である。
【図６】図５に示す光信号処理装置のマイクロ波出力端
子におけるフィルタ特性を示すグラフである。
子におけるフィルタ特性を示すグラフである。
【図７】図５に示す光信号処理装置の光検出器の出力端
におけるフィルタ特性を示すグラフである。
におけるフィルタ特性を示すグラフである。
【図８】この発明にかかる光信号処理装置のさらに他の
例を示す図解図である。
例を示す図解図である。
【図９】この発明にかかる光信号処理装置のさらに他の
例を示す図解図である。
例を示す図解図である。
【図１０】従来の光信号処理装置の一例を示す図解図で
ある。
ある。
【図１１】従来の光信号処理装置の他の例を示す図解図
である。
である。
２０ 光信号処理装置
２２ ＹＩＧ単結晶
２２′ ＹＩＧ単結晶薄膜
２３ ＧＧＧ基板
２４ マイクロストリップライン
２４ａ、２４ｂ エアギャップ
２６ マイクロ波入力端子
２８ マイクロ波出力端子
３０ 半導体レーザ
３２ 第１のレンズ
３４ 偏光子
３５ａ 第１のルチルプリズム
３５ｂ 第２のルチルプリズム
３６ 検光子
３８ 第２のレンズ
４０ 光検出器
４０ａ 第１の光検出器
４０ｂ 第２の光検出器
４２ 演算回路
ＯＳ オシロスコープ
Claims (18)
- 【請求項１】 磁性体上に形成したストリップライン
と、前記ストリップラインの一端および他端にそれぞれ
接続されるマイクロ波入力端子およびマイクロ波出力端
子とを備え、 前記マイクロ波入力端子から マイクロ波を印加すること
により、前記磁性体中を透過する光信号の処理を行う、
光信号処理装置。 - 【請求項２】 前記磁性体がフェライトである、請求項
１に記載の光信号処理装置。 - 【請求項３】 前記フェライトが鉄ガーネットである、
請求項２に記載の光信号処理装置。 - 【請求項４】 前記鉄ガーネットがＹＩＧである、請求
項３に記載の光信号処理装置。 - 【請求項５】 前記磁性体がバルク単結晶である、請求
項１に記載の光信号処理装置。 - 【請求項６】 前記磁性体が単結晶薄膜である、請求項
１に記載の光信号処理装置。 - 【請求項７】 前記磁性体に磁場が印加される、請求項
１ないし請求項６のいずれかに記載の光信号処理装置。 - 【請求項８】 前記磁性体中の前記光信号の大局的な進
行方向と前記磁場の印加方向がほぼ一致し、前記マイク
ロ波の進行方向がこれらの方向にほぼ直交している、請
求項７に記載の光信号処理装置。 - 【請求項９】 前記磁性体中の前記光信号の大局的な進
行方向、前記マイクロ波の進行方向および前記磁場の印
加方向が互いにほぼ直交している、請求項７に記載の光
信号処理装置。 - 【請求項１０】 請求項８または請求項９に記載の光信
号処理装置に光検出器を付加した、フィルタ装置。 - 【請求項１１】 前記光検出器がフォトダイオード、フ
ォトトランジスタ、光電管および光電子増倍管のいずれ
かである、請求項１０に記載のフィルタ装置。 - 【請求項１２】 請求項１ないし請求項９のいずれかに
記載の光信号処理装置を用いたことを特徴とする、ＴＭ
−ＴＥモード変換装置。 - 【請求項１３】 請求項１ないし請求項９のいずれかに
記載の光信号処理装置を用いたことを特徴とする、光ビ
ームのスキャニング装置。 - 【請求項１４】 請求項１ないし請求項９のいずれかに
記載の光信号処理装置を用いたことを特徴とする、電磁
界センサー装置。 - 【請求項１５】 磁性体上に形成したストリップライン
と、前記ストリップラインの一端および他端にそれぞれ
接続されるマイクロ波入力端子およびマイクロ波出力端
子とを備え、 前記マイクロ波入力端子から マイクロ波を印加すること
により、前記磁性体中を透過する光信号の処理を行う、
光信号処理方法。 - 【請求項１６】 前記磁性体がフェライトである、請求
項１５に記載の光信号処理方法。 - 【請求項１７】 前記フェライトが鉄ガーネットであ
る、請求項１６に記載の光信号処理方法。 - 【請求項１８】 前記鉄ガーネットがＹＩＧである、請
求項１７に記載の光信号処理方法。
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