JP3384701B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment

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JP3384701B2
JP3384701B2 JP32433996A JP32433996A JP3384701B2 JP 3384701 B2 JP3384701 B2 JP 3384701B2 JP 32433996 A JP32433996 A JP 32433996A JP 32433996 A JP32433996 A JP 32433996A JP 3384701 B2 JP3384701 B2 JP 3384701B2
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Japan
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processing
opening
wafer
substrate
side wall
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健二 藤井
克之 三宅
康弘 倉田
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Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用ガラス基板などの各種被処理基板に対して
処理を施すための基板処理装置に関する。 【0002】 【従来の技術】半導体装置の製造工程には、半導体ウエ
ハ(以下、単に「ウエハ」という。)に対してエッチン
グ液などの薬液を用いた処理を施す工程が含まれる。こ
の工程を行う薬液処理ユニットには、ウエハを搬入およ
び搬出するための2つの開口が形成された処理チャンバ
が備えられている。搬入用の開口を介して所定の搬送ロ
ボットにより処理チャンバ内に搬入されたウエハは、ス
ピンチャックにて保持され、その後高速回転させられ
る。このとき、当該ウエハに対してノズルから薬液が供
給される。こうして薬液処理が施された後のウエハは、
搬出用の開口を介して所定の搬送ロボットにより処理チ
ャンバから搬出される。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】上述のように、薬液処
理では、高速回転しているウエハに薬液が供給されるか
ら、薬液はウエハにより振り切られ、周囲の処理チャン
バの内壁面に付着する。このとき、開口上方の内壁面に
も薬液は付着するから、当該薬液は開口に向かって垂れ
ていき、開口上辺から滴り落ちる。したがって、開口を
通るウエハや当該ウエハを搬送する搬送ロボットに薬液
が付着するおそれがある。そのため、ウエハや搬送ロボ
ットの汚染の原因となっていた。 【0004】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、処理チャンバの開口から処理液が滴り落ち
ないようにすることができる基板処理装置を提供するこ
とである。 【0005】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の請求項1記載の発明は、側壁に囲まれ、処理液によっ
て基板に処理を施すための処理チャンバと、上記側壁に
形成され、上記基板を処理チャンバに対して搬出または
搬入する際に基板が通過する開口部と、上記開口部より
も上方において上記側壁の内側に設けられ、基板が上記
開口部を通過する際に描く軌跡を覆うのに十分な長さを
有し、水平面に対して傾斜して形成された案内面を有す
る処理液案内部材と、上記側壁の上記処理液案内部材が
設けられている側に設けられ、上記開口部を選択的に塞
ぐとともに、上記処理液案内部材を選択的に覆うための
シャッタ機構とを含むことを特徴とする基板処理装置で
ある。上記シャッタ機構は、たとえば上記開口部を塞ぐ
ための開口開閉部、および上記処理液案内部材を覆うた
めの案内部材カバー部を有するシャッタと、このシャッ
タを上下方向にスライド移動させるための駆動手段とを
含むものである。 【0006】本発明では、開口部の上方の側壁に付着し
ている処理液が垂れてきても、当該処理液は開口部の上
方にて処理液案内部材の案内面によって受け止められ
る。受け止められた処理液は、水平面に対して傾斜して
形成された案内面上を導かれる。一方、処理液案内部材
は、基板が開口部を通過する際に描く軌跡を覆うのに十
分な長さを有しているから、処理液が導かれる先は基板
の通過スペース上ではない。したがって、処理液として
薬液が用いられる場合でも、当該薬液が基板や基板を搬
送するアーム上に落下することはない。 【0007】 【0008】処理液案内部材の案内面以外の箇所に処理
液が付着した場合、当該処理液は基板の通過スペースか
らずれた箇所に導かれずに、そのまま滴り落ちる。この
場合、基板や基板を搬送するアーム上に処理液が付着す
るおそれがある。発明では、処理液案内部材をシャッ
タ機構により選択的に覆うことができるから、たとえば
処理が行われる際にシャッタ機構により処理液案内部材
を覆うようにしておけば、処理が行われることによって
処理液が飛び散っても、当該処理液が処理液案内部材の
案内面以外の箇所に付着することはない。したがって、
基板や基板を搬送するアームに処理液が滴り落ちるのを
防止できる。 【0009】 【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発
明の一実施形態の基板処理装置の内部構成の一部を示す
平面図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ(以
下、単に「ウエハ」という。)の洗浄を行うための枚葉
処理型の洗浄処理装置であって、各種の薬液および純水
(以下、総称するときには「処理液」という。)を用い
てウエハ上の汚染除去、ゴミ除去および腐食処理等の処
理を行う薬液処理ユニットMTCと、薬液処理ユニット
MTCでの処理後のウエハに対して純水を用いた流水洗
浄および超音波洗浄を施し、さらにウエハを回転させて
水切り乾燥を行うための洗浄ユニットDTCとを備えて
いる。 【0010】薬液処理ユニットMTCおよび洗浄ユニッ
トDTCは、それぞれ、4方が側壁1,2,3,4で包
囲された処理チャンバC1,C2を有している。未処理
のウエハは、図外の主搬送ロボットから、入口5を通し
て副搬送ロボットSTR1に移載される。副搬送ロボッ
トSTR1は、下アーム11と、下アーム11の一端を
支点として回動する上アーム12とを有するスカラー式
ロボットである。すなわち、下アーム11が上アーム1
2の先端付近に位置している回動軸線まわりに回動され
ることによって、下アーム11と上アーム12とが展開
されたり(仮想線で示す状態)、折り畳まれたり(実線
で示す状態)して、伸縮するようになっている。上アー
ム12の先端には、ウエハの裏面を吸着して保持するウ
エハ保持部13が設けられている。上述の主搬送ロボッ
トは、収縮状態の副搬送ロボットSTR1にウエハを移
載する。そして、副搬送ロボットSTR1は、そのウエ
ハを薬液処理ユニットMTCに搬入する。 【0011】薬液処理ユニットMTCによって処理され
た後のウエハは、副搬送ロボットSTR2によって取り
出され、洗浄ユニットDTCに搬入される。副搬送ロボ
ットSTR2の構成は副搬送ロボットSTR1と同様で
あり、薬液処理ユニットMTCに向けて伸長してウエハ
を受け取り、その後収縮し、さらに、洗浄ユニットDT
Cに向けて伸長して洗浄ユニットDTCにウエハを搬入
する。洗浄ユニットDTCによる洗浄処理を経たウエハ
は、副搬送ロボットSTR3によって取り出される。副
搬送ロボットSTR3の構成も上記の副搬送ロボットS
TR1と同様である。副搬送ロボットSTR3によって
取り出されたウエハは、出口6を通して上述の主搬送ロ
ボットによって搬出される。 【0012】処理チャンバC1,C2の各側壁1には、
搬入されるウエハが通る開口7が形成されており、また
各側壁3には、搬出されるウエハが通る開口8が形成さ
れている。各開口7,8に関連して、側壁1,3を垂れ
てくる処理液を開口7,8の上方にて受け止めるための
処理液案内部材である樋40,41がそれぞれ側壁1,
3の内側に設けられている。また、各開口7,8に関連
して、シャッタ21,22がそれぞれ設けられている。
シャッタ21,22は、それぞれ、開口7,8を選択的
に塞ぐように、上下にスライド移動する。具体的には、
開口7,8をウエハが通るときのみ開成され、残余の期
間には閉成されている。これにより、特に、薬液処理ユ
ニットMTC内で生じる薬液雰囲気の漏洩を防止してい
る。 【0013】図2は、薬液処理ユニットMTCの近傍の
構成を拡大して示す平面図であり、図3は、薬液処理ユ
ニットMTCの近傍の構成を示す断面図である。薬液処
理ユニットMTCは、処理チャンバC1内に、上面が開
口した円筒状の処理カップ31と、処理カップ31内に
配置されたスピンチャック32とを備えている。スピン
チャック32は、ウエハWを保持した状態でその中心軸
まわりに高速に回転させるためのものである。処理カッ
プ31の上方には、処理液の飛散を防止するためのスプ
ラッシュガード33が昇降移動可能な状態で設けられて
いる。 【0014】処理カップ31の横手には、スピンチャッ
ク32に保持されたウエハWの表面に薬液や純水を供給
するための複数のノズル34が設けられている。これら
のノズル34は、斜め上下方向に進退可能に設けられて
いて、処理液をウエハWに供給するときには、スプラッ
シュガード33に形成された切欠き35を通って、斜め
上方に前進し、ウエハWのほぼ中心位置に処理液を供給
する。 【0015】処理カップ31の内部には、スピンチャッ
ク32の回転軸内を通る中心軸ノズル36が設けられて
いる。中心軸ノズル36は、ウエハWの裏面の中央に向
けて、下方から薬液や純水を供給する。図4は、側壁3
を処理チャンバC1の内側から見た概略斜視図であり、
図5は、側壁3を処理チャンバC1の内側から見た概略
正面図である。上述したように、側壁3にはウエハWの
通り道である開口8が形成されている。開口8は、ほぼ
長方形状に形成されている。より具体的には、開口8の
側辺8R,8Lは鉛直方向に沿って形成され、上辺8U
および下辺8Dは側辺8R,8Lに対して垂直に形成さ
れている。すなわち、開口8の上辺8Uおよび下辺8D
は水平方向に沿って形成されている。 【0016】開口8の上方において側壁3の内側には、
側壁3をつたってきた処理液を受け止めるための樋41
が設けられている。樋41は、側壁2側から見てほぼL
字状のもので、側壁3に垂直に取り付けられ、開口8の
上辺8Uに対して一定の傾斜を有し、開口8の幅方向H
に沿って細長く形成された底面部42と、幅方向Hに沿
う底面部42の周縁からほぼ鉛直上方に立ち上がった立
ち上がり部43とを備えている。すなわち、底面部42
の上面(以下「案内面」という。)42aは、側壁3と
立ち上がり部43とによって挟まれており、側壁3をつ
たってきた処理液50が案内面42aにて受け止められ
るようになっている。 【0017】開口8の幅方向Hに沿う樋41の長さは、
開口8を通るウエハWが描く軌跡を覆うのに十分な長さ
となっている。すなわち、樋41の幅方向Hに関する両
端部44,45がいずれも開口8の側辺8R,8Lより
側壁2,4側に近い位置にある。したがって、底面部4
2の側壁2側の端部(以下「排出端部」という。)42
bは、ウエハWの通過ラインから幅方向Hに関してずれ
た位置にある。一方、底面部42の傾斜は、側壁2側に
向けて下降するようにつけられている。これにより、案
内面42aにて受け止められた後の処理液51は、自重
により側壁2側に導かれ、最終的にウエハWの通過ライ
ンから幅方向Hに関してずれた排出端部42bまで導か
れた後、当該排出端部42bから滴り落ちることにな
る。 【0018】このように、樋41は、ウエハWの通過ラ
インよりも外側に処理液が排出されるように構成されて
いるから、開口8を通るウエハWやウエハWを搬送する
副搬送ロボットSTR2の上アーム12上に処理液が落
下することはない。これにより、ウエハWおよび上アー
ム12の薬液による汚染を防止できる。開口8に関連し
て設けられているシャッタ22は、上述した薬液雰囲気
の漏洩を防止する機能の他、樋41に処理液が当たるの
を防ぐ機能をも有する。すなわち、シャッタ22は、長
方形状の開口8を塞ぐための矩形の第1シャッタ部(開
口開閉部)23と、第1シャッタ部23の上端部に一体
形成され、樋41を処理チャンバC1内のスピンチャッ
ク32(図2参照)から隠すようにカバーするための第
2シャッタ部(案内部材カバー部)24とを有する。第
2シャッタ部24は、側壁2側から見てほぼL字状のも
ので、第1シャッタ部23の上端部に処理チャンバC1
内のスピンチャック32に向けてほぼ垂直に延びた底面
部25と、底面部25の周縁からほぼ鉛直上方に立ち上
がった立ち上がり部26とを有する。開口部8の下方側
において側壁3の内側には、側壁3との間に空間を有す
るガイド部材55が取り付けられている。シャッタ22
は、ガイド部材55の空間内に上下方向にスライド自在
に嵌め込まれている。 【0019】次に、図2、図3、および図2の矢印V方
向から見た構成を示す図6を参照して、シャッタ22の
開閉動作について説明する。なお、シャッタ21の近傍
の構成もほぼ同様であり、シャッタ22に関連する各部
に対応する部分には、シャッタ22の対応部分に付した
符号に添字Aを付して示す。シャッタ22の副搬送ロボ
ットSTR2に対向する側の表面には、シャッタ22の
左右の側辺に沿って一対のラックギア部60,61が形
成されている。ラックギア部60,61には、側壁3に
形成された透孔62,63を介してピニオンギア64,
65がそれぞれ噛合している。これらのピニオンギア6
4,65は、共通の回転軸66に固定されている。回転
軸66は、側壁3よりも副搬送ロボットSTR2側にお
いて、側壁2,4にそれぞれ取り付けられた軸受67,
68にそれぞれ軸支されている。回転軸66の側壁3側
の端部は、さらに、軸受67を挿通しており、その先端
にはピニオンギア70が固定されている。ピニオンギア
70には、上方からラックギア71が噛合している。ラ
ックギア71の上部は、案内レール72によって、側壁
2に沿う水平スライド移動が可能な状態で保持されてい
る。 【0020】ラックギア71の一端には、エアシリンダ
73のロッド74が結合されている。したがって、エア
シリンダ73のロッド74を進退させると、ラックギア
71がスライドし、これにより、ピニオンギア70を介
して回転軸66が回転される。その結果、回転軸66に
固定されている一対のピニオンギア64,65が回転
し、これらに噛合している一対のラックギア部60,6
1を有するシャッタ22が上下にスライド移動すること
になる。 【0021】シャッタ22のスライド上限は、図3に実
線で示すように、第1シャッタ部23により開口8全体
が塞がれ、かつ第2シャッタ部24により樋41全体が
スピンチャック32から隠れるような位置に設定されて
いる。シャッタ22のスライド下限は、図3に二点鎖線
で示すように、シャッタ22の上端が開口8の下端8D
の下方側に位置し、かつ第2シャッタ部24の底面部2
5がガイド部材55の上端近傍に位置するような位置に
設定されている。 【0022】シャッタ22は、開口8を介してウエハW
を通す場合にスライド下限まで移動させられ、残余の期
間においてはスライド上限に待機させられている。した
がって、薬液処理ユニットMTCにて処理が実行されて
いる場合には、開口8は閉じられているとともに、樋4
1は第2シャッタ部24にてカバーされている。そのた
め、薬液雰囲気や処理に伴って飛散した処理液が開口8
を介して外部に漏れることがなく、また処理に伴って飛
散した処理液が樋41に付着することもない。 【0023】以上のようにこの実施形態によれば、開口
8に向けて垂れてきた薬液は、開口8の上方の樋41で
受け止められ、ウエハWの通過ラインからずれた位置ま
で導かれる。しかも、樋41を第2シャッタ部24でカ
バーできるから、薬液処理中に薬液が処理チャンバC1
内に飛散しても、当該薬液が樋41に付着するのを防止
できる。したがって、開口8を通るウエハWやウエハW
を搬送する副搬送ロボットSTR2の上アーム12およ
び下アーム11に薬液が落下するのを防止できる。その
ため、ウエハWおよび副搬送ロボットSTR2の上アー
ム12および下アーム11を薬液の影響から保護でき
る。そのため、ウエハWの品質低下を防止できる。 【0024】本発明の実施の一形態の説明は以上のとお
りであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるもの
ではない。たとえば上記実施形態では、樋41で受け止
められた薬液を自重により排出端部42bから落下させ
るようにしているが、たとえば図7に示すように、樋4
1の排出端部42bの近傍に負圧源に接続されたドレン
排出路80を接続し、このドレン排出路80を介して薬
液を吸引し、当該薬液を強制的に排出するようにしても
よい。この構成によれば、薬液を迅速に、かつ確実に排
出することができる。 【0025】また、上記実施形態では、樋41の案内面
42aには側壁2側に向けて直線的に下降するような傾
斜がつけられているが、たとえば図8(a) に示すよう
に、案内面42aのほぼ中央位置を頂点にして側壁2,
4の両側に向けて直線的に下降するような傾斜をつけて
もよく、また図8(b) に示すように、案内面42aのほ
ぼ中央位置を頂点にして側壁2,4の両側に向けて湾曲
するような傾斜をつけてもよい。要は、案内面42aで
受け止められる処理液を樋41の幅方向Hに関する端部
から排出するような形状であればよい。 【0026】さらに、上記実施形態では、ウエハを処理
するための装置を例にとっているが、本発明は、液晶表
示装置用ガラス基板のような他の被処理基板を処理する
ための装置に対しても適用可能である。その他、特許請
求の範囲に記載された技術的事項の範囲で種々の設計変
更を施すことが可能である。 【0027】 【発明の効果】以上のように本発明によれば、開口部に
向けて垂れてくる薬液を開口部の上方にて受け止めるこ
とができるから、開口部を通る基板やこの基板を搬送す
るロボットのアームに薬液が滴り落ちて付着することが
ない。したがって、基板やアームを薬液で汚染すること
を防止できる。そのため、基板の品質低下を防止でき
る。 【0028】特に、処理液案内部材を選択的に覆うこと
ができるシャッタ機構が備えられているから、処理が行
われることによって処理液が飛び散っても、当該処理液
が処理液案内部材の案内面以外の箇所に付着するのを防
ぐことができる。したがって、処理液案内部材から基板
や基板を搬送するアームに処理液が滴り落ちるのを防止
できる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing various substrates to be processed such as a semiconductor wafer and a glass substrate for a liquid crystal display. 2. Description of the Related Art A semiconductor device manufacturing process includes a process of performing a process using a chemical such as an etching solution on a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”). The chemical solution processing unit that performs this step is provided with a processing chamber in which two openings for loading and unloading wafers are formed. The wafer loaded into the processing chamber by the predetermined transfer robot through the loading opening is held by the spin chuck and then rotated at a high speed. At this time, a chemical is supplied to the wafer from the nozzle. The wafer after the chemical solution treatment is performed in this manner,
It is unloaded from the processing chamber by a predetermined transfer robot through the unloading opening. As described above, in the chemical solution processing, the chemical solution is supplied to the wafer rotating at a high speed, and the chemical solution is shaken off by the wafer, and is applied to the inner wall surface of the surrounding processing chamber. Adhere to. At this time, the chemical liquid also adheres to the inner wall surface above the opening, so that the chemical liquid drips toward the opening and drops from the upper side of the opening. Therefore, the chemical liquid may adhere to the wafer passing through the opening or the transfer robot that transfers the wafer. As a result, the wafer and the transfer robot are contaminated. An object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems and to provide a substrate processing apparatus capable of preventing a processing liquid from dripping from an opening of a processing chamber. According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing chamber surrounded by a side wall and configured to process a substrate with a processing liquid, and a processing chamber formed on the side wall. An opening through which the substrate passes when the substrate is unloaded or loaded into the processing chamber; and an inner side of the side wall provided above the opening and drawn when the substrate passes through the opening. have sufficient length to cover the trajectory, and the treatment liquid guide member having a guide surface formed inclined with respect to the horizontal plane, it is the treatment liquid guide member of the side wall
Is provided on the side provided with, and selectively closes the opening.
For selectively covering the treatment liquid guide member.
A substrate processing apparatus including a shutter mechanism . The shutter mechanism closes the opening, for example.
For opening and closing the processing liquid guide member.
Shutter with a guide member cover for
And a driving means for sliding the
Including. In the present invention, even if the processing liquid adhering to the side wall above the opening drops, the processing liquid is received by the guide surface of the processing liquid guide member above the opening. The received processing liquid is guided on a guide surface formed to be inclined with respect to a horizontal plane. On the other hand, the processing liquid guide member has a length sufficient to cover the trajectory drawn when the substrate passes through the opening, so that the destination where the processing liquid is guided is not on the passage space of the substrate. Therefore, even when a chemical is used as the processing liquid, the chemical does not drop onto the substrate or the arm that transports the substrate. When the processing liquid adheres to a portion other than the guide surface of the processing liquid guide member, the processing liquid drops as it is without being guided to a position shifted from the space where the substrate passes. In this case, the processing liquid may adhere to the substrate or the arm that transports the substrate. In the present invention, the processing liquid guide member can be selectively covered by the shutter mechanism. For example, if the processing liquid guide member is covered by the shutter mechanism when the processing is performed, the processing is performed by performing the processing. Even if the liquid scatters, the processing liquid does not adhere to portions other than the guide surface of the processing liquid guide member. Therefore,
It is possible to prevent the processing liquid from dripping onto the substrate or the arm that transports the substrate. Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing a part of an internal configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus is a single-wafer processing type cleaning processing apparatus for cleaning a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”), and includes various types of chemicals and pure water (hereinafter, collectively referred to as “processing”). A liquid processing unit MTC that performs processing such as contamination removal, dust removal, and corrosion processing on a wafer using a liquid, and cleaning with flowing water using pure water for a wafer that has been processed in the chemical processing unit MTC. And a cleaning unit DTC for performing ultrasonic cleaning and rotating the wafer for draining and drying. The chemical processing unit MTC and the cleaning unit DTC have processing chambers C1 and C2 surrounded on four sides by side walls 1, 2, 3, and 4, respectively. The unprocessed wafer is transferred from the main transfer robot (not shown) to the sub transfer robot STR1 through the entrance 5. The sub-transfer robot STR1 is a scalar robot having a lower arm 11 and an upper arm 12 that rotates about one end of the lower arm 11 as a fulcrum. That is, the lower arm 11 is
The lower arm 11 and the upper arm 12 are unfolded (a state shown by a virtual line) or folded (a state shown by a solid line) by being rotated around a rotation axis line located near the front end of the second arm 2. Then, it expands and contracts. At the tip of the upper arm 12, a wafer holding unit 13 for sucking and holding the back surface of the wafer is provided. The above-described main transfer robot transfers the wafer to the contracted sub-transfer robot STR1. Then, the sub-transfer robot STR1 carries the wafer into the chemical solution processing unit MTC. The wafer processed by the chemical processing unit MTC is taken out by the sub-transfer robot STR2 and carried into the cleaning unit DTC. The configuration of the sub-transfer robot STR2 is the same as that of the sub-transfer robot STR1. The sub-transfer robot STR2 extends toward the chemical processing unit MTC to receive the wafer, then contracts, and further cleans the
The wafer extends into the cleaning unit DTC and is carried into the cleaning unit DTC. The wafer subjected to the cleaning process by the cleaning unit DTC is taken out by the sub-transfer robot STR3. The configuration of the sub-transport robot STR3 is the same as that of the sub-transport robot S described above.
Same as TR1. The wafer taken out by the sub-transfer robot STR3 is carried out by the above-mentioned main transfer robot through the outlet 6. On each side wall 1 of the processing chambers C1 and C2,
An opening 7 through which a wafer to be carried in is formed, and an opening 8 through which a wafer to be carried out is formed in each side wall 3. In connection with each of the openings 7 and 8, gutters 40 and 41, which are processing liquid guide members for receiving the processing liquid dripping from the side walls 1 and 3 above the openings 7 and 8, respectively, are provided on the side walls 1 and 4.
3 are provided inside. Further, shutters 21 and 22 are provided in association with the openings 7 and 8, respectively.
The shutters 21 and 22 slide up and down so as to selectively close the openings 7 and 8, respectively. In particular,
It is opened only when the wafer passes through the openings 7 and 8, and is closed during the remaining period. This prevents the leakage of the chemical atmosphere generated in the chemical processing unit MTC. FIG. 2 is an enlarged plan view showing the configuration near the chemical processing unit MTC, and FIG. 3 is a sectional view showing the configuration near the chemical processing unit MTC. The chemical processing unit MTC includes a cylindrical processing cup 31 having an open upper surface and a spin chuck 32 disposed in the processing cup 31 in a processing chamber C1. The spin chuck 32 is for rotating the wafer W at high speed around its central axis while holding the wafer W. A splash guard 33 for preventing the processing liquid from scattering is provided above the processing cup 31 so as to be movable up and down. A plurality of nozzles 34 for supplying a chemical solution or pure water to the surface of the wafer W held by the spin chuck 32 are provided on the side of the processing cup 31. These nozzles 34 are provided so as to be able to advance and retreat in an oblique vertical direction, and when supplying the processing liquid to the wafer W, the nozzles 34 advance forward obliquely upward through a notch 35 formed in the splash guard 33 and The processing liquid is supplied to almost the central position of the processing liquid. Inside the processing cup 31, there is provided a central axis nozzle 36 passing through the rotation axis of the spin chuck 32. The central axis nozzle 36 supplies a chemical solution or pure water from below toward the center of the back surface of the wafer W. FIG.
FIG. 2 is a schematic perspective view of the processing chamber C1 as viewed from the inside;
FIG. 5 is a schematic front view of the side wall 3 as viewed from the inside of the processing chamber C1. As described above, the opening 8 which is the passage of the wafer W is formed in the side wall 3. The opening 8 is formed in a substantially rectangular shape. More specifically, sides 8R and 8L of opening 8 are formed along the vertical direction, and upper side 8U
The lower side 8D is formed perpendicular to the side sides 8R and 8L. That is, the upper side 8U and the lower side 8D of the opening 8
Are formed along the horizontal direction. Above the opening 8 and inside the side wall 3,
A gutter 41 for receiving the processing liquid that has passed through the side wall 3
Is provided. The gutter 41 is substantially L when viewed from the side wall 2 side.
It is vertically attached to the side wall 3 and has a constant inclination with respect to the upper side 8U of the opening 8.
And a rising portion 43 that rises almost vertically upward from the periphery of the bottom portion 42 along the width direction H. That is, the bottom portion 42
(Hereinafter, referred to as a “guide surface”) 42a is sandwiched between the side wall 3 and the rising portion 43, so that the processing liquid 50 that has passed the side wall 3 is received by the guide surface 42a. The length of the gutter 41 along the width direction H of the opening 8 is
The length is sufficient to cover the trajectory drawn by the wafer W passing through the opening 8. That is, both ends 44, 45 of the gutter 41 in the width direction H are located closer to the side walls 2, 4 than the sides 8 R, 8 L of the opening 8. Therefore, the bottom part 4
2 (hereinafter, referred to as “discharge end”) 42.
b is located at a position shifted from the passing line of the wafer W in the width direction H. On the other hand, the bottom portion 42 is inclined so as to descend toward the side wall 2. As a result, the processing liquid 51 received by the guide surface 42a is guided to the side wall 2 side by its own weight, and is finally guided to the discharge end 42b shifted from the passing line of the wafer W in the width direction H. Thereafter, the liquid will drip from the discharge end 42b. As described above, the gutter 41 is configured so that the processing liquid is discharged outside the line through which the wafer W passes, so that the wafer W passing through the opening 8 and the sub-transfer robot STR2 for transporting the wafer W are provided. The processing liquid does not fall on the upper arm 12. Thereby, contamination of the wafer W and the upper arm 12 by the chemical solution can be prevented. The shutter 22 provided in association with the opening 8 has a function of preventing the processing liquid from hitting the gutter 41 in addition to the function of preventing the leakage of the chemical liquid atmosphere described above. That is, the shutter 22 is formed integrally with a rectangular first shutter portion (opening opening / closing portion) 23 for closing the rectangular opening 8 and at the upper end of the first shutter portion 23, and connects the gutter 41 inside the processing chamber C1. A second shutter section (guide member cover section) 24 for covering the cover from the spin chuck 32 (see FIG. 2). The second shutter section 24 is substantially L-shaped when viewed from the side wall 2 side, and is provided at the upper end of the first shutter section 23 with the processing chamber C1.
It has a bottom portion 25 extending substantially vertically toward the spin chuck 32 therein, and a rising portion 26 rising substantially vertically upward from the periphery of the bottom portion 25. A guide member 55 having a space between the side wall 3 and the inside of the side wall 3 below the opening 8 is attached. Shutter 22
Is slidably fitted in the space of the guide member 55 in the vertical direction. Next, the opening / closing operation of the shutter 22 will be described with reference to FIGS. 2, 3, and FIG. 6 showing the configuration viewed from the direction of arrow V in FIG. The configuration in the vicinity of the shutter 21 is also substantially the same, and the portions corresponding to the respective portions related to the shutter 22 are indicated by adding the suffix A to the reference numerals assigned to the corresponding portions of the shutter 22. On the surface of the shutter 22 on the side facing the sub-transfer robot STR2, a pair of rack gear portions 60 and 61 are formed along the left and right sides of the shutter 22. The pinion gears 64, 61 are formed in the rack gear portions 60, 61 through through holes 62, 63 formed in the side wall 3.
65 mesh with each other. These pinion gears 6
4 and 65 are fixed to a common rotation shaft 66. The rotating shaft 66 has bearings 67, attached to the side walls 2, 4 on the side of the sub-transfer robot STR2 with respect to the side wall 3, respectively.
68 respectively. An end of the rotating shaft 66 on the side wall 3 side further penetrates a bearing 67, and a pinion gear 70 is fixed to a tip of the bearing 67. A rack gear 71 meshes with the pinion gear 70 from above. The upper part of the rack gear 71 is held by a guide rail 72 so as to be capable of horizontal sliding movement along the side wall 2. A rod 74 of an air cylinder 73 is connected to one end of the rack gear 71. Therefore, when the rod 74 of the air cylinder 73 is moved forward and backward, the rack gear 71 slides, whereby the rotating shaft 66 is rotated via the pinion gear 70. As a result, the pair of pinion gears 64 and 65 fixed to the rotating shaft 66 rotate, and the pair of rack gear portions 60 and 6 meshing with them.
The shutter 22 having the number 1 slides up and down. The upper limit of the sliding of the shutter 22 is such that the entire opening 8 is closed by the first shutter portion 23 and the entire gutter 41 is hidden from the spin chuck 32 by the second shutter portion 24 as shown by a solid line in FIG. Position. The sliding lower limit of the shutter 22 is such that the upper end of the shutter 22 is positioned at the lower end 8D of the opening 8 as shown by a two-dot chain line in FIG.
And the bottom portion 2 of the second shutter portion 24
5 is set at a position such that it is located near the upper end of the guide member 55. The shutter 22 is connected to the wafer W through the opening 8.
Is moved to the lower limit of the slide when passing through, and is kept waiting at the upper limit of the slide for the remaining period. Therefore, when the processing is performed in the chemical processing unit MTC, the opening 8 is closed and the
1 is covered by the second shutter section 24. Therefore, the processing liquid scattered due to the atmosphere of the chemical solution or the processing is used for opening 8.
The processing liquid does not leak to the outside through the processing, and the processing liquid scattered during the processing does not adhere to the gutter 41. As described above, according to this embodiment, the chemical solution that has dropped toward the opening 8 is received by the gutter 41 above the opening 8 and is guided to a position shifted from the line through which the wafer W passes. In addition, since the gutter 41 can be covered by the second shutter section 24, the chemical liquid is supplied to the processing chamber C1 during the processing of the chemical liquid.
Even if it scatters inside, the chemical liquid can be prevented from adhering to the gutter 41. Therefore, the wafer W or the wafer W passing through the opening 8
Can be prevented from dropping on the upper arm 12 and the lower arm 11 of the sub-transfer robot STR2 that transports the liquid. Therefore, the wafer W and the upper arm 12 and the lower arm 11 of the sub-transfer robot STR2 can be protected from the influence of the chemical. Therefore, it is possible to prevent the quality of the wafer W from deteriorating. The description of one embodiment of the present invention is as described above, but the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above-described embodiment, the chemical solution received by the gutter 41 is caused to drop from the discharge end 42b by its own weight. For example, as shown in FIG.
A drain discharge path 80 connected to a negative pressure source may be connected to the vicinity of the first discharge end 42b, a chemical solution may be sucked through the drain discharge path 80, and the chemical solution may be forcibly discharged. . According to this configuration, the medical solution can be discharged quickly and reliably. In the above embodiment, the guide surface 42a of the gutter 41 is inclined so as to linearly descend toward the side wall 2 side. For example, as shown in FIG. The side wall 2, with the substantially central position of the guide surface 42a as the vertex
4 may be inclined so as to linearly descend toward both sides of the side walls 2 and 4, as shown in FIG. It may be inclined to be curved. In short, any shape may be used as long as the processing liquid received by the guide surface 42a is discharged from the end of the gutter 41 in the width direction H. Further, in the above embodiment, an apparatus for processing a wafer is taken as an example. However, the present invention relates to an apparatus for processing another substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device. Is also applicable. In addition, it is possible to make various design changes within the technical scope described in the claims. As described above, according to the present invention, the chemical solution dripping toward the opening can be received above the opening, so that the substrate passing through the opening and the substrate can be transported. The chemical liquid does not drip and adhere to the arm of the robot that does it. Therefore, contamination of the substrate and the arm with the chemical solution can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the deterioration of the quality of the substrate. [0028] Particularly, since is provided with a shutter mechanism which can selectively cover the treatment liquid guide member, even if scattered processing solution by the process is performed, the guide of the process liquid treatment liquid guide member It can be prevented from adhering to places other than the surface. Therefore, it is possible to prevent the processing liquid from dripping from the processing liquid guide member to the substrate or the arm for transporting the substrate.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施形態の基板処理装置の内部構成
の一部を示す平面図である。 【図2】薬液処理ユニットの近傍の構成を示す平面図で
ある。 【図3】薬液処理ユニットの近傍の構成を示す縦断面図
である。 【図4】薬液処理ユニットの処理チャンバの側壁を処理
チャンバの内側から見た概略斜視図である。 【図5】薬液処理ユニットの処理チャンバの側壁を処理
チャンバの内側から見た概略正面図である。 【図6】図2の矢印V方向から見た正面図である。 【図7】本発明の他の実施形態の基板処理装置におい
て、薬液処理ユニットの処理チャンバの側壁を処理チャ
ンバの内側から見た概略斜視図である。 【図8】樋の案内面の形状の他の例を示す図である。 【符号の説明】 1,2,3,4 側壁 C1,C2 処理チャンバ MTC 薬液処理ユニット DTC 洗浄ユニット 7,8 開口 21,22 シャッタ 40,41 樋 42a 案内面 80 ドレン排出路
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a plan view showing a part of an internal configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing a configuration near a chemical processing unit. FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a configuration near a chemical solution processing unit. FIG. 4 is a schematic perspective view of a side wall of a processing chamber of the chemical solution processing unit as viewed from the inside of the processing chamber. FIG. 5 is a schematic front view of the side wall of the processing chamber of the chemical processing unit as viewed from the inside of the processing chamber. FIG. 6 is a front view as seen from the direction of arrow V in FIG. 2; FIG. 7 is a schematic perspective view of a side wall of a processing chamber of a chemical processing unit as viewed from inside the processing chamber in a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. FIG. 8 is a view showing another example of the shape of the guide surface of the gutter. [Description of Signs] 1, 2, 3, 4 Side walls C1, C2 Processing chamber MTC Chemical treatment unit DTC Cleaning unit 7, 8 Opening 21, 22 Shutter 40, 41 Gutter 42a Guide surface 80 Drain discharge path

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉田 康弘 滋賀県彦根市高宮町480番地の1 大日 本スクリーン製造株式会社 彦根地区事 業所内 (56)参考文献 特開 平8−252545(JP,A) 特開 平9−275089(JP,A) 特開 平10−92709(JP,A) 実開 平7−7141(JP,U) 実開 平1−86233(JP,U) 実開 昭60−31391(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 H01L 21/306 B08B 3/00 - 3/14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Yasuhiro Kurata 1 480 Takamiya-cho, Hikone-shi, Shiga Prefecture Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Hikone district office (56) References JP-A-8-252545 (JP, A) JP-A-9-275089 (JP, A) JP-A-10-92709 (JP, A) JP-A-7-7141 (JP, U) JP-A-1-86233 (JP, U) JP-A-60 −31391 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 H01L 21/306 B08B 3/00-3/14

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】側壁に囲まれ、処理液によって基板に処理
を施すための処理チャンバと、 上記側壁に形成され、上記基板を処理チャンバに対して
搬出または搬入する際に基板が通過する開口部と、 上記開口部よりも上方において上記側壁の内側に設けら
れ、基板が上記開口部を通過する際に描く軌跡を覆うの
に十分な長さを有し、水平面に対して傾斜して形成され
た案内面を有する処理液案内部材と 上記側壁の上記処理液案内部材が設けられている側に設
けられ、上記開口部を選択的に塞ぐとともに、上記処理
液案内部材を選択的に覆うためのシャッタ機構と を含む
ことを特徴とする基板処理装置。
Claims: 1. A processing chamber surrounded by a side wall and configured to process a substrate with a processing liquid; and a processing chamber formed on the side wall and carrying the substrate into or out of the processing chamber. An opening through which the substrate passes, provided above the opening and inside the side wall, and having a length sufficient to cover a trajectory drawn when the substrate passes through the opening, set on the side where the treatment liquid guide member having a guide surface formed inclined with respect to the horizontal plane, is the treatment liquid guide member of the side walls are provided
To selectively close the opening,
And a shutter mechanism for selectively covering the liquid guide member .
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