JP3398089B2 - 抵抗膜の比抵抗値測定方法 - Google Patents
抵抗膜の比抵抗値測定方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、棒状電極を有する
２次元抵抗体の比抵抗値測定に関する。
２次元抵抗体の比抵抗値測定に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、本発明が比抵抗値測定の対象と
している抵抗膜の例である。矩形の抵抗膜（２０１）の
対向する２辺に棒状の低抵抗値の棒状電極（２０２）が
形成されている。この抵抗膜の最も典型的な応用例が、
抵抗膜感圧式デジタイザである。図３に示すように抵抗
膜感圧式デジタイザの構造は、大きく分けて２層に分か
れており、下層はガラス、プラスチック等よりなる透明
な基板（３０１）、上層はポリエステル（ＰＥＴ）など
の透明なフィルム材（３０２）で構成されている。基板
（３０１）の上面には、抵抗膜（３０３）が形成され、
フィルム材の下面にも同様に抵抗膜（３０４）が形成さ
れている。抵抗膜（３０３）、および抵抗膜（３０４）
の対向する２辺には棒状電極が形成されている。デジタ
イザの構造上、ガラス基板側の抵抗膜（３０３）とフィ
ルム側の抵抗膜（３０４）の電極は直角に位置する２辺
に配置されている。
している抵抗膜の例である。矩形の抵抗膜（２０１）の
対向する２辺に棒状の低抵抗値の棒状電極（２０２）が
形成されている。この抵抗膜の最も典型的な応用例が、
抵抗膜感圧式デジタイザである。図３に示すように抵抗
膜感圧式デジタイザの構造は、大きく分けて２層に分か
れており、下層はガラス、プラスチック等よりなる透明
な基板（３０１）、上層はポリエステル（ＰＥＴ）など
の透明なフィルム材（３０２）で構成されている。基板
（３０１）の上面には、抵抗膜（３０３）が形成され、
フィルム材の下面にも同様に抵抗膜（３０４）が形成さ
れている。抵抗膜（３０３）、および抵抗膜（３０４）
の対向する２辺には棒状電極が形成されている。デジタ
イザの構造上、ガラス基板側の抵抗膜（３０３）とフィ
ルム側の抵抗膜（３０４）の電極は直角に位置する２辺
に配置されている。
【０００３】また、抵抗膜（３０３）と（３０４）の間
には通常両者が接触しないように細かい粒状のスペーサ
が散布されている。通常、抵抗膜（３０３）と（３０
４）の間は絶縁状態にあるが、ペンや指等でフイルム材
（３０２）が押圧されるとその位置において抵抗膜の局
所的な接触が起こる。この時、接触点を経由して流れる
電流を検出することにより、押圧個所の座標算出が行わ
れる。
には通常両者が接触しないように細かい粒状のスペーサ
が散布されている。通常、抵抗膜（３０３）と（３０
４）の間は絶縁状態にあるが、ペンや指等でフイルム材
（３０２）が押圧されるとその位置において抵抗膜の局
所的な接触が起こる。この時、接触点を経由して流れる
電流を検出することにより、押圧個所の座標算出が行わ
れる。
【０００４】図３に示すように、感圧式デジタイザは簡
単な構造であり、その性能を決定する大きな要因は、抵
抗膜の性能である。つまり、感圧式デジタイザの設計、
生産、検査、使用、性能評価に際しては、抵抗膜の性能
が重要なファクタとなっている。
単な構造であり、その性能を決定する大きな要因は、抵
抗膜の性能である。つまり、感圧式デジタイザの設計、
生産、検査、使用、性能評価に際しては、抵抗膜の性能
が重要なファクタとなっている。
【０００５】抵抗膜の性能を最も良く表す指標は、比抵
抗値である（２次元の場合、単位長さ、単位幅の小片の
電気抵抗）。以下にデジタイザ抵抗膜の比抵抗値測定に
関する従来技術を示す。 （１）電極間の抵抗値から比抵抗値を算出する方法。
抗値である（２次元の場合、単位長さ、単位幅の小片の
電気抵抗）。以下にデジタイザ抵抗膜の比抵抗値測定に
関する従来技術を示す。 （１）電極間の抵抗値から比抵抗値を算出する方法。
【０００６】図２において、単に二つの電極間の抵抗値
を測定する。比抵抗値は得られた抵抗値を抵抗膜の幅を
掛けて長さで除して求める。これは、全体の性能を、マ
クロな性質を最も簡単に表しているが、抵抗膜の抵抗、
電極と抵抗膜の接触抵抗およびその分布すべてをまとめ
て平均化しているため、抵抗膜の局所的な抵抗値はわか
らない。 （２）抵抗膜を小片に裁断して測定する方法 この方法は、図４に示すように、図２の抵抗膜を小片に
裁断して、その小片（４０２）に測定用の電極（４０
３）を付して抵抗値を測定する方法である。裁断、電極
付けの作業が正確であれば、局所部分の比抵抗を最も直
接かつ厳密に測定できる方法であるが、裁断、電極付け
等により抵抗膜の状態が変化する可能性が大きい。ま
た、破壊検査であるため元の状態を復元できないという
欠点をもつ。 （３）リニアリティ算出による評価 抵抗膜比抵抗値の分布（同一面内）に関する指標で、感
圧式デジタイザの評価では、良く使用される。定義を図
５に示す。デジタイザに直線状の押圧入力を与えてその
出力の歪みを見る方法である。実際の測定は、抵抗膜
（５０１）の対向する２本の棒状電極に一定電圧を掛
け、抵抗膜上に電位勾配（５０４）を形成し、プローブ
で所定位置の電位を電位計により検出することで実施す
る。直線（５０２）に沿って電位を検出しても、現実に
は抵抗膜面に比抵抗の分布があるため、リニアな理想的
検出電圧（５０３）からずれた出力（５０４）が得られ
る。この歪みｄ（５０５）をその位置の理想的な検出電
圧（５０３）で除した値の最大値がリニアリティであ
る。
を測定する。比抵抗値は得られた抵抗値を抵抗膜の幅を
掛けて長さで除して求める。これは、全体の性能を、マ
クロな性質を最も簡単に表しているが、抵抗膜の抵抗、
電極と抵抗膜の接触抵抗およびその分布すべてをまとめ
て平均化しているため、抵抗膜の局所的な抵抗値はわか
らない。 （２）抵抗膜を小片に裁断して測定する方法 この方法は、図４に示すように、図２の抵抗膜を小片に
裁断して、その小片（４０２）に測定用の電極（４０
３）を付して抵抗値を測定する方法である。裁断、電極
付けの作業が正確であれば、局所部分の比抵抗を最も直
接かつ厳密に測定できる方法であるが、裁断、電極付け
等により抵抗膜の状態が変化する可能性が大きい。ま
た、破壊検査であるため元の状態を復元できないという
欠点をもつ。 （３）リニアリティ算出による評価 抵抗膜比抵抗値の分布（同一面内）に関する指標で、感
圧式デジタイザの評価では、良く使用される。定義を図
５に示す。デジタイザに直線状の押圧入力を与えてその
出力の歪みを見る方法である。実際の測定は、抵抗膜
（５０１）の対向する２本の棒状電極に一定電圧を掛
け、抵抗膜上に電位勾配（５０４）を形成し、プローブ
で所定位置の電位を電位計により検出することで実施す
る。直線（５０２）に沿って電位を検出しても、現実に
は抵抗膜面に比抵抗の分布があるため、リニアな理想的
検出電圧（５０３）からずれた出力（５０４）が得られ
る。この歪みｄ（５０５）をその位置の理想的な検出電
圧（５０３）で除した値の最大値がリニアリティであ
る。
【０００７】リニアリティの値が小さい程、歪みの小さ
い良い抵抗膜、デジタイザということができる（通常±
３％以内）。仕様と言う観点で一般に公開される指標
は、抵抗膜面内の数箇所で測定した電圧歪みの最大値で
あり、これだけでは、抵抗膜面内の比抵抗の分布に起因
する比抵抗の分布は解からないが、デジタイザの製造元
等では、リニアリティと言う代表値ではなく、出力（５
０４）そのものを管理している。リニアリティは、手軽
で、デジタイザの座標精度を表す良い指標であるが、リ
ニアリティの分布状態から直接、抵抗膜の比抵抗の状態
を知ることはできない。デジタイザの評価において、抵
抗膜の比抵抗や電極との接触抵抗等最も基本的な数値が
必要な時は、間接的な指標であるリニアリティは使えな
い。 （４）探針法により測定する方法。 ２次元あるいは３次元の連続的な抵抗体の比抵抗値を測
定する代表的な方法として４探針法がある。概略を図６
を用いて説明する。プローブ（探針）が４本あり、測定
試料（６０１）の測定箇所に４本のプローブを当てる。
プローブＡ（６０２）とプローブＤ（６０５）の間に定
電流源（６０６）より電流Ｉを流し、それに依って形成
される試料（６０１）上の電位をプローブＢ（６０３）
とプローブＣ（６０４）で拾い、ＢＣ間の電位差Ｖを電
圧計（６０７）で検出する。試料の比抵抗ρは、定電流
Ｉ、実測した電位差Ｖ、および補正係数Ｆより、数１で
求められる。
い良い抵抗膜、デジタイザということができる（通常±
３％以内）。仕様と言う観点で一般に公開される指標
は、抵抗膜面内の数箇所で測定した電圧歪みの最大値で
あり、これだけでは、抵抗膜面内の比抵抗の分布に起因
する比抵抗の分布は解からないが、デジタイザの製造元
等では、リニアリティと言う代表値ではなく、出力（５
０４）そのものを管理している。リニアリティは、手軽
で、デジタイザの座標精度を表す良い指標であるが、リ
ニアリティの分布状態から直接、抵抗膜の比抵抗の状態
を知ることはできない。デジタイザの評価において、抵
抗膜の比抵抗や電極との接触抵抗等最も基本的な数値が
必要な時は、間接的な指標であるリニアリティは使えな
い。 （４）探針法により測定する方法。 ２次元あるいは３次元の連続的な抵抗体の比抵抗値を測
定する代表的な方法として４探針法がある。概略を図６
を用いて説明する。プローブ（探針）が４本あり、測定
試料（６０１）の測定箇所に４本のプローブを当てる。
プローブＡ（６０２）とプローブＤ（６０５）の間に定
電流源（６０６）より電流Ｉを流し、それに依って形成
される試料（６０１）上の電位をプローブＢ（６０３）
とプローブＣ（６０４）で拾い、ＢＣ間の電位差Ｖを電
圧計（６０７）で検出する。試料の比抵抗ρは、定電流
Ｉ、実測した電位差Ｖ、および補正係数Ｆより、数１で
求められる。
【０００８】
【数１】
補正係数は、試料の形状、大きさ、プローブの配置、間
隔等幾何学的な要因で決定される。資料の形状（矩形や
円形など）、測定プローブの配置（一列状など）等の代
表的な条件に対して、補正係数を計算する数式、並びに
それをもとに予め計算したテーブルがあり、検査規格と
して、ＪＩＳＨ０６０２、ＪＩＳＫ７１９２等に規定さ
れている。しかしながら、これらの補正係数は、一様な
比抵抗値の分布を持った抵抗膜を前提に算出されたもの
であり、本願発明の条件である両端に棒状電極を有する
抵抗膜には適用できなかった。従って、これまでは上述
の間接的方法による測定値、および破壊検査による測定
値を用いて評価してきた。
隔等幾何学的な要因で決定される。資料の形状（矩形や
円形など）、測定プローブの配置（一列状など）等の代
表的な条件に対して、補正係数を計算する数式、並びに
それをもとに予め計算したテーブルがあり、検査規格と
して、ＪＩＳＨ０６０２、ＪＩＳＫ７１９２等に規定さ
れている。しかしながら、これらの補正係数は、一様な
比抵抗値の分布を持った抵抗膜を前提に算出されたもの
であり、本願発明の条件である両端に棒状電極を有する
抵抗膜には適用できなかった。従って、これまでは上述
の間接的方法による測定値、および破壊検査による測定
値を用いて評価してきた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、対向
する２辺に棒状電極を有する矩形抵抗膜の任意位置の比
抵抗値を４探針法を用いて非破壊で測定することにあ
る。
する２辺に棒状電極を有する矩形抵抗膜の任意位置の比
抵抗値を４探針法を用いて非破壊で測定することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、対向する２辺
に棒状電極を有する矩形な電気的抵抗体抵抗膜の比抵抗
値を４探針法を用いて測定する際、使用する補正係数に
おいて、前記棒状電極の電気抵抗値をゼロと見做すとと
もに、前記棒状電極を面積がゼロの直線状の導電素子と
見做すという条件のもとで求めた補正係数を用いて比抵
抗値を測定する。
に棒状電極を有する矩形な電気的抵抗体抵抗膜の比抵抗
値を４探針法を用いて測定する際、使用する補正係数に
おいて、前記棒状電極の電気抵抗値をゼロと見做すとと
もに、前記棒状電極を面積がゼロの直線状の導電素子と
見做すという条件のもとで求めた補正係数を用いて比抵
抗値を測定する。
【００１１】また、対向する２辺に棒状電極を有する矩
形な電気的抵抗体抵抗膜の比抵抗値を４探針法を用いて
測定する際、使用する補正係数において、前記抵抗膜の
棒状電極がある２辺については、それぞれの辺上では一
定電位で且つ、電流の流入出の総和がゼロであると見做
すと共に、棒状電極がない２辺については、それぞれ、
辺に対する法線方向の電位勾配をゼロと見做す条件のも
とで求めた補正係数を用いて抵抗膜の比抵抗値を測定す
る。
形な電気的抵抗体抵抗膜の比抵抗値を４探針法を用いて
測定する際、使用する補正係数において、前記抵抗膜の
棒状電極がある２辺については、それぞれの辺上では一
定電位で且つ、電流の流入出の総和がゼロであると見做
すと共に、棒状電極がない２辺については、それぞれ、
辺に対する法線方向の電位勾配をゼロと見做す条件のも
とで求めた補正係数を用いて抵抗膜の比抵抗値を測定す
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、抵抗膜の比抵抗値を測
定する方法である。その対向する一対の２辺に抵抗膜の
抵抗値に比して無視できる程小さい抵抗値をもった導電
体を有する抵抗膜（２０２）である。図１に、本発明に
係わる４探針法による比抵抗値の測定方法の実施例を示
す。
定する方法である。その対向する一対の２辺に抵抗膜の
抵抗値に比して無視できる程小さい抵抗値をもった導電
体を有する抵抗膜（２０２）である。図１に、本発明に
係わる４探針法による比抵抗値の測定方法の実施例を示
す。
【００１３】実抵抗測定ステップ（１０１）では、試料
の測定箇所に４探針プローブをあてがい、所定の定電流
Ｉを流して中間のプローブ間の電位差Ｖを測る。
の測定箇所に４探針プローブをあてがい、所定の定電流
Ｉを流して中間のプローブ間の電位差Ｖを測る。
【００１４】角度判定ステップ（１０２）では、図７に
おけるプローブの並び列方向と抵抗膜の電極の対峙する
方向の為す角度θ（角度θｐ、角度θｔ）を判断し、０
≦θｐ≦４５°ならば平行モードを、４５≦θｔ≦９０
°なら直交モードを選択する。
おけるプローブの並び列方向と抵抗膜の電極の対峙する
方向の為す角度θ（角度θｐ、角度θｔ）を判断し、０
≦θｐ≦４５°ならば平行モードを、４５≦θｔ≦９０
°なら直交モードを選択する。
【００１５】最後に、試料の縦、横の長さ、プローブの
位置、プローブの間隔等の数値と平行モード、直交モー
ドの区別を考慮して計算した補正係数を用いて数１によ
り比抵抗値を算出する。（平行モードの処理（１０
３）、直交モードの処理（１０４）） ここで、補正係数の計算方法について図７を用いて説明
する。
位置、プローブの間隔等の数値と平行モード、直交モー
ドの区別を考慮して計算した補正係数を用いて数１によ
り比抵抗値を算出する。（平行モードの処理（１０
３）、直交モードの処理（１０４）） ここで、補正係数の計算方法について図７を用いて説明
する。
【００１６】抵抗膜上に一対の電流ソースＡと電流シン
クＤを通して電流Ｉがある場合、大きさａ×ｂの抵抗膜
上に形成される電位分布Ｕ（ｘ、ｙ）は、座標軸を図７
の様に設定すると、数２で記述される。
クＤを通して電流Ｉがある場合、大きさａ×ｂの抵抗膜
上に形成される電位分布Ｕ（ｘ、ｙ）は、座標軸を図７
の様に設定すると、数２で記述される。
【００１７】
【数２】
ただし、抵抗膜の厚みは無視できる位薄く、比抵抗値ρ
は一様であると仮定する。又、△はｘ、ｙ２次元のラプ
ラシアン、δA、δDはそれぞれ、Ａ点より流入する点電
流、Ｄ点から流出する点電流を表すデルタ関数である。 数２に付随する境界条件 直交モードの場合 ｙ＝−ｂ／２，ｂ／２に電極があるとすると、電極の抵
抗はゼロであると見做せば、電極上の電位はある一定値
に固定されるので、数３の条件が設定できる。
は一様であると仮定する。又、△はｘ、ｙ２次元のラプ
ラシアン、δA、δDはそれぞれ、Ａ点より流入する点電
流、Ｄ点から流出する点電流を表すデルタ関数である。 数２に付随する境界条件 直交モードの場合 ｙ＝−ｂ／２，ｂ／２に電極があるとすると、電極の抵
抗はゼロであると見做せば、電極上の電位はある一定値
に固定されるので、数３の条件が設定できる。
【００１８】
【数３】
更に棒状電極において、電流の流入出の総和はゼロであ
ると見做せば、数４の条件が設定できる。
ると見做せば、数４の条件が設定できる。
【００１９】
【数４】
また、電極がない辺はいずれの場所も電流の流入出がな
いので、数５の条件を設定する。
いので、数５の条件を設定する。
【００２０】
【数５】
数２、及び境界条件式（数３、数４、数５）を用いてＵ
を解き、Ｕから点ＢＣ間の電位差ＶBCを求め、ρＩ／Ｖ
BCをくくりだせば補正係数Ｆが求まる。最終的に、直交
モードの場合の補正係数Ｆは、数６として得ることがで
きる。
を解き、Ｕから点ＢＣ間の電位差ＶBCを求め、ρＩ／Ｖ
BCをくくりだせば補正係数Ｆが求まる。最終的に、直交
モードの場合の補正係数Ｆは、数６として得ることがで
きる。
【００２１】
【数６】
平行モードの場合には、図７において、電極はｘ＝
０，ａの位置にある。直交モードと同様の考え方で境界
条件を設定すると、条件は数７、数８、数９となる。
０，ａの位置にある。直交モードと同様の考え方で境界
条件を設定すると、条件は数７、数８、数９となる。
【００２２】
【数７】
【００２３】
【数８】
【００２４】
【数９】
数２と境界条件式（数７、数８、数９）より平行モード
の場合の補正係数Ｆを求めると数１０となる。
の場合の補正係数Ｆを求めると数１０となる。
【００２５】
【数１０】
尚、この実施例では、４探針プローブを典型的な１列状
のものを想定して計算したが、抵抗膜の任意箇所の電位
を求めることが可能なので、四つのプローブの配置は１
列状のものに限らない。
のものを想定して計算したが、抵抗膜の任意箇所の電位
を求めることが可能なので、四つのプローブの配置は１
列状のものに限らない。
【００２６】本発明の実装置への展開としては、４探針
法により比抵抗値を測定する装置に本発明による補正係
数も装置内で自動的に計算する機能を搭載し、比抵抗値
を測定結果として出力することが考えられる。また、感
圧式デジタイザに代表される平行に配置された棒状電極
を有する抵抗体の比抵抗値を非破壊的に測定する場合、
一つの実現方法としては、既存の４探針実抵抗値測定装
置を使って実抵抗値を測定し、その結果に、本発明の補
正係数を乗じて比抵抗値を算出する方法が考えられる。
他の方法としては、４探針実抵抗値測定装置に本発明の
補正係数の自動計算処理を装備し、目的とする比抵抗値
を出力することが考えられる。
法により比抵抗値を測定する装置に本発明による補正係
数も装置内で自動的に計算する機能を搭載し、比抵抗値
を測定結果として出力することが考えられる。また、感
圧式デジタイザに代表される平行に配置された棒状電極
を有する抵抗体の比抵抗値を非破壊的に測定する場合、
一つの実現方法としては、既存の４探針実抵抗値測定装
置を使って実抵抗値を測定し、その結果に、本発明の補
正係数を乗じて比抵抗値を算出する方法が考えられる。
他の方法としては、４探針実抵抗値測定装置に本発明の
補正係数の自動計算処理を装備し、目的とする比抵抗値
を出力することが考えられる。
【００２７】
【発明の効果】本発明により、抵抗膜感圧式デジタイザ
の電極付き抵抗膜に代表されるような対向する２辺に極
めて抵抗値の小さい棒状導電体を有する矩形抵抗膜の比
抵抗を４探針法により測定することが可能になった。ま
た、４探針法による測定は、補正係数を変更するだけな
ので、装置の変更、改造等は一切不要である。これによ
り、棒状電極を有する抵抗膜の任意箇所をより直接的に
破壊することなく手軽に測定することができる。
の電極付き抵抗膜に代表されるような対向する２辺に極
めて抵抗値の小さい棒状導電体を有する矩形抵抗膜の比
抵抗を４探針法により測定することが可能になった。ま
た、４探針法による測定は、補正係数を変更するだけな
ので、装置の変更、改造等は一切不要である。これによ
り、棒状電極を有する抵抗膜の任意箇所をより直接的に
破壊することなく手軽に測定することができる。
【図１】本発明の測定方法の実施例を示した図である。
【図２】本発明で測定の対象にしている棒状電極を有す
る矩形抵抗膜を表した図である。
る矩形抵抗膜を表した図である。
【図３】抵抗膜感圧式デジタイザの構成を示した図であ
る。
る。
【図４】従来方法である小片裁断による測定を示した図
である。
である。
【図５】リニアリティの定義を示した図である。
【図６】４探針法について説明した図である。
【図７】本願条件の補正係数を計算する時の座標軸を示
した図である。
した図である。
１０１ 抵抗値実測処理
１０２ 電極と４探針プローブ列の角度判定処
理 １０３ 平行モードの補正係数処理 １０４ 直交モードの補正係数処理 ２０１ 抵抗膜 ２０２ 棒状電極 ３０１ 透明基板 ３０２ 透明フィルム材 ３０３ 基板側抵抗膜 ３０４ フィルム側抵抗膜 ４０１ 抵抗膜 ４０２ 裁断した小片 ４０３ 測定用電極 ５０１ デジタイザの片方の抵抗膜 ５０２ リニアリティを測定する定義域の直線 ５０３ 理想的なリニアな電圧出力 ５０４ 実際の測定電圧 ５０５ 測定電圧と理想電圧の差（歪み） ６０１ ４探針法における測定試料 ６０２ ４探針のプローブＡ（電流ソース） ６０３ ４探針のプローブＢ（電圧検出用） ６０４ ４探針のプローブＣ（電圧検出用） ６０５ ４探針のプローブＤ（電流シンク） ６０６ 定電流源 ６０７ 電圧計
理 １０３ 平行モードの補正係数処理 １０４ 直交モードの補正係数処理 ２０１ 抵抗膜 ２０２ 棒状電極 ３０１ 透明基板 ３０２ 透明フィルム材 ３０３ 基板側抵抗膜 ３０４ フィルム側抵抗膜 ４０１ 抵抗膜 ４０２ 裁断した小片 ４０３ 測定用電極 ５０１ デジタイザの片方の抵抗膜 ５０２ リニアリティを測定する定義域の直線 ５０３ 理想的なリニアな電圧出力 ５０４ 実際の測定電圧 ５０５ 測定電圧と理想電圧の差（歪み） ６０１ ４探針法における測定試料 ６０２ ４探針のプローブＡ（電流ソース） ６０３ ４探針のプローブＢ（電圧検出用） ６０４ ４探針のプローブＣ（電圧検出用） ６０５ ４探針のプローブＤ（電流シンク） ６０６ 定電流源 ６０７ 電圧計
Claims (2)
- 【請求項１】 対向する２辺に棒状電極を有する矩形な
電気的抵抗体抵抗膜の比抵抗値を４探針法を用いて測定
する、抵抗膜の比抵抗値測定方法であって、 前記棒状電極の電気抵抗値をゼロと見做すとともに、前
記棒状電極を面積がゼロの直線状の導電素子と見做すと
いう条件のもとで求めた補正係数を用いて比抵抗値を測
定することを特徴とする抵抗膜の比抵抗値測定方法。 - 【請求項２】 対向する２辺に棒状電極を有する矩形な
電気的抵抗体抵抗膜の比抵抗値を４探針法を用いて測定
する、抵抗膜の比抵抗値測定方法であって、 前記抵抗膜の棒状電極がある２辺については、それぞれ
の辺上では一定電位で且つ、電流の流入出の総和がゼロ
であると見做すと共に、 棒状電極がない２辺については、それぞれ、辺に対する
法線方向の電位勾配をゼロと見做す条件のもとで求めた
補正係数を用いて抵抗膜の比抵抗値を測定することを特
徴とする抵抗膜の比抵抗値測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16995899A JP3398089B2 (ja) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | 抵抗膜の比抵抗値測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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