JP3335848B2 - Comparator circuit and infrared remote control device having the same - Google Patents

Comparator circuit and infrared remote control device having the same

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JP3335848B2
JP3335848B2 JP23220396A JP23220396A JP3335848B2 JP 3335848 B2 JP3335848 B2 JP 3335848B2 JP 23220396 A JP23220396 A JP 23220396A JP 23220396 A JP23220396 A JP 23220396A JP 3335848 B2 JP3335848 B2 JP 3335848B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、オフセット電圧の
温度特性が改善されたコンパレータ回路、及びこのコン
パレータ回路を備えた赤外線リモートコントロール装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a comparator circuit having improved temperature characteristics of an offset voltage, and an infrared remote control device provided with the comparator circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のコンパレータ回路を図5を参照し
ながら以下に説明する。従来のコンパレータ回路は、図
5に示すように、差動増幅器を構成するトランジスタQ
31、Q32を有し、各ベース端子には比較入力信号が
入力される。トランジスタQ31、Q32の各コレクタ
端子は、トランジスタQ33、Q34のコレクタ端子に
それぞれ接続されている。トランジスタQ33、Q34
は、何れも、エミッタ端子がVCCライン(電源のプラス
電位)に接続されている。
2. Description of the Related Art A conventional comparator circuit will be described below with reference to FIG. As shown in FIG. 5, a conventional comparator circuit includes a transistor Q constituting a differential amplifier.
31 and Q32, and a comparison input signal is input to each base terminal. The collector terminals of the transistors Q31 and Q32 are connected to the collector terminals of the transistors Q33 and Q34, respectively. Transistors Q33, Q34
In any case, the emitter terminal is connected to the Vcc line (the positive potential of the power supply).

【0003】トランジスタQ33は、ベース端子とコレ
クタ端子とが接続され、さらにトランジスタQ35のベ
ース端子に接続され、トランジスタQ33とトランジス
タQ35とはカレントミラー回路を構成する。トランジ
スタQ34は、ベース端子とコレクタ端子とが接続さ
れ、さらにトランジスタQ36のベース端子に接続さ
れ、トランジスタQ34とトランジスタQ36とはカレ
ントミラー回路を構成する。
The transistor Q33 has a base terminal and a collector terminal connected to each other, and is further connected to a base terminal of the transistor Q35. The transistor Q33 and the transistor Q35 form a current mirror circuit. The transistor Q34 has a base terminal and a collector terminal connected to each other, and is further connected to a base terminal of the transistor Q36. The transistor Q34 and the transistor Q36 form a current mirror circuit.

【0004】トランジスタQ35のコレクタ端子は、ト
ランジスタQ37のコレクタ端子に接続されている。ト
ランジスタQ37のエミッタ端子は、グランドライン
(電源のグランド電位)に接続されている。トランジス
タQ37は、ベース端子とコレクタ端子とが接続され、
更にトランジスタQ38のベース端子に接続され、トラ
ンジスタQ37とトランジスタQ38とは、カレントミ
ラー回路を構成する。
[0004] The collector terminal of the transistor Q35 is connected to the collector terminal of the transistor Q37. The emitter terminal of the transistor Q37 is connected to a ground line (ground potential of a power supply). The transistor Q37 has a base terminal connected to the collector terminal,
Further, the transistor Q38 is connected to the base terminal of the transistor Q38, and the transistor Q37 and the transistor Q38 form a current mirror circuit.

【0005】トランジスタQ36のコレクタ端子は、ト
ランジスタQ38のコレクタ端子に接続されている。ト
ランジスタQ38のエミッタ端子は、グランドラインに
接続されている。トランジスタQ38のコレクタ端子か
らは、比較出力信号Vout が出力される。トランジスタ
Q35、Q36のエミッタ端子は、それぞれVCCライン
に接続されている。
[0005] The collector terminal of the transistor Q36 is connected to the collector terminal of the transistor Q38. The emitter terminal of the transistor Q38 is connected to the ground line. The comparison output signal V out is output from the collector terminal of the transistor Q38. The emitter terminals of the transistors Q35 and Q36 are respectively connected to the V CC line.

【0006】上記トランジスタQ31、Q32のエミッ
タ端子は互いに接続され、この接続点がトランジスタQ
39のコレクタ端子に接続されている。トランジスタQ
39のエミッタ端子は、グランドラインに接続されてい
る。トランジスタQ39のベース端子は、トランジスタ
Q41のベース端子に接続されている。
The emitter terminals of the transistors Q31 and Q32 are connected to each other.
39 are connected to the collector terminal. Transistor Q
An emitter terminal 39 is connected to a ground line. The base terminal of the transistor Q39 is connected to the base terminal of the transistor Q41.

【0007】トランジスタQ41のベース端子はコレク
タ端子に接続されており、このコレクタ端子は抵抗R4
2を介してトランジスタQ40のエミッタ端子に接続さ
れている。トランジスタQ40は、ベース端子とコレク
タ端子とが接続され、この接続点がVCCラインに接続さ
れている。トランジスタQ40は、ダイオードとして機
能している。トランジスタQ39とトランジスタQ41
とは、カレントミラー回路を構成する。
The base terminal of the transistor Q41 is connected to the collector terminal, and this collector terminal is connected to the resistor R4.
2 is connected to the emitter terminal of the transistor Q40. The transistor Q40 has a base terminal and a collector terminal connected to each other, and this connection point is connected to the V CC line. The transistor Q40 functions as a diode. Transistor Q39 and transistor Q41
Constitutes a current mirror circuit.

【0008】上記構成において、トランジスタQ31の
ベース端子に比較入力信号Vin32が入力される一方、ト
ランジスタQ32のベース端子に比較入力信号Vin31
入力される。Vin31=Vin32の場合、比較出力信号V
out は2値レベルのローレベルとなる。これに対して、
比較入力信号Vin31、Vin32が変化し、トランジスタQ
31、Q32に流れる電流I31、I32が、I32/I31
4を満足すると、比較出力信号Vout は2値レベルのハ
イレベルに変化する。
[0008] In the above structure, while the comparison input signal V IN32 to the base terminal of the transistor Q31 is inputted, it compares the input signal V IN31 to the base terminal of the transistor Q32 is inputted. When Vin31 = Vin32 , the comparison output signal V
out is a binary low level. On the contrary,
The comparison input signals Vin31 and Vin32 change, and the transistor Q
31, the current I 31, I 32 flowing through Q32 is, I 32 / I 31
When 4 is satisfied, the comparison output signal V out changes to a binary high level.

【0009】ここで、トランジスタQ31、Q32のベ
ース−エミッタ間電圧をそれぞれVBE31、VBE32とし、
ボルツマン定数をkとし、絶対温度をTとし、電荷をq
とすると、次式が成立する。
Here, the base-emitter voltages of the transistors Q31 and Q32 are V BE31 and V BE32 , respectively.
Let Boltzmann's constant be k, absolute temperature be T, and charge be q
Then, the following equation is established.

【0010】 I31:I32=1:4 ……(1) Vin31−VBE32=Vin32−VBE31 ……(2) VBE31=(kT/q)ln(I31/I0 ) ……(3) VBE32=(kT/q)ln(I32/I0 ) ……(4) 上式より、コンパレータ回路のオフセット電圧ΔVは、
次式(5)のようになる。
I 31 : I 32 = 1: 4 (1) Vin 31 −V BE32 = V in32 −V BE31 (2) V BE31 = (kT / q) ln (I 31 / I 0 ) (3) V BE32 = (kT / q) ln (I 32 / I 0 ) (4) From the above equation, the offset voltage ΔV of the comparator circuit is:
The following equation (5) is obtained.

【0011】 ΔV=Vin31−Vin32=VBE32−VBE31 =(kT/q)ln(I32/I31) =(kT/q)ln4 ……(5) 上記の(5)式より明らかなように、オフセット電圧Δ
Vは、正の温度特性を有するオフセット成分((kT/
q)ln4)のみからなる。つまり、従来のコンパレー
タ回路のオフセット電圧ΔVは、図2中の破線で示すよ
うに、周囲温度に正比例して変化する。即ち、オフセッ
ト電圧ΔVは、周囲温度が高くなるにつれて大きくなる
一方、周囲温度が低くなるにつれて小さくなる。
ΔV = V in31 −V in32 = V BE32 −V BE31 = (kT / q) ln (I 32 / I 31 ) = (kT / q) ln4 (5) It is clear from the above equation (5). The offset voltage Δ
V is an offset component having a positive temperature characteristic ((kT /
q) consists only of ln4). That is, the offset voltage ΔV of the conventional comparator circuit changes in direct proportion to the ambient temperature, as shown by the broken line in FIG. That is, the offset voltage ΔV increases as the ambient temperature increases, and decreases as the ambient temperature decreases.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のコンパレータ回路は、オフセット電圧が正の温度特
性を有するオフセット成分のみからなるので、オフセッ
ト電圧ΔVは、周囲温度の変動に応じて変化する。例え
ば、オフセット電圧ΔVは、周囲温度が低くなるにつれ
て小さくなる。このため、周囲温度が低くなると、これ
に伴ってオフセット電圧ΔVが小さくなり、比較の際の
ノイズに対するマージンが小さくなるので、コンパレー
タ回路がノイズにより誤動作してしまうという問題点を
有している。
However, in the above-mentioned conventional comparator circuit, the offset voltage ΔV changes in accordance with the fluctuation of the ambient temperature because the offset voltage consists only of the offset component having a positive temperature characteristic. For example, the offset voltage ΔV decreases as the ambient temperature decreases. For this reason, when the ambient temperature is lowered, the offset voltage ΔV is reduced accordingly, and the margin for noise in comparison is reduced, so that the comparator circuit malfunctions due to the noise.

【0013】また、上記従来のコンパレータ回路を赤外
線リモートコントロール装置に使用した場合、上記のよ
うに誤動作するので、信頼性の高い装置を提供すること
ができないという問題点を有している。
Further, when the above-mentioned conventional comparator circuit is used in an infrared remote control device, it malfunctions as described above, so that there is a problem that a highly reliable device cannot be provided.

【0014】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、オフセット電圧の温度特
性を改善し、周囲温度が変動しても、常に安定して動作
するコンパレータ回路、及びこのコンパレータ回路を備
えた赤外線リモートコントロール装置を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and has as its object to improve a temperature characteristic of an offset voltage, and to always operate stably even when an ambient temperature fluctuates. And an infrared remote control device provided with the comparator circuit.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明のコ
ンパレータ回路は、上記課題を解決するために、差動増
幅器を構成し、各ベース端子に比較入力信号が供給され
る第1及び第2トランジスタと、上記の第1及び第2ト
ランジスタのコレクタ端子にそれぞれ接続された第1及
び第2定電流回路と、上記の第1及び第2定電流回路に
接続され、比較出力信号を出力する第3定電流回路とを
備え、第1乃至第3定電流回路に基づいてオフセット電
圧が予め定められたコンパレータ回路において、以下の
発明特定事項を有している。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a comparator circuit comprising a differential amplifier, wherein first and second input terminals are supplied with a comparison input signal to each base terminal. Two transistors, first and second constant current circuits connected to the collector terminals of the first and second transistors, respectively, and connected to the first and second constant current circuits to output a comparison output signal. A comparator circuit having a third constant current circuit, wherein the offset voltage is predetermined based on the first to third constant current circuits, has the following invention specific items.

【0016】つまり、上記コンパレータ回路は、(1) 一
端が上記の第1及び第2トランジスタのエミッタ端子に
それぞれ接続されると共に、他端が互いに接続された第
1及び第2抵抗と、(2) 第1及び第2抵抗の上記の接続
点に接続されると共に、第3抵抗を含み、この第3抵抗
により制限される差動増幅器のバイアス電流を供給する
第4定電流回路とを備え、上記の第1抵抗と第2抵抗と
は同じ温度係数を有し、且つ、上記の第3抵抗の温度係
数は、上記の第1及び第2抵抗とは異なると共に上記差
動増幅器による正の温度特性を有するオフセット成分を
略相殺する負の温度特性を有するオフセット成分を生成
する大きさを有している。
That is, the comparator circuit comprises: (1) first and second resistors having one ends connected to the emitter terminals of the first and second transistors, respectively, and the other ends connected to each other; A fourth constant current circuit connected to the connection point of the first and second resistors and including a third resistor for supplying a bias current of the differential amplifier limited by the third resistor; The first resistor and the second resistor
Have the same temperature coefficient and the temperature coefficient of the third resistor
The number is different from the first and second resistors and the difference
Offset component with positive temperature characteristic by dynamic amplifier
Generates offset components with negative temperature characteristics that almost cancel
It has the size to be.

【0017】請求項1の発明によれば、第1乃至第3定
電流回路に基づいて、コンパレータ回路のオフセット電
圧が予め定められている。第1及び第2トランジスタの
各ベース端子に比較入力信号が供給され、比較入力信号
が変化して第1及び第2トランジスタに流れる電流比が
所定比以上になると、第3定電流回路から、例えば2値
のハイレベルの比較出力信号が出力される。一方、比較
入力信号間の差がゼロの場合には、第3定電流回路か
ら、例えば2値のローレベルの比較出力信号が出力され
る。
According to the first aspect of the present invention, the offset voltage of the comparator circuit is predetermined based on the first to third constant current circuits. A comparison input signal is supplied to each base terminal of the first and second transistors, and when the comparison input signal changes and the current ratio flowing through the first and second transistors becomes equal to or higher than a predetermined ratio, the third constant current circuit outputs, for example, A binary high-level comparison output signal is output. On the other hand, when the difference between the comparison input signals is zero, the third constant current circuit outputs, for example, a binary low-level comparison output signal.

【0018】上記のオフセット電圧は、正の温度特性を
有するオフセット成分と、負の温度特性を有するオフセ
ット成分とからなる。正の温度特性を有するオフセット
成分は、差動増幅器によって生成される。一方、負の温
度特性を有するオフセット成分は、上記の第1乃至第3
抵抗の抵抗値の温度係数に基づいて生成される。
The offset voltage has an offset component having a positive temperature characteristic and an offset component having a negative temperature characteristic. An offset component having a positive temperature characteristic is generated by a differential amplifier. On the other hand, the offset components having negative temperature characteristics are the first to third components described above.
It is generated based on the temperature coefficient of the resistance value of the resistor.

【0019】すなわち、上記の第3抵抗の温度係数は、
上記の第1及び第2抵抗とは異なると共に上記差動増幅
器による正の温度特性を有するオフセット成分を略相殺
する負の温度特性を有するオフセット成分を生成する大
きさを有しているので、両極性の温度特性を有するオフ
セット成分が互いに略相殺され、これにより、周囲温度
に関係なく、オフセット電圧が略一定に保持され、常
に、安定した正確な比較動作が行われる。
That is, the temperature coefficient of the third resistor is:
Different from the first and second resistors and the differential amplifier
Offset component with positive temperature characteristics due to the heater
Large offset component having a negative temperature characteristic
Off, which has bipolar temperature characteristics
The set components substantially cancel each other out, thereby reducing the ambient temperature
The offset voltage is kept almost constant regardless of
Then, a stable and accurate comparison operation is performed.

【0020】したがって、従来のように、オフセット電
圧が正の温度特性を有するオフセット成分のみからなる
場合と比べると、負の温度特性を有するオフセット成分
が存在する分だけ、周囲温度の変化に伴うオフセット電
圧の変動が抑えられ、オフセット電圧の温度特性が全体
として改善されることになる。
Therefore, as compared with the conventional case where the offset voltage consists only of the offset component having the positive temperature characteristic, the offset voltage due to the change in the ambient temperature is reduced by the offset component having the negative temperature characteristic. Voltage fluctuation is suppressed, and the temperature characteristics of the offset voltage are improved as a whole.

【0021】このため、特に、周囲温度が低温化して
も、負の温度特性を有するオフセット成分によって、オ
フセット電圧の温度特性が改善されるので、従来のよう
な周囲温度の低温化に伴う誤動作を確実に回避できる。
たとえ、低温下でもオフセット電圧が減少することを回
避でき、ノイズに対するマージンが変化しないため、コ
ンパレータ回路の信頼性が著しく向上する。
For this reason, even if the ambient temperature is lowered, the offset voltage having a negative temperature characteristic improves the temperature characteristic of the offset voltage. Can be avoided reliably.
For example, even at a low temperature, the offset voltage can be prevented from decreasing, and the margin for noise does not change, so that the reliability of the comparator circuit is significantly improved.

【0022】しかも、第1及び第2トランジスタのエミ
ッタ端子にそれぞれ接続される第1及び第2抵抗が同じ
温度係数を有しているので、回路設計の際、第1抵抗乃
至第3抵抗のうち2種類の抵抗の温度係数の組み合わせ
だけを考慮すればよい。このため、回路設計を大幅に簡
素化できる。
In addition, the emitter of the first and second transistors
The first and second resistors connected to the
Because it has a temperature coefficient, the first resistor
Combination of temperature coefficients of two types of resistors out of the third resistor
You only need to consider This greatly simplifies circuit design.
Can be simplified.

【0023】請求項2に係る発明のコンパレータ回路
は、上記課題を解決するために、請求項1記載の発明特
定事項において、コンパレータ回路を集積回路上に形成
する際、上記の第1乃至第3抵抗をイオン打ち込み抵抗
による分離プロセスを用いて形成し、各抵抗が高温側と
低温側とで異なる温度係数を有する場合、低温側での各
温度係数を各抵抗の温度係数とすることを特徴としてい
る。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a comparator circuit according to the first aspect , wherein the comparator circuit is formed on an integrated circuit.
In this case, the above-described first to third resistors are replaced with ion implantation resistors.
Each of the resistors is connected to the high temperature side
If the temperature coefficient is different on the low temperature side,
The temperature coefficient is the temperature coefficient of each resistor.
You.

【0024】請求項2の発明によれば、請求項1の発明
特定事項に基づく作用に加えて、抵抗の温度係数が高温
側と低温側とで異なるような変曲点を有する場合でも、
低温側での各温度係数を抵抗の温度係数とすることによ
って、低温側でのオフセット電圧の変動を確実に低減で
きる。
According to the second aspect of the present invention, in addition to the effect based on the first aspect of the present invention, the temperature coefficient of the resistance is high.
Even if it has an inflection point that is different between the side and the low temperature side,
By making each temperature coefficient on the low temperature side the temperature coefficient of resistance
Therefore, the fluctuation of the offset voltage on the low temperature side can be reliably reduced.
Wear.

【0025】請求項3に係る発明のコンパレータ回路を
備えた赤外線リモートコントロール装置は、請求項1、
又は2記載の発明特定事項を有するコンパレータ回路を
備えている。
The comparator circuit according to the third aspect of the present invention
The infrared remote control device provided comprises:
Or a comparator circuit having the invention specifying items described in 2.
Have.

【0026】請求項3の発明によれば、赤外線リモート
コントロール装置が、請求項1、又は2の発明特定事項
に基づく作用を奏するコンパレータ回路を備えているこ
とを特徴としているので、従来問題となっていた周囲温
度の変動、又は低温化に伴う誤動作を確実に回避でき
る。
According to the third aspect of the present invention, the infrared remote control
The control device is an invention specifying matter according to claim 1 or 2
A comparator circuit that operates based on
Ambient temperature, which has been a problem in the past.
Can reliably avoid fluctuations in temperature or malfunction due to low temperature
You.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について図
1乃至図4に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0028】本実施の形態のコンパレータ回路は、図1
に示すように、差動増幅器を構成するトランジスタQ
1、Q2を有し、各ベース端子には比較入力信号
in1 、Vin2 がそれぞれ入力される。トランジスタQ
1、Q2の各コレクタ端子は、トランジスタQ3、Q4
のコレクタ端子にそれぞれ接続されている。トランジス
タQ3、Q4は、何れも、エミッタ端子がVCCライン
(電源のプラス電位)に接続されている。
FIG. 1 shows a comparator circuit according to this embodiment.
As shown in FIG.
1 and Q2, and the comparison input signals Vin1 and Vin2 are input to the respective base terminals. Transistor Q
The collector terminals of Q1 and Q2 are connected to transistors Q3 and Q4
Are connected respectively to the collector terminals. Each of the transistors Q3 and Q4 has an emitter terminal connected to the Vcc line (the positive potential of the power supply).

【0029】トランジスタQ3は、ベース端子とコレク
タ端子とが接続され、更にトランジスタQ5のベース端
子に接続されることにより、トランジスタQ3とトラン
ジスタQ5とは、カレントミラー回路(第1定電流回
路)を構成する。トランジスタQ4は、ベース端子とコ
レクタ端子とが接続され、更にトランジスタQ6のベー
ス端子に接続されることにより、トランジスタQ4とト
ランジスタQ6とは、カレントミラー回路(第2定電流
回路)を構成する。
The transistor Q3 has a base terminal and a collector terminal connected to each other, and is further connected to a base terminal of the transistor Q5, so that the transistor Q3 and the transistor Q5 form a current mirror circuit (first constant current circuit). I do. The transistor Q4 has a base terminal and a collector terminal connected to each other, and is further connected to a base terminal of the transistor Q6, so that the transistor Q4 and the transistor Q6 form a current mirror circuit (second constant current circuit).

【0030】トランジスタQ5のコレクタ端子は、トラ
ンジスタQ7のコレクタ端子に接続されている。トラン
ジスタQ7のエミッタ端子は、グランドライン(電源の
グランド電位)に接続されている。トランジスタQ7
は、ベース端子とコレクタ端子とが接続され、更にトラ
ンジスタQ8のベース端子に接続されることにより、ト
ランジスタQ7とトランジスタQ8とは、カレントミラ
ー回路(第3定電流回路)を構成する。
The collector terminal of the transistor Q5 is connected to the collector terminal of the transistor Q7. The emitter terminal of the transistor Q7 is connected to a ground line (ground potential of a power supply). Transistor Q7
The transistor Q7 and the transistor Q8 form a current mirror circuit (third constant current circuit) by connecting the base terminal and the collector terminal and further connecting the base terminal of the transistor Q8.

【0031】トランジスタQ6のコレクタ端子は、トラ
ンジスタQ8のコレクタ端子に接続されている。トラン
ジスタQ8のエミッタ端子は、グランドラインに接続さ
れている。トランジスタQ8のコレクタ端子からは、比
較出力信号Vout が出力される。トランジスタQ5、Q
6のエミッタ端子は、それぞれVCCラインに接続されて
いる。トランジスタQ7、Q8は、ベース端子が互いに
接続されていると共に、エミッタ端子がそれぞれグラン
ドラインに接続されている。
The collector terminal of the transistor Q6 is connected to the collector terminal of the transistor Q8. The emitter terminal of the transistor Q8 is connected to the ground line. The comparison output signal V out is output from the collector terminal of the transistor Q8. Transistors Q5, Q
The 6 emitter terminals are each connected to the V CC line. The transistors Q7 and Q8 have their base terminals connected to each other, and their emitter terminals connected to the ground line.

【0032】上記トランジスタQ1のエミッタ端子は、
抵抗R1(第1抵抗)の一端に接続されている。一方、
トランジスタQ2のエミッタ端子は、抵抗R2(第2抵
抗)の一端に接続されている。抵抗R1、R2の他端
は、それぞれ互いに接続されており、その接続点はトラ
ンジスタQ9のコレクタ端子に接続されている。トラン
ジスタQ9は、エミッタ端子がグランドラインに接続さ
れていると共に、ベース端子がトランジスタQ11のベ
ース端子に接続されている。
The emitter terminal of the transistor Q1 is
It is connected to one end of a resistor R1 (first resistor). on the other hand,
The emitter terminal of the transistor Q2 is connected to one end of a resistor R2 (second resistor). The other ends of the resistors R1 and R2 are connected to each other, and the connection point is connected to the collector terminal of the transistor Q9. The transistor Q9 has an emitter terminal connected to the ground line and a base terminal connected to the base terminal of the transistor Q11.

【0033】トランジスタQ11は、コレクタ端子とベ
ース端子とが互いに接続されており、更にトランジスタ
Q9のベース端子に接続されることにより、トランジス
タQ9とトランジスタQ11とは、カレントミラー回路
(第4定電流回路)を構成する。このトランジスタQ1
1は、エミッタ端子がグランドラインに接続されてい
る。トランジスタQ11のコレクタ端子は、抵抗R3
(第3抵抗)を介してトランジスタQ10のエミッタ端
子に接続されている。トランジスタQ10は、コレクタ
端子とベース端子とが互いに接続されており、ダイオー
ドとして機能している。トランジスタQ10のコレクタ
端子は、VCCラインに接続されている。
The transistor Q11 has a collector terminal and a base terminal connected to each other, and is further connected to the base terminal of the transistor Q9, so that the transistor Q9 and the transistor Q11 are connected to a current mirror circuit (fourth constant current circuit). ). This transistor Q1
1 has an emitter terminal connected to the ground line. The collector terminal of the transistor Q11 is connected to a resistor R3
(Third resistor) is connected to the emitter terminal of the transistor Q10. The transistor Q10 has a collector terminal and a base terminal connected to each other, and functions as a diode. The collector terminal of the transistor Q10 is connected to the V CC line.

【0034】上記の抵抗R3は、上記の差動増幅器のバ
イアス電流を供給するために設けられている。抵抗R
1、R2、及びR3は、オフセット電圧において負の温
度特性を有するオフセット成分を生成するような温度係
数をそれぞれ有している。
The resistor R3 is provided for supplying a bias current of the differential amplifier. Resistance R
1, R2, and R3 each have a temperature coefficient that generates an offset component having a negative temperature characteristic at the offset voltage.

【0035】上記構成において、トランジスタQ1のベ
ース端子に比較入力信号Vin1 が入力される一方、トラ
ンジスタQ2のベース端子に比較入力信号Vin2 が入力
される。Vin1 =Vin2 の場合、比較出力信号Vout
2値レベルのローレベルとなる。これに対して、比較入
力信号Vin1 、Vin2 が変化し、トランジスタQ1、Q
2に流れる電流I1 、I2 が、I2 /I1 ≧2を満足す
ると、比較出力信号Vout は2値レベルのハイレベルに
変化する。
[0035] In the above structure, while the comparison input signal V in1 to the base terminal of the transistor Q1 is input, compares the input signal V in2 to the base terminal of the transistor Q2 is inputted. When V in1 = V in2 , the comparison output signal V out has a binary low level. On the other hand, the comparison input signals Vin1 and Vin2 change, and the transistors Q1 and Qin
When the currents I 1 and I 2 flowing through 2 satisfy I 2 / I 1 ≧ 2, the comparison output signal V out changes to the binary high level.

【0036】ここで、トランジスタQ1、Q2、Q1
0、及びQ11のベース−エミッタ間電圧をそれぞれV
BE1 、VBE2 、VBE10、及びVBE11とし、ボルツマン定
数をkとし、絶対温度をTとし、電荷をqとすると、次
式が成立する。
Here, transistors Q1, Q2, Q1
0 and the base-emitter voltage of Q11 are V
BE1, V BE2, V BE10, and a V BE11, a Boltzmann constant and k, absolute temperature is T, when the charge and q, the following equation is established.

【0037】 I1 :I2 =1:2 ……(6) I1 +I2 =I3 =(VCC−VBE10−VBE11)/R3 ……(7) Vin1 −VBE1 −(R1×I1 ) =Vin2 −VBE2 −(R2×I2 ) ……(8) VBE1 =(kT/q)ln(I1 /I0 ) ……(9) VBE2 =(kT/q)ln(I2 /I0 ) ……(10) 上式より、コンパレータ回路のオフセット電圧ΔVは、
次式(11)のようになる。
I 1 : I 2 = 1: 2 (6) I 1 + I 2 = I 3 = (V CC −V BE10 −V BE11 ) / R3 (7) V in1 −V BE1 − (R1 × I 1 ) = V in2 −V BE2 − (R2 × I 2 ) (8) V BE1 = (kT / q) ln (I 1 / I 0 ) (9) V BE2 = (kT / q ) Ln (I 2 / I 0 ) (10) From the above equation, the offset voltage ΔV of the comparator circuit is
The following equation (11) is obtained.

【0038】 ΔV=Vin2 −Vin1 =VBE2 +(R2×I2 )−VBE1 −(R1×I1 ) =(R2×I2 −R1×I1 )+(VBE2 −VBE1 ) =(2・R2−R1)I3 /3+(kT/q)ln2 ……(11) ここで、ΔVの第1項をΔV1 とし、V0 =(VCC−V
BE10−VBE11)とすると、(7)より、次式(12)が成
立する。
ΔV = V in2 −V in1 = V BE2 + (R2 × I 2 ) −V BE1 − (R1 × I 1 ) = (R2 × I 2 −R1 × I 1 ) + (V BE2 −V BE1 ) = (2 · R2-R1) I 3/3 + (kT / q) ln2 ...... (11) where the first term of [Delta] V and ΔV 1, V 0 = (V CC -V
BE10 - VBE11 ), the following equation (12) is established from (7).

【0039】 ΔV1 =(2・R2−R1)・V0 /(3・R3) ……(12) オフセット電圧ΔVの第2項をΔV2 とすると、ΔV2
は上記の差動増幅器によって生成される。上記の(11)
式より明らかなように、ΔV2 は、(kT/q)が+3
300(ppm/K)の温度係数を有することが知られ
ているので、正の温度特性を有するオフセット成分を表
す。
ΔV 1 = (2 · R2−R1) · V 0 / (3 · R3) (12) Assuming that the second term of the offset voltage ΔV is ΔV 2 , ΔV 2
Is generated by the differential amplifier described above. (11) above
As is apparent from the equation, ΔV 2 is (kT / q) +3.
Since it is known to have a temperature coefficient of 300 (ppm / K), it represents an offset component having a positive temperature characteristic.

【0040】これに対して、ΔV1 は上記の抵抗R1、
R2、及びR3の温度係数の組み合わせに基づいて生成
されるものであり、抵抗R1、R2、及びR3の温度係
数の組み合わせを適当に選択すれば、上述のように負の
温度特性を有するオフセット成分を実現できる。このよ
うに、負の温度特性を有するオフセット成分ΔV1 が存
在することによって、オフセット電圧が正の温度特性を
有するオフセット成分のみからなる従来の場合と比べる
と、ΔV1 の存在する分だけ、周囲温度の変動に伴うオ
フセット電圧の変化が抑えられ、オフセット電圧の温度
特性が全体として改善されることになる。
On the other hand, ΔV 1 is equal to the resistance R1,
The offset component is generated based on the combination of the temperature coefficients of R2 and R3. If the combination of the temperature coefficients of the resistors R1, R2 and R3 is appropriately selected, the offset component having the negative temperature characteristic as described above is obtained. Can be realized. As described above, the presence of the offset component ΔV 1 having a negative temperature characteristic allows the offset voltage to be reduced by the amount corresponding to the existence of ΔV 1 as compared with the conventional case where the offset voltage includes only the offset component having the positive temperature characteristic. The change in the offset voltage due to the temperature change is suppressed, and the temperature characteristics of the offset voltage are improved as a whole.

【0041】したがって、たとえ周囲温度が変化して低
温になっても、ΔV1 が存在することによって、オフセ
ット電圧の温度特性が改善されるので、従来のように周
囲温度の変動(特に低温化)に伴う誤動作を回避でき
る。これは、ΔV1 の存在によって、オフセット電圧が
減少することを回避できるからであり、これにより、ノ
イズに対するマージンが変化しないため、コンパレータ
回路の信頼性が著しく向上する。
Therefore, even if the ambient temperature changes and the temperature becomes low, the temperature characteristic of the offset voltage is improved by the presence of ΔV 1. Can be avoided. This is because it is possible to avoid the offset voltage from being reduced due to the presence of ΔV 1 , whereby the margin for noise does not change, thereby significantly improving the reliability of the comparator circuit.

【0042】ところで、上記の抵抗R1及び抵抗R2
は、同じ温度係数を有していることが好ましい。この場
合、回路設計上、抵抗R1、R2、及びR3のうち2種
類の抵抗の温度係数の組み合わせだけを考慮すればよい
ので、回路設計を大幅に簡素化できる。
By the way, the above-described resistors R1 and R2
Preferably have the same temperature coefficient. In this case, since only the combination of the two temperature coefficients of the resistors R1, R2, and R3 needs to be considered in circuit design, the circuit design can be greatly simplified.

【0043】差動増幅器による正の温度特性を有するオ
フセット成分(ΔV2 )を略相殺する負の温度特性を有
するオフセット成分(ΔV1 )を生成するような温度係
数を抵抗R1、R2、及びR3がそれぞれ有しているこ
とが更に好ましく、この場合、以下に示すような作用、
効果を奏する。
The temperature coefficients which generate the offset component (ΔV 1 ) having the negative temperature characteristic which substantially cancels the offset component (ΔV 2 ) having the positive temperature characteristic by the differential amplifier are set to the resistances R1, R2, and R3. It is more preferable that each has, in this case, the action as shown below,
It works.

【0044】即ち、例えば、上記の抵抗R1、R2、及
びR3は、低温T≦273K(摂氏0℃)の周囲温度に
対して、次式(a)(b)で示す温度係数を有している
とする。
That is, for example, the resistors R1, R2, and R3 have a temperature coefficient represented by the following equations (a) and (b) with respect to an ambient temperature of low temperature T ≦ 273 K (0 ° C.). Suppose you have

【0045】 dR1/dT=dR2/dT=+100(ppm/K) ……(a) dR3/dT=+3500(ppm/K) ……(b) 即ち、抵抗R1及びR2は、何れも、低温T≦273K
(摂氏0℃)の周囲温度に対して、+100ppm/K
の温度係数を有する一方、上記の抵抗R3は、低温T≦
273K(摂氏0℃)の周囲温度に対して、+3500
ppm/Kの温度係数を有するとする。
DR1 / dT = dR2 / dT = + 100 (ppm / K) (a) dR3 / dT = + 3500 (ppm / K) (b) That is, both the resistors R1 and R2 have a low temperature T ≤273K
+100 ppm / K for an ambient temperature of (0 ° C.)
The above-mentioned resistance R3 has a temperature coefficient T ≦ T.
+3500 for an ambient temperature of 273K (0 ° C.)
Assume that it has a temperature coefficient of ppm / K.

【0046】ここで、説明の便宜上、R2=R1=Rと
すると共に、VBE10+VBE11=2VBEとすると、上記
(11)は、次式(13)で表される。
Here, assuming that R2 = R1 = R and V BE10 + V BE11 = 2V BE for convenience of explanation, the above (11) is expressed by the following equation (13).

【0047】 ΔV=(R/3R3)(VCC−2VBE)+(kT/q)ln2 ……(13) 上記の(13)式より明らかなように、オフセット電圧Δ
Vの第2項ΔV2 は、(kT/q)が+3300(pp
m/K)の温度係数を有することが知られているので、
正の温度特性を有するオフセット成分を表す。
ΔV = (R / 3R3) (V CC −2V BE ) + (kT / q) ln2 (13) As is apparent from the above equation (13), the offset voltage Δ
The second term [Delta] V 2 of V is, (kT / q) is +3300 (pp
m / K) is known.
Represents an offset component having a positive temperature characteristic.

【0048】これに対して、オフセット電圧ΔVの第1
項ΔV1 は、負の温度特性を有するオフセット成分を表
している。これは、次の理由による。即ち、上記の
(a)(b)より明らかなように、(R/R3)は、
(+100/+3500)(ppm/K)の温度係数を
有するので、実質、−3400(ppm/K)の温度係
数を有することになるからである。
On the other hand, the first offset voltage ΔV
The term ΔV 1 represents an offset component having a negative temperature characteristic. This is for the following reason. That is, as is clear from the above (a) and (b), (R / R3) is
This is because it has a temperature coefficient of (+ 100 / + 3500) (ppm / K), and thus has a temperature coefficient of −3400 (ppm / K) substantially.

【0049】以上のように、オフセット電圧ΔVは、第
2項ΔV2 の正の温度係数(+3300(ppm/
K))が、第1項ΔV1 の負の温度係数(−3400
(ppm/K))によって略相殺される。この相殺によ
り、図2中の実線で示すように、周囲温度の変化に伴う
オフセット電圧の変動が抑えられ、オフセット電圧の温
度特性が全体として改善される。第2項ΔV2 の正の温
度係数が第1項ΔV1 の負の温度係数により常に略相殺
されるので、従来では周囲温度の低下に伴って減少して
いたオフセット電圧が、温度に関係なく(低温域でも高
温域でも)略一定になる(図2中の実線で示す特性を参
照)。このため、温度に関係なく、オフセット電圧を略
一定に保持できるので、ノイズに対するマージンが変化
しないため、コンパレータ回路の信頼性が著しく向上す
る。
As described above, the offset voltage ΔV is equal to the positive temperature coefficient of the second term ΔV 2 (+3300 (ppm /
K)) is the negative temperature coefficient of the first term ΔV 1 (−3400
(Ppm / K)). Due to this cancellation, as shown by the solid line in FIG. 2, fluctuations in the offset voltage due to changes in the ambient temperature are suppressed, and the temperature characteristics of the offset voltage are improved as a whole. Since the positive temperature coefficient of the second term ΔV 2 is almost always canceled by the negative temperature coefficient of the first term ΔV 1 , the offset voltage, which conventionally decreases with a decrease in the ambient temperature, is reduced regardless of the temperature. It becomes substantially constant (both in the low temperature range and the high temperature range) (see the characteristics shown by the solid line in FIG. 2). Therefore, the offset voltage can be kept substantially constant irrespective of the temperature, and the margin for noise does not change, so that the reliability of the comparator circuit is significantly improved.

【0050】以上のように、たとえ周囲温度が変化して
も、常に、両極性の温度特性を有するオフセット成分が
互いに略相殺されるので、周囲温度に関係なく、常に、
安定した正確な比較動作が行われる。
As described above, even if the ambient temperature changes, the offset components having bipolar temperature characteristics are almost always offset each other.
A stable and accurate comparison operation is performed.

【0051】ここで、上記抵抗が、温度特性において、
高温側と低温側とで温度係数が異なるような変曲点を有
する場合について説明する。
Here, in the temperature characteristic,
A case where the inflection point has a temperature coefficient different between the high temperature side and the low temperature side will be described.

【0052】変曲点を有する場合として、上記のコンパ
レータ回路をイオン打ち込み抵抗による分離プロセスを
用いて集積回路上に形成する場合が挙げられる。この場
合、抵抗の温度特性は高温側と低温側とでその温度係数
が異なる。そこで、低温側での各温度係数を各抵抗の温
度係数とすることによって、抵抗の温度係数が高温側と
低温側とで異なるような変曲点を有する場合でも、低温
側のオフセット電圧の変動を確実に低減できる。
As a case having an inflection point, there is a case where the above-mentioned comparator circuit is formed on an integrated circuit by using a separation process by ion implantation resistance. In this case, the temperature coefficient of the resistance is different between the high temperature side and the low temperature side. Therefore, by using each temperature coefficient on the low temperature side as the temperature coefficient of each resistor, even if the temperature coefficient of the resistance has an inflection point different between the high temperature side and the low temperature side, the fluctuation of the offset voltage on the low temperature side Can be reliably reduced.

【0053】次に、図3及び図4を参照しながら、上述
のコンパレータ回路を赤外線リモートコントロール装置
に使用した場合について説明する。
Next, a case where the above-described comparator circuit is used in an infrared remote control device will be described with reference to FIGS.

【0054】本実施の形態の赤外線リモートコントロー
ル装置は、図3に示すように、上記の特徴を有するコン
パレータ回路1を備えている。
As shown in FIG. 3, the infrared remote control device of the present embodiment includes a comparator circuit 1 having the above-described features.

【0055】赤外線リモートコントロール装置は、図3
に示すように、フォトダイオード2を有している。フォ
トダイオード2は、通常38kHzで強度変調された
上、更に搬送波の有無でコード化された赤外線光信号
(図4(a)参照)を受信し、この赤外線光信号を電気
信号に変換してアンプブロック3へ送る。
FIG. 3 shows an infrared remote control device.
As shown in FIG. The photodiode 2 receives an infrared light signal (see FIG. 4 (a)) which is normally modulated at 38 kHz and further coded with or without a carrier wave, converts the infrared light signal into an electric signal, and amplifies the signal. Send to block 3.

【0056】アンプブロック3は、例えば、2つの増幅
器と、これらの増幅器を交流結合するカップリングコン
デンサC1とから構成されている。アンプブロック3
は、入力された電気信号を所定の増幅度で増幅し(図4
(b)参照)、カップリングコンデンサC2を介してバ
ンドパスフィルタ4へ送るようになっている。
The amplifier block 3 comprises, for example, two amplifiers and a coupling capacitor C1 for AC-coupling these amplifiers. Amplifier block 3
Amplifies the input electric signal with a predetermined amplification factor (see FIG. 4).
(See (b)), and is sent to the bandpass filter 4 via the coupling capacitor C2.

【0057】バンドパスフィルタ4は、強度変調された
周波数(通常38kHz)が中心周波数に一致するよう
に設定されており、ここで該中心周波数を含む所定帯域
の信号が増幅される(図4(c)中の実線で示す波形参
照)。バンドパスフィルタ4の出力は検波レベル生成回
路5へ送られ、ここで検波レベルが生成され(図4
(c)中の破線で示す波形参照)、上記の比較入力信号
in1 としてコンパレータ回路1へ送られる。バンドパ
スフィルタ4の出力は、また、上記の比較入力信号V
in2 としてコンパレータ回路1へ送られる。
The band-pass filter 4 is set so that the intensity-modulated frequency (normally 38 kHz) coincides with the center frequency, and a signal in a predetermined band including the center frequency is amplified here (FIG. 4 ( c) See the waveform indicated by the solid line in FIG. The output of the bandpass filter 4 is sent to a detection level generation circuit 5, where a detection level is generated (FIG. 4).
(See the waveform indicated by the broken line in (c)), and is sent to the comparator circuit 1 as the comparison input signal Vin1 . The output of the band-pass filter 4 is also equal to the comparison input signal V
It is sent to the comparator circuit 1 as in2 .

【0058】コンパレータ回路1は変調周波数成分を抽
出し、それがコンデンサC3を含む積分器(図示しな
い)で積分された(図4(d)参照)後、ヒステリシス
コンパレータ6へ送る。ヒステリシスコンパレータ6
は、スレッシュホールドレベルに基づいて抽出された変
調周波数成分の波形成形を行い、トランジスタ7を介し
て出力するようになっている(図4(e)参照)。
The comparator circuit 1 extracts the modulation frequency component, integrates it with an integrator (not shown) including the capacitor C3 (see FIG. 4D), and sends it to the hysteresis comparator 6. Hysteresis comparator 6
Performs waveform shaping of the extracted modulation frequency component based on the threshold level, and outputs the waveform through the transistor 7 (see FIG. 4E).

【0059】上記の赤外線リモートコントロール装置は
上記コンパレータ回路1を備えることによって、前述の
ように、予め設定されたオフセット電圧(図4(c)の
オフセット電圧ΔV参照)が温度の変動に対して影響を
受けることがなく、したがって、たとえ周囲温度が変化
して低温になっても、従来のように周囲温度の低温化に
伴う誤動作を確実に回避できる。これは、上記のΔV1
の存在によって、オフセット電圧が減少することを確実
に回避できるからであり、これにより、ノイズに対する
マージンが変化しないため、コンパレータ回路1の信頼
性が著しく向上する。
Since the infrared remote control device includes the comparator circuit 1, as described above, the preset offset voltage (see the offset voltage ΔV in FIG. 4C) affects the temperature fluctuation. Therefore, even if the ambient temperature changes to a low temperature, it is possible to surely avoid a malfunction caused by a decrease in the ambient temperature as in the related art. This corresponds to the above ΔV 1
The reason for this is that the offset voltage can be reliably prevented from being reduced due to the presence of, so that the margin for noise does not change, so that the reliability of the comparator circuit 1 is significantly improved.

【0060】なお、本発明は、上記の実施の形態に限定
されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更が可
能である。例えば、上記実施の形態では、ΔV2 の正の
温度係数がΔV1 の負の温度係数により略相殺される場
合を示したが、これに限定されず、温度によるオフセッ
ト電圧への影響が実用上無視し得るような温度係数であ
ればよい。勿論、完全に相殺されるような温度係数でも
よい。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the case where the positive temperature coefficient of ΔV 2 is substantially offset by the negative temperature coefficient of ΔV 1 has been described. However, the present invention is not limited to this. What is necessary is just a temperature coefficient which can be ignored. Of course, a temperature coefficient that can be completely canceled may be used.

【0061】また、上記の実施の形態では、トランジス
タQ1、Q2に流れる電流I1 、I2 の比が1:2の場
合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定される
ものではない。
In the above embodiment, the case where the ratio of currents I 1 and I 2 flowing through transistors Q 1 and Q 2 is 1: 2 has been described as an example, but the present invention is not limited to this. is not.

【0062】[0062]

【発明の効果】請求項1に係る発明のコンパレータ回路
は、以上のように、(1) 一端が第1及び第2トランジス
タのエミッタ端子にそれぞれ接続されると共に、他端が
互いに接続された第1及び第2抵抗と、(2) 第1及び第
2抵抗の上記の接続点に接続されると共に、第3抵抗を
含み、この第3抵抗により制限される差動増幅器のバイ
アス電流を供給する第4定電流回路とを備え、上記の第
1抵抗と第2抵抗とは同じ温度係数を有し、且つ、上記
の第3抵抗の温度係数は、上記の第1及び第2抵抗とは
異なると共に上記差動増幅器による正の温度特性を有す
るオフセット成分を略相殺する負の温度特性を有するオ
フセット成分を生成する大きさを有していることを特徴
としている。
As described above, the comparator circuit according to the first aspect of the present invention has the following advantages. (1) One end is connected to the emitter terminals of the first and second transistors and the other end is connected to each other. A first and a second resistor, and (2) a bias current for a differential amplifier connected to the above-mentioned connection point of the first and the second resistor and including a third resistor and limited by the third resistor. And a fourth constant current circuit .
The first resistor and the second resistor have the same temperature coefficient, and
The temperature coefficient of the third resistor is different from that of the first and second resistors.
Different and has positive temperature characteristics due to the above differential amplifier
Having a negative temperature characteristic that almost offsets the offset component
It is characterized by having a size that generates a fset component .

【0063】それゆえ、従来のように、オフセット電圧
が正の温度特性を有するオフセット成分のみからなる場
合と比べると、負の温度特性を有するオフセット成分の
分だけ、周囲温度の変化に伴うオフセット電圧の変動が
抑えられ、オフセット電圧の温度特性を全体として改善
できる。
Therefore, as compared with the conventional case where the offset voltage includes only the offset component having the positive temperature characteristic, the offset voltage accompanying the change in the ambient temperature is reduced by the offset component having the negative temperature characteristic. And the temperature characteristics of the offset voltage can be improved as a whole.

【0064】このため、特に、周囲温度が低温化して
も、負の温度特性を有するオフセット成分によって、オ
フセット電圧が減少することを回避できるので、ノイズ
に対するマージンが変化しないため、コンパレータ回路
の信頼性を著しく向上させることができる。
For this reason, even if the ambient temperature is lowered, the offset voltage having a negative temperature characteristic can be prevented from decreasing due to the offset component, and the margin for noise does not change. Can be significantly improved.

【0065】しかも、たとえ周囲温度が変化して低温に
なっても、負の温度特性を有するオフセット成分が存在
することによって、オフセット電圧の温度特性が改善さ
れるので、従来のように周囲温度の低温化に伴う誤動作
を確実に回避できる。
Further, even if the ambient temperature changes to a low temperature, the temperature characteristic of the offset voltage is improved due to the presence of the offset component having a negative temperature characteristic. Malfunction due to low temperature can be reliably avoided.

【0066】したがって、たとえ周囲温度が変化して
も、常に、両極性の温度特性を有するオフセット成分が
互いに略相殺されるので、周囲温度に関係なく、常に、
安定した正確な比較動作が行われる。
Therefore, even if the ambient temperature changes
However, there is always an offset component having bipolar temperature characteristics.
Almost offset each other, regardless of ambient temperature,
A stable and accurate comparison operation is performed.

【0067】加えて、第1及び第2トランジスタのエミ
ッタ端子にそれぞれ接続される第1及び第2抵抗が同じ
温度係数を有しているので、回路設計の際、第1抵抗乃
至第 3抵抗のうち2種類の抵抗の温度係数の組み合わせ
だけを考慮すればよい。このため、回路設計を大幅に簡
素化できるという効果を併せて奏する。
In addition, the emitter of the first and second transistors
The first and second resistors connected to the
Because it has a temperature coefficient, the first resistor
Combination of temperature coefficients of two types of resistors out of the third resistor
You only need to consider This greatly simplifies circuit design.
It also has the effect that it can be simplified.

【0068】請求項2に係る発明のコンパレータ回路
は、以上のように、請求項1記載の発明特定事項におい
て、コンパレータ回路を集積回路上に形成する際、上記
の第1乃至第3抵抗をイオン打ち込み抵抗による分離プ
ロセスを用いて形成し、各抵抗が高温側と低温側とで異
なる温度係数を有する場合、低温側での各温度係数を各
抵抗の温度係数とすることを特徴としている。
According to the second aspect of the present invention , as described above, when the comparator circuit is formed on an integrated circuit according to the first aspect of the present invention ,
The first to third resistors are separated by ion implantation resistors.
Each resistance is different between the high temperature side and the low temperature side.
Each temperature coefficient on the low temperature side
It is characterized by a temperature coefficient of resistance.

【0069】それゆえ、請求項1の発明特定事項に基づ
く効果に加えて、抵抗の温度係数が高温側と低温側とで
異なるような変曲点を有する場合でも、低温側での各温
度係数を抵抗の温度係数とすることによって、低温側の
オフセット電圧の変動を確実に低減できるという効果を
併せて奏する。
Therefore, based on the invention specifying matter of claim 1,
In addition to the effect, the temperature coefficient of resistance
Even if it has different inflection points, each temperature on the low temperature side
By using the temperature coefficient as the temperature coefficient of the resistance,
The effect that the fluctuation of the offset voltage can be surely reduced
Play together.

【0070】請求項3に係る発明の赤外線リモートコン
トロール装置は、請求項1、又は2記載の発明特定事項
を有するコンパレータ回路を備えていることを特徴とし
ている。
The infrared remote controller according to the third aspect of the present invention.
The trawl device is an invention specifying matter according to claim 1 or 2.
Characterized by having a comparator circuit having
ing.

【0071】それゆえ、請求項1、又は2の発明特定事
項に基づく効果を奏するコンパレータ回路を備えている
ので、温度係数が変曲点を有する場合に従来問題となっ
ていた周囲温度の低温化に伴う誤動作を確実に回避でき
るという効果を併せて奏する。
Therefore, the invention is specified in claim 1 or 2.
Equipped with a comparator circuit that produces effects based on terms
Therefore, when the temperature coefficient has an inflection point, it becomes a problem in the past.
Malfunctions caused by lowering the ambient temperature
The effect is also achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のコンパレータ回路の構成例を示す回路
図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration example of a comparator circuit of the present invention.

【図2】従来のコンパレータ回路、及び本発明のコンパ
レータ回路におけるオフセット電圧の周囲温度依存性を
示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing the ambient temperature dependence of an offset voltage in a conventional comparator circuit and a comparator circuit of the present invention.

【図3】上記コンパレータ回路を赤外線リモートコント
ロール装置に採用した場合の構成例を示す説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a configuration example when the comparator circuit is employed in an infrared remote control device.

【図4】図3の各部における波形を示す波形図である。FIG. 4 is a waveform chart showing waveforms at various parts in FIG.

【図5】従来のコンパレータ回路の構成例を示す回路図
である。
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a conventional comparator circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 コンパレータ回路 2 フォトダイオード 3 アンプブロック 4 バンドパスフィルタ 5 検波レベル生成回路 Q1 トランジスタ Q2 トランジスタ R1 抵抗(第1抵抗) R2 抵抗(第2抵抗) R3 抵抗(第3抵抗) REFERENCE SIGNS LIST 1 comparator circuit 2 photodiode 3 amplifier block 4 bandpass filter 5 detection level generation circuit Q1 transistor Q2 transistor R1 resistor (first resistor) R2 resistor (second resistor) R3 resistor (third resistor)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】差動増幅器を構成し、各ベース端子に比較
入力信号が供給される第1及び第2トランジスタと、 上記の第1及び第2トランジスタのコレクタ端子にそれ
ぞれ接続された第1及び第2定電流回路と、 上記の第1及び第2定電流回路に接続され、比較出力信
号を出力する第3定電流回路とを備え、第1乃至第3定
電流回路に基づいてオフセット電圧が予め定められたコ
ンパレータ回路であって、 一端が上記の第1及び第2トランジスタのエミッタ端子
にそれぞれ接続されると共に、他端が互いに接続された
第1及び第2抵抗と、 第1及び第2抵抗の上記の接続点に接続されると共に、
第3抵抗を含み、この第3抵抗により制限される差動増
幅器のバイアス電流を供給する第4定電流回路とを備
え、上記の第1抵抗と第2抵抗とは同じ温度係数を有し、且
つ、上記の第3抵抗の温度係数は、上記の第1及び第2
抵抗とは異なると共に上記差動増幅器による正の温度特
性を有するオフセット成分を略相殺する負の温度特性を
有するオフセット成分を生成する大きさを 有しているこ
とを特徴とするコンパレータ回路。
1. A differential amplifier comprising first and second transistors each having a base terminal supplied with a comparison input signal, and first and second transistors respectively connected to the collector terminals of the first and second transistors. A second constant current circuit, and a third constant current circuit connected to the first and second constant current circuits and outputting a comparison output signal, wherein an offset voltage is set based on the first to third constant current circuits. A predetermined comparator circuit, wherein one end is connected to the emitter terminal of each of the first and second transistors, and the other end is connected to the first and second resistors; Connected to the above connection point of the resistor,
A fourth constant current circuit including a third resistor for supplying a bias current of the differential amplifier limited by the third resistor , wherein the first resistor and the second resistor have the same temperature coefficient; And
The temperature coefficient of the third resistor is equal to the first and second resistances.
Different from the resistance, the positive temperature characteristic
Negative temperature characteristics that almost cancel the offset component
A comparator circuit having a magnitude that generates an offset component having the same.
【請求項2】上記コンパレータ回路を集積回路上に形成
する際、上記の第1乃至第3抵抗をイオン打ち込み抵抗
による分離プロセスを用いて形成し、各抵抗が高温側と
低温側とで異なる温度係数を有する場合、低温側での各
温度係数を各抵抗の温度係数とすることを特徴とする請
求項1記載のコンパレータ回路。
2. The method according to claim 1, wherein the comparator circuit is formed on an integrated circuit.
In this case, the above-described first to third resistors are replaced with ion implantation resistors.
Each of the resistors is connected to the high temperature side
If the temperature coefficient is different on the low temperature side,
The temperature coefficient of each resistor is used as the temperature coefficient.
The comparator circuit according to claim 1.
【請求項3】請求項1、又は2記載のコンパレータ回路
を備えた赤外線リモートコントロール装置。
3. The comparator circuit according to claim 1, wherein:
Infrared remote control device with.
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