JP3373885B2 - プラズマ源と製造方法 - Google Patents

プラズマ源と製造方法

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JP3373885B2
JP3373885B2 JP08759093A JP8759093A JP3373885B2 JP 3373885 B2 JP3373885 B2 JP 3373885B2 JP 08759093 A JP08759093 A JP 08759093A JP 8759093 A JP8759093 A JP 8759093A JP 3373885 B2 JP3373885 B2 JP 3373885B2
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    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は無線周波数素子に関係
し、特に無線周波数プラズマ源に関係する。
【０００２】
【従来の技術】一般に１ＭＨｚと１００ＭＨｚの間の周
波数を有する無線周波数（「ＲＦ」）波を発生する誘導
結合プラズマ（「ＩＣＰｓ」）は１０11ｃｍ-3以上の荷
電粒子（電子及びイオン）濃度と５ｍＡ／ｃｍ2 以上の
ウェファ基板へのイオン電流を与えることが可能であ
る。従ってＩＣＰ源は集積回路製造プロセスのプラズマ
加工応用の電子サイクロトロン共鳴（「ＥＣＲ」）プラ
ズマ源と競合する。誘導結合ＲＦプラズマ源は容量結合
ＲＦプラズマ源やＥＣＲプラズマ源の両方に対して利点
を有する。
【０００３】容量ＲＦ結合と比べて、誘導結合ＲＦプラ
ズマは実質的に低い真性プラズマ電位（＜５０Ｖ）を有
し、実質的に高いイオン化効率（＞５％）を達成してい
る。又、真性プラズマ電位は相対的にＲＦ電力とは独立
である。低い真性プラズマ電位は、高いイオン・エネル
ギが許容不能である応用例に有用である。
【０００４】ＥＣＲ装置の場合のように、誘導結合ＲＦ
プラズマのイオン・エネルギは別のＲＦ電源により集積
回路ウェファにバイアスすることにより独立に変更可能
である。しかしながら、ＩＣＰ源はプロセス必要条件に
より適合する圧力域（１ｍＴｏｒｒから５０ｍＴｏｒ
ｒ）に渡って動作する利点を有する。ＥＣＲ源は１０ｍ
Ｔｏｒｒ以下の圧力でより有効である。加えて、ＩＣＰ
源はＥＣＲ源より実質的に低いコストのコンパクトな設
計で、より大きな直径（１５ｃｍから３０ｃｍ）、一様
なプラズマを与える。動作圧力が高いため、与えられた
ガス流量のポンプ要件はより隠当なものとなる。
【０００５】ＲＦ誘導結合を用いた従来のプラズマ源の
第１の型式は、ウイスラ又はヘリコン波を介してプラズ
マにエネルギを結合する。このプラズマ源はヘリコン・
プラズマ源と呼ばれる。プラズマ源の軸に沿って向けら
れた１００Ｇから１ＫＧの範囲の磁場の存在下で、プラ
ズマ源キャビティのまわりに配置したループ・アンテナ
へＲＦ電圧を印加することにより定在ウイスラ波を励起
可能である。これらの軸方向磁場は一般にＥＣＲ源に用
いる磁場より弱いため、プラズマはプラズマの直径方向
に一様ではない。従ってウェファは、プラズマが十分一
様な領域であるプラズマ源から離れた、すなわち「下
流」に配置しなければならない。これは、下流位置で十
分なプラズマ密度（すなわち電子及びイオン濃度）を保
持するためプラズマ源の入力電力を増大させることを必
要とする。又、大きなソレノイド・コイルが軸方向磁場
を発生させるために必要である。これらはプラズマ源の
コストと複雑性を増大させる。
【０００６】従来のプラズマ源の第の型式は、軸方向磁
場を除去することにより一般のウイスラ波又はヘリコン
源とは異なる。それ故ウェファはプラズマ発生領域内に
配置可能である。このようなプラズマ源のピーク・プラ
ズマ密度（５×１０11ｃｍ-3）はウイスラ波源のものよ
り大きさで大体１オーダー低いが、プラズマ源へのウェ
ファの近接度がプロセス速度が匹敵しうるものであるこ
とを保証する。１μｍ／分以上のエッチ速度が問題とな
る多くの材料に可能である。このプラズマ源はヘリコン
・プラズマ源より簡単で、よりコンパクトで、安価であ
る。
【０００７】誘導プラズマ源の第２の型式は円筒真空チ
ャンバの上面に沿って配置した多巻線パンケーキ・コイ
ルを使用している。標準的には０．５インチ（１．２７
ｃｍ）厚の石英真空窓がコイルをチャンバから分離す
る。コイルがＲＦ源から電力を与えられると、大電流が
コイルを循環する。これらの電源はチャンバの内部にプ
ラズマを保持する強力な電場を誘導する。
【０００８】パンケーキ・コイルにより発生された時間
変化電磁場はコイル電流に比例し、コイル巻数の２乗と
して比例する。誘導場の一様性はコイル巻数の増加によ
り改良される。しかしながら、コイルのインダクタンス
はコイル巻数の２乗に比例する。このことは、一定のコ
イル電流に対するコイル中の電圧降下はコイル巻数の増
加に従って増大することを意味する。例えば、１３．５
６ＭＨｚでの２０ＡのＲＭＳ電流に対する５μＨコイル
上の電圧降下は８．５ｋＶである。このような高電圧は
危険であり、コイルとプラズマ間の容量性エネルギ結合
を生じる。相当量のエネルギが容量結合を介して転送さ
れる場合真性プラズマ電位は劇的に増大するため容量結
合は望ましくない。従来のＲＦプラズマ源でこれらの問
題はコイル巻数を約３に拘束する。
【０００９】それ故、装置の部品数を最小とし、出力電
力を有効に使用し、良好なプラズマ一様性を与え、コイ
ル電圧を安全レベルに保持するＲＦプラズマ源に対する
必要性が生じている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によると、従来の
プラズマ源に付随する欠点と問題を実質的に除去する又
は減少させるプラズマ源と製造方法が提供される。
【００１１】無線周波数発生器と関連してチャンバ中で
プラズマを発生するプラズマ源を記述する。プラズマ源
はコイル・スパイラルと、少くとも１個の絶縁体と少く
とも１個のコンデンサを含む。コイル・スパイラルは無
線周波数発生器からの無線周波数波を流し、チャンバ中
にプラズマを誘導する。コイルは少くとも２個のセグメ
ントを含む。各絶縁体とコンデンサはコイル・スパイラ
ルの２個の隣接セグメントを互いに結合する。
【００１２】開示した発明の第１の技術的利点は、プラ
ズマ源の高電圧の使用の著しい減少である。コイルを部
品にセグメント化することにより、コイルの任意の２点
上の最大電圧降下は著しく減少可能である。又、接地シ
ールドの追加がコイル電圧をさらに減少させる。一定の
ＲＦ電流に対する減少コイル電圧は、コイルとプラズマ
間により薄い誘電体／絶縁体の使用を可能とし、従って
高いプラズマ密度を実現する。
【００１３】開示した発明の第２の利点は、コイルの最
大巻数に対する制限の除去である。コイルを部品にセグ
メント化した効果により大巻数のコイルを使用可能であ
る。円錐状コイル形状と組合せたこのことが生成するプ
ラズマの一様性を増大させる。
【００１４】
【実施例】本発明の望ましい実施例とその利点は図面の
図１と図２を参照することにより最も良く理解でき、同
じ番号は各図面で同じ対応する部品に使用される。
【００１５】図１は、全体を１２で指示する開示プラズ
マ源を用いた、全体を１０で指示する高級真空プロセッ
サ（「ＡＶＰ」）の部分断面、部分概略図を図示する。
プラズマ源１２はスパイラル１４に巻いたコイルから構
成される（「コイル・スパイラル」）。標準的には、コ
イル・スパイラル１４の一端は電気的に接地され、一方
他端はＲＦ発生器（図示せず）に接続される。コイル・
スパイラル１４の下の接地シールド１６は、プラズマが
プラズマ源１２の下では発生されないことを保証する。
これは同じ磁場強度を発生するためより小さな電流を可
能とする。接地シールドはコイル・スパイラル１４のイ
ンピーダンスを減少させる。接地シールド１６はコイル
・スパイラル１４の側面に沿って上方へ延び、プラズマ
源をＡＶＰ１０の苛酷な環境から保護する。接地シール
ド１６は標準的にはアルミニウムから製造され、渦電流
加熱を最小とするため多数の放射状切欠きを有する。
【００１６】プラズマ源１２は多数のコンデンサを含む
（図２に関連して図示説明）。材料的な理由から、これ
らのコンデンサとコイル・スパイラル１４は、交番の明
暗ハッチングで示すようにエポキシで包まれる。図示の
実施例で用いたエポキシは汎用エポキシ・カプセル剤で
ある。任意の適当なカプセル剤を使用してよい。ＡＶＰ
１０の厳しい環境に耐えるようなコンデンサを選択する
か、又はコイル組立体をチャンバ１０の外側に配置する
場合にはエポキシは除いてもよい。プラズマ源１２は
又、ＡＶＰ１０へ化学剤を注入しそこからプラズマが作
成される導管１８も含む。散布キャップ２０がプラズマ
源１２を覆う。キャップ２０は多数の小穴２２を含み、
導管１８から注入された化学反応剤がこれを通してＡＶ
Ｐ１０中へより一様に散布される。穴の位置と寸法は最
良のプロセス一様性を与えるよう最適化される。キャッ
プ２０はＡＶＰ１０の苛酷な環境からプラズマ源１２を
保護するための使い捨てシールドとして使用してもよ
い。
【００１７】加えて、ＡＶＰ１０の周縁部に８個の磁石
の組（図示せず）を設けて多極磁場を発生し、プラズマ
閉じ込めを改良してもよい。半導体ウェファ２６の近く
のチャックに２次ＲＦ発生器２４を設置することによっ
てもプラズマは改良される。コイル・スパイラル２２は
１個の電源、標準的には１３．５６ＭＨｚ ＲＦ電源の
使用に設計されているが、チャックは第２のより高い又
はより低い周波数源により電力を与えられて２個のＲＦ
電源間の相互干渉を減少させる。同一周波数を有する２
個の発生器を用いてコイルとチャックに電力を与える場
合、２個の発生器はマスタ・スレーブ対として動作させ
てもよい。このモードでは、一方の発生器の共通励起出
力を用いて、可変位相シフタを介して第２の発生器の共
通励起入力を駆動する。シフタの位相を調節することに
より、２個の発生器の出力は位相整合されて相互干渉を
除去する。プラズマ源１２はプラズマ発生に責任を有
し、一方２次ＲＦ発生器を用いてウェファ２６へ入射す
るイオンのエネルギを変更できる。
【００１８】チャンバ１０の周縁部のまわりの第３円筒
形電極２７を含めて、操作の３極モードを可能にしても
よい。電極２７は第３のＲＦ発生器（図示せず）により
電力を与えられるか、又は単に接地してもよい。接地モ
ードでは、電極２７は他の２個の発生器間の相互作用を
さらに減衰させる。
【００１９】コイル・スパイラル１４は円錘外形を有す
る５回巻から構成されているのが図示されている。コイ
ルは又垂直及び水平次元の両方でプラズマの一様性を最
適化するため互い違いになっている、又は非一様に間隔
を置いている。例えば、スパイラル・コイルは平らな外
形を有しているか、又はコイル・スパイラルに沿った位
置の何らかの関数として変化する半径を有してもよい。
有効コイル・インダクタンスが１μＨ以下という条件
で、必要なら多重コイル・スパイラルを互いの上面に積
重ねてもよい。
【００２０】ＡＶＰ１０中のプラズマ源１２の動作は従
来のものである。プラズマ源１２の製造と性能、コンデ
ンサの選択、コイル・スパイラルのセグメント化は図２
と関連してより完全に記述される。
【００２１】図２は図１に図示したプラズマ源１２の部
分等角、部分概略図である。ここでは、プラズマ源１２
は接地シールド１６、導管１８、キャップ２０、エポキ
シなしで図示されている。コイル・スパイラル１４は以
後説明するようにセグメントに分割される。各セグメン
トは絶縁体２８により隣接するセグメントに接続され
る。各セグメントは又コンデンサ３０により隣接するセ
グメントに接続される。各コンデンサ３０はコイル・ス
パイラル１４の２つの隣接するセグメント間で直列に電
気的に接続される。各端部セグメントは単一の絶縁体と
コンデンサを有する。内部セグメントは各端部で１個づ
つの、２個の絶縁体とコンデンサに接続される。
【００２２】図示の実施例では、絶縁体２８は冷媒の非
妨害流れを可能とするため内部通路を含む。冷媒は標準
的には水である。
【００２３】連続した管のコイルを用いるのではなく、
コイル・スパイラルはＮセグメントに分断される（ここ
でＮは標準的には５−１０の範囲である）コンデンサ３
０は隣接するセグメント間に挿入される。コイル・スパ
イラルの個々のセグメントの長さは、各セグメント上の
電圧降下が端から端までで等しくなるよう選択される。
コンデンサは又、付随のＲＦ発生器の動作周波数でコイ
ルのインダクタンスと直列共振するように選択される。
実際には、各コンデンサ上の電圧降下はコイルの対応す
るセグメント上の電圧降下と大きさが等しく極性が反転
している。Ｌがセグメント分けしていないコイルのイン
ダクタンスの場合、所要のキャパシタンス（Ｃ）は次式
により与えられる。
【数１】 ここでｆは発生した無線周波数波の周波数に等しい。こ
こで、ｆ＝１３．５６ＭＨｚである。セグメント分けし
ないコイルのインピーダンスは次式により与えられる。
【数２】 ここでＲはコイルの抵抗である。Ｒはコイル・インピー
ダンスの虚数部分（２πｆＬ）より非常に小さい。埋込
みコンデンサ付のコイルのインピーダンスは次式により
与えられる。
【数３】 コイルの埋込みコンデンサはコイルのインピーダンスを
以下のファクタだけ減少させる。
【数４】 コンデンサが式（１）を満足する時上式はＲ／２πｆＬ
に近づく。実際には、コンデンサは離散値に対してのみ
得られるためこのような状況は殆んど得られない。この
ような場合には、式（４）を用いてコイル・インピーダ
ンスの減少を決定可能である。問題となる他の量はコイ
ルの任意の２点間の最大電圧である。コイルがＮ区間に
分割されている場合、最大電圧はＮのファクタだけ減少
する。
【００２４】例えば、１μＨのインダクタンスの３回巻
コイルは、４コンデンサを用いる場合Ｃ＝５５２ｐＦを
必要とする。代りに各６００ｐＦの４コンデンサを使用
した場合、１３．５６ＭＨｚのコイルのインピーダンス
は１２のファクタだけ減少する。従って、２０Ａ ＲＦ
電流に対するコイル上の全電圧降下は１．７ＫＶから１
４０Ｖに減少する。セグメント分けしないコイルの場
合、コイル上の２点間の最大電圧は１．７ＫＶである。
コイルを埋込コンデンサ付の４区間に分割した場合、こ
れは４２５Ｖに減少する。
【００２５】埋込みコンデンサはコイル電圧を減少さ
せ、これは隣接するコイル巻間、そしてコイルとプラズ
マ間の容量性結合を最小とするのに不可欠である。しか
しながら、コイル・スパイラルに貯えられる磁気エネル
ギは一定電流に対して不変である。従って誘導電磁場は
不変である。
【００２６】コンデンサを追加するとコイルの直列抵抗
を増大させる。コンデンサに用いる誘電体は損失の多い
ものであり、Ｄが誘電材料の損失率である場合、等価直
列抵抗は次式で与えられる。
【数５】 多くのコンデンサに対して、１３．５６ＭＨｚで直列抵
抗は１Ωに近づく。コイルを流れる２０ＡのＲＭＳ電流
に対して、これは４００Ｗの電力損失に対応する。電力
損失を合理的レベル（＜４０Ｗ）に減少させるために
は、コンデンサの直列抵抗は０．１Ω以下としなければ
ならない。
【００２７】本発明とその利点を詳細に説明してきた
が、添附の特許請求の範囲に定めるような本発明の要旨
と範囲から逸脱することなく各種の変更、置換え、修正
が可能であることを理解すべきである。
【００２８】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）無線周波数波を発生するよう動作する無線周波数
発生器と関連してチャンバ中にプラズマを発生するプラ
ズマ源において、無線周波数発生器からの無線周波数波
を伝導し、チャンバ中でプラズマを誘導するコイル・ス
パイラルであって、少なくとも２個のセグメントを含む
前記コイル・スパイラルと、少くとも１個の絶縁体であ
って、コイル・スパイラルの隣接するセグメントを結合
する前記各絶縁体と、少くとも１個のコンデンサであっ
て、コイル・スパイラルの隣接するセグメント間に直列
に結合された各コンデンサと、を含む、無線周波数波を
発生するよう動作する無線周波数発生器と関連してチャ
ンバ中でプラズマを発生するプラズマ源。
【００２９】（２）第１項記載のプラズマ源において、
コイル・スパイラルは少くとも２個のセグメントを含
み、各セグメントはその両端で全体的に等価な電圧降下
を有するプラズマ源。
【００３０】（３）第１項記載のプラズマ源において、
各コンデンサのキャパシタンスは、各コンデンサ上の電
圧降下が隣接するセグメント上の電圧降下と全体的に大
きさが等しく極性が反対であるように選択してあるプラ
ズマ源。
【００３１】（４）第１項記載のプラズマ源において、
コイル・スパイラルと絶縁体はさらに中を流れる冷媒流
を受入れる内部通路を含むプラズマ源。
【００３２】（５）第１項記載のプラズマ源において、
コイル・スパイラル、少なくとも１個の絶縁体、及び少
くとも１個のコンデンサはエポキシでカプセル化されて
いるプラズマ源。
【００３３】（６）第１項記載のプラズマ源において、
コイル・スパイラルに隣接する接地シールドをさらに含
むプラズマ源。
【００３４】（７）第１項記載のプラズマ源において、
コイル・スパイラルは円錘形外形を有しているプラズマ
源。
【００３５】（８）無線周波数波を発生するよう動作す
る無線周波数発生器と関連してチャンバ中にプラズマを
発生するプラズマ源において、無線周波数発生器からの
無線周波数波を導通し、チャンバ中のプラズマを誘導す
るコイル・スパイラルであって、少くとも２個のセグメ
ントを含み、各セグメントがその両端上で全体的に等価
な電圧降下を有する前記コイル・スパイラルと、少くと
も１個の絶縁体であって、コイル・スパイラルの隣接す
るセグメントを結合する前記絶縁体と、少くとも１個の
コンデンサであって、コイル・スパイラルの隣接するセ
グメント間に直列に結合され、各コンデンサ上の電圧降
下が隣接するセグメント上の電圧降下と全体的に大きさ
が等しく極性が逆であるようにそのキャパシタンスを選
択した前記コンデンサと、を含む無線周波数波を発生す
るよう動作する無線周波数発生器と関連してチャンバ中
にプラズマを発生するプラズマ源。
【００３６】（９）第７項記載のプラズマ源において、
コイル・スパイラル、少くとも１個の絶縁体、少くとも
１個のコンデンサはエポキシでカプセル化されているプ
ラズマ源。
【００３７】（１０）第８項記載のプラズマ源におい
て、コイル・スパイラルに隣接して接地シールドをさら
に含むプラズマ源。
【００３８】（１１）第９項記載のプラズマ源におい
て、コイル・スパイラルと絶縁体はさらに中を流れる冷
媒流を受入れる内部通路を含むプラズマ源。
【００３９】（１２）第７項記載のプラズマ源におい
て、コイル・スパイラルに隣接する接地シールドをさら
に含むプラズマ源。
【００４０】（１３）プラズマを発生するためのプラズ
マ源を製造する方法において、コイル・スパイラルを所
定数の部分にセグメント分けする段階と、各隣接する部
分からコイル・スパイラルの各部分を絶縁する段階と、
コイル・スパイラルの各部分を各隣接する部分へコンデ
ンサで結合する段階と、を含むプラズマを発生するため
のプラズマ源を製造する方法。
【００４１】（１４）第１２項記載の方法において、セ
グメント分けする段階は、コイル・スパイラルを所定数
の部分にセグメント分けする段階を含み、各部分はその
両端上で全体的に等価な電圧降下を有する方法。
【００４２】（１５）第１３項記載の方法において、結
合する段階は、コンデンサ上の電圧降下がコイル・スパ
イラルの隣接する部分上の電圧降下と全体的に大きさが
等しく極性が反対となるように、コイル・スパイラルの
各部分をコンデンサにより各隣接する部分へ結合する段
階をさらに含む方法。
【００４３】（１６）第１４項記載の方法において、コ
イル・スパイラルとコンデンサをエポキシでカプセル化
し、収容する段階をさらに含む方法。
【００４４】（１７）第１２項記載の方法において、結
合する段階は、コンデンサ上の電圧降下が隣接する部分
上の電圧降下と全体的に大きさが等しく極性が反対とな
るように、コイル・スパイラルの各部分をコンデンサに
より各隣接する部分へ結合する段階をさらに含む方法。
【００４５】（１８）第１６項記載の方法において、コ
イル・スパイラルとコンデンサをエポキシでカプセル化
する段階をさらに含む方法。
【００４６】（１９）第１２項記載の方法において、コ
イル・スパイラルとコンデンサをエポキシでカプセル化
する段階をさらに含む方法。
【００４７】（２０）無線周波数発生器と関連してチャ
ンバ中にプラズマを発生するプラズマ源を説明した。プ
ラズマ源はコイル・スパイラル、少くとも１個の絶縁
体、少くとも１個のコンデンサを含む。コイル・スパイ
ラルは無線周波数発生器からの無線周波数波を伝導し、
チャンバ中にプラズマを誘導する。これは少くとも２個
のセグメントを含む。各絶縁体とコンデンサはコイル・
スパイラルの２個の隣接するセグメントを互いに結合す
る。
【図面の簡単な説明】
本発明とその利点のより完全な理解のため、添附の図面
と関連して行なわれた説明で図面が参照される。
【図１】開示のプラズマ源を用いた高級真空プロセッサ
の部分断面、部分概略図。
【図２】図１に図示のプラズマ源の部分等角部分概略
図。
【符号の説明】
１０ 高級真空プロセッサ １２ プラズマ源 １４ コイル・スパイラル １６ 接地シールド １８ 導管 ２０ キャップ ２４ ２次ＲＦ発生器 ２６ 半導体ウェファ ２８ 絶縁体 ３０ コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−79025（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−235332（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−291022（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−92820（ＪＰ，Ｕ) 特表 平４−504025（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/32 H01J 9/02 H01J 37/08 H05H 1/46 H01L 21/3065

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 無線周波数波を発生するよう動作する無
    線周波数発生器と関連してチャンバ中にプラズマを発生
    するプラズマ源（１２）において、 無線周波数発生器からの無線周波数波を伝導し、チャン
    バ中でプラズマを誘導するコイル・スパイラル（１４）
    であって、少くとも２個のセグメントを含む前記コイル
    ・スパイラル（１４）と、 少くとも１個の絶縁体（２８）であって、コイル・スパ
    イラルの隣接するセグメントを結合する前記各絶縁体
    （２８）と、 少くとも１個のコンデンサ（３０）であって、コイル・
    スパイラルの隣接するセグメント間に直列に結合された
    各コンデンサ（３０）と、を含む、無線周波数波を発生
    するよう動作する無線周波数発生器と関連してチャンバ
    中でプラズマを発生するプラズマ源。
  2. 【請求項２】 プラズマを発生するためのプラズマ源を
    製造する方法において、 コイル・スパイラルを所定数の部分にセグメント分けす
    る段階と、 各隣接する部分からコイル・スパイラルの各部分を絶縁
    する段階と、 コイル・スパイラルの各部分を各隣接する部分へコンデ
    ンサで結合する段階と、を含むプラズマを発生するため
    のプラズマ源を製造する方法。
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