JP3391440B2 - Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus - Google Patents

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

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JP3391440B2
JP3391440B2 JP37007798A JP37007798A JP3391440B2 JP 3391440 B2 JP3391440 B2 JP 3391440B2 JP 37007798 A JP37007798 A JP 37007798A JP 37007798 A JP37007798 A JP 37007798A JP 3391440 B2 JP3391440 B2 JP 3391440B2
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幸泰 古川
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    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
装置及び半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、
基体上の半導体チップの載置部が筒状側壁により囲ま
れ、かつ筒状側壁の頂上部に支持されて筒状側壁の内部
を密閉する樹脂蓋が形成されてなる半導体装置の製造装
置及び半導体装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method.
Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor in which a mounting portion of a semiconductor chip on a substrate is surrounded by a cylindrical side wall, and a resin lid is formed to be supported on the top of the cylindrical side wall to seal the inside of the cylindrical side wall The present invention relates to a method of manufacturing a device.

【0002】[0002]

【従来の技術】樹脂封止された半導体装置を作成する方
法として、トランスファ成形方法が一般的であるが、封
止用樹脂が半導体チップの周囲に隙間なく充填されるた
め、樹脂の応力により半導体チップが欠けたり、或いは
樹脂の誘電率により半導体素子の特性が悪化したりす
る。
2. Description of the Related Art A transfer molding method is generally used as a method for producing a resin-sealed semiconductor device. However, since the sealing resin is filled around the semiconductor chip without a gap, the semiconductor stress is applied to the semiconductor. The chip may be chipped or the characteristics of the semiconductor element may deteriorate due to the dielectric constant of the resin.

【0003】従って、半導体素子の表面に樹脂が接触し
ないように中空状に樹脂封止された半導体装置が要望さ
れている。
Therefore, there is a demand for a semiconductor device in which a resin is hollow-sealed so that the resin does not come into contact with the surface of the semiconductor element.

【0004】図10(a)〜(c),図11は従来の中
空状に樹脂封止された半導体装置の製造方法について示
す断面図である。
10 (a) to 10 (c) and FIG. 11 are cross-sectional views showing a conventional method for manufacturing a resin-molded hollow semiconductor device.

【0005】まず、図10(a)に示すように、下型4
及び上型5からなるモールド金型に樹脂を注入して、パ
ッケージの本体101を形成する。本体101は円板状
の基体1と、基体1の周辺部に中央部を囲んで形成され
た円筒状側壁3と、基体1から半径方向に突き出ている
2本の外部リード2a,2bとからなる。円筒状側壁3
に囲まれた基体1の表面には中央部のチップ載置部2c
と、そのチップ載置部2cの両側の外部リード端子2
a,2bとが金属板等により形成されている。
First, as shown in FIG. 10 (a), the lower mold 4
Then, resin is injected into the molding die including the upper die 5 to form the main body 101 of the package. The main body 101 includes a disk-shaped base body 1, a cylindrical side wall 3 formed around the central portion in the peripheral portion of the base body 1, and two external leads 2a and 2b protruding from the base body 1 in the radial direction. Become. Cylindrical side wall 3
On the surface of the base 1 surrounded by
And the external lead terminals 2 on both sides of the chip mounting portion 2c.
a and 2b are formed of a metal plate or the like.

【0006】次いで、図10(b)に示すように、下型
7及び上型8からなるモールド金型に樹脂を注入して、
円板状のキャップ6を形成する。
Next, as shown in FIG. 10 (b), resin is injected into a molding die consisting of a lower mold 7 and an upper mold 8,
A disc-shaped cap 6 is formed.

【0007】次に、図10(c)に示すように、本体の
チップ載置部2cに半導体チップ9をロー材により溶着
し、さらに半導体チップ9と2つの外部リード端子2
a,2bをそれぞれ内部リード10a,10bにより接
続する。
Next, as shown in FIG. 10C, the semiconductor chip 9 is welded to the chip mounting portion 2c of the main body by a brazing material, and the semiconductor chip 9 and the two external lead terminals 2 are also welded.
a and 2b are connected by internal leads 10a and 10b, respectively.

【0008】続いて、円筒状側壁3の頂上部にシール樹
脂或いはシールテープ11を載せ、その上にキャップ6
を載せて接着し、円筒状側壁3の内部を密閉する。これ
により、樹脂封止された半導体装置が完成する。この状
態を図11に示す。
Then, a sealing resin or a sealing tape 11 is placed on the top of the cylindrical side wall 3, and the cap 6 is placed thereon.
Is placed and adhered to seal the inside of the cylindrical side wall 3. As a result, the resin-sealed semiconductor device is completed. This state is shown in FIG.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来例
においては、パッケージの大きさ形状に合わせたキャッ
プ6を形成するための金型7,8を必要とし、また同じ
くシール樹脂やシールテープ11を必要とする。従っ
て、外形変更に対して迅速に、或いは柔軟に対応するこ
とが難しい。
By the way, in the above-mentioned conventional example, molds 7 and 8 for forming the cap 6 matched to the size and shape of the package are required, and the sealing resin and the sealing tape 11 are also used. I need. Therefore, it is difficult to swiftly or flexibly deal with the external shape change.

【0010】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、半導体チップの周囲が中空部と
なっており、かつ外形変更に対して迅速に、或いは柔軟
に対応することができる樹脂封止された半導体装置の製
造装置及び半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
The present invention was created in view of the above-mentioned problems of the conventional example, and the semiconductor chip has a hollow portion around it, and can respond to a change in outer shape quickly or flexibly. Provided is a resin-encapsulated semiconductor device manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は半導体装置の製造装置に係り、樹
脂蓋形成用の液状樹脂を収納する容器と、樹脂蓋形成前
の半導体収納容器を保持する保持具と、前記保持具を上
又は下に移動させる移動手段と、前記容器に入れた液状
樹脂の表面の位置を検知する手段と、前記検知する手段
により検知された前記液状樹脂の表面の位置に基づいて
前記移動手段の上又は下への移動距離を調整する制御手
段とを有することを特徴としている。
In order to solve the above problems, the present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, including a container for storing a liquid resin for forming a resin lid and a semiconductor housing before the resin lid is formed. A holder for holding the container, a moving means for moving the holder up or down, a means for detecting the position of the surface of the liquid resin contained in the container, and the liquid resin detected by the detecting means. And a control means for adjusting the moving distance of the moving means up or down based on the position of the surface of the.

【0012】請求項2の発明は半導体装置の製造装置に
係り、樹脂蓋形成用の液状樹脂を収納する容器と、前記
容器内の液状樹脂を加熱する手段と、前記容器に収納さ
れた液状樹脂の温度を検知する手段と、前記検知する手
段により検知された前記液状樹脂の温度に基づいて前記
加熱する手段による加熱の強度を調整する制御手段とを
有することを特徴としている。
A second aspect of the present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, wherein a container for containing a liquid resin for forming a resin lid, a means for heating the liquid resin in the container, and a liquid resin contained in the container are provided. And a control unit that adjusts the intensity of heating by the heating unit based on the temperature of the liquid resin detected by the detecting unit.

【0013】請求項3の発明は半導体装置の製造方法に
係り、基体上の半導体チップの載置部が筒状側壁により
囲まれ、かつ該筒状側壁の頂上部が樹脂蓋の支持部とな
っている樹脂蓋形成前の半導体収納容器を準備し、前記
半導体収納容器の筒状側壁の頂上部を所定の粘度に調整
された液状樹脂に浸漬し、引き上げることにより、前記
筒状側壁の内部を密閉し、前記樹脂蓋の支持部に支持さ
れた前記樹脂蓋を形成することを特徴としている。
A third aspect of the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, in which a mounting portion of a semiconductor chip on a base is surrounded by a cylindrical side wall, and a top portion of the cylindrical side wall serves as a supporting portion of a resin lid. Preparing a semiconductor storage container before the resin lid is formed, the top of the cylindrical side wall of the semiconductor storage container is immersed in a liquid resin adjusted to a predetermined viscosity, and by pulling up, the inside of the cylindrical side wall It is characterized in that the resin lid is formed so as to be hermetically sealed and supported by the supporting portion of the resin lid.

【0014】請求項4の発明は請求項3に記載の半導体
装置の製造方法に係り、前記液状樹脂の材料は、熱可塑
性樹脂又は熱硬化性樹脂であることを特徴としている。
The invention of claim 4 relates to the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the material of the liquid resin is a thermoplastic resin or a thermosetting resin.

【0015】請求項5の発明は請求項3又は4に記載の
半導体装置の製造方法に係り、前記液状樹脂を加熱して
前記液状樹脂の温度により前記液状樹脂の粘度を調整す
ることを特徴としている。
The invention of claim 5 relates to the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3 or 4, characterized in that the liquid resin is heated and the viscosity of the liquid resin is adjusted by the temperature of the liquid resin. There is.

【0016】請求項6の発明は請求項3乃至5のいずれ
か一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記筒状側
壁の頂上部に凹凸が形成されていることを特徴としてい
る。
A sixth aspect of the present invention relates to the method for manufacturing a semiconductor device according to any one of the third to fifth aspects, characterized in that unevenness is formed on the top of the cylindrical side wall.

【0017】請求項7の発明は、請求項3乃至6のいず
れか一に記載の半導体装置の製造方法に係り、前記筒状
側壁の内側に前記頂上部に向かって前記筒状側壁の厚さ
が薄くなるような段差又は傾斜を設けていることを特徴
としている。
The invention of claim 7 relates to the method of manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 3 to 6, wherein the thickness of the tubular side wall is inside the tubular side wall toward the top. The feature is that a step or an inclination is provided so that the thickness becomes thin.

【0018】本発明の半導体装置の製造装置において
は、樹脂蓋形成前の半導体収納容器を保持する保持具
と、保持具を上又は下に移動させる移動手段と、容器に
入れた液状樹脂の表面の位置を検知する手段と、検知す
る手段により検知された液状樹脂の表面の位置に基づい
て移動手段の上又は下への移動距離を調整する制御手段
とを有している。
In the apparatus for manufacturing a semiconductor device of the present invention, a holder for holding the semiconductor storage container before forming the resin lid, a moving means for moving the holder up or down, and a surface of the liquid resin contained in the container. And a control means for adjusting the moving distance of the moving means up or down based on the position of the surface of the liquid resin detected by the detecting means.

【0019】これにより、液位センサ(液状樹脂の表面
の位置を検知する手段)によって液状樹脂の表面の位置
を監視しておき、樹脂蓋形成前の半導体収納容器、例え
ばチップ載置部が筒状側壁に囲まれてなるパッケージ本
体の筒状側壁の頂上部が適当な深さまで浸漬されるよう
に、制御手段により移動手段の移動距離を調整し、保持
具を液状樹脂の表面から適度な位置に移動させて保持し
ておくようにすることができる。このため、パッケージ
本体の筒状側壁の内側の内部リードや半導体チップに液
状樹脂が付着するのを防止しつつ、樹脂蓋を形成するこ
とが可能となる。
Accordingly, the position of the surface of the liquid resin is monitored by the liquid level sensor (means for detecting the position of the surface of the liquid resin), and the semiconductor container before the resin lid is formed, for example, the chip mounting portion is a cylinder. The moving distance of the moving means is adjusted by the control means so that the top of the cylindrical side wall of the package body surrounded by the shaped side wall is immersed to an appropriate depth, and the holder is positioned at an appropriate position from the surface of the liquid resin. It can be moved to and held. Therefore, it is possible to form the resin lid while preventing liquid resin from adhering to the inner leads and the semiconductor chip inside the cylindrical side wall of the package body.

【0020】さらに、容器内の液状樹脂を加熱する手段
と、容器に収納された液状樹脂の温度を検知する手段
と、検知する手段により検知された液状樹脂の温度に基
づいて加熱する手段による加熱の強度を調整する制御手
段とを有している。
Furthermore, heating by means for heating the liquid resin in the container, means for detecting the temperature of the liquid resin contained in the container, and means for heating based on the temperature of the liquid resin detected by the detecting means Control means for adjusting the strength of the.

【0021】この場合、液状樹脂の温度によって粘度が
変化する液状樹脂を用いると、温度センサ(液状樹脂の
温度を検知する手段)により液状樹脂の温度を監視して
おき、液状樹脂が適当な粘度になるように、制御手段に
より電源から加熱手段に供給する電力を調整して液状樹
脂の加熱温度を調整することができる。このため、半導
体収納容器の開口幅の広狭や浸漬深さに応じて連続した
樹脂膜からなる樹脂蓋を形成することが可能となる。
In this case, if a liquid resin whose viscosity changes with the temperature of the liquid resin is used, the temperature of the liquid resin is monitored by a temperature sensor (means for detecting the temperature of the liquid resin), and the liquid resin has an appropriate viscosity. As described above, the heating temperature of the liquid resin can be adjusted by adjusting the electric power supplied from the power supply to the heating means by the control means. Therefore, it is possible to form a resin lid made of a continuous resin film according to the width of the opening of the semiconductor container and the immersion depth.

【0022】また、本発明の半導体装置の製造方法にお
いては、樹脂蓋形成前の半導体収納容器、例えばチップ
載置部が筒状側壁に囲まれてなるパッケージ本体の筒状
側壁の頂上部が所定の深さだけ所定の粘度に調整された
液状樹脂に浸漬し、引き上げることにより、筒状側壁の
内部を密閉し、樹脂蓋の支持部に支持された樹脂蓋を形
成している。
Further, in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the top of the cylindrical side wall of the package main body in which the semiconductor storage container before the resin lid is formed, for example, the chip mounting portion is surrounded by the cylindrical side wall is predetermined. By immersing in a liquid resin whose viscosity is adjusted to a predetermined depth and pulling it up, the inside of the cylindrical side wall is sealed and the resin lid supported by the support portion of the resin lid is formed.

【0023】即ち、筒状側壁の開口部の平面形状が円形
状その他の任意の形状であっても、筒状側壁の開口幅に
応じて液状樹脂の粘度や筒状側壁の浸漬深さを調整する
ことにより連続した樹脂膜からなる樹脂蓋を形成するこ
とが可能となる。
That is, even if the planar shape of the opening of the cylindrical side wall is circular or any other shape, the viscosity of the liquid resin and the immersion depth of the cylindrical side wall are adjusted according to the opening width of the cylindrical side wall. By doing so, it becomes possible to form a resin lid made of a continuous resin film.

【0024】このため、半導体チップの周囲が中空部と
なっている樹脂封止半導体装置を形成することができ、
また、外形変更に対して迅速に、或いは柔軟に対応する
ことができる。
Therefore, it is possible to form a resin-sealed semiconductor device in which the periphery of the semiconductor chip is hollow.
Further, it is possible to quickly or flexibly respond to a change in outer shape.

【0025】さらに、筒状側壁の頂上部に凹凸が形成さ
れ、或いは筒状側壁の内側に頂上部に向かって筒状側壁
の厚さが薄くなるような段差又は傾斜が設けられてい
る。
Further, irregularities are formed on the top of the tubular side wall, or a step or an inclination is provided inside the tubular side wall such that the thickness of the tubular side wall decreases toward the top.

【0026】これにより、液状樹脂に浸漬するとこの凹
凸や段差や傾斜により液状樹脂と筒状側壁との接触面積
が増えて密着性が高められるとともに、接触面積が増え
ることにより筒状側壁の樹脂蓋の支持部に付着する液状
樹脂の量が増えて連続した樹脂膜を形成しやすくなる。
また、段差又は傾斜により筒状側壁下方への液状樹脂の
タレ込みが抑制される。
As a result, when immersed in the liquid resin, the contact area between the liquid resin and the cylindrical side wall increases due to the unevenness, steps, and inclination, and the adhesion is improved, and the resin cover on the cylindrical side wall increases due to the increased contact area. The amount of liquid resin adhering to the supporting portion increases and it becomes easy to form a continuous resin film.
Further, the step or the inclination suppresses the sagging of the liquid resin below the cylindrical side wall.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0028】(第1の実施の形態)図1は、本発明の第
1の実施の形態に係る樹脂封止半導体装置のキャップ形
成装置の構成について示す断面図である。
(First Embodiment) FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a cap forming apparatus for a resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.

【0029】そのキャップ形成装置は、図1に示すよう
に、キャップ(樹脂蓋)形成用の液状樹脂26を収納す
る容器21と、キャップ形成前のパッケージ本体(半導
体収納容器)102を保持する保持具24と、保持具2
4を上又は下に移動させる移動手段25と、容器21に
入れた液状樹脂26の表面の位置を検知する液位センサ
22と、液位センサ22により検知された液状樹脂26
の表面の位置に基づいて移動手段25の上又は下への移
動距離を調整する制御手段23とから構成されている。
As shown in FIG. 1, the cap forming apparatus holds a container 21 for containing a liquid resin 26 for forming a cap (resin lid) and a package main body (semiconductor container) 102 before the cap is formed. Tool 24 and holder 2
4 for moving up or down, a liquid level sensor 22 for detecting the position of the surface of the liquid resin 26 contained in the container 21, and a liquid resin 26 detected by the liquid level sensor 22.
The control means 23 adjusts the moving distance of the moving means 25 up or down based on the position of the surface of the.

【0030】上記キャップ形成装置においては、液状樹
脂26として熱可塑性樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性
樹脂を用いることができる。
In the cap forming apparatus, a thermosetting resin such as a thermoplastic resin or an epoxy resin can be used as the liquid resin 26.

【0031】ところで、キャップ形成前のパッケージ本
体102を液状樹脂26に浸漬して支持部に支持された
キャップを形成する場合、液状樹脂26の消費により液
状樹脂26の液位が相当変化してくる。このような場
合、パッケージ本体102の筒状側壁33の浸漬深さが
適当でないと、筒状側壁33の支持部に付着する樹脂量
が不足して連続した樹脂膜が形成されなくなったり、浸
漬深さが深すぎて筒状側壁33の内側の内部リード37
a,37bや半導体チップ36に液状樹脂26が付着し
てしまったりする。
By the way, when the package main body 102 before forming the cap is immersed in the liquid resin 26 to form the cap supported by the supporting portion, the liquid level of the liquid resin 26 changes considerably due to consumption of the liquid resin 26. . In such a case, if the immersion depth of the cylindrical side wall 33 of the package body 102 is not appropriate, the amount of resin adhering to the support portion of the cylindrical side wall 33 is insufficient and a continuous resin film is not formed, or the immersion depth is reduced. The inner lead 37 inside the cylindrical side wall 33 is too deep.
The liquid resin 26 may adhere to a, 37b and the semiconductor chip 36.

【0032】本発明の第1の実施の形態に係る樹脂封止
半導体装置のキャップ形成装置を用いる場合、液位セン
サ22によって液状樹脂26の表面の位置を監視してお
き、樹脂封止前のパッケージ本体102の筒状側壁33
が頂上部から適当な深さまで浸漬されるように、制御手
段23により移動手段25の移動距離を調整し、保持具
24を液状樹脂26の表面から適度な位置に移動させて
保持しておくようにする。
When the cap forming apparatus for the resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment of the present invention is used, the position of the surface of the liquid resin 26 is monitored by the liquid level sensor 22, and before the resin sealing. Cylindrical side wall 33 of the package body 102
The moving distance of the moving means 25 is adjusted by the control means 23 so that the liquid is soaked from the top to an appropriate depth, and the holder 24 is moved from the surface of the liquid resin 26 to an appropriate position and held. To

【0033】これにより、パッケージ本体102の筒状
側壁33の内側の内部リード37a,37bや半導体チ
ップ36に液状樹脂26が付着するのを防止することが
できる。 (第2の実施の形態)図2は、本発明の第2の実施の形
態に係る樹脂封止半導体装置のキャップ形成装置の構成
について示す断面図である。
As a result, it is possible to prevent the liquid resin 26 from adhering to the internal leads 37a and 37b inside the cylindrical side wall 33 of the package body 102 and the semiconductor chip 36. (Second Embodiment) FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a cap forming apparatus for a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【0034】そのキャップ形成装置は、図2に示すよう
に、キャップ(樹脂蓋)形成用の液状樹脂26を収納す
る容器21と、容器21内の液状樹脂26を加熱するヒ
ータ28と、容器21に収納された液状樹脂26の温度
を検知する温度センサ27と、温度センサ27により検
知された液状樹脂26の温度に基づいて温度センサ27
による加熱の強度を調整する制御手段30とから構成さ
れている。
As shown in FIG. 2, the cap forming apparatus includes a container 21 for containing a liquid resin 26 for forming a cap (resin lid), a heater 28 for heating the liquid resin 26 in the container 21, and a container 21. A temperature sensor 27 for detecting the temperature of the liquid resin 26 stored in the temperature sensor 27, and a temperature sensor 27 based on the temperature of the liquid resin 26 detected by the temperature sensor 27.
And a control means 30 for adjusting the heating intensity.

【0035】また、この場合も液状樹脂26として熱可
塑性樹脂や熱硬化性樹脂を用いることができる。
Also in this case, a thermoplastic resin or a thermosetting resin can be used as the liquid resin 26.

【0036】ところで、キャップ形成前のパッケージ本
体(半導体収納容器)102を液状樹脂26に浸漬して
支持部に支持されたキャップを形成する場合、液状樹脂
26の消費により液状樹脂26の粘度が相当変化してく
る。このような場合、液状樹脂26が適当な粘度を有し
ないと、パッケージ本体102の開口幅の広狭や浸漬深
さに依存して連続した樹脂膜が形成されなくなる場合が
ある。
By the way, when the package main body (semiconductor container) 102 before the cap is formed is dipped in the liquid resin 26 to form the cap supported by the supporting portion, the viscosity of the liquid resin 26 is equivalent to the consumption of the liquid resin 26. It will change. In such a case, if the liquid resin 26 does not have an appropriate viscosity, a continuous resin film may not be formed depending on the width of the opening of the package body 102 and the immersion depth.

【0037】本発明の第2の実施の形態に係る樹脂封止
半導体装置のキャップ形成装置を用いる場合、液状樹脂
26の温度によって粘度が変化する液状樹脂26を用い
る。そして、温度センサ27により液状樹脂26の温度
を監視しておき、液状樹脂26が適当な粘度になるよう
に、制御手段30により電源29からヒータ(加熱手
段)28に供給する電力を調整して液状樹脂26の加熱
温度を調整する。
When the cap forming apparatus for the resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment of the present invention is used, the liquid resin 26 whose viscosity changes with the temperature of the liquid resin 26 is used. Then, the temperature of the liquid resin 26 is monitored by the temperature sensor 27, and the electric power supplied from the power supply 29 to the heater (heating means) 28 is adjusted by the control means 30 so that the liquid resin 26 has an appropriate viscosity. The heating temperature of the liquid resin 26 is adjusted.

【0038】これにより、パッケージ本体102の開口
幅の広狭に応じて連続した樹脂膜からなるキャップを形
成することが可能となる。
As a result, it becomes possible to form a cap made of a continuous resin film according to the width of the opening of the package body 102.

【0039】なお、上記第1及び第2の実施の形態のキ
ャップ形成装置では、液位センサ22及び制御手段23
と、温度センサ27及び制御手段30とが別々に備えら
れている装置について説明しているが、これらをともに
備えたキャップ形成装置とすることも可能である。この
場合、パッケージ本体102の筒状側壁33の内側の内
部リード37a,37bや半導体チップ36に液状樹脂
26が付着するのを防止し、かつパッケージ本体102
の開口幅の広狭に応じて連続した樹脂膜からなるキャッ
プを形成することが可能となる。 (第3の実施の形態)図3〜図6は、本発明の第3の実
施の形態に係る中空型樹脂封止半導体装置の製造方法に
ついて示す図である。図3(a),(b),図5(a)
〜(c),図6は断面図である。図4はキャップ(樹脂
蓋)形成前のパッケージ本体102の斜視図であり、図
3(b)は図4のA−A線断面に相当する。
Incidentally, in the cap forming apparatus of the first and second embodiments, the liquid level sensor 22 and the control means 23.
Although a device in which the temperature sensor 27 and the control means 30 are separately provided has been described, a cap forming device that includes both of them is also possible. In this case, the liquid resin 26 is prevented from adhering to the internal leads 37a, 37b inside the cylindrical side wall 33 of the package body 102 and the semiconductor chip 36, and the package body 102 is prevented.
It is possible to form a cap made of a continuous resin film according to the width of the opening. (Third Embodiment) FIGS. 3 to 6 are views showing a method of manufacturing a hollow resin-sealed semiconductor device according to a third embodiment of the present invention. 3 (a), 3 (b), 5 (a)
(C) and FIG. 6 are sectional views. FIG. 4 is a perspective view of the package body 102 before the cap (resin lid) is formed, and FIG. 3B corresponds to a cross section taken along the line AA of FIG.

【0040】まず、図3(a)に示すように、下型34
と上型35からなるモールド金型に熱硬化性樹脂(日東
電工製MP-8000C)を注入し、基体31上の半導体チップ
の載置部32cが外径φ2〜3mm、高さ0.4〜0.
6mmの円形状の筒状側壁33により囲まれ、かつ筒状
側壁33の頂上部がキャップの支持部となっているパッ
ケージ本体(半導体収納容器)102を形成する。パッ
ケージ本体102は基体31上、中央部にチップ載置部
32cが形成され、かつその両側に厚さ約0.1mmの
帯状の42アロイ等のCu合金板からなる外部リード3
2a,32bが形成されている。外部リード32a,3
2bは基体31から半径方向に突出している。
First, as shown in FIG. 3A, the lower mold 34
A thermosetting resin (MP-8000C manufactured by Nitto Denko) is injected into a molding die including the upper die 35 and the upper die 35, and the mounting portion 32c of the semiconductor chip on the base 31 has an outer diameter of 2 to 3 mm and a height of 0.4 to 0.
A package body (semiconductor container) 102 surrounded by a 6 mm circular cylindrical side wall 33 and having a top portion of the cylindrical side wall 33 as a support portion of the cap is formed. The package main body 102 has a chip mounting portion 32c formed in the central portion on the base 31, and on both sides thereof, an external lead 3 made of a Cu alloy plate such as a strip 42 alloy having a thickness of about 0.1 mm.
2a and 32b are formed. External leads 32a, 3
2b projects from the base 31 in the radial direction.

【0041】次いで、基体31上の半導体チップの載置
部32cにロー材を挟んで厚さ約0.1mmの半導体チ
ップ36を載置して加熱し、ロー材を溶融して固定す
る。続いて、ワイヤボンダを用いて半導体チップ36の
表面から外部リード32a,32bの内部端子に内部リ
ード37a,37bを接続する。このとき、内部リード
の高さは載置部32cの表面から凡そ0.2mmとす
る。
Then, the semiconductor chip 36 having a thickness of about 0.1 mm is placed on the semiconductor chip mounting portion 32c on the base 31 with the brazing material sandwiched therebetween and heated to melt and fix the brazing material. Subsequently, the inner leads 37a, 37b are connected from the surface of the semiconductor chip 36 to the inner terminals of the outer leads 32a, 32b using a wire bonder. At this time, the height of the inner lead is about 0.2 mm from the surface of the mounting portion 32c.

【0042】これにより、図3(b)及び図4に示すよ
うに、半導体チップが収納された樹脂封止前のパッケー
ジ本体102が完成する。
As a result, as shown in FIGS. 3B and 4, the package main body 102 in which the semiconductor chip is housed and before resin sealing is completed.

【0043】次に、図5(a)〜(c)に示すように、
熱硬化性エポキシ液状樹脂(ハイソール製CB011 )26
を容器にいれて温度50〜60℃に保持する。液状樹脂
26は樹脂の組成や温度により粘度を調整することが可
能であり、実施の形態の場合、5000〜10000cpsになるよ
うに調整されている。
Next, as shown in FIGS.
Thermosetting epoxy liquid resin (Hisole CB011) 26
Is placed in a container and maintained at a temperature of 50 to 60 ° C. The viscosity of the liquid resin 26 can be adjusted depending on the composition and temperature of the resin, and in the embodiment, it is adjusted to 5000 to 10,000 cps.

【0044】この液状樹脂26内にパッケージ本体10
2の筒状側壁33の頂上部を所定の深さまで浸漬し、そ
の後引き上げる。このとき、引き上げ速度も連続した樹
脂膜を形成するための重要なパラメータとなるので、十
分に検討して決める必要がある。
The package body 10 is placed in the liquid resin 26.
The top of the cylindrical side wall 33 of No. 2 is immersed to a predetermined depth and then pulled up. At this time, the pulling rate is also an important parameter for forming a continuous resin film, and thus it is necessary to sufficiently consider and determine it.

【0045】この場合、図1や図2のキャップ形成装置
を用いて、液状樹脂26の液位や粘度を調整する。これ
により、パッケージ本体102の筒状側壁33の内側の
内部リード37a,37bや半導体チップ36に液状樹
脂26が付着するのを防止し、かつ半導体収納容器10
2の開口幅の広狭や浸漬深さに応じて連続した樹脂膜を
形成することが可能となる。
In this case, the liquid level and viscosity of the liquid resin 26 are adjusted by using the cap forming device shown in FIGS. This prevents the liquid resin 26 from adhering to the internal leads 37a, 37b inside the cylindrical side wall 33 of the package body 102 and the semiconductor chip 36, and prevents the semiconductor container 10 from being stuck.
It is possible to form a continuous resin film according to the width of the opening 2 and the immersion depth.

【0046】以上により、図6に示すように、筒状側壁
33の内部を密閉し、キャップの支持部に支持された樹
脂膜からなるキャップ25aが形成され、樹脂封止半導
体装置が完成する。
As described above, as shown in FIG. 6, the inside of the cylindrical side wall 33 is hermetically sealed, and the cap 25a made of the resin film supported by the supporting portion of the cap is formed to complete the resin-sealed semiconductor device.

【0047】このようにして形成された樹脂封止半導体
装置において、十分な気密性を得ることができた。即
ち、リーク試験でも問題はなく、通常のポッティング封
止と同等の信頼度を得た。
In the resin-sealed semiconductor device thus formed, sufficient airtightness could be obtained. That is, there was no problem even in the leak test, and the reliability equivalent to that of ordinary potting sealing was obtained.

【0048】以上のように、第3の実施の形態の半導体
装置の製造方法によれば、パッケージ本体102の筒状
側壁33の頂上部のみを所定の粘度に調整された液状樹
脂に浸漬し、引き上げることにより、筒状側壁33の内
部を密閉し、キャップの支持部に支持されたキャップ2
5aを形成している。
As described above, according to the method of manufacturing the semiconductor device of the third embodiment, only the top of the cylindrical side wall 33 of the package body 102 is immersed in the liquid resin whose viscosity is adjusted to a predetermined level. By pulling up, the inside of the cylindrical side wall 33 is sealed and the cap 2 supported by the support portion of the cap 2
5a is formed.

【0049】これにより、半導体チップ36の周囲が中
空部となっている樹脂封止半導体装置を形成することが
できる。
As a result, it is possible to form a resin-sealed semiconductor device in which the periphery of the semiconductor chip 36 is hollow.

【0050】しかも、筒状側壁33の平面形状が円形状
その他の任意の形状であっても、筒状側壁33の開口幅
に応じて液状樹脂の粘度と筒状側壁33の浸漬深さを調
整することにより連続した樹脂膜からなるキャップを形
成することが可能となる。このため、外形変更に対して
迅速に、或いは柔軟に対応することができる。 (第4乃至6の実施の形態)図7は、本発明の第4の実
施の形態に係る樹脂封止半導体装置の製造方法に用いら
れるパッケージ本体について示す斜視図である。
Moreover, even if the planar shape of the cylindrical side wall 33 is circular or any other shape, the viscosity of the liquid resin and the immersion depth of the cylindrical side wall 33 are adjusted according to the opening width of the cylindrical side wall 33. By doing so, it becomes possible to form a cap made of a continuous resin film. Therefore, it is possible to quickly or flexibly respond to the change in outer shape. (Fourth to Sixth Embodiments) FIG. 7 is a perspective view showing a package body used in a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention.

【0051】また、図7中、点線の円形状枠内の断面図
はB−B線断面に相当し、筒状側壁33aの断面を示
す。なお、図7は既に半導体チップ36が載置されたキ
ャップ(樹脂蓋)形成前のパッケージ本体102aを示
し、図中、図1と同じものは図1と同じ符号で表し、説
明を省略する。
Further, in FIG. 7, the cross-sectional view in the dotted circular frame corresponds to the cross section taken along the line BB and shows the cross section of the cylindrical side wall 33a. FIG. 7 shows the package body 102a on which the semiconductor chip 36 has already been mounted and before forming a cap (resin lid). In the figure, the same parts as those in FIG. 1 are represented by the same reference numerals as those in FIG.

【0052】図7に示すように、円形状の筒状側壁33
aの頂上部に向かって筒状側壁33aの厚さが薄くなっ
ているような段差を有する。
As shown in FIG. 7, a circular cylindrical side wall 33.
There is a step such that the thickness of the cylindrical side wall 33a decreases toward the top of a.

【0053】液状樹脂に浸漬するとこの段差により液状
樹脂と筒状側壁33aとの接触面積が増えて密着性が高
められるとともに、液状樹脂の量が増えて連続した樹脂
膜を形成しやすくなる。
When immersed in the liquid resin, this step difference increases the contact area between the liquid resin and the cylindrical side wall 33a to improve the adhesiveness, and the amount of the liquid resin increases to facilitate the formation of a continuous resin film.

【0054】また、段差により筒状側壁33a下方への
液状樹脂のタレ込みを抑制することが可能となる。
Further, the step makes it possible to suppress the sagging of the liquid resin below the cylindrical side wall 33a.

【0055】図8は、本発明の第5の実施の形態に係る
樹脂封止半導体装置の製造方法に用いられるパッケージ
の本体について示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view showing the main body of a package used in the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention.

【0056】また、図8中、点線の円形状枠内の断面図
はC−C線断面に相当し、筒状側壁33bの断面を示
す。なお、図8は既に半導体チップ36が載置された樹
脂封止前のパッケージ本体102bを示し、図中、図1
と同じものは図1と同じ符号で表し、説明を省略する。
Further, in FIG. 8, the cross-sectional view in the dotted circular frame corresponds to the cross section taken along the line CC, and shows the cross section of the cylindrical side wall 33b. FIG. 8 shows the package body 102b on which the semiconductor chip 36 has already been placed and before resin sealing, and in FIG.
The same parts as those shown in FIG.

【0057】図8に示すように、円形状の筒状側壁33
bの頂上部に向かって筒状側壁33bの厚さが薄くなっ
ているような傾斜を有する。
As shown in FIG. 8, a circular cylindrical side wall 33.
It has an inclination such that the thickness of the cylindrical side wall 33b decreases toward the top of b.

【0058】液状樹脂に浸漬するとこの傾斜により液状
樹脂と筒状側壁33bとの接触面積が増えて密着性が高
められる。また、傾斜箇所により多くの液状樹脂が付着
して連続した樹脂膜を形成しやすくなる。
When immersed in the liquid resin, this inclination increases the contact area between the liquid resin and the cylindrical side wall 33b, thereby improving the adhesion. In addition, a large amount of liquid resin adheres to the inclined portion to facilitate formation of a continuous resin film.

【0059】さらに、このような形状の傾斜により筒状
側壁33b下方への液状樹脂のタレ込みが抑制される。
Further, the inclination of such a shape suppresses the sagging of the liquid resin below the cylindrical side wall 33b.

【0060】図9は、本発明の第6の実施の形態に係る
樹脂封止半導体装置の製造方法に用いられるパッケージ
の本体について示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing the main body of a package used in the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the sixth embodiment of the present invention.

【0061】また、図9中、点線の円形状枠内の断面図
はD−D線断面に相当し、筒状側壁33cの断面を示
す。なお、図9は既に半導体チップ36が載置された樹
脂封止前のパッケージ本体102cを示し、図中、図1
と同じものは図1と同じ符号で表し、説明を省略する。
Further, in FIG. 9, the cross-sectional view in the dotted circular frame corresponds to the cross section taken along the line DD, and shows the cross section of the cylindrical side wall 33c. Note that FIG. 9 shows the package body 102c on which the semiconductor chip 36 has already been mounted and before resin sealing, and in FIG.
1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1, and description thereof will be omitted.

【0062】図9に示すように、円形状の筒状側壁33
cはその頂上部に凹凸を有する。液状樹脂に浸漬すると
この凹凸により液状樹脂と筒状側壁33cとの接触面積
が増えて密着性が高められるとともに、液状樹脂の量が
増えて連続した樹脂膜を形成しやすくなる。なお、上記
実施の形態により本願発明の具体的な形態について説明
してきたが、上記実施の形態に限られるものではなく、
上記実施の形態から導かれる設計変更程度の種々の変形
例は本願発明の技術的範囲に含まれる。
As shown in FIG. 9, a circular cylindrical side wall 33.
c has irregularities on its top. When soaked in the liquid resin, the unevenness increases the contact area between the liquid resin and the cylindrical side wall 33c to improve the adhesion, and the amount of the liquid resin increases to facilitate the formation of a continuous resin film. Although the specific embodiments of the present invention have been described with the above embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments.
Various modifications of the degree of design change derived from the above embodiment are included in the technical scope of the present invention.

【0063】例えば、上記実施の形態では、パッケージ
本体102,102a〜102cの筒状側壁33,33
a〜33cの平面形状が円形状のものを用いているが、
四角形その他の形状のものを用いてもよい。
For example, in the above embodiment, the cylindrical side walls 33, 33 of the package bodies 102, 102a to 102c are used.
Although the circular plan shape of a to 33c is used,
A rectangular shape or other shapes may be used.

【0064】また、液状樹脂26として特定の熱硬化性
樹脂を用いているが、他の種類の熱硬化性樹脂を用いて
もよいし、熱可塑性樹脂を用いることもできる。
Although a specific thermosetting resin is used as the liquid resin 26, other types of thermosetting resin may be used, or a thermoplastic resin may be used.

【0065】さらに、液状樹脂の粘度を5000〜10000cps
としているが、樹脂の種類が異なれば適正な粘度が異な
ってくることはいうまでもない。
Furthermore, the viscosity of the liquid resin is set to 5000 to 10000 cps.
However, it goes without saying that the proper viscosity varies depending on the type of resin.

【0066】[0066]

【発明の効果】本発明の半導体装置の製造装置によれ
ば、樹脂蓋形成前の半導体装置を保持する保持具と、保
持具を上又は下に移動させる移動手段と、容器に入れた
液状樹脂の表面の位置を検知する手段と、検知する手段
により検知された液状樹脂の表面の位置に基づいて移動
手段の上又は下への移動距離を調整する制御手段とを有
している。
According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention, the holder for holding the semiconductor device before the resin lid is formed, the moving means for moving the holder up or down, and the liquid resin contained in the container. And a control means for adjusting the moving distance of the moving means up or down based on the position of the surface of the liquid resin detected by the detecting means.

【0067】これにより、樹脂封止前の半導体装置が適
当な深さまで浸漬されるように、保持具を液状樹脂の表
面から適度な位置に移動させて保持しておくようにする
ことができるため、パッケージ本体の筒状側壁の内側の
内部リードや半導体チップに液状樹脂が付着するのを防
止しつつ、樹脂蓋を形成することが可能となる。
As a result, the holder can be moved from the surface of the liquid resin to an appropriate position and held so that the semiconductor device before resin sealing is immersed to an appropriate depth. The resin lid can be formed while preventing liquid resin from adhering to the inner leads and the semiconductor chip inside the tubular side wall of the package body.

【0068】さらに、容器内の液状樹脂を加熱する手段
と、容器に収納された液状樹脂の温度を検知する手段
と、検知する手段により検知された液状樹脂の温度に基
づいて加熱する手段による加熱の強度を調整する制御手
段とを有している。
Furthermore, heating by means for heating the liquid resin in the container, means for detecting the temperature of the liquid resin contained in the container, and means for heating based on the temperature of the liquid resin detected by the detecting means Control means for adjusting the strength of the.

【0069】従って、液温によって粘度が変化する液状
樹脂が適当な粘度になるように、制御手段により電源か
ら加熱手段に供給する電力を調整して液状樹脂の加熱温
度を調整することができるため、半導体収納容器の開口
幅の広狭や浸漬深さに応じて連続した樹脂膜からなる樹
脂蓋を形成することが可能となる。
Therefore, the heating temperature of the liquid resin can be adjusted by adjusting the electric power supplied from the power supply to the heating means by the control means so that the liquid resin whose viscosity changes depending on the liquid temperature has an appropriate viscosity. It is possible to form a resin lid made of a continuous resin film according to the width of the opening of the semiconductor container and the immersion depth.

【0070】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、樹脂蓋形成前の半導体装置を液状樹脂に浸漬して
樹脂蓋を形成しているので、筒状側壁の開口部の平面形
状が円形状その他の任意の形状であっても、筒状側壁の
開口幅に応じて液状樹脂の粘度や筒状側壁の浸漬深さを
調整することにより連続した樹脂膜からなる樹脂蓋を形
成することが可能となる。
Further, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, the semiconductor device before the resin cover is formed is immersed in the liquid resin to form the resin cover. Forming a resin lid consisting of a continuous resin film by adjusting the viscosity of the liquid resin and the immersion depth of the cylindrical side wall according to the opening width of the cylindrical side wall even if it is circular or any other shape. Is possible.

【0071】このため、半導体チップの周囲が中空部と
なっている樹脂封止半導体装置を形成することができ、
また、外形変更に対して迅速に、或いは柔軟に対応する
ことができる。
Therefore, it is possible to form a resin-sealed semiconductor device in which the periphery of the semiconductor chip is hollow.
Further, it is possible to quickly or flexibly respond to a change in outer shape.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る樹脂封止半導
体装置のキャップ形成装置の構成について示す図であ
る。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a cap forming device of a resin-sealed semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態に係る樹脂封止半導
体装置のキャップ形成装置の構成について示す図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a cap forming device of a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図3】図3(a),(b)は、本発明の第3の実施の
形態に係る樹脂封止半導体装置の形成方法について示す
断面図(その1)である。
3A and 3B are cross-sectional views (No. 1) showing a method for forming a resin-encapsulated semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施の形態に係る樹脂封止半導
体装置の形成方法について示す斜視図(その2)であ
る。
FIG. 4 is a perspective view (No. 2) showing the method of forming the resin-sealed semiconductor device according to the third embodiment of the invention.

【図5】図5(a)〜(c)は、本発明の第3の実施の
形態に係る樹脂封止半導体装置の形成方法について示す
断面図(その3)である。
5A to 5C are sectional views (3) showing the method for forming the resin-sealed semiconductor device according to the third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施の形態に係る樹脂封止半導
体装置の形成方法について示す断面図(その4)であ
る。
FIG. 6 is a sectional view (No. 4) showing the method of forming the resin-encapsulated semiconductor device according to the third embodiment of the invention.

【図7】本発明の第4の実施の形態に係る樹脂封止半導
体装置の形成方法について示す斜視図及び断面図であ
る。
FIG. 7 is a perspective view and a cross-sectional view showing a method of forming a resin-sealed semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第5の実施の形態に係る樹脂封止半導
体装置の形成方法について示す斜視図及び断面図であ
る。
FIG. 8 is a perspective view and a sectional view showing a method of forming a resin-sealed semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第6の実施の形態に係る樹脂封止半導
体装置の形成方法について示す斜視図及び断面図であ
る。
FIG. 9 is a perspective view and a cross-sectional view showing a method of forming a resin-sealed semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図10】図10(a)〜(c)は、従来例に係る樹脂
封止半導体装置の形成方法について示す断面図(その
1)である。
10A to 10C are cross-sectional views (No. 1) showing a method for forming a resin-sealed semiconductor device according to a conventional example.

【図11】従来例に係る樹脂封止半導体装置の形成方法
について示す断面図(その2)である。
FIG. 11 is a sectional view (No. 2) showing the method for forming the resin-encapsulated semiconductor device according to the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 容器 22 液位センサ(液状樹脂の表面位置を検知する手
段) 23,30 制御手段 24 保持具 25 移動手段 25a キャップ(樹脂蓋) 26 液状樹脂 27 温度センサ(液状樹脂の温度を検知する手段) 28 ヒータ(加熱手段) 29 電源 31 基体 32a,32b 外部リード 32c チップ載置部 33,33a〜33c 筒状側壁 36 半導体チップ 37a,37b 内部リード 102,102a〜102c パッケージ本体(半導体
収納容器)
21 Container 22 Liquid Level Sensor (Means for Detecting Surface Position of Liquid Resin) 23, 30 Control Means 24 Holding Tool 25 Moving Means 25a Cap (Resin Lid) 26 Liquid Resin 27 Temperature Sensor (Means for Detecting Temperature of Liquid Resin) 28 heater (heating means) 29 power supply 31 bases 32a, 32b external leads 32c chip mounting parts 33, 33a to 33c tubular side wall 36 semiconductor chips 37a, 37b internal leads 102, 102a to 102c package body (semiconductor container)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−269339(JP,A) 特開 平2−51260(JP,A) 特開 平3−239349(JP,A) 特開 平4−260358(JP,A) 特開 平6−69366(JP,A) 特開 平7−130778(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/28 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-61-269339 (JP, A) JP-A-2-51260 (JP, A) JP-A-3-239349 (JP, A) JP-A-4- 260358 (JP, A) JP-A-6-69366 (JP, A) JP-A-7-130778 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/28

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 樹脂蓋形成用の液状樹脂を収納する容器
と、 樹脂蓋形成前の半導体装置を保持する保持具と、 前記保持具を上又は下に移動させる移動手段と、 前記容器に入れた液状樹脂の表面の位置を検知する手段
と、 前記検知する手段により検知された前記液状樹脂の表面
の位置に基づいて前記移動手段の上又は下への移動距離
を調整する制御手段とを有することを特徴とする半導体
装置の製造装置。
1. A container for storing a liquid resin for forming a resin lid, a holder for holding a semiconductor device before the resin lid is formed, a moving means for moving the holder up or down, and a container for putting the container in the container. A means for detecting the position of the surface of the liquid resin, and a control means for adjusting the moving distance of the moving means up or down based on the position of the surface of the liquid resin detected by the detecting means. A semiconductor device manufacturing apparatus characterized by the above.
【請求項2】 樹脂蓋形成用の液状樹脂を収納する容器
と、 前記容器内の液状樹脂を加熱する手段と、 前記容器に収納された液状樹脂の温度を検知する手段
と、 前記検知する手段により検知された前記液状樹脂の温度
に基づいて前記加熱する手段による加熱の強度を調整す
る制御手段とを有することを特徴とする半導体装置の製
造装置。
2. A container for containing a liquid resin for forming a resin lid, a means for heating the liquid resin in the container, a means for detecting the temperature of the liquid resin contained in the container, and a means for detecting the temperature. And a control unit that adjusts the intensity of heating by the heating unit based on the temperature of the liquid resin detected by the semiconductor device manufacturing apparatus.
【請求項3】 基体上の半導体チップの載置部が筒状側
壁により囲まれ、かつ該筒状側壁の頂上部が樹脂蓋の支
持部となっている樹脂蓋形成前の半導体収納容器を準備
し、 前記半導体収納容器の筒状側壁の頂上部を所定の粘度に
調整された液状樹脂に浸漬し、引き上げることにより、
前記筒状側壁の内部を密閉し、前記樹脂蓋の支持部に支
持された前記樹脂蓋を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
3. A semiconductor storage container before formation of a resin lid, in which a mounting portion of a semiconductor chip on a base is surrounded by a tubular side wall, and a top portion of the tubular side wall serves as a support portion for the resin lid. Then, by dipping the top of the cylindrical side wall of the semiconductor storage container in a liquid resin adjusted to a predetermined viscosity, by pulling up,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the inside of the cylindrical side wall is hermetically sealed, and the resin lid supported by a support portion of the resin lid is formed.
【請求項4】 前記液状樹脂の材料は、熱可塑性樹脂又
は熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項3に記載
の半導体装置の製造方法。
4. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the material of the liquid resin is a thermoplastic resin or a thermosetting resin.
【請求項5】 前記液状樹脂を加熱して前記液状樹脂の
温度により前記液状樹脂の粘度を調整することを特徴と
する請求項3又は4に記載の半導体装置の製造方法。
5. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the liquid resin is heated to adjust the viscosity of the liquid resin according to the temperature of the liquid resin.
【請求項6】 前記筒状側壁の頂上部に凹凸が形成され
ていることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか一に
記載の半導体装置の製造方法。
6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein unevenness is formed on the top of the cylindrical side wall.
【請求項7】 前記筒状側壁の内側に前記頂上部に向か
って前記筒状側壁の厚さが薄くなるような段差又は傾斜
を設けていることを特徴とする請求項3乃至6のいずれ
か一に記載の半導体装置の製造方法。
7. A step or an inclination is provided inside the cylindrical side wall so that the thickness of the cylindrical side wall becomes thinner toward the top portion. 1. A method of manufacturing a semiconductor device according to 1.
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