JP3336979B2 - Semiconductor laser device assembling method and semiconductor laser device - Google Patents
Semiconductor laser device assembling method and semiconductor laser deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光源技術に
関し、特に、リードフレームに半導体レーザチップおよ
び受光チップを接合し、ワイヤで各リードに接続したあ
と透明パッケージで樹脂封止する半導体レーザ装置組み
立て方法及びこの方法を用いて作成された半導体レーザ
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser light source technology, and more particularly, to a semiconductor laser device assembly in which a semiconductor laser chip and a light receiving chip are joined to a lead frame, connected to each lead by a wire, and then resin-sealed with a transparent package. The present invention relates to a method and a semiconductor laser device manufactured using the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体レーザ装置は、ＣＤ−ＲＯＭ、Ｍ
ＯやＤＶＤ等の光磁気ディスク等の記録媒体へのデータ
の光書き込みや光読み取り手段として広く採用されてい
る。このような半導体レーザ装置の組み立て方法の従来
技術としては、例えば、特開昭６３−２４４８９５号公
報に記載のものがある。図４〜図６は、従来の半導体レ
ーザ装置組み立て方法を説明するための工程図である。
半導体レーザ装置の正面図（図４）及び側面図（図５）
を参照すると、まず、リードフレーム８にレーザチップ
３および受光チップ４を接合し、図５に示すように、受
光チップ４のリードフレーム８を所定量だけ折り曲げて
受光チップ４の受光面をレーザチップ３の発光面の方向
に折り曲げ、ワイヤ５で各リードに接続した後、透明パ
ッケージ６で樹脂封止し、タイバー１１を切断している
（第１従来技術）。2. Description of the Related Art Semiconductor laser devices include CD-ROM, M
It is widely used as a means for optically writing and reading data on a recording medium such as a magneto-optical disk such as O and DVD. As a conventional technique for assembling such a semiconductor laser device, there is, for example, one described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-244895. 4 to 6 are process diagrams for explaining a conventional semiconductor laser device assembling method.
Front view (FIG. 4) and side view (FIG. 5) of the semiconductor laser device
First, the laser chip 3 and the light receiving chip 4 are joined to the lead frame 8, and as shown in FIG. 5, the lead frame 8 of the light receiving chip 4 is bent by a predetermined amount so that the light receiving surface of the light receiving chip 4 is After being bent in the direction of the light emitting surface of No. 3 and connected to each lead by a wire 5, the resin is sealed with a transparent package 6 and the tie bar 11 is cut (first conventional technique).
【０００３】また、図６に示すように、ヒートシンク１
２にレーザチップ３をマウントし、ステム９ごと９０度
回転させた状態で受光チップ４をマウントし、レーザチ
ップ３および受光チップ４を各々ボンディングし、キャ
ップ１０で封止する半導体レーザ装置組み立て方法も開
示されている（第２従来技術）。[0006] As shown in FIG.
The laser chip 3 is mounted on 2, the light receiving chip 4 is mounted while the stem 9 is rotated by 90 degrees, the laser chip 3 and the light receiving chip 4 are respectively bonded, and the semiconductor laser device is assembled with a cap 10. It is disclosed (second prior art).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１従
来技術の半導体レーザ装置組み立て方法は、一枚のリー
ドフレーム８に２種類のチップ（すなわち、レーザチッ
プ３および受光チップ４）をマウントするので、特殊な
２ヘッドのマウンターを用いてリードフレーム８にレー
ザチップ３および受光チップ４を同時に接合するか、１
ヘッドのマウンターを用いてリードフレーム８にレーザ
チップ３および受光チップ４を別々に接合する２度流し
を実行する必要があるので作業性が低下するという問題
点があった。また受光チップ４のリードフレーム８を折
り曲げるのでリードフレーム８を厚くできないため、レ
ーザチップ３の放熱を十分にとることができないという
問題点もあった。However, in the first prior art semiconductor laser device assembling method, two types of chips (ie, the laser chip 3 and the light receiving chip 4) are mounted on one lead frame 8, so that The laser chip 3 and the light receiving chip 4 are simultaneously bonded to the lead frame 8 using a special two-head mounter, or
Since the laser chip 3 and the light receiving chip 4 must be separately bonded to the lead frame 8 twice by using a head mounter, the workability is reduced. Further, since the lead frame 8 of the light receiving chip 4 is bent, the thickness of the lead frame 8 cannot be increased, so that there is a problem that the heat radiation of the laser chip 3 cannot be sufficiently obtained.
【０００５】一方、第２従来技術では、リードフレーム
８のように組み立て一括処理ができないので、組み立て
コストが高いという問題点があった。また放熱は十分に
できるものの、ステム９、ヒートシンク１２など部材コ
ストが高いという問題点があった。On the other hand, the second prior art has a problem that the assembly cost is high because the assembly batch processing cannot be performed unlike the lead frame 8. Further, although sufficient heat dissipation is possible, there is a problem that the cost of members such as the stem 9 and the heat sink 12 is high.
【０００６】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、半導体レーザの放
熱性の向上、受光チップ側の屈曲加工による受光効率の
向上、単位時間あたりの製品生産数の向上を図ることが
できる半導体レーザ装置組み立て方法及び半導体レーザ
装置を提供する点にある。The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to improve the heat dissipation of a semiconductor laser, the light receiving efficiency by bending a light receiving chip side, and the An object of the present invention is to provide a method of assembling a semiconductor laser device and a semiconductor laser device that can increase the number of products produced.
【０００７】本発明の請求項１に記載の要旨は、半導体
レーザチップと半導体レーザチップの出射光を受光する
受光チップとを透明樹脂によって封止した半導体レーザ
装置を作成するための半導体レーザ装置組み立て方法で
あって、前記半導体レーザチップをマウントするための
リードフレームであって所定の板厚を有するレーザチッ
プ用リードフレームの所定の位置に形成されたレーザチ
ップマウント部に前記半導体レーザチップをマウントし
て接合する工程と、前記レーザチップ用リードフレーム
のリードにワイヤを接続する工程と、前記受光チップを
マウントするためのリードフレームであって前記レーザ
チップ用リードフレームの板厚よりも薄い板厚を有する
前記受光チップ用リードフレームに対して、前記受光チ
ップの受光効率が最適となるような深さの窪みを前記受
光チップ用リードフレームの前記受光チップのマウント
部に形成する工程と、前記受光チップマウント部に前記
受光チップをマウントして接合する工程と、前記受光チ
ップ用リードフレームのリードにワイヤを接続する工程
と、前記半導体レーザチップがマウントされた前記レー
ザチップ用リードフレームと前記受光チップがマウント
された受光チップ用リードフレームとを擦りあわせて前
記半導体レーザチップと前記受光チップとを所定の位置
関係に配置する工程と、少なくとも、前記半導体レーザ
チップがマウントされているリード部分、前記受光チッ
プがマウントされているリード部分、前記ワイヤ、前記
半導体レーザチップおよび前記受光チップを透明樹脂に
よって封止する工程と、前記レーザチップ用リードフレ
ーム及び前記受光チップ用リードフレームの縁を所定の
切断面に沿って切断する工程とを備えることを特徴とす
る半導体レーザ装置組み立て方法に存する。本発明の請
求項２に記載の要旨は、半導体レーザチップと半導体レ
ーザチップの出射光を受光する受光チップとを透明樹脂
によって封止した半導体レーザ装置を作成するための半
導体レーザ装置組み立て方法であって、前記半導体レー
ザチップをマウントするためのリードフレームであって
所定の板厚を有するレーザチップ用リードフレームの所
定の位置に形成されたレーザチップマウント部に前記半
導体レーザチップをマウントして接合する工程と、前記
レーザチップ用リードフレームのリードにワイヤを接続
する工程と、前記受光チップをマウントするた めのリー
ドフレームであって前記レーザチップ用リードフレーム
の板厚よりも薄い板厚を有する前記受光チップ用リード
フレームの所定の位置に形成された受光チップマウント
部に前記受光チップをマウントして接合する工程と、前
記受光チップ用リードフレームのリードにワイヤを接続
する工程と、前記半導体レーザチップがマウントされた
前記レーザチップ用リードフレームと前記受光チップが
マウントされた受光チップ用リードフレームとを擦りあ
わせて前記半導体レーザチップと前記受光チップとを所
定の位置関係に配置する工程と、少なくとも、前記半導
体レーザチップがマウントされているリード部分、前記
受光チップがマウントされているリード部分、前記ワイ
ヤ、前記半導体レーザチップおよび前記受光チップを透
明樹脂によって封止する工程と、前記レーザチップ用リ
ードフレーム及び前記受光チップ用リードフレームの縁
を所定の切断面に沿って切断する工程とを備えることを
特徴とする半導体レーザ装置組み立て方法に存する。本
発明の請求項３に記載の要旨は、前記レーザチップ用リ
ードフレームの板厚は、前記半導体レーザチップが発生
する熱を十分に放熱できる程度の厚さに設定されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レー
ザ装置組み立て方法に存する。本発明の請求項４に記載
の要旨は、前記受光チップがマウントされた前記受光チ
ップマウント部を所定量だけ折り曲げて前記受光チップ
の受光面を前記半導体レーザチップの発光面の方向に向
けるような光学的な位置調整を行う位置調整工程を備え
ることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レ
ーザ装置組み立て方法に存する。本発明の請求項５に記
載の要旨は、前記受光チップ用リードフレームの板厚
は、前記位置調整工程を実行する際の屈曲加工が容易な
程度の板厚を有することを特徴とする請求項４に記載の
半導体レーザ装置組み立て方法に存する。本発明の請求
項６に記載の要旨は、半導体レーザチップと半導体レー
ザチップの出射光を受光する受光チップとを透明樹脂に
よって封止した半導体レーザ装置であって、前記半導体
レーザチップをマウントするためのリードフレームであ
って、所定の板厚を有し、前記半導体レーザチップをマ
ウントして接合するレーザチップマウント部が所定の位
置に形成されたレーザチップ用リードフレームと、前記
受光チップをマウントするための受光チップマウント部
が形成されたリードフレームであって、前記レーザチッ
プ用リードフレームの板厚よりも薄い板厚を有し、前記
受光チップの受光効率が最適となるような深さを有し前
記受光チップをマウントして接合するための窪みが前記
受光チップマウント部に形成されている受光チップ用リ
ードフレームと、前記レーザチップ用リードフレームの
リード及び前記受光チップ用リードフレームのリードを
外部に接続するワイヤと、少なくとも、前記半導体レー
ザチップがマウントされているリード部分、前記受光チ
ップがマウントされているリード部分、前記ワイヤ、前
記半導体レーザチップおよび前記受光チップを封止する
透明樹脂と、前記受光チップがマウントされた前記受光
チップマウント部は、所定量だけ折り曲げられて前記受
光チップの受光面を前記半導体レーザチップの発光面の
方向に向けるような光学的な位置調整が行われているこ
とを特徴とする半導体レーザ装置に存する。本発明の請
求項７に記載の要旨は、半導体レーザチップと半導体レ
ーザチップの出射光を受光する受光チップとを透明樹脂
によって封止した半導体レーザ装置であって、前記半導
体レーザチップをマウントするためのリードフレームで
あって、所定の板厚を有し、前記半導体レーザチップを
マウントして接合するレーザチップマウント部が所定の
位置に形成されたレーザチップ用リードフレームと、前
記受光チップをマウントするための受光チップマウント
部が形成されたリードフレームであって、前記レーザチ
ップ用リードフレームの板厚よりも薄い板厚を有する受
光チップ用リードフレームと、前記レーザチップ用リー
ドフレームのリード及び前記受光チップ用リードフレー
ムのリードを外部に接続するワイヤと、少なくとも、前
記半導体レーザチップがマウントされているリード部
分、前記受光チップがマウントされているリード部分、
前記ワイヤ、前記半導体レーザチップおよび前記受光チ
ップを封止する透明樹脂と、前記受光チップがマウント
された前記受光チップマウント部は、所定量だけ折り曲
げられて前記受光チップの受光面を前記半導体レーザチ
ップの発光面の方向に向けるような光学的な位置調整が
行われていることを特徴とする半導体レーザ装置に存す
る。本発明の請求項８に記載の要旨は、前記レーザチッ
プ用リードフレームの板厚は、前記半導体レーザチップ
が発生する熱を十分に放熱できる程度の厚さに設定され
ていることを特徴とする請求項６または７に記載の半導
体レーザ装置に存する。本発明の請求項９に記載の要旨
は、前記受光チップ用リードフレームの板厚は、前記位
置調整工程を実行する際の屈曲加工が容易な程度の板厚
を有することを特徴とする請求項８に記載の半導体レー
ザ装置に存する。The gist of the present invention is to assemble a semiconductor laser device for producing a semiconductor laser device in which a semiconductor laser chip and a light receiving chip for receiving light emitted from the semiconductor laser chip are sealed with a transparent resin. A method for mounting the semiconductor laser chip on a laser chip mounting portion formed at a predetermined position of a lead frame for a laser chip having a predetermined thickness, which is a lead frame for mounting the semiconductor laser chip. Bonding a wire to a lead of the lead frame for the laser chip, and a lead frame for mounting the light receiving chip, wherein the thickness of the lead frame is smaller than the thickness of the lead frame for the laser chip. The light receiving efficiency of the light receiving chip is higher than the light receiving chip lead frame having Forming a recess having a suitable depth in the mounting portion of the light-receiving chip of the light-receiving chip lead frame, mounting the light-receiving chip on the light-receiving chip mount portion, and joining the light-receiving chip; Connecting a wire to a lead of a lead frame for the semiconductor laser chip, and rubbing the lead frame for the laser chip on which the semiconductor laser chip is mounted with the lead frame for the light receiving chip on which the light receiving chip is mounted. Arranging the light-receiving chip in a predetermined positional relationship, at least a lead portion on which the semiconductor laser chip is mounted, a lead portion on which the light-receiving chip is mounted, the wire, the semiconductor laser chip, and the light-receiving portion; Sealing the chip with a transparent resin; and Tsu edges of the lead frame and the lead frame for the light receiving chip flop resides in a semiconductor laser device assembling method characterized in that it comprises a step of cutting along a predetermined cutting plane. The gist of claim 2 of the present invention is a method of assembling a semiconductor laser device for producing a semiconductor laser device in which a semiconductor laser chip and a light receiving chip that receives light emitted from the semiconductor laser chip are sealed with a transparent resin. And mounting the semiconductor laser chip on a laser chip mounting portion formed at a predetermined position of a lead frame for a laser chip having a predetermined plate thickness for mounting the semiconductor laser chip. a step, a step of connecting the wires to the lead of the lead frame for the laser chip, Lee order to mount the light receiving chip
A lead frame for the laser chip.
The light-receiving chip lead having a plate thickness smaller than the plate thickness of
A step of mounting and bonding the light receiving chip to a light receiving chip mount formed at a predetermined position of a frame; a step of connecting a wire to a lead of the light receiving chip lead frame; and a step of mounting the semiconductor laser chip. Rubbing the lead frame for the laser chip and the lead frame for the light-receiving chip on which the light-receiving chip is mounted to arrange the semiconductor laser chip and the light-receiving chip in a predetermined positional relationship; and at least the semiconductor laser chip Encapsulating the lead portion, the lead portion on which the light receiving chip is mounted, the wire, the semiconductor laser chip and the light receiving chip with a transparent resin, the laser chip lead frame and the light receiving chip Edge of lead frame Resides in a semiconductor laser device assembling method characterized by comprising the step of cutting I. The gist of claim 3 of the present invention is characterized in that the thickness of the lead frame for the laser chip is set to a thickness that can sufficiently radiate the heat generated by the semiconductor laser chip. A semiconductor laser device assembling method according to claim 1 or 2. The gist of claim 4 of the present invention is such that the light-receiving chip mounting portion on which the light-receiving chip is mounted is bent by a predetermined amount so that the light-receiving surface of the light-receiving chip faces the light-emitting surface of the semiconductor laser chip. 3. A method for assembling a semiconductor laser device according to claim 1, further comprising a position adjustment step of performing optical position adjustment. The gist of claim 5 of the present invention is characterized in that the thickness of the lead frame for the light-receiving chip has such a thickness that bending at the time of performing the position adjustment step is easy. 4. The method for assembling a semiconductor laser device according to item 4. The gist of claim 6 of the present invention is a semiconductor laser device in which a semiconductor laser chip and a light receiving chip for receiving light emitted from the semiconductor laser chip are sealed with a transparent resin, and the semiconductor laser chip is mounted. A lead frame for a laser chip having a predetermined plate thickness, a laser chip mount portion for mounting and bonding the semiconductor laser chip formed at a predetermined position, and mounting the light receiving chip. Frame having a thickness smaller than the thickness of the laser chip lead frame, and having a depth such that the light receiving efficiency of the light receiving chip is optimized. A light receiving chip lead having a recess formed in the light receiving chip mount for mounting and joining the light receiving chip; A frame, wires for connecting the leads of the laser chip lead frame and the leads of the light receiving chip lead frame to the outside, at least a lead portion on which the semiconductor laser chip is mounted, and the light receiving chip mounted. The lead portion, the wire, the transparent resin that seals the semiconductor laser chip and the light receiving chip, and the light receiving chip mounting portion on which the light receiving chip is mounted is bent by a predetermined amount so that the light receiving surface of the light receiving chip is The present invention resides in a semiconductor laser device in which an optical position adjustment is performed so as to be directed toward a light emitting surface of a semiconductor laser chip. The gist of claim 7 of the present invention is a semiconductor laser device in which a semiconductor laser chip and a light receiving chip for receiving light emitted from the semiconductor laser chip are sealed with a transparent resin, wherein the semiconductor laser chip is mounted. A lead frame for a laser chip having a predetermined plate thickness, a laser chip mounting portion for mounting and bonding the semiconductor laser chip formed at a predetermined position, and mounting the light receiving chip. A lead frame for a light receiving chip having a thickness smaller than that of the lead frame for the laser chip, a lead of the lead frame for the laser chip, and the light receiving section. A wire for connecting the lead of the chip lead frame to the outside; Lead portions lead portion where the laser chip is mounted, the light receiving chip is mounted,
The wire, the transparent resin for encapsulating the semiconductor laser chip and the light receiving chip, and the light receiving chip mounting portion on which the light receiving chip is mounted are bent by a predetermined amount so that the light receiving surface of the light receiving chip is the semiconductor laser chip. The semiconductor laser device is characterized in that the optical position is adjusted so as to be directed to the direction of the light emitting surface. The gist of claim 8 of the present invention is characterized in that the thickness of the lead frame for the laser chip is set to a thickness that can sufficiently radiate the heat generated by the semiconductor laser chip. A semiconductor laser device according to claim 6 or 7. The gist of the ninth aspect of the present invention is that the thickness of the lead frame for the light receiving chip has a thickness that facilitates bending when the position adjusting step is performed. 8. The semiconductor laser device according to item 8.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下に示す第１、第２実施形態の
半導体レーザ装置組み立て方法及び半導体レーザ装置
は、半導体レーザチップ用リードフレーム１と受光チッ
プ用リードフレーム２を準備し、レーザチップ３と受光
チップ４を別々の装置でマウント、ボンディングするこ
とにより組み立て作業の簡素化、またレーザ側のリード
フレームを厚く、受光側のリードフレームを薄くするこ
とにより、レーザの放熱性向上と受光側の屈曲加工によ
る受光効率向上を図るものである。以下、本発明の実施
の形態を図面に基づいて詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor laser device assembling method and a semiconductor laser device according to first and second embodiments described below are provided with a lead frame 1 for a semiconductor laser chip and a lead frame 2 for a light receiving chip. The mounting work is simplified by mounting and bonding the light receiving chip 4 and the light receiving chip 4 by a separate device. Also, by increasing the thickness of the lead frame on the laser side and reducing the thickness of the lead frame on the light receiving side, the heat radiation of the laser is improved and the light receiving side is improved. This is to improve the light receiving efficiency by bending. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【０００９】（第１実施形態）図１〜図３は、本発明の
半導体レーザ装置組み立て方法及び半導体レーザ装置の
第１実施形態を説明するための工程図である。本発明の
半導体レーザ装置は、レーザチップ用リードフレーム
１、受光用リードフレーム２、レーザチップ３、受光チ
ップ４、ワイヤ５等が透明樹脂６内に封止された状態
で、キャップ１０内に収納された構造を有する。このキ
ャップ１０には、レーザチップ３の熱を外部に放熱する
ためのヒートシンク１２が接続されていてもよい。(First Embodiment) FIGS. 1 to 3 are process diagrams for explaining a semiconductor laser device assembling method and a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention. The semiconductor laser device of the present invention is housed in a cap 10 with a laser chip lead frame 1, a light receiving lead frame 2, a laser chip 3, a light receiving chip 4, a wire 5 and the like sealed in a transparent resin 6. It has the structure which was done. A heat sink 12 for dissipating the heat of the laser chip 3 to the outside may be connected to the cap 10.
【００１０】次に、半導体レーザ装置の組み立て方法を
説明する。レーザチップ３が発生する熱を十分に放熱で
きる厚さのレーザチップ用リードフレーム１のレーザチ
ップマウント部にレーザチップ３をマウントし、レーザ
チップ用リードフレーム１のリードにワイヤ５で接続す
るのと同時に、受光効率向上のためにあらかじめ窪み
（紙面下方に向かって凹んだ形状）を設けた受光用リー
ドフレーム２の受光チップマウント部（図２参照）に受
光チップ４をマウントし、受光用リードフレーム２のリ
ードにワイヤ５で接続する。次に、図１に示すように、
レーザチップ３がマウントされたレーザチップ用リード
フレーム１と受光チップ４がマウントされた受光用リー
ドフレーム２とを擦りあわせるとともに、図３に示すよ
うに、受光チップ４がマウントされた受光用リードフレ
ーム２を所定量だけ折り曲げて受光チップ４の受光面を
レーザチップ３の発光面の方向に向けるような光学的な
位置調整を行った後、レーザチップ用リードフレーム１
のリードの一部（レーザチップ３がマウントされている
リード部分）、受光用リードフレーム２のリードの一部
（受光チップ４がマウントされているリード部分）、ワ
イヤ５、レーザチップ３および受光チップ４を透明樹脂
６によって封止し、その後レーザチップ用リードフレー
ム１及び受光用リードフレーム２の縁を切断面７に沿っ
て切断する。このようにして半導体レーザ装置を組み立
てる。Next, a method of assembling the semiconductor laser device will be described. The laser chip 3 is mounted on the laser chip mounting portion of the laser chip lead frame 1 having a thickness capable of sufficiently dissipating the heat generated by the laser chip 3, and is connected to the lead of the laser chip lead frame 1 by the wire 5. At the same time, the light-receiving chip 4 is mounted on the light-receiving chip mount portion (see FIG. 2) of the light-receiving lead frame 2 provided with a recess (a shape that is recessed downward in the drawing) in advance to improve the light-receiving efficiency. The wire 5 is connected to the lead 2. Next, as shown in FIG.
The lead frame for laser chip 1 on which the laser chip 3 is mounted and the lead frame for light reception 2 on which the light receiving chip 4 is mounted are rubbed together, and as shown in FIG. 2 is bent by a predetermined amount, and the optical position is adjusted so that the light receiving surface of the light receiving chip 4 is directed toward the light emitting surface of the laser chip 3.
(Lead portion where laser chip 3 is mounted), part of lead of light receiving lead frame 2 (lead portion where light receiving chip 4 is mounted), wire 5, laser chip 3 and light receiving chip 4 is sealed with a transparent resin 6, and then the edges of the lead frame 1 for laser chip and the lead frame 2 for light reception are cut along the cut surface 7. Thus, the semiconductor laser device is assembled.
【００１１】以上説明したように、第１実施形態によれ
ば、レーザ用、受光用それぞれのリードフレーム（レー
ザチップ用リードフレーム１、受光用リードフレーム
２）を準備するため、レーザチップ用リードフレーム１
を厚く、受光用リードフレーム２を薄くできるため、レ
ーザチップ３の放熱性向上と受光側の屈曲加工による受
光チップ４の受光効率向上を両立できる。また、レーザ
チップ３、受光チップ４を別々の組み立て装置で組み立
てられるので、それぞれの作業に律速されることはない
ため、単位時間あたりの製品生産数が向上する。As described above, according to the first embodiment, the lead frame for the laser chip and the lead frame for the light receiving (laser chip lead frame 1 and the light receiving lead frame 2) are prepared. 1
And the thickness of the light receiving lead frame 2 can be reduced, so that the improvement of the heat radiation of the laser chip 3 and the improvement of the light receiving efficiency of the light receiving chip 4 by bending the light receiving side can be achieved at the same time. In addition, since the laser chip 3 and the light receiving chip 4 are assembled by separate assembling apparatuses, there is no limitation on the respective operations, so that the number of products produced per unit time is improved.
【００１２】（第２実施形態）次に、第２実施形態につ
いて説明する。本実施形態では、受光用リードフレーム
２に窪みを設けず、後で受光効率向上のため屈曲加工し
やすいよう薄めの受光用リードフレーム２を用いている
点に特徴を有している。受光用リードフレーム２に窪み
を設けず、後で受光効率向上のため屈曲加工しやすいよ
う薄めの受光用リードフレーム２を用い、受光チップ４
をマウントし、リードにワイヤ５で接続し、次に図１の
ようにそれぞれのチップがマウントされたリードフレー
ムを擦りあわせ、次にレーザチップ３取り付け面に対
し、所定の角度だけ傾斜させる（図３参照）。その後リ
ードの一部、ワイヤ５、レーザチップ３および受光チッ
プ４を透明樹脂６によって封止し、その後リードフレー
ム縁７を切断する。これにより受光効率が従来と変わら
ず得られる。(Second Embodiment) Next, a second embodiment will be described. The present embodiment is characterized in that no recess is provided in the light receiving lead frame 2 and a thin light receiving lead frame 2 is used so as to be easily bent later to improve light receiving efficiency. The light-receiving lead frame 2 is not provided with a depression, and the light-receiving chip 4 is thinner so as to be easily bent later to improve the light-receiving efficiency.
Is mounted and connected to the leads by wires 5, then the lead frames on which the respective chips are mounted are rubbed as shown in FIG. 1, and then tilted by a predetermined angle with respect to the mounting surface of the laser chip 3 (FIG. 3). Thereafter, a part of the lead, the wire 5, the laser chip 3 and the light receiving chip 4 are sealed with a transparent resin 6, and then the lead frame edge 7 is cut. Thereby, the light receiving efficiency can be obtained as before.
【００１３】なお、本実施の形態においては、本発明は
第１、第２実施形態に限定されず、本発明を適用する上
で好適な、ＬＥＤチップ等の各種の光源を用いた光源装
置を組み立てる技術に適用することができる。また、上
記構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定
されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等
にすることができる。また、各図において、同一構成要
素には同一符号を付している。In the present embodiment, the present invention is not limited to the first and second embodiments, and a light source device using various light sources such as an LED chip suitable for applying the present invention is provided. It can be applied to assembling technology. Further, the number, position, shape, and the like of the constituent members are not limited to the above-described embodiment, but can be set to numbers, positions, shapes, and the like suitable for carrying out the present invention. In each drawing, the same components are denoted by the same reference numerals.
【００１４】[0014]
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、以下に掲げる効果を奏する。第１の効果は、半導体
レーザの放熱性向上と受光チップ側の屈曲加工による受
光効率向上を両立できることである。その理由は、半導
体レーザ用、受光チップ用それぞれリードフレームを準
備するため、半導体レーザ側のリードフレームを厚く、
受光チップ側のリードフレームを薄くできるためであ
る。第２の効果は、半導体レーザチップ、受光チップを
別々の装置で組み立てられるのでそれぞれの作業に律速
されることはないため、単位時間あたりの製品生産数が
向上することである。Since the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained. A first effect is that both improvement in heat dissipation of the semiconductor laser and improvement in light receiving efficiency by bending the light receiving chip can be achieved. The reason is that the lead frame on the semiconductor laser side is thicker to prepare the lead frames for the semiconductor laser and the light receiving chip, respectively.
This is because the lead frame on the light receiving chip side can be made thin. The second effect is that since the semiconductor laser chip and the light receiving chip can be assembled by separate devices, they are not limited by each operation, so that the number of products produced per unit time is improved.
【図１】本発明の半導体レーザ装置組み立て方法及び半
導体レーザ装置の第１実施形態を説明するための工程図
である。FIG. 1 is a process chart for explaining a semiconductor laser device assembling method and a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の半導体レーザ装置組み立て方法及び半
導体レーザ装置の第１実施形態を説明するための工程図
である。FIG. 2 is a process chart for explaining a semiconductor laser device assembling method and a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の半導体レーザ装置組み立て方法及び半
導体レーザ装置の第１実施形態を説明するための工程図
である。FIG. 3 is a process chart for explaining a semiconductor laser device assembling method and a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention.
【図４】従来の半導体レーザ装置組み立て方法を説明す
るための工程図である。FIG. 4 is a process chart for explaining a conventional semiconductor laser device assembling method.
【図５】従来の半導体レーザ装置組み立て方法を説明す
るための工程図である。FIG. 5 is a process chart for explaining a conventional semiconductor laser device assembling method.
【図６】従来の半導体レーザ装置組み立て方法を説明す
るための工程図である。FIG. 6 is a process chart for explaining a conventional semiconductor laser device assembling method.
１…レーザチップ用リードフレーム ２…受光用リードフレーム ３…レーザチップ ４…受光チップ ５…ワイヤ ６…透明樹脂 ７…切断面 ８…リードフレーム ９…ステム １０…キャップ １１…タイバー １２…ヒートシンク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Lead frame for laser chips 2 ... Lead frame for light reception 3 ... Laser chip 4 ... Light reception chip 5 ... Wire 6 ... Transparent resin 7 ... Cut surface 8 ... Lead frame 9 ... Stem 10 ... Cap 11 ... Tie bar 12 ... Heat sink
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 31/12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01S 5/00-5/50 H01L 31/12
Claims (9)
プの出射光を受光する受光チップとを透明樹脂によって
封止した半導体レーザ装置を作成するための半導体レー
ザ装置組み立て方法であって、 前記半導体レーザチップをマウントするためのリードフ
レームであって所定の板厚を有するレーザチップ用リー
ドフレームの所定の位置に形成されたレーザチップマウ
ント部に前記半導体レーザチップをマウントして接合す
る工程と、 前記レーザチップ用リードフレームのリードにワイヤを
接続する工程と、 前記受光チップをマウントするためのリードフレームで
あって前記レーザチップ用リードフレームの板厚よりも
薄い板厚を有する前記受光チップ用リードフレームに対
して、前記受光チップの受光効率が最適となるような深
さの窪みを前記受光チップ用リードフレームの前記受光
チップのマウント部に形成する工程と、 前記受光チップマウント部に前記受光チップをマウント
して接合する工程と、 前記受光チップ用リードフレームのリードにワイヤを接
続する工程と、 前記半導体レーザチップがマウントされた前記レーザチ
ップ用リードフレームと前記受光チップがマウントされ
た受光チップ用リードフレームとを擦りあわせて前記半
導体レーザチップと前記受光チップとを所定の位置関係
に配置する工程と、 少なくとも、前記半導体レーザチップがマウントされて
いるリード部分、前記受光チップがマウントされている
リード部分、前記ワイヤ、前記半導体レーザチップおよ
び前記受光チップを透明樹脂によって封止する工程と、 前記レーザチップ用リードフレーム及び前記受光チップ
用リードフレームの縁を所定の切断面に沿って切断する
工程とを備えることを特徴とする半導体レーザ装置組み
立て方法。1. A method for assembling a semiconductor laser device for producing a semiconductor laser device in which a semiconductor laser chip and a light receiving chip for receiving light emitted from the semiconductor laser chip are sealed with a transparent resin. Mounting and bonding the semiconductor laser chip to a laser chip mounting portion formed at a predetermined position of a lead frame for a laser chip having a predetermined thickness, which is a lead frame for mounting; and Connecting a wire to a lead of a lead frame; and a lead frame for mounting the light receiving chip, wherein the light receiving chip lead frame has a thickness smaller than a thickness of the laser chip lead frame. And a recess having a depth such that the light receiving efficiency of the light receiving chip is optimal. Forming a light receiving chip lead frame on the light receiving chip mounting portion of the light receiving chip mounting portion, mounting the light receiving chip on the light receiving chip mounting portion and joining the light receiving chip mounting portion; and connecting a wire to a lead of the light receiving chip lead frame. Rubbing the lead frame for the laser chip on which the semiconductor laser chip is mounted and the lead frame for the light receiving chip on which the light receiving chip is mounted, so that the semiconductor laser chip and the light receiving chip are in a predetermined positional relationship. Disposing, at least, a lead portion on which the semiconductor laser chip is mounted, a lead portion on which the light receiving chip is mounted, a step of sealing the wire, the semiconductor laser chip, and the light receiving chip with a transparent resin; A lead frame for the laser chip; The semiconductor laser device assembly methods, characterized in that it comprises a step of cutting along the edges of the serial receiving chip lead frame for a predetermined cutting plane.
プの出射光を受光する受光チップとを透明樹脂によって
封止した半導体レーザ装置を作成するための半導体レー
ザ装置組み立て方法であって、 前記半導体レーザチップをマウントするためのリードフ
レームであって所定の板厚を有するレーザチップ用リー
ドフレームの所定の位置に形成されたレーザチップマウ
ント部に前記半導体レーザチップをマウントして接合す
る工程と、 前記レーザチップ用リードフレームのリードにワイヤを
接続する工程と、前記受光チップをマウントするためのリードフレームで
あって前記レーザチップ用リードフレームの板厚よりも
薄い板厚を有する前記受光チップ用リードフレームの所
定の位置に形成された 受光チップマウント部に前記受光
チップをマウントして接合する工程と、 前記受光チップ用リードフレームのリードにワイヤを接
続する工程と、 前記半導体レーザチップがマウントされた前記レーザチ
ップ用リードフレームと前記受光チップがマウントされ
た受光チップ用リードフレームとを擦りあわせて前記半
導体レーザチップと前記受光チップとを所定の位置関係
に配置する工程と、 少なくとも、前記半導体レーザチップがマウントされて
いるリード部分、前記受光チップがマウントされている
リード部分、前記ワイヤ、前記半導体レーザチップおよ
び前記受光チップを透明樹脂によって封止する工程と、 前記レーザチップ用リードフレーム及び前記受光チップ
用リードフレームの縁を所定の切断面に沿って切断する
工程とを備えることを特徴とする半導体レーザ装置組み
立て方法。2. A semiconductor laser device assembling method for producing a semiconductor laser device in which a semiconductor laser chip and a light receiving chip for receiving light emitted from the semiconductor laser chip are sealed with a transparent resin. Mounting and bonding the semiconductor laser chip to a laser chip mounting portion formed at a predetermined position of a lead frame for a laser chip having a predetermined thickness, which is a lead frame for mounting; and Connecting a wire to a lead of a lead frame, and a lead frame for mounting the light receiving chip.
Than the thickness of the lead frame for the laser chip
The light receiving chip lead frame having a thin plate thickness
Mounting the light-receiving chip on a light-receiving chip mount formed at a predetermined position and joining the same; connecting a wire to a lead of the light-receiving chip lead frame; and the laser on which the semiconductor laser chip is mounted. Rubbing the chip lead frame and the light receiving chip lead frame on which the light receiving chip is mounted, and disposing the semiconductor laser chip and the light receiving chip in a predetermined positional relationship; and at least mounting the semiconductor laser chip. Sealing the lead portion, the lead portion on which the light receiving chip is mounted, the wire, the semiconductor laser chip and the light receiving chip with a transparent resin, the laser chip lead frame and the light receiving chip lead Cut the edge of the frame along the specified cutting surface And a step of assembling the semiconductor laser device.
厚は、前記半導体レーザチップが発生する熱を十分に放
熱できる程度の厚さに設定されていることを特徴とする
請求項１または２に記載の半導体レーザ装置組み立て方
法。3. The laser chip lead frame according to claim 1, wherein a plate thickness of the lead frame for the laser chip is set to a thickness capable of sufficiently dissipating heat generated by the semiconductor laser chip. Semiconductor laser device assembling method.
光チップマウント部を所定量だけ折り曲げて前記受光チ
ップの受光面を前記半導体レーザチップの発光面の方向
に向けるような光学的な位置調整を行う位置調整工程を
備えることを特徴とする請求項１または２に記載の半導
体レーザ装置組み立て方法。4. An optical position adjustment is performed such that the light receiving chip mounting portion on which the light receiving chip is mounted is bent by a predetermined amount so that the light receiving surface of the light receiving chip is directed toward the light emitting surface of the semiconductor laser chip. 3. The method for assembling a semiconductor laser device according to claim 1, further comprising a position adjusting step.
は、前記位置調整工程を実行する際の屈曲加工が容易な
程度の板厚を有することを特徴とする請求項４に記載の
半導体レーザ装置組み立て方法。5. The semiconductor laser device according to claim 4, wherein the thickness of the lead frame for the light-receiving chip has a thickness that facilitates bending when the position adjusting step is performed. Assembly method.
プの出射光を受光する受光チップとを透明樹脂によって
封止した半導体レーザ装置であって、 前記半導体レーザチップをマウントするためのリードフ
レームであって、所定の板厚を有し、前記半導体レーザ
チップをマウントして接合するレーザチップマウント部
が所定の位置に形成されたレーザチップ用リードフレー
ムと、 前記受光チップをマウントするための受光チップマウン
ト部が形成されたリードフレームであって、前記レーザ
チップ用リードフレームの板厚よりも薄い板厚を有し、
前記受光チップの受光効率が最適となるような深さを有
し前記受光チップをマウントして接合するための窪みが
前記受光チップマウント部に形成されている受光チップ
用リードフレームと、 前記レーザチップ用リードフレームのリード及び前記受
光チップ用リードフレームのリードを外部に接続するワ
イヤと、 少なくとも、前記半導体レーザチップがマウントされて
いるリード部分、前記受光チップがマウントされている
リード部分、前記ワイヤ、前記半導体レーザチップおよ
び前記受光チップを封止する透明樹脂と、 前記受光チップがマウントされた前記受光チップマウン
ト部は、所定量だけ折り曲げられて前記受光チップの受
光面を前記半導体レーザチップの発光面の方向に向ける
ような光学的な位置調整が行われていることを特徴とす
る半導体レーザ装置。6. A semiconductor laser device in which a semiconductor laser chip and a light receiving chip for receiving light emitted from the semiconductor laser chip are sealed with a transparent resin, a lead frame for mounting the semiconductor laser chip. A laser chip lead frame having a predetermined plate thickness and a laser chip mount portion for mounting and bonding the semiconductor laser chip formed at a predetermined position; and a light receiving chip mount portion for mounting the light receiving chip. The formed lead frame, having a plate thickness smaller than the plate thickness of the laser chip lead frame,
A light-receiving chip lead frame having a depth such that the light-receiving efficiency of the light-receiving chip is optimized and a recess for mounting and joining the light-receiving chip formed in the light-receiving chip mount portion; A wire for connecting the lead of the lead frame for external use and the lead of the lead frame for the light receiving chip to the outside, at least a lead portion on which the semiconductor laser chip is mounted, a lead portion on which the light receiving chip is mounted, the wire, A transparent resin for sealing the semiconductor laser chip and the light receiving chip; and a light receiving chip mounting portion on which the light receiving chip is mounted is bent by a predetermined amount so that a light receiving surface of the light receiving chip is a light emitting surface of the semiconductor laser chip. The feature is that optical position adjustment is performed so as to turn to the direction of Semiconductor laser device that.
プの出射光を受光する受光チップとを透明樹脂によって
封止した半導体レーザ装置であって、 前記半導体レーザチップをマウントするためのリードフ
レームであって、所定の板厚を有し、前記半導体レーザ
チップをマウントして接合するレーザチップマウント部
が所定の位置に形成されたレーザチップ用リードフレー
ムと、 前記受光チップをマウントするための受光チップマウン
ト部が形成されたリードフレームであって、前記レーザ
チップ用リードフレームの板厚よりも薄い板厚を有する
受光チップ用リードフレームと、 前記レーザチップ用リードフレームのリード及び前記受
光チップ用リードフレームのリードを外部に接続するワ
イヤと、 少なくとも、前記半導体レーザチップがマウントされて
いるリード部分、前記受光チップがマウントされている
リード部分、前記ワイヤ、前記半導体レーザチップおよ
び前記受光チップを封止する透明樹脂と、 前記受光チップがマウントされた前記受光チップマウン
ト部は、所定量だけ折り曲げられて前記受光チップの受
光面を前記半導体レーザチップの発光面の方向に向ける
ような光学的な位置調整が行われていることを特徴とす
る半導体レーザ装置。7. A lead frame for mounting the semiconductor laser chip, wherein the semiconductor laser chip and a light receiving chip for receiving light emitted from the semiconductor laser chip are sealed with a transparent resin. A laser chip lead frame having a predetermined plate thickness and a laser chip mount portion for mounting and bonding the semiconductor laser chip formed at a predetermined position; and a light receiving chip mount portion for mounting the light receiving chip. A lead frame for a light-receiving chip having a thickness smaller than a thickness of the lead frame for a laser chip, a lead for the laser chip lead frame, and a lead for the light-receiving chip lead frame. An external connection wire and at least the semiconductor laser chip The mounted lead portion, the lead portion on which the light-receiving chip is mounted, the wire, the transparent resin for sealing the semiconductor laser chip and the light-receiving chip, and the light-receiving chip mounting portion on which the light-receiving chip is mounted, A semiconductor laser device which is bent by a predetermined amount and optically adjusted so that the light receiving surface of the light receiving chip is directed toward the light emitting surface of the semiconductor laser chip.
厚は、前記半導体レーザチップが発生する熱を十分に放
熱できる程度の厚さに設定されていることを特徴とする
請求項６または７に記載の半導体レーザ装置。8. The semiconductor device according to claim 6, wherein the thickness of the lead frame for the laser chip is set to a thickness that can sufficiently radiate the heat generated by the semiconductor laser chip. Semiconductor laser device.
は、前記位置調整工程を実行する際の屈曲加工が容易な
程度の板厚を有することを特徴とする請求項８に記載の
半導体レーザ装置。9. The semiconductor laser device according to claim 8, wherein the thickness of the lead frame for the light-receiving chip is such that bending at the time of performing the position adjusting step is easy. .
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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