JP2022079389A - Power conversion device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電力変換装置に関する。 The present invention relates to a power conversion device.
ハイブリッド自動車や電気自動車等の車両には、モータを制御する電力変換装置が搭載されている。電力変換装置は、インバータ回路を備え、インバータ回路内のスイッチング素子を動作させることで、バッテリから供給される直流電力を交流電力に変換してモータを駆動している。また、モータが外力によって回転された場合は、モータは発電機として機能し、交流電力を直流電力に変換してバッテリを充電する。 Vehicles such as hybrid vehicles and electric vehicles are equipped with a power conversion device that controls a motor. The power conversion device includes an inverter circuit, and by operating a switching element in the inverter circuit, the DC power supplied from the battery is converted into AC power to drive the motor. When the motor is rotated by an external force, the motor functions as a generator and converts AC power into DC power to charge the battery.
モータが外力によって回転されている場合に、バッテリへの直流電力の入力が遮断されると、インバータ回路の正極と負極の間に設けられた平滑コンデンサがモータの誘起電力によって充電され、その電圧が上昇する。このような場合に、インバータ回路の各相の上アームもしくは下アームのすべてのスイッチング素子をオンにして三相短絡することにより、スイッチング素子を保護している。このような三相短絡時にはスイッチング素子に通常動作時よりも多くの電流が流れ、スイッチング素子が発熱する。 When the input of DC power to the battery is cut off when the motor is rotated by an external force, the smoothing capacitor provided between the positive and negative electrodes of the inverter circuit is charged by the induced power of the motor, and the voltage is changed. Rise. In such a case, the switching element is protected by turning on all the switching elements of the upper arm or the lower arm of each phase of the inverter circuit and short-circuiting them in three phases. At the time of such a three-phase short circuit, a larger current flows through the switching element than during normal operation, and the switching element generates heat.
特許文献1には、スイッチング素子の温度情報、インバータの直流側電圧情報等に応じてゲート駆動回路の電源電圧を変化させ、スイッチング素子のゲート電圧を調整することが記載されている。 Patent Document 1 describes that the power supply voltage of the gate drive circuit is changed according to the temperature information of the switching element, the DC side voltage information of the inverter, and the like to adjust the gate voltage of the switching element.
特許文献1では、三相短絡については考慮されておらず、通常動作より多くの電流が流れる三相短絡においてスイッチング素子の発熱を低減することができない。 Patent Document 1 does not consider a three-phase short circuit, and cannot reduce heat generation of a switching element in a three-phase short circuit in which a larger current flows than in normal operation.
本発明による電力変換装置は、インバータ回路の上アームおよび下アームを構成するスイッチング素子のオン/オフを制御する電力変換装置であって、前記スイッチング素子のオン/オフを制御して直流電力と交流電力との間で電力変換を行う第1制御モードと、前記上アームまたは前記下アームのいずれか一方の全てのスイッチング素子をオンにしてモータの巻線間を短絡する第2制御モードと、を有し、前記第2制御モードにおいて、前記上アームまたは前記下アームのいずれか一方の前記スイッチング素子のゲート電極に印加する第2ゲート電圧は、前記第1制御モードにおいて前記スイッチング素子のゲート電極に印加する第1ゲート電圧よりも高く設定する。 The power conversion device according to the present invention is a power conversion device that controls the on / off of the switching element constituting the upper arm and the lower arm of the inverter circuit, and controls the on / off of the switching element to obtain DC power and alternating current. A first control mode in which power is converted to and from electric power, and a second control mode in which all switching elements of either the upper arm or the lower arm are turned on to short-circuit the windings of the motor. The second gate voltage applied to the gate electrode of the switching element of either the upper arm or the lower arm in the second control mode is applied to the gate electrode of the switching element in the first control mode. Set higher than the applied first gate voltage.
本発明によれば、通常動作より多くの電流が流れる三相短絡時においてスイッチング素子の発熱を低減することができる。 According to the present invention, it is possible to reduce the heat generation of the switching element at the time of a three-phase short circuit in which a larger current flows than in normal operation.
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の記載および図面は、本発明を説明するための例示であって、説明の明確化のため、適宜、省略および簡略化がなされている。本発明は、他の種々の形態でも実施する事が可能である。特に限定しない限り、各構成要素は単数でも複数でも構わない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The following description and drawings are examples for explaining the present invention, and are appropriately omitted and simplified for the sake of clarification of the description. The present invention can also be implemented in various other forms. Unless otherwise specified, each component may be singular or plural.
図面において示す各構成要素の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。 The positions, sizes, shapes, ranges, etc. of each component shown in the drawings may not represent the actual positions, sizes, shapes, ranges, etc., in order to facilitate understanding of the invention. Therefore, the present invention is not necessarily limited to the position, size, shape, range and the like disclosed in the drawings.
同一あるいは同様な機能を有する構成要素が複数ある場合には、同一の符号に異なる添字を付して説明する場合がある。ただし、これらの複数の構成要素を区別する必要がない場合には、添字を省略して説明する場合がある。 When there are a plurality of components having the same or similar functions, they may be described by adding different subscripts to the same reference numerals. However, if it is not necessary to distinguish between these multiple components, the subscripts may be omitted for explanation.
図1は、電力変換装置100の全体構成図である。
電力変換装置100は、直流電源200よりコンタクタ300を介して供給される直流電力を交流電力に変換し、モータ400を駆動する。また、モータ400が外力により回転された場合には、モータ400は発電機として機能し、電力変換装置100は、交流電力を直流電力に変換して直流電源200を充電する。直流電源200は、例えば高電圧バッテリである。
FIG. 1 is an overall configuration diagram of the
The
電力変換装置100内には、モータ制御回路110、インバータ回路120、ゲート駆動電源回路130などが備えられている。
モータ制御回路110は、図示省略した上位コントローラからトルク指令や回転指令などのモータ400を駆動するための指令を受ける。そして、モータ制御回路110は、指令に応じたゲート駆動指令110U、110Lをそれぞれ、バッファ回路140U、140Lに出力することで、バッファ回路140U、140Lを介して、ゲート駆動指令158U、158Lをゲート駆動回路150U、150Lに与える。ゲート駆動指令110U、バッファ回路140U、ゲート駆動指令158U、ゲート駆動回路150Uは、インバータ回路120の上アームに対応し、ゲート駆動指令110L、バッファ回路140L、ゲート駆動指令158L、ゲート駆動回路150Lは、インバータ回路120の下アームに対応する。
The
The
ゲート駆動回路150U、150Lは、ゲート駆動指令158U、158Lに応じて、インバータ回路120の上アームおよび下アームのスイッチング素子を駆動するゲート駆動信号159U、159Lを出力する。インバータ回路120は、ゲート駆動信号159U、159Lに応じて各スイッチング素子を駆動させることで、直流電源200より供給される直流電力を交流電力に変換し、モータ400を駆動する。インバータ回路120は、上アームとして3個、下アームとして3個のスイッチング素子を有する。また、インバータ回路120には直流電源200よりバスバーを介して直流電力が供給される。
The
ゲート駆動回路150Uは、上アームの3個のスイッチング素子に対応して3個の駆動回路よりなる。ゲート駆動回路150Lも同様に、下アームの3個のスイッチング素子に対応して3個の駆動回路よりなる。ゲート駆動回路150U、150Lは、各スイッチング素子に流れる電流を監視する過電流検出部を備え、過電流であることが検出された場合には、過電流検出信号Ieをモータ制御回路110へ通知する。
The
インバータ回路120からモータ400への出力配線には電流検出器Idが設けられ、各相の電流値がモータ制御回路110へ入力される。電流検出器Idは2個の例を図示したが、3個備えてもよい。電流検出器Idが2個の場合は、モータ制御回路110が残りの相の電流値を演算によって求める。モータ制御回路110は、電流フィードバック制御によりモータ400のトルクを制御する。
A current detector Id is provided in the output wiring from the
モータ制御回路110は、補助電源回路111、安全制御回路112を備える。補助電源回路111には、低圧バッテリ電源500から例えば12Vの電力が供給され、ダイオオードD1を介して、安全制御回路112、ゲート駆動電源回路130、高電圧センサ回路900へ低圧電源を供給する。安全制御回路112は、後述の放電指令Ha、三相短絡信号Spを出力し、インバータ回路120を安全な状態に移行させる。
The
直流電源200の両極のバスバーには、電力変換時に変動する印加電圧を平滑する平滑コンデンサ600の他に、バックアップ電源回路700、アクティブ放電回路800、高電圧センサ回路900が並列に接続される。
In addition to the
バックアップ電源回路700は、直流電源200の電圧を降圧し、ダイオオードD2を介して、安全制御回路112、ゲート駆動電源回路130、高電圧センサ回路900のバックアップ電源として供給する。直流電源200が遮断されて、バックアップ電源回路700から電源が供給されない場合には、補助電源回路111により、低圧バッテリ電源500から供給される電力で、安全制御回路112、ゲート駆動電源回路130、高電圧センサ回路900の動作を維持する。
The backup
アクティブ放電回路800は、電力変換装置100内の回路が停止した場合等に、バスバーの両極にかかる電圧を放電抵抗R0を介して放電し、電圧を安全な値まで低下させる。高電圧センサ回路900は、バスバーの両極にかかる電圧を検知して、検知した電圧情報Hvを安全制御回路112へ入力する。安全制御回路112は、高電圧センサ回路900からの電圧情報Hvに基づいて、アクティブ放電回路800へ放電指令Haを出力する。
The
モータ制御回路110は、インバータ回路120のスイッチング素子のオン/オフを制御して直流電力と交流電力との間で電力変換を行う第1制御モードと、上アームまたは下アームのいずれか一方の全てのスイッチング素子をオンにしてモータ400の巻線間を短絡する第2制御モードと、を有する。第2制御モードでは、インバータ回路120は三相短絡の状態になる。
The
モータ400が外力によって回転されている場合に、直流電源200への直流電力の入力が遮断されると、インバータ回路120の正極と負極の間に設けられた平滑コンデンサ600がモータ400の誘起電力によって充電され、その電圧が上昇する。
When the input of DC power to the
高電圧センサ回路900は、モータ400の誘起電力によって平滑コンデンサ600が充電されてバスバーの両極にかかる電圧を検知し、検知した電圧情報Hvを安全制御回路112へ入力する。モータ制御回路110は、安全制御回路112に入力された高電圧センサ回路900からの電圧情報Hvと直流電源200への入力の遮断(コンタクタ300の開放)とを参照し、高電圧が検知され、且つ直流電源200の入力が遮断されている場合に三相短絡信号Spを出力して第2制御モードへ移行する。三相短絡信号Spは、安全制御回路112よりゲート駆動電源回路130、バッファ回路140U、140Lへ出力される。バッファ回路140U、140Lは、三相短絡信号Spを受けて、インバータ回路120の各相の上アームもしくは下アームの全てのスイッチング素子をオンするゲート駆動指令158U、158Lを出力する。ゲート駆動回路150U、150Lは、このゲート駆動指令158U、158Lに応じて、インバータ回路120の各相の上アームもしくは下アームの全てのスイッチング素子をオンするゲート駆動信号159U、159Lを出力する。その結果、インバータ回路120の各相の上アームもしくは下アームのすべてのスイッチング素子をオンにして三相短絡する。これにより、スイッチング素子を保護する。
The high
ゲート駆動電源回路130は、三相短絡信号Spを受けて、ゲート駆動回路150U、150Lが出力するゲート駆動信号159U、159Lの電圧(ゲート駆動電圧)を上げる。すなわち、第2制御モードにおいて、上アームまたは下アームのいずれか一方のスイッチング素子のゲート電極に印加する第2ゲート電圧を、第1制御モードにおいてスイッチング素子のゲート電極に印加する第1ゲート電圧よりも高く設定する。また、バッファ回路140U、140Lは、三相短絡信号Spを受けて、インバータ回路120の各相の上アームもしくは下アームの全てのスイッチング素子をオンするゲート駆動指令158U、158Lを出力する。また、モータ制御回路110は、ゲート駆動回路150U、150L内の過電流検出部から過電流検出信号Ieを受けた場合には、インバータ回路120の各相の上アームおよび下アームの全てのスイッチング素子をオフする。
The gate drive
図2は、インバータ回路120の回路構成図である。
インバータ回路120は、UVW相の上下アーム直列回路を有する。U相上下アーム直列回路は、U相上アームスイッチング素子Tuu及びU相上アームダイオードDuuと、U相下アームスイッチング素子Tul及びU相下アームダイオードDulとよりなる。V相上下アーム直列回路は、V相上アームスイッチング素子Tvu及びV相上アームダイオードDvuと、V相下アームスイッチング素子Tvl及びV相下アームダイオードDvlとよりなる。W相上下アーム直列回路は、W相上アームスイッチング素子Twu及びW相上アームダイオードDwuと、W相下アームスイッチング素子Twl及びW相下アームダイオードDwlとよりなる。
FIG. 2 is a circuit configuration diagram of the
The
上アームは、U相上アームスイッチング素子Tuu及びU相上アームダイオードDuuと、V相上アームスイッチング素子Tvu及びV相上アームダイオードDvuと、W相上アームスイッチング素子Twu及びW相上アームダイオードDwuとを有する。下アームは、U相下アームスイッチング素子Tul及びU相下アームダイオードDulと、V相下アームスイッチング素子Tvl及びV相下アームダイオードDvlと、W相下アームスイッチング素子Twl及びW相下アームダイオードDwlとを有する。これらのスイッチング素子を以下ではスイッチング素子121と称する。スイッチング素子121は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)の例を示したが、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やその他の素子であってもよい。
The upper arm includes a U-phase upper arm switching element Tuu and a U-phase upper arm diode Du, a V-phase upper arm switching element Tv and a V-phase upper arm diode Dvu, and a W-phase upper arm switching element Tu and a W-phase upper arm diode Dwoo. And have. The lower arm includes a U-phase lower arm switching element Tul and a U-phase lower arm diode Dul, a V-phase lower arm switching element Tvl and a V-phase lower arm diode Dvl, and a W-phase lower arm switching element Twl and a W-phase lower arm diode Dwl. And have. Hereinafter, these switching elements will be referred to as switching
インバータ回路120にはバスバーの正極B+および負極B-が接続され、直流電力が供給される。各スイッチング素子121のゲート電極には、ゲート駆動回路150U、150Lよりゲート駆動信号159U、159Lが入力される。なお、以降の説明において、一つのスイッチング素子121のゲート電極に入力されるゲート駆動信号をゲート駆動信号159Xと称する。UVW相の上下アーム直列回路の各上下アーム接続点から交流配線が導出され、モータ400の巻線へ接続される。
The positive electrode B + and the negative electrode B- of the bus bar are connected to the
図3は、ゲート駆動電源回路130の回路構成図である。ゲート駆動電源回路130は絶縁型フライバックコンバータ方式を採用している。
図3に示すように、ゲート駆動電源回路130は、トランス131、電源制御IC132を備える。
FIG. 3 is a circuit configuration diagram of the gate drive
As shown in FIG. 3, the gate drive
トランス131の一次側と二次側には、一次側の巻線133と、複数の二次側巻線回路134と、フィードバック巻線回路135を備える。
トランス131の一次側には、12Vの低圧電源から巻線133を介してFET136、抵抗R13が直列に接続されている。FET136のゲートには、電源制御IC132の端子OUTより抵抗R14を介して信号が入力される。また、FET136と抵抗R13の接続点には電源制御IC132の端子CSが接続される。なお、本実施形態では電源の入力として12Vの低圧電源を用いているが、発明としてはこれに限られず、高圧対応を施した上で高圧電源を入力としてもよい。
The primary side and the secondary side of the
On the primary side of the
各二次側巻線回路134は、巻線とダイオードD13の直列回路にコンデンサC13が並列に接続され、ダイオードD13を介してゲート駆動電圧Vgが出力される。ゲート駆動電圧Vgは、インバータ回路120の各スイッチング素子121のゲート電極に印加する電圧の電源である。
In each secondary winding
フィードバック巻線回路135は、巻線とダイオードD14の直列回路にコンデンサC14が並列に接続され、ダイオードD14を介してフィードバック巻線の一端から電源が出力される。フィードバック巻線の他端は負極のバスバーと同電位HV_Nである。さらに、コンデンサC14と並列に、抵抗R15と抵抗R16との直列回路が接続され、抵抗R16と並列に、抵抗R17とFET137との直列回路が接続される。FET137のゲートには、モータ制御回路110より三相短絡信号Spが入力される。そして、抵抗R15と抵抗R16で分圧した電圧を電源制御IC132のフィードバック端子FBに入力する。
In the
電源制御IC132は、FET136をオンすることにより、トランス131の1次側の巻線に電流を流す。1次側の巻線に電流を流すことで、トランス131に磁気エネルギーを蓄積し、電源制御IC132がFET136をオフすると、トランス131の2次側の複数の巻線に誘起電圧を生じさせる。
The power
電源制御IC132によりFET136のスイッチングが繰り返されることで、2次側の巻線に誘起電圧が断続的に生じ、二次側巻線回路134のダイオードD13とコンデンサC13により平滑化され、ゲート駆動電圧Vgを供給する。電源制御IC132は、フィードバック端子FBの入力電圧が一定になるように、FET136のスイッチングを制御し、フィードバック巻線の出力とゲート駆動電圧Vgの電圧を一定に安定させる。
By repeating the switching of the
FET137のゲートに、モータ制御回路110より三相短絡信号Spが入力された場合は、FET137が導通状態になり、抵抗R17が接続される。これにより、フィードバック巻線出力に接続する抵抗分割回路の分圧比が変更され、各二次側巻線回路134より出力されるゲート駆動電圧Vgの電圧を高くする。すなわち、ゲート駆動電源回路130は、トランス131の二次側に設けたフィードバック巻線にかかる抵抗値を第2制御モードで入力される三相短絡信号Spによって変更して、二次側巻線より出力されるゲート駆動電圧Vgを第1ゲート電圧から第2ゲート電圧に変更する。
When a three-phase short-circuit signal Sp is input from the
図3では、二次側巻線回路134を6個備え、インバータ回路120の上アームおよび下アームのスイッチング素子121のゲート電極に電源として印加する第2ゲート電圧を一括して高くする例を示した。しかし、三相短絡する上アームまたは下アームのいずれか一方のスイッチング素子121のゲート電極に電源として印加する第2ゲート電圧を高くしてもよい。この場合は、図3に示したゲート駆動電源回路130を2個備え、ゲート駆動電源回路130は、二次側巻線回路134を3個備えた構成とし、一方のゲート駆動電源回路130より上アームのゲート電極へ、他方のゲート駆動電源回路130より下アームのゲート電極へ電源電圧として印加する。
FIG. 3 shows an example in which six secondary winding
図4(A)、図4(B)は、三相短絡時のタイムチャートである。図4(A)は、本実施形態を適用しない場合を、図4(B)は、本実施形態を適用した場合を示す。各図において、(a)は、上アームのPWM信号を、(b)は、下アームのPWM信号を、(c)は、三相短絡信号Spを、(d)は、ゲート電圧を示す。 4 (A) and 4 (B) are time charts at the time of a three-phase short circuit. FIG. 4A shows a case where the present embodiment is not applied, and FIG. 4B shows a case where the present embodiment is applied. In each figure, (a) shows the PWM signal of the upper arm, (b) shows the PWM signal of the lower arm, (c) shows the three-phase short-circuit signal Sp, and (d) shows the gate voltage.
図4(A)の(c)に示す三相短絡信号Spが入力される前は、モータ制御回路110より、インバータ回路120の上アームおよび下アームのスイッチング素子121へ(a)に示す上アームへのPWM信号と、(b)に示す下アームのPWM信号とが出力されている。(c)に示す三相短絡信号Spが入力されると、モータ制御回路110は、PWM信号の出力を停止し、上アームまたは下アームのスイッチング素子121をオンし、三相短絡を行う。本実施形態を適用しない場合は、(d)に示すように、駆動源として印加されているゲート電圧は、三相短絡信号Spの入力後も変わらない。
Before the three-phase short-circuit signal Sp shown in (c) of FIG. 4A is input, the upper arm shown in (a) is sent from the
一方、本実施形態を適用した場合は、図4(B)の(c)に示す三相短絡信号Spが入力される前は、すなわち第1制御モードでは、モータ制御回路110より、インバータ回路120の上アームおよび下アームのスイッチング素子121へ(a)に示す上アームへのPWM信号と、(b)に示す下アームのPWM信号とが出力されている。(c)に示す三相短絡信号Spが入力されると、すなわち第2制御モードでは、モータ制御回路110は、PWM信号の出力を停止し、上アームまたは下アームのスイッチング素子121をオンし、三相短絡を行う。安全制御を解除してよい条件になった場合は、三相短絡信号Spが入力されなくなり、それに合わせてゲート電圧も元に戻る。
On the other hand, when this embodiment is applied, before the three-phase short-circuit signal Sp shown in FIG. 4 (c) is input, that is, in the first control mode, the
本実施形態では、図3を参照して説明したように、三相短絡信号Spがゲート駆動電源回路130に入力され、ゲート駆動電源回路130は、(d)に示すように、駆動源として印加されているゲート電圧を上げる。この例では、インバータ回路120の上アームおよび下アームのスイッチング素子121のゲート電極に電源として印加する第2ゲート電圧を高くする例を示した。
In the present embodiment, as described with reference to FIG. 3, a three-phase short-circuit signal Sp is input to the gate drive
図5は、上アームの三相短絡時のタイムチャートである。(a)は、上アームへのPWM信号を、(b)は、下アームへのPWM信号を、(c)は、上アームへの三相短絡信号Spを、(d)は、下アームへの三相短絡信号Spを、(e)は、上アームのゲート電圧を、(f)は、下アームのゲート電圧を示す。 FIG. 5 is a time chart when the upper arm is short-circuited in three phases. (A) is a PWM signal to the upper arm, (b) is a PWM signal to the lower arm, (c) is a three-phase short-circuit signal Sp to the upper arm, and (d) is a lower arm. (E) indicates the gate voltage of the upper arm, and (f) indicates the gate voltage of the lower arm.
図5に示すタイムチャートは、図3に示したゲート駆動電源回路130を2個備え、ゲート駆動電源回路130は、二次側巻線回路134を3個備えた構成とし、一方のゲート駆動電源回路130より上アームのゲート電極へ、他方のゲート駆動電源回路130より下アームのゲート電極へ電源電圧として印加する構成の場合を示す。
The time chart shown in FIG. 5 includes two gate drive
図5の(c)に示す三相短絡信号Spが入力される前は、モータ制御回路110より、インバータ回路120の上アームおよび下アームのスイッチング素子121へ(a)に示す上アームへのPWM信号と、(b)に示す下アームのPWM信号とが出力されている。(c)に示す上アームの三相短絡信号Spが入力されると、すなわち第2制御モードでは、モータ制御回路110は、PWM信号の出力を停止し、上アームのスイッチング素子121をオンし、三相短絡を行う。この時、三相短絡信号Spが上アーム用のゲート駆動電源回路130に入力され、ゲート駆動電源回路130は、(e)に示すように、駆動源として印加されているゲート電圧を上げる。この例では、インバータ回路120の上アームのスイッチング素子121のゲート電極に電源として印加する第2ゲート電圧を高くする。なお、(d)に示す下アームへの三相短絡信号Spは入力されず、(f)に示す下アームのゲート電圧は変更されない。
Before the three-phase short-circuit signal Sp shown in FIG. 5 (c) is input, PWM from the
図6は、下アームの三相短絡時のタイムチャートである。(a)は、上アームへのPWM信号を、(b)は、下アームへのPWM信号を、(c)は、上アームへの三相短絡信号Spを、(d)は、下アームへの三相短絡信号Spを、(e)は、上アームのゲート電圧を、(f)は、下アームのゲート電圧を示す。 FIG. 6 is a time chart when the lower arm is short-circuited in three phases. (A) is a PWM signal to the upper arm, (b) is a PWM signal to the lower arm, (c) is a three-phase short-circuit signal Sp to the upper arm, and (d) is a lower arm. (E) indicates the gate voltage of the upper arm, and (f) indicates the gate voltage of the lower arm.
図6に示すタイムチャートは、図3に示したゲート駆動電源回路130を2個備え、ゲート駆動電源回路130は、二次側巻線回路134を3個備えた構成とし、一方のゲート駆動電源回路130より上アームのゲート電極へ、他方のゲート駆動電源回路130より下アームのゲート電極へ電源電圧として印加する構成の場合を示す。
The time chart shown in FIG. 6 includes two gate drive
図6の(d)に示す三相短絡信号Spが入力される前は、モータ制御回路110より、インバータ回路120の上アームおよび下アームのスイッチング素子121へ(a)に示す上アームへのPWM信号と、(b)に示す下アームのPWM信号とが出力されている。(d)に示す下アームの三相短絡信号Spが入力されると、すなわち第2制御モードでは、モータ制御回路110は、PWM信号の出力を停止し、下アームのスイッチング素子121をオンし、三相短絡を行う。この時、三相短絡信号Spが下アーム用のゲート駆動電源回路130に入力され、ゲート駆動電源回路130は、(f)に示すように、駆動源として印加されているゲート電圧を上げる。この例では、インバータ回路120の下アームのスイッチング素子121のゲート電極に電源として印加する第2ゲート電圧を高くする。なお、(c)に示す上アームへの三相短絡信号Spは入力されず、(e)に示す上アームのゲート電圧は変更されない。
Before the three-phase short-circuit signal Sp shown in FIG. 6 (d) is input, PWM from the
図7は、ゲート駆動回路150の回路構成図である。
図7では、例えば、図2に示したスイッチング素子121Tuu及びダイオードDuuを一例とし、これを総称してスイッチング素子121としている。すなわち、図7では、インバータ回路120を構成する6個のスイッチング素子の1素子分を示す。スイッチング素子Tuuは、MOSFETの場合を例に説明する。
FIG. 7 is a circuit configuration diagram of the
In FIG. 7, for example, the switching element 121Tuu and the diode Duu shown in FIG. 2 are taken as an example, and these are collectively referred to as a
図7に示すように、1素子分のスイッチング素子121に対応して、ゲート駆動回路150を備える。図2に示したゲート駆動回路150Uは上アームに対応して、図7に示したゲート駆動回路150を3個備え、ゲート駆動回路150Lは下アームに対応して、図7に示したゲート駆動回路150を3個備える。なお、以降の説明において、一つのゲート駆動回路150に入力されるゲート駆動指令をゲート駆動指令158Xと称する。図7に示すように、ゲート駆動回路150には、ゲート駆動指令158Xが入力され、ゲート駆動信号159Xがスイッチング素子121のゲート電極に入力される。
As shown in FIG. 7, a
また、ゲート駆動回路150には、ゲート駆動電源回路130よりゲート駆動電圧Vgが供給される。ゲート駆動電源回路130は、第1制御モードにおいては第1ゲート電圧を、第2制御モードにおいては、第1ゲート電圧よりも高い第2ゲート電圧をゲート駆動電圧Vgとして供給する。
Further, the gate drive voltage Vg is supplied to the
ゲート駆動回路150は、電圧変換回路151、ゲートドライバIC152を備える。ゲートドライバIC152内には、ゲート駆動部153、過電流検出部154、フォルト管理部155を備える。
ゲート駆動部153は、ゲート駆動電源回路130より供給されたるゲート駆動電圧Vgにより、ゲート駆動指令158Xの入力に応じてゲート駆動信号159Xをスイッチング素子121のゲートに出力し、スイッチング素子121を駆動する。
The
The
電圧変換回路151は、抵抗R1、R2、R3の直列回路を、ゲート駆動電圧Vgとスイッチング素子121のソース電極の間に設ける。さらに、抵抗R1、R2の接続点よりダイオードD4を介してスイッチング素子121のドレイン電極に接続する。また、抵抗R3と並列にキャパシタC4を接続する。
The
過電流検出部154には、キャパシタC4の両極が入力され、スイッチング素子121の過電流状態をソース電極とドレイン電極との間の電圧によって検知する。すなわち、過電流検出部154は、スイッチング素子121のソース電極とドレイン電極との間の電圧が所定の閾値電圧VDET2を上回った場合に、スイッチング素子121が過電流状態であることを検出する。
Both poles of the capacitor C4 are input to the
フォルト管理部155は、過電流検出部154で過電流が検出された場合に、過電流検出信号Ieをモータ制御回路110へ通知する。さらに、過電流であることをゲート駆動部153へ通知する。ゲート駆動部153は、スイッチング素子121をオフするなどの過電流保護動作を行う。
When the overcurrent is detected by the
図8は、スイッチング素子121のドレイン電極-ソース電極間の電圧Vdsとドレイン電流Idとの関係を示すグラフである。スイッチング素子121がMOSFETの場合を例に説明する。
図8の実線M1は、第1制御モードにおけるスイッチング素子121のゲート電極-ソース電極間電圧Vgsを示し、実線M2は、第2制御モードにおけるスイッチング素子121のゲート電極-ソース電極間電圧Vgsを示す。実線M1では、Vgs=18V、実線M2では、Vgs=20Vを一例として示す。
FIG. 8 is a graph showing the relationship between the voltage Vds and the drain current Id between the drain electrode and the source electrode of the
The solid line M1 in FIG. 8 shows the gate electrode-source electrode voltage Vgs of the
本実施形態を適用しない場合は、第1制御モードのみであり、第2制御モードは存在しない。この場合は、実線M1で示すように、過電流を検知する閾値電圧VDET1は、三相短絡時の最大電流IASCを想定し、三相短絡時のドレイン電極-ソース電極間の電圧VASC1より高い電圧に設定する必要がある。これは、インバータ回路120を過電圧から保護する三相短絡動作時に、過電流検知により、三相短絡が解除されて、過電圧が引き起こされないようにするためである。なお、閾値電圧VDET1における検知電流IDET1は大きな値である。
When this embodiment is not applied, only the first control mode is used, and the second control mode does not exist. In this case, as shown by the solid line M1, the threshold voltage V DET1 for detecting the overcurrent assumes the maximum current I ASC at the time of three-phase short circuit, and the voltage V ASC 1 between the drain electrode and the source electrode at the time of three-phase short circuit. Need to set higher voltage. This is to prevent the overvoltage from being caused by canceling the three-phase short circuit by the overcurrent detection during the three-phase short-circuit operation that protects the
本実施形態では、第1制御モードの他に第2制御モードを備え、第2制御モードではスイッチング素子121のゲート電圧を、実線M2で示すように、高くしている。ゲート電圧を上げることで、三相短絡の最大電流IASCが流れたときのドレイン電極-ソース電極間の電圧VASC2を、矢印Aに示すように、第1制御モードでの電圧VASC1よりも下げることができる。したがって、三相短絡動作時のみゲート電圧を上げることで、三相短絡時以外の過電流を検知する閾値電圧VDET1を閾値電圧VDET2に下げることができる。この結果、三相短絡時以外の動作における過電流の検知電流IDET2は検知電流IDET1より小さな値になり、三相短絡電流IASCより下げることができ、スイッチング素子121の信頼性を上げることができる。
In this embodiment, a second control mode is provided in addition to the first control mode, and in the second control mode, the gate voltage of the
すなわち、過電流検出部154は、スイッチング素子121に流れる主電流が閾値以上である場合に過電流状態であることを検出する。そして、この閾値は、第1制御モードにおいてスイッチング素子121が過電流状態であることを検出する検知電流IDET2であり、第1電流値IDET2は、第2制御モードにおいてスイッチング素子121に流れる三相短絡電流IASCよりも小さい値に設定される。
That is, the
図9は、ゲート駆動回路150の他の例を示す回路構成図である。
図9では、図7と同様に、インバータ回路120を構成する6個のスイッチング素子121の1素子分を示す。スイッチング素子121は、電流センス付きのIGBTの場合を例に説明する。
FIG. 9 is a circuit configuration diagram showing another example of the
FIG. 9 shows one element of the six switching
図9に示すように、1素子分のスイッチング素子121に対応して、ゲート駆動回路150を備える。ゲート駆動回路150には、ゲート駆動指令158Xが入力され、ゲート駆動信号159Xがスイッチング素子121のゲート電極に入力される。
また、ゲート駆動回路150には、ゲート駆動電源回路130よりゲート駆動電圧Vgが供給される。ゲート駆動電源回路130は、第1制御モードにおいては第1ゲート電圧を、第2制御モードにおいては、第1ゲート電圧よりも高い第2ゲート電圧をゲート駆動電圧Vgとして供給する。
As shown in FIG. 9, a
Further, the gate drive voltage Vg is supplied to the
ゲート駆動回路150は、ゲートドライバIC152を備え、ゲートドライバIC152内には、ゲート駆動部153、過電流検出部154、フォルト管理部155を備える。
ゲート駆動部153は、ゲート駆動電源回路130より供給されたるゲート駆動電圧Vgにより、ゲート駆動指令158Xの入力に応じてゲート駆動信号159Xをスイッチング素子121のゲートへ出力し、スイッチング素子121を駆動する。
The
The
スイッチング素子121は、主電流電極間の電流に対して所定の分流比で電流が流れるエミッタ分流端子を備える。スイッチング素子121のエミッタ分流端子の電圧は、抵抗R4を介して過電流検出部154の一方へ、エミッタ電極の電圧は、過電流検出部154の他方へ入力される。抵抗R4のエミッタ分流端子側には、エミッタ分流端子とエミッタ電極間に抵抗R5が接続される。抵抗R4の過電流検出部154側には、抵抗R5と並列にキャパシタC5が接続される。
The switching
過電流検出部154は、エミッタ分流端子に接続された抵抗R5に生じる電圧が所定の閾値電圧を上回った場合に、スイッチング素子121が過電流状態であることを検出する。
フォルト管理部155は、過電流検出部154で過電流が検出された場合に、過電流検出信号Ieをモータ制御回路110へ通知する。さらに、過電流であることをゲート駆動部153へ通知する。ゲート駆動部153は、スイッチング素子121をオフするなどの過電流保護動作を行う。
The
When the overcurrent is detected by the
図10は、スイッチング素子121のコレクタ電極-エミッタ電極間の電圧Vceとコレクタ電流Icとの関係を示すグラフである。スイッチング素子121がIGBTの場合を例に説明する。
図10の実線M3は、第1制御モードにおけるスイッチング素子121のゲート電極-エミッタ電極間電圧Vgeを示し、実線M4は、第2制御モードにおけるスイッチング素子121のゲート電極-エミッタ電極間電圧Vgeを示す。実線M3では、Vge=15V、実線M4では、Vge=20Vを一例として示す。
FIG. 10 is a graph showing the relationship between the voltage Vce between the collector electrode and the emitter electrode of the
The solid line M3 in FIG. 10 shows the gate electrode-emitter electrode voltage Vge of the
本実施形態を適用しない場合は、第1制御モードのみであり、第2制御モードは存在しない。この場合は、実線M3で示すように、過電流を検知する閾値電圧VDET1は、三相短絡時の最大電流IASCを想定し、三相短絡時のコレクタ電極-エミッタ電極間の電圧VASC1より高い電圧に設定する必要がある。これは、インバータ回路120を過電圧から保護する三相短絡動作時に、過電流検知により、三相短絡が解除されることで、過電圧が引き起こされないようにするためである。なお、閾値電圧VDET1における検知電流IDET1は大きな値である。
When this embodiment is not applied, only the first control mode is used, and the second control mode does not exist. In this case, as shown by the solid line M3, the threshold voltage V DET1 for detecting the overcurrent assumes the maximum current I ASC at the time of three-phase short circuit, and the voltage V ASC 1 between the collector electrode and the emitter electrode at the time of three-phase short circuit. Need to set higher voltage. This is to prevent the overvoltage from being caused by canceling the three-phase short circuit by the overcurrent detection during the three-phase short circuit operation that protects the
本実施形態では、第1制御モードの他に第2制御モードを備え、第2制御モードではスイッチング素子121のゲート電圧を、実線M4で示すように、高くしている。ゲート電圧を上げることで、三相短絡の最大電流IASCが流れたときのコレクタ電極-エミッタ電極間の電圧VASC2を、矢印Aに示すように、第1制御モードでの電圧VASC1よりも下げることができる。したがって、三相短絡動作時のみゲート電圧を上げることで、三相短絡時以外の過電流を検知する閾値電圧VDET1を閾値電圧VDET2に下げることができる。この結果、三相短絡時以外の動作における過電流の検知電流IDET2は検知電流IDET1より小さな値になり、三相短絡電流IASCより下げることができ、スイッチング素子121の信頼性を上げることができる。
In this embodiment, a second control mode is provided in addition to the first control mode, and in the second control mode, the gate voltage of the
本実施形態によれば、通常動作より多くの電流が流れる三相短絡時において、ゲート電圧を上げることにより、スイッチング素子121のオン抵抗を下げてスイッチング素子121の発熱を低減することができる。一般に、スイッチング素子121のゲート電圧を上げるとスイッチングサージが大きくなるが、三相短絡時はスイッチング動作を行わないので、三相短絡時にゲート電圧を上げることによるスイッチングサージは問題とならない。また、通常のスイッチング動作時に過電流検知電圧を下げることが可能になるので、スイッチング素子121の過電流状態を少ない電流で検出でき、過電流が検知されるまでにスイッチング素子121にかかる負荷を軽減できる。
According to this embodiment, it is possible to reduce the on-resistance of the
以上説明した実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
(1)電力変換装置100は、インバータ回路120の上アームおよび下アームを構成するスイッチング素子121のオン/オフを制御する。そして、スイッチング素子121のオン/オフを制御して直流電力と交流電力との間で電力変換を行う第1制御モードと、上アームまたは下アームのいずれか一方の全てのスイッチング素子121をオンにしてモータ400の巻線間を短絡する第2制御モードと、を有し、第2制御モードにおいて、上アームまたは下アームのいずれか一方のスイッチング素子121のゲート電極に印加する第2ゲート電圧は、第1制御モードにおいてスイッチング素子121のゲート電極に印加する第1ゲート電圧よりも高く設定する。これにより、通常動作より多くの電流が流れる三相短絡時においてスイッチング素子の発熱を低減することができる。
According to the embodiment described above, the following effects can be obtained.
(1) The
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の特徴を損なわない限り、本発明の技術思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。また、上述の実施形態を組み合わせた構成としてもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and other embodiments considered within the scope of the technical idea of the present invention are also included within the scope of the present invention as long as the features of the present invention are not impaired. .. Further, the configuration may be a combination of the above-described embodiments.
100・・・電力変換装置、110・・・モータ制御回路、110U、110L・・・ゲート駆動指令、111・・・補助電源回路、112・・・安全制御回路、120・・・インバータ回路、121・・・スイッチング素子、130・・・ゲート駆動電源回路、131・・・トランス、132・・・電源制御IC、133・・・巻線、134・・・二次側巻線回路、135・・・フィードバック巻線回路、136、137・・・FET、140U、140L・・・バッファ回路、150U、150L・・・ゲート駆動回路、151・・・電圧変換回路、152・・・ゲートドライバIC、153・・・ゲート駆動部、154・・・過電流検出部、155・・・フォルト管理部、159U、159L・・・ゲート駆動信号、200・・・直流電源、300・・・コンタクタ、400・・・モータ、500・・・低圧バッテリ電源、600・・・平滑コンデンサ、700・・・バックアップ電源回路、800・・・アクティブ放電回路、900・・・高電圧センサ回路、Ie・・・過電流検出信号、Id・・・電流検出器、Ha・・・放電指令、Sp・・・三相短絡信号、Tuu・・・U相上アームスイッチング素子、Duu・・・U相上アームダイオード、Tul・・・U相下アームスイッチング素子、Dul・・・U相下アームダイオード、Tvu・・・V相上アームスイッチング素子、Dvu・・・V相上アームダイオード、Tvl・・・V相下アームスイッチング素子、Dvl・・・V相下アームダイオード、Twu・・・W相上アームスイッチング素子、Dwu・・・W相上アームダイオード、Twl・・・W相下アームスイッチング素子、Dwl・・・W相下アームダイオード。 100 ... Power converter, 110 ... Motor control circuit, 110U, 110L ... Gate drive command, 111 ... Auxiliary power supply circuit, 112 ... Safety control circuit, 120 ... Inverter circuit, 121 ... switching element, 130 ... gate drive power supply circuit, 131 ... transformer, 132 ... power supply control IC, 133 ... winding, 134 ... secondary side winding circuit, 135 ... -Feedback winding circuit, 136, 137 ... FET, 140U, 140L ... buffer circuit, 150U, 150L ... gate drive circuit, 151 ... voltage conversion circuit, 152 ... gate driver IC, 153 ... Gate drive unit, 154 ... Overcurrent detection unit, 155 ... Fault management unit, 159U, 159L ... Gate drive signal, 200 ... DC power supply, 300 ... Contactor, 400 ... -Motor, 500 ... Low-voltage battery power supply, 600 ... Smoothing capacitor, 700 ... Backup power supply circuit, 800 ... Active discharge circuit, 900 ... High voltage sensor circuit, Ie ... Overcurrent detection Signal, Id ... Current detector, Ha ... Discharge command, Sp ... Three-phase short-circuit signal, Tu ... U-phase upper arm switching element, Du ... U-phase upper arm diode, Tul ... U-phase lower arm switching element, Dul ... U-phase lower arm diode, Tv ... V-phase upper arm switching element, Dv ... V-phase upper arm diode, Tvl ... V-phase lower arm switching element, Dvl ... V phase lower arm diode, Tuu ... W phase upper arm switching element, Dwoo ... W phase upper arm diode, Twl ... W phase lower arm switching element, Dwl ... W phase lower arm diode.
Claims (7)
前記スイッチング素子のオン/オフを制御して直流電力と交流電力との間で電力変換を行う第1制御モードと、前記上アームまたは前記下アームのいずれか一方の全てのスイッチング素子をオンにしてモータの巻線間を短絡する第2制御モードと、を有し、
前記第2制御モードにおいて、前記上アームまたは前記下アームのいずれか一方の前記スイッチング素子のゲート電極に印加する第2ゲート電圧は、前記第1制御モードにおいて前記スイッチング素子のゲート電極に印加する第1ゲート電圧よりも高く設定する電力変換装置。 A power conversion device that controls the on / off of switching elements that make up the upper and lower arms of an inverter circuit.
A first control mode in which the on / off of the switching element is controlled to convert power between DC power and AC power, and all switching elements of either the upper arm or the lower arm are turned on. It has a second control mode, which short-circuits between the windings of the motor.
In the second control mode, the second gate voltage applied to the gate electrode of the switching element of either the upper arm or the lower arm is applied to the gate electrode of the switching element in the first control mode. A power converter that is set higher than one gate voltage.
前記スイッチング素子のゲート電極に印加する電圧を供給するゲート駆動電源回路を備え、
前記ゲート駆動電源回路は、トランスのフィードバック巻線にかかる抵抗値を前記第2制御モードで入力される三相短絡信号によって変更し、前記トランスの巻線より出力される電圧を前記第1ゲート電圧から前記第2ゲート電圧に変更する電力変換装置。 In the power conversion device according to claim 1,
A gate drive power supply circuit that supplies a voltage applied to the gate electrode of the switching element is provided.
The gate drive power supply circuit changes the resistance value applied to the feedback winding of the transformer by the three-phase short-circuit signal input in the second control mode, and changes the voltage output from the winding of the transformer to the first gate voltage. A power conversion device that changes the voltage from the second gate to the second gate voltage.
前記スイッチング素子に流れる主電流が閾値以上である場合に過電流状態であることを検出する過電流検出部を備え、
前記閾値は、前記第1制御モードにおいて前記スイッチング素子が過電流状態であることを検出する第1電流値であり、前記第1電流値は、前記第2制御モードにおいて前記スイッチング素子に流れる第2電流値よりも小さい値に設定される電力変換装置。 In the power conversion device according to claim 1 or 2.
It is provided with an overcurrent detection unit that detects an overcurrent state when the main current flowing through the switching element is equal to or greater than a threshold value.
The threshold value is a first current value for detecting that the switching element is in an overcurrent state in the first control mode, and the first current value is a second current flowing through the switching element in the second control mode. A power converter that is set to a value smaller than the current value.
前記過電流検出部は、前記スイッチング素子のソース電極とドレイン電極と間の電圧が所定の閾値電圧を上回った場合に、前記スイッチング素子が過電流状態であることを検出する電力変換装置。 The power conversion device according to claim 3.
The overcurrent detection unit is a power conversion device that detects that the switching element is in an overcurrent state when the voltage between the source electrode and the drain electrode of the switching element exceeds a predetermined threshold voltage.
前記スイッチング素子は、MOSFETである電力変換装置。 The power conversion device according to claim 4.
The switching element is a power conversion device that is a MOSFET.
前記スイッチング素子は、主電流電極間の電流に対して所定の分流比で電流が流れるエミッタ分流端子を備え、
前記過電流検出部は、前記エミッタ分流端子に接続された抵抗に生じる電圧が所定の閾値電圧を上回った場合に、前記スイッチング素子が過電流状態であることを検出する電力変換装置。 The power conversion device according to claim 3.
The switching element includes an emitter diversion terminal through which a current flows at a predetermined diversion ratio with respect to the current between the main current electrodes.
The overcurrent detection unit is a power conversion device that detects that the switching element is in an overcurrent state when the voltage generated in the resistor connected to the emitter diversion terminal exceeds a predetermined threshold voltage.
前記スイッチング素子は、IGBTである電力変換装置。 The power conversion device according to claim 6.
The switching element is a power conversion device which is an IGBT.
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