JP3365069B2 - Surface acoustic wave device - Google Patents
Surface acoustic wave deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波（以下、ＳＡ
Ｗという。）装置に係り、特に弾性表面波の反射を抑制
するための吸音材を表面上に設けた装置構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to surface acoustic waves (hereinafter referred to as SA
It is called W. The present invention relates to a device, and more particularly to a device structure in which a sound absorbing material for suppressing reflection of surface acoustic waves is provided on the surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3
等の圧電基板の表面上に相互に対向した一対の櫛歯電極
から成るすだれ状電極変換器(interdigital transduce
r：以下、ＩＤ変換器という。）を送信側と受信側にそ
れぞれ設けた弾性表面波フィルター（以下、ＳＡＷフィ
ルターという。）がある。このＳＡＷフィルターは、送
信側ＩＤ変換器に導入された電気信号により発生する弾
性表面波を圧電基板の表面上で伝搬させ、この伝搬して
くる弾性表面波を受信側ＩＤ変換器において再び電気信
号に戻すことにより、弾性表面波の波形、圧電材料の特
性、並びに櫛歯電極を有する送信側ＩＤ変換器及び受信
側ＩＤ変換器の形状に起因する所定の特性を有するフィ
ルターを構成したものである。2. Description of the Related Art LiNbO 3 and LiTaO 3 have hitherto been used.
Interdigital transducer consisting of a pair of comb-shaped electrodes facing each other on the surface of a piezoelectric substrate such as
r: Hereinafter referred to as an ID converter. ) Is provided on each of the transmitting side and the receiving side (hereinafter referred to as SAW filter). This SAW filter propagates a surface acoustic wave generated by an electric signal introduced into the transmitter ID converter on the surface of the piezoelectric substrate, and propagates the surface acoustic wave again into an electric signal in the receiver ID converter. By returning to the above, the filter having the predetermined characteristics due to the waveform of the surface acoustic wave, the characteristics of the piezoelectric material, and the shapes of the transmitter ID converter and the receiver ID converter having the comb-teeth electrodes are configured. .
【０００３】このＳＡＷフィルターには、弾性表面波の
反射を防止する吸音材が各ＩＤ変換器の基板周縁側の表
面上に貼着される。この種のＳＡＷフィルターは、弾性
表面波の波長が短いために小型化、軽量化が容易であ
り、しかも鋭いフィルタ特性を有し、さらに量産性に優
れているという利点がある。In this SAW filter, a sound absorbing material for preventing reflection of surface acoustic waves is attached to the surface of each ID converter on the peripheral side of the substrate. This type of SAW filter is advantageous in that it can be easily miniaturized and reduced in weight because the surface acoustic wave has a short wavelength, has sharp filter characteristics, and is excellent in mass productivity.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｓ
ＡＷフィルターにおいては周波数特性に大きな温度依存
性があり、周波数特性は温度に対して−１８ｐｐｍ／℃
程度のほぼ直線的な変化を示す。このような温度特性は
フィルターの精度を悪化させるため、適切な温度制御を
行う必要がある。しかし、ＳＡＷフィルターの動作は圧
電基板の表面近傍の状態に大きく影響されるため、圧電
基板の弾性表面波の発振，受信および伝播する領域に温
度調整の温度調節のための異物を接触させることができ
ず、水晶板に効率的な温度調節を行うことが困難であ
る。However, the above S
In the AW filter, the frequency characteristic has a large temperature dependence, and the frequency characteristic is -18 ppm / ° C with respect to temperature.
It shows an almost linear change in the degree. Since such a temperature characteristic deteriorates the accuracy of the filter, it is necessary to perform appropriate temperature control. However, since the operation of the SAW filter is greatly influenced by the state near the surface of the piezoelectric substrate, it is possible to bring a foreign substance for temperature adjustment of temperature adjustment into contact with the region of the piezoelectric substrate where the surface acoustic wave is oscillated, received and propagated. However, it is difficult to efficiently control the temperature of the crystal plate.
【０００５】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は、ＳＡＷフィルター等のＳＡＷ装置
の温度調節を適切に行うことのできる新規の装置構成を
実現することにある。Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems, and an object thereof is to realize a novel device configuration capable of appropriately adjusting the temperature of a SAW device such as a SAW filter.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明が講じた手段は、圧電基板の表面上に形成され
所定の周期構造を備えた信号電極と、前記圧電基板の表
面温度を測定する温度測定手段と、弾性表面波を吸収す
る表面波吸収体と、熱電素子と、前記温度測定手段の測
定温度に応じて前記熱電素子を駆動し、前記表面温度を
制御する温度制御手段とを有する弾性表面波装置であっ
て、前記表面波吸収体は、前記圧電基板の表面上におい
て、前記信号電極間に発生する弾性表面波の伝搬領域を
取り囲むように延長形成され、前記表面波吸収体に一方
の温度領域が熱的に接合するように前記熱電素子が配置
されているものである。Means for Solving the Problems The means taken by the present invention to solve the above-mentioned problems include a signal electrode formed on a surface of a piezoelectric substrate and having a predetermined periodic structure, and a surface temperature of the piezoelectric substrate. Temperature measuring means for measuring, a surface wave absorber for absorbing surface acoustic waves, a thermoelectric element, driving the thermoelectric element according to the temperature measured by the temperature measuring means, and a temperature control means for controlling the surface temperature. In the surface acoustic wave device, the surface acoustic wave absorber is extendedly formed on the surface of the piezoelectric substrate so as to surround a propagation region of a surface acoustic wave generated between the signal electrodes. The thermoelectric element is arranged so that one temperature region is thermally bonded to the body.
【０００７】この場合において、前記圧電基板、前記温
度測定手段、前記熱電素子及び前記温度制御手段を単一
のケーシング内に収容することが好ましい。In this case, it is preferable that the piezoelectric substrate, the temperature measuring means, the thermoelectric element and the temperature control means are housed in a single casing.
【０００８】また、前記表面波吸収体を熱良導体で構成
することが望ましい。Further, it is desirable that the surface wave absorber is made of a good heat conductor.
【０００９】[0009]
【００１０】[0010]
【００１１】[0011]
【作用】本発明によれば、表面吸収体が圧電基板におけ
る弾性表面波の伝搬領域を取り囲むように延長形成する
ことにより、圧電基板と熱電素子の間の熱伝導性が向上
するのと同時に吸音性の向上を図ることができる。ま
た、圧電基板の表面波吸収体にペルチェ素子の一方の温
度領域が熱的に接合されていることにより、圧電基板の
表面側の構造に妨げられることなく、しかも表面上の弾
性表面波に影響を与えることなく大きな接触面を介して
冷却もしくは加熱を行うことができるので、効率的かつ
安定した温度制御を行うことができ、安定したＳＡＷ装
置の動作を実現できる。According to the present invention, the surface absorber is extendedly formed so as to surround the propagation region of the surface acoustic wave in the piezoelectric substrate, so that the thermal conductivity between the piezoelectric substrate and the thermoelectric element is improved and at the same time, the sound absorption is achieved. It is possible to improve the sex. In addition, since one temperature region of the Peltier element is thermally bonded to the surface wave absorber of the piezoelectric substrate, the structure on the surface side of the piezoelectric substrate is not hindered and the surface acoustic wave on the surface is affected. Since it is possible to perform cooling or heating via a large contact surface without applying heat, efficient and stable temperature control can be performed, and stable operation of the SAW device can be realized.
【００１２】また、単一のケーシング内に各構成要素を
全て収容することにより、高性能のＳＡＷデバイスを構
成できる。さらに、表面波吸収体を熱良導体で構成する
ことにより、熱電素子の温度制御性を向上させることが
できる。Further, a high performance SAW device can be constructed by accommodating all the constituent elements in a single casing. Furthermore, by configuring the surface wave absorber with a good thermal conductor, the temperature controllability of the thermoelectric element can be improved.
【００１３】[0013]
【００１４】[0014]
【００１５】[0015]
【００１６】[0016]
【実施例】次に図面を参照して本発明に係るＳＡＷ装置
の実施例を説明する。以下に説明するＳＡＷ装置はＬｉ
ＮｂＯ3 基板を使用したＳＡＷフィルターである。しか
し本発明はＳＡＷフィルターに限らずＳＡＷ共振器等の
各種ＳＡＷ装置に適用できるものである。また、圧電基
板についても、ＬｉＮｂＯ3 以外に、ＳＡＷ装置の構成
や用途に応じて、ＬｉＴａＯ3 や水晶等の種々の材質が
採用される。Embodiments of the SAW device according to the present invention will now be described with reference to the drawings. The SAW device described below is Li
This is a SAW filter using an NbO 3 substrate. However, the present invention is not limited to SAW filters and can be applied to various SAW devices such as SAW resonators. In addition to LiNbO 3 , various materials such as LiTaO 3 and quartz are used for the piezoelectric substrate depending on the configuration and application of the SAW device.
【００１７】この実施例では、図１及び図２に示すよう
に、縦３ｍｍ、横６ｍｍ、厚さ４００μｍ程度のＬｉＮ
ｂＯ3 単結晶からなる圧電基板１の表面２上に送信側Ｉ
Ｄ変換器３、受信側ＩＤ変換器４が形成されている。送
信側ＩＤ変換器３及び受信側ＩＤ変換器４と圧電基板１
の周縁部との間の表面２上には、シリコンゴム等からな
る吸音材５，５がそれぞれ島状に塗布形成されている。
この吸音材５の上にはペルチェ素子６，６が貼着されて
いる。圧電基板１の表面２上の他の周縁部には、白金薄
膜からなる感温体１２が蒸着等により形成されている。In this embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, LiN having a length of 3 mm, a width of 6 mm and a thickness of 400 μm is used.
On the surface 2 of the piezoelectric substrate 1 made of bO 3 single crystal, the transmitting side I
A D converter 3 and a reception side ID converter 4 are formed. Transmission-side ID converter 3, reception-side ID converter 4, and piezoelectric substrate 1
Sound absorbing materials 5 and 5 made of silicon rubber or the like are applied and formed in an island shape on the surface 2 between the peripheral portion and the peripheral portion.
Peltier elements 6, 6 are attached on the sound absorbing material 5. On the other peripheral portion on the surface 2 of the piezoelectric substrate 1, a temperature sensitive body 12 made of a platinum thin film is formed by vapor deposition or the like.
【００１８】圧電基板１は裏面のほぼ中央に支持台７の
支持部７ａが固着された状態で支持されている。支持部
７ａは圧電基板１を支持台７に対して所定の間隔で離反
させ、圧電基板１に支持台７から極力応力伝達のないよ
うに構成されており、圧電基板１に応力に起因する歪み
が発生しないようにしている。The piezoelectric substrate 1 is supported in a state in which a supporting portion 7a of a supporting base 7 is fixed to the back surface substantially at the center thereof. The support portion 7a is configured to separate the piezoelectric substrate 1 from the support base 7 at a predetermined interval so that stress is not transmitted from the support base 7 to the piezoelectric substrate 1 as much as possible. I try not to occur.
【００１９】吸音材５は、送信側ＩＤ変換器３で発生
し、受信側ＩＤ変換器４で受信され、圧電基板１の表面
２上を伝搬する弾性表面波が圧電基板１の左右縁部で反
射することのないように形成されるものである。この吸
音材５は、本来の振動を吸収する特性の他に、ペルチェ
素子６の基板温度を伝えるために熱の良導体であること
が好ましい。また、ペルチェ素子６を圧電基板１に接着
する接着剤として機能するものがさらに望ましい。この
場合、上記のようなシリコンゴムではなく、シリコング
リス、銀ペースト、カーボンペースト等を硬度調整して
使用することにより、上記の吸音性、熱伝導性及び接着
性を全て満足させることができる。The sound absorbing material 5 is generated by the ID converter 3 on the transmitting side, is received by the ID converter 4 on the receiving side, and surface acoustic waves propagating on the surface 2 of the piezoelectric substrate 1 are at the left and right edges of the piezoelectric substrate 1. It is formed so as not to be reflected. The sound absorbing material 5 is preferably a good conductor of heat in order to transmit the substrate temperature of the Peltier element 6 in addition to the characteristic of absorbing the original vibration. Further, a material that functions as an adhesive that bonds the Peltier element 6 to the piezoelectric substrate 1 is more desirable. In this case, the sound absorbing property, the thermal conductivity, and the adhesive property can all be satisfied by adjusting the hardness of silicon grease, silver paste, carbon paste, or the like, instead of using the above silicone rubber.
【００２０】図３は上記実施例の全体構成を示す。上記
図１及び図２に示されている支持台７はベース８に固着
されており、このベース上にはＩＣチップ９が実装され
ている。ベース８にはカバー１０が取付けられ、密封さ
れるようになっている。なお、ベース８及びカバー１０
で形成される内部空間には窒素やアルゴン等の不活性ガ
スが充填される。ベース８の下面からは内部回路に導電
接続された複数の外部接続端子１１が突出形成されてい
る。FIG. 3 shows the overall construction of the above embodiment. The support base 7 shown in FIGS. 1 and 2 is fixed to a base 8, and an IC chip 9 is mounted on this base. A cover 10 is attached to the base 8 so as to be hermetically sealed. The base 8 and the cover 10
The internal space formed by is filled with an inert gas such as nitrogen or argon. A plurality of external connection terminals 11 that are conductively connected to the internal circuit are formed to project from the lower surface of the base 8.
【００２１】圧電基板１上の送信側ＩＤ変換器３及び受
信側ＩＤ変換器４には、各々図２に示すようにそれぞれ
櫛歯状に形成された一対の対向電極が形成され、対向電
極のそれぞれに信号線がボンディングされている（図示
せず）。また、感温体５の両端にも検出線が接続されて
いる。これらの信号線及び検出線の他端は支持台７に形
成された配線パターンを介してベース８上の配線パター
ンに接続され、ＩＣチップ９内に引き込まれている。The transmission-side ID converter 3 and the reception-side ID converter 4 on the piezoelectric substrate 1 are formed with a pair of counter electrodes each having a comb-teeth shape as shown in FIG. A signal line is bonded to each (not shown). Further, detection lines are connected to both ends of the temperature sensitive body 5. The other ends of these signal lines and detection lines are connected to the wiring pattern on the base 8 via the wiring pattern formed on the support base 7 and are drawn into the IC chip 9.
【００２２】送信側ＩＤ変換器３及び受信側ＩＤ変換器
４の対向電極はアルミニウム等その他の合金を蒸着やス
パッタリング等により被着することにより形成されてい
る。また、感温体１２は蒸着により形成された白金など
の金属薄膜であり、温度により変化する薄膜の抵抗値か
ら圧電基板１の表面温度が検出されるようになってい
る。The counter electrodes of the transmitter ID converter 3 and the receiver ID converter 4 are formed by depositing aluminum or another alloy by vapor deposition, sputtering, or the like. The temperature sensitive body 12 is a metal thin film such as platinum formed by vapor deposition, and the surface temperature of the piezoelectric substrate 1 can be detected from the resistance value of the thin film which changes with temperature.
【００２３】図４には上記各実施例の回路構成を示す。
圧電基板１に形成された送信側ＩＤ変換器３と、受信側
ＩＤ変換器４と、感温体１２とはそれぞれ信号線３１，
３２，４１，４２及び検出線１２１，１２２を介してＩ
Ｃチップ９に接続されている。送信側ＩＤ変換器３の信
号線３１，３２には入力信号が入力され、受信側ＩＤ変
換器４の信号線４１，４２からは出力信号が取り出され
る。また、感温体１２の検出線１２１，１２２を介して
得られた感温体の抵抗値に応じて圧電基板１の表面温度
が検出される。ＩＣチップ９は圧電基板１の表面温度と
予め設定された基準温度との差を算出し、この温度差に
応じてペルチェ素子６の駆動電圧を出力する。FIG. 4 shows the circuit configuration of each of the above embodiments.
The transmission-side ID converter 3, the reception-side ID converter 4, and the temperature sensor 12 formed on the piezoelectric substrate 1 are connected to the signal lines 31, respectively.
I through 32, 41, 42 and the detection lines 121, 122
It is connected to the C chip 9. An input signal is input to the signal lines 31 and 32 of the transmission side ID converter 3, and an output signal is taken out from the signal lines 41 and 42 of the reception side ID converter 4. Further, the surface temperature of the piezoelectric substrate 1 is detected according to the resistance value of the temperature sensing body obtained through the detection lines 121 and 122 of the temperature sensing body 12. The IC chip 9 calculates the difference between the surface temperature of the piezoelectric substrate 1 and a preset reference temperature, and outputs the drive voltage of the Peltier element 6 according to this temperature difference.
【００２４】図５はペルチェ素子６の断面構造を示すも
のである。ペルチェ素子６は、アルミナ等で形成された
セラミック基板６１及び６２の間に、電極６３，６４と
Ｂｉ−Ｔｅ系等のｎ型半導体６５及びｐ型半導体６６を
電気的には直列に、熱的には並列に接続したπ型構造を
複数配列させたものである。セラミック基板６２は接着
剤６７により吸音材５に接着され、吸音材５は圧電基板
１に接着されている。この場合に吸音材５が接着剤の機
能をも備えている場合には接着剤６７は不要である。FIG. 5 shows a sectional structure of the Peltier device 6. In the Peltier element 6, the electrodes 63, 64 and the n-type semiconductor 65 and p-type semiconductor 66 such as Bi-Te system are electrically connected in series between the ceramic substrates 61 and 62 made of alumina or the like, and are thermally connected. Is an array of multiple π-type structures connected in parallel. The ceramic substrate 62 is bonded to the sound absorbing material 5 with the adhesive 67, and the sound absorbing material 5 is bonded to the piezoelectric substrate 1. In this case, if the sound absorbing material 5 also has the function of an adhesive, the adhesive 67 is unnecessary.
【００２５】上記実施例によれば、圧電基板１の吸音剤
上にペルチェ素子６を配置することにより、弾性表面波
に影響を与えることなく、しかも圧電基板の表面２にペ
ルチェ素子を間接的ではあるが接触させることができる
ので、表面温度の正確な調節を行うことができる。この
場合、圧電基板１の支持は支持台７の支持部７ａにより
ペルチェ素子６を介してのみ行われているため周囲に他
の接触部が存在せず、構造が簡素化されるとともに効率
的な冷却若しくは加熱を行うことができる。ペルチェ素
子６のセラミック基板６２は、上記駆動電圧の極性に応
じて圧電基板１の冷却と加熱を選択的に行い、上記駆動
電圧の絶対値に応じて冷却量若しくは加熱量が調整され
る。According to the above embodiment, by arranging the Peltier element 6 on the sound absorbing agent of the piezoelectric substrate 1, the Peltier element is not indirectly provided on the surface 2 of the piezoelectric substrate without affecting the surface acoustic wave. However, since they can be brought into contact with each other, the surface temperature can be accurately adjusted. In this case, since the piezoelectric substrate 1 is supported only by the support portion 7a of the support base 7 through the Peltier element 6, there is no other contact portion in the surroundings, and the structure is simplified and efficient. Cooling or heating can be performed. The ceramic substrate 62 of the Peltier element 6 selectively cools and heats the piezoelectric substrate 1 according to the polarity of the driving voltage, and the cooling amount or the heating amount is adjusted according to the absolute value of the driving voltage.
【００２６】上記実施例では、ペルチェ素子を圧電基板
の吸音材上に配置したことにより、極めてコンパクトに
温度制御構造を構成でき、温度制御による装置全体の容
積の増大を抑制することができる。また、本実施例では
温度制御手段により温度の調節を行うことによりフィル
タ特性を変化させることも可能である。In the above embodiment, since the Peltier element is arranged on the sound absorbing material of the piezoelectric substrate, the temperature control structure can be constructed extremely compactly and the increase in the volume of the entire device due to the temperature control can be suppressed. Further, in this embodiment, it is also possible to change the filter characteristic by adjusting the temperature by the temperature control means.
【００２７】吸音材５の平面形状は任意であるが、図２
に点線で示すように弾性表面波の伝搬方向に沿った両側
縁部にまで延長した吸音材５’を形成することにより、
圧電基板の動作領域が取り囲まれ、ペルチェ素子６の温
度制御のための熱伝導性を向上させることができる。こ
の場合、同時に吸音性も向上する。また、一対の吸音材
５’を繋げて吸音材により圧電基板の動作領域を完全に
取り囲むように形成してもよい。これらの場合に、複数
のペルチェ素子を分散配置させることが望ましく、ペル
チェ素子の数やそれらの取付け位置は適宜設定すること
ができる。The sound absorbing material 5 may have any planar shape, but FIG.
By forming the sound absorbing material 5 ′ extending to both side edges along the propagation direction of the surface acoustic wave as shown by the dotted line in
Since the operation area of the piezoelectric substrate is surrounded, the thermal conductivity of the Peltier element 6 for temperature control can be improved. In this case, the sound absorption property is also improved at the same time. Alternatively, a pair of sound absorbing materials 5 ′ may be connected so that the sound absorbing material completely surrounds the operation area of the piezoelectric substrate. In these cases, it is desirable to dispose a plurality of Peltier elements in a distributed manner, and the number of Peltier elements and their mounting positions can be set appropriately.
【００２８】なお、上記支持部７ａによる支持位置は圧
電基板１の裏面中央である必要はなく、中央から外れた
位置に形成されていてもよい。また、ペルチェ素子の個
数や配置は任意である。感温体は上記実施例に示したも
のに限定されることなく、公知の種々の温度センサを温
度計測に適した場所であれば任意の場所に設置すること
ができる。The supporting position by the supporting portion 7a does not have to be at the center of the back surface of the piezoelectric substrate 1, but may be formed at a position deviated from the center. The number and arrangement of Peltier elements are arbitrary. The temperature sensitive body is not limited to the one shown in the above embodiment, and various known temperature sensors can be installed at any place suitable for temperature measurement.
【００２９】また、温度制御はＩＣチップ９の内部回路
により通常のＰＩＤ制御方式等で行うことができ、或い
は必要に応じて他の方式を採用してもよい。さらに、ペ
ルチェ素子６の冷却若しくは加熱効果を高めるために、
ペルチェ素子６におけるセラミック基板６１の上面に放
熱フィン等の補助部材を適宜取付けてもよい。また、上
記構造のペルチェ素子に限らず公知の種々の熱電素子を
使用できることは言うまでもない。The temperature control can be performed by a normal PID control method or the like by the internal circuit of the IC chip 9, or another method may be adopted as necessary. Furthermore, in order to enhance the cooling or heating effect of the Peltier element 6,
An auxiliary member such as a heat radiation fin may be appropriately attached to the upper surface of the ceramic substrate 61 of the Peltier element 6. Needless to say, various known thermoelectric elements can be used as well as the Peltier element having the above structure.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば以下
の効果を奏する。As described above, the present invention has the following effects.
【００３１】請求項１によれば、圧電基板の表面波吸収
体にペルチェ素子の一方の温度領域が熱的に接合されて
いることにより、圧電基板の表面側の構造に妨げられる
ことなく、しかも表面上の弾性表面波に影響を与えるこ
となく大きな接触面を介して冷却若しくは加熱を行うこ
とができるので、効率的かつ安定した温度制御を行うこ
とができ、安定したＳＡＷ装置の動作を実現できる。According to the first aspect of the present invention, since one surface temperature region of the Peltier element is thermally bonded to the surface wave absorber of the piezoelectric substrate, the structure on the front surface side of the piezoelectric substrate is not disturbed, and Since cooling or heating can be performed through a large contact surface without affecting surface acoustic waves on the surface, efficient and stable temperature control can be performed, and stable SAW device operation can be realized. .
【００３２】請求項２によれば、単一のケーシング内に
各構成要素を全て収容することにより、高性能のＳＡＷ
デバイスを構成できる。According to the second aspect of the present invention, the high performance SAW is achieved by accommodating all the components in a single casing.
You can configure the device.
【００３３】請求項３によれば、表面波吸収体を接着性
を有する材料で構成して、圧電素子を表面波吸収体上に
直接接着させることにより、熱電素子と圧電基板との固
着機能を表面波吸収体が備えていることになるため、接
着剤の塗布等が不要になり、製造工程が簡略化される。According to the third aspect, the surface wave absorber is made of a material having an adhesive property, and the piezoelectric element is directly adhered to the surface wave absorber, so that the thermoelectric element and the piezoelectric substrate can be fixed to each other. Since the surface wave absorber is provided, it is not necessary to apply an adhesive or the like, and the manufacturing process is simplified.
【００３４】請求項４によれば、表面波吸収体を熱良導
体で構成することにより、熱電素子の温度制御性を向上
させることができる。According to the fourth aspect, the temperature controllability of the thermoelectric element can be improved by forming the surface wave absorber with a good thermal conductor.
【００３５】請求項５によれば、表面波吸収体が圧電基
板における弾性表面波の伝搬領域を取り囲むように延長
形成することにより、圧電基板と熱電素子の間の熱伝導
性が向上すると同時に吸音性の向上を図ることができ
る。According to the present invention, the surface wave absorber is extendedly formed so as to surround the propagation region of the surface acoustic wave in the piezoelectric substrate, so that the thermal conductivity between the piezoelectric substrate and the thermoelectric element is improved and at the same time, the sound absorption is achieved. It is possible to improve the sex.
【図１】本発明に係る実施例におけるＳＡＷフィルター
の主要部分の構造を示す縦断面図である。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing the structure of a main part of a SAW filter in an example according to the present invention.
【図２】本発明に係る第２実施例におけるＳＡＷフィル
ターの圧電基板上の構造を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a structure on a piezoelectric substrate of a SAW filter according to a second embodiment of the present invention.
【図３】上記各実施例の全体構成を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing the overall configuration of each of the above embodiments.
【図４】上記各実施例の回路構成を示すブロック図であ
る。FIG. 4 is a block diagram showing a circuit configuration of each of the embodiments.
【図５】上記各実施例に取付けるペルチェ素子の構造を
示す拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing the structure of a Peltier device attached to each of the above embodiments.
１ 圧電基板 ２ 表面 ３ 送信側ＩＤ変換器 ４ 受信側ＩＤ変換器 ５ 吸音材 ６ ペルチェ素子 ７ 支持台 ７ａ 支持部 ８ ベース ９ ＩＣチップ １０ カバー １２ 感温体 1 Piezoelectric substrate 2 surface 3 Transmitter ID converter 4 Receiver ID converter 5 sound absorbing material 6 Peltier element 7 Support 7a support 8 base 9 IC chip 10 covers 12 temperature sensitive body
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/145 H03H 9/25 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H03H 9/145 H03H 9/25
Claims (3)
構造を備えた信号電極と、前記圧電基板の表面温度を測
定する温度測定手段と、弾性表面波を吸収する表面波吸
収体と、熱電素子と、前記温度測定手段の測定温度に応
じて前記熱電素子を駆動し、前記表面温度を制御する温
度制御手段とを有する弾性表面波装置であって、 前記表面波吸収体は、前記圧電基板の表面上において、
前記信号電極間に発生する弾性表面波の伝搬領域を取り
囲むように延長形成され、前記表面波吸収体に一方の温
度領域が熱的に接合するように前記熱電素子が配置され
ていることを特徴とする弾性表面波装置。 1. A predetermined cycle formed on the surface of a piezoelectric substrate.
The signal electrode with the structure and the surface temperature of the piezoelectric substrate are measured.
Temperature measuring means to determine the
The collector, the thermoelectric element, and the temperature measured by the temperature measuring means.
Temperature that drives the thermoelectric element and controls the surface temperature.
A surface acoustic wave device having a degree control means, wherein the surface acoustic wave absorber is on the surface of the piezoelectric substrate,
Taking the propagation area of the surface acoustic wave generated between the signal electrodes
It is extended so as to surround it, and one of the
The thermoelectric elements are arranged so that the temperature regions are thermally joined.
A surface acoustic wave device characterized in that
温度測定手段、前記熱電素子及び前記温度制御手段は単
一のケーシング内に収容されていることを特徴とする弾
性表面波装置。2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the piezoelectric substrate, the temperature measuring means, the thermoelectric element, and the temperature control means are housed in a single casing.
熱良導体で構成されていることを特徴とする弾性表面波
装置。 3. The surface wave absorber according to claim 1,
Surface acoustic wave characterized by being composed of a good thermal conductor
apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21145094A JP3365069B2 (en) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21145094A JP3365069B2 (en) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | Surface acoustic wave device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0879001A JPH0879001A (en) | 1996-03-22 |
| JP3365069B2 true JP3365069B2 (en) | 2003-01-08 |
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ID=16606156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21145094A Expired - Fee Related JP3365069B2 (en) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3365069B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007029393A1 (en) * | 2007-06-26 | 2009-01-22 | Epcos Ag | Transformer arrangement has piezoelectric transformer and thermoelectric components coupled in transformer, and thermoelectric components are electrically controlled |
-
1994
- 1994-09-05 JP JP21145094A patent/JP3365069B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0879001A (en) | 1996-03-22 |
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