JP3396955B2 - DC-AC converter - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、トランジスタを含むブ
リッジ回路を備える直流−交流変換装置に関する。本発
明の直流−交流変換装置は、例えば自動車用オルタネー
タ(交流発電機)の交流発電電圧を整流してバッテリを
充電する車両用充電装置に適用される。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a DC / AC converter having a bridge circuit including transistors. INDUSTRIAL APPLICABILITY The DC-AC converter of the present invention is applied to, for example, a vehicle charger that rectifies an AC power generation voltage of an automobile alternator (AC generator) to charge a battery.
【0002】[0002]
【従来の技術】特公昭45−16651号公報は、通常
用いる接合ダイオードの代わりに定電圧ダイオードを用
いた三相全波整流器を提案している。特開昭63−20
2255号公報は、三相交流発電電動機とバッテリとの
間に配設されて両者間の授受電力を直交変換(本明細書
でいう直交変換は交直変換を含む)するブリッジ回路
(インバータ兼レクチファイヤ)をMOSトランジスタ
とこのMOSトランジスタと並列接続された高耐圧(バ
ッテリ電圧の1.5〜3倍)の定電圧ダイオードとで構
成することを開示している。2. Description of the Related Art Japanese Patent Publication No. 45-16651 discloses a three-phase full-wave rectifier using a constant voltage diode instead of a normally used junction diode. JP-A-63-20
Japanese Patent No. 2255 discloses a bridge circuit (inverter / rectifier) which is arranged between a three-phase AC generator motor and a battery and orthogonally transforms electric power transferred between the two (an orthogonal transform in the present specification includes an AC / DC transform). ) Is composed of a MOS transistor and a high voltage (1.5 to 3 times the battery voltage) constant voltage diode connected in parallel with the MOS transistor.
【0003】これらの定電圧ダイオードは、三相全波整
流器の負荷遮断時などにおいて発電機の各端間に発生す
るGパルス電圧をクランプして抑圧するためのものであ
る。特開平4−138030号公報は、MOSパワート
ランジスタを用いた三相全波整流器を提案している。一
方、バッテリの直流電力を三相交流電力に変換して三相
交流電動機の電機子巻線に印加するインバータを、バイ
ポーラトランジスタ又はIGBTを用いて構成すること
も多用されており、この場合には普通、これらバイポー
ラトランジスタ又はIGBTと並列に、かつ、発電電圧
を整流する向きに接合ダイオードが並列接続される。These constant voltage diodes are for clamping and suppressing the G pulse voltage generated between the terminals of the generator when the load of the three-phase full-wave rectifier is cut off. Japanese Laid-Open Patent Publication No. 4-138030 proposes a three-phase full-wave rectifier using a MOS power transistor. On the other hand, an inverter that converts DC power of a battery into three-phase AC power and applies it to an armature winding of a three-phase AC motor is often used using a bipolar transistor or an IGBT. In this case, Usually, a junction diode is connected in parallel with these bipolar transistors or IGBTs and in a direction to rectify the generated voltage.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た定電圧ダイオードによりGパルス電圧を抑圧するため
には定電圧ダイオードの最大許容電流を極めて大きく設
定せねばならず、実用上、大きな問題であった。本発明
は、上記事情に鑑みなされたものであり、電流急変時に
回転電機の各端間に発生するGパルス電圧を定電圧ダイ
オードを用いることなく抑止可能なブリッジ回路(イン
バータ又はレクチファイヤ(整流器)又はインバータ兼
レクチファイヤ)備えた直流−交流変換装置を提供する
ことを、その目的としている。なお、本明細書でいう直
流−交流変換装置は、直流電力を交流電力に変換するイ
ンバータ機能、又は、交流電力を直流電力に変換するレ
クチファイヤ機能、又は上記両機能を有する装置を意味
する。However, in order to suppress the G pulse voltage by the above-mentioned constant voltage diode, the maximum allowable current of the constant voltage diode must be set extremely large, which is a big problem in practical use. . The present invention has been made in view of the above circumstances, and a bridge circuit (inverter or rectifier (rectifier)) that can suppress the G pulse voltage generated between the ends of the rotating electric machine at the time of sudden current change without using a constant voltage diode. Alternatively, it is an object of the present invention to provide a DC-AC converter including an inverter and a rectifier). The DC-AC converter in the present specification means a device having an inverter function of converting DC power into AC power, a rectifier function of converting AC power into DC power, or both of the above functions.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の直流−交流変換
装置の第1の構成は、それぞれトランジスタを含むハイ
サイド素子及びローサイド素子を直列接続してなる相ブ
リッジ回路を必要数並列接続してなり、一対の直流端が
バッテリ及び負荷の両端に接続され、前記両素子の接続
点が交流回転電機の電機子巻線の各端に個別に接続され
るブリッジ回路と、前記トランジスタを断続制御する制
御部とを備え、前記トランジスタは、前記交流回転電機
の発電電圧を整流する動作を行う直流−交流変換装置に
おいて、前記制御部が、前記電機子巻線の発電電圧が所
定の電圧値を超過したかどうかを検出する異常電圧検出
回路部と、前記超過時に前記両素子の一方をなす前記ト
ランジスタを全て導通させるとともに前記両素子の他方
をなす前記トランジスタを全て遮断させる短絡回路部と
を備えることを特徴としている。A first configuration of a DC-AC converter according to the present invention comprises connecting a required number of phase bridge circuits, each of which includes a high-side element and a low-side element including a transistor connected in series. A pair of direct current terminals are connected to both ends of a battery and a load, and a connection point of both elements is individually connected to each end of an armature winding of an AC rotating electric machine, and the transistor is intermittently controlled. A control unit, wherein the transistor is the AC rotating electric machine.
In the DC-AC converter that performs the operation of rectifying the generated voltage of, the control unit detects an abnormal voltage of the armature winding exceeding a predetermined voltage value, and an abnormal voltage detection circuit unit, When exceeding, all the transistors forming one of the elements are turned on and the other of the elements is turned on.
And a short circuit circuit that cuts off all the transistors that form
【0006】本発明の第2の構成は、上記第1の構成に
おいて更に、前記トランジスタが、ゲート電極直下のP
型基板領域と主電極をなすN+ 型領域との間の寄生ダイ
オードが発電電圧を整流する向きに形成されたNチャン
ネルMOSトランジスタからなることを特徴としてい
る。According to a second structure of the present invention, in addition to the above-mentioned first structure, the transistor is a P transistor immediately below a gate electrode.
It is characterized in that the parasitic diode between the mold substrate region and the N + type region forming the main electrode is composed of an N-channel MOS transistor formed so as to rectify the generated voltage.
【0007】本発明の第3の構成は、上記第1の構成に
おいて更に、前記ハイサイド素子又はローサイド素子
が、バイポーラトランジスタ又はIGBTと、発電電圧
を整流する向きに前記バイポーラトランジスタ又はIG
BTと並列接続された接合ダイオードとからなることを
特徴としている。本発明の第4の構成は、上記第2の構
成において更に、前記制御部が、前記MOSトランジス
タを所定タイミングで断続して直流−交流変換又は交流
−直流変換を行わせるものであることを特徴としてい
る。A third structure of the present invention is the same as the first structure, wherein the high-side element or the low-side element is in a direction to rectify a generated voltage with a bipolar transistor or an IGBT.
It is characterized in that it comprises a BT and a junction diode connected in parallel. A fourth configuration of the present invention is characterized in that, in the above-mentioned second configuration, the control unit intermittently causes the MOS transistor to perform DC-AC conversion or AC-DC conversion at predetermined timing. I am trying.
【0008】本発明の第5の構成は、上記第3の構成に
おいて更に、前記制御部が、前記バイポーラトランジス
タ又はIGBTを所定タイミングで断続して前記回転電
機に交流電圧を印加するものであることを特徴としてい
る。本発明の第6の構成は、上記第1の構成において更
に、前記制御部が、前記両素子の一方をなす前記各トラ
ンジスタを所定の平均導通率で導通させるものであるこ
とを特徴としている。In a fifth configuration of the present invention, in addition to the third configuration, the control section intermittently connects the bipolar transistor or the IGBT at a predetermined timing to apply an AC voltage to the rotating electric machine. Is characterized by. A sixth configuration of the present invention is further characterized in that, in the first configuration, the control unit conducts each of the transistors forming one of the elements at a predetermined average conductivity.
【0009】本発明の第7の構成は、上記第1の構成に
おいて更に、前記短絡回路部が、前記異常電圧検出回路
部による前記超過の検出後、所定時間の間、前記トラン
ジスタの前記全導通を持続することを特徴としている。
本発明の第8の構成は、上記第1の構成において更に、
前記短絡回路部が、前記トランジスタの前記全導通後、
直流端電圧がバッテリ電圧よりも低く設定された所定値
以下となったかどうかを判別し、なった場合に前記全導
通を持続するものであることを特徴としている。According to a seventh aspect of the present invention, in addition to the above-mentioned first configuration, the short-circuit circuit section is configured to fully conduct the transistor for a predetermined time after the abnormal voltage detection circuit section detects the excess. It is characterized by lasting.
An eighth structure of the present invention is the same as the first structure,
The short circuit portion, after the full conduction of the transistor,
It is characterized in that it is judged whether or not the DC end voltage becomes lower than a predetermined value which is set lower than the battery voltage, and when it does not, the full conduction is maintained.
【0010】[0010]
【作用及び発明の効果】本発明の第1の構成によれば、
交流回転電機(交流発電機又は交流電動機又は交流発電
電動機)とバッテリとの間で直交変換による電力授受を
行うブリッジ回路のハイサイド素子又はローサイド素子
の少なくとも一方の少なくとも一部をなすトランジスタ
を、Gパルス電圧(交流回転電機の電機子巻線の各端に
発生する高電圧)発生時に全て導通させるので、結局、
電機子巻線の各端はこのトランジスタにより短絡された
状態となる。その結果、Gパルス電圧を発生する交流回
転電機のサージ電力はこれらトランジスタのオン抵抗や
配線抵抗や電機子巻線の抵抗などで消費されることにな
り、これにより、ブリッジ回路からバッテリやこのバッ
テリと並列接続される負荷に印加されるGパルス電圧が
大幅に抑止されることになる。According to the first structure of the present invention,
A transistor that forms at least a part of at least one of a high-side element and a low-side element of a bridge circuit that exchanges electric power by orthogonal conversion between an AC rotating electric machine (AC generator or AC motor or AC generator motor) and a battery is When the pulse voltage (high voltage generated at each end of the armature winding of the AC rotating electric machine) is generated, all are made conductive, so after all,
Each end of the armature winding is short-circuited by this transistor. As a result, the surge power of the AC rotary electric machine that generates the G pulse voltage is consumed by the ON resistance of these transistors, the wiring resistance, the resistance of the armature winding, and the like. The G pulse voltage applied to the load connected in parallel with is greatly suppressed.
【0011】また、上記ブリッジ回路を構成するハイサ
イド素子又はローサイド素子の耐圧を削減してもこれら
素子の破壊を防止することができる。更に、全て導通さ
れるトランジスタと反対サイドのトランジスタを全て遮
断するので、バッテリ電圧が同一の相ブリッジ回路の両
素子の同時導通により短絡されることがない。Further, even if the breakdown voltage of the high-side element or the low-side element forming the bridge circuit is reduced, the breakdown of these elements can be prevented. Further , since all the transistors which are made conductive and the transistors on the opposite side are all cut off, the battery voltage is not short-circuited due to simultaneous conduction of both elements of the same phase bridge circuit.
【0012】本発明の第2の構成によれば、上記第1の
構成において更に、上記トランジスタを、ゲート電極直
下のP型基板領域と主電極をなすN+ 型領域との間の寄
生ダイオードが発電電圧を整流する向きに形成されたN
チャンネルMOSトランジスタで構成しているので、こ
の寄生ダイオードを整流に用いることができる。本発明
の第3の構成によれば、上記第1の構成において更に、
上記ハイサイド素子又はローサイド素子が、バイポーラ
トランジスタ又はIGBTと、発電電圧を整流する向き
にこれらバイポーラトランジスタ又はIGBTと並列接
続された接合ダイオードとからなる。この場合、Gパル
ス電圧によるサージ電流は所定相のバイポーラトランジ
スタ又はIGBTと、このバイポーラトランジスタ又は
IGBTと同じサイドで異なる相の接合ダイオードとに
より電機子巻線を短絡することになり、上記と同様にG
パルス電圧を支障なく抑止することができる。According to a second structure of the present invention, in addition to the first structure, a parasitic diode between the P-type substrate region immediately below the gate electrode and the N + -type region forming the main electrode is further provided. N formed to rectify the generated voltage
Since it is composed of channel MOS transistors, this parasitic diode can be used for rectification. According to a third configuration of the present invention, in the above first configuration,
The high-side element or the low-side element is composed of a bipolar transistor or an IGBT and a junction diode connected in parallel with the bipolar transistor or the IGBT so as to rectify the generated voltage. In this case, the surge current due to the G pulse voltage short-circuits the armature winding by a bipolar transistor or IGBT of a predetermined phase and a junction diode of a different phase on the same side as this bipolar transistor or IGBT. G
The pulse voltage can be suppressed without any trouble.
【0013】本発明の第4の構成によれば、上記第2の
構成において更に、上記Gパルス電圧抑止用のMOSト
ランジスタを、インバータ又はレクチファイヤ用の素子
としても用いるので、ブリッジ回路への素子追加を省略
することができ、構成が簡単となる。本発明の第5の構
成によれば、上記第3の構成において更に、上記Gパル
ス電圧抑止用のバイポーラトランジスタ又はIGBTを
インバータ用の素子としても用いるので、ブリッジ回路
への素子追加を省略することができ、構成が簡単とな
る。According to the fourth structure of the present invention, in the above-mentioned second structure, the MOS transistor for suppressing the G pulse voltage is also used as a device for an inverter or a rectifier. The addition can be omitted and the configuration becomes simple. According to the fifth configuration of the present invention, in the third configuration, the bipolar transistor for suppressing the G pulse voltage or the IGBT is also used as the element for the inverter, so that the addition of the element to the bridge circuit can be omitted. And the configuration is simple.
【0014】本発明の第6の構成によれば、上記第1の
構成において更に、上記Gパルス電圧抑止用のトランジ
スタをGパルス電圧発生時に完全導通させるのではな
く、所定の平均導通率となるようにPWM制御するの
で、これらトランジスタの発熱、破壊を防止することが
できる。本発明の第7の構成によれば、上記第1の構成
において更に、短絡回路部が、Gパルス電圧の検出後、
所定時間の間、トランジスタの前記全導通を持続するの
で、電機子巻線の短絡によってGパルス電圧が低下して
も電機子巻線に発生している起電圧が減衰するまでその
短絡を持続することができ、Gパルス電圧の発生を防止
することができる。According to a sixth aspect of the present invention, in addition to the first configuration, the G pulse voltage suppressing transistor does not become completely conductive when the G pulse voltage is generated, but has a predetermined average conductivity. Since the PWM control is performed as described above, it is possible to prevent heat generation and destruction of these transistors. According to a seventh configuration of the present invention, in the above-mentioned first configuration, the short-circuit circuit section further comprises:
Since the transistor is kept in full conduction for a predetermined time, even if the G pulse voltage is lowered due to a short circuit of the armature winding, the short circuit is maintained until the electromotive voltage generated in the armature winding is attenuated. It is possible to prevent the generation of the G pulse voltage.
【0015】本発明の第8の構成によれば、上記第1の
構成において更に、短絡回路部が、トランジスタの前記
全導通後、直流端電圧がバッテリ電圧より低く設定され
た所定値以下となったかどうかを判別し、なった場合に
前記全導通を持続するので、バッテリの接続が回復した
場合は、電機子巻線の短絡が解消され再びバッテリ充電
を行うことができるという効果を奏することができる。According to an eighth aspect of the present invention, further, in the first configuration, the short circuit portion has a DC terminal voltage lower than a predetermined value set lower than the battery voltage after the transistor is fully conducted. Since it is determined whether or not the battery is connected, the full continuity is maintained. Therefore, when the battery connection is restored, it is possible to eliminate the short circuit of the armature winding and recharge the battery. it can.
【0016】[0016]
(実施例1)以下、車両用交流発電機(オルタネータ)
の発電電圧を整流してバッテリを充電する充電装置に用
いた本発明の直流−交流変換装置の一実施例を図1を参
照して説明する。(Example 1) Hereinafter, a vehicle AC generator (alternator)
An embodiment of the DC-AC converter of the present invention used in a charging device for charging the battery by rectifying the generated voltage of FIG. 1 will be described with reference to FIG.
【0017】1は車両用三相交流発電機であって、その
電機子巻線11〜13の出力端(各端)は三相全波整流
器(本発明でいうブリッジ回路)3の各交流端(後述す
る接続点)41〜43に接続され、三相全波整流器3の
一対の直流端はバッテリ7の両端に接続されている。ま
た、バッテリ7の両端には開閉器10を介して負荷9が
接続されている。Reference numeral 1 denotes a three-phase AC generator for a vehicle, and the output terminals (each terminal) of the armature windings 11 to 13 are AC terminals of a three-phase full-wave rectifier (bridge circuit in the present invention) 3. (Connection points to be described later) 41 to 43, and a pair of DC ends of the three-phase full-wave rectifier 3 are connected to both ends of the battery 7. A load 9 is connected to both ends of the battery 7 via a switch 10.
【0018】2は一端がバッテリ7の高位端に接続され
るフィールドコイルで、その他端は発電制御回路部5に
内蔵されたエミッタ接地のトランジスタ51のコレクタ
に接続されている。52はフライホイルダイオードであ
り、発電制御回路部5は、従来のレギュレータと同じ構
成を有し、バッテリ7の高位端子電圧(B電圧)の高低
に応じてトランジスタ51を断続制御してフィールド電
流を制御し、それにより電機子巻線11〜13の発電電
圧を制御してB電圧が所定レベルとなるようにしてい
る。この制御動作は周知であるのでこれ以上の説明は省
略する。Reference numeral 2 is a field coil whose one end is connected to the high end of the battery 7, and the other end is connected to the collector of a grounded emitter transistor 51 incorporated in the power generation control circuit section 5. Reference numeral 52 is a flywheel diode, and the power generation control circuit unit 5 has the same configuration as a conventional regulator, and intermittently controls the transistor 51 according to the level of the high-order terminal voltage (B voltage) of the battery 7 to control the field current. The voltage generated by the armature windings 11 to 13 is controlled so that the B voltage becomes a predetermined level. Since this control operation is well known, further explanation is omitted.
【0019】三相全波整流器3は、接合ダイオードから
なるハイサイド素子31〜33及びNチャンネルMOS
トランジスタからなるローサイド素子34〜36からな
り、ハイサイド素子31〜33とローサイド素子34〜
36を個別に直列接続してなる3組の相ブリッジ回路3
7〜39を並列接続してなり、一対の直流端がバッテリ
7の高位端及び低位端に個別に接続され、各相ブリッジ
回路37〜39の各素子31〜36の各接続点すなわち
交流端子41〜43が交流発電機1の電機子巻線11〜
13の各端に個別に接続される構成となっている。The three-phase full-wave rectifier 3 includes high-side devices 31 to 33 composed of junction diodes and an N-channel MOS.
It is composed of low side elements 34 to 36 formed of transistors, and high side elements 31 to 33 and low side elements 34 to
3 sets of phase bridge circuits 3 in which 36 are individually connected in series
7 to 39 are connected in parallel, a pair of direct current terminals are individually connected to the high end and the low end of the battery 7, and each connection point of each element 31 to 36 of each phase bridge circuit 37 to 39, that is, an AC terminal 41. 43 are armature windings 11 to 11 of the AC generator 1.
It is configured to be individually connected to each end of 13.
【0020】また、NチャンネルMOSトランジスタか
らなるローサイド素子34〜36のバッテリ低位端子側
の主電極をゲート電極直下のP型基板領域(P型基板で
もP型ウエル領域でもよい)に接続してこの基板領域に
電位付与している。したがって、この実施例では、ロー
サイド素子34〜36のステータコイル11〜13側の
主電極と上記P型基板領域との間の接合からなる寄生ダ
イオードDが、寄生的に形成され、この寄生ダイオード
Dは整流時にダイオード式三相全波整流器のローサイド
素子を構成する。もちろん、ローサイド素子34〜36
に寄生ダイオードDと並列に整流用の接合ダイオードを
並列接続することも当然、可能である。Further, the main electrodes of the low-side elements 34 to 36, which are N-channel MOS transistors, on the battery lower terminal side are connected to a P-type substrate region (which may be a P-type substrate or a P-type well region) immediately below the gate electrode. A potential is applied to the substrate area. Therefore, in this embodiment, the parasitic diode D formed of a junction between the main electrodes of the low side elements 34 to 36 on the side of the stator coils 11 to 13 and the P-type substrate region is parasitically formed, and the parasitic diode D is formed. Constitutes the low-side element of a diode-type three-phase full-wave rectifier during rectification. Of course, the low side elements 34 to 36
It is naturally possible to connect a rectifying junction diode in parallel with the parasitic diode D in parallel.
【0021】なお、トランジスタ34〜36は、耐圧向
上のためにDMOS構造又は縦型パワーMOS構造とさ
れている。このように三相全波整流器を構成する接合ダ
イオード31〜33と寄生ダイオードDとは車両用三相
交流発電機1の発電電圧を整流してバッテリ7を充電す
る。The transistors 34 to 36 have a DMOS structure or a vertical power MOS structure in order to improve the breakdown voltage. In this way, the junction diodes 31 to 33 and the parasitic diode D that form the three-phase full-wave rectifier rectify the generated voltage of the vehicle three-phase AC generator 1 to charge the battery 7.
【0022】次に、本実施例の特徴部分をなす過電圧抑
止制御回路部6の構成を説明する。この過電圧抑止制御
回路部6は、定格耐圧18Vの定電圧ダイオード61、
62と抵抗r1とを直列接続してなり、電機子巻線11
〜13の発電電圧が所定の電圧値を超過したかどうかを
検出する異常電圧検出回路部6aと、この異常電圧検出
回路部6aの出力電圧に基づいて前記超過時にMOSト
ランジスタ34〜36を全て導通させる短絡回路部6b
とからなる。Next, the structure of the overvoltage suppression control circuit section 6 which is a characteristic part of this embodiment will be described. The overvoltage suppression control circuit unit 6 includes a constant voltage diode 61 having a rated breakdown voltage of 18V,
62 and a resistor r1 are connected in series, and the armature winding 11
Abnormal voltage detection circuit section 6a for detecting whether or not the generated voltage of ~ 13 exceeds a predetermined voltage value, and based on the output voltage of this abnormal voltage detection circuit section 6a, all the MOS transistors 34-36 are turned on at the time of the excess. Short circuit part 6b
Consists of.
【0023】短絡回路部6bは、抵抗r1〜r5、トラ
ンジスタ63、65、定格耐圧6Vの定電圧ダイオード
64、コンデンサC1、C2、接合ダイオード66から
なる。以下、この過電圧抑止制御回路部6の動作を説明
する。Gパルス電圧が発生しない場合、定電圧ダイオー
ド61、62が遮断状態であるので、分圧回路からなる
異常電圧検出回路部6aの出力電圧はローレベルとなっ
てトランジスタ63はオフし、イグニッションスイッチ
IGSWのオンにより抵抗r5、ダイオード66、抵抗
r2を通じてコンデンサC1は充電され、コンデンサC
1の充電電圧が印加される定電圧ダイオード64は導通
し、この定電圧ダイオード64と抵抗r3とからなる分
圧回路の出力電圧はハイレベルとなってトランジスタ6
5がオンし、このトランジスタ65と抵抗r4とからな
るインバータの出力電圧はローレベルとなって高周波遮
断用抵抗rgを通じてトランジスタ34〜36をオフし
ている。The short circuit portion 6b comprises resistors r1 to r5, transistors 63 and 65, a constant voltage diode 64 having a rated breakdown voltage of 6V, capacitors C1 and C2, and a junction diode 66. The operation of the overvoltage suppression control circuit unit 6 will be described below. When the G pulse voltage is not generated, the constant voltage diodes 61 and 62 are in the cutoff state, so that the output voltage of the abnormal voltage detection circuit unit 6a including the voltage dividing circuit becomes the low level, the transistor 63 is turned off, and the ignition switch IGSW is turned on. Is turned on, the capacitor C1 is charged through the resistor r5, the diode 66 and the resistor r2, and the capacitor C1 is charged.
The constant voltage diode 64 to which the charging voltage of 1 is applied becomes conductive, and the output voltage of the voltage dividing circuit including the constant voltage diode 64 and the resistor r3 becomes high level and the transistor 6
5 is turned on, the output voltage of the inverter composed of the transistor 65 and the resistor r4 becomes low level, and the transistors 34 to 36 are turned off through the high frequency cutoff resistor rg.
【0024】バッテリ7の充電中に何らかの不具合によ
ってバッテリ7の端子が外れた場合、又は、何らかの原
因で三相全波整流器3の出力電流が急減した場合、電機
子巻線11〜13には高いGパルス電圧が発生し、この
Gパルス電圧は三相全波整流器3を通じてB端子に送ら
れる。B端子電圧が36.6Vを超すと、異常電圧検出
回路部6aの出力電圧(定電圧ダイオード62と抵抗r
1との接続点の電圧)がハイレベル(約0.7V)とな
ってトランジスタ63をオンし、コンデンサC1が放電
され、定電圧ダイオード64及びトランジスタ65が遮
断され、その結果、トランジスタ34〜36のゲート電
極は抵抗r5、ダイオード66、抵抗r4、抵抗rgを
通じてハイレベル電圧を印加され、オンする。If the terminals of the battery 7 are disconnected due to some trouble during charging of the battery 7, or if the output current of the three-phase full-wave rectifier 3 is suddenly reduced for some reason, the armature windings 11 to 13 are high. A G pulse voltage is generated, and this G pulse voltage is sent to the B terminal through the three-phase full-wave rectifier 3. When the B terminal voltage exceeds 36.6V, the output voltage of the abnormal voltage detection circuit unit 6a (the constant voltage diode 62 and the resistor r
1 (voltage at the connection point with 1) becomes a high level (about 0.7 V) to turn on the transistor 63, the capacitor C1 is discharged, the constant voltage diode 64 and the transistor 65 are cut off, and as a result, the transistors 34 to 36. A high-level voltage is applied to the gate electrode of the transistor through the resistor r5, the diode 66, the resistor r4, and the resistor rg to turn on.
【0025】このようにして各MOSトランジスタ34
〜36が導通すると、三相の電機子巻線11〜13の各
相出力端がこれらMOSトランジスタ34〜36のチャ
ンネルにより短絡されることとなり、Gパルス電圧がバ
ッテリ7や負荷9に印加されるのが防止される。また、
Gパルス電圧自体の大きさが減少されるので、各半導体
素子などの破壊を回避することができる。In this way, each MOS transistor 34
When ~ 36 is conducted, the output terminals of the three-phase armature windings 11 to 13 are short-circuited by the channels of the MOS transistors 34 to 36, and the G pulse voltage is applied to the battery 7 and the load 9. Is prevented. Also,
Since the magnitude of the G pulse voltage itself is reduced, it is possible to avoid destruction of each semiconductor element or the like.
【0026】なお、バッテリ端子の外れによりIG端子
電圧が急速に低下する場合であっても、コンデンサC2
がダイオード66を通じてチャージされており、短絡回
路部6bの動作は保証される。Gパルス電圧の消滅又は
減衰によりB端子電圧が低下すると、トランジスタ63
が再度、遮断し、コンデンサC1が抵抗r5、抵抗r2
を通じて充電され、そのCR時定数により定まる所定の
時間経過後、定電圧ダイオード64及びトランジスタ6
5が導通し、各MOSトランジスタ34〜36が遮断
し、再度、三相全波整流器が整流可能となる。
(実施例2)本発明の装置の他の実施例を図2を参照し
て説明する。Even if the IG terminal voltage drops rapidly due to the disconnection of the battery terminal, the capacitor C2
Are charged through the diode 66, and the operation of the short circuit portion 6b is guaranteed. When the B terminal voltage drops due to the disappearance or attenuation of the G pulse voltage, the transistor 63
Cut off again, and the capacitor C1 has a resistance r5 and a resistance r2.
Through the constant voltage diode 64 and the transistor 6 after a lapse of a predetermined time determined by the CR time constant.
5, the MOS transistors 34 to 36 are turned off, and the three-phase full-wave rectifier can be rectified again. (Embodiment 2) Another embodiment of the apparatus of the present invention will be described with reference to FIG.
【0027】この実施例では、Gパルス電圧発生時にト
ランジスタ34〜36を導通後、B端子電圧が10V以
下ならば、バッテリ7が三相全波整流器3から外れてい
ると判断し、後述するダイオード84からトランジスタ
34〜36の各ゲート電極へハイレベル電圧を出力し
て、MOSトランジスタ34〜36の導通を継続し、こ
れによりバッテリ端子の接続が確保されるまでGパルス
の抑制を図るものである。一方、ノイズ電圧などにより
一時的にGパルス電圧が発生した場合でも、その直後の
バッテリ電圧は10V以上であるので実施例1と同様に
充電を再開する。In this embodiment, when the B terminal voltage is 10 V or less after the transistors 34 to 36 are turned on when the G pulse voltage is generated, it is determined that the battery 7 is out of the three-phase full-wave rectifier 3, and the diode described later is used. A high level voltage is output from 84 to the gate electrodes of the transistors 34 to 36 to continue the conduction of the MOS transistors 34 to 36, thereby suppressing the G pulse until the connection of the battery terminals is secured. . On the other hand, even when the G pulse voltage is temporarily generated due to the noise voltage or the like, the battery voltage immediately after that is 10 V or more, and thus the charging is restarted as in the first embodiment.
【0028】以下、詳しく説明すると、この実施例の過
電圧抑止制御回路部6は、実施例1の過電圧抑止制御回
路部6の構成に、定電圧ダイオード81と抵抗r6とか
らなる分圧回路の出力電圧により作動するトランジスタ
82、ダイオード83、84、抵抗r7を追加し、更
に、コンデンサC1をトランジスタ63のベース・コレ
クタ間に配置変更したものである。Explaining in detail below, the overvoltage suppression control circuit unit 6 of this embodiment is the same as the overvoltage suppression control circuit unit 6 of the first embodiment except that the output of the voltage dividing circuit composed of the constant voltage diode 81 and the resistor r6. A transistor 82 operated by a voltage, diodes 83 and 84, and a resistor r7 are added, and further, the capacitor C1 is relocated between the base and collector of the transistor 63.
【0029】したがって、定電圧ダイオード61、6
2、トランジスタ63が導通すると、実施例1と同様に
トランジスタ65がオフし、抵抗r5、ダイオード6
6、抵抗r4、ダイオード83を通じてトランジスタ3
4〜36がオンされる。ここで、もしノイズなどにより
一時的にGパルス電圧が低下し、定電圧ダイオード6
1、62、トランジスタ63がオフしても、コンデンサ
C1の存在によりそれが充電されるまでの間、定電圧ダ
イオード64及びトランジスタ65の導通は禁止され、
これによりトランジスタ34〜36のオンを継続するこ
とができるようになっている。Therefore, the constant voltage diodes 61, 6
2. When the transistor 63 is turned on, the transistor 65 is turned off as in the first embodiment, and the resistor r5 and the diode 6 are turned on.
6, the transistor 3 through the resistor r4 and the diode 83
4 to 36 are turned on. Here, if the G pulse voltage is temporarily reduced due to noise or the like, the constant voltage diode 6
Even if 1, 62 and the transistor 63 are turned off, conduction of the constant voltage diode 64 and the transistor 65 is prohibited until it is charged by the presence of the capacitor C1.
As a result, the transistors 34 to 36 can be kept on.
【0030】バッテリ7が外れている場合にはB端子電
圧がOVにまで低下するので、定電圧ダイオード81が
オフし、トランジスタ82がオフし、これにより、MO
Sトランジスタ34〜36のゲート電極にはコンデンサ
C2の電圧が抵抗r7を通じて印加されるので、MOS
トランジスタ34〜36の導通が持続されることにな
る。When the battery 7 is removed, the B terminal voltage drops to OV, so that the constant voltage diode 81 is turned off and the transistor 82 is turned off.
Since the voltage of the capacitor C2 is applied to the gate electrodes of the S transistors 34 to 36 through the resistor r7,
The conduction of the transistors 34 to 36 will be maintained.
【0031】バッテリ7と三相全波整流器3との接続が
回復すると、B端子電圧はバッテリ7の端子電圧まで上
昇するので、定電圧ダイオード81及びトランジスタ8
2が導通し、ダイオード84が遮断される。また、トラ
ンジスタ63は遮断し、トランジスタ65は導通し、そ
の結果、MOSトランジスタ34〜36が遮断されて通
常の整流動作となる。When the connection between the battery 7 and the three-phase full-wave rectifier 3 is restored, the B terminal voltage rises to the terminal voltage of the battery 7, so that the constant voltage diode 81 and the transistor 8 are connected.
2 conducts and diode 84 shuts off. In addition, the transistor 63 is cut off and the transistor 65 is turned on. As a result, the MOS transistors 34 to 36 are cut off to perform a normal rectification operation.
【0032】したがって、本実施例では、バッテリ7が
外れることにより発生するGパルスを各MOSトランジ
スタ34〜36を導通することで抑制することが可能で
あり、またバッテリ7の接続が回復した場合にはすみや
かに通常の発電制御にもどることができる。
(実施例3)他の実施例を図3を参照して説明する。Therefore, in this embodiment, it is possible to suppress the G pulse generated when the battery 7 is disconnected by turning on the MOS transistors 34 to 36, and when the connection of the battery 7 is restored. The normal power generation control can be returned promptly. (Embodiment 3) Another embodiment will be described with reference to FIG.
【0033】この実施例は、実施例2において、各MO
Sトランジスタ34〜36毎にそれぞれトランジスタ作
動制御回路部8を追加したものである。このトランジス
タ作動制御回路部8は、コンパレータ85、ダイオード
86、87、抵抗r8からなり、各MOSトランジスタ
34〜36に1セットづち設けられている。ただし、M
OSトランジスタ35、36駆動用のトランジスタ作動
制御回路部8は、図3ではダイオード87だけが図示さ
れ後は省略されている。This embodiment is the same as the second embodiment except that each MO is
The transistor operation control circuit unit 8 is added to each of the S transistors 34 to 36. The transistor operation control circuit unit 8 includes a comparator 85, diodes 86 and 87, and a resistor r8, and one set is provided for each of the MOS transistors 34 to 36. However, M
In the transistor operation control circuit portion 8 for driving the OS transistors 35 and 36, only the diode 87 is shown in FIG. 3 and is omitted thereafter.
【0034】ここで、ダイオード86、87、抵抗r8
は、ダイオード形式のオア回路であり、ダイオード8
3、84の論理出力とコンパレータ85の論理出力との
論理和信号を抵抗rgを通じてMOSトランジスタ34
のゲート電極に印加するものである。コンパレータ85
は、電機子巻線11の端子電圧が接地電位より低下した
かどうかを判定し、低下した場合にハイレベル電圧をト
ランジスタ34のゲート電極に印加してそれを導通さ
せ、電機子巻線11の端子電圧が接地電位より高くなっ
た場合にローレベル電圧を出力して、MOSトランジス
タ34が実施例2の制御モードで作動するようにしたも
のである。Here, the diodes 86 and 87 and the resistor r8
Is a diode type OR circuit.
The logical sum signal of the logical outputs of 3, 84 and the logical output of the comparator 85 is applied to the MOS transistor 34 through the resistor rg.
Is applied to the gate electrode of. Comparator 85
Determines whether the terminal voltage of the armature winding 11 has dropped below the ground potential, and when it drops, applies a high-level voltage to the gate electrode of the transistor 34 to make it conductive, When the terminal voltage becomes higher than the ground potential, a low level voltage is output so that the MOS transistor 34 operates in the control mode of the second embodiment.
【0035】このようにすれば、三相全波整流器3のロ
ーサイド素子としてダイオード(ここではMOSトラン
ジスタ34〜36の寄生ダイオードD)よりも少ない損
失で整流が可能となる。
(変形態様)上記実施例では、三相全波整流器3のハイ
サイド素子31〜33を接合ダイオードで構成し、ロー
サイド素子34〜36をMOSトランジスタ及びその寄
生ダイオードDで構成した例を示したが、三相全波整流
器3のハイサイド素子及びローサイド素子としては図4
に示すように、寄生ダイオード付のMOSトランジスタ
(a)、接合ダイオード(b)、接合ダイオードと並列
接続されたIGBT(c)、接合ダイオードと並列接続
されたバイポーラトランジスタ(d)の一つを採用する
ことができる。In this way, the low-side element of the three-phase full-wave rectifier 3 can be rectified with less loss than the diode (here, the parasitic diode D of the MOS transistors 34 to 36). (Modification) In the above embodiment, the high-side elements 31 to 33 of the three-phase full-wave rectifier 3 are composed of junction diodes, and the low-side elements 34 to 36 are composed of MOS transistors and their parasitic diodes D. As the high-side element and the low-side element of the three-phase full-wave rectifier 3, FIG.
One of a MOS transistor (a) with a parasitic diode, a junction diode (b), an IGBT (c) connected in parallel with the junction diode, and a bipolar transistor (d) connected in parallel with the junction diode is adopted as shown in FIG. can do.
【0036】ハイサイド素子31〜33の群とローサイ
ド素子34〜36の群の少なくとも一方はトランジスタ
である必要があることは当然である。上記各実施例とは
逆にGパルス電圧発生時にハイサイド素子を構成するト
ランジスタを全てオンすることもできることは当然であ
る。ただし、ハイサイド素子31〜33とローサイド素
子34〜36の両方がトランジスタを含む場合、Gパル
ス電圧抑止のためにどちらか一方を全てオンする場合、
必ず他方の各トランジスタは全てオフする必要がある。
具体的には、過電圧抑止のために全てオンするサイドの
トランジスタの制御端子に印加する信号電圧の反転信号
を否定回路にて合成し、この反転信号を全てオフするサ
イドのトランジスタの制御端子に印加すればよい。この
ような回路構成は簡単自明であるので図示は省略する。Of course, at least one of the group of high-side elements 31 to 33 and the group of low-side elements 34 to 36 needs to be a transistor. It goes without saying that, contrary to the above embodiments, all the transistors that form the high side element can be turned on when the G pulse voltage is generated. However, when both the high-side elements 31 to 33 and the low-side elements 34 to 36 include transistors, and when either one of them is turned on to suppress the G pulse voltage,
All the other transistors must be turned off.
Specifically, the inverted signal of the signal voltage applied to the control terminals of the transistors that are turned on to suppress overvoltage is synthesized by the NOT circuit, and this inverted signal is applied to the control terminals of the transistors that are turned off. do it. Since such a circuit configuration is simple and obvious, its illustration is omitted.
【0037】また、ハイサイド素子31〜33をMOS
トランジスタで構成する場合、このMOSトランジスタ
は、電機子巻線側のN+ 型領域の電位がバッテリ電圧を
超えたかどうかを図3のコンパレータ85と同様のコン
パレータで検出し、超えた場合にこのMOSトランジス
タのゲート電極に図3と同様の構成でハイレベル電圧を
印加すればよい。ただし、この場合にはこのコンパレー
タのハイレベル電位はバッテリ電圧+MOSトランジス
タ31のしきい値電圧より充分高い電圧としてこのハイ
サイド素子としてもMOSトランジスタを非飽和動作さ
せる必要がある。すなわち、図3の回路にてコンパレー
タ85の+入力端に接続点41の電位を印加し、その−
入力端にバッテリ電圧を印加することによりハイサイド
素子としてのMOSトランジスタを整流動作させること
ができることがわかる。Further, the high side elements 31 to 33 are MOS
When configured with a transistor, this MOS transistor detects whether or not the potential of the N + type region on the armature winding side exceeds the battery voltage with a comparator similar to the comparator 85 of FIG. A high level voltage may be applied to the gate electrode of the transistor with the same configuration as in FIG. However, in this case, the high-level potential of this comparator must be sufficiently higher than the battery voltage + threshold voltage of the MOS transistor 31, and the MOS transistor must be operated in a non-saturated state even as the high-side element. That is, in the circuit of FIG. 3, the potential of the connection point 41 is applied to the + input terminal of the comparator 85, and the −
It is understood that the MOS transistor as the high side element can be rectified by applying the battery voltage to the input end.
【0038】また、上記実施例では三相全波整流器3を
構成するブリッジ回路をGパルス電圧から保護する構成
を説明したが、全く同じ回路構成により三相交流電動機
を駆動制御するインバータとしてのブリッジ回路をGパ
ルス電圧から保護することができることが当然理解され
るであろう。また、上記説明では、少なくともGパルス
電圧検出期間中はローサイド素子34〜36又はハイサ
イド素子31〜33のどちらかの群を常時オンする例を
説明したが、その場合におけるハイサイド素子31〜3
3又はローサイド素子34〜36をなすトランジスタの
発熱を許容値以下に抑止するためにトランジスタをPW
M制御することも可能である。このようなPWM制御は
回路部5に所定デューティ比の定周波数信号電圧を発生
する発振器を追加し、この定周波数信号電圧と例えば図
1のトランジスタ65のコレクタ電圧すなわちMOSト
ランジスタ一斉オン電圧とをアンド回路に入力し、この
アンド回路の論理積信号でこれらMOSトランジスタ3
4〜36を制御すればよい。このような回路構成は簡単
自明であるので図示を省略する。In the above embodiment, the bridge circuit constituting the three-phase full-wave rectifier 3 is protected from the G pulse voltage, but the bridge as an inverter for driving and controlling the three-phase AC motor has the same circuit configuration. It will of course be understood that the circuit can be protected from the G pulse voltage. Further, in the above description, an example in which at least the group of the low-side elements 34 to 36 or the high-side elements 31 to 33 is always turned on at least during the G pulse voltage detection period has been described.
3 or PW is used to suppress the heat generation of the transistors forming the low-side elements 34 to 36 below the allowable value.
M control is also possible. For such PWM control, an oscillator for generating a constant frequency signal voltage having a predetermined duty ratio is added to the circuit unit 5, and the constant frequency signal voltage and the collector voltage of the transistor 65 of FIG. Input to the circuit, and the logical product signal of this AND circuit is applied to these MOS transistors 3
4 to 36 may be controlled. Since such a circuit configuration is simple and obvious, its illustration is omitted.
【0039】更に、上記各実施例ではバッテリ電圧に基
づいてGパルス電圧の発生を検出したが、電機子巻線1
1〜13の出力電圧を直接検出してもよいことは当然で
ある。Further, in each of the above embodiments, the generation of the G pulse voltage is detected based on the battery voltage.
It goes without saying that the output voltages of 1 to 13 may be directly detected.
【図1】 本発明の直流−交流変換装置の一実施例を示
す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a DC-AC converter of the present invention.
【図2】 実施例2を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment.
【図3】 実施例3を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a third embodiment.
【図4】 ハイサイド素子又はローサイド素子の変形例
を示す素子図である。FIG. 4 is an element diagram showing a modified example of a high side element or a low side element.
1は三相交流発電機、3は三相全波整流器(ブリッジ回
路)、6は制御部、6aは異常電圧検出回路部、6bは
短絡回路部、7はバッテリ、31〜33はハイサイド素
子、34〜36はローサイド素子。1 is a three-phase AC generator, 3 is a three-phase full-wave rectifier (bridge circuit), 6 is a control unit, 6a is an abnormal voltage detection circuit unit, 6b is a short circuit circuit unit, 7 is a battery, and 31 to 33 are high-side elements. , 34 to 36 are low-side elements.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−202255(JP,A) 特開 平4−138030(JP,A) 特開 平6−62526(JP,A) 特開 平6−62600(JP,A) 実開 昭63−48389(JP,U) 特公 昭45−16651(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02M 7/219 H02J 7/24 ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (56) References JP-A-63-202255 (JP, A) JP-A-4-138030 (JP, A) JP-A-6-62526 (JP, A) JP-A-6- 62600 (JP, A) Actual development 63-48389 (JP, U) Japanese Patent Publication 45-16651 (JP, B1) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H02M 7/219 H02J 7 /twenty four
Claims (8)
素子及びローサイド素子を直列接続してなる相ブリッジ
回路を必要数並列接続してなり、一対の直流端がバッテ
リ及び負荷の両端に接続され、前記両素子の接続点が交
流回転電機の電機子巻線の各端に個別に接続されるブリ
ッジ回路と、前記トランジスタを断続制御する制御部と
を備え、前記トランジスタは、前記交流回転電機の発電
電圧を整流する動作を行う直流−交流変換装置におい
て、 前記制御部は、 前記電機子巻線の発電電圧が所定の電圧値を超過したか
どうかを検出する異常電圧検出回路部と、 前記超過時に前記両素子の一方をなす前記トランジスタ
を全て導通させるとともに前記両素子の他方をなす前記
トランジスタを全て遮断させる短絡回路部と、 を備えることを特徴とする直流−交流変換装置。1. A required number of phase bridge circuits in which high side elements and low side elements each including a transistor are connected in series are connected in parallel, and a pair of direct current terminals are connected to both ends of a battery and a load. A bridge circuit in which each connection point is individually connected to each end of the armature winding of the AC rotating electric machine, and a control unit for controlling the on / off of the transistor, and the transistor is a generator of the AC rotating electric machine.
In the DC-AC converter that performs an operation of rectifying a voltage, the control unit detects an abnormal voltage detection circuit unit that detects whether the generated voltage of the armature winding exceeds a predetermined voltage value, and The transistors forming one of the two elements are all made conductive and the other of the elements is formed.
A DC-AC converter, comprising: a short circuit circuit that cuts off all the transistors .
P型基板領域と主電極をなすN+ 型領域との間の寄生ダ
イオードが発電電圧を整流する向きに形成されたNチャ
ンネルMOSトランジスタからなる請求項1記載の直流
−交流変換装置。2. The transistor comprises an N-channel MOS transistor in which a parasitic diode between a P-type substrate region immediately below a gate electrode and an N + -type region forming a main electrode is formed so as to rectify a generated voltage. Item 3. The DC-AC converter according to Item 1.
は、バイポーラトランジスタ又はIGBTと、発電電圧
を整流する向きに前記バイポーラトランジスタ又はIG
BTと並列接続された接合ダイオードとからなる請求項
1記載の直流−交流変換装置。3. The high-side element or the low-side element is a bipolar transistor or an IGBT, and the bipolar transistor or the IG in a direction to rectify a generated voltage.
The DC-AC converter according to claim 1, comprising a junction diode connected in parallel with BT.
を所定タイミングで断続して直流−交流変換又は交流−
直流変換を行わせるものである請求項2記載の直流−交
流変換装置。4. The control unit intermittently connects the MOS transistor at a predetermined timing to perform DC-AC conversion or AC-
The DC-AC converter according to claim 2, which is for performing DC conversion.
スタ又はIGBTを所定タイミングで断続して前記回転
電機に交流電圧を印加するものである請求項3記載の直
流−交流変換装置。5. The DC-AC converter according to claim 3 , wherein the control section intermittently connects the bipolar transistor or the IGBT at a predetermined timing to apply an AC voltage to the rotating electric machine.
前記各トランジスタを所定の平均導通率で導通させるも
のである請求項1記載の直流−交流変換装置。6. The DC-AC converter according to claim 1, wherein the control unit causes each of the transistors forming one of the elements to conduct at a predetermined average conductivity.
路部による前記超過の検出後、所定時間の間、前記トラ
ンジスタの前記全導通を持続する請求項1記載の直流−
交流変換装置。7. The DC circuit according to claim 1, wherein the short-circuit circuit section maintains the full conduction of the transistor for a predetermined time after the abnormal voltage detection circuit section detects the excess.
AC converter.
前記全導通後、直流端電圧がバッテリ電圧よりも低く設
定された所定値以下となったかどうかを判別し、なった
場合に前記全導通を持続するものである請求項1記載の
直流−交流変換装置。8. The short-circuit circuit section determines whether or not the DC terminal voltage has become equal to or lower than a predetermined value set lower than a battery voltage after the transistor has been fully conducted, and if not, the fully-conducted circuit is turned on. The DC-AC converter according to claim 1, which is continuous.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12500394A JP3396955B2 (en) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | DC-AC converter |
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JP3396955B2 true JP3396955B2 (en) | 2003-04-14 |
Family
ID=14899474
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---|---|---|---|
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