JP3331895B2 - Characteristics measuring method and manufacturing method of surface acoustic wave filter - Google Patents
Characteristics measuring method and manufacturing method of surface acoustic wave filterInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波フィル
タの特性測定方法及び製造方法に関し、より詳細には、
弾性表面波フィルタの製造工程においてウエハ状態にお
いて弾性表面波フィルタの特性を測定する方法及び該弾
性表面波フィルタの製造方法の改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for measuring characteristics of a surface acoustic wave filter and a method for manufacturing the same.
The present invention relates to a method of measuring characteristics of a surface acoustic wave filter in a wafer state in a process of manufacturing the surface acoustic wave filter, and an improvement of a method of manufacturing the surface acoustic wave filter.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波フィルタは、通常、弾性表面
波フィルタ素子を、外部と接続するための外部端子を有
するパッケージ内に収納した構造を有する。この場合、
弾性表面波フィルタ素子の入出力端子及びアース電極
が、上記パッケージに構成されている外部端子にボンデ
ィングワイヤを介して接続されている。また、この種の
弾性表面波フィルタでは、入力側及び出力側のアース電
極は、ボンディングワイヤを介して、パッケージ側にお
いて共通接続されている。すなわち、弾性表面波フィル
タ素子上においては、入力側アース電極と、出力側アー
ス電極は電気的に分離されている。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave filter generally has a structure in which a surface acoustic wave filter element is housed in a package having external terminals for connection to the outside. in this case,
The input / output terminal and the ground electrode of the surface acoustic wave filter element are connected to the external terminal formed on the package via a bonding wire. In this type of surface acoustic wave filter, the ground electrodes on the input and output sides are commonly connected on the package side via bonding wires. That is, on the surface acoustic wave filter element, the input-side ground electrode and the output-side ground electrode are electrically separated.
【０００３】他方、弾性表面波フィルタ素子の製造は、
以下の工程により行われていた。まず、圧電単結晶や圧
電セラミックスからなるウエハを用意する。次に、ウエ
ハ上に弾性表面波フィルタを構成するための電極パター
ンを形成する。しかる後、ウエハに構成された各弾性表
面波フィルタ素子の特性を測定する。この測定は、ウエ
ハプロービンクと称されている方法により行われてい
る。すなわち、信号用プローブ及びアース用プローブか
らなる入力側プローブ組と、信号用プローブ及びアース
用プローブからなる出力側プローブ組とを用いて弾性表
面波フィルタの特性が測定されていた。On the other hand, the manufacture of a surface acoustic wave filter element is as follows.
The following steps were performed. First, a wafer made of a piezoelectric single crystal or a piezoelectric ceramic is prepared. Next, an electrode pattern for forming a surface acoustic wave filter is formed on the wafer. Thereafter, the characteristics of each surface acoustic wave filter element formed on the wafer are measured. This measurement is performed by a method called wafer probing. That is, the characteristics of the surface acoustic wave filter have been measured using an input probe set including a signal probe and a ground probe and an output probe set including a signal probe and a ground probe.
【０００４】より具体的には、弾性表面波フィルタの入
力側においては、入力側プローブ組の信号用プローブを
弾性表面波フィルタの入力側のホット側電極に、アース
用プローブを入力側アース電極に接触させ、他方、出力
側においては、上記出力側プローブ組の信号用プローブ
を弾性表面波フィルタの出力側のホット側電極に、アー
ス用プローブを出力側アース電極に接触させ、弾性表面
波フィルタの特性を測定していた。More specifically, on the input side of the surface acoustic wave filter, the signal probe of the input side probe set is connected to the hot side electrode on the input side of the surface acoustic wave filter, and the grounding probe is connected to the input side earth electrode. On the other hand, on the output side, the signal probe of the output probe set is brought into contact with the hot electrode on the output side of the surface acoustic wave filter, and the ground probe is brought into contact with the output earth electrode. Properties were measured.
【０００５】また、弾性表面波フィルタにおいて入力側
アース電極が複数形成されている場合には、複数のアー
ス用プローブを各アース電極に接触させ、複数のアース
用プローブ同士を短絡させることにより、入力側のアー
ス電極を共通化していた。同様に、出力側においても、
複数のアース電極が構成されている場合には、複数の出
力側アース用プローブを該複数の出力側アース電極に接
触させ、かつ複数の出力側アース用プローブを短絡させ
ることにより、出力側アース電極を共通化していた。When a plurality of input-side ground electrodes are formed in a surface acoustic wave filter, a plurality of ground probes are brought into contact with each ground electrode, and the plurality of ground probes are short-circuited to each other, thereby obtaining an input. The ground electrode on the side was shared. Similarly, on the output side,
When a plurality of earth electrodes are configured, the plurality of output-side earth probes are brought into contact with the plurality of output-side earth electrodes, and the plurality of output-side earth probes are short-circuited. Was common.
【０００６】また、入力側及び出力側のアース電極が単
数及び複数の如何にかかわらず、入力側アース用プロー
ブと出力側アース用プローブとをプローブにおいて短絡
させ、結果的に全てのアース電極を共通化し、上記測定
を行っていた。In addition, regardless of whether the input side and output side ground electrodes are single or plural, the input side ground probe and the output side ground probe are short-circuited at the probe, and as a result, all the ground electrodes are common. And the above measurement was performed.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の測定方法では、複数のアース電極が、アース用
プローブを介して導通されていたため、測定結果に、プ
ローブのインダクタンスや入出力プローブ間の寄生容量
が影響せざるを得なかった。However, in the above-mentioned conventional measuring method, since a plurality of ground electrodes are conducted through the grounding probe, the measurement result shows the inductance of the probe and the parasitic capacitance between the input and output probes. Capacity had to influence.
【０００８】特に、入力側アース用プローブと出力側ア
ース用プローブとが比較的大きな距離を隔てて配置され
ることが多く、入出力アース間のインピーダンスが大き
くなるため、入力側アース電極と出力側アース電極と
が、同電位及び同位相になり難かった。そのため、上記
ウエハプロービング段階で測定された弾性表面波フィル
タ素子の伝送特性は、最終的にパッケージに収納された
弾性表面波フィルタの完成品における伝送特性とかなり
異なるものとなっていた。従って、ウエハプロービング
工程により伝送特性を測定して良品選別を行ったとして
も、該良品選別を高精度に行うことができなかった。In particular, the input-side grounding probe and the output-side grounding probe are often arranged at a relatively large distance from each other, and the impedance between the input and output grounds becomes large. It was difficult for the ground electrode to have the same potential and the same phase. For this reason, the transmission characteristics of the surface acoustic wave filter element measured at the wafer probing stage are considerably different from the transmission characteristics of a finished surface acoustic wave filter finally housed in a package. Therefore, even if the non-defective products are selected by measuring the transmission characteristics in the wafer probing process, the non-defective products cannot be accurately selected.
【０００９】さらに、従来の測定方法では、プローブを
含むウエハプロービング用治具のインピーダンスが伝送
特性に影響を与えるため、ウエハプロービング用治具の
インピーダンスのばらつきが少ないことが求められる
が、これらの治具のインピーダンスを高精度に制御する
ことも困難であった。従って、ウエハプロービング用治
具を変更した場合、測定結果が異なることがあり、用い
られるウエハプロービング用治具間における測定ばらつ
きが生じざるを得なかった。Furthermore, in the conventional measuring method, since the impedance of the wafer probing jig including the probe affects the transmission characteristics, it is required that the variation of the impedance of the wafer probing jig be small. It was also difficult to control the impedance of the tool with high accuracy. Therefore, when the wafer probing jig is changed, the measurement result may be different, and the measurement variation among the used wafer probing jigs is unavoidable.
【００１０】本発明の目的は、ウエハ状態において、弾
性表面波フィルタの特性を測定するに際し、最終的な完
成品に近い伝送特性を正確に測定することができ、かつ
使用するウエハプロービング用治具間の測定ばらつきを
抑制し得る、弾性表面波フィルタの特性測定方法及び製
造方法を提供することにある。An object of the present invention is to measure the characteristics of a surface acoustic wave filter in a wafer state, and to accurately measure transmission characteristics close to a final product, and to use a jig for wafer probing. It is an object of the present invention to provide a method of measuring the characteristics of a surface acoustic wave filter and a method of manufacturing the same, which can suppress measurement variations between the filters.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明にかかる弾性表面
波フィルタの測定方法は、複数の弾性表面波フィルタ用
電極パターンと、各弾性表面波フィルタ用電極パターン
を全て囲むように設けられたアース電位に接続される電
極パターンとが形成されたウエハを用意する工程と、そ
れぞれ、信号用プローブ及びアース用プローブからなる
入力側プローブ組及び出力側プローブ組を用いて、前記
入力側プローブ組のアース用プローブが接触される弾性
表面波フィルタの少なくとも一つの入力側アース電極
と、前記出力側プローブ組のアース用プローブが接触さ
れる弾性表面波フィルタの少なくとも一つの出力側アー
ス電極とを前記導電パターンに接続することにより前記
ウエハ上において電気的に短絡させておいて前記ウエハ
に構成された弾性表面波フィルタの特性を測定するウエ
ハプロービング工程とを備えることを特徴とする。A measuring method of a surface acoustic wave filter according to the present invention comprises a plurality of electrode patterns for a surface acoustic wave filter and a ground provided so as to surround all the electrode patterns for the surface acoustic wave filter. Preparing a wafer on which an electrode pattern connected to an electric potential is formed, and grounding the input probe set by using an input probe set and an output probe set each comprising a signal probe and a ground probe. At least one input-side ground electrode of a surface acoustic wave filter contacted by a conductive probe and at least one output-side ground electrode of a surface acoustic wave filter contacted by a grounding probe of the output probe set. And electrically short-circuited on the wafer by connecting to the elastic table formed on the wafer. Characterized in that it comprises a wafer probing step of measuring the characteristics of a wave filter.
【００１２】本発明の弾性表面波フィルタの測定方法で
は、好ましくは、前記ウエハプロービング工程におい
て、前記弾性表面波フィルタの入力側アース電極の全て
が、前記弾性表面波フィルタの出力側アース電極の全て
と電気的に短絡される。In the method of measuring a surface acoustic wave filter according to the present invention, preferably, in the wafer probing step, all of the input-side ground electrodes of the surface acoustic wave filter are all of the output-side ground electrodes of the surface acoustic wave filter. Is electrically short-circuited.
【００１３】また、本発明の弾性表面波フィルタの測定
方法においては、入力側アース電極と出力側アース電極
のウエハ上における短絡は、適宜の方法で行い得るが、
より特定的な局面によれば、ウエハ上に形成された導電
パターンにより行われる。In the method of measuring a surface acoustic wave filter according to the present invention, the input-side ground electrode and the output-side ground electrode can be short-circuited on the wafer by an appropriate method.
According to a more specific aspect, it is performed by a conductive pattern formed on a wafer.
【００１４】本発明にかかる弾性表面波フィルタの製造
方法は、複数の弾性表面波フィルタ用電極パターンと、
各弾性表面波フィルタ用電極パターンを全て囲むように
設けられたアース電位に接続される電極パターンとが形
成されたウエハを用意する工程と、それぞれ、信号用プ
ローブ及びアース用プローブからなる入力側プローブ組
及び出力側プローブ組を用いて、前記入力側プローブ組
のアース用プローブが接触される弾性表面波フィルタの
少なくとも一つの入力側アース電極と、前記出力側プロ
ーブ組のアース用プローブが接触される弾性表面波フィ
ルタの少なくとも一つの出力側アース電極とを前記導電
パターンに接続することにより前記ウエハ上において電
気的に短絡させておいて前記ウエハに構成された弾性表
面波フィルタの特性を測定するウエハプロービング工程
と、前記ウエハプロービング工程において得られた測定
結果から良品の弾性表面波フィルタを選別する工程と、
前記ウエハを個々の弾性表面波フィルタ単位に切断する
工程とを備えることを特徴とする。A method of manufacturing a surface acoustic wave filter according to the present invention comprises the steps of:
A step of preparing a wafer on which an electrode pattern connected to the ground potential provided so as to surround all the surface acoustic wave filter electrode patterns, and an input probe comprising a signal probe and a ground probe, respectively; At least one input-side ground electrode of the surface acoustic wave filter, to which the ground probe of the input-side probe set is contacted, and the ground probe of the output-side probe set are contacted using the set and the output-side probe set. A wafer for measuring the characteristics of the surface acoustic wave filter formed on the wafer by electrically short-circuiting the surface of the wafer by connecting at least one output side ground electrode of the surface acoustic wave filter to the conductive pattern; A non-defective item is obtained from the probing process and the measurement results obtained in the wafer probing process. A step of selecting a surface wave filter,
Cutting the wafer into individual surface acoustic wave filter units.
【００１５】[0015]
（第１の実施例）図１は、本発明の第１の実施例にかか
る弾性表面波フィルタの製造方法を説明するための平面
図である。図１では、ウエハ１上に弾性表面波フィルタ
を構成するための電極パターンが形成されている状態が
図示されている。(First Embodiment) FIG. 1 is a plan view for explaining a method of manufacturing a surface acoustic wave filter according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a state in which an electrode pattern for forming a surface acoustic wave filter is formed on a wafer 1.
【００１６】なお、ウエハ１としては、ＬｉＴａＯ3 、
ＬｉＮｂＯ3 などの圧電単結晶、またはＰＺＴ系圧電セ
ラミックスのような圧電セラミックスからなるもの、あ
るいはアルミナなどの絶縁性材料上にＺｎＯ薄膜などの
圧電薄膜を形成したものを用いることができる。さら
に、絶縁性基板上に例えば図１に示されている弾性表面
波フィルタ用電極パターンを形成した後に、上面にＺｎ
Ｏ薄膜などの圧電薄膜を形成し、後述のプローブが接触
される部分のみがＺｎＯ薄膜から電出されるように構成
してもよい。The wafer 1 is made of LiTaO 3 ,
A piezoelectric single crystal such as LiNbO 3 , a piezoelectric ceramic such as a PZT-based piezoelectric ceramic, or a piezoelectric thin film such as a ZnO thin film formed on an insulating material such as alumina can be used. Further, after an electrode pattern for a surface acoustic wave filter shown in FIG. 1 is formed on an insulating substrate, for example, Zn
A piezoelectric thin film such as an O thin film may be formed so that only a portion to be contacted by a probe described later is output from the ZnO thin film.
【００１７】ウエハ１上には、複数の弾性表面波フィル
タを構成するために、各弾性表面波フィルタに応じた電
極パターンが複数形成されているが、図１では、一つの
弾性表面波フィルタ部分のみが拡大して図示されてい
る。In order to form a plurality of surface acoustic wave filters, a plurality of electrode patterns corresponding to the respective surface acoustic wave filters are formed on the wafer 1. In FIG. Only one is shown enlarged.
【００１８】図１から明らかなように、本実施例では、
弾性表面波フィルタを構成するために、１ポート型弾性
表面波共振子２〜６が用いられている。１ポート型弾性
表面波共振子２は、少なくとも１本以上の電極指を有す
るくし歯電極を互いの電極指が間挿し合うように配置し
てなるインターデジタルトランスデューサ（以下、ＩＤ
Ｔと略す。）２ａの表面波伝搬方向両側に反射器２ｂ，
２ｃを配置した構造を有する。他の１ポート型ＳＡＷ共
振子３〜６もＳＡＷ共振子２と同様に構成されている。As is apparent from FIG. 1, in this embodiment,
One-port surface acoustic wave resonators 2 to 6 are used to constitute a surface acoustic wave filter. The one-port type surface acoustic wave resonator 2 is an interdigital transducer (hereinafter, ID) in which comb electrodes having at least one or more electrode fingers are arranged so that the electrode fingers are interposed.
Abbreviated as T. 2) reflectors 2b on both sides of the surface wave propagation direction of 2a,
2c is arranged. The other one-port SAW resonators 3 to 6 are configured similarly to the SAW resonator 2.
【００１９】１ポート型ＳＡＷ共振子２〜６は、図２に
示す後述の測定回路におけるＡで囲まれている部分を構
成するように接続されている。すなわち、１ポート型Ｓ
ＡＷ共振子３，５が直列腕共振子を、１ポート型ＳＡＷ
共振子２，４，６が並列腕共振子を構成している、２．
５段のラダー型回路を構成するように、ＳＡＷ共振子２
〜６が接続されている。The one-port SAW resonators 2 to 6 are connected so as to form a portion surrounded by A in a measurement circuit described later shown in FIG. That is, 1-port type S
AW resonators 3 and 5 replace series arm resonators with 1-port SAW
1. The resonators 2, 4, and 6 constitute a parallel arm resonator.
In order to form a five-stage ladder-type circuit, the SAW resonator 2
To 6 are connected.
【００２０】また、図１において、１ポート型ＳＡＷ共
振子２〜６で構成されている１個の弾性表面波フィルタ
用電極パターンの周囲には、格子状に導電パターン７が
形成されている。導電パターン７は、好ましくは、ＳＡ
Ｗ共振子２〜６と同一電極材料を用いることにより、Ｓ
ＡＷ共振子２〜６の電極パターンと同一工程で形成する
ことができる。In FIG. 1, a conductive pattern 7 is formed in a grid around one SAW filter electrode pattern composed of one-port SAW resonators 2-6. The conductive pattern 7 is preferably made of SA
By using the same electrode material as the W resonators 2 to 6,
It can be formed in the same process as the electrode patterns of the AW resonators 2 to 6.
【００２１】なお、この弾性表面波フィルタにおいて
は、アース電極８ｂ，８ｄ，８ｅと入力電極８ａ、出力
電極８ｃが形成されており、アース電極８ｂ，８ｅに
は、導電パターンに接続された電極突出部８ｂ1 ，８ｅ
1 が形成されている。In this surface acoustic wave filter, ground electrodes 8b, 8d, 8e, an input electrode 8a, and an output electrode 8c are formed, and the ground electrodes 8b, 8e have electrode protrusions connected to a conductive pattern. Parts 8b 1 , 8e
1 is formed.
【００２２】本実施例では、ウエハ１上に、上記ＳＡＷ
共振子２〜６からなる弾性表面波フィルタがマトリクス
状に多数形成されており、かつ格子状の導電パターン７
が形成されている構造を用意する。この場合、各ＳＡＷ
共振子フィルタ２〜６及び導電パターン７については、
ウエハ１上にＡｌなどの導電性材料を塗布・硬化させる
ことにより、あるいはウエハ１の全面にメッキ、蒸着も
しくはスパッタリングなどにより導電膜を形成した後エ
ッチングすることにより形成することができる。In this embodiment, the above SAW
A large number of surface acoustic wave filters including resonators 2 to 6 are formed in a matrix, and a grid-like conductive pattern 7 is formed.
A structure in which is formed is prepared. In this case, each SAW
Regarding the resonator filters 2 to 6 and the conductive pattern 7,
It can be formed by coating and curing a conductive material such as Al on the wafer 1 or by etching after forming a conductive film on the entire surface of the wafer 1 by plating, vapor deposition, sputtering or the like.
【００２３】次に、各弾性表面波フィルタの特性をウエ
ハ状態で測定する。この工程をウエハプロービング工程
と規定する。ウエハプロービング工程では、信号用プロ
ーブ９ａ及びアース用プローブ９ｂからなる入力側プロ
ーブ組９と、信号用プローブ１０ａ及びアース用プロー
ブ１０ｂ，１０ｃからなる出力側プローブ組１０を用い
る。すなわち、弾性表面波フィルタの入力電極８ａに、
信号用プローブ９ａを接触させる。また、入力側アース
電極８ｂにアース用プローブ９ｂを接触させる。Next, the characteristics of each surface acoustic wave filter are measured in a wafer state. This step is defined as a wafer probing step. In the wafer probing process, an input probe set 9 composed of a signal probe 9a and a ground probe 9b and an output probe set 10 composed of a signal probe 10a and a ground probe 10b, 10c are used. That is, the input electrode 8a of the surface acoustic wave filter:
The signal probe 9a is brought into contact. Further, the grounding probe 9b is brought into contact with the input-side grounding electrode 8b.
【００２４】他方、出力側においては、出力電極８ｃ
に、信号用プローブ１０ａを接触させる。さらに、出力
側アース電極８ｄ，８ｅに、それぞれアース用プローブ
１０ｂ，１０ｃを接触させる。なお、アース用プローブ
１０ｂ，１０ｃは、プローブ側において共通接続する。On the other hand, on the output side, the output electrode 8c
Is brought into contact with the signal probe 10a. Further, the ground probes 10b and 10c are brought into contact with the output-side ground electrodes 8d and 8e, respectively. The ground probes 10b and 10c are commonly connected on the probe side.
【００２５】上記のように、入力側プローブ組９及び出
力側プローブ組１０を用い、図２に示す測定回路を用い
て、上記弾性表面波フィルタの伝送特性をウエハ状態で
測定する。なお、図２において、Ｂで囲まれている部分
はウエハプロービング用治具、すなわち入力側プローブ
組９及び出力側プローブ組１０を含むウエハプロービン
グ用治具による等価回路を示し、インピーダンスＺは、
このウエハプロービング用治具の等価インピーダンスを
示す。また、１１は電圧計を含む測定装置を示す。As described above, the transmission characteristics of the surface acoustic wave filter are measured in a wafer state using the input-side probe set 9 and the output-side probe set 10 and using the measurement circuit shown in FIG. In FIG. 2, a portion surrounded by B indicates an equivalent circuit of a wafer probing jig, that is, a wafer probing jig including the input-side probe set 9 and the output-side probe set 10, and the impedance Z is
The equivalent impedance of this jig for wafer probing is shown. Reference numeral 11 denotes a measuring device including a voltmeter.
【００２６】上記のようにして、弾性表面波フィルタの
伝送特性を測定した結果を図３に破線Ｃ，Ｄで示す。な
お、破線Ｄは、挿入損失を図３の右側のスケールで拡大
して示す特性である。The results of measuring the transmission characteristics of the surface acoustic wave filter as described above are shown by broken lines C and D in FIG. Note that the broken line D is a characteristic showing the insertion loss enlarged on the scale on the right side of FIG.
【００２７】本実施例では、上記のようにして、弾性表
面波フィルタの伝送特性をウエハ状態で測定した後、測
定された伝送特性に従って、良品を選別する。すなわ
ち、測定された伝送特性が、目的とする特性からの許容
範囲に入る場合には良品とし、入らない場合には不良品
とする。しかる後、ウエハ１を個々の弾性表面波フィル
タ単位に切断し、良品として判断された弾性表面波フィ
ルタのみを取り出し、製品とする。In this embodiment, after measuring the transmission characteristics of the surface acoustic wave filter in a wafer state as described above, good products are selected according to the measured transmission characteristics. That is, if the measured transmission characteristic falls within the allowable range from the target characteristic, it is determined to be good, and if not, it is determined to be defective. Thereafter, the wafer 1 is cut into individual surface acoustic wave filter units, and only the surface acoustic wave filters determined to be non-defective are taken out as products.
【００２８】この場合、ウエハ１の切断は、格子状に形
成された導電パターン７の内側で行われる。すなわち、
ＳＡＷ共振子フィルタ２〜６が構成されている領域の周
囲において、導電パターン７よりも内側でウエハ１を切
断することにより個々の弾性表面波フィルタを得る。従
って、切断後には、入力側アース電極８ｂと、出力側ア
ース電極８ｅとは電気的に分離される。In this case, the cutting of the wafer 1 is performed inside the conductive pattern 7 formed in a lattice. That is,
By cutting the wafer 1 inside the conductive pattern 7 around the region where the SAW resonator filters 2 to 6 are formed, individual surface acoustic wave filters are obtained. Therefore, after cutting, the input-side ground electrode 8b and the output-side ground electrode 8e are electrically separated.
【００２９】本実施例の特徴は、上記ウエハプロービン
グ工程において、弾性表面波フィルタの入力側のアース
電極８ｂと、出力側のアース電極８ｅとをウエハ１上に
おいて導電パターン７を用いて電気的に短絡されている
ことにある。The feature of this embodiment is that the ground electrode 8b on the input side and the ground electrode 8e on the output side of the surface acoustic wave filter are electrically connected on the wafer 1 by using the conductive pattern 7 in the wafer probing process. It is short-circuited.
【００３０】すなわち、上記ウエハプロービング工程に
おいては、アース電極８ｂとアース電極８ｅとが導電パ
ターン７を介して短絡されており、かつ出力側アース電
極８ｄ，８ｅは、アース用プローブ１０ｂ，１０ｃを介
してウエハプロービング用治具内で短絡されているの
で、結果として、全てのアース電極８ｂ，８ｄ，８ｅが
ほぼ同電位及び同位相となる。That is, in the wafer probing process, the ground electrode 8b and the ground electrode 8e are short-circuited via the conductive pattern 7, and the output-side ground electrodes 8d and 8e are connected via the ground probes 10b and 10c. As a result, all the ground electrodes 8b, 8d and 8e have substantially the same potential and the same phase as a short circuit in the wafer probing jig.
【００３１】よって、従来の弾性表面波フィルタのウエ
ハ状態における伝送特性の測定結果に比べて、最終的に
得られた弾性表面波フィルタの完成品の伝送特性に近い
測定結果を得ることができる。これを、図３並びに図４
〜図６を参照して説明する。Therefore, compared to the measurement results of the transmission characteristics of the conventional surface acoustic wave filter in the wafer state, it is possible to obtain the measurement results closer to the transmission characteristics of the final product of the finally obtained surface acoustic wave filter. This is shown in FIG. 3 and FIG.
This will be described with reference to FIGS.
【００３２】図３において、実線Ｅ，Ｆは、それぞれ、
最終的に得られた弾性表面波フィルタ、すなわちウエハ
１から切断された後パッケージに格納されている弾性表
面波フィルタの伝送特性を示す。曲線Ｆは、曲線Ｅの特
性を右側のスケールに従って拡大した特性を示す。比較
のために、従来の弾性表面波フィルタのウエハ状態にお
ける伝送特性を図４及び図５を参照して説明する。In FIG. 3, solid lines E and F respectively represent
The transmission characteristics of the surface acoustic wave filter finally obtained, that is, the surface acoustic wave filter stored in a package after being cut from the wafer 1 are shown. A curve F indicates a characteristic obtained by enlarging the characteristic of the curve E according to the scale on the right side. For comparison, transmission characteristics of a conventional surface acoustic wave filter in a wafer state will be described with reference to FIGS.
【００３３】図４は、従来法に従って、ウエハ５１上に
複数の弾性表面波フィルタを構成した場合の一つの弾性
表面波フィルタ部分を拡大して示す平面図である。ウエ
ハ５１上に、１ポート型ＳＡＷ共振子５２〜５６が構成
されている。１ポート型ＳＡＷ共振子５２〜５６は、図
１に示した１ポート型ＳＡＷ共振子２〜６とほぼ同様に
構成されている。FIG. 4 is an enlarged plan view showing one surface acoustic wave filter portion when a plurality of surface acoustic wave filters are formed on a wafer 51 according to a conventional method. One-port SAW resonators 52 to 56 are formed on a wafer 51. The one-port SAW resonators 52 to 56 have substantially the same configuration as the one-port SAW resonators 2 to 6 shown in FIG.
【００３４】もっとも、図１に示した実施例では、アー
ス電極８ｂ，８ｅが導電パターン７に接続されるように
電極突出部８ｂ1 ，８ｅ1 が形成されていたが、図４に
示す弾性表面波フィルタでは、上記電極突出部８ｂ1 ，
８ｅ1 は形成されていない。すなわち、ＳＡＷ共振子５
２の入力側アース電極５８ｂは、ウエハ１に形成された
格子状の導電パターン５７に電気的に接続されていな
い。同様に、出力側アース電極５８ｅについても、導電
パターン５７に電気的に接続されていない。In the embodiment shown in FIG. 1, the electrode protruding portions 8b 1 and 8e 1 are formed so that the ground electrodes 8b and 8e are connected to the conductive pattern 7, but the elastic surface shown in FIG. In the wave filter, the electrode protrusions 8b 1 ,
8e 1 is not formed. That is, the SAW resonator 5
The second input-side ground electrode 58 b is not electrically connected to the grid-like conductive pattern 57 formed on the wafer 1. Similarly, the output-side ground electrode 58e is not electrically connected to the conductive pattern 57.
【００３５】ウエハプロービング工程においては、入力
側電極５８ａに、入力側プローブ組５９の内信号用プロ
ーブ５９ｂを接触させる。また、アース用プローブ５９
ａを入力側アース電極５８ｂに接触させる。In the wafer probing process, the signal probe 59b of the input probe set 59 is brought into contact with the input electrode 58a. In addition, the ground probe 59
a is brought into contact with the input-side ground electrode 58b.
【００３６】また、出力側においては、出力電極５８ｃ
に、出力側プローブ組の内信号用プローブ６０ａを接触
させる。さらに、出力側アース電極５８ｄ，５８ｅにそ
れぞれ、アース用プローブ６０ｂ，６０ｃを接触させ
る。On the output side, the output electrode 58c
Is brought into contact with the inner signal probe 60a of the output side probe set. Further, the ground probes 60b and 60c are brought into contact with the output-side ground electrodes 58d and 58e, respectively.
【００３７】図５は、上記ウエハプロービング工程にお
ける測定系の等価回路を示す図であり、Ｇで囲まれる部
分が、弾性表面波フィルタの等価回路を示し、Ｈで示す
部分が、ウエハプロービング用治具の等価回路を示す。FIG. 5 is a diagram showing an equivalent circuit of a measurement system in the wafer probing process. A portion surrounded by G indicates an equivalent circuit of a surface acoustic wave filter, and a portion indicated by H indicates a wafer probing repair. 2 shows an equivalent circuit of the tool.
【００３８】上記従来法でウエハ状態において測定した
伝送特性を図６に破線Ｉ，Ｊで示す。比較のために、完
成品の伝送特性を実線Ｅ，Ｆで示す。破線Ｉ，Ｊと、実
線Ｅ，Ｆとの間の隔たりは、図３に示した破線Ｃ，Ｄと
実線Ｅ，Ｆとの隔たりに比べて大きいことが判る。The transmission characteristics measured in the wafer state by the above-mentioned conventional method are shown by broken lines I and J in FIG. For comparison, the transmission characteristics of the finished product are shown by solid lines E and F. It can be seen that the distance between the dashed lines I and J and the solid lines E and F is larger than the distance between the dashed lines C and D and the solid lines E and F shown in FIG.
【００３９】これは、上述した実施例では、入力側アー
ス電極８ｂと、出力側アース電極８ｅとがウエハ１上で
導通されており、かつ出力側アース電極８ｄ，８ｅがウ
エハプロービング用治具で短絡されているのに対し、従
来例では、入力側アース電極５８ｂと、出力側アース電
極５８ｄ，５８ｅとがウエハ５１上では短絡されておら
ず、ウエハプロービング用治具側において全て短絡され
ていることによると思われる。In the above-described embodiment, the input-side ground electrode 8b and the output-side ground electrode 8e are electrically connected on the wafer 1, and the output-side ground electrodes 8d and 8e are jigs for wafer probing. In contrast, in the conventional example, the input-side ground electrode 58b and the output-side ground electrodes 58d and 58e are not short-circuited on the wafer 51, but are all short-circuited on the wafer probing jig side. Probably.
【００４０】さらに、上記実施例では、ウエハ１上にお
いて、入力側アース電極８ｂと出力側アース電極８ｅと
が短絡されているので、入力側アース用プローブ９ｂと
出力側アース用プローブ１０ｃとの間のインピーダンス
のウエハプロービング用治具間ばらつきも問題とならな
い。従って、ウエハプロービング用治具間における測定
ばらつきを抑制することもできる。Further, in the above embodiment, the input-side ground electrode 8b and the output-side ground electrode 8e are short-circuited on the wafer 1, so that the input-side grounding probe 9b and the output-side grounding probe 10c are short-circuited. The variation in the impedance between the wafer probing jigs does not matter. Therefore, it is also possible to suppress measurement variations among the wafer probing jigs.
【００４１】また、従来例では、図６に示したように、
完成品との特性の隔たりが大きいだけでなく、通過帯域
内における損失が大きく、波形もかなり異なっているの
に対し、上記実施例によれば、完成品において測定され
た特性との隔たりが小さいだけでなく、波形も同じよう
な形となることが判る。In the conventional example, as shown in FIG.
According to the above embodiment, the gap between the characteristic measured with the finished product is small, while the gap between the characteristic and the finished product is not only large, but the loss in the pass band is large and the waveform is considerably different. Not only that, but also the waveforms have a similar shape.
【００４２】（第２の実施例）図７は、本発明の弾性表
面波フィルタの測定方法の第２の実施例を説明するため
の平面図である。第２の実施例では、ウエハ１上に形成
されている電極パターン８ｄが、電極突出部８ｄ1 を有
し、電極突出部８ｄ1 が導電パターン７に電気的に接続
されていることを除いては、第１の実施例と同様であ
る。従って、同一の部分に同一の参照番号を付すること
により、それぞれの部分についての詳細な説明は、第１
の実施例について行った説明を援用することにより省略
する。(Second Embodiment) FIG. 7 is a plan view for explaining a second embodiment of the method of measuring a surface acoustic wave filter according to the present invention. In the second embodiment, the electrode patterns 8d formed on the wafer 1 has an electrode projection 8d 1, except that the electrode projection 8d 1 is electrically connected to the conductive pattern 7 Is the same as in the first embodiment. Therefore, by giving the same reference numerals to the same parts, detailed description of each part will be omitted.
The description given for the embodiment is omitted by using the description.
【００４３】本実施例では、出力側アース電極８ｄが、
電極突出部８ｄ1 により導電パターン７に電気的に接続
されている。従って、入力側アース電極８ｂ、及び出力
側アース電極８ｄ，８ｅが、導電パターン７を介してウ
エハ１上において短絡されている。いいかえれば、弾性
表面波フィルタの入力側及び出力側の全てのアース電極
がウエハ１上において電気的に短絡されている。In this embodiment, the output side ground electrode 8d is
And it is electrically connected to the conductive pattern 7 by the electrode protrusion 8d 1. Therefore, the input-side ground electrode 8b and the output-side ground electrodes 8d and 8e are short-circuited on the wafer 1 via the conductive pattern 7. In other words, all the ground electrodes on the input side and the output side of the surface acoustic wave filter are electrically short-circuited on the wafer 1.
【００４４】ウエハプロービング工程においては、第１
の実施例と同様に、入力側プローブ組９及び出力側プロ
ーブ組１０を用いて伝送特性を測定するが、この場合、
全てのアース電極８ｂ，８ｄ，８ｅがウエハ１上で短絡
されているため、測定系の等価回路を示す図８における
ウエハプロービング用治具の等価インピーダンスＺ’の
影響はほぼ無視することができ、アースが一層強化さ
れ、アース電極８ｄとアース電極８ｅはさらに同電位、
同位相に近づくことになる。In the wafer probing process, the first
The transmission characteristics are measured using the input probe set 9 and the output probe set 10 in the same manner as in the embodiment of
Since all the ground electrodes 8b, 8d and 8e are short-circuited on the wafer 1, the influence of the equivalent impedance Z 'of the wafer probing jig in FIG. 8 showing an equivalent circuit of the measurement system can be almost ignored. The ground is further strengthened, and the ground electrode 8d and the ground electrode 8e have the same potential.
It will be close to the same phase.
【００４５】図９にウエハプロービング工程で測定され
た弾性表面波フィルタの伝送特性を破線Ｋ，Ｌで示す。
なお、破線Ｌは、破線Ｋの特性の要部を右側のスケール
に沿って拡大して示した特性である。比較のために、完
成品の伝送特性を実線Ｅ，Ｆで示す。FIG. 9 shows the transmission characteristics of the surface acoustic wave filter measured in the wafer probing process by broken lines K and L.
The dashed line L is a characteristic obtained by enlarging a main part of the characteristic of the dashed line K along the scale on the right side. For comparison, the transmission characteristics of the finished product are shown by solid lines E and F.
【００４６】破線Ｋ，Ｌを図３に示した破線Ｃ，Ｄと比
較すれば明らかなように、本発明によれば、第１の実施
例に比べてより一層完成品に近い伝送特性の得られるこ
とが判る。As is clear from the comparison between the broken lines K and L with the broken lines C and D shown in FIG. 3, according to the present invention, it is possible to obtain a transmission characteristic much closer to a finished product than in the first embodiment. It turns out that it is possible.
【００４７】従って、本実施例のように全てのアース電
極８ｂ，８ｄ，８ｅをウエハ１上において短絡すること
により、全てのアース電極８ｂ，８ｄ，８ｅがより一層
ほぼ同電位及び同位相となるので、ウエハプロービング
工程において測定される伝送特性をより一層完成品の伝
送特性に近づけることが可能となる。Therefore, all the ground electrodes 8b, 8d, 8e are short-circuited on the wafer 1 as in the present embodiment, so that all the ground electrodes 8b, 8d, 8e have substantially the same potential and the same phase. Therefore, the transmission characteristics measured in the wafer probing process can be made even closer to the transmission characteristics of the finished product.
【００４８】（第３の実施例）第３の実施例は、共振子
型フィルタを用いた弾性表面波フィルタの製造方法に適
用したものである。(Third Embodiment) The third embodiment is applied to a method of manufacturing a surface acoustic wave filter using a resonator type filter.
【００４９】まず、例えば、３６°Ｙ方向Ｘ伝搬のＬｉ
ＴａＯ3 からなるウエハを用意する。次に、図１０に示
すように、ウエハ２１の１面に、格子状導電パターン２
２と、該格子状導電パターン２２で囲まれた各領域内
に、それぞれ一つの弾性表面波フィルタ用電極パターン
を形成する。First, for example, Li of 36 ° Y direction X propagation
A wafer made of TaO 3 is prepared. Next, as shown in FIG.
2 and one surface acoustic wave filter electrode pattern is formed in each region surrounded by the lattice-shaped conductive pattern 22.
【００５０】この弾性表面波フィルタ用電極パターン
は、ＳＡＷ共振子を２段縦続接続させた構成を有するも
のであり、一方のＳＡＷ共振子フィルタ２３は、ＩＤＴ
２３ａ，２３ｂ，２３ｃと、反射器２３ｄ，２３ｅとを
有する。他方のＳＡＷ共振子フィルタ２４も、ＩＤＴ２
４ａ，２４ｂ，２４ｃと、反射器２４ｄ，２４ｅとを有
する。This SAW filter electrode pattern has a configuration in which SAW resonators are cascaded in two stages. One SAW resonator filter 23 has an IDT
23a, 23b, and 23c, and reflectors 23d and 23e. The other SAW resonator filter 24 also has the IDT2
4a, 24b, 24c and reflectors 24d, 24e.
【００５１】一方のＳＡＷ共振子フィルタでは、中央の
ＩＤＴ２３ａが入力電極２８ａ及びアース電極２８ｂを
有する。また、両側のＩＤＴ２３ｂ，２３ｃは、共通ア
ース電極２８ｃにより共通接続されている。また、ＩＤ
Ｔ２３ｂ，２３ｃのホット側の電極は、段間接続電極２
８ｄに接続されている。段間接続電極２８ｄには、他方
のＳＡＷ共振子フィルタ２４のＩＤＴ２４ｂ，２４ｃが
接続されている。ＩＤＴ２４ｂ，２４ｃの他方の電極
は、共通アース電極２８ｅに接続されている。ＳＡＷ共
振子フィルタ２４の中央のＩＤＴ２４ａは、アース電極
２８ｆと出力電極２８ｇとを有する。In one SAW resonator filter, the central IDT 23a has an input electrode 28a and a ground electrode 28b. The IDTs 23b and 23c on both sides are commonly connected by a common ground electrode 28c. Also, ID
The electrodes on the hot side of T23b and 23c are interstage connection electrodes 2
8d. The IDTs 24b and 24c of the other SAW resonator filter 24 are connected to the inter-stage connection electrode 28d. The other electrodes of the IDTs 24b and 24c are connected to a common ground electrode 28e. The IDT 24a at the center of the SAW resonator filter 24 has a ground electrode 28f and an output electrode 28g.
【００５２】なお、共通アース電極２８ｃ，２８ｅは、
それぞれ、電極接続部２８ｃ1 ，２８ｅ1 により導電パ
ターン２２に電気的に接続されている。上記弾性表面波
フィルタ用電極パターンについては、第１の実施例と同
様にウエハ２１上にＡｌなどの金属を全面に蒸着、メッ
キもしくはスパッタリングなどにより形成し、しかる後
エッチングすることにより形成することができる。The common ground electrodes 28c and 28e are
Each is electrically connected to the conductive pattern 22 by the electrode connection portions 28c 1 and 28e 1 . The surface acoustic wave filter electrode pattern may be formed by depositing a metal such as Al on the entire surface of the wafer 21 by vapor deposition, plating, sputtering, or the like, and then etching the same, as in the first embodiment. it can.
【００５３】ウエハプロービング工程では、入力側プロ
ーブ組４０として、信号用プローブ４０ａ及びアース用
プローブ４０ｂ，４０ｃを用いる。すなわち、信号用プ
ローブ４０ａを入力電極２８ａに接触させ、アース用プ
ローブ４０ｂ，４０ｃを共通アース電極２８ｃ及びアー
ス電極２８ｂに、それぞれ接触させる。In the wafer probing process, a signal probe 40a and ground probes 40b and 40c are used as the input side probe set 40. That is, the signal probe 40a is brought into contact with the input electrode 28a, and the ground probes 40b and 40c are brought into contact with the common ground electrode 28c and the ground electrode 28b, respectively.
【００５４】また、出力側においては、出力側プローブ
組４１として、信号用プローブ４１ａ及びアース用プロ
ーブ４１ｂ，４１ｃを用いる。すなわち、信号用プロー
ブ４１ａを出力電極２８ｇに接触させ、アース用プロー
ブ４１ｂ，４１ｃをアース電極２８ｆ及び共通アース電
極２８ｅにそれぞれ接触させる。On the output side, a signal probe 41a and ground probes 41b and 41c are used as the output side probe set 41. That is, the signal probe 41a is brought into contact with the output electrode 28g, and the ground probes 41b and 41c are brought into contact with the ground electrode 28f and the common ground electrode 28e, respectively.
【００５５】なお、ＳＡＷ共振子フィルタ２３，２４の
１段の等価回路を図１１に示す。また、図１２に上記ウ
エハプロービング工程における測定系全体の等価回路を
示す。図１２において、実線Ｍは、上記導電パターン２
２内に構成されている１個の弾性表面波フィルタの等価
回路を示し、実線Ｎはウエハプロービング用治具の等価
回路を示す。FIG. 11 shows an equivalent circuit of one stage of the SAW resonator filters 23 and 24. FIG. 12 shows an equivalent circuit of the entire measurement system in the wafer probing process. In FIG. 12, a solid line M indicates the conductive pattern 2
2 shows an equivalent circuit of one surface acoustic wave filter formed in 2, and a solid line N shows an equivalent circuit of a wafer probing jig.
【００５６】本実施例では、ＳＡＷ共振子フィルタ２
３，２４を２段縦続接続させて弾性表面波フィルタが構
成されるが、この場合においても、入力側アース電極と
しての共通アース電極２８ｃ及び出力側アース電極とし
ての共通アース電極２８ｅが導電パターン２２に接続さ
れてウエハ２１上において電気的に短絡されている。In this embodiment, the SAW resonator filter 2
The surface acoustic wave filter is formed by cascade-connecting the third and the second 24. In this case as well, the common ground electrode 28c as the input-side ground electrode and the common ground electrode 28e as the output-side ground electrode are formed by the conductive pattern 22. And is electrically short-circuited on the wafer 21.
【００５７】また、入力側プローブ組４０のアース用プ
ローブ４０ｂ，４０ｃ並びに出力側プローブ組４１のア
ースプローブ４１ｂ，４１ｃがプローブ内で短絡されて
いる。The ground probes 40b and 40c of the input probe set 40 and the ground probes 41b and 41c of the output probe set 41 are short-circuited in the probe.
【００５８】従って、ウエハ２１上で入力側の少なくと
も一つのアース電極２８ｃと出力側の少なくとも一つの
アース電極２８ｅとが短絡されているので、入力側アー
ス電極と出力側アース電極とがほぼ同電位及び同位相と
なる。従って、測定される伝送特性は完成品の伝送特性
に近いものとなる。Since at least one input-side ground electrode 28c and at least one output-side ground electrode 28e are short-circuited on the wafer 21, the input-side ground electrode and the output-side ground electrode are substantially at the same potential. And the same phase. Therefore, the measured transmission characteristics are close to the transmission characteristics of the finished product.
【００５９】これを、図１３及び比較のための図１４〜
図１６を参照して説明する。図１３は、上記第３の実施
例においてウエハプロービング工程において測定された
伝送特性を示し、破線Ｏ，Ｐはウエハプロービング工程
において測定された特性を、実線Ｑ，Ｒは完成品の伝送
特性を示す。なお、破線Ｐ及び実線Ｒは、それぞれ、破
線Ｏ及び実線Ｑの要部を右側のスケールで拡大した特性
である。図１３から明らかなように、本実施例によれ
ば、完成品の伝送特性と似た波形の伝送特性を測定し得
ることが判る。This is compared with FIG. 13 and FIGS.
This will be described with reference to FIG. FIG. 13 shows the transmission characteristics measured in the wafer probing process in the third embodiment, broken lines O and P show the characteristics measured in the wafer probing process, and solid lines Q and R show the transmission characteristics of the finished product. . Note that the dashed line P and the solid line R are characteristics obtained by enlarging the main parts of the dashed line O and the solid line Q, respectively, on the right scale. As is clear from FIG. 13, according to the present embodiment, it is possible to measure the transmission characteristic having a waveform similar to the transmission characteristic of the finished product.
【００６０】図１４は、比較のために用意した従来の弾
性表面波装置の製造方法におけるウエハプロービング工
程を説明するための平面図である。ここでは、ウエハ７
１上に、格子状に導電パターン７２が形成されており、
導電パターン７２で構成された矩形領域内に、ＳＡＷ共
振子フィルタ７３，７４が構成されている。ＳＡＷ共振
子フィルタ７３，７４は、第３の実施例におけるＳＡＷ
共振子フィルタ２３，２４と同様に構成されている。も
っとも、共通アース電極７８ｃ，７８ｅは、それぞれ、
格子状の導電パターン７２に電気的に接続されていな
い。その他の点については、第３の実施例と同様に構成
されている。従って、相当の部分については、相当の参
照番号を付することにより、詳細な説明は省略する。FIG. 14 is a plan view for explaining a wafer probing process in a method of manufacturing a conventional surface acoustic wave device prepared for comparison. Here, the wafer 7
1, a conductive pattern 72 is formed in a grid pattern,
SAW resonator filters 73 and 74 are formed in a rectangular area formed by the conductive pattern 72. The SAW resonator filters 73 and 74 are the SAW resonator filters 73 and 74 according to the third embodiment.
It has the same configuration as the resonator filters 23 and 24. However, the common ground electrodes 78c and 78e are respectively
It is not electrically connected to the grid-like conductive pattern 72. In other respects, the configuration is the same as that of the third embodiment. Therefore, the corresponding parts are given the same reference numerals, and the detailed description is omitted.
【００６１】ウエハ状態で特性を測定するに際しては、
第３の実施例と同様に、入力側プローブ組８０として、
信号用プローブ８０ａ及びアース用プローブ８０ｂ，８
０ｃを用いる。すなわち、信号用プローブ８０ａを入力
電極７８ａに接触させ、アース用プローブ８０ｂ，８０
ｃを共通アース電極７８ｃ及びアース電極７８ｂにそれ
ぞれ接触させる。When measuring the characteristics in the wafer state,
As in the third embodiment, as the input side probe set 80,
Signal probe 80a and ground probe 80b, 8
0c is used. That is, the signal probe 80a is brought into contact with the input electrode 78a, and the ground probes 80b, 80
c is brought into contact with the common ground electrode 78c and the ground electrode 78b, respectively.
【００６２】同様に、出力側においても、出力側プロー
ブ組８１として、信号用プローブ８１a 及びアース用プ
ローブ８１ｂ，８１ｃを用意する。信号用プローブ８１
ａを出力電極７８ｇに接触させる。また、アース用プロ
ーブ８１ｂ，８１ｃをアース電極７８ｆ，共通アース電
極７８ｅにそれぞれ接触させる。Similarly, on the output side, a signal probe 81a and ground probes 81b and 81c are prepared as an output side probe set 81. Signal probe 81
a is brought into contact with the output electrode 78g. The ground probes 81b and 81c are brought into contact with the ground electrode 78f and the common ground electrode 78e, respectively.
【００６３】上記ウエハプロービング工程における測定
系の等価回路を図１５に示す。図１４及び図１５を参照
して説明した従来法では、アース電極７８ｃ，７８ｂ，
７８ｅ，７８ｆに、それぞれ、アース用プローブ８０
ｂ，８０ｃ，８１ｂ，８１ｃが接触されて測定が行われ
る。この場合、アース電極８０ｂ、８０ｃは入力側アー
スプローブ内で、アース電極８１ｂ，８１ｃは出力側ア
ースプローブ内でそれぞれ短絡している。よって、図１
４及び図１５に示した従来例では、図１６に示すよう
に、得られる伝送特性は、完成品の伝送特性からかなり
異なることになる。FIG. 15 shows an equivalent circuit of a measurement system in the wafer probing process. In the conventional method described with reference to FIGS. 14 and 15, the ground electrodes 78c, 78b,
At 78e and 78f, a grounding probe 80
b, 80c, 81b, and 81c are contacted, and a measurement is performed. In this case, the ground electrodes 80b and 80c are short-circuited in the input-side ground probe, and the ground electrodes 81b and 81c are short-circuited in the output-side ground probe. Therefore, FIG.
In the conventional examples shown in FIGS. 4 and 15, the obtained transmission characteristics are considerably different from the transmission characteristics of the finished product, as shown in FIG.
【００６４】なお、図１６において、破線Ｓ，Ｔは、ウ
エハプロービング工程において測定された伝送特性を示
し、破線Ｔは破線Ｓで示した特性を右側のスケールに沿
って拡大して示したものである。破線Ｓ，Ｔで示されて
いるように、通過帯域内において、左側の肩が欠けた波
形となり、完成品と異なる波形の伝送特性しか得られな
いことが判る。In FIG. 16, broken lines S and T show transmission characteristics measured in the wafer probing process, and broken line T shows the characteristics shown by broken line S enlarged along the right scale. is there. As shown by the broken lines S and T, the left shoulder is missing in the pass band, indicating that only the transmission characteristic of a waveform different from that of the finished product can be obtained.
【００６５】図１３と図１６との比較から、第３の実施
例においても少なくとも一つの入力側アース電極と、少
なくとも一つの出力側アース電極とがウエハ２１上で電
気的に短絡されているので、ウエハ上で完成品に近い伝
送特性を測定し得ることが判る。また、入力側アース電
極と出力側アース電極とはウエハ２１上で短絡されてい
るので、入力側のアース用プローブと出力側のアース用
プローブとの間に存在するインピーダンスＺ’のウエハ
プロービング用治具間のばらつきは問題とはならない。
従って、ウエハプロービング用治具間の測定ばらつきを
抑制することができる。From the comparison between FIG. 13 and FIG. 16, since at least one input-side ground electrode and at least one output-side ground electrode are also electrically short-circuited on the wafer 21 in the third embodiment as well. It can be seen that transmission characteristics close to those of a finished product can be measured on a wafer. Further, since the input-side ground electrode and the output-side ground electrode are short-circuited on the wafer 21, the wafer probing treatment of the impedance Z 'existing between the input-side ground probe and the output-side ground probe is performed. Variation between the components is not a problem.
Therefore, it is possible to suppress the measurement variation between the wafer probing jigs.
【００６６】なお、第３の実施例においても、上記ウエ
ハプロービング工程を実施した後に、第１の実施例と同
様に測定結果から良品の弾性表面波フィルタを選別す
る。また、良品を選別した後に、ウエハを個々の弾性表
面波フィルタ単位に切断し、良品の弾性表面波フィルタ
チップを得る。このようにして、目的とする特性の弾性
表面波フィルタを確実に製造することができる。In the third embodiment as well, after the wafer probing process is performed, non-defective surface acoustic wave filters are selected from the measurement results in the same manner as in the first embodiment. After selecting non-defective products, the wafer is cut into individual surface acoustic wave filter units to obtain non-defective surface acoustic wave filter chips. In this manner, a surface acoustic wave filter having desired characteristics can be reliably manufactured.
【００６７】[0067]
【発明の効果】本発明の弾性表面波フィルタの測定方法
では、ウエハプロービング工程において、入力側プロー
ブ組のアース用プローブが接触される弾性表面波フィル
タの少なくとも一つの入力側アース電極と、出力側プロ
ーブ組のアース用プローブが接触される弾性表面波フィ
ルタの少なくとも一つの出力側アース電極とをウエハ上
において電気的に短絡させているため、入力側アース電
極と出力側アース電極とがほぼ同電位及び同位相となる
ため、完成品の弾性表面波フィルタにより近い伝送特性
を得ることができると共に、入力側のアース用プローブ
と出力側のアース用プローブとの間に存在するインピー
ダンスのウエハプロービング用治具間のばらつきが問題
とならないので、ウエハプロービング用治具間の測定ば
らつきを抑制することも可能となる。According to the surface acoustic wave filter measuring method of the present invention, in the wafer probing process, at least one input-side ground electrode of the surface acoustic wave filter contacted with the ground probe of the input-side probe set; Since at least one output-side ground electrode of the surface acoustic wave filter with which the grounding probe of the probe set is in contact is electrically short-circuited on the wafer, the input-side ground electrode and the output-side ground electrode have substantially the same potential. And the same phase, it is possible to obtain transmission characteristics closer to the finished surface acoustic wave filter, and to perform wafer probing treatment of the impedance existing between the input-side earth probe and the output-side earth probe. Suppresses measurement variation between wafer probing jigs because variation between tools does not matter It is possible and.
【００６８】よって、使用するウエハプロービング用治
具を変更したとしても、完成品に近い伝送特性を安定に
測定することができ、かつ測定後の良品選別を確実に行
うことができ、設計に応じた伝送特性を有する弾性表面
波フィルタを容易にかつ安定に供給することが可能とな
る。Therefore, even if the wafer probing jig to be used is changed, the transmission characteristics close to the finished product can be measured stably, and the good products after the measurement can be surely selected. It is possible to easily and stably supply a surface acoustic wave filter having improved transmission characteristics.
【００６９】また、ウエハプロービング工程において、
入力側アース電極の全てを出力側アース電極の全てとウ
エハ上において短絡させた場合には、より一層完成品に
近い伝送特性をウエハ上において測定することが可能と
なる。In the wafer probing step,
When all of the input-side ground electrodes are short-circuited to all of the output-side ground electrodes on the wafer, it is possible to measure the transmission characteristics on the wafer, which is closer to the finished product.
【００７０】また、ウエハ上における入力側アース電極
と出力側アース電極との短絡をウエハ上に形成された導
電パターンにより行う場合には、弾性表面波フィルタ用
電極パターンの形成に際し、上記短絡のための導電パタ
ーンを同時に形成することができるので、工程を増加さ
せることなく、入力側アース電極と出力側アース電極と
を容易に短絡させることができる。When the input-side ground electrode and the output-side ground electrode on the wafer are short-circuited by the conductive pattern formed on the wafer, the short-circuit may occur due to the short-circuit when forming the electrode pattern for the surface acoustic wave filter. Can be simultaneously formed, so that the input-side ground electrode and the output-side ground electrode can be easily short-circuited without increasing the number of steps.
【図１】本発明の第１の実施例にかかる弾性表面波フィ
ルタの製造方法においてウエハ上にプローブを接触させ
た状態を示す拡大平面図。FIG. 1 is an enlarged plan view showing a state where a probe is brought into contact with a wafer in a method of manufacturing a surface acoustic wave filter according to a first embodiment of the present invention.
【図２】第１の実施例におけるウエハプロービング工程
の測定系の等価回路を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of a measurement system in a wafer probing process in the first embodiment.
【図３】第１の実施例において、ウエハプロービング工
程において測定された伝送特性と完成品の伝送特性とを
示す図。FIG. 3 is a diagram showing transmission characteristics measured in a wafer probing process and transmission characteristics of a finished product in the first embodiment.
【図４】比較のために実施した弾性表面波フィルタの測
定方法においてウエハ上にプローブを接触させた状態を
説明するための拡大平面図。FIG. 4 is an enlarged plan view for explaining a state where a probe is brought into contact with a wafer in a method of measuring a surface acoustic wave filter performed for comparison.
【図５】比較のために実施した弾性表面波フィルタの測
定方法の測定系を説明するための等価回路図。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram for explaining a measurement system of a measurement method of a surface acoustic wave filter implemented for comparison.
【図６】比較のために実施した弾性表面波フィルタのウ
エハプロービング工程において測定された伝送特性と完
成品の伝送特性とを示す図。FIG. 6 is a diagram showing a transmission characteristic measured in a wafer probing process of a surface acoustic wave filter and a transmission characteristic of a finished product performed for comparison.
【図７】本発明の第２の実施例の弾性表面波フィルタの
製造方法においてウエハプロービング工程を説明するた
めの拡大平面図。FIG. 7 is an enlarged plan view for explaining a wafer probing step in the method for manufacturing a surface acoustic wave filter according to the second embodiment of the present invention.
【図８】第２の実施例におけるウエハプロービング工程
の測定系を説明するための等価回路図。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram for explaining a measurement system in a wafer probing process in the second embodiment.
【図９】第２の実施例において、ウエハプロービング工
程において測定された伝送特性と完成品の伝送特性とを
示す図。FIG. 9 is a diagram showing transmission characteristics measured in a wafer probing process and transmission characteristics of a finished product in the second embodiment.
【図１０】本発明の第３の実施例において、ウエハプロ
ービング工程においてプローブを接触させた状態を説明
するための拡大平面図。FIG. 10 is an enlarged plan view for explaining a state in which a probe is brought into contact in a wafer probing step in a third embodiment of the present invention.
【図１１】第３の実施例で用いられているＳＡＷ共振子
フィルタ１段の等価回路を示す図。FIG. 11 is a diagram showing an equivalent circuit of one stage of a SAW resonator filter used in the third embodiment.
【図１２】第３の実施例のウエハプロービング工程にお
ける測定系の等価回路を示す図。FIG. 12 is a diagram showing an equivalent circuit of a measurement system in a wafer probing process according to a third embodiment.
【図１３】第３の実施例のウエハプロービング工程にお
いて測定された伝送特性及び完成品の伝送特性とを示す
図。FIG. 13 is a diagram showing transmission characteristics measured in a wafer probing process of the third embodiment and transmission characteristics of a completed product.
【図１４】第３の実施例の比較のために実施した従来の
ウエハプロービング工程を説明するための拡大平面図。FIG. 14 is an enlarged plan view for explaining a conventional wafer probing process performed for comparison with the third embodiment.
【図１５】図１４に示したウエハプロービング工程にお
ける測定系の等価回路を示す図。FIG. 15 is a diagram showing an equivalent circuit of a measurement system in the wafer probing process shown in FIG.
【図１６】図１５に示したウエハプロービング工程に従
って測定された伝送特性と完成品の伝送特性とを示す
図。FIG. 16 is a diagram showing transmission characteristics measured according to the wafer probing process shown in FIG. 15 and transmission characteristics of a completed product.
１…ウエハ ２〜６…１ポート型ＳＡＷ共振子 ８ａ…入力電極 ８ｂ…入力側アース電極 ８ｃ…出力電極 ８ｄ，８ｅ…出力側アース電極 ９…入力側プローブ組 ９ａ…信号用プローブ ９ｂ…アース用プローブ １０…出力側プローブ組 １０ａ…信号用プローブ １０ｂ，１０ｃ…アース用プローブ ７…導電パターン ２１…ウエハ ２２…導電パターン ２３，２４…ＳＡＷ共振子フィルタ ２８ａ…入力電極 ２８ｂ，２８ｃ…入力側アース電極 ２８ｅ，２８ｆ…出力側アース電極 ２８ｇ…出力電極 ４０…入力側プローブ組 ４０ａ…信号用プローブ ４０ｂ，４０ｃ…アース用プローブ ４１…出力側プローブ組 ４１ａ…信号用プローブ ４１ｂ，４１ｃ…アース用プローブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer 2-6 ... 1 port type SAW resonator 8a ... Input electrode 8b ... Input side earth electrode 8c ... Output electrode 8d, 8e ... Output side earth electrode 9 ... Input side probe set 9a ... Signal probe 9b ... Grounding Probe 10: Output side probe set 10a: Signal probe 10b, 10c: Ground probe 7: Conductive pattern 21: Wafer 22: Conductive pattern 23, 24: SAW resonator filter 28a: Input electrode 28b, 28c: Input side earth electrode 28e, 28f ... output side ground electrode 28g ... output electrode 40 ... input side probe set 40a ... signal probe 40b, 40c ... ground probe 41 ... output side probe set 41a ... signal probe 41b, 41c ... ground probe
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−331225（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−130196（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 3/08 G01R 31/00 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-9-331225 (JP, A) JP-A-9-130196 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H03H 3/08 G01R 31/00
Claims (3)
ンと、各弾性表面波フィルタ用電極パターンを全て囲む
ように設けられたアース電位に接続される電極パターン
とが形成されたウエハを用意する工程と、 それぞれ、信号用プローブ及びアース用プローブからな
る入力側プローブ組及び出力側プローブ組を用いて、前
記入力側プローブ組のアース用プローブが接触される弾
性表面波フィルタの少なくとも一つの入力側アース電極
と、前記出力側プローブ組のアース用プローブが接触さ
れる弾性表面波フィルタの少なくとも一つの出力側アー
ス電極とを前記導電パターンに接続することにより前記
ウエハ上において電気的に短絡させておいて前記ウエハ
に構成された弾性表面波フィルタの特性を測定するウエ
ハプロービング工程とを備えることを特徴とする、弾性
表面波フィルタの特性測定方法。1. A step of preparing a wafer on which a plurality of surface acoustic wave filter electrode patterns and an electrode pattern connected to a ground potential provided so as to surround all the surface acoustic wave filter electrode patterns are provided. And at least one input-side ground of a surface acoustic wave filter to which an input-side probe set and an output-side probe set each comprising a signal probe and a grounding probe are contacted. An electrode is electrically short-circuited on the wafer by connecting the electrode and at least one output-side ground electrode of the surface acoustic wave filter to which the ground probe of the output-side probe set is contacted to the conductive pattern. A wafer probing step of measuring characteristics of a surface acoustic wave filter formed on the wafer. It characterized the door, characteristic measuring method of the surface acoustic wave filter.
前記弾性表面波フィルタの入力側アース電極の全てが、
前記弾性表面波フィルタの出力側アース電極の全てと電
気的に短絡されている、請求項１に記載の弾性表面波フ
ィルタの特性測定方法。2. In the wafer probing step,
All of the input-side ground electrodes of the surface acoustic wave filter are:
2. The method for measuring characteristics of a surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein all of the ground electrodes on the output side of the surface acoustic wave filter are electrically short-circuited.
ンと、各弾性表面波フィルタ用電極パターンを全て囲む
ように設けられたアース電位に接続される電極パターン
とが形成されたウエハを用意する工程と、 それぞれ、信号用プローブ及びアース用プローブからな
る入力側プローブ組及び出力側プローブ組を用いて、前
記入力側プローブ組のアース用プローブが接触される弾
性表面波フィルタの少なくとも一つの入力側アース電極
と、前記出力側プローブ組のアース用プローブが接触さ
れる弾性表面波フィルタの少なくとも一つの出力側アー
ス電極とを前記導電パターンに接続することにより前記
ウエハ上において電気的に短絡させておいて前記ウエハ
に構成された弾性表面波フィルタの特性を測定するウエ
ハプロービング工程と、 前記ウエハプロービング工程において得られた測定結果
から良品の弾性表面波フィルタを選別する工程と、 前記ウエハを個々の弾性表面波フィルタ単位に切断する
工程とを備えることを特徴とする、弾性表面波フィルタ
の製造方法。3. A step of preparing a wafer on which a plurality of surface acoustic wave filter electrode patterns and an electrode pattern connected to a ground potential provided so as to surround all of the surface acoustic wave filter electrode patterns are provided. And at least one input-side ground of a surface acoustic wave filter to which an input-side probe set and an output-side probe set each comprising a signal probe and a grounding probe are contacted. An electrode is electrically short-circuited on the wafer by connecting the electrode and at least one output-side ground electrode of the surface acoustic wave filter to which the ground probe of the output-side probe set is contacted to the conductive pattern. A wafer probing step of measuring characteristics of a surface acoustic wave filter formed on the wafer; A step of selecting a non-defective surface acoustic wave filter from the measurement results obtained in the haplobing step; anda step of cutting the wafer into individual surface acoustic wave filter units. Production method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03389997A JP3331895B2 (en) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | Characteristics measuring method and manufacturing method of surface acoustic wave filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03389997A JP3331895B2 (en) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | Characteristics measuring method and manufacturing method of surface acoustic wave filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233642A JPH10233642A (en) | 1998-09-02 |
| JP3331895B2 true JP3331895B2 (en) | 2002-10-07 |
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ID=12399379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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-
1997
- 1997-02-18 JP JP03389997A patent/JP3331895B2/en not_active Expired - Lifetime
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