JP3328635B2 - プラズマ反応装置、半導体装置の製造方法 - Google Patents
プラズマ反応装置、半導体装置の製造方法Info
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- JP3328635B2 JP3328635B2 JP2000111801A JP2000111801A JP3328635B2 JP 3328635 B2 JP3328635 B2 JP 3328635B2 JP 2000111801 A JP2000111801 A JP 2000111801A JP 2000111801 A JP2000111801 A JP 2000111801A JP 3328635 B2 JP3328635 B2 JP 3328635B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマを利用して
対象物の表面処理、特にエッチングを行うプラズマ反応
装置に関するものである。
対象物の表面処理、特にエッチングを行うプラズマ反応
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】低損傷，低汚染かつ高異方性エッチング
プロファイルを実現するプラズマエッチング方法とし
て、電子サイクロトン共鳴（ＥＣＲ）を用いプラズマを
生成する方法がある。図９はＥＣＲを利用した従来のプ
ラズマ反応装置の断面図である。
プロファイルを実現するプラズマエッチング方法とし
て、電子サイクロトン共鳴（ＥＣＲ）を用いプラズマを
生成する方法がある。図９はＥＣＲを利用した従来のプ
ラズマ反応装置の断面図である。
【０００３】チャンバー内のプラズマ生成室２内にハロ
ゲン系の反応性ガスがガス導入口１から導入され、エッ
チング室３の下方に位置する排気口４から排気される。
また磁気コイル５はプラズマ生成室２内に磁場を形成
し、マイクロ波源６で生成され、導波管７で導入された
マイクロ波はプラズマ生成室２で共鳴を起こす。そして
高密度プラズマが形成され、磁気コイル５により形成さ
れた磁力線５１に沿って輸送される。プラズマは、試料
９の表面まで輸送され、試料９をエッチングする。
ゲン系の反応性ガスがガス導入口１から導入され、エッ
チング室３の下方に位置する排気口４から排気される。
また磁気コイル５はプラズマ生成室２内に磁場を形成
し、マイクロ波源６で生成され、導波管７で導入された
マイクロ波はプラズマ生成室２で共鳴を起こす。そして
高密度プラズマが形成され、磁気コイル５により形成さ
れた磁力線５１に沿って輸送される。プラズマは、試料
９の表面まで輸送され、試料９をエッチングする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＥＣＲエッチン
グ装置にて試料のエッチングを行った場合、パターンの
横にノッチングが発生するという問題点があった。以
下、このノッチング発生機構について、シリコン酸化膜
上に形成された多結晶シリコン膜を試料とし、フォトレ
ジストをマスクとしてエッチングを行った場合を例にと
って説明する。
グ装置にて試料のエッチングを行った場合、パターンの
横にノッチングが発生するという問題点があった。以
下、このノッチング発生機構について、シリコン酸化膜
上に形成された多結晶シリコン膜を試料とし、フォトレ
ジストをマスクとしてエッチングを行った場合を例にと
って説明する。
【０００５】図１０は多結晶シリコン膜３１のエッチン
グ中、図１１は、下地シリコン酸化膜３０露出後のオー
バーエッチング時の断面形状を示している。
グ中、図１１は、下地シリコン酸化膜３０露出後のオー
バーエッチング時の断面形状を示している。
【０００６】試料の表面では、プラズマから試料表面へ
電位の減少する領域が形成され、通常シースと呼ばれて
いる。このシース領域で、プラスイオンは多結晶シリコ
ン３１に対して垂直に入射しエッチングを行う。一方、
電子はシースの電界によって試料から離れる方向に力を
受けるために、下地の多結晶シリコン膜３０に達するま
でに径方向へ散乱する。その結果、電子は絶縁膜である
フォトレジスト３２の側壁に衝突し、フォトレジスト３
２はマイナスに帯電する。多結晶シリコン３１は導電性
であるため、電子は多結晶シリコン３１内を移動してプ
ラスイオンの電荷を中和する。このため、多結晶シリコ
ン３１のエッチング中にはノッチングは顕著にあらわれ
ない。
電位の減少する領域が形成され、通常シースと呼ばれて
いる。このシース領域で、プラスイオンは多結晶シリコ
ン３１に対して垂直に入射しエッチングを行う。一方、
電子はシースの電界によって試料から離れる方向に力を
受けるために、下地の多結晶シリコン膜３０に達するま
でに径方向へ散乱する。その結果、電子は絶縁膜である
フォトレジスト３２の側壁に衝突し、フォトレジスト３
２はマイナスに帯電する。多結晶シリコン３１は導電性
であるため、電子は多結晶シリコン３１内を移動してプ
ラスイオンの電荷を中和する。このため、多結晶シリコ
ン３１のエッチング中にはノッチングは顕著にあらわれ
ない。
【０００７】一方、図１１で示される様に、エッチング
が絶縁膜であるシリコン酸化膜３０に到達した後のオー
バーエッチング時では、電子はプラスイオンの電荷を中
和することができない。したがってシリコン酸化膜３０
はプラスに帯電し、シリコン酸化膜３０へ入射するプラ
スイオンはシリコン酸化膜３０に達せずに、横方向に曲
げられることになる。このため、パターン横にノッチン
グ４０が発生するという問題があった。
が絶縁膜であるシリコン酸化膜３０に到達した後のオー
バーエッチング時では、電子はプラスイオンの電荷を中
和することができない。したがってシリコン酸化膜３０
はプラスに帯電し、シリコン酸化膜３０へ入射するプラ
スイオンはシリコン酸化膜３０に達せずに、横方向に曲
げられることになる。このため、パターン横にノッチン
グ４０が発生するという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明にかかるプラズ
マ反応装置は、プラズマを生成する生成室と、前記プラ
ズマを利用して対象物の表面処理を行う反応室と、を備
える。そして、前記生成室の内、少なくとも前記プラズ
マが発生する領域よりも前記反応室に近い第１の領域に
おいて、前記生成室の内壁は絶縁性であり、前記反応室
の内、前記対象物の近傍の第２の領域においてのみ前記
反応室の内壁は導電性である。好ましくは導電性を示す
導電部分は、Ｗ，Ｔｉ，Ｓｉのいずれかの材料からな
る。
マ反応装置は、プラズマを生成する生成室と、前記プラ
ズマを利用して対象物の表面処理を行う反応室と、を備
える。そして、前記生成室の内、少なくとも前記プラズ
マが発生する領域よりも前記反応室に近い第１の領域に
おいて、前記生成室の内壁は絶縁性であり、前記反応室
の内、前記対象物の近傍の第２の領域においてのみ前記
反応室の内壁は導電性である。好ましくは導電性を示す
導電部分は、Ｗ，Ｔｉ，Ｓｉのいずれかの材料からな
る。
【０００９】この発明にかかる半導体装置の製造方法
は、当該プラズマ反応装置を用いて半導体のエッチング
を行うことを特徴とする。
は、当該プラズマ反応装置を用いて半導体のエッチング
を行うことを特徴とする。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【作用】この発明における生成室の絶縁性の内壁は、そ
の近傍において電子の消失を軽減する。反応室の導電性
の内壁は、これに衝突する電子を消失させる。よってこ
れらの内壁は、反応室から生成室へと向かう方向にプラ
ズマ密度が高まる勾配を助長する。
の近傍において電子の消失を軽減する。反応室の導電性
の内壁は、これに衝突する電子を消失させる。よってこ
れらの内壁は、反応室から生成室へと向かう方向にプラ
ズマ密度が高まる勾配を助長する。
【００１３】
【実施例】第１実施例．図１は、この発明の第１実施例
であるＥＣＲエッチング装置の断面図である。
であるＥＣＲエッチング装置の断面図である。
【００１４】まず、ガス導入口１からチャンバー内のプ
ラズマ生成室２内に、ハロゲン系の反応性ガスを導入す
る。一方では、エッチング室３の下方に位置する排気口
４よりガスを排気する。また磁気コイル５によりプラズ
マ生成室２内に８７５Ｇの磁場を形成する。
ラズマ生成室２内に、ハロゲン系の反応性ガスを導入す
る。一方では、エッチング室３の下方に位置する排気口
４よりガスを排気する。また磁気コイル５によりプラズ
マ生成室２内に８７５Ｇの磁場を形成する。
【００１５】この状態において、マイクロ波源６で生成
された周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管７で
プラズマ生成室２に導入すると、マイクロ波が共鳴を起
こす。そしてエネルギーを吸収し、らせん運動をしてい
る電子が反応性ガスに衝突することにより高密度プラズ
マが形成される。ここで発生した高密度プラズマは、磁
気コイル５により形成された磁力線５１に沿って輸送さ
れる。
された周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管７で
プラズマ生成室２に導入すると、マイクロ波が共鳴を起
こす。そしてエネルギーを吸収し、らせん運動をしてい
る電子が反応性ガスに衝突することにより高密度プラズ
マが形成される。ここで発生した高密度プラズマは、磁
気コイル５により形成された磁力線５１に沿って輸送さ
れる。
【００１６】プラズマは、チャンバー下部のエッチング
室３に設けられた試料保持台８上に載置された試料９の
表面まで輸送され、試料９をエッチングする。
室３に設けられた試料保持台８上に載置された試料９の
表面まで輸送され、試料９をエッチングする。
【００１７】エッチング室３にはＷ，Ｔｉ，Ｓｉ等の導
電体カバー１０が、プラズマ生成室２には石英等の絶縁
体カバー１１が、それぞれ形成されている。それぞれの
カバー１０，１１はエッチング室３の側壁の下部及びプ
ラズマ生成室２の下部を覆っている。導電体カバー１０
は接地されている。
電体カバー１０が、プラズマ生成室２には石英等の絶縁
体カバー１１が、それぞれ形成されている。それぞれの
カバー１０，１１はエッチング室３の側壁の下部及びプ
ラズマ生成室２の下部を覆っている。導電体カバー１０
は接地されている。
【００１８】プラズマ生成室２及びエッチング室３内の
プラズマ中の電子は、チャンバー壁で衝突して消滅し、
その近傍でのプラズマ密度は低下する。そのチャンバー
壁が導体の場合と絶縁体の場合とでは、電子の消滅の度
合が異なる。導電体の方が絶縁体の場合に比べて電子は
消滅しやすいために、絶縁体カバー１１近傍と、導電体
カバー１０の近傍との間には電子密度の勾配が生じる。
プラズマ中の電子は、チャンバー壁で衝突して消滅し、
その近傍でのプラズマ密度は低下する。そのチャンバー
壁が導体の場合と絶縁体の場合とでは、電子の消滅の度
合が異なる。導電体の方が絶縁体の場合に比べて電子は
消滅しやすいために、絶縁体カバー１１近傍と、導電体
カバー１０の近傍との間には電子密度の勾配が生じる。
【００１９】そのために一部を絶縁体カバー１１に覆わ
れているプラズマ生成室２と、一部を導電体カバー１０
で覆われているエッチング室３とのプラズマ密度の差は
拡大し、従来と比較してプラズマ密度の勾配はより強く
なる。このため、シースに入り込む時の電子は、試料へ
の方向に向かって高いエネルギーを有することになる。
れているプラズマ生成室２と、一部を導電体カバー１０
で覆われているエッチング室３とのプラズマ密度の差は
拡大し、従来と比較してプラズマ密度の勾配はより強く
なる。このため、シースに入り込む時の電子は、試料へ
の方向に向かって高いエネルギーを有することになる。
【００２０】よって、逆電界、即ち電子を試料への方向
に向かわせないシース電界の影響を低減することができ
る。このため、エッチングの際にノッチング４０の発生
を防止することができる。
に向かわせないシース電界の影響を低減することができ
る。このため、エッチングの際にノッチング４０の発生
を防止することができる。
【００２１】図２はプラズマ密度の勾配が高い場合のエ
ッチング中の断面図を示す。プラズマ密度の勾配によ
り、加速された電子は高エネルギーを得て容易に試料９
の表面に到達する。したがって、多結晶シリコン３１が
エッチングされてシリコン酸化膜３０が露呈していて
も、電子はシリコン酸化膜３０に到達するので、ここに
到達しているプラスイオンの電荷を中和することができ
る。よってプラスイオンの軌道が横方向に偏ることもな
く、ノッチング４０の発生が防止されて、そのエッチン
グプロファイルの異方性が高い半導体装置を得ることが
できる。
ッチング中の断面図を示す。プラズマ密度の勾配によ
り、加速された電子は高エネルギーを得て容易に試料９
の表面に到達する。したがって、多結晶シリコン３１が
エッチングされてシリコン酸化膜３０が露呈していて
も、電子はシリコン酸化膜３０に到達するので、ここに
到達しているプラスイオンの電荷を中和することができ
る。よってプラスイオンの軌道が横方向に偏ることもな
く、ノッチング４０の発生が防止されて、そのエッチン
グプロファイルの異方性が高い半導体装置を得ることが
できる。
【００２２】第２実施例．絶縁体カバー１１と導体カバ
ー１０で消滅する電子の量の違いにより、プラズマ密度
の勾配を生じさせるのみならず、プラズマ生成室２の内
壁とその中心部との間での磁束密度の勾配を設けること
により、プラズマ生成室２における電子の消失を低減す
ることができる。
ー１０で消滅する電子の量の違いにより、プラズマ密度
の勾配を生じさせるのみならず、プラズマ生成室２の内
壁とその中心部との間での磁束密度の勾配を設けること
により、プラズマ生成室２における電子の消失を低減す
ることができる。
【００２３】図３はこの発明の第２実施例である、ＥＣ
Ｒエッチング装置の断面図である。
Ｒエッチング装置の断面図である。
【００２４】絶縁体カバー１１の近傍で、プラズマ生成
室２の外周に多極の永久磁石１２を配置することによ
り、プラズマ生成室２の内壁の磁束密度を、その中心部
の磁束密度よりも高めることができる。
室２の外周に多極の永久磁石１２を配置することによ
り、プラズマ生成室２の内壁の磁束密度を、その中心部
の磁束密度よりも高めることができる。
【００２５】図４に永久磁石１２の配置を平面図として
示した。多極の永久磁石１２による磁場（図４では磁力
線５２を用いて示している）は、プラズマ生成室２の内
壁付近の磁場強度を強めることができ、チャンバー壁に
達して消失する電子の数を減少させることが可能とな
る。例えば永久磁石１２の表面磁束密度は１２００Ｇで
ある。このため、第１実施例よりもさらに、プラズマ密
度の勾配を大きくすることができ、ノッチング４０の発
生を防止してエッチングプロファイルを改善することが
できる。
示した。多極の永久磁石１２による磁場（図４では磁力
線５２を用いて示している）は、プラズマ生成室２の内
壁付近の磁場強度を強めることができ、チャンバー壁に
達して消失する電子の数を減少させることが可能とな
る。例えば永久磁石１２の表面磁束密度は１２００Ｇで
ある。このため、第１実施例よりもさらに、プラズマ密
度の勾配を大きくすることができ、ノッチング４０の発
生を防止してエッチングプロファイルを改善することが
できる。
【００２６】第３実施例．第２実施例において、永久磁
石１２は絶縁体カバー１１の近傍に設けられたが、導体
カバー１０の上部（プラズマ生成室２に近い方）に配置
しても良い。
石１２は絶縁体カバー１１の近傍に設けられたが、導体
カバー１０の上部（プラズマ生成室２に近い方）に配置
しても良い。
【００２７】図５はこの発明の第３実施例である、ＥＣ
Ｒエッチング装置の断面図である。
Ｒエッチング装置の断面図である。
【００２８】絶縁体カバー１１はプラズマ生成室２にお
いて電子の消滅を抑制する一方、永久磁石１２は導体カ
バー１０の上部でのエッチング室３における電子の消滅
を抑制する。よって、導体カバー１０での電子の消滅を
多くすることができ、プラズマ密度の勾配を大きくする
ことができる。
いて電子の消滅を抑制する一方、永久磁石１２は導体カ
バー１０の上部でのエッチング室３における電子の消滅
を抑制する。よって、導体カバー１０での電子の消滅を
多くすることができ、プラズマ密度の勾配を大きくする
ことができる。
【００２９】したがって、第１及び第２実施例と同様に
電子は試料９の表面に容易に到達し、プラスイオンの電
荷は試料９の表面で中和される。そのためノッチング４
０の発生は防止されて、そのエッチングプロファイルは
異方性の高いものとなる。
電子は試料９の表面に容易に到達し、プラスイオンの電
荷は試料９の表面で中和される。そのためノッチング４
０の発生は防止されて、そのエッチングプロファイルは
異方性の高いものとなる。
【００３０】第４実施例．図６はこの発明の第４実施例
である、ＥＣＲエッチング装置の断面図である。
である、ＥＣＲエッチング装置の断面図である。
【００３１】第２実施例とは異なり、導体カバー１０、
絶縁体カバー１１は設けられていない。しかし、永久磁
石１２は図４に示されるように配置されてプラズマ生成
室２の内壁の磁束密度はその中心部の磁束密度よりも高
いので、第１実施例における絶縁体カバー１１と同じ機
能を果たし、絶縁体カバー１１と併用することなく永久
磁石１２を単独で使用しても、プラズマ生成室２におけ
るプラズマ密度を増大させることができる。
絶縁体カバー１１は設けられていない。しかし、永久磁
石１２は図４に示されるように配置されてプラズマ生成
室２の内壁の磁束密度はその中心部の磁束密度よりも高
いので、第１実施例における絶縁体カバー１１と同じ機
能を果たし、絶縁体カバー１１と併用することなく永久
磁石１２を単独で使用しても、プラズマ生成室２におけ
るプラズマ密度を増大させることができる。
【００３２】従って、プラズマ生成室２からエッチング
室３へと減少するプラズマ密度の勾配を助長することが
でき、第１実施例と同様の効果を得ることができる。
室３へと減少するプラズマ密度の勾配を助長することが
でき、第１実施例と同様の効果を得ることができる。
【００３３】第５実施例．図７はこの発明の第５実施例
である、ＥＣＲエッチング装置の断面図である。
である、ＥＣＲエッチング装置の断面図である。
【００３４】第４実施例と同様、導体カバー１０、絶縁
体カバー１１は設けられていない。しかし、エッチング
室３の外周に永久磁石１２ａ．１２ｂ，１２ｃを設けて
いる。これらの与える磁束密度はそれぞれ異なり、磁束
密度の強い方から順に１２ａ．１２ｂ，１２ｃとなる。
よって、プラズマ生成室２側からエッチング室３側に向
かって段階的に磁束密度は減少する。
体カバー１１は設けられていない。しかし、エッチング
室３の外周に永久磁石１２ａ．１２ｂ，１２ｃを設けて
いる。これらの与える磁束密度はそれぞれ異なり、磁束
密度の強い方から順に１２ａ．１２ｂ，１２ｃとなる。
よって、プラズマ生成室２側からエッチング室３側に向
かって段階的に磁束密度は減少する。
【００３５】一方、これらは平面図においては図４に示
される様に配置されるので、エッチング室３の内壁の磁
束密度はその中心部の磁束密度よりも高い。よってプラ
ズマ生成室２からエッチング室３に入って来た磁力線５
１は、永久磁石１２ａの磁場により発散を妨げられる
が、試料９へ向かうに従い、永久磁石１２ｂ，１２ｃの
磁束密度の減少に対応して発散し易くなる。従って、磁
力線５１に沿って輸送される電子は、エッチング室３の
上部では殆ど消滅せず、下部に向かう程、エッチング室
３の側壁での消滅する割合が増加する。
される様に配置されるので、エッチング室３の内壁の磁
束密度はその中心部の磁束密度よりも高い。よってプラ
ズマ生成室２からエッチング室３に入って来た磁力線５
１は、永久磁石１２ａの磁場により発散を妨げられる
が、試料９へ向かうに従い、永久磁石１２ｂ，１２ｃの
磁束密度の減少に対応して発散し易くなる。従って、磁
力線５１に沿って輸送される電子は、エッチング室３の
上部では殆ど消滅せず、下部に向かう程、エッチング室
３の側壁での消滅する割合が増加する。
【００３６】このためエッチング室３の内部にプラズマ
の密度勾配（エッチング室３の上方程密度が高く、下方
程密度が低い）が生じる。この密度勾配により加速され
た電子は高エネルギーを得、容易に試料９の表面へ到達
し、その結果プラスイオンの電荷の中和がなされ、チャ
ージアップが低減し、ノッチの発生を防止することがで
きる。
の密度勾配（エッチング室３の上方程密度が高く、下方
程密度が低い）が生じる。この密度勾配により加速され
た電子は高エネルギーを得、容易に試料９の表面へ到達
し、その結果プラスイオンの電荷の中和がなされ、チャ
ージアップが低減し、ノッチの発生を防止することがで
きる。
【００３７】なお、図８に示すように、永久磁石１２
ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，…と更に多く段
階的に配置し、これらの磁束密度を適当に選択すること
によって、エッチング室３におけるプラズマの密度勾配
を、引いては電子のエネルギーを制御することが可能で
ある。
ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，…と更に多く段
階的に配置し、これらの磁束密度を適当に選択すること
によって、エッチング室３におけるプラズマの密度勾配
を、引いては電子のエネルギーを制御することが可能で
ある。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、シー
スへ入り込む時の電子は対象物へ向かう方向にエネルギ
ーが与えられているために、シース中での逆電界による
散乱を受けにくい。よって、対象物の下地膜まで電子が
入射しやすいために、下地膜が絶縁性であっても、プラ
スイオンによる下地膜の帯電を中和することが可能とな
る。よって下地膜の上に形成されている被エッチング膜
の側壁にノッチングが発生することはない。
スへ入り込む時の電子は対象物へ向かう方向にエネルギ
ーが与えられているために、シース中での逆電界による
散乱を受けにくい。よって、対象物の下地膜まで電子が
入射しやすいために、下地膜が絶縁性であっても、プラ
スイオンによる下地膜の帯電を中和することが可能とな
る。よって下地膜の上に形成されている被エッチング膜
の側壁にノッチングが発生することはない。
【図１】 この発明の第１実施例を示す断面図である。
【図２】 この発明の第１実施例を説明する断面図であ
る。
る。
【図３】 この発明の第２実施例を示す断面図である。
【図４】 この発明の第２実施例を説明する平面図であ
る。
る。
【図５】 この発明の第３実施例を示す断面図である。
【図６】 この発明の第４実施例を示す断面図である。
【図７】 この発明の第５実施例を示す断面図である。
【図８】 この発明の第５実施例を示す断面図である。
【図９】 従来の技術を示す断面図である。
【図１０】 従来の技術を示す断面図である。
【図１１】 従来の技術を示す断面図である。
２ プラズマ生成室、３ エッチング室、９ 試料、１
０ 導電体カバー、１１ 絶縁体カバー、１２，１２ａ
〜１２ｅ 永久磁石。
０ 導電体カバー、１１ 絶縁体カバー、１２，１２ａ
〜１２ｅ 永久磁石。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−187919（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−231322（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−231321（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−239127（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−7632（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065
Claims (3)
- 【請求項１】 プラズマを生成する生成室と、 前記プラズマを利用して対象物の表面処理を行う反応室
と、 を備え、 前記生成室の内、少なくとも前記プラズマが発生する領
域よりも前記反応室に近い第１の領域において、前記生
成室の内壁は絶縁性であり、 前記反応室の内、前記対象物の近傍の第２の領域におい
てのみ前記反応室の内壁は導電性であるプラズマ反応装
置。 - 【請求項２】 導電性を示す導電部分は、Ｗ，Ｔｉ，Ｓ
ｉのいずれかの材料からなる請求項１記載のプラズマ反
応装置。 - 【請求項３】 請求項１記載のプラズマ反応装置を用い
て半導体のエッチングを行うことを特徴とする、半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000111801A JP3328635B2 (ja) | 1992-11-09 | 2000-04-13 | プラズマ反応装置、半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000111801A JP3328635B2 (ja) | 1992-11-09 | 2000-04-13 | プラズマ反応装置、半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04298569A Division JP3077124B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | プラズマ反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000311884A JP2000311884A (ja) | 2000-11-07 |
| JP3328635B2 true JP3328635B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=18624075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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2000
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