JP3327791B2 - Printing head and printing apparatus using the printing head - Google Patents

Printing head and printing apparatus using the printing head

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JP3327791B2
JP3327791B2 JP30041796A JP30041796A JP3327791B2 JP 3327791 B2 JP3327791 B2 JP 3327791B2 JP 30041796 A JP30041796 A JP 30041796A JP 30041796 A JP30041796 A JP 30041796A JP 3327791 B2 JP3327791 B2 JP 3327791B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する利用分野】本発明は記録ヘッド及びその
記録ヘッドを用いた記録装置に関し、特に、インクジェ
ット方式に従ってインクを吐出して記録媒体に記録を行
う記録ヘッド及びその記録ヘッドに用いる記録装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a recording head and a recording apparatus using the recording head, and more particularly, to a recording head which discharges ink in accordance with an ink jet system to perform recording on a recording medium and a recording apparatus used for the recording head. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のインクジェット方式に従う記録装
置に搭載される記録ヘッドは、図6に示すような回路構
成をしていた。このような記録ヘッドの電気熱変換素子
(ヒータ)とその駆動回路は、例えば、特開平5−18
5594号に示されているように半導体プロセス技術を
用いて同一基板上に形成されている。
2. Description of the Related Art A recording head mounted on a conventional recording apparatus according to the ink jet system has a circuit configuration as shown in FIG. The electrothermal transducer (heater) of such a recording head and its driving circuit are described in, for example,
As shown in Japanese Patent No. 5594, they are formed on the same substrate by using a semiconductor process technique.

【0003】図6において、401は熱エネルギーを発
生する為の電気熱変換素子(ヒータ)、402はヒータ
401に所望の電流を供給する為のパワートランジス
タ、404は各ヒータ401に電流を供給し記録ヘッド
のノズルからインクを吐出するか否かの画像データを一
時的に格納するシフトレジスタ、406はヒータ401
をON/OFFさせる画像データ(DATA)をシリア
ルに入力する画像データ入力端子、407はシフトレジ
スタ404に設けられた転送クロック(CLK)を入力
する入力端子、403は各ヒータ401に対する画像デ
ータ(DATA)を各ヒータごとに記憶保持する為のラ
ッチ回路、408はラッチ回路403にラッチのタイミ
ング信号(LT)を入力するラッチ信号入力端子、40
9はヒータ401に電流を流すタイミングを決定するス
イッチ、405はヒータに所定の電圧を印加し電流を供
給する為の電源ライン、410はヒータ401及びパワ
ートランジスタ402を流れた電流が流れ込むGNDラ
インである。
In FIG. 6, reference numeral 401 denotes an electrothermal transducer (heater) for generating thermal energy, 402 a power transistor for supplying a desired current to the heater 401, and 404 a current to each heater 401. A shift register 406 for temporarily storing image data indicating whether or not to eject ink from the nozzles of the print head;
407 is an input terminal for inputting a transfer clock (CLK) provided in the shift register 404, and 403 is image data (DATA) for each heater 401. ) Is a latch signal input terminal for inputting a latch timing signal (LT) to the latch circuit 403.
Reference numeral 9 denotes a switch for determining the timing of supplying a current to the heater 401, reference numeral 405 denotes a power supply line for applying a predetermined voltage to the heater and supplying current, and reference numeral 410 denotes a GND line into which the current flowing through the heater 401 and the power transistor 402 flows. is there.

【0004】また、シフトレジスタ404に格納される
画像データビット数とパワートランジスタ402の数と
ヒータ401の数とは同じである。
The number of image data bits stored in the shift register 404, the number of power transistors 402, and the number of heaters 401 are the same.

【0005】図7は、図6に示した記録ヘッドの駆動回
路を駆動する為の各種信号のタイミングチャートであ
る。
FIG. 7 is a timing chart of various signals for driving the drive circuit of the recording head shown in FIG.

【0006】次に、図7を参照して図6に示した記録ヘ
ッドの駆動回路の動作について説明する。転送クロック
入力端子407にはシフトレジスタ404に格納される
画像データのビット数分の転送クロック(CLK)が入
力される。ここでは、シフトレジスタ404へのデータ
転送が転送クロック(CLK)の立ち上がりのタイミン
グに同期して行われるものとし、各ヒータ401をON
/OFFさせるための画像データ(DATA)が画像デ
ータ入力端子406から入力される。
Next, the operation of the drive circuit of the recording head shown in FIG. 6 will be described with reference to FIG. The transfer clock (CLK) for the number of bits of the image data stored in the shift register 404 is input to the transfer clock input terminal 407. Here, it is assumed that data transfer to the shift register 404 is performed in synchronization with the rising timing of the transfer clock (CLK), and each heater 401 is turned on.
/ OFF image data (DATA) is input from the image data input terminal 406.

【0007】ここで、シフトレジスタ404に格納され
る画像データのビット数とヒータ401及び電流駆動用
のパワートランジスタ402の数とは同じであるから、
ヒータ401の数の分だけ転送クロック(CLK)のパ
ルスを入力して画像データ(DATA)をシフトレジス
タ404に転送した後、ラッチ信号入力端子408にラ
ッチ信号(LT)を与えて各ヒータ401に対応した画
像データをラッチ回路403に保持する。
Here, the number of bits of image data stored in the shift register 404 is the same as the number of heaters 401 and the number of power transistors 402 for driving current.
After transferring the image data (DATA) to the shift register 404 by inputting the pulses of the transfer clock (CLK) by the number of the heaters 401, the latch signal (LT) is given to the latch signal input terminal 408 to give each heater 401. The corresponding image data is held in the latch circuit 403.

【0008】この後、スイッチ409を適当な時間“O
N”にすれば、スイッチ409がON状態となっている
その長さに応じてパワートランジスタ402及びヒータ
401に電源ライン405を通って電流がながれ、その
電流は再びGNDライン410へ流れ込む。この時、ヒ
ータ401はインクを吐出するために必要な熱を発生
し、画像データ(DATA)に見合ったインクが記録ヘ
ッドのノズルから吐出される。
Thereafter, the switch 409 is set to "O" for an appropriate time.
If N "is set, the current flows through the power line 405 to the power transistor 402 and the heater 401 in accordance with the length of time that the switch 409 is in the ON state, and the current flows into the GND line 410 again. The heater 401 generates heat necessary for discharging ink, and ink corresponding to the image data (DATA) is discharged from the nozzles of the recording head.

【0009】以上、述べたような構成は、従来より知ら
れているものであるが、更にこの改良型として図8に示
すような構成の記録ヘッドも提案されている。
The configuration described above is conventionally known, and a recording head having a configuration as shown in FIG. 8 has been proposed as an improved type.

【0010】図8において、502はヒータに所望の電
流を供給するためのパワートランジスタとして動作する
nMOS電界効果トランジスタ(FET)である。この
ように、 MOSトランジスタをパワートランジスタに
用いた場合は、図8に示すように、スイッチ409とパ
ワートランジスタ502との間に電圧変換部511を設
け、ラッチ403から出力されるデジタル信号の電圧振
幅をさらに高い電圧振幅に変換してパワートランジスタ
502のゲートに印加し、パワートランジスタの駆動力
を増大させることが望ましい。このようにパワートラン
ジタの駆動力を増大させることで駆動回路におけるパワ
ートランジスタが占有する面積を小さくすることがで
き、これによって回路全体の小型化に貢献する。また、
図8において、512は電圧変換部511に電圧を印加
する為の電源ラインである。
In FIG. 8, reference numeral 502 denotes an nMOS field effect transistor (FET) which operates as a power transistor for supplying a desired current to the heater. As described above, when a MOS transistor is used as a power transistor, a voltage converter 511 is provided between the switch 409 and the power transistor 502, as shown in FIG. Is preferably converted to a higher voltage amplitude and applied to the gate of the power transistor 502 to increase the driving force of the power transistor. By thus increasing the driving force of the power transistor, the area occupied by the power transistor in the driving circuit can be reduced, thereby contributing to downsizing of the entire circuit. Also,
In FIG. 8, reference numeral 512 denotes a power supply line for applying a voltage to the voltage conversion unit 511.

【0011】この回路構成を図6のそれと比較すると、
図6に示した構成ではパワートランジスタとしてダーリ
ントン接続されたNPNトランジスタが用いられてい
る。このような構成のもとでは、通常シフトレジスタや
ラッチなどの論理回路にはCMOSゲートが使われ、こ
れと同時にNPNトランジスタを形成するために、Bi
−CMOSプロセスが用いられていた。しかし、Bi−
CMOSプロセスはその工程に要するマスク枚数が多
く、高価であるという欠点を持っている。そこで、図8
に示すように、NPNトランジスタの代わりにnMOS
トランジスタを用いることにより、論理回路と同様のプ
ロセス(CMOSプロセス)を用いてパワートランジス
タも形成できるため比較的安いコストで記録ヘッドの製
造が可能となる。
When this circuit configuration is compared with that of FIG.
In the configuration shown in FIG. 6, an NPN transistor connected in Darlington is used as a power transistor. Under such a configuration, a logic circuit such as a shift register or a latch usually uses a CMOS gate, and at the same time, forms a NPN transistor.
-A CMOS process was used. However, Bi-
The CMOS process has the disadvantage that the number of masks required for the process is large and expensive. Therefore, FIG.
As shown in the figure, instead of an NPN transistor, an nMOS
By using a transistor, a power transistor can be formed using a process (CMOS process) similar to that of a logic circuit, so that a recording head can be manufactured at relatively low cost.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例で示したようなMOSトランジスタをパワートランジ
スタとして用いた記録ヘッドでは、製造プロセスのバラ
ツキによって記録ヘッドが所望の動作をしなくなるとい
う問題点があった。この点を図9に示すnMOSトラン
ジスタの電流・電圧特性図を参照して説明する。図9に
は、nMOSトランジスタの静特性と、記録ヘッドのヒ
ータの抵抗による負荷線が示してある。
However, in a recording head using a MOS transistor as a power transistor as shown in the above-mentioned conventional example, there is a problem that the recording head does not perform a desired operation due to a variation in a manufacturing process. . This will be described with reference to the current / voltage characteristic diagram of the nMOS transistor shown in FIG. FIG. 9 shows the static characteristics of the nMOS transistor and the load line due to the resistance of the heater of the recording head.

【0013】さて、図8に示すような記録ヘッドが記録
装置に搭載され、記録動作を実行しインクを吐出する
時、nMOSトランジスタが動作状態となり、ヒータに
電流がながれる。この時、nMOSトランジスタのドレ
インソース間にかかる電圧(Vop)及びドレインソース
間をながれる電流(Iop)は夫々、図9に示したよう
に、nMOSの静特性の曲線と、ヒータ抵抗による負荷
線との交点(動作点)となる。ヒータに印加する電圧を
VHとした場合、インク吐出時にヒータによって生じる
エネルギーは、(VH−Vop)×Iopとなる。
When a recording head as shown in FIG. 8 is mounted on a recording apparatus and a recording operation is performed and ink is ejected, the nMOS transistor is activated and a current flows to the heater. At this time, the voltage (Vop) applied between the drain and source of the nMOS transistor and the current (Iop) applied between the drain and source of the nMOS transistor are, as shown in FIG. (Operating point). When the voltage applied to the heater is VH, the energy generated by the heater at the time of ink ejection is (VH-Vop) * Iop.

【0014】一方、インクジェット方式に従う記録ヘッ
ドでは、電気熱交換効率を上げるためインク吐出時のド
レインソース間電圧(Vop)は、小さい値であることが
望まれる。そのため、 nMOSトランジスタの動作点
では、nMOSトランジスタは3極管領域で動作するよ
う設計することが望ましい。この時のドレイン電流(I
DS)とドレインソース間電圧(VDS)の関係は、式
(1)のように表せる。
On the other hand, in a recording head according to the ink jet system, it is desirable that the drain-source voltage (Vop) at the time of ink ejection be a small value in order to increase the electric heat exchange efficiency. Therefore, at the operating point of the nMOS transistor, it is desirable to design the nMOS transistor to operate in the triode region. At this time, the drain current (I
DS) and the drain-source voltage (VDS) can be expressed as in equation (1).

【0015】 IDS=(W/L)・μn・Cox[(VG−VTH)・VDS−(1/2)VDS2]…(1) ここで、W:ゲート幅、L:ゲート長、μn:電子移動
度、Cox:ゲート酸化膜厚、VG:ゲート電圧,VTH:
閾値電圧である。
IDS = (W / L) · μn · Cox [(VG−VTH) · VDS− (1/2) VDS 2 ] (1) where W: gate width, L: gate length, μn: Electron mobility, Cox: gate oxide film thickness, VG: gate voltage, VTH:
The threshold voltage.

【0016】また、nMOSトランジスタの特性を変動
させる要因の中で、ゲート長(L)のプロセスバラツキ
による影響が最も大きいことが知られている。例えば、
ゲート長(L)が3≦LのnMOSトランジスタを製造
する場合、その製造に用いるアライナにはミラープロジ
ェクションアライナ(MPA)を用いるのが一般的であ
るが、設計値(L0)に対して最大±1.0μmのプロ
セスバラツキが生じる可能性がある。
It is known that among the factors that change the characteristics of the nMOS transistor, the influence of the process variation of the gate length (L) is the largest. For example,
When manufacturing an nMOS transistor having a gate length (L) of 3 ≦ L, it is common to use a mirror projection aligner (MPA) as an aligner used for the manufacture. A process variation of 1.0 μm may occur.

【0017】式(1)から明らかなように、ゲート長
(L)はドレイン電流(IDS)と反比例の関係にあり、
また設計値(L0)に対するプロセスバラツキによる寸
法変化の割合が大きいため、nMOSトランジスタの静
特性は大きな影響を受ける。図9にはゲート長(L)が
設計値(L0)より大きくなった場合の静特性を破線
で、設計値より小さくなった場合の静特性を点線で示し
ている。
As is apparent from the equation (1), the gate length (L) is inversely proportional to the drain current (IDS).
Further, since the ratio of dimensional change due to process variation to the design value (L0) is large, the static characteristics of the nMOS transistor are greatly affected. FIG. 9 shows a static characteristic when the gate length (L) is larger than the design value (L0) by a broken line, and a static characteristic when the gate length (L) is smaller than the design value by a dotted line.

【0018】このような特性変化によれば、ゲート長
(L)が設計値(L0)より大きくなった場合(L>L
0)は、nMOSトランジスタのヒータに印加される電
圧、及びヒータに流れる電流がともに小さくなり、ヒー
タから発生するエネルギーは減少する。逆にゲート長
(L)が設計値(L0)より小さくなった場合(L<L
0)、nMOSトランジスタの駆動力が向上し、ヒータ
に印加される電圧及びヒータにながれる電流は共に大き
くなり、ヒータから発生するエネルギーは増大する。
According to such a characteristic change, when the gate length (L) becomes larger than the design value (L0) (L> L)
In (0), both the voltage applied to the heater of the nMOS transistor and the current flowing through the heater are reduced, and the energy generated from the heater is reduced. Conversely, when the gate length (L) becomes smaller than the design value (L0) (L <L
0), the driving force of the nMOS transistor improves, the voltage applied to the heater and the current flowing to the heater both increase, and the energy generated from the heater increases.

【0019】従って、ヒータから生じるエネルギーが設
計値よりも小さくなると、インクが吐出しないという問
題が生じ、逆にヒータから生じるエネルギーが設計値よ
りも大きいと、インクがヒータ上にこげついたり、ヒー
タの寿命が低下するという問題が生じる。このように、
記録ヘッドの製造プロセスのバラツキによりnMOSト
ランジスタの駆動力が変化し、その結果、記録ヘッドの
記録動作やその寿命に大きな影響を与える。
Therefore, if the energy generated from the heater is smaller than the design value, there is a problem that the ink is not ejected. Conversely, if the energy generated from the heater is larger than the design value, the ink sticks to the heater, There is a problem that the life of the device is shortened. in this way,
The driving force of the nMOS transistor changes due to variations in the manufacturing process of the recording head, and as a result, the recording operation of the recording head and its life are greatly affected.

【0020】本発明は、MOSトランジスタを駆動回路
に採用したインクジェット方式の記録ヘッドにおいて、
その製造プロセスのバラツキによってMOSトランジス
タの特性が変化しても正常に動作する記録ヘッド及びそ
の記録ヘッドを用いた記録装置を提供することを目的と
している。
According to the present invention, there is provided an ink jet recording head employing a MOS transistor in a driving circuit.
It is an object of the present invention to provide a recording head that operates normally even if the characteristics of a MOS transistor change due to variations in the manufacturing process, and a recording apparatus using the recording head.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の記録ヘッドは、以下のような構成からなる。
To achieve the above object, a recording head according to the present invention has the following arrangement.

【0022】即ち、ヒータと、前記ヒータを駆動するM
OSトランジスタと、画像データを保持する論理回路
と、前記論理回路から出力される、前記画像データに基
づく信号の電圧振幅をさらに高い電圧振幅に変換して前
記MOSトランジスタのゲート電極に印加する電圧変換
部と、前記電圧変換部の電圧供給路に電気的に接続さ
れ、前記MOSトランジスタの製造プロセスばらつきに
基づくドレイン電流のばらつきを補正する補正回路とを
有することを特徴とする記録ヘッドを備える。
That is, a heater and M for driving the heater
An OS transistor, a logic circuit for holding image data, and voltage conversion for converting a voltage amplitude of a signal based on the image data output from the logic circuit to a higher voltage amplitude and applying the voltage amplitude to a gate electrode of the MOS transistor And a correction circuit electrically connected to a voltage supply path of the voltage conversion unit and correcting a variation in drain current based on a variation in a manufacturing process of the MOS transistor.

【0023】ここで、半導体製造プロセスにおけるMO
Sトランジスタのゲート長の変動が、ドレイン電流のば
らつき要因に含まれる。そして、補正回路は、そのゲー
ト長の変動によるドレイン電流のばらつきを補償するよ
うにMOSトランジスタのゲート電圧を制御することに
より、MOSトランジスタのドレイン電流のばらつきを
抑制する。具体的には、そのゲート長が半導体製造プロ
セスのばらつきによって設計値より短くなった場合には
ゲート電圧を低くし、一方、そのゲート長が設計値より
長くなった場合にはゲート電圧を高くするよう制御す
る。
Here, the MO in the semiconductor manufacturing process is
The variation in the gate length of the S transistor is included in the variation factor of the drain current. Then, the correction circuit suppresses the variation in the drain current of the MOS transistor by controlling the gate voltage of the MOS transistor so as to compensate for the variation in the drain current due to the variation in the gate length. Specifically, if the gate length is shorter than a design value due to a variation in the semiconductor manufacturing process, the gate voltage is lowered, while if the gate length is longer than the design value, the gate voltage is increased. Control.

【0024】さらに、記録ヘッドには、ヒータに第1の
電圧を印加する第1の電源供給ラインと、論理回路に第
2の電圧を印加する第2の電源供給ラインと、電源変換
部に第3の電圧を印加する第3の電源供給ラインとを有
しており、また、補正回路には、ポリシリコン抵抗であ
る第1の抵抗とその抵抗に接続された第1のnMOSト
ランジスタを含んでいる。
Further, the recording head has a first power supply line for applying a first voltage to the heater, a second power supply line for applying a second voltage to the logic circuit, and a first power supply line for applying a second voltage to the logic circuit. And a third power supply line for applying a third voltage, and the correction circuit includes a first resistor which is a polysilicon resistor and a first nMOS transistor connected to the resistor. I have.

【0025】ここで、第1の抵抗の一端が第1の電源供
給ラインに、第1の抵抗の他端と第1のnMOSトラン
ジスタのドレインとの接続点が第3の電源供給ライン
に、第1のnMOSトランジスタのソースが接地接続さ
れるように構成しても良い。
Here, one end of the first resistor is connected to the first power supply line, the connection point between the other end of the first resistor and the drain of the first nMOS transistor is connected to the third power supply line, and The configuration may be such that the source of one nMOS transistor is grounded.

【0026】或は、第2のnMOSトランジスタと、そ
のトランジスタのソースと接地との間に接続される第2
の抵抗とで構成されるソースフォロワ回路をさらに有
し、第2のnMOSトランジスタのドレインが第1の電
源供給ラインに、第1の抵抗の他端と第1のnMOSト
ランジスタのドレインとの接続点が第2のnMOSトラ
ンジスタのゲートに、第2のnMOSトランジスタのソ
ースと第3の抵抗との接続点が第2の電源供給ラインに
接続されるように構成しても良い。
Alternatively, a second nMOS transistor and a second nMOS transistor connected between the source of the transistor and ground.
And a source follower circuit including a second resistor connected to a first power supply line, and a connection point between the other end of the first resistor and the drain of the first nMOS transistor. May be connected to the gate of the second nMOS transistor, and the connection point between the source of the second nMOS transistor and the third resistor may be connected to the second power supply line.

【0027】なお、駆動回路はCMOSプロセスで形成
される回路でも良いし、或は、nMOSプロセスによっ
て形成される回路であっても良い。
The driving circuit may be a circuit formed by a CMOS process or a circuit formed by an nMOS process.

【0028】この記録ヘッドは、インクを吐出して記録
を行うインクジェット記録ヘッドであっても良いし、熱
エネルギーを利用してインクを吐出する記録ヘッドであ
って、インクに与える熱エネルギーを発生するための熱
エネルギー変換体を備えていても良い。
This recording head may be an ink jet recording head that performs recording by discharging ink, or a recording head that discharges ink using thermal energy, and generates thermal energy to be applied to the ink. May be provided with a heat energy converter for the purpose.

【0029】また他の発明によれば、上記構成の記録ヘ
ッドを用いた記録装置を備える。
According to another aspect of the present invention, there is provided a recording apparatus using the recording head having the above configuration.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下添付図面を参照して本発明の
好適な実施形態について詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0031】<装置本体の概略説明>図1は、本発明の
代表的な実施の形態であるインクジェットプリンタIJ
RAの構成の概要を示す外観斜視図である。図1におい
て、駆動モータ5013の正逆回転に連動して駆動力伝
達ギア5009〜5011を介して回転するリードスク
リュー5005の螺旋溝5004に対して係合するキャ
リッジHCはピン(不図示)を有し、ガイドレール50
03に支持されて矢印a,b方向を往復移動する。キャ
リッジHCには、記録ヘッドIJHとインクタンクIT
とを内蔵した一体型インクジェットカートリッジIJC
が搭載されている。5002は紙押え板であり、キャリ
ッジHCの移動方向に亙って記録用紙Pをプラテン50
00に対して押圧する。5007,5008はフォトカ
プラで、キャリッジのレバー5006のこの域での存在
を確認して、モータ5013の回転方向切り換え等を行
うためのホームポジション検知器である。5016は記
録ヘッドIJHの前面をキャップするキャップ部材50
22を支持する部材で、5015はこのキャップ内を吸
引する吸引器で、キャップ内開口5023を介して記録
ヘッドの吸引回復を行う。5017はクリーニングブレ
ードで、5019はこのブレードを前後方向に移動可能
にする部材であり、本体支持板5018にこれらが支持
されている。ブレードは、この形態でなく周知のクリー
ニングブレードが本例に適用できることは言うまでもな
い。又、5021は、吸引回復の吸引を開始するための
レバーで、キャリッジと係合するカム5020の移動に
伴って移動し、駆動モータからの駆動力がクラッチ切り
換え等の公知の伝達機構で移動制御される。
<Schematic Description of Apparatus Main Body> FIG. 1 shows an ink jet printer IJ which is a typical embodiment of the present invention.
It is an external appearance perspective view showing the outline of composition of RA. In FIG. 1, a carriage HC that engages with a spiral groove 5004 of a lead screw 5005 that rotates via driving force transmission gears 5009 to 5011 in conjunction with forward and reverse rotation of a drive motor 5013 has pins (not shown). Guide rail 50
03 reciprocates in the directions of arrows a and b. The carriage HC includes a recording head IJH and an ink tank IT.
Integrated inkjet cartridge IJC
Is installed. Reference numeral 5002 denotes a paper pressing plate, which feeds the recording paper P to the platen 50 over the moving direction of the carriage HC.
Press against 00. Reference numerals 5007 and 5008 denote photocouplers, which are home position detectors for confirming the presence of the carriage lever 5006 in this region and switching the rotation direction of the motor 5013. Reference numeral 5016 denotes a cap member 50 for capping the front surface of the recording head IJH.
Reference numeral 5015 denotes a suction device that suctions the inside of the cap, and performs suction recovery of the recording head through an opening 5023 in the cap. Reference numeral 5017 denotes a cleaning blade. Reference numeral 5019 denotes a member which allows the blade to move in the front-rear direction. These members are supported by a main body support plate 5018. It goes without saying that the blade is not limited to this form and a known cleaning blade can be applied to this example. Reference numeral 5021 denotes a lever for starting suction for recovery of suction. The lever 5021 moves with the movement of the cam 5020 that engages with the carriage, and the driving force from the driving motor is controlled by a known transmission mechanism such as clutch switching. Is done.

【0032】これらのキャッピング、クリーニング、吸
引回復は、キャリッジがホームポジション側の領域に来
た時にリードスクリュー5005の作用によってそれら
の対応位置で所望の処理が行えるように構成されている
が、周知のタイミングで所望の動作を行うようにすれ
ば、本例にはいずれも適用できる。
The capping, cleaning, and suction recovery are configured so that desired operations can be performed at the corresponding positions by the action of the lead screw 5005 when the carriage comes to the area on the home position side. If a desired operation is performed at the timing, any of the embodiments can be applied.

【0033】<制御構成の説明>次に、上述した装置の
記録制御を実行するための制御構成について説明する。
<Description of Control Structure> Next, a control structure for executing the recording control of the above-described apparatus will be described.

【0034】図2はインクジェットプリンタIJRAの
制御回路の構成を示すブロック図である。制御回路を示
す同図において、1700は記録信号を入力するインタ
フェース、1701はMPU、1702はMPU170
1が実行する制御プログラムを格納するROM、170
3は各種データ(上記記録信号や記録ヘッドIJHに供
給される記録データ等)を保存しておくDRAMであ
る。1704は記録ヘッドIJHに対する記録データの
供給制御を行うゲートアレイ(G.A.)であり、イン
タフェース1700、MPU1701、RAM1703
間のデータ転送制御も行う。1710は記録ヘッドIJ
Hを搬送するためのキャリアモータ、1709は記録紙
搬送のための搬送モータである。1705は記録ヘッド
IJHを駆動するヘッドドライバ、1706,1707
はそれぞれ搬送モータ1709、キャリアモータ171
0を駆動するためのモータドライバである。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a control circuit of the ink jet printer IJRA. In the figure showing a control circuit, 1700 is an interface for inputting a recording signal, 1701 is an MPU, 1702 is an MPU 170
ROM for storing a control program to be executed by PC 1, 170
Reference numeral 3 denotes a DRAM for storing various data (such as the print signal and print data supplied to the print head IJH). Reference numeral 1704 denotes a gate array (GA) for controlling supply of print data to the print head IJH, and includes an interface 1700, an MPU 1701, and a RAM 1703.
It also controls data transfer between them. 1710 is a recording head IJ
A carrier motor for transporting H, and 1709 a transport motor for transporting the recording paper. 1705, a head driver for driving the recording head IJH, 1706, 1707
Are the transport motor 1709 and the carrier motor 171 respectively.
0 is a motor driver for driving 0.

【0035】上記制御構成の動作を説明すると、インタ
フェース1700に記録信号が入るとゲートアレイ17
04とMPU1701との間で記録信号がプリント用の
記録データに変換される。そして、モータドライバ17
06、1707が駆動されると共に、ヘッドドライバ1
705に送られた記録データに従って記録ヘッドIJH
が駆動され、記録が行われる。
The operation of the above control configuration will be described. When a recording signal enters the interface 1700, the gate array 17
04 and the MPU 1701 converts the recording signal into recording data for printing. Then, the motor driver 17
06 and 1707 are driven, and the head driver 1
Print head IJH according to the print data sent to
Is driven, and recording is performed.

【0036】図3は記録ヘッドIJHの駆動回路の構成
を示す回路図である。なお、図3において、従来例の図
6や図8で示した記録ヘッドの構成要素と同じ要素には
同じ参照番号を付し、その説明は省略し、ここでは、こ
の実施形態に特徴的な要素についてのみ説明する。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a drive circuit of the recording head IJH. In FIG. 3, the same elements as those of the recording head shown in FIGS. 6 and 8 of the conventional example are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. Only the elements will be described.

【0037】図3において、111はスイッチ409か
らのデジタル信号の電圧振幅を更に高い電圧振幅に変換
し、パワートランジスタ502のゲートに供給する電圧
変換部、116は電圧変換部111の電源ラインであ
る。そして、電圧変換部111は、抵抗112、抵抗1
12にドレインが接続されたnMOSトランジスタ11
3、 CMOSインバータを構成するpMOSトランジ
スタ114とnMOSトランジスタ115で構成されて
いる。
In FIG. 3, reference numeral 111 denotes a voltage converter for converting the voltage amplitude of the digital signal from the switch 409 to a higher voltage amplitude, and supplies the voltage to the gate of the power transistor 502. Reference numeral 116 denotes a power supply line of the voltage converter 111. . The voltage conversion unit 111 includes a resistor 112 and a resistor 1
NMOS transistor 11 having a drain connected to 12
3. It is composed of a pMOS transistor 114 and an nMOS transistor 115 constituting a CMOS inverter.

【0038】また、117は電圧変換部111に所望の
電圧を印加するための補正回路である。補正回路117
は、ポリシリコン抵抗118、nMOSトランジスタ1
19、nMOSトランジスタ119の動作時のON抵抗
を決定する入力端子120で構成されている。なお、ポ
リシリコン抵抗118、nMOSトランジスタ119及
びパワートランジスタ502のポリシリコンのゲート電
極は、同一製造工程で形成される。
Reference numeral 117 denotes a correction circuit for applying a desired voltage to the voltage converter 111. Correction circuit 117
Is a polysilicon resistor 118, an nMOS transistor 1
19, an input terminal 120 for determining the ON resistance of the nMOS transistor 119 during operation. The polysilicon resistor 118, the nMOS transistor 119, and the polysilicon gate electrode of the power transistor 502 are formed in the same manufacturing process.

【0039】また、シフトレジスタ404に格納される
画像データビット数とパワートランジスタ502の数と
ヒータ401の数とは同じである。
The number of image data bits stored in the shift register 404, the number of power transistors 502, and the number of heaters 401 are the same.

【0040】以上の構成の記録ヘッドIJHは、図7に
示したタイミングチャートに従って、図6に示した従来
の記録ヘッドと同様の動作が行なわれる。
The recording head IJH having the above-described configuration performs the same operation as the conventional recording head shown in FIG. 6 according to the timing chart shown in FIG.

【0041】即ち、転送クロックの立上りのタイミング
に同期して、各ヒータ401をON/OFFさせるため
の画像データ(DATA)が画像データ入力端子106
から入力される。ここで、シフトレジスタ404に格納
される画像データのビット数とヒータ401及び電流駆
動用のパワートランジスタ502との数は同じであるか
ら、ヒータ401の数の分だけ転送クロック(CLK)
のパルスを入力して画像データ(DATA)をシフトレ
ジスタ404に転送した後、ラッチ信号入力端子408
にラッチ信号を与えて各ヒータに対応した画像データを
ラッチ回路403に保持する。
That is, image data (DATA) for turning on / off each heater 401 is synchronized with the rising timing of the transfer clock.
Is entered from Here, since the number of bits of the image data stored in the shift register 404 is the same as the number of the heaters 401 and the power transistors 502 for current driving, the transfer clock (CLK) is equal to the number of the heaters 401.
Is input to transfer the image data (DATA) to the shift register 404, and then the latch signal input terminal 408
, And the latch circuit 403 holds image data corresponding to each heater.

【0042】その後に、スイッチ409をONすれば画
像データに応じたLow/Hiの信号がラッチ回路40
3から出力され、この出力電圧がスイッチ409を介し
て電圧変換部111のnMOSトランジスタ113のゲ
ートに印加される。
Thereafter, when the switch 409 is turned on, a Low / Hi signal corresponding to the image data is output to the latch circuit 40.
3, and the output voltage is applied to the gate of the nMOS transistor 113 of the voltage conversion unit 111 via the switch 409.

【0043】ここで、ラッチ回路403の出力が“Lo
w”である時を考える。この時、nMOSトランジスタ
113はOFF状態となるため、抵抗112を介して電
源116の電圧がそのままpMOSトランジスタ114
とnMOSトランジスタ115で構成されるCMOSイ
ンバータのゲートに供給される。すると、CMOSイン
バータの出力は“Low”となるため、電圧としては
“0V”がパワートランジスタ502のゲートに供給さ
れる。即ち、ラッチ回路403の出力が“Low(画像
データ無し或は画像信号の値が“0”)”の場合には、
パワートランジスタ502のゲート電圧は“0V”とな
ってヒータ401には電流が流れず、インク吐出による
記録は行われない。
Here, the output of the latch circuit 403 is "Lo"
At this time, the nMOS transistor 113 is turned off, so that the voltage of the power supply 116 is directly supplied to the pMOS transistor 114 via the resistor 112.
And an nMOS transistor 115. Then, since the output of the CMOS inverter becomes “Low”, “0 V” is supplied to the gate of the power transistor 502 as a voltage. That is, when the output of the latch circuit 403 is “Low (no image data or the value of the image signal is“ 0 ”)”,
The gate voltage of the power transistor 502 becomes “0 V”, no current flows through the heater 401, and printing by ink ejection is not performed.

【0044】次にラッチ回路403の出力が“Hi”の
ときを考える。シフトレジスタ404及びラッチ回路4
03は通常、CMOSゲートによって構成され、外部か
らの転送クロック(CLK)や画像信号(DATA)、
ラッチタイミング(LT)などの信号は全て、0V/5
Vの信号振幅を有しているため、ラッチ回路403に係
わる電源電圧は5Vである場合が多い。従って、ラッチ
回路403の出力が“Hi”の時にはその信号電圧は5
Vとなる。この5Vの電圧がスイッチ409を介してn
MOSトランジスタ113のゲートに印加される。これ
によって、nMOSトランジスタ113はON状態とな
るため、抵抗112を介して電流が流れる。
Next, consider the case where the output of the latch circuit 403 is "Hi". Shift register 404 and latch circuit 4
Numeral 03 is usually constituted by a CMOS gate, and receives an external transfer clock (CLK), image signal (DATA),
All signals such as latch timing (LT) are 0V / 5
Since the signal has a signal amplitude of V, the power supply voltage of the latch circuit 403 is often 5 V. Therefore, when the output of the latch circuit 403 is “Hi”, the signal voltage is 5
V. This 5V voltage is applied to the switch n by way of the switch 409.
The voltage is applied to the gate of the MOS transistor 113. As a result, the nMOS transistor 113 is turned on, so that a current flows through the resistor 112.

【0045】このとき、抵抗112の値をnMOSトラ
ンジスタ113のON抵抗より十分高い値に設定してお
けば、CMOSインバータのゲートには、限りなく0V
に近い電圧が印加されCMOSインバータの出力は“H
i”となる。従って、 CMOSインバータの出力電圧
レベルには、電源ライン116の電圧値がそのまま表
れ、パワートランジスタ502のゲートに供給されるこ
とになる。
At this time, if the value of the resistor 112 is set to a value sufficiently higher than the ON resistance of the nMOS transistor 113, the gate of the CMOS inverter is infinitely set to 0V.
Is applied and the output of the CMOS inverter becomes “H”.
Accordingly, the voltage value of the power supply line 116 appears as it is at the output voltage level of the CMOS inverter, and is supplied to the gate of the power transistor 502.

【0046】即ち、ラッチ回路103の出力が“Hi”
の場合には、パワートランジスタ502のゲートには、
電源ライン116の電圧が印加されてパワートランジス
タ502はON状態となり、その結果、ヒータ401に
電流が流れてインクが加熱されインク液滴が吐出して記
録が行われる。このように、パワートランジスタ102
のゲート電極に印加される電圧は、電源ライン116の
電圧となる。この電圧は、補正回路117で生成され
る。
That is, the output of the latch circuit 103 is "Hi".
In the case of, the gate of the power transistor 502
When the voltage of the power supply line 116 is applied, the power transistor 502 is turned on. As a result, a current flows through the heater 401 to heat the ink and eject ink droplets to perform printing. Thus, the power transistor 102
Is applied to the power supply line 116. This voltage is generated by the correction circuit 117.

【0047】さて、記録ヘッドの製造プロセスにおい
て、補正回路117を構成しているポリシリコン抵抗1
18及びnMOSトランジスタ119のポリシリコン電
極をヒータ401に電流を流すパワートランジスタであ
るnMOSトランジスタ502のポリシリコンゲート電
極と同時に形成し、また、その電極サイズを以下に述べ
るように設計しているため、補正回路117は、パワー
トランジスタ502の駆動力の変化によるインク吐出状
態の変化を抑制する回路として動作する。
Now, in the manufacturing process of the recording head, the polysilicon resistor 1 constituting the correction circuit 117 will be described.
18 and the polysilicon electrode of the nMOS transistor 119 are formed at the same time as the polysilicon gate electrode of the nMOS transistor 502 which is a power transistor for supplying a current to the heater 401, and the electrode size is designed as described below. The correction circuit 117 operates as a circuit that suppresses a change in the ink ejection state due to a change in the driving force of the power transistor 502.

【0048】即ち、従来例で説明したようにアライナと
してMPAを用いた場合、 nMOSトランジスタのゲ
ート長(L)についてはその設計値に対して最大±0.
5ないし±1.0μmのプロセスバラツキが生じる。こ
のプロセスバラツキは、露光条件や、エッチング条件に
依存し、製造ロット相互の間やウエハ相互の間で大きく
変動する。一方、同一ウエハ内でのバラツキについて見
ると、設計値に対しては、上述のようなずれが生じる
が、ウエハ内での相対的なバラツキは比較的少ない。つ
まり、ウエハ間のある部分のポリシリコン幅が、設計値
に対して1μm細くなっていた場合、ほかの部分のポリ
シリコン幅も同様に1μm程度細くなっていると考えら
れる。
That is, when the MPA is used as the aligner as described in the conventional example, the gate length (L) of the nMOS transistor is set to a maximum of ± 0.
A process variation of 5 to ± 1.0 μm occurs. This process variation depends on exposure conditions and etching conditions, and greatly fluctuates between manufacturing lots and wafers. On the other hand, when looking at the variation within the same wafer, the above-described deviation occurs from the design value, but the relative variation within the wafer is relatively small. In other words, if the polysilicon width in a portion between wafers is 1 μm narrower than the design value, it is considered that the polysilicon width in other portions is also reduced by approximately 1 μm.

【0049】ここで、パワートランジスタ502のポリ
シリコンのゲート長(L)の設計値が4μmであり、こ
れがプロセスバラツキにより、3μmに変化した場合を
考える。
Here, it is assumed that the design value of the gate length (L) of the polysilicon of the power transistor 502 is 4 μm, which is changed to 3 μm due to process variation.

【0050】この場合、式(1)から分かるように、M
OSトランジスタの駆動力は4/3倍に増加するため、
ヒータ401から生じるエネルギーは設計値より大きく
なり、インクのこげつきが発生したり、ヒータの寿命が
低下するという問題が生じる。
In this case, as can be seen from equation (1), M
Since the driving force of the OS transistor increases 4/3 times,
The energy generated from the heater 401 becomes larger than the design value, and there arises a problem that ink sticking occurs and the life of the heater is shortened.

【0051】このとき、補正回路117のポリシリコン
抵抗118の幅を4μm、nMOSトランジスタ119
のゲート長(L)を4μmと設計し、また、パワートラ
ンジスタ502と、nMOSトランジスタ119のポリ
シリコンゲートの向きと、ポリシリコン抵抗118の向
きとが同じ方向に製造されるようにしておけば、これら
の値も同様に同一ウエハ内では3μmへと変化すると考
えられる。
At this time, the width of the polysilicon resistor 118 of the correction circuit 117 is 4 μm, and the nMOS transistor 119
Is designed to have a gate length (L) of 4 μm, and the direction of the polysilicon gate of the power transistor 502 and the nMOS transistor 119 and the direction of the polysilicon resistor 118 are manufactured in the same direction. It is considered that these values also change to 3 μm in the same wafer.

【0052】いま、電源ライン405の電圧を24V、
電源ライン116の電圧が16Vとなるように、つま
り、ポリシリコン抵抗118と、nMOSトランジスタ
119のON抵抗との比が1:2となるように設計され
ている場合について説明する。
Now, the voltage of the power supply line 405 is set to 24V,
A case will be described where the voltage of the power supply line 116 is designed to be 16 V, that is, the ratio of the polysilicon resistor 118 to the ON resistance of the nMOS transistor 119 is 1: 2.

【0053】ポリシリコン抵抗118の幅はパワートラ
ンジスタ502のゲート長(L)と同様に4μmから3
μmへ変化するため、ポリシリコン抵抗118の抵抗値
は1.33倍に増加する。一方、補正回路117のnM
OSトランジスタ119のゲート長(L)は4μmから
3μmへ変化するため、nMOSトランジスタのON抵
抗は0.75倍に低下する。その結果、補正回路117
で生成され、電源ライン116に供給される電圧が、設
計値の16Vから約12.5Vへと変化する。
The width of the polysilicon resistor 118 ranges from 4 μm to 3 in the same manner as the gate length (L) of the power transistor 502.
Therefore, the resistance of the polysilicon resistor 118 increases 1.33 times. On the other hand, nM of the correction circuit 117
Since the gate length (L) of the OS transistor 119 changes from 4 μm to 3 μm, the ON resistance of the nMOS transistor decreases 0.75 times. As a result, the correction circuit 117
And the voltage supplied to the power supply line 116 changes from the designed value of 16 V to about 12.5 V.

【0054】この電圧が、既に説明したように、パワー
トランジスタ502のゲート電極に印加される。ゲート
電圧(VG)とドレイン電流(IDS)の間には、式
(1)に示した関係があるため、ゲート電圧(VG)が
16Vから12.5Vへ変化することにより、ドレイン
電流(IDS)は約0.75倍になる。従って、パワート
ランジスタ502のゲート長が変化することにより、M
OSトランジスタの駆動力は約1.33倍に増加するも
のの、一方ゲート電圧(VG)の変化によるMOSトラ
ンジスタの駆動力の変化は約0.75倍となる。従っ
て、全体で見るとMOSトランジスタの駆動力の変化は
約0.998倍となり、ほとんど変化しないことが分か
る。
This voltage is applied to the gate electrode of the power transistor 502 as described above. Since the relationship shown in equation (1) exists between the gate voltage (VG) and the drain current (IDS), when the gate voltage (VG) changes from 16 V to 12.5 V, the drain current (IDS) Becomes about 0.75 times. Therefore, when the gate length of the power transistor 502 changes, M
Although the driving force of the OS transistor increases about 1.33 times, the change in the driving force of the MOS transistor due to a change in the gate voltage (VG) is about 0.75 times. Therefore, it can be seen that the change in the driving force of the MOS transistor is about 0.998 times as a whole, and hardly changes.

【0055】このようにパワートランジスタ502のゲ
ート長が設計値より小さくなるとMOSトランジスタの
駆動力を向上させるように作用するが、補正回路117
の動作によりそのトランジスタのゲート電極に印加する
電圧が低下するためMOSトランジスタの駆動力を抑制
するように作用する。逆に、パワートランジスタ502
のゲート長が設計値より大きくなるとMOSトランジス
タの駆動力を低下させるように作用するが、そのトラン
ジスタのゲート電極に印加される電圧が増加するため、
MOSトランジスタの駆動力の低下が抑制される。
As described above, when the gate length of the power transistor 502 is smaller than the design value, the power transistor 502 acts to improve the driving force of the MOS transistor.
The operation described above reduces the voltage applied to the gate electrode of the transistor, and acts to suppress the driving force of the MOS transistor. Conversely, the power transistor 502
When the gate length of the MOS transistor becomes larger than the design value, it acts to reduce the driving force of the MOS transistor, but since the voltage applied to the gate electrode of the transistor increases,
A decrease in the driving force of the MOS transistor is suppressed.

【0056】以上説明したように本実施形態に従えば、
MOSトランジスタの駆動力が製造工程によるバラツ
キによって変動しても、補正回路117がその変動を補
償するように動作してMOSトランジスタの駆動力を制
御するので、その変動により生じるインク吐出動作への
影響を最小にすることができる。これによって、記録ヘ
ッドの回路を構成するパワートランジスタ特性のばらつ
きによるインク吐出の変動を抑え、より安定したインク
吐出動作を実現し、より高品位な画像記録を行うことが
できる。
According to the present embodiment as described above,
Even if the driving force of the MOS transistor fluctuates due to the variation in the manufacturing process, the correction circuit 117 operates to compensate for the fluctuation and controls the driving force of the MOS transistor. Can be minimized. As a result, fluctuations in ink ejection due to variations in the characteristics of the power transistors constituting the circuit of the recording head are suppressed, a more stable ink ejection operation is realized, and higher-quality image recording can be performed.

【0057】さらに、ヒータに高負荷がかかることもな
くなるので、記録ヘッドの寿命の延長にも貢献する。
Further, since a high load is not applied to the heater, it contributes to extending the life of the recording head.

【0058】なお、以上の例では、パワートランジスタ
502のゲート長と、ポリシリコン抵抗118の幅と、
nMOSトランジスタ119のゲート長の設計値が同じ
場合について説明した。実際の記録ヘッドの製造工程で
は、このように設計した場合のMOSトランジスタの駆
動力の補正が最も良くなされるが、本発明はこれによっ
て限定されるものでなく、これらの値が必ずしも同一設
計値である必要はないことは言うまでもない。
In the above example, the gate length of the power transistor 502, the width of the polysilicon resistor 118,
The case where the design value of the gate length of the nMOS transistor 119 is the same has been described. In the actual manufacturing process of the recording head, the correction of the driving force of the MOS transistor in such a design is best performed, but the present invention is not limited to this, and these values are not necessarily the same design values. Needless to say, it is not necessary.

【0059】また、以上の例では、レベルシフト回路1
17がポリシリコン抵抗及びMOSトランジスタで構成
されている場合について述べたが、本発明はこれによっ
て限定されるものではない。どちらか1つの素子を用
い、例えば、パワートランジスタのゲート長とほぼ同じ
幅をもつポリシリコン抵抗と、プロセスバラツキが影響
を与えないような充分太いポリシリコン抵抗の組み合わ
せなどで補正回路を構成しても良い。
In the above example, the level shift circuit 1
Although the description has been given of the case where the transistor 17 is constituted by a polysilicon resistor and a MOS transistor, the present invention is not limited to this. Using either one element, for example, a correction circuit is constituted by a combination of a polysilicon resistor having substantially the same width as the gate length of the power transistor and a sufficiently thick polysilicon resistor which does not affect process variations. Is also good.

【0060】さらに、以上の例では、電圧変換部111
はCMOSプロセスで形成される回路構成であるとして
いるが本発明はこれによって限定されるものではない。
例えば、図4に示すように、電圧変換部111をnMO
Sトランジスタのみで構成するようにしても良い。図4
において、312は抵抗、313〜315はnMOSト
ランジスタである。
Further, in the above example, the voltage converter 111
Has a circuit configuration formed by a CMOS process, but the present invention is not limited to this.
For example, as shown in FIG.
You may make it comprise only an S transistor. FIG.
, 312 is a resistor, and 313 to 315 are nMOS transistors.

【0061】このように、電圧変換部111をnMOS
トランジスタのみで構成し、また、シフトレジスタ、ラ
ッチ等の論理回路をnMOSトランジスタのみで構成す
れば、記録ヘッドの回路をnMOSプロセスで製造する
ことが可能となり、消費電力はCMOS回路に比べて大
きくなるが、製造コストは廉価となるという利点があ
る。
As described above, the voltage conversion section 111
If a logic circuit such as a shift register or a latch is formed only of nMOS transistors, it is possible to manufacture a circuit of a recording head by an nMOS process, and the power consumption is larger than that of a CMOS circuit. However, there is an advantage that the manufacturing cost is reduced.

【0062】[0062]

【他の実施形態】前述の実施形態では、インクを吐出さ
せる際、nMOSトランジスタ113がON状態とな
り、電源ライン116からGNDに電流が流れる。この
とき、電源ライン116の電圧変化が大きくならないよ
うにするため抵抗118の抵抗値及びnMOSトランジ
スタ119のON抵抗の値を抵抗112の抵抗値と比べ
て充分小さくしなければならない。このようにすると、
電源ライン405からGNDに抵抗118及びMOSト
ランジスタ119を通って大きな貫通電流が発生し、こ
こで電力が消費される。
[Other Embodiments] In the above-described embodiment, when ink is ejected, the nMOS transistor 113 is turned on, and a current flows from the power supply line 116 to GND. At this time, the resistance value of the resistor 118 and the ON resistance value of the nMOS transistor 119 must be sufficiently smaller than the resistance value of the resistor 112 in order to prevent the voltage change of the power supply line 116 from increasing. This way,
A large through current is generated from the power supply line 405 to GND through the resistor 118 and the MOS transistor 119, and power is consumed here.

【0063】本実施形態ではこのような電力消費を削減
するために、レベルシフト回路117と電源ライン11
6との間にバッファ201を設け、記録ヘッドの回路を
図5に示すように構成する。図5において、201は入
出力インピーダンスを変換するソースフォロワバッファ
であり、202はnMOSトランジスタ、203は抵抗
である。図5に示す回路構成から分かるように、ソース
フォロワバッファ201以外の回路の基本的な動作は、
図3に示す回路と同様である。
In this embodiment, in order to reduce such power consumption, the level shift circuit 117 and the power supply line 11
6, a buffer 201 is provided, and the circuit of the recording head is configured as shown in FIG. In FIG. 5, 201 is a source follower buffer for converting input / output impedance, 202 is an nMOS transistor, and 203 is a resistor. As can be seen from the circuit configuration shown in FIG. 5, the basic operation of the circuits other than the source follower buffer 201 is as follows.
This is the same as the circuit shown in FIG.

【0064】このような回路構成により、ヒータ401
を駆動するためには電源ライン116にはnMOSトラ
ンジスタ202のドレイン電流が流れれば良い。一方、
この電流はnMOSトランジスタ202のゲート電圧に
よって制御される。従って、補正回路117から出力さ
れ、nMOSトランジスタ202のゲートに印加される
電圧のみが重要となり、補正回路117の電流供給能力
は小さくとも良い。よって、抵抗118の抵抗値及びM
OSトランジスタ119のON抵抗の値を大きくするこ
とが可能となる。従って、電源ライン405からGND
に抵抗118及びMOSトランジスタ119を通って流
れる電流は小さなものとなり、消費電力を抑えることが
できる。
With such a circuit configuration, the heater 401
, The drain current of the nMOS transistor 202 only needs to flow through the power supply line 116. on the other hand,
This current is controlled by the gate voltage of the nMOS transistor 202. Therefore, only the voltage output from the correction circuit 117 and applied to the gate of the nMOS transistor 202 becomes important, and the current supply capability of the correction circuit 117 may be small. Therefore, the resistance value of the resistor 118 and M
The value of the ON resistance of the OS transistor 119 can be increased. Therefore, the power supply line 405
Therefore, the current flowing through the resistor 118 and the MOS transistor 119 becomes small, and power consumption can be suppressed.

【0065】この実施形態では、補正回路117の出力
がバッファ201に入力され、それに応じたバッファ出
力がnMOSトランジスタ202のドレインソース間電
流として出る際、nMOSトランジスタ202の閾値電
圧(VTH)分だけ電圧降下が発生するが、基本的な動作
は前述の実施形態と同様である。
In this embodiment, when the output of the correction circuit 117 is input to the buffer 201 and the corresponding buffer output is output as the drain-source current of the nMOS transistor 202, the voltage is increased by the threshold voltage (VTH) of the nMOS transistor 202. Although a descent occurs, the basic operation is the same as in the above-described embodiment.

【0066】従ってこの実施形態に従えば、余分な電力
消費が少なくなり、消費電力を一層削減することができ
る。
Therefore, according to this embodiment, unnecessary power consumption is reduced, and power consumption can be further reduced.

【0067】以上の実施形態は、特にインクジェット記
録方式の中でも、インク吐出を行わせるために利用され
るエネルギーとして熱エネルギーを発生する手段(例え
ば電気熱変換体やレーザ光等)を備え、前記熱エネルギ
ーによりインクの状態変化を生起させる方式を用いるこ
とにより記録の高密度化、高精細化が達成できる。
The above-described embodiment is particularly provided with a means (for example, an electrothermal converter or a laser beam) for generating thermal energy as energy used for performing ink ejection even in an ink jet recording system. By using a method in which a change in the state of the ink is caused by energy, it is possible to achieve higher density and higher definition of recording.

【0068】その代表的な構成や原理については、例え
ば、米国特許第4723129号明細書、同第4740
796号明細書に開示されている基本的な原理を用いて
行うものが好ましい。この方式はいわゆるオンデマンド
型、コンティニュアス型のいずれにも適用可能である
が、特に、オンデマンド型の場合には、液体(インク)
が保持されているシートや液路に対応して配置されてい
る電気熱変換体に、記録情報に対応していて膜沸騰を越
える急速な温度上昇を与える少なくとも1つの駆動信号
を印加することによって、電気熱変換体に熱エネルギー
を発生せしめ、記録ヘッドの熱作用面に膜沸騰を生じさ
せて、結果的にこの駆動信号に1対1で対応した液体
(インク)内の気泡を形成できるので有効である。この
気泡の成長、収縮により吐出用開口を介して液体(イン
ク)を吐出させて、少なくとも1つの滴を形成する。こ
の駆動信号をパルス形状をすると、即時適切に気泡の成
長収縮が行われるので、特に応答性に優れた液体(イン
ク)の吐出が達成でき、より好ましい。
The typical structure and principle are described in, for example, US Pat. Nos. 4,723,129 and 4,740.
It is preferable to use the basic principle disclosed in the specification of Japanese Patent No. 796. This method can be applied to both the so-called on-demand type and continuous type. In particular, in the case of the on-demand type, liquid (ink)
By applying at least one drive signal corresponding to the recorded information and providing a rapid temperature rise exceeding the film boiling to the electrothermal transducer arranged corresponding to the sheet or the liquid path holding the Since thermal energy is generated in the electrothermal transducer and film boiling occurs on the heat-acting surface of the recording head, bubbles in the liquid (ink) corresponding to this drive signal on a one-to-one basis can be formed. It is valid. By discharging the liquid (ink) through the discharge opening by the growth and contraction of the bubble, at least one droplet is formed. When the drive signal is formed into a pulse shape, the growth and shrinkage of the bubble are performed immediately and appropriately, so that the ejection of liquid (ink) having particularly excellent responsiveness can be achieved, which is more preferable.

【0069】このパルス形状の駆動信号としては、米国
特許第4463359号明細書、同第4345262号
明細書に記載されているようなものが適している。な
お、上記熱作用面の温度上昇率に関する発明の米国特許
第4313124号明細書に記載されている条件を採用
すると、さらに優れた記録を行うことができる。
As the pulse-shaped drive signal, those described in US Pat. Nos. 4,463,359 and 4,345,262 are suitable. Further, if the conditions described in US Pat. No. 4,313,124 relating to the temperature rise rate of the heat acting surface are adopted, more excellent recording can be performed.

【0070】記録ヘッドの構成としては、上述の各明細
書に開示されているような吐出口、液路、電気熱変換体
の組み合わせ構成(直線状液流路または直角液流路)の
他に熱作用面が屈曲する領域に配置されている構成を開
示する米国特許第4558333号明細書、米国特許第
4459600号明細書を用いた構成も本発明に含まれ
るものである。加えて、複数の電気熱変換体に対して、
共通するスロットを電気熱変換体の吐出部とする構成を
開示する特開昭59−123670号公報や熱エネルギ
ーの圧力波を吸収する開口を吐出部に対応させる構成を
開示する特開昭59−138461号公報に基づいた構
成としても良い。
As the configuration of the recording head, in addition to the combination of a discharge port, a liquid path, and an electrothermal converter (a linear liquid flow path or a right-angle liquid flow path) as disclosed in the above-mentioned respective specifications, A configuration using U.S. Pat. No. 4,558,333 or U.S. Pat. No. 4,459,600, which discloses a configuration in which a heat acting surface is arranged in a bent region, is also included in the present invention. In addition, for multiple electrothermal transducers,
JP-A-59-123670 which discloses a configuration in which a common slot is used as a discharge part of an electrothermal transducer, and JP-A-59-123670 which discloses a configuration in which an opening for absorbing a pressure wave of thermal energy corresponds to a discharge part. A configuration based on 138461 may be adopted.

【0071】さらに、記録装置が記録できる最大記録媒
体の幅に対応した長さを有するフルラインタイプの記録
ヘッドとしては、上述した明細書に開示されているよう
な複数記録ヘッドの組み合わせによってその長さを満た
す構成や、一体的に形成された1個の記録ヘッドとして
の構成のいずれでもよい。
Further, as a full line type recording head having a length corresponding to the width of the maximum recording medium that can be recorded by the recording apparatus, the length is determined by a combination of a plurality of recording heads as disclosed in the above specification. This may be either a configuration satisfying the above requirements or a configuration as a single recording head formed integrally.

【0072】加えて、上記の実施形態で説明した記録ヘ
ッド自体に一体的にインクタンクが設けられたカートリ
ッジタイプの記録ヘッドのみならず、装置本体に装着さ
れることで、装置本体との電気的な接続や装置本体から
のインクの供給が可能になる交換自在のチップタイプの
記録ヘッドを用いてもよい。
In addition to the cartridge type recording head in which the ink tank is provided integrally with the recording head itself described in the above embodiment, the recording head is electrically connected to the apparatus main body by being mounted on the apparatus main body. A replaceable chip-type recording head, which enables a simple connection and supply of ink from the apparatus main body, may be used.

【0073】また、以上説明した記録装置の構成に、記
録ヘッドに対する回復手段、予備的な手段等を付加する
ことは記録動作を一層安定にできるので好ましいもので
ある。これらを具体的に挙げれば、記録ヘッドに対して
のキャッピング手段、クリーニング手段、加圧あるいは
吸引手段、電気熱変換体あるいはこれとは別の加熱素子
あるいはこれらの組み合わせによる予備加熱手段などが
ある。また、記録とは別の吐出を行う予備吐出モードを
備えることも安定した記録を行うために有効である。
It is preferable to add recovery means for the printhead, preliminary auxiliary means, and the like to the configuration of the printing apparatus described above, since the printing operation can be further stabilized. Specific examples thereof include capping means for the recording head, cleaning means, pressurizing or suction means, preheating means using an electrothermal transducer or another heating element or a combination thereof. It is also effective to provide a preliminary ejection mode for performing ejection that is different from printing, in order to perform stable printing.

【0074】さらに、記録装置の記録モードとしては黒
色等の主流色のみの記録モードだけではなく、記録ヘッ
ドを一体的に構成するか複数個の組み合わせによってで
も良いが、異なる色の複色カラー、または混色によるフ
ルカラーの少なくとも1つを備えた装置とすることもで
きる。
Further, the recording mode of the recording apparatus is not limited to the recording mode of only the mainstream color such as black, but may be a single recording head or a combination of plural recording heads. Alternatively, the apparatus may be provided with at least one of full colors by color mixture.

【0075】以上説明した実施の形態においては、イン
クが液体であることを前提として説明しているが、室温
やそれ以下で固化するインクであっても、室温で軟化も
しくは液化するものを用いても良く、あるいはインクジ
ェット方式ではインク自体を30°C以上70°C以下
の範囲内で温度調整を行ってインクの粘性を安定吐出範
囲にあるように温度制御するものが一般的であるから、
使用記録信号付与時にインクが液状をなすものであれば
よい。
In the embodiments described above, the description is made on the assumption that the ink is a liquid. However, even if the ink solidifies at room temperature or lower, it is possible to use an ink that softens or liquefies at room temperature. Or, in the ink jet method, generally, the temperature of the ink itself is controlled within a range of 30 ° C. or more and 70 ° C. or less to control the temperature so that the viscosity of the ink is in a stable ejection range.
It is sufficient that the ink is in a liquid state when the use recording signal is applied.

【0076】加えて、積極的に熱エネルギーによる昇温
をインクの固形状態から液体状態への状態変化のエネル
ギーとして使用せしめることで積極的に防止するため、
またはインクの蒸発を防止するため、放置状態で固化し
加熱によって液化するインクを用いても良い。いずれに
しても熱エネルギーの記録信号に応じた付与によってイ
ンクが液化し、液状インクが吐出されるものや、記録媒
体に到達する時点では既に固化し始めるもの等のよう
な、熱エネルギーの付与によって初めて液化する性質の
インクを使用する場合も本発明は適用可能である。この
ような場合インクは、特開昭54−56847号公報あ
るいは特開昭60−71260号公報に記載されるよう
な、多孔質シート凹部または貫通孔に液状または固形物
として保持された状態で、電気熱変換体に対して対向す
るような形態としてもよい。本発明においては、上述し
た各インクに対して最も有効なものは、上述した膜沸騰
方式を実行するものである。
In addition, in order to positively prevent temperature rise due to thermal energy as energy for changing the state of the ink from a solid state to a liquid state, the temperature is positively prevented.
Alternatively, in order to prevent evaporation of the ink, an ink which solidifies in a standing state and liquefies by heating may be used. In any case, the application of heat energy causes the ink to be liquefied by application of the heat energy according to the recording signal and the liquid ink to be ejected, or to start to solidify when reaching the recording medium. The present invention is also applicable to a case where an ink having a property of liquefying for the first time is used. In such a case, as described in JP-A-54-56847 or JP-A-60-71260, the ink is held in a liquid state or a solid state in the concave portion or through hole of the porous sheet. It is good also as a form which opposes an electrothermal transducer. In the present invention, the most effective one for each of the above-mentioned inks is to execute the above-mentioned film boiling method.

【0077】さらに加えて、本発明に係る記録装置の形
態としては、コンピュータ等の情報処理機器の画像出力
端末として一体または別体に設けられるものの他、リー
ダ等と組み合わせた複写装置、さらには送受信機能を有
するファクシミリ装置の形態を取るものであっても良
い。
In addition, as a form of the recording apparatus according to the present invention, in addition to an image output terminal of an information processing apparatus such as a computer which is provided integrally or separately, a copying apparatus combined with a reader or the like, It may take the form of a facsimile machine having functions.

【0078】なお、本発明は、複数の機器(例えばホス
トコンピュータ,インタフェイス機器,リーダ,プリン
タなど)から構成されるシステムに適用しても、一つの
機器からなる装置(例えば、複写機,ファクシミリ装置
など)に適用してもよい。
Even if the present invention is applied to a system composed of a plurality of devices (for example, a host computer, an interface device, a reader, a printer, etc.), an apparatus (for example, a copying machine, a facsimile, etc.) comprising one device Device).

【0079】[0079]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ヒ
ータを駆動するMOSトランジスタの特性が例えば半導
体製造プロセスによって変動しても、補正回路によって
その特性のばらつきを補正するので、記録ヘッドが安定
して動作し、これによって高品位な画像記録を行うこと
ができるという効果がある。
As described above, according to the present invention, even if the characteristics of a MOS transistor for driving a heater fluctuate due to, for example, a semiconductor manufacturing process, a variation in the characteristics is corrected by a correction circuit. There is an effect that the device operates stably and thereby can perform high-quality image recording.

【0080】[0080]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の代表的な実施の形態であるインクジェ
ットプリンタIJRAの構成の概要を示す外観斜視図で
ある。
FIG. 1 is an external perspective view showing an outline of a configuration of an ink jet printer IJRA which is a typical embodiment of the present invention.

【図2】インクジェットプリンタIJRAの制御回路の
構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a control circuit of the inkjet printer IJRA.

【図3】記録ヘッドIJHの駆動回路の構成を示す回路
図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a drive circuit of a printhead IJH.

【図4】図3に示す回路をnMOSプロセスで構成する
場合の回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram in the case where the circuit shown in FIG. 3 is configured by an nMOS process.

【図5】別の実施形態に従う記録ヘッドIJHの駆動回
路の構成を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a drive circuit of a print head IJH according to another embodiment.

【図6】インクジェット方式に従う従来の記録ヘッドの
回路構成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional recording head according to an ink jet system.

【図7】図6に示した記録ヘッドの駆動回路を駆動する
為の各種信号のタイミングチャートである。
FIG. 7 is a timing chart of various signals for driving the printhead drive circuit shown in FIG. 6;

【図8】図6に示す記録ヘッドのパワートランジスタに
nMOSFETを用いた従来の例を示すブロック図であ
る。
8 is a block diagram showing a conventional example using an nMOSFET as a power transistor of the recording head shown in FIG.

【図9】nMOSトランジスタのVDS−IDS特性を示す
図である。
FIG. 9 is a diagram showing VDS-IDS characteristics of an nMOS transistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

111、311、511 電圧変換部 117 補正回路 201 ソースフォロワバッファ 401 ヒータ 402 NPNトランジスタ 403 ラッチ回路 404 シフトレジスタ 502 nMOSトランジスタ 111, 311, 511 Voltage conversion unit 117 Correction circuit 201 Source follower buffer 401 Heater 402 NPN transistor 403 Latch circuit 404 Shift register 502 nMOS transistor

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ヒータと、 前記ヒータを駆動するMOSトランジスタと、画像データを保持 する論理回路と、 前記論理回路から出力される、前記画像データに基づく
信号の電圧振幅をさらに高い電圧振幅に変換して前記M
OSトランジスタのゲート電極に印加する電圧変換部
と、前記電圧変換部の電圧供給路に電気的に接続され、 前記
MOSトランジスタの製造プロセスばらつきに基づくド
レイン電流のばらつきを補正する補正回路とを有するこ
とを特徴とする記録ヘッド。
1. A heater, a MOS transistor for driving the heater, a logic circuit for holding image data, and a higher voltage amplitude of a signal based on the image data output from the logic circuit. Converted to voltage amplitude
A voltage conversion unit for applying a voltage to the gate electrode of the OS transistor; and a voltage conversion unit electrically connected to a voltage supply path of the voltage conversion unit, based on a manufacturing process variation of the MOS transistor.
A correction circuit for correcting variations in rain current .
【請求項2】 半導体の前記製造プロセスにおける前記
MOSトランジスタのゲート長の変動が、前記ドレイン
電流のばらつき要因に含まれることを特徴とする請求項
1に記載の記録ヘッド。
2. A variation of the gate length of the MOS transistor in the semiconductor of the manufacturing process, the drain
The recording head according to claim 1, wherein the recording head is included in a current variation factor.
【請求項3】 前記補正回路は、前記ゲート長の変動に
よるドレイン電流のばらつきを補償するように前記MO
Sトランジスタのゲート電圧を制御することにより、前
記MOSトランジスタのドレイン電流のばらつきを抑制
することを特徴とする請求項2に記載の記録ヘッド。
3. The correction circuit according to claim 2, wherein said correction circuit compensates for variation in drain current due to variation in gate length.
The recording head according to claim 2, wherein a variation in drain current of the MOS transistor is suppressed by controlling a gate voltage of the S transistor.
【請求項4】 前記補正回路は、前記ゲート長が半導体
製造プロセスのばらつきによって設計値より短くなった
場合には前記ゲート電圧を低くし、一方、前記ゲート長
が設計値より長くなった場合には前記ゲート電圧を高く
することを特徴とする請求項3に記載の記録ヘッド。
4. The correction circuit reduces the gate voltage when the gate length is shorter than a design value due to a variation in a semiconductor manufacturing process. On the other hand, when the gate length is longer than a design value, 4. The recording head according to claim 3, wherein the gate voltage is increased.
【請求項5】 前記ヒータに第1の電圧を印加する第1
の電源供給ラインと、前記論理回路に第2の電圧を印加
する第2の電源供給ラインと、 前記電源変換部に第3の電圧を印加する第3の電源供給
ラインとをさらに有することを特徴とする請求項1に記
載の記録ヘッド。
5. A first method for applying a first voltage to the heater.
, A second power supply line for applying a second voltage to the logic circuit, and a third power supply line for applying a third voltage to the power conversion unit. The recording head according to claim 1.
【請求項6】 前記補正回路は、第1の抵抗と、前記第
1の抵抗に接続された第1のnMOSトランジスタを含
むことを特徴とする請求項5に記載の記録ヘッド。
6. The recording head according to claim 5, wherein the correction circuit includes a first resistor and a first nMOS transistor connected to the first resistor.
【請求項7】 前記第1の抵抗はポリシリコン抵抗であ
ることを特徴とする請求項6に記載の記録ヘッド。
7. The recording head according to claim 6, wherein the first resistor is a polysilicon resistor.
【請求項8】 前記第1の抵抗の一端が前記第1の電源
供給ラインに、前記第1の抵抗の他端と前記第1のnM
OSトランジスタのドレインとの接続点が前記第3の電
源供給ラインに、前記第1のnMOSトランジスタのソ
ースが接地接続されていることを特徴とする請求項6に
記載の記録ヘッド。
8. One end of the first resistor is connected to the first power supply line, and the other end of the first resistor is connected to the first nM.
7. The recording head according to claim 6, wherein a connection point of the drain of the OS transistor is connected to the third power supply line, and a source of the first nMOS transistor is grounded.
【請求項9】 第2のnMOSトランジスタと、前記第
2のnMOSトランジスタのソースと接地との間に接続
される第2の抵抗とで構成されるソースフォロワ回路を
さらに有し、 前記第2のnMOSトランジスタのドレインが前記第1
の電源供給ラインに、前記第1の抵抗の他端と前記第1
のnMOSトランジスタのドレインとの接続点が前記第
2のnMOSトランジスタのゲートに、前記第2のnM
OSトランジスタのソースと前記第2の抵抗との接続点
が前記第3の電源供給ラインに接続されていることを特
徴とする請求項7に記載の記録ヘッド。
9. A source follower circuit comprising: a second nMOS transistor; and a second resistor connected between a source of the second nMOS transistor and a ground, The drain of the nMOS transistor is connected to the first
The other end of the first resistor and the first
Is connected to the gate of the second nMOS transistor at the gate of the second nMOS transistor.
Recording head according to claim 7 in which the connection point between the second resistor and the source of the OS transistor and said connected Tei Rukoto to the third power supply line.
【請求項10】 前記論理回路及び電圧変換部は、CM
OSプロセスによって形成され回路であることを特徴
とする請求項1に記載の記録ヘッド。
10. The logic circuit and the voltage converter, wherein a CM
2. The recording head according to claim 1, wherein the recording head is a circuit formed by an OS process.
【請求項11】 前記論理回路及び電圧変換部は、nM
OSプロセスによって形成され回路であることを特徴
とする請求項1に記載の記録ヘッド。
11. The logic circuit and the voltage converter, wherein nM
2. The recording head according to claim 1, wherein the recording head is a circuit formed by an OS process.
【請求項12】 前記記録ヘッドは、インクを吐出して
記録を行うインクジェット記録ヘッドであることを特徴
とする請求項1に記載の記録ヘッド。
12. The recording head according to claim 1, wherein the recording head is an ink jet recording head that performs recording by discharging ink.
【請求項13】 前記記録ヘッドは、熱エネルギーを利
用してインクを吐出する記録ヘッドであって、インクに
与える熱エネルギーを発生するための熱エネルギー変換
体を備えていることを特徴とする請求項1に記載の記録
ヘッド。
13. The recording head according to claim 1, wherein the recording head ejects ink by using thermal energy, and includes a thermal energy converter for generating thermal energy to be applied to the ink. Item 2. The recording head according to Item 1.
【請求項14】 請求項1に記載の記録ヘッドを用いた
記録装置。
14. A recording apparatus using the recording head according to claim 1.
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