JP3370523B2 - 画素配列補正機能を持つレーザ描画装置 - Google Patents
画素配列補正機能を持つレーザ描画装置Info
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- JP3370523B2 JP3370523B2 JP25784496A JP25784496A JP3370523B2 JP 3370523 B2 JP3370523 B2 JP 3370523B2 JP 25784496 A JP25784496 A JP 25784496A JP 25784496 A JP25784496 A JP 25784496A JP 3370523 B2 JP3370523 B2 JP 3370523B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は被描画体をレーザビ
ームでもって走査させつつ該レーザビームの変調をラス
タデータに基づいて所定の周波数のクロックパルスに従
って制御して描画を行うレーザ描画装置に関する。
ームでもって走査させつつ該レーザビームの変調をラス
タデータに基づいて所定の周波数のクロックパルスに従
って制御して描画を行うレーザ描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ描画装置は一般的には適当な被描
画体の表面に微細なパターンの描画に使用される。代表
的な使用例としては、フォトリゾグラフの手法を用いて
プリント回路基板を製造する際の回路パターンの描画が
挙げられ、このとき被描画体は例えばフォトマスク用感
光フィルムあるいは基板上のフォトレジスト層であった
りする。
画体の表面に微細なパターンの描画に使用される。代表
的な使用例としては、フォトリゾグラフの手法を用いて
プリント回路基板を製造する際の回路パターンの描画が
挙げられ、このとき被描画体は例えばフォトマスク用感
光フィルムあるいは基板上のフォトレジスト層であった
りする。
【０００３】近年、回路パターンの設計プロセスからそ
の描画プロセスに至るまでの一連のプロセスが統合化さ
れ、レーザ描画装置はそのような統合システムの一翼を
担っている。なお、かかる統合システムには、レーザ描
画装置の他に、回路パターンの設計を行うＣＡＤ(Compu
ter Aided Design) ステーション、このＣＡＤステーシ
ョンで得られた回路パターンデータ即ちベクタデータに
編集処理を施すＣＡＭ(Computer Aided Manufacturing)
ステーション等が設けられる。
の描画プロセスに至るまでの一連のプロセスが統合化さ
れ、レーザ描画装置はそのような統合システムの一翼を
担っている。なお、かかる統合システムには、レーザ描
画装置の他に、回路パターンの設計を行うＣＡＤ(Compu
ter Aided Design) ステーション、このＣＡＤステーシ
ョンで得られた回路パターンデータ即ちベクタデータに
編集処理を施すＣＡＭ(Computer Aided Manufacturing)
ステーション等が設けられる。
【０００４】ＣＡＭステーションで編集されたベクタデ
ータはレーザ描画装置に転送され、そこでベクタデータ
はラスタデータに変換される。レーザ描画装置では、フ
ォトマスク用感光フィルムあるいは基板上のフォトレジ
スト層等の被描画体がレーザビームでもって走査させら
れると共に副走査方向に順次移動させられ、該レーザビ
ームの変調を上述のラスタデータに基づいて所定の周波
数のクロックパルスに従って制御することにより、該被
描画体上には所定のパターンが描かれる。
ータはレーザ描画装置に転送され、そこでベクタデータ
はラスタデータに変換される。レーザ描画装置では、フ
ォトマスク用感光フィルムあるいは基板上のフォトレジ
スト層等の被描画体がレーザビームでもって走査させら
れると共に副走査方向に順次移動させられ、該レーザビ
ームの変調を上述のラスタデータに基づいて所定の周波
数のクロックパルスに従って制御することにより、該被
描画体上には所定のパターンが描かれる。
【０００５】ところで、プリント回路基板を高精度で製
造するためには、回路パターンの描画が所定の寸法形状
で適正に行われることが必要とされるが、そのような適
正な回路パターンの描画を行うための主要な条件の一つ
として、かかる回路パターンが等間隔にかつ均等に配列
された画素で描画されることが挙げられる。しかしなが
ら、実際には、個々のレーザ描画装置で描かれる回路パ
ターンの画素配列には固有の不均一性が存在し、これは
主に個々のレーザ描画装置の機械的組立誤差に起因する
ものである。
造するためには、回路パターンの描画が所定の寸法形状
で適正に行われることが必要とされるが、そのような適
正な回路パターンの描画を行うための主要な条件の一つ
として、かかる回路パターンが等間隔にかつ均等に配列
された画素で描画されることが挙げられる。しかしなが
ら、実際には、個々のレーザ描画装置で描かれる回路パ
ターンの画素配列には固有の不均一性が存在し、これは
主に個々のレーザ描画装置の機械的組立誤差に起因する
ものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来では、個々のレー
ザ描画装置で描かれる回路パターンの画素配列に存在す
る固有の不均一性を処理するために、例えば格子パター
ンの描画を実際に行ってその格子パターンの画素配列の
不均一性を測定し、その不均一性の測定結果に基づいて
ＣＡＤステーションでの回路パターンの描画データの作
成時に補正処理を施すことが行われている。しかしなが
ら、ＣＡＤステーションでは、かかる補正処理は画素単
位でしか行うことができないので、微細なパターンを描
画する場合には適当なものとは言えない。
ザ描画装置で描かれる回路パターンの画素配列に存在す
る固有の不均一性を処理するために、例えば格子パター
ンの描画を実際に行ってその格子パターンの画素配列の
不均一性を測定し、その不均一性の測定結果に基づいて
ＣＡＤステーションでの回路パターンの描画データの作
成時に補正処理を施すことが行われている。しかしなが
ら、ＣＡＤステーションでは、かかる補正処理は画素単
位でしか行うことができないので、微細なパターンを描
画する場合には適当なものとは言えない。
【０００７】一方、画素配列の不均一性を処理する別の
方法として、レーザビームによる描画位置を制御するた
めに設けられる主走査方向のリニアスケール及び副走査
方向のリニアスケールの目盛を画素配列の不均一性に応
じてずらすことも行われており、この場合には画素以下
の単位で画素配列の不均一性を処理することが可能であ
る。しかしながら、この方法の最大の欠点としては、個
々のレーザ描画装置毎に上述したようなリニアスケール
を用意しなければならず、これによりレーザ描画装置の
製造コストが高められることが挙げられる。
方法として、レーザビームによる描画位置を制御するた
めに設けられる主走査方向のリニアスケール及び副走査
方向のリニアスケールの目盛を画素配列の不均一性に応
じてずらすことも行われており、この場合には画素以下
の単位で画素配列の不均一性を処理することが可能であ
る。しかしながら、この方法の最大の欠点としては、個
々のレーザ描画装置毎に上述したようなリニアスケール
を用意しなければならず、これによりレーザ描画装置の
製造コストが高められることが挙げられる。
【０００８】従って、本発明の目的は上述したような画
素配列の不均一性を画素以下の単位でしかも低コストで
処理し得るように構成されたレーザ描画装置を提供する
ことである。
素配列の不均一性を画素以下の単位でしかも低コストで
処理し得るように構成されたレーザ描画装置を提供する
ことである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の局面によ
るレーザ描画装置は、被描画体をレーザビームでもって
走査させつつ該被描画体に対するレーザビームの変調を
ラスタデータに基づいて所定の周波数のクロックパルス
に従って制御して描画を行うレーザ描画装置であって、
前記レーザビームによる記録範囲を走査方向に沿って等
分した区間の各々について、前記レーザビームの走査方
向に沿う偏向中に予め実測された画素配列ピッチのずれ
データに基づいて、前記クロックパルスの位相を２π以
下の単位でシフトすべき位置を位相シフト開始位置デー
タとして演算する演算手段と、前記区間の各々の描画作
動中に、前記演算手段によって得られた位相シフト開始
位置データに従って前記クロックパルスの位相をシフト
させて前記画素配列のずれを補正するように前記クロッ
クパルスの出力を制御するクロックパルス出力制御手段
とを具備して成るものである。
るレーザ描画装置は、被描画体をレーザビームでもって
走査させつつ該被描画体に対するレーザビームの変調を
ラスタデータに基づいて所定の周波数のクロックパルス
に従って制御して描画を行うレーザ描画装置であって、
前記レーザビームによる記録範囲を走査方向に沿って等
分した区間の各々について、前記レーザビームの走査方
向に沿う偏向中に予め実測された画素配列ピッチのずれ
データに基づいて、前記クロックパルスの位相を２π以
下の単位でシフトすべき位置を位相シフト開始位置デー
タとして演算する演算手段と、前記区間の各々の描画作
動中に、前記演算手段によって得られた位相シフト開始
位置データに従って前記クロックパルスの位相をシフト
させて前記画素配列のずれを補正するように前記クロッ
クパルスの出力を制御するクロックパルス出力制御手段
とを具備して成るものである。
【００１０】本発明の第１の局面において、被描画体に
対するレーザビームによる走査が該レーザビームを該被
描画体に対して偏向させることによって行われる場合に
あっては、画素配列ピッチを詰めるとき、クロックパル
ス出力制御手段はクロックパルスの位相を負側にシフト
するように該クロックパルスの出力を制御し、画素配列
ピッチを広げるとき、クロックパルス出力制御手段はク
ロックパルスの位相を正側にシフトするように該クロッ
クパルスの出力を制御し得る。
対するレーザビームによる走査が該レーザビームを該被
描画体に対して偏向させることによって行われる場合に
あっては、画素配列ピッチを詰めるとき、クロックパル
ス出力制御手段はクロックパルスの位相を負側にシフト
するように該クロックパルスの出力を制御し、画素配列
ピッチを広げるとき、クロックパルス出力制御手段はク
ロックパルスの位相を正側にシフトするように該クロッ
クパルスの出力を制御し得る。
【００１１】また、本発明の第１の局面において、被描
画体に対するレーザビームによる走査が該被描画体を該
レーザビームに対して移動させることによって行われる
場合にあっては、画素配列ピッチを詰めるとき、クロッ
クパルス出力制御手段はクロックパルスの位相を正側に
シフトするように該クロックパルスの出力を制御し、画
素配列ピッチを広げるとき、クロックパルス出力制御手
段はクロックパルスの位相を負側にシフトするように該
クロックパルスの出力を制御し得る。
画体に対するレーザビームによる走査が該被描画体を該
レーザビームに対して移動させることによって行われる
場合にあっては、画素配列ピッチを詰めるとき、クロッ
クパルス出力制御手段はクロックパルスの位相を正側に
シフトするように該クロックパルスの出力を制御し、画
素配列ピッチを広げるとき、クロックパルス出力制御手
段はクロックパルスの位相を負側にシフトするように該
クロックパルスの出力を制御し得る。
【００１２】本発明の第１の局面において、クロックパ
ルス出力制御手段はクロックパルスとして位相の異なる
少なくとも２つ以上のクロックパルスを発生させるクロ
ックパルス発生手段と、このクロックパルス発生手段か
らの少なくとも２つ以上のクロックパルスを選択的に切
り換えて出力するクロックパルス切換手段とを包含し得
る。
ルス出力制御手段はクロックパルスとして位相の異なる
少なくとも２つ以上のクロックパルスを発生させるクロ
ックパルス発生手段と、このクロックパルス発生手段か
らの少なくとも２つ以上のクロックパルスを選択的に切
り換えて出力するクロックパルス切換手段とを包含し得
る。
【００１３】本発明の第２の局面によるレーザ描画装置
は、被描画体を偏向レーザビームでもって主走査方向に
走査させつつ該被描画体に対する偏向レーザビームの変
調をラスタデータに基づいて所定の周波数の第１のクロ
ックパルスに従って制御しかつ前記被描画体を副走査方
向に所定の周波数の第２のクロックパルスに従って制御
して描画を行うレーザ描画装置であって、前記レーザビ
ームによる記録範囲を主走査方向に沿って等分した第１
の区間の各々について、前記レーザビームの主走査方向
に沿う偏向中に予め実測された主走査方向画素配列ピッ
チのずれデータに基づいて、前記第１のクロックパルス
の位相を２π以下の単位でシフトすべき位置を第１の位
相シフト開始位置データとして演算する第１の演算手段
と、前記記録範囲を副走査方向に沿って等分した第２の
区間の各々について、前記被描画体の副走査方向に沿う
移動中に予め実測された副走査方向画素配列ピッチのず
れデータに基づいて、前記第２のクロックパルスの位相
を２π以下の単位でシフトすべき位置を第２の位相シフ
ト開始位置データとして演算する第２の演算手段と、描
画作動中に前記第１の演算手段によって得られた第１の
位相シフト開始位置データに従って前記第１のクロック
パルスの位相をシフトさせて、前記第１の区間の各々に
おける前記主走査方向画素配列のずれを補正するように
前記第１のクロックパルスの出力を制御する第１のクロ
ックパルス出力制御手段と、描画作動中に前記第２の演
算手段によって得られた第２の位相シフト開始位置デー
タに従って前記第２のクロックパルスの位相をシフトさ
せて、前記第２の区間の各々における前記副走査方向画
素配列のずれを補正するように前記第２のクロックパル
スの出力を制御する第２のクロックパルス出力制御手段
とを具備して成るものである。
は、被描画体を偏向レーザビームでもって主走査方向に
走査させつつ該被描画体に対する偏向レーザビームの変
調をラスタデータに基づいて所定の周波数の第１のクロ
ックパルスに従って制御しかつ前記被描画体を副走査方
向に所定の周波数の第２のクロックパルスに従って制御
して描画を行うレーザ描画装置であって、前記レーザビ
ームによる記録範囲を主走査方向に沿って等分した第１
の区間の各々について、前記レーザビームの主走査方向
に沿う偏向中に予め実測された主走査方向画素配列ピッ
チのずれデータに基づいて、前記第１のクロックパルス
の位相を２π以下の単位でシフトすべき位置を第１の位
相シフト開始位置データとして演算する第１の演算手段
と、前記記録範囲を副走査方向に沿って等分した第２の
区間の各々について、前記被描画体の副走査方向に沿う
移動中に予め実測された副走査方向画素配列ピッチのず
れデータに基づいて、前記第２のクロックパルスの位相
を２π以下の単位でシフトすべき位置を第２の位相シフ
ト開始位置データとして演算する第２の演算手段と、描
画作動中に前記第１の演算手段によって得られた第１の
位相シフト開始位置データに従って前記第１のクロック
パルスの位相をシフトさせて、前記第１の区間の各々に
おける前記主走査方向画素配列のずれを補正するように
前記第１のクロックパルスの出力を制御する第１のクロ
ックパルス出力制御手段と、描画作動中に前記第２の演
算手段によって得られた第２の位相シフト開始位置デー
タに従って前記第２のクロックパルスの位相をシフトさ
せて、前記第２の区間の各々における前記副走査方向画
素配列のずれを補正するように前記第２のクロックパル
スの出力を制御する第２のクロックパルス出力制御手段
とを具備して成るものである。
【００１４】本発明の第２の局面において、主走査方向
画素配列ピッチを詰めるとき、第１のクロックパルス出
力制御手段は第１のクロックパルスの位相を負側にシフ
トするように該第１のクロックパルスの出力を制御し、
主走査方向画素配列ピッチを広げるとき、第１のクロッ
クパルス出力制御手段は第１のクロックパルスの位相を
正側にシフトするように該第１のクロックパルスの出力
を制御し得る。また、、副走査方向画素配列ピッチを詰
めるとき、第２のクロックパルス出力制御手段は第２の
クロックパルスの位相を正側にシフトするように該第２
のクロックパルスの出力を制御し、副走査方向画素配列
ピッチを広げるとき、第２のクロックパルス出力制御手
段は第２のクロックパルスの位相を負側にシフトするよ
うに該第２のクロックパルスの出力を制御し得る。
画素配列ピッチを詰めるとき、第１のクロックパルス出
力制御手段は第１のクロックパルスの位相を負側にシフ
トするように該第１のクロックパルスの出力を制御し、
主走査方向画素配列ピッチを広げるとき、第１のクロッ
クパルス出力制御手段は第１のクロックパルスの位相を
正側にシフトするように該第１のクロックパルスの出力
を制御し得る。また、、副走査方向画素配列ピッチを詰
めるとき、第２のクロックパルス出力制御手段は第２の
クロックパルスの位相を正側にシフトするように該第２
のクロックパルスの出力を制御し、副走査方向画素配列
ピッチを広げるとき、第２のクロックパルス出力制御手
段は第２のクロックパルスの位相を負側にシフトするよ
うに該第２のクロックパルスの出力を制御し得る。
【００１５】本発明の第２の局面において、第１のクロ
ックパルス出力制御手段が第１のクロックパルスとして
位相の異なる少なくとも２つ以上のクロックパルスを発
生させる第１のクロックパルス発生手段と、この第１の
クロックパルス発生手段からの少なくとも２つ以上のク
ロックパルスを選択的に切り換えて出力する第１のクロ
ックパルス切換手段とを包含し得る。また、２のクロッ
クパルス出力制御手段が第２のクロックパルスとして位
相の異なる少なくとも２つ以上のクロックパルスを発生
させる第２のクロックパルス発生手段と、この第２のク
ロックパルス発生手段からの少なくとも２つ以上のクロ
ックパルスを選択的に切り換えて出力する第２のクロッ
クパルス切換手段とを包含し得る。
ックパルス出力制御手段が第１のクロックパルスとして
位相の異なる少なくとも２つ以上のクロックパルスを発
生させる第１のクロックパルス発生手段と、この第１の
クロックパルス発生手段からの少なくとも２つ以上のク
ロックパルスを選択的に切り換えて出力する第１のクロ
ックパルス切換手段とを包含し得る。また、２のクロッ
クパルス出力制御手段が第２のクロックパルスとして位
相の異なる少なくとも２つ以上のクロックパルスを発生
させる第２のクロックパルス発生手段と、この第２のク
ロックパルス発生手段からの少なくとも２つ以上のクロ
ックパルスを選択的に切り換えて出力する第２のクロッ
クパルス切換手段とを包含し得る。
【００１６】本発明の第２の局面において、第１のクロ
ックパルス発生手段は好ましくはデジタルディレイライ
ンから構成され、第２のクロックパルス発生手段は好ま
しくはシフトレジスタから構成される。
ックパルス発生手段は好ましくはデジタルディレイライ
ンから構成され、第２のクロックパルス発生手段は好ま
しくはシフトレジスタから構成される。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明によるレーザ描画装
置の一実施形態について添付図面を参照して説明する。
置の一実施形態について添付図面を参照して説明する。
【００１８】図１には、本発明によるレーザ描画装置が
斜視図として概略的に示され、このレーザ描画装置はプ
リント回路基板を製造するための基板上のフォトレジス
ト層に回路パターンを直接描画するように構成されてい
るものである。
斜視図として概略的に示され、このレーザ描画装置はプ
リント回路基板を製造するための基板上のフォトレジス
ト層に回路パターンを直接描画するように構成されてい
るものである。
【００１９】レーザ描画装置は床面上に据え付けられた
基台１０を具備し、この基台１０の上面には一対のレー
ル１２が平行に設置される。一対のレール１２上にはＸ
テーブル１４が搭載され、このＸテーブル１４は図１で
は図示されない適当な駆動モータ例えばサーボモータあ
るいはステッピングモータ等でもって一対のレール１２
の長手方向即ちＸ方向に沿って移動し得るようになって
いる。
基台１０を具備し、この基台１０の上面には一対のレー
ル１２が平行に設置される。一対のレール１２上にはＸ
テーブル１４が搭載され、このＸテーブル１４は図１で
は図示されない適当な駆動モータ例えばサーボモータあ
るいはステッピングモータ等でもって一対のレール１２
の長手方向即ちＸ方向に沿って移動し得るようになって
いる。
【００２０】Ｘテーブル１４上にはθテーブル１６を介
して描画テーブル１８が設置され、その間には微調整駆
動器２０が互いに対向する側辺のそれぞれに２つずつ設
けられ、これにより描画テーブル１８の四隅のそれぞれ
の上下位置が微調整されるようになっている。なお、図
１では、図示の複雑化を避けるために一方の側辺に設け
られた２つの微調整駆動器２０だけが示されている。
して描画テーブル１８が設置され、その間には微調整駆
動器２０が互いに対向する側辺のそれぞれに２つずつ設
けられ、これにより描画テーブル１８の四隅のそれぞれ
の上下位置が微調整されるようになっている。なお、図
１では、図示の複雑化を避けるために一方の側辺に設け
られた２つの微調整駆動器２０だけが示されている。
【００２１】描画テーブル１８上にはフォトレジズト層
を持つ基板が被描画体として適当な搬送手段例えばベル
トコンベヤ等で搬送され、その基板は描画テーブル１８
上で適当なクランプ手段によって固定される。なお、図
１では、そのクランプ手段の一部を成すクランプ部材２
２が示される。
を持つ基板が被描画体として適当な搬送手段例えばベル
トコンベヤ等で搬送され、その基板は描画テーブル１８
上で適当なクランプ手段によって固定される。なお、図
１では、そのクランプ手段の一部を成すクランプ部材２
２が示される。
【００２２】基台１０の一方の側にはレーザ光源として
アルゴンレーザ発生器２４が設置され、このアルゴンレ
ーザ発生器２４から射出されたレーザビームＬＢはビー
ムベンダ２６によって上方に偏向される。一方、描画テ
ーブル１８の上方側には、図示されない適当な支持構造
体によって支持された固定テーブル板２８が配置され、
この固定テーブル体２８上にはビームベンダ２６によっ
て偏向されたレーザビームＬＢを処理するための種々光
学要素が設置される。なお、本実施形態では、アルゴン
レーザ発生器２４は水冷式とされ、その出力は1.8 W で
あり、そのレーザの波長は 488nmとされる。
アルゴンレーザ発生器２４が設置され、このアルゴンレ
ーザ発生器２４から射出されたレーザビームＬＢはビー
ムベンダ２６によって上方に偏向される。一方、描画テ
ーブル１８の上方側には、図示されない適当な支持構造
体によって支持された固定テーブル板２８が配置され、
この固定テーブル体２８上にはビームベンダ２６によっ
て偏向されたレーザビームＬＢを処理するための種々光
学要素が設置される。なお、本実施形態では、アルゴン
レーザ発生器２４は水冷式とされ、その出力は1.8 W で
あり、そのレーザの波長は 488nmとされる。
【００２３】固定テーブル板２８にはビームベンダ３０
が設けられ、このビームベンダ３０はビームベンダ２６
からのレーザビームＬＢを受け取ってビームスプリッタ
３２に向けられる。ビームスプリッタ３２はレーザビー
ムＬＢを２つのレーザビームＬＢ１及びＬＢ２に分割さ
れる。レーザビームＬＢ１はビームベンダ３４及び３６
を介してビームセパレータ３８に向けられ、またレーザ
ビームＬＢ２はビームベンダ４０、４２及び４４を介し
てビームセパレータ４６に向けられる。
が設けられ、このビームベンダ３０はビームベンダ２６
からのレーザビームＬＢを受け取ってビームスプリッタ
３２に向けられる。ビームスプリッタ３２はレーザビー
ムＬＢを２つのレーザビームＬＢ１及びＬＢ２に分割さ
れる。レーザビームＬＢ１はビームベンダ３４及び３６
を介してビームセパレータ３８に向けられ、またレーザ
ビームＬＢ２はビームベンダ４０、４２及び４４を介し
てビームセパレータ４６に向けられる。
【００２４】ビームセパレータ３８はレーザビームＬＢ
１を８本の平行レーザビームに分割し、同様にビームセ
パレータ４６はレーザビームＬＢ２を８本の平行レーザ
ビームに分割する。ビームセパレータ３８からの平行レ
ーザビームはビームベンダ４８及び５０によって電子シ
ャッタ５２に導かれ、またビームセパレータ４６からの
平行レーザビームはビームベンダ５４及び５６によって
電子シャッタ５８に導かれる。
１を８本の平行レーザビームに分割し、同様にビームセ
パレータ４６はレーザビームＬＢ２を８本の平行レーザ
ビームに分割する。ビームセパレータ３８からの平行レ
ーザビームはビームベンダ４８及び５０によって電子シ
ャッタ５２に導かれ、またビームセパレータ４６からの
平行レーザビームはビームベンダ５４及び５６によって
電子シャッタ５８に導かれる。
【００２５】電子シャッタ５２及び５８の各々は８つの
音響光学素子から形成され、各音響光学素子には８本の
レーザビームのうちの該当レーザビームが割り当てられ
る。電子シャッタ５２を経た８本のレーザは光合成器６
０に入射させられ、一方電子シャッタ５８を経た８本の
レーザビームはビームベンダ６２を介して光合成器６０
に入射させられる。光合成器６０は例えば偏光ビームス
プリッタとして構成され、電子シャッタ５２及び５８の
それぞれを経た８本のレーザビームは光合成器（偏光ビ
ームスプリッタ）６０によって16本のレーザビームに纏
められる。16本のレーザビームはビームベンダ６４、６
６及び６８を介してポリゴンミラー７０に入射させら
れ、その各回転反射面によって所定の走査範囲にわった
て偏向させられる。
音響光学素子から形成され、各音響光学素子には８本の
レーザビームのうちの該当レーザビームが割り当てられ
る。電子シャッタ５２を経た８本のレーザは光合成器６
０に入射させられ、一方電子シャッタ５８を経た８本の
レーザビームはビームベンダ６２を介して光合成器６０
に入射させられる。光合成器６０は例えば偏光ビームス
プリッタとして構成され、電子シャッタ５２及び５８の
それぞれを経た８本のレーザビームは光合成器（偏光ビ
ームスプリッタ）６０によって16本のレーザビームに纏
められる。16本のレーザビームはビームベンダ６４、６
６及び６８を介してポリゴンミラー７０に入射させら
れ、その各回転反射面によって所定の走査範囲にわった
て偏向させられる。
【００２６】ポリゴンミラー７０の各回転反射面によっ
て所定の走査範囲にわったて偏向させられる16本のレー
ザビームは先ずｆθレンズ７２を通過させられ、次いで
ターニングミラー７４によって描画テーブル１８側に偏
向させられた後にコンデンサレンズ７６を経て描画テー
ブル１８上に到達させられる。要するに、16本のレーザ
ビームはポリゴンミラー７０の各回転反射面によってＹ
軸方向即ち主走査方向に偏向される。
て所定の走査範囲にわったて偏向させられる16本のレー
ザビームは先ずｆθレンズ７２を通過させられ、次いで
ターニングミラー７４によって描画テーブル１８側に偏
向させられた後にコンデンサレンズ７６を経て描画テー
ブル１８上に到達させられる。要するに、16本のレーザ
ビームはポリゴンミラー７０の各回転反射面によってＹ
軸方向即ち主走査方向に偏向される。
【００２７】従って、フォトレジスト層を持つ基板が先
に述べたように描画テーブル１８上に設置されていれ
ば、その基板上のフォトレジスト層表面はポリゴンミラ
ー７０の各回転反射面によって偏向される16本のレーザ
ビームでもって一度に走査（主走査方向）される。かく
して、各電子シャッタ５２、５８の８つの音響光学素子
がラスタデータに基づいて所定の周波数のクロックパル
スに従って作動させられれ、これにより16本のレーザビ
ームが変調されると、該フォトレジスト層表面にはかか
るラスタデータに基づく所定の回路パターンが描画され
る。
に述べたように描画テーブル１８上に設置されていれ
ば、その基板上のフォトレジスト層表面はポリゴンミラ
ー７０の各回転反射面によって偏向される16本のレーザ
ビームでもって一度に走査（主走査方向）される。かく
して、各電子シャッタ５２、５８の８つの音響光学素子
がラスタデータに基づいて所定の周波数のクロックパル
スに従って作動させられれ、これにより16本のレーザビ
ームが変調されると、該フォトレジスト層表面にはかか
るラスタデータに基づく所定の回路パターンが描画され
る。
【００２８】16本のレーザビームによる主走査方向の走
査が行われている間、描画テーブル１８はＸテーブル１
４によってＸ軸方向即ち副走査方向に沿って順次移動さ
せられ、16本のレーザビームによる主走査方向の走査が
終了したとき、描画テーブル１８の移動距離はかかる16
本のレーザビームの幅に相当した距離となる。かくし
て、16本のレーザビームによる主走査方向の走査を繰り
返すことにとにより、基板上のフォトレジスト層表面上
には所定の回路パターンが16本のレーザビームによる主
走査方向の走査によって順次描かれる。
査が行われている間、描画テーブル１８はＸテーブル１
４によってＸ軸方向即ち副走査方向に沿って順次移動さ
せられ、16本のレーザビームによる主走査方向の走査が
終了したとき、描画テーブル１８の移動距離はかかる16
本のレーザビームの幅に相当した距離となる。かくし
て、16本のレーザビームによる主走査方向の走査を繰り
返すことにとにより、基板上のフォトレジスト層表面上
には所定の回路パターンが16本のレーザビームによる主
走査方向の走査によって順次描かれる。
【００２９】主走査方向と副走査方向とが互いに直角で
あるとすると、16本のレーザビームによる主走査方向の
走査ラインはＸ軸方向（副走査方向）に対して傾斜した
ものとなる。というのは、上述したように、16本のレー
ザビームによる主走査方向の走査が行われている間、描
画テーブル１８はＸテーブル１４によってＸ軸方向即ち
副走査方向に沿って所定の速度で順次移動させられるか
らである。しかしながら、実際には、主走査方向はＸ軸
方向に対して予め所定角度だけ傾斜させられ、このため
16本のレーザビームによる主走査方向の走査ラインは副
走査方向に対して直角となる。
あるとすると、16本のレーザビームによる主走査方向の
走査ラインはＸ軸方向（副走査方向）に対して傾斜した
ものとなる。というのは、上述したように、16本のレー
ザビームによる主走査方向の走査が行われている間、描
画テーブル１８はＸテーブル１４によってＸ軸方向即ち
副走査方向に沿って所定の速度で順次移動させられるか
らである。しかしながら、実際には、主走査方向はＸ軸
方向に対して予め所定角度だけ傾斜させられ、このため
16本のレーザビームによる主走査方向の走査ラインは副
走査方向に対して直角となる。
【００３０】図２を参照すると、本発明によるレーザ描
画装置のブロック図が示され、同ブロック図において、
参照符号７８はシステムコントロール回路を示し、この
システムコントロール回路７８は例えば中央演算装置
（ＣＰＵ）等のマイクロプロセッサ及びメモリ（ＲＯ
Ｍ、ＲＡＭ）等からなるマイクロコンピュータとして構
成される。
画装置のブロック図が示され、同ブロック図において、
参照符号７８はシステムコントロール回路を示し、この
システムコントロール回路７８は例えば中央演算装置
（ＣＰＵ）等のマイクロプロセッサ及びメモリ（ＲＯ
Ｍ、ＲＡＭ）等からなるマイクロコンピュータとして構
成される。
【００３１】システムコントロール回路７８には、２つ
のＣＣＤカメラ８０が画像処理回路８２を介して接続さ
れる。ＣＣＤカメラ８０の各々は固体撮像素子としてＣ
ＣＤ(charge-coupled device) から成る小型カメラであ
り、図１に示すように、描画テーブル１８の上方側でし
かもかつコンデンサレンズ７６に接近した側に固定位置
に配置される。
のＣＣＤカメラ８０が画像処理回路８２を介して接続さ
れる。ＣＣＤカメラ８０の各々は固体撮像素子としてＣ
ＣＤ(charge-coupled device) から成る小型カメラであ
り、図１に示すように、描画テーブル１８の上方側でし
かもかつコンデンサレンズ７６に接近した側に固定位置
に配置される。
【００３２】ＣＣＤカメラ８０はフォトレジスト層を持
つ基板の四隅のそれぞれに設けられた位置決めマークを
映像として読み取り、その映像信号は画像処理回路８２
を経てシステムコントロール回路７８に取り込まれる。
システムコントロール回路７８はかかる位置決めマーク
から得られた映像信号に基づいて位置決めマークの座標
を求め、これにより描画テーブル１８上のかかる基板の
位置が確認されて該基板上に対して適正な位置で回路パ
ターンが描画され得ることになる。
つ基板の四隅のそれぞれに設けられた位置決めマークを
映像として読み取り、その映像信号は画像処理回路８２
を経てシステムコントロール回路７８に取り込まれる。
システムコントロール回路７８はかかる位置決めマーク
から得られた映像信号に基づいて位置決めマークの座標
を求め、これにより描画テーブル１８上のかかる基板の
位置が確認されて該基板上に対して適正な位置で回路パ
ターンが描画され得ることになる。
【００３３】システムコントロール回路７８には画素配
列補正処理回路８４が接続され、この画素配列補正処理
回路８４には図３に図示すようにＹ軸画素配列補正処理
回路８４Ｙ及びＸ軸画素配列補正処理回路８４Ｘが設け
られる。Ｙ軸画素配列補正処理回路８４ＹはＹ軸方向即
ち主走査方向に沿う画素配列の補正処理を行うものであ
り、またＸ軸画素配列補正処理回路８４ＸはＸ軸方向即
ち副走査方向に沿う画素配列の補正処理を行うものであ
る。
列補正処理回路８４が接続され、この画素配列補正処理
回路８４には図３に図示すようにＹ軸画素配列補正処理
回路８４Ｙ及びＸ軸画素配列補正処理回路８４Ｘが設け
られる。Ｙ軸画素配列補正処理回路８４ＹはＹ軸方向即
ち主走査方向に沿う画素配列の補正処理を行うものであ
り、またＸ軸画素配列補正処理回路８４ＸはＸ軸方向即
ち副走査方向に沿う画素配列の補正処理を行うものであ
る。
【００３４】図４を参照すると、そこにはＹ軸画素配列
補正処理回路８４Ｙが詳しく図示され、同図から明らか
なように、Ｙ軸画素配列補正処理回路８４Ｙには２つの
ディレイライン８４Ｙ−１及び８４Ｙ−２が設けられ
る。ディレイライン８４Ｙ−１には基本クロックパルス
YCK-INがバッファ８４Ｙ−３を介して入力される。一
方、ディレイライン８４Ｙ−２には基本クロックパルス
YCK-INがインバータ８４Ｙ−４を介して入力され、この
ためディレイライン８４Ｙ−２への基本クロックパルス
の位相は基本クロックパルスYCK-INに対してπだけずれ
たものとなる。
補正処理回路８４Ｙが詳しく図示され、同図から明らか
なように、Ｙ軸画素配列補正処理回路８４Ｙには２つの
ディレイライン８４Ｙ−１及び８４Ｙ−２が設けられ
る。ディレイライン８４Ｙ−１には基本クロックパルス
YCK-INがバッファ８４Ｙ−３を介して入力される。一
方、ディレイライン８４Ｙ−２には基本クロックパルス
YCK-INがインバータ８４Ｙ−４を介して入力され、この
ためディレイライン８４Ｙ−２への基本クロックパルス
の位相は基本クロックパルスYCK-INに対してπだけずれ
たものとなる。
【００３５】本実施形態では、ディレイライン８４Ｙ−
１は基本クロックパルスYCK-INに基づいて５つのクロッ
クパルスYCK-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4及び
YCK-SFT5を出力するようになっている。図５のタイムチ
ャートに示すように、クロックパルスYCK-SFT1は基本ク
ロックパルスYCK-INと同じ位相を有し、クロックパルス
YCK-SFT2の位相はクロックパルスYCK-SFT1に対してπ/5
だけ正側にずれる。同様に、クロックパルスYCK-SFT3な
いしYCK-SFT5のそれぞれもその直前のクロックパルスに
対してπ/5だけ順次正側にずれる。かくして、クロック
パルスYCK-SFT5の位相はクロックパルスYCK-SFT1（基本
クロックパルスYCK-IN）に対して 4π/5だけずれること
になる。
１は基本クロックパルスYCK-INに基づいて５つのクロッ
クパルスYCK-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4及び
YCK-SFT5を出力するようになっている。図５のタイムチ
ャートに示すように、クロックパルスYCK-SFT1は基本ク
ロックパルスYCK-INと同じ位相を有し、クロックパルス
YCK-SFT2の位相はクロックパルスYCK-SFT1に対してπ/5
だけ正側にずれる。同様に、クロックパルスYCK-SFT3な
いしYCK-SFT5のそれぞれもその直前のクロックパルスに
対してπ/5だけ順次正側にずれる。かくして、クロック
パルスYCK-SFT5の位相はクロックパルスYCK-SFT1（基本
クロックパルスYCK-IN）に対して 4π/5だけずれること
になる。
【００３６】一方、ディレイライン８４Ｙ−２は基本ク
ロックパルスYCK-INに対してπだけずれたクロックパル
スに基づいて５つのクロックパルスYCK-SFT6、YCK-SFT
7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10 を出力するよう
になっている。図５のタイムチャートに示すように、ク
ロックパルスYCK-SFT6はディレイライン８４Ｙ−２に入
力されるクロックパルスと同じ位相を有し、クロックパ
ルスYCK-SFT7の位相はクロックパルスYCK-SFT6に対して
π/5だけ正側にずれる。同様に、クロックパルスYCK-SF
T7ないしYCK-SFT10 のそれぞれもその直前のクロックパ
ルスに対してπ/5だけ順次正側にずれる。かくして、ク
ロックパルスYCK-SFT10 の位相はクロックパルスYCK-SF
T1（基本クロックパルスYCK-IN）に対して9 π/5 (18π
/10)だけ正側に位相がずれたものとなる。
ロックパルスYCK-INに対してπだけずれたクロックパル
スに基づいて５つのクロックパルスYCK-SFT6、YCK-SFT
7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10 を出力するよう
になっている。図５のタイムチャートに示すように、ク
ロックパルスYCK-SFT6はディレイライン８４Ｙ−２に入
力されるクロックパルスと同じ位相を有し、クロックパ
ルスYCK-SFT7の位相はクロックパルスYCK-SFT6に対して
π/5だけ正側にずれる。同様に、クロックパルスYCK-SF
T7ないしYCK-SFT10 のそれぞれもその直前のクロックパ
ルスに対してπ/5だけ順次正側にずれる。かくして、ク
ロックパルスYCK-SFT10 の位相はクロックパルスYCK-SF
T1（基本クロックパルスYCK-IN）に対して9 π/5 (18π
/10)だけ正側に位相がずれたものとなる。
【００３７】要するに、ディレイライン８４Ｙ−１及び
８４Ｙ−２の双方から出力される10種類のクロックパル
スYCK-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT
5、YCK-SFT6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-S
FT10 は順次π/5だけ正側に位相がずれたものとなる。
なお、クロックパルスYCK-SFT10 の位相が更にπ/5だけ
シフトされると、その位相は基本クロックパルスYCK-IN
（即ち、クロックパルスYCK-SFT1）の位相と同じにな
る。
８４Ｙ−２の双方から出力される10種類のクロックパル
スYCK-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT
5、YCK-SFT6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-S
FT10 は順次π/5だけ正側に位相がずれたものとなる。
なお、クロックパルスYCK-SFT10 の位相が更にπ/5だけ
シフトされると、その位相は基本クロックパルスYCK-IN
（即ち、クロックパルスYCK-SFT1）の位相と同じにな
る。
【００３８】図４に示すように、Ｙ軸画素配列補正処理
回路８４Ｙには更にパルス出力制御回路８４Ｙ−５及び
マルチプレクサ８４Ｙ−６が設けられ、パルス出力制御
回路８４Ｙ−５からは４種類の選択信号Y-SEL1、Y-SEL
2、Y-SEL3及びY-SEL4がマルチプレクサ８４Ｙ−６に対
して出力されるようになっている。パルス出力制御回路
８４Ｙ−５からの４種類の選択信号Y-SEL1、Y-SEL2、Y-
SEL3及びY-SEL4の出力レベルはシステムコントロール回
路７８からパルス出力制御回路８４Ｙ−５に対して出力
される指令信号に基づいて制御される。
回路８４Ｙには更にパルス出力制御回路８４Ｙ−５及び
マルチプレクサ８４Ｙ−６が設けられ、パルス出力制御
回路８４Ｙ−５からは４種類の選択信号Y-SEL1、Y-SEL
2、Y-SEL3及びY-SEL4がマルチプレクサ８４Ｙ−６に対
して出力されるようになっている。パルス出力制御回路
８４Ｙ−５からの４種類の選択信号Y-SEL1、Y-SEL2、Y-
SEL3及びY-SEL4の出力レベルはシステムコントロール回
路７８からパルス出力制御回路８４Ｙ−５に対して出力
される指令信号に基づいて制御される。
【００３９】要するに、システムコントロール回路７８
からの指令信号に基づいてパルス出力制御回路８４Ｙ−
５からの４種類の選択信号Y-SEL1、Y-SEL2、Y-SEL3及び
Y-SEL4の出力レベルの組合を変えることにより、マルチ
プレクサ８４Ｙ−６から10種類のクロックパルスYCK-SF
T1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT5、YCK-SF
T6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10 のう
ちのいずれかが出力される。例えば、本実施形態では、
パルス出力制御回路８４Ｙ−５からの４種類の選択信号
Y-SEL1、Y-SEL2、Y-SEL3及びY-SEL4の出力レベルの組合
とマルチプレクサ８４Ｙ−６から出力されるクロックパ
ルスの種類との関係は下記の表１に示すようなものとな
る。
からの指令信号に基づいてパルス出力制御回路８４Ｙ−
５からの４種類の選択信号Y-SEL1、Y-SEL2、Y-SEL3及び
Y-SEL4の出力レベルの組合を変えることにより、マルチ
プレクサ８４Ｙ−６から10種類のクロックパルスYCK-SF
T1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT5、YCK-SF
T6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10 のう
ちのいずれかが出力される。例えば、本実施形態では、
パルス出力制御回路８４Ｙ−５からの４種類の選択信号
Y-SEL1、Y-SEL2、Y-SEL3及びY-SEL4の出力レベルの組合
とマルチプレクサ８４Ｙ−６から出力されるクロックパ
ルスの種類との関係は下記の表１に示すようなものとな
る。
【００４０】
【表１】
【００４１】表１から明らかなように、例えば、マルチ
プレクサ８４Ｙ−６からクロックパルスYCK-SET3を出力
するためには、選択信号Y-SEL3及びY-SEL4をローレベル
（Ｌ）とし、その他の選択信号Y-SEL1及びY-SEL2をハイ
レベル（Ｈ）とすればよく、またマルチプレクサ８４Ｙ
−６からクロックパルスYCK-SET1を出力するためには、
４種類の選択信号のうちY-SEL1だけをハイレベル（Ｈ）
とすればよい。
プレクサ８４Ｙ−６からクロックパルスYCK-SET3を出力
するためには、選択信号Y-SEL3及びY-SEL4をローレベル
（Ｌ）とし、その他の選択信号Y-SEL1及びY-SEL2をハイ
レベル（Ｈ）とすればよく、またマルチプレクサ８４Ｙ
−６からクロックパルスYCK-SET1を出力するためには、
４種類の選択信号のうちY-SEL1だけをハイレベル（Ｈ）
とすればよい。
【００４２】図６を参照すると、そこにはＸ軸画素配列
補正処理回路８４Ｘが詳しく図示され、同図から明らか
なように、Ｘ軸画素配列補正処理回路８４Ｘには２つの
シフトレジスタ８４Ｘ−１及び８４Ｘ−２が設けられ
る。シフトレジスタ８４Ｘ−１には図８のタイムチャー
トに示すような基本クロックパルスXCK-INが入力され、
またシフトレジスタ８４Ｘ−１には基本クロックパルス
XCK-INの５倍の周波数を持つクロックパルスXCK-5IN が
バッファ８４Ｘ−３を介して入力される。同様に、シフ
トレジスタ８４Ｘ−２にも基本クロックパルスXCK-INが
入力され、またシフトレジスタ８４Ｘ−２にも基本クロ
ックパルスXCK-INの５倍の周波数を持つクロックパルス
XCK-5IN がインバータ８４Ｘ−４を介して入力され、こ
のためディレイライン８４Ｘ−２へのクロックパルスは
クロックパルスXCK-5IN を反転したクロックパルス、即
ちクロックパルスXCK-5IN の位相をπだけずらしたクロ
ックパルス（図７では、反転クロックパルスXCK-5IN*と
して示される）となる。なお、クロックパルスXCK-5IN
はシステムコントロール回路７８内の発振器から得られ
るクロックパルスを適宜分周することにより得られるも
のである。
補正処理回路８４Ｘが詳しく図示され、同図から明らか
なように、Ｘ軸画素配列補正処理回路８４Ｘには２つの
シフトレジスタ８４Ｘ−１及び８４Ｘ−２が設けられ
る。シフトレジスタ８４Ｘ−１には図８のタイムチャー
トに示すような基本クロックパルスXCK-INが入力され、
またシフトレジスタ８４Ｘ−１には基本クロックパルス
XCK-INの５倍の周波数を持つクロックパルスXCK-5IN が
バッファ８４Ｘ−３を介して入力される。同様に、シフ
トレジスタ８４Ｘ−２にも基本クロックパルスXCK-INが
入力され、またシフトレジスタ８４Ｘ−２にも基本クロ
ックパルスXCK-INの５倍の周波数を持つクロックパルス
XCK-5IN がインバータ８４Ｘ−４を介して入力され、こ
のためディレイライン８４Ｘ−２へのクロックパルスは
クロックパルスXCK-5IN を反転したクロックパルス、即
ちクロックパルスXCK-5IN の位相をπだけずらしたクロ
ックパルス（図７では、反転クロックパルスXCK-5IN*と
して示される）となる。なお、クロックパルスXCK-5IN
はシステムコントロール回路７８内の発振器から得られ
るクロックパルスを適宜分周することにより得られるも
のである。
【００４３】シフトレジスタ８４Ｘ−１からはクロック
パルスXCK-5IN と基本クロックパルスXCK-INとに基づい
て作成されたクロックパルスXCK-SFT1が出力され、この
クロックパルスXCK-SFT1は基本クロックパルスXCK-INと
同じ位相を持つ。また、シフトレジスタ８４Ｘ−１から
はクロックパルスXCK-5IN とクロックパルスXCK-SFT1と
に基づいて作成されたクロックパルスXCK-SFT3が出力さ
れ、このクロックパルスXCK-SFT3はクロックパルスXCK-
SFT1に対して 2π/5だけ正側に位相がずれたものとな
る。更に、シフトレジスタ８４Ｘ−１からはクロックパ
ルスXCK-5IN とクロックパルスXCK-SFT3とに基づいて作
成されたクロックパルスXCK-SFT5が出力され、このクロ
ックパルスXCK-SFT5はクロックパルスXCK-SFT1に対して
4π/5だけ正側に位相がずれたものとなる。更にまた、
シフトレジスタ８４Ｘ−１からはクロックパルスXCK-5I
N とクロックパルスXCK-SFT5とに基づいて作成されたク
ロックパルスXCK-SFT7が出力され、このクロックパルス
XCK-SFT7はクロックパルスXCK-SFT1に対して 6π/5だけ
正側に位相がずれたものとなる。そして更にまた、シフ
トレジスタ８４Ｘ−１からはクロックパルスXCK-5IN と
クロックパルスXCK-SFT7とに基づいて作成されたクロッ
クパルスXCK-SFT9が出力され、このクロックパルスXCK-
SFT9はクロックパルスXCK-SFT1に対して 8π/5だけ正側
に位相がずれたものとなる。
パルスXCK-5IN と基本クロックパルスXCK-INとに基づい
て作成されたクロックパルスXCK-SFT1が出力され、この
クロックパルスXCK-SFT1は基本クロックパルスXCK-INと
同じ位相を持つ。また、シフトレジスタ８４Ｘ−１から
はクロックパルスXCK-5IN とクロックパルスXCK-SFT1と
に基づいて作成されたクロックパルスXCK-SFT3が出力さ
れ、このクロックパルスXCK-SFT3はクロックパルスXCK-
SFT1に対して 2π/5だけ正側に位相がずれたものとな
る。更に、シフトレジスタ８４Ｘ−１からはクロックパ
ルスXCK-5IN とクロックパルスXCK-SFT3とに基づいて作
成されたクロックパルスXCK-SFT5が出力され、このクロ
ックパルスXCK-SFT5はクロックパルスXCK-SFT1に対して
4π/5だけ正側に位相がずれたものとなる。更にまた、
シフトレジスタ８４Ｘ−１からはクロックパルスXCK-5I
N とクロックパルスXCK-SFT5とに基づいて作成されたク
ロックパルスXCK-SFT7が出力され、このクロックパルス
XCK-SFT7はクロックパルスXCK-SFT1に対して 6π/5だけ
正側に位相がずれたものとなる。そして更にまた、シフ
トレジスタ８４Ｘ−１からはクロックパルスXCK-5IN と
クロックパルスXCK-SFT7とに基づいて作成されたクロッ
クパルスXCK-SFT9が出力され、このクロックパルスXCK-
SFT9はクロックパルスXCK-SFT1に対して 8π/5だけ正側
に位相がずれたものとなる。
【００４４】シフトレジスタ８４Ｘ−２からは反転クロ
ックパルスXCK-5IN*と基本クロックパルスXCK-INとに基
づいて作成されたクロックパルスXCK-SFT2が出力され、
このクロックパルスXCK-SFT2は基本クロックパルスXCK-
INに対してπ/5(2π/10)だけ正側に位相がずれたものと
なる。また、シフトレジスタ８４Ｘ−２からは反転クロ
ックパルスXCK-5IN*とクロックパルスXCK-SFT2とに基づ
いて作成されたクロックパルスXCK-SFT4が出力され、こ
のクロックパルスXCK-SFT4はクロックパルスXCK-SFT1に
対して 3π/5(6π/10)だけ正側に位相がずれたものとな
る。更に、シフトレジスタ８４Ｘ−２からは反転クロッ
クパルスXCK-5IN*とクロックパルスXCK-SFT4とに基づい
て作成されたクロックパルスXCK-SFT6が出力され、この
クロックパルスXCK-SFT6はクロックパルスXCK-SFT1に対
してπ (10π/10)だけ正側に位相がずれたものとなる。
更にまた、シフトレジスタ８４Ｘ−２からは反転クロッ
クパルスXCK-5IN*とクロックパルスXCK-SFT6とに基づい
て作成されたクロックパルスXCK-SFT8が出力され、この
クロックパルスXCK-SFT8はクロックパルスXCK-SFT1に対
して 7π/5 (14π/10)だけ正側に位相がずれたものとな
る。そして更にまた、シフトレジスタ８４Ｘ−２からは
反転クロックパルスXCK-5IN*とクロックパルスXCK-SFT8
とに基づいて作成されたクロックパルスXCK-SFT10 が出
力され、このクロックパルスXCK-SFT10 はクロックパル
スXCK-SFT1に対して 9π/5 (18π/10)だけ正側に位相が
ずれたものとなる。
ックパルスXCK-5IN*と基本クロックパルスXCK-INとに基
づいて作成されたクロックパルスXCK-SFT2が出力され、
このクロックパルスXCK-SFT2は基本クロックパルスXCK-
INに対してπ/5(2π/10)だけ正側に位相がずれたものと
なる。また、シフトレジスタ８４Ｘ−２からは反転クロ
ックパルスXCK-5IN*とクロックパルスXCK-SFT2とに基づ
いて作成されたクロックパルスXCK-SFT4が出力され、こ
のクロックパルスXCK-SFT4はクロックパルスXCK-SFT1に
対して 3π/5(6π/10)だけ正側に位相がずれたものとな
る。更に、シフトレジスタ８４Ｘ−２からは反転クロッ
クパルスXCK-5IN*とクロックパルスXCK-SFT4とに基づい
て作成されたクロックパルスXCK-SFT6が出力され、この
クロックパルスXCK-SFT6はクロックパルスXCK-SFT1に対
してπ (10π/10)だけ正側に位相がずれたものとなる。
更にまた、シフトレジスタ８４Ｘ−２からは反転クロッ
クパルスXCK-5IN*とクロックパルスXCK-SFT6とに基づい
て作成されたクロックパルスXCK-SFT8が出力され、この
クロックパルスXCK-SFT8はクロックパルスXCK-SFT1に対
して 7π/5 (14π/10)だけ正側に位相がずれたものとな
る。そして更にまた、シフトレジスタ８４Ｘ−２からは
反転クロックパルスXCK-5IN*とクロックパルスXCK-SFT8
とに基づいて作成されたクロックパルスXCK-SFT10 が出
力され、このクロックパルスXCK-SFT10 はクロックパル
スXCK-SFT1に対して 9π/5 (18π/10)だけ正側に位相が
ずれたものとなる。
【００４５】要するに、シフトレジスタ８４Ｘ−１及び
８４Ｘ−２の双方から出力される10種類のクロックパル
スXCK-SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-SFT
5、XCK-SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXCK-S
FT10 は順次π/5だけ正側に位相がずれたものとなる。
なお、クロックパルスXCK-SFT10 の位相が更にπ/5だけ
シフトされると、その位相はクロックパルスXCK-SFT1の
位相と同じになる。
８４Ｘ−２の双方から出力される10種類のクロックパル
スXCK-SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-SFT
5、XCK-SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXCK-S
FT10 は順次π/5だけ正側に位相がずれたものとなる。
なお、クロックパルスXCK-SFT10 の位相が更にπ/5だけ
シフトされると、その位相はクロックパルスXCK-SFT1の
位相と同じになる。
【００４６】図６に示すように、Ｘ軸画素配列補正処理
回路８４Ｘには更にパルス出力制御回路８４Ｘ−５及び
マルチプレクサ８４Ｘ−６が設けられ、パルス出力制御
回路８４Ｘ−５からは４種類の選択信号X-SEL1、X-SEL
2、X-SEL3及びX-SEL4がマルチプレクサ８４Ｘ−６に対
して出力されるようになっている。パルス出力制御回路
８４Ｘ−５からの４種類の選択信号X-SEL1、X-SEL2、X-
SEL3及びX-SEL4の出力レベルはシステムコントロール回
路７８からパルス出力制御回路８４Ｘ−５に対して出力
される指令信号に基づいて制御される。
回路８４Ｘには更にパルス出力制御回路８４Ｘ−５及び
マルチプレクサ８４Ｘ−６が設けられ、パルス出力制御
回路８４Ｘ−５からは４種類の選択信号X-SEL1、X-SEL
2、X-SEL3及びX-SEL4がマルチプレクサ８４Ｘ−６に対
して出力されるようになっている。パルス出力制御回路
８４Ｘ−５からの４種類の選択信号X-SEL1、X-SEL2、X-
SEL3及びX-SEL4の出力レベルはシステムコントロール回
路７８からパルス出力制御回路８４Ｘ−５に対して出力
される指令信号に基づいて制御される。
【００４７】要するに、システムコントロール回路７８
からの指令信号に基づいてパルス出力制御回路８４Ｘ−
５からの４種類の選択信号X-SEL1、X-SEL2、X-SEL3及び
X-SEL4の出力レベルの組合を変えることにより、マルチ
プレクサ８４Ｘ−６から10種類のクロックパルスXCK-SF
T1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-SFT5、XCK-SF
T6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXCK-SFT10 のう
ちのいずれかが出力される。例えば、本実施形態では、
パルス出力制御回路８４Ｘ−５からの４種類の選択信号
X-SEL1、X-SEL2、X-SEL3及びX-SEL4の出力レベルの組合
とマルチプレクサ８４Ｘ−６から出力されるクロックパ
ルスの種類との関係は下記の表２に示すようなものとな
る。
からの指令信号に基づいてパルス出力制御回路８４Ｘ−
５からの４種類の選択信号X-SEL1、X-SEL2、X-SEL3及び
X-SEL4の出力レベルの組合を変えることにより、マルチ
プレクサ８４Ｘ−６から10種類のクロックパルスXCK-SF
T1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-SFT5、XCK-SF
T6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXCK-SFT10 のう
ちのいずれかが出力される。例えば、本実施形態では、
パルス出力制御回路８４Ｘ−５からの４種類の選択信号
X-SEL1、X-SEL2、X-SEL3及びX-SEL4の出力レベルの組合
とマルチプレクサ８４Ｘ−６から出力されるクロックパ
ルスの種類との関係は下記の表２に示すようなものとな
る。
【００４８】
【表２】
【００４９】表２から明らかなように、例えば、マルチ
プレクサ８４Ｘ−６からクロックパルスXCK-SET1を出力
するためには、４種類の選択信号のうちX-SEL1をハイレ
ベル（Ｈ）とし、その他の選択信号X-SEL2、X-SEL3及び
X-SEL4を全てローレベル（Ｌ）とすればよく、またマル
チプレクサ８４Ｘ−６からクロックパルスXCK-SET9を出
力するためには、選択信号X-SEL1及びX-SEL4をハイレベ
ル（Ｈ）とし、その他の選択信号X-SEL2及びX-SEL3をロ
ーレベル（Ｌ）とすればよい。
プレクサ８４Ｘ−６からクロックパルスXCK-SET1を出力
するためには、４種類の選択信号のうちX-SEL1をハイレ
ベル（Ｈ）とし、その他の選択信号X-SEL2、X-SEL3及び
X-SEL4を全てローレベル（Ｌ）とすればよく、またマル
チプレクサ８４Ｘ−６からクロックパルスXCK-SET9を出
力するためには、選択信号X-SEL1及びX-SEL4をハイレベ
ル（Ｈ）とし、その他の選択信号X-SEL2及びX-SEL3をロ
ーレベル（Ｌ）とすればよい。
【００５０】図２に示すように、システムコントロール
回路７８及び画素配列補正処理回路８４は主走査制御回
路８６及び副走査制御回路８８の双方の作動を制御し、
これによりレーザ描画装置の描画作動時に画素配列補正
処理が後で詳述するように同時に行われることになる。
回路７８及び画素配列補正処理回路８４は主走査制御回
路８６及び副走査制御回路８８の双方の作動を制御し、
これによりレーザ描画装置の描画作動時に画素配列補正
処理が後で詳述するように同時に行われることになる。
【００５１】主走査制御回路８６にはビーム位置制御回
路９０が設けられ、このビーム位置制御回路９０には図
８に示すようにバッファメモリ９０Ａ及び同期回路９０
Ｂが含まれる。描画作動時、バッファメモリ９０Ａには
ラスタ変換回路９２から出力されるラスタデータが順次
書き込まれて一時的に保持されると共に該バッファメモ
リ９０Ａからはラスタデータが順次読み出されて同期回
路９０Ｂに対して出力される。バッファメモリ９０Ａへ
のラスタデータの書込みはシステムコントロール回路７
８から該バッファメモリ９０Ａに出力される書込みクロ
ックパルスに基づいて行われ、またバッファメモリ９０
Ａからのラスタデータの読出しはシステムコントロール
回路７８から該バッファメモリ９０Ａに出力される読出
しクロックパルスに基づいて行われる。
路９０が設けられ、このビーム位置制御回路９０には図
８に示すようにバッファメモリ９０Ａ及び同期回路９０
Ｂが含まれる。描画作動時、バッファメモリ９０Ａには
ラスタ変換回路９２から出力されるラスタデータが順次
書き込まれて一時的に保持されると共に該バッファメモ
リ９０Ａからはラスタデータが順次読み出されて同期回
路９０Ｂに対して出力される。バッファメモリ９０Ａへ
のラスタデータの書込みはシステムコントロール回路７
８から該バッファメモリ９０Ａに出力される書込みクロ
ックパルスに基づいて行われ、またバッファメモリ９０
Ａからのラスタデータの読出しはシステムコントロール
回路７８から該バッファメモリ９０Ａに出力される読出
しクロックパルスに基づいて行われる。
【００５２】なお、レーザ描画装置の制御部にはデータ
格納手段として例えばハードディスク装置（図示されな
い）が設けられ、このハードディスク装置はＣＡＤステ
ーションやＣＡＭステーションからそこで作成処理され
た回路パターンデータ（ベクタデータ）の転送を受け入
れるようになっており、描画作動時には、かかるハード
ディスク装置から該当回路パターンデータが読み出され
てラスタ変換回路９２によってラスタデータに変換され
る。また、本実施形態では、描画作動時に16本のレーザ
ビームによって描画が行われるので、バッファメモリ９
０Ａは少なくとも16本の主走査方向ライン分のラスタデ
ータを保持し得るような容量を持つものとされる。
格納手段として例えばハードディスク装置（図示されな
い）が設けられ、このハードディスク装置はＣＡＤステ
ーションやＣＡＭステーションからそこで作成処理され
た回路パターンデータ（ベクタデータ）の転送を受け入
れるようになっており、描画作動時には、かかるハード
ディスク装置から該当回路パターンデータが読み出され
てラスタ変換回路９２によってラスタデータに変換され
る。また、本実施形態では、描画作動時に16本のレーザ
ビームによって描画が行われるので、バッファメモリ９
０Ａは少なくとも16本の主走査方向ライン分のラスタデ
ータを保持し得るような容量を持つものとされる。
【００５３】図８に示すように、同期回路９０Ｂには電
子シャッタ５２及び５８がそれぞれ接続され、同期回路
９０Ｂにはバッファメモリ９０Ａから読み出された16本
の主走査方向ライン分のラスタデータが入力されると共
にＹ軸画素配列補正処理回路８４Ｙ（図４）のマルチプ
レクサ８４Ｙ−６から10種類のクロックパルスYCK-SFT
1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT5、YCK-SFT
6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10 のう
ちのいずれかが入力される。かくして、同期回路９０Ｂ
からは各電子シャッタ５２、５８に含まれる８つの音響
光学素子のそれぞれに対して制御電圧信号がラスタデー
タに基づいて出力される。
子シャッタ５２及び５８がそれぞれ接続され、同期回路
９０Ｂにはバッファメモリ９０Ａから読み出された16本
の主走査方向ライン分のラスタデータが入力されると共
にＹ軸画素配列補正処理回路８４Ｙ（図４）のマルチプ
レクサ８４Ｙ−６から10種類のクロックパルスYCK-SFT
1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT5、YCK-SFT
6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10 のう
ちのいずれかが入力される。かくして、同期回路９０Ｂ
からは各電子シャッタ５２、５８に含まれる８つの音響
光学素子のそれぞれに対して制御電圧信号がラスタデー
タに基づいて出力される。
【００５４】詳述すると、同期回路９０Ｂから出力され
る制御電圧信号のそれぞれが電子シャッタ５２に内蔵さ
れる８つの音響光学素子駆動回路のそれぞれに入力され
たとき、各音響光学素子駆動回路からは高周波駆動電圧
が該当音響光学素子に対して出力されて印加される。各
音響光学素子駆動回路に対して出力される制御電圧信号
の電圧レベルはその該当ラスタデータに基づいて変化さ
せられ、これにより各音響光学素子を通過するレーザビ
ームの回折方向が変えられる。例えば、ラスタデータの
画素が発色画素（即ち、デジタル画素データとして
“１”）であるとき、レーザビームは光合成器６０に向
かうように回折させられ、またラスタデータの画素が無
発色画素（即ち、デジタル画素データとして“０”）で
あるとき、レーザビームは光合成器６０から外れるよう
に回折させられる。一方、電子シャッタ５８の場合にも
同様なことが言えるが、電子シャッタ５８の場合には、
ラスタデータの画素が発色画素（即ち、デジタル画素デ
ータとして“１”）であるとき、レーザビームはビーム
ベンダ６２に向かうように回折させられ、またラスタデ
ータの画素が無発色画素（即ち、デジタル画素データと
して“０”）であるとき、レーザビームはビームベンダ
６２から外れるように回折させられる。即ち、ラスタデ
ータの画素が発色画素であるときだけ、レーザビームは
ポリゴンミラー７０に向かわされ、そのレーザビームに
よって描画テーブル１８上の被描画体上には発色画素と
してドットが記録される。要するに、各電子シャッタ５
２、５８でレーザビームをラスタデータに基づいて上述
したように変調させることにより、ラスタデータに基づ
く回路パターンが描画テーブル１８上の被描画体に描か
れることになる。
る制御電圧信号のそれぞれが電子シャッタ５２に内蔵さ
れる８つの音響光学素子駆動回路のそれぞれに入力され
たとき、各音響光学素子駆動回路からは高周波駆動電圧
が該当音響光学素子に対して出力されて印加される。各
音響光学素子駆動回路に対して出力される制御電圧信号
の電圧レベルはその該当ラスタデータに基づいて変化さ
せられ、これにより各音響光学素子を通過するレーザビ
ームの回折方向が変えられる。例えば、ラスタデータの
画素が発色画素（即ち、デジタル画素データとして
“１”）であるとき、レーザビームは光合成器６０に向
かうように回折させられ、またラスタデータの画素が無
発色画素（即ち、デジタル画素データとして“０”）で
あるとき、レーザビームは光合成器６０から外れるよう
に回折させられる。一方、電子シャッタ５８の場合にも
同様なことが言えるが、電子シャッタ５８の場合には、
ラスタデータの画素が発色画素（即ち、デジタル画素デ
ータとして“１”）であるとき、レーザビームはビーム
ベンダ６２に向かうように回折させられ、またラスタデ
ータの画素が無発色画素（即ち、デジタル画素データと
して“０”）であるとき、レーザビームはビームベンダ
６２から外れるように回折させられる。即ち、ラスタデ
ータの画素が発色画素であるときだけ、レーザビームは
ポリゴンミラー７０に向かわされ、そのレーザビームに
よって描画テーブル１８上の被描画体上には発色画素と
してドットが記録される。要するに、各電子シャッタ５
２、５８でレーザビームをラスタデータに基づいて上述
したように変調させることにより、ラスタデータに基づ
く回路パターンが描画テーブル１８上の被描画体に描か
れることになる。
【００５５】ここで注目すべきことは、同期回路９０Ｂ
から各電子シャッタ５２、５８のそれぞれの音響光学素
子駆動回路に対して出力される制御電圧信号の出力タイ
ミングがＹ軸画素配列処理回路８４Ｙのマルチプレクサ
８４Ｙ−６から同期回路９０Ｂに出力されるクロックパ
ルス（YCK-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-
SFT5、YCK-SFT6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYC
K-SFT10 ）に依存しているということである。詳述する
と、例えば、描画作動時の或る時点でクロックパルスYC
K-SFT1がマルチプレクサ８４Ｙ−６から同期回路９０Ｂ
に出力されていると仮定した場合、該マルチプレクサ８
４Ｙ−６からのクロックパルスの出力がクロックパルス
YCK-SFT1からクロックパルスYCK-SFT2に切り換えられた
とき、同期回路９０Ｂからの制御電圧信号の出力タイミ
ングがπ／５だけ位相が遅れ、このためマルチプレクサ
８４Ｙ−６からのクロックパルスの切換時の前後に記録
される２つの隣接ドット（画素）間のピッチがπ／５の
位相遅れ分に相当する距離だけ広げられる。これとは反
対に、マルチプレクサ８４Ｙ−６からのクロックパルス
の出力がクロックパルスYCK-SFT1からクロックパルスYC
K-SFT10 に切り換えられたとき、同期回路９０Ｂからの
制御電圧信号の出力タイミングがπ／５だけ位相が早め
られ、このためマルチプレクサ８４Ｙ−６からのクロッ
クパルスの切換時の前後に記録される２つの隣接ドット
（画素）間のピッチがπ／５の位相早まり分に相当する
距離だけ狭められるということである。
から各電子シャッタ５２、５８のそれぞれの音響光学素
子駆動回路に対して出力される制御電圧信号の出力タイ
ミングがＹ軸画素配列処理回路８４Ｙのマルチプレクサ
８４Ｙ−６から同期回路９０Ｂに出力されるクロックパ
ルス（YCK-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-
SFT5、YCK-SFT6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYC
K-SFT10 ）に依存しているということである。詳述する
と、例えば、描画作動時の或る時点でクロックパルスYC
K-SFT1がマルチプレクサ８４Ｙ−６から同期回路９０Ｂ
に出力されていると仮定した場合、該マルチプレクサ８
４Ｙ−６からのクロックパルスの出力がクロックパルス
YCK-SFT1からクロックパルスYCK-SFT2に切り換えられた
とき、同期回路９０Ｂからの制御電圧信号の出力タイミ
ングがπ／５だけ位相が遅れ、このためマルチプレクサ
８４Ｙ−６からのクロックパルスの切換時の前後に記録
される２つの隣接ドット（画素）間のピッチがπ／５の
位相遅れ分に相当する距離だけ広げられる。これとは反
対に、マルチプレクサ８４Ｙ−６からのクロックパルス
の出力がクロックパルスYCK-SFT1からクロックパルスYC
K-SFT10 に切り換えられたとき、同期回路９０Ｂからの
制御電圧信号の出力タイミングがπ／５だけ位相が早め
られ、このためマルチプレクサ８４Ｙ−６からのクロッ
クパルスの切換時の前後に記録される２つの隣接ドット
（画素）間のピッチがπ／５の位相早まり分に相当する
距離だけ狭められるということである。
【００５６】要するに、本実施形態では、Ｙ軸画素配列
処理回路８４Ｙのマルチプレクサ８４Ｙ−６から同期回
路９０Ｂに出力されるクロックパルス（YCK-SFT1、YCK-
SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT5、YCK-SFT6、YCK-
SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10 ）の切替によ
り位相をπ／５ずつ正側あるいは負側に順次シフトさせ
ることにより、Ｙ軸方向即ち主走査方向に沿う画素配列
のピッチが画素サイズの10分１の単位で調節され得るこ
とになる。
処理回路８４Ｙのマルチプレクサ８４Ｙ−６から同期回
路９０Ｂに出力されるクロックパルス（YCK-SFT1、YCK-
SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT5、YCK-SFT6、YCK-
SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10 ）の切替によ
り位相をπ／５ずつ正側あるいは負側に順次シフトさせ
ることにより、Ｙ軸方向即ち主走査方向に沿う画素配列
のピッチが画素サイズの10分１の単位で調節され得るこ
とになる。
【００５７】図２に示すように、主走査制御回路８６に
はＹスケールセンサ９４及び信号処理回路９６が設けら
れる。Ｙスケールセンサ９４はＹリニアスケール（図示
されない）からの光信号を検出してレーザビームの主走
査方向に沿うその偏向距離を計測するものであり、それ
自体は周知ものである。Ｙスケールセンサ９４からの出
力信号は信号処理回路９６によって適宜処理された後に
基本クロックパルスYCK-INとして画素配列補正処理回路
８４のＹ軸画素配列補正処理回路（図４）に入力され
る。
はＹスケールセンサ９４及び信号処理回路９６が設けら
れる。Ｙスケールセンサ９４はＹリニアスケール（図示
されない）からの光信号を検出してレーザビームの主走
査方向に沿うその偏向距離を計測するものであり、それ
自体は周知ものである。Ｙスケールセンサ９４からの出
力信号は信号処理回路９６によって適宜処理された後に
基本クロックパルスYCK-INとして画素配列補正処理回路
８４のＹ軸画素配列補正処理回路（図４）に入力され
る。
【００５８】図２から明らかなように、副走査制御回路
８８にはＸテーブル位置制御回路９８が設けられ、この
Ｘテーブル位置制御回路９８によりサーボモータ１００
の駆動が制御される。サーボモータ１００はＸテーブル
１４をＸ軸方向即ち副走査方向に所定の速度で移動させ
るためのものであり、これにより描画テーブル１８上の
被描画体が副走査方向に移動させられる。
８８にはＸテーブル位置制御回路９８が設けられ、この
Ｘテーブル位置制御回路９８によりサーボモータ１００
の駆動が制御される。サーボモータ１００はＸテーブル
１４をＸ軸方向即ち副走査方向に所定の速度で移動させ
るためのものであり、これにより描画テーブル１８上の
被描画体が副走査方向に移動させられる。
【００５９】描画作動時、Ｘ軸画素配列補正処理回路８
４Ｘ（図６）のマルチプレクサ８４Ｘ−６から出力され
る10種類のクロックパルス10種類のクロックパルスXCK-
SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-SFT5、XCK-
SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXCK-SFT10 の
いずれかがＸテーブル位置制御回路９８に入力される
と、Ｘテーブル位置制御回路９８からはその該当クロッ
クパルスに応じた駆動パルスがサーボモータ１００に対
して出力され、これにより描画テーブル１８はＸ軸方向
即ち副走査方向に所定の速度で移動させられる。
４Ｘ（図６）のマルチプレクサ８４Ｘ−６から出力され
る10種類のクロックパルス10種類のクロックパルスXCK-
SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-SFT5、XCK-
SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXCK-SFT10 の
いずれかがＸテーブル位置制御回路９８に入力される
と、Ｘテーブル位置制御回路９８からはその該当クロッ
クパルスに応じた駆動パルスがサーボモータ１００に対
して出力され、これにより描画テーブル１８はＸ軸方向
即ち副走査方向に所定の速度で移動させられる。
【００６０】ここで注目すべきことは、Ｘテーブル位置
制御回路９８からサーボモータ１００に対して出力され
る駆動パルスの出力タイミングがＸ軸画素配列処理回路
８４Ｘのマルチプレクサ８４Ｘ−６からＸテーブル位置
制御回路９８に出力されるクロックパルス（XCK-SFT1、
XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-SFT5、XCK-SFT6、
XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXCK-SFT10 ）に依存
しているということである。詳述すると、例えば、描画
作動時の或る時点でクロックパルスXCK-SFT1がマルチプ
レクサ８４Ｘ−６からＸテーブル位置制御回路９８に出
力されていると仮定した場合、該マルチプレクサ８４Ｘ
−６からのクロックパルスの出力がクロックパルスXCK-
SFT1からクロックパルスXCK-SFT2に切り換えられたと
き、Ｘテーブル位置制御回路９８からサーボモータ１０
０に対して出力される駆動パルスの出力タイミングがπ
／５だけ位相が遅れ、このためマルチプレクサ８４Ｙ−
６からのクロックパルスの切換時の前後に記録される２
つの隣接ドット（画素）間のピッチがπ／５の位相遅れ
分に相当する距離だけ狭められる。これとは反対に、マ
ルチプレクサ８４Ｘ−６からのクロックパルスの出力が
クロックパルスXCK-SFT1からクロックパルスXCK-SFT10
に切り換えられたとき、Ｘテーブル位置制御回路９８か
らサーボモータ１００に対して出力される駆動パルスの
出力タイミングがπ／５だけ位相が早められ、このため
マルチプレクサ８４Ｘ−６からのクロックパルスの切換
時の前後に記録される２つの隣接ドット（画素）間のピ
ッチがπ／５の位相早まり分に相当する距離だけ広げら
れるということである。
制御回路９８からサーボモータ１００に対して出力され
る駆動パルスの出力タイミングがＸ軸画素配列処理回路
８４Ｘのマルチプレクサ８４Ｘ−６からＸテーブル位置
制御回路９８に出力されるクロックパルス（XCK-SFT1、
XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-SFT5、XCK-SFT6、
XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXCK-SFT10 ）に依存
しているということである。詳述すると、例えば、描画
作動時の或る時点でクロックパルスXCK-SFT1がマルチプ
レクサ８４Ｘ−６からＸテーブル位置制御回路９８に出
力されていると仮定した場合、該マルチプレクサ８４Ｘ
−６からのクロックパルスの出力がクロックパルスXCK-
SFT1からクロックパルスXCK-SFT2に切り換えられたと
き、Ｘテーブル位置制御回路９８からサーボモータ１０
０に対して出力される駆動パルスの出力タイミングがπ
／５だけ位相が遅れ、このためマルチプレクサ８４Ｙ−
６からのクロックパルスの切換時の前後に記録される２
つの隣接ドット（画素）間のピッチがπ／５の位相遅れ
分に相当する距離だけ狭められる。これとは反対に、マ
ルチプレクサ８４Ｘ−６からのクロックパルスの出力が
クロックパルスXCK-SFT1からクロックパルスXCK-SFT10
に切り換えられたとき、Ｘテーブル位置制御回路９８か
らサーボモータ１００に対して出力される駆動パルスの
出力タイミングがπ／５だけ位相が早められ、このため
マルチプレクサ８４Ｘ−６からのクロックパルスの切換
時の前後に記録される２つの隣接ドット（画素）間のピ
ッチがπ／５の位相早まり分に相当する距離だけ広げら
れるということである。
【００６１】要するに、本実施形態では、Ｘ軸画素配列
処理回路８４Ｘのマルチプレクサ８４Ｘ−６からＸテー
ブル位置制御回路９８に出力されるクロックパルス（XC
K-SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-SFT5、XC
K-SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXCK-SFT10
）の切替により位相をπ／５ずつ正側あるいは負側に
順次シフトさせることにより、Ｘ軸方向即ち副走査方向
に沿う画素配列のピッチが画素サイズの10分１の単位で
調節され得ることになる。
処理回路８４Ｘのマルチプレクサ８４Ｘ−６からＸテー
ブル位置制御回路９８に出力されるクロックパルス（XC
K-SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-SFT5、XC
K-SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXCK-SFT10
）の切替により位相をπ／５ずつ正側あるいは負側に
順次シフトさせることにより、Ｘ軸方向即ち副走査方向
に沿う画素配列のピッチが画素サイズの10分１の単位で
調節され得ることになる。
【００６２】図２に示すように、副走査制御回路８８に
は更にＸスケールセンサ１０２及び信号処理回路１０４
が設けられる。Ｘスケールセンサ１０２はＸリニアスケ
ール（図示されない）からの光信号を検出して描画テー
ブル１８（即ち、その上の被描画体）の主走査方向に沿
うその移動距離を計測するものであり、それ自体は周知
ものである。Ｘスケールセンサ１０２からの出力信号は
信号処理回路１０４によって適宜処理された後に基本ク
ロックパルスXCK-INとして画素配列補正処理回路８４の
Ｘ軸画素配列補正処理回路８４Ｘ（図６）に入力され
る。
は更にＸスケールセンサ１０２及び信号処理回路１０４
が設けられる。Ｘスケールセンサ１０２はＸリニアスケ
ール（図示されない）からの光信号を検出して描画テー
ブル１８（即ち、その上の被描画体）の主走査方向に沿
うその移動距離を計測するものであり、それ自体は周知
ものである。Ｘスケールセンサ１０２からの出力信号は
信号処理回路１０４によって適宜処理された後に基本ク
ロックパルスXCK-INとして画素配列補正処理回路８４の
Ｘ軸画素配列補正処理回路８４Ｘ（図６）に入力され
る。
【００６３】次に、添付図面の図９ないし図１２を参照
して、描画作動時に本発明に従って実行される画素配列
補正処理の原理について説明する。
して、描画作動時に本発明に従って実行される画素配列
補正処理の原理について説明する。
【００６４】図９に示すように、レーザビームによる主
走査方向の記録範囲、即ち主走査方向に沿うバンド領域
幅がＹP であり、しかも画素サイズ（即ち、記録ドット
のサイズ）がＤP であるとすると、かかるバンド幅ＤP
にはＹP ／ＤP 個の画素が配列されることになる。例え
ば、かかるバンド領域幅ＹP が400mm で、しかも画素サ
イズがＤP が 5μm であるとすると、400mm のバンド領
域幅には 8万画素が配列されることになる。しかしなが
ら、先に述べたようにかかるバンド領域幅に 8万画素が
均等に配列される訳でなく、その画素配列は個々のレー
ザ描画装置の機械的組立誤差等のために不均一なものと
なる。
走査方向の記録範囲、即ち主走査方向に沿うバンド領域
幅がＹP であり、しかも画素サイズ（即ち、記録ドット
のサイズ）がＤP であるとすると、かかるバンド幅ＤP
にはＹP ／ＤP 個の画素が配列されることになる。例え
ば、かかるバンド領域幅ＹP が400mm で、しかも画素サ
イズがＤP が 5μm であるとすると、400mm のバンド領
域幅には 8万画素が配列されることになる。しかしなが
ら、先に述べたようにかかるバンド領域幅に 8万画素が
均等に配列される訳でなく、その画素配列は個々のレー
ザ描画装置の機械的組立誤差等のために不均一なものと
なる。
【００６５】本発明によれば、バンド領域幅ＹＰがａ等
分されて、各区間Ｙａで画素配列補正処理が行われるこ
とになる。例えば、上述の事例で述べたようにバンド領
域幅400mmを８等分した場合には、各50mm区間の１万画
素に対して画素配列補正処理が施される。図９では、各
区間の区分線に隣接して示された短い太線は本来その該
当区分線で記録されるべき画素（ドット）を示し、その
間の距離が画素配列のずれ量となる。また、図９では、
ｍ番目の区間の区分線と本来そこに記録されるべき画素
との間のずれ量がＥｍ で示されている。
分されて、各区間Ｙａで画素配列補正処理が行われるこ
とになる。例えば、上述の事例で述べたようにバンド領
域幅400mmを８等分した場合には、各50mm区間の１万画
素に対して画素配列補正処理が施される。図９では、各
区間の区分線に隣接して示された短い太線は本来その該
当区分線で記録されるべき画素（ドット）を示し、その
間の距離が画素配列のずれ量となる。また、図９では、
ｍ番目の区間の区分線と本来そこに記録されるべき画素
との間のずれ量がＥｍ で示されている。
【００６６】図１０に示すグラフでは、横軸にバンド領
域幅の距離を示し、縦軸に画素のずれ量Ｅを示してい
る。同図から明らかなように、ｍ番目の区間の全体の画
素配列ずれ量ΔＥm は以下の式で表せる。 ΔＥm ＝ Ｅm − Ｅm-1
域幅の距離を示し、縦軸に画素のずれ量Ｅを示してい
る。同図から明らかなように、ｍ番目の区間の全体の画
素配列ずれ量ΔＥm は以下の式で表せる。 ΔＥm ＝ Ｅm − Ｅm-1
【００６７】ｍ番目の区間での画素配列のずれ量ΔＥm
に基づいて、その区間での画素配列の伸縮率ΔＳＹm を
求めると、以下の式になる。 ΔＳＹm ＝ ΔＥm ／Ｙa
に基づいて、その区間での画素配列の伸縮率ΔＳＹm を
求めると、以下の式になる。 ΔＳＹm ＝ ΔＥm ／Ｙa
【００６８】本発明では、各区間Ｙa での画素配列の補
正単位は画素サイズの以下の単位即ちＤp ／ｎとされる
ので、画素配列補正処理を施すべき領域は画素配列のず
れ量がＤp ／ｎ以上となっている領域である。具体的に
述べると、例えば、図１１に示すように、ｍ番目の区間
Ｙm での画素配列ずれ量Ｅm と（ｍ−１）番目の区間Ｙ
m-1 での画素配列のずれ量Ｅm-1 との差がＤp ／ｎ以上
となっている場合に区間Ｙm をＤp ／ｎの単位で区分す
ると、それら区分領域は参照符号ＹC1、ＹC2及びＹC3で
示されるものとなり、それら区分領域ＹC1、ＹC2及びＹ
C3については以下の式で表せる。 ＹC1＝（ＤP ／ｎ − ｍｏｄ〔Ｅm-1 ＊ｎ／Ｄp 〕）
／ΔＳＹｍ ＹC2＝ＤP ／ｎ＊ΔＳＹｍ ＹC3＝ｍｏｄ〔Ｅm ＊ｎ／Ｄp 〕／ΔＳＹｍ なお、上記式中“＊”は積を表し、またｍｏｄ〔…〕は
括弧内の除算の「剰余」を示す。
正単位は画素サイズの以下の単位即ちＤp ／ｎとされる
ので、画素配列補正処理を施すべき領域は画素配列のず
れ量がＤp ／ｎ以上となっている領域である。具体的に
述べると、例えば、図１１に示すように、ｍ番目の区間
Ｙm での画素配列ずれ量Ｅm と（ｍ−１）番目の区間Ｙ
m-1 での画素配列のずれ量Ｅm-1 との差がＤp ／ｎ以上
となっている場合に区間Ｙm をＤp ／ｎの単位で区分す
ると、それら区分領域は参照符号ＹC1、ＹC2及びＹC3で
示されるものとなり、それら区分領域ＹC1、ＹC2及びＹ
C3については以下の式で表せる。 ＹC1＝（ＤP ／ｎ − ｍｏｄ〔Ｅm-1 ＊ｎ／Ｄp 〕）
／ΔＳＹｍ ＹC2＝ＤP ／ｎ＊ΔＳＹｍ ＹC3＝ｍｏｄ〔Ｅm ＊ｎ／Ｄp 〕／ΔＳＹｍ なお、上記式中“＊”は積を表し、またｍｏｄ〔…〕は
括弧内の除算の「剰余」を示す。
【００６９】この場合、区分領域ＹC3での画素配列のず
れ量はＤp ／ｎ以下となっているので、画素配列補正処
理は施されない。一方、区分領域Ｙc1及びＹC2での画素
配列のずれ量は丁度Ｄp ／ｎとなるので、各区分領域の
終点位置でＤp ／ｎに相当する分だけクロックパルス
（YCK-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT
5、YCK-SFT6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-S
FT10 ）の位相を正側にシフトさせればよいことにな
る。なお、本実施形態では、ｎ＝10であるので、かかる
位相のシフト量はπ／５となる。
れ量はＤp ／ｎ以下となっているので、画素配列補正処
理は施されない。一方、区分領域Ｙc1及びＹC2での画素
配列のずれ量は丁度Ｄp ／ｎとなるので、各区分領域の
終点位置でＤp ／ｎに相当する分だけクロックパルス
（YCK-SFT1、YCK-SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT
5、YCK-SFT6、YCK-SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-S
FT10 ）の位相を正側にシフトさせればよいことにな
る。なお、本実施形態では、ｎ＝10であるので、かかる
位相のシフト量はπ／５となる。
【００７０】また、ｍ番目の区間Ｙm でクロックパルス
の位相シフトを行うべき位相シフト回数ｈ（ｍ）は以下
の式で表せる。 ｈ（ｍ）＝ｉｎｔ〔Ｅm ＊ｎ／ＤP 〕 ─ ｉｎｔ〔Ｅ
m-1 ＊ｎ／ＤP 〕 なお、上記式中“＊”は積を表し、またｉｎｔ〔…〕は
括弧内の除算の「商」を示す。
の位相シフトを行うべき位相シフト回数ｈ（ｍ）は以下
の式で表せる。 ｈ（ｍ）＝ｉｎｔ〔Ｅm ＊ｎ／ＤP 〕 ─ ｉｎｔ〔Ｅ
m-1 ＊ｎ／ＤP 〕 なお、上記式中“＊”は積を表し、またｉｎｔ〔…〕は
括弧内の除算の「商」を示す。
【００７１】従って、ｍ番目の区間Ｙm でクロックパル
スの位相シフトの開始位置（即ち、各区分領域の終点位
置）を座標原点からの距離Ｙt とすると、その距離は以
下の式で与えられる。
スの位相シフトの開始位置（即ち、各区分領域の終点位
置）を座標原点からの距離Ｙt とすると、その距離は以
下の式で与えられる。
【数１】
【００７２】本発明によれば、Ｘ軸方向即ち副走査方向
に沿う画素配列補正処理も同様な原理で行われ、図１２
は図１１に示したものに対応する。即ち、図１２におい
て、Ｘa はレーザビームによる副走査方向の記録範囲、
即ち主走査方向に沿うバンド領域幅がＸP をａ等分した
際の各区間の距離を示し、Ｘm はｍ番目の等分区間を示
す。また、Ｅm はｍ番目の区間の終点位置での画素のず
れ量である。
に沿う画素配列補正処理も同様な原理で行われ、図１２
は図１１に示したものに対応する。即ち、図１２におい
て、Ｘa はレーザビームによる副走査方向の記録範囲、
即ち主走査方向に沿うバンド領域幅がＸP をａ等分した
際の各区間の距離を示し、Ｘm はｍ番目の等分区間を示
す。また、Ｅm はｍ番目の区間の終点位置での画素のず
れ量である。
【００７３】副走査方向に沿うｍ番目の区間の全体の画
素配列のずれ量ΔＥm は上述の場合と同様に以下の式で
表せる。 ΔＥm ＝ Ｅm − Ｅm-1
素配列のずれ量ΔＥm は上述の場合と同様に以下の式で
表せる。 ΔＥm ＝ Ｅm − Ｅm-1
【００７４】副走査方向に沿うｍ番目の区間での画素配
列のずれ量ΔＥm に基づいて、その区間での画素配列の
伸縮率ΔＳＸm を求めると、上述の場合と同様に以下の
式になる。 ΔＳＸm ＝ ΔＥm ／Ｘa
列のずれ量ΔＥm に基づいて、その区間での画素配列の
伸縮率ΔＳＸm を求めると、上述の場合と同様に以下の
式になる。 ΔＳＸm ＝ ΔＥm ／Ｘa
【００７５】上述した主走査方向に沿う画素配列補正処
理の場合と同様に、副走査方向に沿う画素配列補正処理
の場合も、各区間Ｘa での画素配列の補正単位は画素サ
イズの以下の単位即ちＤp ／ｎとされるので、画素配列
補正処理を施すべき領域は画素配列のずれ量がＤp ／ｎ
以上となっている領域である。具体的に述べると、図１
２に示すように、ｍ番目の区間Ｘm での画素配列のずれ
量Ｅm と（ｍ−１）番目の区間Ｘm-1 での画素配置ずれ
量Ｅm-1 との差がＤp ／ｎ以上となっている場合に区間
Ｘm をＤp ／ｎの単位で区分すると、それら区分領域は
参照符号ＸC1、ＸC2及びＸC3で示されるものとなり、そ
れら区分領域ＸC1、ＸC2及びＸC3については以下の式で
表せる。 ＸC1＝（ＤP ／ｎ − ｍｏｄ〔Ｅm-1 ＊ｎ／Ｄp 〕）
／ΔＳＸｍ ＸC2＝ＤP ／ｎ＊ΔＳＸｍ ＸC3＝ｍｏｄ〔Ｅm ＊ｎ／Ｄp 〕／ΔＳＸｍ なお、上記式中“＊”は積を表し、またｍｏｄ〔…〕は
括弧内の除算の「剰余」を示す。
理の場合と同様に、副走査方向に沿う画素配列補正処理
の場合も、各区間Ｘa での画素配列の補正単位は画素サ
イズの以下の単位即ちＤp ／ｎとされるので、画素配列
補正処理を施すべき領域は画素配列のずれ量がＤp ／ｎ
以上となっている領域である。具体的に述べると、図１
２に示すように、ｍ番目の区間Ｘm での画素配列のずれ
量Ｅm と（ｍ−１）番目の区間Ｘm-1 での画素配置ずれ
量Ｅm-1 との差がＤp ／ｎ以上となっている場合に区間
Ｘm をＤp ／ｎの単位で区分すると、それら区分領域は
参照符号ＸC1、ＸC2及びＸC3で示されるものとなり、そ
れら区分領域ＸC1、ＸC2及びＸC3については以下の式で
表せる。 ＸC1＝（ＤP ／ｎ − ｍｏｄ〔Ｅm-1 ＊ｎ／Ｄp 〕）
／ΔＳＸｍ ＸC2＝ＤP ／ｎ＊ΔＳＸｍ ＸC3＝ｍｏｄ〔Ｅm ＊ｎ／Ｄp 〕／ΔＳＸｍ なお、上記式中“＊”は積を表し、またｍｏｄ〔…〕は
括弧内の除算の「剰余」を示す。
【００７６】この場合、区分領域ＸC3での画素配列のず
れ量はＤp ／ｎ以下となっているので、画素配列補正処
理は施されない。一方、区分領域ＸC1及びＸC2での画素
配列のずれ量は丁度Ｄp ／ｎとなるので、各区分領域の
終点位置でＤp ／ｎに相当する分だけクロックパルス
（XCK-SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-SFT
5、XCK-SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXCK-S
FT10 ）の切替により位相を正側にシフトさせればよい
ことになる。なお、本実施形態では、ｎ＝10であるの
で、かかる位相のシフト量はπ／５となる。
れ量はＤp ／ｎ以下となっているので、画素配列補正処
理は施されない。一方、区分領域ＸC1及びＸC2での画素
配列のずれ量は丁度Ｄp ／ｎとなるので、各区分領域の
終点位置でＤp ／ｎに相当する分だけクロックパルス
（XCK-SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SFT4、XCK-SFT
5、XCK-SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SFT9及びXCK-S
FT10 ）の切替により位相を正側にシフトさせればよい
ことになる。なお、本実施形態では、ｎ＝10であるの
で、かかる位相のシフト量はπ／５となる。
【００７７】また、ｍ番目の区間Ｘm でクロックパルス
の位相シフトを行うべき位相シフト回数ｇ（ｍ）は以下
の式で表せる。 ｇ（ｍ）＝ｉｎｔ〔Ｅm ＊ｎ／ＤP 〕 ─ ｉｎｔ〔Ｅ
m-1 ＊ｎ／ＤP 〕 なお、上記式中“＊”は積を表し、またｉｎｔ〔…〕は
括弧内の除算の「商」を示す。
の位相シフトを行うべき位相シフト回数ｇ（ｍ）は以下
の式で表せる。 ｇ（ｍ）＝ｉｎｔ〔Ｅm ＊ｎ／ＤP 〕 ─ ｉｎｔ〔Ｅ
m-1 ＊ｎ／ＤP 〕 なお、上記式中“＊”は積を表し、またｉｎｔ〔…〕は
括弧内の除算の「商」を示す。
【００７８】従って、ｍ番目の区間Ｘm でクロックパル
スの位相シフトの開始位置（即ち、各区分領域の終点位
置）を座標原点からの距離Ｘs とすると、その距離は以
下の式で与えられる。
スの位相シフトの開始位置（即ち、各区分領域の終点位
置）を座標原点からの距離Ｘs とすると、その距離は以
下の式で与えられる。
【数２】
【００７９】画素配列の不均一性については、既に述べ
たように、個々のレーザ描画装置毎で異なる。従って、
個々のレーザ描画装置での画素配列の不均一性は実際に
描画パターンを得てその画素配列を計測することにより
知ることが可能である。例えば、ガラス乾板が描画テー
ブル１８上にそこを覆うように設置され、その写真乳剤
表面に該当レーザ描画装置を用いて描画パターンとして
例えば格子パターンを実際に描画し、その格子パターン
を現像した後に該格子パターンの各交点を実測し、その
実測データに基づいて、上述した位相シフト開始位置デ
ータＹt 及びＸs を求めることができる。
たように、個々のレーザ描画装置毎で異なる。従って、
個々のレーザ描画装置での画素配列の不均一性は実際に
描画パターンを得てその画素配列を計測することにより
知ることが可能である。例えば、ガラス乾板が描画テー
ブル１８上にそこを覆うように設置され、その写真乳剤
表面に該当レーザ描画装置を用いて描画パターンとして
例えば格子パターンを実際に描画し、その格子パターン
を現像した後に該格子パターンの各交点を実測し、その
実測データに基づいて、上述した位相シフト開始位置デ
ータＹt 及びＸs を求めることができる。
【００８０】図１３にはかかるガラス乾板の写真乳剤表
面上に描画された格子パターンが実線で模式的に図示さ
れ、そこには理想の格子パターンが点線で示されてい
る。即ち、実線の格子パターンと点線の格子パターンと
のずれが画素配列の不均一性を表している。本発明によ
れば、実線の格子パターンを点線の格子パターンに対し
て画素サイズ以下の単位で近似させることができる。な
お、格子パターンの代わりに、十字形マークを等間隔に
描画することも可能である。
面上に描画された格子パターンが実線で模式的に図示さ
れ、そこには理想の格子パターンが点線で示されてい
る。即ち、実線の格子パターンと点線の格子パターンと
のずれが画素配列の不均一性を表している。本発明によ
れば、実線の格子パターンを点線の格子パターンに対し
て画素サイズ以下の単位で近似させることができる。な
お、格子パターンの代わりに、十字形マークを等間隔に
描画することも可能である。
【００８１】上述の画素配列の実測データは例えばレー
ザ描画装置の制御部に設けられたハードディスク装置に
予め格納されて、描画作動時に該ハードディスク装置か
らシステムコントロール回路７８に取り込まれる。な
お、個々のレーザ描画装置の描画テーブル等の可動構成
要素は永年の使用により磨耗等を受け、これにより描画
パターンの画素配列の不均一性も変化し得るので、かか
る実測データについては定期的に実測し直して更新する
ことが好ましい。
ザ描画装置の制御部に設けられたハードディスク装置に
予め格納されて、描画作動時に該ハードディスク装置か
らシステムコントロール回路７８に取り込まれる。な
お、個々のレーザ描画装置の描画テーブル等の可動構成
要素は永年の使用により磨耗等を受け、これにより描画
パターンの画素配列の不均一性も変化し得るので、かか
る実測データについては定期的に実測し直して更新する
ことが好ましい。
【００８２】次に、図１４及び図１５に示すフローチャ
ートを参照して、本発明によるレーザ描画装置の描画作
動について説明する。
ートを参照して、本発明によるレーザ描画装置の描画作
動について説明する。
【００８３】先ず、ステップ１４０１では、描画テーブ
ル１８が原点位置から移動させられ、次いでステップ１
４０２では該描画テーブル１８上の被描画体（即ち、フ
ォトレジスト層を持つ基板）の位置決めマークがＣＣＤ
カメラ８０によって検出されたか否かが判断される。Ｃ
ＣＤカメラ８０による位置決めマークの検出が確認され
ると、ステップ１４０２からステップ１４０３に進み、
そこでＣＣＤカメラ８０を通して位置決めマークの座標
データがシステムコントロール回路７８に取り込まれ
て、描画テーブル１８上の被描画体の位置が演算され
る。
ル１８が原点位置から移動させられ、次いでステップ１
４０２では該描画テーブル１８上の被描画体（即ち、フ
ォトレジスト層を持つ基板）の位置決めマークがＣＣＤ
カメラ８０によって検出されたか否かが判断される。Ｃ
ＣＤカメラ８０による位置決めマークの検出が確認され
ると、ステップ１４０２からステップ１４０３に進み、
そこでＣＣＤカメラ８０を通して位置決めマークの座標
データがシステムコントロール回路７８に取り込まれ
て、描画テーブル１８上の被描画体の位置が演算され
る。
【００８４】ステップ１４０４では、被描画体の位置の
演算が終了したか否かが判断され、かかる演算の終了が
確認されると、ステップ１４０５に進み、そこで描画テ
ーブル１８は描画開始位置まで移動させられる。
演算が終了したか否かが判断され、かかる演算の終了が
確認されると、ステップ１４０５に進み、そこで描画テ
ーブル１８は描画開始位置まで移動させられる。
【００８５】ステップ１４０６では、レーザ描画装置の
制御部に設けられたハードディスク装置から所望の実測
データが読み出されてシステムコントロール回路７８内
に取り込まれ、これら実測データと上述の被描画体の位
置データとに基づいて、位相シフト開始位置データＹt
及びＸs が演算される。次いで、ステップ１４０７で
は、位相シフト開始位置データＹt 及びＸs の演算が終
了したか否かが判断され、かかる演算の終了が確認され
ると、ステップ１４０８に進む。
制御部に設けられたハードディスク装置から所望の実測
データが読み出されてシステムコントロール回路７８内
に取り込まれ、これら実測データと上述の被描画体の位
置データとに基づいて、位相シフト開始位置データＹt
及びＸs が演算される。次いで、ステップ１４０７で
は、位相シフト開始位置データＹt 及びＸs の演算が終
了したか否かが判断され、かかる演算の終了が確認され
ると、ステップ１４０８に進む。
【００８６】ステップ１４０８では、描画開始指令がキ
ーボードを介してシステムコントロール回路７８に入力
されたか否かが判断され、描画開始指令の入力が確認さ
れると、ステップ１４０９に進み、そこで描画作動がス
タートされる。
ーボードを介してシステムコントロール回路７８に入力
されたか否かが判断され、描画開始指令の入力が確認さ
れると、ステップ１４０９に進み、そこで描画作動がス
タートされる。
【００８７】ステップ１４１０では、Ｙスケールセンサ
９４からのＹスケール読取りデータＣy が所定の時間間
隔でサンプリングされて順次更新される。次いで、ステ
ップ１４１１では、Ｙスケール読取りデータＣy がその
サンプリング毎に演算データＹt に等しいか否かが判断
される。Ｙスケール読取りデータＣy が位相シフト開始
位置データＹt に到達していなければ、ステップ１４１
２に進み、そこで主走査方向の描画が終了したか否かが
判断される。主走査方向の描画が終了していなければ、
ステップ１４１２からステップ１４１０に戻る。
９４からのＹスケール読取りデータＣy が所定の時間間
隔でサンプリングされて順次更新される。次いで、ステ
ップ１４１１では、Ｙスケール読取りデータＣy がその
サンプリング毎に演算データＹt に等しいか否かが判断
される。Ｙスケール読取りデータＣy が位相シフト開始
位置データＹt に到達していなければ、ステップ１４１
２に進み、そこで主走査方向の描画が終了したか否かが
判断される。主走査方向の描画が終了していなければ、
ステップ１４１２からステップ１４１０に戻る。
【００８８】ステップ１４１１において、Ｙスケール読
取りデータＣy が位相シフト開始位置データＹt に等し
くなったとき、即ち主走査方向に沿う最初の位相シフト
位置に到達したとき、ステップ１４１３に進み、そこで
Ｙ軸画素配列補正処理回路８４Ｙのマルチプレクサ８４
Ｙ−６から出力されるクロックパルス（YCK-SFT1、YCK-
SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT5、YCK-SFT6、YCK-
SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10 ）の切換が行
われ、そこで該クロックパルスの位相がπ／５だけシフ
トさせられる。
取りデータＣy が位相シフト開始位置データＹt に等し
くなったとき、即ち主走査方向に沿う最初の位相シフト
位置に到達したとき、ステップ１４１３に進み、そこで
Ｙ軸画素配列補正処理回路８４Ｙのマルチプレクサ８４
Ｙ−６から出力されるクロックパルス（YCK-SFT1、YCK-
SFT2、YCK-SFT3、YCK-SFT4、YCK-SFT5、YCK-SFT6、YCK-
SFT7、YCK-SFT8、YCK-SFT9及びYCK-SFT10 ）の切換が行
われ、そこで該クロックパルスの位相がπ／５だけシフ
トさせられる。
【００８９】なお、先の図１１を参照する説明から明ら
かなように、クロックパルスの位相のシフトを正側に行
うかあるいは負側に行うかについては主走査方向に沿う
画素配列のずれ量（Ｅm ）の正負に従って決められる。
要するに、主走査方向に沿う画素配列ピッチを詰める場
合には、クロックパルスの位相はπ／５だけ負側にシフ
トされ、主走査方向に沿う画素配列ピッチを広げる場合
には、クロックパルスの位相はπ／５だけ正側にシフト
される。
かなように、クロックパルスの位相のシフトを正側に行
うかあるいは負側に行うかについては主走査方向に沿う
画素配列のずれ量（Ｅm ）の正負に従って決められる。
要するに、主走査方向に沿う画素配列ピッチを詰める場
合には、クロックパルスの位相はπ／５だけ負側にシフ
トされ、主走査方向に沿う画素配列ピッチを広げる場合
には、クロックパルスの位相はπ／５だけ正側にシフト
される。
【００９０】ステップ１４１３でマルチプレクサ８４Ｙ
−６からのクロックパルスの位相シフトが行われた後、
ステップ１４１４に進み、そこでカウンタｔのカウント
数が“１”だけカウントアップされ、次いでステップ１
４１０に戻り、ステップ１４１０ないし１４１４からな
るルーチンが繰り返される。即ち、主走査方向に沿う描
画作動が終了するまで、Ｙスケール読取りデータＣy が
位相シフト開始位置データデータＹt に到達する度毎に
マルチプレクサ８４Ｙ−６からのクロックパルスの位相
シフトが行われる。
−６からのクロックパルスの位相シフトが行われた後、
ステップ１４１４に進み、そこでカウンタｔのカウント
数が“１”だけカウントアップされ、次いでステップ１
４１０に戻り、ステップ１４１０ないし１４１４からな
るルーチンが繰り返される。即ち、主走査方向に沿う描
画作動が終了するまで、Ｙスケール読取りデータＣy が
位相シフト開始位置データデータＹt に到達する度毎に
マルチプレクサ８４Ｙ−６からのクロックパルスの位相
シフトが行われる。
【００９１】ステップ１４１２において、主走査方向に
沿う描画作動が終了すると、ステップ１４１２からステ
ップ１４１５に進み、そこでカウンタｔのカウント数が
リセットされる。次いで、ステップ１４１６に進み、そ
こでＸスケールセンサ１０２からＸスケール読取りデー
タＣx がサンプリングされる。次いで、ステップ１４１
７では、Ｘスケール読取りデータＣx が位相シフト開始
位置データＸs に等しいか否かが判断される。Ｘスケー
ル読取りデータＣx が位相シフト開始位置データＸs に
到達していなければ、ステップ１４１８に進み、そこで
副走査方向の描画が終了したか否かが判断される。副走
査方向の描画が終了していなければ、ステップ１４１８
からステップ１４１０に戻り、次の主走査方向に沿う描
画作動が開始される。
沿う描画作動が終了すると、ステップ１４１２からステ
ップ１４１５に進み、そこでカウンタｔのカウント数が
リセットされる。次いで、ステップ１４１６に進み、そ
こでＸスケールセンサ１０２からＸスケール読取りデー
タＣx がサンプリングされる。次いで、ステップ１４１
７では、Ｘスケール読取りデータＣx が位相シフト開始
位置データＸs に等しいか否かが判断される。Ｘスケー
ル読取りデータＣx が位相シフト開始位置データＸs に
到達していなければ、ステップ１４１８に進み、そこで
副走査方向の描画が終了したか否かが判断される。副走
査方向の描画が終了していなければ、ステップ１４１８
からステップ１４１０に戻り、次の主走査方向に沿う描
画作動が開始される。
【００９２】以上で述べたような主走査方向に沿う描画
作動が繰り返されている間にＸスケールセンサ１０２か
らのＸスケール読取りデータＣx が位相シフト開始位置
データＸs に等しくなったとき、即ち副走査方向に沿う
最初の位相シフト位置に到達したとき、ステップ１４１
７から１４１９に進み、そこでＸ軸画素配列補正処理回
路８４Ｘのマルチプレクサ８４Ｘ−６から出力されるク
ロックパルス（XCK-SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SF
T4、XCK-SFT5、XCK-SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SF
T9及びXCK-SFT10 ）の切換が行われ、そこで該クロック
パルスの位相がπ／５だけシフトさせられる。
作動が繰り返されている間にＸスケールセンサ１０２か
らのＸスケール読取りデータＣx が位相シフト開始位置
データＸs に等しくなったとき、即ち副走査方向に沿う
最初の位相シフト位置に到達したとき、ステップ１４１
７から１４１９に進み、そこでＸ軸画素配列補正処理回
路８４Ｘのマルチプレクサ８４Ｘ−６から出力されるク
ロックパルス（XCK-SFT1、XCK-SFT2、XCK-SFT3、XCK-SF
T4、XCK-SFT5、XCK-SFT6、XCK-SFT7、XCK-SFT8、XCK-SF
T9及びXCK-SFT10 ）の切換が行われ、そこで該クロック
パルスの位相がπ／５だけシフトさせられる。
【００９３】なお、先の図１２を参照する説明から明ら
かなように、クロックパルスの位相のシフトを正側に行
うかあるいは負側に行うかについては副走査方向に沿う
画素配列のずれ量（Ｅm ）の正負に従って決められる。
要するに、副走査方向に沿う画素配列ピッチを詰める場
合には、クロックパルスの位相はπ／５だけ正側にシフ
トされ、副走査方向に沿う画素配列ピッチを広げる場合
には、クロックパルスの位相はπ／５だけ負側にシフト
される。
かなように、クロックパルスの位相のシフトを正側に行
うかあるいは負側に行うかについては副走査方向に沿う
画素配列のずれ量（Ｅm ）の正負に従って決められる。
要するに、副走査方向に沿う画素配列ピッチを詰める場
合には、クロックパルスの位相はπ／５だけ正側にシフ
トされ、副走査方向に沿う画素配列ピッチを広げる場合
には、クロックパルスの位相はπ／５だけ負側にシフト
される。
【００９４】ステップ１４１９でマルチプレクサ８４Ｘ
−６からのクロックパルスの位相シフトが行われた後、
ステップ１４２０に進み、そこでカウンタｓのカウント
数が“１”だけカウントアップされ、次いでステップ１
４１０に戻り、ステップ１４１０ないし１４２０からな
るルーチンが更に繰り返される。即ち、副走査方向に沿
う描画作動が終了するまで、Ｘスケール読取りデータＣ
x が位相シフト開始位置データデータＸs に到達する度
毎にマルチプレクサ８４Ｙ−６からのクロックパルスの
位相シフトが行われる。
−６からのクロックパルスの位相シフトが行われた後、
ステップ１４２０に進み、そこでカウンタｓのカウント
数が“１”だけカウントアップされ、次いでステップ１
４１０に戻り、ステップ１４１０ないし１４２０からな
るルーチンが更に繰り返される。即ち、副走査方向に沿
う描画作動が終了するまで、Ｘスケール読取りデータＣ
x が位相シフト開始位置データデータＸs に到達する度
毎にマルチプレクサ８４Ｙ−６からのクロックパルスの
位相シフトが行われる。
【００９５】ステップ１４１８において、副走査方向に
沿う描画作動が終了すると、ステップ１４１８からステ
ップ１４２１に進み、そこでカウンタｓのカウント数が
リセットされる。次いで、ステップ１４２２に進み、そ
こで描画テーブル１８が原点位置まで戻される。
沿う描画作動が終了すると、ステップ１４１８からステ
ップ１４２１に進み、そこでカウンタｓのカウント数が
リセットされる。次いで、ステップ１４２２に進み、そ
こで描画テーブル１８が原点位置まで戻される。
【００９６】上述の実施形態では、主走査方向に沿う画
素配列補正処理に使用するπ／５ずつ位相のずれたクロ
ックパルスを発生させるためにデジタルディレイライン
８４Ｙ−１及び８４Ｙ−２が使用され、一方副走査方向
に沿う画素配列補正処理に使用するπ／５ずつ位相のず
れたクロックパルスを発生させるためにシフトレジスタ
８４Ｘ−１及び８４Ｘ−２が使用されているが、その理
由は主走査方向に沿う描画速度が副走査方向に沿う描画
速度よりも大巾に大きいからである。しかしながら、主
走査方向に沿う描画速度を低下させて、デジタルディレ
イライン８４Ｙ−１及び８４Ｙ−２の代わりにシフトレ
ジスタを用いることも可能である。
素配列補正処理に使用するπ／５ずつ位相のずれたクロ
ックパルスを発生させるためにデジタルディレイライン
８４Ｙ−１及び８４Ｙ−２が使用され、一方副走査方向
に沿う画素配列補正処理に使用するπ／５ずつ位相のず
れたクロックパルスを発生させるためにシフトレジスタ
８４Ｘ−１及び８４Ｘ−２が使用されているが、その理
由は主走査方向に沿う描画速度が副走査方向に沿う描画
速度よりも大巾に大きいからである。しかしながら、主
走査方向に沿う描画速度を低下させて、デジタルディレ
イライン８４Ｙ−１及び８４Ｙ−２の代わりにシフトレ
ジスタを用いることも可能である。
【００９７】
【発明の効果】以上の記載から明らかように、本発明に
よれば、個々のレーザ描画装置での画素配列の不均一性
は低コストでしかも容易に画素サイズ以下の単位で画素
配列補正処理により解消することができるので、被描画
体に対して高精度でパターン描画を行うことが可能であ
る。
よれば、個々のレーザ描画装置での画素配列の不均一性
は低コストでしかも容易に画素サイズ以下の単位で画素
配列補正処理により解消することができるので、被描画
体に対して高精度でパターン描画を行うことが可能であ
る。
【図１】本発明によるレーザ描画装置の一実施形態を示
す概略斜視図である。
す概略斜視図である。
【図２】図１に示したレーザ描画装置のブロック図であ
る。
る。
【図３】図２に示した画素配列処理回路の詳細ブロック
図である。
図である。
【図４】図２に示した画素配列補正処理回路の一部を構
成するＹ軸画素配列補正処理回路の詳細ブロック図であ
る。
成するＹ軸画素配列補正処理回路の詳細ブロック図であ
る。
【図５】図４に示したＹ軸画素配列補正処理回路の作動
を説明するためのクロックパルスのタイムチャートであ
る。
を説明するためのクロックパルスのタイムチャートであ
る。
【図６】図２に示した画素配列補正処理回路の一部を構
成するＸ軸画素配列補正処理回路の詳細ブロック図であ
る。
成するＸ軸画素配列補正処理回路の詳細ブロック図であ
る。
【図７】図６に示したＸ軸画素配列補正処理回路の作動
を説明するためのクロックパルスのタイムチャートであ
る。
を説明するためのクロックパルスのタイムチャートであ
る。
【図８】図２に示したビーム位置制御回路の詳細ブロッ
ク図である。
ク図である。
【図９】本発明による主走査方向に沿う画素配列のずれ
を模式的に説明するための模式図である。
を模式的に説明するための模式図である。
【図１０】図９の主走査方向に沿う画素配列のずれ量を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図１１】図９のグラフの一部を拡大して示すグラフで
あって、本発明による主走査方向に沿う画素配列補正処
理の原理を説明するためのものである。
あって、本発明による主走査方向に沿う画素配列補正処
理の原理を説明するためのものである。
【図１２】図１１と同様なグラフであって、本発明によ
る副走査方向に沿う画素配列補正処理の原理を説明する
ためのものである。
る副走査方向に沿う画素配列補正処理の原理を説明する
ためのものである。
【図１３】画素配列の不均一性を実測するためにガラス
乾板上に描画された格子パターンを模式的に示す模式図
である。
乾板上に描画された格子パターンを模式的に示す模式図
である。
【図１４】本発明によるレーザ描画装置の描画作動ルー
チンを説明するためのフローチャートの一部である。
チンを説明するためのフローチャートの一部である。
【図１５】本発明によるレーザ描画装置の描画作動ルー
チンを説明するためのフローチャートの残りの部分であ
る。
チンを説明するためのフローチャートの残りの部分であ
る。
１０ 基台
１２ レール
１４ Ｘテーブル
１８ 描画テーブル
２４ アルゴンレーザ発生器
７０ ポリゴンミラー
７８ システムコントロール回路
８４ 画素配列補正処理回路
８６ 主走査制御回路
８８ 副走査制御回路
９０ ビーム位置制御回路
９４ Ｙスケールセンサ
９８ Ｘテーブル位置制御回路
１０２ Ｘスケールセンサ
Claims (8)
- 【請求項１】 被描画体をレーザビームでもって走査さ
せつつ該被描画体に対するレーザビームの変調をラスタ
データに基づいて所定の周波数のクロックパルスに従っ
て制御して描画を行うレーザ描画装置であって、前記レーザビームによる記録範囲を走査方向に沿って等
分した区間の各々について、 前記レーザビームの走査方
向に沿う偏向中に予め実測された画素配列ピッチのずれ
データに基づいて、前記クロックパルスの位相を２π以
下の単位でシフトすべき位置を位相シフト開始位置デー
タとして演算する演算手段と、 描画作動中に前記演算手段によって得られた位相シフト
開始位置データに従って前記クロックパルスの位相をシ
フトさせて前記区間の各々における前記画素配列のずれ
を補正するように前記クロックパルスの出力を制御する
クロックパルス出力制御手段とを具備して成るレーザ描
画装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のレーザ描画装置におい
て、前記被描画体に対するレーザビームによる走査が該
レーザビームを該被描画体に対して偏向させることによ
って行われる場合にあっては、前記画素配列ピッチを詰
めるとき、前記クロックパルス出力制御手段は前記クロ
ックパルスの位相を負側にシフトするように該クロック
パルスの出力を制御し、前記画素配列ピッチを広げると
き、前記クロックパルス出力制御手段は前記クロックパ
ルスの位相を正側にシフトするように該クロックパルス
の出力を制御することを特徴とするレーザ描画装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のレーザ描画装置におい
て、前記被描画体に対するレーザビームによる走査が該
被描画体を該レーザビームに対して移動させることによ
って行われる場合にあっては、前記画素配列ピッチを詰
めるとき、前記クロックパルス出力制御手段は前記クロ
ックパルスの位相を正側にシフトするように該クロック
パルスの出力を制御し、前記画素配列ピッチを広げると
き、前記クロックパルス出力制御手段は前記クロックパ
ルスの位相を負側にシフトするように該クロックパルス
の出力を制御することを特徴とするレーザ描画装置。 - 【請求項４】 請求項１から３までのいずれか１項に記
載のレーザ描画装置において、前記クロックパルス出力
制御手段が前記クロックパルスとして位相の異なる少な
くとも２つ以上のクロックパルスを発生させるクロック
パルス発生手段と、このクロックパルス発生手段からの
少なくとも２つ以上のクロックパルスを選択的に切り換
えて出力するクロックパルス切換手段とを包含すること
を特徴とするレーザ描画装置。 - 【請求項５】 被描画体を偏向レーザビームでもって主
走査方向に走査させつつ該被描画体に対する偏向レーザ
ビームの変調をラスタデータに基づいて所定の周波数の
第１のクロックパルスに従って制御しかつ前記被描画体
を副走査方向に所定の周波数の第２のクロックパルスに
従って制御して描画を行うレーザ描画装置であって、前記レーザビームによる記録範囲を主走査方向に沿って
等分した第１の区間の各々について、 前記レーザビーム
の主走査方向に沿う偏向中に予め実測された主走査方向
画素配列ピッチのずれデータに基づいて、前記第１のク
ロックパルスの位相を２π以下の単位でシフトすべき位
置を第１の位相シフト開始位置データとして演算する第
１の演算手段と、前記記録範囲を副走査方向に沿って等分した第２の区間
の各々について、 前記被描画体の副走査方向に沿う移動
中に予め実測された副走査方向画素配列ピッチのずれデ
ータに基づいて、前記第２のクロックパルスの位相を２
π以下の単位でシフトすべき位置を第２の位相シフト開
始位置データとして演算する第２の演算手段と、 描画作動中に前記第１の演算手段によって得られた第１
の位相シフト開始位置データに従って前記第１のクロッ
クパルスの位相をシフトさせて、前記第１の区間の各々
における前記主走査方向画素配列のずれを補正するよう
に前記第１のクロックパルスの出力を制御する第１のク
ロックパルス出力制御手段と、 描画作動中に前記第２の演算手段によって得られた第２
の位相シフト開始位置データに従って前記第２のクロッ
クパルスの位相をシフトさせて、前記第２の区間の各々
における前記副走査方向画素配列のずれを補正するよう
に前記第２のクロックパルスの出力を制御する第２のク
ロックパルス出力制御手段とを具備して成るレーザ描画
装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載のレーザ描画装置におい
て、前記主走査方向画素配列ピッチを詰めるとき、前記
第１のクロックパルス出力制御手段は前記第１のクロッ
クパルスの位相を負側にシフトするように該第１のクロ
ックパルスの出力を制御し、前記主走査方向画素配列ピ
ッチを広げるとき、前記第１のクロックパルス出力制御
手段は前記第１のクロックパルスの位相を正側にシフト
するように該第１のクロックパルスの出力を制御し、前
記副走査方向画素配列ピッチを詰めるとき、前記第２の
クロックパルス出力制御手段は前記第２のクロックパル
スの位相を正側にシフトするように該第２のクロックパ
ルスの出力を制御し、前記副走査方向画素配列ピッチを
広げるとき、前記第２のクロックパルス出力制御手段は
前記第２のクロックパルスの位相を負側にシフトするよ
うに該第２のクロックパルスの出力を制御することを特
徴とするレーザ描画装置。 - 【請求項７】 請求項５または６に記載のレーザ描画装
置において、前記第１のクロックパルス出力制御手段が
前記第１のクロックパルスとして位相の異なる少なくと
も２つ以上のクロックパルスを発生させる第１のクロッ
クパルス発生手段と、この第１のクロックパルス発生手
段からの少なくとも２つ以上のクロックパルスを選択的
に切り換えて出力する第１のクロックパルス切換手段と
を包含し、前記２のクロックパルス出力制御手段が前記
第２のクロックパルスとして位相の異なる少なくとも２
つ以上のクロックパルスを発生させる第２のクロックパ
ルス発生手段と、この第２のクロックパルス発生手段か
らの少なくとも２つ以上のクロックパルスを選択的に切
り換えて出力する第２のクロックパルス切換手段とを包
含することを特徴とするレーザ描画装置。 - 【請求項８】 請求項７に記載のレーザ描画装置におい
て、前記第１のクロックパルス発生手段がデジタルディ
レイラインから構成され、前記第２のクロックパルス発
生手段がシフトレジスタから構成されることを特徴とす
るレーザ描画装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25784496A JP3370523B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 画素配列補正機能を持つレーザ描画装置 |
| US08/917,943 US6100915A (en) | 1996-08-28 | 1997-08-27 | Laser drawing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25784496A JP3370523B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 画素配列補正機能を持つレーザ描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1080781A JPH1080781A (ja) | 1998-03-31 |
| JP3370523B2 true JP3370523B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=17311941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25784496A Expired - Fee Related JP3370523B2 (ja) | 1996-08-28 | 1996-09-06 | 画素配列補正機能を持つレーザ描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3370523B2 (ja) |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP25784496A patent/JP3370523B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1080781A (ja) | 1998-03-31 |
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