JP3326349B2 - 光学式表面粗さインライン検査装置 - Google Patents

光学式表面粗さインライン検査装置

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JP3326349B2
JP3326349B2 JP03522797A JP3522797A JP3326349B2 JP 3326349 B2 JP3326349 B2 JP 3326349B2 JP 03522797 A JP03522797 A JP 03522797A JP 3522797 A JP3522797 A JP 3522797A JP 3326349 B2 JP3326349 B2 JP 3326349B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は製品の表面状況をイ
ンラインで検査するための光学式表面粗さインライン検
査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、製品の表面粗さを計測する装置と
しては、接触型の装置の代表としてタリステップ、ま
た、非接触型の装置の代表として光を用いた干渉型の装
置と散乱反射光を利用した装置が知られていた。
【0003】接触型の装置は、細い針により表面をなぞ
り、表面の凹凸の程度を計測するものであるが、計測時
間がかかること、また、被検査物が柔らかい場合には傷
を付けてしまうこと、また、表面の粗さが細かいと針先
の形状に依存してしまうこと等の欠点があった。
【0004】この欠点を補うものの一つが非接触型であ
る干渉型の計測装置であり、参照面と被測定面との干渉
縞のコントラストと位相情報より、測定面の表面状態を
計測していた。しかしながら、干渉型のために、振動の
影響を受け易く、また、参照面の状態に依存するなどの
欠点を有していた。
【0005】また、他の非接触型装置として散乱反射光
を利用したものがある。これは、全散乱光と全光量との
比(Total Integrate Scatter いわゆる TIS法)によ
り、自乗平均平方根粗さRrms を測定する装置である。
TIS法では、図14に示すように、レーザー光源21
から出力されたコヒーレント光は、回転鏡22、アパー
チュア23、および積分球24を通過して被検査物25
に照射され、被検査物25の表面により反射される。こ
の反射光の全光量を計測するために、入射角と反射角と
が互いに一致する正反射光の光量は回転鏡22を介して
検出器26によって計測され、また、入射角と反射角と
が互いに一致しない散乱反射光(以下、単に散乱光とい
う)の光量は積分球24を介して検出器27によって計
測される。
【0006】このTIS法では、正反射光量Rs、全散
乱光量Rd、使用波長λとして、ビーム径に関する量を
省略するものとすると、測定光量に基づき得られる自乗
平均平方根粗さRrms は、
【数5】 である。
【0007】この場合、全散乱光を測定する必要があ
り、全散乱領域(正反射光測定領域以外の全ての半球状
の領域)をカバーする必要があるため、散乱光受光装置
を全散乱領域に対して操作するか、アレイ状にするか、
もしくは、被検査物の散乱中心を1つの焦点とする楕円
球状の鏡面として、一方の焦点で全散乱光を集光させる
などの装置にすることが考えられる。
【0008】このTIS法を適用した装置においては、
全光量を測定する必要があるため、全散乱反射光と正反
射光とを測定しなければならず、受光素子アレイが必要
になったり、受光素子自体を走査する機構を設ける必要
が生じるため光学系が複雑になる等、高価な検査装置と
ならざるを得ない。
【0009】また、最近では、ハードディスクやシリコ
ンウェハーの基板、液晶の表示画面等の加工工程中で表
面状態を検査したいという、いわゆるインライン検査に
おけるニーズが高まっている。この場合には、装置が安
価であるとともに高速な判断が必要になる。
【0010】〔従来技術の問題点〕しかしながら、従来
の表面粗さ検査装置では、高価であり、しかも、計測時
間が長く、インライン検査には適合したものがなかっ
た。また、製品の搬送装置に生じる「ガタ」の影響によ
り、干渉型の検査装置では振動の影響が大きく、TIS
法を適用した検査装置では正反射光の位置ずれにより正
確な検査を行うことが困難となり、いずれも実質的にイ
ンライン検査を行うことができなかった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みてなされたものであり、これを解決するための具体
的な課題は、非常に簡単な方式で高速にインライン検査
を行うことができる光学式表面粗さインライン検査装置
を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
光学式表面粗さインライン検査装置は、搬送されてくる
被検査物にコヒーレント光束を照射し,その散乱反射光
を測定して、被検査物の表面粗さをインラインで検査す
る装置において、前記被検査物の被測定面に照射したコ
ヒーレント光束の散乱反射光の光量を測定して前記被測
定面の表面粗さを計測する表面粗さ計測手段と、前記被
検査物に対する測定開始時と測定終了時とを決定する開
始終了決定手段と、前記表面粗さ計測手段からの計測結
果と予め設定された評価基準とに基づき前記被検査物の
表面粗さの良否を判定する判定手段とを具備し、前記表
面粗さ計測手段には、コヒーレント光束を出射する光源
と、この光源からのコヒーレント光束を前記被検査物に
照射するレンズと、前記散乱反射光の一部を正反射光の
占める空間領域以外の空間領域の2ヶ所以上で受光する
受光素子と、これらの受光素子からの出力に基づき被測
定面の表面粗さの状況を把握する演算処理装置とを備え
たことを特徴とするものである。
【0013】また、請求項2に係る光学式表面粗さイン
ライン検査装置は、前記表面粗さ計測手段は、コヒーレ
ント光束を出射する光源と、この光源からのコヒーレン
ト光束を前記被検査物に照射するレンズと、前記散乱反
射光の一部を正反射光の占める空間領域以外の空間領域
の2ヶ所以上で受光する受光素子と、これらの受光素子
からの出力と次式
【数6】 とに基づき散乱反射光受光領域における光量の比を求め
る演算処理装置とを具備したことを特徴とする。
【0014】また、請求項3に係る光学式表面粗さイン
ライン検査装置は、前記表面粗さ計測手段は、コヒーレ
ント光束を出射する光源と、この光源からのコヒーレン
ト光束を前記被検査物に照射するレンズと、前記散乱反
射光の一部を正反射光の占める空間領域以外の空間領域
の2ヶ所以上で受光する受光素子と、該2ヶ所以上の受
光素子からの出力と次式
【数7】 ただし、A,Bは次式により置き換えたものである
【数8】
【数9】 とに基づき被測定面の自乗平均平方根粗さRrmsを求め
る演算処理装置とを具備したことを特徴とする。
【0015】また、請求項4に係る光学式表面粗さイン
ライン検査装置は、前記受光素子の受光面は散乱反射光
の一部を受光する矩形状、円環状または円環の一部から
なる形状であることを特徴とする。
【0016】また、請求項5に係る光学式表面粗さイン
ライン検査装置は、前記受光素子の被検査物側に散乱反
射光の一部を透過させる矩形状、円環状または円環の一
部からなる形状のスリットを配置することを特徴とす
る。
【0017】また、請求項6に係る光学式表面粗さイン
ライン検査装置は、前記受光素子の被検査物側に、散乱
反射光の一部を透過させる矩形状、円環状または円環の
一部からなる形状のスリットと、該スリットを透過して
きた散乱反射光を集光するためのレンズとを配置するこ
とを特徴とする。
【0018】また、請求項7に係る光学式表面粗さイン
ライン検査装置は、前記受光素子の被検査物側に散乱反
射光の一部を反射させる矩形状、円環状または円環の一
部からなる形状の反射型マスクを配置することを特徴と
する。
【0019】また、請求項8に係る光学式表面粗さイン
ライン検査装置は、前記受光素子の被検査物側に、散乱
反射光の一部を反射させる矩形状、円環状または円環の
一部からなる形状の反射型マスクと、該反射型マスクか
ら反射してきた散乱反射光を集光するためのレンズを配
置することを特徴とする。
【0020】また、請求項9に係る光学式表面粗さイン
ライン検査装置は、前記受光素子の被検査物側に矩形
状、円環状または円環の一部の領域における散乱反射光
を集光させるレンズを配置することを特徴とする。
【0021】
【0022】
【0023】
【0024】
【0025】
【0026】
【0027】
【0028】
【0029】
【0030】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態をディスク形
状の製品の表面粗さを検査する場合につき詳細に説明す
る。ただし、この実施の形態は、本発明をより良く理解
させるために具体的に説明するものであり、特に指定の
ない限り、発明の内容を限定するものではない。
【0031】ここで扱うディスク表面検査装置は、図1
に示すように、ディスク1の表面加工装置2と、加工さ
れたディスク1を良品と不良品とに弁別して収容する仕
分け収納装置3と、表面加工装置2と仕分け収納装置3
との間を移動させる搬送装置4と、搬送途中でディスク
1の表面粗さを測定する表面粗さセンサ5と、製品が粗
さ測定可能な位置まで搬送されてきたことを検出する位
置検出センサ6と、この表面粗さセンサ5および位置検
出センサ6の出力信号から必要な演算を実行しその演算
結果に基づき製品表面の良否を判定して各装置の動作を
指示するシーケンサ信号を出力する演算制御装置7とか
らなる。
【0032】表面加工装置2には、ディスク1の表面を
砥石2aにより研摩する加工装置2bと、この加工装置
2bの動作を制御する加工制御回路2cとを備え、この
加工制御回路2cからの制御信号に基づき研摩加工を実
行させる。仕分け収納装置3には、良品収容部8と不良
品収容部9とを搬送装置4に形成された分岐路4a,4
bの終端にそれぞれ備え、搬送装置4により仕分けられ
た良品を良品収容部8に、搬送装置4により仕分けられ
た不良品を不良品収容部9に収容する。
【0033】搬送装置4は、移動方向を仕分け収納装置
3の良品収容部8と不良品収容部9とに分岐させる分岐
路4a,4bを接続した移動路4cを有し、ディスク1
をつり下げて移動する製品支持移動装置4dと、この製
品支持移動装置4dを駆動して所定方向へ移動させる駆
動装置4eと、この駆動装置4eの動作を制御する搬送
制御装置4fを備え、加工されたディスク1をつり下げ
て表面粗さセンサ5側へ搬送し、判定結果に基づき良品
か不良品か仕分けされたディスク1を仕分け収納装置3
の良品収容部8か不良品収容部9かのいずれか仕分けら
れた方に収容されるように搬送する。
【0034】表面粗さセンサ5は、図2,3にも示すよ
うに、コヒーレント光束としてのレーザ光をオートパワ
ーコントロール回路5eによって出力レベルを安定化し
てレーザーダイオードから出力する光源5aと、光源5
aから出力されたレーザ光をディスク1側に照射するコ
リメータレンズ5bと、ディスク1から反射した散乱反
射光の一部を受光する2つの受光素子5c,5cとを同
一のボックス5dの中に納め、搬送されてきたディスク
1に光源5aからのレーザ光を照射し、その散乱反射光
を同一ボックス5d内の受光素子5c,5cの少なくと
も1つにより受光してその受光量に応じた信号を出力す
る。この実施の形態では、表面粗さセンサ5を2つ用
い、それぞれ対向する向きにしてディスクの裏表がそれ
ぞれ検出できるように配設する。光源5aからの出力状
況はモニタ5fを介して演算制御装置7に通知される。
また、各受光素子5cの受光量は光電変換され増幅器5
gにより増幅されて演算制御装置7に送信される。
【0035】位置検出センサ6は、表面粗さセンサ5の
配設位置に対してディスク搬入側の直近に発光素子6a
の発光面と受光素子6bの受光面とを対向させて配設し
た光学的位置検出センサからなり、ディスク1が表面粗
さ測定可能な位置に近づいたことを検出する。この位置
検出センサ6によりディスク1が搬送されてきたことが
検出されると、演算制御装置7が位置検出センサ6から
の出力信号に基づき表面粗さの測定開始時刻を決定し、
そして、予め設定された搬送速度より割り出した検査に
係る経過時間を加えて終了時刻を決定する。
【0036】演算制御装置7は、図3,4にも示すよう
に、位置検出センサ6からのアナログ信号をデジタル信
号に変換するA/D変換器7dと、変換されたデジタル
信号に基づき必要な処理をするCPU(中央処理装置)
7eと、表面粗さセンサ5、位置検出センサ6、および
演算制御装置7の各部に必要な電力を供給する電源7f
とからなり、CPU7eは位置検出センサ6からの信号
を受けた時刻を表面粗さセンサ5の測定開始時刻とし、
その測定開始時刻に予め設定された搬送速度より割り出
した検査に係る経過時間を加えて終了時刻として測定時
間を決定する開始終了決定部7aと、表面粗さセンサ5
の受光量に相応する出力信号の比、またはそれらの出力
信号から自乗平均平方根粗さRrms を求める演算処理部
7bと、この演算処理部7bの演算結果に基づきディス
ク表面粗さの状態が評価基準である予め設定された許容
範囲内に入っているか否かを判定する良否判定部7c
と、良否判定部7cで判定する基準となる評価基準を設
定する判定基準設定部7gとを具備する。
【0037】この演算制御装置7では、開始終了決定部
7aが位置検出センサ6からディスク1の搬入を検出し
た旨の通知を受けると、表面粗さセンサ5の測定開始時
刻と終了時刻を決定して表面粗さの検査を指示し、演算
処理部7bが測定を開始した表面粗さセンサ5の受光量
に相応する出力信号を受けると、それらの比またはそれ
らから自乗平均平方根粗さRrms を求め、良否判定部7
cが比または自乗平均平方根粗さRrms あるいは測定受
光量から、ディスク1の表面粗さが判定基準設定部7g
で設定された所定の許容範囲に納まるか否かを判定し、
その判定結果に基づきシーケンス信号を各制御装置に出
力して、搬送されたディスク1を合格品または不合格と
して識別するとともにその結果により製品支持移動装置
4dを動作させ分岐路4a,4bを介して仕分け収納装
置3のいずれか一方へ進むようにさせる。
【0038】演算処理部7bでは、空間周波数kの複素
振幅分布F(k)に基づく散乱反射光の空間周波数kに
おける光量F(k)F* (k)、凹凸の傾斜角分布の自
乗平均平方根m、および自乗平均平方根粗さRrms とし
て、2つの受光素子5c,5cからの受光量F(k1
* (k1 ),F(k2 )F* (k2 )の比、または自
乗平均平方根粗さRrms を以下の式により計算する。す
なわち、受光量の比は、以下によって表されるものとす
る。
【数10】
【0039】また、自乗平均平方根粗さRrms は、A,
Bを
【数11】
【数12】 として、式を簡略化して記載すると、
【0040】
【数13】 なお、添字(2) は照射光束が一定の面積を有する広がり
のある場合における2次元に拡張された値であることを
示す。
【0041】良否判定部7cにおける判定方法は、判定
基準設定部7gで設定された判定基準の範囲内に測定光
量、測定光量の比、または自乗平均平方根粗さRrms
入ると合格、すなわちディスク1は良品であるとする。
これに対して測定光量、測定光量の比、または自乗平均
平方根粗さRrms が判定基準から逸脱すれば不合格、す
なわちディスク1は不良品であるとする。
【0042】1つの受光素子5cの測定光量に基づき判
定する場合では、測定結果が設定した上限Hと下限Iの
間に入れば合格とし、上限Hと下限Iのいずれか一方で
も逸脱すれば不合格とする。従って、この場合には、図
5に示す例では、F曲線の測定結果を示すディスクは測
定光量が下限Iよりも下側に落ち込んでいる部分がある
ため不合格品となり、また、G曲線の測定結果を示すデ
ィスクは測定光量が上限Hと下限Iとの両方ともに逸脱
した部分があるため不合格品となる。また、2つの受光
素子5cの測定光量に基づき判定する場合では、式2に
よって比を算出した場合には、比の値が設定された判定
基準の範囲内にあれば合格とし、また、式5によって自
乗平均平方根粗さRrms を算出した場合には、自乗平均
平方根粗さRrms の値が設定した判定基準の範囲内にあ
れば合格とする。
【0043】このように構成したディスク表面検査装置
は、ディスク1を表面加工装置2にセットすると、加工
制御装置2cからの制御信号に基づき自動的に砥石2a
を動かして表面を研摩し、所定の研摩加工を終了する
と、搬送装置4に送られて製品支持移動装置4dによっ
て表面粗さを検査可能な状態に支持されて表面粗さセン
サ5の設置位置へ搬送される。
【0044】表面粗さセンサ5の配設位置にディスク1
が近づくと位置検出センサ6がディスク1を検出し、演
算制御装置7に通知する。演算制御装置7では位置検出
センサ6からの検出信号を受けて開始終了決定部7aが
表面粗さセンサ5の測定開始時刻と終了時刻を決定し
て、ディスク1が表面粗さセンサ5の配設位置に達した
時点から直ちに測定を行う。
【0045】表面粗さセンサ5の光源5aから出力され
たレーザ光がコリメータレンズ5bを介してディスク1
側に照射され、ディスク1の検査面により反射された散
乱反射光の一部が受光素子5c,5cによって受光され
る。散乱反射光を受光した受光素子5c,5cはその受
光量に応じた電気信号を出力し、増幅器5gによって増
幅されて演算制御装置7に出力される。
【0046】表面粗さセンサ5からの出力信号を受けた
演算制御装置7では演算処理部7bによって受光量の比
または自乗平均平方根粗さRrms が求められ、その演算
結果を良否判定部7cに送出し、良否判定部7cでは入
力された演算結果と判定基準設定部7gにより設定され
た判定基準と比較し、許容範囲内にあれば良品であると
し許容範囲から逸脱していれば不良品として判定する。
この良否判定部7cでは、この判定結果に従い搬送制御
装置4fと仕分け収納装置3とにシーケンス信号を出力
して、ディスク1が良品であれば仕分け収納装置3の良
品収容部8に収容させ、また、不良品であれば不良品収
容部9に収容させる。
【0047】このディスク表面検査装置では、請求項記
載の各手段については、表面粗さセンサ5と演算処理部
7bとにより表面粗さ計測手段を構成し、位置検出セン
サ6と開始終了決定部とにより開始終了決定手段を構成
し、良否判定部7cによって判定手段を構成している。
【0048】このようなディスク表面検査装置では、図
2または6に示すように、表面粗さセンサ5に組み込ま
れた光源5aより出射されたコヒーレント光束は、コリ
メータレンズ5bにより略平行光となってディスク1の
検査面に照射され、検査面の凹凸により反射光が散乱
し、正反射光は入射角度と同一の反射角度の方向へ反射
し、散乱光束は正反射光以外の領域に反射して、受光素
子5c,5cが設けられた箇所でその一部が受光され
る。この受光素子5c,5cからの出力信号の少なくと
も1つによって表面粗さの定性的な判定ができ、また、
出力信号の2つを利用すれば、測定光量の比によって反
射率の変化等に影響を受けずに判定ができ、さらに、自
乗平均平方根粗さRrms を算出すれば定量的な表面粗さ
を判定することができて測定精度を高めることができ
る。
【0049】このように表面粗さセンサ5の光学系全体
を、図2または6に示すように、被検査物であるディス
ク1の検査面に対して傾けて配設すると、表面の凹凸が
光源1側に向いた面の反射光以外は光源5aに戻らない
ので、光源5aへの戻り光が極めて少なくなり、戻り光
の影響を軽減することができる。従って、シグナル・ノ
イズ比S/Nの高い検出ができるようになる。
【0050】このディスク表面検査装置では正反射光以
外の空間領域の2カ所以上で受光量を計測するので、非
常に大きな傾きの変化がなければ、正確に表面粗さを計
測することができる。このため、従来のTIS法におい
て散乱総光量と全光量との比が必要なため、正反射光の
測定が必要であったり、被検査物からの正反射光の位置
が変化しないように、被検査物が傾かないように保持す
るか、または、正反射光の位置を正確に求めるような補
正機構を特別に設ける必要があったが、このディスク表
面検査装置ではこれらの必要性がなくなるという利点が
生じる。
【0051】なぜならば、図7で示したように、散乱反
射光の強度は、空間周波数が比較的高い領域(散乱角度
の大きい領域)では、大きく変化することはないので、
多少、被検査物であるディスク1が傾いても大きな変化
をすることがない。しかも、2つの領域で受光した光量
の比を取れば、式2に示したように、被検査物の反射率
が変化しても変化しないし、被検査物が傾いても比較的
高い周波数領域の変化は少ないので、比を取ることで、
その変化はさらに軽減される。
【0052】ただし、比を取った場合には、式2に示し
たように、表面の粗さの自乗平均平方根粗さRrms と凹
凸の傾斜角分布の自乗平均平方根mとに依るので、正確
な自乗平均平方根粗さRrms を算出することはできない
が、例えば、Rrms /mの小さいL1 では、互いに異な
る空間周波数k1 ,k2 で受光する光量差は小さく、R
rms /mの大きいL2 では、互いに異なる空間周波数k
1 ,k2 で受光する光量差は大きくなる。従って、表面
粗さの適否を評価基準との比較において相対的に評価す
ることができる。
【0053】実際、被検査物の表面に円周方向の加工傷
をつけた媒体の表面粗さを評価したところ、接触型のタ
リステップの中心線平均粗さRa との間で高い相関が得
られている。従って、インラインにおける表面状態の検
査で、表面粗さの数値化を必要としない場合には、比を
演算して設定した判定基準との比較により判定すること
により、表面加工の良否を即座に判定することができ
る。また、表面粗さセンサ5,5によって被検査物であ
るディスク1の表面と裏面とを同時に検査することがで
きるから、非常に素早くかつ効率良く検査することがで
きる。
【0054】〔別態様〕この実施形態の受光素子は、正
反射光を除く領域に3個以上の受光素子(図示せず)を
配置しても良い。この場合には、受光素子数をN個とし
た場合に、各受光素子の2つずつの組み合わせより N
2 個の情報を得ることができるので、これらの比あるい
は式5により、各値を計算して平均値もしくは近似曲線
より所望の値を得るようにすれば測定精度を増すことが
できる。
【0055】また、光源1の向きは、図8に示すよう
に、コヒーレント光束が被検査物に対して垂直に出射す
るような向きに配置しても良い。この場合にはインライ
ン計測における光学系全体の占めるスペースが少なくて
すむ利点がある。なお、光源としては、コヒーレント光
源であれば、半導体レーザーのみならず、気体レーザー
や固体レーザーのような、他のどのような光源を用いて
も良いことは言うまでもない。
【0056】この他に、表面の加工状態が、レンズの研
磨面などのように、加工傷の方向が全くランダムであっ
たり、少々方向性を有するような場合には、光の散乱方
向は、全方向に広がるので、スリットもしくは鏡等の反
射膜を蒸着してコヒーレント光束を反射させるマスク
(以下、反射型マスクという。図示せず)を設けても、
ある空間周波数の全光束を受光したことにはならないの
で、このような場合には、図9に示すように、反射光を
中心とした円環状の受光面を有する受光素子11,12
を配置しても良い。円環状の受光面を有する受光素子1
1,12を使用した場合には、ある空間周波数領域を全
て包含しているので、加工方法に依らず、安定した検出
を行うことができる。従って、より汎用性の高い表面粗
さ測定ができる。
【0057】また、同様の理由により、円環状の受光面
を有する受光素子11,12と被検査物1との間にスリ
ット(図示せず)を配置しても良い。加工傷が全くラン
ダムな方向を向いている場合には、散乱光は散乱角が等
しければ均一になるので、円環状の一部の光を受光して
も同様の目的を達することができる。また、スリットを
用いると、ディスク1が比較的周囲が明るい環境下に置
かれていても、単位面積当たりの光量は、コヒーレント
光束に比較して、非常に弱いので、スリットに入射され
るコヒーレント光束以外の光量は非常に弱くなり、実質
上、測定結果に影響を与えることがなくなる。従って、
インライン計測において、暗所にするなどの特別な環境
下にする必要性がなくなる。
【0058】また、上記散乱光を透過させるスリットば
かりではなく、反射型マスクを使用しても良い。この反
射型マスクを使用したものでは、空間周波数の異なる2
つ以上の領域を各反射型マスクの反射方向を変えること
により、空間的に完全に分離させることができるので、
省スペース化を図ることができる。
【0059】表面の加工状態が、ディスクの円周方向に
加工傷を付けた媒体のように、一方向にそろったものや
ある程度加工方向が決まったもの等においては、光の散
乱方向はその加工傷の方向に対してほぼ垂直な方向に非
常に強くなるから、加工方向に広い矩形状のスリットも
しくは反射型マスクを、受光素子5cとディスク1との
間に設けることにより、余計な散乱光をカットすること
ができたり、得られた信号のシグナル・ノイズ比S/N
を高くすることができ、測定誤差を少なくすることがで
きる。
【0060】次に、図10に示すように、被検査物1と
受光素子5c,5cとの間に透過型の矩形状または円環
状のスリット13,14をそれぞれ配設し、そのスリッ
ト13,14と受光素子5c,5cとの間に散乱光を集
光させるレンズ15,16をそれぞれ配設して、散乱反
射光を受光素子5c,5cに集光させるようにする。さ
らに、被検査物の表面の凹凸により散乱された光を2つ
の光束に分けて、一方の光束がスリット13および集光
レンズ15を経て受光素子5cの一方に集光され、他方
の光束がスリット14および集光レンズ16を経て受光
素子5cの他方に集光されるように配置したビームスプ
リッタ17を設けても良い。
【0061】この場合には、スリットを円環状に形成す
ることにより円環状の受光面を有する受光素子が必要な
くなり、また、表面状態に依らず表面粗さを評価するこ
とができる。また、光源5aからの出射光をやや収束気
味にして照射し、集光レンズ15、16を凸レンズとす
ることにより、平行光束を収束する場合に比較すると、
全光路長を短くすることができ、全体系をコンパクトに
できる。また、各受光素子5c,5cの受光面の形状を
散乱光の受光したい空間周波数領域に合わせた形状にす
る必要がなくなるので、設計の自由度が増す。また、散
乱反射光を透過させるスリットばかりではなく、散乱反
射光を反射させる反射型マスクを使用しても良い。この
反射型マスクを使用したものでは、空間周波数の異なる
2つ以上の領域を各反射型マスクの反射方向を変えるこ
とにより、空間的に完全に分離させることができるの
で、省スペース化が図れる。
【0062】さらにまた、図11に示すように、集光レ
ンズ18を、レンズ中心を除く円環状の2つの透光領域
A,Bを有し、他の領域は光が透過しないようにマスク
し、この2つの透光領域A,Bには各々別の焦点距離を
与えるようにしても良い。この場合には、マスクやスリ
ットの効果と集光レンズの効果を併せ持った複合的な素
子を用いることができる。このような集光レンズ18を
製造するには、凸レンズの前側の曲率半径を各領域A,
Bで異なるように研磨するか、各領域の屈折率を別々の
イオンの注入により変化させるか、あるいはホログラム
素子にする等の多くの方法が考えられるが、最も簡単な
方法としては、異なる焦点距離を有する2つの凸レンズ
を円環状に切り出し、マスク領域を平面ガラスとしては
め込むことにより実現できる。ただし、実際には、前側
で屈折した光線の高さは後側では前側よりも低くなるか
ら、各領域A,Bは必要とする空間周波数領域よりも大
きめに円環部分を切り出す必要がある。
【0063】このような複合的な素子を用いると、円環
状の部分を通過した光束、即ち、被検査物であるディス
ク1により散乱された光の異なる空間周波数を、異なる
焦点で検出することができ、従って、図12に示すよう
に、集光レンズ18、受光素子5cの一方、および受光
素子5cの他方を、それぞれ光学的に直列な配置にする
ことができる。この場合には、ビームスプリッター17
等を用いる必要がないために、光学系が非常に簡素化さ
れる。また、図12において、光源5aからの出射光を
やや収束気味にして被検査物に照射すると、平行光を収
束する場合に比較して、全光路長を短くすることがで
き、全体系をコンパクトにすることができる。
【0064】そして、集光レンズ18の円環状領域を3
つ以上にすることもできるので、簡単な構成で3つ以上
の空間周波数領域の情報を同時に検出することもでき、
従って、正反射光を除く領域に3個以上の受光素子を配
置したのと変わりがなく、この場合には、受光素子数を
N個とした場合に、各受光素子の2つずつの組み合わせ
より N2 個の情報を得ることができ、測定精度を増す
ことができる。
【0065】さらにまた、位置検出については、受光素
子自体を使用して検出するようにしても良い。この場合
には、通常、円盤状の表面加工を施した製品では面取り
加工が施されているから、面取りされた部位に表面粗さ
センサ5,5からの出射光がかかった場合には、面取り
された面での正反射光の方向が広範囲に広がり、本来散
乱反射光が受光される受光素子5cに正反射光成分が入
射される。
【0066】この成分は,表面の粗さによる散乱反射光
よりも強いから、図13に示すように、受光素子5cか
らの出力は、被検査物の面取り部分が照射ビームの出て
いる位置に入ってくると徐々に大きくなり、面取り部分
が照射ビームから抜け出すと本来の被検査物の表面粗さ
による散乱光強度になる。従って、図中のDで示すピー
ク位置を演算処理部7cで捕捉することにより、また
は、光強度に閾値Eを設定し、閾値を超えてから次に閾
値より下がった時点を基準にすることにより、そこから
搬送速度より算出したタイミングだけずらして測定開始
とすることができる。次に、測定終了時は、搬送装置の
速度より割り出した必要とする検査時間より決定すれば
よい。例えば、検査を全面で行なう場合には、被検査物
の大きさと搬送速度より検査時間を算出すればよい。
【0067】この被検査物に対する表面粗さセンサー5
を用いて位置検出する方法の場合では、表面粗さセンサ
ー以外に発光素子と受光素子との組などを用いたセンサ
ーを設ける必要がないので、表面粗さセンサー5との位
置合せ等が不要になり、構成が簡単になる。さらに、表
面用と裏面用とに個別に算出手段を設けておけば、実質
的に2つの光学系のディスクに当たっているスポットの
位置を調整する必要がないので、設置も容易となる。
【0068】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1に
係る光学式表面粗さインライン検査装置では、ロボット
やコンベアー等の搬送装置により被検査物を搬送する途
中で、開始終了決定手段による被検査物の測定可能位置
に到達したことを検出することができて被接触式に表面
粗さを検査することができ、表面粗さ計測手段に具備さ
れた正反射光以外の空間領域の2ヶ所以上で受光量を計
測する受光素子からの出力信号の少なくとも1つを用い
て判定手段によって表面粗さの定性的な判定ができ、ま
た、2ヶ所以上からの出力信号を利用すれば、測定光量
の比によって反射率の変化等に影響を受けずに判定がで
き、さらに、自乗平均平方根粗さRrmsを算出すれば定
量的な表面粗さを判定することができて、測定精度を高
めることができるとともに定量的な判定を容易にするこ
とができる。そして、2ヶ所以上の散乱反射光受光領域
における散乱反射光の一部の受光量を用いることで、簡
便に相対的な表面粗さを評価することができるから表面
粗さのインライン検査が迅速にでき、2ヶ所以上で受光
量を計測するので、非常に大きな傾きの変化がなけれ
ば、正確に表面粗さを計測することができる。従来の計
測方法においては散乱総光量と全光量との比が必要なた
め、正反射光を測定する必要があったり、被検査物から
の正反射光の位置が変化しないように、被検査物が傾か
ないように保持するか、または、正反射光の位置を正確
に求めるような補正機構を特別に設ける必要があった
が、本発明の検査装置ではこれらの必要性がなくなると
いう利点が生じる。
【0069】請求項2に係る光学式表面粗さインライン
検査装置では、2ヶ所以上の散乱反射光受光領域におけ
る受光量の比を取ることで、簡便に相対的な表面粗さを
評価することができるとともに、検出出力の検査面に対
する傾きに依る影響を低減させることができる。また、
被検査物搬送手段を用いた被検査物の搬送において、光
軸と被検査物との角度が変化してもその影響を低減で
き、インライン検査を容易かつ迅速に実行することがで
きる。
【0070】請求項3に係る光学式表面粗さインライン
検査装置では、2ヶ所以上の散乱反射光受光領域におけ
る受光量から被測定面の自乗平均平方根粗さRrmsを求
めることで、定量的な表面粗さを評価することができる
とともに、検出出力の検査面に対する傾きに依る影響を
低減させることができる。また、被検査物搬送手段を用
いた被検査物の搬送において、光軸と被検査物との角度
が変化してもその影響を低減でき、インライン検査を容
易かつ迅速に実行することができる。
【0071】請求項4に係る光学式表面粗さインライン
検査装置では、受光素子の受光面が散乱反射光の一部を
受光する矩形状、円環状または円環の一部からなる形状
に成形されているから、不要な散乱光をカットして、S
/Nを向上させることができて測定精度を向上させるこ
とができ、表面粗さの定性的な評価値や自乗平均平方根
表面粗さRrmsの測定精度を高めることができる。
【0072】請求項5に係る光学式表面粗さインライン
検査装置では、受光素子の被検査物側に、散乱光の一部
を透過させる矩形状、円環状または円環の一部からなる
形状のスリットを配置したことにより、光学系の構成が
非常に簡単になるとともに、不要な散乱光をカットし
て、S/Nを向上させることができ、測定精度を高くす
ることができる。
【0073】請求項6に係る光学式表面粗さインライン
検査装置では、受光素子の被検査物側に、散乱光の一部
を透過させる矩形状、円環状または円環の一部からなる
形状のスリットと、このスリットを透過してきた散乱光
を集光するための集光レンズとを配置したことにより、
不要な散乱光をカットしてS/Nを向上させることがで
き、測定精度を向上させることができるとともに、不要
な光をカットできるので計測位置を暗所にする必要性が
なくなる。
【0074】請求項7に係る光学式表面粗さインライン
検査装置では、受光素子の被検査物側に、散乱光の一部
を反射させる矩形状、円環状または円環の一部からなる
形状の反射型マスクを配置したことにより、光学系の構
成が非常に簡単になるとともに、不要な散乱光をカット
して、S/Nを向上させることができ、測定精度を高く
することができる。
【0075】請求項8に係る光学式表面粗さインライン
検査装置では、受光素子の被検査物側に、散乱光の一部
を反射させる矩形状、円環状または円環の一部からなる
形状の反射型マスクと、この反射型マスクから反射して
きた散乱光を集光するための集光レンズとを配置したこ
とにより、不要な散乱光をカットしてS/Nを向上させ
ることができ、測定精度を向上させることができるとと
もに、不要な光をカットできるので計測位置を暗所にす
る必要性がなくなる。
【0076】請求項9に係る光学式表面粗さインライン
検査装置では、受光素子の被検査物側に矩形状、円環状
または円環の一部の領域における散乱光を集光させるレ
ンズを配置したことにより、光学系の構成を非常に簡単
な構成にすることができ、コンパクト化することができ
る。
【0077】
【0078】
【0079】
【0080】
【0081】
【0082】
【0083】
【0084】
【0085】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光学的表面粗さインライン検査装置お
ける実施の形態を示す全体構成図である。
【図2】実施の形態における表面粗さセンサを示す縦断
面説明図である。
【図3】実施の形態における表面粗さインライン検査装
置に係る表面粗さセンサと演算制御装置とを示すブロッ
ク図である。
【図4】実施の形態におけるCPUを示すブロック図で
ある。
【図5】実施の形態における測定光量の判定条件を示す
グラフである。
【図6】実施の形態における表面粗さセンサと被検査物
との傾きを示す側面説明図である。
【図7】実施の形態における測定光量の比による評価を
説明するグラフである。
【図8】実施の形態における被検査物に対して垂直に表
面粗さセンサを設けた別態様を示す側面説明図である。
【図9】実施の形態における円環状の受光面を有する受
光素子を備えた別態様を示す側面説明図である。
【図10】実施の形態におけるスリットを用いた別態様
を示す側面説明図である。
【図11】実施の形態におけるスリットと集光レンズと
を併せ持つ集光レンズを示す説明図であり、(イ)は側
面図、(ロ)は正面図である。
【図12】実施の形態におけるスリットと集光レンズと
を併せ持つ集光レンズを用いた別態様を示す側面説明図
である。
【図13】実施の形態における位置検出に表面粗さセン
サを使用した場合の判定方法を示すグラフである。
【図14】従来のTIS法を適用した光学式表面粗さ計
測装置を示す構成図である。
【記号の説明】
1 ディスク 2 表面加工装置 3 仕分け収納装置 4 搬送装置 4f 搬送制御装置(仕分け手段) 5 表面粗さセンサ(表面粗さ計測手段) 6 位置検出センサ(開始終了決定手段) 7 演算制御装置 7a 開始終了決定部(開始終了決定手段) 7b 演算処理部(表面粗さ計測手段) 7c 良否判定部(判定手段)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武田 重人 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪 セメント株式会社 新規技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−140904(JP,A) 特開 平7−318319(JP,A) 実開 平1−85614(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01B 11/00 - 11/30 102

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】搬送されてくる被検査物にコヒーレント光
    束を照射し,その散乱反射光を測定して、被検査物の表
    面粗さをインラインで検査する装置において、 前記被検査物の被測定面に照射したコヒーレント光束の
    散乱反射光の光量を測定して前記被測定面の表面粗さを
    計測する表面粗さ計測手段と、 前記被検査物に対する測定開始時と測定終了時とを決定
    する開始終了決定手段と、 前記表面粗さ計測手段からの計測結果と予め設定された
    評価基準とに基づき前記被検査物の表面粗さの良否を判
    定する判定手段とを具備し 前記表面粗さ計測手段には、コヒーレント光束を出射す
    る光源と、この光源からのコヒーレント光束を前記被検
    査物に照射するレンズと、前記散乱反射光の一部を正反
    射光の占める空間領域以外の空間領域の2ヶ所以上で受
    光する受光素子と、これらの受光素子からの出力に基づ
    き被測定面の表面粗さの状況を把握する演算処理装置と
    を備え たことを特徴とする光学式表面粗さインライン検
    査装置。
  2. 【請求項2】前記表面粗さ計測手段は、コヒーレント光
    束を出射する光源と、この光源からのコヒーレント光束
    を前記被検査物に照射するレンズと、前記散乱反射光の
    一部を正反射光の占める空間領域以外の空間領域の2ヶ
    所以上で受光する受光素子と、これらの受光素子からの
    出力と次式 【数1】 とに基づき散乱反射光受光領域における光量の比を求め
    る演算処理装置とを具備したことを特徴とする請求項1
    記載の光学式表面粗さインライン検査装置。
  3. 【請求項3】前記表面粗さ計測手段は、コヒーレント光
    束を出射する光源と、この光源からのコヒーレント光束
    を前記被検査物に照射するレンズと、前記散乱反射光の
    一部を正反射光の占める空間領域以外の空間領域の2ヶ
    所以上で受光する受光素子と、該2ケ所以上の受光素子
    からの出力と次式 【数2】 ただし、A,Bは次式により置き換えたものである 【数3】 【数4】 とに基づき被測定面の自乗平均平方根粗さR rms 求め
    る演算処理装置とを具備したことを特徴とする請求項1
    記載の光学式表面粗さインライン検査装置。
  4. 【請求項4】前記受光素子の受光面は散乱反射光の一部
    を受光する矩形状、円環状または円環の一部からなる形
    状であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに
    記載の光学式表面粗さインライン検査装置。
  5. 【請求項5】前記受光素子の被検査物側に散乱反射光の
    一部を透過させる矩形状、円環状または円環の一部から
    なる形状のスリットを配置することを特徴とする請求項
    1乃至3のいずれかに記載の光学式表面粗さインライン
    検査装置。
  6. 【請求項6】前記受光素子の被検査物側に、散乱反射光
    の一部を透過させる矩形状、円環状または円環の一部か
    らなる形状のスリットと、該スリットを透過してきた散
    乱反 射光を集光するためのレンズとを配置することを特
    徴とする請求項乃至のいずれかに記載の光学式表面
    粗さインライン検査装置。
  7. 【請求項7】前記受光素子の被検査物側に散乱反射光の
    一部を反射させる矩形状、円環状または円環の一部から
    なる形状の反射型マスクを配置することを特徴とする請
    求項乃至のいずれかに記載の光学式表面粗さインラ
    イン検査装置。
  8. 【請求項8】前記受光素子の被検査物側に、散乱反射光
    の一部を反射させる矩形状、円環状または円環の一部か
    らなる形状の反射型マスクと、該反射型マスクから反射
    してきた散乱反射光を集光するためのレンズを配置する
    ことを特徴とする請求項乃至のいずれかに記載の光
    学式表面粗さインライン検査装置。
  9. 【請求項9】前記受光素子の被検査物側に矩形状、円環
    状または円環の一部の領域における散乱反射光を集光さ
    せるレンズを配置することを特徴とする請求項乃至
    のいずれかに記載の光学式表面粗さインライン検査装
    置。
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