JP2890081B2 - Processing device and processing method - Google Patents

Processing device and processing method

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JP2890081B2
JP2890081B2 JP3351192A JP35119291A JP2890081B2 JP 2890081 B2 JP2890081 B2 JP 2890081B2 JP 3351192 A JP3351192 A JP 3351192A JP 35119291 A JP35119291 A JP 35119291A JP 2890081 B2 JP2890081 B2 JP 2890081B2
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cleaning
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体の表面に現像液等の処理液を供給する処理
装置及び処理方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus and a processing method for supplying a processing liquid such as a developing solution to a surface of a processing target such as a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の処理装置として、例えば
半導体ウエハ等の被処理体を回転可能なスピンチャック
上に保持し、スピンチャックの上方に、半導体ウエハと
対向するように処理液供給ノズルを配設し、そして、処
理液供給ノズルに設けられたノズル孔から半導体ウエハ
表面に処理液例えば現像液を滴下供給すると共に、スピ
ンチャックと処理液供給ノズルとを相対的に回転させて
現像液を半導体ウエハに膜状に被着する装置が知られて
いる。
2. Description of the Related Art As a conventional processing apparatus of this type, a processing object such as a semiconductor wafer is held on a rotatable spin chuck, and a processing liquid supply nozzle is provided above the spin chuck so as to face the semiconductor wafer. A processing liquid, for example, a developing liquid is supplied dropwise to the surface of the semiconductor wafer from a nozzle hole provided in the processing liquid supply nozzle, and the spin chuck and the processing liquid supply nozzle are relatively rotated to develop the developing liquid. There is known an apparatus for applying a film on a semiconductor wafer.

【0003】このように構成される処理装置において、
一般にスピンチャックの側方には、不使用時の処理液供
給ノズルを保持する待機手段が設けられている。この待
機手段は、例えばノズル孔を非接触に保持すべく開口部
を有する箱状の容器にて形成されている。
[0003] In the processing apparatus configured as described above,
Generally, a standby unit for holding the processing liquid supply nozzle when not in use is provided on a side of the spin chuck. The standby means is formed of, for example, a box-shaped container having an opening for holding the nozzle hole in a non-contact manner.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置の待機手段においては、ノズル孔を開
口部に位置させて処理液供給ノズルを単に保持する構造
であるため、ノズル孔に現像液が残存し、この残存する
現像液が劣化、固化し、パーティクルとして付着するこ
とがあった。パーティクルが処理液供給ノズルに付着す
ると、半導体ウエハ表面への現像液の被着の不均一を招
くと共に、半導体ウエハを汚染して、被処理体の品質の
低下をきたすという問題がある。この問題を解決する手
段として、待機中に劣化した処理液が処理液供給ノズル
部に残存するのを防止するために処理液供給ノズルから
劣化した処理液を滴下させるダミーディスペンスと称す
る方法が考えられるが、この方法においては処理液のド
レン排液の流れが悪くオーバーフローあるいは飛散気味
となり、待機手段側に付着するパーティクルがノズル先
端に再付着する虞れがあり、パーティクルの再付着によ
り、上述と同様の問題が生じる。また、この方法は現像
液の無駄な消費量が増えて不経済である。
However, the conventional standby means of this type of processing apparatus has a structure in which the nozzle hole is located at the opening and the processing liquid supply nozzle is simply held, so that the developing means is developed in the nozzle hole. Liquid remained, and the remaining developer deteriorated, solidified, and sometimes adhered as particles. When the particles adhere to the processing liquid supply nozzle, there is a problem in that uneven application of the developing solution to the surface of the semiconductor wafer is caused, and the semiconductor wafer is contaminated, thereby deteriorating the quality of the object to be processed. As a means for solving this problem, a method called a dummy dispense in which the deteriorated processing liquid is dropped from the processing liquid supply nozzle in order to prevent the processing liquid deteriorated during standby from remaining in the processing liquid supply nozzle unit can be considered. However, in this method, the flow of the drain liquid of the processing liquid is poor, and the flow tends to overflow or scatter.There is a possibility that particles adhering to the standby means may adhere to the nozzle tip again. Problem arises. In addition, this method is uneconomical because wasteful consumption of the developer increases.

【0005】この発明は上記事情に鑑みなされたもので
あり、不使用時の処理液供給ノズルのノズル孔先端部を
待機中に洗浄して、被処理体への処理液の均一被着と被
処理体の汚染防止を図ることを目的とする処理装置を提
供するものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and cleans the leading end of a processing liquid supply nozzle when not in use during standby to uniformly apply a processing liquid to a processing target and to prevent the processing liquid from being applied to the processing target. An object of the present invention is to provide a processing apparatus for preventing contamination of a processing body.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、被処理体を保持する保持手
段と、処理液を収容する収容空間を有する容器と、上記
収容空間と連通する多数のノズル孔が直線上に穿設され
た突出部を有する処理液供給ノズルと、上記処理液供給
ノズルが待機するために上記保持手段の側方に配設され
る待機手段と、上記待機手段に設けられ上記ノズル孔を
一括して洗浄すべくノズル孔に対して洗浄液を供給する
洗浄液供給手段と、上記待機手段に設けられ上記ノズル
孔に対して乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段と、上
記処理液供給ノズルを上記保持手段上方の供給位置と、
上記待機手段上の待機位置との間で搬送する搬送手段
と、を具備し上記洗浄液供給手段は、処理液供給ノズ
ルのノズル孔の先端を包囲し得る樋状の液体受部を具備
し、上記洗浄液供給手段又は処理液供給ノズルから上記
液体受部内に洗浄液又は処理液を供給し溢流して上記ノ
ズル孔先端部を洗浄するようにした、ことを特徴とす
る。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 comprises a holding means for holding an object to be processed, a container having an accommodation space for accommodating a processing liquid, and the accommodation space. A processing liquid supply nozzle having a projection portion in which a number of nozzle holes communicating with the processing liquid supply nozzle are formed in a straight line, and a standby unit disposed on the side of the holding unit for the processing liquid supply nozzle to wait, A cleaning liquid supply means provided in the standby means for supplying a cleaning liquid to the nozzle holes to collectively clean the nozzle holes, and a drying gas supply provided in the standby means for supplying a drying gas to the nozzle holes Means, a supply position of the processing liquid supply nozzle above the holding means,
Anda transport means for transporting between a standby position on the standby unit, the cleaning liquid supply means, comprising a trough-shaped liquid receiving tip may surround the nozzle hole of the processing solution supply nozzle <br The cleaning liquid or the processing liquid is supplied from the cleaning liquid supply means or the processing liquid supply nozzle into the liquid receiving portion, and overflows to clean the tip of the nozzle hole.

【0007】請求項2記載の発明は、請求項記載の発
明において、更に、上記液体受部内又は液体受部の側方
にガス供給口を設けると共に、このガス供給口に乾燥ガ
ス供給源を接続してなる、ことを特徴とする。
[0007] According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, further provided with a gas supply port on the side of the liquid receiver in or liquid receiver, a drying gas supply source to the gas supply port Connected.

【0008】請求項3記載の発明は、請求項1又は2
載の発明において、待機手段は、処理液供給ノズルを保
持する開口箱状のノズル保持体を具備し、上記ノズル保
持体の開口部に、このノズル保持体に上記処理液供給ノ
ズルが保持される際に当接して洗浄雰囲気を維持する気
密部材を周設してなる、ことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the standby means includes an open box-shaped nozzle holder for holding the processing liquid supply nozzle, and an opening of the nozzle holder. In addition, an airtight member that maintains the cleaning atmosphere by contacting the processing liquid supply nozzle when the processing liquid supply nozzle is held by the nozzle holder is provided around the nozzle holder.

【0009】請求項4記載の発明は、被処理体を保持す
る保持手段と、上記被処理体の表面に処理液を滴下する
多数のノズル孔を直線上に配列する処理液供給ノズルと
を相対的に水平移動して、上記被処理体の表面に処理液
を被着する工程と、 上記処理液供給ノズルを、上記保
持手段の側方に配設される待機手段側に移動すると共
に、待機手段の樋状の液体受部に処理液供給ノズルのノ
ズル孔の先端を包囲する工程と、 上記液体受部に洗浄
液又は処理液を供給し溢流して上記ノズル孔先端部を洗
浄する工程と、を有することを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, an object to be processed is held.
Holding means, and a treatment liquid is dropped on the surface of the object to be treated.
A processing liquid supply nozzle that arranges many nozzle holes in a straight line
Relative to the surface of the object to be treated
And holding the processing liquid supply nozzle
When it moves to the standby means side located on the side of the holding means,
Next, the processing liquid supply nozzle is connected to the gutter-shaped liquid receiving portion of the standby means.
A step of surrounding the tip of the spill hole, and washing the liquid receiving portion
Supply the liquid or processing liquid and overflow to wash the tip of the nozzle hole.
Cleaning step.

【0010】請求項5記載の発明は、請求項4記載の発
明において、ノズル孔先端部を洗浄した後、処理液供給
ノズルのノズル孔に対して乾燥ガスを供給してノズル孔
先端部を乾燥する工程を更に有することを特徴とする。
[0010] The invention according to claim 5 is the invention according to claim 4.
After cleaning the tip of the nozzle hole, supply the processing liquid
Dry gas is supplied to the nozzle hole of the nozzle
The method further comprises a step of drying the tip.

【0011】請求項6記載の発明は、請求項4又は5記
載の発明において、処理液供給ノズルのノズル孔先端を
液体受部にて包囲すると共に、処理液供給ノズルを開口
箱状のノズル保持体にて洗浄雰囲気を維持すべく気密に
保持することを特徴とする。
The invention described in claim 6 is the invention according to claim 4 or 5.
In the above-mentioned invention, the tip of the nozzle hole of the processing liquid supply nozzle is
Surround with the liquid receiving part and open the processing liquid supply nozzle
Airtight to maintain the cleaning atmosphere with a box-shaped nozzle holder
It is characterized by holding.

【0012】[0012]

【作用】上記のように構成されるこの発明によれば
処理体の処理を終えた待機中の処理液供給ノズルに直線
上に設けられた多数のノズル孔に洗浄液を供給すること
により、ノズル孔先端部を一括して洗浄することができ
る。また、上記ノズル孔に乾燥ガスを供給することによ
り、洗浄後のノズル孔先端部を均一かつ迅速に乾燥する
ことができる。
According to the present invention configured as described above,
By supplying the cleaning liquid to a large number of nozzle holes provided in a straight line to the processing liquid supply nozzle in a standby state after the processing of the processing body, the tip of the nozzle hole can be collectively cleaned. Further, by supplying a drying gas to the nozzle hole, the tip of the nozzle hole after cleaning can be dried uniformly and quickly.

【0013】[0013]

【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基いて詳
細に説明する。この実施例はレジスト塗布現像装置に適
用したものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. This embodiment is applied to a resist coating and developing apparatus.

【0014】図1に示すように、このレジスト塗布現像
装置は、被処理体例えば半導体ウエハW(以下、単にウ
エハという)に種々の処理を施す処理機構が配設された
処理機構ユニット10と、処理機構ユニット10にウエ
ハWを自動的に搬入・搬出するための搬入・搬出機構1
とで主要部が構成されている。
As shown in FIG. 1, the resist coating and developing apparatus includes a processing mechanism unit 10 provided with a processing mechanism for performing various processings on an object to be processed, for example, a semiconductor wafer W (hereinafter, simply referred to as a wafer); Loading / unloading mechanism 1 for automatically loading / unloading wafer W into / from processing mechanism unit 10
And the main part is constituted.

【0015】搬入・搬出機構1は、処理前のウエハWを
収納するウエハキャリア2と、処理後のウエハWを収納
するウエハキャリア3と、ウエハWを吸着保持するアー
ム4と、このアーム4をX,Y(水平)、Z(垂直)及
びθ(回転)方向に移動させる移動機構5と、ウエハW
がアライメントされかつ処理機構ユニット10との間で
ウエハWの受け渡しがなされるアライメントステージ6
とを備えている。
The loading / unloading mechanism 1 includes a wafer carrier 2 for storing a wafer W before processing, a wafer carrier 3 for storing a processed wafer W, an arm 4 for holding the wafer W by suction, and an arm 4 for holding the wafer W. A moving mechanism 5 for moving in X, Y (horizontal), Z (vertical) and θ (rotation) directions;
Stage 6 on which wafers are aligned and wafers W are transferred to and from processing mechanism unit 10
And

【0016】処理機構ユニット10には、アライメント
ステージ6よりX方向に形成された搬送路11に沿って
移動自在に搬送機構12が設けられている。搬送機構1
2にはY,Z及びθ方向に移動自在にメインアーム13
が設けられている。搬送路11の一方の側には、ウエハ
Wとレジスト液膜との密着性を向上させるためのアドヒ
ージョン処理を行うアドヒージョン処理機構14と、ウ
エハWに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸
発させるためのプリベーク機構15と、加熱処理された
ウエハWを冷却する冷却機構16とが配設されている。
また、搬送路11の他方の側には、ウエハWの表面に処
理液例えば現像液を塗布する現像機構17(処理装置)
と、ウエハW上にレジスト膜を塗布形成する塗布機構1
8とが配設されている。
The processing mechanism unit 10 is provided with a transfer mechanism 12 movably along a transfer path 11 formed in the X direction from the alignment stage 6. Transport mechanism 1
2 has a main arm 13 which is movable in the Y, Z and θ directions.
Is provided. On one side of the transfer path 11, an adhesion processing mechanism 14 for performing an adhesion process for improving the adhesion between the wafer W and the resist liquid film, and a solvent remaining in the resist applied to the wafer W are heated and evaporated. A pre-bake mechanism 15 for cooling the wafer W and a cooling mechanism 16 for cooling the heated wafer W are provided.
On the other side of the transfer path 11, a developing mechanism 17 (processing apparatus) for applying a processing liquid, for example, a developing liquid, to the surface of the wafer W is provided.
And a coating mechanism 1 for coating and forming a resist film on the wafer W
8 are provided.

【0017】上記のように構成されるレジスト塗布現像
装置において、まず、処理前のウエハWは、搬入・搬出
機構1のアーム4によってウエハキャリア2から搬出さ
れてアライメントステージ6上に載置され位置決めされ
る。次いで、アライメントステージ6上のウエハWは、
搬送機構12のメインアーム13に保持されて、各処理
機構14〜18へと搬送され、レジスト塗布及び現像処
理される。そして、処理後のウエハWはメインアーム1
3によってアライメントステージ6に戻され、更にアー
ム4により搬送されてウエハキャリア3に収納されるこ
とになる。
In the resist coating and developing apparatus configured as described above, first, the unprocessed wafer W is unloaded from the wafer carrier 2 by the arm 4 of the loading / unloading mechanism 1 and is placed on the alignment stage 6 for positioning. Is done. Next, the wafer W on the alignment stage 6 is
It is held by the main arm 13 of the transport mechanism 12, transported to each of the processing mechanisms 14 to 18, and subjected to resist coating and development processing. Then, the processed wafer W is stored in the main arm 1.
The wafer is returned to the alignment stage 6 by 3, further transferred by the arm 4, and stored in the wafer carrier 3.

【0018】次に、この発明の処理装置17について説
明する。
Next, the processing device 17 of the present invention will be described.

【0019】この発明の処理装置は、図1に示すよう
に、ウエハWを吸着保持すると共に垂直移動及び水平回
転可能に保持する保持手段例えばスピンチャック20
と、このスピンチャック20の上方に移動されてウエハ
Wの表面に処理液である現像液を供給する処理液供給ノ
ズル21と、スピンチャック20の一方側に配置されて
不使用時の処理液供給ノズル21を保持する待機手段2
3と、スピンチャック20の他方側に配置されて現像処
理後、ウエハWをリンスするためのリンス液供給ノズル
24と、処理液供給ノズル21をスピンチャック20上
及び待機手段23上に選択移動する搬送手段例えばノズ
ル移動機構25とで主要部が構成されている。
As shown in FIG. 1, the processing apparatus of the present invention comprises a holding means for holding a wafer W by suction and holding it vertically and horizontally rotatable, for example, a spin chuck 20.
And a processing liquid supply nozzle 21 that is moved above the spin chuck 20 to supply a developing liquid as a processing liquid to the surface of the wafer W, and a processing liquid supply that is disposed on one side of the spin chuck 20 and is not used. Standby means 2 for holding nozzle 21
3, a rinsing liquid supply nozzle 24 disposed on the other side of the spin chuck 20 for rinsing the wafer W after the development processing, and a processing liquid supply nozzle 21 are selectively moved onto the spin chuck 20 and the standby unit 23. The main part is constituted by the transport means, for example, the nozzle moving mechanism 25.

【0020】上記処理液供給ノズル21は、ウエハWの
直径とほぼ同じ長さに形成され、現像液Mを収容する収
容空間を有する矩形容器26と、この矩形容器26の底
部から下方に向って突出される突出部27と、この突出
部27において直線上に適宜間隔をおいて穿設される多
数の細孔からなるノズル孔22と、Oリング28を介し
て矩形容器26を気密に閉塞する開閉可能な蓋体29と
で構成されている。蓋体29には、処理液供給管30が
接続され、図示しない処理液供給源から不活性ガスの気
体等により、所定圧で矩形容器26内に所定の現像液L
を圧送し供給可能としている(図2参照)。
The processing liquid supply nozzle 21 is formed to have substantially the same length as the diameter of the wafer W, and has a rectangular container 26 having a storage space for storing the developer M, and a downward direction from the bottom of the rectangular container 26. A rectangular container 26 is hermetically closed via a protruding portion 27, a plurality of nozzle holes 22 formed in the protruding portion 27 linearly at appropriate intervals, and an O-ring 28. And a cover 29 that can be opened and closed. A processing liquid supply pipe 30 is connected to the lid 29, and a predetermined developing liquid L is supplied into the rectangular container 26 at a predetermined pressure by an inert gas from a processing liquid supply source (not shown).
Can be supplied by pressure feeding (see FIG. 2).

【0021】一方、待機手段23は、図2及び図3に示
すように、処理液供給ノズル21のノズル孔22を開口
部32に位置させて保持する開口箱状のノズル保持体3
1と、このノズル保持体31の開口部側の内方に配設さ
れてノズル孔22に付着する処理液を洗浄するための樋
状の液体受部34とを具備してなる。この場合、ノズル
保持体31の開口部周辺の上面には処理液供給ノズル2
1が保持される際に当接する気密シール用のシール部材
例えばOリング33が周設されている。また、ノズル保
持体31の底部35には、この底部35の一端から他端
に向って勾配が形成されて底部35の低所には洗浄液の
排出口36が設けられている。一方、液体受部34はノ
ズル孔先端部(具体的には、ノズル孔22先端部及びそ
の両側の突出部27)を包囲し得るようにノズル保持体
31の長手方向の両端壁に架設される断面U字状溝37
を有する樋状体にて形成され、その底部37aに適宜間
隔をおいて複数の排液用小孔38が穿設されている。ま
た、ノズル保持体31の長手方向における両方の側壁部
には液体受部34に開口する洗浄液供給口39及び乾燥
ガス供給口44が設けられている。洗浄液供給口39に
は、洗浄液供給手段が接続されている。すなわち、洗浄
液供給口39には、ポンプ40を介して洗浄液L(例え
ば純水)を収容するタンク41が接続されている。ま
た、乾燥ガス供給口44には、乾燥ガス供給手段が接続
されている。すなわち、乾燥ガス供給口44には、ファ
ン42を介して乾燥ガス例えば窒素ガス(N2 ガス)供
給源43が接続されている。
On the other hand, as shown in FIGS. 2 and 3, the standby means 23 has an open box-shaped nozzle holder 3 for holding the nozzle hole 22 of the processing liquid supply nozzle 21 at the opening 32 and holding it.
1 and a gutter-shaped liquid receiving portion 34 disposed inside the opening side of the nozzle holder 31 for cleaning the processing liquid adhering to the nozzle holes 22. In this case, the processing liquid supply nozzle 2 is provided on the upper surface around the opening of the nozzle holder 31.
A sealing member for hermetic sealing, for example, an O-ring 33, which comes into contact with the holding member 1 is provided around the holding member. A slope is formed in the bottom 35 of the nozzle holder 31 from one end to the other end of the bottom 35, and a cleaning liquid discharge port 36 is provided at a lower portion of the bottom 35. On the other hand, the liquid receiving portions 34 are provided on both end walls in the longitudinal direction of the nozzle holder 31 so as to surround the tip portion of the nozzle hole (specifically, the tip portion of the nozzle hole 22 and the protruding portions 27 on both sides thereof). U-shaped groove 37
And a plurality of small drain holes 38 are formed in the bottom 37a thereof at appropriate intervals. Further, a cleaning liquid supply port 39 and a dry gas supply port 44 which are open to the liquid receiving section 34 are provided on both side walls in the longitudinal direction of the nozzle holder 31. The cleaning liquid supply means 39 is connected to the cleaning liquid supply port 39. That is, the tank 41 that stores the cleaning liquid L (for example, pure water) is connected to the cleaning liquid supply port 39 via the pump 40. Further, a drying gas supply unit is connected to the drying gas supply port 44. That is, the dry gas supply port 44 is connected to a dry gas supply source 43 such as a nitrogen gas (N2 gas) via a fan 42.

【0022】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、ウエハWの表面に現像液を被着するには、
予め処理液供給ノズル21の矩形容器26内に現像液を
供給して矩形容器26内を現像液で満たした状態として
おき、待機手段23に待機させておく。そして、メイン
アーム13によって上昇したスピンチャック20上にウ
エハWを載置し、スピンチャック20を下降する。
In the processing apparatus of the present invention configured as described above, in order to apply the developing solution to the surface of the wafer W,
The developing solution is supplied to the rectangular container 26 of the processing liquid supply nozzle 21 in advance to fill the rectangular container 26 with the developing solution, and the standby means 23 waits. Then, the wafer W is placed on the spin chuck 20 raised by the main arm 13, and the spin chuck 20 is lowered.

【0023】次に、ノズル移動機構25によって処理液
供給ノズル21をウエハWの中心位置付近まで水平移動
させた後、スピンチャック20と処理液供給ノズル21
とを相対的に上下移動させ、処理液供給ノズル21のノ
ズル孔先端部とウエハWとの間が微小間隔例えば0.1
mm〜1.5mmの範囲となるように設定する。そして、処
理液供給管30から所定圧力で矩形容器26内に所定の
現像液を供給することにより、各ノズル孔22から滲み
出させるようにして現像液をウエハW表面に帯状に供給
する。これに伴ってスピンチャック20によりウエハW
を低速回転で約1/2回転させると、スピンチャック2
0と処理液供給ノズル21が相対的に水平移動して、
エハW表面に供給された現像液は処理液供給ノズル21
によって滲み出されつつ押し広げられる。これにより、
ウエハW表面均一に薄く現像液を被着することができ
る。
Next, after the processing liquid supply nozzle 21 is horizontally moved to near the center position of the wafer W by the nozzle moving mechanism 25, the spin chuck 20 and the processing liquid supply nozzle 21 are moved.
Are relatively moved up and down so that the distance between the tip end of the nozzle hole of the processing liquid supply nozzle 21 and the wafer W is minute, for example, 0.1 mm.
It is set to be in the range of mm to 1.5 mm. Then, by supplying a predetermined developing solution from the processing liquid supply pipe 30 into the rectangular container 26 at a predetermined pressure, the developing solution is supplied to the surface of the wafer W in a band shape so as to ooze out from each nozzle hole 22. Along with this, the wafer W is
When the rotor is rotated about 1/2 turn at a low speed, the spin chuck 2
0 and the processing liquid supply nozzle 21 relatively move horizontally, and the developer supplied to the surface of the wafer W is
It is spread while being exuded by. This allows
The developer can be applied uniformly and thinly on the surface of the wafer W.

【0024】その後、処理液供給ノズル21はノズル移
動機構25によってウエハW表面から退避された後、待
機手段23のノズル保持体31の上方まで水平移動さ
れ、そして、下降されてノズル保持体31上に載置保持
される。このとき、ノズル保持体31と処理液供給ノズ
ル21との間にOリング33が介在されるので、処理液
供給ノズル21は洗浄雰囲気下に維持される。また、処
理液供給ノズル21のノズル孔22の先端部は液体受部
34のU字状溝37にて包囲される。この状態におい
て、洗浄液供給源側が洗浄液供給口39に接続され、ポ
ンプ40が作動することにより、洗浄液タンク41から
洗浄液Lが液体受部34内に供給されると、洗浄液Lは
液体受部34を溢流しつつノズル孔先端部に接触して、
ノズル孔先端部に付着する劣化、固化した処理液を洗い
流してノズル保持体31の底部35へ流れる。したがっ
て、処理液供給ノズル21のノズル孔22に付着する処
理液を一括して洗浄することができるので、処理液供給
ノズル21にはノズル保持体31側からのパーティクル
の付着がなく、次の処理液被着工程において、ウエハW
の表面に均一に清浄な処理液を被着することができると
共に、ウエハWの汚染を防止することができる。また、
処理液供給ノズル21の待機中にノズル孔先端部の洗浄
がなされるので、ウエハWの処理を効率良く行うことが
できる。
After that, the processing liquid supply nozzle 21 is retreated from the surface of the wafer W by the nozzle moving mechanism 25, is horizontally moved to a position above the nozzle holder 31 of the standby means 23, and is lowered to be on the nozzle holder 31. And is held. At this time, since the O-ring 33 is interposed between the nozzle holder 31 and the processing liquid supply nozzle 21, the processing liquid supply nozzle 21 is maintained in a cleaning atmosphere. The tip of the nozzle hole 22 of the processing liquid supply nozzle 21 is surrounded by a U-shaped groove 37 of the liquid receiving portion 34. In this state, when the cleaning liquid supply source is connected to the cleaning liquid supply port 39 and the cleaning liquid L is supplied from the cleaning liquid tank 41 into the liquid receiving section 34 by operating the pump 40, the cleaning liquid L is supplied to the liquid receiving section 34. While contacting the tip of the nozzle hole while overflowing,
The degraded and solidified processing liquid adhering to the tip of the nozzle hole is washed away and flows to the bottom 35 of the nozzle holder 31. Therefore, the processing liquid adhering to the nozzle holes 22 of the processing liquid supply nozzle 21 can be washed at once, so that the processing liquid supply nozzle 21 has no particles adhered from the nozzle holder 31 side, and the next processing In the liquid deposition step, the wafer W
A clean processing liquid can be uniformly applied to the surface of the wafer W, and contamination of the wafer W can be prevented. Also,
Since the tip of the nozzle hole is cleaned while the processing liquid supply nozzle 21 is on standby, the processing of the wafer W can be performed efficiently.

【0025】なお、洗浄後、洗浄液の供給を停止する
と、液体受部34中の洗浄液は排液用小孔38からノズ
ル保持体31の底部35へ流れ落ち、その後、排出口3
6から外部の所定場所へ排出される。また、洗浄後、乾
燥ガス供給口44に乾燥ガス供給源43が接続され、フ
ァン42の駆動によって乾燥ガス(N2 ガス)が液体受
部34内に供給されることにより、洗浄されたノズル孔
先端部は迅速に乾燥され、次の処理液供給ノズル21に
よる処理工程に備えることができる。なお、処理液供給
ノズル21が待機手段23にて保持されて待機している
間、現像液が被着されたウエハWはリンス液供給ノズル
24から供給されるリンス液(例えば純水)によってリ
ンスが行われた後、リンス液の振り切りを行って処理は
終了する。
When the supply of the cleaning liquid is stopped after the cleaning, the cleaning liquid in the liquid receiving portion 34 flows down from the small drainage hole 38 to the bottom 35 of the nozzle holding member 31 and then is discharged.
6 to an external predetermined place. After the cleaning, a drying gas supply source 43 is connected to the drying gas supply port 44, and a drying gas (N2 gas) is supplied into the liquid receiving portion 34 by driving the fan 42, so that the cleaned nozzle hole tip. The unit is quickly dried and can be prepared for the next processing step by the processing liquid supply nozzle 21. Note that while the processing liquid supply nozzle 21 is held by the standby unit 23 and is on standby, the wafer W on which the developer is applied is rinsed by the rinse liquid (for example, pure water) supplied from the rinse liquid supply nozzle 24. Is performed, the rinsing liquid is shaken off, and the process ends.

【0026】上記実施例では乾燥ガスを液体受部34に
開口する乾燥ガス供給口44から供給する場合について
説明したが、必ずしもこのような構造とする必要はな
く、図4に示すように、ノズル保持体31の長手方向と
直交する方向の両側壁45に沿って乾燥ガス通路46を
設け、この乾燥ガス通路46から液体受部34の側方に
向って開口する複数の乾燥ガス供給口47を適宜間隔を
おいて直線状に設ける構造としてもよい。このように構
成することにより、乾燥ガスが均一にノズル全体に供給
され、ノズル孔先端部の洗浄と均一な乾燥を行うことが
できる。この場合、乾燥ガス供給口47は液体受部34
の両側に設けてあるが、乾燥ガス供給口47は必ずしも
液体受部34の両側に設ける必要はなく、片側のみに設
けてもよい。
In the above-described embodiment, the case where the dry gas is supplied from the dry gas supply port 44 opened to the liquid receiving portion 34 has been described. However, such a structure is not necessarily required, and as shown in FIG. A dry gas passage 46 is provided along both side walls 45 in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the holding body 31, and a plurality of dry gas supply ports 47 opening from the dry gas passage 46 toward the side of the liquid receiving portion 34. A structure may be provided in a straight line at appropriate intervals. With this configuration, the drying gas is uniformly supplied to the entire nozzle, and the tip of the nozzle hole can be washed and uniformly dried. In this case, the dry gas supply port 47 is connected to the liquid receiving section 34.
However, the dry gas supply ports 47 need not always be provided on both sides of the liquid receiving portion 34, and may be provided only on one side.

【0027】なお、図4において、その他の部分は上記
第一実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を
付して、その説明は省略する。
In FIG. 4, the other parts are the same as those in the first embodiment, and the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0028】また、上記実施例では洗浄液を液体受部3
4内に供給して洗浄液Lの溢流によってノズル孔先端部
を洗浄する場合について説明したが、洗浄液Lに代えて
処理液供給ノズル21の矩形容器26内に収容される処
理液Mを液体受部34内に供給し、上記と同様に溢流さ
せることにより、ノズル孔先端部を洗浄することも可能
である。また、洗浄後の乾燥を必要としない場合には上
記乾燥ガス供給口44又は乾燥ガス供給口47を設けな
くてもよい。
In the above embodiment, the cleaning liquid is supplied to the liquid receiving portion 3.
4, the tip of the nozzle hole is washed by overflow of the cleaning liquid L. However, the processing liquid M contained in the rectangular container 26 of the processing liquid supply nozzle 21 is received instead of the cleaning liquid L. It is also possible to clean the tip of the nozzle hole by supplying it into the section 34 and overflowing it in the same manner as described above. When drying after washing is not required, the dry gas supply port 44 or the dry gas supply port 47 may not be provided.

【0029】なお、上記実施例では被処理体が半導体ウ
エハの場合について説明したが必ずしも被処理体は半導
体ウエハに限られるものではなく、例えばLCD基板、
ガラス基板あるいはプリント基板等について同様に処理
液を被着するものにも適用できるものである。また、上
記実施例では処理装置をレジスト塗布現像装置に適用し
た場合について説明したが、レジスト塗布現像装置以外
にも、例えばエッチング液塗布処理や磁性液塗布処理等
を行う装置にも適用できることは勿論である。
In the above embodiment, the case where the object to be processed is a semiconductor wafer has been described. However, the object to be processed is not necessarily limited to a semiconductor wafer.
The present invention can also be applied to a glass substrate, a printed circuit board, or the like to which a processing liquid is similarly applied. Further, in the above embodiment, the case where the processing apparatus is applied to the resist coating and developing apparatus has been described. However, it is needless to say that the processing apparatus can be applied to an apparatus for performing, for example, an etching liquid coating processing, a magnetic liquid coating processing, etc. It is.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置及び処理方法は、以下のような効果が得られる。
As described above, the processing apparatus and processing method of the present invention have the following effects.

【0031】1)処理工程を終えた処理液供給ノズルの
待機中に、ノズル孔に付着する処理液を一括して洗浄す
ることができ、以後の処理工程における処理液供給の均
一化が図れると共に、被処理体の汚染を防止することが
できる。
1) During the standby time of the processing liquid supply nozzle after the processing step, the processing liquid adhering to the nozzle holes can be washed at a time, and the supply of the processing liquid in the subsequent processing steps can be made uniform. In addition, contamination of the object to be processed can be prevented.

【0032】2)洗浄後の処理液供給ノズルのノズル孔
に向って乾燥ガスを供給するので、洗浄後のノズル孔先
端部を均一かつ迅速に乾燥することができ、被処理体の
処理作業を能率良く行うことができる。
2) Since the drying gas is supplied toward the nozzle hole of the processing liquid supply nozzle after cleaning, the tip of the nozzle hole after cleaning can be dried uniformly and quickly, and the processing operation of the object to be processed can be performed. It can be performed efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の処理装置をレジスト塗布現像装置に
適用した一実施例を示す概略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing an embodiment in which a processing apparatus of the present invention is applied to a resist coating and developing apparatus.

【図2】この発明の処理装置の要部の一例を示す断面図
である。
FIG. 2 is a sectional view showing an example of a main part of the processing apparatus of the present invention.

【図3】この発明における待機手段の一例を示す断面斜
視図である。
FIG. 3 is a cross-sectional perspective view showing an example of a standby unit according to the present invention.

【図4】この発明の処理装置の別の実施例の要部を示す
断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing a main part of another embodiment of the processing apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 スピンチャック(保持手段) 21 処理液供給ノズル 22 ノズル孔 23 待機手段 25 ノズル移動機構(搬送手段) 26 矩形容器 27 突出部 31 ノズル保持体 32 開口部 33 気密用Oリング(シール部材) 34 液体受部 37 U字状溝 39 洗浄液兼乾燥ガス供給口 40 ポンプ(洗浄液供給手段) 41 洗浄液タンク(洗浄液供給手段) 42 ファン(乾燥ガス供給手段) 43 乾燥ガス供給源(乾燥ガス供給手段) 44 乾燥ガス供給口 46 乾燥ガス通路 47 乾燥ガス供給口 L 洗浄液 M 現像液(処理液) W 半導体ウエハ(被処理体) Reference Signs List 20 spin chuck (holding unit) 21 processing liquid supply nozzle 22 nozzle hole 23 standby unit 25 nozzle moving mechanism (conveying unit) 26 rectangular container 27 protrusion 31 nozzle holder 32 opening 33 airtight O-ring (seal member) 34 liquid Receiving part 37 U-shaped groove 39 Cleaning liquid / dry gas supply port 40 Pump (cleaning liquid supply means) 41 Cleaning liquid tank (cleaning liquid supply means) 42 Fan (dry gas supply means) 43 Dry gas supply source (dry gas supply means) 44 Drying Gas supply port 46 Dry gas passage 47 Dry gas supply port L Cleaning liquid M Developing liquid (processing liquid) W Semiconductor wafer (workpiece)

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 被処理体を保持する保持手段と、 処理液を収容する収容空間を有する容器と、 上記収容空間と連通する多数のノズル孔が直線上に穿設
された突出部を有する処理液供給ノズルと、 上記処理液供給ノズルが待機するために上記保持手段の
側方に配設される待機手段と、 上記待機手段に設けられ上記ノズル孔を一括して洗浄す
べくノズル孔に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、 上記待機手段に設けられ上記ノズル孔に対して乾燥ガス
を供給する乾燥ガス供給手段と、 上記処理液供給ノズルを上記保持手段上方の供給位置
と、上記待機手段上の待機位置との間で搬送する搬送手
段と、 を具備し、 上記洗浄液供給手段は 、処理液供給ノズルのノズル孔の
先端を包囲し得る樋状の液体受部を具備し、上記 洗浄液供給手段又は処理液供給ノズルから上記液体
受部内に洗浄液又は処理液を供給し溢流して上記ノズル
孔先端部を洗浄するようにした、 ことを特徴とする処理装置
1. A processing method comprising: holding means for holding an object to be processed; a container having an accommodation space for accommodating a processing liquid; and a projection having a large number of nozzle holes communicating with the accommodation space formed in a straight line. A liquid supply nozzle, a standby unit disposed on a side of the holding unit for the processing liquid supply nozzle to wait, and a nozzle hole provided in the standby unit for cleaning the nozzle hole collectively. A cleaning liquid supply unit for supplying a cleaning liquid to the nozzle hole provided in the standby unit and supplying a drying gas to the nozzle hole; a supply position of the processing liquid supply nozzle above the holding unit; anda transport means for transporting between a standby position on the means, the cleaning liquid supply means comprises a trough-shaped liquid receiving part capable of enclosing the tip of the nozzle hole of the processing solution supply nozzle, the cleaning fluid Supply means or From management solution supply nozzle and overflow the cleaning liquid is supplied or treatment liquid in the liquid receiving portion and adapted to wash the nozzle hole tip processing apparatus characterized by.
【請求項2】 液体受部内又は液体受部の側方にガス供
給口を設けると共に、このガス供給口に乾燥ガス供給源
を接続してなる、 ことを特徴とする請求項1記載の処理装置。
2. A provided with a gas supply port on a side of the liquid receiving part or in the liquid receiving portion, formed by connecting the drying gas supply source to the gas supply port, the processing apparatus according to claim 1, wherein the .
【請求項3】 待機手段は、処理液供給ノズルを保持す
る開口箱状のノズル保持体を具備し、 上記ノズル保持体の開口部に、このノズル保持体に上記
処理液供給ノズルが保持される際に当接して洗浄雰囲気
を維持する気密部材を周設してなる、 ことを特徴とする請求項1又は2記載の処理装置。
3. The standby means includes an open box-shaped nozzle holder for holding a processing liquid supply nozzle, and the processing liquid supply nozzle is held in the opening of the nozzle holder by the nozzle holder. The processing apparatus according to claim 1 , further comprising an airtight member that abuts the airtight member to maintain a cleaning atmosphere.
【請求項4】 被処理体を保持する保持手段と、上記被
処理体の表面に処理液を滴下する多数のノズル孔を直線
上に配列する処理液供給ノズルとを相対的に水平移動し
て、上記被処理体の表面に処理液を被着する工程と、
記処理液供給ノズルを、上記保持手段の側方に配設され
る待機手段側に移動すると共に、待機手段の樋状の液体
受部に処理液供給ノズルのノズル孔の先端を包囲する工
程と、 上記液体受部に洗浄液又は処理液を供給し溢流し
て上記ノズル孔先端部を洗浄する工程と、を有すること
を特徴とする処理方法。
4. A holding means for holding an object to be processed;
A large number of nozzle holes for dropping the processing liquid on the surface of the processing object are straight
Horizontally move the processing liquid supply nozzles
Te, a step of depositing a treatment liquid to the surface of the object to be processed, the upper
The processing liquid supply nozzle is disposed beside the holding means.
To the waiting means side, and the gutter-like liquid of the waiting means
A process to surround the tip of the nozzle hole of the processing liquid supply nozzle in the receiving part
And supplying the cleaning liquid or the processing liquid to the liquid receiving section and overflowing.
Cleaning the tip of the nozzle hole by using
A processing method characterized by the following.
【請求項5】 ノズル孔先端部を洗浄した後、処理液供
給ノズルのノズル孔に対して乾燥ガスを供給してノズル
孔先端部を乾燥する工程を更に有することを特徴とする
請求項4記載の処理方法。
5. After washing the nozzle hole tip, the treatment liquid subjected
Dry gas is supplied to the nozzle hole of the supply nozzle
The method further comprises a step of drying the tip of the hole.
The processing method according to claim 4.
【請求項6】 処理液供給ノズルのノズル孔先端を液体
受部にて包囲すると共に、処理液供給ノズルを開口箱状
のノズル保持体にて洗浄雰囲気を維持すべく気密に保持
することを特徴とする請求項4又は5記載の処理方法。
6. The processing liquid supply nozzle is provided with
Enclosed in the receiving part and the processing liquid supply nozzle is open box shape
Airtight to maintain the cleaning atmosphere with the nozzle holder
The processing method according to claim 4, wherein the processing is performed.
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