【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法、特に樹脂モールド
された半導体装置をキャリアテープに貼着する方法に関
する。
〔発明の概要〕
本発明は、半導体装置の製造方法において、樹脂モー
ルドされた半導体装置のモールドパッケージ面を水素バ
ーニング等によって焼いた後、キャリアテープにこの半
導体装置のモールドパッケージ面を貼着することによ
り、半導体装置を良好な接着強度をもって確実にキャリ
アテープ上に貼着できるようにしたものである。
〔従来の技術〕
通常、樹脂モールドされ個々に形成された半導体装置
は、所謂キャリアテープに複数個づつ貼着された状態で
出荷される。従来の出荷までの半導体装置の一連の製造
工程は、次の通りである。リードフレーム上に半導体素
子を実装し樹脂モールドした後、リードフレームの状態
でマークを付すための前処理として各モールドパッケー
ジ全面を例えばフロン液体等により洗浄し、その後個々
の半導体装置に分離切断する。次いで、モールドパッケ
ージ内の水分を除去するためのベーク工程、125℃の温
度条件で動作試験を行い初期不良を除くためのバーイン
工程、モールドパッケージ表面に所要のマークを付すマ
ーキング工程、半導体装置をキャリアテープに貼着する
テーピング工程等を経て完了する。ここで、モールドパ
ッケージのフロン洗浄は、パッケージ表面へのマーキン
グ及びパッケージのキャリアテープへの貼着を良好に行
うために必要である。また、マーキング工程ではパッケ
ージ表面を水素バーニングによって汚れ、突起物を除去
してマークを付す技術も開発されており、この技術をと
り入れた場合には、フロン洗浄はパッケージのキャリア
テープの貼着力を向上するためのものとなる。
第３図は通常用いられる紙粘着キャリアテープ（１）
を示す。このキャリアテープ（１）は複数の開口（２）
を有する帯状の台紙（３）の裏面に各開口（２）に臨む
ように粘着テープ（４）を接着して構成される。マーキ
ング工程を終えた半導体装置（５）は、第４図（第１図
のＡ−Ａ線上よりみた断面）及び第５図（第１図のＢ−
Ｂ線上よりみた断面）に示すように、キャリアテープ
（１）上の開口（２）に対応する位置に配され、キャリ
アテープ（１）の裏面よりプレスゴムパッド（６）を介
して開口（２）に臨む接着テープ（４）に貼着されるよ
うになされる。（７）は貼着時に半導体装置（５）を固
定する固定部である。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来より、キャリアテープ（１）上に半導体装置
（５）をより良く貼着するために、次に示す各種の接着
強度向上の方法が提案されていた。
（ｉ） プレスゴムパッド（６）の圧接面積を増加す
る。
（ii） プレスゴムパッド（６）の接着圧を増加する。
（iii） 接着力の強いキャリアテープ（１）を使用す
る。
（iv） モールドパッケージとの粘着部に熱風を送り高
温にして接着する。
しかし、上記（ｉ）〜（iv）の方法を組み合せて粘着
可能な条件出しを行っても、次のような場合には、粘着
が困難であった。
即ち、例えば何らかの不都合でベーク工程から防湿梱
包までの時間を保てなかったために再ベーク処理を行っ
た場合、モールドパッケージ内に含まれているシリコー
ンがパッケージ表面に出てくるためにキャリアシートと
の粘着強度が劣化してしまう。シリコーンはモールドパ
ッケージを加熱すればする程表面に出てくる性質があ
る。また、半導体装置のタイプによってバーイン工程で
の熱処理時間が異なる場合には、熱処理時間によってシ
リコーンの出る割合が異なり、熱処理時間の長いタイプ
の半導体装置ではキャリアシートとの粘着強度が劣化し
てしまう。
本発明は、上述の点に鑑み、半導体装置のキャリアテ
ープへの粘着を確実に行えるようにした半導体装置の製
造方法を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る半導体装置の製造方法は、樹脂モールド
された半導体装置（５）のモールドパッケージ面をキャ
リアテープに貼着するにあたり、半導体装置の貼着する
面に対応する開口が形成された容器内に、複数の半導体
装置を収容する工程と、開口を通して前記半導体装置の
モールドパッケージ面（8B）を焼く工程と、次いで、キ
ャリアテープ（１）に半導体装置（５）のモールドパッ
ケージ面（8B）を貼着する工程を有してなる。
〔作用〕
上述の本発明によれば、キャリアテープ（１）に貼着
する前に、半導体装置（５）の貼着部に対応するモール
ドパッケージ面（8B）を焼くことにより、パッケージ面
のシリコーン、汚れ等が焼き切れ、貼着強度が向上し、
半導体装置のキャリアテープ上への貼着が確実になる。
容器の開口を通してモールドパッケージ面を焼くので、
モールドパッケージの貼着面のみを選択的に焼くことが
でき、貼着面以外の不所望の個所の熱印加が回避され
る。複数の半導体装置を容器内に収容して焼くので複数
の半導体装置の貼着面を一括して焼くことができる。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
半導体装置には、モールドパッケージの対向する２辺
にリードが導出されているスモールアウトラインパッケ
ージ（SOP）と呼ばれるタイプと、パッケージの対向す
る４辺すべてにリードが導出されているクオドフラット
パッケージ（QFP）と呼ばれるタイプとがある。
第１図及び第２図の実施例はSOPタイプの半導体装置
に適用した場合である。
本例では通常のように、リードフレーム上に半導体素
子を実装し、シリコーンを含有するエポキシ樹脂により
モールド成型した後、各SOPタイプの半導体装置（５）
に分離切断する。しかる後、モールドパッケージ（８）
内の水分を除去するベーク工程（温度160℃±５℃）、1
25℃の温度条件で動作試験を行い初期不良を除くための
バーイン工程を経る。次に、マーキング工程で半導体装
置（５）のモールドパッケージ表面（8A）に所要のマー
クを付す。このマーキング工程では、モールドパッケー
ジ表面（8A）に水素バーニング（トーチを用いて水素ガ
スによる炎で表面を焼く処理）を施してモールドパッケ
ージ表面の汚れ、突起物等を除去した後、直ちに所要の
マークが付される。
しかして、本例においては、第１図に示すように、マ
ーキング処理を終えた各半導体装置（５）を搬送用のマ
ガジン、図示の例では多連アルミマガジン（12）内に収
容し、そのマガジン（12）の裏面（12B）より各半導体
装置（５）のキャリアテープとの貼着部に対応するモー
ルドパッケージ裏面（8B）を、水素トーチ（13）を用い
てバーニング処理を行う。
多連アルミマガジン（12）は第１図及び第２図に示す
ように２列に挿入されるように形成されると共に、マガ
ジン裏面（12B）に各列の半導体装置（５）のパッケー
ジ裏面（8B）が外部に臨む２本のスリット（11）〔（11
A）及び（11B）〕を形成して構成される。スリット（1
1）の幅d1は第３図のキャリアテープ（１）の粘着テー
プ（４）の幅d2と等しくする（d1＝d2）を可とする。バ
ーニング処理は、多連アルミマガジン（12）の裏面（12
B）が上向きとなるようにして、且つ水平より角α、例
えば30゜程度傾むけた状態で水素トーチ（13）をその炎
（13a）がパッケージ裏面（12B）に垂直になるように配
して行う。水素トーチ（13）の炎（13a）は丁度マガジ
ン裏面のスリット（11a）（11b）を通して内部に収容さ
れている半導体装置のパッケージ裏面（8B）に照射され
る。多連アルミマガジン（12）を30℃程度傾むける理由
は、マガジン（12）を水平に置いてバーニング処理した
ときにトーチ（13）のノズル（火口）自身が炎（13a）
の直上に当り高温になるのを避けるためである。
バーニング処理に当っては、トーチ（13）を固定し、
多連アルミマガジン（12）をスリット（12a）方向に移
動して行うようになす。バーニング処理は次に示す設定
条件で行う。
パッケージ（８）とトーチ（13）のノズル間距離
‥‥10〜30mm
水素圧力（実際のH2とO2の混合ガス圧）
‥‥0.1〜0.5kg/cm2
多連アルミマガジン（12）の送り速度
‥‥100〜300mm/sec
かかるバーニング処理時、パッケージ（８）の裏面温
度は約150℃程度となり、パッケージ裏面（8B）の爾後
キャリアテープ（１）に貼着すべき部分の表面のシリコ
ーン、汚れ等が焼き切れる。即ちシリコーンであったも
のが所謂架橋の鎖が切れてシリコーンでなくなる。
そして、このバーニング処理の後に、各半導体装置
（５）を第３図のキャリアテープ（１）に第４図及び第
５図に示すプレスゴムパッド（６）を用いた方法により
貼着して製造を完了する。
上述した実施例によれば、半導体装置（５）をキャリ
アテープ（１）に貼着する工程前に、搬送用のマガジン
（12）に収容した状態で水素トーチ（13）により各モー
ルドパッケージ裏面（8B）をバーニングし、シリコー
ン、汚れ等を焼き切ることにより、パッケージ裏面のシ
リコーン成分が消失してパッケージ裏面の接着強度が向
上し、キャリアテープ（１）上に確実に半導体装置を貼
着することができる。因みに、バーニング処理前のパッ
ケージの接着強度が40gf以下であっても、本例のバーニ
ング処理後には接着強度を110gfまで増加させることが
できる。従って、例えば再ベーク処理を行った半導体装
置、或は熱履歴の異なるタイプ、即ちバーイン処理時間
が長いタイプの半導体装置であっても接着力を向上して
容易、確実にキャリアテープ上に貼着することができ、
高信頼性をもって出荷することができる。
また、このバーニング処理して接着強度を上げてキャ
リアテープに貼着するので、従来のフロン洗浄を廃止す
ることができ、環境汚染の改善を図ることができる。
尚、上例ではSOPタイプの半導体装置に適用したが、
その他、QFPタイプの半導体装置にも適用できる。QFPタ
イプの半導体装置は工程間の搬送に際して半導体装置を
各々収容する凹部を有したトレイを用いている。従っ
て、この搬送用トレイ裏面に各半導体装置の裏面が臨む
開口を形成し、この開口を通して水素トーチを用いて各
半導体装置のパッケージ裏面をバーニングし、その後キ
ャリアテープに貼着するようになせばよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、半導体装置のモールドパッケージ裏
面を焼いてシリコーン、汚れ等を焼き切った後に、半導
体装置のモールドパッケージ裏面をキャリアテープに貼
着することにより、強い接着力をもって容易、確実に貼
着することができる。モールドパッケージ面の貼着個所
のみが焼かれ、不所望の個所の熱印加を排除することが
でき、また、焼く工程以前に実施したマーキングが、焼
き工程で損傷されるのを防止することがでる。さらに、
複数の半導体装置を容器内に収容しバッチ処理で焼くの
でスループットを向上することができる。従って、再ベ
ーク処理した半導体装置、熱履歴の異なるタイプの半導
体装置のキャリアテープへの貼着をも確実にすることが
でき作業性、信頼性の向上を図ることができる。
また、従来の接着強度を上げるためのフロン洗浄を廃
止することができるので環境汚染の改善をも図ることが
できる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for attaching a resin-molded semiconductor device to a carrier tape. [Summary of the Invention] The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: baking a mold package surface of a resin-molded semiconductor device by hydrogen burning or the like, and then attaching the mold package surface of the semiconductor device to a carrier tape. Accordingly, the semiconductor device can be stuck on the carrier tape with good adhesive strength. [Related Art] Normally, semiconductor devices individually formed by resin molding are shipped in a state where a plurality of semiconductor devices are attached to a so-called carrier tape. A conventional series of manufacturing steps of a semiconductor device up to shipment is as follows. After mounting the semiconductor element on the lead frame and performing resin molding, the entire surface of each mold package is washed with, for example, a Freon liquid or the like as a pretreatment for attaching a mark in the state of the lead frame, and then separated and cut into individual semiconductor devices. Next, a baking process for removing moisture from the mold package, a burn-in process for performing an operation test under a temperature condition of 125 ° C. to remove initial defects, a marking process for attaching a required mark to the surface of the mold package, and a carrier for the semiconductor device. It is completed through a taping step of attaching to a tape. Here, the CFC cleaning of the mold package is necessary for satisfactorily marking the surface of the package and attaching the package to the carrier tape. In the marking process, a technology has been developed to remove dirt and protrusions from the package surface by hydrogen burning, and to apply marks.If this technology is adopted, chlorofluorocarbon cleaning improves the adhesion of the carrier tape on the package. It is for doing. Fig. 3 shows a commonly used paper adhesive carrier tape (1)
Is shown. The carrier tape (1) has a plurality of openings (2).
An adhesive tape (4) is adhered to the back surface of the band-shaped backing sheet (3) having an opening so as to reach each opening (2). The semiconductor device (5) that has completed the marking process is shown in FIG. 4 (a cross section viewed from the line AA in FIG. 1) and FIG. 5 (B-in FIG. 1).
As shown in the cross section as viewed from above the line B), the carrier tape (1) is disposed at a position corresponding to the opening (2), and is opened from the back surface of the carrier tape (1) via a press rubber pad (6). Is adhered to the adhesive tape (4) facing the side. (7) is a fixing part for fixing the semiconductor device (5) at the time of sticking. [Problems to be Solved by the Invention] Conventionally, the following various methods for improving the adhesive strength have been proposed in order to better adhere the semiconductor device (5) onto the carrier tape (1). (I) Increase the press contact area of the press rubber pad (6). (Ii) Increase the bonding pressure of the pressed rubber pad (6). (Iii) Use a carrier tape (1) having a strong adhesive force. (Iv) Hot air is sent to the adhesive part with the mold package to make it hot and adhere. However, even when the conditions (i) to (iv) described above are combined to determine the conditions under which sticking is possible, sticking is difficult in the following cases. That is, for example, when the time from the baking process to the moisture-proof packing could not be maintained due to some inconvenience, the re-bake treatment was performed.Since the silicone contained in the mold package came out on the package surface, the carrier sheet could not be used. Adhesive strength is degraded. Silicone has the property of coming out on the surface as the mold package is heated. Further, when the heat treatment time in the burn-in process varies depending on the type of the semiconductor device, the rate of release of the silicone varies depending on the heat treatment time, and in a semiconductor device of a long heat treatment time, the adhesive strength with the carrier sheet deteriorates. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a method of manufacturing a semiconductor device capable of securely adhering a semiconductor device to a carrier tape. [Means for Solving the Problems] A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is characterized in that, when a mold package surface of a resin-molded semiconductor device (5) is attached to a carrier tape, A step of accommodating a plurality of semiconductor devices in a container having a corresponding opening, a step of baking the mold package surface (8B) of the semiconductor device through the opening, and a step of burning the semiconductor device (5) onto a carrier tape (1). ) Of attaching the mold package surface (8B). [Operation] According to the above-described present invention, before bonding to the carrier tape (1), the mold package surface (8B) corresponding to the bonding portion of the semiconductor device (5) is burned, so that the silicone on the package surface can be formed. , Dirt etc. burned out, adhesion strength improved,
Adhesion of the semiconductor device to the carrier tape is ensured.
Bake the mold package surface through the opening of the container,
Only the sticking surface of the mold package can be selectively baked, and heat application to undesired portions other than the sticking surface is avoided. Since a plurality of semiconductor devices are housed in the container and baked, the bonding surfaces of the plurality of semiconductor devices can be baked at a time. Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Semiconductor devices include a type called a small outline package (SOP) in which leads are led to two opposite sides of a mold package, and a quad flat package (QFP) in which leads are led to all four opposite sides of the package. There is a type called. 1 and 2 show a case where the present invention is applied to an SOP type semiconductor device. In this example, as usual, a semiconductor element is mounted on a lead frame and molded with an epoxy resin containing silicone, and then each SOP type semiconductor device (5)
Separately cut. Then, mold package (8)
Baking process (temperature 160 ℃ ± 5 ℃) to remove moisture from inside, 1
An operation test is performed under a temperature condition of 25 ° C., and a burn-in process is performed to remove initial defects. Next, in a marking step, a required mark is provided on the mold package surface (8A) of the semiconductor device (5). In this marking process, the surface of the mold package (8A) is subjected to hydrogen burning (burning the surface with a flame of hydrogen gas using a torch) to remove dirt, protrusions, etc. from the mold package surface, and then immediately apply the required mark. Is appended. In this example, as shown in FIG. 1, each semiconductor device (5) after the marking process is accommodated in a transport magazine, in the illustrated example, a multiple aluminum magazine (12). Burning processing is performed on the back surface (8B) of the mold package corresponding to the portion of the semiconductor device (5) to be bonded to the carrier tape from the back surface (12B) of the magazine (12) using a hydrogen torch (13). The multiple aluminum magazines (12) are formed so as to be inserted in two rows as shown in FIGS. 1 and 2, and the package backs of the semiconductor devices (5) in each row are provided on the back of the magazine (12B). 8B) has two slits (11) [(11
A) and (11B)]. Slit (1
1 width d 1 of) be allowed to be equal to the width d 2 (d 1 = d 2) of the adhesive tape (4) of the carrier tape of FIG. 3 (1). Burning process is performed on the back (12) of the multiple aluminum magazine (12).
The hydrogen torch (13) is arranged so that its flame (13a) is perpendicular to the package back surface (12B) with B) facing upward and inclined at an angle α, for example, about 30 ° from the horizontal. Do it. The flame (13a) of the hydrogen torch (13) is irradiated to the package back surface (8B) of the semiconductor device housed therein through the slits (11a) and (11b) on the back surface of the magazine. The reason for tilting the multiple aluminum magazine (12) by about 30 ° C is that when the magazine (12) is placed horizontally and burned, the nozzle (crater) of the torch (13) itself burns (13a).
This is in order to avoid hitting directly above the high temperature. During the burning process, fix the torch (13)
The multiple aluminum magazine (12) is moved in the direction of the slit (12a). The burning process is performed under the following setting conditions. Package (8) and torch (13) nozzle spacing ‥‥ 10 to 30 mm the hydrogen pressure (actual mixing gas pressure of H 2 and O 2) ‥‥ 0.1~0.5kg / cm 2 multiple-aluminum magazine (12) Feeding speed バ ー 100-300mm / sec During such a burning process, the back surface temperature of the package (8) is about 150 ° C., and the silicone on the surface of the part to be attached to the carrier tape (1) after the back surface of the package (8B) , Dirt, etc. burn off. That is, what was so-called silicone breaks a so-called cross-linking chain and is no longer silicone. After this burning process, each semiconductor device (5) is attached to the carrier tape (1) of FIG. 3 by a method using a press rubber pad (6) shown in FIG. 4 and FIG. Complete. According to the above-described embodiment, before the step of attaching the semiconductor device (5) to the carrier tape (1), the back surface of each mold package (13) is stored by the hydrogen torch (13) while being housed in the transport magazine (12). Burning 8B) to burn off silicone, dirt, etc., the silicone component on the back of the package disappears, the adhesive strength on the back of the package is improved, and the semiconductor device can be securely adhered on the carrier tape (1). it can. Incidentally, even if the adhesive strength of the package before the burning treatment is 40 gf or less, the adhesive strength can be increased to 110 gf after the burning treatment of the present example. Therefore, for example, even if the semiconductor device has been subjected to the re-baking process, or a semiconductor device having a different heat history, that is, a semiconductor device having a long burn-in processing time, the adhesive force is improved and the semiconductor device is easily and reliably adhered to the carrier tape. Can be
Can be shipped with high reliability. In addition, since the burning treatment is performed to increase the adhesive strength and adhere to the carrier tape, the conventional chlorofluorocarbon cleaning can be eliminated, and environmental pollution can be improved. In the above example, it was applied to the SOP type semiconductor device.
In addition, it can be applied to a QFP type semiconductor device. The QFP type semiconductor device uses a tray having a concave portion for accommodating each semiconductor device when transporting between processes. Therefore, an opening facing the back surface of each semiconductor device may be formed on the back surface of the transfer tray, and the back surface of the package of each semiconductor device may be burned through this opening using a hydrogen torch, and then adhered to a carrier tape. . [Effects of the Invention] According to the present invention, after baking the back surface of the mold package of the semiconductor device to burn off silicone, dirt, etc., the back surface of the mold package of the semiconductor device is adhered to the carrier tape, thereby providing a strong adhesive force. Easy and reliable attachment. Only the sticking point on the mold package surface is burned, heat application to an undesired part can be eliminated, and marking performed before the baking step can be prevented from being damaged in the baking step. . further,
Since a plurality of semiconductor devices are housed in a container and baked in a batch process, the throughput can be improved. Therefore, it is possible to securely adhere the semiconductor device having been subjected to the re-baking process and the semiconductor device having a different heat history to the carrier tape, thereby improving the workability and reliability. Further, since the conventional chlorofluorocarbon cleaning for increasing the bonding strength can be eliminated, environmental pollution can be improved.
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体装置の製造方法に係る水素バー
ニング工程の例を示す斜視図、第２図は本発明に係る搬
送用のマガジンの断面図、第３図はキャリアテープの例
を示す斜視図、第４図は第３図のＡ−Ａ線上よりみた貼
着工程の断面図、第５図は第３図のＢ−Ｂ線上よりみた
貼着工程の断面図である。
（１）はキャリアテープ、（２）は台紙、（３）は開
口、（４）は貼着テープ、（５）は半導体装置、（８）
はモールドパッケージ、（11）はスリット、（12）は搬
送用のマガジンである。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view showing an example of a hydrogen burning step according to the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view of a transport magazine according to the present invention, FIG. Is a perspective view showing an example of the carrier tape, FIG. 4 is a cross-sectional view of the sticking step as viewed from the line AA in FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-section of the sticking step as viewed from the line BB in FIG. FIG. (1) is a carrier tape, (2) is a mount, (3) is an opening, (4) is an adhesive tape, (5) is a semiconductor device, (8)
Is a mold package, (11) is a slit, and (12) is a transport magazine.
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 穂苅 澄夫
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ
ニー株式会社内
(72)発明者 大出 知志
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ
ニー株式会社内
(56)参考文献 特開 昭63−244758（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−7637（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−109815（ＪＰ，Ａ)
実開 平１−69769（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭63−180567（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B65B 15/04
B65D 73/02
H01L 23/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Sumio Hokari 6-7-35 Kita Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Sony Corporation (72) Inventor Satoshi Oide 6-7-1 Kita Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo No. 35 Inside Sony Corporation (56) References JP-A-63-244758 (JP, A) JP-A-63-7637 (JP, A) JP-A-2-109815 (JP, A) 69769 (JP, U) Actually open 63-180567 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) B65B 15/04 B65D 73/02 H01L 23/00