JP3341258B2 - ポリッシング装置 - Google Patents

ポリッシング装置

Info

Publication number
JP3341258B2
JP3341258B2 JP34116192A JP34116192A JP3341258B2 JP 3341258 B2 JP3341258 B2 JP 3341258B2 JP 34116192 A JP34116192 A JP 34116192A JP 34116192 A JP34116192 A JP 34116192A JP 3341258 B2 JP3341258 B2 JP 3341258B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polished
top ring
polishing
ring
turntable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP34116192A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06155286A (ja
Inventor
勝弥 奥村
徹 渡辺
利一郎 青木
博之 矢野
雅子 小寺
厚 重田
遊 石井
憲雄 木村
政義 広瀬
学 辻村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Toshiba Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp, Toshiba Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP34116192A priority Critical patent/JP3341258B2/ja
Publication of JPH06155286A publication Critical patent/JPH06155286A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3341258B2 publication Critical patent/JP3341258B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハの研磨もし
くは凹凸表面を有する基板を平坦化するポリッシング装
に関し、特にポリッシング対象物がトップリング下端
面から外れるのを防止する外れ止めリングに特徴を有す
るポリッシング装置に関するものである。
【0002】
【従来技術】従来この種のポリッシング装置は、図3に
示すように、各々独立した回転数で回転するターンテー
ブル20とトップリング本体3を有し、且つ該トップリ
ング本体3が摺動しながら一定の圧力をターンテーブル
20に与え、ターンテーブル20と該トップリング本体
3の間にポリッシング対象物6を介在させて該ポリッシ
ング対象物6の表面を研磨するようになっている。この
ようなポリッシング装置において、トップリング本体3
の下端外周には外れ止めリング5が設けられ、ポリッシ
ング対象物6がトップリング本体3の下端面から外れる
のを防止する外れ止めリング5が設けられている。
【0003】図4は上記ポリッシング装置のトップリン
グと外れ止めリング部分を示す図である。図示するよう
に、トップリング本体3の下端外周には外れ止めリング
5’が設けられており、該外れ止めリング5’の断面は
矩形状である。つまり断面の上部の厚さも下部の厚さも
等しい形状である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の外れ止めリング5’を使用したポリッシング装置で
半導体ウエハ等のポリッシング対象物6を研磨した場
合、トップリング本体3と研磨布23とのたわみの関係
や研磨砥液Qがポリッシング対象物6とトップリング本
体3の間に浸入することにより端部に荷重が集中し過度
に研磨されてしまうという、所謂端だれが発生するとい
う問題があった。更に使用するうちに外れ止めリング
5’の内側角が消耗し、順テーパーがついた際には、ポ
リッシング対象物6が外れ止めリングに乗り上げるとい
う問題もあった。
【0005】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、ポリッシング対象物を研磨した場合、端だれが発生
することのない外れ止めリングを有するポリッシング装
置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項1に記載の発明は、ポリッシング対象物を保持す
るトップリングとターンテーブルを有し、該ターンテー
ブルと該トップリングの間にポリッシング対象物を介在
させて該ポリッシング対象物の表面を研磨し平坦化する
ポリッシング装置において、トップリングはポリッシン
グ対象物が該トップリングから外れるのを防止する外れ
止めリングを有し、該外れ止めリングは、ポリッシング
対象物が接触する内周面の内径が上部が大きく下部が小
さいテーパ形状となっていることを特徴とする。
【0007】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載のポリッシング装置において、外れ止めリング
は、その断面が所定の角度からなるテーパー状であるこ
とを特徴とする。
【0008】また、請求項2に記載のポリッシング装置
において、前記所定の角度αは3°≦α≦10°である
ことを特徴とする。
【0009】また、請求項3に記載の発明は、請求項1
乃至2のいずれか1に記載のポリッシング装置におい
て、外れ止めリングは、ポリッシング対象物より軟質な
材料で形成されていることを特徴とする。
【0010】また、請求項4に記載の発明は、ポリッシ
ング対象物を保持するトップリングとターンテーブルを
有し、該ターンテーブルと該トップリングの間にポリッ
シング対象物を介在させて該ポリッシング対象物の表面
を研磨し平坦化するポリッシング装置において、トップ
リングは前記ポリッシング対象物が該トップリングから
外れるのを防止する外れ止めリングを有し、該外れ止め
リングは、トップリングにポリッシング対象物を保持さ
せた場合、該ポリッシング対象物が接触する内周面の内
径が該ポリッシング対象物のターンテーブルに接触する
面側が小さく、その反対が大きいテーパ形状となって
いることを特徴とする。
【0011】
【作用】トップリングに装着する外れ止めリングを、そ
の断面の上部が薄く下部が厚いテーパー状、即ち、図1
に示すように、ポリッシング対象物6が接触する内周面
の内径が上部が大きく下部が小さい形状又は、トップリ
ングにポリッシング対象物6を保持させた場合、該ポリ
ッシング対象物が接触する内周面の内径が該ポリッシン
グ対象物のターンテーブルに接触する面側が小さく、そ
の反対が大きい形状となっているので、ポリッシング対
象物6が外れ止めリング5と図1の点P2で接触した
時、外れ止めリング5の内側に角度αのテーパーを付け
ることにより、ポリッシング対象物6がFの力で上に持
ち上げられるから、ポリッシング対象物6の端部が研磨
され過ぎて端だれを起こすことがない。また、外れ止め
リング5の本来の機能であるポリッシング対象物6の外
れ止めにも効果があり、研磨砥液Qの浸入防止にも役立
つ。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1はポリッシング装置の外れ止めリングの構造
を示す図である。図示するように、トップリング本体3
の下端外周に設けられ、ポリッシング対象物6がトップ
リング本体3の下端面から外れるのを防止するポリッシ
ング装置の外れ止めリング5は、その断面の上部が薄く
下部が厚い角度αを有するテーパー状となっている。な
お、図1において、P1はポリッシング対象物(例えば
半導体ウエハ)6の外周点、P2は外れ止めリング5と
ポリッシング対象物6との接触点、aはポリッシング対
象物6の上面と外周点P1の水平面との間の寸法(ポリ
ッシング対象物6の厚さの1/2)、a’はポリッシン
グ対象物6の上面と接触点P2の水平面との間の寸法、
bはトップリング本体3の下面と外れ止めリング下面と
の間の寸法であり、b>a’,b<Tの関係が成立して
いる。即ち、外れ止めリング5はトップリング本体3に
ポリッシング対象物6を保持させた場合、ポリッシング
対象物6のターンテーブル20に接触する面側が厚くそ
の反対が薄いテーパー形状となっている
【0013】図2は上記外れ止めリングを用いたポリッ
シング装置のポリッシング部の構成を示す側断面図であ
る。1はトップリング駆動軸であり、該トップリング駆
動軸1の下端面中央部には球ベアリング2が摺接する凹
状球面1aが形成されている。3はトップリング本体で
あり、該トップリング本体3はトップリング本体上部3
−1とトップリング本体下部3−2とで構成されてい
る。トップリング本体上部3−1の上面中心部には球ベ
アリング2が摺接する凹状球面3−1aが形成され、ト
ップリング本体下部3−2の外周部には外れ止めリング
5が取付けられている。
【0014】トップリング本体下部3−2には下面に開
口する多数の真空吸引孔3−2aが形成されている。ト
ップリング本体上部3−1には該真空吸引孔3−2aに
連通する真空溝3−1bが形成されており、該真空溝3
−1bは同じくトップリング本体上部3−1に形成され
真空孔3−1cに連通している。この真空孔3−1cは
真空ライン用チューブ10とチューブ継手9及びチュー
ブ継手11でトップリング駆動軸1の中心部に設けられ
た真空孔1bに連通されている。
【0015】前記トップリング駆動軸1にはフランジ部
1cが一体に設けられており、該フランジ部1cの外周
にはトルク伝達ピン7が設けられている。また、トップ
リング本体3のトップリング本体上部3−1の上面には
該トルク伝達ピン7に対応して、トルク伝達ピン8が設
けられている。トップリング本体下部3−2の下面と外
れ止めリング5の内周とターンテーブル(図示せず)上
面とに囲まれた空間にポリッシング対象物6を収容し、
該ターンテーブルを回転させると共に、トップリング駆
動軸1を回転させ、その回転トルクをトルク伝達ピン7
とトルク伝達ピン8の係合によりトップリング本体3に
伝達させてトップリング本体3を回転させ、且つトップ
リング本体3を摺動させながらポリッシング対象物6の
表面を平坦且つ鏡面に研磨する。
【0016】なお、4はトップリングホルダーで、該ト
ップリングホルダー4はボルト4−2によりトップリン
グ本体3と連結している。トップリング駆動軸1を上昇
させるとトップリングホルダー4はトップリング本体3
と供に上昇する。この上昇させた状態時にスプリング4
−1は柔らかくトップリング本体3を水平に保つ機能、
特に半導体ウエハを受け渡しするときに有効に機能す
る。
【0017】図3は上記ポリッシング部を用いたポリッ
シング装置の構成を示す側断面図である。20はターン
テーブルであり、該ターンテーブル20は軸21を中心
に回転できるようになっている。ターンテーブル20の
外周部には研磨砥液等の飛散を防ぐためのターンテーブ
ルリング22が設けられている。また、ターンテーブル
20の上面には研磨布23が張られている。
【0018】ターンテーブル20の上部にはトップリン
グ本体3等が配置されており、トップリング本体3はト
ップリングシリンダ12により、ターンテーブル20に
対して一定の圧力で押圧されている。13はトップリン
グで、歯車14、タイミングベルト15、歯車16を介
してトップリング駆動軸1に回転トルクを与えている。
17は研磨砥液ノズルであり、研磨砥液ノズル17でタ
ーンテーブル20の研磨布23上に研磨砥液Qを噴射で
きるようになっている。
【0019】上記構成のポリッシング装置において、ト
ップリング本体下部3−2の下面にポリッシング対象物
6を真空吸着で取付け、ターンテーブル20上面の研磨
布23上にトップリングシリンダ12により圧力を加え
る。この時ターンテーブル20は回転を始める。次に研
磨砥液ノズル17から研磨布23上に研磨砥液Qを流す
ことにより、研磨布23に研磨砥液Qが保持され、ポリ
ッシング対象物6の研磨される面(下面)に研磨砥液Q
が浸入しポリッシングを始める。なお、ポリッシングに
際しては、ポリッシング対象物6をトップリング本体下
部3−2の下面に真空吸着する必要はなく、真空吸着せ
ずに行なっても良い。
【0020】この時、ポリッシング対象物6が外れ止め
リング5と図1の点Aで接触した時、外れ止めリング5
の内側に角度αのテーパーを付けることにより、ポリッ
シング対象物6がFの力で上に持ち上げられるから、ポ
リッシング対象物6の端部が研磨され過ぎて端だれを起
こすことがない。即ち、ポリッシング対象物6の端部と
研磨布23の接触力が弱くなり過度の研磨とならない。
【0021】図5はポリッシング部に真空吸着機能を持
たない場合の構成を示す側断面図である。図示するよう
に、トップリング本体3にはその下面に開口する真空吸
引孔やこれに連通する真空孔がトップリング駆動軸1に
設けられていない。即ち、トップリング本体3はその下
面にポリッシング対象物6を吸着する機能を有していな
い。その他の点は図2のポリッシング部と全く同一であ
る。また、図5において、外れ止めリング5はその断面
が上部が薄く下部が厚いテーパー状となっている点は図
1に示す外れ止めリング5と全く同じである。このよう
にトップリング本体3が真空吸着機能を有していない場
合でも、本発明の効果には全く影響がない。更に、トッ
プリング表面に発泡ポリウレタンシート等を緩衝材とし
て貼り付けた場合にも有効である。
【0022】なお、外れ止めリング5の材質半導体ウ
エハ等のポリッシング対象物6より軟質な材料、例えば
塩化ビニール(PVD)にすることにより、チッピング
等のポリッシング対象物6に対するダメージを与えるこ
とがない。
【0023】図6乃至図9はそれぞれ外れ止めリング5
の内側に傾斜する角度α、即ちテーパー角度αを変えて
ポリッシングした場合のポリッシング対象物の中心から
の距離(mm)に対するポリッシングレート(Å/mi
n)の測定例を示す図である。図6乃至図9の測定例で
は、いずれの場合もターンテーブル回転数:100rp
m、トップリング回転数:100rpm、トップリング
面圧:300g/cm2のポリッシングで研磨砥液とし
てCeO2の砥粒を1重量%混入した研磨砥液を用い
た。
【0024】図6に測定結果を示す実験例では、ポリッ
シング対象物としてシリコンウエハ表面にSiO2の膜
を形成してなる半導体ウエハを用いている。図6におい
て、白丸はα=0°、黒丸はα=3°、×はα=5°、
三角はα=10°とした場合を示す。図示するように外
れ止めリングのテーパー角度αを3°〜10°とした場
合、α=0°のようにポリッシング対象物の端部の過研
磨、所謂端だれが起こらない。
【0025】図7に測定結果を示す実験例では、ポリッ
シング対象物としてシリコンウエハ表面にSiNの膜を
形成してなる半導体ウエハを用いている。図7におい
て、白丸はα=0°、×はα=5°とした場合を示す。
図示するように外れ止めリングのテーパー角度αを5°
とした場合は、α=0°のようにポリッシング対象物の
端部の過研磨、所謂端だれが起こらない。
【0026】図8に測定結果を示す実験例では、ポリッ
シング対象物としてシリコンウエハ表面にBPSGの膜
を形成してなる半導体ウエハを用いている。図7におい
て、白丸はα=0°、×はα=5°とした場合を示す。
図示するように外れ止めリングのテーパー角度αを5°
とした場合は、α=0°のようにポリッシング対象物の
端部の過研磨、所謂端だれが起こらない。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように各請求項に記載の発
明によれば、外れ止めリングをポリッシング対象物が接
触する内周面の内径が上部が大きく下部が小さいテーパ
形状又はトップリングにポリッシング対象物を保持させ
た場合、該ポリッシング対象物が接触する内周面の内径
が該ポリッシング対象物のターンテーブルに接触する面
側が小さく、その反対が大きいテーパ形状とした
で、ポリッシング対象物が外れ止めリングとある点で接
触した時、ポリッシング対象物がトップリング側に持ち
上げられるから、ポリッシング対象物の端部が研磨され
過ぎて端だれを起こすことがないという優れた効果が得
られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のポリッシング装置の外れ止めリングの
構造を示す図である。
【図2】本発明の外れ止めリングを用いたポリッシング
装置のポリッシング部の構成を示す側断面図である。
【図3】ポリッシング装置の構成を示す側断面図であ
る。
【図4】従来のポリッシング装置の外れ止めリングの構
造を示す図である。
【図5】本発明の外れ止めリングを用いたポリッシング
装置のポリッシング部の構造を示す図である。
【図6】外れ止めリングのテーパー角度αを変えてポリ
ッシングした場合のポリッシングレートの測定例を示す
図である。
【図7】外れ止めリングのテーパー角度αを変えてポリ
ッシングした場合のポリッシングレートの測定例を示す
図である。
【図8】外れ止めリングのテーパー角度αを変えてポリ
ッシングした場合のポリッシングレートの測定例を示す
図である。
【符号の説明】
1 トップリング駆動軸 2 球ベアリング 3 トップリング本体 5 外れ止めリング 6 ポリッシング対象物
フロントページの続き (72)発明者 青木 利一郎 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式 会社東芝 堀川町工場内 (72)発明者 矢野 博之 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式 会社東芝 堀川町工場内 (72)発明者 小寺 雅子 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式 会社東芝 堀川町工場内 (72)発明者 重田 厚 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式 会社東芝 堀川町工場内 (72)発明者 石井 遊 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会 社荏原製作所内 (72)発明者 木村 憲雄 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会 社荏原製作所内 (72)発明者 広瀬 政義 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会 社荏原製作所内 (72)発明者 辻村 学 東京都大田区羽田旭町11番1号 株式会 社荏原製作所内 (56)参考文献 実開 昭57−157453(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B24B 37/04 H01L 21/304

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ポリッシング対象物を保持するトップリ
    ングとターンテーブルを有し、該ターンテーブルと該ト
    ップリングの間にポリッシング対象物を介在させて該ポ
    リッシング対象物の表面を研磨し平坦化するポリッシン
    グ装置において、 前記トップリングは前記ポリッシング対象物が該トップ
    リングから外れるのを防止する外れ止めリングを有し、
    該外れ止めリングは、前記ポリッシング対象物が接触す
    る内周面の内径が上部が大きく下部が小さいテーパ形状
    となっていることを特徴とするポリッシング装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のポリッシング装置にお
    いて、 前記外れ止めリングは、その断面が所定の角度からなる
    テーパー状であることを特徴とするポリッシング装置。
  3. 【請求項3】 請求項1乃至2のいずれか1に記載のポ
    リッシング装置において、 前記外れ止めリングは、前記ポリッシング対象物より軟
    質な材料で形成されていることを特徴とするポリッシン
    グ装置。
  4. 【請求項4】 ポリッシング対象物を保持するトップリ
    ングとターンテーブルを有し、該ターンテーブルと該ト
    ップリングの間にポリッシング対象物を介在させて該ポ
    リッシング対象物の表面を研磨し平坦化するポリッシン
    グ装置において、 前記トップリングは前記ポリッシング対象物が該トップ
    リングから外れるのを防止する外れ止めリングを有し、
    該外れ止めリングは、トップリングにポリッシング対象
    物を保持させた場合、該ポリッシング対象物が接触する
    内周面の内径が該ポリッシング対象物の前記ターンテー
    ブルに接触する面側が小さく、その反対が大きいテー
    形状となっていることを特徴とするポリッシング装
    置。
JP34116192A 1992-11-27 1992-11-27 ポリッシング装置 Expired - Fee Related JP3341258B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34116192A JP3341258B2 (ja) 1992-11-27 1992-11-27 ポリッシング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34116192A JP3341258B2 (ja) 1992-11-27 1992-11-27 ポリッシング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06155286A JPH06155286A (ja) 1994-06-03
JP3341258B2 true JP3341258B2 (ja) 2002-11-05

Family

ID=18343817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34116192A Expired - Fee Related JP3341258B2 (ja) 1992-11-27 1992-11-27 ポリッシング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3341258B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3873557B2 (ja) 2000-01-07 2007-01-24 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP2002184733A (ja) 2000-12-18 2002-06-28 Hitachi Ltd 処理方法、測定方法及び半導体装置の製造方法
JP2005034959A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Ebara Corp 研磨装置及びリテーナリング
JP2010036283A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ研磨装置におけるリテーナリング精度維持機構
JP5212041B2 (ja) * 2008-11-19 2013-06-19 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
JP5621702B2 (ja) * 2011-04-26 2014-11-12 信越半導体株式会社 半導体ウェーハ及びその製造方法
TW201503283A (zh) * 2013-05-20 2015-01-16 Success Yk 半導體晶圓保持用治具、半導體晶圓硏磨裝置、及工件保持用治具
TW201505763A (zh) * 2013-05-20 2015-02-16 Success Yk 半導體晶圓保持用治具、半導體晶圓硏磨裝置、及工件保持用治具

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06155286A (ja) 1994-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5435772A (en) Method of polishing a semiconductor substrate
KR100393368B1 (ko) Cmp 연마 방법 및 반도체 제조 장치
KR100229058B1 (ko) 홈과 홀이 있는 연마패드 및 이러한 연마패드를 가지는 연마장치
US5422316A (en) Semiconductor wafer polisher and method
US5727990A (en) Method for mirror-polishing chamfered portion of wafer and mirror-polishing apparatus
US5816900A (en) Apparatus for polishing a substrate at radially varying polish rates
US5191738A (en) Method of polishing semiconductor wafer
JP3341258B2 (ja) ポリッシング装置
JPH0885051A (ja) 半導体シリコン基板の面取り部研磨方法
US5827395A (en) Polishing pad used for polishing silicon wafers and polishing method using the same
EP0849039A2 (en) Lapping apparatus and lapping method
JP3708167B2 (ja) 研磨布及び該研磨布を備えたポリッシング装置
US20020023719A1 (en) Method and apparatus for removing a material layer from a substrate
US6712674B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
US6224712B1 (en) Polishing apparatus
JP3239884B2 (ja) 半導体基板の製造方法
US6068540A (en) Polishing device and polishing cloth for semiconductor substrates
JP2001298006A (ja) 研磨装置
US6808443B2 (en) Projected gimbal point drive
JP3779104B2 (ja) ウェーハ研磨装置
US6054017A (en) Chemical mechanical polishing pad with controlled polish rate
EP1004399A2 (en) Surface grinding method and mirror polishing method
EP0403287B1 (en) Method of polishing semiconductor wafer
US6114247A (en) Polishing cloth for use in a CMP process and a surface treatment thereof
JP4051663B2 (ja) ワックスレスマウント式研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090823

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees